DE112022002700T5 - Leistungshalbleitergehäuse - Google Patents

Leistungshalbleitergehäuse Download PDF

Info

Publication number
DE112022002700T5
DE112022002700T5 DE112022002700.2T DE112022002700T DE112022002700T5 DE 112022002700 T5 DE112022002700 T5 DE 112022002700T5 DE 112022002700 T DE112022002700 T DE 112022002700T DE 112022002700 T5 DE112022002700 T5 DE 112022002700T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
power semiconductor
side switch
semiconductor packages
coupled
low
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE112022002700.2T
Other languages
English (en)
Inventor
David Giuliano
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
PSemi Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by PSemi Corp filed Critical PSemi Corp
Publication of DE112022002700T5 publication Critical patent/DE112022002700T5/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0083—Converters characterised by their input or output configuration
    • H02M1/009—Converters characterised by their input or output configuration having two or more independently controlled outputs
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/49524—Additional leads the additional leads being a tape carrier or flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0003—Details of control, feedback or regulation circuits
    • H02M1/0006—Arrangements for supplying an adequate voltage to the control circuit of converters
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0095—Hybrid converter topologies, e.g. NPC mixed with flying capacitor, thyristor converter mixed with MMC or charge pump mixed with buck
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/156—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
    • H02M3/158—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/156—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
    • H02M3/158—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load
    • H02M3/1584—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load with a plurality of power processing stages connected in parallel
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/156—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
    • H02M3/158—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load
    • H02M3/1584—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load with a plurality of power processing stages connected in parallel
    • H02M3/1586—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load with a plurality of power processing stages connected in parallel switched with a phase shift, i.e. interleaved
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/074—Stacked arrangements of non-apertured devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

Der hier offenbarte Gegenstand kann Halbleitergeräte betreffen und kann insbesondere zum Beispiel Leistungshalbleitergehäuse betreffen.

Description

  • HINTERGRUND
  • Technisches Gebiet:
  • Der hier offenbarte Gegenstand kann Halbleitergeräte betreffen und kann insbesondere zum Beispiel Leistungshalbleitergehäuse betreffen.
  • Informationen:
  • Moderne elektronische Geräte können elektronische Komponenten einbinden, die zum Beispiel recht anspruchsvolle Betriebsparameter bezüglich Versorgungsspannungen haben können. Von daher kann es vorteilhaft sein, Komponenten mit einer hochwertigen und stabilen Leistungsquelle zu versorgen. Viele elektronische Geräte beinhalten Leistungswandler irgendeines Typs, um das Bereitstellen einer angemessenen Leistung für verschiedene Komponenten zu unterstützen. Da sich Anforderungen für verschiedene Typen von elektronischen Geräten weiterhin aufgrund einer andauernden Entwicklung von elektronischen Geräten aller Arten ändern, können Leistungswandler vorteilhaft sein, die eine gewünschte Leistungsfähigkeit erzielen können und/oder die mit reduzierter Zeit, reduziertem Aufwand und/oder reduzierten Kosten implementiert werden können.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Der beanspruchte Gegenstand wird in dem abschließenden Teil der Schrift speziell herausgestellt und distinkt beansprucht. Jedoch ist er in Bezug auf sowohl die Organisation und/oder das Operationsverfahren zusammen mit Objekten, Merkmalen und/oder Vorteilen davon am besten durch Bezugnahme auf die folgende ausführliche Beschreibung zu versehen, wenn sie mit den begleitenden Zeichnungen gelesen wird, in denen gilt:
    • 1 stellt ein schematisches Blockdiagramm eines beispielhaften Leistungshalbleitergehäuses gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen dar;
    • 2 stellt ein schematisches Blockdiagramm dar, das ein beispielhaftes Leistungshalbleitergehäuse gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen veranschaulicht;
    • 3 stellt ein schematisches Blockdiagramm dar, das einen beispielhaften Mehrpegelleistungswandler einschließlich mehrerer beispielhafter Leistungshalbleitergehäuse gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen zeigt;
    • 4 stellt ein schematisches Blockdiagramm dar, das einen beispielhaften Reihenkondensatorwandler einschließlich mehrerer beispielhafter Leistungshalbleitergehäuse gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen veranschaulicht;
    • 5 ist eine Veranschaulichung einer bespielhaften Kugelgitteranordnung für ein beispielhaftes Leistungshalbleitergehäuse gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen;
    • 6 ist eine Veranschaulichung einer bespielhaften Kugelgitteranordnung für ein beispielhaftes Leistungshalbleitergehäuse gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen;
    • 7 stellt ein schematisches Blockdiagramm eines beispielhaften Leistungshalbleitergehäuses gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen dar;
    • 8 stellt ein schematisches Blockdiagramm dar, das eine beispielhafte Ladungspumpenanordnung einschließlich mehrerer beispielhafter Leistungshalbleitergehäuse gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen zeigt;
    • 9 stellt ein schematisches Blockdiagramm dar, das eine beispielhafte Ladungspumpenanordnung einschließlich mehrerer beispielhafter Leistungshalbleitergehäuse gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen veranschaulicht;
    • 10 stellt ein schematisches Blockdiagramm dar, das eine beispielhafte Reihe-Parallel-Leistungswandleranordnung gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen veranschaulicht;
    • 11 stellt ein schematisches Blockdiagramm dar, das eine beispielhafte Reihe-Parallel-Leistungswandleranordnung unter Nutzung von Leistungshalbleitergehäusen gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen veranschaulicht;
    • 12 ist ein schematisches Blockdiagramm, das eine beispielhafte Leistungswandleranordnung gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen veranschaulicht;
    • 13 ist eine Veranschaulichung, die bestimmte Ansichten eines beispielhaften Flip-Chips auf einem Leiterrahmenhalbleitergehäuse gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen darstellt;
    • 14 ist eine Veranschaulichung, die ein beispielhaftes Leistungshalbleitergehäuse unter Nutzung von QFN-Kapselungstechnologie gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen darstellt;
    • 15 ist eine Veranschaulichung, die ein weiteres beispielhaftes Leistungshalbleitergehäuse unter Nutzung von QFN-Kapselungstechnologie gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen darstellt;
    • 16 ist eine Veranschaulichung, die ein beispielhaftes Leistungshalbleitergehäuse einschließlich drei Leistungsschaltgeräte gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen darstellt;
    • 17 ist ein schematisches Blockdiagramm, das eine beispielhafte 3:1-Ladungspumpenaordnung gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen veranschaulicht;
    • 18 ist ein schematisches Blockdiagramm, das eine beispielhafte Vierpegel-Buck-Wandler-Anordnung gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen veranschaulicht;
    • 19 stellt ein schematisches Blockdiagramm dar, das ein beispielhaftes Leistungshalbleitergehäuse gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen veranschaulicht;
    • 20 stellt ein Blockdiagramm dar, das ein beispielhaftes Leistungshalbleitergehäuse einschließlich segmentierter Leistungsschaltgeräte gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen veranschaulicht;
    • 21 ist ein schematisches Blockdiagramm, das eine Ausführungsform eines beispielhaften Geräts vom Internet-der-Dinge(IoT: Internet of Things)-Typ darstellt;
    • 22 ist ein schematisches Blockdiagramm, das eine Ausführungsform eines beispielhaften Systems darstellt, das ein oder mehrere Serverrechengeräte und/oder ein oder mehrere IoT-Typ-Geräte beinhaltet; und
    • 23 ist ein schematisches Blockdiagramm, das eine Ausführungsform eines beispielhaften Rechengeräts veranschaulicht.
  • In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf begleitende Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil hiervon bilden, wobei gleiche Ziffern durchgehend gleiche Teile bezeichnen können, die entsprechend und/oder analog sind. Es versteht sich, dass die Figuren nicht zwingend maßstabsgetreu gezeichnet wurden, wie etwa der Einfachheit und/oder Klarheit der Veranschaulichung halber. Zum Beispiel können Abmessungen mancher Aspekte relativ zu anderen übertrieben sein. Des Weiteren können strukturelle und/oder andere Änderungen vorgenommen werden, ohne von dem beanspruchten Gegenstand abzuweichen. Es ist auch anzumerken, dass Richtungen und/oder Bezugnahmen, wie etwa zum Beispiel oben, unten, Oberseite, Unterseite und so weiter, verwendet werden können, um eine Erörterung von Zeichnungen zu fördern, und sollen eine Anwendung des beanspruchten Gegenstands nicht beschränken. Daher ist die folgende ausführliche Beschreibung nicht so aufzufassen, dass sie den beanspruchten Gegenstand und/oder Äquivalente beschränkt. Ferner versteht es sich, dass andere Ausführungsformen genutzt werden können. Außerdem wurden Ausführungsformen des beanspruchten Gegenstands bereitgestellt und es wird angemerkt, dass daher solche veranschaulichenden Ausführungsformen erfinderisch und/oder unkonventionell sind; jedoch ist der beanspruchte Gegenstand nicht auf Ausführungsformen beschränkt, die primär zu Veranschaulichungszwecken bereitgestellt werden. Obwohl Vorteile in Verbindung mit veranschaulichenden Ausführungsformen beschrieben wurden, ist dementsprechend der beanspruchte Gegenstand erfinderisch und/oder unkonventionell aus zusätzlichen Gründen, die nicht ausdrücklich in Verbindung mit diesen Ausführungsformen erwähnt werden. Außerdem verweisen Bezugnahmen in dieser gesamten Schrift auf „beanspruchten Gegenstand“ auf den Gegenstand, der durch einen oder mehrere Ansprüche abgedeckt werden soll, und sollen nicht zwangsweise auf einen vollständigen Anspruchssatz, auf eine bestimmte Kombination von Anspruchssätzen (z. B. Verfahrensansprüche, Einrichtungsansprüche usw.) oder auf einen bestimmten Anspruch verweisen.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • Bezugnahmen in dieser gesamten Schrift auf genau eine Implementierung, eine Implementierung, genau eine Ausführungsform, eine Ausführungsform und/oder dergleichen bedeuten, dass ein bestimmtes Merkmal, eine bestimmte Struktur, eine bestimmte Charakteristik und/oder dergleichen, das/die in Bezug auf eine bestimmte Implementierung und/oder Ausführungsform beschrieben ist, in wenigstens einer Implementierung und/oder Ausführungsform des beanspruchten Gegenstands enthalten ist. Dementsprechend soll das Auftauchen solcher Formulierungen an zum Beispiel verschiedenen Stellen in dieser gesamten Schrift nicht zwingend auf die gleiche Implementierung und/oder Ausführungsform oder auf eine beliebige bestimmte Implementierung und/oder Ausführungsform verweisen. Des Weiteren versteht es sich, dass bestimmte beschriebene Merkmale, Strukturen, Charakteristiken und/oder dergleichen dazu in der Lage sind, auf verschiedene Arten in einer oder mehreren Implementierungen und/oder Ausführungsformen kombiniert zu werden und daher innerhalb des beabsichtigten Anspruchsschutzumfangs liegen. Im Allgemeinen können, wie es schon immer für die Schrift einer Patentanmeldung der Fall war, diese und andere Aspekte natürlich in einem bestimmten Nutzungskontext variieren. Mit anderen Worten stellt ein bestimmter Kontext einer Beschreibung und/oder Verwendung in der gesamten Patentanmeldung einen hilfreichen Leitfaden bezüglich vernünftiger Schlussfolgerungen bereit; jedoch verweist gleichermaßen „in diesem Kontext“ im Allgemeinen ohne weitere Kennzeichnung auf den Kontext der vorliegenden Patentanmeldung.
  • Wie erwähnt, können moderne elektronische Geräte elektronische Komponenten einbinden, die zum Beispiel recht anspruchsvolle Betriebsparameter bezüglich Versorgungsspannungen haben können. Von daher kann es vorteilhaft sein, Komponenten mit einer hochwertigen und stabilen Leistungsquelle zu versorgen. Viele elektronische Geräte (z. B. Gerät vom Internet-der-Dinge(IoT: Internet of Things)-Typ, Desktop- und/oder Laptop-Rechengeräte, Datenserver, Mobiltelefone, Tablet-Geräte, persönliche Navigationsgeräte usw.) beinhalten Leistungswandler irgendeiner Art, um dabei zu helfen, verschiedenen Komponenten mit einer geeigneten Leistung zu versorgen. Zum Beispiel können Mikroprozessoren mit höherer Leistungsfähigkeit Milliarden von Transistoren beinhalten, können mit einigen Gigahertz schalten und/oder können zum Beispiel einen Strom von hunderten Ampere bei relativ niedrigen Spannungen (z. B. in manchen Fällen weniger als 1,0 V) verbrauchen. Ferner steigen Leistungsverbrauchscharakteristiken moderner Mikroprozessoren mit zunehmender Rechenleistungsfähigkeit an, was zu Herausforderungen mit Bezug auf zum Beispiel On-Board-Wandler vom Point-of-Load(PoL)-Typ führt. Wandler vom POL-Typ mit höherer Effizienz, höherer Leistungsdichte und höherer Bandbreite können erforderlich sein, um einen Strom von hunderten Ampere (z. B. größer als 50,0 A unter manchen Umständen) zu unterstützen, der bei relativ niedrigeren Spannungen (z. B. weniger als 1,0 V) bereitgestellt wird. Größe-, Kosten- und/oder Leistungsfähigkeitsvorteile, die über eine Integration bereitgestellt werden, machen es wünschenswert, modulare Wandler zu gestalten, die zum Beispiel relativ einfach hinsichtlich Größe und/oder Fähigkeiten für eine Vielzahl von Anwendungen mit unterschiedlichen Spannungs- und/oder Stromanforderungen skaliert werden können.
  • Unter manchen Umständen können Bemühungen zum Implementieren von Leistungswandlern, um die Anforderungen verschiedener elektronischer Geräte zu erfüllen, einen im Wesentlichen rein diskreten Ansatz beinhalten, wobei ein Leistungswandler primär unter Verwendung diskreter Komponenten implementiert werden kann. Ein solcher Ansatz kann Vorteile hinsichtlich der Art einer Fähigkeit zum Anpassen bestimmter Implementierungen für bestimmte Anwendungen bereitstellen. Jedoch können Nachteile eine reduzierte Leistungsfähigkeit (z. B. Effizienz), erhöhte Kosten, erhöhte Größe, reduzierte Einfachheit der Herstellung usw. beinhalten. Außerdem kann ein solcher Ansatz Schwierigkeiten für die Gestaltung und/oder Implementierung von Timingsteuerung, Synchronisation usw. darstellen. Ferner können erhöhte parasitäre Charakteristiken (z. B. Kapazität) zwischen Komponenten es schwieriger machen, zum Beispiel im Wesentlichen diskrete Implementierungen mit höheren Schaltfrequenzen zu betreiben. Außerdem kann ein solcher Ansatz angepasste Gestaltungen für jede bestimmte Zielanwendung erfordern.
  • Unter anderen Umständen können Leistungswandler über einen integrierten Ansatz implementiert werden, wobei ein Leistungswandler durch Integrieren der verschiedenen Komponenten in einen bestimmten integrierten Schaltkreis implementiert werden kann. Ein solcher Ansatz kann eine Anpassung für bestimmte Anwendungen ermöglichen, kann Implementierungen mit reduzierter Größe bereitstellen und/oder kann eine relativ einfache Herstellung auf der Systemebene ermöglichen. Jedoch kann wieder ein solcher Ansatz angepasste Gestaltungen für bestimmte Zielanwendungen erfordern. Außerdem können angepasste Siliciumlösungen relativ große Vorlaufkosten mit Bezug auf Gestaltung und Herstellung des maßgeschneiderte integrierten Schaltkreises aufweisen. Weitere Gestaltungsänderungen können schwierig und/oder teuer sein. Zum Beispiel kann eine Bauzeit für angepasste integrierte Schaltkreise wesentlich länger sein. Ein weiterer möglicher Nachteil eines Ansatzes mit einem angepassten integrierten Schaltkreis kann eine begrenzte Geräteprozessverfügbarkeit für gegebene Geräte/Komponenten sein. Zum Beispiel stellt ein bestimmter Fertigungsprozess möglicherweise nur einen bestimmten Typ eines Widerstands, einen bestimmten Typ eines Kondensators, eine kleine Auswahl von Feldeffekttransistorgeräten usw. bereit. Außerdem kann ein bestimmter Fertigungsprozess auf bestimmte Materialien beschränkt sein. Zum Beispiel kann ein bestimmter Fertigungsprozess auf die Verwendung von Silicium beschränkt sein, während ein anderer unterschiedlicher bestimmter Fertigungsprozess auf Galliumnitrid (GaN) beschränkt sein kann.
  • 1 stellt ein schematisches Blockdiagramm eines beispielhaften Leistungshalbleitergehäuses 100 dar, das bei einer beispielhaften Bemühung implementiert ist, um wenigstens teilweise den Bedarf einer erhöhten Leistungsdichte und/oder eines höheren Leistungstransfers unter Umständen mit einer begrenzten Grundfläche zu adressieren und/oder um den Bedarf einer erhöhten Effizienz bei höheren Schaltfrequenzen und/oder bei niedrigeren Spannungen zu adressieren. In der Industrie können bestimmte Implementierungen von Leistungshalbleitergehäusen mit Charakteristiken, wie etwa jenen, die in 1 dargestellte mit dem beispielhaften Leistungshalbleitergehäuse 100 dargestellt sind, manchmal als ein DrMOS(„Driver-MOSFET - Treiber-MOSFET)-Modul und/oder dergleichen bezeichnet werden. Wie hier benutzt, verweisen „DrMOS“, „DrMOS-Modul“ und/oder dergleichen auf ein Leistungshalbleitergehäuse, das in im Wesentlichen Übereinstimmung mit einer DrMOS-Spezifikation (siehe z. B. DrMOS Specifications Revision 1.0, November 2004, veröffentlicht von Intel® Corporation) implementiert ist. Wie hier benutzt, verweist „Leistungshalbleitergehäuse“ und/oder dergleichen außerdem auf eine Leistungswandlerschaltungsanordnung, die als ein oder mehrere integrierte Schaltkreise, ein oder mehrere Halbleiter-Dies und/oder ein oder mehrere diskrete Geräte implementiert ist, die in einem Halbleitergehäusematerial mit mehreren Anschlüssen umhüllt sind, die externe Verbindungspunkte zu dem einen oder den mehreren integrierten Schaltkreisen, einem oder mehreren Halbleiter-Dies und/oder dem einen oder den mehreren diskreten Geräten bereitstellen, die innerhalb des Halbleitergehäusematerials umhüllt sind. Bestimmte Implementierungen von Leistungshalbleitergehäusen können bestimmte Integrierter-Schaltkreis-Kapselungstechnologien, wie etwa zum Beispiel eine Kugelgitteranordnung (BGA: Ball Grid Array), nutzen, obwohl der Schutzumfang des Gegenstands in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist. Dementsprechend kann für manche Implementierungen ein „Leistungshalbleitergehäuse“ einen oder mehrere integrierte Schaltkreise, einen oder mehrere Halbleiter-Dies und/oder eine oder mehrere diskrete Komponenten beinhalten, die innerhalb zum Beispiel eines Kugelgitteranordnungsgehäuses umhüllt sind.
  • Manche Charakteristiken des beispielhaften DrMOS-Leistungshalbleitergehäuses 100 können einen Leistungstransferpfad beinhalten, der einen High-Side-Schalter 101 und einem Low-Side-Schalter 102 umfasst, die einen einzigen Schalteranschluss „SW“ ansteuern. Bei einer Implementierung können die Schalter 101 und 102 zum Beispiel Leistungs-Feldeffekttransistoren (FET) umfassen. Ferner können High-Side- und Low-Side-Treiberschaltkreise 111 und 112 bei einer Implementierung mit Steuerknoten jeweiliger High-Side- und Low-Side-Schalter 101 und 102 gekoppelt sein. Ein einziger Boot-Anschluss kann zum Beispiel zusammen mit einer Boot-Schaltungsanordnung 134so, wie in 1 dargestellt, zusammen mit Versorgungsspannung(VCC)- und Referenzspannung(GND)-Anschlüssen implementiert werden. Ein einziger Pegelumsetzerschaltkreis 121 und eine Logikschaltungsanordnung 150 können bei einer Implementierung ebenfalls enthalten sein. Außerdem kann bei einer Implementierung ein Timingsignal über einen PWM(„Pulsweitenmodulation“)-Anschluss mit der Logikschaltungsanordnung 150 gekoppelt werden. Ferner kann für das beispielhafte Leistungshalbleitergehäuse 100 ein Spannungseingabesignal an einen ersten Knoten des High-Side-Leistungstransistors 101 über einen „Vin“-Anschluss angelegt werden, wie in 1 dargestellt ist.
  • Wie erwähnt, kann ein beispielhaftes DrMOS-Typ-Leistungshalbleitergehäuse 100 und/oder dergleichen in einer Bemühung implementiert werden, um den Bedarf einer erhöhten Leistungsdichte und/oder eines höheren Leistungstransfers unter Umständen mit einer begrenzten Grundfläche zu adressieren und/oder um den Bedarf einer erhöhten Effizienz bei höheren Schaltfrequenzen und/oder bei niedrigeren Spannungen zu adressieren. Jedoch können bestimmte Aspekte eines DrMOS-Typ-Leistungshalbleitergehäuses, wie etwa des beispielhaften Leistungshalbleitergehäuses 100 und/oder dergleichen, seine Vielseitigkeit und/oder Nutzbarkeit begrenzen. Zum Beispiel kann der einzige Schalteranschluss SW, der den High- und Low-Side-Schalter miteinander verknüpft, verhindern, dass das Leistungshalbleitergehäuse 100 und/oder dergleichen in fortschrittlicheren Konfigurationen, wie etwa zum Beispiel in Mehrpegel- und/oder Reihenkondensator-Buck-Leistungswandlern, genutzt werden. Der einzige Boot-Anschluss und/oder einzige Pegelumsetzerschaltkreis kann zum Beispiel auch die Vielseitigkeit und/oder Nutzbarkeit des beispielhaften Leistungshalbleitergehäuses 100 und/oder dergleichen begrenzen. Außerdem kann für ein DrMOS-Typ-Leistungshalbleitergehäuse, wie etwa das Leistungshalbleitergehäuse 100, gemäß einer DrMOS-Spezifikation erfordert werden, dass der PGND-Anschluss mit einem Massereferenzspannungssignal verbunden ist, was seine Vielseitigkeit und/oder Nutzbarkeit weiter begrenzt.
  • 2 stellt ein schematisches Blockdiagramm dar, das eine Ausführungsform 200 eines beispielhaften Leistungshalbleitergehäuses veranschaulicht, das darauf ausgelegt ist, wenigstens teilweise Anforderungen für eine erhöhte Leistungsdichte und/oder einen höheren Leistungstransfer unter Umständen mit begrenzter Grundfläche zu adressieren und/oder zum Beispiel Anforderungen für eine erhöhte Effizienz bei höheren Schaltfrequenzen und/oder bei niedrigeren Spannungen zu adressieren und/oder die potentiellen Nachteile von DrMOS-Typ-Leistungshalbleitergehäusen, wie etwa des Leistungshalbleitergehäuses 100 und/oder dergleichen, das zuvor beschrieben wurde, zu adressieren. Obwohl das Leistungshalbleitergehäuse 200 manche Charakteristiken beinhalten kann, die jenen ähnlich sind, die in Verbindung mit dem beispielhaften Leistungshalbleitergehäuse 100 beschrieben und/oder dargestellt sind, kann eine Reihe von Unterschieden vorhanden sein. Zum Beispiel kann ein Leistungstransferpfad für das Leistungshalbleitergehäuse 200 einen High-Side-Schalter 201 und einen Low-Side-Schalter 202 beinhalten. Bei einer Implementierung können die Schalter 201 und 202 zum Beispiel Leistungs-FETs umfassen. „Leistungstransferpfad“, wie hier benutzt, verweist auf einen elektrisch leitfähigen Pfad, der ein oder mehrere Leistungsschaltgeräte, wie etwa Leistungs-FETs (z. B. Schalter 201 und/oder 202), umfasst. Außerdem verweisen, wie hier benutzt, „Leistungsschaltgerät“, „Leistungs-FET“ und/oder dergleichen auf Schaltgeräte, die zum Führen relativ starker Ströme im Vergleich zu Schaltgeräten von einem Nichtleistungstyp (z. B. Nichtleistungs-FETs) in der Lage sind. Leistungsschaltgeräte können zum Beispiel auch durch relativ höhere Schaltgeschwindigkeiten und/oder durch einen relativ niedrigeren „Ein“-Widerstand charakterisiert werden. Zum Beispiel können bei bestimmten Implementierungen Leistungsschaltgeräte, wie etwa die Schalter 201 und/oder 202, zum Führen eines Stroms von mehreren Ampere in der Lage sein, obwohl der Schutzumfang des Gegenstand in diesem Hinsicht nicht beschränkt ist.
  • Bei einer Implementierung kann das Leistungshalbleitergehäuse 200 separate Anschlüsse SW1 und SW2 für den High-Side-Schalter 201 bzw. Low-Side-Schalter 202 im Gegensatz zu dem einzigen Schalteranschluss für das Leistungshalbleitergehäuse 100 beinhalten. Das Leistungshalbleitergehäuse 200 kann auch einen ersten Boot-Anschluss Boot 1 zusammen mit einer assoziierten Boot-Schaltungsanordnung 231 und einen zweiten Boot-Anschluss Boot 2 zusammen mit einer assoziierten Boot-Schaltungsanordnung 232 einbinden. Der Boot-1-Anschluss und/oder Boot-2-Anschluss können jeweils und/oder separat mit zum Beispiel dem High-Side- und Low-Side-Treiberschaltkreis 211 und 212 gekoppelt sein. Bei bestimmten Implementierungen können der erste und zweite Boot-Anschluss Boot 1 und Boot 2 auch jeweils und/oder separat mit einer High-Side-Pegelumsetzerschaltungsanordnung 221 und Low-Side-Pegelumsetzerschaltungsanordnung 222 gekoppelt sein. Wie zuvor angemerkt, beinhaltet das DrMOS-Typ-Leistungshalbleitergehäuse 100 einen einzigen Boot-Knoten. Ferner kann die Abwesenheit einer Low-Side-Pegelumsetzerschaltungsanordnung in dem DrMOS-Typ-Leistungshalbleitergehäuse 100 auch zum Beispiel im Vergleich zu der Anwesenheit des Low-Side-Pegelumsetzers 222 in dem Leistungshalbleitergehäuse 200 angemerkt werden.
  • Wie nachfolgend vollständiger besprochen wird, können Implementierungen von Mehrpegelleistungswandlern, Mehrphasenleistungswandlern und/oder Ladungspumpenschaltkreisen, um nur einige wenige nichtbeschränkende Beispiele zu nennen, mehrere Leistungshalbleitergehäuse, wie etwa das Leistungshalbleitergehäuse 200, als Bausteine für komplexere und/oder größere Schaltkreisanordnungen nutzen. Solche Implementierungen wären mit einem DrMOS-Typ-Leistungshalbleitergehäuse, wie etwa dem Leistungshalbleitergehäuse 100, zum Beispiel wenigstens teilweise aufgrund seines einzigen Schalteranschlusses SW, der durch die Schalter 101 und 102 gemeinsam genutzt wird, seines einzigen Boot-Anschlusses oder seines Fehlens einer Low-Side-Pegelumsetzerschaltungsanordnung oder einer Kombination davon nicht möglich. Außerdem sind solche Implementierungen zum Beispiel mit DrMOS-Typ-Leistungshalbleitergehäusen wenigstens teilweise aufgrund davon nicht möglich, dass DrMOS-Typ-Geräte nicht ordnungsgemäß funktionieren, falls ein Anschluss PGND potentialfrei belassen wird (z. B. nicht mit einer Massereferenzspannung verbunden ist).
  • Das Leistungshalbleitergehäuse 200 kann zum Beispiel eine Steuerung 250 beinhalten. Bei einer Implementierung kann die Steuerung 250 zum Beispiel ein Timingreferenzsignal (z. B. ein Taktsignal) über einen Anschluss PWM empfangen. Bei einer Implementierung kann die Steuerung 250 zum Beispiel auch eine Operation des High-Side-Schalters 201 und/oder Low-Side-Schalters 202 beeinflussen, indem sie Signale an den High-Side-Pegelumsetzer 221 und/oder den Low-Side-Pegelumsetzer 222 liefert und/oder indem sie Signale an die Treiberschaltkreise 211 und/oder 212 liefert. Ferner kann die Steuerung 250 ein oder mehrere Signale über einen oder mehrere Steueranschlüsse übertragen und/oder empfangen. Zum Beispiel kann die Steuerung 250 mit einem oder mehreren anderen Leistungshalbleitergehäusen über ein oder mehrere Steuersignale kommunizieren, wie nachfolgend vollständiger besprochen wird. Außerdem kann das Leistungshalbleitergehäuse 200 bei manchen Implementierungen mit einer externen Steuerung über ein PWM-Signal und/oder über die Steuersignale kommunizieren. Bei Implementierungen kann die Steuerung 250 zum Beispiel Totzeitperioden zwischen Zeitperioden, in denen der High-Side-Schalter 201 leitend ist, und solchen, wenn der Low-Side-Schalter 202 leitend ist, sicherstellen. Das heißt, dass zum Beispiel die Steuerung 250 und/oder eine andere Schaltungsanordnung für eine Zeitperiode anschließend an die Deaktivierung eines der Schalter 201 und 202 warten kann, bevor der andere der Schalter 201 und 202 aktiviert wird, um sicherzustellen, dass sich höchstens nur einer der Schalter 201 und 202 zu einer beliebigen gegebenen Zeit in einem leitfähigen Niederimpedanzzustand befindet.
  • Wie erwähnt, können Implementierungen eine Steuerung, wie etwa eine Steuerung 250, beinhalten, die sich innerhalb eines Leistungshalbleitergehäuses, wie etwa des beispielhaften Leistungshalbleitergehäuses 200, befindet. Jedoch kann bei anderen Implementierungen eine externe Steuerung genutzt werden. Ferner kann bei manchen Implementierungen eine Kombination aus einer internen Steuerung, wie etwa der Steuerung 250, und einer externen Steuerung genutzt werden.
  • Obwohl das beispielhafte Leistungshalbleitergehäuse 200 mit zwei Leistungsschaltgeräten (z. B. den Schaltern 201 und 202) und einer assoziierten Schaltungsanordnung (z. B. den Treiberschaltkreisen 211 und 212, Pegelumsetzern 221 und 222 usw.) gezeigt ist, können andere Leistungshalbleitergehäuse mehr als zwei Leistungsschaltgeräte beinhalten oder können ein einziges Leistungsschaltgerät beinhalten, wie nachfolgend in Verbindung mit einigen Implementierungsbeispielen vollständiger erklärt wird. Außerdem können bei Implementierungen Leistungshalbleitergehäuse, wie etwa das beispielhafte Leistungshalbleitergehäuse 200, mehrere Halbleiter-Dies beinhalten. Zum Beispiel können die Leistungsschaltgeräte (z. B. Leistungs-FET) 201 und/oder 202 einzeln einige integrierte Schaltkreise und/oder separate Halbleiter-Dies umfassen. Ferner können zum Beispiel die Treiberschaltkreise 211 und/oder 212 einen oder mehrere Halbleiter-Dies umfassen, während die Leistungsschaltgeräte 201 und/oder 202 einen oder mehrere separate Halbleiter-Dies umfassen können. Bei einer Implementierung können die Treiberschaltkreise 211 und/oder 212 einen oder mehrere Halbleiter-Dies mit einer anderen Schaltungsanordnung, wie etwa zum Beispiel den Pegelumsetzern 221 und/oder 222, der Boot-Schaltungsanordnung 231 und/oder 232, der Steuerung 250 usw. teilen.
  • 3 stellt ein schematisches Blockdiagramm dar, das eine Ausführungsform 300 eines beispielhaften Mehrpegelleistungswandlers einschließlich mehrerer beispielhafter Leistungshalbleitergehäuse zeigt. Wie dargestellt, kann der Mehrpegelleistungswandler 300 einige Leistungshalbleitergehäuse, wie etwa Leistungshalbleitergehäuse 200a, 200b und 200c, umfassen. Bei einer Implementierung können die Leistungshalbleitergehäuse 200a, 200b und 200c jeweils unterschiedliche Instanzen des beispielhaften Leistungshalbleitergehäuses 200, das zuvor beschrieben wurde, umfassen. Zu Veranschaulichungszwecken sind High-Side-Schalter (SH) 201 und Low-Side-Schalter (SL) 202 für die Leistungshalbleitergehäuse 200a, 200b und 200c gezeigt. Jedoch ist eine andere Schaltungsanordnung innerhalb der Leistungshalbleitergehäuse 200a, 200b und 200c der Klarheit halber nicht gezeigt.
  • Bei einer Implementierung kann ein Mehrpegelleistungswandler 300 einen Vierpegel-Buck-Wandler umfassen, obwohl der Schutzumfang des Gegenstands nicht in dieser Hinsicht beschränkt ist. Obwohl drei Leistungshalbleitergehäuse 200a, 200b und 200c für den Mehrpegelleistungswandler 300 dargestellt und/oder beschrieben sind, können zum Beispiel andere Implementierungen anderen Anzahlen von Leistungshalbleitergehäusen einbinden.
  • Wie in 3 dargestellt, kann bei einer Implementierung ein Knoten VH 301 mit höherer Spannung mit einem Spannungs-Ein(Vin)-Anschluss des Leistungshalbleitergehäuses 200a gekoppelt sein. Außerdem kann der Vin-Anschluss des Leistungshalbleitergehäuses 200a zum Beispiel mit einem ersten Knoten des High-Side-Schalters 201 des Leistungshalbleitergehäuses 200a gekoppelt sein. Ferner kann bei einer Implementierung ein erster Schalteranschluss SW1, der mit einem zweiten Knoten des High-Side-Schalters 201 des Leistungshalbleitergehäuses 200a gekoppelt ist, über einen Knoten 312 mit einem Vin-Anschluss des Leistungshalbleitergehäuses 200b gekoppelt sein. Gleichermaßen kann ein SW1-Anschluss des Leistungshalbleitergehäuses 200b zum Beispiel über einen Knoten 322 mit einem Vin-Anschluss des Leistungshalbleitergehäuses 200c gekoppelt sein.
  • Außerdem kann bei einer Implementierung zum Beispiel ein Referenzspannungsanschluss PGND, der mit einem zweiten Knoten des Low-Side-Schalters 202 des Leistungshalbleitergehäuses 200c gekoppelt ist, mit einem zweiten Schalteranschluss SW2 des Leistungshalbleitergehäuses 200b gekoppelt sein und kann ein Anschluss PGND des Leistungshalbleitergehäuses 200c mit einem Anschluss SW2 des Leistungshalbleitergehäuses 200a gekoppelt sein. Ferner kann bei einer Implementierung der PGND-Anschluss des Leistungshalbleitergehäuses 200a mit einem Referenzspannungsknoten, wie etwa zum Beispiel einem Massereferenzknoten, gekoppelt sein. Es kann angemerkt werden, dass diese beispielhaften Kopplungen zwischen den Leistungshalbleitergehäusen 200a, 200b und 200c wenigstens teilweise aufgrund der separaten Schalteranschlüsse SW1 und SW2 für den High-Side- bzw. Low-Side-Schalter ermöglicht werden. Außerdem werden die beispielhaften Kopplungen zwischen den Leistungshalbleitergehäusen 200a, 200b und 200c wenigstens teilweise aufgrund der PGND-Anschlüsse der Leistungshalbleitergehäuse 200a, 200b und 200c ermöglicht, die nicht zwingend mit einer Massereferenzspannung verbunden sein müssen, wie es mit einem DrMOS-Typ-Leistungshalbleitergehäuse, wie etwa dem Leistungshalbleitergehäuse 100, der Fall sein kann.
  • Wie erwähnt, beinhaltet das Leistungshalbleitergehäuse 200 einen separaten ersten und zweiten Boot-Anschluss Boot 1 und Boot 2 anstelle des einzigen Boot-Anschlusses, der durch das DrMOS-Typ-Leistungshalbleitergehäuse 100 bereitgestellt wird. Der beispielhafte Mehrpegelleistungswandler 300 nutzt bei einer Implementierung den separaten ersten und zweiten Boot-Anschluss der Leistungshalbleitergehäuse 200a, 200b und 200c. Zum Beispiel kann ein Kondensator 311 zwischen dem Anschluss Boot 1 und dem Anschluss SW1 des Leistungshalbleitergehäuses 200a (z. B. über einen Knoten 312) gekoppelt sein. Ferner kann bei einer Implementierung ein Kondensator 321 zwischen dem Anschluss Boot 1 und dem Anschluss SW1 des Leistungshalbleitergehäuses 200b (z. B. über einen Knoten 322) gekoppelt sein und kann ein Kondensator 331 zwischen dem Anschluss Boot 1 und dem Anschluss SW1 des Leistungshalbleitergehäuses 200c (z. B. über einen Knoten 332) gekoppelt sein.
  • Außerdem kann bei einer Implementierung ein Kondensator 323 zwischen dem Anschluss Boot 2 und dem Anschluss PGND des Leistungshalbleitergehäuses 200c (z. B. über einen Knoten 324) gekoppelt sein und kann ein Kondensator 313 zwischen dem Anschluss Boot 2 und dem Anschluss PGND des Leistungshalbleitergehäuses 200b (z. B. über einen Knoten 314) gekoppelt sein. Kondensatoren können zum Beispiel auch zwischen Knoten 312 und 314 und auch zwischen Knoten 322 und 324 gekoppelt sein. Ferner kann eine Induktivität 340 bei einer Implementierung zwischen dem Knoten 332 (z. B. elektrisch mit SW1 und SW2 des Leistungshalbleitergehäuses 200c) und einem Knoten VL 302 mit niedrigerer Spannung gekoppelt sein.
  • Bei einer Implementierung können die Leistungshalbleitergehäuse 200a, 200b und/oder 200c jeweils eine Steuerung, wie etwa die Steuerung 250, beinhalten. Zum Beispiel kann bei Implementierung 300, die in 3 dargestellt ist, eine externe Steuerung 350 zusätzlich zu und/oder anstelle der Steuerung 250 bereitgestellt sein. Zum Beispiel kann bei einer Implementierung die Steuerung 350 ein oder mehrere Timing- und/oder Steuersignale an die Leistungshalbleitergehäuse 200a, 200b und/oder 200c liefern. Die Steuerung 350 kann bei einer Implementierung ein oder mehrere Signale 357 empfangen und/oder übertragen. Zum Beispiel kann die Steuerung 350 einen Zielausgabespannungsparameter über (ein) Signal(e) 357 empfangen. Außerdem kann die Steuerung 350 zum Beispiel ein oder mehrere Timingsignale und/oder ein oder mehrere Aktivierungssignale über (ein) Signal(e) 357 empfangen. Natürlich ist der Schutzumfang des Gegenstands nicht in dieser Hinsicht beschränkt.
  • Außerdem kann die Steuerung 350 bei einer Implementierung eine Eingabespannung (z. B. VH) über ein oder mehrere Signale 354 überwachen und/oder kann einen Strom durch die Induktivität 340 über ein oder mehrere Signale 355 überwachen. Die Steuerung 350 kann auch Spannungspegel über einen oder mehrere der verschiedenen Kondensatoren (z. B. Vc1 und/oder Vc2) hinweg überwachen und/oder kann einen Spannungspegel an einem oder mehreren Knoten (z. B. Knoten 312, 322, 332, 324, 314 usw.) zum Beispiel über ein oder mehrere Signale 356 überwachen. Eine Ausgabespannung (z. B. VL) kann zum Beispiel auch überwacht werden. Wieder ist der Schutzumfang des Gegenstands nicht in dieser Hinsicht beschränkt. Stattdessen sind diese lediglich Beispiele für die Typen einer Kommunikation, die zwischen einer Steuerung, wie etwa der Steuerung 350, und anderen Geräte innerhalb eines Leistungswandlers (z. B. Leistungshalbleitergeräte 200a, 200b und/oder 200c und/oder eine andere zugehörige Schaltungsanordnung) und/oder extern zu einem Leistungswandler (z. B. ein oder mehrere externe Schaltkreise, Prozessoren usw.) auftreten kann.
  • Obwohl der beispielhafte Mehrpegelleistungswandler 300 hier als eine bestimmte Konfiguration bestimmter Komponenten und/oder Leistungshalbleitergehäuse umfassend beschrieben und/oder in 3 als diese umfassend dargestellt ist, ist der Schutzumfang des Gegenstands in dieser Hinsicht nicht beschränkt. Vielmehr wird ein breiter Bereich an vorteilhaften Implementierungen unter Nutzung einer beliebigen Anzahl an Leistungshalbleitergehäusen mit einer oder mehreren Charakteristiken ähnlich jenen des Leistungshalbleitergehäuses 200 möglich, wie etwa zum Beispiel separate Anschlüsse für High-Side- und Low-Side-Schalter, einen separaten ersten und zweiten Boot-Anschluss oder eine separate Pegelumsetzerschaltungsanordnung für High- und Low-Side-Treiberschaltkreise oder eine Kombination davon. Ferner sind Implementierungen möglich, bei denen ein oder mehrere Leistungshalbleitergehäuse eine oder mehrere Charakteristiken aufweisen, die sich von einem oder mehreren anderen Leistungshalbleitergehäusen unterscheiden, wie nachfolgend ausführlicher besprochen.
  • 4 stellt ein schematisches Blockdiagramm dar, das eine Ausführungsform 400 eines beispielhaften Reihenkondensatorleistungswandlers einschließlich mehrerer beispielhafter Leistungshalbleitergehäuse veranschaulicht. Wie dargestellt, kann der Reihenkondensatorleistungswandler 400 einige Leistungshalbleitergehäuse, wie etwa Leistungshalbleitergehäuse 200d, 200e und 200f, umfassen. Bei einer Implementierung können die Leistungshalbleitergehäuse 200d, 200e und 200f jeweils unterschiedliche Instanzen des Leistungshalbleitergehäuses 200 umfassen. Wieder sind zu Veranschaulichungszwecken High-Side-Schalter (SH) 201 und Low-Side-Schalter (SL) 202 für die Leistungshalbleitergehäuse 200d, 200e und 200f gezeigt. Jedoch ist eine andere Schaltungsanordnung innerhalb der Leistungshalbleitergehäuse 200d, 200e und 200f der Klarheit halber nicht gezeigt. Bei einer Implementierung kann ein Reihenkondensatorleistungswandler 400 einen Mehrphasenreihenkondensator-Buck-Wandler umfassen, obwohl der Schutzumfang des Gegenstands nicht in dieser Hinsicht beschränkt ist. Obwohl drei Leistungshalbleitergehäuse 200d, 200e und 200f für den Reihenkondensatorleistungswandler 400 dargestellt und/oder beschrieben sind, können zum Beispiel andere Implementierungen anderen Anzahlen von Leistungshalbleitergehäusen einbinden. Ferner können bei einer Implementierung ein oder mehrere Leistungshalbleitergehäuse, wie etwa eines oder mehrere der Leistungshalbleitergehäuse 200d, 200e und/oder 200f, eine oder mehrere Charakteristiken aufweisen, die sich von einem oder mehreren anderen Leistungshalbleitergehäusen unterscheiden.
  • Bei einer Implementierung kann ein Knoten VH 401 mit höherer Spannung mit einem Vin-Anschluss des Leistungshalbleitergehäuses 200d bei einer Implementierung gekoppelt sein. Außerdem kann der Vin-Anschluss des Leistungshalbleitergehäuses 200d zum Beispiel mit einem ersten Knoten des High-Side-Schalters 201 des Leistungshalbleitergehäuses 200d gekoppelt sein. Ferner kann bei einer Implementierung ein erster Schalteranschluss SW1, der mit einem zweiten Knoten des High-Side-Schalters 201 des Leistungshalbleitergehäuses 200d gekoppelt ist, über einen Knoten 415 mit einem Vin-Anschluss des Leistungshalbleitergehäuses 200e gekoppelt sein. Gleichermaßen kann ein SW1-Anschluss des Leistungshalbleitergehäuses 200e zum Beispiel über einen Knoten 425 mit einem Vin-Anschluss des Leistungshalbleitergehäuses 200f gekoppelt sein. Ein zweiter Knoten des High-Side-Schalters 201 des Leistungshalbleitergehäuses 200f kann mit einem Referenzspannungsknoten, wie etwa zum Beispiel einem Massereferenzknoten, gekoppelt sein.
  • Ferner kann bei einer Implementierung der Reihenkondensatorleistungswandler 400 einen Kondensator 411 beinhalten, der zwischen dem Anschluss Boot 1 und dem Anschluss SW1 des Leistungshalbleitergehäuses 200d gekoppelt ist, und kann ferner einen Kondensator 414 beinhalten, der zwischen dem Anschluss SW1 und dem Anschluss SW2 des Leistungshalbleitergehäuses 200d gekoppelt ist. Außerdem kann bei einer Implementierung der Reihenkondensatorleistungswandler 400 einen Kondensator 421 beinhalten, der zwischen dem Anschluss Boot 1 und dem Anschluss SW1 des Leistungshalbleitergehäuses 200e gekoppelt ist, und kann ferner einen Kondensator 424 beinhalten, der zwischen dem Anschluss SW1 und dem Anschluss SW2 des Leistungshalbleitergehäuses 200e gekoppelt ist. Gleichermaßen kann zum Beispiel ein Kondensator 431 zwischen dem Anschluss Boot 1 und dem Anschluss SW1 des Leistungshalbleitergehäuses 200f gekoppelt sein und kann ein Kondensator 434 zwischen dem Anschluss SW1 und dem Anschluss SW2 des Leistungshalbleitergehäuses 200f gekoppelt sein.
  • Außerdem kann bei einer Implementierung eine Induktivität 416 zwischen dem Anschluss SW2 (z. B. Knoten 413) des Leistungshalbleitergehäuses 200d und einem Knoten VL 402 mit niedrigerer Spannung bei einer Implementierung gekoppelt sein. Ferner kann eine Induktivität 426 zwischen dem Anschluss SW2 (z. B. Knoten 423) des Leistungshalbleitergehäuses 200e und VL 402 gekoppelt sein und kann eine Induktivität 436 zwischen dem Anschluss SW2 (z. B. Knoten 433) des Leistungshalbleitergehäuses 200f und VL 402 gekoppelt sein.
  • Wie erwähnt, kann der Reihenkondensatorleistungswandler 400 zum Beispiel einen Mehrphasenwandler umfassen. Bei bestimmten Implementierungen kann der Reihenkondensatorleistungswandler 400 eine Anzahl (z. B. zwei, drei, vier usw. parallelgeschaltete Leistungstransferpfade umfassen (z. B. über die Leistungshalbleitergeräte 300d, 200e und/oder 200f implementiert, die eine gemeinsame Last ansteuern können (z. B. kann eine solche bei VL 402 vorhanden sein)).
  • Bei einer Implementierung können die Leistungshalbleitergehäuse 200d, 200e und/oder 200f jeweils eine Steuerung 250 beinhalten. Andere Implementierungen können die Steuerung(en) 250 weglassen. Bei einer bestimmten Implementierung kann eine externe Steuerung 450 eine Mehrphasensteuerung umfassen, die wenigstens teilweise mit dem Steuern einer Operation der verschiedenen Phasen des Reihenkondensatorleistungswandlers 400 beauftragt ist. Bei einer Implementierung können Steuer- und/oder Timingsignale von der Mehrphasensteuerung 450 oder von der (den) Steuerung(en) 250 oder einer Kombination davon an die Leistungshalbleitergehäuse 200d, 200e und 200f geliefert werden. Bei einer Implementierung können einzelne Leistungstransferpfade (die z. B. über die Leistungshalbleitergehäuse 200d, 200e und/oder 200f implementiert werden) des Reihenkondensatorleistungswandlers 400 zueinander phasenverschoben sein. Zum Beispiel kann eine Phase (wie z. B. über das Leistungshalbleitergehäuse 200d implementiert) einen Schalter öffnen, während eine andere Phase (wie z. B. über das Leistungshalbleitergehäuse 200e implementiert) einen Schalter schließen kann. Totzeitperioden zwischen Phasen können bei einer Implementierung auch über die externe Steuerung 450 und/oder die Steuerung(en) 250 erzwungen werden. Für ein Dreiphasenbeispiel können Steuersignale für einzelne Phasen eines Reihenkondensatorleistungswandlers 400 Timings aufweisen, die um 120° und/oder 240° im Vergleich zu Timingsignalen anderer Phasen gedreht sind. Außerdem können bei einer Implementierung die Leistungshalbleitergehäuse 200d, 200e und 200f mit der gleichen Taktfrequenz arbeiten.
  • Die Steuerung 450 kann bei einer Implementierung ferner ein oder mehrere Signale 451 empfangen und/oder übertragen. Zum Beispiel kann die Steuerung 450 einen Zielausgabespannungsparameter über (ein) Signal(e) 451 empfangen. Außerdem kann die Steuerung 450 zum Beispiel ein oder mehrere Timingsignale, Aktivierungssignale und/oder andere Typen von Steuersignalen über (ein) Signal(e) 451 empfangen. Natürlich ist der Schutzumfang des Gegenstands nicht in dieser Hinsicht beschränkt.
  • Bei Implementierungen kann eine Mehrphasenoperation eine Reihe von Vorteilen und/oder Nutzen bereitstellen. Zum Beispiel kann wenigstens teilweise aufgrund dessen, dass eine Stromaufnahme über die verschiedenen Phasen innerhalb eines Schaltzyklus verteilt wird, eine Ausgabestromwelligkeit und/oder Spannungswelligkeit wenigstens teilweise proportional zu der Anzahl der Phasen reduziert werden. Ferner kann zum Beispiel eine Reduzierung einer instantanen Stromaufnahme zu einer Reduzierung von Welligkeitsrauschen führen, das zurück in die Versorgung injiziert wird. Bei einer Implementierung kann eine Mehrphasenoperation des Reihenkondensatorleistungswandlers 400 zum Beispiel zu einer verbesserten Effizienz im Vergleich zu einer Einzelphasenoperation bei einer gegebenen Schaltfrequenz führen. Ferner kann zum Beispiel eine Mehrphasenoperation des Reihenkondensatorleistungswandlers 400 zu einer verbesserten Reaktion auf Ausgabelaständerungen führen und/oder kann eine verbesserte Transientenantwort bereitstellen. Wenigstens manche Vorteile einer Mehrphasenimplementierung, wie etwa zum Beispiel des Mehrphasenreihenkondensatorleistungswandlers 400, können für Schaltkreise, die für eine höhere Stromausgabe (z. B. größer als 10 Ampere) gestaltet sind, ersichtlicher werden. Jedoch können wenigstens manche Vorteile für Schaltkreise mit geringeren Strömen, einschließlich zum Beispiel einer Spezifikation von kleineren Eingabe- und/oder Ausgabefilterkondensatoren, realisiert werden. Außerdem können wenigstens teilweise aufgrund des modularen Ansatzes für eine Leistungswandlerimplementierung, der durch Nutzung von Leistungshalbleitergehäusen, wie etwa der beispielhaften Leistungshalbleitergehäuse 200d, 200e und/oder 200f, ermöglicht wird, Mehrphasenreihenkondensatorleistungswandler schneller, effizienter, ökonomischer usw. implementiert werden, während zum Beispiel wenigstens manche der inhärenten Nachteile und/oder Beeinträchtigungen von Lösungen mit angepassten integrierten Schaltkreisen und/oder diskreten Implementierungen vermieden werden. Natürlich sind dies lediglich beispielhafte Vorteile und/oder Nutzen, die von einer Mehrphasenoperation des Reihenkondensatorleistungswandlers 400 und/oder von einer modularen Implementierung unter Nutzung von Leistungshalbleitergehäusen 200d, 200e und/oder 200f realisiert werden können, und der Schutzumfang des Gegenstands ist in dieser Hinsicht beschränkt.
  • Obwohl der beispielhafte Reihenkondensatorleistungswandler 400 hier als eine bestimmte Konfiguration bestimmter Komponenten und/oder Leistungshalbleitergehäuse umfassend beschrieben und/oder in 4 als diese umfassend dargestellt ist, ist der Schutzumfang des Gegenstands in dieser Hinsicht nicht beschränkt. Vielmehr wird ein breiter Bereich an vorteilhaften Implementierungen unter Nutzung einer beliebigen Anzahl an Leistungshalbleitergehäusen mit einer oder mehreren Charakteristiken ähnlich jenen des Leistungshalbleitergehäuses 200 möglich, wie etwa zum Beispiel separate Anschlüsse für High-Side- und Low-Side-Schalter, einen separaten ersten und zweiten Boot-Anschluss oder eine separate Pegelumsetzerschaltungsanordnung für High- und Low-Side-Treiberschaltkreise oder eine Kombination davon. Ferner sind Implementierungen möglich, bei denen ein oder mehrere Leistungshalbleitergehäuse eine oder mehrere Charakteristiken aufweisen, die sich von einem oder mehreren anderen Leistungshalbleitergehäusen unterscheiden, wie zuvor besprochen und wie nachfolgend ausführlicher besprochen.
  • Wie in 3 und/oder 4 zu sehen ist und/oder wie aus der obigen Erörterung hervorgeht, können verschiedene Leistungswandlertopologien unter Nutzung eines oder mehrerer Leistungshalbleitergehäuse als Bausteine implementiert werden. Dieser modulare/Bausteinansatz kann wenigstens manche der Vorteile von Implementierungen mit angepassten/maßgeschneiderten integrierten Schaltkreisen bereitstellen, wobei die gesamte oder im Wesentlichen die gesamte Leistungswandlerschaltungsanordnung auf einem Halbleiter-Die gebildet ist, während die Nachteile einer Schwierigkeit der Gestaltung, einer Herstellungszeit und der Kosten usw. vermieden werden. Der hier beschriebene modulare/Bausteinansatz kann auch wenigstens manche der Vorteile diskreter Implementierungen erzielen, während wieder wenigstens manche der Nachteile vermieden werden.
  • Wie erwähnt, können bei manchen Implementierungen Leistungshalbleitergehäuse, wie etwa das Leistungshalbleitergehäuse 200, eine Steuerung, wie etwa die Steuerung 250, umfassen. Wie auch erwähnt, kann eine Steuerung eines Leistungshalbleitergehäuses mit einer Logikschaltungsanordnung und/oder Steuerungen eines oder mehrerer anderer Leistungshalbleitergehäuse kommunizieren. Bei manchen Implementierungen kann ein bestimmtes Leistungshalbleitergehäuse eine relativ leistungsstärkere und/oder vollständiger ausgestattete Steuerung beinhalten und können ein oder mehrere andere Leistungshalbleitergehäuse eine einfachere und/oder weniger vollständig ausgestattete Steuerschaltungsanordnung beinhalten. Zum Beispiel kann eine Steuerung, wie etwa die Steuerung 250, wie in 2 gezeigt, eines bestimmten Leistungshalbleitergehäuses Steuersignale an ein oder mehrere andere Leistungshalbleitergehäuse liefern, um verschiedene Operationen zu implementieren und/oder eine Operation der High-Side- und/oder Low-Side-Schalter der verschiedenen Leistungshalbleitergehäuse zu beeinflussen. Bei anderen Implementierungen können mehrere Leistungshalbleitergehäuse Steuerungen, wie etwa die Steuerung 250, beinhalten, die miteinander kommunizieren können, um verschiedene Operationen zu implementieren und/oder um eine Operation des High-Side- und/oder Low-Side-Schalters der verschiedenen Leistungshalbleitergehäuse zu beeinflussen. Bei einer Implementierung kann die Steuerung 250 des Leistungshalbleitergehäuses 200 zum Beispiel mit einem oder mehreren anderen Leistungshalbleitergehäusen über eine Schnittstelle, die im Wesentlichen einer Schnittstelle vom I2C-Typ (z. B. I2C-Busspezifikation, Rev 6, 4. April 2014) entspricht und/oder im Wesentlichen kompatibel mit dieser ist, und/oder über einen breiten Bereich von digitalen und/oder analogen Kommunikationsprotokollen kommunizieren. Wie ebenfalls zuvor besprochen, können manche Implementierungen eine externe Steuerung, wie etwa die Steuerung 450, zusätzlich zu oder anstelle der Steuerung(en) 250 nutzen. Eine externe Steuerung, wie etwa die Steuerung 450, kann mit der (den) Steuerung(en) 250 kommunizieren und/oder kann anderweitig mit einem oder mehreren Leistungshalbleitergehäusen, wie etwa dem Leistungshalbleitergehäuse 200, über eine Schnittstelle vom I2C-Typ und/oder über ein beliebiges eines breiten Bereichs digitaler und/oder analoger Kommunikationsprotokolle kommunizieren.
  • Bei einer Implementierung können mehrere Leistungshalbleitergehäuse, wie etwa das Leistungshalbleitergehäuse 200, über ein drahtgebundenes Signal miteinander kommunizieren. Zum Beispiel kann ein „Leistung-Gut“- oder anderes Signal zwischen und/oder unter den verschiedenen Steueranschlüssen der mehreren Leistungshalbleitergehäuse gekoppelt werden. Bei einer Implementierung kann das Leistung-Gut-Signal über einen Widerstand mit einer logisch hohen (High-) Spannung verknüpft sein. Als Reaktion auf eine Fehlerbedingung können zum Beispiel beliebige der mehreren Leistungshalbleitergehäuse das Leistung-Gut-Signal auf einen logisch niedrigen (Low-) Spannungspegel ziehen, wodurch die Fehlerbedingung den anderen Leistungshalbleitergehäusen signalisiert wird. Bei einer Implementierung kann die Steuerung 250 zum Beispiel eine Abschaltoperation für das Leistungshalbleitergehäuse 200 in dem Ereignis einer Fehlerbedingung initiieren.
  • Bei einer Implementierung kann eine Steuerung, wie etwa die Steuerung 250, eines bestimmten Leistungshalbleitergehäuses, wie etwa zum Beispiel des Leistungshalbleitergehäuses 200a aus 3, mit einem oder mehreren anderen Leistungshalbleitergehäusen, wie etwa zum Beispiel den Leistungshalbleitergehäusen 200b und 200c, kommunizieren, um mehrere Betriebsmodi, wie etwa zum Beispiel einen Normalbetriebsmodus, einen Startmodus, einen Abschaltmodus oder einen Ruhemodus oder eine beliebige Kombination davon, zu implementieren. Für ein anderes Beispiel kann das Leistungshalbleitergehäuse 200d aus 4 zum Beispiel mit einem oder mehreren anderen Leistungshalbleitergehäusen, wie etwa zum Beispiel den Leistungshalbleitergehäusen 200e und 200f, kommunizieren, um die mehreren Betriebsmodi zu implementieren.
  • Bei einer Implementierung kann zum Beispiel die Steuerung 250 des Leistungshalbleitergehäuses 200a einen Abschaltmodus für die Leistungshalbleitergehäuse 200b und/oder 200c wenigstens teilweise als Reaktion auf eine Fehlerdetektion und/oder auf eine Temperaturereignisdetektion, um nur einige nichtbeschränkende Beispiele zu nennen, signalisieren. Bei einer zusätzlichen Implementierung kann die Steuerung 250 des Leistungshalbleitergehäuses 200a zum Beispiel einen Startbetriebsmodus für die Leistungshalbleitergehäuse 200b und/oder 200c signalisieren, um wenigstens teilweise einen oder mehrere Kondensatoren innerhalb der Leistungshalbleitergehäuse 200b und/oder 200c vorzuladen. Ferner kann bei einer Implementierung die Steuerung 250 des Leistungshalbleitergehäuses 200a zum Beispiel einen Ruhebetriebsmodus für eines oder mehrere der Leistungshalbleitergehäuse 200b und/oder 200c signalisieren, um zum Beispiel wenigstens teilweise eine spezifizierte Ladung in einem oder mehreren Kondensatoren der Leistungshalbleitergehäuse 200b und/oder 200c aufrechtzuerhalten.
  • Bei bestimmten Implementierungen kann durch Einbinden relativ intelligenter unabhängiger autonomer einzelner Steuerungen in einem oder mehreren Leistungshalbleitergehäusen, wie etwa dem Leistungshalbleitergehäuse 200, ein Endbenutzer wenigstens teilweise aufgrund der Funktionalität, die in das Leistungshalbleitergehäuse eingebaut wird, von der Verantwortung und/oder der Erfordernis befreit werden, Einzelheiten der verschiedenen Arbeitsweisen der Leistungshalbleitergehäuse zu versehen. Dementsprechend kann es einfacher werden, unterschiedliche Lösungen zu gestalten und/oder zu implementieren. Für andere Systeme, wie etwa solche, die DrMOS-Typ-Leistungshalbleitergehäuse, wie etwa das Leistungshalbleitergehäuse 100, nutzen können, kann eine externe Steuerung erforderlich sein, um die verschiedenen Leistungshalbleitergehäuse zu synchronisieren und/oder zu steuern, was eine angepasste Implementierung erfordern kann. Wieder kann gesehen werden, dass sich der modulare Ansatz, der durch die verschiedenen beispielhaften Charakteristiken des zuvor besprochenen Leistungshalbleitergehäuses 200 ermöglicht wird, zum Beispiel zur einfachen Verwendung, Vielseitigkeit, Anpassung, Skaleneffekte usw. eignet.
  • 5 ist eine Veranschaulichung einer beispielhaften Kugelgitteranordnung (BGA) 500 für ein beispielhaftes DrMOS-Typ-Leistungshalbleitergehäuse, wie etwa das Leistungshalbleitergehäuse 100. Bei einer Implementierung können Lötpads 501 Anschlüsse für ein oder mehrere Eingabe- und/oder Ausgabesignale, wie etwa ein oder mehrere Steuer- und/oder Timingsignale, umfassen. Zum Beispiel können die Lötpads 501 bei einer Implementierung einen PWM-Anschluss und/oder einen Boot-Anschluss für das Leistungshalbleitermodul 100 umfassen. Ferner können bei einer Implementierung mehrere Spalten von Lötpads 510 gemeinsam einen Vin-Anschluss umfassen, wobei die mehreren Lötpads bereitgestellt sind, um stärkere Ströme zu berücksichtigen, die mit dem Vin-Anschluss des Leistungshalbleitergehäuses 100 assoziiert sein können. Wie zuvor besprochen, kann der Anschluss Vin mit einem ersten Knoten des High-Side-Schalters (SW1) 101 des Leistungshalbleitergehäuses 100 gekoppelt sein. Gleichermaßen können mehrere Spalten von Lötpads 530 gemeinsam einen Anschluss PGND des Leistungshalbleitergehäuses 100 umfassen, wobei wieder die mehreren Lötpads bereitgestellt sind, um höhere Stromspezifikationen für den Anschluss PGND zu berücksichtigen. Wie zuvor besprochen, kann der Anschluss PGND mit einem zweiten Knoten des Low-Side-Schalters (SW2) 102 des Leistungshalbleitergehäuses 100 gekoppelt sein.
  • Die beispielhafte BGA 500 beinhaltet bei einer Implementierung auch eine oder mehrere Spalten von Lötpads 520, um gemeinsam einen Schalteranschluss SW des Leistungshalbleitergehäuses 100 zu umfassen. Wie in 1 zu sehen und wie zuvor besprochen, kann der Anschluss SW des Leistungshalbleitergehäuses 100 mit einem zweiten Knoten des High-Side-Schalters (SW1) 101 gekoppelt sein und kann auch mit einem ersten Knoten des Low-Side-Schalters (SW2) 102 des Leistungshalbleitergehäuses 100 gekoppelt sein. Lötpads für Versorgungsspannungen (z. B. VCC, GND) sind der Klarheit der Erörterung halber nicht dargestellt. Jedoch können bei Implementierungen mehrere Lötpads bereitgestellt sein, um Versorgungsspannungen und/oder andere Signaltypen (z. B. Boot) zu berücksichtigen, und der Schutzumfang des Gegenstand ist in dieser Hinsicht nicht beschränkt.
  • 6 stellt eine Ausführungsform 600 einer beispielhaften BGA für ein beispielhaftes Leistungshalbleitergehäuse, wie etwa das Leistungshalbleitergehäuse 200, dar. Wie bei der beispielhaften BGA 500 können mehrere Lötpads Anschlüsse für verschiedene Signale und/oder Spannungen umfassen. Zum Beispiel können die Lötpads 601 Boot-1- und/oder Boot-2-Anschlüsse umfassen. Ferner können die Lötpads 601 zum Beispiel einen PWM-Anschluss und/oder einen Timingreferenz(z. B. SYNCH)-Anschluss umfassen. Auch bei einer Implementierung können mehrere Spalten von Lötpads 610 gemeinsam einen Vin-Anschluss umfassen. Bei einer Implementierung können mehrere Lötpads bereitgestellt werden, um stärkere Ströme zu berücksichtigen, die mit dem Anschluss Vin des Leistungshalbleitergehäuses 200 assoziiert sein können. Wie zuvor besprochen, kann ferner der Anschluss Vin mit einem ersten Knoten des High-Side-Schalters (SW1) 201 des Leistungshalbleitergehäuses 200 gekoppelt sein. Gleichermaßen können mehrere Spalten von Lötpads 630 gemeinsam einen Anschluss PGND des Leistungshalbleitergehäuses 200 umfassen, wobei wieder die mehreren Lötpads bereitgestellt sind, um Bedingungen mit stärkerem Strom zu berücksichtigen. Wie zuvor angemerkt, kann der Anschluss PGND mit einem zweiten Knoten des Low-Side-Schalters (SW2) 202 des Leistungshalbleitergehäuses 200 gekoppelt sein. In 6 sind Lötpads für Versorgungsspannungen (z. B. VCC, GND) der Klarheit der Erörterung halber nicht dargestellt. Jedoch können bei Implementierungen mehrere Lötpads bereitgestellt sein, um zum Versorgungsspannungen und/oder andere Signaltypen zu berücksichtigen, und der Schutzumfang des Gegenstand ist in dieser Hinsicht nicht beschränkt.
  • Wie zuvor angemerkt, beinhaltet die beispielhafte BGA 500 bei einer Implementierung auch eine oder mehrere Spalten von Lötpads 520, um gemeinsam einen Schalteranschluss SV des Leistungshalbleitergehäuses 100 zu umfassen. Für die beispielhafte BGA 600 können jedoch mehrere Spalten von Lötpads 611 einen High-Side-Schalter-Anschluss SW1 beinhalten und können andere separate Spalten von Lötpads 612 einen Low-Side-Schalter-Anschluss SW2 des Leistungshalbleitergehäuses 200 umfassen. Wie zuvor besprochen, können separate Anschlüsse für High-Side- und Low-Side-Schalter ein große Menge an Flexibilität und/oder Nutzen bereitstellen und/oder können die Implementierung einer viel größeren Vielfalt an Leistungswandleranordnungen ermöglichen, als mit Leistungshalbleitergehäusen von einem Einzelschalteranschlusstyp, wie etwa dem beispielhaften DrMOS-Typ-Leistungshalbleitergehäuse 100, möglich wäre.
  • Bei bestimmten Implementierungen können Größen von Leistungsschaltgeräten innerhalb eines Halbleitergehäuses, wie etwa des Leistungshalbleitergehäuses 600, wenigstens teilweise basierend auf Charakteristiken bezüglich Effizienz, Ein-Widerstand (Ron) und/oder parasitärer Kapazität für einen gegebenen Strom und/oder Schaltfrequenzcharakteristiken spezifiziert werden. Zum Beispiel können größere Leistungsschaltgeräte dazu neigen, einen geringeren Ein-Widerstand, aber eine höhere parasitäre Kapazität zu haben. Außerdem können zum Beispiel größere Ausgabestromfähigkeiten größere Leistungsschaltgeräte (z. B. Leistungs-FETs) erfordern, um einen Leitungsverlust zu reduzieren (IRMs 2 * Ron). Außerdem kann zum Beispiel eine höhere Schaltfrequenz die Verwendung kleinerer Leistungsschaltgeräte ermöglichen, was zu einem reduzierten Verlust durch eine parasitäre Kapazität führt (1/2C * V2 * Freq). Bei Implementierungen kann eine Größe eines bestimmten Leistungsschaltgeräts auf eine Weise spezifiziert werden, die einen geeigneten und/oder vorteilhaften Mittelweg zwischen Charakteristiken von Effizienz, Ein-Widerstand und/oder parasitärer Kapazität findet, wenn eine bestimmte Anwendung gegeben ist.
  • Bei manchen Implementierungen können Leistungsschaltgerätegrößen von einem Gerät zu dem nächsten verschieden spezifiziert werden, um zum Beispiel unterschiedliche Laststromspezifikationen zu berücksichtigen. Die Leistungsschaltgerätegrößen können auch wenigstens teilweise als eine Funktion einer bestimmten Topologie spezifiziert werden, die ein bestimmtes Leistungshalbleitergehäuse, wie etwa das Leistungshalbleitergehäuse 600, betreiben soll. Für eine Mehrpegelwandlertopologie können zum Beispiel Leistungsschaltgeräte innerhalb eines Leistungshalbleitergehäuses, wie etwa des Leistungshalbleitergehäuses 600, so spezifiziert werden, dass sie die gleiche Größe aufweisen. In einer Reihenkondensator-Buck-Anordnung für ein weiteres Beispiel kann es vorteilhaft sein, ein Low-Side-Leistungsschaltgerät derart, dass es eine größere Größe als ein High-Side-Leistungsschaltgerät aufweist, wenigstens teilweise aufgrund eines Unterschieds einer „Ein“-Zeit zwischen dem Low-Side- und High-Side-Gerät zu spezifizieren (z. B. kann das Low-Side-Leistungsschaltgerät länger „eingeschaltet“ sein als das High-Side-Leistungsschaltgerät, wenn ein Umwandlungsverhältnis von wenigstens 2:1 angenommen wird). Natürlich ist der Schutzumfang des Gegenstands nicht in dieser Hinsicht beschränkt.
  • 7 stellt ein schematisches Blockdiagramm einer Ausführungsform 700 eines beispielhaften Leistungshalbleitergehäuses dar. Bei einer Implementierung kann das Leistungshalbleitergehäuse 700 einen weiteren Baustein umfassen, der genutzt werden kann, um eine Vielzahl von Leistungswandleranordnungen zu nutzen. Zum Beispiel kann das Leistungshalbleitergehäuse 700 einen Leistungs-Feldeffekttransistor (FET) 701 beinhalten, der zwischen Spannungsanschlüssen VD und VS gekoppelt ist. Die Treiberschaltungsanordnung 711 kann mit einem Steuerknoten des Leistungs-FET 701 gekoppelt sein. Die Pegelumsetzerschaltungsanordnung 721 kann ein oder mehrere Steuersignale von der Logikschaltungsanordnung 750 empfangen und/oder kann ein oder mehrere Signale an die Treiberschaltungsanordnung 711 liefern. Ein Boot-Anschluss kann zum Beispiel auch zusammen mit einer assoziierten Boot-Schaltungsanordnung 731 bereitgestellt werden. Anschlüsse für die Versorgungsspannung (z. B. VCC) und/oder Referenzspannung (z. B. GND) können bei einer Implementierung ebenfalls enthalten sein. Ferner können bei einer Implementierung auch ein Timingsignalanschluss (z. B. PWM) und/oder ein oder mehrere Steuersignale (z. B. SYNC) bereitgestellt werden. Wie nachfolgend umfassender besprochen, können Baublöcke, wie etwa ein Leistungshalbleitergehäuse 700, mit Blick auf bestimmte Charakteristiken gestaltet und/oder hergestellt werden. Verschiedene Attribute des Leistungshalbleiters 700 können spezifiziert werden, um zum Beispiel bestimmte Gestaltungsziele zu erzielen.
  • 8 stellt ein schematisches Blockdiagramm dar, das eine Ausführungsform 800 einer beispielhaften Ladungspumpenanordnung einschließlich mehrerer beispielhafter Leistungshalbleitergehäuse veranschaulicht. Bei einer Implementierung kann ein erstes mehrerer Leistungshalbleitergehäuse, wie etwa der Leistungshalbleitergehäuse 700a, 700b, 700c und/oder 700d, über einen oder mehreren Zwischenspannungsknoten zwischen einem Knoten VH mit höherer Spannung und einem Knoten VL mit niedrigerer Spannung im Wesentlichen in Reihe gekoppelt sein. Bei einer Implementierung können die Leistungshalbleitergehäuse 700a, 700b, 700c und/oder 700d Instanzen des Leistungshalbleitergehäuses 700 umfassen. Jedoch können bei einer Implementierung die Leistungshalbleitergehäuse 700a und 700d so spezifiziert werden, dass sie 3-A(Ampere)-Leistungstransferpfade umfassen, und können die Leistungshalbleitergehäuse 700b und 700c so spezifiziert werden, dass sie 4-A(Ampere)-Leistungstransferpfade umfassen. Bei einer Implementierung können unterschiedliche Stromhandhabungscharakteristiken wenigstens teilweise auf den Größen, Materialien und/oder der Konstruktion für Leistungs-FETs, wie etwa zum Beispiel den Leistungs-FET 701, basieren. Ferner können bei einer Implementierung Leistungsschaltgeräte innerhalb der Leistungshalbleitergehäuse 700b und 700c Spannungseinstufungsparameter haben, die zum Beispiel das Doppelte der Leistungshalbleitergehäuse 700a und 700d sind.
  • Bei einer Implementierung kann die beispielhafte Ladungspumpenanordnung 800 zweite mehrere Leistungshalbleitergehäuse, wie etwa Leistungshalbleitergehäuse 200g und 200h, beinhalten, die im Wesentlichen parallel zwischen dem Knoten VL und einem Referenzspannungsknoten gekoppelt sind, wie in 8 dargestellt. Bei einer Implementierung können die Leistungshalbleitergehäuse 200g und 200h einzeln Leistungstransferpfade einschließlich eines High-Side-Schalters und eines Low-Side-Schalters beinhalten, wobei ein erster Knoten des High-Side-Schalters mit dem Knoten VL gekoppelt sein kann und wobei ein zweiter Knotend es Low-Side-Schalters mit dem Referenzspannungsknoten gekoppelt sein kann. Ferner können bei einer Implementierung Kondensatoren 811, 812 und/oder 813 zwischen einem oder mehreren Leistungshalbleitergehäusen 200g und/oder 200h und einem oder mehreren der Zwischenknoten zwischen den Leistungshalbleitergehäusen 700a, 700b, 700c und/oder 700d gekoppelt sein, wie zum Beispiel in 8 dargestellt ist. Natürlich ist der Schutzumfang des Gegenstands nicht in dieser Hinsicht beschränkt.
  • Bei einer Implementierung können die Leistungshalbleitergehäuse 200g und/oder 200h 12-A(Ampere)-Leistungstransferpfade umfassen. Für die in 8 dargestellte beispielhafte Ladungspumpenanordnung 800 werden mehreren Typen von Leistungshalbleitergehäusen genutzt. Zum Beispiel umfassen die Leistungshalbleitergehäuse 700a, 700b, 700c und 700d Einzel-Leistungs-FET-Leistungshalbleitergehäuse, wie etwa zuvor in Verbindung mit dem beispielhaften Leistungshalbleitergehäuse 700 beschrieben, während die Leistungshalbleitergehäuse 200g und 200h Leistungshalbleitergehäuse umfassen, die Leistungstransferpfade mit High-Side- und Low-Side-Schaltern und separaten High-Side- und Low-Side-Schalter-Anschlüssen einbinden. Außerdem umfassen für das aktuelle Implementierungsbeispiel die Leistungshalbleitergehäuse 700a und 700d 3-A(Ampere)-Leistungstransferpfade, während die Leistungshalbleitergehäuse 700b und 700c 4-A(Ampere)-Leistungstransferpfade mit Spannungseinstufungscharakteristiken umfassen, die zum Beispiel das Doppelte der Leistungshalbleitergehäuse 700a und 700d sind. Dementsprechend ist zu sehen, dass unterschiedliche Implementierungen der hier beschriebenen beispielhaften Leistungshalbleitergehäusetypen als modulare Bausteine genutzt werden können, um größere Leistungswandleranordnungen zu entwickeln. Unterschiedliche Bausteine können zum Beispiel in Abhängigkeit von bestimmten Anwendungen spezifiziert werden.
  • Bei bestimmten Implementierungen kann ein Leistungswandler mehrere Leistungshalbleitergehäuse beinhalten. Bei Implementierungen können ein oder mehrere Leistungshalbleitergehäuse im Wesentlichen aus einem bestimmten Material gebildet werden und/oder können unter Verwendung eines bestimmten Prozesses gebildet werden, während ein oder mehrere andere Leistungshalbleitergehäuse im Wesentlichen aus einem im Wesentlichen unterschiedlichen Material gebildet werden können und/oder unter Verwendung eines im Wesentlichen unterschiedlichen Prozesses hergestellt werden können. Auf diese Weise kann eine Vielzahl von Leistungshalbleitergehäusebausteinen gemäß bestimmten Spezifikationen für bestimmte Anwendungen implementiert werden. Zum Beispiel können bei einer Implementierung ein oder mehrere Leistungshalbleitergehäuse einen oder mehrere siliciumbasierte integrierte Schaltkreise beinhalten und/oder können ein oder mehrere zusätzliche Leistungshalbleitergehäuseeinen oder mehrere integrierte Schaltkreise beinhalten, die im Wesentlichen aus III-V-Halbleitern, wie etwa zum Beispiel Galliumarsenid oder Galliumnitrid, oder einer Kombination davon gebildet sind. Ferner können bei einer Implementierung zum Beispiel ein oder mehrere Leistungshalbleitergehäuse einen oder mehrere integrierten Schaltkreise beinhalten, die erste mehrere Metallschichten umfassen, und ein oder mehrere andere Leistungshalbleitergehäuse können einen oder mehrere integrierte Schaltkreise beinhalten, die zweite mehrere Metallschichten umfassen, wobei die ersten mehreren Metallschichten zum Beispiel die zweiten mehreren Metallschichten überschreiten. Ferner können unterschiedliche integrierte Schaltkreise innerhalb eines bestimmten Leistungshalbleitergehäuses zum Beispiel unter Nutzung verschiedener Materialien, verschiedener Prozesse und/oder unter Nutzung einer unterschiedlichen Anzahl von Metallschichten gebildet werden.
  • Zum Beispiel kann der Leistungs-FET 701 des beispielhaften Leistungshalbleitergehäuses 700 unter Verwendung unterschiedlicher Materialien, Prozesse und/oder Anzahlen von Metallschichten im Vergleich zu dem Logikschaltkreis 750, dem Pegelumsetzer 721 usw. hergestellt werden. Gleichermaßen kann bei einer Implementierung ein Leistungstransferpfad einschließlich des High-Side-Schalters 201 und/oder des Low-Side-Schalters 202 des beispielhaften Leistungshalbleitergehäuses 200 unter Verwendung zum Beispiel unterschiedlicher Materialien, Prozesse und/oder Anzahlen von Metallschichten im Vergleich zu den Materialien, Prozessen und/oder Anzahlen von Metallschichten hergestellt werden, die zum Herstellen der Steuerung 250 genutzt werden.
  • In 9-12 können verschiedene Schaltgeräte (z. B. Leistungs-FETs) mit einer ganzen Zahl „1“ oder einer ganzen Zahl „2“ beschriftet sein. Diese ganzen Zahlen sollen unterschiedliche Zustände (oder Phasen) in einer bestimmten Schaltkondensator(oder Ladungspumpe)-Leistungswandleranordnung repräsentieren. Dementsprechend können bei einer Implementierung Schaltgeräte, die mit „1“ beschriftet sind, während eines ersten Schaltzustands aktiviert werden und können Schaltgeräte, die mit „2“ beschriftet sind, während eines zweiten Schaltzustands aktiviert werden. Natürlich sind Implementierungen nicht auf Zweizustandsimplementierungen beschränkt, wie zuvor besprochen wurde.
  • 9 stellt ein schematisches Blockdiagramm dar, das eine Ausführungsform 900 einer beispielhaften Ladungspumpenanordnung einschließlich mehrerer beispielhafter Leistungshalbleitergehäuse veranschaulicht. Bei einer Implementierung kann eine Ladungspumpenanordnung 900 eine beispielhafte „Verdoppler“-Anordnung umfassen, in der einzelne Paare von Leistungshalbleitergehäusen eine Menge einer Eingabespannung verdoppeln können. Zum Beispiel können die Leistungshalbleitergehäuse 200i und 200j gemeinsam eine erste Verdoppelungsstufe bilden und können die Leistungshalbleitergehäuse 200k und 2001 gemeinsam eine zweite Verdopplungsstufe bilden. Bei einer Implementierung können die Leistungshalbleitergehäuse 200i, 200j, 200k und/oder 200l wenigstens manche Charakteristiken ähnlichen jenen umfassen, die zuvor in Verbindung mit dem Leistungshalbleitergehäuse 200 besprochen wurden.
  • Bei einer Implementierung kann, wenn eine Eingabespannung von 1 V an dem Knoten VL mit niedrigerer Spannung gegeben ist, ein Spannungspegel von 2 V an einem Zwischenknoten 915 gebildet werden und kann ein Spannungspegel von 4 V an dem Ausgabeknoten VH gebildet werden. Bei anderen Implementierungen kann ein einziges Paar von Leistungshalbleitergehäusen genutzt werden, um eine einzige Verdopplungsstufe zu implementieren (um z. B. 2 V aus einer Eingabe von 1 V zu produzieren). Ferner können mehr als zwei Paare von Leistungshalbleitergehäusen genutzt werden, um unterschiedliche Vielfache einer Eingabespannung zu erzeugen. Falls zum Beispiel ein drittes Paar von Leistungshalbleitergehäusen zu dem Konfigurationsbeispiel 900 hinzugefügt werden soll, um eine dritte Verdopplungsstufe zu bilden, kann eine 8-V-Ausgabe aus einer 1-V-Eingabespannung erzeugt werden. Ein viertes Paar von Leistungshalbleitergehäusen kann eine vierte Verdopplungsstufe bilden, um zum Beispiel eine 16-V-Ausgabe aus einer 1-V-Eingabe zu erzeugen.
  • Bei Implementierungen können unterschiedliche Paare von Leistungshalbleitergehäusen, wie etwa einem Niedrigere-Spannung(LV: Lower Voltage)-Paar, das durch die Leistungshalbleitergehäuse 200i und 200j gebildet wird, und/oder ein Höhere-Spannung(HV: Higher Voltage)-Paar, das durch die Leistungshalbleitergehäuse 200k und 2001 gebildet wird, zum Handhaben unterschiedlicher Spannungs- und/oder Strompegel klassifiziert sein. Wenn zum Beispiel eine 1-V-Eingabespannung an dem Knoten VL gegeben ist, kann das Niedrigere-Spannung-Paar, das durch die Leistungshalbleitergehäuse 200i und 200j gebildet wird, Schaltgeräte (z. B. Leistungs-FETs) beinhalten, die zum Handhaben von 1 V gestaltet und/oder implementiert sind. Wenn zum Beispiel der beispielhafte 1-V-Spannungpegel an dem Eingabeknoten VL gegeben ist, kann außerdem das Höhere-Spannung(HV)-Paar, das durch die Leistungshalbleitergehäuse 200k und 200i gebildet wird, Schaltgeräte (z. B. Leistungs-FETs) beinhalten, die zum Handhaben von 2 V gestaltet und/oder implementiert sind. Dementsprechend können zum Beispiel die LV-Leistungshalbleitergeräte 200i und/oder 200j Charakteristiken einer ersten bestimmten Implementierung des Leistungshalbleitergeräts 200 umfassen und/oder können zum Beispiel die HV-Leistungshalbleitergeräte 200k und/oder 200l Charakteristiken einer zweiten bestimmten Implementierung des Leistungshalbleitergeräts 200 umfassen. Wieder ist zu sehen, dass unterschiedliche Implementierungen der hier beschriebenen beispielhaften Leistungshalbleitergehäusetypen als modulare Bausteine genutzt werden können, um komplexere Leistungswandleranordnungen zu entwickeln. Es kann angemerkt werden, dass ein DrMOS-Typ-Gerät, wie etwa das Leistungshalbleitergehäuse 100, bei dem Konfigurationsbeispiel des Beispiels 900 wenigstens teilweise aufgrund dessen, dass der PGND-Anschluss des DrMOS-Geräts mit einer Massespannungsreferenz verknüpft sein muss, nicht ordnungsgemäß funktionieren würde. Zum Beispiel ist bei der beispielhaften Ladungspumpenanordnung 900 keines der Schaltgeräte des Leistungshalbleitergehäuses 200i und/oder des Leistungshalbleitergehäuses 200k massereferenziert.
  • 10 stellt ein schematisches Blockdiagramm dar, das eine Reihe-Parallel-Leistungswandleranordnung 1000 einschließlich einer Anzahl von Schaltgeräte, einschließlich der Schaltgeräte 1001 und 1002, dar. Für die beispielhafte Reihe-Parallel-Leistungswandleranordnung 1000 kann ein modularer Ansatz zur Implementierung wenigstens teilweise aufgrund der verschiedenen Schaltgeräte (z. B. Leistungs-FETs) der Anordnung 1000 mit unterschiedlichen Spannungs- und/oder Stromspezifikationen problematisch sein. Zum Beispiel kann das Schaltgerät 1001 unterschiedliche spezifizierte Spannungs- und/oder Stromcharakteristiken als das Schaltgerät 1002 aufweisen. Das gleiche kann für ein oder mehrere der anderen mehreren Schaltgeräte gelten, die in der beispielhaften Reihe-Parallel-Anordnung 1000 veranschaulicht sind. Damit ein modularer Ansatz funktioniert, müssten wenigstens manche der Leistungsschaltgeräte der beispielhaften Anordnung 1000 eine überdimensionierte Einstufung aufweisen, um einen sicheren Betrieb zu gewährleisten. Dementsprechend können wenigstens manche Nutzen und Vorteile einer Modularisierung verloren gehen. Jedoch sind andere Implementierungen möglich, die einen modularen Ansatz nutzen, wie nachfolgend beschrieben.
  • 11 stellt ein schematisches Blockdiagramm dar, das eine beispielhafte Reihe-Parallel-Leistungswandleranordnung 1100 veranschaulicht, die unter Nutzung von einigen Leistungshalbleitergehäusen in einem modulareren Ansatz implementiert ist. Zum Beispiel kann die Reihe-Parallel-Leistungswandleranordnung 1100 einige Leistungshalbleitergehäuse 1101, 1102 und/oder 1103 beinhalten, die auf im Wesentlichen eine Reihenweise verbunden sind, wobei die einzelnen Leistungshalbleitergehäuse 1101, 1102 und/oder 1103 einzeln im Wesentlichen parallel verbundene Schaltgeräte (z. B. Leistungs-FETs) beinhalten. Einige Kondensatoren sind auch auf eine im Wesentlichen parallele Art gekoppelt, wie dargestellt ist. Außerdem kann bei einer Implementierung ein einziges Schaltgeräteleistungshalbleitergehäuse 1110 auch mit den anderen Leistungshalbleitergehäusen auf im Wesentlichen eine Reihenweise gekoppelt sein, wie dargestellt ist.
  • Bei einer Implementierung können Leistungshalbleitergehäuse 1101, 1102 und/oder 1103 jeweils Schaltgeräte mit relativ niedrigerer Spannung (z. B. Leistungs-FETs) umfassen. Wie in 11 gezeigt, können die Leistungshalbleitergehäuse 1101, 1102 und/oder 1103 einzeln ähnliche Versionen eines Drei-Schaltgeräte-Leistungshalbleitergehäuses umfassen. Wie zuvor erwähnt, können Leistungshalbleitergehäuse mit wenigstens manchen Charakteristiken ähnlich jenen, die zuvor in Verbindung mit dem Leistungshalbleitergehäuse 200 besprochen sind, bei manchen Implementierungen mehr als zwei Schaltgeräte (z. B. Leistungs-FETs) beinhalten. Ein bestimmtes Implementierungsbeispiel eines Drei-Leistung-FETs-Leistungshalbleitergehäuses wird nachfolgend in Verbindung mit 16 besprochen. Wie zuvor erwähnt, kann bei manchen Implementierungen ein Leistungshalbleitergehäuse ein einziges Schaltgerät beinhalten. In der beispielhaften Reihe-Parallel-Leistungswandleranordnung 1100 kann das Leistungshalbleitergehäuse 1110 ein einziges Schaltgerät mit relativ höherer Spannung umfassen. Die beispielhafte Reihe-Parallel-Leistungswandleranordnung 1100 repräsentiert ein weiteres Implementierungsbeispiel einer im Wesentlichen modularen Leistungswandleranordnung unter Nutzung unterschiedlicher Implementierungen von beispielhaften Leistungshalbleitergehäusetypen, die hier beschrieben sind, als modulare Bausteine.
  • 12 ist ein schematisches Blockdiagramm, das eine beispielhafte Leistungswandleranordnung 1200 veranschaulicht, wobei ein Spannungsumwandlungsverhältnis eine Funktion der Anzahl an Kondensatoren in der Anordnung ist. Zum Beispiel kann das Spannungsumwandlungsverhältnis ansteigen, wenn die Anzahl an Kondensatoren erhöht wird. Bei einer bestimmten Implementierung kann das Spannungsumwandlungsverhältnis gemäß der Fibonacci-Reihe zunehmen, wenn die Anzahl an Kondensatoren erhöht wird. Bei einer Implementierung kann die Fibonacci-Leistungswandleranordnung 1200 die Leistungshalbleitergehäuse 1201, 1202 und/oder 1203 beinhalten, die manche Charakteristiken ähnlich zu jenen des zuvor besprochenen Leistungshalbleitergehäuses 200 und/oder des nachfolgend besprochenen Leistungshalbleitergehäuses 1600 aufweisen können. Bei anderen Implementierungen kann die Fibonacci-Leistungswandleranordnung 1200 unter Verwendung diskreter Schaltgeräte (z. B. Leistungs-FETs) implementiert werden.
  • Wie zuvor besprochen, können für manche Implementierungen Leistungshalbleitergehäuse Kugelgitteranordnungskapselungstechnologien beinhalten. Jedoch können für Implementierungen beliebige einer breiten Vielfalt an Halbleitergerätekapselungstechnologien genutzt werden. 13-16 stellen beispielhafte Kapselungstechnologien dar, wie nachfolgend besprochen.
  • 13 ist eine Veranschaulichung, die eine bestimmte Ansicht einer Ausführungsform 1300 eines beispielhaften Flip-Chips auf einem Leiterrahmenhalbleitergehäuse darstellt, der genutzt werden kann, um Leistungshalbleitergehäuse, wie etwa jene hier besprochenen, zu implementieren. Das beispielhafte Halbleitergehäuse 1300 stellt eine Draufsicht eines Leiterahmes 1320 dar. Ein Umriss eines Halbleiter-Die 1310 ist ebenfalls dargestellt. Eine Querschnittsansicht 1350 des beispielhaften Halbleitergerätegehäuses 1300 ist ebenfalls bereitgestellt, einschließlich einer Querschnittsansicht des Leiterrahmens 1320 und des Halbleiter-Die 1310. Bei einer Implementierung kann das beispielhafte Gehäuse 1300 einen Halbleiter-Die 1310 beinhalten, der sich über einem Leiterrahmen 1320 befindet, der zum Beispiel innerhalb einer Vergussmasse 1330 verkapselt und/oder anderweitig darin positioniert ist. Bei einer Implementierung kann der Halbleiter-Die 1310 über Kupfersäulen 1315 elektrisch mit elektrisch leitfähigen Elementen (z. B. 1301, 1302, 1304 usw.) des Leiterrahmens 1320 gekoppelt sein. Bei anderen Implementierungen können Lötkugeln genutzt werden, um den Leiterrahmen 1320 elektrisch mit dem Halbleiter-Die 1310 zu koppeln. Kupfersäulen können bei einer Implementierung Vorteile, wie etwa reduzierten Widerstand, im Vergleich zu Lötkugeln bereitstellen.
  • Wie dargestellt, kann der Leiterrahmen 1320 bei einer Implementierung eine Anzahl an elektrisch leitfähigen Elementen, wie etwa der elektrisch leitfähigen Elemente 1301, 1302, 1303 und/oder 1304, beinhalten. Bei einer Implementierung können die elektrisch leitfähigen Elemente des Leiterrahmens 1320 Kupferschienen umfassen, obwohl der Schutzumfang des Gegenstands nicht in dieser Hinsicht beschränkt ist. Wie in 13 dargestellt, können Kupferschienen, wie etwa die Kupferschienen 1301, Abschnitte mit voller Dicke (z. B. durch durchgehende Linien in 13 markiert) beinhalten und können auch Abschnitte mit partieller Dicke (z. B. durch gestrichelte Linien markiert) beinhalten. Bei einer Implementierung können Abschnitte mit partieller Dicke eines elektrisch leitfähigen Elements, wie etwa der Kupferschiene 1301, eine elektrische Leitfähigkeit zwischen einem Integrierter-Schaltkreis-Gerät (z. B. einem Leistungs-FET) und einem Abschnitt mit voller Dicke bereitstellen. Abschnitte mit voller Dicke können zum Beispiel eine elektrische Konnektivität nach außerhalb des Halbleitergehäuses 1300 bereitstellen. Bei einer Implementierung kann eine Nutzung von Abschnitten mit partialer Dicke elektrisch leitfähiger Elemente des Leiterrahmens 1320 Elektrisch-leitfähiges-Element-Rastermaßparameter für den Leiterrahmen 1320 bereitstellen, die kleiner (z. B. die Hälfte) als ein spezifiziertes Leiterplattenrastermaß 1321 sind.
  • Bei einer Implementierung können die elektrisch leitfähigen Elemente 1301 genutzt werden, um eine elektrische Konnektivität zu einem ersten Schaltgerät (z. B. Leistungs-FET) bereitzustellen, und/oder können die elektrisch leitfähigen Elemente 1302 genutzt werden, um eine elektrische Konnektivität zu einem zweiten Schaltgerät bereitzustellen. Bei einer Implementierung können, wenn ein Beispiel für das Halbleitergehäuse 1300 gegeben ist, das das Leistungshalbleitermodul 200d des in 4 dargestellten beispielhaften Leistungswandlers 400 umfasst, zum Beispiel die elektrisch leitfähigen Elemente 1301 mit dem Knoten 412 des Leistungswandlers 400 verbinden und können die elektrisch leitfähigen Elemente 1302 mit dem Knoten 413 des Leistungswandlers 400 verbinden. Außerdem können bei einer Implementierung zum Beispiel die elektrisch leitfähigen Elemente 1304 eine elektrische Konnektivität zu einem PGND-Anschluss eines zweiten Leistungsschaltgeräts bereitstellen und/oder können elektrisch leitfähige Elemente 1304 eine elektrische Konnektivität zu einem Vin-Anschluss eines ersten Leistungsschaltgeräts bereitstellen. Natürlich ist der Schutzumfang des Gegenstands nicht in dieser Hinsicht beschränkt.
  • Außerdem kann bei einer Implementierung ein beispielhaftes Halbleitergehäuse 1300 wenigstens manche Charakteristiken eines Quad-Flat-No-Leads(QFN)-Gehäuses umfassen. Zum Beispiel können Eingabe/Ausgabe-Kontakte 1305, die sich entlang eines bestimmten Randes des Leiterrahmens 1320 befinden und/oder auf der Unterseite des beispielhaften Halbleitergehäuses 1300 positioniert sind, bei einer Implementierung über eine oder mehrere Kupfersäulen (oder Lötkontakthügel) elektrisch mit dem Halbleiter-Die 1310 verbunden sein. Natürlich ist der Schutzumfang des Gegenstands nicht in dieser Hinsicht beschränkt.
  • 14 ist eine Veranschaulichung, die ein beispielhaftes Leistungshalbleitergehäuse 1400 mit einer oder mehreren Charakteristiken mit einer QFN-Kapselungstechnologie darstellt. Bei einer Implementierung kann das Leistungshalbleitergehäuse 1400 wenigstens manche Charakteristiken des zuvor besprochenen Leistungshalbleitergehäuses 200 beinhalten. Zum Beispiel kann das Leistungshalbleitergehäuse 1400 einen integrierten Schaltkreis 1405 beinhalten, der eine Treiberschaltungsanordnung usw. (z. B. die Treiberschaltungsanordnung 211 und/oder 212, die Pegelumsetzerschaltungsanordnung 221 und/oder 222 usw.) umfasst, die mit einem ersten FET (FET1) und einem zweiten FET (FET2) gekoppelt ist.
  • Bei einer Implementierung kann die Treiberschaltungsanordnung 1405 über einen oder mehrere Bonddrähte 1403 elektrisch mit Gate-Gebieten des FET1 und/oder FET2 gekoppelt sein. Die Bonddrähte können auch die Treiberschaltungsanordnung 1405 mit Leiterrahmenkontakten 1412 koppeln, die zum Beispiel für Steuersignale, Timingsignale usw. genutzt werden. Eine vereinfachte schematische Ansicht 1430 des Leistungshalbleitergehäuses 1400 ist ebenfalls bereitgestellt, wobei die Treiberschaltungsanordnung 1405 dargestellt ist, die mit dem FET1 und FET2 gekoppelt ist, und auch Anschlüsse Vin und SW1 des FET1 und die Anschlüsse SW2 und PGND des FET2 dargestellt sind. Eine Querschnittsansicht 1420 ist ebenfalls bereitgestellt.
  • Bei einer Implementierung können der FET1 und/oder FET2 „vertikale“ Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) umfassen. Ferner können der FET1 und/oder FET2 innerhalb des Halbleitergehäuses 1400 auf eine „horizontale“ Weise angeordnet (z. B. nebeneinander platziert und/oder nicht aufeinander gestapelt) sein. Zum Beispiel kann bei einer Implementierung ein Source-Anschluss des FET1 (der sich z. B. in einem oberen Gebiet des FET1 befindet) über eine Kupferklammer 1431 mit dem SW1-Leiterrahmenkontakten gekoppelt sein. Ein Drain-Anschluss des FET1 (der sich z. B. in einem unteren Gebiet des FET1 befindet) kann elektrisch mit Vin-Kontakten des Leiterrahmens gekoppelt sein, wie dargestellt ist. Obwohl der FET1 und FET2 mit Source- und Gate-Kontakten, die sich in einem oberen Gebiet der jeweiligen Schaltgeräte befinden, beschrieben und/oder dargestellt sind, können andere Implementierungen Drain-Gebiete des FET1 und/oder FET2 auf der Oberseite lokalisieren, wobei sich Source-Gebiete auf der Unterseite befinden.
  • Ferner kann bei einer Implementierung ein Source-Anschluss des FET2 (der sich z. B. in einem oberen Gebiet des FET2 befindet) über eine Kupferklammer 1432 mit den PGND-Leiterrahmenkontakten gekoppelt sein. Ein Drain-Anschluss des FET2 (der sich z. B. in einem unteren Gebiet des FET2 befindet) kann elektrisch mit SW2-Kontakten des Leiterrahmens gekoppelt sein, wie in 14 gezeigt ist. Es kann angemerkt werden, dass bei einer Implementierung der FET2 größer als der FET1 sein kann. Bei verschiedenen Implementierungen können die relativen Größen des FET1, FET2 und/oder anderer Leistungsschaltgeräte dahingehend gestaltet werden, bestimmte Spezifikationen und/oder Anwendungen zu berücksichtigen. Obwohl das beispielhafte Leistungshalbleitergehäuse 1400 drei separate Halbleiter-Dies (z. B. einen für die Treiberschaltungsanordnung 1405, einen für den FET1 und einen anderen für den FET2) darstellt, können außerdem andere Implementierungen die verschiedenen Schaltkreise und/oder Komponenten auf weniger als drei Halbleiter-Dies oder auf mehr als drei Halbleiter-Dies fertigen.
  • 15 ist eine Veranschaulichung, die ein weiteres beispielhaftes Leistungshalbleitergehäuse 1500 mit einer oder mehreren Charakteristiken mit einer QFN-Kapselungstechnologie darstellt. Eine Querschnittsansicht 1520 ist ebenfalls bereitgestellt. Bei einer Implementierung kann das Leistungshalbleitergehäuse 1500 wenigstens manche Charakteristiken des zuvor besprochenen Leistungshalbleitergehäuses 200 beinhalten. Zum Beispiel kann das Leistungshalbleitergehäuse 1500 einen integrierten Schaltkreis 1505 beinhalten, der eine Treiberschaltungsanordnung usw. (z. B. die Treiberschaltungsanordnung 211 und/oder 212, die Pegelumsetzerschaltungsanordnung 221 und/oder 222 usw.) umfasst, die mit einem ersten FET (FET1) und einem zweiten FET (FET2) gekoppelt ist.
  • Wie zuvor besprochen, beinhaltet das in 14 dargestellte Leistungshalbleitergehäuse 1400 einen vertikal konstruierten FET1 und FET2, die in einer horizontalen (z. B. nichtgestapelten) Konfiguration angeordnet sind. Im Gegensatz dazu umfasst das beispielhafte Leistungshalbleitergehäuse 1500 den FET1 und FET2, die auf eine vertikale Weise (z. B. vertikale QFN-Stapelung) gestapelt sind. Zum Beispiel kann, wie in 15 dargestellt, der FET2 oberhalb des FET1 positioniert sein. Bei einer Implementierung können elektrisch leitfähige Elemente (z. B. Kupferschienen und/oder -klammer) 1521 eine elektrische Konnektivität zwischen dem FET1 und SW1-Leiterrahmenkontakten bereitstellen und/oder können eine elektrische Konnektivität zwischen dem FET2 und SW2-Leiterrahmenkontakten bereitstellen. Eine weitere Kupferklammer 1522 kann zum Beispiel den FET2 mit PGND-Leiterrahmenkontakten verbinden. Isolatoren 1523 können zum Beispiel eine elektrische Isolation zwischen dem FET1 und FET2 bereitstellen.
  • Obwohl das beispielhafte Leistungshalbleitergehäuse 1500 drei separate Halbleiter-Dies (z. B. einen für die Treiberschaltungsanordnung 1505, einen für den FET1 und einen anderen für den FET2) darstellt, können wieder andere Implementierungen die verschiedenen Schaltkreise und/oder Komponenten auf weniger als drei Halbleiter-Dies oder auf mehr als drei Halbleiter-Dies fertigen.
  • 16 ist eine Veranschaulichung, die ein beispielhaftes Leistungshalbleitergehäuse 1600 einschließlich drei Leistungsschaltgeräte, wie etwa der Leistungs-MOSFETs M1, M2 und M3, darstellt. Bei einer Implementierung kann das Leistungshalbleitergehäuse 1600 ein QFN-Gehäuse umfassen, wobei die mehreren Schaltgeräte M1, M2 und M3 vertikal gestapelt sein können. Außerdem kann M1 bei einer Implementierung über ein elektrisch leitfähiges Element 1621 elektrisch mit M2 verbunden sein und kann M2 über ein elektrisch leitfähiges Element 1622 elektrisch mit M3 verbunden sein. Zum Beispiel kann ein Source-Gebiet von M1 elektrisch mit einem Drain-Gebiet von M2 verbunden sein. Ferner kann zum Beispiel ein Source-Gebiet von M2 elektrisch mit einem Drain-Gebiet von M3 verbunden sein. Dies steht im Gegensatz zu dem Leistungshalbleitergehäuse 1500, das zuvor besprochen wurde, wobei die gestapelten Geräte FET1 und FET2 zum Beispiel über Isolatoren 1523 isoliert sind.
  • Unter manchen Umständen kann eine Stapelung von Leistungsschaltgeräten, wie etwa zum Beispiel M1, M2 und/oder M3, zu erhöhten Temperaturen innerhalb eines Gehäuses, wie etwa eines beispielhaften Leistungshalbleitergehäuses 1600, führen. Bei einer Implementierung kann ein Kühlkörper vorteilhafterweise genutzt werden, um Wärme zu verteilen und/oder zu dissipieren. Obwohl das Leistungsschaltgerät M1, M2 und M3 für das beispielhafte Leistungshalbleitergehäuse 1600 als auf eine gestapelte Weise konfiguriert dargestellt und/oder beschrieben sind, sind andere Implementierungen möglich. Zum Beispiel können bei einer Implementierung M1, M2 und/oder M3 nebeneinander auf eine Weise positioniert sein, die wenigstens in mancher Hinsicht den Leistungsschaltgeräten FET1 und FET2 ähnlich ist, die bei dem beispielhaften Leistungshalbleitergehäuse 1400 (siehe 14) dargestellt sind.
  • Bei einer Implementierung kann ein Halbleiter-Die 1610 (z. B. Treiberschaltungsanordnung, Pegelumsetzer usw.) über Bonddrähte 1615 elektrisch mit den Schaltgeräten M1, M2 und/oder M3 verbunden sein. Es wird angemerkt, dass M1, M2 und/oder M2 bei einer Implementierung auf eine versetzte Weise gestapelt werden können, um einen Bereich zum Landen von Bonddrähten 1615 bereitzustellen. Ferner kann bei einer Implementierung eine Kupferklammer 1625 M3 elektrisch mit einem Leiterrahmen des Leistungshalbleitergeräts 1600 zu verbinden. Zusätzliche elektrisch leitfähige Elemente (z. B. Kupferklammern, Kupferschienen usw.) können bereitgestellt werden, um elektrisch leitfähige Elemente 1621 und/oder 1622 elektrisch mit geeigneten Leiterrahmenkontakten zu verbinden. Ein oder mehrere Leiterrahmenelemente 1623 können bei einer Implementierung eine elektrische Konnektivität zu einem Drain-Gebiet von M1 bereitstellen.
  • Zum Beispiel können, wie in der schematischen Ansicht 1650 zu sehen, separate Anschlüsse für das Drain-Gebiet von M1, das Source-Gebiet von M3, die Verbindung zwischen M1 und M2 und für die Verbindung zwischen M2 und M3 bereitgestellt werden. Ein oder mehrere Anschlüsse können zum Beispiel auch für Eingänge des Halbleiter-Die 1610 bereitgestellt werden. Wie nachfolgend vollständiger besprochen, können separate Anschlüsse des M1-, M2-, M3-Stapels von Schaltgeräte eine Vielzahl von vorteilhaften Implementierungen von Leistungswandleranordnungen ermöglichen.
  • 17 ist ein schematisches Blockdiagramm, das eine beispielhafte Leistungswandleranordnung 1700 veranschaulicht. Bei einer Implementierung kann die Leistungswandleranordnung 1700 eine 3:1-Ladungspumpe umfassen, die ein Leistungshalbleitergehäuse 1600a nutzt, das wenigstens manche Charakteristiken ähnlich jenen umfassen kann, die zuvor in Verbindung mit dem Drei-Schaltgeräte-Leistungshalbleitergehäuse 1600 besprochen wurden. Die 3:1-Ladungspumpenanordnung 1700 kann auch Leistungshalbleitergehäuse 200m und 200n umfassen, die wenigstens manche Charakteristiken ähnlich jenen umfassen können, die zuvor in Verbindung mit dem Leistungshalbleitergehäuse 200 besprochen wurden. Dementsprechend kann unter Nutzung von zwei unterschiedlichen Typen von Leistungshalbleitergehäusen eine 3:1-Ladungspumpe 1700 auf eine modulare Weise implementiert werden.
  • 18 ist ein schematisches Blockdiagramm, das eine beispielhafte Leistungswandleranordnung 1800 veranschaulicht. Bei einer Implementierung kann die Leistungswandleranordnung 1800 eine Vierpegel-Buck-Wandler-Anordnung umfassen. Bei einer Implementierung kann der Vierpegel-Buck-Wandler 1800 ein Paar von Drei-Schaltgeräte-Leistungshalbleitergehäusen 1600b und 1600c beinhalten. Bei einer Implementierung können die Leistungshalbleitergehäuse 1600b und/oder 1600c wenigstens manche Charakteristiken ähnlichen jenen umfassen, die zuvor in Verbindung mit dem Drei-Schaltgeräte-Leistungshalbleitergehäuse 1600 besprochen wurden. Dementsprechend kann unter Nutzung eines Paars von Leistungshalbleitergehäusen ein Vierpegel-Buck-Wandler 1800 auf eine modulare Weise implementiert werden.
  • 19 stellt ein schematisches Blockdiagramm dar, das eine Ausführungsform 1900 eines beispielhaften Leistungshalbleitergehäuses veranschaulicht. Bei einer Implementierung kann das Leistungshalbleitergehäuse 1900 wenigstens manche Charakteristiken ähnlich jenen umfassen, die zuvor in Verbindung mit dem Leistungshalbleitergehäuse 200 aus 2 und/oder in Verbindung mit anderen hier besprochenen beispielhaften Leistungshalbleitergehäusen besprochen wurden. 19 stellt weitere Einzelheiten mit Bezug auf mögliche Schaltkreistypen dar, die in verschiedenen Implementierungen von Leistungshalbleitergehäusen enthalten sein können. Zum Beispiel kann ähnlich dem beispielhaften Leistungshalbleitergehäuse 200 das Leistungshalbleitergehäuse 1900 einen Leistungspfad beinhalten, der einen High-Side-Schalter (z. B. SW1) und einen Low-Side-Schalter (z. B. SW2) umfasst, die durch jeweilige Treiberschaltkreise (z. B. Treiber 1901 und 1902) angesteuert werden können. Außerdem kann, ähnlich dem beispielhaften Leistungshalbleitergehäuse 200, das beispielhafte Leistungshalbleitergehäuse 1900 eine Pegelumsetzungsschaltungsanordnung (z. B. Pegelumsetzer 1903) beinhalten. Das beispielhafte Leistungshalbleitergehäuse 1900 kann bei einer Implementierung auch eine Totzeitsteuerschaltungsanordnung 1904 und/oder eine Totzeitkalibrierungsschaltungsanordnung 1909 beinhalten. Ferner kann bei einer Implementierung ein beispielhaftes Leistungshalbleitergehäuse 1900 einen Eingabepuffer und/oder eine Treibersteuerlogik 1905 beinhalten. Ein Aktivierungssignal kann zum Beispiel an den Eingabepuffer und/oder die Treibersteuerlogik 1905 geliefert werden sowie zum Beispiel ein Pulsweitenmodulation(PWM)-Timingsignal.
  • Außerdem kann bei einer Ausführungsform das Leistungshalbleitergehäuse 1900 eine Vorspannungs- und Takterzeugungsschaltungsanordnung 1906 beinhalten und/oder kann zum Beispiel ferner eine Stromerfassungs- und/oder Nulldurchgangsdetektionsschaltungsanordnung 1907 beinhalten. Undervoltage-Lock-Out(UVLO - Unterspannungsabschaltung)-Schaltkreise, wie etwa Vin-UVLO 1912 und/oder AVDD-UVLO 1908, können bei einer Implementierung enthalten sein. Auch bei einer Implementierung kann das beispielhafte Leistungshalbleitergehäuse 1900 zum Beispiel eine Kurzschluss- und/oder Bootstrap-Unterspannung(BSTUV: Bootstrap Under Voltage)-Erfassungsschaltungsanordnung umfassen. Außerdem kann bei einer Implementierung zum Beispiel ein Synchrongleichrichterschaltkreis 1911 bereitgestellt werden.
  • Wie erwähnt, kann das beispielhafte Leistungshalbleitergehäuse 1900 separate Anschlüsse für das High-Side-Leistungsschaltgerät SW1 und das Low-Side-Leistungsschaltgerät SW2 beinhalten. Wie zuvor erwähnt, kann das Bereitstellen separater Anschlüsse für High-Side- und Low-Side-Schaltgeräte wenigstens teilweise die Verwendung von Leistungshalbleitergehäusen, wie etwa zum Beispiel des Leistungshalbleitergehäuses 1900, als Baublöcke für komplexere und/oder größere Schaltkreisanordnungen ermöglichen. Es sollte sich ferner verstehen, dass die bestimmte Anordnung und/oder Konfiguration des beispielhaften Leistungshalbleitergehäuses 1900 lediglich eine einzige mögliche Implementierung repräsentiert und ein breiter Bereich anderer Implementierungen möglich ist.
  • 20 stellt ein Blockdiagramm dar, das eine Ausführungsform 2000 eines beispielhaften Leistungshalbleitergehäuses einschließlich segmentierter Leistungsschaltgeräte veranschaulicht. Das beispielhafte Leistungshalbleitergehäuse 2000 kann bei einer Implementierung wenigstens manche Charakteristiken des beispielhaften Leistungshalbleitergehäuses 200 beinhalten. Für das in 20 dargestellte Beispiel können Leistungsschaltgeräte des beispielhaften Leistungshalbleitergehäuses 2000 auf einem integrierten Schaltkreis auf eine segmentierte Weise ausgelegt sein. Zum Beispiel kann ein High-Side-Schalter (z. B. HS-FET) 2010 in einige Segmente unterteilt sein, wobei einzelne Segmente durch jeweilige verteilte Ansteuerungsschaltkreise (z. B. HS-Drv) 2015 begleitet und/oder angesteuert werden. Bei einer Implementierung können einzelne Segmente des HS-FET 2010 eine Fläche von 4,05mm2 umfassen, obwohl der Schutzumfang des Gegenstands in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist. Außerdem kann zum Beispiel ein Low-Side-Schalter (z. B. LS-FET) 2020 in einige Segmente unterteilt sein, wobei einzelne Segmente durch jeweilige verteilte Ansteuerungsschaltkreise (z. B. LS-Drv) 2025 begleitet und/oder angesteuert werden. Bei einer Implementierung können einzelne Segmente des LS-FET 2020 eine Fläche von 6,23mm2 umfassen, obwohl wiederum der Schutzumfang des Gegenstands in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist.
  • Bei einer Implementierung kann das beispielhafte Leistungshalbleitergehäuse 2000 wenigstens manche dieser Typen einer Schaltungsanordnung (z. B. Schaltungsanordnung 2040), die zum Beispiel zuvor in Verbindung mit den beispielhaften Leistungshalbleitergehäusen 200 und/oder 1900 besprochen wurde, beinhalten. Bei einer Implementierung kann die Schaltungsanordnung 2040 zum Beispiel Pegelumsetzer, eine Totzeitsteuerung, einen Eingabepuffer, eine Unterspannungsabschaltschaltungsanordnung, eine Stromerfassungsschaltungsanordnung, eine Vorspannungsschaltungsanordnung, eine oder mehrere Steuerungen usw., um nur einige nichtbeschränkende Beispiele zu nennen, beinhalten. Bei einer Implementierung kann eine Segmentation von Leistungsschaltgeräten, wie etwa des HS-FET 2010 und/oder des LS-FET 2020, zum Beispiel zu einer reduzierten parasitären Kapazität und/oder einem reduzierten Widerstand führen.
  • Wie erwähnt, ist, obwohl bestimmte Beispiele für Leistungswandleranordnungen bereitgestellt sind, der Schutzumfang des Gegenstands nicht auf diese bestimmten Beispiele beschränkt. Gleichermaßen ist der Schutzumfang des Gegenstands nicht auf die besprochenen bestimmten Leistungshalbleitergehäuseimplementierungen beschränkt. Wie ebenfalls erwähnt, kann unter Nutzung von Leistungshalbleitergehäusen, wie etwa zum Beispiel 200, 700, 1600, 1900 und/oder 2000, zum Implementieren verschiedener Leistungswandleranordnungen, wie etwa zum Beispiel der Leistungswandler 300, 400, 800, 900, 1100, 1200, 1700 und/oder 1800, eine Reihe von Vorteilen und/oder Nutzen realisiert werden. Zum Beispiel können die im Wesentlichen modularen Ansätze, die in Verbindung mit bestimmten Implementierungen beschrieben sind, Größen-, Kosten- und/oder Leistungsfähigkeitsvorteile bereitstellen. Solche Implementierungen können relativ einfach bezüglich Größe und/oder Fähigkeiten für eine Vielzahl von Anwendungen mit unterschiedlichen Spannungs- und/oder Stromanforderungen skaliert werden. Ferner kann für manche Implementierungen die Leistungsfähigkeit (Effizienz) verbessert werden, können Kosten reduziert werden, kann die Größe reduziert werden, kann die Einfachheit der Herstellung verbessert werden usw. Implementierungen können auch Vorteile einer Anpassung ohne zusätzliche Zeit und Kosten zum Produzieren angepasster/maßgeschneiderter integrierter Schaltkreise bereitstellen. Zum Beispiel können Leistungshalbleitergehäuseimplementierungen kombiniert werden, um komplexe Schaltkreise ohne die Zeit und Kosten des Produzierens vollständig integrierter, angepasster integrierter Schaltkreise aufzubauen. Eine Systemgestaltung kann in den Bereichen von Timingsteuerung, Synchronisation usw. vereinfacht werden. Ferner kann ein Leistungsfähigkeitsvorteil auch realisiert werden (z. B. im Vergleich zu diskreten Ansätzen). Zum Beispiel können unter Verwendung eines modulareren Ansatzes, der unter Verwendung von Leistungshalbleitergehäusen, wie etwa jenen hier beschriebenen, ermöglicht wird, Reduktionen der parasitären Charakteristiken (z. B. Kapazität) zwischen Komponenten zum Beispiel höhere Schaltfrequenzen ermöglichen.
  • Wie erwähnt, können Leistungshalbleitergehäuse genutzt werden, um Leistungswandler zu implementieren, die in einem breiten Bereich elektronischer Gerätetypen genutzt werden können. 21 bis 23 stellen beispielhafte Typen elektronischer Geräte dar, die ein oder mehrere der Implementierungsbeispiele und/oder Ausführungsformen bezüglich Leistungshalbleitergehäusen und/oder Leistungswandleranordnungen, die hier beschrieben sind, einbinden können. Natürlich ist der Schutzumfang des beanspruchten Gegenstands nicht auf die hier bereitgestellten bestimmten Beispiele beschränkt.
  • 21 ist eine Veranschaulichung einer Ausführungsform 4200 eines beispielhaften bestimmten IoT-Geräts. Natürlich ist der Schutzumfang des beanspruchten Gegenstands nicht auf die bestimmten Konfigurationen und/oder Anordnungen von Komponenten beschränkt, die für hier erwähnte beispielhafte Geräte dargestellt und/oder beschrieben sind. Bei einer Ausführungsform kann ein IoT-Gerät, wie etwa 4200, einen oder mehrere Prozessoren 4210, umfassen und kann eine oder mehrere Kommunikationsschnittstellen, wie etwa die Kommunikationsschnittstelle 4220, umfassen. Bei einer Ausführungsform können eine oder mehrere Kommunikationsschnittstellen, wie etwa die Kommunikationsschnittstelle 4220, Drahtloskommunikationen zwischen einem elektronischen Gerät, wie etwa einem IoT-Typ-Gerät 4200, und einem oder mehreren anderen Rechengeräten ermöglichen. Bei einer Ausführungsform können Drahtloskommunikationen im Wesentlichen gemäß einem breiten Bereich von Kommunikationsprotokollen, wie etwa zum Beispiel jenen, die hier erwähnt sind, stattfinden.
  • Bei einer bestimmten Implementierung kann ein IoT-Typ-Gerät, wie etwa das IoT-Typ-Gerät 4200, einen Speicher, wie etwa den Speicher 4230, beinhalten. Bei einer bestimmten Implementierung kann der Speicher 4230 zum Beispiel einen nichtflüchtigen Speicher umfassen. Ferner kann bei einer bestimmten Implementierung ein Speicher, wie etwa der Speicher 4230, darin gespeicherte ausführbare Anweisungen aufweisen, wie etwa für zum Beispiel ein oder mehrere Betriebssysteme, Kommunikationsprotokolle und/oder Anwendungen. Ein Speicher, wie etwa 4230, kann ferner bestimmte Anweisungen, wie etwa Software- und/oder Firmwarecode 4232, speichern, die über ein oder mehrere Implementierungsbeispiele und/oder Ausführungsformen, die hier beschrieben sind, aktualisiert werden können. Ferner kann bei einer bestimmten Implementierung ein IoT-Typ-Gerät, wie etwa das IoT-Typ-Gerät 4200, eine Anzeige, wie etwa die Anzeige 4240, und/oder einen oder mehrere Sensoren, wie etwa einen oder mehrere Sensoren 4250, umfassen. Wie hier benutzt, verweisen „Sensoren“ und/oder dergleichen auf ein Gerät und/oder eine Komponente, die auf einen physikalischen Stimulus, wie etwa zum Beispiel Wärme, Licht, Schalldruck, Magnetismus, bestimmte Bewegungen usw. reagieren kann und/oder die ein oder mehrere Signale und/oder Zustände als Reaktion auf einen physikalischen Stimulus erzeugen kann. Beispielhafte Sensoren können unter anderem ein(e/en) oder mehrere Beschleunigungsmesser, Gyroskope, Thermometer, Magnetometer, Barometer, Lichtsensoren, Annäherungssensoren, Herzfrequenzmessgeräte, Transpirationssensoren, Hydratationssensoren, Atemsensoren, Kameras, Mikrofone usw. und/oder eine beliebige Kombination davon beinhalten.
  • Bei bestimmten Implementierungen kann das IoT-Typ-Gerät 4200 einen oder mehrere Timer und/oder Zähler und/oder ähnliche Schaltkreise, wie etwa zum Beispiel die Schaltungsanordnung 4260, beinhalten. Bei einer Ausführungsform können ein oder mehrere Timer und/oder Zähler und/oder dergleichen einen oder mehrere Aspekte einer Geräteleistungsfähigkeit und/oder -operation verfolgen.
  • Außerdem kann das IoT-Typ-Gerät 4200 einen oder mehrere Leistungswandler 4270 beinhalten. Bei bestimmten Implementierungen kann der Leistungswandler 4270 ein oder mehrere hier beschriebene Implementierungsbeispiele umfassen. Bei einer bestimmten Implementierung können die Leistungswandlerschaltkreise 4270 Leistung für eine(n) oder mehrere Schaltkreise, Sensoren, Prozessoren, Speichergeräte, Anzeigegeräte, Kommunikationsschnittstellen usw. des IoT-Typ-Geräts 4200 bereitstellen.
  • Obwohl 21 ein bestimmtes Implementierungsbeispiel eines IoT-Typ-Geräts, wie etwa des IoT-Typ-Geräts 4200 darstellt, können andere Ausführungsformen zum Beispiel andere Typen elektronischer Geräte und/oder Rechengeräte, die Mikroprozessoren einbinden, und/oder Server in Datenzentren beinhalten. Beispielhafte Typen von elektronischen Geräten und/oder Rechengeräten können zum Beispiel beliebige eines breiten Bereichs digitaler elektronischer Geräte beinhalten, einschließlich unter anderem Desktop- und/oder Notebook-Computer, High-Definition-Fernseher, digitaler Videowiedergabegeräte und/oder -aufzeichnungsgeräte, Spielekonsolen, Satellitenfernsehempfänger, Mobiltelefone, Tablet-Geräte, Wearable-Geräte, persönlicher digitaler Assistenten, mobiler Audio- und/oder Videowiedergabe- und/oder -aufzeichnungsgeräte oder einer beliebigen Kombination des Vorhergehenden.
  • Bei bestimmten Implementierungen können die Leistungswandler 4270 zum Beispiel wenigstens manche Aspekte der beispielhaften Leistungswandlerschaltkreisimplementierungen und/oder Leistungshalbleitergehäuseimplementierungen, die hier beschrieben sind, beinhalten. Nachfolgend wird eine Zahl möglicher Implementierungen für (einen) Leistungswandler 4270 beschrieben, obwohl der Schutzumfang des Gegenstands nicht in dieser Hinsicht beschränkt ist.
  • Bei manchen Ausführungsformen können die Leistungswandler 4270 ein oder mehrere Leistungshalbleitergehäuse beinhalten. Zum Beispiel kann ein Leistungshalbleitergehäuse bei einer Implementierung Folgendes umfassen: einen Leistungstransferpfad, der einen High-Side-Schalter und einen Low-Side-Schalter beinhaltet, einen ersten Anschluss, der mit einem ersten Knoten des High-Side-Schalters gekoppelt ist, einen zweiten Anschluss, der mit einem zweiten Knoten des Low-Side-Schalters gekoppelt ist, einen High-Side-Schalter-Anschluss, der mit einem zweiten Knoten des High-Side-Schalters gekoppelt ist, und einen Low-Side-Schalter-Anschluss, der mit einem ersten Knoten des Low-Side-Schalters gekoppelt ist, wobei der High-Side-Schalter-Anschluss und der Low-Side-Schalter-Anschluss separate Anschlüsse umfassen. Bei einer Implementierung kann ein Leistungshalbleitergehäuse ferner einen High-Side-Treiber umfassen, der mit einem Steueranschluss des High-Side-Schalters gekoppelt ist, und kann einen Low-Side-Treiber umfassen, der mit einem Steueranschluss des Low-Side-Schalters gekoppelt ist. Ferner kann ein Leistungshalbleitergehäuse bei einer Implementierung ferner Folgendes umfassen: einen ersten Boot-Versorgungsanschluss, der mit dem High-Side-Treiber gekoppelt ist, und einen zweiten Boot-Versorgungsanschluss, der mit dem Low-Side-Treiber gekoppelt ist, wobei der erste Boot-Versorgungsanschluss separat von dem zweiten Boot-Versorgungsanschluss ist.
  • Bei einer Implementierung kann ein Leistungshalbleitergehäuse ferner Folgendes beinhalten: eine Steuerung, die mit dem High-Side-Treiber gekoppelt ist und ferner mit dem Low-Side-Treiber gekoppelt ist, um wenigstens ein High-Side-Treiber-Steuersignal und ein Low-Side-Treiber-Steuersignal zu erzeugen, um eine Operation des High-Side- und Low-Side-Schalters zu beeinflussen. Bei einer Implementierung kann ein Leistungshalbleitergehäuse auch Folgendes beinhalten: einen ersten Pegelumsetzer, der zwischen der Steuerung und dem High-Side-Treiber gekoppelt ist, und einen zweiten Pegelumsetzer, der zwischen der Steuerung und dem Low-Side-Treiber gekoppelt ist. Ferner kann ein Leistungshalbleitergehäuse bei einer Implementierung ferner Folgendes umfassen: einen Timingsignaleingabeanschluss, der mit der Steuerung gekoppelt ist. Bei einer Implementierung kann ein Leistungshalbleitergehäuse ferner einen Steuersignalausgabeanschluss umfassen, wobei die Steuerung zum Erzeugen eines oder mehrerer Steuersignale ausgelegt ist, die an ein oder mehrere externe Leistungshalbleitergehäuse geliefert werden sollen.
  • Bei einer Implementierung kann ein Leistungshalbleitergehäuse ferner Folgendes beinhalten: einen ersten Halbleiter-Die, wobei der High-Side-Treiber, der Low-Side-Treiber, der erste Pegelumsetzer, der zweite Pegelumsetzer oder die Steuerung oder eine Kombination daraus auf dem ersten Halbleiter-Die gebildet ist. Bei einer Implementierung kann der High-Side-Schalter oder der Low-Side-Schalter oder eine Kombination daraus wenigstens ein zweites Halbleitergerät umfassen, das separat von dem ersten Halbleiter-Die ist. Außerdem kann bei einer Implementierung der erste Halbleiter-Die im Wesentlichen aus einem anderen Material gebildet sein und/oder kann über einen im Wesentlichen unterschiedlichen Prozess als wenigstens der zweite Halbleiter gebildet werden.
  • Außerdem können bei einer Implementierung ein oder mehrere Leistungshalbleitergehäuse in einem Schaltkondensatorladungspumpenschaltkreis enthalten sein. Ferner können bei einer Implementierung ein High-Side-Schalter und ein Low-Side-Schalter auf eine gestapelte Weise innerhalb eines Verkapselungsmaterials angeordnet sein. Bei anderen Implementierungen können ein High-Side-Schalter und ein Low-Side-Schalter auf eine horizontale Weise innerhalb eines Verkapselungsmaterials angeordnet sein.
  • Außerdem kann ein Leistungshalbleitergehäuse bei einer Implementierung ferner einen Leiterrahmen umfassen, der Folgendes beinhaltet: erste mehrere elektrisch leitfähige Elemente, die über erste mehrere elektrisch leitfähige Säulen und/oder Lötkugeln elektrisch mit dem ersten Schalteranschluss gekoppelt sind; und zweite mehrere elektrisch leitfähige Elemente, die über zweite mehrere elektrisch leitfähige Säulen und/oder Lötkugeln elektrisch mit dem zweiten Schalteranschluss gekoppelt sind. Bei einer Implementierung können die ersten mehreren elektrisch leitfähigen Elemente und/oder die zweiten mehreren elektrisch leitfähigen Elemente Kupferschienen umfassen.
  • Ferner kann bei einer Implementierung ein High-Side-Schalter auf einem ersten Halbleiter-Die gefertigt werden und kann ein Low-Side-Schalter auf einem zweiten Halbleiter-Die gefertigt werden. Außerdem kann bei einer Implementierung ein Leistungshalbleitergerät ferner eine Treiberschaltungsanordnung umfassen, die auf einem dritten Halbleiter-Die gefertigt ist. Bei einer Implementierung können der erste Halbleiter-Die und der zweite Halbleiter-Die auf eine gestapelte Weise angeordnet sein, wobei die Treiberschaltungsanordnung über Bonddrähte mit dem High-Side-Schalter und dem Low-Side-Schalter gekoppelt sein kann. Bei einer anderen Implementierung können der erste Halbleiter-Die und der zweite Halbleiter-Die auf eine horizontale Weise angeordnet sein kann die Treiberschaltungsanordnung über Bonddrähte mit dem High-Side-Schalter und dem Low-Side-Schalter gekoppelt sein.
  • Bei anderen Ausführungsformen können Leistungswandler, wie etwa zum Beispiel die Leistungswandler 4270, einen Mehrpegelleistungswandler umfassen, der mehrere Leistungshalbleitergehäuse beinhaltet, wobei die mehreren Leistungshalbleitergehäuse einzeln Folgendes umfassen können: einen Leistungstransferpfad, der wenigstens einen High-Side-Schalter und einen Low-Side-Schalter umfasst, einen ersten Anschluss, der mit einem ersten Knoten des High-Side-Schalters gekoppelt ist, einen zweiten Anschluss, der mit einem zweiten Knoten des Low-Side-Schalters gekoppelt ist, einen High-Side-Schalter-Anschluss, der mit einem zweiten Knoten des High-Side-Schalters gekoppelt ist, und einen Low-Side-Schalter-Anschluss, der mit einem ersten Knoten des Low-Side-Schalters gekoppelt ist, wobei der High-Side-Schalter-Anschluss und der Low-Side-Schalter-Anschluss separate Anschlüsse umfassen.
  • Bei einer Implementierung können die mehreren Leistungshalbleitergehäuse einzeln ferner Folgendes umfassen: einen High-Side-Treiber, der mit einem Steueranschluss des High-Side-Schalters gekoppelt ist, und einen Low-Side-Treiber, der mit einem Steueranschluss des Low-Side-Schalters gekoppelt ist. Außerdem können bei einer Implementierung die mehreren Leistungshalbleitergehäuse einzeln ferner Folgendes umfassen: einen ersten Boot-Versorgungsanschluss, der mit dem High-Side-Treiber gekoppelt ist, und einen zweiten Boot-Versorgungsanschluss, der mit dem Low-Side-Treiber gekoppelt ist, wobei der erste Boot-Versorgungsanschluss separat von dem zweiten Boot-Versorgungsanschluss ist. Bei einer Implementierung kann der Mehrpegelleistungswandler ferner Folgendes umfassen: wenigstens einen ersten Boot-Kondensator, der zwischen dem High-Side-Schalter-Anschluss und dem ersten Boot-Versorgungsanschluss für ein jeweiliges wenigstens erstes der mehreren Leistungshalbleitergehäuse gekoppelt ist, und wenigstens einen zweiten Boot-Kondensator, der zwischen dem zweiten Anschluss, der mit dem zweiten Knoten des Low-Side-Schalters gekoppelt ist, und einem zweiten Boot-Versorgungsanschluss für das jeweilige wenigstens erste der mehreren Leistungshalbleitergehäuse gekoppelt ist.
  • Bei einer Implementierung kann wenigstens eines der mehreren Leistungshalbleitergehäuse eine Steuerung zum Beeinflussen eines Betriebs der jeweiligen High-Side-Schalter und Low-Side-Schalter der mehreren Leistungshalbleitergehäuse beinhalten. Außerdem kann bei einer Implementierung eine Steuerung eines ersten der mehreren Leistungshalbleitergehäuse wenigstens ein Steuersignal an wenigstens ein anderes der mehreren Leistungshalbleitergehäuse liefern.
  • Bei einer zusätzlichen Implementierung kann ein Mehrpegelleistungswandler eine Mehrpegel-Buck-Anordnung umfassen. Zum Beispiel kann bei einer Implementierung der erste Anschluss, der mit dem ersten Knoten des High-Side-Schalters für ein erstes der mehreren Leistungshalbleitergehäuse gekoppelt ist, einen Knoten mit höherer Spannung für die Mehrpegel-Buck-Anordnung umfassen. Ferner kann bei einer Implementierung für eines oder mehrere der mehreren Leistungshalbleitergehäuse der High-Side-Schalter-Anschluss und der Low-Side-Schalter-Anschluss elektrisch mit einem Knoten mit niedrigerer Spannung für die Mehrpegel-Buck-Anordnung verbunden sein.
  • Bei bestimmten Implementierungen können die Leistungswandler 4270 zum Beispiel wenigstens manche Aspekte der beispielhaften Leistungshalbleitergehäuseimplementierungen, die hier beschrieben sind, beinhalten. Bei manchen Ausführungsformen können Leistungswandler, wie etwa die Leistungswandler 4270, einen Reihenkondensatorwandler umfassen, der mehrere Leistungshalbleitergehäuse beinhaltet, wobei die mehreren Leistungshalbleitergehäuse einzeln Folgendes umfassen können: einen Leistungstransferpfad, der wenigstens einen High-Side-Schalter und einen Low-Side-Schalter umfasst, einen ersten Anschluss, der mit einem ersten Knoten des High-Side-Schalters gekoppelt ist, einen zweiten Anschluss, der mit einem zweiten Knoten des Low-Side-Schalters gekoppelt ist, einen High-Side-Schalter-Anschluss, der mit einem zweiten Knoten des High-Side-Schalters gekoppelt ist, und einen Low-Side-Schalter-Anschluss, der mit einem ersten Knoten des Low-Side-Schalters gekoppelt ist, wobei der High-Side-Schalter-Anschluss und der Low-Side-Schalter-Anschluss separate Anschlüsse umfassen.
  • Bei einer Implementierung können die mehreren Leistungshalbleitergehäuse einzeln ferner Folgendes umfassen: einen High-Side-Treiber, der mit einem Steueranschluss des High-Side-Schalters gekoppelt ist, und einen Low-Side-Treiber, der mit einem Steueranschluss des Low-Side-Schalters gekoppelt ist. Ferner können bei einer Implementierung die mehreren Leistungshalbleitergehäuse einzeln ferner Folgendes umfassen: einen ersten Boot-Versorgungsanschluss, der mit dem High-Side-Treiber gekoppelt ist, und einen zweiten Boot-Versorgungsanschluss, der mit dem Low-Side-Treiber gekoppelt ist, wobei der erste Boot-Versorgungsanschluss separat von dem zweiten Boot-Versorgungsanschluss sein kann. Außerdem kann ein Reihenkondensatorwandler bei einer Implementierung ferner Folgendes umfassen: wenigstens einen ersten Boot-Kondensator, der zwischen dem High-Side-Schalter-Anschluss und dem ersten Boot-Versorgungsanschluss für ein jeweiliges wenigstens erstes der mehreren Leistungshalbleitergehäuse gekoppelt ist, und wenigstens einen zweiten Kondensator, der zwischen dem High-Side-Schalter-Anschluss und dem Low-Side-Schalter-Anschluss für das jeweilige wenigstens erste der mehreren Leistungshalbleitergehäuse gekoppelt ist.
  • Bei einer Implementierung kann wenigstens eines der mehreren Leistungshalbleitergehäuse eine Steuerung zum Beeinflussen eines Betriebs der jeweiligen High-Side-Schalter und Low-Side-Schalter der mehreren Leistungshalbleitergehäuse beinhalten. Außerdem kann bei einer Implementierung eine Steuerung eines ersten der mehreren Leistungshalbleitergehäuse wenigstens ein Steuersignal an wenigstens ein anderes der mehreren Leistungshalbleitergehäuse liefern.
  • Bei einer Implementierung kann ein Reihenkondensatorwandler eine Mehrphasenreihenkondensator-Buck-Anordnung umfassen. Zum Beispiel kann eine Mehrphasenreihenkondensator-Buck-Anordnung bei einer Implementierung ferner Folgendes umfassen: mehrere Induktivitäten, wobei wenigstens eine Induktivität der mehreren Induktivitäten zwischen den jeweiligen Low-Side-Schalter-Anschlüssen der mehreren Leistungshalbleitergehäuse und einem Knoten mit niedrigerer Spannung gekoppelt sein kann. Ferner kann bei einer Implementierung der erste Anschluss, der mit dem ersten Knoten des High-Side-Schalters für ein erstes der mehreren Leistungshalbleitergehäuse gekoppelt ist, einen Knoten mit höherer Spannung für die Mehrphasenreihenkondensator-Buck-Anordnung umfassen. Bei einer Implementierung kann der erste Anschluss, der mit dem ersten Knoten des High-Side-Schalters für ein zweites der mehreren Leistungshalbleitergehäuse gekoppelt ist, elektrisch mit dem High-Side-Schalter-Anschluss eines ersten der mehreren Leistungshalbleitergehäuse gekoppelt sein. Ferner können bei einer Implementierung die zweiten Anschlüsse, die mit den zweiten Knoten der Low-Side-Schalter für die jeweiligen mehreren Leistungshalbleitergehäuse gekoppelt sind, elektrisch mit einer Referenzspannungsquelle gekoppelt sein.
  • Ausführungsformen der Leistungswandler 4270 können zum Beispiel erste mehrere Leistungshalbleitergehäuse, die über einen oder mehrere Zwischenspannungsknoten zwischen einem Knoten mit höherer Spannung und einem Knoten mit niedrigerer Spannung im Wesentlichen in Reihe gekoppelt sind, und zweite mehrere Leistungshalbleitergehäuse umfassen, die im Wesentlichen parallel zwischen dem Knoten mit niedrigerer Spannung und einem Referenzspannungsknoten gekoppelt sind. Bei einer Implementierung können die zweiten mehreren Leistungshalbleitergehäuse einzeln einen Leistungstransferpfad einschließlich eines High-Side-Schalters und eines Low-Side-Schalters beinhalten, wobei ein erster Knoten des High-Side-Schalters mit dem Knoten mit niedrigerer Spannung gekoppelt sein kann und wobei ein zweiter Knoten des Low-Side-Schalters mit dem Referenzspannungsknoten gekoppelt sein kann. Ein High-Side-Schalter-Anschluss kann mit einem zweiten Knoten des High-Side-Schalters gekoppelt sein und ein Low-Side-Schalter-Anschluss kann mit einem ersten Knoten des Low-Side-Schalters gekoppelt sein, wobei der High-Side-Schalter-Anschluss und/oder der Low-Side-Schalter-Anschluss zum Beispiel elektrisch mit wenigstens einem des einen oder der mehreren Zwischenspannungsknoten gekoppelt sein können.
  • Bei bestimmten Ausführungsformen kann ein Leistungswandler, wie etwa zum Beispiel ein oder mehrere Leistungswandler 4270, mehrere Leistungshalbleitergehäuse einschließlich eines oder mehrerer erster Leistungshalbleitergehäuse und eines oder mehrerer zweiter Leistungshalbleitergehäuse beinhalten. Bei einer Implementierung können ein oder mehrere erste Leistungshalbleitergehäuse im Wesentlichen aus einem unterschiedlichen Material gebildet sein und/oder können über im Wesentlichen unterschiedliche Prozesse als das eine oder die mehreren zweiten Halbleitergehäuse gebildet werden. Ferner können ein oder mehrere erste Leistungshalbleitergehäuse einzeln einen Leistungstransferpfad umfassen, der zum Beispiel wenigstens einen High-Side-Schalter und einen Low-Side-Schalter umfasst. Außerdem können bei einer Implementierung ein oder mehrere erste Leistungshalbleitergehäuse einen oder mehrere siliciumbasierte integrierte Schaltkreise beinhalten und können ein oder mehrere zweite Leistungshalbleitergehäuse einen oder mehrere integrierte Schaltkreise, die im Wesentlichen aus Galliumarsenid oder Galliumnitrid oder einer Kombination davon gebildet sind, beinhalten. Ferner können bei einer Implementierung ein oder mehrere erste Leistungshalbleitergehäuse einen oder mehrere integrierten Schaltkreise beinhalten, die erste mehrere Metallschichten umfassen, und das eine oder die mehreren zweiten Leistungshalbleitergehäuse können einen oder mehrere integrierte Schaltkreise beinhalten, die zweite mehrere Metallschichten umfassen, wobei die ersten mehreren Metallschichten zum Beispiel die zweiten mehreren Metallschichten überschreiten.
  • Bei anderen Ausführungsformen kann ein Leistungswandler, wie etwa zum Beispiel ein oder mehrere Leistungswandler 4270, mehrere Leistungshalbleitergehäuse umfassen, wobei die mehreren Leistungshalbleitergehäuse einzeln einen Leistungstransferpfad umfassen, der wenigstens einen High-Side-Schalter und einen Low-Side-Schalter umfasst, und wobei wenigstens eines der mehreren Leistungshalbleitergehäuse wenigstens eine Steuerung zum Beeinflussen einer Operation der jeweiligen High-Side-Schalter und Low-Side-Schalter der mehreren Leistungshalbleitergehäuse umfasst. Bei einer Implementierung kann eine Steuerung eines ersten der mehreren Leistungshalbleitergehäuse wenigstens ein Steuersignal an wenigstens ein anderes der mehreren Leistungshalbleitergehäuse liefern. Ferner kann bei einer Implementierung die wenigstens eine Steuerung mehrere Betriebsmodi implementieren. Zum Beispiel können die mehreren Betriebsmodi einen Normalmodus, einen Startmodus, einen Abschaltmodus oder einen Ruhemodus oder eine beliebige Kombination daraus beinhalten. Bei einer Implementierung kann die wenigstens eine Steuerung des wenigstens einen der mehreren Leistungshalbleitergehäuse einen Abschaltmodus für wenigstens ein anderes der mehreren Leistungshalbleitergehäuse wenigstens teilweise als Reaktion auf eine Fehlerdetektion oder eine Temperaturereignisdetektion oder eine Kombination daraus signalisieren. Bei einer zusätzlichen Implementierung kann die wenigstens eine Steuerung des wenigstens einen der mehreren Leistungshalbleitergehäuse einen Startmodus für wenigstens ein anderes der mehreren Leistungshalbleitergehäuse wenigstens teilweise zum Vorladen eines oder mehrerer Kondensatoren der mehreren Leistungshalbleitergehäuse signalisieren. Ferner kann bei einer Implementierung die wenigstens eine Steuerung des wenigstens einen der mehreren Leistungshalbleitergehäuse einen Ruhebetriebsmodus für wenigstens ein anderes der mehreren Leistungshalbleitergehäuse wenigstens teilweise zum Beibehalten einer spezifizierten Ladung in einem oder mehreren Kondensatoren der mehreren Leistungshalbleitergehäuse signalisieren.
  • Weitere Ausführungsformen können ein Gehäuse einschließlich mehrerer Anschlüsse umfassen, die mit einem oder mehreren integrierten Schaltkreisen verbunden sind, die innerhalb des Gehäuses positioniert sind, wobei der eine oder die mehreren integrierten Schaltkreise einen Leistungstransferpfad umfassen, der einen High-Side-Schalter und einen Low-Side-Schalter beinhaltet, und wobei die mehreren Anschlüsse zum Beispiel einen oder mehrere erste Anschlüsse, die mit einem ersten Knoten des High-Side-Schalters gekoppelt sind, einen oder mehrere zweite Anschlüsse, die mit einem zweiten Knoten des Low-Side-Schalters gekoppelt sind, einen oder mehrere High-Side-Schalter-Anschlüsse, die mit einem zweiten Knoten des High-Side-Schalters gekoppelt sind, und einen oder mehrere Low-Side-Schalter-Anschlüsse, die mit einem ersten Knoten des Low-Side-Schalters gekoppelt sind, umfassen. Bei einer Implementierung kann ein Gehäuse eine Kugelgitteranordnung umfassen, wobei die mehreren Anschlüsse mehrere elektrisch leitfähige Pads umfassen können. Außerdem umfassen bei einer Implementierung ein oder mehrere erste Anschlüsse, die mit dem ersten Knoten des High-Side-Schalters gekoppelt sind, mehrere Zeilen erster Anschlüsse, und wobei der eine oder die mehrere zweiten Anschlüsse, die mit dem zweiten Knoten des Low-Side-Schalters gekoppelt sind, mehrere Zeilen zweiter Anschlüsse umfassen, wobei die mehreren Zeilen der ersten Anschlüsse einzeln mehrere erste Anschlüsse umfassen, und wobei die mehreren Zeilen der zweiten Anschlüsse einzeln mehrere zweite Anschlüsse umfassen. Bei einer Implementierung können der eine oder die mehreren High-Side-Schalter-Anschlüsse mehrere Zeilen von High-Side-Schalter-Anschlüssen umfassen und können der eine oder die mehreren Low-Side-Schalter-Anschlüsse mehrere Zeilen von Low-Side-Schalter-Anschlüssen umfassen. Ferner können bei einer Implementierung die mehreren Zeilen der High-Side-Schalter-Anschlüsse einzeln mehrere High-Side-Schalter-Anschlüsse umfassen und können die mehreren Zeilen von Low-Side-Schalter-Anschlüssen einzeln mehrere Low-Side-Schalter-Anschlüsse umfassen.
  • Bei anderen Ausführungsformen kann ein Leistungswandler, wie etwa zum Beispiel ein oder mehrere Leistungswandler 4270, einen Ladungspumpenschaltkreis umfassen, der ein oder mehrere Leistungshalbleitergehäuse beinhaltet, wobei das eine oder die mehreren Leistungshalbleitergehäuse jeweils Folgendes umfassen können: einen Leistungstransferpfad einschließlich wenigstens eines ersten, zweiten und dritten Leistungsschaltgeräts; einen Anschluss mit höherer Spannung, der mit einem ersten Knoten des ersten Leistungsschaltgeräts gekoppelt ist; einen Anschluss mit niedriger Spannung, der mit einem zweiten Knoten des dritten Leistungsschaltgeräts gekoppelt ist; einen ersten Schalteranschluss, der mit einem zweiten Knoten des ersten Leistungsschaltgeräts und einem ersten Knoten des zweiten Leistungsschaltgeräts gekoppelt ist; und einen zweiten Schalteranschluss, der mit einem zweiten Knoten des zweiten Leistungsschaltgeräts und einem ersten Knoten des dritten gekoppelt ist. Bei einer Implementierung kann der Ladungspumpenschaltkreis ferner eine oder mehrere zusätzliche Leistungshalbleitergeräte beinhalten, die jeweils Leistungstransferpfade mit wenigstens zwei Leistungsschaltgeräte umfassen. Bei einer Implementierung kann das eine oder die mehreren Leistungshalbleitergehäuse wenigstens zwei Leistungshalbleitergehäuse umfassen, die jeweils wenigstens das erste, zweite und dritte Leistungsschaltgerät umfassen. Ferner sind bei einer Implementierung wenigstens das erste, zweite und dritte Leistungsschaltgerät auf eine gestapelte Weise innerhalb eines Verkapselungsmaterials angeordnet. Bei einer anderen Implementierung sind wenigstens das erste, zweite und dritte Leistungsschaltgerät auf eine nebeneinanderliegende oder horizontale Weise innerhalb eines Verkapselungsmaterials angeordnet.
  • Bei einer anderen Ausführungsformen kann ein Leistungswandler, wie etwa zum Beispiel ein oder mehrere Leistungswandler 4270, einen Ladungspumpenschaltkreis umfassen, der mehrere Leistungshalbleitergehäuse einschließlich eines oder mehrerer Einzelschalterleistungshalbleitergehäuse beinhaltet und ferner ein oder mehrere Mehrschalterleistungshalbleitergehäuse beinhaltet. Bei einer Implementierung kann die Ladungspumpe vier Einzelschalterleistungshalbleitergeräte und zwei Zwei-Schalter-Leistungshalbleitergeräte beinhalten. Außerdem kann bei einer Implementierung der Ladungspumpenschaltkreis einen Schaltkondensatorladungspumpenschaltkreis umfassen.
  • Ferner kann eine Ausführungsform eines Leistungswandlers, wie etwa zum Beispiel eines oder mehrerer Leistungswandler 4270, mehrere Leistungshalbleitergehäuse beinhalten, wobei die mehreren Leistungshalbleitergehäuse einzeln Leistungstransferpfade einschließlich wenigstens eines Leistungsschaltgeräts umfassen, und kann auch eine Steuerung beinhalten, die sich außerhalb der mehreren Leistungshalbleitergeräte befindet, um eine Operation der mehreren Leistungshalbleitergehäuse zu beeinflussen.
  • 22 ist ein schematisches Diagramm, das Merkmale veranschaulicht, die mit einer Implementierung einer beispielhaften Betriebsumgebung 4300 assoziiert sind, die zum Ermöglichen und/oder Unterstützen einer oder mehrerer Operationen und/oder Techniken für Infrastruktur zum Aktualisieren und/oder Verwalten von IoT-Typ-Geräten in der Lage ist, die hier allgemein bei 4302 veranschaulicht sind. Wie angegeben wurde, ist das IoT typischerweise ein System von miteinander verbundenen und/oder miteinander vernetzten physischen Geräten, in denen eine Berechnung in Hardware eingebettet sein kann, so dass Fähigkeiten von Geräten zum Erfassen, Sammeln und/oder Kommunizieren von Inhalt über ein oder mehrere Kommunikationsnetzwerke von Zeit zu Zeit ohne menschliche Beteiligung und/oder Interaktion ermöglicht und/oder unterstützt werden. Wie erwähnt, können IoT-Typ-Geräte eine breite Vielfalt von stationären und/oder mobilen Geräten beinhalten, wie etwa zum Beispiel Automobilsensoren, Biochiptransponder, Herzfrequenzüberwachungsimplantate, Küchengeräte, Schlösser oder ähnliche Verschlussgeräte, Solarpanelarrays, Heim-Gateways, intelligente Messgeräte, Smartphones, Mobiltelefone, Sicherheitskameras, Wearable-Geräte, Thermostate, Globales-Positionierungssystem(GPS)-Sendeempfänger, persönliche digitale Assistenten (PDAs), virtuelle Assistenten, Laptop-Computer, persönliche Unterhaltungssysteme, Tablet-PCs, PCs, persönliche Audio- und/oder Videogeräte, persönliche Navigationsgeräte und/oder dergleichen.
  • Es versteht sich, dass die Betriebsumgebung 4300 hier als ein nichtbeschränkendes Beispiel beschrieben ist, das vollständig oder teilweise im Kontext verschiedener drahtgebundener und/oder drahtloser Kommunikationsnetzwerke und/oder eines beliebigen geeigneten Teils und/oder einer Kombination solcher Netzwerke implementiert werden kann. Dementsprechend können für eine bestimmte Implementierung eine oder mehrere Operationen und/oder Techniken zum Aktualisieren und/oder Verwalten von IoT-Typ-Geräten wenigstens teilweise in einer Innenumgebung und/oder einer Außenumgebung oder einer beliebigen Kombination davon durchgeführt werden können.
  • Dementsprechend können, wie veranschaulicht, bei einer bestimmten Implementierung ein oder mehrere IoT-Typ-Geräte 4302 zum Beispiel Satellitenpositionierungssystem(SPS)-Signale 4304 von SPS-Satelliten 4306 empfangen und/oder erlangen. In manchen Fällen können SPS-Satelliten 4306 von einem einzigen globalen Navigationssatellitensystem (GNSS), wie etwa zum Beispiel dem GPS- oder Galileo-Satellitensystem, stammen. In anderen Fällen können SPS-Satelliten 4306 von mehreren GNSS, wie etwa zum Beispiel unter anderem GPS-, Galileo-, Glonass- oder Beidou(Compass)-Satellitensystemen, stammen. Bei gewissen Implementierungen können die SPS-Satelliten 4306 von einem beliebigen einiger regionaler Navigationssatellitensysteme (RNSS), wie etwa zum Beispiel WAAS, EGNOS, QZSS, um nur einige Beispiele zu nennen, stammen.
  • Gelegentlich können ein oder mehrere IoT-Typ-Geräte 4302 zum Beispiel Drahtlossignale zu einem geeigneten Drahtloskommunikationsnetzwerk übertragen und/oder von diesem empfangen. Bei einem Beispiel können ein oder mehrere IoT-Typ-Geräte 4302 mit einem zellularen Kommunikationsnetzwerk kommunizieren, wie etwa durch Übertragen von Drahtlossignalen an und/oder Empfangen von Drahtlossignalen von einem oder mehreren Drahtlossendern, die zum Übertragen und/oder Empfangen von Drahtlossignalen in der Lage sind, wie etwa einem Basisstationsendeempfänger 4308, zum Beispiel über einen Drahtloskommunikation-Link 4310. Gleichermaßen können ein oder mehrere IoT-Typ-Geräte 4302 Drahtlossignale über zum Beispiel einen Drahtloskommunikation-Link 4314 an einen lokalen Sendeempfänger 4312 übertragen und/oder Drahtlossignale von diesem empfangen. Der Basisstationsendeempfänger 4308, der lokale Sendeempfänger 4312 usw. können zum Beispiel einen gleichen oder ähnlichen Typ haben und/oder können in Abhängigkeit von einer Implementierung unterschiedliche Typen von Geräten, wie etwa Zugriffspunkte, Funk-Beacons, zellulare Basisstationen, Femtozellen, ein Zugriffssendempfängergerät oder dergleichen, repräsentieren. Gleichermaßen kann der lokale Sendeempfänger 4312 zum Beispiel einen Drahtlossendeempfänger und/oder Empfänger umfassen, der zum Übertragen und/oder Empfangen von Drahtlossignalen in der Lage ist. Zum Beispiel kann der Drahtlossendeempfänger 4312 manchmal zum Übertragen und/oder Empfangen von Drahtlossignalen an/von einem oder mehreren anderen terrestrischen Sendern und/oder Empfängern in der Lage sein.
  • Bei einer bestimmten Implementierung kann der lokale Sendeempfänger 4312 zum Beispiel zum Kommunizieren mit einem oder mehreren IoT-Typ-Geräten 4302 mit einer kürzeren Reichweite über den Drahtloskommunikation-Link 4314 als mit einer Reichweite in der Lage sein, die mittels des Basisstationsendeempfängers 4308 über einen Drahtloskommunikation-Link 4310 hergestellt wird. Zum Beispiel kann der lokale Sendeempfänger 4312 in einer Innenumgebung oder ähnlichen Umgebung positioniert sein und/oder kann einen Zugriff auf ein Wireless-Local-Area-Network (WLAN, z. B. IEEE-Std.-802.11-Netzwerk) und/oder ein Wireless Personal Area Network (WPAN, z. B. Bluetooth®-Netzwerke usw.) bereitstellen. Bei einer anderen Implementierung kann der lokale Sendeempfänger 4312 eine Femtozelle und/oder eine Pikozelle umfassen, die zum Ermöglichen eine Kommunikation über den Link 4314 gemäß einem anwendbaren zellularen oder ähnlichen Drahtloskommunikationsprotokoll in der Lage ist. Wieder versteht es sich, dass dies lediglich Beispiele für Netzwerke sind, die mit einem oder mehreren IoT-Typ-Geräten 4302 über einen Drahtlos-Link kommunizieren können, und der beanspruchte Gegenstand ist in dieser Hinsicht nicht beschränkt. Zum Beispiel kann in manchen Fällen die Betriebsumgebung 4300 eine größere Anzahl an Basisstationssendeempfängern 4308, lokalen Sendeempfängern 4312, Netzwerken, terrestrischen Sendern und/oder Empfängern usw. beinhalten.
  • Bei einer Implementierung können ein oder mehrere IoT-Typ-Geräte 4302, Basisstationsendeempfänger 4308, lokale Sendeempfänger 4312 usw. zum Beispiel mit einem oder mehreren Servern, die hier bei 4316, 4318 und 4320 referenziert sind, über ein Netzwerk 4322, wie etwa über einen oder mehrere Kommunikation-Links 4324, kommunizieren. Das Netzwerk 4322 kann zum Beispiel eine beliebige Kombination aus drahtgebundenen und/oder drahtlosen Kommunikation-Links umfassen. Bei einer bestimmten Implementierung kann das Netzwerk 4322 zum Beispiel eine Internet-Protokoll(IP)-Typ-Infrastruktur umfassen, die zum Ermöglichen oder Unterstützen einer Kommunikation zwischen einem oder mehreren IoT-Typ-Geräten 4302 und einem oder mehreren Servern 4316, 4318, 4320 usw. über den lokalen Sendeempfänger 4312, Basisstationsendeempfänger 4308, direkt usw. in der Lage ist. Bei einer anderen Implementierung kann das Netzwerk 4322 zum Beispiel eine zellulare Kommunikationsnetzwerkinfrastruktur, wie etwa eine Basisstationsteuerung und/oder eine Master-Vermittlungszentrale, umfassen, um eine mobile Zellularkommunikation mit einem oder mehreren IoT-Typ-Geräten 4302 zu ermöglichen und/oder unterstützen. Die Server 4346, 4318 und/oder 4320 können beliebige geeignete Server oder eine Kombination davon umfassen, die zum Ermöglichen oder Unterstützen einer oder mehrerer Operation und/oder Techniken in der Lage sind, die hier besprochen wurden. Zum Beispiel können die Server 4316, 4318 und/oder 4320 einen oder mehrere Aktualisierungsserver, Backend-Server, Verwaltungsserver, Archivserver, Standortserver, Positionierungshilfsserver, Navigationsserver, Kartenserver, Crowdsourcing-Server, netzwerkbezogene Server oder dergleichen umfassen. Bei bestimmten Implementierungen können die Server 4316, 4318 und/oder 4320 durch einen oder mehrere beispielhafte Leistungswandler, wie etwa zum Beispiel hier beschrieben, mit Leistung versorgt werden.
  • Selbst wenn hier eine gewisse Anzahl an Rechenplattformen und/oder - geräten veranschaulicht ist, kann eine beliebige Anzahl an geeigneten Rechenplattformen und/oder -geräten implementiert werden, um eine(n) oder mehrere Techniken und/oder Prozesse zu ermöglichen und/oder zu unterstützen, die mit der Betriebsumgebung 4300 assoziiert sind. Zum Beispiel kann das Netzwerk 4322 manchmal mit einem oder mehreren drahtgebundenen und/oder drahtlosen Kommunikationsnetzwerken (z. B. WLAN usw.) gekoppelt sein, so dass ein Abdeckungsbereich für Kommunikationen mit einem oder mehreren IoT-Typ-Geräten 4302, einem oder mehreren Basisstationsendeempfängern 4308, dem lokalen Sendeempfänger 4312, Servern 4316, 4318, 4320 oder dergleichen verbessert wird. In manchen Fällen kann das Netzwerk 4322 zum Beispiel femtozellenbasierte operative Abdeckungsgebiete ermöglichen und/oder unterstützen. Wieder sind dies lediglich Implementierungsbeispiele und der beanspruchte Gegenstand ist in dieser Hinsicht nicht beschränkt.
  • In dem Kontext der vorliegenden Patentanmeldung sollen der Ausdruck „Verbindung“, der Ausdruck „Komponente“ und/oder ähnliche Ausdrücke physische sein, sind aber nicht zwingend immer greifbar. Ob diese Ausdrücke auf einen greifbaren Gegenstand verweisen oder nicht, kann dementsprechend in einem bestimmten Verwendungskontext variieren. Als ein Beispiel kann eine greifbare Verbindung und/oder ein greifbarer Verbindungspfad hergestellt werden, wie etwa durch eine greifbare elektrische Verbindung, wie etwa einen elektrisch leitfähigen Pfad, der Metall oder einen anderen Leiter umfasst, der zum Leiten eines elektrischen Stroms zwischen zwei greifbaren Komponenten in der Lage ist. Gleichermaßen kann ein greifbarer Verbindungspfad wenigstens teilweise beeinflusst und/oder gesteuert werden, so dass, wie es typisch ist, ein greifbarer Verbindungspfad verschiedentlich geöffnet oder geschlossen werden kann, was aus dem Einfluss eines oder mehrerer extern abgeleiteter Signale, wie etwa externer Ströme und/oder Spannungen, wie etwa für einen elektrischen Schalter, resultiert. Nichtbeschränkende Veranschaulichungen eines elektrischen Schalters beinhalten einen Transistor, eine Diode usw. Jedoch kann eine „Verbindung“ und/oder „Komponente“ in einem bestimmten Verwendungskontext gleichermaßen, obwohl physisch, auch nichtgreifbar sein, wie etwa eine Verbindung zwischen einem Client und einem Server über ein Netzwerk, insbesondere ein drahtloses Netzwerk, was allgemein auf die Fähigkeit für den Client und den Server verweist, Kommunikationen zu übertragen, zu empfangen und/oder auszutauschen, wie hier nachfolgend ausführlicher besprochen wird.
  • In einem bestimmten Verwendungskontext, wie etwa einem bestimmten Kontext, in dem greifbare Komponenten besprochen werden, werden daher die Ausdrücke „gekoppelt“ und „verbunden“ auf eine solche Weise verwendet, dass die Ausdrücke nicht synonym sind. Ähnliche Ausdrücke können auf eine Weise verwendet werden, bei der eine ähnliche Absicht zum Ausdruck gebracht wird. Dementsprechend wird „verbunden“ verwendet, um anzugeben, dass sich zwei oder mehr greifbare Komponenten und/oder dergleichen zum Beispiel greifbar in einem direkten physischen Kontakt befinden. Dementsprechend sind unter Verwendung des vorhergehenden Beispiels zwei greifbare Komponente, die elektrisch verbunden sind, physisch über eine greifbare elektrische Verbindung verbunden, wie zuvor besprochen. Jedoch wird „gekoppelt“ mit der Bedeutung verwendet, dass sich möglicherweise zwei oder mehr greifbare Komponenten greifbar in direktem physischen Kontakt befinden. Trotzdem wird „gekoppelt“ auch mit der Bedeutung verwendet, dass sich zwei oder mehr greifbare Komponenten und/oder dergleichen nicht zwingend greifbar in direktem physischen Kontakt befinden, sondern dazu in der Lage sind, zusammenzuarbeiten, miteinander in Kontakt zu treten und/oder zu interagieren, wie etwa zum Beispiel dadurch, dass sie „optisch gekoppelt“ sind. Gleichermaßen wird der Ausdruck „gekoppelt“ auch mit der Bedeutung von indirekt verbunden verstanden. Es wird ferner angemerkt, dass in dem Kontext der vorliegenden Patentanmeldung, da Speicher, wie etwa eine Speicherkomponente und/oder Speicherzustände, nichtflüchtig sein soll, der Ausdruck physisch, wenigstens bei Verwendung in Bezug auf Speicher, zwingend impliziert, dass solche Speicherkomponenten und/oder Speicherzustände bei Fortführung des Beispiels greifbar sind.
  • Außerdem besteht in der vorliegenden Patentanmeldung in einem bestimmten Verwendungskontext, wie etwa einer Situation, in der greifbare Komponenten (und/oder gleichermaßen greifbare Materialien) besprochen werden, eine Unterscheidung dazwischen, „auf“ etwas zu sein und „über“ etwas zu sein. Als ein Beispiel verweist eine Abscheidung einer Substanz „auf“ einem Substrat auf eine Abscheidung, die einen direkten physischen und greifbaren Kontakt ohne eine dazwischenliegende Schicht, wie etwa eine dazwischenliegende Substanz, zwischen der abgeschiedenen Substanz und dem Substrat in diesem letzteren Beispiel involviert; trotzdem wird eine Abscheidung „über“ einem Substrat, obwohl dies als möglicherweise „auf“ einem Substrat einschließend verstanden wird (da befindlich „auf“ auch akkurat als befindlich „über“ beschrieben werden kann), als eine Situation einschließend verstanden, in der eine oder mehrere dazwischenliegende Schichten, wie etwa eine oder mehrere dazwischenliegende Substanzen, zwischen der abgeschiedenen Substanz und dem Substrat vorliegen, so dass sich die abgeschiedene Substanz nicht zwingend in direktem physischen und greifbaren Kontakt mit dem Substrat befindet.
  • Eine ähnliche Unterscheidung erfolgt in einem geeigneten bestimmten Verwendungskontext, wie etwa in einem, in dem greifbare Materialien und/oder greifbare Komponenten besprochen werden, zwischen „unter“ und „unterhalb“. Während „unter“ in einem solchen bestimmten Verwendungskontext zwingend einen physischen und greifbaren Kontakt implizieren soll (ähnlich zu „auf“, wie gerade beschrieben), schließt „unterhalb“ möglicherweise eine Situation ein, in der es einen direkten physischen und greifbaren Kontakt gibt, aber impliziert nicht zwingend einen direkten physischen und greifbaren Kontakt, wie etwa dann, falls eine oder mehrere dazwischenliegende Schichten, wie etwa eine oder mehrere dazwischenliegende Substanzen, vorhanden sind. Dementsprechend wird „auf“ mit der Bedeutung „unmittelbar über“ verstanden und wird „unter“ mit der Bedeutung „unmittelbar unterhalb“ verstanden.
  • Es versteht sich gleichermaßen, dass Ausdrücke wie etwa „über“ und „unterhalb“ auf eine ähnliche Weise wie die Ausdrücke „oben“, „unten“, „Oberseite“, „Unterseite“ und so weiter zu versehen sind, die zuvor genannt wurden. Diese Ausdrücke können verwendet werden, um eine Erörterung zu vereinfachen, aber sollen den Schutzumfang des beanspruchten Gegenstands nicht notwendigerweise beschränken. Zum Beispiel soll der Ausdruck „über“ als ein Beispiel nicht vorschlagen, dass der Anspruchsschutzumfang auf nur Situationen beschränkt ist, in denen eine Ausführungsform mit der richtigen Seite nach oben orientiert ist, wie etwa im Vergleich zu dazu, dass die Ausführungsform zum Beispiel kopfüber orientiert ist. Ein Beispiel beinhaltet einen Flip-Chip als eine Veranschaulichung, in dem zum Beispiel eine Orientierung zu verschiedenen Zeiten (z. B. während einer Fertigung) möglicherweise nicht zwingend einer Orientierung eines fertigen Produkts entspricht. Dementsprechend ist, falls ein Objekt als ein Beispiel innerhalb eines anwendbaren Anspruchsschutzumfangs in einer bestimmten Orientierung vorliegt, wie etwa kopfüber als ein Beispiel, gleichermaßen beabsichtigt, dass Letzteres auch als innerhalb eines anwendbaren Anspruchsschutzumfangs in einer anderen Orientierung, wie etwa mit der richtigen Seite nach oben, wieder als ein Beispiel enthalten interpretiert wird und umgekehrt, selbst wenn die wörtliche Sprache des Anspruchs die Möglichkeit aufweist, anders interpretiert zu werden. Natürlich stellt wieder, wie es immer der Fall in der Schrift einer Patentanmeldung war, der bestimmte Kontext der Beschreibung und/oder der Verwendung eine hilfreiche Richtlinie bezüglich vernünftiger Schlussfolgerungen bereit.
  • Sofern nichts anderes angegeben ist, soll in dem Kontext der vorliegenden Patentanmeldung der Ausdruck „oder“, falls er verwendet wird, um eine Liste zu verknüpfen, wie etwa A, B oder C, hier A, B und C, das hier in dem einschließenden Sinn verwendet wird, sowie A, B oder C, das hier in dem ausschließenden Sinn verwendet wird, bedeuten. Mit diesem Verständnis wird „und“ in dem einschließenden Sinn verwendet und soll A, B und C bedeuten; wohingegen „und/oder“ mit großer Sorgfalt verwendet werden kann, um klarzustellen, dass alle der vorhergehenden Bedeutungen beabsichtigt sind, obwohl eine solche Verwendung nicht erforderlich ist. Außerdem werden der Ausdruck „ein oder mehr“ und/oder ähnliche Ausdrücke verwendet, um ein beliebiges Merkmal, eine beliebige Struktur, eine beliebige Charakteristik und/oder dergleichen in dem Singular zu beschrieben, wird „und/oder“ auch verwendet, um mehrere und/oder irgendeine andere Kombination von Merkmalen, Strukturen, Charakteristiken und/oder dergleichen zu beschreiben. Gleichermaßen werden der Ausdruck „basierend auf“ und/oder ähnliche Ausdrücke als nicht zwingend mit der Absicht verstanden, eine erschöpfende Liste von Faktoren zu vermitteln, sondern um eine Existenz zusätzlicher Faktoren zu ermöglichen, die nicht zwingend ausdrücklich beschrieben sind.
  • Des Weiteren ist es für eine Situation, die eine Implementierung des beanspruchten Gegenstands betrifft und Testen, einer Messung und/oder Spezifikation bezüglich des Grades unterliegt, dass die bestimmte Situation auf die folgende Weise verstanden wird. Als ein Beispiel wird in einer gegebenen Situation ein Wert einer zu messenden physikalischen Eigenschaft angenommen. Falls alternativ dazu vernünftige Ansätze zum Testen, zur Messung und/oder Spezifikation hinsichtlich eines Grades, wenigstens mit Bezug auf die Eigenschaft, bei Fortsetzung mit dem Beispiel einem Durchschnittsfachmann mit einer angemessenen Wahrscheinlichkeit wenigstens zu Implementierungszwecken ersichtlich sind, soll der beanspruchte Gegenstand jene alternativen vernünftigen Ansätze abdecken, sofern nichts anderes ausdrücklich angegeben ist. Als ein Beispiel soll, falls eine grafische Darstellung von Messungen über ein Gebiet produziert wird und eine Implementierung des beanspruchten Gegenstands auf das Einsetzen einer Messung der Steigung über das Gebiet verweist, aber eine Vielzahl an vernünftigen und alternativen Techniken zum Schätzen der Steigung über das Gebiet vorhanden ist, soll der beanspruchte Gegenstand jene vernünftigen alternativen Techniken abdecken, sofern nichts anderes ausdrücklich angegeben ist.
  • Es wird angemerkt, dass trotzdem ein typisches eingesetztes Messungsmodell ist, das eine oder mehrere Messungen jeweils eine Summe von wenigstens zwei Komponenten umfassen können. Dementsprechend kann für eine gegebene Messung zum Beispiel eine Komponente eine deterministische Komponente, die in einem idealen Sinn einen physikalischen Wert (der z. B. über eine oder mehrere Messungen gesucht wird) umfassen kann, oft in der Form eines oder mehrerer Signale, Signalabtastwerte und/oder Zustände umfassen, und eine Komponente kann eine zufällige Komponente umfassen, die eine Vielfalt von Quellen aufweisen kann, die schwierig zu quantifizieren sein können. Manchmal kann zum Beispiel eine fehlende Messungsgenauigkeit eine gegebene Messung beeinträchtigen. Dementsprechend kann für einen beanspruchten Gegenstand ein statistisches oder stochastisches Modell zusätzlich zu einem deterministischen Modell als ein Ansatz zur Identifikation und/oder Vorhersage bezüglich eines oder mehrerer Messungswerte verwendet werden, die einen beanspruchten Gegenstand betreffen können.
  • Eine „Signalmessung“ und/oder ein „Signalmessungsvektor“ können jeweils als eine „Zufallsmessung“ bezeichnet werden, so dass der Ausdruck „Zufall“ in dem Kontext mit Bezug auf die Gebiete von Wahrscheinlichkeit, Zufallsvariablen und/oder stochastischen Prozessen verstanden werden kann. Zufallsvariablen können Signalwertmessungen umfassen, die zum Beispiel in einem Raum von Ergebnissen spezifiziert werden können. Dementsprechend kann in manchen Kontexten eine Wahrscheinlichkeit (z. B. Likelihood) Ergebnissen zugewiesen werden, wie es oft in Verbindung mit Ansätzen verwendet werden kann, die Wahrscheinlichkeit und/oder Statistik nutzen. In anderen Kontexten kann eine Zufallsvariable im Wesentlichen gemäß einer Messung sein, die einen deterministischen Messungswert oder vielleicht eine Durchschnittsmessungskomponente plus einer Zufallsvariation um einen Messungsdurchschnitt herum umfasst. Die Ausdrücke „Messungsvektor“, „Zufallsvektor“ und/oder „Vektor“ werden in diesem gesamten Dokument austauschbar verwendet. Bei einer Ausführungsform kann ein Zufallsvektor, oder ein Teil davon, der einen oder mehrere Messungsvektoren umfasst, eindeutig mit einer Verteilung skalarer numerischer Werte, wie etwa zum Beispiel zufälliger skalarer numerischer Werte (z. B. Signalwerte und/oder Signalabtastwerte), assoziiert sein.
  • Dementsprechend versteht es sich natürlich, dass eine Verteilung skalarer numerischer Werte zum Beispiel ohne Beschränkung der Allgemeinheit im Wesentlichen gemäß der vorhergehenden Beschreibung und/oder nachfolgenden Beschreibung mit physikalischen Messungen in Zusammenhang steht und, und es versteht sich gleichermaßen, dass sie als physikalische Signale und/oder physikalische Signalabtastwerte besteht.
  • Die Ausdrücke „entsprechen“, „referenzieren“, „assoziieren“ und/oder ähnliche Ausdrücke betreffen Signale, Signalabtastwerte und/oder Zustände, z. B. Komponenten eines Signalmessungsvektors, die in einem Speicher gespeichert und/oder mit Operationen eingesetzt werden können, um Ergebnisse in Abhängigkeit von wenigstens teilweise den zuvor erwähnten Signalabtastwerten und/oder Signalabtastzuständen zu erzeugen. Zum Beispiel kann ein Signalabtastwertmessungsvektor an einem Speicherort gespeichert werden und ferner referenziert werden, wobei eine Solche Referenzierung als eine gespeicherte Beziehung ausgeführt und/oder beschrieben werden kann. Eine gespeicherte Beziehung kann eingesetzt werden, indem eine oder mehrere Speicheradressen zum Beispiel mit einer oder mehreren anderen Speicheradressen assoziiert (z. B. in Bezug gesetzt) werden, und kann eine Operation ermöglichen, die wenigstens teilweise eine Kombination von Signalabtastwerten und/oder Zuständen involviert, die in einem Speicher gespeichert sind, wie etwa zur Verarbeitung durch zum Beispiel einen Prozessor und/oder ein ähnliches Gerät. Dementsprechend kann in einem bestimmten Kontext „Assoziieren“, „Referenzieren“ und/oder „Entsprechen“ zum Beispiel auf einen ausführbaren Prozess zum Zugreifen auf Speicherinhalte von zwei oder mehr Speicherorten verweisen, um z. B. eine Ausführung einer oder mehrerer Operationen unter Signalabtastwerten und/oder Zuständen zu ermöglichen, wobei ein oder mehrere Ergebnisse der einen oder mehreren Operationen gleichermaßen für eine zusätzliche Verarbeitung eingesetzt werden können, wie etwa bei anderen Operationen, oder an den gleichen oder anderen Speicherorten gespeichert werden können, wie zum Beispiel durch ausführbare Anweisungen angewiesen werden kann. Des Weiteren sind die Ausdrücke „Abrufen“ und „Lesen“ oder „Speichern“ und „Schreiben“ als austauschbare Begriffe für die jeweiligen Operationen zu verstehen, z. B. kann ein Ergebnis von einem Speicherort abgerufen (oder gelesen) werden; gleichermaßen kann in Ergebnis an einem Speicherort gespeichert (oder in diesen geschrieben) werden. Es wird ferner angemerkt, dass die Begriffe „Art“ und/oder „artig“, falls sie verwendet werden, wie etwa mit einem Merkmal, einer Struktur, einer Charakteristik und/oder dergleichen, unter Verwendung von „optisch“ oder „elektrisch“ als einfache Beispiele, die Bedeutung wenigstens teilweise von und/oder bezüglich des Merkmals, der Struktur, der Charakteristik und/oder dergleichen auf eine solche Weise haben, dass eine Anwesenheit kleinerer Variationen, selbst Variationen, die ansonsten nicht als vollständig konsistent mit dem Merkmal, der Struktur, der Charakteristik und/oder dergleichen betrachtet werden würden, im Allgemeinen nicht verhindern, dass das Merkmal, die Struktur, die Charakteristik und/oder dergleichen eine „Art“ und/oder „artig“ sind (wie etwa zum Beispiel von einer „optischen Art“ sein oder „optisch-artig“ sein), falls die geringfügen Variationen gering genug sind, so dass das Merkmal, die Struktur, die Charakteristik und/oder dergleichen immer noch als im Wesentlichen vorhanden angesehen würde, wenn solche Variationen ebenfalls vorhanden sind. Dementsprechend sollen fortfahren mit diesem Beispiel die Ausdrücke Eigenschaften vor optischer Art und/oder optisch-artige Eigenschaften zwingend optische Eigenschaften beinhalten. Gleichermaßen sollen die Ausdrücke Eigenschaften von elektrischer Art und/oder elektrisch-artige Eigenschaften als ein weiteres Beispiel zwingend elektrische Eigenschaften beinhalten. Es ist anzumerken, dass die Schrift der vorliegenden Patentanmeldung lediglich ein oder mehrere veranschaulichende Beispiele bereitstellt und der beanspruchte Gegenstand nicht auf ein oder mehrere veranschaulichende Beispiele beschränkt sein soll; jedoch stellt wieder, wie es mit Bezug auf die Schrift einer Patentanmeldung schon immer der Fall war, ein bestimmter Kontext der Beschreibung und/oder Verwendung eine hilfreiche Richtlinie bezüglich vernünftiger Schlussfolgerungen bereit.
  • Mit Fortschritten der Technologie ist es typischer geworden, verteilte Rechen- und/oder Kommunikationsansätze einzusetzen, bei denen Teile eines Prozesses, wie etwa zum Beispiel Signalverarbeitung von Signalabtastwerten, mittels zum Beispiel eines Rechen- und/oder Kommunikationsnetzwerks zwischen verschiedenen Geräten zugewiesen werden kann, einschließlich eines oder mehrerer Client-Geräte und/oder eines oder mehrerer Servergeräte. Ein Netzwerk kann zwei oder mehr Geräte umfassen, wie etwa Netzwerkgeräte und/oder Rechengeräte, und/oder kann Geräte, wie etwa Netzwerkgeräte und/oder Rechengeräte, koppeln, so dass Signalkommunikationen, wie etwa in der Form von zum Beispiel Signalpaketen und/oder Signalrahmen (die z. B. ein oder mehrere Signalabtastwerte umfassen), ausgetauscht werden können, wie etwa zwischen einem Servergerät und/oder einem Client-Gerät sowie anderen Typen von Geräten, einschließlich zwischen drahtgebundenen und/oder drahtlosen Geräten, die zum Beispiel über ein drahtgebundenes und/oder drahtloses Netzwerk gekoppelt sind.
  • In dem Kontext der vorliegenden Patentanmeldung verweist der Ausdruck Netzwerkgerät auf ein beliebiges Gerät, das zum Kommunizieren über und/oder als Teil eines Netzwerks in der Lage ist, und kann ein Rechengerät umfassen. Obwohl Netzwerkgeräte zum Kommunizieren von Signalen (z. B. Signalpaketen und/oder - rahmen), wie etwa über ein drahtgebundenes und/oder drahtloses Netzwerk, in der Lage sein können, können sie auch zum Durchführen von Operationen in der Lage sein, die mit einem Rechengerät assoziiert sind, wie etwa Arithmetik- und/oder Logikoperationen, Verarbeitungs- und/oder Speicherungsoperationen (z. B. Speichern von Signalabtastwerten), wie etwa in einem Speicher als greifbare physische Speicherzustände, und/oder können zum Beispiel als ein Servergerät und/oder ein Client-Gerät in verschiedenen Ausführungsformen arbeiten. Netzwerkgeräte, die zum Arbeiten als ein Servergerät, ein Client-Gerät und/oder anderes in der Lage sind, können als Beispiele dedizierte rackmontierte Server, Desktop-Computer, Laptop-Computer, Set-Top-Boxes, Tablets, Ultrabooks, Smartphones, Wearable-Geräte, integrierte Geräte, die zwei oder mehr Merkmale der vorhergehenden Geräte kombinieren, und/oder dergleichen oder eine beliebige Kombination davon beinhalten. Wie erwähnt, können Signalpakete und/oder Einzelbilder zum Beispiel ausgetauscht werden, wie etwa zwischen einem Servergerät und/oder einem Client-Gerät, sowie anderen Typen von Geräten, einschließlich zwischen drahtgebundenen und/oder drahtlosen Geräten, die zum Beispiel über ein drahtgebundenes und/oder drahtloses Netzwerk oder eine beliebige Kombination davon gekoppelt sind. Es wird angemerkt, dass die Ausdrücke Server, Servergerät, Serverrechengerät, Serverrechenplattform und/oder ähnliche Ausdrücke austauschbar verwendet werden. Gleichermaßen werden die Ausdrücke Client, Client-Gerät, Client-Rechengerät, Client-Rechenplattform und/oder ähnliche Ausdrücke ebenfalls austauschbar verwendet werden. Obwohl in manchen Fällen diese Ausdrücke zur einfachen Beschreibung im Singular verwendet werden können, wie etwa durch Bezugnahme auf ein „Client-Gerät“ oder ein „Servergerät“, soll die Beschreibung ein oder mehrere Client-Geräte und/oder ein oder mehrere Servergeräte nach Bedarf einschließen. In ähnlichen Richtungen sind Bezugnahmen auf eine „Datenbank“ nach Bedarf mit der Bedeutung eine oder mehrere Datenbanken und/oder Teile davon zu verstehen.
  • Es versteht sich, dass zur einfachen Beschreibung ein Netzwerkgerät (die das auch als ein Vernetzungsgerät bezeichnet wird) im Sinne eines Rechengeräts ausgeführt und/oder beschrieben werden kann und umgekehrt. Jedoch versteht es sich ferner, dass diese Beschreibung in keiner Weise derart ausgelegt werden sollte, dass der beanspruchte Gegenstand auf eine Ausführungsform, wie etwa nur ein Rechengerät und/oder nur ein Netzwerkgerät, beschränkt ist, sondern kann stattdessen als eine Vielzahl von Geräten oder Kombinationen davon, einschließlich zum Beispiel eines oder mehrerer veranschaulichender Beispiele, ausgeführt werden.
  • Ein Netzwerk kann auch derzeit bekannte und/oder später zu entwickelnde Anordnungen, Ableitungen und/oder Verbesserungen beinhalten, einschließlich zum Beispiel vergangener, aktueller und/oder zukünftiger Massenspeicherung, wie etwa zum Beispiel netzgebundener Speicher (NAS: Network Attached Storage), ein Speicherungsnetzwerk (SAN: Storage Area Network) und/oder andere Formen von gerätelesbaren Medien. Ein Netzwerk kann einen Teil des Internets, ein oder mehrere Lokalnetzwerke (LANs: Local Area Networks), ein oder mehrere Weitverkehrsnetzwerke (WANs: Wide Area Networks), Verbindungen vom Drahtleitungstyp, Verbindungen vom Drahtlostyp, andere Verbindungen oder eine beliebige Kombination davon beinhalten. Dementsprechend kann ein Netzwerk bezüglich Umfang und/oder Ausdehnung weltweit sein. Gleichermaßen können Teilnetzwerke, wie etwa solche, die möglicherweise abweichende Architekturen einsetzen und/oder im Wesentlichen mit abweichenden Protokollen, wie etwa Netzwerkrechen- und/oder -kommunikationsprotokollen (z. B. Netzwerkprotokollen), konform und/oder im Wesentlichen kompatibel mit diesen sein können, innerhalb eines größeren Netzwerks zusammenarbeiten.
  • Obwohl der Schutzumfang des beanspruchten Gegenstands nicht speziell auf das Internet und/oder das Web beschränkt ist, können das Internet und/oder Web trotzdem ohne Beschränkung wenigstens zu Veranschaulichungszwecken ein nützliches Beispiel für eine Ausführungsform bereitstellen.
  • Es wird ferner angemerkt, dass eine Assoziation von Speicherzuständen zum Beispiel in einem logischen Sinn und nicht zwingend in einem greifbaren physischen Sinn sein kann. Obwohl Signal- und/oder Zustandskomponenten einer Datei und/oder eines elektronischen Dokuments zum Beispiel logisch zu assoziieren sind, kann sich trotzdem eine Speicherung davon bei einer Ausführungsform zum Beispiel an einer oder mehreren unterschiedlichen Stellen in einem greifbaren physischen Speicher befinden.
  • In dem Kontext der vorliegenden Patentanmeldung sollen die Ausdrücke „Eintrag“, „elektronischer Eintrag“, „Dokument“, „elektronisches Dokument“, „Inhalt“, „digitaler Inhalt“, „Element“ und/oder ähnliche Ausdrücke auf Signale und/oder Zustände in einem physischen Format verweisen, wie etwa ein digitales Signal und/oder ein digitales Zustandsformat, das z. B. durch einen Benutzer wahrgenommen werden kann, falls es angezeigt, abgespielt, taktil erzeugt wird usw. und/oder anderweitig durch ein Gerät, wie etwa ein digitales Gerät, einschließlich zum Beispiel eines Rechengeräts, ausgeführt wird, aber kann ansonsten möglicherweise nicht einfach durch Menschen wahrgenommen werden (z. B. falls es in einem digitalen Format vorliegt). Gleichermaßen wird in dem Kontext der vorliegenden Patentanmeldung auf digitalen Inhalt, der einem Benutzer in einer solchen Form bereitgestellt wird, dass der Benutzer zum einfachen Wahrnehmen des zugrundeliegenden Inhalts selbst in der Lage ist (z. B. Inhalt, der in einer Form präsentiert wird, die durch einen Menschen konsumierbar ist, wie etwa Hören von Audio, Fühlen taktiler Sensationen und/oder Sehen von Bildern als Beispiele), mit Bezug auf den Benutzer als „Konsumieren“ von digitalem Inhalt, „Konsumtion“ von digitalem Inhalt", „konsumierbarer“ digitaler Inhalt und/oder ähnliche Begriffen verwiesen. Für eine oder mehrere Ausführungsformen kann ein elektronisches Dokument und/oder eine elektronische Datei eine Webseite von Code (z. B. Computeranweisungen) in einer Markup-Sprache umfassen, der zum Beispiel durch ein Rechen- und/oder Vernetzungsgerät ausgeführt wird. Bei einer anderen Ausführungsform kann ein elektronisches Dokument und/oder eine elektronische Datei einen Teil und/oder ein Gebiet einer Webseite umfassen. Jedoch soll der beanspruchte Gegenstand nicht in dieser Hinsicht beschränkt werden.
  • Außerdem kann für eine oder mehrere Ausführungsformen ein elektronisches Dokument und/oder eine elektronische Datei eine Anzahl an Komponenten umfassen. Wie zuvor angegeben, ist eine Komponente in dem Kontext der vorliegenden Patentanmeldung physisch, aber ist nicht zwingend greifbar. Als ein Beispiel können Komponenten mit Bezug auf ein elektronisches Dokument und/oder eine elektronische Datei bei einer oder mehreren Ausführungsformen Text, zum Beispiel in der Form physischer Signale und/oder physischer Zustände (z. B. dazu in der Lage, physisch angezeigt zu werden) umfassen. Typischerweise umfassen Speicherzustände zum Beispiel greifbare Komponenten, wohingegen physische Signale nicht zwingend greifbar sind, obwohl Signale greifbar werden (z. B. gemacht werden) können, wie etwa, falls sie zum Beispiel auf einer greifbaren Anzeige erscheinen, was nicht ungewöhnlich ist. Außerdem können für eine oder mehrere Ausführungsformen Komponenten mit einem Bezug auf ein elektronisches Dokument und/oder eine elektronische Datei ein grafisches Objekt, wie etwa zum Beispiel ein Bild, wie etwa ein digitales Bild, und/oder Subobjekte einschließlich Attributen davon umfassen, die wieder physische Signale und/oder physische Zustände umfassen (die z. B. dazu in der Lage sind, greifbar angezeigt zu werden). Bei einer Ausführungsform kann digitaler Inhalt zum Beispiel Text, Bilder, Audio, Video und/oder andere Typen elektronischer Dokumente und/oder elektronischer Dateien umfassen, einschließlich zum Beispiel Teilen davon.
  • Auch in dem Kontext der vorliegenden Patentanmeldung verweist der Ausdruck Parameter (z. B. ein oder mehrere Parameter) auf Material, das eine Sammlung von Signalabtastwerten beschreibt, wie etwa ein oder mehrere elektronische Dokumente und/oder elektronische Dateien, und existiert in der Form physischer Signale und/oder physischer Zustände, wie etwa Speicherzustände.
  • Signalpaketkommunikationen und/oder Signalrahmenkommunikationen, die auch als Signalpaketübertragungen und/oder Signalrahmenübertragungen (oder lediglich „Signalpakete“ oder „Signalrahmen“) bezeichnet werden, können zwischen Knoten eines Netzwerks kommuniziert werden, wobei ein Knoten zum Beispiel ein oder mehrere Netzwerkgeräte und/oder ein oder mehrere Rechengeräte umfassen kann. Als ein veranschaulichendes Beispiel, aber ohne Beschränkung, kann ein Knoten eine oder mehrere Stellen umfassen, die eine Lokalnetzwerkadresse, wie etwa in einem Lokalnetzwerkadressraum, einsetzen. Gleichermaßen kann ein Gerät, wie etwa ein Netzwerkgerät und/oder ein Rechengerät, mit diesem Knoten assoziiert sein. Es wird auch angemerkt, dass in dem Kontext dieser Patentanmeldung der Ausdruck „Übertragung“ als ein anderer Ausdruck für einen Typ einer Signalkommunikation beabsichtigt ist, die in einer beliebigen einer Vielzahl von Situationen auftreten kann. Dementsprechend wird es nicht beabsichtigt, eine bestimmte Direktionalität einer Kommunikation und/oder ein bestimmtes initiierendes Ende eines Kommunikationspfad für die „Übertragung“-Kommunikation zu implizieren. Zum Beispiel soll die bloße Verwendung des Ausdrucks an sich in dem Kontext der vorliegenden Patentanmeldung keine bestimmten Implikationen mit Bezug darauf haben, dass ein oder mehrere Signale kommuniziert werden, wie etwa zum Beispiel, ob die Signale „an“ ein bestimmtes Gerät kommuniziert werden, ob die Signale „von“ einem bestimmten Gerätkommuniziert werden, und/oder hinsichtlich dessen, welches Ende eines Kommunikationspfades eine Kommunikation initiieren kann, wie etwa zum Beispiel in einem „Push-Typ“ eines Signaltransfers oder in einem „Pull-Typ“ eines Signaltransfers. In dem Kontext der vorliegenden Patentanmeldung werden Sigaltransfere vom Push- und/oder Pull-Typ dadurch unterschieden, welches Ende eines Kommunikationspfades einen Signaltransfer initiiert.
  • Dementsprechend kann ein Signalpaket und/oder -rahmen als ein Beispiel über einen Kommunikationskanal und/oder einen Kommunikationspfad, wie etwa einen, der einen Teil des Internets und/oder des Webs umfasst, von einer Stelle über einen Zugriffsknoten, der mit dem Internet gekoppelt ist, kommuniziert werden oder umgekehrt. Gleichermaßen kann ein Signalpaket und/oder -rahmen über Netzwerkknoten zu einer Zielstelle weitergeleitet werden, die zum Beispiel mit einem Lokalnetzwerk gekoppelt ist. Ein Signalpaket und/oder -rahmen, das/der zum Beispiel über das Internet und/oder das Web kommuniziert wird, kann über einen Pfad geroutet werden, wie etwa entweder „gepusht“ (geschoben) oder „gepullt“ (gezogen) werden, was einen oder mehrere Gateways, Server usw. umfasst, die zum Beispiel ein Signalpaket und/oder einen Signalrahmen, wie etwa zum Beispiel im Wesentlichen gemäß einer Ziel- und/oder Bestimmungsortadresse und Verfügbarkeit eines Netzwerkpfades von Netzwerkknoten zu der Ziel- und/oder Bestimmungsortadresse, routen können. Obwohl das Internet und/oder das Web ein Netzwerk interoperabler Netzwerke umfassen, sind nicht alle dieser interoperablen Netzwerke zwingend für die Öffentlichkeit verfügbar und/oder zugänglich.
  • In dem Kontext der bestimmten Patentanmeldung kann ein Netzwerkprotokoll, wie etwa zum Kommunizieren zwischen Geräten eines Netzwerks, wenigstens teilweise im Wesentlichen gemäß einer Schichtbeschreibung, wie etwa dem/der sogenannten Open-Systems-Interconnection(OSI)-Ansatz und/oder -Beschreibung mit sieben Schichten. Ein Netzwerkrechen- und/oder -kommunikationsprotokoll (auch als ein Netzwerkprotokoll bezeichnet) verweist auf einen Satz von Signalisierungskonventionen; wie etwa für Kommunikationsübertragungen, wie sie zum Beispiel zwischen und/oder unter Geräten in einem Netzwerk stattfinden können. In dem Kontext der vorliegenden Patentanmeldung werden der Ausdruck „zwischen“ und/oder ähnliche Ausdrücke so verstanden, dass sie „unter“ einschließen, falls dies für die bestimmte Verwendung geeignet ist, und umgekehrt. Gleichermaßen werden in dem Kontext der vorliegenden Patentanmeldung die Ausdrücke „kompatibel mit“, „konform mit“ und/oder ähnliche Ausdrücke so verstanden, dass sie jeweils eine wesentliche Komptabilität und/oder eine wesentliche Konformität einschließen.
  • Ein Netzwerkprotokoll, wie etwa Protokolle, die im Wesentlichen gemäß der zuvor genannten OSI-Beschreibung charakterisiert sind, weist sieben Schichten auf. Diese Schichten werden als ein Netzwerkstapel bezeichnet. Verschiedene Typen von Kommunikationen (z. B. Übertragungen), wie etwa Netzwerkkommunikationen, können über verschiedene Schichten hinweg stattfinden. Eine unterste Schicht in einem Netzwerkstapel, wie etwa die sogenannte Bitübertragungsschicht, kann charakterisieren, wie Symbole (z. B. Bits und/oder Bytes) als ein oder mehrere Signale (und/oder Signalabtastwerte) über ein physisches Medium (z. B. Twisted-Pair-Kupferdraht, Koaxialkabel, Faseroptikkabel, drahtlose Luftschnittstelle, Kombinationen davon usw.) kommuniziert werden. Mit dem Fortschreiten zu Schichten höherer Ebene in einem Netzwerkprotokollstapel können zusätzliche Operationen und/oder Merkmale über Teilnahme an Kommunikationen verfügbar sein, die mit einem bestimmten Netzwerkprotokoll auf diesen Schichten höherer Ebene im Wesentlichen kompatibel und/oder im Wesentlichen konform sind. Zum Beispiel können Schichten höherer Ebene eines Netzwerkprotokolls zum Beispiel Geräteberechtigungen, Benutzerberechtigungen usw. beeinflussen.
  • Ein Netzwerk und/oder Teilnetzwerk kann bei einer Ausführungsform über Signalpakete und/oder Signalrahmen kommunizieren, wie etwa über teilnehmende digitale Geräte, und kann mit unter anderem derzeit bekannten und/oder zu entwickelnden Versionen beliebiger der folgenden Netzwerkprotokollstapel im Wesentlich konform und/oder im Wesentlichen kompatibel sein: ARCNET, ATM, Bluetooth, DECnet, Ethernet, FDDI, Frame Relay, HIPPI, IEEE 1394, IEEE 802.11, IEEE-488, Internet Protocol Suite, IPX, Myrinet, OSI Protocol Suite, QsNet, RS-232, SPX, System Network Architecture, Token Ring, USB und/oder X.25. Ein Netzwerk und/oder Teilnetzwerk kann zum Beispiel eine Version, die derzeit bekannt ist und/oder später entwickelt wird, des Folgenden nutzen: TCP/IP, UDP, DECnet, NetBEUI, IPX und/oder dergleichen. Versionen des Internet Protocol (IP) können IPv4, IPv6 und/oder andere später entwickelte Versionen beinhalten.
  • In Bezug auf Aspekte bezüglich eines Netzwerks, einschließlich eines Kommunikations- und/oder Rechennetzwerks, kann ein Drahtlosnetzwerk Geräte, einschließlich Client-Geräte, mit dem Netzwerk koppeln. Ein Drahtlosnetzwerk kann eigenständige, Ad-Hoc-Netzwerke, Mesh-Netzwerke, Wireless-LAN(WLAN)-Netzwerke, zellulare Netzwerke und/oder dergleichen einsetzen. Ein Drahtlosnetzwerk kann ferner ein System von Anschlüssen, Gateways, Routern und/oder dergleichen beinhalten, die durch drahtlose Funk-Links und/oder dergleichen gekoppelt sind und die sich frei, zufällig bewegen und sich willkürlich organisieren können, so dass sich eine Netzwerktopologie ändern kann, manchmal sogar rasch. Ein Drahtlosnetzwerk kann ferner mehrere Netzwerkzugangstechnologien, einschließlich einer Version von Long Term Evolution (LTE), WLAN, Wireless-Router(WR)-Mesh, zellularer Technologie der 2., 3. oder 4. Generation (2G, 3G, 4G oder 5G) und/oder dergleichen einsetzen, unabhängig davon, ob diese derzeit bekannt sind und/oder später entwickelt werden. Netzwerkzugangstechnologien können zum Beispiel eine Abdeckung eines breiten Bereichs für Geräte, wie etwa Rechengeräte und/oder Netzwerkgeräte, mit variierenden Mobilitätsgraden ermöglichen.
  • Ein Netzwerk kann Hochfrequenzkommunikationen und/oder Kommunikationen von einem anderen Drahtlostyp über eine Drahtlosnetzwerkzugangstechnologie und/oder eine Luftschnittstelle ermöglichen, wie etwa Global System for Mobile communication (GSM), Universal Mobile Telecommunications System (UMTS), General Packet Radio Services (GPRS), Enhanced Data GSM Environment (EDGE), 3GPP Long Term Evolution (LTE), LTE Advanced, Wideband Code Division Multiple Access (WCDMA), Bluetooth, Ultra-Wideband (UWB), 5G, 802.11 b/g/n und/oder dergleichen. Ein Drahtlosnetzwerk kann nahezu jeden Typ eines derzeit bekannten und/oder zu entwickelnden Drahtloskommunikationsmechanismus und/oder Drahtloskommunikationsprotokolls beinhalten, durch den/das Signale zwischen Geräten, zwischen Netzwerken, innerhalb eines Netzwerks und/oder dergleichen, natürlich einschließlich des Vorhergehenden, kommuniziert werden können.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel, wie in 23 gezeigt, kann eine Systemausführungsform ein lokales Netzwerk (z. B. Gerät 4404 und Medium 4440) und/oder einen anderen Typ von Netzwerk, wie etwa ein Rechen- und/oder Kommunikationsnetzwerk, umfassen. Zu Veranschaulichungszwecken zeigt 23 daher eine Ausführungsform 4400 eines Systems, das eingesetzt werden kann, um einen Typ oder beide Typen von Netzwerken zu implementieren. Das Netzwerk 208 kann eine(n) oder mehrere Netzwerkverbindungen, Links, Prozesse, Dienste, Anwendungen und/oder Ressourcen umfassen, um Kommunikationen zu ermöglichen und/oder zu unterstützen, wie etwa einen Austausch von Kommunikationssignalen, zum Beispiel zwischen einem Rechengerät, wie etwa 4402, und einem anderen Rechengerät, wie etwa 4406, die zum Beispiel ein oder mehrere Client-Rechengeräte und/oder ein oder mehrere Serverrechengeräte umfassen können. Beispielsweise kann das Netzwerk 4408 unter anderem drahtlose und/oder drahtgebundene Kommunikation-Links, Telefon- und/oder Telekommunikationssysteme, Wi-Fi-Netzwerke, Wi-MAX-Netzwerke, das Internet, ein Lokalnetzwerk (LAN: Local Area Network), ein Weitverkehrsnetzwerk (WAN: Wide Area Network) oder beliebige Kombinationen davon umfassen.
  • Beispielhafte Geräte in 23 können bei einer Ausführungsform zum Beispiel Merkmale eines Client-Rechengeräts und/oder eines Serverrechengeräts umfassen. Es wird ferner angemerkt, dass der Ausdruck Rechengerät unabhängig davon, ob er als ein Client und/oder als ein Server oder anderes eingesetzt wird, im Allgemeinen wenigstens auf einen Prozessor und einen Speicher verweist, die durch einen Kommunikationsbus verbunden sind. Ein „Prozessor“ wird zum Beispiel so verstanden, dass er eine spezielle Struktur, wie etwa eine Zentralverarbeitungseinheit (CPU), einen Digitalsignalprozessor (DSP) oder eine Grafikverarbeitungseinheit (GPU) oder eine beliebige Kombination davon, eines Rechengeräts konnotiert, das eine Steuereinheit und eine Ausführungseinheit beinhalten kann. Bei manchen Implementierungen kann ein Prozessor zum Beispiel Elemente und/oder Funktionalität einer oder mehrerer CPUs, einer oder mehrerer GPUs und/oder eines oder mehrerer DSPs kombinieren. Bei einem Aspekt kann ein Prozessor ein Gerät umfassen, das Anweisungen zum Verarbeiten von Eingabesignale interpretiert und ausliest, um Ausgabesignale bereitzustellen. Von daher werden zumindest in dem Kontext der vorliegenden Patentanmeldung Rechengerät und/oder Prozessor so verstanden, dass sie auf eine ausreichende Struktur innerhalb der Bedeutung von 35 USC § 112 (f) verweisen, so dass speziell beabsichtigt wird, dass 35 USC § 112 (f) nicht durch die Verwendung des Begriffs „Rechengerät“, „Prozessor“ und/oder ähnliche Ausdrücke impliziert wird; falls jedoch aus irgendeinem nicht unmittelbar ersichtlichen Grund bestimmt wird, dass das vorhergehende Verständnis nicht gelten kann und dass 35 USC § 112 (f) daher durch die Verwendung des Ausdrucks „Rechengerät“, „Prozessor“ und/oder ähnliche Begriffe zwingend impliziert wird, wird dann in Übereinstimmung mit diesem Gesetzesabschnitt beabsichtigt, dass eine entsprechende Struktur, ein entsprechendes Material und/oder entsprechende Handlungen zum Durchführen einer oder mehrerer Funktionen so verstanden und interpretiert werden, wenigstens in manchen der verschiedenen Figuren und in dem Text, der mit den verschiedenen Figuren der vorliegenden Patentanmeldung assoziiert ist, beschrieben werden.
  • Nun unter Bezugnahme auf 23 können bei einer Ausführungsform erste und dritte Geräte 4402 und 4406 zum Beispiel zum Rendern einer grafischen Benutzeroberfläche (GUI: Graphical User Interface) für ein Netzwerkgerät und/oder ein Rechengerät in der Lage sind, so dass ein Benutzerbediener an der Systemverwendung teilnehmen kann. Das Gerät 4404 kann möglicherweise einer ähnlichen Funktion in dieser Veranschaulichung dienen. Gleichermaßen kann in 23 ein Rechengerät 4402 („erstes Gerät” in der Figur) an ein Rechengerät 4404 (,zweites Gerät` in der Figur) angekoppelt sein, das zum Beispiel bei einer Ausführungsform auch Merkmale eines Client-Rechengeräts und/oder Serverrechengeräts umfassen kann. Der Prozessor (z. B. Verarbeitungsgerät) 4420 und Speicher 4422, der einen primären Speicher 4424 und einen sekundären Speicher 4426 umfassen kann, kann zum Beispiel mittels eines Kommunikationsbusses 4415 kommunizieren. Der Ausdruck „Rechengerät“ in dem Kontext der vorliegenden Patentanmeldung verweist auf ein System und/oder ein Gerät, wie etwa eine Recheneinrichtung, die eine Fähigkeit zum Verarbeiten (z. B. Durchführen von Berechnungen) und/oder Speichern von digitalem Inhalt, wie etwa von elektronischen Dateien, elektronischen Dokumenten, Messungen, Text, Bildern, Video, Audio usw., in der Form von Signalen und/oder Zuständen beinhaltet. Dementsprechend kann ein Rechengerät in dem Kontext der vorliegenden Patentanmeldung Hardware, Software, Firmware oder eine beliebige Kombination davon (außer Software an sich) umfassen. Das Rechengerät 4404, wie in 23 dargestellt ist, ist lediglich ein Beispiel und der Schutzumfang des beanspruchten Gegenstands ist nicht auf dieses bestimmte Beispiel beschränkt.
  • Für eine oder mehrere Ausführungsformen kann ein Gerät, wie etwa ein Rechengerät und/oder ein Vernetzungsgerät, zum Beispiel beliebige eines breiten Bereichs digitaler elektronischer Geräte beinhalten, einschließlich unter anderem Desktop- und/oder Notebook-Computer, High-Definition-Fernseher, digitaler Videowiedergabegeräte und/oder -aufzeichnungsgeräte, Spielekonsolen, Satellitenfernsehempfänger, Mobiltelefone, Tablet-Geräte, Wearable-Geräte, persönlicher digitaler Assistenten, mobiler Audio- und/oder Videowiedergabe- und/oder -aufzeichnungsgeräte, Internet-der-Dinge(IoT)-Typ-Geräte oder einer beliebigen Kombination des Vorhergehenden. Ferner kann, sofern nichts anderes speziell angegeben ist, ein Prozess, wie beschrieben, wie etwa unter Bezugnahme auf Flussdiagramme und/oder anderweitig, ebenfalls vollständig oder teilweise durch ein Rechengerät und/oder ein Netzwerkgerät ausgeführt und/oder beeinflusst werden. Ein Gerät, wie etwa ein Rechengerät und/oder ein Netzwerkgerät, kann hinsichtlich Fähigkeiten und/oder Merkmalen variieren. Der beanspruchte Gegenstand soll einen breiten Bereich möglicher Variationen abdecken. Zum Beispiel kann ein Gerät ein numerisches Tastenfeld und/oder eine andere Anzeige mit begrenzter Funktionalität, wie etwa zum Beispiel eine Monochrom-Flüssigkristallanzeige (LCD: Liquid Crystal Display) zum Anzeigen von Text beinhalten. Im Gegensatz dazu kann jedoch als ein weiteres Beispiel ein webfähiges Gerät eine physische und/oder eine virtuelle Tastatur, eine Massenspeicherung, einen oder mehrere Beschleunigungsmesser, ein oder mehrere Gyroskope, ein globales Positionierungssystem (GPS) und/oder andere Ortsidentifikationstypfähigkeit und/oder eine Anzeige mit einem höheren Funktionalitätsgrad, wie etwa zum Beispiel eine berührungsempfindliche 2D- oder 3D-Farbanzeige, beinhalten.
  • Wie zuvor vorgeschlagen, können Kommunikationen zwischen einem Rechengerät und/oder einem Netzwerkgerät und einem Drahtlosnetzwerk gemäß bekannten und/oder zu entwickelnden Netzwerkprotokollen sein, einschließlich zum Beispiel Global System for Mobile communications (GSM), Enhanced Data rate for GSM Evolution (EDGE), 802.11 b/g/n/h usw., und/oder Worldwide interoperability for Microwave Access (WiMAX).
  • In 23 kann das Rechengerät 4402 zum Beispiel eine oder mehrere Quellen ausführbarer Computeranweisungen in der Form physischer Zustände und/oder Signale (die z. B. in Speicherzuständen gespeichert werden) bereitstellen. Das Rechengerät 4402 kann mit dem Rechengerät 4404 mittels einer Netzwerkverbindung, wie etwa zum Beispiel über das Netzwerk 4408, kommunizieren. Wie zuvor erwähnt, ist eine Verbindung, obwohl sie physisch ist, möglicherweise nicht greifbar. Obwohl das Rechengerät 4404 aus 23 verschiedene greifbare physische Komponenten zeigt, ist der beanspruchte Gegenstand nicht auf Rechengeräte mit nur diesen greifbaren Komponenten beschränkt, da andere Implementierungen und/oder Ausführungsformen alternative Anordnungen beinhalten können, die zum Beispiel zusätzliche greifbare Komponenten oder weniger greifbare Komponenten umfassen können, die anders funktionieren, während sie ähnliche Ergebnisse erzielen. Vielmehr sind Beispiele lediglich als Veranschaulichungen bereitgestellt. Es ist nicht beabsichtigt, dass der Schutzumfang des beanspruchten Gegenstands auf veranschaulichende Beispiele beschränkt ist.
  • Bei bestimmten Implementierungen können ein oder mehrere der Rechengeräte 4402, 4404 und/oder 4406 einen oder mehrere Leistungswandlerschaltkreise, wie etwa einen oder mehrere hier beschriebene beispielhafte Schaltkreise, beinhalten. Bei bestimmten Implementierungen können Leistungswandlerschaltkreise, wie etwa ein oder mehrere hier beschriebene beispielhafte Schaltkreise, genutzt werden, um Leistung für beliebige eines breiten Bereichs von Schaltkreistypen, Prozessoren, Speichergeräte, Kommunikationsschnittstellen usw. bereitzustellen. Ferner können bei bestimmten Implementierungen ein oder mehrere Rechengeräte 4402, 4404 und/oder 4406 eine Schaltungsanordnung, Prozessoren, Oszillatoren usw. beinhalten, um verschiedene Funktionalitäten und/oder Operationen bezüglich Leistungswandlern bereitzustellen. Natürlich ist der Schutzumfang von Ausführungsformen in dieser Hinsicht beschränkt.
  • Der Speicher 4422 kann einen beliebigen nichtflüchtigen Speicherungsmechanismus umfassen. Der Speicher 4422 kann zum Beispiel einen primären Speicher 4424 und sekundären Speicher 4426 umfassen, zusätzliche Speicherschaltkreise, Mechanismen oder Kombinationen davon können verwendet werden. Der Speicher 4422 kann zum Beispiel einen Direktzugriffsspeicher, Nurlesespeicher usw. umfassen, wie etwa in der Form eines oder mehrerer Speicherungsgeräte und/oder -systeme, wie etwa zum Beispiel ein Disk-Laufwerk einschließlich eines optischen Disc-Laufwerks, ein Bandlaufwerk, ein Festkörperspeicherlaufwerk usw., um nur einige wenige Beispiele zu nennen.
  • Der Speicher 4422 kann genutzt werden, um ein Programm ausführbarer Computeranweisungen zu speichern. Zum Beispiel kann der Prozessor 4420 ausführbare Anweisungen aus dem Speicher abrufen und damit fortfahren, die abgerufenen Anweisungen auszuführen. Der Speicher 4422 kann auch eine Speichersteuerung zum Zugreifen auf ein gerätelesbares Medium 4440 umfassen, das digitalen Inhalt tragen und/oder zugänglich machen kann, der zum Beispiel Code und/oder Anweisungen beinhalten kann, der/die durch den Prozessor 4420 und/oder irgendein anderes Gerät ausführbar ist/sind, wie etwa eine Steuerung als ein Beispiel, die zum Beispiel zum Ausführen von Computeranweisungen in der Lage ist. Unter der Führung des Prozessors 4420 kann ein nichtflüchtiger Speicher, wie etwa Speicherzellen, die physische Zustände (z. B. Speicherzustände) speichern, die zum Beispiel ein Programm aus ausführbaren Computeranweisungen umfassen, durch den Prozessor 4420 ausgeführt werden und dazu in der Lage sein, Signale zu erzeugen, die zum Beispiel über ein Netzwerk kommuniziert werden, wie zuvor beschrieben. Erzeugte Signale können auch in einem Speicher gespeichert werden, wie zuvor vorgeschlagen wurde.
  • Der Speicher 4422 kann elektronische Dateien und/oder elektronische Dokumente, wie etwa bezüglich eines oder mehrerer Benutzer, speichern und kann auch ein computerlesbares Medium umfassen, das Inhalt tragen und/oder zugänglich machen kann, einschließlich zum Beispiel Code und/oder Anweisungen, der/die durch zum Beispiel den Prozessor 4420 und/oder irgendein anderes Gerät, wie etwa eine Steuerung als ein Beispiel, die zum Ausführen von Programmanweisungen in der Lage ist, ausführbar ist/sind. Wie zuvor erwähnt, werden der Ausdruck elektronische Datei und/oder der Ausdruck elektronisches Dokument durch dieses Dokument hinweg verwendet, um auf einen Satz gespeicherter Speicherzustände und/oder einen Satz physischer Signale zu verweisen, die auf eine solche Weise assoziiert sind, dass dadurch eine elektronische Datei und/oder ein elektronisches Dokument gebildet wird. Das heißt, es ist nicht beabsichtigt, implizit eine bestimmte Syntax, ein bestimmtes Format und/oder einen bestimmten Ansatz zu referenzieren, die zum Beispiel mit Bezug auf einen Satz assoziierter Speicherzustände und/oder einen Satz assoziierter physischer Signale verwendet werden. Es wird ferner angemerkt, dass eine Assoziation von Speicherzuständen zum Beispiel in einem logischen Sinn und nicht zwingend in einem greifbaren physischen Sinn sein kann. Obwohl Signal- und/oder Zustandskomponenten einer elektronischen Datei und/oder eines elektronischen Dokuments logisch zu assoziieren sind, kann sich trotzdem eine Speicherung davon bei einer Ausführungsform zum Beispiel an einer oder mehreren unterschiedlichen Stellen in einem greifbaren physischen Speicher befinden.
  • Algorithmische Beschreibungen und/oder symbolbasierte Repräsentationen sind Beispiele für Techniken, die von Durchschnittsfachleuten für Signalverarbeitung und/oder verwandte Techniken verwendet werden, um das Wesen ihrer Arbeit anderen Fachleuten zu vermitteln. Ein Algorithmus wird in dem Kontext der vorliegenden Patentanmeldung und allgemein als eine selbstkonsistente Sequenz von Operationen und/oder eine ähnliche Signalverarbeitung betrachtet, die zu einem gewünschten Ergebnis führt. In dem Kontext der vorliegenden Patentanmeldung involvieren Operationen und/oder eine Verarbeitung eine physische Manipulation physikalischer Quantitäten. Typischerweise können, obwohl dies nicht zwingend ist, solche Quantitäten die Form elektrischer und/oder magnetischer Signale und/oder Zustände annehmen, die dazu in der Lage sind, zum Beispiel gespeichert, transferiert, kombiniert, vergleichen, verarbeitet und/oder anderweitig manipuliert zu werden, da elektronische Signale und/oder Zustände Komponenten verschiedener Formen von digitalem Inhalt, wie etwa Signalmessungen, Text, Bilder, Video, Audio usw., darstellen.
  • Es hat sich manchmal als praktisch erwiesen, hauptsächlich aus Gründen der allgemeinen Verwendung, solche physischen Signale und/oder Zustände als Bits, Werte, Elemente, Parameter, Symbole, Zeichen, Terme, Zahlen, Ziffern, Messungen, Inhalt und/oder dergleichen zu bezeichnen. Es versteht sich jedoch, dass alle dieser und/oder ähnlicher Ausdrücke mit geeigneten physikalischen Quantitäten assoziiert sind und lediglich praktische Beschriftungen sind. Sofern nichts anderes speziell angegeben ist, wie aus der vorhergehenden Erörterung ersichtlich, versteht es sich, dass in dieser gesamten Schrift Erörterungen unter Nutzung von Begriffen wie etwa „Verarbeitung“, „Rechen“, „Berechnung“, „Bestimmung“, „Herstellung“, „Erhalten“, „Identifizieren“, „Auswahl“, „Erzeugung“ und/oder dergleichen auf Handlungen und/oder Prozesse einer speziellen Einrichtung, wie etwa eines Spezialcomputers und/oder eines ähnlichen Spezialrechen- und/oder -netzwerkgeräts, verweisen können. In dem Kontext dieser Schrift ist daher ein Spezialcomputer und/oder ein ähnliches Spezialrechen- und/oder -netzwerkgerät zum Verarbeiten, Manipulieren und/oder Transformieren von Signalen und/oder Zuständen, typischerweise in der Form physikalischer elektronischer und/oder magnetischer Quantitäten, innerhalb von Speichern, Registern und/oder anderen Speicherungsgeräten, Verarbeitungsgeräten und/oder Anzeigegeräten des Spezialcomputers und/oder eines ähnlichen Spezialrechen- und/oder -netzwerkgeräts in der Lage. In dem Kontext dieser bestimmten Patentanmeldung beinhaltet, wie erwähnt, der Begriff „spezielle Einrichtung“ daher ein Allzweckrechen- und/oder -netzwerkgerät, wie etwa einen Allzweckcomputer, sobald er zum Durchführen bestimmter Funktionen, wie etwa in Übereinstimmung mit Programmsoftwareanweisungen, programmiert ist.
  • Unter manchen Umständen kann eine Operation eines Speichergerät, wie etwa zum Beispiel eine Änderung eines Zustands von einer binären Eins zu einer binären Null oder umgekehrt, eine Transformation, wie etwa eine physische Transformation, umfassen. Mit bestimmten Typen von Speichergeräten kann eine solche physische Transformation eine physische Transformation eines Artikels in einen anderen Zustand oder einen anderen Gegenstand umfassen. Zum Beispiel kann, aber ohne Beschränkung, für manche Typen von Speichergeräten eine Änderung eines Zustands eine Akkumulation und/oder Speicherung von Ladung oder eine Freigabe gespeicherter Ladung involvieren. Gleichermaßen kann in anderen Speichergeräten eine Änderung eines Zustands eine physikalische Änderung, wie etwa eine Transformation einer magnetischen Orientierung, umfassen. Gleichermaßen kann eine physische Änderung eine Transformation einer molekularen Struktur umfassen, wie etwa von einer kristallinen Form zu einer amorphen Form oder umgekehrt. Bei noch anderen Speichergeräten kann eine Änderung eines physikalischen Zustands quantenmechanische Phänomene involvieren, wie etwa zum Beispiel Überlagerung, Verschränkung und/oder dergleichen, was Quantenbits (Qbits) involvieren kann. Das Vorhergehende soll keine erschöpfende Liste aller Beispiele sein, in denen eine Änderung eines Zustands von einer binären Eins zu einer binären Null oder umgekehrt in einen Speichergerät eine Transformation, wie etwa eine physikalische, aber nichttransitorische Transformation umfassen kann. Vielmehr ist das Vorhergehende als veranschaulichende Beispiele beabsichtigt.
  • Wieder unter Bezugnahme auf 23 kann der Prozessor 4420 einen oder mehrere Schaltkreise, wie etwa digitale Schaltkreise, zum Durchführen wenigstens eines Teils einer Rechenprozedur und/oder eines Rechenprozesses umfassen. Beispielsweise, aber nicht beschränkend, kann der Prozessor 4420 einen oder mehrere Prozessoren, wie etwa Steuerungen, Mikroprozessoren, Mikrosteuerungen, anwendungsspezifische integrierte Schaltkreise, Digitalsignalprozessoren, programmierbare Logikgeräte, feldprogrammierbare Gatterarrays, dergleichen oder eine beliebige Kombination davon umfassen. Bei verschiedenen Implementierungen und/oder Ausführungsformen kann der Prozessor 4420 eine Signalverarbeitung, typischerweise im Wesentlichen gemäß abgerufenen ausführbaren Computeranweisungen, wie etwa zum Manipulieren von Signalen und/oder Zuständen, zum Konstruieren von Signalen und/oder Zuständen usw., mit Signalen und/oder Zuständen auf eine solche Weise durchführen, dass sie zum Beispiel kommuniziert und/oder in einem Speicher gespeichert werden.
  • 23 veranschaulicht auch ein Gerät 4404 als eine Komponente 4432 beinhaltend, die zum Beispiel mit Eingabe/Ausgabe-Geräten betreibbar ist, so dass Signale und/oder Zustände geeignet zwischen Geräten, wie etwa Gerät 4404 und einem Eingabegerät und/oder Gerät 4404 und einem Ausgabegerät, kommuniziert werden können.
  • In der vorhergehenden Beschreibung wurden verschiedene Aspekte des beanspruchten Gegenstands beschrieben. Zu Erklärungszwecken wurden spezielle Details, wie etwa Mengen, Systeme und/oder Konfigurationen als Beispiele, dargelegt. In anderen Fällen wurden wohlbekannte Merkmale weggelassen und/oder vereinfacht, so dass der beanspruchte Gegenstand nicht verschleiert wird. Obwohl gewisse Merkmale hier veranschaulicht und/oder beschrieben wurden, werden viele Modifikationen, Substitutionen, Änderungen und/oder Äquivalente einem Fachmann nun ersichtlich sein. Es versteht sich daher, dass die angehängten Ansprüche alle Modifikationen und/oder Änderungen abdecken sollen, da sie in den beanspruchten Gegenstand fallen.

Claims (20)

  1. Einrichtung, die Folgendes umfasst: einen Mehrpegelleistungswandler, der mehrere Leistungshalbleitergehäuse umfasst, wobei die mehreren Leistungshalbleitergehäuse einzeln Folgendes umfassen: einen Leistungstransferpfad, der wenigstens einen High-Side-Schalter und einen Low-Side-Schalter umfasst; einen ersten Anschluss, der mit einem ersten Knoten des High-Side-Schalters gekoppelt ist; einen zweiten Anschluss, der mit einem zweiten Knoten des Low-Side-Schalters gekoppelt ist; einen High-Side-Schalter-Anschluss, der mit einem zweiten Knoten des High-Side-Schalters gekoppelt ist; und einen Low-Side-Schalter-Anschluss, der mit einem ersten Knoten des Low-Side-Schalters gekoppelt ist, wobei der High-Side-Schalter-Anschluss und der Low-Side-Schalter-Anschluss separate Anschlüsse umfassen.
  2. Einrichtung nach Anspruch 1, wobei die mehreren Leistungshalbleitergehäuse einzeln ferner Folgendes umfassen: einen High-Side-Treiber, der mit einem Steueranschluss des High-Side-Schalters gekoppelt ist; und einen Low-Side-Treiber, der mit einem Steueranschluss des Low-Side-Schalters gekoppelt ist.
  3. Einrichtung nach Anspruch 2, wobei die mehreren Leistungshalbleitergehäuse einzeln ferner Folgendes umfassen: einen ersten Boot-Versorgungsanschluss, der mit dem High-Side-Treiber gekoppelt ist; und einen zweiten Boot-Versorgungsanschluss, der mit dem Low-Side-Treiber gekoppelt ist, wobei der erste Boot-Versorgungsanschluss separat von dem zweiten Boot-Versorgungsanschluss ist.
  4. Einrichtung nach Anspruch 3, wobei der Mehrpegelleistungswandler ferner Folgendes umfasst: wenigstens einen ersten Boot-Kondensator, der zwischen dem High-Side-Schalter-Anschluss und dem ersten Boot-Versorgungsanschluss für ein jeweiliges wenigstens erstes der mehreren Leistungshalbleitergehäuse gekoppelt ist; und wenigstens einen zweiten Boot-Kondensator, der zwischen dem zweiten Anschluss, der mit dem zweiten Knoten des Low-Side-Schalters gekoppelt ist, und einem zweiten Boot-Versorgungsanschluss für das jeweilige wenigstens erste der mehreren Leistungshalbleitergehäuse gekoppelt ist.
  5. Einrichtung nach Anspruch 1, wobei wenigstens eines der mehreren Leistungshalbleitergehäuse dazu ausgelegt ist, eine Steuerung zum Beeinflussen eines Betriebs der jeweiligen High-Side-Schalter und Low-Side-Schalter der mehreren Leistungshalbleitergehäuse zu beinhalten.
  6. Einrichtung nach Anspruch 5, wobei eine Steuerung eines ersten der mehreren Leistungshalbleitergehäuse dazu ausgelegt ist, wenigstens ein Steuersignal an wenigstens ein anderes der mehreren Leistungshalbleitergehäuse zu liefern.
  7. Einrichtung nach Anspruch 1, wobei ein Mehrpegelleistungswandler eine Mehrpegel-Buck-Anordnung umfasst.
  8. Einrichtung nach Anspruch 7, wobei der erste Anschluss, der mit dem ersten Knoten des High-Side-Schalters für ein erstes der mehreren Leistungshalbleitergehäuse gekoppelt ist, einen Knoten mit höherer Spannung für die Mehrpegel-Buck-Anordnung umfasst.
  9. Einrichtung nach Anspruch 8, wobei für eines oder mehrere der mehreren Leistungshalbleitergehäuse der High-Side-Schalter-Anschluss und der Low-Side-Schalter-Anschluss elektrisch mit einem Knoten mit niedrigerer Spannung für die Mehrpegel-Buck-Anordnung verbunden sind.
  10. Einrichtung, die Folgendes umfasst: einen Reihenkondensatorwandler, der mehrere Leistungshalbleitergehäuse umfasst, wobei die mehreren Leistungshalbleitergehäuse einzeln Folgendes umfassen: einen Leistungstransferpfad, der wenigstens einen High-Side-Schalter und einen Low-Side-Schalter umfasst; einen ersten Anschluss, der mit einem ersten Knoten des High-Side-Schalters gekoppelt ist; einen zweiten Anschluss, der mit einem zweiten Knoten des Low-Side-Schalters gekoppelt ist; einen High-Side-Schalter-Anschluss, der mit einem zweiten Knoten des High-Side-Schalters gekoppelt ist; und einen Low-Side-Schalter-Anschluss, der mit einem ersten Knoten des Low-Side-Schalters gekoppelt ist, wobei der High-Side-Schalter-Anschluss und der Low-Side-Schalter-Anschluss separate Anschlüsse umfassen.
  11. Einrichtung nach Anspruch 10, wobei die mehreren Leistungshalbleitergehäuse einzeln ferner Folgendes umfassen: einen High-Side-Treiber, der mit einem Steueranschluss des High-Side-Schalters gekoppelt ist; und einen Low-Side-Treiber, der mit einem Steueranschluss des Low-Side-Schalters gekoppelt ist.
  12. Einrichtung nach Anspruch 11, wobei die mehreren Leistungshalbleitergehäuse einzeln ferner Folgendes umfassen: einen ersten Boot-Versorgungsanschluss, der mit dem High-Side-Treiber gekoppelt ist; und einen zweiten Boot-Versorgungsanschluss, der mit dem Low-Side-Treiber gekoppelt ist, wobei der erste Boot-Versorgungsanschluss separat von dem zweiten Boot-Versorgungsanschluss ist.
  13. Einrichtung nach Anspruch 12, wobei der Reihenkondensatorwandler ferner Folgendes umfasst: wenigstens einen ersten Boot-Kondensator, der zwischen dem High-Side-Schalter-Anschluss und dem ersten Boot-Versorgungsanschluss für ein jeweiliges wenigstens erstes der mehreren Leistungshalbleitergehäuse gekoppelt ist; und wenigstens einen zweiten Kondensator, der zwischen dem High-Side-Schalter-Anschluss und dem Low-Side-Schalter-Anschluss für das jeweilige wenigstens erste der mehreren Leistungshalbleitergehäuse gekoppelt ist.
  14. Einrichtung nach Anspruch 10, wobei wenigstens eines der mehreren Leistungshalbleitergehäuse dazu ausgelegt ist, eine Steuerung zum Beeinflussen eines Betriebs der jeweiligen High-Side-Schalter und Low-Side-Schalter der mehreren Leistungshalbleitergehäuse zu beinhalten.
  15. Einrichtung nach Anspruch 14, wobei eine Steuerung eines ersten der mehreren Leistungshalbleitergehäuse dazu ausgelegt ist, wenigstens ein Steuersignal an wenigstens ein anderes der mehreren Leistungshalbleitergehäuse zu liefern.
  16. Einrichtung nach Anspruch 10, wobei der Reihenkondensatorwandler eine Mehrphasenreihenkondensator-Buck-Anordnung umfasst.
  17. Einrichtung nach Anspruch 16, die ferner mehrere Induktivitäten umfasst, wobei wenigstens eine Induktivität der mehreren Induktivitäten zwischen den jeweiligen Low-Side-Schalter-Anschlüssen der mehreren Leistungshalbleitergehäuse und einem Knoten mit niedrigerer Spannung gekoppelt ist.
  18. Einrichtung nach Anspruch 17, wobei der erste Anschluss, der mit dem ersten Knoten des High-Side-Schalters für ein erstes der mehreren Leistungshalbleitergehäuse gekoppelt ist, einen Knoten mit höherer Spannung für die Mehrphasenreihenkondensator-Buck-Anordnung umfasst.
  19. Einrichtung nach Anspruch 18, wobei der erste Anschluss, der mit dem ersten Knoten des High-Side-Schalters für ein zweites der mehreren Leistungshalbleitergehäuse gekoppelt ist, elektrisch mit dem High-Side-Schalter-Anschluss eines ersten der mehreren Leistungshalbleitergehäuse gekoppelt ist, und wobei die zweiten Anschlüsse, die mit den zweiten Knoten der Low-Side-Schalter für die jeweiligen mehreren Leistungshalbleitergehäuse gekoppelt sind, elektrisch mit einer Referenzspannungsquelle gekoppelt sind.
  20. Einrichtung, die Folgendes umfasst: ein Gehäuse, das mehrere Anschlüsse beinhaltet, die mit einem oder mehreren Halbleiter-Dies gekoppelt sind, die innerhalb des Gehäuses positioniert sind, wobei der eine oder die mehreren Halbleiter-Dies einen Leistungstransferpfad einschließlich eines High-Side-Schalters und eines Low-Side-Schalters umfassen, und wobei die mehreren Anschlüsse Folgendes umfassen: einen oder mehrere erste Anschlüsse, die mit einem ersten Knoten des High-Side-Schalters gekoppelt sind; einen oder mehrere zweite Anschlüsse, die mit einem zweiten Knoten des Low-Side-Schalters gekoppelt sind; einen oder mehrere High-Side-Schalter-Anschlüsse, die mit einem zweiten Knoten des High-Side-Schalters gekoppelt sind; und einen oder mehrere Low-Side-Schalter-Anschlüsse, die mit einem ersten Knoten des Low-Side-Schalters gekoppelt sind.
DE112022002700.2T 2021-06-24 2022-06-23 Leistungshalbleitergehäuse Pending DE112022002700T5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/357,884 US11916475B2 (en) 2021-06-24 2021-06-24 Power semiconductor package
US17/357,884 2021-06-24
PCT/US2022/073119 WO2022272286A1 (en) 2021-06-24 2022-06-23 Power semiconductor package

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112022002700T5 true DE112022002700T5 (de) 2024-03-14

Family

ID=82701958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112022002700.2T Pending DE112022002700T5 (de) 2021-06-24 2022-06-23 Leistungshalbleitergehäuse

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11916475B2 (de)
KR (1) KR20240035474A (de)
CN (1) CN117837073A (de)
DE (1) DE112022002700T5 (de)
WO (1) WO2022272286A1 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115136495A (zh) * 2020-02-19 2022-09-30 罗姆股份有限公司 栅极驱动器
US20230308467A1 (en) * 2022-03-24 2023-09-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Home Gateway Monitoring for Vulnerable Home Internet of Things Devices

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5205083B2 (ja) * 2008-03-07 2013-06-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電源装置
TW201001147A (en) * 2008-06-20 2010-01-01 Richtek Technology Corp Multi-chip module for providing power supply circuitry and voltage regulator using the same
US8743553B2 (en) * 2011-10-18 2014-06-03 Arctic Sand Technologies, Inc. Power converters with integrated capacitors
JP5529347B2 (ja) * 2012-04-26 2014-06-25 三菱電機株式会社 ３レベル電力変換装置
US20140070627A1 (en) * 2012-09-07 2014-03-13 International Rectifier Corporation Integrated Group III-V Power Stage
US9653986B2 (en) * 2013-03-15 2017-05-16 Maxim Integrated Products, Inc. Multi-level step-up converter topologies, control and soft start systems and methods
EP3544168B1 (de) * 2018-03-21 2023-08-23 Infineon Technologies Austria AG Schaltungsanordnung, umverteilerplatte, modul und verfahren zur herstellung einer halbbrückenschaltung
CN112868168B (zh) * 2018-10-22 2024-04-02 株式会社村田制作所 三电平转换器
US10802518B1 (en) * 2019-07-16 2020-10-13 Dell Products, L.P. Power stage with vertical integration for high-density, low-noise voltage regulators

Also Published As

Publication number Publication date
US20220416663A1 (en) 2022-12-29
WO2022272286A1 (en) 2022-12-29
CN117837073A (zh) 2024-04-05
US11916475B2 (en) 2024-02-27
KR20240035474A (ko) 2024-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112022002700T5 (de) Leistungshalbleitergehäuse
DE112017008244B4 (de) Architektur mit geringen verlusten für supraleitende qubit-schaltkreise
DE102019104182A1 (de) Integration von dotierstffatomen im wassermassstab für donator- oder akzeptor-basierte spin-qubits
DE112016007504T5 (de) Integriertes Schaltungs-Bauelement mit zinnenartigem Metall-Leiterbahn-Layout
DE102020102335A1 (de) Radiofrequenz-front-end-strukturen
DE102019104175A1 (de) Donator- oder Akzeptor-basierte Spin-Qubits mit isotopisch gereinigten Materialien
DE112013006978B4 (de) Integrierte thermoelektrische Kühlung
US20220103066A1 (en) Power converter
DE112011106068B4 (de) MEMS auf Rückseite von Bulk-Silizium
DE112013007061T5 (de) Monolithische dreidimensionale (3D) ICS mit örtlichen ebenenübergreifenden Zwischenverbindungen
DE202014011554U1 (de) Vorrichtungen für mehrschwellige Spannung sowie zugehörige Konfigurationen
DE112015006959T5 (de) Verfahren zum bilden rückseitiger selbstausgerichteter durchkontaktierungen und dadurch gebildete strukturen
DE102014017506A1 (de) Komplementäre Tunnel-FET-Geräte und Verfahren zur Erstellung derselben
DE112011105926T5 (de) Belastungskompensation in Transistoren
DE112019002560T5 (de) Vorrichtung, verfahren und system zum bereitstellen eines verzögerten taktsignals an eine schaltung für sperrdaten
DE102020103517A1 (de) Gate-All-Around-Strukturen für integrierte Schaltungen mit Source- oder Drain-Strukturen mit epitaktischen Noppen
DE102013108614A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
DE102020127728A1 (de) Strukturen integrierter schaltungen mit rückseitigen durchkontaktierungen
DE102020114103A1 (de) Kanalbildung für dreidimensionale transistoren
DE112015007221T5 (de) Transistor mit einem dielektrischen Unterrippenbereich unter einem Gate
DE112019002313T5 (de) Mehrfachterminalinduktoren für spannungsregler
DE112017007523T5 (de) Erstellen eines computersystems
DE102021121877A1 (de) Aktive impulsformung zur steuerung mehrerer qubits mit einem gemeinsam verwendeten kanal
DE112013006514T5 (de) Integrierte, kondensatorbasierte Energieverteilung
DE102021121330A1 (de) Erweiterung von nanokammtransistoranordnungen zur implementierung eines rundum verlaufenden gates

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: MURATA MANUFACTURING CO., LTD., NAGAOKAKYO-SHI, JP

Free format text: FORMER OWNER: PSEMI CORPORATION, SAN DIEGO, CA, US

R082 Change of representative

Representative=s name: MURGITROYD GERMANY PATENTANWALTSGESELLSCHAFT M, DE