DE112021006817T5 - Halbleiterbauteil - Google Patents

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DE112021006817T5
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Kenji Fujii
Taro Nishioka
Shinya Hikita
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Rohm Co Ltd
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Abstract

Ein Halbleiterbauteil weist Anschlüsse auf, von denen jeder eine Vorderfläche hat, die in eine Dickenrichtung weist und sich in einer ersten Richtung erstreckt, die die Dickenrichtung kreuzt, ein Halbleiterelement, das Elektroden aufweist, die mit den Vorderflächen der Anschlüsse verbunden sind, und ein Dichtungsharz, das die Anschlüsse und das Halbleiterbauteil bedeckt. Das Dichtungsharz weist eine Unterseite auf, die dem Halbleiterelement in Bezug auf die Anschlüsse in Dickenrichtung gegenüberliegt. Die Anschlüsse sind in einer zweiten Richtung orthogonal zur Dickenrichtung und zur ersten Richtung voneinander getrennt. Jeder Anschluss weist eine erste Rückfläche, eine zweite Rückfläche und eine zurückgesetzte Fläche auf, die in Dickenrichtung von der Vorderfläche weg weist. Die erste und die zweite Rückfläche sind voneinander getrennt, wobei die zurückgesetzte Fläche in der ersten Richtung dazwischen liegt und an der Harz-Unterseite freiliegt. Die zurückgesetzte Fläche ist mit dem Dichtungsharz abgedeckt.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Halbleiterbauteil.
  • ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
  • Ein QFN (Quad For Non-Lead Package) ist als ein Gehäusetyp eines Halbleiterbauteils bekannt. Patentdokument 1 offenbart ein Beispiel für ein solches Halbleiterbauteil vom Typ QFN.
  • Das offenbarte Halbleiterbauteil hat eine Vielzahl von Anschlüssen, und die Stirn- bzw. Endfläche jedes Anschlusses ist so freigelegt, dass sie mit der Seitenfläche des Dichtungsharzes (Gehäuse) bündig ist. Die Rückfläche jedes Anschlusses liegt so frei, dass sie mit der Unterseite des Dichtungsharzes bündig ist. Mit einer derartigen Ausgestaltung kann das Halbleiterbauteil kompakt gestaltet werden und die Montagefläche auf einer Leiterplatte im Vergleich zu einem QFP-Typ (Quad Flat Package), bei dem die Anschlüsse aus der Seitenfläche des Dichtungsharzes herausragen, verringert werden.
  • In dem in Patentdokument 1 offenbarten Halbleiterbauteil tragen die Anschlüsse das Halbleiterelement. Wie in 4 des Patentdokuments gezeigt, ist die Rückfläche 102 jedes Anschlusses 10 in der Richtung x verlängert und direkt unter dem Halbleiterelement angeordnet. Daher konzentriert sich die vom Halbleiterelement erzeugte Wärme durch die Anschlüsse 10 auf den Bereich direkt unterhalb des Halbleiterelements und wird über diesen Bereich abgeleitet. Dies kann zu einer ungleichmäßigen Wärmeableitung aus der Halbleiterbauteil führen. Die Rückflächen 102 der Anschlüsse 10 sind in y-Richtung nebeneinander angeordnet. Wenn ein solches Halbleiterbauteil auf eine Leiterplatte montiert wird, kann es zu einer ungleichmäßigen elektrischen Leitung zwischen benachbarten Rückflächen 102 (d. h. Anschlüssen 10) kommen. Um ein solches Versagen zu vermeiden, muss ein großer Abstand zwischen benachbarten Rückflächen 102 bereitgestellt werden. Dies behindert die Verkleinerung der Halbleiterbauteile.
  • DOKUMENT ZUM STAND DER TECHNIK
  • Patentdokument
  • Patentdokument 1: JP-A-2020-77694
  • KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Aufgabe, die durch die Erfindung gelöst werden soll
  • In Anbetracht der obigen Umstände ist es eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, ein Halbleiterbauteil bereitzustellen, das geeignet ist, eine gleichmäßige Wärmeableitung zu erreichen und die Zuverlässigkeit der Montage zu verbessern.
  • Mittel zur Lösung des Problems
  • Das gemäß der vorliegenden Offenbarung bereitgestellte Halbleiterbauteil weist auf: eine Vielzahl von ersten Anschlüssen, die jeweils eine erste Vorderfläche aufweisen, die einer ersten Seite in einer Dickenrichtung zugewandt ist und sich in einer ersten Richtung orthogonal zur Dickenrichtung erstreckt; ein Halbleiterelement, das eine Vielzahl von ersten Elektroden aufweist, die mit den ersten Vorderflächen der Vielzahl von ersten Anschlüssen verbunden sind; und ein Dichtungsharz, das die Vielzahl von ersten Anschlüssen und das Halbleiterelement abgedeckt bzw. bedeckt. Das Dichtungsharz weist eine Harz-Unterseite auf, die auf der gegenüberliegenden Seite des Halbleiterelements in Bezug auf die Vielzahl der ersten Anschlüsse in Dickenrichtung angeordnet ist. Die Vielzahl der ersten Anschlüsse sind in einer zweiten Richtung orthogonal zur Dickenrichtung und zur ersten Richtung voneinander beabstandet. Jeder der Vielzahl von ersten Anschlüssen weist eine erste Rückfläche, eine zweite Rückfläche und eine erste zurückgesetzte bzw. ausgenommene Fläche auf, die von der ersten Vorderfläche des ersten Anschlusses in Dickenrichtung abgewandt sind bzw. weg weisen. Die erste Rückfläche und die zweite Rückfläche sind mit der ersten zurückgesetzten Fläche dazwischen in der ersten Richtung voneinander beabstandet, und an der Harz-Unterseite freiliegend. Die erste zurückgesetzte Fläche ist mit dem Dichtungsharz abgedeckt/bedeckt.
  • Vorteile der Erfindung
  • Gemäß der obigen Ausgestaltung weist das Halbleiterbauteil eine verbesserte Wärmeableitung auf und kann ordnungsgemäß montiert werden.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung ergeben sich aus der nachstehend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen dargelegten detaillierten Beschreibung.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 2 ist eine Draufsicht auf das in 1 gezeigte Halbleiterbauteil (durch ein Dichtungsharz gesehen).
    • 3 ist eine Draufsicht auf das in 1 gezeigte Halbleiterbauteil (durch ein Halbleiterelement und das Dichtungsharz hindurch gesehen).
    • 4 ist eine Ansicht von unten auf das in 1 gezeigte Halbleiterbauteil.
    • 5 ist eine Vorderansicht des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 6 ist eine Rückansicht des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 7 ist eine rechte Seitenansicht des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 8 ist eine linke Seitenansicht des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 9 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von 3.
    • 10 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von 3.
    • 11 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XI-XI in 3.
    • 12 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XII-XII in 3.
    • 13 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XIII-XIII in 3.
    • 14 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XIV-XIV in 3.
    • 15 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XV-XV in 3.
    • 16 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 17 ist eine Draufsicht auf das in 16 gezeigte Halbleiterbauteil (durch ein Dichtungsharz gesehen).
    • 18 ist eine Draufsicht auf das in 16 gezeigte Halbleiterbauteil (durch ein Halbleiterelement und das Dichtungsharz hindurch gesehen).
    • 19 ist eine Ansicht von unten auf das in 16 gezeigte Halbleiterbauteil.
    • 20 ist eine Vorderansicht des in 16 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 21 ist eine Rückansicht der in 16 gezeigten Halbleiterbauteile.
    • 22 ist eine rechte Seitenansicht des in 16 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 23 ist eine linke Seitenansicht des in 16 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 24 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XXIV-XXIV in 18.
    • 25 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XXV-XXV in 18.
    • 26 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XXVI-XXVI in 18.
    • 27 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XXVII-XXVII in 18.
    • 28 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XXVIII-XXVIII in 18.
  • MODUS ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG
  • Im Folgenden werden bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher beschrieben.
  • In der vorliegenden Offenbarung werden Begriffe wie „erster“, „zweiter“ und „dritter“ lediglich als Bezeichnungen verwendet und sind nicht dazu gedacht, den Gegenständen, auf die sich diese Begriffe beziehen, Ordnungs-/Reihenfolgeanforderungen aufzuerlegen.
  • In der vorliegenden Offenbarung schließen die Ausdrücke „ein Objekt A ist in einem Objekt B gebildet“ und „ein Objekt A ist auf einem Objekt B gebildet“, sofern nicht anders angegeben, „ein Objekt A ist direkt in/auf dem Objekt B gebildet“ und „ein Objekt A ist in/auf dem Objekt B gebildet, wobei ein anderes Objekt zwischen dem Objekt A und dem Objekt B eingefügt ist“ mit ein. Ebenso schließen die Ausdrücke „ein Objekt A ist in einem Objekt B angeordnet“ und „ein Objekt A ist auf einem Objekt B angeordnet“, sofern nicht anders angegeben, „ein Objekt A ist direkt in/auf dem Objekt B angeordnet“ und „ein Objekt A ist in/auf dem Objekt B angeordnet, wobei ein anderes Objekt zwischen dem Objekt A und dem Objekt B angeordnet ist“ mit ein. Ebenso schließt der Ausdruck „ein Objekt A ist auf einem Objekt B angeordnet“, sofern nicht anders angegeben, „ein Objekt A ist auf einem Objekt B in Kontakt mit dem Objekt B angeordnet“ und „ein Objekt A ist auf einem Objekt B angeordnet, wobei ein anderes Objekt zwischen dem Objekt A und dem Objekt B angeordnet ist“ mit ein. Auch schließt der Ausdruck „ein Objekt A überlappt mit einem Objekt B in einer bestimmten Richtung gesehen“, sofern nicht anders angegeben, „ein Objekt A überlappt mit der Gesamtheit eines Objekts B“ und „ein Objekt A überlappt mit einem Abschnitt eines Objekts B“ mit ein.
  • Ein Halbleiterbauteil A10 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird im Folgenden unter Bezugnahme auf die 1 bis 15 beschrieben. Das Halbleiterbauteil A10 weist eine Vielzahl von ersten Anschlüssen 10, eine Vielzahl von zweiten Anschlüssen 20, eine Vielzahl von dritten Anschlüssen 25, eine Vielzahl von Anschlüssen 26, einen vierten Anschluss 27, ein Halbleiterelement 30 und ein Dichtungsharz 40 auf. Wie in 1 gezeigt, ist der Gehäusetyp der Halbleiterbauteile A10 ein QFN. Das Halbleiterelement 30 ist ein LSI vom Flip-Chip-Typ, das eine Schaltung 321 („schaltende Schaltung“) („switching circuit“) und eine Steuerschaltung 322 („control circuit“) enthält. In dem Halbleiterbauteil A10 wird Gleichstrom-Leistung („DC power“) (Spannung) durch die Schaltung 321 in Wechselstrom-Leistung („AC power“) (Spannung) gewandelt. Das Halbleiterbauteil A10 kann z. B. als Element einer DC/DC-Wandlerschaltung („DC/DC converter circuit“) verwendet werden. Zum besseren Verständnis ist das Dichtungsharz 40 in 2 transparent dargestellt, und das Halbleiterelement 30 und das Dichtungsharz 40 sind in 3 transparent dargestellt. In diesen Figuren sind die Umrisse des Halbleiterelements 30 und des Dichtungsharzes 40, die transparent dargestellt sind, durch gedachte Linien (Zweipunktkettenlinien) angezeigt.
  • In der Beschreibung des Halbleiterbauteils A10 wird die Dickenrichtung des ersten Anschlusses 10 als „Dickenrichtung z“ definiert. Eine Richtung orthogonal zur Dickenrichtung z wird als „erste Richtung x“ bezeichnet. Die Richtung, die orthogonal zur Dickenrichtung z und zur ersten Richtung x verläuft, wird als „zweite Richtung y“ bezeichnet. Wie in den 1 und 2 gezeigt, ist das Halbleiterbauteil A10 in Dickenrichtung z gesehen (d.h. in Draufsicht) rechteckig.
  • Die ersten Anschlüsse 10, die zweiten Anschlüsse 20, die dritten Anschlüsse 25, die Anschlüsse 26 und der vierte Anschluss 27 tragen, wie in 2 gezeigt, das Halbleiterelement 30 und dienen als Terminals zur Befestigung des Halbleiterbauteils A10 an einer Leiterplatte. Wie in den 11 bis 15 gezeigt, ist jeder der ersten Anschlüsse 10, der zweiten Anschlüsse 20, der dritten Anschlüsse 25, der Anschlüsse 26 und des vierten Anschlusses 27 teilweise mit dem Dichtungsharz 40 abgedeckt. Die ersten Anschlüsse 10, die zweiten Anschlüsse 20, die dritten Anschlüsse 25, die Anschlüsse 26 und der vierte Anschluss 27 sind aus demselben Anschlussrahmen („lead frame“) gebildet. Das Material, aus dem der Anschlussrahmen besteht, kann beispielsweise Kupfer (Cu) oder eine Kupferlegierung sein.
  • Wie in den 3 und 4 gezeigt, erstreckt sich jeder der ersten Anschlüsse 10 in der ersten Richtung x. Die ersten Anschlüsse 10 sind in vorgegebenen Abständen in der zweiten Richtung y angeordnet. Jeder der ersten Anschlüsse 10 ist ein Eingangs-Terminal, das Gleichstrom-Leistung (Spannung) empfängt, der in dem Halbleiterbauteil A10 gewandelt werden soll. Bei den ersten Anschlüssen 10 handelt es sich um eine positive Elektrode (P Terminal).
  • Wie in den 11, 12 und 14 gezeigt, hat jeder der ersten Anschlüsse 10 eine erste Vorderfläche 101, eine erste Rückfläche 102, eine zweite Rückfläche 103, eine erste zurückgesetzte bzw. ausgenommene Fläche 104, eine erste Stirnfläche 105 und eine zweite Stirnfläche 106. Die erste Vorderfläche 101 ist einer ersten Seite in Dickenrichtung z zugewandt und liegt dem Halbleiterelement 30 gegenüber. Die erste Vorderfläche 101 ist mit dem Dichtungsharz 40 abgedeckt. Das Halbleiterelement 30 wird auf der ersten Vorderfläche 101 getragen.
  • Die erste Rückfläche 102, die zweite Rückfläche 103 und die erste zurückgesetzte Fläche 104 sind von der ersten Vorderfläche 101 abgewandt (d.h. sie sind in Dickenrichtung z einer zweiten Seite zugewandt). Die erste Rückfläche 102 und die zweite Rückfläche 103 sind in der ersten Richtung x voneinander beabstandet, mit der ersten zurückgesetzten Fläche 104 dazwischen angeordnet, und liegen vom Dichtungsharz 40 frei. Die erste zurückgesetzte Fläche 104 ist von der ersten Rückfläche 102 und der zweiten Rückfläche 103 zur ersten Seite in Dickenrichtung z hin versetzt und näher an der ersten Vorderfläche 101 angeordnet als die erste Rückfläche 102 und die zweite Rückfläche 103. Die erste zurückgesetzte Fläche 104 ist mit dem Dichtungsharz 40 abgedeckt. Die erste Stirnfläche 105 ist mit der ersten Vorderfläche 101 und der ersten Rückfläche 102 verbunden und einer ersten Seite in der ersten Richtung x zugewandt. Die zweite Stirnfläche 106 ist mit der ersten Vorderfläche 101 und der ersten Rückfläche 102 verbunden und einer zweiten Seite in der ersten Richtung x zugewandt. Die erste Stirnfläche 105 und die zweite Stirnfläche 106 sind vom Dichtungsharz 40 freigelegt.
  • Wie in den 12 und 14 gezeigt, weist jeder erste Anschluss 10 einen ersten Terminal-Abschnitt 11, einen zweiten Terminal-Abschnitt 12 und einen ersten Hauptabschnitt 13 auf. Der erste Terminal-Abschnitt 11 definiert einen Teil der ersten Vorderfläche 101, der ersten Rückfläche 102 und der ersten Stirnfläche 105 und überlappt mit der ersten Rückfläche 102 in Dickenrichtung z gesehen. (Mit anderen Worten, der erste Terminal-Abschnitt 11 bildet einen Teil der ersten Vorderfläche 101, der ersten Rückfläche 102 und der ersten Stirnfläche 105). Der zweite Terminal-Abschnitt 12 definiert einen Teil der ersten Vorderfläche 101, der zweiten Rückfläche 103 und der zweiten Stirnfläche 106 und überlappt mit der zweiten Rückfläche 103 in Dickenrichtung z gesehen. (Mit anderen Worten, der zweite Terminal-Abschnitt 12 bildet einen Teil der ersten Vorderfläche 101, der zweiten Rückfläche 103 und der zweiten Stirnfläche 106). Der erste Hauptabschnitt 13 definiert einen Teil der ersten Vorderfläche 101 und der ersten zurückgesetzten Fläche 104 und überlappt sich mit der ersten zurückgesetzten Fläche 104 in Dickenrichtung z gesehen. Der erste Terminal-Abschnitt 11 und der zweite Terminal-Abschnitt 12 sind mit gegenüberliegende/entgegengesetzten Enden des ersten Hauptabschnitts 13 in der ersten Richtung x verbunden. Wie in 9 gezeigt, ist die Abmessung L1 des ersten Terminal-Abschnitts 11 in der zweiten Richtung y größer als die Abmessung L3 des ersten Hauptabschnitts 13 in der zweiten Richtung y. Außerdem ist, wie in 10 gezeigt, die Abmessung L2 des zweiten Terminal-Abschnitts 12 in der zweiten Richtung y größer als die Abmessung L3 des ersten Hauptabschnitts 13 in der zweiten Richtung y.
  • In jedem der ersten Anschlüsse 10 kann die erste Vorderfläche 101, auf der das Halbleiterelement 30 getragen wird, z.B. mit Silber (Ag) beschichtet/plattiert sein. Die erste Rückfläche 102, die zweite Rückfläche 103, die erste Stirnfläche 105 und die zweite Stirnfläche 106, die aus dem Dichtungsharz 40 herausragen, können z.B. mit Zinn (Sn) beschichtet/plattiert sein. Anstelle der Zinnplattierung kann auch eine Plattierung mit Nickel (Ni), Palladium (Pd) und Gold (Au) in dieser Reihenfolge ausgeführt werden, um ein Laminat aus Metallplattierungsschichten zu bilden.
  • Wie in den 3 und 4 gezeigt, erstreckt sich jeder der zweiten Anschlüsse 20 in der ersten Richtung x. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind die zweiten Anschlüsse 20 in vorbestimmten Abständen in der zweiten Richtung y angeordnet. Jeder der zweiten Anschlüsse 20 ist zwischen einem Paar von ersten Anschlüssen 10 angeordnet, die in der zweiten Richtung y aneinandergrenzen. Die ersten Anschlüsse 10 und die zweiten Anschlüsse 20 sind abwechselnd in der zweiten Richtung y angeordnet. Jeder der zweiten Anschlüsse 20 gibt die durch die Schaltung 321 im Halbleiterelement 30 gewandelte Wechselstrom-Leistung (Spannung) aus.
  • Wie in den 11 und 13 gezeigt, weist jeder der zweiten Anschlüsse 20 eine zweite Vorderfläche 201, eine dritte Rückfläche 202, eine zweite zurückgesetzte/ausgenommene Fläche 203, eine dritte zurückgesetzte 204, eine vierte zurückgesetzte 205 (siehe auch 4), eine dritte Stirnfläche 206 und eine vierte Stirnfläche 207 auf. Die zweite Vorderfläche 201 ist der gleichen Seite wie die erste Vorderfläche 101 des ersten Anschlusses 10 in Dickenrichtung z zugewandt und liegt dem Halbleiterelement 30 gegenüber. Die zweite Vorderfläche 201 ist mit dem Dichtungsharz 40 abgedeckt. Das Halbleiterelement 30 wird auf der zweiten Vorderfläche 201 getragen.
  • Die dritte Vorderfläche 202, die zweite zurückgesetzte Fläche 203, die dritte zurückgesetzte Fläche 204 und die vierte zurückgesetzte Fläche 205 sind von der zweiten Vorderfläche 201 abgewandt (d.h. sie sind in Dickenrichtung z der zweiten Seite zugewandt). Die zweite zurückgesetzte Fläche 203 und die dritte zurückgesetzte Fläche 204 sind in der ersten Richtung x voneinander beabstandet, mit der dritten Rückfläche 202 dazwischen angeordnet. Die zweite zurückgesetzte Fläche 203 und die dritte zurückgesetzte Fläche 204 sind von der dritten Rückfläche 202 zur ersten Seite in Dickenrichtung z hin versetzt und näher an der zweiten Vorderfläche 201 angeordnet als die dritte Rückfläche 202. Die zweite zurückgesetzte Fläche 203 und die dritte zurückgesetzte Fläche 204 sind mit dem Dichtungsharz 40 abgedeckt. Die dritte Rückfläche 202 ist in der ersten Richtung x zwischen der zweiten zurückgesetzten Fläche 203 und der dritten zurückgesetzten Fläche 204 angeordnet und vom Dichtungsharz 40 freigelegt. Die vierte zurückgesetzte Fläche 205 ist von der dritten Rückfläche 202 in Richtung der ersten Seite in Dickenrichtung z versetzt und näher an der zweiten Vorderfläche 201 angeordnet als die dritte Rückfläche 202. Die vierte zurückgesetzte Fläche 205 ist mit dem Dichtungsharz 40 abgedeckt. Die dritte Stirnfläche 206 ist mit der zweiten Vorderfläche 201 und der zweiten zurückgesetzten Fläche 203 verbunden und ist der ersten Seite in der ersten Richtung x zugewandt. Die vierte Stirnfläche 207 ist mit der zweiten Vorderfläche 201 und der dritten zurückgesetzten Fläche 204 verbunden und ist der zweiten Seite in der ersten Richtung x zugewandt. Die dritte Stirnfläche 206 und die vierte Stirnfläche 207 sind vom Dichtungsharz 40 freigelegt.
  • Wie in den 11 und 13 gezeigt, weist jeder zweite Anschluss 20 einen dritten Terminal-Abschnitt 21, einen zweiten Hauptabschnitt 22, einen dritten Hauptabschnitt 23 und einen vorstehenden Abschnitt 24 auf. Der dritte Terminal-Abschnitt 21 definiert einen Teil der zweiten Vorderfläche 201 und der dritten Rückfläche 202 und überlappt mit der dritten Rückfläche 202 in Dickenrichtung z gesehen. Der zweite Hauptabschnitt 22 definiert einen Teil der zweiten Vorderfläche 201, der zweiten zurückgesetzten Fläche 203 und der dritten Stirnfläche 206 und überlappt mit der zweiten zurückgesetzten Fläche 203 in Dickenrichtung z gesehen. Der dritte Hauptabschnitt 23 definiert einen Teil der zweiten Vorderfläche 201, der dritten zurückgesetzten Fläche 204 und der vierten Stirnfläche 207 und überlappt mit der dritten zurückgesetzten Fläche 204 in Dickenrichtung z gesehen. Der zweite Hauptabschnitt 22 und der dritte Hauptabschnitt 23 sind mit gegenüberliegenden/entgegengesetzten Enden des dritten Terminal-Abschnitts 21 in der ersten Richtung x verbunden. Wie in 11 gezeigt, bildet der vorstehende Abschnitt 24 einen Teil der zweiten Vorderfläche 201 und der vierten zurückgesetzten Fläche 205 und ragt vom dritten Terminal-Abschnitt 21 in die zweiten Richtung y vor. Bei der vorliegenden Ausführungsform hat der vorstehende Abschnitt 24 zwei Teile, die von gegenüberliegenden Enden des dritten Terminal-Abschnitts 21 in die zweiten Richtung y vor-/abstehen und den dritten Terminal-Abschnitt 21 in der zweiten Richtung y flankieren.
  • Wie in den Figuren wie den 3 und 4 gezeigt, ist in jedem der zweiten Anschlüsse 20 der dritte Terminal-Abschnitt 21 in der Mitte des zweiten Anschlusses 20 in der ersten Richtung x angeordnet. In der zweiten Richtung y gesehen überlappen die dritten Terminal-Abschnitte 21 weder mit den ersten Terminal-Abschnitten 11 noch mit den zweiten Terminal-Abschnitten 12 der ersten Anschlüsse 10.
  • In jedem der zweiten Anschlüsse 20 kann die zweite Vorderfläche 201, auf der das Halbleiterelement 30 getragen wird, z.B. mit Silber plattiert sein. Die dritte Rückfläche 202, die dritte Stirnfläche 206 und die vierte Stirnfläche 207, die vom Dichtungsharz 40 freigelegt sind, können z.B. mit Zinn plattiert/beschichtet sein. Anstelle der Zinnplattierung kann auch eine Plattierung mit Nickel, Palladium und Gold in dieser Reihenfolge ausgeführt werden, um ein Laminat aus Metallplattierungsschichten zu bilden.
  • Wie in 3 dargestellt, sind die dritten Anschlüsse 25 an der ersten Seite der ersten Anschlüsse 10 in der zweiten Richtung y angeordnet. Jeder der dritten Anschlüsse 25 empfängt eine Leistung (Spannung), um die Steuerschaltung 322 zu anzusteuern, oder ein elektrisches Signal zur Übertragung an die Steuerschaltung 322. Wie in den 3, 4 und 11 dargestellt, hat jeder der dritten Anschlüsse 25 eine dritte Vorderfläche 251, eine vierte Rückfläche 252 und eine fünfte Stirnfläche 253. Die dritte Vorderfläche 251 ist der gleichen Seite zugewandt wie die erste Vorderfläche 101 des ersten Anschlusses 10 in Dickenrichtung z und liegt dem Halbleiterelement 30 gegenüber. Die dritte Vorderfläche 251 ist mit dem Dichtungsharz 40 abgedeckt. Das Halbleiterelement 30 wird auf der dritten Vorderfläche 251 getragen. Die vierte Rückfläche 252 ist von der dritten Vorderfläche 251 abgewandt (das heißt, sie ist der zweiten Seite in Dickenrichtung z zugewandt). Die vierte Rückfläche 252 ist vom Dichtungsharz 40 freigelegt. Die fünfte Stirnfläche 253 ist mit der dritten Vorderfläche 251 und der vierten Rückfläche 252 verbunden und weist in der zweiten Richtung y auf die erste Seite/ist in der zweiten Richtung Y der ersten Seite zugewandt. Die fünfte Stirnfläche 253 ist gegenüber dem Dichtungsharz 40 freigelegt. Wie in 8 gezeigt, sind die fünften Stirnflächen 253 des dritten Anschlusses 25 in vorgegebenen Abständen entlang der ersten Richtung x angeordnet.
  • In jedem der dritten Anschlüsse 25 kann die dritte Vorderfläche 251, auf der das Halbleiterelement 30 getragen wird, z.B. mit Silber beschichtet/plattiert sein. Die vierte Rückfläche 252 und die fünfte Stirnfläche 253, die vom Dichtungsharz 40 freigelegt sind, können z. B. mit Zinn plattiert sein. Anstelle der Zinnplattierung kann auch eine Plattierung mit Nickel, Palladium und Gold in dieser Reihenfolge ausgeführt werden, um ein Laminat aus Metallplattierungsschichten zu bilden.
  • Wie in 3 gezeigt, sind die Anschlüsse 26 zwischen den ersten Anschlüssen 10 und den dritten Anschlüssen 25 in der zweiten Richtung y angeordnet. Einige der Anschlüsse 26 sind von den übrigen Anschlüssen 26 in der ersten Richtung x beabstandet. Jeder der Anschlüsse 26 empfängt ein elektrisches Signal zur Übertragung an die Steuerschaltung 322. Wie in den 3, 4 und 15 dargestellt, hat jeder der Anschlüsse 26 eine Vorderfläche 261, eine Rückfläche 262 und eine Stirnfläche 263. Die Vorderfläche 261 ist der gleichen Seite zugewandt wie die erste Vorderfläche 101 des ersten Anschlusses 10 in Dickenrichtung z und liegt dem Halbleiterelement 30 gegenüber. Die Vorderfläche 261 ist mit dem Dichtungsharz 40 abgedeckt. Das Halbleiterelement 30 wird auf der Vorderfläche 261 getragen. Die Rückfläche 262 ist von der Vorderfläche 261 abgewandt (das heißt, sie ist der zweiten Seite in Dickenrichtung z zugewandt). Die Rückfläche 262 ist vom Dichtungsharz 40 freigelegt. Die Stirnfläche 263 ist mit der Vorderfläche 261 und der Rückfläche 262 verbunden und weist in der zweiten Richtung y auf die erste oder zweite Seite. Die Stirnfläche 263 ist vom Dichtungsharz 40 freigelegt. Wie in den 5 und 6 gezeigt, sind die Stirnflächen 263 mit den ersten Stirnflächen 105 (oder den zweiten Stirnflächen 106) der ersten Anschlüsse 10 und den dritten Stirnflächen 206 (oder den vierten Stirnflächen 207) der zweiten Anschlüsse 20 entlang der zweiten Richtung y ausgerichtet.
  • In jedem der Anschlüsse 26 kann die Vorderfläche 261, auf der das Halbleiterelement 30 getragen wird, z.B. mit Silber beschichtet/plattiert sein. Die Rückfläche 262 und die Stirnfläche 263, die vom Dichtungsharz 40 freigelegt sind, können beispielsweise mit Zinn beschichtet/plattiert sein. Anstelle der Zinnplattierung kann auch eine Plattierung mit Nickel, Palladium und Gold in dieser Reihenfolge ausgeführt sein, um ein Laminat aus Metallplattierungsschichten zu bilden.
  • Wie in 3 gezeigt, ist der vierte Anschluss 27 an der zweiten Seite der ersten Anschlüsse 10 in der zweiten Richtung y angeordnet. Der vierte Anschluss 27 ist ein Eingangs-Terminal, das Gleichstrom-Leistung (Spannung) empfängt, der in dem Halbleiterbauteil A10 gewandelt werden soll. Der vierte Anschluss 27 ist eine negative Elektrode (N Terminal).
  • Wie in den 3, 4 und 11 gezeigt, hat der vierte Anschluss 27 eine vierte Vorderfläche 271, eine fünfte Rückfläche 272, eine fünfte zurückgesetzte Fläche 273 und eine Vielzahl von sechsten Stirnflächen 274. Die vierte Vorderfläche 271 ist der gleichen Seite wie die erste Vorderfläche 101 des ersten Anschlusses 10 in Dickenrichtung z zugewandt und liegt dem Halbleiterelement 30 gegenüber. Die vierte Vorderfläche 271 ist mit dem Dichtungsharz 40 abgedeckt. Das Halbleiterelement 30 wird auf der vierten Vorderfläche 271 getragen.
  • Die fünfte Vorderfläche 272 und die fünfte zurückgesetzte Fläche 273 sind von der vierten Vorderfläche 271 abgewandt (das heißt, sie sind in Dickenrichtung z der zweiten Seite zugewandt). Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die fünfte Rückfläche 272 in eine Vielzahl von Bereichen unterteilt, die in der ersten Richtung x voneinander beabstandet sind. Im vierten Anschluss 27 ist die fünfte zurückgesetzte Fläche 273 zur ersten Seite in der zweiten Richtung y hin versetzt. Die fünfte zurückgesetzte Fläche 273 ist näher an der vierten Vorderfläche 271 angeordnet als die fünfte Rückfläche 272. Die fünfte zurückgesetzte Fläche 273 ist mit dem Dichtungsharz 40 abgedeckt. Jede der sechsten Stirnflächen 274 ist mit der vierten Vorderfläche 271 und der fünften Rückfläche 272 verbunden und weist zur zweiten Seite in der zweiten Richtung y. Die sechsten Stirnflächen 274 sind vom Dichtungsharz 40 freigelegt. Wie in 7 gezeigt, sind die sechsten Stirnflächen 274 in vorgegebenen Abständen entlang der ersten Richtung x angeordnet.
  • Wie in den 3, 4 und 11 gezeigt, weist der vierte Anschluss 27 einen vierten Hauptabschnitt 28 und eine Vielzahl von vierten Terminal-Abschnitten 29 auf. Der vierte Hauptabschnitt 28 definiert einen Teil der vierten Vorderfläche 271 und der fünften zurückgesetzten Fläche 273 und erstreckt sich in der ersten Richtung x. Jeder der vierten Terminal-Abschnitte 29 ragt von dem vierten Hauptabschnitt 28 in Richtung der zweiten Seite in der zweiten Richtung y vor. Die vierten Terminal-Abschnitte 29 sind in einem gegenseitigen Abstand zueinander ausgerichtet. Jeder der vierten Terminal-Abschnitte 29 definiert einen Teil der vierten Vorderfläche 271, einen Teil der fünften Rückfläche 272 und die sechsten Stirnflächen 274.
  • Bei dem vierten Anschluss 27 kann die vierte Vorderfläche 271, auf der das Halbleiterelement 30 getragen wird, mit Silber beschichtet/plattiert sein. Die fünfte Rückfläche 272 und die sechsten Stirnflächen 274, die vom Dichtungsharz 40 freigelegt sind, können beispielsweise mit Zinn beschichtet/plattiert sein. Anstelle der Zinnplattierung kann auch eine Plattierung mit Nickel, Palladium und Gold in dieser Reihenfolge ausgeführt werden, um ein Laminat aus Metallplattierungsschichten zu bilden.
  • Wie in den 11 bis 15 dargestellt, wird das Halbleiterelement 30 von den ersten Anschlüssen 10, den zweiten Anschlüssen 20, den dritten Anschlüssen 25, den Anschlüssen 26 und dem vierten Anschluss 27 getragen. Das Halbleiterelement 30 ist mit dem Dichtungsharz 40 abgedeckt. Das Halbleiterelement 30 hat ein Halbleitersubstrat 31, eine Halbleiterschicht 32, eine Vielzahl von ersten Elektroden 33, eine Vielzahl von zweiten Elektroden 34, eine Vielzahl von dritten Elektroden 35 und eine Vielzahl von vierten Elektroden 36.
  • Wie in den 11 bis 15 dargestellt, trägt das Halbleitersubstrat 31 darunter die Halbleiterschicht 32, die ersten Elektroden 33, die zweiten Elektroden 34, die dritten Elektroden 35 und die vierten Elektroden 36. Das Material, aus dem das Halbleitersubstrat 31 besteht, kann beispielsweise Si (Silizium) oder Siliziumkarbid (SiC) sein.
  • Die Halbleiterschicht 32 ist so auf das Halbleitersubstrat 31 auflaminiert, dass sie den ersten Vorderflächen 101 der ersten Anschlüsse 10 in der Dickenrichtung z zugewandt ist. Die Halbleiterschicht 32 enthält verschiedene Arten von p-Typ-Halbleitern und n-Typ-Halbleitern, die sich in der Menge der dotierten Elemente unterscheiden. Die Schaltung 321 und die Steuerschaltung 322, die elektrisch mit der Schaltung 321 verbunden ist, sind in der Halbleiterschicht 32 enthalten. Die Schaltung 321 kann z. B. ein MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) oder ein IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sein. Im Beispiel des Halbleiterbauteils A10 ist die Schaltung 321 in zwei Bereiche unterteilt, nämlich in einen Hochspannungsbereich (oberer Armkreis) und einen Niederspannungsbereich (unterer Armkreis). Jeder Bereich ist durch einen einzelnen n-Kanal-MOSFET hergestellt. Die Steuerschaltung 322 enthält z.B. einen Gate-Treiber zur Ansteuerung der Schaltung 321 oder eine Bootstrap-Schaltung für den Hochspannungsbereich der Schaltung 321 und ist zur Steuerung der Schaltung 321 ausgebildet. Die Halbleiterschicht 32 enthält auch eine Verdrahtungsschicht (nicht dargestellt). Die Verdrahtungsschicht verbindet die Schaltung 321 und die Steuerschaltung 322 elektrisch miteinander.
  • Wie in den 11 bis 15 gezeigt, sind die ersten Elektroden 33, die zweiten Elektroden 34, die dritten Elektroden 35 und die vierten Elektroden 36 so bereitgestellt, dass sie den ersten Vorflächen 101 des ersten Anschlusses 10 in der Dickenrichtung z zugewandt sind. Die ersten Elektroden 33, die zweiten Elektroden 34, die dritten Elektroden 35 und die vierten Elektroden 36 werden in Kontakt mit der Halbleiterschicht 32 gehalten.
  • Die ersten Elektroden 33, die zweiten Elektroden 34 und die vierten Elektroden 36 sind elektrisch mit der Schaltung 321 der Halbleiterschicht 32 verbunden. Die ersten Elektroden 33 sind mit den ersten Vorderflächen 101 der ersten Anschlüsse 10 verbunden. Somit sind die ersten Anschlüsse 10 elektrisch mit der Schaltung 321 verbunden. Die zweiten Elektroden 34 sind mit den zweiten Vorderflächen 201 der zweiten Anschlüsse 20 verbunden. Somit sind die zweiten Anschlüsse 20 elektrisch mit der Schaltung 321 verbunden. Wie aus den 3, 11 und 13 hervorgeht, überlappt bei der vorliegenden Ausführungsform zumindest eine zweite Elektrode 34 mit jedem der dritten Terminal-Abschnitte 21 in Dickenrichtung z. Im dargestellten Beispiel überlappen drei zweite Elektroden 34 mit jedem dritten Terminal-Abschnitt 21. Die vierten Elektroden 36 sind mit der vierten Vorderfläche 271 des vierten Anschlusses 27 verbunden. Somit ist der vierte Anschluss 27 elektrisch mit der Schaltung 321 verbunden.
  • Die dritten Elektroden 35 sind elektrisch mit der Steuerschaltung 322 in der Halbleiterschicht 32 verbunden. Einige der dritten Elektroden 35 sind mit den dritten Vorderflächen 251 der dritten Anschlüsse 25 verbunden. Andere dritte Elektroden 35 sind mit den Vorderflächen 261 der Anschlüsse 26 verbunden. So sind die dritten Anschlüsse 25 und die Anschlüsse 26 elektrisch mit der Steuerschaltung 322 verbunden. Das Material, aus dem die ersten Elektroden 33, die zweiten Elektroden 34, die dritten Elektroden 35 und die vierten Elektroden 36 bestehen, kann beispielsweise Kupfer aufweisen.
  • Wie in den 5 bis 8 gezeigt, weist das Dichtungsharz 40 eine Oberseite 41, eine Unterseite 42, eine erste (Harz-)Seitenfläche 431, eine zweite (Harz-)Seitenfläche 432, eine dritte (Harz-)Seitenfläche 433 und eine vierte (Harz-)Seitenfläche 434 auf. Das Dichtungsharz 40 kann z. B. aus einem schwarzen Epoxidharz bestehen.
  • Wie in den 11 bis 15 gezeigt, ist die Oberseite 41 der gleichen Seite zugewandt wie die ersten Vorderflächen 101 des ersten Anschlusses 10 in Dickenrichtung z. Wie in den 5 bis 8 dargestellt, weist die Unterseite 42 von der Oberseite 41 weg. Wie in den 4 und 11 bis 15 dargestellt, liegen die ersten Rückflächen 102 und die zweiten Rückflächen 103 der ersten Anschlüsse 10, die dritten Rückflächen 202 der zweiten Anschlüsse 20, die vierten Rückflächen 252 der dritten Anschlüsse 25, die Rückflächen 262 der Anschlüsse 26 und die fünfte Rückfläche 272 des vierten Anschlusses 27 an der Unterseite 42 frei.
  • Wie in den 7 und 8 gezeigt, ist die erste Seitenfläche 431 mit der Oberseite 41 und der Unterseite 42 verbunden und weist zur ersten Seite in der ersten Richtung x. Die zweite Seitenfläche 432 ist mit der Oberseite 41 und der Unterseite 42 verbunden und weist zur zweiten Seite in der ersten Richtung x. Die erste Seitenfläche 431 und die zweite Seitenfläche 432 sind in der ersten Richtung x voneinander beabstandet. Wie in den 12 bis 15 gezeigt, liegen die ersten Stirnflächen 105 der ersten Anschlüsse 10, die dritten Stirnflächen 206 der zweiten Anschlüsse 20 und die Stirnflächen 263 einiger der Anschlüsse 26 an der ersten Seitenfläche 431 frei, um mit der ersten Seitenfläche 431 bündig zu sein. Die zweiten Stirnflächen 106 der ersten Anschlüsse 10, die vierten Stirnflächen 207 der zweiten Anschlüsse 20 und die Stirnflächen 263 einiger der Anschlüsse 26 liegen an der zweiten Seitenfläche 432 frei, so dass sie mit der zweiten Seitenfläche 432 bündig sind.
  • Wie in den 5 und 6 gezeigt, ist die dritte Seitenfläche 433 mit der Oberseite 41, der Unterseite 42, der ersten Seitenfläche 431 und der zweiten Seitenfläche 432 verbunden und weist zur ersten Seite in der zweiten Richtung y. Die vierte Seitenfläche 434 ist mit der Oberseite 41, der Unterseite 42, der ersten Seitenfläche 431 und der zweiten Seitenfläche 432 verbunden und weist der zweiten Seite in der zweiten Richtung y zu. Die dritte Seitenfläche 433 und die vierte Seitenfläche 434 sind in der zweiten Richtung y voneinander beabstandet. Wie in 11 dargestellt, liegen die fünften Stirnflächen 253 der dritten Anschlüsse 25 an der dritten Seitenfläche 433 frei, so dass sie mit der dritten Seitenfläche 433 bündig sind. Die sechsten Stirnflächen 274 der vierten Terminal-Abschnitte 29 des vierten Anschlusses 27 liegen an der vierten Seitenfläche 434 frei, so dass sie mit der vierten Seitenfläche 434 bündig sind.
  • Die Vorteile der vorliegenden Ausführungsform werden im Folgenden beschrieben.
  • Das Halbleiterbauteil A10 weist erste Anschlüsse 10 auf, die sich in der ersten Richtung x erstrecken und mit denen die erste Elektrode 33 des Halbleiterelements 30 verbunden sind, und das Dichtungsharz 40, das die ersten Anschlüsse 10 teilweise abdeckt. Jeder der ersten Anschlüsse 10 hat eine erste Rückfläche 102, eine zweite Rückfläche 103 und eine erste zurückgesetzte Fläche 104, die in Dickenrichtung z von der ersten Vorderfläche 101 abgewandt sind. Die erste Rückfläche 102 und die zweite Rückfläche 103 sind in der ersten Richtung x voneinander beabstandet, mit der ersten zurückgesetzten Fläche 104 dazwischen angeordnet, und liegen an der Unterseite 42 des Dichtungsharzes 40 frei. Die erste zurückgesetzte Fläche 104 ist mit dem Dichtungsharz 40 abgedeckt. Die ersten Anschlüsse 10 sind in vorgegebenen Abständen in der zweiten Richtung y angeordnet. Wenn das Halbleiterbauteil A10 auf eine Leiterplatte montiert wird, dienen die ersten Rückflächen 102 und die zweiten Rückflächen 103 der ersten Anschlüsse 10 als Bond-Abschnitte mit der Leiterplatte. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind die ersten Rückflächen 102 und die zweiten Rückflächen 103 der ersten Anschlüsse 10 sowohl in der ersten Richtung x als auch in der zweiten Richtung y verteilt. Eine derartige Ausgestaltung ermöglicht es, die im Halbleiterelement 30 erzeugte Wärme verteilt abzugeben. Auf diese Weise leitet das Halbleiterbauteil A10 die Wärme aus dem Halbleiterelement 30 gleichmäßiger ab. Darüber hinaus wird die Vielzahl der ersten Rückflächen 102 und der zweiten Rückflächen 103 bei der Montage auf einer Leiterplatte als Bond-Abschnitte verwendet. Eine solche große Anzahl von Bond-Abschnitten verbessert die Zuverlässigkeit der Montage.
  • Das Halbleiterbauteil A10 weist zweite Anschlüsse 20 auf, die sich in der ersten Richtung x erstrecken. Jeder der zweiten Anschlüsse 20 hat eine zweite Vorderfläche 201, an die zweite Elektroden 34 des Halbleiterelements 30 angeschlossen sind, und eine dritte Rückfläche 202, eine zweite zurückgesetzte Fläche 203 und eine dritte zurückgesetzte Fläche 204, die von der zweiten Vorderfläche 201 in der Dickenrichtung z weg zeigen. Die zweite zurückgesetzte Fläche 203 und die dritte zurückgesetzte Fläche 204 sind in der ersten Richtung x voneinander beabstandet, wobei die dritte Rückfläche 202 dazwischen angeordnet ist. Die dritte Rückfläche 202 liegt an der Unterseite 42 des Dichtungsharzes 40 frei. Wenn das Halbleiterbauteil A10 auf eine Leiterplatte montiert wird, werden die dritten Rückflächen 202 der zweiten Anschlüsse 20 als Bond-Abschnitte mit der Leiterplatte verwendet. In der ersten Richtung x ist die dritte Rückfläche 202 in der Mitte des zweiten Anschlusses 20 angeordnet, der sich in der ersten Richtung x erstreckt. Bei einer solchen Ausgestaltung verbessert die zweite zurückgesetzte Fläche 203 des zweiten Anschlusses 20 die Montagesicherheit, während die ersten Rückflächen 102 und die zweiten Rückflächen 103 der ersten Anschlüsse 10 getrennt sind.
  • Wie in den 3 und 4 gezeigt, ist in der vorliegenden Ausführungsform jeder zweite Anschluss 20 zwischen einem Paar von benachbarten ersten Anschlüssen 10 in der zweiten Richtung y angeordnet. Das Halbleiterbauteil A10 weist eine Vielzahl von zweiten Anschlüssen 20 auf, und die ersten Anschlüsse 10 und die zweiten Anschlüsse 20 sind abwechselnd in der zweiten Richtung y angeordnet. Bei einer derartigen Ausgestaltung sind in einem Paar benachbarter erster Anschlüsse 10 die jeweiligen ersten Rückflächen 102 nicht zu nahe beieinander, ebenso wie die jeweiligen zweiten Rückflächen 103. Auch in einem ersten Anschluss 10 und einem zweiten Anschluss 20, die einander benachbart sind, liegen die erste Rückfläche 102 oder die zweite Rückfläche 103 und die dritte Rückfläche 202 nicht zu nahe beieinander. So kann eine große Anzahl von ersten Rückflächen 102, zweiten Rückflächen 103 und dritten Rückflächen 202 platzsparend angeordnet werden. Dies ist wünschenswert, um die Wärmeableitung und die Montagezuverlässigkeit des Halbleiterbauteils A10 zu verbessern.
  • Jeder erste Anschluss 10 weist einen ersten Terminal-Abschnitt 11 auf, der eine erste Rückfläche 102 definiert, und einen zweiten Terminal-Abschnitt 12, der eine zweite Rückfläche 103 definiert. Jeder zweite Anschluss 20 weist einen dritten Terminal-Abschnitt 21 auf, der eine dritte Rückfläche 202 definiert. Die dritten Terminal-Abschnitte 21 der zweiten Anschlüsse 20 überlappen weder mit den ersten Terminal-Abschnitten 11 noch mit den zweiten Terminal-Abschnitten 12 der ersten Anschlüsse 10, gesehen in der zweiten Richtung y. Eine derartige Ausgestaltung stellt sicher, dass in einem ersten Anschluss 10 und einem zweiten Anschluss 20, die aneinander angrenzen, die erste Rückfläche 102 oder die zweite Rückfläche 103 und die dritte Rückfläche 202 nicht zu nahe beieinander liegen.
  • Jeder erste Anschluss 10 weist einen ersten Hauptabschnitt 13 auf, der eine erste zurückgesetzte/ausgenommene Fläche 104 definiert. Die jeweiligen Abmessungen L1 und L2 der ersten Terminal-Abschnitte 11 und der zweiten Terminal-Abschnitte 12 in der zweiten Richtung y sind größer als die Abmessung L3 der ersten Hauptabschnitte 13 in der zweiten Richtung y. Bei einer derartigen Ausgestaltung kann der Ausrichtungsabstand der ersten Anschlüsse 10 nebeneinander mit einem zweiten Anschluss 20 dazwischen in der zweiten Richtung y verringert werden. Dies ist für die Verkleinerung des Halbleiterbauteils A10 wünschenswert.
  • Bei den zweiten Elektroden 34, die mit den zweiten Vorderflächen 201 der zweiten Anschlüsse 20 verbunden sind, überlappt zumindest eine zweite Elektrode 34 mit jedem der dritten Terminal-Abschnitte 21. Auf diese Weise wird das Halbleiterelement 30 von den dritten Terminal-Abschnitten 21 getragen, wodurch der Trägerzustand des Halbleiterelements 30 stabilisiert wird.
  • Jeder zweite Anschluss 20 weist einen vorstehenden Abschnitt 24 auf, der von dem dritten Terminal-Abschnitt 21 in der zweiten Richtung y vorsteht. Der vorstehende Abschnitt 24 bildet einen Teil der zweiten Vorderfläche 201 und der vierten zurückgesetzten Fläche 205, die von der zweiten Vorderfläche 201 abgewandt ist. Die vierte zurückgesetzte Fläche 205 ist mit dem Dichtungsharz 40 abgedeckt. Bei der Ausgestaltung, die den vorstehenden Abschnitt 24 aufweist, der mit dem dritten Terminal-Abschnitt 21 verbunden ist, wird ein Herausfallen des zweiten Anschlusses 20 durch die Unterseite 42 verhindert. So werden die zweiten Elektroden 34 ordnungsgemäß mit der zweiten Vorderfläche 201 verbunden gehalten.
  • Ein Halbleiterbauteil A20 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird im Folgenden unter Bezugnahme auf die 16 bis 28 beschrieben. In 16 und den nachfolgenden Figuren sind die Elemente, die mit denen des oben beschriebenen Halbleiterbauteils A10 identisch oder ihnen ähnlich sind, mit denselben Bezugszeichen versehen, und die Beschreibungen dieser Elemente werden weggelassen. In der Beschreibung der Elemente des Halbleiterbauteils A20 wird der zuerst genannte „Anschluss“ als „fünfter Anschluss“ und nicht als „erster Anschluss“ bezeichnet, um Verwechslungen mit den oben beschriebenen Elementen des Halbleiterbauteils A10 zu vermeiden. Dies gilt auch für andere Elemente.
  • Das Halbleiterbauteil A20 weist eine Vielzahl von fünften Anschlüssen 50, einen Anschluss 54, einen sechsten Anschluss 60, ein Paar von siebten Anschlüssen 70, eine Vielzahl von Anschlüssen 80, ein Halbleiterelement 30 und ein Dichtungsharz 40 auf. Wie in 16 gezeigt, ist der Gehäusetyp des Halbleiterbauteils A20 ein QFN. Das Halbleiterelement 30 ist ein LSI vom Flip-Chip-Typ, das eine Schaltung 321 und eine Steuerschaltung 322 enthält. In dem Halbleiterbauteil A20 wird Gleichstrom-Leistung (Spannung) durch den Schalter 321 in Wechselstrom-Leistung (Spannung) gewandelt. Das Halbleiterbauteil A20 kann z. B. als Element einer DC/DC-Wandlerschaltung verwendet werden. Zum besseren Verständnis ist das Dichtungsharz 40 in 17 transparent dargestellt, und das Halbleiterelement 30 und das Dichtungsharz 40 sind in 18 transparent dargestellt. In diesen Figuren sind die Umrisse des Halbleiterelements 30 und des Dichtungsharzes 40, die transparent dargestellt sind, durch gedachte Linien (Zweipunktkettenlinien) angezeigt.
  • In der Beschreibung des Halbleiterbauteils A20 wird die Dickenrichtung z des fünften Anschlusses 50 als „Dickenrichtung z“ definiert. Eine Richtung orthogonal zur Dickenrichtung z wird als „erste Richtung x“ bezeichnet. Die Richtung orthogonal zur Dickenrichtung z und zur ersten Richtung x wird als „zweite Richtung y“ bezeichnet. Wie in den 16 und 17 gezeigt, ist das Halbleiterbauteil A20 in der Dickenrichtung z gesehen viereckig.
  • Die fünften Anschlüsse 50, der Anschluss 54, der sechste Anschluss 60, das Paar von siebten Anschlüssen 70 und die Anschlüsse 80 tragen das Halbleiterelement 30, wie in 17 gezeigt, und dienen als Terminals für die Befestigung des Halbleiterbauteils A20 an einer Leiterplatte. Wie in den 23 bis 28 gezeigt, ist jeder der ersten Anschlüsse 10, der zweiten Anschlüsse 20, der dritten Anschlüsse 25, der Anschlüsse 26 und des vierten Anschlusses 27 teilweise mit dem Dichtungsharz 40 abgedeckt. Die fünften Anschlüsse 50, der Anschluss 54, der sechste Anschluss 60, das siebte Anschlusspaar 70 und die Anschlüsse 80 sind aus demselben Anschlussrahmen („lead frame“) gebildet. Das Material, aus dem der Anschlussrahmen besteht, kann z. B. Kupfer oder eine Kupferlegierung sein.
  • Wie in den 18 und 19 gezeigt, sind die fünften Anschlüsse 50 auf der ersten Seite und der zweiten Seite des Halbleiterbauteils A20 in der zweiten Richtung y angeordnet. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind zwei (ein Paar) der fünften Anschlüsse 50 auf der ersten Seite in der zweiten Richtung y angeordnet, und weitere zwei (ein Paar) der fünften Anschlüsse 50 sind auf der zweiten Seite in der zweiten Richtung y angeordnet. Bei der vorliegenden Ausführungsform erstreckt sich jeder der fünften Anschlüsse 50 allgemein in der zweiten Richtung y. Das Paar von fünften Anschlüssen 50, die auf der ersten Seite in der zweiten Richtung y angeordnet sind, sind in der ersten Richtung x voneinander beabstandet. Jeder der fünften Anschlüsse 50 gibt die Wechselstrom-Leistung (Spannung) aus, die durch die Schaltung 321 in dem Halbleiterelement 30 gewandelt wird.
  • Wie in 24 gezeigt, hat jeder der fünften Anschlüsse 50 eine fünfte Vorderfläche 501, eine sechste Rückfläche 502, eine siebte Rückfläche 503, eine sechste zurückgesetzte Fläche 504 und eine siebte Stirnfläche 505. Die siebte Stirnfläche 505 ist der ersten Seite in Dickenrichtung z zugewandt und liegt dem Halbleiterelement 30 gegenüber. Die siebte Stirnfläche 505 ist mit dem Dichtungsharz 40 abgedeckt. Das Halbleiterelement 30 ist auf der fünften Vorderfläche 501 getragen.
  • Die sechste Rückfläche 502, die siebte Rückfläche 503 und die sechste zurückgesetzte Fläche 504 sind von der fünften Vorderfläche 501 abgewandt (das heißt, sie sind der zweiten Seite in Dickenrichtung z zugewandt). Die sechste Rückfläche 502 und die siebte Rückwfläche 503 sind in der zweiten Richtung y voneinander beabstandet, mit der sechsten zurückgesetzten Fläche 504 dazwischen angeordnet, sind und vom Dichtungsharz 40 freigelegt. Die sechste zurückgesetzte Fläche 504 ist von der sechsten Rückfläche 502 und der siebten Rückfläche 503 zur ersten Seite hin in Dickenrichtung z versetzt und näher an der fünften Vorderfläche 501 angeordnet als die sechste Rückfläche 502 und die siebte Rückfläche 503. Die sechste zurückgesetzte Fläche 504 ist mit dem Dichtungsharz 40 abgedeckt. Die siebte Stirnfläche 505 ist mit der fünften Vorderfläche 501 und der sechsten Rückfläche 502 verbunden und ist der ersten Seite oder der zweiten Seite in der zweiten Richtung y zugewandt. Die siebte Stirnfläche 505 ist von dem Dichtungsharz 40 freigelegt.
  • Wie in 24 dargestellt, weist der fünfte Anschluss 50 einen sechsten Terminal-Abschnitt 51, einen siebten Terminal-Abschnitt 52 und einen sechsten Hauptabschnitt 53 auf. Der sechste Terminal-Abschnitt 51 definiert einen Teil der fünften Vorderfläche 501, der sechsten Rückfläche 502 und der siebten Stirnfläche 505 und überlappt mit der sechsten Rückfläche 502 in Dickenrichtung z gesehen. Der siebte Terminal-Abschnitt 52 definiert einen Teil der fünften Vorderfläche 501 und der siebten Rückfläche 503 und überlappt sich mit der siebten Rückfläche 503 in Dickenrichtung z gesehen. Der sechste Hauptabschnitt 53 definiert einen Teil der fünften Vorderfläche 501 und der sechsten zurückgesetzten Fläche 504 und überlappt mit der sechsten zurückgesetzten Fläche 504 in Dickenrichtung z gesehen. Der sechste Terminal-Abschnitt 51 und der siebte Terminal-Abschnitt 52 sind mit entgegengesetzten Enden des sechsten Hauptabschnitts 53 in der zweiten Richtung y verbunden.
  • In jedem der fünften Anschlüsse 50 kann die fünfte Vorderfläche 501, auf der das Halbleiterelement 30 getragen wird, z.B. mit Silber plattiert sein. Die sechste Rückfläche 502, die siebte Rückfläche 503 und die siebte Stirnfläche 505, die vom Dichtungsharz 40 freigelegt sind, können z.B. mit Zinn plattiert sein. Anstelle der Zinnplattierung kann auch eine Plattierung mit Nickel, Palladium und Gold in dieser Reihenfolge ausgeführt werden, um ein Laminat aus Metallplattierungsschichten zu bilden.
  • Wie in den 18 und 19 gezeigt, erstreckt sich der Anschluss 54 in der zweiten Richtung y. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist der Anschluss 54 in der Mitte des Halbleiterbauteils A20 in der ersten Richtung x angeordnet. Der Anschluss 54 ist ein Eingangs-Terminal, das Gleichstrom-Leistung (Spannung) empfängt, der in dem Halbleiterbauteil A20 gewandelt werden soll. Der Anschluss 54 ist eine positive Elektrode (P Terminal).
  • Wie in 26 gezeigt, hat der Anschluss 54 eine Vorderfläche 541, eine Rückfläche 542, eine Rückfläche 543, eine zurückgesetzte Fläche 544, eine Stirnfläche 545 und eine Stirnfläche 546. Die Vorderfläche 541 ist der gleichen Seite wie die fünften Vorderflächen 501 der fünften Anschlüsse 50 in Dickenrichtung z zugewandt und liegt dem Halbleiterelement 30 gegenüber. Die Vorderfläche 541 ist mit dem Dichtungsharz 40 abgedeckt. Das Halbleiterelement 30 wird auf der Vorderfläche 541 getragen.
  • Die Rückfläche 542, die Rückfläche 543 und die zurückgesetzte Fläche 544 sind von der Vorderfläche 541 abgewandt (das heißt, sie sind der zweiten Seite in Dickenrichtung z zugewandt). Die Rückfläche 542 und die Rückfläche 543 sind in der zweiten Richtung y mit der dazwischen liegenden zurückgesetzten Fläche 544 voneinander beabstandet und sind vom Dichtungsharz 40 freigelegt. Die Rückfläche 542 ist auf der ersten Seite in der zweiten Richtung y angeordnet, und die Rückfläche 543 ist auf der zweiten Seite in der zweiten Richtung y angeordnet. Die zurückgesetzte Fläche 544 ist von der Rückfläche 542 und der Rückfläche 543 in Richtung der ersten Seite in Dickenrichtung z versetzt und näher an der Vorderfläche 541 angeordnet als die Rückfläche 542 und die Rückfläche 543. Die zurückgesetzte Fläche 544 ist mit dem Dichtungsharz 40 abgedeckt. Die Stirnfläche 545 ist mit der Vorderfläche 541 und der Rückfläche 542 verbunden und ist der ersten Seite in der zweiten Richtung y zugewandt. Die Stirnfläche 546 ist mit der Vorderfläche 541 und der Rückfläche 542 verbunden und ist der zweiten Seite in der zweiten Richtung y zugewandt. Die Stirnfläche 545 und die Stirnfläche 546 sind von dem Dichtungsharz 40 freigelegt.
  • In dem Anschluss 54 kann die Vorderfläche 541, auf der das Halbleiterelement 30 getragen wird, beispielsweise mit Silber plattiert sein. Die Rückfläche 542, die Rückfläche 543, die Stirnfläche 545 und die Stirnfläche 546, die vom Dichtungsharz 40 freiliegen, können beispielsweise mit Zinn plattiert sein. Anstelle der Zinnplattierung kann auch eine Plattierung mit Nickel, Palladium und Gold in dieser Reihenfolge ausgeführt werden, um ein Laminat aus Metallplattierungsschichten zu bilden.
  • Wie in den 18 und 19 gezeigt, erstreckt sich der sechste Anschluss 60 in der zweiten Richtung y. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist der sechste Anschluss 60 in der Mitte des Halbleiterbauteils A20 in der ersten Richtung x angeordnet. Der sechste Anschluss 60 ist ein Eingangs-Terminal, das Gleichstrom-Leistung (Spannung) empfängt, der in dem Halbleiterbauteil A20 gewandelt wird. Der sechste Anschluss 60 ist eine negative Elektrode (N Terminal).
  • Wie in 25 gezeigt, hat der sechste Anschluss 60 eine sechste Vorderfläche 601, eine achte Rückfläche 602, eine achte Stirnfläche 603 und eine neunte Stirnfläche 604. Die sechste Vorderfläche 601 ist in Dickenrichtung z der gleichen Seite zugewandt wie die fünften Vorderflächen 501 der fünften Anschlüsse 50 und liegt dem Halbleiterelement 30 gegenüber. Die sechste Vorderfläche 601 ist mit dem Dichtungsharz 40 abgedeckt. Das Halbleiterelement 30 wird auf der sechsten Vorderfläche 601 getragen.
  • Die achte Rückfläche 602 ist von der sechsten Vorderfläche 601 abgewandt (das heißt, sie ist der zweiten Seite in Dickenrichtung z zugewandt). Die achte Rückfläche 602 ist vom Dichtungsharz 40 freigelegt. Bei der vorliegenden Ausführungsform erstrecken sich die sechste Vorderfläche 601 und die achte Rückfläche 602 über die gesamte Länge des Halbleiterbauteils A20 in der zweiten Richtung y. Die achte Stirnfläche 603 ist mit der sechsten Vorderfläche 601 und der achten Rückfläche 602 verbunden und weist zur ersten Seite in der zweiten Richtung y. Die neunte Stirnfläche 604 ist mit der sechsten Vorderfläche 601 und der achten Rückfläche 602 verbunden und weist zur zweiten Seite in der zweiten Richtung y. Die neunte Stirnfläche 604 und die neunte Stirnfläche 604 sind von dem Dichtungsharz 40 freigelegt.
  • Bei dem sechsten Anschluss 60 kann die sechste Vorderfläche 601, auf der das Halbleiterelement 30 getragen wird, mit Silber plattiert sein. Die achte Rückfläche 602, die achte Stirnfläche 603 und die neunte Stirnfläche 604, die aus dem Dichtungsharz 40 herausragen, können z. B. mit Zinn plattiert sein. Anstelle der Zinnplattierung kann auch eine Plattierung mit Nickel, Palladium und Gold in dieser Reihenfolge ausgeführt werden, um ein Laminat aus Metallplattierungsschichten zu bilden.
  • Wie in den 18 und 19 gezeigt, ist das Paar von siebten Anschlüssen 70 in der Mitte des Halbleiterbauteils A20 in der zweiten Richtung y angeordnet. Jeder der siebten Anschlüsse 70 erstreckt sich in der ersten Richtung x. Einer der siebten Anschlüsse 70 ist auf der ersten Seite in der ersten Richtung x angeordnet, und der andere der siebten Anschlüsse 70 ist auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x angeordnet. Jeder der siebten Anschlüsse 70 empfängt eine Leistung (Spannung), um die Steuerschaltung 322 anzusteuern, oder ein elektrisches Signal zur Übertragung an die Steuerschaltung 322.
  • Wie in 27 gezeigt, weist jeder der siebten Anschlüsse 70 eine siebte Vorderfläche 701, eine neunte Rückfläche 702 und eine zehnte Stirnfläche 703 auf. Die siebte Vorderfläche 701 ist in Dickenrichtung z der gleichen Seite zugewandt wie die fünften Vorderflächen 501 der fünften Anschlüsse 50 und liegt dem Halbleiterelement 30 gegenüber. Die siebte Vorderfläche 701 ist mit dem Dichtungsharz 40 abgedeckt. Das Halbleiterelement 30 wird auf der siebten Vorderfläche 701 getragen.
  • Die neunte Rückfläche 702 ist von der siebten Vorderfläche 701 abgewandt (das heißt, sie ist der zweiten Seite in Dickenrichtung z zugewandt). Die neunte Rückfläche 702 ist gegenüber dem Dichtungsharz 40 freigelegt. Die zehnte Stirnfläche 703 ist mit der siebten Vorderfläche 701 und der neunten Rückfläche 702 verbunden und weist in die erste Richtung x. Insbesondere weist die zehnte Stirnfläche 703 einer der siebten Anschlüsse 70 auf die erste Seite in der ersten Richtung x, und die zehnte Stirnfläche 703 der anderen der siebten Anschlüsse 70 weist auf die zweite Seite in der ersten Richtung x. Die zehnten Stirnflächen 703 sind vom Dichtungsharz 40 freigelegt.
  • Bei jedem der beiden siebten Anschlüsse 70 kann die siebte Vorderfläche 701, auf der das Halbleiterelement 30 getragen wird, beispielsweise mit Silber plattiert sein. Die neunte Rückfläche 702 und die zehnte Stirnfläche 703, die aus dem Dichtungsharz 40 herausragen, können z. B. mit Zinn plattiert sein. Anstelle der Zinnplattierung kann auch eine Plattierung mit Nickel, Palladium und Gold in dieser Reihenfolge ausgeführt werden, um ein Laminat aus Metallplattierungsschichten zu bilden.
  • Wie in den 18 und 19 gezeigt, sind die Anschlüsse 80 auf der ersten Seite und der zweiten Seite in der ersten Richtung x und auf der ersten Seite und der zweiten Seite in der zweiten Richtung y des Halbleiterbauteils A20 angeordnet (d.h. auf den vier Seiten des Halbleiterbauteils A20 in der Dickenrichtung z gesehen). Jeder der Anschlüsse 80 empfängt ein elektrisches Signal zur Übertragung an die Steuerschaltung 322. Wie in 28 dargestellt, hat jeder der Anschlüsse 80 eine Vorderfläche 801, eine Rückfläche 802 und eine Stirnfläche 803. Die Vorderfläche 801 ist der gleichen Seite zugewandt wie die fünften Vorderflächen 501 der fünften Anschlüsse 50 in Dickenrichtung z und liegt dem Halbleiterelement 30 gegenüber. Die Vorderfläche 801 ist mit dem Dichtungsharz 40 abgedeckt. Das Halbleiterelement 30 wird auf der Vorderfläche 801 getragen. Die Rückfläche 808 ist von der Vorderfläche 801 ab- bzw. weg gewandt (das heißt, sie ist der zweiten Seite in Dickenrichtung z zugewandt). Die Rückfläche 802 ist von dem Dichtungsharz 40 freigelegt. Die Stirnfläche 803 ist mit der Vorderfläche 801 und der Rückfläche 802 verbunden und weist zu einer der ersten Seite in der ersten Richtung x, der zweiten Seite in der ersten Richtung x, der ersten Seite in der zweiten Richtung y und der zweiten Seite in der zweiten Richtung y. Die Stirnfläche 803 ist von dem Dichtungsharz 40 freigelegt.
  • Bei jedem der Anschlüsse 80 kann die Vorderfläche 801, auf der das Halbleiterelement 30 getragen wird, z.B. mit Silber plattiert sein. Die Rückfläche 802 und die Stirnfläche 803, die vom Dichtungsharz 40 freiliegen, können z. B. mit Zinn plattiert werden. Anstelle der Zinnplattierung kann die Plattierung mit Nickel, Palladium und Gold in dieser Reihenfolge ausgeführt werden, um ein Laminat aus Metallplattierungsschichten zu bilden.
  • Wie in den 24 bis 28 gezeigt, ist das Halbleiterelement 30 auf den fünften Anschlüssen 50, dem Anschluss 54, dem sechsten Anschluss 60, dem Paar von siebten Anschlüssen 70 und den Anschlüssen 80 getragen. Das Halbleiterelement 30 ist mit dem Dichtungsharz 40 abgedeckt. Das Halbleiterelement 30 hat ein Halbleitersubstrat 31, eine Halbleiterschicht 32, eine Vielzahl von fünften Elektroden 37, eine Vielzahl von Elektroden 371, eine Vielzahl von sechsten Elektroden 38, eine Vielzahl von siebten Elektroden 39 und eine Vielzahl von Elektroden 391.
  • Wie in den 24 bis 28 dargestellt, trägt das Halbleitersubstrat 31 darunter die Halbleiterschicht 32, die fünften Elektroden 37, die Elektroden 371, die sechsten Elektroden 38, die siebten Elektroden 39 und die Elektroden 391. Das Material, aus dem das Halbleitersubstrat 31 besteht, kann beispielsweise Si (Silizium) oder Siliziumkarbid (SiC) sein.
  • Die Halbleiterschicht 32 ist so auf das Halbleitersubstrat 31 auflaminiert, dass sie den fünften Vorderflächen 501 der fünften Anschlüsse 50 in Dickenrichtung z zugewandt ist. Die Halbleiterschicht 32 enthält verschiedene Arten von p-Typ-Halbleitern und n-Typ-Halbleitern, die sich in der Menge der dotierten Elemente unterscheiden. Die Schaltung 321 und die Steuerschaltung 322, die elektrisch mit der Schaltung 321 verbunden ist, sind in der Halbleiterschicht 32 enthalten. Die Schaltung 321 kann z. B. ein MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) oder ein IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sein. Im Beispiel des Halbleiterbauteils A20 ist die Schaltung 321 in zwei Bereiche unterteilt, und zwar in einen Hochspannungsbereich (oberer Armkreis) und einen Niederspannungsbereich (unterer Armkreis) . Jeder Bereich ist durch einen einzelnen n-Kanal-MOSFET hergestellt. Die Steuerschaltung 322 enthält z.B. einen Gate-Treiber zur Ansteuerung der Schaltung 321 oder eine Bootstrap-Schaltung für den Hochspannungsbereich der Schaltung 321 und ist derart ausgebildet, dass sie die Schaltung 321 steuert. Die Halbleiterschicht 32 enthält auch eine Verdrahtungsschicht (nicht dargestellt). Die Verdrahtungsschicht verbindet die Schaltung 321 und die Steuerschaltung 322 elektrisch miteinander.
  • Wie in den 24 bis 28 gezeigt, sind die fünften Elektroden 37, die Elektroden 371, die sechsten Elektroden 38, die siebten Elektroden 39 und die Elektroden 391 so bereitgestellt, dass sie den fünften Vorderflächen 501 der fünften Anschlüsse 50 in der Dickenrichtung z zugewandt sind. Die fünften Elektroden 37, die Elektroden 371, die sechsten Elektroden 38, die siebten Elektroden 39 und die Elektroden 391 werden in Kontakt mit der Halbleiterschicht 32 gehalten.
  • Die fünften Elektroden 37, die Elektroden 371 und die sechsten Elektroden 38 sind elektrisch mit der Schaltung 321 der Halbleiterschicht 32 verbunden. Die fünften Elektroden 37 sind mit den fünften Vorderflächen 501 der fünften Anschlüsse 50 verbunden. Somit sind die fünften Anschlüsse 50 elektrisch mit der Schaltung 321 verbunden. Wie in den Figuren wie den 18 und 24 gezeigt, überlappt bei dieser Ausführungsform zumindest eine fünfte Elektrode 37 mit jedem der siebten Terminal-Abschnitte 52 (den siebten Rückflächen 503) in Dickenrichtung z gesehen. Die Elektroden 371 sind mit der Vorderfläche 541 des Anschlusses 54 verbunden. Somit ist der Anschluss 54 elektrisch mit der Schaltung 321 verbunden. Die sechsten Elektroden 38 sind mit der sechsten Vorderfläche 601 des sechsten Anschlusses 60 verbunden. Somit ist der sechste Anschluss 60 elektrisch mit der Schaltung 321 verbunden.
  • Die siebten Elektroden 39 sind die Elektroden 391 sind elektrisch mit der Steuerschaltung 322 der Halbleiterschicht 32 verbunden. Die siebten Elektroden 39 sind mit den siebten Vorderflächen 701 des Paares von siebten Anschlüssen 70 verbunden. Die Elektroden 391 sind mit den Vorderflächen 801 der Anschlüsse 80 verbunden. Somit sind das Paar siebter Anschlüsse 70 und die Anschlüsse 80 elektrisch mit der Steuerschaltung 322 verbunden. Das Material, aus dem die fünften Elektroden 37, die Elektroden 371, die sechsten Elektroden 38, die siebten Elektroden 39 und die Elektroden 391 bestehen, kann z.B. Kupfer aufweisen.
  • Wie in den 17 und 18 gezeigt, ist das Halbleiterelement 30 in der Dickenrichtung z gesehen rechteckig. Die Element-Seitenfläche 301 hat eine erste Element-Seitenfläche 301, eine zweite Element-Seitenfläche 302, eine dritte Element-Seitenfläche 303 und eine vierte Element-Seitenfläche 304. Die erste Element-Seitenfläche 301 und die zweite Element-Seitenfläche 302 sind in der ersten Richtung x voneinander beabstandet. Die erste Element-Seitenfläche 301 ist der ersten Seite in der ersten Richtung x zugewandt. Die zweite Element-Seitenfläche 302 ist der zweiten Seite in der ersten Richtung x zugewandt. Die dritte Element-Seitenfläche 303 und die vierte Element-Seitenfläche 304 sind jeweils mit der ersten Element-Seitenfläche 301 und der zweiten Element-Seitenfläche 302 verbunden. Die dritte Element-Seitenfläche 303 und die vierte Element-Seitenfläche 304 sind in der zweiten Richtung y voneinander beabstandet. Die dritte Element-Seitenfläche 303 ist der ersten Seite in der zweiten Richtung y zugewandt. Die vierte Element-Seitenfläche 304 ist der zweiten Seite in der zweiten Richtung y zugewandt. Bei dieser Ausführungsform definieren die Außenkanten des Halbleitersubstrats 31 und der Halbleiterschicht 32 in Dickenrichtung z gesehen die erste Element-Seitenfläche 301, die zweite Element-Seitenfläche 302, die dritte Element-Seitenfläche 303 und die vierte Element-Seitenfläche 304.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform können, wie in 18 gezeigt, vier unterteilte Bereiche Da definiert werden, indem der von der ersten Element-Seitenfläche 301, der zweiten Element-Seitenfläche 302, der dritten Element-Seitenfläche 303 und der vierten Element-Seitenfläche 304 in Dickenrichtung z gesehen umgebene Bereich gleichmäßig in jeweils zwei Bereiche in der ersten Richtung x und der zweiten Richtung y unterteilt wird. Bei dieser Ausführungsform ist in jedem der vier unterteilten Bereiche Da in Dickenrichtung z gesehen zumindest eine siebte Rückfläche 503 angeordnet. Zumindest eine fünfte Elektrode 37 überlappt jede siebte Rückfläche 503 in jedem der in Dickenrichtung z gesehenen unterteilten Bereiche Da. Außerdem sind bei dieser Ausführungsform die vier siebten Rückflächen 503, die das Paar von fünften Anschlüssen 50 auf der ersten Seite in der zweiten Richtung y und das Paar von fünften Anschlüssen 50 auf der ersten Seite in der zweiten Richtung y aufweisen, in unterschiedlichen unterteilten Bereichen Da, in Dickenrichtung gesehen, angeordnet.
  • Mit den vier siebten Rückflächen 503, die in den vier unterteilten Bereichen Da angeordnet sind, befindet sich der sechste Anschluss 60 in der ersten Richtung x zwischen dem Paar von siebten Rückflächen 503, die auf der ersten Seite in der ersten Richtung x angeordnet sind, und dem Paar von siebten Rückflächen 503, die auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x angeordnet sind.
  • Jede der vier siebten Rückflächen 503, die in den vier geteilten Bereichen Da angeordnet sind, erstreckt sich in der zweiten Richtung y. Mit den vier siebten Rückflächen 503, die in den vier unterteilten Bereichen Da angeordnet sind, überlappen sich die beiden siebten Rückflächen 503, die auf der ersten Seite in der ersten Richtung x angeordnet sind, in der zweiten Richtung y gesehen, ebenso wie die beiden siebten Rückflächen 503, die auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x angeordnet sind. Da die vier siebten Rückflächen 503 in den vier unterteilten Bereichen Da angeordnet sind, überlappen sich die beiden siebten Rückflächen 503, die auf der ersten Seite in der zweiten Richtung y angeordnet sind, in der ersten Richtung x gesehen, ebenso wie die beiden siebten Rückflächen 503, die auf der zweiten Seite in der zweiten Richtung y angeordnet sind. Mit anderen Worten sind die vier siebten Rückflächen 503 in den vier unterteilten Bereichen Da symmetrisch um eine parallel zur ersten Richtung x verlaufende Gerade (Mittellinie) und ebenfalls symmetrisch um eine parallel zur zweiten Richtung y verlaufende Gerade (Mittellinie) angeordnet.
  • Wie in den 20 bis 23 gezeigt, weist das Dichtungsharz 40 eine Oberseite 41, eine Unterseite 42, eine erste Seitenfläche 431, eine zweite Seitenfläche 432, eine dritte Seitenfläche 433 und eine vierte Seitenfläche 434 auf. Der Material, aus dem das Dichtungsharz 40 besteht, kann beispielsweise ein schwarzes Epoxidharz sein.
  • Wie in den 24 bis 28 gezeigt, weist die Oberseite 41 auf dieselbe Seite wie die fünften Vorderflächen 501 des fünften Anschlusses 50 in Dickenrichtung z. Wie in den 20 bis 23 dargestellt, weist die Unterseite 42 von der Oberseite 41 weg. Wie in den 19 und 24 bis 28 gezeigt, liegen die sechsten Rückflächen 502 und die siebten Rückflächen 503 der fünften Anschlüsse 50, die Rückflächen 542 und 543 des Anschlusses 54, die achte Rückfläche 602 des sechsten Anschlusses 60, die neunten Rückflächen 702 des Paares der siebten Anschlüsse 70 und die Rückflächen 802 der Anschlüsse 80 an der Unterseite 42 frei.
  • Wie in den 22 und 23 gezeigt, ist die erste Seitenfläche 431 mit der Oberseite 41 und der Unterseite 42 verbunden und weist zur ersten Seite in der ersten Richtung x. Die zweite Seitenfläche 432 ist mit der Oberseite 41 und der Unterseite 42 verbunden und weist zur zweiten Seite in der ersten Richtung x. Die erste Seitenfläche 431 und die zweite Seitenfläche 432 sind in der ersten Richtung x voneinander beabstandet. Wie in den 27 und 28 gezeigt, liegen die zehnte Stirnfläche 703 eines der siebten Anschlüsse 70 und die Stirnflächen 803 einiger der Anschlüsse 80 an der ersten Seitenfläche 431 frei, so dass sie mit der ersten Seitenfläche 431 bündig sind. Die zehnte Stirnfläche 703 des anderen siebten Anschlusses 70 und die Stirnflächen 803 einiger der Anschlüsse 80 liegen an der zweiten Seitenfläche 432 frei, so dass sie mit der zweiten Seitenfläche 432 bündig sind.
  • Wie in den 20 und 21 gezeigt, ist die dritte Seitenfläche 433 mit der Oberseite 41, der Unterseite 42, der ersten Seitenfläche 431 und der zweiten Seitenfläche 432 verbunden und weist zur ersten Seite in der zweiten Richtung y. Die vierte Seitenfläche 434 ist mit der Oberseite 41, der Unterseite 42, der ersten Seitenfläche 431 und der zweiten Seitenfläche 432 verbunden und weist der zweiten Seite in der zweiten Richtung y zu. Die dritte Seitenfläche 433 und die vierte Seitenfläche 434 sind in der zweiten Richtung y voneinander beabstandet. Wie in den 24 bis 26 gezeigt, liegen die siebten Stirnflächen 505 einiger der fünften Anschlüsse 50, die Stirnfläche 545 des Anschlusses 54 und die achte Stirnfläche 603 des sechsten Anschlusses 60 an der dritten Seitenfläche 433 frei, so dass sie mit der dritten Seitenfläche 433 bündig sind. Die siebten Stirnflächen 505 einiger der fünften Anschlüsse 50, die Stirnfläche 546 des Anschlusses 54 und die neunte Stirnfläche 604 des sechsten Anschlusses 60 liegen an der vierten Seitenfläche 434 frei, um mit der vierten Seitenfläche 434 bündig zu sein.
  • Die Vorteile der vorliegenden Ausführungsform werden im Folgenden beschrieben.
  • Das Halbleiterbauteil A20 weist die fünften Anschlüsse 50 auf, mit denen die fünften Elektroden 37 verbunden sind, sowie das Dichtungsharz 40, das die fünften Anschlüsse 50 teilweise abdeckt. Jeder der fünften Anschlüsse 50 hat eine sechste Rückfläche 502, eine siebte Rückfläche 503 und eine sechste zurückgesetzte Fläche 504, die von der fünften Vorderfläche 501 in Dickenrichtung z abgewandt sind. Die sechste Rückfläche 502 und die siebte Rückfläche 503 sind in der zweiten Richtung y voneinander beabstandet, mit der sechsten zurückgesetzten Fläche 504 dazwischen angeordnet, und liegen an der Unterseite 42 des Dichtungsharzes 40 frei. Die sechste zurückgesetzte Fläche 504 ist mit dem Dichtungsharz 40 abgedeckt. Die siebte Stirnfläche 505 ist mit der fünften Vorderfläche 501 und der sechsten Rückfläche 502 verbunden und ist von dem Dichtungsharz 40 freigelegt, um bündig mit der dritten Seitenfläche 433 oder der vierten Seitenfläche 434 des Dichtungsharzes 40 zu sein. Jeder fünfte Anschluss 50 weist einen sechsten Terminal-Abschnitt 51 auf, der an einem Ende (der dritten Seitenfläche 433 oder der vierten Seitenfläche 434) des Dichtungsharzes 40 in der zweiten Richtung y angeordnet ist, und weist eine sechste Rückfläche 502 auf, sowie einen siebten Terminal-Abschnitt 52, der von dem sechsten Terminal-Abschnitt 51 in der zweiten Richtung y innerhalb des Halbleiterbauteils A20 angeordnet ist, und eine siebte Rückflächenfläche 503 aufweist. Bei einer derartigen Ausgestaltung wird das Halbleiterelement 30 stabil von den fünften Anschlüssen 50 getragen, anstatt von den fünften Anschlüssen 50 über die fünften Elektroden 37 freitragend getragen zu werden.
  • Bei dieser Ausführungsform können vier unterteilte Bereiche Da definiert werden, indem der von der ersten Element-Seitenfläche 301, der zweiten Element-Seitenfläche 302, der dritten Element-Seitenfläche 303 und der vierten Element-Seitenfläche 304 des Halbleiterelements 30 umgebene Bereich in Dickenrichtung z gesehen gleichmäßig in jeweils zwei Bereiche in der ersten Richtung x und der zweiten Richtung y unterteilt wird. In diesem Fall ist in jedem der vier unterteilten Bereiche Da in Dickenrichtung z gesehen zumindest eine siebte Rückfläche 503 angeordnet. Das heißt, zumindest ein siebter Terminal-Abschnitt 52 mit einer siebten Rückfläche 503 ist in jedem der unterteilten Bereiche Da angeordnet. Auf diese Weise wird das Halbleiterelement 30 stabil und ausgewogen getragen.
  • Die siebte Rückfläche 503 in jedem der unterteilten Bereiche Da und zumindest eine fünfte Elektrode 37 überlappen sich in Dickenrichtung z gesehen. Somit ist das Halbleiterelement 30 über die fünften Elektroden 37 direkt auf den siebten Terminal-Abschnitten 52 mit siebten Rückflächen 503 abgestützt. Dies trägt ebenfalls zu einem stabilen Tragen des Halbleiterelements 30 bei.
  • Das Halbleiterbauteil A20 weist den sechsten Anschluss 60 auf, der sich in der zweiten Richtung y erstreckt und mit dem die sechsten Elektroden 38 verbunden sind. Der sechste Anschluss 60 hat die sechste Vorderfläche 601, die achte Rückfläche 602, die achte Stirnfläche 603 und die neunte Stirnfläche 604. Die achte Stirnfläche 603 ist mit der sechsten Vorderfläche 601 und der achten Rückfläche 602 verbunden und ist der ersten Seite in der zweiten Richtung y zugewandt. Die neunte Stirnfläche 604 ist mit der sechsten Vorderfläche 601 und der achten Rückfläche 602 verbunden und ist der zweiten Seite in der zweiten Richtung y zugewandt. Die sechste Vorderfläche 601 und die achte Rückfläche 602 erstrecken sich über die gesamte Länge des Halbleiterbauteils A20 in der zweiten Richtung y. Somit ist der Bereich der achten Rückfläche 602 relativ groß, was zu einer verbesserten Wärmeableitung und Montagezuverlässigkeit des Halbleiterbauteils A30 führt.
  • Der sechste Anschluss 60 ist in der Mitte des Halbleiterbauteils A20 in der ersten Richtung x angeordnet. Insbesondere ist der sechste Anschluss 60 mit den vier siebten Rückflächen 503, die in den vier unterteilten Bereichen Da angeordnet sind, in der ersten Richtung x zwischen dem Paar von siebten Rückflächen 503, die auf der ersten Seite in der ersten Richtung x angeordnet sind, und dem Paar von siebten Rückflächen 503, die auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x angeordnet sind, angeordnet. Bei einer derartigen Ausgestaltung wird das Halbleiterelement 30 von den vier fünften Anschlüssen 50, die vier siebte Rückflächen 503 bereitstellen, die in den vier unterteilten Bereichen Da angeordnet sind, und dem sechsten Anschluss 60 getragen, der in der Mitte des Halbleiterbauteils A20 in der ersten Richtung x angeordnet ist, was ebenfalls zu einem stabilen Tragen des Halbleiterelements 30 beiträgt.
  • Das Halbleiterbauteil A20 weist das Paar von siebten Anschlüssen 70 auf, die sich in der ersten Richtung x erstrecken und mit denen siebte Elektroden 39 verbunden sind. Die siebten Anschlüsse 70 sind in der Mitte des Halbleiterbauteils A20 in der zweiten Richtung y angeordnet. Einer der siebten Anschlüsse 70 ist auf der ersten Seite in der ersten Richtung x angeordnet, und der andere der siebten Anschlüsse 70 ist auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x angeordnet. Wie in den 18 und 19 zu sehen ist, sind die vier siebten Rückflächen 503 in den vier unterteilten Bereichen Da angeordnet, und das Paar der siebten Anschlüsse 70 ist in der zweiten Richtung y zwischen dem Paar der siebten Rückflächen 503, die auf der ersten Seite in der zweiten Richtung y angeordnet sind, und dem Paar der siebten Rückflächen 503, die auf der zweiten Seite in der zweiten Richtung y angeordnet sind, angeordnet. Dadurch wird das Halbleiterelement 30 stabiler getragen.
  • Das Halbleiterbauteil gemäß der vorliegenden Offenbarung ist nicht auf die vorangehenden Ausführungsformen beschränkt. Die spezifische Ausgestaltung der einzelnen Teile des Halbleiterbauteils gemäß der vorliegenden Offenbarung kann in der Konstruktion auf vielfältige Weise variiert werden.
  • Die vorliegende Offenbarung schließt die Ausführungsformen mit ein, die in den folgenden Klauseln beschrieben sind.
  • Klausel 1.
  • Halbleiterbauteil, das Folgendes aufweist:
    • eine Vielzahl erster Anschlüsse, die jeweils eine erste Vorderfläche aufweisen, die einer ersten Seite in einer Dickenrichtung zugewandt ist und sich in einer ersten Richtung orthogonal zur Dickenrichtung erstreckt;
    • ein Halbleiterelement, das eine Vielzahl von ersten Elektroden aufweist, die mit den ersten Vorderflächen der Vielzahl von ersten Anschlüssen verbunden sind; und
    • ein Dichtungsharz, das die Vielzahl der ersten Anschlüsse und das Halbleiterelement abdeckt, wobei
    • das Dichtungsharz eine Harz-Unterseite aufweist, die auf einer gegenüberliegenden Seite des Halbleiterelements in Bezug auf die Vielzahl der ersten Anschlüsse in der Dickenrichtung angeordnet ist,
    • die Vielzahl der ersten Anschlüsse in einer zweiten Richtung orthogonal zur Dickenrichtung und zur ersten Richtung voneinander beabstandet sind, und
    • jeder der Vielzahl von ersten Anschlüssen eine erste Rückfläche, eine zweite Rückfläche und eine erste zurückgesetzte Fläche aufweist, die von der ersten Vorderfläche des ersten Anschlusses in der Dickenrichtung abgewandt sind/weg weisen, wobei die erste Rückfläche und die zweite Rückfläche mit der ersten zurückgesetzten Fläche dazwischen in der ersten Richtung voneinander beabstandet sind, wobei die erste Rückfläche und die zweite Rückfläche an der Harz-Unterseite freigelegt sind, und die erste zurückgesetzte Fläche mit dem Dichtungsharz bedeckt ist.
  • Klausel 2.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 1, ferner aufweisend mindestens einen zweiten Anschluss, der eine zweite Vorderfläche aufweist und sich in der ersten Richtung erstreckt, wobei
    zumindest ein Teil des zweiten Anschlusses mit dem Dichtungsharz abgedeckt ist,
    das Halbleiterelement eine Vielzahl von zweiten Elektroden aufweist, die mit der zweiten Vorderfläche verbunden sind,
    der zweite Anschluss eine dritte Rückfläche, eine zweite zurückgesetzte Fläche und eine dritte zurückgesetzte Fläche aufweist, die von der zweiten Vorderfläche in der Dickenrichtung wegweisen,
    die dritte Rückfläche an der Harz-Unterseite freiliegt und
    die zweite zurückgesetzte Fläche und die dritte zurückgesetzte Fläche mit der dritten Rückfläche dazwischen in der ersten Richtung voneinander beabstandet sind und mit dem Dichtungsharz abgedeckt sind.
  • Klausel 3.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 2, wobei die Vielzahl der ersten Anschlüsse zwei benachbarte erste Anschlüsse aufweist, die den zweiten Anschluss in der zweiten Richtung flankieren.
  • Klausel 4.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 3, wobei der mindestens eine zweite Anschluss eine Vielzahl von zweiten Anschlüssen aufweist, die in der zweiten Richtung voneinander beabstandet sind, und
    die Vielzahl der ersten Anschlüsse und die Vielzahl der zweiten Anschlüsse abwechselnd in der zweiten Richtung angeordnet sind.
  • Klausel 5.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 4, wobei jeder der Vielzahl von ersten Anschlüssen einen ersten Terminal-Abschnitt und einen zweiten Terminal-Abschnitt aufweist, wobei der erste Terminal-Abschnitt einen Teil der ersten Vorderfläche und der ersten Rückfläche des ersten Anschlusses bildet, wobei der zweite Terminal-Abschnitt einen Teil der ersten Vorderfläche und der zweiten Rückfläche des ersten Anschlusses bildet, und
    jeder der Vielzahl von zweiten Anschlüssen einen dritten Terminal-Abschnitt aufweist, der einen Teil der zweiten Vorderfläche und der dritten Rückfläche des zweiten Anschlusses bildet.
  • Klausel 6.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 5, wobei der dritte Terminal-Abschnitt jedes der Vielzahl von zweiten Anschlüssen weder mit dem ersten Terminal-Abschnitt noch mit dem zweiten Terminal-Abschnitt jedes der Vielzahl von ersten Anschlüssen überlappt, gesehen in der zweiten Richtung.
  • Klausel 7.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 6, wobei zumindest eine der Vielzahl von zweiten Elektroden mit dem dritten Terminal-Abschnitt von jedem der Vielzahl von zweiten Anschlüssen in Dickenrichtung gesehen überlappt.
  • Klausel 8.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 7, wobei jeder der Vielzahl von zweiten Anschlüssen einen vorstehenden Abschnitt aufweist, der von dem dritten Terminal-Abschnitt des zweiten Anschlusses in der zweiten Richtung vorsteht, wobei der vorstehende Abschnitt einen Teil der zweiten Vorderfläche und eine vierte zurückgesetzte Fläche bildet, die von der zweiten Vorderfläche des zweiten Anschlusses abgewandt ist, wobei die vierte zurückgesetzte Fläche mit dem Dichtungsharz bedeckt ist.
  • Klausel 9.
  • Halbleitervorrichtung nach einer der Klauseln 6 bis 8, wobei jeder der Vielzahl von ersten Anschlüssen einen ersten Hauptabschnitt aufweist, der einen Teil der ersten Vorderfläche und der ersten zurückgesetzten Fläche des ersten Anschlusses bildet und mit der ersten zurückgesetzten Fläche in Dickenrichtung gesehen überlappt, und
    in jedem der ersten Anschlüsse eine Abmessung sowohl des ersten Terminal-Abschnitts als auch des zweiten Terminal-Abschnitts in der zweiten Richtung größer ist als eine Abmessung des ersten Hauptabschnitts in der zweiten Richtung.
  • Klausel 10.
  • Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 4 bis 9, wobei jede der Vielzahl von ersten Anschlüssen eine erste Stirnfläche und eine zweite Stirnfläche aufweist, wobei die erste Stirnfläche mit der ersten Vorderfläche und der ersten Rückfläche des ersten Anschlusses verbunden ist und einer ersten Seite in der ersten Richtung zugewandt ist, wobei die zweite Stirnfläche mit der ersten Vorderfläche und der zweiten Rückfläche verbunden ist und einer zweiten Seite in der ersten Richtung zugewandt ist,
    jeder der Vielzahl von zweiten Anschlüssen eine dritte Stirnfläche und eine vierte Stirnfläche aufweist, wobei die dritte Stirnfläche mit der zweiten Vorderfläche und der zweiten zurückgesetzten Fläche des zweiten Anschlusses verbunden ist und der ersten Seite in der ersten Richtung zugewandt ist, wobei die vierte Stirnfläche mit der zweiten Vorderfläche und der dritten zurückgesetzten Fläche verbunden ist und der zweiten Seite in der ersten Richtung zugewandt ist,
    das Dichtungsharz eine erste Harz-Seitenfläche und eine zweite Harz-Seitenfläche aufweist, die mit der Harz-Unterseite verbunden sind, in der ersten Richtung voneinander beabstandet sind und der ersten Seite bzw. der zweiten Seite in der ersten Richtung zugewandt sind, und
    die erste Stirnfläche und die dritte Stirnfläche an der ersten Harz-Seitenfläche freiliegen, um mit der ersten Harz-Seitenfläche bündig zu sein, und die zweite Stirnfläche und die vierte Stirnfläche an der zweiten Harz-Seitenfläche freiliegen, um mit der zweiten Harz-Seitenfläche bündig zu sein.
  • Klausel 11.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 10, ferner aufweisend eine Vielzahl von dritten Anschlüssen, die jeweils eine dritte Vorderfläche und eine vierte Rückfläche aufweisen, die in Dickenrichtung voneinander wegweisen und an der ersten Seite der Vielzahl von ersten Anschlüssen in der zweiten Richtung angeordnet sind, wobei
    zumindest ein Teil jedes der Vielzahl von dritten Anschlüssen mit dem Dichtungsharz abgedeckt ist, und
    das Halbleiterelement eine Vielzahl von dritten Elektroden aufweist, wobei zumindest eine der Vielzahl von dritten Elektroden mit der dritten Vorderfläche von jeder der Vielzahl von dritten Anschlüssen verbunden ist.
  • Klausel 12.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 11, wobei jeder der Vielzahl von dritten Anschlüssen eine fünfte Stirnfläche aufweist, die mit der dritten Vorderfläche und der vierten Rückfläche des dritten Anschlusses verbunden ist und der ersten Seite in der zweiten Richtung zugewandt ist,
    das Dichtungsharz eine dritte Harz-Seitenfläche und eine vierte Harz-Seitenfläche aufweist, die mit der Harz-Unterseite, der ersten Harz-Seitenfläche und der zweiten Harz-Seitenfläche verbunden sind und voneinander in der zweiten Richtung beabstandet sind,
    die vierte Rückfläche jedes der Vielzahl von dritten Anschlüssen an der Harz-Unterseite freiliegt, und
    die fünfte Stirnfläche jedes der Vielzahl von dritten Anschlüssen an der dritten Harz-Seitenfläche freiliegt, um mit der dritten Harz-Seitenfläche bündig zu sein.
  • Klausel 13.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 12, ferner aufweisend einen vierten Anschluss, der eine vierte Vorderfläche und eine fünfte Rückfläche aufweist, die in Dickenrichtung voneinander abgewandt sind und an der zweiten Seite der Vielzahl von ersten Anschlüssen in der zweiten Richtung angeordnet sind, wobei
    zumindest ein Teil des vierten Anschlusses mit dem Dichtungsharz abgedeckt ist,
    die fünfte Rückfläche an der Harz-Unterseite freigelegt ist, und
    das Halbleiterelement eine Vielzahl von vierten Elektroden aufweist, die mit der vierten Vorderfläche verbunden sind.
  • Klausel 14.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 13, wobei der vierte Anschluss einen vierten Hauptabschnitt und eine Vielzahl von vierten Terminal-Abschnitten aufweist, wobei der vierte Hauptabschnitt einen Teil der vierten Vorderfläche und eine fünfte zurückgesetzte Fläche bildet, die von der vierten Vorderfläche abgewandt ist und sich in der ersten Richtung erstreckt, wobei die Vielzahl von vierten Terminal-Abschnitten in der ersten Richtung voneinander beabstandet ist, wobei jeder der Vielzahl von vierten Terminal-Abschnitten von dem vierten Hauptabschnitt in Richtung der zweiten Seite in der zweiten Richtung vorsteht und einen Teil der vierten Vorderfläche und einen Teil der fünften Rückfläche bildet,
    die fünfte zurückgesetzte Fläche mit dem Dichtungsharz abgedeckt ist,
    jeder der Vielzahl von vierten Terminal-Abschnitten eine sechste Stirnfläche aufweist, die mit der vierten Vorderfläche und der fünften Rückfläche verbunden ist und der zweiten Seite in der zweiten Richtung zugewandt ist, und
    die sechste Stirnfläche jedes der Vielzahl von vierten Terminal-Abschnitten an der vierten Harz-Seitenfläche freiliegt, um mit der vierten Harz-Seitenfläche bündig zu sein.
  • Klausel 15.
  • Halbleiterbauteil nach den Klausel 13 oder 14, wobei das Halbleiterbauteil ein Halbleitersubstrat und eine auf das Halbleitersubstrat auflaminierte Halbleiterschicht aufweist, wobei die Halbleiterschicht eine Schaltung und eine Steuerschaltung aufweist, die elektrisch mit der Schaltung verbunden ist, und
    die Vielzahl der ersten Elektroden, die Vielzahl der zweiten Elektroden und die Vielzahl der vierten Elektroden elektrisch mit der Schaltung verbunden sind, und die Vielzahl der dritten Elektroden elektrisch mit der Steuerschaltung verbunden sind.
  • Klausel 16.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 15, wobei die Vielzahl der ersten Anschlüsse und der vierte Anschluss Eingangs-Terminals sind, die zu wandelnde Gleichstrom-Leistung empfangen, und
    die Vielzahl der zweiten Anschlüsse Ausgangs-Terminals sind, die durch die Schaltung gewandelte Wechselstrom-Leistung ausgeben.
  • Klausel 17.
  • Halbleiterbauteil, das Folgendes aufweist:
    • eine Vielzahl von fünften Anschlüssen, die jeweils eine fünfte Vorderfläche aufweisen, die einer Dickenrichtung zugewandt ist;
    • ein Halbleiterelement, das eine Vielzahl von fünften Elektroden aufweist, wobei die Vielzahl von fünften Elektroden mit den fünften Vorderflächen der Vielzahl von fünften Anschlüssen verbunden ist; und
    • ein Dichtungsharz, das die Vielzahl der fünften Anschlüsse und das Halbleiterelement abdeckt, wobei
    • das Dichtungsharz eine Harz-Unterseite aufweist, die auf einer gegenüberliegenden Seite des Halbleiterelements in Bezug auf die Vielzahl der fünften Elektroden in Dickenrichtung angeordnet ist, eine erste Harz-Seitenfläche und eine zweite Harz-Seitenfläche, die mit der Harz-Unterseite verbunden und in einer ersten Richtung orthogonal zur Dickenrichtung voneinander beabstandet sind, und eine dritte Harz-Seitenfläche und eine vierte Harz-Seitenfläche, die in einer zweiten Richtung orthogonal zur Dickenrichtung und zur ersten Richtung voneinander beabstandet sind,
    • jeder der Vielzahl von fünften Anschlüssen eine sechste Rückfläche, eine siebte Rückfläche und eine sechste zurückgesetzte Fläche aufweist, die von der fünften Vorderfläche des fünften Anschlusses in der Dickenrichtung abgewandt sind, und eine siebte Stirnfläche, die der zweite Richtung zugewandt ist, wobei die sechste Rückfläche und die siebte Rückfläche voneinander beabstandet sind, mit der sechsten zurückgesetzten Fläche dazwischen in der zweiten Richtung angeordnet, die sechste Rückfläche und die siebte Rückfläche an der Harz-Unterseite freiliegen, die sechste zurückgesetzte Fläche mit dem Dichtungsharz bedeckt ist, die siebte Stirnfläche mit der fünften Vorderfläche und der sechsten Rückfläche verbunden ist vom Dichtungsharz freigelegt ist, mit der dritten Harz-Seitenfläche oder der vierten Harz-Seitenfläche bündig zu sein.
  • Klausel 18.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 17, wobei das Halbleiterbauteil eine erste Element-Seitenfläche und eine zweite Element-Seitenfläche aufweist, die in der ersten Richtung voneinander beabstandet sind, und eine dritte Element-Seitenfläche und eine vierte Element-Seitenfläche aufweist, die in der zweiten Richtung voneinander beabstandet sind und mit der ersten Element-Seitenfläche und der zweiten Element-Seitenfläche verbunden sind, und
    wenn ein von der ersten Element-Seitenfläche, der zweiten Element-Seitenfläche, der dritten Element-Seitenfläche und der vierten Element-Seitenfläche umgebener Bereich in der Dickenrichtung gesehen gleichmäßig in zwei Bereiche in jeder der ersten Richtung und der zweiten Richtung unterteilt ist, um vier unterteilte Bereiche zu definieren, zumindest eine der siebten Rückflächen der Vielzahl von fünften Anschlüssen in jedem der vier unterteilten Bereiche angeordnet ist.
  • Klausel 19.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 18, wobei die mindestens eine in jedem der vier unterteilten Bereiche angeordnete siebte Rückfläche mit mindestens einer der Vielzahl von fünften Elektroden in Dickenrichtung gesehen überlappt.
  • Klausel 20.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 19, wobei die Vielzahl von fünften Anschlüssen ein erstes Paar von fünften Anschlüssen und ein zweites Paar von fünften Anschlüssen aufweist, wobei die siebten Stirnflächen des ersten Paares von fünften Anschlüssen bündig mit der dritten Harz-Seitenfläche sind, die siebten Stirnflächen des zweiten Paares von fünften Anschlüssen bündig mit der vierten Harz-Seitenfläche sind, und
    jede der siebten Rückflächen des ersten Paars und des zweiten Paars fünfter Anschlüsse in einem jeweiligen der vier geteilten Bereiche, in Dickenrichtung gesehen, angeordnet ist.
  • Klausel 21.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 20, ferner aufweisend einen sechsten Anschluss, der eine sechste Vorderfläche und eine achte Rückfläche aufweist, die in Dickenrichtung voneinander abgewandt sind und sich in der zweiten Richtung erstrecken, wobei
    ein Teil des sechsten Anschlusses mit dem Dichtungsharz abgedeckt ist,
    das Halbleiterelement eine Vielzahl von sechsten Elektroden aufweist, die mit der sechsten Vorderfläche verbunden sind,
    der sechste Anschluss eine achte Stirnfläche und eine neunte Stirnfläche aufweist, die mit der sechsten Vorderfläche und der achten Rückfläche verbunden sind und jeweils der ersten Seite und der zweiten Seite in der zweiten Richtung zugewandt sind, bzw. gegenüberliegen,
    die achte Stirnfläche an der dritten Harz-Seitenfläche freiliegt, so dass sie mit der dritten Harz-Seitenfläche bündig ist, und
    die neunte Stirnfläche an der vierten Harz-Seitenfläche freiliegt, um mit der vierten Harz-Seitenfläche bündig zu sein.
  • Klausel 22.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 21, wobei die siebten Rückflächen, die jeweils in einem der vier unterteilten Bereiche angeordnet sind, in ein erstes Paar von siebten Rückflächen und ein zweites Paar von siebten Rückflächen unterteilt sind, wobei das erste Paar von siebten Rückflächen von dem zweiten Paar von siebten Rückflächen in der ersten Richtung beabstandet ist, und
    der sechste Anschluss zwischen dem ersten Paar von siebten Rückflächen und dem zweiten Paar von siebten Rückflächen in der ersten Richtung angeordnet ist.
  • Klausel 23.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 21 oder 22, wobei sich die siebten Rückflächen, die jeweils in einem der vier unterteilten Bereiche angeordnet sind, in die zweite Richtung erstrecken, und
    die siebten Rückflächen, die jeweils in einem der vier unterteilten Bereiche angeordnet sind, symmetrisch um eine gerade Linie, die sich parallel zur ersten Richtung erstreckt, und ebenfalls symmetrisch um eine gerade Linie, die sich parallel zur zweiten Richtung erstreckt, angeordnet sind.
  • Klausel 24.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 23, ferner aufweisend ein Paar von siebten Anschlüssen, die jeweils eine siebte Vorderfläche und eine neunte Rückfläche aufweisen, die in Dickenrichtung voneinander abgewandt sind und sich in der zweiten Richtung erstrecken, wobei
    das Halbleiterelement eine Vielzahl von siebten Elektroden aufweist, die mit den siebten Vorderflächen des Paares von siebten Anschlüssen verbunden sind,
    ein Teil jedes des Paares von siebten Anschlüssen mit dem Dichtungsharz abgedeckt ist,
    jeder der beiden siebten Anschlüsse eine zehnte Stirnfläche aufweist, die mit der siebten Vorderfläche und der neunten Rückfläche des siebten Anschlusses verbunden ist und in die erste Richtung weist,
    die zehnten Stirnflächen des Paares von siebten Anschlüssen in der ersten Richtung voneinander weg weisen,
    die siebten Rückflächen, die jeweils in einem der vier unterteilten Bereiche angeordnet sind, in ein drittes Paar von siebten Rückflächen und ein viertes Paar von siebten Rückflächen unterteilt sind, wobei das dritte Paar von siebten Rückflächen in der zweiten Richtung von dem vierten Paar der siebten Rückflächen beabstandet ist, und
    das Paar von siebten Anschlüssen zwischen dem dritten Paar von siebten Rückflächen und dem vierten Paar von siebten Rückflächen in der zweiten Richtung angeordnet ist.
  • Klausel 25.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 24, wobei das Halbleiterelement ein Halbleitersubstrat und eine auf das Halbleitersubstrat in Dickenrichtung auflaminierte Halbleiterschicht aufweist,
    die Halbleiterschicht eine Schaltung und eine Steuerschaltung aufweist, die elektrisch mit der Schaltung verbunden ist,
    die Vielzahl von fünften Elektroden und die Vielzahl von sechsten Elektroden elektrisch mit der Schaltung verbunden sind, und
    die Vielzahl der siebten Elektroden elektrisch mit der Steuerschaltung verbunden sind.
  • Klausel 26.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 25, wobei der sechste Anschluss ein Eingangs-Terminal ist, das zu wandelnde Gleichstrom-Leistung empfängt, und
    die Vielzahl von fünften Anschlüssen Ausgangs-Terminals sind, die durch den Schalter gewandelte Wechselstrom-Leistung ausgeben.
  • BEZUGSZEICHEN
    • A10, A20
    Halbleiterbauteil
    10
    erster Anschluss („first lead“)
    101
    erste Vorderfläche
    102
    erste Rückfläche
    103
    zweite Rückfläche
    104
    erste zurückgesetzte Fläche
    105
    erste Stirnfläche
    106
    zweite Stirnfläche
    11
    erster Terminal-Abschnitt
    12
    zweiter Terminal-Abschnitt
    13
    erster Hauptabschnitt
    20
    zweiter Anschluss
    201
    zweite Vorderfläche
    202
    dritte Rückfläche
    203
    zweite zurückgesetzte Fläche
    204
    dritte zurückgesetzte Fläche
    205
    vierte zurückgesetzte Fläche
    206
    dritte Stirnfläche
    207
    vierte Stirnfläche
    21
    dritter Terminal-Abschnitt
    22
    zweiter Hauptabschnitt
    23
    dritter Hauptabschnitt
    24
    vorstehender Abschnitt
    25
    dritter Anschluss
    251
    dritte Vorderfläche
    252
    vierte Rückfläche
    253
    fünfte Stirnfläche
    26
    Anschluss
    261
    Vorderfläche
    262
    Rückfläche
    263
    Stirnfläche
    27
    vierter Anschluss
    271
    vierte Vorderfläche
    272
    fünfte Rückfläche
    273
    fünfte zurückgesetzte Fläche
    274
    sechste Stirnfläche
    28
    vierter Hauptabschnitt
    29
    vierter Terminal-Abschnitt
    30
    Halbleiterelement
    301
    erste Element-Seitenfläche
    302
    zweite Element-Seitenfläche
    303
    dritte Element-Seitenfläche
    304
    vierte Element-Seitenfläche
    31
    Halbleitersubstrat
    32
    Halbleiterschicht
    321
    Schaltung („switching circuit“)
    322
    Steuerschaltung („control circuit“)
    33
    erste Elektrode
    34
    zweite Elektrode
    35
    dritte Elektrode
    36
    vierte Elektrode
    37
    fünfte Elektrode
    371
    Elektrode
    38
    sechste Elektrode
    39
    siebte Elektrode
    391
    Elektrode
    40
    Dichtungsharz
    41
    Oberseite
    42
    Unterseite
    431
    erste Seitenfläche
    432
    zweite Seitenfläche
    433
    dritte Seitenfläche
    434
    vierte Seitenfläche
    50
    fünfter Anschluss
    501
    fünfte Vorderfläche
    502
    sechste Rückfläche
    503
    siebte Rückfläche
    504
    sechste zurückgesetzte Fläche
    505
    siebte Stirnfläche
    51
    sechster Terminal-Abschnitt
    52
    siebter Terminal-Abschnitt
    53
    sechster Hauptabschnitt
    54
    Anschluss
    541
    Vorderfläche
    542
    Rückfläche
    543
    Rückfläche
    544
    zurückgesetzte Fläche
    545
    Stirnfläche
    546
    Stirnfläche
    60
    sechster Anschluss
    601
    sechste Vorderfläche
    602
    achte Rückfläche
    603
    achte Stirnfläche
    604
    neunte Stirnfläche
    70
    siebter Anschluss
    701
    siebte Vorderfläche
    702
    neunte Rückfläche
    703
    zehnte Stirnfläche
    80
    Anschluss
    801
    Vorderfläche
    802
    Rückfläche
    803
    Stirnfläche
    Da
    unterteilter Bereich
    L1
    Abmessung (die Abmessung der ersten Terminal-Abschnitte in der zweiten Richtung)
    L2
    Abmessung (die Abmessung der zweiten Terminal-Abschnitte in der zweiten Richtung)
    L3
    Abmessung (die Abmessung der ersten Hauptabschnitte in der zweiten Richtung)
    x
    erste Richtung
    y
    zweite Richtung
    z
    Dickenrichtung
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2020077694 A [0005]

Claims (16)

  1. Halbleiterbauteil, das Folgendes aufweist: eine Vielzahl von ersten Anschlüssen, die jeweils eine erste Vorderfläche aufweisen, die einer ersten Seite in einer Dickenrichtung zugewandt ist und sich in einer ersten Richtung orthogonal zu der Dickenrichtung erstreckt; ein Halbleiterelement, das eine Vielzahl von ersten Elektroden aufweist, die mit den ersten Vorderflächen der Vielzahl von ersten Anschlüssen verbunden sind; und ein Dichtungsharz, das die Vielzahl der ersten Anschlüsse und das Halbleiterelement abdeckt, wobei das Dichtungsharz eine Harz-Unterseite aufweist, die an einer gegenüberliegenden Seite des Halbleiterelements in Bezug auf die Vielzahl der ersten Anschlüsse in der Dickenrichtung liegt, die Vielzahl der ersten Anschlüsse in einer zweiten Richtung orthogonal zur Dickenrichtung und zur ersten Richtung voneinander beabstandet sind, und jeder der Vielzahl von ersten Anschlüssen eine erste Rückfläche, eine zweite Rückfläche und eine erste zurückgesetzte Fläche aufweist, die von der ersten Vorderfläche des ersten Anschlusses in der Dickenrichtung weg weisen, wobei die erste Rückfläche und die zweite Rückfläche mit der ersten zurückgesetzten Fläche dazwischen in der ersten Richtung voneinander beabstandet sind, die erste Rückfläche und die zweite Rückfläche an der Harz-Unterseite freiliegen und die erste zurückgesetzte Fläche mit dem Dichtungsharz bedeckt ist.
  2. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, ferner aufweisend mindestens einen zweiten Anschluss, der eine zweite Vorderfläche aufweist und sich in der ersten Richtung erstreckt, wobei zumindest ein Teil des zweiten Anschlusses mit dem Dichtungsharz abgedeckt ist, das Halbleiterelement eine Vielzahl von zweiten Elektroden aufweist, die mit der zweiten Vorderfläche verbunden sind, der zweite Anschluss eine dritte Rückfläche, eine zweite zurückgesetzte Fläche und eine dritte zurückgesetzte Fläche aufweist, die von der zweiten Vorderfläche in der Dickenrichtung wegweisen, die dritte Rückfläche an der Harz-Unterseite freiliegt, und die zweite zurückgesetzte Fläche und die dritte zurückgesetzte Fläche mit der dritten Rückfläche dazwischen in der ersten Richtung voneinander beabstandet sind und mit dem Dichtungsharz abgedeckt sind.
  3. Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, wobei die Vielzahl der ersten Anschlüsse zwei benachbarte erste Anschlüsse aufweist, die den zweiten Anschluss in der zweiten Richtung flankieren.
  4. Halbleiterbauteil nach Anspruch 3, wobei der mindestens eine zweite Anschluss eine Vielzahl von zweiten Anschlüssen aufweist, die in der zweiten Richtung voneinander beabstandet sind, und die Vielzahl der ersten Anschlüsse und die Vielzahl der zweiten Anschlüsse abwechselnd in der zweiten Richtung angeordnet sind.
  5. Halbleiterbauteil nach Anspruch 4, wobei jeder der Vielzahl von ersten Anschlüssen einen ersten Terminal-Abschnitt und einen zweiten Terminal-Abschnitt aufweist, wobei der erste Terminal-Abschnitt einen Teil der ersten Vorderfläche und der ersten Rückfläche des ersten Anschlusses bildet, wobei der zweite Terminal-Abschnitt einen Teil der ersten Vorderfläche und der zweiten Rückfläche des ersten Anschlusses bildet, und jeder der Vielzahl von zweiten Anschlüssen einen dritten Terminal-Abschnitt aufweist, der einen Teil der zweiten Vorderfläche und der dritten Rückfläche des zweiten Anschlusses bildet.
  6. Halbleiterbauteil nach Anspruch 5, wobei der dritte Terminal-Abschnitt jedes der Vielzahl von zweiten Anschlüssen weder mit dem ersten Terminal-Abschnitt noch mit dem zweiten Terminal-Abschnitt jedes der Vielzahl von ersten Anschlüssen überlappt, wenn in der zweiten Richtung betrachtet.
  7. Halbleiterbauteil nach Anspruch 6, wobei zumindest eine der Vielzahl von zweiten Elektroden mit dem dritten Terminal-Abschnitt von jedem der Vielzahl von zweiten Anschlüssen in Dickenrichtung gesehen überlappt.
  8. Halbleiterbauteil nach Anspruch 7, wobei jeder der Vielzahl von zweiten Anschlüssen einen vorstehenden Abschnitt aufweist, der von dem dritten Terminal-Abschnitt des zweiten Anschlusses in der zweiten Richtung vorsteht, wobei der vorstehende Abschnitt einen Teil der zweiten Vorderfläche und eine vierte zurückgesetzte Fläche bildet, die von der zweiten Vorderfläche des zweiten Anschlusses abgewandt ist, wobei die vierte zurückgesetzte Fläche mit dem Dichtungsharz bedeckt ist.
  9. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 6 bis 8, wobei jeder der Vielzahl von ersten Anschlüssen einen ersten Hauptabschnitt aufweist, der einen Teil der ersten Vorderfläche und der ersten zurückgesetzten Fläche des ersten Anschlusses bildet und mit der ersten zurückgesetzten Fläche in Dickenrichtung gesehen überlappt, und in jedem der ersten Anschlüsse eine Abmessung sowohl des ersten Terminal-Abschnitts als auch des zweiten Terminal-Abschnitts in der zweiten Richtung größer ist als eine Abmessung des ersten Hauptabschnitts in der zweiten Richtung.
  10. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 4 bis 9, wobei jeder der Vielzahl von ersten Anschlüssen eine erste Stirnfläche und eine zweite Stirnfläche aufweist, wobei die erste Stirnfläche mit der ersten Vorderfläche und der ersten Rückfläche des ersten Anschlusses verbunden ist und einer ersten Seite in der ersten Richtung zugewandt ist, wobei die zweite Stirnfläche mit der ersten Vorderfläche und der zweiten Rückfläche verbunden ist und einer zweiten Seite in der ersten Richtung zugewandt ist, jeder der Vielzahl von zweiten Anschlüssen eine dritte Stirnfläche und eine vierte Stirnfläche aufweist, wobei die dritte Stirnfläche mit der zweiten Vorderfläche und der zweiten zurückgesetzten Fläche des zweiten Anschlusses verbunden ist und der ersten Seite in der ersten Richtung zugewandt ist, die vierte Stirnfläche mit der zweiten Vorderfläche und der dritten zurückgesetzten Fläche verbunden ist und der zweiten Seite in der ersten Richtung zugewandt ist, das Dichtungsharz eine erste Harz-Seitenfläche und eine zweite Harz-Seitenfläche aufweist, die mit der Harz-Unterseite verbunden sind, in der ersten Richtung voneinander beabstandet sind und der ersten Seite bzw. der zweiten Seite in der ersten Richtung zugewandt sind, und die erste Stirnfläche und die dritte Stirnfläche an der ersten Harz-Seitenfläche freiliegen, um bündig mit der ersten Harz-Seitenfläche zu sein, und die zweite Stirnfläche und die vierte Stirnfläche an der zweiten Harz-Seitenfläche freiliegen, um bündig mit der zweiten Harz-Seitenfläche zu sein.
  11. Halbleiterbauteil nach Anspruch 10, ferner aufweisend eine Vielzahl von dritten Anschlüssen, die jeweils eine dritte Vorderfläche und eine vierte Rückfläche aufweisen, die in Dickenrichtung voneinander wegweisen und an der ersten Seite der Vielzahl von ersten Anschlüssen in der zweiten Richtung angeordnet sind, wobei zumindest ein Teil jedes der Vielzahl von dritten Anschlüssen mit dem Dichtungsharz abgedeckt ist, und das Halbleiterelement eine Vielzahl von dritten Elektroden aufweist, wobei zumindest eine der Vielzahl von dritten Elektroden mit der dritten Vorderfläche von jeder der Vielzahl von dritten Anschlüssen verbunden ist.
  12. Halbleiterbauteil nach Anspruch 11, wobei jeder aus der Vielzahl der dritten Anschlüsse eine fünfte Stirnfläche aufweist, die mit der dritten Vorderfläche und der vierten Rückfläche des dritten Anschlusses verbunden ist und der ersten Seite in der zweiten Richtung zugewandt ist, das Dichtungsharz eine dritte Harz-Seitenfläche und eine vierte Harz-Seitenfläche aufweist, die mit der Harz-Unterseite, der ersten Harz-Seitenfläche und der zweiten Harz-Seitenfläche verbunden sind und in der zweiten Richtung voneinander beabstandet sind, die vierte Rückfläche jedes der Vielzahl von dritten Anschlüssen an der Harz-Unterseite freigelegt ist, und die fünfte Stirnfläche jedes der Vielzahl von dritten Anschlüssen an der dritten Harz-Seitenfläche freiliegt, um mit der dritten Harz-Seitenfläche bündig zu sein.
  13. Halbleiterbauteil nach Anspruch 12, ferner aufweisend einen vierten Anschluss, der eine vierte Vorderfläche und eine fünfte Rückfläche aufweist, die in Dickenrichtung voneinander wegweisen und an der zweiten Seite der Vielzahl von ersten Anschlüssen in der zweiten Richtung angeordnet sind, wobei zumindest ein Teil des vierten Anschlusses mit dem Dichtungsharz abgedeckt ist, die fünfte Rückfläche an der Harz-Unterseite freigelegt ist, und das Halbleiterelement eine Vielzahl von vierten Elektroden aufweist, die mit der vierten Vorderfläche verbunden sind.
  14. Halbleiter-Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei der vierte Anschluss einen vierten Hauptabschnitt und eine Vielzahl von vierten Terminal-Abschnitten aufweist, wobei der vierte Hauptabschnitt einen Teil der vierten Vorderfläche und eine fünfte zurückgesetzte Fläche bildet, die von der vierten Vorderfläche weg weist und sich in der ersten Richtung erstreckt, wobei die Vielzahl von vierten Terminal-Abschnitten in der ersten Richtung voneinander beabstandet ist, wobei jeder der Vielzahl von vierten Terminal-Abschnitten von dem vierten Hauptabschnitt in Richtung der zweiten Seite in der zweiten Richtung vorsteht und einen Teil der vierten Vorderfläche und einen Teil der fünften Rückfläche bildet, die fünfte zurückgesetzte Fläche mit dem Dichtungsharz abgedeckt ist, jeder der Vielzahl von vierten Terminal-Abschnitten eine sechste Stirnfläche aufweist, die mit der vierten Vorderfläche und der fünften Rückfläche verbunden ist und der zweiten Seite in der zweiten Richtung zugewandt ist, und die sechste Stirnfläche jedes der Vielzahl von vierten Terminal-Abschnitten an der vierten Harz-Seitenfläche freiliegt, um mit der vierten Harz-Seitenfläche bündig zu sein.
  15. Halbleiterbauteil nach Anspruch 13 oder 14, wobei das Halbleiterbauteil ein Halbleitersubstrat und eine auf das Halbleitersubstrat auflaminierte Halbleiterschicht aufweist, wobei die Halbleiterschicht eine Schaltung und eine Steuerschaltung aufweist, die elektrisch mit der Schaltung verbunden ist, und die Vielzahl der ersten Elektroden, die Vielzahl der zweiten Elektroden und die Vielzahl der vierten Elektroden elektrisch mit der Schaltung verbunden sind, und die Vielzahl der dritten Elektroden elektrisch mit der Steuerschaltung verbunden sind.
  16. Halbleiterbauteil nach Anspruch 15, wobei die Vielzahl der ersten Anschlüsse und der vierte Anschluss Eingangs-Terminals sind, die zu wandelnde Gleichstrom-Leistung empfangen, und die Vielzahl der zweiten Anschlüsse Ausgangs-Terminals sind, die durch die Schaltung gewandelte Wechselstrom-Leistung ausgeben.
DE112021006817.2T 2021-01-15 2021-12-22 Halbleiterbauteil Pending DE112021006817T5 (de)

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