DE212019000088U1 - Halbleiterbauteil - Google Patents

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Abstract

Halbleiterbauteil mit:einem Trägerelement;einem leitfähigen Element, das eine Hauptfläche und eine Rückfläche aufweist, die in einer Dickenrichtung in einander entgegengesetzte Richtungen weisen, wobei die Rückfläche an das Trägerelement gefügt ist; undeinem Halbleiterelement, das an die Hauptfläche gefügt ist, und zwar in elektrischer Verbindung mit dem leitfähigen Element,wobei das leitfähige Element aus einem Material hergestellt ist, das Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff enthält.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Halbleiterbauteil, das ein Halbleiterelement beinhaltet, und betrifft insbesondere ein Halbleiterbauteil, das ein Schaltelement als das Halbleiterelement beinhaltet.
  • STAND DER TECHNIK
  • Herkömmlicherweise sind Halbleiterbauteile weit bekannt, auf denen ein Schaltelement wie ein MOSFET oder ein IGBT als ein Halbleiterelement montiert ist. Ein derartiges Halbleiterbauteil bildet einen Abschnitt eines Bauteils, welches eine Leistungswandlung durchführt, wie ein Inverter. Das Patentdokument 1 offenbart ein Beispiel eines Halbleiterbauteils, auf dem eine Vielzahl von Schaltelementen montiert ist. In diesem Halbleiterbauteil ist eine leitfähige Schicht (Metallmuster), die durch eine Metallfolie gebildet ist, auf einem isolierenden Substrat angeordnet, und die Vielzahl von Schaltelementen ist an die leitfähige Schicht gefügt, und zwar in elektrischer Verbindung mit der leitfähigen Schicht.
  • Wenn das in dem Patentdokument 1 offenbarte Halbleiterbauteil verwendet wird, wird Wärme von der Vielzahl von Schaltelementen erzeugt und wird zu der leitfähigen Schicht geleitet. Die zu der leitfähigen Schicht geleitete Wärme wird über das isolierende Substrat hin nach außen abgeführt bzw. dissipiert. In den letzten Jahren gibt es Anforderungen nach einer Steigerung der Ausgangsleistung derartiger Halbleiterbauteile. Im Ergebnis steigt die Wärme an, die von einer Vielzahl von Schaltelementen erzeugt wird. Demzufolge ist ein Verbessern der Wärmeableitung bzw. Wärmedissipation der Halbleiterbauteile ein zu lösendes Problem.
  • DOKUMENTE DES STANDES DER TECHNIK
  • PATENTDOKUMENT
  • PATENTDOKUMENT 1: JP-A-2009-158787
  • ÜBERBLICK ÜBER DIE ERFINDUNG
  • VON DER ERFINDUNG ZU LÖSENDES PROBLEM
  • Im Hinblick auf die obigen Umstände ist es eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, ein Halbleiterbauteil bereitzustellen, das dazu in der Lage ist, eine verbesserte Wärmeableitung zu zeigen.
  • MITTEL ZUM LÖSEN DES PROBLEMS
  • Ein Halbleiterbauteil, das von der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, kann beinhalten: ein Trägerelement; ein leitfähiges Element, das eine Hauptfläche und eine Rückfläche besitzt, die in einer Dickenrichtung in einander entgegengesetzte Richtungen weisen, wobei Rückfläche an das Trägerelement gefügt ist; und ein Halbleiterelement, das an die Hauptfläche gefügt ist, und zwar in elektrischer Verbindung mit dem leitfähigen Element. Das leitfähige Element ist aus einem Material hergestellt, das Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff enthält.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung ergeben sich deutlicher aus der nachstehenden detaillierten Beschreibung auf der Grundlage der beigefügten Zeichnungen.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 2 ist eine Draufsicht auf das in 1 gezeigte Halbleiterbauteil.
    • 3 ist eine Draufsicht auf das in 1 gezeigte Halbleiterbauteil, wobei eine isolierende Schicht und ein Abdichtungsharzelement transparent sind.
    • 4 ist eine Draufsicht, die der 3 entspricht, wobei zweites Eingangsterminal transparent ist.
    • 5 ist eine Bodenansicht des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 6 ist eine rechtsseitige Ansicht des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 7 ist eine linksseitige Ansicht des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 8 ist eine Vorderansicht des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 9 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie IX-IX in 3.
    • 10 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie X-X in 3.
    • 11 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von 3.
    • 12 ist eine teilweise vergrößerte Querschnittsansicht entlang einer Linie XII-XII in 11.
    • 13 ist eine Querschnittsansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 14 ist eine Querschnittsansicht des in 13 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 15 ist eine teilweise vergrößerte Querschnittsansicht des in 13 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 16 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 17 ist eine Draufsicht auf das in 16 gezeigte Halbleiterbauteil, wobei eine isolierende Schicht und ein Abdichtungsharzelement transparent sind.
    • 18 ist eine Bodenansicht des in 16 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 19 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie XIX-XIX in 17.
    • 20 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie XX-XX in 17.
    • 21 ist eine teilweise vergrößerte Querschnittsansicht entlang einer Linie XXI-XXI in 17.
    • 22 ist eine Querschnittsansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 23 ist eine Querschnittsansicht des in 22 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 24 ist eine teilweise vergrößerte Querschnittsansicht des in 22 gezeigten Halbleiterbauteils.
  • MODI ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNG
  • Nachstehend werden Modi bzw. Ausführungsmodi zum Implementieren der vorliegenden Offenbarung auf der Grundlage der beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • [Erste Ausführungsform]
  • Ein Halbleiterbauteil A10 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird nunmehr auf der Grundlage der 1 bis 12 beschrieben. Das Halbleiterbauteil beinhaltet ein Trägerelement 10, ein leitfähiges Element 20, ein erstes Eingangsterminal 31, ein zweites Eingangsterminal 32, ein Ausgangsterminal 33, ein Paar von Gate-Terminals 34, ein Paar von Erfassungsterminals 35, eine Vielzahl von Dummy-Terminals 36, eine Vielzahl von Halbleiterelementen 40, eine isolierende Schicht 60, und ein Abdichtungsharzelement 70. Zusätzlich zu dem Obigen beinhaltet das Halbleiterbauteil A10 ferner ein Paar von isolierenden Substraten 24, ein Paar von Gate-Schichten 25, und ein Paar von Erfassungsschichten 26. In dem Halbleiterbauteil A10, bei dem es sich um ein Beispiel handelt, beinhaltet die Vielzahl von Halbleiterelementen 40 eine Vielzahl von ersten Elementen 40A und eine Vielzahl von zweiten Elementen 40B. Das Halbleiterbauteil A10, das in diesen Figuren gezeigt ist, ist Leistungswandlungsbauteil (Leistungsmodul), bei dem die Vielzahl von Halbleiterelementen 40 beispielsweise MOSFETs sind. Das Halbleiterbauteil A10 wird in einer Ansteuerquelle bzw. Antriebsquelle („drive source“) eines Motors verwendet, in einem Inverterbauteil von verschiedenen elektrischen Geräten, einem Gleichstrom/Gleichstrom-Wandler oder dergleichen. In 3 sind die isolierende Schicht 60 und das Abdichtungsharzelement 70 aus Gründen eines leichteren Verständnisses transparent. In 3 sind Linien IX-IX und X-X jeweils durch eine Strichpunktlinie gezeigt. Verglichen mit 3 ist in 4 auch das zweite Eingangsterminal 32 transparent, und zwar aus Gründen eines leichteren Verständnisses.
  • Beim Beschreiben des Halbleiterbauteils A10 wird die Dickenrichtung des leitfähigen Elementes 20 als eine „Dickenrichtung z“ bezeichnet. Eine Richtung, die senkrecht ist zu der Dickenrichtung z, wird als eine „erste Richtung x“ bezeichnet. Eine Richtung, die senkrecht ist zu sowohl der Dickenrichtung z als auch zu der ersten Richtung x, wird als eine „zweite Richtung y“ bezeichnet. Wie es in den 1 und 2 gezeigt ist, weist das Halbleiterbauteil A10 eine rechteckige Form auf, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z, d.h. in einer Draufsicht. Die erste Richtung x entspricht der Longitudinalrichtung bzw. Längsrichtung des Halbleiterbauteils A10. Die zweite Richtung y entspricht der Querrichtung des Halbleiterbauteils A10. Beim Beschreiben des Halbleiterbauteils A10 wird jene Seite in der ersten Richtung x, auf der das erste Eingangsterminal 31 und das zweite Eingangsterminal 32 angeordnet sind, als „eine Seite in der ersten Richtung x“ bezeichnet, und zwar aus Gründen einer einfacheren Beschreibung. Jene Seite in der ersten Richtung x, auf der das Ausgangsterminal 33 angeordnet ist, wird als die „andere Seite in der ersten Richtung x“ bezeichnet. Es ist anzumerken, dass die Definitionen der „Dickenrichtung z“, der „ersten Richtung x“, und der „zweiten Richtung y“ auch auf die Beschreibung der Halbleiterbauteile A20 bis A40 anzuwenden sind, die nachstehend beschrieben werden.
  • Wie es in den 3, 9, und 10 gezeigt ist, trägt bzw. lagert das Trägerelement 10 das leitfähige Element 20. In dem Halbleiterbauteil A10 hat das Trägerelement 10 elektrisch isolierende Eigenschaften. Das Trägerelement 10 ist aus einem Material hergestellt, das eine Keramik enthält, die eine exzellente thermische Leitfähigkeit besitzt. Beispiele einer solchen Keramik beinhalten Aluminiumnitrid (AIN).
  • Wie es in den 3, 9, und 10 gezeigt ist, beinhaltet in dem Halbleiterbauteil A10, bei dem es sich um ein Beispiel handelt, das Trägerelement 10 zwei Regionen, d.h. einen ersten Trägerabschnitt 10A und einen zweiten Trägerabschnitt 10B. Der erste Trägerabschnitt 10A und der zweite Trägerabschnitt 10B sind voneinander in der ersten Richtung x beabstandet. Der erste Trägerabschnitt 10A ist auf der einen Seite in der ersten Richtung x angeordnet. Der zweite Trägerabschnitt 10B ist auf der anderen Seite in der ersten Richtung x angeordnet. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z haben der erste Trägerabschnitt 10A und der zweite Trägerabschnitt 10B jeweils eine rechteckige Form, wobei lange Seiten hiervon sich in der zweiten Richtung y erstrecken. Es ist anzumerken, dass das Trägerelement 10 nicht auf diese Konfiguration beschränkt ist, und durch eine einzelne Region gebildet sein kann.
  • Wie es in den 9 und 10 gezeigt ist, haben der erste Trägerabschnitt 10A und der zweite Trägerabschnitt 10B jeweils eine Trägerfläche 101, eine Bodenfläche 102, und eine Vielzahl von Seitenflächen 103. Die Trägerfläche 101 weist in der Dickenrichtung z hin zu der Seite, auf der das leitfähige Element 20 angeordnet ist. Die Trägerfläche 101 ist von der isolierenden Schicht 60 bedeckt. Wie es in 5 gezeigt ist, liegt die Bodenfläche 102 gegenüber dem Abdichtungsharzelement 70 frei. Jede der Vielzahl von Seitenflächen 103 weist entweder in die erste Richtung x oder in die zweite Richtung y und geht kontinuierlich über in sowohl die Trägerfläche 101 als auch die Bodenfläche 102. Die Vielzahl von Seitenflächen 103 sind von dem Abdichtungsharzelement 70 bedeckt.
  • Wie es in den 3, 9, und 10 gezeigt ist, ist das leitfähige Element 20 auf der Trägerfläche 101 des Trägerelementes 10 getragen bzw. gelagert. Das leitfähige Element 20 bildet einen Leitungspfad zwischen der Außenseite des Halbleiterbauteils A10 und der Vielzahl von Halbleiterelementen 40, und zwar zusammen mit dem ersten Eingangsterminal 31, dem zweiten Eingangsterminal 32 und dem Ausgangsterminal 33. Das leitfähige Element 20 weist eine Hauptfläche 201 und eine Rückfläche 202 auf, die in der Dickenrichtung z in einander entgegengesetzte bzw. gegenüberliegende Seiten weisen. Die Hauptfläche 201 weist in der Dickenrichtung z hin zu jener Seite, in die die Trägerfläche 101 weist. Die Rückfläche 202 ist gegenüber der Trägerfläche 101 angeordnet bzw. auf der gegenüberliegenden Seite angeordnet. In dem Halbleiterbauteil A10 ist das leitfähige Element 20 von dem Trägerelement 10 getragen bzw. gelagert, und zwar als ein Ergebnis davon, dass die Rückfläche 202 an die Trägerfläche 101 gefügt ist, wobei eine erste Fügeschicht 19 dazwischen angeordnet ist. Die erste Fügeschicht 19 ist aus einem Material hergestellt, das ein synthetisches Harz enthält, welches Metallpartikel beinhaltet, wie eine Silberpaste (Ag). Es ist anzumerken, dass in dem Halbleiterbauteil A10 das Material der ersten Fügeschicht 19 ein Material enthalten kann, das elektrisch isolierende Eigenschaften hat (zum Beispiel ein Epoxidharz).
  • Das leitfähige Element 20 ist aus einem Material hergestellt, das Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff („carbon fiber reinforced plastic“, CFRP) enthält. Wie es in den 9 und 10 gezeigt ist, ist in dem Halbleiterbauteil A10 das leitfähige Element 20 eine gestapelte Platte, die eine Basisschicht 21 und eine leitfähige Schicht 22 beinhaltet. Die Basisschicht 21 weist die Rückfläche 202 auf. Die Basisschicht ist aus einem Material hergestellt, das Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff enthält. Die leitfähige Schicht 22 ist auf die Basisschicht 21 gestapelt. Die leitfähige Schicht 22 weist die Hauptfläche 201 auf. Die leitfähige Schicht 22 ist aus Kupfer (Cu) oder aus einer Kupferlegierung hergestellt. Die leitfähige Schicht 22 ist beispielsweise dadurch auf die Basisschicht 21 gestapelt, dass ein Metalldünnfilm auf der Basisschicht 21 gebildet wird, und zwar durch Sputtern, und dass dann Kupfer oder dergleichen auf dem Metalldünnfilm abgeschieden wird, und zwar durch Elektroplattieren. Es ist anzumerken, dass die Hauptfläche 201 beispielsweise mit Silber plattiert sein kann.
  • Wie es in 12 gezeigt ist, erstrecken sich in der Basisschicht 21 eine Vielzahl von Kohlenstofffasern 21A, die den Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff bilden, jeweils in der Dickenrichtung z. In jeder der Vielzahl von Kohlenstofffasern 21A befindet sich eine Endfläche hiervon auf einer Seite in der Dickenrichtung z in Kontakt mit der leitfähigen Schicht 22 und eine Endfläche hiervon auf der anderen Seite in der Dickenrichtung z in Kontakt mit der ersten Fügeschicht 19.
  • Wie es in den 3, 9, und 10 gezeigt ist, beinhaltet in dem Halbleiterbauteil A10, bei dem es sich um ein Beispiel handelt, das leitfähige Element 20 zwei Regionen, das heißt einen ersten leitfähigen Abschnitt 20A und einen zweiten leitfähigen Abschnitt 20B. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z haben der erste leitfähige Abschnitt 20A und der zweite leitfähige Abschnitt 20B jeweils eine rechteckige Form, wobei sich lange Seiten hiervon bis in der zweiten Richtung y erstrecken. Es ist anzumerken, dass die Anzahl und die Form des leitfähigen Elementes 20 nicht auf jene dieser Konfiguration beschränkt sind, sondern frei eingestellt werden können, und zwar auf der Grundlage der Anzahl und Anordnung der Halbleiterelemente 40, die gemäß der erforderlichen Leistungsfähigkeit („performance“) des Halbleiterbauteils A10 gesetzt bzw. angeordnet sind.
  • Wie es in den 3 und 9 gezeigt ist, ist der erste leitfähige Abschnitt 20A an die Trägerfläche 101 des ersten Trägerabschnittes 10A gefügt. Die Vielzahl von ersten Elementen 40A ist an die Hauptfläche 201 des ersten leitfähigen Abschnittes 20A gefügt, und zwar in elektrischer Verbindung mit dem ersten leitfähigen Abschnitt 20A. Wie es in den 3 und 10 gezeigt ist, ist der zweite leitfähige Abschnitt 20B an die Trägerfläche 101 des zweiten Trägerabschnittes 10B gefügt. Die Vielzahl von zweiten Elementen 40B ist an die Hauptfläche 201 des zweiten leitfähigen Abschnittes 20B gefügt, und zwar in elektrischer Verbindung mit dem zweiten leitfähigen Abschnitt 20B.
  • Wie es in den 4, 9, und 10 gezeigt ist, ist von dem Paar von isolierenden Substraten 24 eines an die Fläche des ersten leitfähigen Abschnittes 20A gefügt, und das andere an die Fläche des zweiten leitfähigen Abschnittes 20B gefügt. Von dem Paar von isolierenden Substraten 24 weist jedes die Form eines Bandes auf, das sich in der zweiten Richtung y erstreckt. Das isolierende Substrat 24, das an die Fläche des ersten leitfähigen Abschnittes 20A gefügt ist, ist in Bezug auf die Vielzahl von ersten Elementen 40A auf der anderen Seite in der ersten Richtung x angeordnet. Das isolierende Substrat 24, das an die Fläche des zweiten leitfähigen Abschnittes 20B gefügt ist, ist in Bezug auf die Vielzahl von zweiten Elementen 40B auf der einen Seite in der ersten Richtung x angeordnet. Das Paar von isolierenden Substraten 24 ist aus einem Material hergestellt, das beispielsweise ein Glasepoxidharz enthält.
  • Wie es in den 4, 9, und 10, gezeigt ist, ist von dem Paar von Gate-Schichten eine auf dem isolierenden Substrat 24 angeordnet, das an die Fläche des ersten leitfähigen Abschnittes 20A gefügt ist, und ist die andere auf dem isolierenden Substrat 24 angeordnet, das an die Fläche des zweiten leitfähigen Abschnittes 20B gefügt ist. Von dem Paar von Gate-Schichten 25 weist jede die Form eines Bandes auf, das sich in der zweiten Richtung y erstreckt. Das Paar von Gate-Schichten 25 elektrisch leitfähig. Das Paar von Gate-Schichten 25 ist beispielsweise aus Kupfer hergestellt.
  • Wie es in den 4, 9, und 10 gezeigt ist, ist von dem Paar von Erfassungsschichten 26 eine auf dem isolierenden Substrat 24 angeordnet, das an die Fläche des ersten leitfähigen Abschnittes 20A gefügt ist, und ist die andere auf dem isolierenden Substrat 24 angeordnet, das an die Fläche des zweiten leitfähigen Abschnittes 20B gefügt ist. Von dem Paar von Erfassungsschichten 26 ist jede benachbart zu einer entsprechenden Gate-Schicht 25 des Paares von Gate-Schichten 25, und zwar in der ersten Richtung x. Von dem Paar von Erfassungsschichten 26 weist jedes die Form eines Bandes auf, das sich in der zweiten Richtung y erstreckt. Das Paar von Erfassungsschichten 26 ist elektrisch leitfähig. Das Paar von Erfassungsschichten bzw. Gate-Schichten 26 ist beispielsweise aus Kupfer hergestellt.
  • Wie es in den 2 bis 6 gezeigt ist, sind das erste Eingangsterminal 31 und das zweite Eingangsterminal 32 auf der einen Seite in der ersten Richtung x angeordnet. Umzuwandelnde Gleichstromleistung (Spannung) wird in das erste Eingangsterminal 31 und das zweite Eingangsterminal 32 eingegeben. Das erste Eingangsterminal 31 dient als eine positive Elektrode (P-Terminal). Das zweite Eingangsterminal 32 dient als eine negative Elektrode (N-Terminal). Wie es in 10 gezeigt ist, ist das zweite Eingangsterminal 32 in der Dickenrichtung z sowohl von dem ersten Eingangsterminal 31 als auch dem leitfähigen Element 20 beabstandet. Das erste Eingangsterminal 31 und das zweite Eingangsterminal 32 sind Metallplatten. Die Metallplatten sind aus Kupfer oder einer Kupferlegierung hergestellt.
  • Wie es in 4 gezeigt ist, beinhaltet das erste Eingangsterminal 31 einen ersten Pad-Abschnitt 311 und einen ersten Terminalabschnitt 312. Die Grenze zwischen dem ersten Pad-Abschnitt 311 und dem ersten Terminalabschnitt 312 des ersten Eingangsterminals 31 ist eine Ebene, die sich in der zweiten Richtung y und in der Dickenrichtung z erstreckt und die eine erste Seitenfläche 73A (nachstehend im Detail beschrieben) des Abdichtungsharzelementes 70 beinhaltet, die auf der einen Seite in der ersten Richtung x angeordnet ist. Der gesamte erste Pad-Abschnitt 311 ist von dem Abdichtungsharzelement 70 bedeckt. Ein Abschnitt des ersten Pad-Abschnittes 311 auf der anderen Seite in der ersten Richtung x hat die Form von Kammzähnen. Dieser Kammzahn-förmige Abschnitt ist an die Fläche des ersten leitfähigen Abschnittes 20A gefügt, und zwar in einem Zustand, bei dem er elektrisch damit verbunden ist. Dieser Fügevorgang wird mittels Lötfügen, Ultraschallfügen oder dergleichen durchgeführt. Demzufolge ist das erste Eingangsterminal 31 elektrisch mit dem ersten leitfähigen Abschnitt 20A verbunden.
  • Wie es in den 4 und 5 gezeigt ist, erstreckt sich der erste Terminalabschnitt 312 von dem Abdichtungsharzelement 70 in Richtung hin zu der einen Seite in der ersten Richtung x. Der erste Terminalabschnitt 312 weist bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z eine rechteckige Form auf. Abschnitte des ersten Terminalabschnittes 312 auf beiden Seiten in der zweiten Richtung y sind von dem Abdichtungsharzelement 70 bedeckt. Der andere Abschnitt des ersten Terminalabschnittes 312 ist gegenüber dem Abdichtungsharzelement 70 freigelegt. Demzufolge ist das erste Eingangsterminal 31 elektrisch sowohl von dem ersten leitfähigen Element 20 (erster leitfähiger Abschnitt 20A) und dem Abdichtungsharzelement 70 gelagert bzw. getragen.
  • Wie es in 3 gezeigt ist, beinhaltet das zweite Eingangsterminal 32 einen zweiten Pad-Abschnitt 321 und einen zweiten Terminalabschnitt 322. In dem zweiten Eingangsterminal 32 definieren, bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z, der zweite Pad-Abschnitt 321 und der zweite Terminalabschnitt 322 eine Grenze dazwischen, und das erste Eingangsterminal 31 kann eine entsprechende Grenze zwischen dem ersten Pad-Abschnitt 311 und dem ersten Terminalabschnitt 312 haben, die mit der Grenze in dem zweiten Eingangsterminal 32 überlappt. Der zweite Pad-Abschnitt 321 beinhaltet einen Koppelabschnitt 321A und eine Vielzahl von Verlängerungsabschnitten 321 B. Der Koppelabschnitt 321A hat die Form eines Bandes, das sich in der zweiten Richtung y erstreckt. Der Koppelabschnitt 321A geht kontinuierlich in den zweiten Terminalabschnitt 322 über. Die Vielzahl von Verlängerungsabschnitten 321B haben jeweils die Form eines Bandes, das sich von dem Koppelabschnitt 321A hin zu der anderen Seite in der ersten Richtung x erstreckt. Die Vielzahl von Verlängerungsabschnitten 321B sind in der zweiten Richtung y voneinander beabstandet. Wie es in 10 gezeigt ist, ist die Vielzahl von Verlängerungsabschnitten 321B bei einer Betrachtung in der zweiten Richtung y gebogen bzw. abgebogen. Flächen der Vielzahl von Verlängerungsabschnitten 321B können beispielsweise mit Silber plattiert sein.
  • Wie es in den 2 und 3 gezeigt ist, erstreckt sich der zweite Terminalabschnitt 322 von dem Abdichtungsharzelement 70 hin zu der einen Seite in der ersten Richtung x. Der zweite Terminalabschnitt 322 weist eine rechteckige Form auf, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z. Abschnitte des zweiten Terminalabschnittes 322 auf beiden Seiten in der zweiten Richtung y sind von dem Abdichtungsharzelement 70 abgedeckt. Der andere Abschnitt des zweiten Terminalabschnittes 322 liegt gegenüber dem Abdichtungsharzelement 70 frei. Wie es in den 3 und 4 gezeigt ist, überlappt der zweite Terminalabschnitt 322 den ersten Terminalabschnitt 312 des ersten Eingangsterminals 31, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z. Wie es in 10 gezeigt ist, ist der zweite Terminalabschnitt 322 von dem ersten Terminalabschnitt 312 beabstandet, und zwar auf der Seite in der Dickenrichtung z, zu der die Trägerfläche 101 des Trägerelementes 10 weist. Es ist anzumerken, dass in dem Halbleiterbauteil A10, bei dem es sich um ein Beispiel handelt, der zweite Terminalabschnitt 322 die gleiche Form hat wie der erste Terminalabschnitt 312.
  • Wie es in den 6 und 10 gezeigt ist, ist ein isolierendes Element 39 in der Dickenrichtung z sandwichartig zwischen dem ersten Terminalabschnitt 312 des ersten Eingangsterminals 31 und dem zweiten Terminalabschnitt 322 des zweiten Eingangsterminals 32 angeordnet. Das isolierende Element 39 ist eine flache Lage. Das isolierende Element 39 ist beispielsweise durch isolierendes Papier gebildet. Das gesamte erste Eingangsterminal 31 überlappt das isolierende Element 39, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z. An dem zweiten Eingangsterminal 32 befinden sich ein Abschnitt des zweiten Pad-Abschnittes 321 und der gesamte zweite Terminalabschnitt 322 in Kontakt mit dem isolierenden Element 39, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z. Diese Abschnitte, die das isolierende Element 39 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z überlappen, stehen mit dem isolierenden Element 39 in Kontakt. Das erste Eingangsterminal 31 und das zweite Eingangsterminal 32 sind voneinander durch das isolierende Element 39 isoliert. Abschnitte des isolierenden Elementes 39 (auf der anderen Seite in der ersten Richtung x und auf beiden Seiten in der zweiten Richtung y) sind von dem Abdichtungsharzelement 70 bedeckt.
  • Wie es in den 3, 4, und 10 gezeigt ist, beinhaltet das isolierende Element 39 einen Zwischenabschnitt 391 und einen Verlängerungsabschnitt 392. Der Zwischenabschnitt 391 ist in der Dickenrichtung z zwischen dem ersten Terminalabschnitt 312 des ersten Eingangsterminals 31 und dem zweiten Terminalabschnitt 322 des zweiten Eingangsterminals 32 angeordnet. Der gesamte Zwischenabschnitt 391 ist sandwichartig zwischen dem ersten Terminalabschnitt 312 und dem zweiten Terminalabschnitt 322 angeordnet. Der Verlängerungsabschnitt 392 erstreckt sich von dem Zwischenabschnitt 391 hin zu der einen Seite in der ersten Richtung x, und zwar über den ersten Terminalabschnitt 312 und den zweiten Terminalabschnitt 322 hinaus. Daher ist der Verlängerungsabschnitt 392 weiter hin zu der einen Seite in der ersten Richtung x angeordnet als der erste Terminalabschnitt 312 und der zweite Terminalabschnitt 322. Abschnitte des Verlängerungsabschnittes 392 auf beiden Seiten in der zweiten Richtung y sind von dem Abdichtungsharzelement 70 bedeckt.
  • Wie es in den 2 bis 7 (ausschließlich 6) gezeigt ist, ist das Ausgangsterminal 33 auf der anderen Seite in der ersten Richtung x angeordnet. Wechselstromleistung (Spannung), die durch Leistungswandlung mittels der Vielzahl von Halbleiterelementen 40 erhalten wird, wird von dem Ausgangsterminal 33 ausgegeben. Das Ausgangsterminal 33 ist eine Metallplatte. Die Metallplatte ist aus Kupfer oder aus einer Kupferlegierung hergestellt. Das Ausgangsterminal 33 beinhaltet einen Pad-Abschnitt 331 und einen Terminalabschnitt 332. Die Grenze zwischen dem Pad-Abschnitt 331 und dem Terminalabschnitt 332 ist eine Ebene, die sich in der zweiten Richtung y und in der Dickenrichtung z erstreckt, und die eine erste Seitenfläche 73A (nachstehend im Detail beschrieben) des Abdichtungsharzelementes 70 beinhaltet, die auf der anderen Seite in der ersten Richtung x angeordnet ist. Der gesamte Pad-Abschnitt 331 ist von dem Abdichtungsharzelement 70 bedeckt. Ein Abschnitt des Pad-Abschnittes 331 auf der einen Seite in der ersten Richtung x hat die Form von Kammzähnen. Dieser Kammzahn-förmige Abschnitt ist an die Fläche des zweiten leitfähigen Abschnittes 20B gefügt, und zwar in einem Zustand, so dass er elektrisch damit verbunden ist. Dieser Fügevorgang wird durchgeführt durch Lötfügen, durch Ultraschallfügen oder dergleichen. Folglich ist das Ausgangsterminal 33 elektrisch mit dem zweiten leitfähigen Abschnitt 20B verbunden. Wie es in den 2 bis 5 gezeigt ist, erstreckt sich der Terminalabschnitt 332 von dem Abdichtungsharzelement 70 hin zu der anderen Seite in der ersten Richtung x. Der Terminalabschnitt 332 weist eine rechteckige Form auf, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z. Abschnitte des Terminalabschnittes 332 auf beiden Seiten in der zweiten Richtung y sind von dem Abdichtungsharzelement 70 bedeckt. Der andere Abschnitt des Terminalabschnittes 332 liegt gegenüber dem Abdichtungsharzelement 70 frei. Folglich ist das Ausgangsterminal 33 von sowohl dem leitfähigen Element 20 (zweiter leitfähiger Abschnitt 20B als auch dem Abdichtungsharzelement 70 gelagert bzw. getragen.
  • Wie es in den 3, 9 und 10 gezeigt ist, ist die Vielzahl von Halbleiterelementen 40 (die Vielzahl von ersten Elementen 40A und die Vielzahl von zweiten Elementen 40B) an den ersten leitfähigen Abschnitt 20A bzw. den zweiten leitfähigen Abschnitt 20B gefügt, die das leitfähige Element 20 bilden, und zwar in einem Zustand, so dass sie elektrisch damit verbunden sind. Die Vielzahl von Halbleiterelementen 40 ist in der zweiten Richtung y bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z gestuft versetzt („in a staggered manner“) angeordnet. Von der Vielzahl von Halbleiterelementen 40 bildet die Vielzahl von ersten Elementen 40A eine obere Zweigschaltung des Halbleiterbauteils A10. Die Vielzahl von zweiten Elementen 40B bildet eine untere Zweigschaltung des Halbleiterbauteils A10. Jedes der Vielzahl von Halbleiterelementen 40 weist eine rechteckige Form (quadratische Form in dem Halbleiterbauteil A10) auf, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z. In dem Halbleiterbauteil A10, bei dem es sich um ein Beispiel handelt, ist die Vielzahl von Halbleiterelementen 40 durch vier erste Elemente 40A und vier zweite Elemente 40B gebildet. Es ist anzumerken, dass die Anzahl von Halbleiterelementen nicht auf jene in dieser Konfiguration beschränkt ist und frei eingestellt werden kann, und zwar gemäß der erforderlichen Leistungsfähigkeit des Halbleiterbauteils A10.
  • Sämtliche der Vielzahl von ersten Elementen 40A und der Vielzahl von zweiten Elementen 40B sind die gleichen Halbleiterelemente. Die Halbleiterelemente sind beispielsweise Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), die erhalten werden unter Verwendung eines Halbleitermaterials, das als Hauptbestandteil Siliziumkarbid (SiC) enthält. Es ist anzumerken, dass die ersten Elemente 40A und die zweiten Elemente 40B nicht auf MOSFETs beschränkt sind und Feldeffekttransistoren sein können, einschließlich von Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MISFETs) oder Bipolartransistoren wie Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs). Beim Beschreiben des Halbleiterbauteils A10 wird ein Beispiel beschrieben, bei dem sämtliche der ersten Elemente 40A und der zweiten Elemente 40B vertikale n-Kanal-MOSFETs sind.
  • Wie es in den 11 und 12 gezeigt ist, hat jedes der ersten Elemente 40A und der zweiten Elemente 40B eine erste Fläche 401, eine zweite Fläche 402, eine erste Elektrode 41, eine zweite Elektrode 42, eine Gate-Elektrode 43 und einen isolierenden Film 44. Die erste Fläche 401 und die zweite Fläche 402 weisen in der Dickenrichtung z in einander entgegengesetzte Richtung bzw. in entgegengesetzte Seiten. Von diesen Flächen weist die erste Fläche 401 zu jener Seite, zu der die Trägerfläche 101 des Trägerelementes 10 weist.
  • Wie es in den 11 und 12 gezeigt ist, ist die erste Elektrode 41 auf der ersten Fläche 401 vorgesehen. Ein Source-Strom fließt durch die erste Elektrode 41. In dem Halbleiterbauteil A10, bei dem es sich um ein Beispiel handelt, ist die erste Elektrode 41 in vier Regionen unterteilt.
  • Wie es in 11 gezeigt ist, ist in jeder der ersten Elektroden 41 der Vielzahl von ersten Elementen 40A eine Vielzahl von ersten Drähten 50A mit jeweiligen der vier Regionen verbunden. Die ersten Drähte 50A sind beispielsweise aus Aluminium hergestellt. Eine Vielzahl von ersten Drähten 50A, die mit den ersten Elektroden 41 der Vielzahl von ersten Elementen 40A verbunden sind, sind mit der ersten Hauptfläche 201 des zweiten leitfähigen Abschnittes 20B verbunden. Demzufolge sind die ersten Elektroden 41 der Vielzahl von ersten Elementen 40A elektrisch mit dem zweiten leitfähigen Abschnitt 20B verbunden. Die Vielzahl von ersten Drähten 50A erstreckt sich in der ersten Richtung x.
  • Wie es in 11 gezeigt ist, sind in jeder der ersten Elektroden 41 der zweiten Elemente 40B eine Vielzahl von zweiten Drähten 50B mit jeweiligen der vier Regionen verbunden. Die zweiten Drähte 50B sind beispielsweise aus Aluminium hergestellt. Eine Vielzahl von zweiten Drähten 50B, die mit den ersten Elektroden 41 der Vielzahl von zweiten Elementen 40B verbunden sind, sind mit Flächen der Vielzahl von Verlängerungsabschnitten 321 B (zweiter Pad-Abschnitt 321) des zweiten Eingangsterminals 32 verbunden. Demzufolge sind die ersten Elektroden 41 der Vielzahl von zweiten Elementen 40B elektrisch mit dem zweiten Eingangsterminal 32 verbunden. Das heißt, das zweite Eingangsterminal 32 ist elektrisch mit der Vielzahl von zweiten Elementen 40B verbunden, die einen Abschnitt der Vielzahl von Halbleiterelementen 40 bilden. Die Vielzahl von zweiten Drähten 50B erstreckt sich in der ersten Richtung x.
  • Wie es in 12 gezeigt ist, ist die zweite Elektrode 42 über die gesamte zweite Fläche 402 vorgesehen. Ein Drain-Strom fließt durch die zweite Elektrode 42. Jede der zweiten elektrischen Elektroden 42 der Vielzahl von ersten Elementen 40A ist an die Hauptfläche 201 des ersten leitfähigen Abschnittes 20A gefügt, und zwar in einem Zustand, so dass sie elektrisch damit verbunden sind, und zwar mittels einer zweiten Fügeschicht 29, die elektrisch leitfähig ist. Die zweite Fügeschicht 29 ist aus einem bleifreien Lötmittel hergestellt, das Zinn (Sn) als Hauptkomponente beinhaltet, um ein Beispiel zu nennen. Jede der zweiten Elektroden 42 der Vielzahl von zweiten Elementen 40B ist an die Hauptfläche 201 des zweiten leitfähigen Abschnittes 20B in einem Zustand gefügt, bei dem sie elektrisch damit verbunden sind, und zwar durch die zweite Fügeschicht 29.
  • Wie es in 11 gezeigt ist, ist die Gate-Elektrode 43 auf der ersten Fläche 401 vorgesehen. Eine Gate-Spannung zum Ansteuern bzw. Antreiben eines entsprechenden der ersten Elemente 40A und der zweiten Elemente 40B wird an die Gate-Elektrode 43 angelegt. Die Gate-Elektrode 43 ist kleiner als die erste Elektrode 41. Von der Vielzahl von ersten Gate-Drähten 51A ist einer mit der Gate-Elektrode 43 verbunden. Die ersten Gate-Drähte 51A sind beispielsweise aus Aluminium hergestellt. Eine Vielzahl von ersten Gate-Drähten 51A, die jeweils mit den Gate-Elektroden 43 der Vielzahl von ersten Elementen 40A verbunden sind, sind mit der Gate-Schicht 25 verbunden, die auf dem isolierenden Substrat 24 angeordnet ist, das an den ersten leitfähigen Abschnitt 20A gefügt ist. Eine Vielzahl von ersten Gate-Drähten 51A, die jeweils mit den Gate-Elektroden 43 der Vielzahl von zweiten Elementen 40B verbunden sind, sind mit der Gate-Schicht 25 verbunden, die auf dem isolierenden Substrat 24 angeordnet ist, das an den zweiten leitfähigen Abschnitt 20B gefügt ist.
  • Wie es in 11 gezeigt ist, ist in jedem der ersten Elemente 40A und der zweiten Elemente 40B einer Vielzahl von ersten Erfassungsdrähten 52A mit der ersten Elektrode 41 verbunden. Der erste Erfassungsdraht 52A ist mit einer der vier Regionen der ersten Elektrode 41 verbunden. Die ersten Erfassungsdrähte 52A sind beispielsweise aus Aluminium hergestellt. Eine Vielzahl von ersten Erfassungsdrähten 52A, die jeweils mit den ersten Elektroden 41 der Vielzahl von ersten Elementen 40A verbunden sind, sind mit der Erfassungsschicht 26 verbunden, die auf dem isolierenden Substrat 24 angeordnet ist, das an den ersten leitfähigen Abschnitt 20A gefügt ist. Eine Vielzahl von ersten Erfassungsdrähten 52A, die jeweils mit den ersten Elektroden 41 der Vielzahl von zweiten Elementen 40B verbunden sind, sind mit der Erfassungsschicht 26 verbunden, die auf dem isolierenden Substrat 24 angeordnet ist, das an den zweiten leitfähigen Abschnitt 20B gefügt ist.
  • Wie es in den 11 und 12 gezeigt ist, ist der isolierende Film 44 auf der ersten Fläche 401 vorgesehen. Der isolierende Film 44 weist elektrisch isolierende Eigenschaften auf. Der isolierende Film 44 umgibt die erste Elektrode 41, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z. Der isolierende Film 44 ist beispielsweise gebildet durch Stapeln einer Siliziumdioxid-Schicht (SiO2-Schicht), einer Siliziumnitrid-Schicht (Si3N4-Schicht) und einer Polybenzoxazol-Schicht (PBO-Schicht), und zwar in dieser Reihenfolge auf der ersten Fläche 401. Es ist anzumerken, dass in dem isolierenden Film 44 die Polybenzoxazol-Schicht durch eine Polyimid-Schicht ersetzt werden kann.
  • Wie es in 3 gezeigt ist, sind das Paar von Gate-Terminals 34, das Paar von Erfassungsterminals 35, die Vielzahl von Dummy-Terminals 36 in der zweiten Richtung y benachbart zu dem Trägerelement 10. Diese Terminals sind in der ersten Richtung x angeordnet. In dem Halbleiterbauteil A10 sind das Paar von Gate-Terminals 34, das Paar von Erfassungsterminals 35 und die Vielzahl von Dummy-Terminals 36 sämtlich durch den gleichen Anschlussrahmen („Anschluss frame“) gebildet.
  • Wie es in 3 gezeigt ist, ist von dem Paar von Gate-Terminals 34 eines benachbart zu dem ersten Trägerabschnitt 10A, und zwar in der zweiten Richtung y, und das andere ist benachbart zu dem zweiten Trägerabschnitt 10B, und zwar in der zweiten Richtung y. Eine Gate-Spannung zum Ansteuern der Vielzahl von ersten Elementen 40A und eine Gate-Spannung zum Ansteuern der Vielzahl von zweiten Elementen 40B werden jeweils an ein entsprechendes des Paares von Gate-Terminals 34 angelegt. Von dem Paar von Gate-Terminals 34 beinhaltet jedes einen Pad-Abschnitt 341 und einen Terminalabschnitt 342. Der Pad-Abschnitt 341 ist von dem Abdichtungsharzelement 70 bedeckt. Folglich ist das Paar von Gate-Terminals 34 von dem Abdichtungsharzelement 70 gelagert. Es ist anzumerken, dass eine Fläche des Pad-Abschnittes 341 beispielsweise mit Silber plattiert sein kann. Der Terminalabschnitt 342 geht kontinuierlich in den Pad-Abschnitt 341 über und liegt gegenüber dem Abdichtungsharzelement 70 frei (siehe 8). Der Terminalabschnitt 342 weist bei einer Betrachtung in der ersten Richtung x eine L-Form auf.
  • Wie es in 3 gezeigt ist, ist von dem Paar von Erfassungsterminals 35 jedes benachbart zu einem entsprechenden des Paares von Gate-Terminals 34, und zwar in der ersten Richtung x. Eine Spannung (Spannung entsprechend dem Source-Strom), die an die ersten Elektroden 41 der Vielzahl von ersten Elementen 40A angelegt wird, und eine Spannung, die an die ersten Elektroden 41 der Vielzahl von zweiten Elementen 40B angelegt wird, werden jeweils von einem entsprechenden des Paares von Erfassungsterminals 35 erfasst. Von dem Paar von Erfassungsterminals 35 beinhaltet jedes einen Pad-Abschnitt 351 und einen Terminalabschnitt 352. Der Pad-Abschnitt 351 ist von dem Abdichtungsharzelement 70 bedeckt. Folglich ist das Paar von Erfassungsterminals 35 von dem Abdichtungsharzelement 70 gelagert. Es ist anzumerken, dass eine Fläche des Pad-Abschnittes 351 beispielsweise mit Silber plattiert sein kann. Der Terminalabschnitt 352 geht kontinuierlich in den Pad-Abschnitt 351 über und liegt gegenüber dem Abdichtungsharzelement 70 frei (siehe 8). Der Terminalabschnitt 352 hat bei einer Betrachtung in der ersten Richtung x ein L-Form.
  • Wie es in 3 gezeigt ist, ist die Vielzahl von Dummy-Terminals 36 in Bezug auf das Paar von Erfassungsterminals 35 in der ersten Richtung auf den Seiten gegenüberliegend dem Paar von Gate-Terminals 34 angeordnet. Das Halbleiterbauteil A10, bei dem es sich um ein Beispiel handelt, beinhaltet sechs Dummy-Terminals 36. Von den sechs Dummy-Terminals 36 sind drei Dummy-Terminals auf der einen Seite in der ersten Richtung x angeordnet. Die verbleibenden drei Dummy-Terminals 36 sind auf der anderen Seite in der ersten Richtung x angeordnet. Es ist anzumerken, dass die Anzahl von Dummy-Terminals 36 nicht auf jene in dieser Konfiguration beschränkt ist. Ferner kann das Halbleiterbauteil A10 auch eine Konfiguration haben, die die Vielzahl von Dummy-Terminals 36 nicht enthält. Jedes der Vielzahl von Dummy-Terminals 36 beinhaltet einen Pad-Abschnitt 361 und einen Terminalabschnitt 362. Der Pad-Abschnitt 361 ist von dem Abdichtungsharzelement 70 bedeckt. Folglich ist die Vielzahl von Dummy-Terminals 36 von dem Abdichtungsharzelement 70 gelagert. Es ist anzumerken, dass eine Fläche des Pad-Abschnittes 361 beispielsweise mit Silber plattiert sein kann. Der Terminalabschnitt 362 geht kontinuierlich in den Pad-Abschnitt 361 über und liegt gegenüber dem Abdichtungsharzelement 70 frei (siehe 8). Wie es in den 6 und 7 gezeigt ist, weist der Terminalabschnitt 362 bei einer Betrachtung in der ersten Richtung x eine L-Form auf. Es ist anzumerken, dass die Terminalabschnitte 342 des Paares von Gate-Terminals 34 und die Terminalabschnitte 352 des Paares von Erfassungsterminals jeweils die gleiche Form haben wie der Terminalabschnitt 362.
  • Wie es in den 3 und 11 gezeigt ist, beinhaltet das Halbleiterbauteil A10 ferner ein Paar von zweiten Gate-Drähten 51B und ein Paar von zweiten Erfassungsdrähten 52B. Das Paar von zweiten Gate-Drähten 51B und das Paar von zweiten Erfassungsdrähten 52B sind beispielsweise aus Aluminium hergestellt.
  • Wie es in den 3 und 11 gezeigt ist, ist von dem Paar von zweiten Gate-Drähten 51 B jeder mit einer entsprechenden des Paares von Gate-Schichten 25 und einem entsprechenden des Paares von Gate-Terminals 34 verbunden. Das Paar von zweiten Gate-Drähten 51B ist mit Flächen des Paares von Pad-Abschnitten 341 des Paares von Gate-Terminals 34 verbunden. Folglich ist das Gate-Terminal 34, das benachbart ist zu dem ersten Trägerabschnitt 10A in der zweiten Richtung y, elektrisch mit den Gate-Elektroden 43 der Vielzahl von ersten Elementen 40A verbunden. Das Gate-Terminal 34, das in der zweiten Richtung y benachbart ist zu dem zweiten Trägerabschnitt 10B, ist elektrisch verbunden mit den Gate-Elektroden 43 der Vielzahl von zweiten Elementen 40B.
  • Wie es in den 3 und 11 gezeigt ist, ist von dem Paar von zweiten Erfassungsdrähten 52B jeder mit einer entsprechenden des Paares von Erfassungsschichten 26 und einem entsprechenden des Paares von Erfassungsterminals 35 verbunden. Das Paar von zweiten Erfassungsdrähten 52B ist mit Flächen des Paares von Pad-Abschnitten 351 des Paares von Erfassungsterminals 35 verbunden. Folglich ist das Erfassungsterminal 35, das in der zweiten Richtung y benachbart ist zu dem ersten Trägerabschnitt 10A, elektrisch mit den ersten Elektroden 41 der Vielzahl von ersten Elementen 40A verbunden. Das Erfassungsterminal 35, das in der zweiten Richtung y benachbart ist zu dem zweiten Trägerabschnitt 10B, ist elektrisch mit den ersten Elektroden 41 der Vielzahl von zweiten Elementen 40B verbunden.
  • Wie es in den 9 und 10 gezeigt ist, bedeckt die isolierende Schicht 60 die Trägerfläche 101 des Trägerelementes 10, das leitfähige Element 20, die Vielzahl von Halbleiterelementen 40 und jeweilige Abschnitte des ersten Eingangsterminals 31, des zweiten Eingangsterminals 32 und des Ausgangsterminals 33. Die isolierende Schicht 60 bedeckt ferner die Vielzahl von ersten Drähten 50A, die Vielzahl von zweiten Drähten 50B, die Vielzahl von ersten Gate-Drähten 51A, die Vielzahl von ersten Erfassungsdrähten 52A, das Paar von zweiten Gate-Drähten 51B, und das Paar von zweiten Erfassungsdrähten 52B. Die isolierende Schicht 60 enthält elektrisch isolierende Materialien, die gegenüber Temperaturzyklen eine relativ hohe Widerstandsfähigkeit besitzen. Die elektrisch isolierenden Materialien sind Polyimid und Silikongel. Das Gewichtsverhältnis zwischen Polyimid und Silikongel, die in der isolierenden Schicht 60 enthalten sind, ist Silikongel : Polyimid = 1 : 1,5 bis 7,0. Das heißt, das in der isolierenden Schicht 60 enthaltene Gewicht an Polyimid ist größer als das in der isolierenden Schicht enthaltene Gewicht an Silikongel. In der isolierenden Schicht 60 sind Moleküle aus Polyimid und Moleküle aus Silikongel miteinander vermischt. Es ist mehr bevorzugt, wenn Moleküle aus Polyimid und Moleküle aus Silikongel gleichförmig über die gesamte isolierende Schicht 60 verteilt bzw. dispergiert sind. Die isolierende Schicht 60 ist durch Beschichten gebildet, beispielsweise unter Verwendung eines Sprays.
  • Wie es in den 9 und 10 gezeigt ist, ist das Abdichtungsharzelement 70 um das leitfähige Element 20 und die Vielzahl von Halbleiterelementen 40 angeordnet. Das Abdichtungsharzelement 70 bedeckt einen Abschnitt des Trägerelementes 10 (die Vielzahl von Seitenflächen 103) und die isolierende Schicht 60. Wie es in 12 gezeigt ist, ist das Abdichtungsharzelement 70 aus einem Material hergestellt, das ein thermoplastisches Harz enthält, das eine Vielzahl von Kohlenstofffasern 70A enthält. Jede der Vielzahl von Kohlenstofffasern 70A hat eine relativ kurze Länge. Die Vielzahl von Kohlenstofffasern 70A ist gleichförmig in dem Abdichtungsharzelement 70 verteilt bzw. dispergiert. Das thermoplastische Harz ist Polypropylen (PP), um ein Beispiel zu nennen. Das Abdichtungsharzelement 70 ist beispielsweise durch Spritzgießen gebildet.
  • Wie es in den 2 und 5 bis 8 gezeigt ist, weist das Abdichtungsharzelement 70 eine obere Fläche 71, eine untere Fläche 72, ein Paar von ersten Seitenflächen 73A, ein Paar von zweiten Seitenflächen 73B, eine Vielzahl von dritten Seitenflächen 73C, eine Vielzahl von vierten Seitenflächen 73D und eine Vielzahl von Anbringungslöchern 74 auf.
  • Wie es in den 9 und 10 gezeigt ist, weist die obere Fläche 71 zu der Seite in der Dickenrichtung z, in die die Trägerfläche 101 des Trägerelementes 10 weist. Die untere Fläche 72 weist in der Dickenrichtung z zu der Seite, die der oberen Fläche 71 gegenüberliegt. Wie es in 5 gezeigt ist, liegt das Paar von unteren Flächen 102 des Trägerelementes 10 gegenüber der unteren Fläche 72 frei. Daher hat das Halbleiterbauteil A10 eine Konfiguration, bei der ein Abschnitt des Trägerelementes 10 gegenüber dem Abdichtungsharzelement 70 frei liegt. Die untere Fläche 72 hat die Form eines Rahmens, der das Paar von untere Flächen 102 umgibt.
  • Wie es in den 2 und 5 bis 7 gezeigt ist, geht das Paar von ersten Seitenflächen 73A kontinuierlich über in sowohl die obere Fläche 71 als auch die untere Fläche 72 und weist in die erste Richtung x. Der erste Terminalabschnitt 312 des ersten Eingangsterminals 31 und der zweite Terminalabschnitt 322 des zweiten Eingangsterminals 32 erstrecken sich hin zu der einen Seite in der ersten Richtung x, ausgehend von einer ersten Seitenfläche 73A, die auf der einen Seite in der ersten Richtung x angeordnet ist. Der Terminalabschnitt 332 des Ausgangsterminals 33 erstreckt sich hin zu der anderen Seite in der ersten Richtung x, und zwar ausgehend von der ersten Seitenfläche 73A, die auf der anderen Seite in der ersten Richtung x angeordnet ist. Demzufolge liegen jeweilige Abschnitte des ersten Eingangsterminals 31 und des zweiten Eingangsterminals 32 gegenüber dem Abdichtungsharzelement 70 frei, und zwar auf der einen Seite in der ersten Richtung x. Gleichfalls liegt ein Abschnitt des Ausgangsterminal 33 gegenüber dem Abdichtungsharzelement 70 frei, und zwar auf der anderen Seite in der ersten Richtung x.
  • Wie es in den 2 und 5 bis 8 gezeigt ist, geht das Paar von zweiten Seitenflächen 73B kontinuierlich über sowohl in die obere Fläche 71 als auch in die untere Fläche 72 und weist in die zweite Richtung y. Die Terminalabschnitte 342 des Paares von Gate-Terminals 34, die Terminalabschnitte 352 des Paares von Erfassungsterminals 35 und die Terminalabschnitte 362 der Vielzahl von Dummy-Terminals 36 liegen von einem beliebigen des Paares von zweiten Seitenflächen 73B frei.
  • Wie es in den 2 und 5 bis 7 gezeigt ist, geht die Vielzahl von dritten Seitenflächen 73C kontinuierlich über in sowohl die obere Fläche 71 als auch die untere Fläche 72 und weist in die zweite Richtung y. Die Vielzahl von dritten Seitenflächen 73C beinhaltet ein Paar von dritten Seitenflächen 73C, die auf der einen Seite in der ersten Richtung x angeordnet sind, und ein Paar von dritten Seitenflächen 73C, die auf der anderen Seite in der ersten Richtung x angeordnet sind. Auf sowohl der einen Seite als auch der anderen Seite in der ersten Richtung x liegt das jeweilige Paar von dritten Seitenflächen 73C in der zweiten Richtung y einander gegenüber. Ferner gehen auf sowohl der einen Seite als auch der anderen Seite in der ersten Richtung x das Paar von dritten Seitenflächen 73C kontinuierlich über in beide Enden der ersten Seitenfläche 73A, und zwar in der zweiten Richtung y.
  • Wie es in den 2 und 5 bis 8 gezeigt ist, geht die Vielzahl von vierten Seitenflächen 73D kontinuierlich über in sowohl die obere Fläche 71 als auch die untere Fläche 72 und weist in die erste Richtung x. Die Vielzahl von vierten Seitenflächen 73D ist weiter außen von dem Halbleiterbauteil A10 angeordnet als das Paar von ersten Seitenflächen 73A, und zwar in der ersten Richtung x. Die Vielzahl von vierten Seitenflächen 73D beinhaltet ein Paar von vierten Seitenflächen 73D, das auf der einen Seite in der ersten Richtung x angeordnet ist, und ein Paar von vierten Seitenflächen 73D, das an der anderen Seite in der ersten Richtung x angeordnet ist. Auf sowohl der einen als auch der anderen Seite in der ersten Richtung x geht jedes Paar von vierten Seitenflächen 73D jeweils auf beiden Seiten hiervon in der zweiten Richtung y kontinuierlich über in eine entsprechende des Paares von zweiten Seitenflächen 73B und eine entsprechende des Paares von dritten Seitenflächen 73C.
  • Wie es in 9 gezeigt ist, erstreckt sich die Vielzahl von Anbringungslöchern 74 von der oberen Fläche 71 hin zu der unteren Fläche 72 in der Dickenrichtung z, wobei sie durch das Abdichtungsharzelement 70 hindurch verlaufen. Die Anbringungslöcher 74 werden dazu verwendet, um das Halbleiterbauteil A10 an einer (nicht gezeigten) Wärmesenke zu befestigen bzw. anzubringen. Wie es in den 2 und 5 gezeigt ist, haben Lochkanten der Anbringungslöcher 74 jeweils eine Kreisform, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z. Die Anbringungslöcher 74 sind an vier Ecken des Abdichtungsharzelementes 70 angeordnet, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z.
  • Im Folgenden werden Funktionen und Wirkungen des Halbleiterbauteils A10 beschrieben.
  • Das Halbleiterbauteil A10 beinhaltet das Trägerelement 10, das leitfähige Element 20, das an das Trägerelement 10 gefügt ist, und die Halbleiterelemente 40, die an die Hauptfläche 201 des leitfähigen Elementes 20 gefügt sind, und zwar in elektrischer Verbindung. Das leitfähige Element 20 ist aus einem Material hergestellt, das Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff beinhaltet. Die thermische Leitfähigkeit des Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoffes kann gleich sein oder höher als das Zweifache („twice“) der thermischen Leitfähigkeit (etwa 400 W /(m·K)) von Kupfer. Daher wird Wärme, die von den Halbleiterelementen 40 erzeugt wird, wenn das Halbleiterbauteil A10 verwendet wird, schnell durch das Trägerelement 10 hin zu dem leitfähigen Element 20 geleitet. Folglich kann eine Wärmeableitung des Halbleiterbauteils A10 verbessert werden.
  • Das leitfähige Element 20 beinhaltet den Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff, und folglich kann eine thermische Ausdehnung des leitfähigen Elementes 20 unterdrückt bzw. vermindert werden. Im Ergebnis sind thermische Spannungen, die auf die zweite Fügeschicht 29 wirken, die zwischen dem leitfähigen Element 20 und den Halbleiterelementen 40 angeordnet ist, reduziert und folglich können Brüche der zweiten Fügeschicht 29 aufgrund von thermischen Spannungen effektiver unterdrückt werden.
  • Das leitfähige Element 20 beinhaltet die Basisschicht 21 und die leitfähige Schicht 22. Die Basisschicht 21 ist aus einem Material hergestellt, das Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff enthält. Die leitfähige Schicht 22 weist die Hauptfläche 201 auf und ist auf die Basisschicht 21 gestapelt. Die Basisschicht 21 beinhaltet den Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff und ist daher elektrisch leitfähig, der elektrische Widerstand bzw. die elektrische Widerstandsfähigkeit („electrical resistivity“) der Basisschicht ist jedoch relativ niedrig. In dieser Hinsicht können als Ergebnis davon, dass die leitfähige Schicht 22, die beispielsweise aus Kupfer hergestellt ist, vorgesehen ist, elektrische Ströme, die von dem leitfähigen Element 20 zu den Halbleiterelementen 40 fließen, stabiler gemacht werden. Ferner können die Halbleiterelemente 40 verlässlicher an das leitfähige Element 20 gefügt werden, und zwar in einem Zustand, so dass sie elektrisch damit verbunden sind, und zwar unter Verwendung der zweiten Fügeschicht 29, die aus bleifreiem Lötmittel hergestellt ist.
  • In der Basisschicht 21 erstreckt sich die Vielzahl von Kohlenstofffasern 21A, die den Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff bilden, jeweils in der Dickenrichtung z. Die thermische Leitfähigkeit des Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoffes ist in der Erstreckungsrichtung der Vielzahl von Kohlenstofffasern 21A am höchsten, die den Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff bilden. Daher kann Wärme, die aus den Halbleiterelementen 40 zu dem leitfähigen Element 20 geleitet wird, effizienter zu dem Trägerelement 10 geleitet werden.
  • Das Halbleiterbauteil A10 beinhaltet ferner das Abdichtungsharzelement 70, das um das leitfähige Element 20 und die Halbleiterelemente 40 herum angeordnet ist. Das Abdichtungsharzelement 70 beinhaltet die Vielzahl von Kohlenstofffasern 70A. Daher kann die mechanische Festigkeit des Abdichtungsharzelementes 70 verbessert werden, und folglich können Brüche des Abdichtungsharzelementes 70 effektiver unterdrückt werden. Ferner können das leitfähige Element 20 und die Halbleiterelemente 40 von dem Abdichtungsharzelement 70 gegenüber externen Faktoren geschützt werden.
  • Das Halbleiterbauteil A10 beinhaltet ferner die isolierende Schicht 60, die das leitfähige Element 20 und die Halbleiterelemente 40 bedeckt. Das Abdichtungsharzelement 70 bedeckt die isolierende Schicht 60. Das Abdichtungsharzelement 70 enthält die Vielzahl von Kohlenstofffasern 70A, und daher ist das Abdichtungsharzelement 70 elektrisch leitfähig. Als Ergebnis davon, dass die isolierende Schicht 60 bereitgestellt wird, können das leitfähige Element 20 und die Halbleiterelemente 40 gegenüber dem Abdichtungsharzelement 70 elektrisch isoliert werden.
  • Es ist bevorzugt, dass die isolierende Schicht 60 ein elektrisch isolierendes Material enthält, das eine relativ hohe Haltbarkeit gegenüber Temperaturzyklen bzw. Temperaturwechseln hat. Demgemäß ist es bevorzugt, wenn die isolierende Schicht 60 Polyimid enthält. Wenn die isolierende Schicht 60 auch Silikongel enthält, und zwar zusätzlich zu dem Polyimid, kann die Haltbarkeit der isolierenden Schicht 60 gegenüber Temperaturzyklen weiter erhöht werden. Ferner kann die isolierende Schicht 60 leichter durch einen Beschichtungsprozess gebildet werden, und zwar unter Verwendung eines Sprays oder dergleichen.
  • Die Bodenfläche 102, bei der es sich um einen Abschnitt des Trägerelementes 10 handelt, liegt gegenüber dem Abdichtungsharzelement 70 frei. Bei dieser Konfiguration kann eine Wärmesenke mit der Bodenfläche 102 verbunden werden, und daher kann eine Wärmeableitung bzw. -dissipation des Halbleiterbauteils A10 weiter verbessert werden.
  • Das Halbleiterbauteil A10 beinhaltet ferner das erste Eingangsterminal 31 und das zweite Eingangsterminal 32. Das erste Eingangsterminal 31 ist elektrisch mit dem ersten leitfähigen Abschnitt 20A des leitfähigen Elementes 20 verbunden. Das zweite Eingangsterminal 32 ist elektrisch mit der Vielzahl von zweiten Elementen 40B verbunden, die an die Hauptfläche 201 des zweiten leitfähigen Abschnittes 20B des leitfähigen Elementes 20 gefügt sind. Die isolierende Schicht 60 bedeckt jeweilige Abschnitte des ersten Eingangsterminals 31 und des zweiten Eingangsterminals 32, und daher sind das erste Eingangsterminal 31 und das zweite Eingangsterminal 32 gegenüber dem Abdichtungsharzelement 70 elektrisch isoliert.
  • Das erste Eingangsterminal 31 beinhaltet den ersten Terminalabschnitt 312, der gegenüber dem Abdichtungsharzelement 70 frei liegt. Das zweite Eingangsterminal 32 beinhaltet den zweiten Terminalabschnitt 322, der gegenüber dem Abdichtungsharzelement 70 frei liegt. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z überlappt zumindest ein Abschnitt des zweiten Terminalabschnittes 322 den ersten Terminalabschnitt 312. Wenn daher das Halbleiterbauteil A10 verwendet wird, kann eine Induktivität bzw. Induktanz des ersten Eingangsterminals 31 reduziert werden, und zwar aufgrund eines magnetischen Feldes, das an dem zweiten Terminalabschnitt 322 erzeugt wird.
  • [Zweite Ausführungsform]
  • Nachstehend wird ein Halbleiterbauteil A20 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung auf der Grundlage der 13 bis 15 beschrieben. In diesen Figuren sind Elemente, bei denen es sich um die gleichen oder ähnliche Elemente handelt, wie jene in dem oben beschrieben Halbleiterbauteil A10, mit den gleichen Bezugszeichen wie jene bezeichnet, die in dem Halbleiterbauteil A10 verwendet werden, und eine redundante Beschreibung wird weggelassen. Es ist anzumerken, dass der Querschnitt, der in 13 gezeigt ist, sich auf der gleichen Position befindet, wie der Querschnitt, der in 9 gezeigt ist. Der in 14 ist gezeigte Querschnitt befindet sich auf der gleichen Position wie der in 10 gezeigte Querschnitt. Der in 15 gezeigte Querschnitt befindet sich auf der gleichen Position wie der in 12 gezeigte Querschnitt.
  • Das Halbleiterbauteil A20 unterscheidet sich von dem oben beschriebenen Halbleiterbauteil A10 hinsichtlich der Konfiguration des leitfähiges Elementes 20.
  • Wie es in den 13 und 14 gezeigt ist, ist das leitfähige Element 20 (der erste leitfähige Abschnitt 20A und der zweite leitfähige Abschnitt 20B) in dem Halbleiterbauteil A20 eine gestapelte Platte, die die Basisschicht 21, die leitfähige Schicht 22 und eine Zwischenschicht 23 enthält. Die Zwischenschicht 23 weist die Rückfläche 202 auf. Die Zwischenschicht 23 ist aus Metall hergestellt. Das Metall ist Kupfer oder eine Kupferlegierung. Die Basisschicht 21 ist auf die Zwischenschicht 23 gestapelt. Die leitfähige Schicht 22 ist auf die Basisschicht 21 gestapelt. Demgemäß ist die Basisschicht 21 sandwichartig zwischen der leitfähigen Schicht 22 und der Zwischenschicht 23 angeordnet. Es ist anzumerken, dass das Verfahren zum Bilden der Zwischenschicht 23 ähnlich ist zu dem Verfahren zum Stapeln der leitfähigen Schicht 22, wie oben bei der Beschreibung des Halbleiterbauteils A10 beschrieben.
  • Wie es in 15 gezeigt ist, erstreckt sich in der Basisschicht 21 die Vielzahl von Kohlenstofffasern 21A, die einen Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff bilden, jeweils in der Dickenrichtung z. In jeder der Vielzahl von Kohlenstofffasern 21A befindet sich eine Endfläche hiervon auf einer Seite in der Dickenrichtung z in Kontakt mit der leitfähigen Schicht 22, und befindet sich eine Endfläche hiervon auf der anderen Seite in der Dickenrichtung z in Kontakt mit der Zwischenschicht 23.
  • Als Nächstes werden Funktionen und Wirkungen des Halbleiterbauteils A20 beschrieben.
  • Ähnlich zu dem oben beschriebenen Halbleiterbauteil A10 beinhaltet das Halbleiterbauteil A20 das leitfähige Element 20, das an das Trägerelement 10 gefügt ist, und die Halbleiterelemente 40, die an die Hauptfläche 201 in elektrischer Verbindung mit dem leitfähigen Element 20 gefügt sind. Das leitfähige Element 20 ist aus einem Material hergestellt, das Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff enthält. Daher kann die Wärmeableitung des Halbleiterbauteils A20 auch verbessert werden.
  • Das leitfähige Element 20 beinhaltet die Basisschicht 21, die leitfähige Schicht 22 und die Zwischenschicht 23. Die Zwischenschicht 23 weist die Rückfläche 202 auf und ist aus Metall hergestellt. Die Basisschicht 21 ist aus einem Material hergestellt, das Kohlenstofffasern beinhaltet, und ist auf die Zwischenschicht 23 gestapelt. Die leitfähige Schicht 22 weist die Hauptfläche 201 auf und ist auf die Basisschicht 21 gestapelt. Als Ergebnis davon, dass die Zwischenschicht 23 vorgesehen wird, kann das leitfähige Element 20 leicht an das Trägerelement 10 gefügt werden, und zwar unter Verwendung der ersten Fügeschicht 19, die beispielsweise aus einem bleifreien Lötmittel hergestellt ist. Als ein Ergebnis davon, dass die leitfähige Schicht 22 bereitgestellt ist, können elektrische Ströme, die von dem leitfähigen Element 20 zu den Halbleiterelementen 40 fließen, stabiler gemacht werden. Ferner können die Halbleiterelemente 40 verlässlicher an das leitfähige Element 20 gefügt werden, und zwar in einem Zustand, bei dem sie elektrisch damit verbunden sind, und zwar unter Verwendung der zweiten Fügeschicht 29, die aus einem bleifreien Lötmittel hergestellt ist.
  • [Dritte Ausführungsform]
  • Nachfolgend wird ein Halbleiterbauteil A30 gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung auf der Grundlage der 16 bis 21 beschrieben. In diesen Figuren sind Elemente, bei denen es sich um die gleichen oder ähnliche Elemente handelt wie jene in dem oben beschriebenen Halbleiterbauteil A10, mit den gleichen Bezugszeichen versehen wie jene, die in dem Halbleiterbauteil A10 verwendet werden, und eine redundante Beschreibung wird weggelassen.
  • Das Halbleiterbauteil A30 beinhaltet ein Trägerelement 10, ein leitfähiges Element 20, einen ersten Anschluss („lead“) 37, einen zweiten Anschluss 38, ein Halbleiterelement 40, eine Vielzahl von ersten Drähten 50A, einen zweiten Draht 50B, eine isolierende Schicht 60 und ein Abdichtungsharzelement 70. Von diesen unterscheiden sich die Konfigurationen von anderen Elementen als dem leitfähigen Element 20 von jenen in dem oben beschriebenen Halbleiterbauteil A10. Es ist anzumerken, dass auch in der Beschreibung des Halbleiterbauteils A30 ein Beispiel beschrieben wird, bei dem das Halbleiterelement 40 ein vertikaler n-Kanal-MOSFET ist.
  • Wie es in den 17, 19, und 20 gezeigt ist, lagert das Trägerelement 10 das leitfähige Element 20. In dem Halbleiterbauteil A30 ist das Trägerelement 10 elektrisch leitfähig. Das Trägerelement 10 ist durch den gleichen Anschlussrahmen gebildet, und zwar zusammen mit dem ersten Anschluss 37 und dem zweiten Anschluss 38. Der Anschlussrahmen ist aus Kupfer oder einer Kupferlegierung hergestellt.
  • Wie es in den 17, 18, und 20 gezeigt ist, beinhaltet das Trägerelement 10 einen Montageabschnitt 11, einen Terminalabschnitt 12 und einen Koppelabschnitt 13. Von diesen hat der Montageabschnitt 11 eine Trägerfläche 101, eine Bodenfläche 102 und eine Vielzahl von Seitenflächen 103. Die Trägerfläche 101 und die Vielzahl von Seitenflächen 103 sind von der isolierenden Schicht 60 bedeckt. Die Bodenfläche 102 liegt gegenüber dem Abdichtungsharzelement 70 frei. Es ist anzumerken, dass die Trägerfläche 101 beispielsweise mit Silber plattiert sein kann. Der Montageabschnitt 11 weist ein Loch 111 auf. Das Loch 111 erstreckt sich von der Trägerfläche 101 zu der Bodenfläche 102, wobei es in der Dickenrichtung z durch den Montageabschnitt 11 hindurch verläuft. Das Loch 111 weist bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z eine Kreisform auf. Die Umfangsfläche des Loches 111 ist von der isolierenden Schicht 60 bedeckt.
  • Wie es in den 16 bis 18 gezeigt ist, liegt der Terminalabschnitt 12 gegenüber dem Abdichtungsharzelement 70 frei. Der Terminalabschnitt 12 erstreckt sich in der ersten Richtung x. Wie es in 20 gezeigt ist, unterscheidet sich die Position des Terminalabschnittes 12 in der Dickenrichtung z von der Position des Montageabschnittes 11 in der Dickenrichtung z. Es ist anzumerken, dass eine Fläche des Terminalabschnittes 12 beispielsweise mit Zinn plattiert sein kann.
  • Wie es in den 17 und 18 gezeigt ist, koppelt der Koppelabschnitt 13 den Montageabschnitt 11 und den Terminalabschnitt 12 miteinander. Wie es in 20 gezeigt ist, ist der Koppelabschnitt 13 bei einer Betrachtung in der zweiten Richtung y scharf gebogen. Der Koppelabschnitt 13 ist von der isolierenden Schicht 60 bedeckt.
  • Wie es in den 17 bis 21 (ausschließlich 18) gezeigt ist, ist in dem Halbleiterbauteil A30 das leitfähige Element 20 an den Montageabschnitt 11 des Trägerelementes 10 gefügt, und zwar in einem Zustand, so dass es elektrisch damit verbunden ist, wobei eine elektrisch leitfähige erste Fügeschicht 19 dazwischen angeordnet ist. Die erste Fügeschicht 19 ist aus einem Material hergestellt, das synthetisches Harz bzw. Kunstharz enthält, das Metallpartikel enthält, wie eine Silberpaste.
  • Wie es in den 17 und 18 gezeigt ist, ist der erste Anschluss 37 auf einer Seite in der zweiten Richtung y in Bezug auf den Terminalabschnitt 12 und den Koppelabschnitt 13 des Trägerelementes 10 angeordnet. Die Position des ersten Anschlusses 37 ist in der Dickenrichtung z die gleiche wie die Position des Terminalabschnittes 12 in der Dickenrichtung z. Der erste Anschluss 37 beinhaltet einen Pad-Abschnitt 371 und einen Terminalabschnitt 372. Wie es in 19 gezeigt ist, ist der Pad-Abschnitt 371 von der isolierenden Schicht 60 bedeckt. Es ist anzumerken, dass eine Fläche des Pad-Abschnittes 371 beispielsweise mit Silber plattiert sein kann. Der Terminalabschnitt 372 liegt gegenüber dem Abdichtungsharzelement 70 frei. Der Terminalabschnitt 372 erstreckt sich in der ersten Richtung x. Es ist anzumerken, dass eine Fläche des Terminalabschnittes 372 beispielsweise mit Zinn plattiert sein kann.
  • Wie es in den 17 und 18 gezeigt ist, ist der zweite Anschluss 38 auf der anderen Seite in der zweiten Richtung y in Bezug auf den Terminalabschnitt 12 und den Koppelabschnitt 13 des Trägerelementes 10 angeordnet. Die Querschnittskonfiguration des zweiten Anschlusses 38, bei einer Betrachtung in der zweiten Richtung y, ist ähnlich zu jener des ersten Anschlusses 37, der in 19 gezeigt ist. Die Position des zweiten Anschlusses 38 in der Dickenrichtung z ist die gleiche wie die Positionen des ersten Anschlusses 37 und des Terminalabschnittes 12 des Trägerelementes 10 in der Dickenrichtung z. Der zweite Anschluss 38 beinhaltet einen Pad-Abschnitt 381 und einen Terminalabschnitt 382. Der Pad-Abschnitt 381 ist von der isolierenden Schicht 60 bedeckt. Es ist anzumerken, dass eine Fläche des Pad-Abschnittes 381 beispielsweise mit Silber plattiert sein kann. Der Terminalabschnitt 382 liegt gegenüber dem Abdichtungsharzelement 70 frei. Der Terminalabschnitt 382 erstreckt sich in der ersten Richtung x. Es ist anzumerken, dass eine Fläche des Terminalabschnittes 382 beispielsweise mit Zinn plattiert sein kann.
  • Wie es in den 17 und 18 gezeigt ist, sind der Terminalabschnitt 372 des ersten Anschlusses 37, der Terminalabschnitt 12 des Trägerelementes 10 und der Terminalabschnitt 382 des zweiten Anschlusses 38 in der zweiten Richtung y angeordnet bzw. nebeneinander angeordnet. Der Terminalabschnitt 12 ist in der zweiten Richtung y zwischen dem Terminalabschnitt 372 und dem Terminalabschnitt 382 angeordnet.
  • Wie es in 17 gezeigt ist, ist die erste Elektrode 41 des Halbleiterelementes 40 durch eine einzelne Region gebildet. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z ist die Gate-Elektrode 43 des Halbleiterelementes 40 benachbart zu einem Abschnitt der Umfangskante der ersten Elektrode 41. Wie es in 21 gezeigt ist, ist die zweite Elektrode 42 des Halbleiterelementes 40 an die leitfähige Schicht 22 des leitfähigen Elementes 20 gefügt, und zwar in einem Zustand, so dass sie elektrisch damit verbunden ist, wobei die zweite Fügeschicht 29 dazwischen angeordnet ist. Bei dieser Konfiguration fließt ein Drain-Strom des Halbleiterelementes 40 durch den Terminalabschnitt 12.
  • Wie es in 17 gezeigt ist, ist die Vielzahl von ersten Drähten 50A mit der ersten Elektrode 41 des Halbleiterelementes 40 und dem Pad-Abschnitt 371 des ersten Anschlusses 37 verbunden. Die Vielzahl von ersten Drähten 50A sind beispielsweise aus Aluminium hergestellt. Folglich ist der Terminalabschnitt 372 des ersten Anschlusses 37 elektrisch mit der ersten Elektrode 41 verbunden. Folglich fließt ein Source-Strom des Halbleiterelementes 40 durch den Terminalabschnitt 372. Es ist anzumerken, dass trotz der Tatsache, dass das Halbleiterbauteil A30, bei dem es sich um ein Beispiel handelt, zwei erste Drähte 50A beinhaltet, die Anzahl der ersten Drähte nicht auf eine solche Zahl beschränkt ist.
  • Wie es in 17 gezeigt ist, ist der zweite Draht 50B mit der Gate-Elektrode 43 des Halbleiterelementes 40 und mit dem Pad-Abschnitt 381 des zweiten Anschlusses 38 verbunden. Der zweite Draht 50B ist beispielsweise aus Gold (Au) hergestellt. Folglich ist der Terminalabschnitt 382 des zweiten Anschlusses 38 elektrisch mit der Gate-Elektrode 43 verbunden. Demzufolge wird an den Terminalabschnitt 382 eine Gate-Spannung zum Ansteuern des Halbleiterelementes 40 angelegt.
  • Wie es in den 19 bis 21 gezeigt ist, bedeckt die isolierende Schicht 60 das leitfähige Element 20, das Halbleiterelement 40 und jeweilige Abschnitte des Trägerelementes 10, des ersten Anschlusses 37 und des zweiten Anschlusses 38. Obgleich dies nicht dargestellt ist, bedeckt die isolierende Schicht 60 ferner die Vielzahl von ersten Drähten 50A und den zweiten Draht 50B. Es ist anzumerken, dass das Material der isolierenden Schicht 60 das gleiche ist wie das Material der isolierenden Schicht 60 des oben beschriebenen Halbleiterbauteils A10.
  • Wie es in den 19 und 20 gezeigt ist, ist das Abdichtungsharzelement 70 um das leitfähige Element 20 und ein Halbleiterelement 40 herum angeordnet. Das Abdichtungsharzelement 70 bedeckt die isolierende Schicht 60. Wie es in 21 gezeigt ist, enthält das Abdichtungsharzelement 70 eine Vielzahl von Kohlenstofffasern 70A. Es ist anzumerken, dass das Material des Abdichtungsharzelementes 70 das gleiche ist wie das Material des Abdichtungsharzelementes 70 des oben beschriebenen Halbleiterbauteils A10.
  • Wie es in den 16 bis 20 (ausschließlich 17) gezeigt ist, weist das Abdichtungsharzelement 70 eine obere Fläche 71, eine untere Fläche 72, ein Paar von ersten Seitenflächen 73A, ein Paar von zweiten Seitenflächen 73B und ein Anbringungsloch 74 auf.
  • Wie es in den 19 und 20 gezeigt ist, weist die obere Fläche 71 zu der Seite in der Dickenrichtung z, zu der die Trägerfläche 101 des Montageabschnittes 11 des Trägerelementes 10 weist. Die untere Fläche 72 weist zu der Seite in der Dickenrichtung z, die der oberen Fläche 71 gegenüberliegt. Wie es in 18 gezeigt ist, liegt die Bodenfläche 102 des Montageabschnittes 11 des Trägerelementes 10 gegenüber der unteren Fläche 72 frei. Demzufolge hat das Halbleiterbauteil A30 eine Konfiguration, bei der ein Abschnitt des Trägerelementes 10 gegenüber dem Abdichtungsharzelement 70 frei liegt. Die untere Fläche 72 hat die Form eines Rahmens, der die Bodenfläche 102 umgibt.
  • Wie es in den 16 bis 20 (ausschließlich 17) gezeigt ist, geht das Paar von ersten Seitenflächen 73A kontinuierlich über in sowohl die obere Fläche 71 als auch die untere Fläche 72 und weist in die erste Richtung x. Der Terminalabschnitt 12 des Trägerelementes 10, der Terminalabschnitt 372 des ersten Anschlusses 37 und der Terminalabschnitt 382 des zweiten Anschlusses 38 liegen ausgehend von einer ersten Seitenfläche 73A frei, die auf der einen Seite in der ersten Richtung x angeordnet ist. Wie es in den 16 und 18 gezeigt ist, geht das Paar von zweiten Seitenflächen 73B kontinuierlich über in sowohl die obere Fläche 71 als auch die untere Fläche 72 und weist in die zweite Richtung y.
  • Wie es in 20 gezeigt ist, erstreckt sich das Anbringungsloch 74 von der oberen Fläche 71 zu der unteren Fläche 72, wobei es durch das Abdichtungsharzelement 70 verläuft, und zwar in der Dickenrichtung z. Ein Abschnitt des Anbringungsloches 74 ist in dem Loch 111 des Montageabschnittes 11 des Trägerelementes 10 aufgenommen. Das Anbringungsloch 74 wird dazu verwendet, um das Halbleiterbauteil A30 an einer (nicht gezeigten) Wärmesenke anzubringen. Wie es in den 17 und 18 gezeigt ist, weist das Anbringungsloch 74 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z eine Kreisform auf.
  • Als Nächstes werden Funktionen und Wirkungen des Halbleiterbauteils A30 beschrieben.
  • Ähnlich zu dem oben beschriebenen Halbleiterbauteil A10 beinhaltet das Halbleiterbauteil A30 das leitfähige Element 20, das an das Trägerelement 10 gefügt ist, und das Halbleiterelement 40, das an die Hauptfläche 201 in elektrischer Verbindung mit dem leitfähigen Element 20 gefügt ist. Das leitfähige Element 20 ist aus einem Material hergestellt, das Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff enthält. Daher kann die Wärmeableitung des Halbleiterbauteils A30 auch verbessert werden.
  • Das leitfähige Element 20 beinhaltet den Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff und daher kann das leitfähige Element 20 als ein Verstärkungselement für den Montageabschnitt 11 des Trägerelementes10 verwendet werden. Demzufolge kann die Dicke des Montageabschnittes 11 reduziert werden, wodurch eine Wärmeableitung des Halbleiterbauteils A30 weiter verbessert wird.
  • Wie in dem Fall des oben beschriebenen Halbleiterbauteils A10 beinhaltet das leitfähige Element 20 die Basisschicht 21 und die leitfähige Schicht 22. Als Ergebnis davon, dass die leitfähige Schicht 22 bereitgestellt wird, kann das Halbleiterelement 40 verlässlicher an das leitfähige Element 20 gefügt werden, und zwar in einem Zustand, so dass es elektrisch damit verbunden ist, und zwar unter Verwendung der zweiten Fügeschicht 29, die aus bleifreiem Lötmittel hergestellt ist.
  • In der Basisschicht 21 erstreckt sich die die Vielzahl von Kohlenstofffasern 21A, die den Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff bilden, jeweils in der Dickenrichtung z. Als ein Ergebnis davon, dass die Basisschicht 21 vorgesehen ist, kann Wärme, die von dem Halbleiterelement 40 zu dem leitfähigen Element 20 geleitet wird, effizienter zu dem Trägerelement 10 geleitet werden. Ferner ist der elektrische Widerstand bzw. die elektrische Widerstandsfähigkeit („resistivity“) des Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoffes in der Erstreckungsrichtung der Vielzahl von Kohlenstofffasern 21A am niedrigsten, die den Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff bilden. Daher können elektrische Ströme, die von dem Trägerelement 10 zu dem Halbleiterelement 40 fließen, stabiler gemacht werden.
  • [Vierte Ausführungsform]
  • Nachstehend wird ein Halbleiterbauteil A40 gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung auf der Grundlage der 22 bis 24 beschrieben. In diesen Figuren sind Elemente, bei denen es sich um die gleichen oder ähnliche Elemente handelt, wie jene in dem oben beschriebenen Halbleiterbauteil A10, mit den gleichen Bezugszeichen wie jene versehen, die in dem Halbleiterbauteil A10 verwendet werden, und eine redundante Beschreibung wird weggelassen. Es ist anzumerken, dass der Querschnitt, der in 22 gezeigt ist, sich auf der gleichen Position befindet wie der in 19 gezeigte Querschnitt. Der in 23 gezeigte Querschnitt befindet sich auf der gleichen Position wie der in 20 gezeigte Querschnitt. Der in 24 gezeigte Querschnitt befindet sich auf der gleichen Position wie der 21 gezeigte Querschnitt.
  • Das Halbleiterbauteil A40 unterscheidet sich von dem oben beschriebenen Halbleiterbauteil A30 in der Konfiguration des leitfähigen Elementes 20.
  • Wie es in den 22 und 23 gezeigt ist, ist das leitfähige Element 20 in dem Halbleiterbauteil A40 eine gestapelte Platte, die die Basisschicht 21, die leitfähige Schicht 22 und die Zwischenschicht 23 enthält. Diese Bestandteilselemente, die in dem leitfähigen Element 20 enthalten sind, sind ähnlich zu jenen in dem oben beschriebenen Halbleiterbauteil A20, und daher wird eine Beschreibung hiervon weggelassen.
  • Wie es in 24 gezeigt ist, erstreckt sich die Vielzahl von Kohlenstofffasern 21A, die den Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff bilden, in der Basisschicht 21 jeweils in der Dickenrichtung z. In jeder der Vielzahl von Kohlenstofffasern 21A befindet sich eine Endfläche hiervon auf einer Seite in der Dickenrichtung z in Kontakt mit der leitfähigen Schicht 22, und eine Endfläche hiervon auf der anderen Seite in der Dickenrichtung z befindet sich in Kontakt mit der Zwischenschicht 23.
  • Als Nächstes werden Funktionen und Wirkungen des Halbleiterbauteils A40 beschrieben.
  • Ähnlich zu dem oben beschriebenen Halbleiterbauteil A10 beinhaltet das Halbleiterbauteil A40 das leitfähige Element 20, das an das Trägerelement 10 gefügt ist, und das Halbleiterelement 40, das an die Hauptfläche 201 in elektrischer Verbindung mit dem leitfähigen Element 20 gefügt ist. Das leitfähige Element 20 ist aus einem Material hergestellt, das Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff enthält. Daher kann auch bei dem Halbleiterbauteil A40 die Wärmeableitung verbessert werden.
  • Das leitfähige Element 20 beinhaltet die Basisschicht 21, die leitfähige Schicht 22 und die Zwischenschicht 23, bei denen es sich um Bestandteilselemente handelt, die ähnlich sind zu jenen in dem oben beschriebenen Halbleiterbauteil A20. Als Ergebnis davon, dass die Zwischenschicht 23 bereitgestellt ist, kann das leitfähige Element 20 verlässlicher an den Montageabschnitt 11 des Trägerelementes 10 gefügt werden, und zwar in einem Zustand, bei dem es elektrisch damit verbunden ist, und zwar unter Verwendung der ersten Fügeschicht 19, die beispielsweise aus bleifreiem Lötmittel hergestellt ist. Ferner kann als Ergebnis davon, dass die leitfähige Schicht 22 bereitgestellt wird, das Halbleiterelement 40 verlässlicher an das leitfähige Element 20 gefügt werden, und zwar in einem Zustand, bei dem es elektrisch damit verbunden ist, und zwar unter Verwendung der zweiten Fügeschicht 29, die aus einem bleifreien Lötmittel hergestellt ist.
  • Die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen beschränkt. Verschiedene Design- bzw. Konstruktionsänderungen können an spezifischen Konfigurationen von jeweiligen Abschnitten vorgenommen werden, die in der vorliegenden Offenbarung beschrieben sind.
  • Verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können durch die folgenden Anhänge definiert werden.
  • Anhang 1.
  • Halbleiterbauteil mit:
    • einem Trägerelement;
    • einem leitfähigen Element, das eine Hauptfläche und eine Rückfläche aufweist, die in einer Dickenrichtung in einander entgegengesetzte Richtungen weisen, wobei die Rückfläche an das Trägerelement gefügt ist; und
    • einem Halbleiterelement, das an die Hauptfläche gefügt ist, und zwar in elektrischer Verbindung mit dem leitfähigen Element,
    • wobei das leitfähige Element aus einem Material hergestellt ist, das Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff enthält.
  • Anhang 2.
  • Halbleiterbauteil nach Anhang 1, wobei das leitfähige Element eine Basisschicht, die die Rückfläche bildet, und eine leitfähige Schicht beinhaltet, die die Hauptfläche bildet und die auf die Basisschicht gestapelt ist, und
    wobei die Basisschicht aus einem Material hergestellt ist, das den Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff enthält.
  • Anhang 3.
  • Halbleiterbauteil nach Anhang 1, wobei das leitfähige Element eine Zwischenschicht aufweist, die die Rückfläche bildet und aus einem Metall hergestellt ist, eine Basisschicht aufweist, die auf die Zwischenschicht gestapelt ist, und eine leitfähige Schicht aufweist, die die Hauptfläche bildet und die auf die Basisschicht gestapelt ist, und
    wobei die Basisschicht aus einem Material hergestellt ist, das den Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff enthält.
  • Anhang 4.
  • Halbleiterbauteil nach Anhang 2 oder 3, wobei eine Vielzahl von Kohlenstofffasern, die den Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff bilden, sich in der Basisschicht jeweils in der Dickenrichtung erstrecken.
  • Anhang 5.
  • Halbleiterbauteil nach Anhang 4, ferner mit einem Abdichtungsharzelement, das um das leitfähige Element und das Halbleiterelement herum angeordnet ist,
    wobei das Abdichtungsharzelement eine Vielzahl von Kohlenstofffasern beinhaltet.
  • Anhang 6.
  • Halbleiterbauteil nach Anhang 5, ferner mit einer isolierenden Schicht, die das leitfähige Element und das Halbleiterelement bedeckt,
    wobei das Abdichtungsharzelement die isolierende Schicht bedeckt.
  • Anhang 7.
  • Halbleiterbauteil nach Anhang 6, wobei die isolierende Schicht Polyimid enthält.
  • Anhang 8.
  • Halbleiterbauteil nach Anhang 7, wobei die isolierende Schicht Silikongel enthält.
  • Anhang 9.
  • Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Anhänge 6 bis 8, wobei ein Abschnitt des Trägerelementes gegenüber dem Abdichtungsharzelement freiliegt.
  • Anhang 10.
  • Halbleiterbauteil nach Anhang 9, wobei das Trägerelement elektrisch isolierende Eigenschaften hat, und
    wobei das Abdichtungsharzelement einen Abschnitt des Trägerelementes bedeckt.
  • Anhang 11.
  • Halbleiterbauteil nach Anhang 10, wobei das Halbleiterelement ein erstes Element und ein zweites Element enthält,
    wobei das leitfähige Element einen ersten leitfähigen Abschnitt, mit dem das erste Element elektrisch verbunden ist, und einen zweiten leitfähigen Abschnitt aufweist, mit dem das zweite Element elektrisch verbunden ist,
    wobei das Halbleiterbauteil ferner aufweist:
    • ein erstes Eingangsterminal, das elektrisch mit dem ersten leitfähigen Abschnitt verbunden ist;
    • ein zweites Eingangsterminal, das elektrisch mit dem zweiten Element verbunden ist; und
    • ein Ausgangsterminal, das elektrisch mit dem zweiten leitfähigen Abschnitt verbunden ist, und
    • wobei die isolierende Schicht jeweilige Abschnitte des ersten Eingangsterminals, des zweiten Eingangsterminals und des Ausgangsterminals bedeckt.
  • Anhang 12.
  • Halbleiterbauteil nach Anhang 11, wobei jeweilige Abschnitte des ersten Eingangsterminals und des zweiten Eingangsterminals auf einer Seite in einer Richtung, die senkrecht ist zu der Dickenrichtung, gegenüber dem Abdichtungsharzelement freiliegen, und
    wobei ein Abschnitt des Ausgangsterminals auf einer anderen Seite in jener Richtung gegenüber dem Abdichtungsharzelement freiliegt.
  • Anhang 13.
  • Halbleiterbauteil nach Anhang 12, wobei das erste Eingangsterminal und das zweite Eingangsterminal voneinander in der Dickenrichtung beabstandet sind,
    wobei das erste Eingangsterminal einen ersten Terminalabschnitt aufweist, der gegenüber dem Abdichtungsharzelement freiliegt,
    wobei das zweite Eingangsterminal einen zweiten Terminalabschnitt aufweist, der gegenüber dem Abdichtungsharzelement freiliegt, und
    wobei wenigstens ein Abschnitt des zweiten Terminalabschnittes den ersten Terminalabschnitt bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung überlappt.
  • Anhang 14.
  • Halbleiterbauteil nach Anhang 9, wobei das Trägerelement elektrisch leitfähig ist,
    wobei das leitfähige Element elektrisch mit dem Trägerelement verbunden ist, und wobei die isolierende Schicht einen Abschnitt des Trägerelementes bedeckt..
  • Anhang 15.
  • Halbleiterbauteil nach Anhang 14, wobei das Trägerelement einen Montageabschnitt aufweist, mit dem das leitfähige Element elektrisch verbunden ist, einen Terminalabschnitt aufweist, der gegenüber dem Abdichtungsharzelement freiliegt, und einen Koppelabschnitt aufweist, der den Montageabschnitt und den Terminalabschnitt miteinander koppelt, und
    wobei die isolierende Schicht den Koppelabschnitt und einen Abschnitt des Montageabschnittes bedeckt.
  • Anhang 16.
  • Halbleiterbauteil nach Anspruch 15, wobei der Koppelabschnitt bei einer Betrachtung in einer Richtung, die senkrecht zu der Dickenrichtung ist, gebogen ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2009158787 A [0004]

Claims (16)

  1. Halbleiterbauteil mit: einem Trägerelement; einem leitfähigen Element, das eine Hauptfläche und eine Rückfläche aufweist, die in einer Dickenrichtung in einander entgegengesetzte Richtungen weisen, wobei die Rückfläche an das Trägerelement gefügt ist; und einem Halbleiterelement, das an die Hauptfläche gefügt ist, und zwar in elektrischer Verbindung mit dem leitfähigen Element, wobei das leitfähige Element aus einem Material hergestellt ist, das Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff enthält.
  2. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, wobei das leitfähige Element eine Basisschicht, die die Rückfläche bildet, und eine leitfähige Schicht beinhaltet, die die Hauptfläche bildet und die auf die Basisschicht gestapelt ist, und wobei die Basisschicht aus einem Material hergestellt ist, das den Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff enthält.
  3. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, wobei das leitfähige Element eine Zwischenschicht aufweist, die die Rückfläche bildet und aus einem Metall hergestellt ist, eine Basisschicht aufweist, die auf die Zwischenschicht gestapelt ist, und eine leitfähige Schicht aufweist, die die Hauptfläche bildet und die auf die Basisschicht gestapelt ist, und wobei die Basisschicht aus einem Material hergestellt ist, das den Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff enthält.
  4. Halbleiterbauteil nach Anspruch 2 oder 3, wobei eine Vielzahl von Kohlenstofffasern, die den Kohlenstofffaser-verstärkten Kunststoff bilden, sich in der Basisschicht jeweils in der Dickenrichtung erstrecken.
  5. Halbleiterbauteil nach Anspruch 4, ferner mit einem Abdichtungsharzelement, das um das leitfähige Element und das Halbleiterelement herum angeordnet ist, wobei das Abdichtungsharzelement eine Vielzahl von Kohlenstofffasern beinhaltet.
  6. Halbleiterbauteil nach Anspruch 5, ferner mit einer isolierenden Schicht, die das leitfähige Element und das Halbleiterelement bedeckt, wobei das Abdichtungsharzelement die isolierende Schicht bedeckt.
  7. Halbleiterbauteil nach Anspruch 6, wobei die isolierende Schicht Polyimid enthält.
  8. Halbleiterbauteil nach Anspruch 7, wobei die isolierende Schicht Silikongel enthält.
  9. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 6 bis 8, wobei ein Abschnitt des Trägerelementes gegenüber dem Abdichtungsharzelement freiliegt.
  10. Halbleiterbauteil nach Anspruch 9, wobei das Trägerelement elektrisch isolierende Eigenschaften hat, und wobei das Abdichtungsharzelement einen Abschnitt des Trägerelementes bedeckt.
  11. Halbleiterbauteil nach Anspruch 10, wobei das Halbleiterelement ein erstes Element und ein zweites Element enthält, wobei das leitfähige Element einen ersten leitfähigen Abschnitt, mit dem das erste Element elektrisch verbunden ist, und einen zweiten leitfähigen Abschnitt aufweist, mit dem das zweite Element elektrisch verbunden ist, wobei das Halbleiterbauteil ferner aufweist: ein erstes Eingangsterminal, das elektrisch mit dem ersten leitfähigen Abschnitt verbunden ist; ein zweites Eingangsterminal, das elektrisch mit dem zweiten Element verbunden ist; und ein Ausgangsterminal, das elektrisch mit dem zweiten leitfähigen Abschnitt verbunden ist, und wobei die isolierende Schicht jeweilige Abschnitte des ersten Eingangsterminals, des zweiten Eingangsterminals und des Ausgangsterminals bedeckt.
  12. Halbleiterbauteil nach Anspruch 11, wobei jeweilige Abschnitte des ersten Eingangsterminals und des zweiten Eingangsterminals auf einer Seite in einer Richtung, die senkrecht ist zu der Dickenrichtung, gegenüber dem Abdichtungsharzelement freiliegen, und wobei ein Abschnitt des Ausgangsterminals auf einer anderen Seite in jener Richtung gegenüber dem Abdichtungsharzelement freiliegt.
  13. Halbleiterbauteil nach Anspruch 12, wobei das erste Eingangsterminal und das zweite Eingangsterminal voneinander in der Dickenrichtung beabstandet sind, wobei das erste Eingangsterminal einen ersten Terminalabschnitt aufweist, der gegenüber dem Abdichtungsharzelement freiliegt, wobei das zweite Eingangsterminal einen zweiten Terminalabschnitt aufweist, der gegenüber dem Abdichtungsharzelement freiliegt, und wobei wenigstens ein Abschnitt des zweiten Terminalabschnittes den ersten Terminalabschnitt bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung überlappt.
  14. Halbleiterbauteil nach Anspruch 9, wobei das Trägerelement elektrisch leitfähig ist, wobei das leitfähige Element elektrisch mit dem Trägerelement verbunden ist, und wobei die isolierende Schicht einen Abschnitt des Trägerelementes bedeckt.
  15. Halbleiterbauteil nach Anspruch 14, wobei das Trägerelement einen Montageabschnitt aufweist, mit dem das leitfähige Element elektrisch verbunden ist, einen Terminalabschnitt aufweist, der gegenüber dem Abdichtungsharzelement freiliegt, und einen Koppelabschnitt aufweist, der den Montageabschnitt und den Terminalabschnitt miteinander koppelt, und wobei die isolierende Schicht den Koppelabschnitt und einen Abschnitt des Montageabschnittes bedeckt.
  16. Halbleiterbauteil nach Anspruch 15, wobei der Koppelabschnitt bei einer Betrachtung in einer Richtung, die senkrecht zu der Dickenrichtung ist, gebogen ist.
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