DE112021005639T5 - Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauteils und halbleiterbauteils - Google Patents

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Koshun SAITO
Kota ISE
Kosuke Yamada
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Rohm Co Ltd
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Abstract

Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils umfasst einen ersten Herstellungsschritt, einen zweiten Herstellungsschritt, einen Montageschritt, einen dritten Herstellungsschritt, einen Platzierungsschritt und einen Aushärtungsschritt. In dem ersten Herstellungsschritt wird ein erster Leiterrahmen mit einem Inselteil hergestellt. Im zweiten Herstellungsschritt wird ein Halbleiterelement mit einer Elementvorderseite, einer Elementrückseite, einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode hergestellt. Im Montageschritt wird das Halbleiterelement auf dem Inselteil mit einer ersten leitenden Paste montiert, die zwischen der Elementrückseite und dem Inselteil angeordnet ist. Im dritten Herstellungsschritt wird ein zweiter Leiterrahmen mit einem ersten Teil, einem zweiten Teil, einem Rahmenteil, einem ersten Verbindungsteil und einem zweiten Verbindungsteil hergestellt. Im Platzierungsschritt wird der zweite Leiterrahmen mit einer zweiten leitenden Paste platziert, die zwischen dem ersten Teil und der ersten Elektrode angeordnet ist, und mit einer dritten leitenden Paste, die zwischen dem zweiten Teil und der zweiten Elektrode angeordnet ist. Im Aushärtungsschritt werden die erste leitende Paste, die zweite leitende Paste und die dritte leitende Paste gehärtet.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils und auf ein Halbleiterbauteil.
  • BACKGROUND ART
  • Im Zuge der jüngsten Entwicklungen werden einige Halbleiterelemente unter Verwendung von III-V-Gruppe-Nitrid-Halbleitern (im Folgenden „Nitrid-Halbleiter“), wie Galliumnitrid (GaN), hergestellt. Das Patentdokument 1 offenbart ein Halbleiterelement, das einen Nitrid-Halbleiter verwendet. Das Halbleiterelement umfasst einen Elementkörper aus einem Halbleiter, eine Nitrid-Halbleiterschicht, die auf einer Vorderseite des Elementkörpers angeordnet ist, und Elektroden. Die Elektroden umfassen eine Source-Elektrode, eine Drain-Elektrode und eine Gate-Elektrode, die auf der Nitrid-Halbleiterschicht angeordnet sind.
  • DOKUMENT ZUM STAND DER TECHNIK
  • Patentdokument
  • Patentdokument 1: JP-A-2012-38885
  • KURZZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Aufgabe, die durch die Erfindung gelöst werden soll
  • Das oben beschriebene Halbleiterbauteil wird in ein Halbleiterbauteil eingebaut, indem leitende Elemente an die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode gebondet werden, die auf der Vorderseite des Bauteilkörpers angeordnet sind. Vorzugsweise sind genauer diese leitenden Elemente relativ zueinander angeordnet.
  • Die vorliegende Offenbarung wurde in Anbetracht der oben beschriebenen Umstände konzipiert und kann darauf abzielen, ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils und ein Halbleiterbauteil bereitzustellen, das eine präzisere Platzierung von leitenden Elementen ermöglicht.
  • Mittel zur Lösung des Problems
  • Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils bereitgestellt, wobei das Verfahren umfasst: einen ersten Herstellungs-/Vorbereitungsschritt des Herstellens/Vorbereitens eines ersten Leiterrahmens, der einen Inselteil enthält; einen zweiten Herstellungs-/Vorbereitungsschritt des Herstellens/Vorbereitens eines Halbleiterelements, das eine Elementvorderseite und eine Elementrückseite enthält, die in einer ersten Richtung („first sense“) bzw. einer zweiten Richtung („second sense“) einer Dickenrichtung gegenüberliegen, wobei die Elementvorderseite mit mindestens einer ersten Elektrode und mindestens einer zweiten Elektrode ausgestattet ist; einen Montageschritt des Montierens des Halbleiterelements auf dem Inselteil mit einer ersten leitenden Paste, die zwischen der Elementrückseite und dem Inselteil angeordnet ist; einen dritten Herstellungsschritt des Herstellens eines zweiten Leiterrahmens, der einen ersten Teil, einen zweiten Teil, einen Rahmenteil, einen ersten Verbindungsteil, der den ersten Teil und den Rahmenteil verbindet, und einen zweiten Verbindungsteil, der den zweiten Teil und den Rahmenteil verbindet, umfasst; einen Platzierungsschritt des Platzierens des zweiten Leiterrahmens mit einer zweiten leitenden Paste, die zwischen dem ersten Teil und der mindestens einen ersten Elektrode angeordnet ist, und mit einer dritten leitenden Paste, die zwischen dem zweiten Teil und der mindestens einen zweiten Elektrode angeordnet ist; und einen Aushärtungsschritt des Aushärtens der ersten leitenden Paste, der zweiten leitenden Paste und der dritten leitenden Paste.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird ein Halbleiterbauteil bereitgestellt, das Folgendes aufweist: eine Vielzahl von Anschlüssen; ein Halbleiterelement; und ein Dichtungsharz, das einen Abschnitt jedes der Vielzahl von Anschlüssen und des Halbleiterelements abdeckt. Die Vielzahl der Anschlüsse weist einen Inselanschluss, einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss auf, die voneinander beabstandet sind. Das Halbleiterelement weist eine Elementvorderseite und eine Elementrückseite auf, die in einer ersten Richtung („a first sense“) bzw. einer zweiten Richtung („a second sense“) einer Dickenrichtung ausgerichtet sind, wobei die Elementvorderseite mit mindestens einer ersten und mindestens einer zweiten Elektrode versehen ist. Die Elementrückseite und der Inselanschluss sind durch einen ersten leitenden Bondingteil miteinander verbunden. Der erste Anschluss weist einen ersten Hauptteil, mindestens einen ersten Zinken und einen ersten verlängerten Teil auf. Der zweite Anschluss weist einen zweiten Hauptteil, mindestens einen zweiten Zinken und einen zweiten verlängerten Teil auf. Der mindestens eine erste Zinken und die mindestens eine erste Elektrode sind durch einen zweiten leitenden Bondingteil miteinander gebondet. Der mindestens eine zweite Zinken und die mindestens eine zweite Elektrode sind durch einen dritten leitenden Bondingteil miteinander verbunden. Der erste verlängerte Teil weist eine erste Endfläche auf, die vom Dichtungsharz freigelegt ist. Der zweite verlängerte Teil weist eine zweite Endfläche auf, die vom Dichtungsharz freigelegt ist.
  • Vorteile der Erfindung
  • Die vorliegende Offenbarung ermöglicht eine präzisere Platzierung leitender Elemente.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden aus der nachstehenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen deutlicher.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 2 ist eine perspektivische Ansicht des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 3 ist eine fragmentarische perspektivische Ansicht des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 4 ist eine fragmentarische perspektivische Ansicht des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 5 ist eine Vorderansicht des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 6 ist eine Ansicht von unten auf das Halbleiterbauteil gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 7 ist eine Rückansicht des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 8 ist eine Ansicht der linken Seite des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 9 ist eine Ansicht der rechten Seite des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 10 ist eine fragmentarische Draufsicht auf das Halbleiterbauteil gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 11 ist eine Schnittdarstellung entlang der Linie XI-XI von 10.
    • 12 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XII-XII von 10.
    • 13 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XIII-XIII von 10.
    • 14 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XIV-XIV von 10.
    • 15 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XV-XV von 10.
    • 16 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XVI-XVI von 10.
    • 17 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XVII-XVII von 10.
    • 18 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XVIII-XVIII von 10.
    • 19 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XIX-XIX von 10.
    • 20 ist eine perspektivische Ansicht eines ersten Anschlusses des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 21 ist eine Draufsicht auf den ersten Anschluss des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 22 ist eine Vorderansicht des ersten Anschlusses des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 23 ist eine Rückansicht des ersten Anschlusses des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 24 ist eine Seitenansicht des ersten Anschlusses des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 25 ist eine perspektivische Ansicht eines zweiten Anschlusses des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 26 ist eine Draufsicht auf den zweiten Anschluss des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 27 ist eine Rückansicht des zweiten Anschlusses des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 28 ist eine Vorderansicht des zweiten Anschlusses des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 29 ist eine Seitenansicht des zweiten Anschlusses des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 30 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel für ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 31 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel für das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 32 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel für das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 33 ist eine Schnittansicht, die ein Beispiel für das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 34 ist eine Schnittansicht, die ein Beispiel für das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 35 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel für das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 36 ist eine Schnittansicht, die ein Halbleiterbauteil gemäß einer ersten Variante der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 37 ist eine Schnittansicht, die das Halbleiterbauteil gemäß der ersten Variante der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 38 ist eine fragmentarische perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 39 ist eine fragmentarische Draufsicht auf das Halbleiterbauteil gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 40 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 41 ist eine perspektivische Ansicht des Halbleiterbauteils gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 42 ist eine fragmentarische perspektivische Ansicht des Halbleiterbauteils gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 43 ist eine fragmentarische perspektivische Ansicht des Halbleiterbauteils gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 44 ist eine Vorderansicht des Halbleiterbauteils gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 45 ist eine Ansicht von unten auf das Halbleiterbauteil gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 46 ist eine Rückansicht des Halbleiterbauteils gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 47 ist eine Ansicht der linken Seite des Halbleiterbauteils gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 48 ist eine Ansicht der rechten Seite des Halbleiterbauteils gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 49 ist eine fragmentarische Draufsicht auf das Halbleiterbauteil gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 50 ist eine fragmentarische Draufsicht ähnlich wie 49, jedoch ohne den ersten Anschluss und den zweiten Anschluss.
    • 51 ist eine Schnittdarstellung entlang der Linie LI-LI von 49.
    • 52 ist eine Schnittdarstellung entlang der Linie LII-LII von 49.
    • ist eine Schnittansicht entlang der Linie LIII-LIII von .
    • 54 ist ein Flussdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauteils gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 55 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Schritt des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauteils gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung illustriert.
    • 56 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Schritt des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauteils gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 57 ist eine Draufsicht, die einen Schritt des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauteils gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 58 ist eine Draufsicht, die einen Schritt des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauteils gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 59 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Schritt des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauteils gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 60 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Schritt des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauteils gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 61 ist eine Schnittansicht, die einen Schritt des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauteils gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 62 ist eine Schnittansicht, die einen Schritt des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauteils gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 63 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Schritt des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauteils gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 64 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Schritt des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauteils gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
  • MODUS ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG
  • Im Folgenden werden bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beschrieben, wobei auf die Zeichnungen Bezug genommen wird.
  • In der vorliegenden Offenbarung werden Begriffe wie „erster“, „zweiter“ und „dritter“ lediglich als Bezeichnungen verwendet und sind nicht dazu gedacht, den Gegenständen, auf die sich diese Begriffe beziehen, Ordnungsanforderungen zuzuordnen.
  • <Erste Ausführungsform>
  • Die 1 bis 29 zeigen ein Halbleiterbauteil gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Ein Halbleiterbauteil A1 dieser Ausführungsform weist eine Vielzahl von Anschlüssen 1 bis 6, ein Halbleiterelement 7, einen Draht 99 und ein Dichtungsharz 8 auf. Das Halbleiterbauteil A1 kann z. B. auf einem Substrat montiert und zum Schalten eines elektrischen Stroms verwendet werden. Das Halbleiterbauteil A1 ist jedoch nicht auf eine bestimmte Verwendung beschränkt.
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht des Halbleiterbauteils A1. 2 ist eine perspektivische Ansicht des Halbleiterbauteils A1. 3 ist eine fragmentarische perspektivische Ansicht des Halbleiterbauteils A1. 4 ist eine fragmentarische perspektivische Ansicht des Halbleiterbauteils A1. 5 ist eine Vorderansicht des Halbleiterbauteils A1. 6 ist eine Ansicht von unten auf das Halbleiterbauteil A1. 7 ist eine Rückansicht des Halbleiterbauteils A1. 8 ist eine Ansicht der linken Seite des Halbleiterbauteils A1. 9 ist eine Ansicht des Halbleiterbauteils A1 von der rechten Seite. 10 ist eine fragmentarische Draufsicht auf das Halbleiterbauteil A1. 11 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XI-XI von 10. 12 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XII-XII von 10. 13 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XIII-XIII von 10. 14 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XIV-XIV von 10. 15 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XV-XV von 10. 16 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XVI-XVI von 10. 17 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XVII-XVII von 10. 18 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XVIII-XVIII von 10. 19 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XIX-XIX von 10.
  • Der Einfachheit halber wird in der folgenden Beschreibung die Dickenrichtung des Halbleiterbauteils A1 als „z-Richtung“ bezeichnet. Darüber hinaus wird die Seite („side“) in einer ersten Richtung („sense“) der z-Richtung als z1-Seite und die Seite („side“) in einer zweiten Richtung („sense“) der z-Richtung als z2-Seite bezeichnet. Begriffe wie „oben“, „unten“, „nach oben“, „nach unten“, „Oberseite“ und „Unterseite“ beschreiben die Positionen von Komponenten und Elementen relativ zur z-Richtung und nicht unbedingt die Positionen relativ zur Schwerkraftrichtung. Eine erste Richtung, die senkrecht zur z-Richtung verläuft, wird als „x-Richtung“ bezeichnet. Die Seite („side“) in einer ersten Richtung („sense“) der x-Richtung wird als x2-Seite und die Seite („side“) in einer zweiten Richtung („sense“) der x-Richtung als x1-Seite bezeichnet. Eine zweite Richtung, die senkrecht zur z-Richtung und zur x-Richtung verläuft, wird als „y-Richtung“ bezeichnet. Die Seite („side“) in einer ersten Richtung („sense“) der y-Richtung wird als y1-Seite bezeichnet, und die Seite („side“) in einer zweiten Richtung („sense“) der y-Richtung als y2-Seite.
  • [Anschlüsse 1 bis 6]
  • Die Anschlüsse 1 bis 6 dienen verschiedenen Funktionen, einschließlich der Unterstützung des Halbleiterelements 7 und der Bildung von Leitungspfaden zu dem Halbleiterelement 7. Die Anschlüsse 1 bis 6 können aus einem Metall, wie Cu (Kupfer), Ni (Nickel) oder Fe (Eisen), hergestellt sein. Die Anschlüsse 1 bis 6 können aus einer Metallfolie/-blech durch wahlweise Anwendung geeigneter Verfahren, einschließlich Stanzen, Biegen und Ätzen, geformt werden. Die Anschlüsse 1 bis 6 können mit Metall, wie Ag (Silber), Ni oder Au (Gold), plattiert sein, wobei geeignete Abschnitte der Anschlüsse bedeckt werden.
  • In dieser Ausführungsform ist die Vielzahl der Anschlüsse 1 bis 6 speziell als ein erster Anschluss 1, ein zweiter Anschluss 2, ein dritter Anschluss 3, ein vierter Anschluss 4, ein fünfter Anschluss 5 und ein Inselanschluss 6 gekennzeichnet. Mit anderen Worten, die Vielzahl der Anschlüsse 1 bis 6 umfasst den ersten Anschluss 1, den zweiten Anschluss 2, den dritten Anschluss 3, den vierten Anschluss 4, den fünften Anschluss 5 und den Inselanschluss 6. Wie später beschrieben wird, sind der vierte Anschluss 4 und der Inselanschluss 6 in dieser Ausführungsform integral. Je nach den auszubildenden Leitungspfaden und/oder anderen Anforderungen können die Anschlüsse als getrennte Teile vorgesehen werden oder einer oder mehrere der Anschlüsse können integral sein. Die folgende Beschreibung bezieht sich auf den ersten Anschluss 1 und den zweiten Anschluss 2, die aus einem Metallblech durch Stanzen und Biegen hergestellt werden, sowie auf den dritten Anschluss 3, den vierten Anschluss 4, den fünften Anschluss 5 und den Inselanschluss 6, die aus einer Metallfolie/-blech („metal sheet“) durch Ätzen hergestellt werden.
  • [Inselanschluss 6]
  • Wie in den 1 bis 14, 16 und 17 gezeigt, hat der Inselanschluss 6 eine Vorderseite 601, eine Rückseite 602, einen dicken Teil 61, einen dünnen Teil 62 und eine Vielzahl von verlängerten Teilen 63. Die Vorderseite 601 befindet sich auf der z1-Seite in z-Richtung. Im dargestellten Beispiel ist die Vorderseite 601 eine glatte Fläche senkrecht zur z-Richtung. Der Inselanschluss 6 kann je nach Bedarf eine oder mehrere Aussparungen und/oder Nuten bzw. Rillen aufweisen, die von der Vorderseite 601 zurückgesetzt sind. Die Rückseite 602 befindet sich auf der z2-Seite in z-Richtung und ist von der Vorderseite 601 abgewandt. Im gezeigten Beispiel ist die Rückseite 602 eine glatte Fläche, die senkrecht zur z-Richtung verläuft. Die Rückseite 602 kann je nach Bedarf z. B. mit Ni oder Ti plattiert sein.
  • Der dicke Teil 61 ist ein Abschnitt, in dem sich die Vorderseite 601 und die Rückseite 602 in z-Richtung gesehen überlappen. Im dargestellten Beispiel ist der dicke Teil 61 in z-Richtung gesehen rechteckig. Es wird bemerkt, dass die Form des dicken Teils 61 nicht auf diese Form beschränkt ist. Die Dicke des dicken Teils 61 in z-Richtung entspricht dem Abstand zwischen der Vorderseite 601 und der Rückseite 602. Der dünne Teil 62 ist ein Abschnitt, der sich in z-Richtung gesehen mit der Vorderseite 601, aber nicht mit der Rückseite 602 überlappt. Im dargestellten Beispiel erstreckt sich der dünne Teil 62 in z-Richtung gesehen von den gegenüberliegenden Enden des dicken Teils 61 in x- und y-Richtung nach außen. Die Dicke des dünnen Teils 62 in z-Richtung ist geringer als der Abstand zwischen der Vorderseite 601 und der Rückseite 602. Der dicke Teil 61 und der dünne Teil 62 sind nicht auf bestimmte Dicken beschränkt. In einem Beispiel kann der dicke Teil 61 eine Dicke von etwa 0,2 bis 0,5 mm haben, und der dünne Teil 62 kann eine Dicke von etwa 0,1 bis 0,4 mm haben. Im gezeigten Beispiel ist der Abschnitt des dünnen Teils 62, der sich auf der y1-Seite in y-Richtung erstreckt, größer als der Abschnitt, der sich auf der y2-Seite erstreckt.
  • Jeder verlängerte Teil 63 erstreckt sich von einem Ende des dünnen Teils 62. Im dargestellten Beispiel sind die verlängerten Teile 63 an beiden Enden des dünnen Teils 62 vorgesehen und erstrecken sich in x-Richtung nach außen. Es wird bemerkt, dass die Anzahl der verlängerten Teile 63 nicht begrenzt ist, einschließlich einem oder mehr als einem. Im dargestellten Beispiel sind zwei verlängerte Teile 63 auf der x1-Seite in x-Richtung und zwei verlängerte Teile 63 auf der x2-Seite vorgesehen. Jeder verlängerte Teil 63 hat eine Endfläche 631. Die Endfläche 631 ist in x-Richtung von dem dünnen Teil 62 abgewandt. Mit anderen Worten, die Endfläche 631 ist in x-Richtung nach außen gerichtet. Jede in den Figuren dargestellte Endfläche 631 steht senkrecht zur x-Richtung. Die beiden Endflächen 631 auf der x1-Seite haben die gleiche Position in x-Richtung. In ähnlicher Weise haben die beiden Endflächen 631 auf der x2-Seite die gleiche Position in x-Richtung.
  • [Dritter Anschluss 3]
  • Wie in den 2 bis 4, 6, 7 und 10 bis 15 gezeigt, ist der dritte Anschluss 3 von dem Inselanschluss 6 in Richtung der y1-Seite in y-Richtung beabstandet. Der dritte Anschluss 3 hat eine Mitte in x-Richtung, der im Wesentlichen mit dem Mitte des Inselanschlusses 6 in x-Richtung der. Der dritte Anschluss 3 hat eine Vorderseite 301, eine Rückseite 302, einen dicken Teil 31, einen dünnen Teil 32 und eine Vielzahl von verlängerten Teilen 33. Die Vorderseite 301 befindet sich auf der z1-Seite in z-Richtung. Im gezeigten Beispiel ist die Vorderseite 301 eine glatte Oberfläche, die senkrecht zur z-Richtung verläuft. Der dritte Anschluss 3 kann je nach Bedarf eine oder mehrere Aussparungen und/oder Nuten bzw. Rillen aufweisen, die von der Vorderseite 301 je nach Bedarf zurückgesetzt sind. Die Rückseite 302 befindet sich auf der z2-Seite in z-Richtung und ist von der Vorderseite 301 abgewandt. Im dargestellten Beispiel ist die Rückseite 302 eine glatte Fläche senkrecht zur z-Richtung. Die Rückseite 302 kann je nach Bedarf z. B. mit Ni oder Ti plattiert werden. In dieser Ausführungsform hat die Vorderseite 301 im Wesentlichen die gleiche Position in z-Richtung wie die Vorderseite 601, und die Rückseite 302 hat im Wesentlichen die gleiche Position in z-Richtung wie die Rückseite 602.
  • Der dicke Teil 31 ist ein Abschnitt, in dem sich die Vorderseite 301 und die Rückseite 302 in z-Richtung gesehen überlappen. Im dargestellten Beispiel hat der dicke Teil 31 in z-Richtung gesehen eine rechteckige Form, die in x-Richtung länger ist. Es wird bemerkt, dass die Form des dicken Teils 31 nicht auf diese Form beschränkt ist. Die Dicke des dicken Teils 31 in z-Richtung entspricht dem Abstand zwischen der Vorderseite 301 und der Rückseite 302. Der dünne Teil 32 ist ein Abschnitt, der sich in z-Richtung gesehen mit der Vorderseite 301, aber nicht mit der Rückseite 302 überlappt. Im gezeigten Beispiel erstreckt sich der dünne Teil 32 in z-Richtung gesehen von den gegenüberliegenden Enden des dicken Teils 31 in x-Richtung und auch von dem Ende auf der y2-Seite in y-Richtung nach außen. Die Dicke des dünnen Teils 32 in z-Richtung ist geringer als der Abstand zwischen der Vorderseite 301 und der Rückseite 302. Der dicke Teil 31 und der dünne Teil 32 sind nicht auf bestimmte Dicken beschränkt. In dieser Ausführungsform hat der dicke Teil 31 im Wesentlichen die gleiche Dicke wie der dicke Teil 61, und der dünne Teil 32 hat im Wesentlichen die gleiche Dicke wie der dünne Teil 62.
  • In dem dargestellten Beispiel weist der dünne Teil 32 Aussparungen 321 auf. Die Aussparungen 321 sind in x-Richtung nach innen zurückgesetzt. Im dargestellten Beispiel ist der dünne Teil 32 an jedem Ende in x-Richtung mit einer Aussparung 321 versehen. Die Form der Aussparungen 321 ist nicht speziell begrenzt. Im dargestellten Beispiel haben die Aussparungen eine halbkreisförmige Form.
  • Die verlängerten Teile 33 erstrecken sich von einem Ende des dicken Teils 31 nach außen. Im gezeigten Beispiel erstrecken sich die verlängerten Teile 33 vom dicken Teil 31 in Richtung der y1-Seite in y-Richtung. Es wird bemerkt, dass die Anzahl der vorzusehenden verlängerten Teile 33 nicht begrenzt ist, einschließlich einer oder mehr als einer. In dem gezeigten Beispiel sind vier verlängerte Teile 33 vorgesehen. Jedes verlängerte Teil 33 hat eine Endfläche 331. Die Endfläche 331 weist in y-Richtung vom dicken Teil 31 weg. Mit anderen Worten, die Endfläche 331 ist nach außen gerichtet, d. h. zur y1-Seite in y-Richtung. Die jeweiligen Endflächen 331, die in den Figuren dargestellt sind, stehen senkrecht zur y-Richtung. Die Endflächen 331 haben die gleiche Position in y-Richtung.
  • [Vierter Anschluss 4]
  • Wie in den 1 bis 6, 10, 13, 14, 18 und 19 gezeigt, ist der vierte Anschluss 4 in y-Richtung gegenüber dem Inselanschluss 6 zur y2-Seite hin versetzt. Die Mitte des vierten Anschlusses 4 in x-Richtung ist gegenüber der Mitte des Inselanschlusses 6 in x-Richtung zur x1-Seite hin versetzt. Der vierte Anschluss 4 hat eine Vorderseite 401, eine Rückseite 402, einen dicken Teil 41, einen dünnen Teil 42 und eine Vielzahl von verlängerten Teilen 43. Die Vorderseite 401 befindet sich auf der z1-Seite in z-Richtung. Im dargestellten Beispiel ist die Vorderseite 401 eine glatte Fläche senkrecht zur z-Richtung. Der vierte Anschluss 4 kann je nach Bedarf eine oder mehrere Aussparungen und/oder Nuten bzw. Rillen aufweisen, die von der Vorderseite 401 zurückgesetzt sind. Die Rückseite 402 befindet sich auf der z2-Seite in z-Richtung und ist von der Vorderseite 401 abgewandt. Im dargestellten Beispiel ist die Rückseite 402 eine glatte Fläche senkrecht zur z-Richtung. Die Rückseite 402 kann je nach Bedarf z. B. mit Ni oder Ti plattiert sein. In dieser Ausführungsform hat die Vorderseite 401 im Wesentlichen die gleiche Position in z-Richtung wie die Vorderseite 601, und die Rückseite 402 hat im Wesentlichen die gleiche Position in z-Richtung wie die Rückseite 602.
  • Der dicke Teil 41 ist ein Abschnitt, in dem sich die Vorderseite 401 und die Rückseite 402 in z-Richtung gesehen überlappen. Im dargestellten Beispiel hat der dicke Teil 41 in z-Richtung gesehen eine rechteckige Form, die in x-Richtung länger ist. Es wird bemerkt, dass die Form des dicken Teils 41 nicht auf diese Form beschränkt ist. Die Dicke des dicken Teils 41 in z-Richtung entspricht dem Abstand zwischen der Vorderseite 401 und der Rückseite 402. In dieser Ausführungsform hat der dicke Teil 41 eine kleinere Abmessung in x-Richtung als der dicke Teil 31. Der dünne Teil 42 ist ein Abschnitt, der mit der Vorderseite 401, aber nicht mit der Rückseite 402 überlappt. Im gezeigten Beispiel erstreckt sich der dünne Teil 42, in z-Richtung gesehen, von den gegenüberliegenden Enden des dicken Teils 41 in x-Richtung und auch vom Ende auf der y1-Seite in y-Richtung nach außen. Der dünne Teil 42 ist durch einen verbindenden Teil 49 mit dem Inselanschluss 6 verbunden. Die Dicke des dünnen Teils 42 in z-Richtung ist geringer als der Abstand zwischen der Vorderseite 401 und der Rückseite 402. Der dicke Teil 41 und der dünne Teil 42 sind nicht auf bestimmte Dicken beschränkt. In dieser Ausführungsform hat der dicke Teil 41 im Wesentlichen die gleiche Dicke wie der dicke Teil 61, und der dünne Teil 42 hat im Wesentlichen die gleiche Dicke wie der dünne Teil 62.
  • In dem dargestellten Beispiel weist der dünne Teil 42 Aussparungen 421 auf. Die Aussparungen 421 sind in x-Richtung nach innen zurückgesetzt. Im dargestellten Beispiel ist der dünne Teil 42 an jedem Ende in x-Richtung mit einer Aussparung 421 versehen. Die Form der Aussparungen 421 ist nicht speziell begrenzt. Im dargestellten Beispiel haben die Aussparungen eine halbkreisförmige Form.
  • Die verlängerten Teile 43 erstrecken sich von einem Ende des dicken Teils 41 nach außen. Im gezeigten Beispiel erstrecken sich die verlängerten Teile 43 von dem dicken Teil 41 in Richtung der y2-Seite in y-Richtung. Es wird bemerkt, dass die Anzahl der verlängerten Teile 43 nicht begrenzt ist, einschließlich einem oder mehr als einem. In dem gezeigten Beispiel sind drei verlängerte Teile 43 vorgesehen. Die drei verlängerten Teile 43 haben im Wesentlichen die gleiche Position in x-Richtung wie die drei verlängerten Teile 33, die auf der x1-Seite vorgesehen sind. Jeder verlängerte Teil 43 hat eine Endfläche 431. Die Endfläche 431 ist in y-Richtung von dem dicken Teil 41 weggerichtet. Mit anderen Worten, die Endfläche 431 ist nach außen gerichtet, d. h. zur y2-Seite in y-Richtung. Die jeweiligen Endflächen 431, die in den Figuren dargestellt sind, sind senkrecht zur y-Richtung. Die Endflächen 431 haben die gleiche Position in y-Richtung.
  • [Fünfter Anschluss 5]
  • Wie in den 1 bis 6, 10 bis 12 und 19 dargestellt, ist der fünfte Anschluss 5 gegenüber dem Inselanschluss 6 in y-Richtung zur y2-Seite hin versetzt. Die Mitte des fünften Anschlusses 5 in x-Richtung ist gegenüber der Mitte des Inselanschlusses 6 in x-Richtung zur x2-Seite hin versetzt. Der fünfte Anschluss 5 ist in x-Richtung gegenüber dem vierten Anschluss 4 in Richtung der x2-Seite versetzt. Der fünfte Anschluss 5 hat eine Vorderseite 501, eine Rückseite 502, einen dicken Teil 51, einen dünnen Teil 52 und einen verlängerten Teil 53. Die Vorderseite 501 befindet sich auf der z1-Seite in z-Richtung. Im dargestellten Beispiel ist die Vorderseite 501 eine glatte Fläche senkrecht zur z-Richtung. Der fünfte Anschluss 5 kann je nach Bedarf eine oder mehrere Aussparungen und/oder Rillen bzw. Nuten aufweisen, die von der Vorderseite 501 zurückgesetzt sind. Die Rückseite 502 befindet sich auf der z2-Seite in z-Richtung und ist von der Vorderseite 501 abgewandt. Im dargestellten Beispiel ist die Rückseite 502 eine glatte Fläche senkrecht zur z-Richtung. Die Rückseite 502 kann je nach Bedarf z. B. mit Ni oder Ti plattiert werden bzw. sein. In dieser Ausführungsform hat die Vorderseite 501 im Wesentlichen die gleiche Position in z-Richtung wie die Vorderseite 601, und die Rückseite 502 hat im Wesentlichen die gleiche Position in z-Richtung wie die Rückseite 602.
  • Der dicke Teil 51 ist ein Abschnitt, in dem sich die Vorderseite 501 und die Rückseite 502 in z-Richtung gesehen überlappen. Im dargestellten Beispiel hat der dicke Teil 51 in z-Richtung gesehen eine rechteckige Form, die in x-Richtung länger ist. Es wird bemerkt, dass die Form des dicken Teils 51 nicht auf diese Form beschränkt ist. Die Dicke des dicken Teils 51 in z-Richtung entspricht dem Abstand zwischen der Vorderseite 501 und der Rückseite 502. In dieser Ausführungsform hat der dicke Teil 51 eine kleinere Abmessung in x-Richtung als der dicke Teil 31 und der dicke Teil 41. Der dünne Teil 52 ist ein Abschnitt, der sich in z-Richtung gesehen mit der Vorderseite 501, aber nicht mit der Rückseite 502 überlappt. Im gezeigten Beispiel erstreckt sich der dünne Teil 52 in z-Richtung gesehen von den gegenüberliegenden Enden des dicken Teils 51 in x-Richtung und auch von dem Ende auf der y1-Seite in y-Richtung nach außen. Die Dicke des dünnen Teils 52 in z-Richtung ist geringer als der Abstand zwischen der Vorderseite 501 und der Rückseite 502. Der dicke Teil 51 und der dünne Teil 52 sind nicht auf bestimmte Dicken beschränkt. In dieser Ausführungsform hat der dicke Teil 51 im Wesentlichen die gleiche Dicke wie der dicke Teil 61, und der dünne Teil 52 hat im Wesentlichen die gleiche Dicke wie der dünne Teil 62.
  • Der verlängerte Teil 53 erstreckt sich von einem Ende des dicken Teils 51 nach außen. Im dargestellten Beispiel erstreckt sich der verlängerte Teil 53 vom dicken Teil 51 in Richtung der y2-Seite in y-Richtung. Die Anzahl der vorzusehenden verlängerten Teile 53 ist nicht begrenzt, einschließlich einem oder mehr als einem. In dem gezeigten Beispiel ist ein (einziger; „one“) verlängerter Teil 53 vorgesehen. Der verlängerte Teil 53 hat im Wesentlichen die gleiche Position in x-Richtung wie der äußerste der verlängerten Teile 33 auf der x2-Seite. Der verlängerte Teil 53 hat eine Endfläche 531. Die Endfläche 531 ist in y-Richtung von dem dicken Teil 51 abgewandt. Mit anderen Worten, die Endfläche 531 ist nach außen gerichtet, d. h. zur y2-Seite in y-Richtung. Die in den Figuren dargestellte Endfläche 531 steht senkrecht zur y-Richtung. Die Endfläche 531 hat die gleiche Position in y-Richtung wie die Endflächen 431.
  • [Erster Anschluss 1]
  • Wie in den 1 bis 4, 8 bis 16 und 19 gezeigt, ist der erste Anschluss 1 in z-Richtung zur z1 -Seite hin von dem dritten Anschluss 3, dem vierten Anschluss 4, dem fünften Anschluss 5 und dem Inselanschluss 6 versetzt. Der erste Anschluss 1 dieser Ausführungsform umfasst einen ersten Hauptteil 11, eine Vielzahl von ersten Zinken 12, einen ersten verlängerten Teil 13, einen dritten verlängerten Teil 14, einen ersten Kontaktierungsteil 15, einen ersten Vorsprung 16 und eine erste Aussparung 17. Der erste Anschluss 1 ist in den 20 bis 24 allein dargestellt.
  • Der erste Hauptteil 11 hat die Form einer sich in x- und y-Richtung erstreckenden Platte. Im dargestellten Beispiel hat der erste Hauptteil 11 im Allgemeinen eine rechteckige Form, die in x-Richtung länger ist. Der erste Hauptteil 11 ist im dargestellten Beispiel mit Durchgangslöchern 111 versehen. Die Durchgangslöcher 111 durchdringen den ersten Hauptteil 11 in z-Richtung. Die Anzahl der vorzusehenden Durchgangslöcher 111 ist nicht begrenzt, einschließlich einem oder mehr als einem. In dem dargestellten Beispiel ist der erste Hauptteil 11 mit zwei Durchgangslöchern 111 versehen. Die Form der Durchgangslöcher 111 ist nicht spezifisch begrenzt und kann aus einer Vielzahl von Formen ausgewählt werden, einschließlich kreisförmiger, elliptischer oder ovaler, rechteckiger oder polygonaler Formen, je nach Bedarf. Im gezeigten Beispiel hat jedes Durchgangsloch 111, in z-Richtung gesehen, eine elliptische oder ovale Form, die in x-Richtung länger ist.
  • Die ersten Zinken 12 erstrecken sich vom ersten Hauptteil 11 zur y2-Seite in y-Richtung. Die Anzahl der vorzusehenden ersten Zinken 12 ist nicht begrenzt. Im dargestellten Beispiel sind fünf erste Zinken 12 vorgesehen. Die ersten Zinken 12 sind in x-Richtung nebeneinander angeordnet. Im dargestellten Beispiel weist jeder erste Zinken 12 einen Kopf 121 und einen Fuß 122 auf. Der Kopf 121 ist in y-Richtung vom ersten Hauptteil 11 zur y2-Seite hin versetzt. In z-Richtung ist der Kopf 121 vom ersten Hauptteil 11 zur z2-Seite hin versetzt. Die Form des Kopfs 121 ist nicht speziell begrenzt. Im gezeigten Beispiel ist der Kopf 121 verjüngt und hat eine in x-Richtung verlaufende Abmessung, die in y-Richtung zur y2-Seite hin abnimmt. Außerdem ist der Kopf 121 in y-Richtung länglich und bildet im Wesentlichen einen rechten Winkel zur z-Richtung. Der Fuß 122 jedes ersten Zinkens 12 befindet sich zwischen dem Kopf 121 und dem ersten Hauptteil 11 und verbindet den Kopf 121 mit dem ersten Hauptteil 11. Der Fuß 122 ist in z-Richtung (zur z2-Seite) zum Kopf 121 hin geneigt/verläuft schräg mit Annäherung in y-Richtung (von der y1-Seite zur y2-Seite) vom ersten Hauptteil 11 zum Kopf 121. Im dargestellten Beispiel haben zwei der ersten Zinken 12, die sich an den gegenüberliegenden Enden in x-Richtung befinden, eine kleinere Abmessung in x-Richtung als die anderen ersten Zinken 12, die sich zwischen ihnen befinden. Die fünf ersten Zinken 12 haben alle die gleiche Abmessung in y-Richtung. Die fünf ersten Zinken 12 sind in einem Abschnitt des ersten Hauptteils 11 in x-Richtung zur x2-Seite hin versetzt angeordnet.
  • Der erste verlängerte Teil 13 ist an einem Ende des ersten Hauptteils 11 vorgesehen. In dieser Ausführungsform erstreckt sich der erste verlängerte Teil 13 in der x-Richtung von dem ersten Hauptteil 11, und genauer gesagt erstreckt er sich von dem Ende des ersten Hauptteils 11 auf der x1-Seite in der x-Richtung nach außen. Der erste verlängerte Teil 13 hat eine erste Endfläche 131. Die erste Endfläche 131 ist in x-Richtung vom ersten Hauptteil 11 weggerichtet. Mit anderen Worten, die erste Endfläche 131 ist nach außen gerichtet, d. h. zur x1-Seite in x-Richtung. Die in den Figuren dargestellte erste Endfläche 131 ist senkrecht zur x-Richtung. Die erste Endfläche 131 hat die gleiche Position in x-Richtung wie die Endflächen 631 auf der x1-Seite.
  • Der dritte verlängerte Teil 14 ist an einem Ende des ersten Hauptteils 11 vorgesehen. In dieser Ausführungsform erstreckt sich der dritte verlängerte Teil 14 in der x-Richtung vom ersten Hauptteil 11, und genauer gesagt erstreckt er sich vom Ende des ersten Hauptteils 11 auf der x2-Seite in der x-Richtung nach außen. Der dritte verlängerte Teil 14 hat eine dritte Endfläche 141. Die dritte Endfläche 141 ist in x-Richtung vom ersten Hauptteil 11 weggerichtet. Mit anderen Worten, die dritte Endfläche 141 ist nach außen gerichtet, d. h. zur x2-Seite in x-Richtung. Die in den Figuren dargestellte dritte Endfläche 141 steht senkrecht zur x-Richtung. Die dritte Endfläche 141 hat die gleiche Position in x-Richtung wie die Endflächen 631 auf der x2-Seite.
  • Der erste Kontaktierungsteil 15 ist mit dem Ende des ersten Hauptteils 11 in y-Richtung auf der y1 -Seite gegenüber den ersten Zinken 12 verbunden. Der erste Kontaktierungsteil 15 erstreckt sich vom ersten Hauptteil 11 in Richtung der z2-Seite in z-Richtung. Die Form des ersten Kontaktierungsteils 15 ist nicht speziell begrenzt. Im dargestellten Beispiel hat der erste Kontaktierungsteil 15 eine rechteckige Form, die in x-Richtung länger ist. Im dargestellten Beispiel ist die Mitte des ersten Kontaktierungsteils 15 in x-Richtung gegenüber der Mitte des ersten Hauptteils 11 in x-Richtung zur x1-Seite hin versetzt.
  • Der erste Vorsprung 16 ist mit dem Ende des ersten Hauptteils 11 auf der y1-Seite in y-Richtung gegenüber dem ersten Zinken 12 verbunden und befindet sich in x-Richtung außerhalb des ersten Kontaktierungsteils 15. Im dargestellten Beispiel sind zwei erste Vorsprünge 16 an den gegenüberliegenden Seiten in x-Richtung über dem ersten Kontaktierungsteil 15 hinweg vorgesehen. Die ersten Vorsprünge 16 erstrecken sich von dem ersten Hauptteil 11 in Richtung der z2-Seite in z-Richtung. Die Form der ersten Vorsprünge 16 ist nicht speziell begrenzt. Im dargestellten Beispiel haben die ersten Vorsprünge 16 eine rechteckige Form, die in z-Richtung länger ist. Die ersten Vorsprünge 16 haben eine größere Abmessung in z-Richtung als der erste Kontaktierungsteil 15. Das heißt, das Ende jedes ersten Vorsprungs 16 in z-Richtung ist weiter zur z2-Seite hin angeordnet als das Ende des ersten Kontaktierungsteils 15 in z-Richtung. Eine erste Aussparung 17 ist zwischen dem ersten Kontaktierungsteil 15 und jedem ersten Vorsprung 16 vorgesehen. Jede erste Aussparung 17 ist in der z-Richtung zur z1-Seite hin zurückgesetzt.
  • Der erste Kontaktierungsteil 15 des ersten Anschlusses 1 hat ein in z-Richtung z2-seitiges Ende, das über einen vierten leitenden Bondingteil 94 mit der Vorderseite 301 des dritten Anschlusses 3 elektrisch gebondet ist. Der vierte leitende Bondingteil 94 kann z.B. aus Lötmittel, Ag-Paste, gesintertem Ag oder gesintertem Cu hergestellt sein. Im dargestellten Beispiel ist der erste Kontaktierungsteil 15 mit dem dünnen Teil 32 des dritten Anschlusses 3 elektrisch gebondet.
  • Der erste Anschluss 1 wird relativ zum dritten Anschluss 3 platziert, indem das Ende jedes ersten Vorsprungs 16 in eine Aussparung 321 des dünnen Teils 32 von der z1-Seite in z-Richtung eingesetzt wird. In dem gezeigten Beispiel ist zwischen jedem ersten Vorsprung 16 und der entsprechenden Aussparung 321 ein Abstand vorhanden. In einem anderen Beispiel kann jeder erste Vorsprung 16 gegen einen Abschnitt der Aussparung 321 stoßen/anschlagen.
  • [Zweiter Anschluss 2]
  • Wie in den 1 bis 5, 8, 10, 12 bis 14 und 17 bis 19 gezeigt, ist der zweite Anschluss 2 in z-Richtung gegenüber dem dritten Anschluss 3, dem vierten Anschluss 4, dem fünften Anschluss 5 und dem Inselanschluss 6 zur z1-Seite hin versetzt. Der zweite Anschluss 2 ist in y-Richtung von dem ersten Anschluss 1 zur y2-Seite hin versetzt. Der zweite Anschluss 2 dieser Ausführungsform umfasst einen zweiten Hauptteil 21, eine Vielzahl von zweiten Zinken 22, einen zweiten verlängerten Teil 23, einen vierten verlängertes Teil 24, einen zweiten Kontaktierungsteil 25, einen zweiten Vorsprung 26, eine zweite Aussparung 27 und einen Verbindungsteil 29. Der zweite Anschluss 2 ist in den 25 bis 29 allein dargestellt.
  • Der zweite Hauptteil 21 hat die Form einer sich in x- und y-Richtung erstreckenden Platte. Der zweite Hauptteil 21 hat im dargestellten Beispiel im Allgemeinen eine rechteckige Form, die in x-Richtung länger ist. Der zweite Hauptteil 21 ist im dargestellten Beispiel mit Durchgangslöchern 211 versehen. Die Durchgangslöcher 211 durchdringen den zweiten Hauptteil 21 in z-Richtung. Die Anzahl der vorzusehenden Durchgangslöcher 211 ist nicht begrenzt, einschließlich einem oder mehr als einem. Im dargestellten Beispiel ist der zweite Hauptteil 21 mit zwei Durchgangslöchern 211 versehen. Die Form der Durchgangslöcher 211 ist nicht spezifisch begrenzt und kann aus einer Vielzahl von Formen ausgewählt werden, einschließlich kreisförmiger, elliptischer oder ovaler, rechteckiger oder polygonaler Formen, je nach Bedarf. Im dargestellten Beispiel hat jedes Durchgangsloch 211 in z-Richtung gesehen eine elliptische oder ovale Form, die in x-Richtung länger ist. Der zweite Hauptteil 21 hat in dieser Ausführungsform im Wesentlichen die gleiche Position in z-Richtung wie der erste Hauptteil 11.
  • Der zweite Zinken 22 erstreckt sich von dem zweiten Hauptteil 21 in y-Richtung zur y1-Seite. Die Anzahl der vorzusehenden zweiten Zinken 22 ist nicht begrenzt. In dem dargestellten Beispiel sind vier zweite Zinken 22 vorgesehen. Die zweiten Zinken 22 sind in x-Richtung nebeneinander angeordnet. In dieser Ausführungsform sind die ersten Zinken 12 und die zweiten Zinken 22 abwechselnd in x-Richtung angeordnet. Im dargestellten Beispiel weist jeder zweite Zinken 22 einen Kopf 221 und einen Fuß 222 auf. Der Kopf 221 ist in y-Richtung vom zweiten Hauptteil 21 zur y1-Seite hin versetzt. In z-Richtung ist der Kopf 221 vom zweiten Hauptteil 21 zur z2-Seite hin versetzt. In dieser Ausführungsform haben die jeweiligen Köpfe 221 in z-Richtung im Wesentlichen die gleiche Position wie die Köpfe 121. Die Form der einzelnen Köpfe 221 ist nicht spezifisch begrenzt. Im gezeigten Beispiel ist der Kopf 221 verjüngt und hat in x-Richtung eine Abmessung, die in y-Richtung zur y1-Seite hin abnimmt. Außerdem ist der Kopf 221 in y-Richtung langgestreckt und bildet im Wesentlichen einen rechten Winkel zur z-Richtung. Der Fuß 222 jedes zweiten Zinkens 22 befindet sich zwischen dem Kopf 221 und dem zweiten Hauptteil 21 und verbindet den Kopf 221 mit dem zweiten Hauptteil 21. Der Fuß 222 ist in z-Richtung (zur z2-Seite) zum Kopf 221 hin geneigt mit Annäherung in y-Richtung (von der y2-Seite zur y1-Seite) von dem zweiten Hauptteil 21 an den Kopf 221. Im dargestellten Beispiel haben die zweiten Zinken 22 alle die gleiche Abmessung in x-Richtung und die gleiche Abmessung in y-Richtung. Der zweite Zinken 22 ist in einem Abschnitt des zweiten Hauptteils 21 in x-Richtung zur x2-Seite hin versetzt angeordnet.
  • Der zweite verlängerte Teil 23 ist an einem Ende des zweiten Hauptteils 21 vorgesehen. In dieser Ausführungsform erstreckt sich der zweite verlängerte Teil 23 in der x-Richtung von dem zweiten Hauptteil 21, und genauer gesagt erstreckt er sich von dem Ende des zweiten Hauptteils 21 auf der x1-Seite in der x-Richtung nach außen. Der zweite verlängerte Teil 23 hat eine zweite Endfläche 231. Die zweite Endfläche 231 ist von dem zweiten Hauptteil 21 in x-Richtung weggerichtet. Mit anderen Worten, die zweite Endfläche 231 ist nach außen gerichtet, d. h. in x-Richtung zur x1-Seite. Die in den Figuren dargestellte zweite Endfläche 231 steht senkrecht zur x-Richtung. In dieser Ausführungsform hat die zweite Endfläche 231 im Wesentlichen die gleiche Position in x-Richtung wie die erste Endfläche 131 und die Endflächen 631, die sich auf der x1-Seite befinden.
  • Der vierte verlängerte Teil 24 ist an einem Ende des zweiten Hauptteils 21 vorgesehen. In dieser Ausführungsform ist der vierte verlängerte Teil 24 mit dem zweiten Hauptteil 21 durch den Verbindungsteil 29 verbunden. Die Abmessung des Verbindungsteils 29 in y-Richtung ist kleiner als die des zweiten Hauptteils 21 und des vierten verlängerten Teils 24. Der vierte verlängerte Teil 24 der vorliegenden Offenbarung ist also nicht auf die Struktur beschränkt, die direkt mit dem zweiten Hauptteil 21 verbunden ist, sondern kann über ein anderes Teil mit dem zweiten Hauptteil 21 verbunden werden. Das Gleiche gilt für den zweiten verlängerten Teil 23. Ebenso sind der erste verlängerte Teil 13 und der dritte verlängerte Teil 14 nicht auf eine Struktur beschränkt, die direkt mit dem ersten Hauptteil 11 verbunden ist, sondern können über ein anderes Teil mit dem ersten Hauptteil 11 verbunden sein. Der vierte verlängerte Teil 24 erstreckt sich in y-Richtung und in Richtung der y2-Seite in y-Richtung. Der vierte verlängerte Teil 24 hat eine vierte Endfläche 241. Die vierte Endfläche 241 weist in y-Richtung vom zweiten Hauptteil 21 weg. Mit anderen Worten, die vierte Endfläche 241 ist nach außen gerichtet, d.h. in y-Richtung zur y2-Seite. Die in den Figuren dargestellte vierte Endfläche 241 steht senkrecht zur y-Richtung. Die vierte Endfläche 241 hat im Wesentlichen die gleiche Position in y-Richtung wie die Endflächen 431 und 531. Im dargestellten Beispiel hat der vierte verlängerte Teil 24 die gleiche Position in x-Richtung wie der äußerste der zweiten Zinken 22 auf der x2-Seite.
  • Der zweite Kontaktierungsteils 25 ist mit dem Ende des zweiten Hauptteils 21 auf der y2-Seite in y-Richtung gegenüber den zweiten Zinken 22 verbunden. Der zweite Kontaktierungsteil 25 erstreckt sich vom zweiten Hauptteil 21 in Richtung der z2-Seite in z-Richtung. Die Form des zweiten Kontaktierungsteils 25 ist nicht speziell begrenzt. Im dargestellten Beispiel hat der zweite Kontaktierungsteil 25 eine rechteckige Form, die in x-Richtung länger ist. Der zweite Kontaktierungsteil 25 hat im dargestellten Beispiel eine Mitte in x-Richtung, die mit der Mitte des zweiten Hauptteils 21 in x-Richtung übereinstimmt.
  • Der zweite Vorsprung 26 ist mit dem Ende des zweiten Hauptteils 21 auf der y2-Seite in y-Richtung gegenüber dem zweiten Zinken 22 verbunden und befindet sich in x-Richtung außerhalb des zweiten Kontaktierungsteils 25. Im dargestellten Beispiel sind zwei zweite Vorsprünge 26 auf den gegenüberliegenden Seiten in x-Richtung über dem zweiten Kontaktierungsteil 25 vorgesehen. Die zweiten Vorsprünge 26 erstrecken sich vom zweiten Hauptteil 21 in z-Richtung zur z2-Seite. Die Form der zweiten Vorsprünge 26 ist nicht speziell begrenzt. Im dargestellten Beispiel haben die zweiten Vorsprünge 26 eine rechteckige Form, die in z-Richtung länger ist. Die zweiten Vorsprünge 26 haben eine größere Abmessung in z-Richtung als der zweite Kontaktierungsteil 25. Das heißt, das Ende jedes zweiten Vorsprungs 26 in z-Richtung ist weiter zur z2-Seite hin angeordnet als das Ende des zweiten Kontaktierungsteils 25 in z-Richtung. Zwischen dem zweiten Kontaktierungsteil 25 und jedem zweiten Vorsprung 26 ist eine zweite Aussparung 27 vorgesehen. Jede zweite Aussparung 27 ist in z-Richtung in Richtung der z1-Seite zurückgesetzt.
  • Der zweite Kontaktierungsteil 25 des zweiten Anschlusses 2 hat ein in z-Richtung z2-seitiges Ende, das über einen fünften leitenden Bondingteil 95 mit der Vorderseite 401 des vierten Anschlusses 4 elektrisch gebondet ist. Der fünfte leitende Bondingteil 95 kann z.B. aus Lötmittel hergestellt sein. Im gezeigten Beispiel ist der zweite Kontaktierungsteil 25 elektrisch mit dem dicken Teil 41 des vierten Anschlusses 4 gebondet.
  • Der zweite Anschluss 2 wird relativ zum vierten Anschluss 4 platziert, indem das Ende jedes zweiten Vorsprungs 26 in eine Aussparung 421 des dünnen Teils 42 von der z1-Seite in z-Richtung eingeführt wird. In dem gezeigten Beispiel ist zwischen jedem zweiten Vorsprung 26 und der entsprechenden Aussparung 421 ein Abstand vorhanden. In einem anderen Beispiel kann jeder zweite Vorsprung 26 gegen einen Abschnitt der entsprechenden Aussparung 421 stoßen/anschlagen.
  • [Halbleiterelement 7]
  • Das Halbleiterelement 7 ist ein Bauteil, das die elektrischen Funktionen des Halbleiterbauteils A1 übernimmt. Die spezifische Konfiguration des Halbleiterelements 7 ist nicht spezifisch begrenzt. In dieser Ausführungsform wird das Halbleiterelement 7 unter Verwendung eines Nitrid-Halbleiters hergestellt oder, genauer gesagt, ist es ein Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT) unter Verwendung von Galliumnitrid (GaN). Wie in den 3, 10 bis 14 und 17 gezeigt, umfasst das Halbleiterelement 7 einen Elementkörper 70, eine erste Elektrode 71, eine zweite Elektrode 72 und eine dritte Elektrode 73.
  • Der Elementkörper 70 ist ein Laminat aus Schichten, wie einer Substratschicht, einer Pufferschicht und einer Nitridschicht (die Schichten sind nicht dargestellt). Der Elementkörper 70 hat eine Elementvorderseite 701 und eine Elementrückseite 702. Die Elementvorderseite 701 befindet sich auf der z1-Seite in z-Richtung. Die Elementrückseite 702 befindet sich auf der z2-Seite in z-Richtung und ist von der Elementvorderseite 701 abgewandt. Im dargestellten Beispiel ist die Elementrückseite 702 mit einer Metallschicht versehen. Die Metallschicht ist über einen ersten leitenden Bondingteil 91 mit der Vorderseite 601 des Inselanschlusses 6 gebondet. Der erste leitende Bondingteil 91 kann z. B. aus Lötmittel, Ag-Paste, gesintertem Ag oder gesintertem Cu hergestellt sein. Die Metallschicht ist für das Bonden durch den ersten leitenden Bondingteil 91 vorgesehen, aber diese Metallschicht kann weggelassen werden. In einem anderen Beispiel kann die Metallschicht so konfiguriert sein, dass sie auf demselben Potenzial liegt wie z. B. die zweiten Elektroden 72. Im dargestellten Beispiel überlappt das Halbleiterelement 7 in z-Richtung gesehen mit einem Abschnitt des dicken Teils 61 und einem Abschnitt des dünnen Teils 62 des Inselanschlusses 6.
  • Die erste Elektrode 71, die zweite Elektrode 72 und die dritte Elektrode 73 sind auf der Elementvorderseite 701 angeordnet. In dieser Ausführungsform sind eine Vielzahl von ersten Elektroden 71 und eine Vielzahl von zweiten Elektroden 72 vorgesehen. Die Anzahl der ersten Elektroden 71 und der zweiten Elektroden 72 ist nicht spezifisch begrenzt. In dem dargestellten Beispiel sind fünf erste Elektroden 71 und vier zweite Elektroden 72 vorgesehen. Jede erste Elektrode 71 dient als Drain-Elektrode. Jede zweite Elektrode 72 dient als Source-Elektrode. Die ersten Elektroden 71 und die zweiten Elektroden 72 sind abwechselnd in x-Richtung angeordnet. Im dargestellten Beispiel haben die ersten Elektroden 71 und die zweiten Elektroden 72 eine längliche Form in y-Richtung, ohne auf eine bestimmte Form beschränkt zu sein. Jede erste Elektrode 71 hat einen Abschnitt mit einer abnehmenden Abmessung in x-Richtung von der y1-Seite zur y2-Seite in y-Richtung. Jede zweite Elektrode 72 hat einen Abschnitt mit einer abnehmenden Abmessung in x-Richtung von der y2-Seite in Richtung der y1-Seite in y-Richtung.
  • Die ersten Elektroden 71 sind mit den Köpfen 121 der ersten Zinken 12 des ersten Anschlusses 1 über einen zweiten leitenden Bondingteil 92 elektrisch gebondet. Der zweite leitende Bondingteil 92 kann z.B. aus Lötmittel, Ag-Paste, gesintertem Ag oder gesintertem Cu hergestellt sein. Die zweiten Elektroden 72 sind über einen dritten leitenden Bondingteil 93 mit den Köpfen 221 der zweiten Zinken 22 des zweiten Anschlusses 2 elektrisch gebondet. Der dritte leitende Bondingteil 93 kann z.B. aus Lötmittel hergestellt sein.
  • Die dritte Elektrode 73 dient als Gate-Elektrode. Die dritte Elektrode 73 ist in y-Richtung von den ersten Elektroden 71 zur y2-Seite hin versetzt und in x-Richtung von den zweiten Elektroden 72 nach außen hin angeordnet. Im dargestellten Beispiel sind zwei dritte Elektroden 73 auf den gegenüberliegenden Seiten in x-Richtung gegenüber den zweiten Elektroden 72 angeordnet. Im gezeigten Beispiel ist eine der dritten Elektroden 73 auf der x2-Seite durch eine Verbindung an den fünften Anschluss mittels eines Drahts 99 in Funktion gebracht. Anstelle des Drahtes 99 kann auch ein leitendes Element aus einer Metallfolie verwendet werden kann, um die dritte Elektrode 73 und den fünften Anschluss 5 elektrisch zu verbinden. In einem anderen Beispiel kann nur eine dritte Elektrode 73 vorgesehen und auf der x2-Seite angeordnet sein.
  • [Dichtungsharz 8]
  • Das Dichtungsharz 8 bedeckt jeweils einen Abschnitt der Anschlüsse 1 bis 6, des Halbleiterelements 7 und des Drahts 99 und kann aus einem isolierenden Material wie Epoxidharz bestehen. Wie in den 1, 2, 5 bis 9 und 11 bis 19 gezeigt, hat das Dichtungsharz 8 in dieser Ausführungsform die Form eines rechteckigen Parallelepipeds mit einer ersten Fläche 81, einer zweiten Fläche 82, einer dritten Fläche 83, einer vierten Fläche 84, einer fünften Fläche 85 und einer sechsten Fläche 86.
  • Die erste Fläche 81 befindet sich auf der z1-Seite in z-Richtung. m dargestellten Beispiel ist die erste Fläche 81 eine ebene Fläche, senkrecht zur z-Richtung. Die zweite Fläche 82 befindet sich auf der z2-Seite in z-Richtung. Im gezeigten Beispiel ist die zweite Fläche 82 eine ebene Fläche, senkrecht zur z-Richtung. Die dritte Fläche 83 befindet sich in y-Richtung auf der y1-Seite. Im gezeigten Beispiel ist die dritte Fläche 83 eine ebene Fläche, senkrecht zur y-Richtung. Die vierte Fläche 84 befindet sich auf der y2-Seite in y-Richtung. Im gezeigten Beispiel ist die vierte Fläche 84 eine ebene Fläche, senkrecht zur y-Richtung. Die fünfte Fläche 85 befindet sich auf der x1-Seite in x-Richtung. Im gezeigten Beispiel ist die fünfte Fläche 85 eine ebene Fläche, senkrecht zur x-Richtung. Die sechste Fläche 86 befindet sich auf der x2-Seite in x-Richtung. Im gezeigten Beispiel ist die sechste Fläche 86 eine ebene Fläche, senkrecht zur x-Richtung.
  • In dieser Ausführungsform legt die zweite Fläche 82 die Rückseiten 602, 302, 402 bzw. 502 jeweils des Inselanschlusses 6, des dritten Anschlusses 3, des vierten Anschlusses 4 und des fünften Anschlusses 5 zur z2-Seite in z-Richtung hin frei. Die zweite Fläche 82 ist bündig mit den Rückseiten 602, 302, 402 bzw. 502 des Inselanschlusses 6, des dritten Anschlusses 3, des vierten Anschlusses 4 und des fünften Anschlusses 5. Es kann akzeptabel sein, dass alle oder einige der Rückseiten 602, 302, 402 und 502 jeweils des Inselanschlusses 6, des dritten Anschlusses 3, des vierten Anschlusses 4 und des fünften Anschlusses 5 etwas aus der zweiten Fläche 82 herausragen.
  • Die dritte Fläche 83 legt die Endflächen 331 des dritten Anschlusses 3 zur y1-Seite in y-Richtung frei. Die dritte Fläche 83 ist bündig mit den Endflächen 331 des dritten Anschlusses 3. Es kann akzeptabel sein, dass alle oder einige der Endflächen 331 leicht aus der dritten Fläche 83 herausragen.
  • Die vierte Endfläche 84 legt die vierte Endfläche 241 des zweiten Anschlusses 2, die Endflächen 431 des vierten Anschlusses 4 und die Endfläche 531 des fünften Anschlusses 5 zur y2-Seite hin in y-Richtung frei. Die vierte Endfläche 84 ist bündig mit der vierten Endfläche 241 des zweiten Anschlusses 2, den Endflächen 431 des vierten Anschlusses 4 und der Endfläche 531 des fünften Anschlusses 5. Es kann akzeptabel sein, dass alle oder eines von der vierten Endfläche 241 des zweiten Anschlusses 2, der Endflächen 431 des vierten Anschlusses 4 und der Endfläche 531 des fünften Anschlusses 5 ganz oder teilweise leicht/etwas aus der vierten Fläche 84 hinausragen.
  • Die fünfte Fläche 85 legt die erste Endfläche 131 des ersten Anschlusses 1, die zweite Endfläche 231 des zweiten Anschlusses 2 und die Endflächen 631 des Inselanschlusses 6 zur x1-Seite in x-Richtung frei. Die fünfte Fläche 85 ist bündig mit der ersten Endfläche 131 des ersten Anschlusses 1, der zweiten Endfläche 231 des zweiten Anschlusses 2 und den Endflächen 631 des Inselanschlusses 6. Es kann akzeptabel sein, dass alle oder eine von der ersten Endfläche 131 des ersten Anschlusses 1, der zweiten Endfläche 231 des zweiten Anschlusses 2 und der Endflächen 631 des Inselanschlusses 6 ganz oder teilweise geringfügig aus der fünfte Fläche 85 hinausragen.
  • Die sechste Fläche 86 legt die dritte Endfläche 141 des ersten Anschlusses 1 und die Endflächen 631 des Inselanschlusses 6 zur x2-Seite in x-Richtung frei. Die sechste Fläche 86 ist bündig mit der dritten Endfläche 141 des ersten Anschlusses 1 und den Endflächen 631 des Inselanschlusses 6. Es kann akzeptabel sein, dass alle oder eines von der dritten Endfläche 141 des ersten Anschlusses 1 und der Endflächen 631 des Inselanschlusses 6 ganz oder teilweise etwas aus der sechsten Fläche 86 herausragen.
  • Im Folgenden wird ein Beispiel für ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils A1 unter Bezugnahme auf die 30 bis 35 beschrieben.
  • Das Herstellungsverfahren dieser Ausführungsform umfasst einen ersten Herstellungsschritt, einen zweiten Herstellungsschritt, einen Montageschritt, einen dritten Herstellungsschritt, einen Platzierungsschritt und einen Aushärtungsschritt.
  • [Erster Herstellungsschritt]
  • Zunächst wird ein erster Leiterrahmen LF1, wie in 30 gezeigt, hergestellt bzw. vorbereitet. Der erste Leiterrahmen LF1 umfasst einen Rahmenteil f1, einen dritten Teil 30, einen vierten Teil 40, einen fünften Teil 50 und einen Inselteil 60. Der Rahmenteil f1 ist ein sich in x- und y-Richtung erstreckender Abschnitt, der den dritten Teil 30, den vierten Teil 40, den fünften Teil 50 und den Inselteil 60 umgibt.
  • Der dritte Teil 30 ist ein Abschnitt zur Bildung des dicken Teils 31 und des dünnen Teils 32 des dritten Anschlusses 3 des oben beschriebenen Halbleiterbauteils A1. Der dritte Teil 30 ist mit dem Rahmenteil f1 durch eine Vielzahl von Verbindungsteilen 330 verbunden. Der vierte Teil 40 ist ein Abschnitt zur Bildung des dicken Teils 41 und des dünnen Teils 42 des vierten Anschlusses 4 des oben beschriebenen Halbleiterbauteils A1. Der vierte Teil 40 ist durch eine Vielzahl von Verbindungsteilen 430 mit dem Rahmenteil f1 verbunden. Der fünfte Teil 50 ist ein Abschnitt zur Bildung des dicken Teils 51 und des dünnen Teils 52 des fünften Anschlusses 5 des oben beschriebenen Halbleiterbauteils A1. Der fünfte Teil 50 ist durch eine Vielzahl von Verbindungsteilen 530 mit dem Rahmenteil f1 verbunden. Der Inselteil 60 ist ein Abschnitt zur Bildung des dicken Teils 61 und des dünnen Teils 62 des oben beschriebenen Halbleiterbauteils A1. Der Inselteil 60 ist durch eine Vielzahl von Verbindungsteilen 630 mit dem Rahmenteil f1 verbunden. Der Inselteil 60 ist auch mit dem vierten Teil 40 durch den verbindenden Teil 49 verbunden. Im ersten Leiterrahmen LF1 sind die Vorderseiten 301, 401, 501 und 601 bündig zueinander. Ebenso sind die Rückseiten 302, 402, 502 und 602 bündig miteinander.
  • [Zweiter Herstellungsschritt]
  • Als nächstes wird ein Halbleiterelement 7 hergestellt. Das Halbleiterelement 7 hat die Konfiguration, die oben für das Halbleiterbauteil A1 beschrieben wurde. Die Reihenfolge, in der der erste Herstellungsschritt und der zweite Herstellungsschritt durchgeführt werden, ist nicht spezifisch begrenzt.
  • [Montageschritt]
  • Als nächstes wird, wie in 31 gezeigt, das Halbleiterelement 7 auf dem Inselteil 60 montiert. In dem Montageschritt wird eine erste leitende Paste 910 zwischen der Elementrückseite 702 des Halbleiterelements 7 und der Vorderseite 601 des Inselteils 60 angebracht bzw. angeordnet. Die erste leitende Paste 910 kann z.B. eine Lötmittelpaste sein.
  • [Dritter Herstellungsschritt]
  • Als nächstes wird ein zweiter Leiterrahmen LF2 hergestellt bzw. vorbereitet. Der zweite Leiterrahmen LF2 umfasst einen Rahmenteil f2, einen ersten Teil 10 und einen zweiten Teil 20. Der Rahmenteil f2 ist ein Abschnitt, der den ersten Teil 10 und der zweiten Teil 20 umgibt.
  • Der erste Teil 10 ist ein Abschnitt zum Ausbilden des ersten Hauptteils 11, der ersten Zinken 12, des ersten Kontaktierungsteils 15, der ersten Vorsprünge 16 und der ersten Aussparungen 17 des ersten Anschlusses 1 des oben beschriebenen Halbleiterbauteils A1. Der erste Teil 10 ist mit dem Rahmenteil f2 durch einen ersten Verbindungsteil 130 und einen dritten Verbindungsteil 140 verbunden. Der erste Verbindungsteil 130 und der dritte Verbindungsteil 140 erstrecken sich von den gegenüberliegenden Enden des ersten Teils 10 in x-Richtung nach außen. Der zweite Teil 20 ist ein Abschnitt zur Bildung des zweiten Hauptteils 21, der zweiten Zinken 22, des zweiten Kontaktierungsteils 25, der zweiten Vorsprünge 26, der zweiten Aussparungen 27 und des Verbindungsteils 29 des zweiten Anschlusses 2 des oben beschriebenen Halbleiterbauteils A1. Der zweite Teil 20 ist mit dem Rahmenteil f2 durch einen zweiten Verbindungsteil 230 und einen vierten Verbindungsteil 240 verbunden. Der zweite Verbindungsteil 230 erstreckt sich von dem zweiten Teil 20 in x-Richtung in Richtung der x1-Seite. Der vierte Verbindungsteil 240 erstreckt sich vom zweiten Teil 20 in y-Richtung in Richtung der y2-Seite. Es wird bemerkt, dass die Reihenfolge, in der der dritte Herstellungsschritt in Bezug auf den ersten Herstellungsschritt, den zweiten Herstellungsschritt und den Montageschritt durchgeführt wird, nicht begrenzt ist.
  • [Platzierungsschritt]
  • Als nächstes wird der zweite Leiterrahmen LF2 wie in den 32 bis 34 gezeigt platziert. 33 zeigt einen Schnitt entlang einer yz-Ebene, die einen ersten Zinken 12 schneidet. zeigt einen Schnitt entlang einer yz-Ebene, die einen zweiten Zinken 22 schneidet. Im Platzierungsschritt ist die zweite leitende Paste 920 zwischen dem Kopf 121 jedes ersten Zinken 12 des ersten Teils 10 und einer entsprechenden ersten Elektrode 71 des Halbleiterelements 7 angeordnet. Darüber hinaus ist die dritte leitende Paste 930 zwischen dem Kopf 221 jedes zweiten Zinken 22 des zweiten Teils 20 und einer entsprechenden zweiten Elektrode 72 des Halbleiterelements 7 angeordnet. Bei der zweiten leitenden Paste 920 und der dritten leitenden Paste 930 kann es sich zum Beispiel um eine Lötmittelpaste handeln. Darüber hinaus ist eine vierte leitende Paste 940 zwischen der Vorderseite 301 des dritten Teils 30 und dem Ende des ersten Kontaktierungsteils 15 des ersten Teils 10 auf der z2-Seite in z-Richtung angeordnet. Darüber hinaus ist eine fünfte leitende Paste 950 zwischen der Vorderseite 401 des vierten Teils 40 und dem Ende des zweiten Kontaktierungsteils 25 des zweiten Teils 20 auf der z2-Seite in z-Richtung angeordnet. Die vierte leitende Paste 940 und die fünfte leitende Paste 950 können zum Beispiel eine Lötmittelpaste sein.
  • [Aushärtungsschritt]
  • Der nächste Schritt besteht darin, die erste leitende Paste 910, die zweite leitende Paste 920, die dritte leitende Paste 930, die vierte leitende Paste 940 und die fünfte leitende Paste 950 auszuhärten oder zu härten. Die Aushärtung erfolgt nach dem Platzierungsschritt durch Erhitzen des ersten Leiterrahmens LF1, des zweiten Leiterrahmens LF2 und des Halbleiterelements 7 in einem Reflow-Ofen auf eine vorgegebene Temperatur und anschließendes Abkühlen. Die jeweiligen Pasten 910, 920, 930, 940 und 950, die auf diese Weise ausgehärtet werden, bilden den ersten leitenden Bondingteil 91, den zweiten leitenden Bondingteil 92, den dritten leitenden Bondingteil 93, den vierten leitenden Bondingteil 94 und den fünften leitenden Bondingteil 95 des oben beschriebenen Halbleiterbauteils A1. Dann werden der erste Leiterrahmen LF1, der zweite Leiterrahmen LF2 und das Halbleiterelement 7 durch Bonden entsprechender Abschnitte elektrisch miteinander verbunden.
  • Dann wird eine dritte Elektrode 73 durch einen Draht 99 elektrisch mit der Vorderseite 501 des fünften Anschlusses 5 verbunden. Als nächstes wird, wie in 35 gezeigt, ein Dichtungsharz 8 gebildet, um einen Abschnitt des ersten Leiterrahmens LF1, einen Abschnitt des zweiten Leiterrahmens LF2, das Halbleiterelement 7 und den Draht 99 zu verkapseln. Dann werden der erste Verbindungsteil 130, der dritte Verbindungsteil 140, der zweite Verbindungsteil 230, der vierte Verbindungsteil 240 und die Verbindungsteile 330, 430, 530 und 630 außerhalb des Dichtungsharzes 8 abgeschnitten. Dadurch verbleiben Abschnitte des ersten Verbindungsteils 130, des dritten Verbindungsteils 140, des zweiten Verbindungsteils 230, des vierten Verbindungsteils 240 und der Verbindungsteile 330, 430, 530 und 630 innerhalb des Dichtungsharzes 8, und diese verbleibenden Abschnitte bilden den ersten verlängerten Teil 13, den dritten verlängerten Teil 14, den zweiten verlängerten Teil 23, den vierten verlängerten Teil 24 und die oben beschriebenen verlängerten Teile 33, 43, 53 und 63. Darüber hinaus bilden die Schnittflächen der jeweiligen Verbindungsteile die erste Endfläche 131, die dritte Endfläche 141, die zweite Endfläche 231, die vierte Endfläche 241 und die Endflächen 331, 431, 531 und 631. Durch die oben genannten Schritte wird das Halbleiterbauteil A1 erhalten.
  • Im Folgenden werden Vorteile des Halbleiterbauteils A1 und des Verfahrens zur Herstellung des Halbleiterbauteils A1 beschrieben.
  • In der vorliegenden Ausführungsform wird der zweite Leiterrahmen LF2 gemäß 31 verwendet, wobei der erste Teil 10 und der zweite Teil 20 durch den ersten Verbindungsteil 130 bzw. den zweiten Verbindungsteil 230 mit dem Rahmenteil f2 verbunden sind. Dadurch kann eine unerwünschte Verschiebung des ersten Teils 10 und des zweiten Teils 20 verhindert werden, während sich die erste leitende Paste 910, die zweite leitende Paste 920 und die dritte leitende Paste 930 im Platzierungsschritt und dem anschließenden Aushärtungsschritt, wie in 32 gezeigt, im geschmolzenen Zustand befinden. Die vorliegende Ausführungsform kann daher eine genauere Platzierung der leitenden Elemente, nämlich des ersten Anschlusses 1 (des ersten Teils 10) und des zweiten Anschlusses 2 (des zweiten Teils 20), ermöglichen.
  • Der erste Teil 10 ist mit dem Rahmenteil f2 durch den ersten Verbindungsteil 130 und auch durch den dritten Verbindungsteil 140 verbunden. Dadurch wird der erste Teil 10 vom Rahmenteil f2 fester gehalten. Dies ermöglicht eine genauere Platzierung des ersten Anschlusses 1 (des ersten Teils 10). Zusätzlich zum zweiten Verbindungsteil 230 ist der vierte Verbindungsteil 240 vorgesehen, um den zweiten Teil 20 mit dem Rahmenteil f2 zu verbinden. Dadurch kann der Rahmenteil f2 den zweiten Teil 20 fester halten bzw. tragen. Dies ist vorteilhaft für eine präzisere Platzierung des zweiten Anschlusses 2 (des zweiten Teils 20). In einigen Beispielen kann die Wirkung des dritten Verbindungsteils 140 und des vierten Verbindungsteils 240 nicht notwendig sein, in welchem Fall der dritte Verbindungsteil 140 (der dritte verlängerte Teil 14) und der vierte Verbindungsteil 240 (der vierte verlängerte Teil 24) weggelassen werden können.
  • Der erste Verbindungsteil 130 und der dritte Verbindungsteil 140 sind in x-Richtung über den ersten Teil 10 hinweg gegenüberliegend angeordnet. Die Verbindungsteile einer solchen Anordnung können den ersten Teil 10 sicherer abstützen.
  • Der vierte Verbindungsteil 240 erstreckt sich in y-Richtung zur y2-Seite hin und in x-Richtung nicht zur x2-Seite hin. Dadurch wird vermieden, dass das Meiste der dritten Elektrode 73 und des fünften Anschlusses 5 durch den vierten Verbindungsteil 240 abgedeckt ist. Diese Anordnung ermöglicht den Zugang zu der dritten Elektrode 73 und dem fünften Anschluss 5, ohne dass der Prozess des elektrischen Bondens des Drahtes 99 übermäßig behindert wird.
  • Um mit den in x-Richtung abwechselnd angeordneten ersten Elektroden 71 und zweiten Elektroden 72 zu korrespondieren, sind die ersten Zinken 12 und die zweiten Zinken 22 abwechselnd in x-Richtung vorgesehen. Eine genaue Platzierung des ersten Teils 10 und des zweiten Teils 20 ist daher wünschenswert, um die ersten Elektroden 71 und die zweite Elektrode 72 mit den ersten Zinken 12 und den zweiten Zinken 22 richtig elektrisch zu bonden. So kann bei der vorliegenden Ausführungsform beispielsweise vermieden werden, dass die ersten Zinken 12 unerwünscht nahe an den zweiten Zinken 22 platziert werden.
  • Der erste Anschluss 1 und der dritte Anschluss 3 können über einen kleineren Bondingbereich elektrisch gebondet werden, indem das Ende des ersten Kontaktierungsteils 15 auf der z2-Seite in z-Richtung mit der Vorderseite 301 des dritten Anschlusses 3 gebondet wird. In ähnlicher Weise können der zweite Anschluss 2 und der vierte Anschluss 4 über einen kleineren Bondingbereich elektrisch gebondet werden, indem das Ende des zweiten Kontaktierungsteils 25 auf der z2-Seite in z-Richtung mit der Vorderseite 401 des vierten Anschlusses 4 gebondet wird. Dadurch kann das Halbleiterbauteil A1 kompakter gebaut werden. Dieser Vorteil wird leichter dadurch erreicht, dass der Rahmenteil f2 den ersten Teil 10 und den zweiten Teil 20 fester halten bzw. tragen kann.
  • Die 36 bis 64 zeigen weitere Varianten und Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. In diesen Figuren sind Elemente, die mit denen der oben beschriebenen Ausführungsform identisch oder ihnen ähnlich sind, mit denselben Bezugsziffern bezeichnet. Die Konfigurationen der in den Ausführungsformen und Varianten beschriebenen Teile und Elemente können kombiniert werden, sofern keine technischen Unstimmigkeiten auftreten.
  • <Erste Variante der ersten Ausführungsform>
  • Die 36 und 37 zeigen eine erste Variante des Halbleiterbauteils A1. Ein Halbleiterbauteil A11 dieser Variante unterscheidet sich von dem oben beschriebenen Halbleiterbauteil A1 in den Konfigurationen des ersten Anschlusses 1, des zweiten Anschlusses 2, des dritten Anschlusses 3 und des vierten Anschlusses 4.
  • Der erste Anschluss 1 dieser Variante umfasst den ersten Hauptteil 11, die ersten Zinken 12, den ersten verlängerten Teil 13, den dritten verlängerten Teil 14 und den ersten Kontaktierungsteil 15, jedoch ohne die oben beschriebenen ersten Vorsprünge 16 und die ersten Aussparungen 17. Darüber hinaus weist der dünne Teil 32 des dritten Anschlusses 3 nicht die oben beschriebenen Aussparungen 321 auf. Das Ende des ersten Kontaktierungsteils 15 auf der z2-Seite der z-Richtung ist durch den vierten leitenden Bondingteil 94 elektrisch mit der Vorderseite 301 des dritten Anschlusses 3 gebondet.
  • Der zweite Anschluss 2 dieser Variante umfasst den zweiten Hauptteil 21, die zweiten Zinken 22, den zweiten verlängerten Teil 23, den vierten verlängerten Teil 24, den zweiten Kontaktierungsteil 25 und den Verbindungsteil 29, jedoch ohne die oben beschriebenen zweiten Vorsprünge 26 und die zweiten Aussparungen 27. Darüber hinaus weist der dünne Teil 42 des vierten Anschlusses 4 nicht die oben beschriebenen Aussparungen 421 auf. Das Ende des zweiten Kontaktierungsteils 25 auf der z2-Seite der z-Richtung ist durch den fünften leitenden Bondingteil 95 elektrisch mit der Vorderseite 401 des vierten Anschlusses 4 gebondet.
  • Diese Variante kann eine präzisere Platzierung des ersten Anschlusses 1 und des zweiten Anschlusses 2 wie in dem oben beschriebenen Halbleiterbauteil A1 ermöglichen. Darüber hinaus zeigt diese Variante, dass verschiedene Änderungen an den spezifischen Konfigurationen des ersten Anschlusses 1, des zweiten Anschlusses 2, des dritten Anschlusses 3 und des vierten Anschlusses 4 vorgenommen werden können.
  • <Zweite Ausführungsform>
  • Die 38 und 39 zeigen ein Halbleiterbauteil gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Wie bei dem oben beschriebenen Halbleiterbauteil A1 umfasst ein Halbleiterbauteil A2 dieser Ausführungsform einen ersten Anschluss 1, einen zweiten Anschluss 2, einen dritten Anschluss 3, einen vierten Anschluss 4, einen fünften Anschluss 5, einen Inselanschluss 6, ein Halbleiterelement 7, einen Draht 99 und ein Dichtungsharz 8. Das Halbleiterbauteil A2 wird nach einem Verfahren hergestellt, das dem Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils A1 ähnlich ist.
  • Das Halbleiterelement 7 dieser Ausführungsform weist weniger Elektroden auf als das Halbleiterelement 7 des Halbleiterbauteils A1. Insbesondere umfasst das Halbleiterelement 7 dieser Ausführungsform zwei erste Elektroden 71, zwei zweite Elektroden 72 und eine dritte Elektrode 73. Entsprechend umfasst der erste Anschluss 1 zwei erste Zinken 12, und der zweite Anschluss 2 umfasst zwei zweite Zinken 22.
  • Die beiden ersten Zinken 12 haben bei dieser Ausführungsform unterschiedliche Längen in y-Richtung. Der erste Zinken 12, der sich in x-Richtung auf der x1-Seite befindet, ist in y-Richtung länger als der erste Zinken 12, der sich auf der x2-Seite befindet. Der erste Zinken 12, der sich in x-Richtung auf der x2-Seite befindet, liegt näher an der dritten Elektrode 73 und dem Draht 99.
  • Das Halbleiterelement 7 dieser Ausführungsform ist so montiert, dass seine Mitte in x-Richtung mit der Mitte des Inselanschlusses 6 in x-Richtung zusammenfällt oder im Wesentlichen zusammenfällt. Dies steht im Gegensatz zu dem Halbleiterbauteil A1, bei dem die Mitte des Halbleiterelements 7 in x-Richtung gegenüber der Mitte des Inselanschlusses 6 in x-Richtung zur x2-Seite hin versetzt ist. Das heißt, das Halbleiterbauteil A2 hat einen geringeren Mittenabstand zwischen dem Halbleiterelement 7 und dem Inselanschluss 6 in x-Richtung als das Halbleiterbauteil A1. Bei dem Halbleiterbauteil A2 erstreckt sich der Inselanschluss 6 in z-Richtung gesehen im Wesentlichen gleichmäßig auf der x1-Seite und der x2-Seite vom Halbleiterelement 7 in x-Richtung. Dies steht im Gegensatz zu dem Halbleiterbauteil A1, bei dem sich der Inselanschluss 6 mehr auf der x2-Seite als auf der x1-Seite des Halbleiterelements 7 erstreckt.
  • Der Inselanschluss 6 dieser Ausführungsform ist nicht mit den oben beschriebenen verlängerten Teilen 63 des Halbleiterbauteils A1 versehen. Der Inselanschluss 6 ist mit dem vierten Anschluss 4 durch den oben beschriebene verbindenden Teil 49 verbunden. In dem Leiterrahmen, der bei der Herstellung des Halbleiterbauteils A2 verwendet wird, ist der Inselteil 60 zur Bildung des Inselanschlusses 6 mit dem Rahmenteil f2 durch den vierten Teil 40 zur Bildung des vierten Anschlusses 4 verbunden.
  • Diese Ausführungsform kann eine präzisere Platzierung des ersten Anschlusses 1 und des zweiten Anschlusses 2 ermöglichen. Darüber hinaus kann das Halbleiterbauteil A2 aufgrund der Anzahl und Anordnung der ersten Elektroden 71 und der zweiten Elektroden 72 im Halbleiterelement 7 und/oder der relativen Positionen des Inselanschlusses 6 und des Halbleiterelements 7 dieser Ausführungsform in x-Richtung kompakter gestaltet werden als das Halbleiterbauteil A1.
  • <Dritte Ausführungsform>
  • Die 40 bis 53 zeigen ein Halbleiterbauteil gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Ein Halbleiterbauteil B1 dieser Ausführungsform umfasst eine Vielzahl von Anschlüssen 1 bis 6, ein Halbleiterelement 7, einen Draht 99 und ein Dichtungsharz 8. Das Halbleiterbauteil B1 kann z. B. auf einem Substrat montiert und zum Schalten eines elektrischen Stroms verwendet werden. Das Halbleiterbauteil B1 ist jedoch nicht auf eine bestimmte Verwendung beschränkt.
  • [Anschlüsse 1 bis 6]
  • Die Anschlüsse 1 bis 6 dienen verschiedenen Funktionen, einschließlich der Unterstützung des Halbleiterelements 7 und der Bildung von Leitungspfaden zu dem Halbleiterelement 7. Die Anschlüsse 1 bis 6 können aus einem Metall, wie Cu, Ni oder Fe, hergestellt sein. Die Anschlüsse 1 bis 6 können aus einer Metallfolie/-blech durch selektive Anwendung geeigneter Verfahren, einschließlich Stanzen, Biegen und Ätzen, gebildet werden. Die Anschlüsse 1 bis 6 können mit Metall, wie Ag, Ni oder Au, plattiert sein, das geeignete Abschnitte der Anschlüsse bedeckt.
  • In dieser Ausführungsform ist die Vielzahl der Anschlüsse 1 bis 6 speziell als ein erster Anschluss 1, ein zweiter Anschluss 2, ein dritter Anschluss 3, ein vierter Anschluss 4, ein fünfter Anschluss 5 und ein Inselanschluss 6 bezeichnet. Mit anderen Worten, die Vielzahl der Anschlüsse 1 bis 6 umfasst den ersten Anschluss 1, den zweiten Anschluss 2, den dritten Anschluss 3, den vierten Anschluss 4, den fünften Anschluss 5 und den Inselanschluss 6. Wie später beschrieben wird, sind der vierte Anschluss 4 und der Inselanschluss 6 in dieser Ausführungsform integral. Je nach den auszubildenden Leitungspfaden und/oder anderen Anforderungen können die Anschlüsse 1 bis 6 als getrennte Teile vorgesehen werden, oder einer oder mehrere der Anschlüsse können integral ausgeführt werden. Die folgende Beschreibung bezieht sich auf den ersten Anschluss 1 und den zweiten Anschluss 2, die aus einer Metallfolie/-blech durch Stanzen und Biegen hergestellt werden, sowie auf den dritten Anschluss 3, den vierten Anschluss 4, den fünften Anschluss 5 und den Inselanschluss 6, die aus einer Metallfolie/-blech durch Ätzen hergestellt werden.
  • [Inselanschluss 6]
  • Wie in den 40 bis 42, 45 und 47 bis 53 gezeigt, hat der Inselanschluss 6 eine Vorderseite 601, eine Rückseite 602, einen dicken Teil 61, einen dünnen Teil 62 und eine Vielzahl von verlängerten Teilen 63. Die Vorderseite 601 befindet sich auf der z1-Seite in z-Richtung. Im dargestellten Beispiel ist die Vorderseite 601 eine glatte Fläche senkrecht zur z-Richtung. Der Anschluss 6 kann je nach Bedarf eine oder mehrere Aussparungen und/oder Rillen bzw. Nuten aufweisen, die von der Vorderseite 601 zurückgesetzt sind. Die Rückseite 602 befindet sich auf der z2-Seite in z-Richtung und ist von der Vorderseite 601 abgewandt. Im gezeigten Beispiel ist die Rückseite 602 eine glatte Fläche senkrecht zur z-Richtung. Die Rückseite 602 kann je nach Bedarf z. B. mit Ni oder Ti plattiert sein bzw. werden.
  • Der dicke Teil 61 ist ein Abschnitt, in dem sich die Vorderseite 601 und die Rückseite 602 in z-Richtung gesehen überlappen. m dargestellten Beispiel ist der dicke Teil 61 in z-Richtung gesehen rechteckig. Es wird bemerkt, dass die Form des dicken Teils 61 nicht auf diese Form beschränkt ist. Die Dicke des dicken Teils 61 in z-Richtung entspricht dem Abstand zwischen der Vorderseite 601 und der Rückseite 602. Der dünne Teil 62 ist ein Abschnitt, der sich in z-Richtung gesehen mit der Vorderseite 601, aber nicht mit der Rückseite 602 überlappt. Im dargestellten Beispiel erstreckt sich der dünne Teil 62 in z-Richtung gesehen von den gegenüberliegenden Enden des dicken Teils 61 in x- und y-Richtung nach außen. Die Dicke des dünnen Teils 62 in z-Richtung ist geringer als der Abstand zwischen der Vorderseite 601 und der Rückseite 602. Der dicke Teil 61 und der dünne Teil 62 sind nicht auf bestimmte Dicken beschränkt. In einem Beispiel kann der dicke Teil 61 eine Dicke von etwa 0,2 bis 0,5 mm haben, und der dünne Teil 62 kann eine Dicke von etwa 0,1 bis 0,4 mm haben. Im gezeigten Beispiel ist der Abschnitt des dünnen Teils 62, der sich auf der y1-Seite in y-Richtung erstreckt, größer als der Abschnitt, der sich auf der y2-Seite erstreckt.
  • Jeder verlängerte Teil 63 erstreckt sich von einem Ende des dünnen Teils 62. Im dargestellten Beispiel sind die verlängerten Teile 63 an beiden Enden des dünnen Teils 62 vorgesehen und erstrecken sich in x-Richtung nach außen. Die Anzahl der verlängerten Teile 63 ist nicht begrenzt, einschließlich einem oder mehr als einem. Im dargestellten Beispiel sind zwei verlängerte Teile 63 auf der x1-Seite in x-Richtung und zwei verlängerte Teile 63 auf der x2-Seite vorgesehen. Der verlängerte Teil 63 hat eine Endfläche 631. Die Endfläche 631 ist in x-Richtung von dem dünnen Teil 62 abgewandt. Mit anderen Worten, die Endfläche 631 ist in x-Richtung nach außen gerichtet. Die jeweiligen Endflächen 631, die in den Figuren dargestellt sind, sind senkrecht zur x-Richtung. Die beiden Endflächen 631 auf der x1-Seite haben die gleiche Position in x-Richtung. In ähnlicher Weise haben die beiden Endflächen 631 auf der x2-Seite die gleiche Position in x-Richtung.
  • [Erster Anschluss 1]
  • Wie in den 42, 51 und 52 gezeigt, ist der erste Anschluss 1 in z-Richtung gegenüber dem dritten Anschluss 3, dem vierten Anschluss 4, dem fünften Anschluss 5 und dem Inselanschluss 6 in Richtung der z1-Seite versetzt. Wie in den 40 bis 43, 47 bis 49, 51 und 52 gezeigt, umfasst der erste Anschluss 1 dieser Ausführungsform einen ersten Hauptteil 11, eine Vielzahl von ersten Zinken 12, einen ersten verlängerten Teil 13, einen dritten verlängerten Teil 14 und einen ersten Kontaktierungsteil 15.
  • Der erste Hauptteil 11 hat die Form einer sich in x- und y-Richtung erstreckenden Platte. Im gezeigten Beispiel hat der erste Hauptteil 11 im Allgemeinen eine rechteckige Form, die in x-Richtung länger ist. Der erste Hauptteil 11 ist im dargestellten Beispiel mit Durchgangslöchern 111 versehen. Die Durchgangslöcher 111 durchdringen den ersten Hauptteil 11 in z-Richtung. Die Anzahl der vorzusehenden Durchgangslöcher 111 ist nicht begrenzt, einschließlich einem oder mehr als einem. Im dargestellten Beispiel ist der erste Hauptteil 11 mit zwei Durchgangslöchern 111 versehen. Die Form der Durchgangslöcher 111 ist nicht spezifisch begrenzt und kann aus einer Vielzahl von Formen ausgewählt werden, einschließlich kreisförmiger, elliptischer oder ovaler, rechteckiger oder polygonaler Formen, je nach Bedarf. Im gezeigten Beispiel hat jedes Durchgangsloch 111, in z-Richtung gesehen, eine elliptische oder ovale Form, die in x-Richtung länger ist.
  • Die ersten Zinken 12 erstrecken sich von dem ersten Hauptteil 11 in y-Richtung zur y2-Seite. Die Anzahl der vorzusehenden ersten Zinken 12 ist nicht begrenzt. Im dargestellten Beispiel sind zwei erste Zinken 12 vorgesehen. Die ersten Zinken 12 sind in x-Richtung nebeneinander angeordnet. Jeder Erste Zinken 12 hat einen Kopf 121 und einen Fuß 122. Der Kopf 121 ist in y-Richtung vom ersten Hauptteil 11 zur y2-Seite hin versetzt. In z-Richtung ist der Kopf 121 vom ersten Hauptteil 11 zur z2-Seite hin versetzt. Die Form jedes Kopfs 121 ist nicht speziell begrenzt. Im dargestellten Beispiel hat der Kopf 121 in z-Richtung gesehen eine rechteckige Form, die in y-Richtung länger ist. Der Kopf 121 erstreckt sich in einem rechten Winkel zur z-Richtung. In dem in 51 gezeigten Beispiel hat der Kopf 121 einen dünneren Abschnitt an dem Ende auf der y2-Seite in y-Richtung. In einem anderen Beispiel kann die Dicke des gesamten Kopfes 121 gleichmäßig sein. Der Fuß 122 jedes ersten Zinkens 12 befindet sich zwischen dem Kopf 121 und dem ersten Hauptteil 11 und verbindet den Kopf 121 mit dem ersten Hauptteil 11. Der Fuß 122 ist in Richtung des Halbleiterelements 7 in z-Richtung (zur z2-Seite) geneigt mit Annäherung vom ersten Hauptteil 11 zum Kopf 121 in y-Richtung (von der y1-Seite zur y2-Seite). Im dargestellten Beispiel haben die beiden ersten Zinken 12 unterschiedliche Längen in y-Richtung. Der erste Zinken 12, der sich in x-Richtung auf der x1-Seite befindet, ist in y-Richtung länger als der erste Zinken 12, der sich auf der x2-Seite befindet. Der erste Zinken 12, der sich in x-Richtung auf der x2-Seite befindet, liegt näher an der dritten Elektrode 73 und dem Draht 99, die später beschrieben werden.
  • Der erste verlängerte Teil 13 ist an einem Ende des ersten Hauptteils 11 vorgesehen. Der erste verlängerte Teil 13 erstreckt sich vom Ende des ersten Hauptteils 11 auf der x1-Seite in x-Richtung nach außen. Der erste verlängerte Teil 13 hat eine erste Endfläche 131. Die erste Endfläche 131 weist in x-Richtung vom ersten Hauptteil 11 weg. Mit anderen Worten, die erste Endfläche 131 ist nach außen gerichtet, d. h. zur x1-Seite in x-Richtung. Die in den Figuren dargestellte erste Endfläche 131 ist senkrecht zur x-Richtung. Die erste Endfläche 131 hat die gleiche Position in x-Richtung wie die Endflächen 631 auf der x1-Seite.
  • Der dritte verlängerte Teil 14 ist an einem Ende des ersten Hauptteils 11 vorgesehen. Der dritte verlängerte Teil 14 erstreckt sich vom Ende des ersten Hauptteils 11 auf der x2-Seite in x-Richtung nach außen. Der dritte verlängerte Teil 14 hat eine dritte Endfläche 141. Die dritte Endfläche 141 weist in x-Richtung vom ersten Hauptteil 11 weg. Mit anderen Worten, die dritte Endfläche 141 ist nach außen gerichtet, d. h. zur x2-Seite in x-Richtung. Die in den Figuren dargestellte dritte Endfläche 141 steht senkrecht zur x-Richtung. Die dritte Endfläche 141 hat die gleiche Position in x-Richtung wie die Endflächen 631, die sich auf der x2-Seite befinden.
  • Der erste Kontaktierungsteil 15 ist mit dem Ende des ersten Hauptteils 11 auf der y1-Seite in y-Richtung gegenüber den ersten Zinken 12 verbunden. Der erste Kontaktierungsteil 15 erstreckt sich vom ersten Hauptteil 11 in Richtung der z2-Seite in z-Richtung. Die Form des ersten Kontaktierungsteils 15 ist nicht speziell begrenzt. Im dargestellten Beispiel hat der erste Kontaktierungsteil 15 eine rechteckige Form, die in x-Richtung länger ist. Der erste Kontaktierungsteil 15 hat im dargestellten Beispiel ein Mitte in x-Richtung, die mit der Mitte des ersten Hauptteils 11 in x-Richtung zusammenfällt.
  • Wie in den 51 und 52 gezeigt, weist der erste Kontaktierungsteil 15 des ersten Anschlusses 1 ein z2-seitiges Ende in z-Richtung auf, das über einen vierten leitenden Bondingteil 94 mit dem dritten Anschluss 3 elektrisch gebondet ist. Der vierte leitende Bondingteil 94 kann z.B. aus Lötmittel, Ag-Paste, gesintertem Ag oder gesintertem Cu bestehen.
  • [Zweiter Anschluss 2]
  • Wie in den 42, 49 und 52 gezeigt, ist der zweite Anschluss 2 in z-Richtung von dem dritten Anschluss 3, dem vierten Anschluss 4, dem fünften Anschluss 5 und dem Inselanschluss 6 zur z1-Seite hin versetzt. Der zweite Anschluss 2 ist in y-Richtung gegenüber dem ersten Anschluss 1 zur y2-Seite hin versetzt. Wie in den 40 bis 42, 44, 46, 47, 49 und 52 gezeigt, umfasst der zweite Anschluss 2 dieser Ausführungsform einen zweiten Hauptteil 21, eine Vielzahl von zweiten Zinken 22, einen zweiten verlängerten Teil 23, einen vierten verlängerten Teil 24, einen zweiten Kontaktierungsteil 25 und einen Verbindungsteil 29.
  • Der zweite Hauptteil 21 hat die Form einer sich in x- und y-Richtung erstreckenden Platte. Der zweite Hauptteil 21 hat im dargestellten Beispiel im Allgemeinen eine rechteckige Form, die in x-Richtung länger ist. Der erste Hauptteil 11 und der zweite Hauptteil 21 sind relativ zum Halbleiterelement 7 in y-Richtung einander gegenüberliegend angeordnet. Der zweite Hauptteil 21 ist im dargestellten Beispiel mit Durchgangslöchern 211 versehen. Die Durchgangslöcher 211 durchdringen den zweiten Hauptteil 21 in z-Richtung. Die Anzahl der vorzusehenden Durchgangslöcher 211 ist nicht begrenzt, einschließlich einem oder mehr als einem. Im dargestellten Beispiel ist der zweite Hauptteil 21 mit zwei Durchgangslöchern 211 versehen. Die Form der Durchgangslöcher 211 ist nicht spezifisch begrenzt und kann aus einer Vielzahl von Formen ausgewählt werden, einschließlich kreisförmiger, elliptischer oder ovaler, rechteckiger oder polygonaler Formen, je nach Bedarf. Im dargestellten Beispiel hat jedes Durchgangsloch 211 in z-Richtung gesehen eine elliptische oder ovale Form, die in x-Richtung länger ist. Der zweite Hauptteil 21 hat in dieser Ausführungsform im Wesentlichen die gleiche Position in z-Richtung wie der erste Hauptteil 11.
  • Der zweite Zinken 22 erstreckt sich von dem zweiten Hauptteil 21 in y-Richtung zur y1-Seite. Die Anzahl der vorzusehenden zweiten Zinken 22 ist nicht begrenzt. In dem dargestellten Beispiel sind zwei zweite Zinken 22 vorgesehen. Die zweiten Zinken 22 sind in x-Richtung nebeneinander angeordnet. Die ersten Zinken 12 und die zweiten Zinken 22 sind in x-Richtung abwechselnd angeordnet. Jeder zweite Zinken 22 hat einen Kopf 221 und einen Fuß 222. Der Kopf 221 ist in y-Richtung vom zweiten Hauptteil 21 zur y1-Seite hin versetzt. In der z-Richtung ist der Kopf 221 vom zweiten Hauptteil 21 zur z2-Seite hin versetzt. Die Köpfe 221 haben in z-Richtung im Wesentlichen die gleiche Position wie die Köpfe 121. Die Form der einzelnen Köpfe 221 ist nicht spezifisch begrenzt. Im dargestellten Beispiel hat der Kopf 221 in z-Richtung gesehen eine rechteckige Form, die in y-Richtung länger ist. Der Kopf 221 erstreckt sich in einem rechten Winkel zur z-Richtung. In dem in 52 gezeigten Beispiel hat der Kopf 221 einen dünneren Abschnitt an dem Ende auf der y1-Seite in y-Richtung. In einem anderen Beispiel kann die Dicke des gesamten Kopfes 221 gleichmäßig sein. Der Fuß 222 jedes zweiten Zinkens 22 befindet sich zwischen dem Kopf 221 und dem zweiten Hauptteil 21 und verbindet den Kopf 221 mit dem zweiten Hauptteil 21. Der Fuß 222 ist in Richtung des Halbleiterelements 7 in z-Richtung (zur z2-Seite) geneigt mit Annäherung vom zweiten Hauptteil 21 zum Kopf 221 in y-Richtung (von der y2-Seite zur y1-Seite). Im dargestellten Beispiel haben die zweiten Zinken 22 alle die gleiche Abmessung in x-Richtung und die gleiche Abmessung in y-Richtung.
  • Der zweite verlängerte Teil 23 ist an einem Ende des zweiten Hauptteils 21 vorgesehen. Der zweite verlängerte Teil 23 erstreckt sich in x-Richtung vom Ende des zweiten Hauptteils 21 auf der x1-Seite in x-Richtung nach außen. Der zweite verlängerte Teil 23 hat eine zweite Endfläche 231. Die zweite Endfläche 231 ist vom zweiten Hauptteil 21 in x-Richtung abgewandt. Mit anderen Worten, die zweite Endfläche 231 ist nach außen gerichtet, d.h. in x-Richtung zur x1-Seite. Die in den Figuren dargestellte zweite Endfläche 231 ist senkrecht zur x-Richtung. Die zweite Endfläche 231 hat die gleiche Position in x-Richtung wie die erste Endfläche 131 und auch wie die Endflächen 631, die sich auf der x1-Seite befinden.
  • Der vierte verlängerte Teil 24 ist über den Verbindungsteil 29 mit dem zweiten Hauptteil 21 verbunden. Die Abmessung des Verbindungsteils 29 in y-Richtung ist kleiner als die des zweiten Hauptteils 21 und des vierten verlängerten Teils 24. Der vierte verlängerte Teil 24 der vorliegenden Offenbarung ist also nicht auf die Struktur beschränkt, die direkt mit dem zweiten Hauptteil 21 verbunden ist, sondern kann über einen anderen Teil mit dem zweiten Hauptteil 21 verbunden werden. Das Gleiche gilt für den zweiten verlängerten Teil 23. Ebenso sind der erste verlängerte Teil 13 und der dritte verlängerte Teil 14 nicht auf die Struktur beschränkt, die direkt mit dem ersten Hauptteil 11 verbunden ist, und können über einen anderen Teil mit dem ersten Hauptteil 11 verbunden sein. Der vierte verlängerte Teil 24 erstreckt sich in y-Richtung. Der vierte verlängerte Teil 24 hat eine vierte Endfläche 241. Die vierte Endfläche 241 weist in y-Richtung vom zweiten Hauptteil 21 weg. Mit anderen Worten, die vierte Endfläche 241 ist nach außen gerichtet, d.h. in y-Richtung zur y2-Seite. Die in den Figuren dargestellte vierte Endfläche 241 ist senkrecht zur y-Richtung.
  • Der zweite Kontaktierungsteil 25 ist mit dem Ende des zweiten Hauptteils 21 auf der y2-Seite in y-Richtung gegenüber den zweiten Zinken 22 verbunden. Der zweite Kontaktierungsteil 25 erstreckt sich vom zweiten Hauptteil 21 in Richtung der z2-Seite in z-Richtung. Die Form des zweiten Kontaktierungsteils 25 ist nicht speziell begrenzt. Im dargestellten Beispiel hat der zweite Kontaktierungsteil 25 eine rechteckige Form, die in x-Richtung länger ist. Der zweite Kontaktierungsteil 25 hat im dargestellten Beispiel eine Mitte in x-Richtung, der mit der Mitte des zweiten Hauptteils 21 in x-Richtung übereinstimmt.
  • Wie in 52 gezeigt, weist der zweite Kontaktierungsteil 25 des zweiten Anschlusses 2 ein z2-seitiges Ende in z-Richtung auf, das über einen fünften leitenden Bondingteil 95 mit dem vierten Anschluss 4 elektrisch gebondet ist. Der fünfte leitende Bondingteil 95 kann z.B. aus Lötmittel hergestellt sein.
  • In dieser Ausführungsform weist der erste Hauptteil 11 des ersten Anschlusses 1 eine erste Kante 112 und eine erste zurückgesetzte Kante 113 auf, wie in 49 gezeigt. Die erste Kante 112 befindet sich gegenüber dem zweiten Hauptteil 21. Im dargestellten Beispiel erstreckt sich die erste Kante 112 in x-Richtung, gesehen in z-Richtung. Die ersten Zinken 12 erstrecken sich von der ersten Kante 112 in y-Richtung. Die erste zurückgesetzte Kante 113 ist gegenüber der ersten Kante 112 zurückgesetzt. Die erste zurückgesetzte Kante 113 ist in einer Richtung ausgespart bzw. zurückgesetzt, in der sich die zweiten Zinken 22 erstrecken (in dieser Ausführungsform die y-Richtung), gesehen in z-Richtung. Eine erste zurückgesetzte Kante 113 ist für jeden zweiten Zinken 22 in dem Abschnitt der ersten Kante 112 ausgebildet, der dem zweiten Zinken 22 in z-Richtung gesehen gegenüberliegt. Der erste Hauptteil 11 ist in dem dargestellten Beispiel mit zwei ersten zurückgesetzten Kanten 113 versehen. In dieser Ausführungsform ist eine der beiden ersten zurückgesetzten Kanten 113 zwischen den beiden ersten Zinken 12 in x-Richtung ausgebildet, und die andere erste zurückgesetzte Kante 113 ist an dem Ende der ersten Kante 112 auf der x1-Seite in x-Richtung ausgebildet. Eine oder mehrere der ersten zurückgesetzten Kanten 113 (in dieser Ausführungsform eine) sind zwischen den beiden ersten Zinken 12 in x-Richtung vorgesehen. Im dargestellten Beispiel überlappt das Halbleiterelement 7 in z-Richtung gesehen mit der ersten Kante 112, aber nicht mit den ersten zurückgesetzten Kanten 113. Jede erste zurückgesetzte Kante 113 setzt sich aus einer Reihe von Kantensegmenten zusammen, die eine Aussparung im ersten Hauptteil 11 bilden. Jede erste zurückgesetzte Kante 113 umfasst ein Segment, das sich parallel zu der ersten Kante 112 erstreckt, und ein Segment, das sich in y-Richtung erstreckt. In einem Beispiel, das sich von dem in 49 gezeigten unterscheidet, kann jede erste zurückgesetzte Kante 113 eine gekrümmte Aussparung oder eine trapezförmige Aussparung, in z-Richtung gesehen, definieren.
  • In dieser Ausführungsform weist der zweite Hauptteil 21 des zweiten Anschlusses 2 eine zweite Kante 212 und eine zweite zurückgesetzte Kante 213 auf, wie in 49 gezeigt. Die zweite Kante 212 befindet sich gegenüber dem ersten Hauptteil 11. Im dargestellten Beispiel erstreckt sich die zweite Kante 212 in x-Richtung, gesehen in z-Richtung. Die zweiten Zinken 22 erstrecken sich von der zweiten Kante 212 in y-Richtung. Die zweite zurückgesetzte Kante 213 ist gegenüber der zweiten Kante 212 zurückgesetzt. Die zweite zurückgesetzte Kante 213 ist in einer Richtung ausgespart bzw. zurückgesetzt, in der sich die ersten Zinken 12 erstrecken (in dieser Ausführungsform die y-Richtung), gesehen in z-Richtung. Die zweite zurückgesetzte Kante 213 ist in dem Abschnitt der zweiten Kante 212 ausgebildet, der in z-Richtung gesehen einem ersten Zinken 12 gegenüberliegt. Der zweite Hauptteil 21 ist im dargestellten Beispiel mit einer zweiten zurückgesetzten Kante 213 versehen. In diesem Beispiel ist die zweite zurückgesetzte Kante 213 zwischen den beiden zweiten Zinken 22 in x-Richtung angeordnet. Im dargestellten Beispiel überlappt das Halbleiterelement 7 in z-Richtung gesehen mit der zweiten Kante 212, nicht aber mit den zweiten zurückgesetzten Kanten 213. Die zweite zurückgesetzte Kante 213 setzt sich aus einer Reihe von Kantensegmenten zusammen, die eine Aussparung im zweiten Hauptteil 21 bilden. Die zweite zurückgesetzte Kante 213 umfasst ein Segment, das sich parallel zu der zweiten Kante 212 erstreckt, und ein Segment, das sich in y-Richtung erstreckt. In einem Beispiel, das sich von dem in 49 gezeigten unterscheidet, kann die zweite zurückgesetzte Kante 213 eine gekrümmte Aussparung oder eine trapezförmige Aussparung sein, gesehen in z-Richtung.
  • [Dritter Anschluss 3]
  • Wie in den 50 bis 52 gezeigt, ist der dritte Anschluss 3 von dem Inselanschluss 6 in y-Richtung zur y1-Seite hin beabstandet. Der dritte Anschluss 3 hat eine Mitte in x-Richtung, die im Wesentlichen mit der Mitte des Inselanschlusses 6 in x-Richtung übereinstimmt. Wie in den 42, 43, 45, 46 und 49 bis 52 gezeigt, hat der dritte Anschluss 3 eine Vorderseite 301, eine Rückseite 302, einen dicken Teil 31, einen dünnen Teil 32 und eine Vielzahl von verlängerten Teilen 33.
  • Die Vorderseite 301 befindet sich auf der z1-Seite in z-Richtung. Im dargestellten Beispiel ist die Vorderseite 301 eine glatte Fläche senkrecht zur z-Richtung. Der dritte Anschluss 3 kann je nach Bedarf eine oder mehrere Aussparungen und/oder Rillen bzw. Nuten aufweisen, die von der Vorderseite 301 zurückgesetzt sind. Der oben beschriebene erste Kontaktierungsteil 15 ist über den vierten leitenden Bondingteil 94 mit der Vorderseite 301 gebondet. Die Rückseite 302 befindet sich auf der z2-Seite in z-Richtung und ist von der Vorderseite 301 abgewandt. Im dargestellten Beispiel ist die Rückseite 302 eine glatte Fläche senkrecht zur z-Richtung. Die Rückseite 302 kann je nach Bedarf z. B. mit Ni oder Ti plattiert sein bzw. werden. In dieser Ausführungsform hat die Vorderseite 301 im Wesentlichen die gleiche Position in z-Richtung wie die Vorderseite 601, und die Rückseite 302 hat im Wesentlichen die gleiche Position in z-Richtung wie die Rückseite 602.
  • Der dicke Teil 31 ist ein Abschnitt, in dem sich die Vorderseite 301 und die Rückseite 302 in z-Richtung gesehen überlappen. Im dargestellten Beispiel hat der dicke Teil 31 in z-Richtung gesehen eine rechteckige Form, die in x-Richtung länger ist. Es wird bemerkt, dass die Form des dicken Teils 31 nicht auf diese Form beschränkt ist. Die Dicke des dicken Teils 31 in z-Richtung entspricht dem Abstand zwischen der Vorderseite 301 und der Rückseite 302. Der dünne Teil 32 ist ein Abschnitt, der sich in z-Richtung gesehen mit der Vorderseite 301, aber nicht mit der Rückseite 302 überlappt. Im gezeigten Beispiel erstreckt sich der dünne Teil 32 in z-Richtung gesehen von den gegenüberliegenden Enden des dicken Teils 31 in x-Richtung und auch von dem Ende auf der y2-Seite in y-Richtung nach außen. Der dünne Teil 32 hat in z-Richtung gesehen einen Abschnitt, der sich vom dicken Teil 31 zur y1-Seite in y-Richtung zwischen zwei verlängerten Teilen 33 in x-Richtung erstreckt. Die Dicke des dünnen Teils 32 in z-Richtung ist geringer als der Abstand zwischen der Vorderseite 301 und der Rückseite 302. Der dicke Teil 31 und der dünne Teil 32 sind nicht auf bestimmte Dicken beschränkt. In dieser Ausführungsform hat der dicke Teil 31 im Wesentlichen die gleiche Dicke wie der dicke Teil 61, und der dünne Teil 32 hat im Wesentlichen die gleiche Dicke wie der dünne Teil 62.
  • Die verlängerten Teile 33 erstrecken sich von einem Ende des dicken Teils 31 nach außen. Im gezeigten Beispiel erstrecken sich die verlängerten Teile 33 vom dicken Teil 31 in Richtung der y1-Seite in y-Richtung. Die Anzahl der verlängerten Teile 33 ist nicht begrenzt, einschließlich einem oder mehr als einem. In dem gezeigten Beispiel sind vier verlängerte Teile 33 vorgesehen. Jeder verlängerte Teil 33 hat eine Endfläche 331. Die Endfläche 331 weist in y-Richtung vom dicken Teil 31 weg. Mit anderen Worten, die Endfläche 331 ist nach außen gerichtet, d. h. zur y1-Seite in y-Richtung. Die in den Figuren dargestellte Endfläche 331 ist senkrecht zur y-Richtung. Die jeweiligen Endflächen 331 haben die gleiche Position in y-Richtung.
  • [Vierter Anschluss 4]
  • Wie in den 42, 49, 50 und 52 gezeigt, ist der vierte Anschluss 4 in y-Richtung gegenüber dem Inselanschluss 6 zur y2-Seite hin versetzt. Die Mitte des vierten Anschlusses 4 in x-Richtung ist gegenüber der Mitte des Inselanschlusses 6 in x-Richtung zur x1-Seite hin versetzt. Wie in 50 gezeigt, enthält das Halbleiterbauteil B1 einen verbindenden Teil 49, der den vierten Anschluss 4 und den Inselanschluss 6 miteinander verbindet. In einem anderen Beispiel kann der vierte Anschluss 4 von dem Inselanschluss 6 getrennt sein. Wie in den 40 bis 45, 49, 50 und 52 gezeigt, hat der vierte Anschluss 4 eine Vorderseite 401, eine Rückseite 402, einen dicken Teil 41, einen dünnen Teil 42 und eine Vielzahl von verlängerten Teilen 43.
  • Die Vorderseite 401 befindet sich auf der z1-Seite in z-Richtung. Im dargestellten Beispiel ist die Vorderseite 401 eine glatte Fläche senkrecht zur z-Richtung. Der vierte Anschluss 4 kann je nach Bedarf eine oder mehrere Aussparungen und/oder Rillen bzw. Nuten aufweisen, die von der Vorderseite 401 zurückgesetzt sind. Der oben beschriebene zweite Kontaktierungsteil 25 ist über den fünften leitenden Bondingteil 95 mit der Vorderseite 401 gebondet. Die Rückseite 402 befindet sich in z-Richtung auf der z2-Seite und ist von der Vorderseite 401 abgewandt. Im dargestellten Beispiel ist die Rückseite 402 eine glatte Oberfläche senkrecht zur z-Richtung. Die Rückseite 402 kann je nach Bedarf z. B. mit Ni oder Ti plattiert sein bzw. werden. In dieser Ausführungsform hat die Vorderseite 401 im Wesentlichen die gleiche Position in z-Richtung wie die Vorderseite 601, und die Rückseite 402 hat im Wesentlichen die gleiche Position in z-Richtung wie die Rückseite 602.
  • Der dicke Teil 41 ist ein Abschnitt, in dem sich die Vorderseite 401 und die Rückseite 402 in z-Richtung gesehen überlappen. Im dargestellten Beispiel hat der dicke Teil 41 in z-Richtung gesehen eine rechteckige Form, die in x-Richtung länger ist. Es wird bemerkt, dass die Form des dicken Teils 41 nicht auf diese Form beschränkt ist. Die Dicke des dicken Teils 41 in z-Richtung entspricht dem Abstand zwischen der Vorderseite 401 und der Rückseite 402. In dieser Ausführungsform hat der dicke Teil 41 eine kleinere Abmessung in x-Richtung als der dicke Teil 31. Der dünne Teil 42 ist ein Abschnitt, der sich in z-Richtung gesehen mit der Vorderseite 401, aber nicht mit der Rückseite 402 überlappt. Im dargestellten Beispiel erstreckt sich der dünne Teil 42 in z-Richtung gesehen von den gegenüberliegenden Enden des dicken Teils 41 in x-Richtung und auch vom Ende auf der y1-Seite in y-Richtung nach außen. Der dünne Teil 42, in z-Richtung gesehen, hat einen Abschnitt, der sich vom dicken Teil 41 zur y2-Seite in y-Richtung zwischen zwei verlängerten Teilen 43 in x-Richtung erstreckt. Die Dicke des dünnen Teils 42 in z-Richtung ist geringer als der Abstand zwischen der Vorderseite 401 und der Rückseite 402. Der dicke Teil 41 und der dünne Teil 42 sind nicht auf bestimmte Dicken beschränkt. In dieser Ausführungsform hat der dicke Teil 41 im Wesentlichen die gleiche Dicke wie der dicke Teil 61, und der dünne Teil 42 hat im Wesentlichen die gleiche Dicke wie der dünne Teil 62.
  • Die verlängerten Teile 43 erstrecken sich von einem Ende des dicken Teils 41 nach außen. Im dargestellten Beispiel erstrecken sich die verlängerten Teile 43 vom dicken Teil 41 in Richtung der y2-Seite in y-Richtung. Die Anzahl der vorzusehenden verlängerten Teile 43 ist nicht begrenzt, einschließlich einem oder mehr als einem. In dem dargestellten Beispiel sind drei verlängerte Teile 43 vorgesehen. Die drei verlängerten Teile 43 haben im Wesentlichen die gleiche Position in x-Richtung wie die drei verlängerten Teile 33, die auf der x1-Seite vorgesehen sind. Jeder verlängerte Teil 43 hat eine Endfläche 431. Die Endfläche 431 ist in y-Richtung von dem dicken Teil 41 weggerichtet. Mit anderen Worten, die Endfläche 431 ist nach außen gerichtet, d. h. zur y1-Seite in y-Richtung. Die jeweiligen Endflächen 431, die in den Figuren dargestellt sind, stehen senkrecht zur y-Richtung. Die Endflächen 431 haben im Wesentlichen die gleiche Position in y-Richtung. Außerdem haben die Endflächen 431 die gleiche Position in y-Richtung wie die vierte Endfläche 241.
  • [Fünfter Anschluss 5]
  • Wie in den 42, 43, 45 und 49 und 51 gezeigt, ist der fünfte Anschluss 5 in y-Richtung vom Inselanschluss 6 in Richtung der y2-Seite versetzt. Die Mitte des fünften Anschlusses 5 in x-Richtung ist gegenüber der Mitte des Inselanschlusses 6 in x-Richtung zur x2-Seite hin versetzt. Der fünfte Anschluss 5 ist in x-Richtung vom/gegenüber dem vierten Anschluss 4 in Richtung der x2-Seite versetzt. Wie in den 40 bis 45 und 49 bis 51 gezeigt, hat der fünfte Anschluss 5 eine Vorderseite 501, eine Rückseite 502, einen dicken Teil 51, einen dünnen Teil 52 und einen verlängerten Teil 53.
  • Die Vorderseite 501 befindet sich auf der Seite z1 in z-Richtung. Im dargestellten Beispiel ist die Vorderseite 501 eine glatte Fläche senkrecht zur z-Richtung. Der fünfte Anschluss 5 kann je nach Bedarf eine oder mehrere Aussparungen und/oder Rillen bzw. Nuten aufweisen, die von der Vorderseite 501 zurückgesetzt sind. Der Draht 99 ist mit der Vorderseite 501 gebondet. Die Rückseite 502 befindet sich auf der z2-Seite in z-Richtung und ist von der Vorderseite 501 abgewandt. Im gezeigten Beispiel ist die Rückseite 502 eine glatte Fläche, die senkrecht zur z-Richtung verläuft. Die Rückseite 502 kann je nach Bedarf z.B. mit Ni oder Ti plattiert sein bzw. werden. In dieser Ausführungsform hat die Vorderseite 501 im Wesentlichen die gleiche Position in z-Richtung wie die Vorderseite 601, und die Rückseite 502 hat im Wesentlichen die gleiche Position in z-Richtung wie die Rückseite 602.
  • Der dicke Teil 51 ist ein Abschnitt, in dem sich die Vorderseite 501 und die Rückseite 502 in z-Richtung gesehen überlappen. Im dargestellten Beispiel hat der dicke Teil 51 in z-Richtung gesehen eine rechteckige Form. Es wird bemerkt, dass die Form des dicken Teils 51 nicht auf diese Form beschränkt ist. Die Dicke des dicken Teils 51 in z-Richtung ist gleich dem Abstand zwischen der Vorderseite 501 und der Rückseite 502. In dieser Ausführungsform hat der dicke Teil 51 eine kleinere Abmessung in x-Richtung als der dicke Teil 31 und der dicke Teil 41. Der dünne Teil 32 ist ein Abschnitt, der sich in z-Richtung gesehen mit der Vorderseite 301, aber nicht mit der Rückseite 302 überlappt. Im gezeigten Beispiel erstreckt sich der dünne Teil 32 in z-Richtung gesehen von den gegenüberliegenden Enden des dicken Teils 51 in x-Richtung und auch von dem Ende auf der y1-Seite in y-Richtung nach außen. Die Dicke des dünnen Teils 52 in z-Richtung ist geringer als der Abstand zwischen der Vorderseite 501 und der Rückseite 502. Der dicke Teil 51 und der dünne Teil 52 sind nicht auf bestimmte Dicken beschränkt. In dieser Ausführungsform hat der dicke Teil 51 im Wesentlichen die gleiche Dicke wie der dicke Teil 61, und der dünne Teil 52 hat im Wesentlichen die gleiche Dicke wie der dünne Teil 62.
  • Der verlängerte Teil 53 erstreckt sich von einem Ende des dicken Teils 51 nach außen. Im gezeigten Beispiel erstreckt sich der verlängerte Teil 53 vom dicken Teil 51 in Richtung der y2-Seite in y-Richtung. Die Anzahl der vorzusehenden verlängerten Teile 53 ist nicht begrenzt, einschließlich einem oder mehr als einem. In dem gezeigten Beispiel ist ein verlängerter Teil 53 vorgesehen. Der verlängerte Teil 53 hat im Wesentlichen die gleiche Position in x-Richtung wie der äußerste der verlängerten Teile 33 auf der x2-Seite. Der verlängerte Teil 53 hat eine Endfläche 531. Die Endfläche 531 ist in y-Richtung von dem dicken Teil 51 abgewandt. Mit anderen Worten, die Endfläche 531 ist nach außen gerichtet, d. h. zur y2-Seite in y-Richtung. Die in den Figuren dargestellte Endfläche 531 ist senkrecht zur y-Richtung. Außerdem hat die Endfläche 531 die gleiche Position in y-Richtung wie die vierte Endfläche 241 und die Endflächen 431.
  • [Halbleiterelement 7]
  • Das Halbleiterelement 7 ist eine Komponente, die die elektrischen Funktionen des Halbleiterbauteils B1 übernimmt. Die spezifische Konfiguration des Halbleiterelements 7 ist nicht spezifisch begrenzt. In dieser Ausführungsform ist das Halbleiterelement 7 ein Transistor, der unter Verwendung eines Nitrid-Halbleiters hergestellt wird, insbesondere ein GaNbasierter HEMT. Das Material des Halbleiterelements 7 ist nicht auf einen Nitrid-Halbleiter beschränkt, und andere Halbleitermaterialien wie Silizium (Si) und Siliziumkarbid (SiC) können ebenfalls verwendet werden. Darüber hinaus ist das Halbleiterelement 7 nicht auf einen HEMT beschränkt und kann auch als ein anderer Transistortyp hergestellt werden, wie z. B. ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) oder ein Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT). Das Halbleiterelement 7 ist auf dem dicken Teil 61 des Inselanschlusses 6 angebracht. Wie in den 42. 49 und 51 bis 53 gezeigt, umfasst das Halbleiterelement 7 einen Elementkörper 70, eine erste Elektrode 71, eine zweite Elektrode 72 und eine dritte Elektrode 73.
  • Der Elementkörper 70 ist ein Laminat aus Schichten, wie einer Substratschicht, einer Pufferschicht und einer Nitridschicht (die Schichten sind nicht dargestellt). Der Elementkörper 70 hat eine Elementvorderseite 701 und eine Elementrückseite 702. Die Elementvorderseite 701 befindet sich auf der z1-Seite in z-Richtung. Die Elementrückseite 702 befindet sich auf der z2-Seite in z-Richtung und ist von der Elementvorderseite 701 abgewandt. Im dargestellten Beispiel ist die Elementrückseite 702 mit einer Metallschicht versehen. Wie in den 51 bis 53 dargestellt, ist die Metallschicht über einen ersten leitenden Bondingteil 91 mit der Vorderseite 601 des Inselanschlusses 6 gebondet. Der erste leitende Bondingteil 91 kann z. B. aus Lötmittel, Ag-Paste, gesintertem Ag oder gesintertem Cu hergestellt sein. Die Metallschicht ist für das Bonden durch den ersten leitenden Bondingteil 91 vorgesehen, aber diese Metallschicht kann auch weggelassen werden. In einem anderen Beispiel kann die Metallschicht so konfiguriert sein, dass sie auf demselben Potenzial liegt wie z.B. die zweite Elektrode 72. Im dargestellten Beispiel überlappt das Halbleiterelement 7 in z-Richtung gesehen mit einem Abschnitt des dicken Teils 61 und einem Abschnitt des dünnen Teils 62 des Inselanschlusses 6.
  • Die erste Elektrode 71, die zweite Elektrode 72 und die dritte Elektrode 73 sind auf der Elementvorderseite 701 angeordnet. In dieser Ausführungsform ist eine Vielzahl von ersten Elektroden 71 und eine Vielzahl von zweiten Elektroden 72 vorgesehen. Die Anzahl der ersten Elektroden 71 und der zweiten Elektroden 72 ist nicht ausdrücklich begrenzt. In dem dargestellten Beispiel sind zwei erste Elektroden 71 und zwei zweite Elektroden 72 vorgesehen. Das heißt, es sind so viele erste Elektroden 71 vorgesehen wie die oben beschriebenen ersten Zinken 12, und so viele zweite Elektroden 72 wie die oben beschriebenen zweiten Zinken 22. Jede erste Elektrode 71 dient als Drain-Elektrode. Jede zweite Elektrode 72 dient als Source-Elektrode. Die ersten Elektroden 71 und die zweiten Elektroden 72 sind abwechselnd in x-Richtung angeordnet. Im dargestellten Beispiel haben die ersten Elektroden 71 und die zweiten Elektroden 72 eine rechteckige, in y-Richtung verlängerte Form, ohne auf eine bestimmte Form beschränkt zu sein.
  • Wie in den 51 und 53 dargestellt, sind die ersten Elektroden 71 mit den Köpfen 121 der ersten Zinken 12 des ersten Anschlusses 1 über einen zweiten leitenden Bondingteil 92 elektrisch verbunden. Der zweite leitende Bondingteil 92 kann z.B. aus Lötmittel, Ag-Paste, gesintertem Ag oder gesintertem Cu hergestellt sein. Wie in den 52 und 53 dargestellt, sind die zweiten Elektroden 72 über einen dritten leitenden Bondingteil 93 elektrisch mit den Köpfen 221 der zweiten Zinken 22 des zweiten Anschlusses 2 verbunden. Der dritte leitende Bondingteil 93 kann z. B. aus Lötmittel, Ag-Paste, gesintertem Ag oder gesintertem Cu hergestellt sein.
  • Die dritte Elektrode 73 dient als Gate-Elektrode. Die Anzahl der vorzusehenden dritten Elektroden 73 ist nicht begrenzt, einschließlich einer oder mehr als einer. In dem dargestellten Beispiel ist eine dritte Elektrode 73 vorgesehen. Die dritte Elektrode 73 ist an einer der vier Ecken der Elementvorderseite 701 angeordnet. Im gezeigten Beispiel ist die dritte Elektrode 73 in der Nähe der Ecke der Elementvorderseite 701 angeordnet, an der sich die Kanten auf der x2-Seite und der y2-Seite treffen. Die dritte Elektrode 73 ist auf der y2-Seite in y-Richtung relativ zu einer der ersten Elektroden 71 angeordnet, die sich auf der x2-Seite in x-Richtung befindet. Der Draht 99 ist mit der dritten Elektrode 73 gebondet, um die dritte Elektrode 73 mit dem fünften Anschluss 5 elektrisch zu verbinden. Anstelle des Drahtes 99 kann auch ein leitendes Element aus einer Metallfolie verwendet werden, um die dritte Elektrode 73 und den fünften Anschluss 5 elektrisch zu verbinden.
  • [Dichtungsharz 8]
  • Das Dichtungsharz 8 bedeckt jeweils einen Abschnitt der Anschlüsse 1 bis 6, des Halbleiterelements 7 und des Drahts 99 und kann aus einem isolierenden Material wie Epoxidharz bestehen. Wie in den 40, 41, 44 bis 53 gezeigt, hat das Dichtungsharz 8 in dieser Ausführungsform die Form eines rechteckigen Parallelepipeds mit einer ersten Fläche 81, einer zweiten Fläche 82, einer dritten Fläche 83, einer vierten Fläche 84, einer fünften Fläche 85 und einer sechsten Fläche 86.
  • Die erste Fläche 81 befindet sich auf der z1-Seite in z-Richtung. Im gezeigten Beispiel ist die erste Fläche 81 eine ebene Fläche senkrecht zur z-Richtung. Die zweite Fläche 82 befindet sich auf der z2-Seite in z-Richtung. Im gezeigten Beispiel ist die zweite Fläche 82 eine ebene Fläche senkrecht zur z-Richtung. Die dritte Fläche 83 befindet sich auf der y1 Seite in y-Richtung. Im gezeigten Beispiel ist die dritte Fläche 83 eine ebene Fläche senkrecht zur y-Richtung. Die vierte Fläche 84 befindet sich auf der y2-Seite in y-Richtung. Im gezeigten Beispiel ist die vierte Fläche 84 eine ebene Fläche senkrecht zur y-Richtung. Die fünfte Fläche 85 befindet sich auf der x1-Seite in x-Richtung. Im gezeigten Beispiel ist die fünfte Fläche 85 eine ebene Fläche senkrecht zur x-Richtung. Die sechste Fläche 86 befindet sich auf der x2-Seite in x-Richtung. Im gezeigten Beispiel ist die sechste Fläche 86 eine ebene Fläche senkrecht zur x-Richtung.
  • Wie in 45 gezeigt, legt die zweite Fläche 82 die Rückseiten 602, 302, 402 und 502 jeweils des Inselanschlusses 6, des dritten Anschlusses 3, des vierten Anschlusses 4 und des fünften Anschlusses 5 zur z2-Seite in z-Richtung frei. Die zweite Fläche 82 ist bündig mit den Rückseiten 602, 302, 402 und 502 jeweils des Inselanschlusses 6, des dritten Anschlusses 3, des vierten Anschlusses 4 und des fünften Anschlusses 5. Es kann akzeptabel sein, dass alle oder einige der Rückseiten 602, 302, 402 und 502 jeweils des Inselanschlusses 6, des dritten Anschlusses 3, des vierten Anschlusses 4 und des fünften Anschlusses 5 leicht aus der zweiten Fläche 82 herausragen.
  • Wie in den 46, 49 und 50 gezeigt, legt die dritte Fläche 83 die Endflächen 331 des dritten Anschlusses 3 in Richtung der y1-Seite in y-Richtung frei. Die dritte Fläche 83 ist bündig mit den Endflächen 331 des dritten Anschlusses 3. Es kann akzeptabel sein, dass alle oder einige der Endflächen 331 leicht aus der dritten Fläche 83 herausragen.
  • Wie in den 44, 49 und 50 gezeigt, legt die vierte Fläche 84 die vierte Endfläche 241 des zweiten Anschlusses 2, die Endflächen 431 des vierten Anschlusses 4 und die Endfläche 531 des fünften Anschlusses 5 in y-Richtung zur y2-Seite hin frei. Die vierte Fläche 84 ist bündig mit der vierten Endfläche 241 des zweiten Anschlusses 2, den Endflächen 431 des vierten Anschlusses 4 und der Endfläche 531 des fünften Anschlusses 5. Es kann akzeptabel sein, dass die vierte Endfläche 241 des zweiten Anschlusses 2, die Endflächen 431 des vierten Anschlusses 4 und die Endfläche 531 des fünften Anschlusses 5 ganz oder teilweise etwas aus der vierten Fläche 84 herausragen.
  • Wie in den 47, 49 und 50 gezeigt, legt die fünfte Fläche 85 die erste Endfläche 131 des ersten Anschlusses 1, die zweite Endfläche 231 des zweiten Anschlusses 2 und die Endflächen 631 des Inselanschlusses 6 zur x1-Seite in x-Richtung frei. Die fünfte Fläche 85 ist bündig mit der ersten Endfläche 131 des ersten Anschlusses 1, der zweiten Endfläche 231 des zweiten Anschlusses 2 und den Endflächen 631 des Inselanschlusses 6. Es kann akzeptabel sein, dass die erste Endfläche 131 des ersten Anschlusses 1, die zweite Endfläche 231 des zweiten Anschlusses 2 und die Endflächen 631 des Inselanschlusses 6 ganz oder teilweise geringfügig aus der fünften Fläche 85 herausragen.
  • Wie in den 48, 49 und 50 gezeigt, legt die sechste Fläche 86 die dritte Endfläche 141 des ersten Anschlusses 1 und die Endflächen 631 des Inselanschlusses 6 zur x2-Seite in x-Richtung frei. Die sechste Fläche 86 ist bündig mit der dritten Endfläche 141 des ersten Anschlusses 1 und den Endflächen 631 des Inselanschlusses 6. Es kann akzeptabel sein, dass die dritte Endfläche 141 des ersten Anschlusses 1 und die Endflächen 631 des Inselanschlusses 6 ganz oder teilweise etwas aus der sechsten Fläche 86 herausragen.
  • Im Folgenden wird ein Beispiel für ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils B1 unter Bezugnahme auf die 54 bis 64 beschrieben.
  • Wie in 54 gezeigt, umfasst das Herstellungsverfahren dieser Ausführungsform einen ersten Herstellungsschritt S11, einen zweiten Herstellungsschritt S12, einen Montageschritt S13, einen dritten Herstellungsschritt S14, einen Platzierungsschritt S15, einen Aushärtungsschritt S16, einen Verbindungsschritt S17, einen Harzbildungsschritt S18 und einen Schneideschritt S19.
  • [Erster Herstellungsschritt S11]
  • Zunächst wird ein erster Leiterrahmen LF1, wie in 55 gezeigt, vorbereitet. Der erste Leiterrahmen LF1 umfasst einen Rahmenteil f1, einen dritten Teil 30, einen vierten Teil 40, einen fünften Teil 50 und einen Inselteil 60. Der Rahmenteil f1 ist ein sich in x- und y-Richtung erstreckender Abschnitt, der den dritten Teil 30, den vierten Teil 40, den fünften Teil 50 und den Inselteil 60 umgibt.
  • Der dritte Teil 30 ist ein Abschnitt zur Bildung des dicken Teils 31 und des dünnen Teils 32 des dritten Anschlusses 3 des oben beschriebenen Halbleiterbauteils B1. Der dritte Teil 30 ist mit dem Rahmenteil f1 durch eine Vielzahl von Verbindungsteilen 330 verbunden. Der vierte Teil 40 ist ein Abschnitt zur Bildung des dicken Teils 41 und des dünnen Teils 42 des vierten Anschlusses 4 des oben beschriebenen Halbleiterbauteils B1. Der vierte Teil 40 ist durch eine Vielzahl von Verbindungsteilen 430 mit dem Rahmenteil f1 verbunden. Der fünfte Teil 50 ist ein Abschnitt zur Bildung des dicken Teils 51 und des dünnen Teils 52 des fünften Anschlusses 5 des oben beschriebenen Halbleiterbauteils B1. Der fünfte Teil 50 ist durch eine Vielzahl von Verbindungsteilen 530 mit dem Rahmenteil f1 verbunden. Der Inselteil 60 ist ein Abschnitt zur Bildung des dicken Teils 61 und des dünnen Teils 62 des oben beschriebenen Halbleiterbauteils B1. Der Inselteil 60 ist durch eine Vielzahl von Verbindungsteilen 630 mit dem Rahmenteil f1 verbunden. Im ersten Leiterrahmen LF1 sind die Vorderseiten 301, 401, 501 und 601 bündig zueinander Ebenso sind die Rückseiten 302, 402, 502 und 602 bündig miteinander.
  • [Zweiter Herstellungsschritt S12]
  • Als nächstes wird ein Halbleiterelement 7, wie in 55 gezeigt, hergestellt. Das Halbleiterelement 7 hat die Konfiguration, wie sie oben für das Halbleiterbauteil B1 beschrieben wurde. Die Reihenfolge, in der der erste Herstellungsschritt S11 und der zweite Herstellungsschritt S12 durchgeführt werden, ist nicht spezifisch begrenzt.
  • [Montageschritt S13]
  • Als nächstes wird, wie in 56 gezeigt, das Halbleiterelement 7 auf dem Inselteil 60 montiert. In dem Montageschritt S13 wird eine erste leitende Paste 910 zwischen der Elementrückseite 702 des Halbleiterelements 7 und der Vorderseite 601 des Inselteils 60 angeordnet. Die erste leitende Paste 910 kann z.B. eine Lötmittelpaste sein.
  • [Dritter Herstellungsschritt S14]
  • Als nächstes wird der zweite Leiterrahmen LF2, wie in den 57 bis 59 gezeigt, angebracht. Der zweite Leiterrahmen LF2 umfasst einen Rahmenteil f2, einen ersten Teil 10 und einen zweiten Teil 20. Der Rahmenteil f2 ist ein Abschnitt, der den ersten Teil 10 und den zweiten Teil 20 umgibt. Wie in 54 gezeigt, umfasst der dritte Herstellungsschritt S14 einen ersten Prozess S141 und einen zweiten Prozess S142.
  • Der erste Prozess S141 umfasst die Vorbereitung einer Metallfolie und die Anwendung eines Stanzvorgangs auf die Metallfolie, um den in 57 gezeigten zweiten Leiterrahmen LF2 zu bilden. Der erste Prozess S141 beinhaltet das Ausbilden von Aussparungen an der ersten Kante 112 (die Kante, die dem zweiten Hauptteil 21 in y-Richtung näher ist) des ersten Hauptteils 11, wodurch die ersten zurückgesetzten Kanten 113 an der ersten Kante 112 des ersten Hauptteils 11 gebildet werden. Der erste Prozess S141 beinhaltet auch das Bilden einer Aussparung an der zweiten Kante 212 (die Kante, die in y-Richtung näher am ersten Hauptteil 11 liegt) des zweiten Hauptteils 21, wodurch die zweite zurückgesetzte Kante 213 an der zweiten Kante 212 des zweiten Hauptteils 21 gebildet wird.
  • Bei dem zweiten Leiterrahmen LF2, wie er im ersten Prozess S141 verarbeitet wird, sind die ersten Zinken 12 und die zweiten Zinken 22 ohne Biegungen, und strecken sich flach in der xy-Ebene. Wie in 57 gezeigt, erstreckt sich einer der beiden ersten Zinken 12 (derjenige, der sich zwischen den beiden zweiten Zinken 22 befindet) von der ersten Kante 112 bis zu dem ausgesparten Bereich (der ersten zurückgesetzten Kante 113) des zweiten Hauptteils 21. In ähnlicher Weise erstrecken sich die beiden zweiten Zinken 22 von der zweiten Kante 212 zu den ausgesparten Bereichen (den zweiten zurückgesetzten Kanten 213) des ersten Hauptteils 11. Bei dem zweiten Leiterrahmen LF2, wie er im ersten Prozess S141 verarbeitet wird, erstreckt sich ebenfalls der erste Kontaktierungsteil 15 von dem ersten Hauptteil 11 in y-Richtung zur y1-Seite hin, und der zweite Kontaktierungsteil 25 erstreckt sich von dem zweiten Hauptteil 21 in y-Richtung zur y2-Seite hin.
  • Der zweite Prozess S142 beinhaltet einen Biegevorgang an dem zweiten Leiterrahmen LF2, wie er in dem ersten Prozess S141 verarbeitet wurde (der zweite Leiterrahmen LF2, der in 57 gezeigt ist), um die Geometrie des zweiten Leiterrahmens LF2 zu bilden, die in den 58 und 59 gezeigt ist. Zum Beispiel beinhaltet der zweite Prozess S142 die Herstellung einer Biegung entlang einer in 57 gezeigten gestrichelten Linie in Richtung der z2-Seite in z-Richtung. Somit haben der zweite Prozess S142, die ersten Zinken 12, der erste Kontaktierungsteil 15, die zweiten Zinken 22 und der zweite Kontaktierungsteil 25 nach dem zweiten Prozess die oben beschriebenen Konfigurationen bezüglich des Halbleiterbauteils B1. Was den ersten Teil 10 betrifft, so sind die Köpfe 121 der ersten Zinken 12 vom ersten Hauptteil 11 in Richtung der z2-Seite versetzt, und der erste Kontaktierungsteil 15 erstreckt sich vom ersten Hauptteil 11 in Richtung der z2-Seite in z-Richtung. Was den zweiten Teil 20 betrifft, so sind die Köpfe 221 der zweiten Zinken 22 vom zweiten Hauptteil 21 in Richtung der z2-Seite in z-Richtung versetzt, und der zweite Kontaktierungsteil 25 erstreckt sich vom zweiten Hauptteil 21 in Richtung der z2-Seite in z-Richtung.
  • [Platzierungsschritt S15]
  • Als nächstes wird der zweite Leiterrahmen LF2 wie in den 60 bis 62 gezeigt platziert. 61 zeigt einen Schnitt entlang der yz-Ebene, die einen ersten Zinken 12 schneidet. 62 zeigt einen Schnitt entlang der yz-Ebene, der einen zweiten Zinken 22 schneidet. Im Platzierungsschritt S15 wird die zweite leitende Paste 920 zwischen dem Kopf 121 jedes ersten Zinken 12 des ersten Teils 10 und einer entsprechenden ersten Elektrode 71 des Halbleiterelements 7 angeordnet. Darüber hinaus ist die dritte leitende Paste 930 zwischen dem Kopf 221 jedes zweiten Zinken 22 des zweiten Teils 20 und einer entsprechenden zweiten Elektrode 72 des Halbleiterelements 7 angeordnet. Bei der zweiten leitenden Paste 920 und der dritten leitenden Paste 930 kann es sich zum Beispiel um eine Lötmittelpaste handeln. Darüber hinaus ist eine vierte leitende Paste 940 zwischen der Vorderseite 301 des dritten Teils 30 und dem Ende des ersten Kontaktierungsteils 15 des ersten Teils 10 auf der z2-Seite in z-Richtung angeordnet. Darüber hinaus ist eine fünfte leitende Paste 950 zwischen der Vorderseite 401 des vierten Teils 40 und dem Ende des zweiten Kontaktierungsteils 25 des zweiten Teils 20 auf der z2-Seite in z-Richtung angeordnet. Die vierte leitende Paste 940 und die fünfte leitende Paste 950 können z.B. eine Lötmittelpaste sein.
  • [Aushärtungsschritt S16]
  • Der nächste Schritt ist das Aushärten der ersten leitenden Paste 910, der zweiten leitenden Paste 920, der dritten leitenden Paste 930, der vierten leitenden Paste 940 und der fünften leitenden Paste 950. Die Aushärtung erfolgt nach dem Platzierungsschritt S15 und durch Erhitzen des ersten Leiterrahmens LF1, des zweiten Leiterrahmens LF2 und des Halbleiterelements 7 in einem Reflow-Ofen auf eine vorgegebene Temperatur und anschließende Abkühlung. Die auf diese Weise ausgehärteten Pasten 910, 920, 930, 940 und 950 bilden jeweils den ersten leitenden Bondingteil 91, den zweiten leitenden Bondingteil 92, den dritten leitenden Bondingteil 93, den vierten leitenden Bondingteil 94 und den fünften leitenden Bondingteil 95 des oben beschriebenen Halbleiterbauteils B1. Dann werden der erste Leiterrahmen LF1, der zweite Leiterrahmen LF2 und das Halbleiterelement 7 durch Bonden entsprechender Abschnitte elektrisch miteinander verbunden. Der Aushärtungsschritt S16 dieser Ausführungsform härtet gleichzeitig die erste leitende Paste 910, die zweite leitende Paste 920, die dritte leitende Paste 930, die vierte leitende Paste 940 und die fünfte leitende Paste 950 aus. In einem anderen Beispiel kann die erste leitende Paste 910 ausgehärtet werden, nachdem das Halbleiterelement 7 montiert wurde und bevor die anderen Pasten ausgehärtet werden.
  • [Verbindungsschritt S17]
  • Als nächstes wird, wie in 63 gezeigt, ein Draht 99 an die dritte Elektrode 73 und die Vorderseite 501 des fünften Anschlusses 5 gebondet, um die dritte Elektrode 73 und den fünften Anschluss 5 elektrisch zu verbinden. Anstelle des Drahtes 99 kann auch ein leitendes Element aus einer Metallplatte verwendet werden, um die dritte Elektrode 73 und die Vorderseite 501 elektrisch zu verbinden.
  • [Harzbildungsschritt S18]
  • Als nächstes wird, wie in 64 gezeigt, ein Dichtungsharz 8 gebildet, um einen Abschnitt des ersten Leiterrahmens LF1, einen Abschnitt des zweiten Leiterrahmens LF2 und das Halbleiterelement 7 und den Draht 99 zu verkapseln. Der Harzbildungsschritt S18 kann das Gießen („molding“) eines Harzes beinhalten.
  • [Schneideschritt S19]
  • Anschließend werden der erste Verbindungsteil 130, der dritte Verbindungsteil 140, der zweite Verbindungsteil 230, der vierte Verbindungsteil 240 und die Verbindungsteile 330, 430, 530 und 630 außerhalb des Dichtungsharzes 8 abgeschnitten. Dadurch verbleiben Abschnitte des ersten Verbindungsteils 130, des dritten Verbindungsteils 140, des zweiten Verbindungsteils 230, des vierten Verbindungsteils 240 und der Verbindungsteile 330, 430, 530 und 630 innerhalb des Dichtungsharzes 8, und diese verbleibenden Abschnitte bilden den ersten verlängerten Teil 13, den dritten verlängerten Teil 14, den zweiten verlängerten Teil 23, den vierten verlängerten Teil 24 und die oben beschriebenen verlängerten Teile 33, 43, 53 und 63. Darüber hinaus bilden die Schnittflächen der jeweiligen Verbindungsteile die erste Endfläche 131, die dritte Endfläche 141, die zweite Endfläche 231, die vierte Endfläche 241 und die Endflächen 331, 431, 531 und 631.
  • Durch die oben genannten Schritte wird das Halbleiterbauteil B1 erhalten.
  • Im Folgenden werden die Vorteile des Halbleiterbauteils B1 und das Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils B1 beschrieben.
  • Das Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils B1 verwendet den zweiten Leiterrahmen LF2, wie in den 58 und 59 gezeigt, wobei der erste Teil 10 und der zweite Teil 20 mit dem Rahmenteil f2 durch den ersten Verbindungsteil 130 bzw. den zweiten Verbindungsteil 230 verbunden sind. Dadurch kann eine unerwünschte Verschiebung des ersten Teils 10 und des zweiten Teils 20 verhindert werden, wenn sich die erste leitende Paste 910, die zweite leitende Paste 920 und die dritte leitende Paste 930 in dem in 60 gezeigten Platzierungsschritt S15 und dem anschließenden Aushärtungsschritt S16 im geschmolzenen Zustand befinden. Die vorliegende Ausführungsform kann daher eine präzisere Platzierung der leitenden Elemente, nämlich des ersten Anschlusses 1 (des ersten Teils 10) und des zweiten Anschlusses 2 (des zweiten Teils 20), ermöglichen.
  • Der erste Hauptteil 11 des Halbleiterbauteils B1 ist mit einer ersten zurückgesetzten Kante 113 versehen, die von der ersten Kante 112 zurückgesetzt ist. Die erste zurückgesetzte Kante 113 kann zum Beispiel im ersten Prozess S141 des dritten Herstellungsschrittes S14 gebildet werden. Der zweite Leiterrahmen LF2, wie er im ersten Prozess S141 verarbeitet wird, weist einen zweiten Zinken 22 auf, der sich bis zu der von der ersten zurückgesetzten Kante 113 gebildeten Aussparung erstreckt. Das Vorhandensein einer ersten zurückgesetzten Kante 113 ermöglicht es, dass der zweite Zinken 22 länger (in y-Richtung) ist als ohne. Der Kopf 221 eines solchen zweiten Zinkens 22 hat eine größere Fläche, die mit einer zweiten Elektrode 72 gebondet werden kann. Die vorliegende Ausführungsform kann daher eine bessere elektrische Verbindung zwischen dem zweiten Anschluss 2 und der zweiten Elektrode 72 gewährleisten. Bei dem Herstellungsverfahren des Halbleiterbauteils B1 kann das in dem Harzbildungsschritt S18 eingespritzte Harz außerdem durch die von der ersten zurückgesetzten Kante 113 gebildete Aussparung fließen, um den Bereich unterhalb des ersten Hauptteils 11 zu erreichen. Dadurch wird das Fließen des Harzes in den vom ersten Hauptteil 11 abgedeckten Bereich gefördert. Auf diese Weise kann die vorliegende Ausführungsform den Weg für das Fließen des Harzes in den Bereich unterhalb des ersten Hauptteils 11 sichern, wodurch die Bildung eines Hohlraums oder eines nicht mit dem Dichtungsharz 8 gefüllten Bereichs vermieden wird.
  • Der zweite Hauptteil 21 des Halbleiterbauteils B1 ist mit einer zweiten zurückgesetzten Kante 213 versehen, die von der zweiten Kante 212 zurückgesetzt ist. Die zweite zurückgesetzte Kante 213 kann zum Beispiel im ersten Prozess S141 des dritten Herstellungsschrittes S14 gebildet werden. Der zweite Leiterrahmen LF2, wie er im ersten Prozess S141 verarbeitet wird, weist einen Ersten Zinken 12 auf, der sich bis zu der von der zweiten zurückgesetzten Kante 213 gebildeten Aussparung erstreckt. Das Vorhandensein einer zweiten zurückgesetzten Kante 213 ermöglicht es, dass der erste Zinken 12 länger ist (in y-Richtung) als ohne. Der Kopf 121 eines solchen ersten Zinkens 12 hat eine größere Fläche, die mit einer ersten Elektrode 71 gebondet werden kann. Die vorliegende Ausführungsform kann daher eine bessere elektrische Verbindung zwischen dem ersten Anschluss 1 und der ersten Elektrode 71 gewährleisten. Bei dem Herstellungsverfahren des Halbleiterbauteils B1 kann außerdem das in dem Harzbildungsschritt S18 injizierte Harz durch die von der zweiten zurückgesetzten Kante 213 gebildete Aussparung fließen, um den Bereich unterhalb des zweiten Hauptteils 21 zu erreichen. Dadurch wird das Fließen des Harzes in den vom zweiten Hauptteil 21 abgedeckten Bereich gefördert. Auf diese Weise kann die vorliegende Ausführungsform den Weg für das Fließen des Harzes in den Bereich unterhalb des zweiten Hauptteils 21 sicherstellen und dadurch die Bildung eines Hohlraums oder eines nicht mit dem Dichtungsharz 8 gefüllten Bereichs vermeiden.
  • Der erste Hauptteil 11 des Halbleiterbauteils B1 ist mit einer ersten Kante 112 und einer ersten zurückgesetzten Kante 113 versehen. Die ersten Zinken 12 erstrecken sich von der ersten Kante 112. Diese Konfiguration ermöglicht es, die Fläche des ersten Hauptteils 11 zu reduzieren, ohne die Länge der zweiten Zinken 22 zu verringern. Der zweite Hauptteil 21 ist ebenfalls mit einer zweiten Kante 212 und einer zweiten zurückgesetzten Kante 213 versehen. Die zweiten Zinken 22 erstrecken sich von der zweiten Kante 212. Diese Konfiguration ermöglicht es, den Bereich des zweiten Hauptteils 21 zu reduzieren, ohne dass die Länge der ersten Zinken 12 reduziert werden muss. Der Platzierungsschritt S15 kann darin bestehen, den ersten Hauptteil 11 und den zweiten Hauptteil 21 des zweiten Leiterrahmens LF2 durch Ansaugen zu halten, um den zweiten Leiterrahmen LF2 über den ersten Leiterrahmen LF1 zu transportieren. Für die Stabilität während des Umsetzens ist es vorteilhaft, eine Saugkraft über eine größere Fläche auszuüben. Der erste Hauptteil 11 und der zweite Hauptteil 21 dieser Ausführungsform müssen nicht flächenmäßig kleiner sein und sind daher für eine stabile Überführung des zweiten Leiterrahmens LF2 im Platzierungsschritt S15 wünschenswert.
  • Das Halbleiterbauteil B1 umfasst die ersten Elektroden 71 und die zweiten Elektroden 72, die abwechselnd in x-Richtung angeordnet sind, so dass die ersten Zinken 12 und die zweiten Zinken 22 abwechselnd in x-Richtung vorgesehen sind. Eine genaue Platzierung des ersten Teils 10 und des zweiten Teils 20 ist daher wünschenswert, um die ersten Elektroden 71 und die zweite Elektrode 72 mit den ersten Zinken 12 und den zweiten Zinken 22 richtig elektrisch zu bonden. So kann bei der vorliegenden Ausführungsform beispielsweise vermieden werden, dass die ersten Zinken 12 unerwünscht nahe an den zweiten Zinken 22 platziert werden.
  • Das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils und das Halbleiterbauteil der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen beschränkt. An der spezifischen Konfiguration der einzelnen Teile des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauteils und des Halbleiterbauteils können verschiedene Konstruktionsänderungen vorgenommen werden.
    • Klausel A1. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils, wobei das Verfahren aufweist:
      • einen ersten Herstellungsschritt zur Herstellung eines ersten Leiterrahmens, der einen Inselteil enthält;
      • einen zweiten Herstellungsschritt zum Herstellen eines Halbleiterelements, das eine Elementvorderseite und eine Elementrückseite aufweist, die in einer ersten Richtung und einer zweiten Richtung einer Dickenrichtung gegenüberliegen, wobei die Elementvorderseite mit mindestens einer ersten Elektrode und mindestens einer zweiten Elektrode versehen ist; einen Montageschritt zum Montieren des Halbleiterelements auf dem Inselteil mit einer ersten leitenden Paste, die zwischen der Elementrückseite und dem Inselteil angeordnet ist; einen dritten Herstellungsschritt des Herstellens eines zweiten Leiterrahmens, der einen ersten Teil, einen zweiten Teil, einen Rahmenteil, einen ersten Verbindungsteil, der den ersten Teil und den Rahmenteil verbindet, und einen zweiten Verbindungsteil, der den zweiten Teil und den Rahmenteil verbindet, umfasst einen Platzierungsschritt des Platzierens des zweiten Leiterrahmens mit einer zweiten leitenden Paste, die zwischen dem ersten Teil und der mindestens einen ersten Elektrode angeordnet ist, und mit einer dritten leitenden Paste, die zwischen dem zweiten Teil und der mindestens einen zweiten Elektrode angeordnet ist; und
      • einen Aushärtungsschritt zum Aushärten der ersten leitenden Paste, der zweiten leitenden Paste und der dritten leitenden Paste.
    • Klausel A2. Verfahren nach Klausel A1, ferner aufweisend:
      • einen Schritt zur Bildung eines Dichtungsharzes, um nach dem Aushärtungsschritt ein Dichtungsharz zu bilden, das das Halbleiterelement, den ersten Teil, den zweiten Teil, einen Abschnitt des ersten Verbindungsteils und einen Abschnitt des zweiten Verbindungsteils abdeckt; und
      • einen Schneideschritt zum Schneiden des ersten Verbindungsteils und des zweiten Verbindungsteils.
    • Klausel A3. Verfahren nach Klausel A1 oder A2, wobei die mindestens eine erste Elektrode eine Vielzahl von ersten Elektroden aufweist, die mindestens eine zweite Elektrode eine Vielzahl von zweiten Elektroden aufweist, die Vielzahl der ersten Elektroden und die Vielzahl der zweiten Elektroden abwechselnd in einer ersten Richtung senkrecht zur Dickenrichtung angeordnet sind, der erste Teil einen ersten Hauptteil und eine Vielzahl von ersten Zinken aufweist, die mit dem ersten Hauptteil verbunden sind, der zweite Teil einen zweiten Hauptteil und eine Vielzahl von zweiten Zinken aufweist, die mit dem zweiten Hauptteil verbunden sind, und in dem Platzierungsschritt die zweite leitende Paste zwischen der Vielzahl der ersten Zinken und der Vielzahl der ersten Elektroden angeordnet ist und die dritte leitende Paste zwischen der Vielzahl der zweiten Zinken und der Vielzahl der zweiten Elektroden angeordnet ist.
    • Klausel A4. Verfahren nach Klausel A3, wobei der erste Hauptteil in einer ersten Richtung einer zweiten Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung und der ersten Richtung versetzt ist und der zweite Hauptteil in einer zweiten Richtung der zweiten Richtung von dem ersten Hauptteil versetzt ist.
    • Klausel A5. Verfahren nach Klausel A4, wobei das Halbleiterelement eine dritte Elektrode aufweist, die auf der Elementvorderseite angeordnet ist, und die dritte Elektrode von der Vielzahl der ersten Elektroden in der zweiten Richtung der zweiten Richtung und von der Vielzahl der zweiten Elektroden in einer ersten Richtung der ersten Richtung versetzt ist.
    • Klausel A6. Verfahren nach Klausel A5, wobei der zweite Leiterrahmen einen dritten Verbindungsteil aufweist, der den ersten Teil und den Rahmenteil verbindet, der erste Verbindungsteil sich von dem ersten Teil in einer zweiten Richtung der ersten Richtung erstreckt, und der dritte Verbindungsteil sich von dem ersten Teil in der ersten Richtung erstreckt.
    • Klausel A7. Verfahren nach Klausel A6, wobei der zweite Leiterrahmen einen vierten Verbindungsteil aufweist, der den zweiten Teil und den Rahmenteil verbindet, der zweite Verbindungsteil sich von dem zweiten Teil in der zweiten Richtung der ersten Richtung erstreckt, und der vierte Verbindungsteil sich von dem zweiten Teil in der zweiten Richtung der zweiten Richtung erstreckt.
    • Klausel A8. Verfahren nach einem der Klauseln A5 bis A7, wobei der erste Leiterrahmen einen dritten Teil und einen vierten Teil aufweist, der erste Teil einen ersten Kontaktierungsteil aufweist, der mit dem ersten Hauptteil von einer Seite in der ersten Richtung der zweiten Richtung verbunden ist und sich in der zweiten Richtung der Dickenrichtung erstreckt, der zweite Teil einen zweiten Kontaktierungsteil aufweist, der mit dem zweiten Hauptteil von einer Seite in der zweiten Richtung der zweiten Richtung verbunden ist und sich in der zweiten Richtung der Dickenrichtung erstreckt, und in dem Platzierungsschritt der zweite Leiterrahmen mit einer vierten leitenden Paste platziert wird, die zwischen dem ersten Kontaktierungsteil und dem dritten Teil angeordnet ist, und mit einer fünften leitenden Paste, die zwischen dem zweiten Kontaktierungsteil und dem vierten Teil angeordnet ist.
    • Klausel A9. Verfahren nach einem der Klauseln A5 bis A8, ferner aufweisend das Bonden eines leitenden Elements mit der dritten Elektrode und dem ersten Leiterrahmen nach dem Aushärtungsschritt.
    • Klausel A10. Verfahren nach Klausel A9, wobei die dritte Elektrode in der zweiten Richtung der zweiten Richtung gegenüber einer äußersten der Vielzahl von ersten Elektroden in der ersten Richtung der ersten Richtung angeordnet ist.
    • Klausel A11. Halbleiterbauteil, aufweisend:
      • eine Vielzahl von Anschlüssen;
      • ein Halbleiterelement; und
      • ein Dichtungsharz, das jeweils einen Teil der Vielzahl von Anschlüssen und des Halbleiterelements bedeckt, wobei
      • die Vielzahl von Anschlüssen einen Inselanschluss, einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss umfasst, die voneinander beabstandet sind,
      • das Halbleiterelement eine Elementvorderseite und eine Elementrückseite aufweist, die in einer ersten Richtung bzw. einer zweiten Richtung einer Dickenrichtung weisen, wobei die Elementvorderseite mit mindestens einer ersten Elektrode und mindestens einer zweiten Elektrode ausgestattet ist,
      • die Elementrückseite und der Inselanschluss sind durch einen ersten leitenden Bondingteil miteinander gebondet,
      • der erste Anschluss einen ersten Hauptteil, mindestens einen ersten Zinken und einen ersten verlängerten Teil aufweist,
      • der zweite Anschluss einen zweiten Hauptteil, mindestens einen zweiten Zinken und einen zweiten verlängerten Teil umfasst,
      • der mindestens eine erste Zinken und die mindestens eine erste Elektrode durch einen zweiten leitenden Bondingteil miteinander gebondet sind,
      • der mindestens eine zweite Zinken und die mindestens eine zweite Elektrode durch einen dritten leitenden Bondingteil miteinander verbunden sind,
      • der erste verlängerte Teil eine erste Endfläche aufweist, die von dem Dichtungsharz freigelegt ist, und
      der zweite verlängerte Teil eine zweite Endfläche aufweist, die von dem Dichtungsharz freigelegt ist.
    • Klausel A12. Halbleiterbauteil nach Klausel A11, wobei die mindestens eine erste Elektrode eine Vielzahl von ersten Elektroden aufweist, die mindestens eine zweite Elektrode eine Vielzahl von zweiten Elektroden aufweist, die Vielzahl der ersten Elektroden und die Vielzahl der zweiten Elektroden abwechselnd in einer ersten Richtung senkrecht zur Dickenrichtung angeordnet sind, der mindestens eine erste Zinken eine Vielzahl von ersten Zinken aufweist, und der mindestens eine zweite Zinken eine Vielzahl von zweiten Zinken aufweist.
    • Klausel A13. Halbleiterbauteil nach Klausel A12, wobei der erste Hauptteil in einer ersten Richtung einer zweiten Richtung senkrecht zur Dickenrichtung und zur ersten Richtung versetzt ist, und der zweite Hauptteil in einer zweiten Richtung der zweiten Richtung vom ersten Hauptteil versetzt ist.
    • Klausel A14. Halbleiterbauteil nach Klausel A13, wobei das Halbleiterelement eine dritte Elektrode aufweist, die auf der Elementvorderseite angeordnet ist, und die dritte Elektrode von der Vielzahl der ersten Elektroden in der zweiten Richtung der zweiten Richtung und von der Vielzahl der zweiten Elektroden in einer ersten Richtung der ersten Richtung versetzt ist.
    • Klausel A15. Halbleiterbauteil nach Klausel A14, wobei der erste Anschluss einen dritten verlängerten Teil aufweist, der erste verlängerte Teil sich von dem ersten Hauptteil in einer zweiten Richtung der ersten Richtung erstreckt, und der dritte Verbindungsteil sich von dem ersten Hauptteil in der ersten Richtung der ersten Richtung erstreckt.
    • Klausel A16. Halbleiterbauteil nach Klausel A15, wobei der zweite Anschluss einen vierten verlängerten Teil aufweist, der zweite verlängerte Teil sich von dem zweiten Hauptteil in der zweiten Richtung der ersten Richtung erstreckt, und der vierte verlängerte Teil sich von dem zweiten Hauptteil in der zweiten Richtung der zweiten Richtung erstreckt.
    • Klausel A17. Halbleiterbauteil nach einem der Klauseln A14 bis A16, wobei die Vielzahl von Anschlüssen einen dritten Anschluss und einen vierten Anschluss umfasst, der erste Anschluss einen ersten Kontaktierungsteil aufweist, der mit dem ersten Hauptteil von einer Seite in der ersten Richtung der zweiten Richtung verbunden ist und sich in der zweiten Richtung der Dickenrichtung erstreckt, der zweite Anschluss einen zweiten Kontaktierungsteil aufweist, der mit dem zweiten Hauptteil von einer Seite in der zweiten Richtung der zweiten Richtung verbunden ist und sich in der zweiten Richtung der Dickenrichtung erstreckt, der erste Kontaktierungsteil und der dritte Anschluss durch einen vierten leitenden Bondingteil miteinander gebondet sind, und der zweite Kontaktierungsteil und der vierte Anschluss durch einen fünften leitenden Bondingteil miteinander gebondet sind.
    • Klausel A18. Halbleiterbauteil nach einem der Klauseln A14 bis A17, das ferner ein leitendes Element aufweist, wobei die Vielzahl von Anschlüssen einen fünften Anschluss umfasst, und das leitende Element mit der dritten Elektrode und dem fünften Anschluss gebondet ist.
    • Klausel A19. Halbleiterbauteil nach Klausel A18, wobei die dritte Elektrode in der zweiten Richtung der zweiten Richtung gegenüber einer äußersten der Vielzahl von ersten Elektroden in der ersten Richtung der ersten Richtung angeordnet ist.
    • Klausel B1. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils, wobei das Verfahren aufweist:
      • einen ersten Herstellungsschritt zur Herstellung eines ersten Leiterrahmens, der einen Inselteil enthält;
      • einen zweiten Herstellungsschritt zum Herstellen eines Halbleiterelements, das eine Elementvorderseite und eine Elementrückseite aufweist, die in einer ersten Richtung und einer zweiten Richtung einer Dickenrichtung gegenüberliegen, wobei die Elementvorderseite mit einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode versehen ist;
      • einen Montageschritt zum Montieren des Halbleiterelements auf dem Inselteil mit einer ersten leitenden Paste, die zwischen der Elementrückseite und dem Inselteil angeordnet ist;
      • einen dritten Herstellungsschritt des Herstellens eines zweiten Leiterrahmens, der einen ersten Teil, einen zweiten Teil, einen Rahmenteil, einen ersten Verbindungsteil, der den ersten Teil und den Rahmenteil verbindet, und einen zweiten Verbindungsteil, der den zweiten Teil und den Rahmenteil verbindet, umfasst;
      • einen Platzierungsschritt des Platzierens des zweiten Leiterrahmens mit einer zweiten leitenden Paste, die zwischen dem ersten Teil und der ersten Elektrode angeordnet ist, und mit einer dritten leitenden Paste, die zwischen dem zweiten Teil und der zweiten Elektrode angeordnet ist; und
      • einen Aushärtungsschritt zum Aushärten der ersten leitenden Paste, der zweiten leitenden Paste und der dritten leitenden Paste, wobei
      • der erste Teil einen ersten Hauptteil und einen ersten sich vom ersten Hauptteil erstreckenden Zinken aufweist,
      • der zweite Teil einen zweiten Hauptteil und einen zweiten Zinken aufweist, der sich vom zweiten Hauptteil in Richtung des ersten Hauptteils erstreckt, gesehen in der Dickenrichtung,
      • der dritte Herstellungsschritt ein Verfahren zum Ausbilden einer zurückgesetzten Kante in einer Kante des ersten Hauptteils, die in Dickenrichtung gesehen dem zweiten Hauptteil gegenüberliegt, umfasst, wobei die zurückgesetzte Kante von der Kante in einer Richtung zurückgesetzt ist, in der sich der zweite Zinken erstreckt, in Dickenrichtung gesehen, und wobei
      • in dem Platzierungsschritt die zweite leitende Paste zwischen dem ersten Zinken und der ersten Elektrode angeordnet ist, und die dritte leitende Paste zwischen dem zweiten Zinken und der zweiten Elektrode angeordnet ist.
    • Klausel B2. Verfahren nach Klausel B1, wobei sich der erste Zinken in Dickenrichtung gesehen vom ersten Hauptteil zum zweiten Hauptteil erstreckt, und der dritte Herstellungsschritt das Ausbilden einer zweiten zurückgesetzten Kante in einer zweiten Kante des zweiten Hauptteils gegenüber dem ersten Hauptteil einschließt, wobei die zweite zurückgesetzte Kante in einer Richtung zurückgesetzt ist, in der sich der erste Zinken, in Dickenrichtung gesehen, erstreckt.
    • Klausel B3. Verfahren nach Klausel B2, wobei der dritte Herstellungsschritt einen ersten Prozess des Stanzens des zweiten Leiterrahmens aus einem Metallblech und einen zweiten Prozess des Biegens eines Abschnitts des zweiten Leiterrahmens nach dem ersten Prozess umfasst.
    • Klausel B4. Verfahren nach Klausel B3, wobei die erste zurückgesetzte Kante und die zweite zurückgesetzte Kante in dem ersten Prozess gebildet werden.
    • Klausel B5. Verfahren nach Klausel B3 oder B4, wobei der erste Zinken und der zweite Zinken im zweiten Prozess gebogen werden.
    • Klausel B6. Verfahren nach einem der Klauseln B1 bis B5, wobei die erste Elektrode und die zweite Elektrode in einer ersten Richtung senkrecht zur Dickenrichtung angeordnet sind, der erste Hauptteil und der zweite Hauptteil in Bezug auf das Halbleiterelement in einer zweiten Richtung senkrecht zur Dickenrichtung und zur ersten Richtung einander gegenüberliegend angeordnet sind, der erste Zinken sich in der zweiten Richtung vom ersten Hauptteil aus gesehen in der Dickenrichtung erstreckt, und Der zweite Zinken erstreckt sich in der zweiten Richtung von dem zweiten Hauptteil aus gesehen in der Dickenrichtung.
    • Klausel B7. Verfahren nach Klausel B6, wobei der erste Leiterrahmen einen dritten Teil und einen vierten Teil umfasst, der erste Teil einen ersten Kontaktierungsteil aufweist, der mit dem ersten Hauptteil auf einer dem ersten Zinken gegenüberliegenden Seite in der zweiten Richtung verbunden ist und sich in der zweiten Richtung der Dickenrichtung erstreckt, der zweite Teil einen zweiten Kontaktierungsteil aufweist, der mit dem zweiten Hauptteil auf einer gegenüberliegenden Seite in der zweiten Richtung von dem zweiten Zinken verbunden ist und sich in der zweiten Richtung der Dickenrichtung erstreckt, und in dem Platzierungsschritt der zweite Leiterrahmen mit einer vierten leitenden Paste platziert wird, die zwischen dem ersten Kontaktierungsteil und dem dritten Teil angeordnet ist, und mit einer fünften leitenden Paste, die zwischen dem zweiten Kontaktierungsteil und dem vierten Teil angeordnet ist.
    • Klausel B8. Verfahren nach einem der Klauseln B1 bis B7, wobei das Halbleiterelement eine dritte Elektrode aufweist, die auf der Elementvorderseite angeordnet ist, und das Verfahren ferner einen Bondingschritt aufweist, bei dem nach dem Aushärtungsschritt ein leitendes Element mit der dritten Elektrode und dem ersten Leiterrahmen gebondet wird.
    • Klausel B9. Das Verfahren nach einem der Klauseln B1 bis B8, das ferner aufweist:
      • einen Schritt zur Bildung eines Dichtungsharzes, um nach dem Aushärtungsschritt ein Dichtungsharz zu bilden, das das Halbleiterelement, den ersten Teil, den zweiten Teil, einen Abschnitt des ersten Verbindungsteils und einen Abschnitt des zweiten Verbindungsteils bedeckt; und
      • einen Schneideschritt zum Schneiden des ersten Verbindungsteils und des zweiten Verbindungsteils.
    • Klausel B10. Halbleiterbauteil, das Folgendes aufweist:
      • eine Vielzahl von Anschlüssen;
      • ein Halbleiterelement; und ein Dichtungsharz, das jeweils einen Abschnitt der Vielzahl von Anschlüssen und das Halbleiterelement abdeckt, wobei
      • die Vielzahl von Anschlüssen einen Inselanschluss, einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss umfasst, die voneinander beabstandet sind, das Halbleiterelement eine Elementvorderseite und eine Elementrückseite aufweist, die in eine ersten Richtung und in eine zweiten Richtung einer Dickenrichtung weisen, wobei die Elementvorderseite mit einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode ausgestattet ist;
      • die Elementrückseite mit dem Inselanschluss gebondet ist,
      • der erste Anschluss einen ersten Hauptteil und einen ersten Zinken aufweist, der sich von dem ersten Hauptteil aus erstreckt und mit der ersten Elektrode gebondet ist, der zweite Anschluss einen zweiten Hauptteil und einen zweiten Zinken aufweist, der sich von dem zweiten Hauptteil in Richtung des ersten Hauptteils, gesehen in Dickenrichtung, erstreckt und an die erste Elektrode gebondet ist, und der erste Hauptteil eine erste Kante gegenüber dem zweiten Hauptteil und eine erste zurückgesetzte Kante aufweist, die von der ersten Kante in einer Richtung zurückgesetzt ist, in der sich der zweite Zinken, in Dickenrichtung gesehen, erstreckt.
    • Klausel B11. Halbleiterbauteil nach Klausel B10, wobei der zweite Hauptteil eine zweite Kante gegenüber dem ersten Hauptteil und eine zweite zurückgesetzte Kante enthält, die von der zweiten Kante in einer Richtung zurückgesetzt ist, in der sich der erste Zinken, in Dickenrichtung gesehen, erstreckt.
    • Klausel B12. Halbleiterbauteil nach Klausel B10 oder B11, wobei die erste Elektrode und die zweite Elektrode in einer ersten Richtung senkrecht zur Dickenrichtung angeordnet sind, der erste Hauptteil und der zweite Hauptteil einander gegenüberliegend relativ zu dem Halbleiterelement in einer zweiten Richtung senkrecht zur Dickenrichtung und der ersten Richtung angeordnet sind, der erste Zinken sich in der zweiten Richtung vom ersten Hauptteil aus gesehen in der Dickenrichtung erstreckt, und der zweite Zinken sich in der zweiten Richtung von dem zweiten Hauptteil aus erstreckt, gesehen in der Dickenrichtung.
    • Klausel B13. Halbleiterbauteil nach Klausel B12, wobei die Vielzahl von Anschlüssen einen dritten Anschluss und einen vierten Anschluss umfasst, der erste Anschluss einen ersten Kontaktierungsteil enthält, der mit dem ersten Hauptteil auf einer dem ersten Zinken gegenüberliegenden Seite in der zweiten Richtung verbunden ist und sich in der zweiten Richtung der Dickenrichtung erstreckt, der zweite Anschluss einen zweiten Kontaktierungsteil aufweist, der mit dem zweiten Hauptteil auf einer dem zweiten Zinken gegenüberliegenden Seite in der zweiten Dickenrichtung verbunden ist und sich in der zweiten Richtung der Dickenrichtung erstreckt, der erste Kontaktierungsteil mit dem dritten Anschluss gebondet ist, und der zweite Kontaktierungsteil mit dem vierten Anschluss gebondet ist.
    • Klausel B14. Halbleiterbauteil nach einem der Klauseln B10 bis B13, das ferner ein leitendes Element aufweist, wobei die Vielzahl von Anschlüssen einen fünften Anschluss enthält, das Halbleiterelement eine dritte Elektrode enthält, die auf der Elementvorderseite des Elements angeordnet ist, und das leitende Element mit der dritten Elektrode und dem fünften Anschluss gebondet ist.
  • Bezugszeichenliste
    • A1, A11, A2, B1
    Halbleiterbauteil
    1
    Erster Anschluss
    2
    Zweiter Anschluss
    3
    Dritter Anschluss
    4
    Vierter Anschluss
    5
    Fünfter Anschluss
    6
    Inselanschluss
    7
    Halbleiterelement
    8
    Dichtungsharz
    10
    Erster Teil
    11
    Erster Hauptteil
    12
    Erster Zinken
    13
    Erster verlängerter Teil
    14
    Dritter verlängerter Teil
    15
    Erster Kontaktierungsteil
    16
    Erster Vorsprung
    17
    Erste Aussparung
    20
    Zweiter Teil
    21
    Zweiter Hauptteil
    22
    Zweiter Zinken
    23
    Zweiter verlängerter Teil
    24
    Vierter verlängerter Teil
    25
    Zweiter Kontaktierungsteil
    26
    Zweiter Vorsprung
    27
    Zweite Aussparung
    29
    Verbindungsteil
    30
    Dritter Teil4
    31, 41, 51, 61
    Dicker Teil
    32, 42, 52, 62
    Dünner Teil
    33, 43, 53, 63
    verlängerter Teil
    40
    Vierter Teil
    49
    Verbindender Teil
    50
    Fünfter Teil
    60
    Inselteil
    70
    Elementkörper
    71
    Erste Elektrode
    72
    Zweite Elektrode
    73
    Dritte Elektrode
    91
    Erster leitender Bondingteil
    92
    Zweiter leitender Bondingteil
    93
    Dritter leitender Bondingteil
    94
    Vierter leitender Bondingteil
    95
    Fünfter leitender Bondingteil
    99
    Draht
    111, 211
    Durchgangslöcher
    112
    Erste Kante
    113
    Erste zurückgesetzte Kante
    121, 221
    Kopf
    122, 222
    Fuß
    130
    Erster Verbindungsteil
    131
    Erste Endfläche
    140
    Dritter Verbindungsteil
    141
    Dritte Endfläche
    212
    Zweite Kante
    213
    Zweite zurückgesetzte Kante
    230
    Zweiter Verbindungsteil
    231
    Zweite Endfläche
    240
    Vierter Verbindungsteil
    241
    Vierte Endfläche
    301, 401, 501, 601
    Vorderseite
    302, 402, 502, 602
    Rückseite
    321, 421
    Aussparung
    330, 430, 530, 630
    Verbindungsteil
    331, 431, 531, 631
    Endfläche
    701
    Elementvorderseite
    702
    Elementrückseite
    910
    Erste leitende Paste
    920
    Zweite leitende Paste
    930
    Dritte leitende Paste
    940
    Vierte leitende Paste
    950
    Fünfte leitende Paste
    LF1
    Erster Leiterrahmen
    LF2
    Zweiter Leiterrahmen
    f1, f2
    Rahmenteil

Claims (21)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils, wobei das Verfahren aufweist: einen ersten Herstellungsschritt zur Herstellung eines ersten Leiterrahmens, der einen Inselteil enthält; einen zweiten Herstellungsschritt zum Herstellen eines Halbleiterelements, das eine Elementvorderseite und eine Elementrückseite aufweist, die in einer ersten Richtung und einer zweiten Richtung einer Dickenrichtung gegenüberliegen, wobei die Elementvorderseite mit mindestens einer ersten Elektrode und mindestens einer zweiten Elektrode versehen ist; einen Montageschritt zum Montieren des Halbleiterelements auf dem Inselteil mit einer ersten leitenden Paste, die zwischen der Elementrückseite und dem Inselteil angeordnet ist; einen dritten Herstellungsschritt des Herstellens eines zweiten Leiterrahmens, der einen ersten Teil, einen zweiten Teil, einen Rahmenteil, einen ersten Verbindungsteil, der den ersten Teil und den Rahmenteil verbindet, und einen zweiten Verbindungsteil, der den zweiten Teil und den Rahmenteil verbindet, umfasst; einen Platzierungsschritt des Platzierens des zweiten Leiterrahmens mit einer zweiten leitenden Paste, die zwischen dem ersten Teil und der mindestens einen ersten Elektrode angeordnet ist, und mit einer dritten leitenden Paste, die zwischen dem zweiten Teil und der mindestens einen zweiten Elektrode angeordnet ist; und einen Aushärtungsschritt zum Aushärten der ersten leitenden Paste, der zweiten leitenden Paste und der dritten leitenden Paste.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, ferner aufweisend: einen Schritt zur Dichtungsharzbildung, um nach dem Aushärtungsschritt ein Dichtungsharz zu bilden, das das Halbleiterelement, den ersten Teil, den zweiten Teil, einen Abschnitt des ersten Verbindungsteils und einen Abschnitt des zweiten Verbindungsteils abdeckt; und einen Schneideschritt zum Schneiden des ersten Verbindungsteils und des zweiten Verbindungsteils.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die mindestens eine erste Elektrode eine Vielzahl von ersten Elektroden aufweist, die mindestens eine zweite Elektrode eine Vielzahl von zweiten Elektroden aufweist, die Vielzahl der ersten Elektroden und die Vielzahl der zweiten Elektroden abwechselnd in einer ersten Richtung senkrecht zur Dickenrichtung angeordnet sind, der erste Teil einen ersten Hauptteil und eine Vielzahl von ersten Zinken aufweist, die mit dem ersten Hauptteil verbunden sind, der zweite Teil einen zweiten Hauptteil und eine Vielzahl von zweiten Zinken aufweist, die mit dem zweiten Hauptteil verbunden sind, und in dem Platzierungsschritt die zweite leitende Paste zwischen der Vielzahl der ersten Zinken und der Vielzahl der ersten Elektroden angeordnet ist und die dritte leitende Paste zwischen der Vielzahl der zweiten Zinken und der Vielzahl der zweiten Elektroden angeordnet ist.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei der erste Hauptteil in einer ersten Richtung einer zweiten Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung und der ersten Richtung versetzt ist und der zweite Hauptteil in einer zweiten Richtung der zweiten Richtung von dem ersten Hauptteil versetzt ist.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei das Halbleiterelement eine dritte Elektrode aufweist, die auf der Elementvorderseite angeordnet ist, und die dritte Elektrode von der Vielzahl der ersten Elektroden in der zweiten Richtung der zweiten Richtung und von der Vielzahl der zweiten Elektroden in einer ersten Richtung der ersten Richtung versetzt ist.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei der zweite Leiterrahmen einen drittes Verbindungsteil aufweist, der den ersten Teil und den Rahmenteil verbindet, der erste Verbindungsteil sich von dem ersten Teil in einer zweiten Richtung der ersten Richtung erstreckt, und der dritte Verbindungsteil sich von dem ersten Teil in der ersten Richtung erstreckt.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei der zweite Leiterrahmen einen vierten Verbindungsteil aufweist, der den zweiten Teil und den Rahmenteil verbindet, der zweite Verbindungsteil sich von dem zweiten Teil in der zweiten Richtung der ersten Richtung erstreckt, und der vierte Verbindungsteil sich von dem zweiten Teil in der zweiten Richtung der zweiten Richtung erstreckt.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei der erste Leiterrahmen einen dritten Teil und einen vierten Teil aufweist, der erste Teil einen ersten Kontaktierungsteil aufweist, der mit dem ersten Hauptteil von einer Seite in der ersten Richtung der zweiten Richtung verbunden ist und sich in der zweiten Richtung der Dickenrichtung erstreckt, der zweite Teil einen zweiten Kontaktierungsteil aufweist, der mit dem zweiten Hauptteil von einer Seite in der zweiten Richtung der zweiten Richtung verbunden ist und sich in der zweiten Richtung der Dickenrichtung erstreckt, und in dem Platzierungsschritt der zweite Leiterrahmen mit einer vierten leitenden Paste platziert wird, die zwischen dem ersten Kontaktierungsteil und dem dritten Teil angeordnet ist, und mit einer fünften leitenden Paste, die zwischen dem zweiten Kontaktierungsteil und dem vierten Teil angeordnet ist.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, ferner aufweisend das Bonden eines leitenden Elements mit der dritten Elektrode und dem ersten Leiterrahmen nach dem Aushärtungsschritt.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die dritte Elektrode in der zweiten Richtung der zweiten Richtung gegenüber einer äußersten der Vielzahl von ersten Elektroden in der ersten Richtung der ersten Richtung angeordnet ist.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 10, wobei sich die Vielzahl der zweiten Zinken in Dickenrichtung gesehen vom zweiten Hauptteil zum ersten Hauptteil erstreckt, der dritte Herstellungsschritt ein Verfahren zum Ausbilden einer zurückgesetzten Kante in einer Kante des ersten Hauptteils, die in Dickenrichtung gesehen dem zweiten Hauptteil gegenüberliegt, umfasst, und die zurückgesetzte Kante von der Kante in einer Richtung zurückgesetzt ist, in der sich die Vielzahl der zweiten Zinken in Dickenrichtung gesehen erstreckt.
  12. Halbleiterbauteil, das folgendes aufweist: eine Vielzahl von Anschlüssen; ein Halbleiterelement; und ein Dichtungsharz, das jeweils einen Teil der Vielzahl von Anschlüssen und des Halbleiterelements bedeckt, wobei die Vielzahl von Anschlüssen einen Inselanschluss, einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss umfasst, die voneinander beabstandet sind, das Halbleiterelement eine Elementvorderseite und eine Elementrückseite aufweist, die in einer ersten Richtung bzw. einer zweiten Richtung einer Dickenrichtung weisen, wobei die Elementvorderseite mit mindestens einer ersten Elektrode und mindestens einer zweiten Elektrode ausgestattet ist, die Elementrückseite und der Inselanschluss sind durch einen ersten leitenden Bondingteil miteinander gebondet, der erste Anschluss einen ersten Hauptteil, mindestens einen ersten Zinken und einen ersten verlängerten Teil aufweist, der zweite Anschluss einen zweiten Hauptteil, mindestens einen zweiten Zinken und einen zweiten verlängerten Teil umfasst, der mindestens eine erste Zinken und die mindestens eine erste Elektrode durch einen zweiten leitenden Bondingteil miteinander gebondet sind, der mindestens eine zweite Zinken und die mindestens eine zweite Elektrode durch einen dritten leitenden Bondingteil miteinander verbunden sind, der erste verlängerte Teil eine erste Endfläche aufweist, die von dem Dichtungsharz freigelegt ist, und der zweite verlängerte Teil eine zweite Endfläche aufweist, die von dem Dichtungsharz freigelegt ist.
  13. Halbleiterbauteil nach Anspruch 12, wobei die mindestens eine erste Elektrode eine Vielzahl von ersten Elektroden aufweist, die mindestens eine zweite Elektrode eine Vielzahl von zweiten Elektroden aufweist, die Vielzahl der ersten Elektroden und die Vielzahl der zweiten Elektroden abwechselnd in einer ersten Richtung senkrecht zur Dickenrichtung angeordnet sind, der mindestens eine erste Zinken eine Vielzahl von ersten Zinken aufweist, und der mindestens eine zweite Zinken eine Vielzahl von zweiten Zinken aufweist.
  14. Halbleiterbauteil nach Anspruch 13, wobei der erste Hauptteil in einer ersten Richtung einer zweiten Richtung senkrecht zur Dickenrichtung und zur ersten Richtung versetzt ist, und der zweite Hauptteil in einer zweiten Richtung der zweiten Richtung vom ersten Hauptteil versetzt ist.
  15. Halbleiterbauteil nach Anspruch 14, wobei das Halbleiterelement eine dritte Elektrode aufweist, die auf der Elementvorderseite angeordnet ist, und die dritte Elektrode von der Vielzahl der ersten Elektroden in der zweiten Richtung der zweiten Richtung und von der Vielzahl der zweiten Elektroden in einer ersten Richtung der ersten Richtung versetzt ist.
  16. Halbleiterbauteil nach Anspruch 15, wobei der erste Anschluss einen dritten verlängerten Teil aufweist, der erste verlängerte Teil sich von dem ersten Hauptteil in einer zweiten Richtung der ersten Richtung erstreckt, und der dritte Verbindungsteil sich von dem ersten Hauptteil in der ersten Richtung der ersten Richtung erstreckt.
  17. Halbleiterbauteil nach Anspruch 16, wobei der zweite Anschluss einen vierten verlängerten Teil aufweist, der zweite verlängerte Teil sich von dem zweiten Hauptteil in der zweiten Richtung der ersten Richtung erstreckt, und der vierte verlängerte Teil sich von dem zweiten Hauptteil in der zweiten Richtung der zweiten Richtung erstreckt.
  18. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 15 bis 17, wobei die Vielzahl von Anschlüssen einen dritten Anschluss und einen vierten Anschluss umfasst, der erste Anschluss einen ersten Kontaktierungsteil aufweist, der mit dem ersten Hauptteil von einer Seite in der ersten Richtung der zweiten Richtung verbunden ist und sich in der zweiten Richtung der Dickenrichtung erstreckt, der zweite Anschluss einen zweiten Kontaktierungsteil aufweist, der mit dem zweiten Hauptteil von einer Seite in der zweiten Richtung der zweiten Richtung verbunden ist und sich in der zweiten Richtung der Dickenrichtung erstreckt, der erste Kontaktierungsteil und der dritte Anschluss durch einen vierten leitenden Bondingteil miteinander gebondet sind, und der zweite Kontaktierungsteil und der vierte Anschluss durch einen fünften leitenden Bondingteil miteinander gebondet sind.
  19. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 15 bis 18, das ferner ein leitendes Element aufweist, wobei die Vielzahl von Anschlüssen einen fünften Anschluss umfasst, und das leitende Element mit der dritten Elektrode und dem fünften Anschluss gebondet ist.
  20. Halbleiterbauteil nach Anspruch 19, wobei die dritte Elektrode in der zweiten Richtung der zweiten Richtung gegenüber einer äußersten der Vielzahl von ersten Elektroden in der ersten Richtung der ersten Richtung angeordnet ist.
  21. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 12 bis 20, wobei sich der mindestens eine zweite Zinken von dem zweiten Hauptteil in Richtung des ersten Hauptteils in Dickenrichtung gesehen erstreckt, und der erste Hauptteil eine Kante aufweist, die dem zweiten Hauptteil in Dickenrichtung gesehen gegenüberliegt, und eine zurückgesetzte Kante, die von der Kante in einer Richtung zurückgesetzt ist, in der sich der mindestens eine zweite Zinken erstreckt.
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