DE112021005034T5

DE112021005034T5 - Chip-Widerstand

Info

Publication number: DE112021005034T5
Application number: DE112021005034.6T
Authority: DE
Inventors: Takuya Maekawa
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2020-11-02
Filing date: 2021-09-22
Publication date: 2023-07-06
Also published as: WO2022091644A1; US20230368949A1; CN116569286A; JPWO2022091644A1

Abstract

Ein Chip-Widerstand (1) umfasst ein Substrat (10), eine erste Elektrode (30), eine zweite Elektrode (40), einen ersten Widerstandskörper (16), einen zweiten Widerstandskörper (17) und eine Verbindungselektrode (20). Das Substrat (10) umfasst eine erste Hauptoberfläche (11). Die erste Elektrode (30) umfasst eine erste Terminalelektrode (31) und eine erste Hilfselektrode (32). Die zweite Elektrode (40) umfasst eine zweite Terminalelektrode (41) und eine zweite Hilfselektrode (42). Die erste Hilfselektrode (32) hat eine größere Fläche als die erste Terminalelektrode (31) und die zweite Hilfselektrode (42) hat eine größere Fläche als die zweite Terminalelektrode (41), in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche (11) des Substrats (10).

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf einen Chip-Widerstand.
STAND DER TECHNIK
Das japanische Patent mit der Veröffentlichungsnr. 2004-200424 (PTL 1) offenbart einen Chip-Widerstand („chip resistor“), der eine erste Elektrode, einen ersten Widerstandskörper („resistor body“), einen Leiterfilm („conductor film“), einen zweiten Widerstandskörper und eine zweite Elektrode umfasst. Die erste Elektrode ist mit dem ersten Widerstandskörper verbunden. Die zweite Elektrode ist mit dem zweiten Widerstandskörper verbunden. Der Leiterfilm verbindet den ersten Widerstandskörper und den zweiten Widerstandskörper elektrisch in Reihe.
ZITIERLISTE
PATENTLITERATUR
PTL 1: Japanisches Patent mit der Veröffentlichungsnr. 2004-200424
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
TECHNISCHES PROBLEM
Wenn der in PTL 1 beschriebene Chip-Widerstand in Gebrauch ist, steigt die Temperatur des Chip-Widerstands übermäßig an, was zu einer Verschlechterung des Chip-Widerstands führt. Die vorliegende Offenbarung wurde in Anbetracht des obigen Problems gemacht, und ein Ziel der vorliegenden Offenbarung ist es, einen Chip-Widerstand mit verbesserter Wärmeabgabe („heat dissipation“) bereitzustellen.
LÖSUNG DES PROBLEMS
Ein Chip-Widerstand gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Offenbarung umfasst ein Substrat, eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode, einen ersten Widerstandskörper, einen zweiten Widerstandskörper und eine Verbindungselektrode („connection electrode“). Das Substrat umfasst eine Hauptoberfläche, eine erste Endoberfläche, die mit der Hauptoberfläche verbunden ist, und eine zweite Endoberfläche, die mit der Hauptoberfläche verbunden ist. Die erste Elektrode ist auf einer bzw. der Seite der ersten Endoberfläche bzw. einer ersten Endoberflächenseite („first end surface side“) des Substrats angeordnet. Die zweite Elektrode ist auf einer bzw. der Seite der zweiten Endoberfläche bzw. einer zweiten Endoberflächenseite des Substrats angeordnet. Der erste Widerstandskörper ist auf der Hauptoberfläche angeordnet. Der zweite Widerstandskörper ist auf der Hauptoberfläche und beabstandet von dem ersten Widerstandskörper in einer Längsrichtung des Substrats angeordnet, in der die erste Endoberfläche und die zweite Endoberfläche voneinander beabstandet sind. Die Verbindungselektrode ist auf der Hauptoberfläche angeordnet und verbindet den ersten Widerstandskörper und den zweiten Widerstandskörper elektrisch in Reihe. Die erste Elektrode umfasst eine erste Terminalelektrode („terminal electrode“) und eine erste Hilfselektrode. Die erste Terminalelektrode ist auf der Hauptoberfläche angeordnet und mit dem ersten Widerstandskörper verbunden. Die erste Hilfselektrode ist mit der ersten Terminalelektrode verbunden. Die zweite Elektrode umfasst eine zweite Terminalelektrode und eine zweite Hilfselektrode. Die zweite Terminalelektrode ist auf der Hauptoberfläche angeordnet und mit dem zweiten Widerstandskörper verbunden. Die zweite Hilfselektrode ist mit der zweiten Terminalelektrode verbunden. Die erste Hilfselektrode hat eine größere Fläche als die erste Terminalelektrode und die zweite Hilfselektrode hat eine größere Fläche als die zweite Terminalelektrode, in Draufsicht auf die Hauptoberfläche.
Der Chip-Widerstand gemäß dem zweiten Aspekt der vorliegenden Offenbarung umfasst ein Substrat, eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode, einen ersten Widerstandskörper, einen zweiten Widerstandskörper und eine Verbindungselektrode. Das Substrat umfasst eine Hauptberfläche, eine erste Endoberfläche, die mit der Hauptoberfläche verbunden ist, und eine zweite Endoberfläche, die mit der Hauptberfläche verbunden ist. Die erste Elektrode ist auf einer Seite der ersten Endoberfläche bzw. einer ersten Endoberflächenseite des Substrats angeordnet. Die zweite Elektrode ist auf einer Seite der zweiten Endoberfläche bzw. einer zweiten Endoberflächenseite des Substrats angeordnet. Der erste Widerstandskörper ist auf der Hauptberfläche angeordnet. Der zweite Widerstandskörper ist auf der Hauptberfläche und beabstandet von dem ersten Widerstandskörper in einer Längsrichtung des Substrats angeordnet, in der die erste Endoberfläche und die zweite Endoberfläche voneinander beabstandet sind. Die Verbindungselektrode ist auf der Hauptberfläche angeordnet und verbindet den ersten Widerstandskörper und den zweiten Widerstandskörper elektrisch in Reihe. Die erste Elektrode umfasst eine erste Terminalelektrode. Die erste Terminalelektrode ist auf der Hauptberfläche angeordnet und mit dem ersten Widerstandskörper verbunden. Die zweite Elektrode umfasst eine zweite Terminalelektrode. Die zweite Terminalelektrode ist auf der Hauptoberfläche angeordnet und mit dem zweiten Widerstandskörper verbunden. Der erste Spalt („gap“) zwischen dem ersten Widerstandskörper und der ersten Endoberfläche in der Längsrichtung des Substrats in Draufsicht der Hauptberfläche ist kleiner oder gleich 0,3 mm, wenn eine Abmessung des Substrats in der Längsrichtung des Substrats größer oder gleich 1,6 mm ist, und kleiner oder gleich 0,15 mm, wenn die Abmessung des Substrats in der Längsrichtung des Substrats größer oder gleich 0,6 mm und kleiner als 1,6 mm ist. Der zweite Spalt zwischen dem zweiten Widerstandskörper und der zweiten Endoberfläche in der Längsrichtung des Substrats in der Draufsicht der Hauptberfläche ist kleiner oder gleich 0,3 mm, wenn die Abmessung des Substrats in der Längsrichtung des Substrats größer oder gleich 1,6 mm ist, und kleiner oder gleich 0,15 mm, wenn die Abmessung des Substrats in der Längsrichtung des Substrats größer oder gleich 0,6 mm und kleiner als 1,6 mm ist.
VORTEILHAFTE EFFEKTE DER ERFINDUNG
Die Chip-Widerstände gemäß dem ersten Aspekt und dem zweiten Aspekt der vorliegenden Offenbarung haben eine verbesserte Wärmeableitung.
Figurenliste

1 ist eine schematische Draufsicht auf einen Chip-Widerstand gemäß einer Ausführungsform.
2 ist eine schematische Querschnittsansicht des Chip-Widerstandes gemäß der Ausführungsform, aufgenommen entlang einer Schnittlinie II-II von 1.
3 ist eine schematische Querschnittsansicht, die einen Schritt eines Verfahrens zur Herstellung des Chip-Widerstandes gemäß der Ausführungsform zeigt.
4 ist eine schematische Querschnittsansicht, die einen Schritt des Verfahrens zur Herstellung des Chip-Widerstandes gemäß der Ausführungsform zeigt.
5 ist eine schematische Querschnittsansicht, die einen Schritt im Anschluss an die Schritte der 3 und 4 zeigt, der in dem Verfahren zur Herstellung des Chip-Widerstands gemäß der Ausführungsform umfasst ist.
6 ist eine schematische Querschnittsansicht, die einen Schritt zeigt, der auf den Schritt von 5 folgt und zu dem Verfahren zur Herstellung des Chip-Widerstandes gemäß der Ausführungsform gehört.
7 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Schritts, der auf den Schritt von 6 folgt und zu dem Verfahren zur Herstellung des Chip-Widerstands gemäß der Ausführungsform gehört.
8 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Schritts, der auf den Schritt von 7 folgt und zu dem Verfahren zur Herstellung des Chip-Widerstands gemäß der Ausführungsform gehört.
9 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Schritts, der auf den Schritt von 8 folgt und zu dem Verfahren zur Herstellung des Chip-Widerstands gemäß der Ausführungsform gehört.
10 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Schritts, der auf den Schritt von 9 folgt und zu dem Verfahren zur Herstellung des Chip-Widerstands gemäß der Ausführungsform gehört.
11 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Schritts, der auf den Schritt von 10 folgt und zu dem Verfahren zur Herstellung des Chip-Widerstands gemäß der Ausführungsform gehört.
12 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Schritts, der auf den Schritt von 11 folgt und zu dem Verfahren zur Herstellung des Chip-Widerstands gemäß der Ausführungsform gehört.
13 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Schritts, der auf den Schritt von 12 folgt und zu dem Verfahren zur Herstellung des Chip-Widerstands gemäß der Ausführungsform gehört.
14 ist eine schematische Querschnittsansicht des Chip-Widerstandes gemäß Variante 1 der Ausführungsform.
15 ist ein schematischer Querschnitt durch den Chip-Widerstand gemäß Variante 2 der Ausführungsform.
ist eine schematische Schnittdarstellung des Chip-Widerstandes gemäß Variante 3 der Ausführungsform.

BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
Nachfolgend wird eine Ausführungsform beschrieben. Dabei ist zu beachten, dass sich gleiche Bezugsziffern auf gleiche Konfigurationen beziehen und deren Beschreibung nicht wiederholt wird.
(Ausführungsform)
Unter Bezugnahme auf die 1 und 2 wird nun ein Chip-Widerstand 1 gemäß der Ausführungsform beschrieben. Der Chip-Widerstand 1 umfasst im Wesentlichen ein Substrat 10, einen ersten Widerstandskörper 16, einen zweiten Widerstandskörper 17, eine Verbindungselektrode 20, eine erste Elektrode 30 und eine zweite Elektrode 40. Der Chip-Widerstand 1 kann außerdem einen isolierenden Schutzfilm 24 aufweisen. Der Chip-Widerstand 1 kann ferner eine erste spannungsabbauende Schicht („relief layer“) 28 und eine zweite spannungsabbauende Schicht 29 aufweisen. Zur Veranschaulichung sind ein Teil der ersten Elektrode 30, ein Teil der zweiten Elektrode 40, der isolierende Schutzfilm 24, die erste spannungsabbauende Schicht 28 und die zweite spannungsabbauende Schicht 29 in 1 nicht dargestellt.
Das Substrat 10 ist ein elektrischer Isolator, der aus einem elektrisch isolierenden Material wie Aluminiumoxid (Al₂O₃) gebildet ist. Das Substrat 10 umfasst eine erste Hauptoberfläche 11, eine zweite Hauptoberfläche 12 gegenüber der ersten Hauptoberfläche 11, eine erste Endoberfläche 13 und eine zweite Endoberfläche 14 gegenüber der ersten Endoberfläche 13. Die erste Hauptoberfläche 11 und die zweite Hauptoberfläche 12 erstrecken sich entlang einer ersten Richtung (x-Richtung) und einer zweiten Richtung (y-Richtung), die senkrecht zur ersten Richtung verläuft. Die erste Richtung (x-Richtung) ist die Längsrichtung des Substrats 10. Die zweite Richtung (y-Richtung) ist die Querrichtung des Substrats 10. Die erste Hauptfläche 11 und die zweite Hauptfläche 12 sind in einer dritten Richtung (z-Richtung) voneinander beabstandet, die senkrecht zu der ersten Richtung (x-Richtung) und der zweiten Richtung (y-Richtung) verläuft. Die dritte Richtung (z-Richtung) ist die Richtung der Dicke des Substrats 10. Da der Chip-Widerstand 1 auf einer Leiterplatte (nicht dargestellt) montiert ist, ist die zweite Hauptoberfläche 12 der Leiterplatte zugewandt.
Eine Abmessung L₁ des Substrats 10 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 ist beispielsweise größer als oder gleich 0,6 mm und kleiner als oder gleich 6,4 mm, aber nicht besonders begrenzt. Die Abmessung L₂ des Substrats 10 in Querrichtung (y-Richtung) des Substrats 10 ist beispielsweise größer als oder gleich 0,3 mm und kleiner als oder gleich 3,2 mm. Die Abmessung L₁ des Substrats 10 ist beispielsweise größer als oder gleich dem 1,25-fachen der Abmessung L₂ des Substrats 10 und kleiner als oder gleich dem 2,25-fachen der Abmessung L₂ des Substrats 10. Die Größe des Substrats 10 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 wird durch die Abmessung L₁ × die Abmessung L₂ wiedergegeben, die z. B. 6,4 mm × 3,2 mm, 5,0 mm × 2,5 mm, 3,2 mm × 2,5 mm, 3,2 mm × 1,6 mm, 2,0 mm × 1,2 mm, 1,6 mm × 0,8 mm, 1,0 mm × 0,5 mm oder 0,6 mm × 0,3 mm beträgt.
Die erste Endoberfläche 13 ist mit der ersten Hauptoberfläche 11 und der zweiten Hauptoberfläche 12 verbunden. Die zweite Endoberfläche 14 ist mit der ersten Hauptoberfläche 11 und der zweiten Hauptoberfläche 12 verbunden. Die erste Endoberfläche 13 und die zweite Endoberfläche 14 erstrecken sich in der zweiten Richtung (y-Richtung) und in der dritten Richtung (z-Richtung). Die erste Endoberfläche 13 und die zweite Endoberfläche 14 sind in der ersten Richtung (x-Richtung) voneinander beabstandet.
Der erste Widerstandskörper 16 und der zweite Widerstandskörper 17 haben beispielsweise eine Funktion zur Begrenzung des Stroms oder eine Funktion zur Erfassung des Stroms. Der erste Widerstandskörper 16 und der zweite Widerstandskörper 17 sind auf der ersten Hauptoberfläche 11 des Substrats 10 angeordnet. Der erste Widerstandskörper 16 und der zweite Widerstandskörper 17 werden beispielsweise durch Drucken und Brennen einer Paste gebildet, die ein elektrisches Widerstandsmaterial, wie Rutheniumoxid (RuO₂) oder eine Silber-Palladium-Legierung, gemischt mit Glasfritte, auf der ersten Hauptoberfläche 11 des Substrats 10 umfasst. Der erste Widerstandskörper 16 und der zweite Widerstandskörper 17 haben in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10 jeweils beispielsweise eine rechteckige Form. Der erste Widerstandskörper 16 und der zweite Widerstandskörper 17 sind in der Längsrichtung (z-Richtung) des Substrats 10 angeordnet. Der erste Widerstandskörper 16 und der zweite Widerstandskörper 17 sind durch einen dritten Spalt G₃ in der Längsrichtung (z-Richtung) des Substrats 10 voneinander beabstandet.
Der erste Widerstandskörper 16 ist auf der Seite der ersten Endoberfläche 13 des Substrats 10 angeordnet. Der erste Widerstandskörper 16 befindet sich näher an der ersten Endoberfläche 13 als der zweite Widerstandskörper 17.
Ein erster Spalt G₁ zwischen dem ersten Widerstandskörper 16 und der ersten Endoberfläche 13 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10 ist kleiner als oder gleich 0.3 mm, wenn die Abmessung L₁ des Substrats 10 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 größer oder gleich 1,6 mm ist, und kleiner oder gleich 0,15 mm, wenn die Abmessung L₁ des Substrats 10 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 größer oder gleich 0,6 mm und kleiner als 1,6 mm ist, zum Beispiel. Der erste Spalt G₁ kann kleiner oder gleich 0,2 mm sein, wenn die Abmessung L₁ des Substrats 10 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 größer oder gleich 1,6 mm ist, und kleiner oder gleich 0,10 mm, wenn die Abmessung L₁ des Substrats 10 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 größer oder gleich 0,6 mm und kleiner als 1,6 mm ist. Der erste Spalt G₁ zwischen dem ersten Widerstandskörper 16 und der ersten Endoberfläche 13 ist kleiner als der dritte Spalt G₃ zwischen dem ersten Widerstandskörper 16 und dem zweiten Widerstandskörper 17 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10.
Eine erste Beschnittnut („trimming groove“) 18 wird in den ersten Widerstandskörper 16 eingeformt. Das Ausbilden der ersten Beschnittnut 18 im ersten Widerstandskörper 16 ermöglicht eine genaue Bestimmung des Widerstands des Chip-Widerstands 1 (des ersten Widerstandskörpers 16).
Beispielsweise kann die erste Beschnittnut 18 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10 eine L-Form aufweisen. Insbesondere umfasst die erste Beschnittnut 18 einen Beschnittnutabschnitt 18a und einen Beschnittnutabschnitt 18b in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10. Der Beschnittnutabschnitt 18a erstreckt sich entlang einer Richtung (der Querrichtung des Substrats 10 (y-Richtung)), die senkrecht zur Richtung (der Längsrichtung des Substrats 10 (x-Richtung)) des durch den ersten Widerstandskörper 16 fließenden Stroms verläuft. Der Beschnittnutabschnitt 18a hat ein Ende, das sich zum Außenumfang des ersten Widerstandskörpers 16 erstreckt. Der Beschnittnutabschnitt 18b erstreckt sich entlang einer Richtung (der Längsrichtung des Substrats 10 (x-Richtung)) des durch den ersten Widerstandskörper 16 fließenden Stroms. Der Beschnittnutabschnitt 18b erstreckt sich vom Beschnittnutabschnitt 18a in Richtung der Verbindungselektrode 20 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10. Das andere Ende des Beschnittnutabschnitts 18a ist mit dem Beschnittnutabschnitt 18b verbunden.
Ein kürzester Abstand D₁ zwischen der ersten Endoberfläche 13 und der ersten Beschnittnut 18 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 ist beispielsweise kleiner oder gleich der Summe aus dem ersten Spalt G₁ und einem Drittel der Abmessung S₁ des ersten Widerstandskörpers 16 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10. Der kürzeste Abstand D₁ kann weniger als oder gleich 1,00 mm betragen. In der vorliegenden Ausführungsform ist der kürzeste Abstand D₁ der Abstand zwischen der ersten Endoberfläche 13 und dem Beschnittnutabschnitt 18a in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10. Der Beschnittnutabschnitt 18a der ersten Beschnittnut 18, der den kürzesten Abstand von der ersten Endoberfläche 13 hat, ist näher an der ersten Endoberfläche 13, als die erste Mittellinie 16c des ersten Widerstandskörpers 16 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 ist.
Der zweite Widerstandskörper 17 ist auf der Seite der zweiten Endoberfläche 14 des Substrats 10 angeordnet. Der zweite Widerstandskörper 17 befindet sich näher an der zweiten Endoberfläche 14 als der erste Widerstandskörper 16.
Ein zweiter Spalt G₂ zwischen dem zweiten Widerstandskörper 17 und der zweiten Endoberfläche 14 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10 ist zum Beispiel kleiner oder gleich 0.3 mm, wenn die Abmessung L₁ des Substrats 10 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 größer oder gleich 1,6 mm ist, und kleiner oder gleich 0,15 mm, wenn die Abmessung L₁ des Substrats 10 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 größer oder gleich 0,6 mm und kleiner als 1,6 mm ist. Der zweite Spalt G₂ kann kleiner oder gleich 0,2 mm sein, wenn die Abmessung L₁ des Substrats 10 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 größer oder gleich 1,6 mm ist, und kleiner oder gleich 0,10 mm sein, wenn die Abmessung L₁ des Substrats 10 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 größer oder gleich 0,6 mm und kleiner als 1,6 mm ist. Der zweite Spalt G₂ zwischen dem zweiten Widerstandskörper 17 und der zweiten Endoberfläche 14 ist kleiner als der dritte Spalt G₃ zwischen dem ersten Widerstandskörper 16 und dem zweiten Widerstandskörper 17 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10.
Eine zweite Beschnittnut 19 wird in den zweiten Widerstandskörper 17 eingeformt. Das Ausbilden der zweiten Beschnittnut 19 im zweiten Widerstandskörper 17 ermöglicht eine genaue Bestimmung des Widerstands des Chip-Widerstands 1 (des zweiten Widerstandskörpers 17).
Zum Beispiel kann die zweite Beschnittnut 19 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10 eine L-Form haben. Insbesondere umfasst die zweite Beschnittnut 19 einen Beschnittnutabschnitt 19a und einen Beschnittnutabschnitt 19b in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10. Der Beschnittnutabschnitt 19a erstreckt sich entlang einer Richtung (der Querrichtung des Substrats 10 (y-Richtung)), die senkrecht zur Richtung (der Längsrichtung des Substrats 10 (x-Richtung)) des durch den zweiten Widerstandskörper 17 fließenden Stroms verläuft. Der Beschnittnutabschnitt 19a hat ein Ende, das sich zum Außenumfang des zweiten Widerstandskörpers 17 erstreckt. Der Beschnittnutabschnitt 19b erstreckt sich entlang einer Richtung (der Längsrichtung des Substrats 10 (x-Richtung)) des durch den zweiten Widerstandskörper 17 fließenden Stroms. Der Beschnittnutabschnitt 19b erstreckt sich von dem Beschnittnutabschnitt 19a in Richtung der Verbindungselektrode 20 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10. Das andere Ende des Beschnittnutabschnitts 19a ist mit dem Beschnittnutabschnitt 19b verbunden.
Ein kürzester Abstand D₂ zwischen der zweiten Endoberfläche 14 und der zweiten Beschnittnut 19 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 ist beispielsweise kleiner oder gleich der Summe aus dem zweiten Spalt G₂ und einem Drittel der Abmessung S₂ des zweiten Widerstandskörpers 17 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10. Der kürzeste Abstand D₂ kann weniger als oder gleich 1,00 mm betragen. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist der kürzeste Abstand D₂ der Abstand zwischen der zweiten Endoberfläche 14 und dem Beschnittnutabschnitt 19a in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10. Der Beschnittnutabschnitt 19a der zweiten Beschnittnut 19, der den kürzesten Abstand von der zweiten Endoberfläche 14 hat, liegt näher an der zweiten Endoberfläche 14 als die zweite Mittellinie 17c des zweiten Widerstandskörpers 17 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 ist.
Die Verbindungselektrode 20 ist auf der ersten Hauptoberfläche 11 des Substrats 10 angeordnet. Die Verbindungselektrode 20 verbindet elektrisch in Reihe den ersten Widerstandskörper 16 und den zweiten Widerstandskörper 17. Die Verbindungselektrode 20 hat einen Endabschnitt zwischen der ersten Hauptoberfläche 11 und dem ersten Widerstandskörper 16. Die Verbindungselektrode 20 hat den anderen Endabschnitt zwischen der ersten Hauptoberfläche 11 und dem zweiten Widerstandskörper 17. Der erste Widerstandskörper 16 kann den einen Endabschnitt zwischen der ersten Hauptoberfläche 11 und der Verbindungselektrode 20 haben. Der zweite Widerstandskörper 17 kann den einen Endabschnitt zwischen der ersten Hauptoberfläche 11 und der Verbindungselektrode 20 haben. Die Verbindungselektrode 20 wird beispielsweise durch Aufdrucken („printing“) und Einbrennen („firing“) einer leitfähigen Paste, z. B. einer mit Glasfritte vermischten Silberpaste („paste containing silver mixed with glass frit“), auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10 gebildet.
Der isolierende Schutzfilm 24 bedeckt den ersten Widerstandskörper 16 und den zweiten Widerstandskörper 17 und schützt den ersten Widerstandskörper 16 und den zweiten Widerstandskörper 17. Der isolierende Schutzfilm 24 kann auch die Verbindungselektrode 20 abdecken. Der isolierende Schutzfilm 24 kann außerdem einen Teil der ersten Terminalelektrode 31 und einen Teil der zweiten Terminalelektrode 41 abdecken. Der isolierende Schutzfilm 24 befindet sich zwischen einer ersten Hilfselektrode 32 (einem ersten Überdachungsabschnitt („canopy portion“) 32b) und dem ersten Widerstandskörper 16, sowie zwischen einer zweiten Hilfselektrode 42 (einem zweiten Überdachungsabschnitt 42b) und dem zweiten Widerstandskörper 17. Der isolierende Schutzfilm 24 umfasst eine innere isolierende Schutzschicht 25 und eine äußere isolierende Schutzschicht 26.
Die innere isolierende Schutzschicht 25 ist in Kontakt mit dem ersten Widerstandskörper 16 und dem zweiten Widerstandskörper 17 und bedeckt den ersten Widerstandskörper 16 und den zweiten Widerstandskörper 17. Die innere isolierende Schutzschicht 25 kann weiterhin in Kontakt mit der Verbindungselektrode 20 sein und die Verbindungselektrode 20 weiter abdecken. Die innere isolierende Schutzschicht 25 kann in Kontakt mit einem Teil der ersten Terminalelektrode 31 und einem Teil der zweiten Terminalelektrode 41 stehen und einen Teil der ersten Terminalelektrode 31 und einen Teil der zweiten Terminalelektrode 41 abdecken. Die innerere isolierende Schutzschicht 25 kann die erste Beschnittnut 18 und die zweite Beschnittnut 19 ausfüllen. Die innere isolierende Schutzschicht 25 besteht aus einem isolierenden Material wie z.B. Glas. Die innere isolierende Schutzschicht 25 wird z.B. durch Aufdrucken und Einbrennen einer glashaltigen Paste auf die innere isolierende Schutzschicht 25 hergestellt. Die äußere isolierende Schutzschicht 26 ist auf der inneren isolierenden Schutzschicht 25 angeordnet. Die äußere isolierende Schutzschicht 26 besteht aus einem elektrisch isolierenden Harz, wie z.B. einem Epoxidharz. Die äußere isolierende Schutzschicht 26 wird z.B. durch Aufdrucken und Aushärten einer epoxidharzhaltigen Paste auf die äußere isolierende Schutzschicht 26 hergestellt.
Die erste spannungsabbauende Schicht 28 und die zweite spannungsabbauende Schicht 29 sind auf der zweiten Hauptoberfläche 12 des Substrats 10 angeordnet. Die erste spannungsabbauende Schicht 28 ist an einer Stelle auf der zweiten Haupttoberfläche 12 angeordnet, die sich in der Nähe der ersten Endoberfläche 13 befindet. Die zweite spannungsabbauende Schicht 29 ist an einer Stelle der zweiten Haupttoberfläche 12 angeordnet, die sich in der Nähe der zweiten Endoberfläche 14 befindet. Die erste spannungsabbauende Schicht 28 kann im Wesentlichen die gleiche Form haben wie die erste Terminalelektrode 31 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 (oder die zweite Hauptoberfläche 12) des Substrats 10. Die zweite spannungsabbauende Schicht 29 kann im Wesentlichen die gleiche Form haben wie die zweite Terminalelektrode 41 in Draufsicht der ersten Hauptoberfläche 11 (oder der zweiten Hauptoberfläche 12) des Substrats 10.
Die erste spannungsabbauende Schicht 28 und die zweite spannungsabbauende Schicht 29 sind flexibel. Die erste spannungsabbauende Schicht 28 und die zweite spannungsabbauende Schicht 29 entlasten die Wärmespannung, die durch eine Differenz zwischen dem Wärmeausdehnungskoeffizienten der Leiterplatte und dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des Chip-Widerstands 1 (des Substrats 10) verursacht wird, wenn der Chip-Widerstand 1 auf einer Leiterplatte (nicht dargestellt) montiert ist, wodurch verhindert wird, dass der Chip-Widerstand 1 Risse entwickelt.
Die erste spannungsabbauende Schicht 28 und die zweite spannungsabbauende Schicht 29 haben jeweils eine Dicke, die größer oder gleich 3µm und kleiner oder gleich 50µm ist, zum Beispiel. Da die erste spannungsabbauende Schicht 28 und die zweite spannungsabbauende Schicht 29 jeweils eine Dicke von größer oder gleich 3 µm aufweisen, sind die erste spannungsabbauende Schicht 28 und die zweite spannungsabbauende Schicht 29 ausreichend flexibel, um die oben genannten thermischen Spannungen abzubauen. Da die erste spannungsabbauende Schicht 28 und die zweite spannungsabbauende Schicht 29 jeweils eine Dicke von weniger als oder gleich 50 µm aufweisen, wird der Chip-Widerstand 1 mit einer reduzierten Größe erreicht. Da die erste spannungsabbauende Schicht 28 und die zweite spannungsabbauende Schicht 29 jeweils eine Dicke von weniger als oder gleich 50 µm aufweisen, wird weniger Zeit zum Aushärten („eure“) der ersten spannungsabbauenden Schicht 28 und der zweiten spannungsabbauenden Schicht 29 benötigt, wodurch die Herstellung des Chip-Widerstands 1 weniger Zeit in Anspruch nimmt.
Die erste spannungsabbauende Schicht 28 und die zweite spannungsabbauende Schicht 29 sind aus einem flexiblen, elektrisch isolierenden Harz, wie z.B. einem Epoxidharz oder einem Silikonharz, gebildet. Die erste spannungsabbauende Schicht 28 und die zweite spannungsabbauende Schicht 29 werden z. B. durch Aufdrucken und Aushärten einer Harzpaste auf die zweite Hauptoberfläche 12 des Substrats 10 gebildet. Die erste spannungsabbauende Schicht 28 und die zweite spannungsabbauende Schicht 29 können aus einem elektrisch leitenden Harz gebildet werden, das leitende Partikel, wie z. B. Silberpartikel, aufweist.
Die erste Elektrode 30 ist auf der Seite der ersten Endoberfläche 13 des Substrats 10 angeordnet und mit dem ersten Widerstandskörper 16 verbunden. Die erste Elektrode 30 umfasst eine erste Terminalelektrode 31, eine erste Hilfselektrode 32, eine erste Metall-Dünnfilmschicht („metal thin film layer“) 33, eine erste Seitenelektrode („side electrode“) 34 und einen ersten Plattierungsfilm („plating film“) 35.
Die erste Terminalelektrode 31 ist auf der ersten Hauptoberfläche 11 des Substrats 10 angeordnet. Die erste Terminalelektrode 31 befindet sich näher an der ersten Endoberfläche 13 als die Verbindungselektrode 20. Die erste Terminalelektrode 31 ist mit dem ersten Widerstandskörper 16 verbunden. Die erste Terminalelektrode 31 hat einen Endabschnitt zwischen der ersten Hauptoberfläche 11 und dem ersten Widerstandskörper 16. Der erste Widerstandskörper 16 kann einen Endabschnitt zwischen der ersten Hauptoberfläche 11 und der ersten Terminalelektrode 31 haben. Die erste Terminalelektrode 31 überlappt den isolierenden Schutzfilm 24 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10. Die erste Terminalelektrode 31 hat in der Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10 zum Beispiel eine rechteckige Form. Die erste Terminalelektrode 31 wird durch Auftragen und Brennen einer leitfähigen Paste, wie z. B. einer Paste, die Silber gemischt mit Glasfritte umfasst, auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10 gebildet.
Die erste Hilfselektrode 32 ist auf der ersten Terminalelektrode 31 angeordnet und mit der ersten Terminalelektrode 31 verbunden. Die erste Hilfselektrode 32 ist auch auf dem isolierenden Schutzfilm 24 (der äußeren isolierenden Schutzschicht 26) angeordnet. Im Einzelnen umfasst die erste Hilfselektrode 32 eine erste Basis 32a und den ersten Überdachungsabschnitt 32b. Die erste Basis 32a ist auf der ersten Terminalelektrode 31 angeordnet und steht in Kontakt mit der ersten Terminalelektrode 31. Der erste Überdachungsabschnitt 32b ragt von der ersten Basis 32a in Richtung der Verbindungselektrode 20. Der erste Überdachungsabschnitt 32b steht in Kontakt mit dem isolierenden Schutzfilm („insulative protective film“) 24 (die äußere isolierende Schutzschicht („insulating protective layer“) 26).
Die erste Hilfselektrode 32 überlappt den ersten Widerstandskörper 16 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10. Eine erste Überlappungsbreite W₁₃ zwischen der ersten Hilfselektrode 32 und dem ersten Widerstandskörper 16 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 ist größer oder gleich dem ersten Spalt G₁ zwischen dem ersten Widerstandskörper 16 und der ersten Endoberfläche 13 in der Längsrichtung des Substrats 10. Die erste Hilfselektrode 32 (der erste Überdachungsabschnitt 32b) überlappt den isolierenden Schutzfilm 24 in Draufsicht der ersten Hauptoberfläche 11 des Substrats 10. Eine dritte Überlappungsbreite W₁₄ zwischen der ersten Hilfselektrode 32 und dem isolierenden Schutzfilm 24 in der Längsrichtung des Substrats 10 ist größer als eine vierte Überlappungsbreite W₁₅ zwischen der ersten Terminalelektrode 31 und dem isolierenden Schutzfilm 24 in der Längsrichtung des Substrats 10.
Die erste Hilfselektrode 32 hat eine größere Fläche als die erste Terminalelektrode 31 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10. Eine erste Breite W₁₁ der ersten Hilfselektrode 32 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 ist größer als eine erste Elektrodenbreite W₁₂ der ersten Terminalelektrode 31 in der Längsrichtung des Substrats 10. Die erste Breite W₁₁ der ersten Hilfselektrode 32 in der Längsrichtung des Substrats 10 ist größer als oder gleich dem ersten Spalt G₁ zwischen dem ersten Widerstandskörper 16 und der ersten Endoberfläche 13 in der Längsrichtung des Substrats 10. Die erste Hilfselektrode 32 hat eine maximale Dicke, die größer ist als eine maximale Dicke der ersten Terminalelektrode 31. Die erste Hilfselektrode 32 hat ein größeres Volumen als die erste Terminalelektrode 31. Die erste Hilfselektrode 32 wird beispielsweise durch Auftragen und Einbrennen einer leitfähigen Paste, wie z.B. einer Silberpaste, die ein Bindemittelharz und im Bindemittelharz dispergierte Silberpartikel umfasst, auf die erste Terminalelektrode 31 und auf den isolierenden Schutzfilm 24 (die äußere isolierende Schutzschicht 26) gebildet.
Die erste Metall-Dünnfilmschicht 33 ist auf der ersten spannungsabbauenden Schicht 28 angeordnet. Auch wenn die erste spannungsabbauende Schicht 28 ein elektrischer Isolator ist, ermöglicht es die erste Metall-Dünnfilmschicht 33, den ersten Plattierungsfilm 35 auf der ersten spannungsabbauenden Schicht 28 zu bilden. Die erste Metall-Dünnfilmschicht 33 wird beispielsweise aus einem leitfähigen Material wie einer Silberpaste gebildet, die ein Bindemittelharz und in dem Bindemittelharz dispergierte Silberpartikel umfasst. Die erste Metall-Dünnfilmschicht 33 wird beispielsweise durch Aufdrucken einer leitfähigen Paste, wie einer Silberpaste, die ein Bindemittelharz und in dem Bindemittelharz dispergierte Silberpartikel umfasst, auf die erste spannungsabbauende Schicht 28 gebildet.
Die erste Seitenelektrode 34 ist auf der ersten Endoberfläche 13 des Substrats 10 angeordnet, die erste Terminalelektrode 31, die erste Hilfselektrode 32 und die erste Metall-Dünnfilmschicht 33. Die erste Seitenelektrode 34 umfasst einen Teil, der die erste Endoberfläche 13 überlappt, einen Teil, der die erste Hauptoberfläche 11 überlappt, und einen Teil, der die zweite Hauptoberfläche 12 überlappt. Die erste Seitenelektrode 34 bewirkt, dass die erste Hilfselektrode 32 und die erste Metall-Dünnfilmschicht 33 zueinander leitend sind, und dass die erste Terminalelektrode 31 und die erste Metall-Dünnfilmschicht 33 zueinander leitend sind. Die erste Seitenelektrode 34 wird z. B. durch Drucken („printing“) und Brennen („firing“) einer leitfähigen Paste, z.B. einer mit Glasfritte vermischten Silberpaste, hergestellt. Die erste Seitenelektrode 34 kann auch durch Sputtern („sputtering“) hergestellt werden.
Der erste Plattierungsfilm 35 ist auf der ersten Hilfselektrode 32, der ersten Seitenelektrode 34 und der ersten Metall-Dünnfilmschicht 33 angeordnet. Der erste Plattierungsfilm 35 umfasst eine erste innere Plattierungsschicht 36 und eine erste äußere Plattierungsschicht 37. Die erste innere Plattierungsschicht 36 ist auf der ersten Hilfselektrode 32, der ersten Seitenelektrode 34 und der ersten Metall-Dünnfilmschicht 33 angeordnet. Die erste innere Plattierungsschicht 36 bietet der ersten Terminalelektrode 31, der ersten Hilfselektrode 32, der ersten Seitenelektrode 34 und der ersten Metall-Dünnfilmschicht 33 Wärme- und Schlagschutz („thermal and impact protection“). Die erste innere Plattierungsschicht 36 ist z.B. eine Nickel(plattierungs)schicht („nickel plating layer“). Die erste äußere Plattierungsschicht 37 ist auf der ersten inneren Plattierungsschicht 36 angeordnet. Die erste äußere Plattierungsschicht 37 besteht aus einem Material wie z. B. einem Lot („solder“), das empfindlicher für die Haftung („adhesion“) eines Verbindungsgliedes bzw. Bondgliedes („bond member“) ist als die erste innere Plattierungsschicht 36. Die erste äußere Plattierungsschicht 37 ist z. B. eine Zinn(plattierungs)schicht („tin plating layer“). Das Bondglied („bond member“) haftet an dem aus der ersten äußeren Plattierungsschicht 37 und der Leiterplatte (nicht dargestellt) gebildeten Linienmuster, und der Chip-Widerstand 1 wird dadurch auf der Leiterplatte befestigt.
Die zweite Elektrode 40 ist an der zweiten Endoberfläche 14 des Substrats 10 angeordnet und mit dem zweiten Widerstandskörper 17 verbunden. Die zweite Elektrode 40 hat eine ähnliche Elektrodenstruktur wie die erste Elektrode 30. Im Einzelnen umfasst die zweite Elektrode 40 die zweite Terminalelektrode 41, die zweite Hilfselektrode 42, eine zweite Metall-Dünnfilmschicht 43, eine zweite Seitenelektrode 44 und einen zweiten Plattierungsfilm 45.
Die zweite Terminalelektrode 41 ist auf der ersten Hauptoberfläche 11 des Substrats 10 angeordnet. Die zweite Terminalelektrode 41 befindet sich näher an der zweiten Endoberfläche 14 als die Verbindungselektrode 20. Die zweite Terminalelektrode 41 ist mit dem zweiten Widerstandskörper 17 verbunden. Die zweite Terminalelektrode 41 hat einen Endabschnitt zwischen der ersten Hauptoberfläche 11 und dem zweiten Widerstandskörper 17. Der zweite Widerstandskörper 17 kann einen Endabschnitt zwischen der ersten Hauptoberfläche 11 und der zweiten Terminalelektrode 41 aufweisen. Die zweite Terminalelektrode 41 überlappt den isolierenden Schutzfilm 24 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10. Die zweite Terminalelektrode 41 hat in der Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10 zum Beispiel eine rechteckige Form. Die zweite Terminalelektrode 41 wird durch Auftragen und Brennen einer leitfähigen Paste, wie z. B. einer Paste, die Silber gemischt mit Glasfritte umfasst, auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10 gebildet.
Die zweite Hilfselektrode 42 ist auf der zweiten Terminalelektrode 41 angeordnet und mit der zweiten Terminalelektrode 41 verbunden. Die zweite Hilfselektrode 42 ist ebenfalls auf dem isolierenden Schutzfilm 24 (der äußeren isolierenden Schutzschicht 26) angeordnet. Insbesondere umfasst die zweite Hilfselektrode 42 eine zweite Basis 42a und einen zweiten Überdachungsabschnitt 42b. Die zweite Basis 42a ist auf der zweiten Terminalelektrode 41 angeordnet und steht in Kontakt mit der zweiten Terminalelektrode 41. Der zweite Überdachungsabschnitt 42b ragt von der zweiten Basis 42a in Richtung der Verbindungselektrode 20. Der zweite Überdachungsabschnitt 42b steht in Kontakt mit dem isolierenden Schutzfilm 24 (die äußere isolierende Schutzschicht 26).
Die zweite Hilfselektrode 42 überlappt den zweiten Widerstandskörper 17 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10. Eine zweite Überlappungsbreite W₂₃ zwischen der zweiten Hilfselektrode 42 und dem zweiten Widerstandskörper 17 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 ist größer oder gleich dem zweiten Spalt G₂ zwischen dem zweiten Widerstandskörper 17 und der zweiten Endoberfläche 14 in der Längsrichtung des Substrats 10. Die zweite Hilfselektrode 42 (der zweite Überdachungsabschnitt 42b) überlappt den isolierenden Schutzfilm 24 in Draufsicht der ersten Hauptoberfläche 11 des Substrats 10. Eine fünfte Überlappungsbreite W₂₄ zwischen der zweiten Hilfselektrode 42 und dem isolierenden Schutzfilm 24 in der Längsrichtung des Substrats 10 ist größer als eine sechste Überlappungsbreite W₂₅ zwischen der zweiten Terminalelektrode 41 und dem isolierenden Schutzfilm 24 in der Längsrichtung des Substrats 10.
Die zweite Hilfselektrode 42 hat eine größere Fläche als die zweite Terminalelektrode 41 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10. Eine zweite Breite W₂₁ der zweiten Hilfselektrode 42 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 ist größer als eine zweite Elektrodenbreite W₂₂ der zweiten Terminalelektrode 41 in der Längsrichtung des Substrats 10. Die zweite Breite W₂₁ der zweiten Hilfselektrode 42 in der Längsrichtung des Substrats 10 ist größer als oder gleich dem zweiten Spalt G₂ zwischen dem zweiten Widerstandskörper 17 und der zweiten Endoberfläche 14 in der Längsrichtung des Substrats 10. Die zweite Hilfselektrode 42 hat eine größere maximale Dicke als die zweite Terminalelektrode 41. Die zweite Hilfselektrode 42 hat ein größeres Volumen als die zweite Terminalelektrode 41. Die zweite Hilfselektrode 42 wird beispielsweise durch Auftragen und Einbrennen einer leitfähigen Paste, wie z.B. einer Silberpaste, die ein Bindemittelharz und im Bindemittelharz dispergierte Silberpartikel umfasst, auf die zweite Terminalelektrode 41 und auf den isolierenden Schutzfilm 24 (die äußere isolierende Schutzschicht 26) gebildet.
Die zweite Metall-Dünnfilmschicht 43 ist auf der zweiten spannungsabbauenden Schicht 29 angeordnet. Auch wenn die zweite spannungsabbauende Schicht 29 ein elektrischer Isolator ist, ermöglicht es die zweite Metall-Dünnfilmschicht 43, den zweiten Plattierungsfilm 45 auf der zweiten spannungsabbauenden Schicht 29 zu bilden. Die zweite Metall-Dünnfilmschicht 43 wird beispielsweise aus einem leitfähigen Material wie einer Silberpaste gebildet, die ein Bindemittelharz („binder resin“) und im Bindemittelharz dispergierte („dispersed“) Silberpartikel umfasst. Die zweite Metall-Dünnfilmschicht 43 wird beispielsweise durch Aufdrucken einer leitfähigen Paste, wie einer Silberpaste, die ein Bindemittelharz und in dem Bindemittelharz dispergierte Silberpartikel umfasst, auf die zweite spannungsabbauende Schicht 29 gebildet.
Die zweite Seitenelektrode 44 ist auf der zweiten Endoberfläche 14 des Substrats 10 angeordnet, die zweite Terminalelektrode 41, die zweite Hilfselektrode 42 und die zweite Metall-Dünnfilmschicht 43. Die zweite Seitenelektrode 44 umfasst einen Teil, der die zweite Endoberfläche 14 überdeckt, einen Teil, der die erste Hauptoberfläche 11 überdeckt, und einen Teil, der die zweite Hauptoberfläche 12 überdeckt. Die zweite Seitenelektrode 44 bewirkt, dass die zweite Hilfselektrode 42 und die zweite Metall-Dünnfilmschicht 43 zueinander leitend sind, und dass die zweite Terminalelektrode 41 und die zweite Metall-Dünnfilmschicht 43 zueinander leitend sind. Die zweite Seitenelektrode 44 wird z. B. durch Drucken und Brennen einer leitfähigen Paste, z. B. einer mit Glasfritte vermischten Silberpaste, hergestellt. Die zweite Seitenelektrode 44 kann auch durch Sputtern hergestellt werden.
Der zweite Plattierungsfilm 45 ist auf der zweiten Hilfselektrode 42, der zweiten Seitenelektrode 44 und der zweiten Metall-Dünnfilmschicht 43 angeordnet. Der zweite Plattierungsfilm 45 umfasst eine zweite innere Plattierungsschicht 46 und eine zweite äußere Plattierungsschicht 47. Die zweite innere Plattierungsschicht 46 ist auf der zweiten Hilfselektrode 42, der zweiten Seitenelektrode 44 und der zweiten Metall-Dünnfilmschicht 43 angeordnet. Die zweite innere Plattierungsschicht 46 bietet der zweiten Terminalelektrode 41, der zweiten Hilfselektrode 42, der zweiten Seitenelektrode 44 und der zweiten Metall-Dünnfilmschicht 43 Wärme- und Stoßschutz („thermal and impact protection“). Die zweite innere Plattierungsschicht 46 ist z.B. eine Nickelschicht. Die zweite äußere Plattierungsschicht 47 ist auf der zweiten inneren Plattierungsschicht 46 angeordnet. Die zweite äußere Plattierungsschicht 47 besteht aus einem Material wie z. B. einem Lot, das für das Anhaften eines Bondgliedes empfindlicher ist als die zweite innere Plattierungsschicht 46. Die zweite äußere Plattierungsschicht 47 ist z. B. eine Zinnschicht. Das Bondglied bzw. Verbindungsglied haftet an dem aus der zweiten äußeren Plattierungsschicht 47 und der Leiterplatte (nicht dargestellt) gebildeten Linienmuster, und der Chip-Widerstand 1 wird dadurch auf der Leiterplatte befestigt.
Unter Bezugnahme auf die 1 bis 13 wird nun ein Beispiel für ein Verfahren zur Herstellung des Chip-Widerstandes 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform beschrieben.
Unter Bezugnahme auf die 3 und 4 wird ein flächiges Substrat 10s aus Aluminiumoxid hergestellt. Das flächige Substrat 10s umfasst die erste Hauptoberfläche 11 und die zweite Hauptoberfläche 12 gegenüber der ersten Hauptoberfläche 11. In der ersten Hauptoberfläche 11 und der zweiten Hauptoberfläche 12 des flächigen Substrats 10s werden mehrere erste Teilungsnuten (splitting grooves") 10g und zweite Teilungsnuten 10h gebildet. Die ersten Teilungsnuten 10g erstrecken sich in der zweiten Richtung (y-Richtung) und sind in der ersten Richtung (x-Richtung) voneinander beabstandet. Die zweiten Teilungsnuten 10h erstrecken sich in der ersten Richtung (x-Richtung) und sind in der zweiten Richtung (y-Richtung) voneinander beabstandet. Ein durch die ersten Teilungsnuten 10g und die zweiten Teilungsnuten 10h abgegrenzter Abschnitt entspricht dem Substrat 10 des Chip-Widerstands 1.
Bezugnehmend auf 5 sind auf der ersten Hauptoberfläche 11 des flächigen Substrats 10s eine Terminalelektrode 21 und eine Verbindungselektrode 20 ausgebildet. Die Terminalelektrode 21 ist über den ersten Teilungsnuten 10g auf der ersten Hauptoberfläche 11 des flächigen Substrats 10s ausgebildet. Die Verbindungselektrode 20 ist zwischen einem Paar benachbarter Terminalelektroden 21 in der ersten Richtung (x-Richtung) ausgebildet. Die Terminalelektrode 21 und die Verbindungselektrode 20 werden durch Aufdrucken und Einbrennen einer leitfähigen Paste, z. B. einer Paste, die Silber gemischt mit Glasfritte umfasst, auf die erste Hauptoberfläche 11 gebildet.
In 6 sind der erste Widerstandskörper 16 und der zweite Widerstandskörper 17 auf der ersten Hauptoberfläche 11 des flächigen Substrats 10s ausgebildet. Der erste Widerstandskörper 16 ist in Kontakt mit der Terminalelektrode 21 und der Verbindungselektrode 20. Der zweite Widerstandskörper 17 ist in Kontakt mit der Terminalelektrode 21 und der Verbindungselektrode 20. Der erste Widerstandskörper 16 und der zweite Widerstandskörper 17 sind voneinander beabstandet. Der erste Widerstandskörper 16 und der zweite Widerstandskörper 17 werden durch Drucken und Brennen einer Paste gebildet, die ein elektrisches Widerstandsmaterial, wie Rutheniumoxid (RuO₂) oder eine Silber-Palladium-Legierung, gemischt mit Glasfritte, umfasst. Es ist zu beachten, dass der erste Widerstandskörper 16 und der zweite Widerstandskörper 17 auf der ersten Hauptoberfläche 11 des flächigen Substrats 10s gebildet werden können, wonach die Terminalelektrode 21 und die Verbindungselektrode 20 gebildet werden können.
Bezugnehmend auf 7 ist die innere isolierende Schutzschicht 25 zum Abdecken des ersten Widerstandskörpers 16 und des zweiten Widerstandskörpers 17 ausgebildet. Die innere isolierende Schutzschicht 25 wird z. B. durch Bedrucken und Einbrennen einer glashaltigen Paste auf dem ersten Widerstandskörper 16 und dem zweiten Widerstandskörper 17 gebildet. Die innere isolierende Schutzschicht 25 kann auch auf der Verbindungselektrode 20 ausgebildet werden. Bei dem in 8 dargestellten Schritt der Bildung der Beschnittnut entlastet die innere isolierende Schutzschicht 25 den ersten Widerstandskörper 16 und den zweiten Widerstandskörper 17 von einem Wärmeschock und verhindert, dass die bei der Bildung der ersten Beschnittnut 18 und der zweiten Beschnittnut 19 erzeugten Partikel an dem ersten Widerstandskörper 16 und dem zweiten Widerstandskörper 17 anhaften und einen ersten Widerstand des ersten Widerstandskörpers 16 und einen zweiten Widerstand des zweiten Widerstandskörpers 17 verändern.
Bezugnehmend auf 8 sind die erste Beschnittnut 18 und die zweite Beschnittnut 19 am ersten Widerstandskörper 16 und am zweiten Widerstandskörper 17 ausgebildet. Die erste Beschnittnut 18 und die zweite Beschnittnut 19 sind auch an der inneren isolierenden Schutzschicht 25 ausgebildet. Die erste Beschnittnut 18 und die zweite Beschnittnut 19 werden z. B. durch Bestrahlung des ersten Widerstandskörpers 16 und des zweiten Widerstandskörpers 17 mit Laserlicht gebildet. Insbesondere wird durch Abtasten des Laserlichts entlang der zweiten Richtung (y-Richtung) der Beschnittnutabschnitt 18a auf dem ersten Widerstandskörper 16 und der Beschnittnutabschnitt 19a auf dem zweiten Widerstandskörper 17 gebildet. Dann wird durch Abtasten des Laserlichts entlang der ersten Richtung (x-Richtung) der Beschnittnutabschnitt 18b auf dem ersten Widerstandskörper 16 und der Beschnittnutabschnitt 19b auf dem zweiten Widerstandskörper 17 gebildet. Wenn die Summe des ersten Widerstands des ersten Widerstandskörpers 16 und des zweiten Widerstands des zweiten Widerstandskörpers 17 einen Zielwiderstand für den Chip-Widerstand 1 erreicht, endet die Bildung der ersten Beschnittnut 18 und der zweiten Beschnittnut 19.
Bezugnehmend auf 9 ist die äußere isolierende Schutzschicht 26 auf der inneren isolierenden Schutzschicht 25 ausgebildet. Die äußere isolierende Schutzschicht 26 wird durch Aufdrucken und Aushärten einer Paste, die ein Epoxidharz umfasst, auf die innere isolierende Schutzschicht 25 gebildet. Die äußere isolierende Schutzschicht 26 kann die erste Beschnittnut 18 und die zweite Beschnittnut 19 ausfüllen. Auf diese Weise wird der isolierende Schutzfilm 24, der die innere isolierende Schutzschicht 25 und die äußere isolierende Schutzschicht 26 umfasst, gebildet.
Bezugnehmend auf 10 wird die spannungsabbauende Schicht 27 auf der zweiten Hauptoberfläche 12 des flächigen Substrats („sheet-like substrate“) 10s gebildet. Die spannungsabbauende Schicht 27 wird über die ersten Teilungsnuten („splitting grooves“) 10g gebildet. Die spannungsabbauende Schicht 27 kann im Wesentlichen die gleiche Form haben wie die Terminalelektrode 21 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 (oder die zweite Hauptoberfläche 12) des flächigen Substrats 10s. Die spannungsabbauende Schicht 27 wird durch Drucken und Aushärten („curing“) einer Paste, die ein Epoxidharz oder ein Silikonharz („silicone resin“) umfasst, auf der zweiten Hauptoberfläche 12 gebildet.
Gemäß 11 wird die Metall-Dünnfilmschicht 23 auf der spannungsabbauenden Schicht 27 ausgebildet. Die Metall-Dünnfilmschicht 23 wird beispielsweise dadurch gebildet, dass auf die zweite spannungsabbauende Schicht 29 eine leitfähige Paste wie eine Silberpaste gedruckt wird, die ein Bindemittelharz und in dem Bindemittelharz dispergierte Silberpartikel umfasst.
In 11 ist die Hilfselektrode 22 auf der Terminalelektrode 21 und dem isolierenden Schutzfilm 24 (die äußere isolierende Schutzschicht 26) ausgebildet. Die Hilfselektrode 22 wird zum Beispiel durch Auftragen („applying“) und Einbrennen („firing“) einer leitfähigen Paste, wie einer Silberpaste, die ein Bindemittelharz und in dem Bindemittelharz dispergierte Silberpartikel umfasst, auf die erste Terminalelektrode 31 und auf den isolierenden Schutzfilm 24 (die äußere isolierende Schutzschicht 26) gebildet. Die erste Hilfselektrode 32 überlappt den ersten Widerstandskörper 16 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10.
Wie in 12 gezeigt, wird das flächige Substrat 10s entlang der ersten Teilungsnuten 10g in Stücke geschnitten. Das flächige Substrat 10s wird in streifenförmige Substrate 10t unterteilt. Das flächige Substrat 10s wird entlang der ersten Teilungsnuten 10g geschnitten, wodurch die erste Endoberfläche 13 und die zweite Endoberfläche 14 gebildet werden. Durch Schneiden des flächigen Substrats 10s entlang der ersten Teilungsnuten 10g wird die Terminalelektrode 21 in die erste Terminalelektrode 31 und die zweite Terminalelektrode 41, die Hilfselektrode 22 in die erste Hilfselektrode 32 und die zweite Hilfselektrode 42 und die Metall-Dünnfilmschicht 23 in die erste Metall-Dünnfilmschicht 33 und die zweite Metall-Dünnfilmschicht 43 unterteilt.
Bezug nehmend auf 13 sind die erste Seitenelektrode 34 und die zweite Seitenelektrode 44 auf der ersten Endoberfläche 13 und der zweiten Endoberfläche 14 des streifenförmigen Substrats 10t ausgebildet. Die erste Seitenelektrode 34 wird durch Aufdrucken und Einbrennen einer leitfähigen Paste, z. B. einer Paste, die Silber gemischt mit Glasfritte umfasst, auf die erste Endoberfläche 13, die erste Terminalelektrode 31, die erste Hilfselektrode 32 und die erste Metall-Dünnfilmschicht 33 gebildet. Die zweite Seitenelektrode 44 wird z. B. durch Aufdrucken und Brennen einer leitfähigen Paste, z. B. einer mit Glasfritte vermischten Silberpaste, auf die zweite Endoberfläche 14, die zweite Terminalelektrode 41, die zweite Hilfselektrode 42 und die zweite Metall-Dünnfilmschicht 43 gebildet. Die erste Seitenelektrode 34 und die zweite Seitenelektrode 44 können durch Sputtern gebildet werden.
Anschließend wird das streifenförmige Substrat 10t in mehrere zweite Teilungsnuten 10h geschnitten (siehe 4). Das streifenförmige Substrat 10t wird in mehrere Substrate 10 geteilt.
Anschließend werden der erste Plattierungsfilm 35 und der zweite Plattierungsfilm 45 gebildet. Der erste Plattierungsfilm 35 wird auf der ersten Hilfselektrode 32, der ersten Seitenelektrode 34 und der ersten Metall-Dünnfilmschicht 33 gebildet. Der zweite Plattierungsfilm 45 wird auf der zweiten Hilfselektrode 42, der zweiten Seitenelektrode 44 und der zweiten Metall-Dünnfilmschicht 43 gebildet.
Im Einzelnen wird die erste innere Plattierungsschicht 36 auf der ersten Hilfselektrode 32, der ersten Seitenelektrode 34 und der ersten Metall-Dünnfilmschicht 33 gebildet. Die zweite innere Plattierungsschicht 46 wird aus der zweiten Hilfselektrode 42, der zweiten Seitenelektrode 44 und der zweiten Metall-Dünnfilmschicht 43 gebildet. Die erste innere Plattierungsschicht 36 und die zweite innere Plattierungsschicht 46 sind z.B. Nickelschichten. Auf der ersten inneren Plattierungsschicht 36 wird dann die erste äußere Plattierungsschicht 37 gebildet. Die zweite äußere Plattierungsschicht 47 wird auf der zweiten inneren Plattierungsschicht 46 gebildet. Die erste äußere Plattierungsschicht 37 und die zweite äußere Plattierungsschicht 47 sind zum Beispiel Zinnschichten. Auf diese Weise wird der Chip-Widerstand 1 aus 1 und 2 erhalten.
(Variation bzw. Variante)
In Variante 1 der vorliegenden Ausführungsform können die erste Beschnittnut 18 und die zweite Beschnittnut 19 jeweils eine L-Form aufweisen, wie in 14 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10 gezeigt. Insbesondere erstreckt sich der Beschnittnutabschnitt 18b von dem Beschnittnutabschnitt 18a in Richtung der ersten Endoberfläche 13 in der Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10. Der kürzeste Abstand D₁ ist der Abstand zwischen der ersten Endoberfläche 13 und dem Beschnittnutabschnitt 18b in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10. Der Beschnittnutabschnitt 19b erstreckt sich von dem Beschnittnutabschnitt 19a in Richtung der zweiten Endoberfläche 14 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10. Der kürzeste Abstand D₂ ist der Abstand zwischen der zweiten Endoberfläche 14 und dem Beschnittnutabschnitt 19b in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10.
In Variante 2 der vorliegenden Ausführungsform können die erste Beschnittnut 18 und die zweite Beschnittnut 19 jeweils eine Hakenform („hook shape“) aufweisen, wie in 15 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10 gezeigt. Im Einzelnen umfasst die erste Beschnittnut 18 den Beschnittnutabschnitt 18a, den Beschnittnutabschnitt 18b und den Beschnittnutabschnitt 18c. Die zweite Beschnittnut 19 umfasst den Beschnittnutabschnitt 19a, den Beschnittnutabschnitt 19b und den Beschnittnutabschnitt 19c.
Der Beschnittnutabschnitt 18a erstreckt sich entlang der Richtung (der Querrichtung des Substrats 10 (y-Richtung)) senkrecht zu der Richtung (der Längsrichtung des Substrats 10 (x-Richtung)) des durch den ersten Widerstandskörper 16 fließenden Stroms. Der Beschnittnutabschnitt 18a hat ein Ende, das sich zum Außenumfang („outer circumference“) des ersten Widerstandskörpers 16 erstreckt. Der Beschnittnutabschnitt 18b erstreckt sich entlang der Richtung (der Längsrichtung des Substrats 10 (x-Richtung)) des durch den ersten Widerstandskörper 16 fließenden Stroms. Der Beschnittnutabschnitt 18b erstreckt sich von dem Beschnittnutabschnitt 18a in Richtung der Verbindungselektrode 20 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10. Der Beschnittnutabschnitt 18b ist mit einem Ende mit dem anderen Ende des Beschnittnutabschnitts 18a verbunden. Der Beschnittnutabschnitt 18c erstreckt sich entlang der Richtung (der Querrichtung des Substrats 10 (y-Richtung)) senkrecht zu der Richtung (der Längsrichtung des Substrats 10 (x-Richtung)) des Stroms, der durch den ersten Widerstandskörper 16 fließt. Das andere Ende des Beschnittnutabschnitts 18b ist mit dem Beschnittnutabschnitt 18c verbunden. Der kürzeste Abstand D₁ ist der Abstand zwischen der ersten Endoberfläche 13 und dem Beschnittnutabschnitt 18a in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10.
Der Beschnittnutabschnitt 19a erstreckt sich entlang der Richtung (der Querrichtung des Substrats 10 (y-Richtung)) senkrecht zu der Richtung (der Längsrichtung des Substrats 10 (x-Richtung)) des durch den zweiten Widerstandskörper 17 fließenden Stroms. Der Beschnittnutabschnitt 19a hat ein Ende, das sich zum Außenumfang des zweiten Widerstandskörpers 17 erstreckt. Der Beschnittnutabschnitt 19b erstreckt sich entlang der Richtung (der Längsrichtung des Substrats 10 (x-Richtung)) des durch den zweiten Widerstandskörper 17 fließenden Stroms. Der Beschnittnutabschnitt 19b erstreckt sich vom Beschnittnutabschnitt 19a in Richtung der Verbindungselektrode 20 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10. Die Beschnittnutabschnitte 19b haben ein Ende, das mit dem anderen Ende des Beschnittnutabschnitts 19a verbunden ist. Der Beschnittnutabschnitt 19c erstreckt sich entlang der Richtung (der Querrichtung des Substrats 10 (y-Richtung)) senkrecht zur Richtung (der Längsrichtung des Substrats 10 (x-Richtung)) des durch den zweiten Widerstandskörper 17 fließenden Stroms. Das andere Ende des Beschnittnutabschnitts 19b ist mit dem Beschnittnutabschnitt 19c verbunden. Der kürzeste Abstand D₂ ist der Abstand zwischen der zweiten Endoberfläche 14 und dem Beschnittnutabschnitt 19a in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10.
In Variante 3 der vorliegenden Ausführungsform können die erste Beschnittnut 18 und die zweite Beschnittnut 19 jeweils eine Hakenform aufweisen, wie in 16 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10 gezeigt. Im Einzelnen umfasst die erste Beschnittnut 18 den Beschnittnutabschnitt 18a, den Beschnittnutabschnitt 18b und den Beschnittnutabschnitt 18c. Die zweite Beschnittnut 19 umfasst den Beschnittnutabschnitt 19a, den Beschnittnutabschnitt 19b und den Beschnittnutabschnitt 19c.
Die erste Beschnittnut 18 gemäß Variante 3 ist die gleiche wie die erste Beschnittnut 18 gemäß Variante 2, mit folgenden Ausnahmen. Der Beschnittnutabschnitt 18b erstreckt sich von dem Beschnittnutabschnitt 18a in Richtung der ersten Endoberfläche 13 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10. Der kürzeste Abstand D₁ ist der Abstand zwischen der ersten Endoberfläche 13 und dem Beschnittnutabschnitt 18c in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10.
Die zweite Beschnittnut 19 gemäß Variante 3 ist die gleiche wie die zweite Beschnittnut 19 gemäß Variante 2, mit folgenden Ausnahmen. Die Beschnittnut 19b erstreckt sich von dem Beschnittnutabschnitt 19a in Richtung der zweiten Endoberfläche 14 in Draufsicht auf die erste Hauptoberfläche 11 des Substrats 10. Der kürzeste Abstand D₂ ist der Abstand zwischen der zweiten Endoberfläche 14 und dem Beschnittnutabschnitt 19c in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10.
In Variante 4 gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann die zweite Beschnittnut 19 weggelassen werden.
Es werden nun vorteilhafte Wirkungen des Chip-Widerstandes 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform beschrieben.
Der Chip-Widerstand 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform umfasst das Substrat 10, die erste Elektrode 30, die zweite Elektrode 40, den ersten Widerstandskörper 16, den zweiten Widerstandskörper 17, und die Verbindungselektrode 20. Das Substrat 10 umfasst die Hauptoberfläche (die erste Hauptoberfläche 11), die erste Endoberfläche 13, die mit der Hauptoberfläche verbunden ist, und die zweite Endoberfläche 14, die mit der Hauptoberfläche verbunden ist. Die erste Elektrode 30 ist auf der Seite der ersten Endoberfläche 13 des Substrats 10 angeordnet. Die zweite Elektrode 40 ist auf der zweiten Endoberfläche 14 des Substrats 10 angeordnet. Der erste Widerstandskörper 16 ist auf der Hauptoberfläche des Substrats 10 angeordnet. Der zweite Widerstandskörper 17 ist auf der Hauptoberfläche des Substrats 10 angeordnet und von dem ersten Widerstandskörper 16 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 beabstandet, in der die erste Endoberfläche 13 und die zweite Endoberfläche 14 voneinander beabstandet sind. Die Verbindungselektrode 20 ist auf der Hauptoberfläche des Substrats 10 angeordnet und schaltet den ersten Widerstandskörper 16 und den zweiten Widerstandskörper 17 elektrisch in Reihe. Die erste Elektrode 30 umfasst die erste Terminalelektrode 31 und die erste Hilfselektrode 32. Die erste Terminalelektrode 31 ist auf der Hauptoberfläche des Substrats 10 angeordnet und mit dem ersten Widerstandskörper 16 verbunden. Die erste Hilfselektrode 32 ist mit der ersten Terminalelektrode 31 verbunden. Die zweite Elektrode 40 umfasst die zweite Terminalelektrode 41 und die zweite Hilfselektrode 42. Die zweite Terminalelektrode 41 ist auf der Hauptoberfläche des Substrats 10 angeordnet und mit dem zweiten Widerstandskörper 17 verbunden. Die zweite Hilfselektrode 42 ist mit der zweiten Terminalelektrode 41 verbunden. Die erste Hilfselektrode 32 hat eine größere Fläche als die erste Terminalelektrode 31 und die zweite Hilfselektrode 42 hat eine größere Fläche als die zweite Terminalelektrode 41, in Draufsicht auf die Hauptoberfläche des Substrats 10.
Wenn der erste Widerstandskörper 16 näher an der ersten Endoberfläche 13 des Substrats 10 und der zweite Widerstandskörper 17 näher an der zweiten Endoberfläche 14 des Substrats 10 angeordnet ist, haben die erste Terminalelektrode 31 und die zweite Terminalelektrode 41 jeweils eine reduzierte Fläche, in Draufsicht auf die Hauptoberfläche (die erste Hauptoberfläche 11) des Substrats 10. In dem Chip-Widerstand 1 hat jedoch die erste Hilfselektrode 32 eine größere Fläche als die erste Terminalelektrode 31 und die zweite Hilfselektrode 42 hat eine größeren Fläche als die zweite Terminalelektrode 41, in Draufsicht auf die Hauptoberfläche des Substrats 10. Folglich kann die am ersten Widerstandskörper 16 und am zweiten Widerstandskörper 17 erzeugte Wärme auf effiziente Weise durch die erste Elektrode 30 und die zweite Elektrode 40 aus dem Chip-Widerstand 1 abgeleitet werden, selbst wenn die erste Terminalelektrode 31 und die zweite Terminalelektrode 41 in Draufsicht auf die Hauptoberfläche des Substrats 10 kleinere Flächen aufweisen. Der Chip-Widerstand 1 kann eine verbesserte Wärmeableitung aufweisen. Da der Chip-Widerstand 1 eine verbesserte Wärmeableitung aufweist, kann der Chip-Widerstand 1 darüber hinaus verbesserte STOL(„Short-Time OverLoad“)-Eigenschaften bzw. Kurzzeitüberlasungseigenschaften aufweisen.
Die erste Hilfselektrode 32 überlappt den ersten Widerstandskörper 16 und die zweite Hilfselektrode 42 überlappt den zweiten Widerstandskörper 17 in Draufsicht auf die Hauptoberfläche (die erste Hauptoberfläche 11) des Substrats 10.
Folglich haben die erste Hilfselektrode 32 und die zweite Hilfselektrode 42 große Bereiche in Draufsicht auf die Hauptoberfläche (die erste Hauptoberfläche 11) des Substrats 10. Die am ersten Widerstandskörper 16 und am zweiten Widerstandskörper 17 erzeugte Wärme kann durch die erste Elektrode 30 und die zweite Elektrode 40 effizient aus dem Chip-Widerstand 1 abgeleitet werden. Der Chip-Widerstand 1 kann eine verbesserte Wärmeableitung aufweisen. Der Chip-Widerstand 1 kann auch verbesserte STOL-Eigenschaften aufweisen.
In dem Chip-Widerstand 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist der erste Spalt G₁ zwischen dem ersten Widerstandskörper 16 und der ersten Endoberfläche 13 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 in Draufsicht auf die Hauptoberfläche (die erste Hauptoberfläche 11) des Substrats 10 kleiner als oder gleich 0.3 mm, wenn die Abmessung L₁ des Substrats 10 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 größer oder gleich 1,6 mm ist, und kleiner oder gleich 0,15 mm, wenn die Abmessung L₁ des Substrats 10 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 größer oder gleich 0,6 mm und kleiner als 1,6 mm ist. Der zweite Spalt G₂ zwischen dem zweiten Widerstandskörper 17 und der zweiten Endoberfläche 14 in der Längsrichtung des Substrats 10 in Draufsicht der Hauptoberfläche des Substrats 10 ist kleiner oder gleich 0.3 mm, wenn die Abmessung L₁ des Substrats 10 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 größer oder gleich 1,6 mm ist, und kleiner oder gleich 0,15 mm, wenn die Abmessung L₁ des Substrats 10 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 größer oder gleich 0,6 mm und kleiner als 1,6 mm ist.
Folglich ist der erste Widerstandskörper 16 näher an der ersten Endoberfläche 13 des Substrats 10 und der zweite Widerstandskörper 17 näher an der zweiten Endoberfläche 14 des Substrats 10 angeordnet. Die an dem ersten Widerstandskörper 16 und an dem zweiten Widerstandskörper 17 erzeugte Wärme kann auf effiziente Weise aus dem Chip-Widerstand 1 abgeleitet werden. Der Chip-Widerstand 1 kann eine verbesserte Wärmeableitung aufweisen. Der Chip-Widerstand 1 kann auch verbesserte STOL-Eigenschaften aufweisen.
Bei dem Chip-Widerstand 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist die erste Breite W₁₁ der ersten Hilfselektrode 32 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 größer als die erste Elektrodenbreite W₁₂ der ersten Terminalelektrode 31 in der Längsrichtung des Substrats 10. Die zweite Breite W₂₁ der zweiten Hilfselektrode 42 in der Längsrichtung des Substrats 10 ist größer als die zweite Elektrodenbreite W₂₂ der zweiten Terminalelektrode 41 in der Längsrichtung des Substrats 10.
Folglich haben die erste Hilfselektrode 32 und die zweite Hilfselektrode 42 große Flächen in Draufsicht auf die Hauptoberfläche (die erste Hauptoberfläche 11) des Substrats 10. Die am ersten Widerstandskörper 16 und am zweiten Widerstandskörper 17 erzeugte Wärme kann durch die erste Elektrode 30 und die zweite Elektrode 40 effizient aus dem Chip-Widerstand 1 abgeleitet werden. Der Chip-Widerstand 1 kann eine verbesserte Wärmeableitung aufweisen. Der Chip-Widerstand 1 kann auch verbesserte STOL-Eigenschaften aufweisen.
Bei dem Chip-Widerstand 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist die erste Breite W₁₁ der ersten Hilfselektrode 32 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 größer als oder gleich dem ersten Spalt G₁ zwischen dem ersten Widerstandskörper 16 und der ersten Endoberfläche 13 in der Längsrichtung des Substrats 10. Die zweite Breite W₂₁ der zweiten Hilfselektrode 42 in der Längsrichtung des Substrats 10 ist größer als oder gleich dem zweiten Spalt G₂ zwischen dem zweiten Widerstandskörper 17 und der zweiten Endoberfläche 14 in der Längsrichtung des Substrats 10.
Folglich haben die erste Hilfselektrode 32 und die zweite Hilfselektrode 42 große Flächen in Draufsicht auf die Hauptoberfläche (die erste Hauptoberfläche 11) des Substrats 10. Der erste Widerstandskörper 16 ist näher an der ersten Endoberfläche 13 des Substrats 10 angeordnet und der zweite Widerstandskörper 17 ist näher an der zweiten Endoberfläche 14 des Substrats 10 angeordnet. Die am ersten Widerstandskörper 16 und am zweiten Widerstandskörper 17 erzeugte Wärme kann auf effiziente Weise aus dem Chip-Widerstand 1 abgeleitet werden. Der Chip-Widerstand 1 kann eine verbesserte Wärmeableitung aufweisen. Der Chip-Widerstand 1 kann auch verbesserte STOL-Eigenschaften aufweisen.
Bei dem Chip-Widerstand 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist die erste Überlappungsbreite W₁₃ zwischen der ersten Hilfselektrode 32 und dem ersten Widerstandskörper 16 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 größer als oder gleich dem ersten Spalt G₁ zwischen dem ersten Widerstandskörper 16 und der ersten Endoberfläche 13 in der Längsrichtung des Substrats 10. Die zweite Überlappungsbreite W₂₃ zwischen der zweiten Hilfselektrode 42 und dem zweiten Widerstandskörper 17 in der Längsrichtung des Substrats 10 ist größer als oder gleich dem zweiten Spalt G₂ zwischen dem zweiten Widerstandskörper 17 und der zweiten Endoberfläche 14 in der Längsrichtung des Substrats 10.
Folglich haben die erste Hilfselektrode 32 und die zweite Hilfselektrode 42 große Flächen in Draufsicht auf die Hauptoberfläche (die erste Hauptoberfläche 11) des Substrats 10. Der erste Widerstandskörper 16 ist näher an der ersten Endoberfläche 13 des Substrats 10 angeordnet und der zweite Widerstandskörper 17 ist näher an der zweiten Endoberfläche 14 des Substrats 10 angeordnet. Die an dem ersten Widerstandskörper 16 und an dem zweiten Widerstandskörper 17 erzeugte Wärme kann auf effiziente Weise aus dem Chip-Widerstand 1 abgeleitet werden. Der Chip-Widerstand 1 kann eine verbesserte Wärmeableitung aufweisen. Der Chip-Widerstand 1 kann auch verbesserte STOL-Eigenschaften aufweisen.
Der Chip-Widerstand 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform umfasst ferner den isolierenden Schutzfilm 24, der den ersten Widerstandskörper 16 und den zweiten Widerstandskörper 17 bedeckt. Der isolierende Schutzfilm 24 befindet sich zwischen der ersten Hilfselektrode 32 und dem ersten Widerstandskörper 16 und zwischen der zweiten Hilfselektrode 42 und dem zweiten Widerstandskörper 17.
Da die erste Hilfselektrode 32 und die zweite Hilfselektrode 42 auf dem isolierenden Schutzfilm 24 angeordnet sind, haben die erste Hilfselektrode 32 und die zweite Hilfselektrode 42 große Flächen in Draufsicht auf die Hauptoberfläche (die erste Hauptoberfläche 11) des Substrats 10. Die an dem ersten Widerstandskörper 16 und an dem zweiten Widerstandskörper 17 erzeugte Wärme kann durch die erste Elektrode 30 und die zweite Elektrode 40 effizient aus dem Chip-Widerstand 1 abgeleitet werden. Der Chip-Widerstand 1 kann eine verbesserte Wärmeableitung aufweisen. Der Chip-Widerstand 1 kann auch verbesserte STOL-Eigenschaften haben. Da der isolierende Schutzfilm 24 den ersten Widerstandskörper 16 und den zweiten Widerstandskörper 17 schützt, wird die Leistung des Chip-Widerstands 1 stabilisiert und die Lebensdauer des Chip-Widerstands 1 verlängert.
Bei dem Chip-Widerstand 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform überlappen die erste Hilfselektrode 32 und die erste Terminalelektrode 31 den isolierenden Schutzfilm 24 und die zweite Hilfselektrode 42 und die zweite Terminalelektrode 41 den isolierenden Schutzfilm 24, in Draufsicht auf die Hauptoberfläche (die erste Hauptoberfläche 11) des Substrats 10. Die dritte Überlappungsbreite W₁₄ zwischen der ersten Hilfselektrode 32 und dem isolierenden Schutzfilm 24 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 ist größer als die vierte Überlappungsbreite W₁₅ zwischen der ersten Terminalelektrode 31 und dem isolierenden Schutzfilm 24 in der Längsrichtung des Substrats 10. Die fünfte Überlappungsbreite W₂₄ zwischen der zweiten Hilfselektrode 42 und dem isolierenden Schutzfilm 24 in der Längsrichtung des Substrats 10 ist größer als die sechste Überlappungsbreite W₂₅ zwischen der zweiten Terminalelektrode 41 und dem isolierenden Schutzfilm 24 in der Längsrichtung des Substrats 10.
Folglich haben die erste Hilfselektrode 32 und die zweite Hilfselektrode 42 große Flächen in Draufsicht auf die Hauptoberfläche (die erste Hauptoberfläche 11) des Substrats 10. Die an dem ersten Widerstandskörper 16 und an dem zweiten Widerstandskörper 17 erzeugte Wärme kann durch die erste Elektrode 30 und die zweite Elektrode 40 effizient aus dem Chip-Widerstand 1 abgeleitet werden. Der Chip-Widerstand 1 kann eine verbesserte Wärmeableitung aufweisen. Der Chip-Widerstand 1 kann auch verbesserte STOL-Eigenschaften aufweisen.
Der Chip-Widerstand 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform umfasst das Substrat 10, die erste Elektrode 30, die zweite Elektrode 40, den ersten Widerstandskörper 16, den zweiten Widerstandskörper 17, und die Verbindungselektrode 20. Das Substrat 10 umfasst die Hauptoberfläche (die erste Hauptoberfläche 11), die erste Endoberfläche 13, die mit der Hauptoberfläche verbunden ist, und die zweite Endoberfläche 14, die mit der Hauptoberfläche verbunden ist. Die erste Elektrode 30 ist auf der Seite der ersten Endoberfläche 13 des Substrats 10 angeordnet. Die zweite Elektrode 40 ist auf der Seite der zweiten Endoberfläche 14 des Substrats 10 angeordnet. Der erste Widerstandskörper 16 ist auf der Hauptoberfläche des Substrats 10 angeordnet. Der zweite Widerstandskörper 17 ist auf der Hauptoberfläche des Substrats 10 angeordnet und von dem ersten Widerstandskörper 16 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 beabstandet, in der die erste Endoberfläche 13 und die zweite Endoberfläche 14 voneinander beabstandet sind. Die Verbindungselektrode 20 ist auf der Hauptoberfläche des Substrats 10 angeordnet und verbindet den ersten Widerstandskörper 16 und den zweiten Widerstandskörper 17 elektrisch in Reihe. Die erste Elektrode 30 umfasst die erste Terminalelektrode 31. Die erste Terminalelektrode 31 ist auf der Hauptoberfläche des Substrats 10 angeordnet und mit dem ersten Widerstandskörper 16 verbunden. Die zweite Elektrode 40 umfasst die zweite Terminalelektrode 41. Die zweite Terminalelektrode 41 ist auf der Hauptoberfläche des Substrats 10 angeordnet und mit dem zweiten Widerstandskörper 17 verbunden. Der erste Spalt G₁ zwischen dem ersten Widerstandskörper 16 und der ersten Endoberfläche 13 in der Längsrichtung des Substrats 10 in Draufsicht auf die Hauptoberfläche des Substrats 10 ist kleiner als oder gleich 0.3 mm, wenn die Abmessung L₁ des Substrats 10 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 größer oder gleich 1,6 mm ist, und kleiner oder gleich 0,15 mm, wenn die Abmessung L₁ des Substrats 10 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 größer oder gleich 0,6 mm und kleiner als 1,6 mm ist. Der zweite Spalt G₂ zwischen dem zweiten Widerstandskörper 17 und der zweiten Endoberfläche 14 in der Längsrichtung des Substrats 10 in Draufsicht der Hauptoberfläche des Substrats 10 ist kleiner oder gleich 0.3 mm, wenn die Abmessung L₁ des Substrats 10 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 größer oder gleich 1,6 mm ist und kleiner oder gleich 0,15 mm, wenn die Abmessung L₁ des Substrats 10 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 größer oder gleich 0,6 mm und kleiner als 1,6 mm ist.
Folglich ist der erste Widerstandskörper 16 näher an der ersten Endoberfläche 13 des Substrats 10 und der zweite Widerstandskörper 17 näher an der zweiten Endoberfläche 14 des Substrats 10 angeordnet. Die am ersten Widerstandskörper 16 und am zweiten Widerstandskörper 17 erzeugte Wärme kann auf effiziente Weise aus dem Chip-Widerstand 1 abgeleitet werden. Der Chip-Widerstand 1 kann eine verbesserte Wärmeableitung aufweisen. Der Chip-Widerstand 1 kann auch eine verbesserte Wärmeableitung aufweisen, und der Chip-Widerstand 1 kann somit auch verbesserte STOL-Eigenschaften aufweisen.
Bei dem Chip-Widerstand 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform sind der erste Spalt G₁ zwischen dem ersten Widerstandskörper 16 und der ersten Endoberfläche 13 und der zweite Spalt G₂ zwischen dem zweiten Widerstandskörper 17 und der zweiten Endoberfläche 14 kleiner als der dritte Spalt G₃ zwischen dem ersten Widerstandskörper 16 und dem zweiten Widerstandskörper 17 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10.
Folglich ist der erste Widerstandskörper 16 näher an der ersten Endoberfläche 13 des Substrats 10 und der zweite Widerstandskörper 17 näher an der zweiten Endoberfläche 14 des Substrats 10 angeordnet. Die am ersten Widerstandskörper 16 und am zweiten Widerstandskörper 17 erzeugte Wärme kann auf effiziente Weise aus dem Chip-Widerstand 1 abgeleitet werden. Der Chip-Widerstand 1 kann eine verbesserte Wärmeableitung aufweisen. Der Chip-Widerstand 1 kann auch verbesserte STOL-Eigenschaften aufweisen.
Bei dem Chip-Widerstand 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist die erste Beschnittnut 18 in dem ersten Widerstandskörper 16 ausgebildet. Der kürzeste Abstand D₁ zwischen der ersten Endoberfläche 13 und der ersten Beschnittnut 18 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 ist kleiner oder gleich der Summe aus dem ersten Spalt G₁ und einem Drittel der Abmessung S₁ des ersten Widerstandskörpers 16 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10.
Wenn der Strom durch den Chip-Widerstand 1 fließt, hat ein Teil des ersten Widerstandskörpers 16, der sich um die erste Beschnittnut 18 befindet, die höchste Temperatur in dem ersten Widerstandskörper 16. Der Chip-Widerstand 1 umfasst die erste Beschnittnut 18, die näher an der ersten Endoberfläche 13 des Substrats 10 angeordnet ist. Dadurch kann die an dem ersten Widerstandskörper 16 erzeugte Wärme effizient aus dem Chip-Widerstand 1 abgeleitet werden. Der Chip-Widerstand 1 kann eine verbesserte Wärmeableitung aufweisen. Der Chip-Widerstand 1 kann auch verbesserte STOL-Eigenschaften aufweisen. Das Ausbilden der ersten Beschnittnut 18 im ersten Widerstandskörper 16 ermöglicht eine genaue Bestimmung des Widerstands des Chip-Widerstands 1 (des ersten Widerstandskörpers 16).
Bei dem Chip-Widerstand 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist die zweite Beschnittnut 19 in dem zweiten Widerstandskörper 17 ausgebildet. Der kürzeste Abstand D₂ zwischen der zweiten Endoberfläche 14 und der zweiten Beschnittnut 19 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 ist kleiner oder gleich der Summe aus dem zweiten Spalt G₂ und einem Drittel der Abmessung S₂ des zweiten Widerstandskörpers 17 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10.
Wenn der Strom durch den Chip-Widerstand 1 fließt, hat ein Teil des zweiten Widerstandskörpers 17, der sich um die zweite Beschnittnut 19 befindet, die höchste Temperatur in dem zweiten Widerstandskörper 17. Im Chip-Widerstand 1 ist die zweite Beschnittnut 19 näher an der zweiten Endoberfläche 14 des Substrats 10 angeordnet. Dadurch kann die an dem zweiten Widerstandskörper 17 erzeugte Wärme effizient aus dem Chip-Widerstand 1 abgeleitet werden. Der Chip-Widerstand 1 kann eine verbesserte Wärmeableitung aufweisen. Der Chip-Widerstand 1 kann auch verbesserte STOL-Eigenschaften aufweisen. Das Ausbilden der zweiten Beschnittnut 19 in dem zweiten Widerstandskörper 17 ermöglicht eine genaue Bestimmung des Widerstands des Chip-Widerstands 1 (des zweiten Widerstandskörpers 17).
Bei dem Chip-Widerstand 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist die erste Beschnittnut 18 in dem ersten Widerstandskörper 16 ausgebildet. Der erste Nutabschnitt (z.B. einer der Beschnittnutabschnitte 18a, 18b und 18c) der ersten Beschnittnut 18 mit dem kürzesten Abstand von der ersten Endoberfläche 13 ist näher an der ersten Endoberfläche 13 als die erste Mittellinie 16c des ersten Widerstandskörpers 16 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 ist.
Wenn der Strom durch den Chip-Widerstand 1 fließt, hat ein Teil des ersten Widerstandskörpers 16, der sich um die erste Beschnittnut 18 befindet, die höchste Temperatur in dem ersten Widerstandskörper 16. Der Chip-Widerstand 1 umfasst die erste Beschnittnut 18, die näher an der ersten Endoberfläche 13 des Substrats 10 angeordnet ist. Dadurch kann die an dem ersten Widerstandskörper 16 erzeugte Wärme effizient aus dem Chip-Widerstand 1 abgeleitet werden. Der Chip-Widerstand 1 kann eine verbesserte Wärmeableitung aufweisen. Der Chip-Widerstand 1 kann auch verbesserte STOL-Eigenschaften aufweisen. Das Ausbilden der ersten Beschnittnut 18 im ersten Widerstandskörper 16 ermöglicht eine genaue Bestimmung des Widerstands des Chip-Widerstands 1 (des ersten Widerstandskörpers 16).
Bei dem Chip-Widerstand 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist die zweite Beschnittnut 19 in dem zweiten Widerstandskörper 17 ausgebildet. Der zweite Nutabschnitt (z.B. einer der Beschnittnutabschnitte 19a, 19b und 19c) der zweiten Beschnittnut 19 mit dem kürzesten Abstand von der zweiten Endoberfläche 14 liegt näher an der zweiten Endoberfläche 14 als die zweite Mittellinie 17c des zweiten Widerstandskörpers 17 in der Längsrichtung (x-Richtung) des Substrats 10 liegt.
Da der Strom durch den Chip-Widerstand 1 fließt, hat ein Teil des zweiten Widerstandskörpers 17, der sich um die zweite Beschnittnut 19 befindet, die höchste Temperatur in dem zweiten Widerstandskörper 17. Der Chip-Widerstand 1 umfasst die zweite Beschnittnut 19, die näher an der zweiten Endoberfläche 14 des Substrats 10 angeordnet ist. Dadurch kann die an dem zweiten Widerstandskörper 17 erzeugte Wärme effizient aus dem Chip-Widerstand 1 abgeleitet werden. Der Chip-Widerstand 1 kann eine verbesserte Wärmeableitung aufweisen. Der Chip-Widerstand 1 kann auch verbesserte STOL-Eigenschaften aufweisen. Das Ausbilden der zweiten Beschnittnut 19 im zweiten Widerstandskörper 17 ermöglicht eine genaue Bestimmung des Widerstands des Chip-Widerstands 1 (des zweiten Widerstandskörpers 17).
Die vorstehend offenbarten Ausführungsformen und deren Variationen bzw. Varianten sollten in jeder Hinsicht als illustrativ betrachtet werden und schränken die vorliegende Offenbarung nicht ein. Der Umfang der vorliegenden Offenbarung wird durch die beigefügten Ansprüche und nicht durch die obige Beschreibung definiert. Alle Änderungen, die in den Bedeutungs- und Äquivalenzbereich der beigefügten Ansprüche fallen, sollen in deren Anwendungsbereich aufgenommen werden.
Bezugszeichenliste

1: Chip-Widerstand;
10: Substrat;
10g: erste Teilungsnut;
10h: zweite Teilungsnut;
10s: flächiges Substrat;
10t: streifenförmiges Substrat;
11: erste Hauptoberfläche,
12: zweite Hauptoberfläche;
13: erste Endoberfläche;
14: zweite Endoberfläche;
16: erster Widerstandskörper;
16c: erste Mittellinie;
17: zweiter Widerstandskörper;
17c: zweite Mittellinie;
18: erste Beschnittnut;
18a, 18b, 19a, 19b: Beschnittnutabschnitt;
19: zweite Beschnittnut;
20: Verbindungselektrode;
21: Terminalelektrode;
22: Hilfselektrode;
23: Metall-Dünnfilmschicht;
24: isolierender Schutzfilm;
25: innerere isolierende Schutzschicht;
26: äußere isolierende Schutzschicht;
27: spannungsabbauende Schicht;
28: erste spannungsabbauende Schicht;
29: zweite spannungsabbauende Schicht;
30: erste Elektrode;
31: erste Terminalelektrode;
32: erste Hilfselektrode;
32a: erste Basis;
32b: erster Überdachungsabschnitt;
33: erste Metall-Dünnfilmschicht;
34: erste Seitenelektrode;
35: erster Plattierungsfilm;
36: erste innere Plattierungsschicht;
37: erste äußere Plattierungsschicht;
40: zweite Elektrode;
41: zweite Terminalelektrode;
42: zweite Hilfselektrode;
42a: zweite Basis;
42b: zweiter Überdachungsabschnitt;
43: zweite Metall-Dünnfilmschicht;
44: zweite Seitenelektrode;
45: zweiter Plattierungsfilm;
46: zweite innere Plattierungsschicht; und
47: zweite äußere Plattierungsschicht.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 2004200424 [0002, 0003]

Claims

Chip-Widerstand mit: einem Substrat, das eine Hauptoberfläche, eine erste Endoberfläche, die mit der Hauptoberfläche verbunden ist, und eine zweite Endoberfläche, die mit der Hauptoberfläche verbunden ist, aufweist; einer ersten Elektrode, die auf der Seite der ersten Endoberfläche des Substrats angeordnet ist; einer zweiten Elektrode, die auf der Seite der zweiten Endoberfläche des Substrats angeordnet ist; einem ersten Widerstandskörper, der auf der Hauptoberfläche angeordnet ist; einem zweiten Widerstandskörper, der auf der Hauptoberfläche angeordnet und von dem ersten Widerstandskörper in einer Längsrichtung des Substrats beabstandet ist, in welcher die erste Endoberfläche und die zweite Endoberfläche voneinander beabstandet sind; und einer Verbindungselektrode, die auf der Hauptoberfläche angeordnet ist und den ersten Widerstandskörper und den zweiten Widerstandskörper elektrisch in Reihe schaltet, wobei die erste Elektrode eine erste Terminalelektrode und eine erste Hilfselektrode aufweist, die erste Terminalelektrode auf der Hauptoberfläche angeordnet und mit dem ersten Widerstandskörper verbunden ist, die erste Hilfselektrode mit der ersten Terminalelektrode verbunden ist, die zweite Elektrode eine zweite Terminalelektrode und eine zweite Hilfselektrode aufweist, die zweite Terminalelektrode auf der Hauptoberfläche angeordnet und mit dem zweiten Widerstandskörper verbunden ist, die zweite Hilfselektrode mit der zweiten Terminalelektrode verbunden ist, und die erste Hilfselektrode eine größere Fläche als die erste Terminalelektrode hat und die zweite Hilfselektrode eine größere Fläche als die zweite Terminalelektrode hat, in Draufsicht auf die Hauptoberfläche.
Chip-Widerstand gemäß Anspruch 1, wobei die erste Hilfselektrode den ersten Widerstandskörper und die zweite Hilfselektrode den zweiten Widerstandskörper in der Draufsicht auf die Hauptoberfläche überlappt.
Chip-Widerstand gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei ein erster Spalt zwischen dem ersten Widerstandskörper und der ersten Endoberfläche in der Längsrichtung des Substrats in der Draufsicht auf die Hauptoberfläche kleiner oder gleich 0,3 mm ist, wenn eine Abmessung des Substrats in der Längsrichtung des Substrats größer oder gleich 1,6 mm ist, und kleiner oder gleich 0,15 mm ist, wenn die Abmessung des Substrats in der Längsrichtung des Substrats größer oder gleich 0,6 mm und kleiner als 1,6 mm ist, und ein zweiter Spalt zwischen dem zweiten Widerstandskörper und der zweiten Endoberfläche in der Längsrichtung des Substrats in der Draufsicht auf die Hauptoberfläche kleiner oder gleich 0,3 mm ist, wenn die Abmessung des Substrats in der Längsrichtung des Substrats größer oder gleich 1,6 mm ist, und kleiner oder gleich 0,15 mm ist, wenn die Abmessung des Substrats in der Längsrichtung des Substrats größer oder gleich 0,6 mm und kleiner als 1,6 mm ist.
Chip-Widerstand gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei eine erste Breite der ersten Hilfselektrode in der Längsrichtung des Substrats größer ist als eine erste Elektrodenbreite der ersten Terminalelektrode in der Längsrichtung des Substrats, und eine zweite Breite der zweiten Hilfselektrode in der Längsrichtung des Substrats größer ist als eine zweite Elektrodenbreite der zweiten Terminalelektrode in der Längsrichtung des Substrats.
Chip-Widerstand gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei eine erste Breite der ersten Hilfselektrode in der Längsrichtung des Substrats größer als oder gleich einem ersten Spalt zwischen dem ersten Widerstandskörper und der ersten Endoberfläche in der Längsrichtung des Substrats ist, und eine zweite Breite der zweiten Hilfselektrode in der Längsrichtung des Substrats größer als oder gleich einem zweiten Spalt zwischen dem zweiten Widerstandskörper und der zweiten Endoberfläche in der Längsrichtung des Substrats ist.
Chip-Widerstand gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei eine erste Überlappungsbreite zwischen der ersten Hilfselektrode und dem ersten Widerstandskörper in der Längsrichtung des Substrats größer als oder gleich einem ersten Spalt zwischen dem ersten Widerstandskörper und der ersten Endoberfläche in der Längsrichtung des Substrats ist, und eine zweite Überlappungsbreite zwischen der zweiten Hilfselektrode und dem zweiten Widerstandskörper in der Längsrichtung des Substrats größer als oder gleich einem zweiten Spalt zwischen dem zweiten Widerstandskörper und der zweiten Endoberfläche in der Längsrichtung des Substrats ist.
Chip-Widerstand gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, ferner mit einem isolierenden Schutzfilm, der den ersten Widerstandskörper und den zweiten Widerstandskörper bedeckt, wobei der isolierende Schutzfilm zwischen der ersten Hilfselektrode und dem ersten Widerstandskörper und zwischen der zweiten Hilfselektrode und dem zweiten Widerstandskörper angeordnet ist.
Chip-Widerstand gemäß Anspruch 7, wobei die erste Hilfselektrode und die erste Terminalelektrode den isolierenden Schutzfilm überlappen und die zweite Hilfselektrode und die zweite Terminalelektrode den isolierenden Schutzfilm überlappen, und zwar in der Draufsicht auf das Substrat, eine dritte Überlappungsbreite zwischen der ersten Hilfselektrode und dem isolierenden Schutzfilm in der Längsrichtung des Substrats größer ist als eine vierte Überlappungsbreite zwischen der ersten Terminalelektrode und dem isolierenden Schutzfilm in der Längsrichtung des Substrats, und eine fünfte Überlappungsbreite zwischen der zweiten Hilfselektrode und dem isolierenden Schutzfilm in der Längsrichtung des Substrats größer ist als eine sechste Überlappungsbreite zwischen der zweiten Terminalelektrode und dem isolierenden Schutzfilm in der Längsrichtung des Substrats.
Chip-Widerstand mit: einem Substrat, das eine Hauptoberfläche, eine erste Endoberfläche, die mit der Hauptoberfläche verbunden ist, und eine zweite Endoberfläche, die mit der Hauptoberfläche verbunden ist, aufweist; einer ersten Elektrode, die auf der Seite der ersten Endoberfläche des Substrats angeordnet ist; eine zweite Elektrode, die auf der Seite der zweiten Endoberfläche des Substrats angeordnet ist; einem ersten Widerstandskörper, der auf der Hauptoberfläche angeordnet ist; einem zweiten Widerstandskörper, der auf der Hauptoberfläche angeordnet und von dem ersten Widerstandskörper in einer Längsrichtung des Substrats beabstandet ist, in welcher die erste Endoberfläche und die zweite Endoberfläche voneinander beabstandet sind; und einer Verbindungselektrode, die auf der Hauptoberfläche angeordnet ist und den ersten Widerstandskörper und den zweiten Widerstandskörper elektrisch in Reihe schaltet, wobei die erste Elektrode eine erste Terminalelektrode aufweist, die erste Terminalelektrode auf der Hauptoberfläche angeordnet und mit dem ersten Widerstandskörper verbunden ist, die zweite Elektrode eine zweite Terminalelektrode aufweist, die zweite Terminalelektrode auf der Hauptoberfläche angeordnet und mit dem zweiten Widerstandskörper verbunden ist, ein erster Spalt zwischen dem ersten Widerstandskörper und der ersten Endoberfläche in der Längsrichtung des Substrats in Draufsicht auf die Hauptoberfläche kleiner oder gleich 0,3 mm ist, wenn eine Abmessung des Substrats in der Längsrichtung des Substrats größer oder gleich 1,6 mm ist, und kleiner oder gleich 0,15 mm beträgt, wenn die Abmessung des Substrats in der Längsrichtung des Substrats größer oder gleich 0,6 mm und kleiner als 1,6 mm ist, und ein zweiter Spalt zwischen dem zweiten Widerstandskörper und der zweiten Endoberfläche in der Längsrichtung des Substrats in der Draufsicht auf die Hauptoberfläche kleiner oder gleich 0,3 mm ist, wenn die Abmessung des Substrats in der Längsrichtung des Substrats größer oder gleich 1,6 mm ist, und kleiner oder gleich 0,15 mm ist, wenn die Abmessung des Substrats in der Längsrichtung des Substrats größer oder gleich 0,6 mm und kleiner als 1,6 mm ist.
Chip-Widerstand gemäß einem der Ansprüche 3, 5, 6 und 9, wobei der erste Spalt und der zweite Spalt kleiner sind als ein dritter Spalt zwischen dem ersten Widerstandskörper und dem zweiten Widerstandskörper in der Längsrichtung des Substrats.
Chip-Widerstand gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei eine erste Beschnittnut in dem ersten Widerstandskörper gebildet ist, und ein kürzester Abstand zwischen der ersten Endoberfläche und der ersten Beschnittnut in der Längsrichtung des Substrats kleiner oder gleich der Summe aus einem ersten Spalt zwischen dem ersten Widerstandskörper und der ersten Endoberfläche in der Längsrichtung des Substrats und einem Drittel einer Abmessung des ersten Widerstandskörpers in der Längsrichtung des Substrats ist.
Chip-Widerstand gemäß Anspruch 9 oder 10, wobei eine erste Beschnittnut in dem ersten Widerstandskörper gebildet ist, und ein kürzeste Abstand zwischen der ersten Endoberfläche und der ersten Beschnittnut in der Längsrichtung des Substrats kleiner oder gleich einer Summe aus dem ersten Spalt und einem Drittel einer Abmessung des ersten Widerstandskörpers in der Längsrichtung des Substrats ist.
Chip-Widerstand gemäß Anspruch 11, wobei eine zweite Beschnittnut in dem zweiten Widerstandskörper gebildet ist, wobei ein kürzester Abstand zwischen der zweiten Endoberfläche und der zweiten Beschnittnut in der Längsrichtung des Substrats kleiner oder gleich einer Summe aus einem zweiten Spalt zwischen dem zweiten Widerstandskörper und der zweiten Endoberfläche in der Längsrichtung des Substrats und einem Drittel einer Abmessung des zweiten Widerstandskörpers in der Längsrichtung des Substrats ist.
Chip-Widerstand gemäß Anspruch 12, wobei eine zweite Beschnittnut in dem zweiten Widerstandskörper gebildet ist, und ein kürzester Abstand zwischen der zweiten Endoberfläche und der zweiten Beschnittnut in der Längsrichtung des Substrats kleiner oder gleich einer Summe aus dem zweiten Spalt und einem Drittel einer Abmessung des zweiten Widerstandskörpers in der Längsrichtung des Substrats ist.
Chip-Widerstand gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei eine erste Beschnittnut in dem ersten Widerstandskörper gebildet ist, und ein erster Nutabschnitt, der einen kürzesten Abstand von der ersten Endoberfläche innerhalb der ersten Beschnittnut hat, näher an der ersten Endoberfläche liegt als eine erste Mittellinie des ersten Widerstandskörpers in der Längsrichtung des Substrats.
Chip-Widerstand gemäß Anspruch 15, wobei eine zweite Beschnittnut in dem zweiten Widerstandskörper gebildet ist, und ein zweiter Nutbschnitt, der einen kürzesten Abstand von der zweiten Endoberflächeinnerhalb der zweiten Beschnittnut hat, näher an der zweiten Endoberfläche liegt als eine zweite Mittellinie des zweiten Widerstandskörpers in der Längsrichtung des Substrats ist.