DE112020003931T5 - Leistungsmodul - Google Patents

Leistungsmodul Download PDF

Info

Publication number
DE112020003931T5
DE112020003931T5 DE112020003931.5T DE112020003931T DE112020003931T5 DE 112020003931 T5 DE112020003931 T5 DE 112020003931T5 DE 112020003931 T DE112020003931 T DE 112020003931T DE 112020003931 T5 DE112020003931 T5 DE 112020003931T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
drive
control
power semiconductor
layer
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE112020003931.5T
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Onodera
Soichiro TAKAHASHI
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Publication of DE112020003931T5 publication Critical patent/DE112020003931T5/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/142Metallic substrates having insulating layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15Ceramic or glass substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/49Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions wire-like arrangements or pins or rods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5386Geometry or layout of the interconnection structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/39Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L24/40Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/53Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/537Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
    • H02M7/5387Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601Structure
    • H01L2224/0603Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001Core members of the connector
    • H01L2224/37099Material
    • H01L2224/371Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/37124Aluminium [Al] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001Core members of the connector
    • H01L2224/37099Material
    • H01L2224/371Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/37147Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401Disposition
    • H01L2224/40151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401Disposition
    • H01L2224/40151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/40227Connecting the strap to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/4811Connecting to a bonding area of the semiconductor or solid-state body located at the far end of the body with respect to the bonding area outside the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73221Strap and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/645Inductive arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/30107Inductance
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/003Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

Es wird ein Leistungsmodul (1A) bereitgestellt, das Folgendes aufweist: mehrere erste Leistungshalbleiterelemente (40A); erste Steuerschichten (21, 22), die elektrisch mit einer Gate-Elektrode (43) der mehreren ersten Leistungshalbleiterelemente (40A) verbunden sind; erste Ansteuerschichten (23, 24), die elektrisch mit einer Source-Elektrode (42) der mehreren ersten Leistungshalbleiterelemente (40A) verbunden sind; einen ersten Steueranschluss (53A), der elektrisch mit den ersten Steuerschichten (21, 22) verbunden ist; und einen ersten Erfassungsanschluss (54A), der elektrisch mit den ersten Ansteuerschichten (23, 24) verbunden ist. Die erste Steuerschicht (21) und die erste Ansteuerschicht (24) haben jeweils einen ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitt (21b) und einen ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt (24b), die eine Umleitung einrichten, so dass die Summe der Länge eines ersten steuerseitigen leitenden Pfads zwischen der Gate-Elektrode (43) und dem ersten Steueranschluss (53A) bei der Vielzahl erster Leistungshalbleiterelemente (40A) und die Länge eines ersten ansteuerseitigen leitenden Pfads zwischen der Source-Elektrode (42) und dem ersten Erfassungsanschluss (54A) sich einander annähern.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf ein Leistungsmodul.
  • HINTERGRUND
  • Als Beispiel für ein Leistungsmodul ist ein als Wechselrichter konfiguriertes Leistungsmodul bekannt (siehe z. B. Patentdokument 1). Das Leistungsmodul enthält ein Leistungshalbleiterelement wie einen Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) oder einen Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET).
  • DOKUMENT ZUM STAND DER TECHNIK
  • PATENTDOKUMENT
  • Patentdokument 1: Japanische offengelegte Patentveröffentlichung Nr. 2012-38803
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Aufgaben, die mit der Erfindung gelöst werden sollen
  • Wenn ein Leistungsmodul einen hohen Strom bereitstellen soll, kann das Leistungsmodul eine erste Elementgruppe und eine zweite Elementgruppe enthalten, die in Reihe geschaltet sind. Die erste Elementgruppe weist parallel geschaltete Leistungshalbleiterelemente auf. Die zweite Elementgruppe weist parallel geschaltete Leistungshalbleiterelemente auf. Das Leistungsmodul weist einen Steueranschluss auf, von dem aus eine Steuerspannung an die Steueranschlüsse der Leistungshalbleiterelemente der ersten Elementgruppe bereitgestellt wird. Das Leistungsmodul enthält einen weiteren Steueranschluss, von dem aus eine Steuerspannung an die Steueranschlüsse der Leistungshalbleiterelemente der zweiten Elementgruppe bereitgestellt wird. In diesem Fall variieren die Induktivitätswerte zwischen der Steuerelektrode jedes Leistungshalbleiterelements der ersten Elementgruppe und dem Steueranschluss des Leistungsmoduls, z. B. abhängig von der Anordnung der Leistungshalbleiterelemente in der ersten Elementgruppe. Dadurch kommt es zu zeitlichen Schwankungen bei der Aktivierung und Deaktivierung der Leistungshalbleiterelemente, was zu einem instabilen Betrieb führen kann. Das gleiche Problem wie bei den Leistungshalbleiterelementen der ersten Elementgruppe kann auch bei den Leistungshalbleiterelementen der zweiten Elementgruppe auftreten.
  • Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Offenlegung, ein Leistungsmodul anzugeben, das stabil arbeitet.
  • Mittel zur Lösung der Aufgabe
  • Die Aufgabe wird gelöst durch ein Leistungsmodul, aufweisend: ein elektrisch isolierendes Substrat mit einer Substrat-Hauptoberfläche und einer Substrat-Rückseite, die in einer Dickenrichtung in entgegengesetzte Richtungen weisen; eine Montageschicht, eine Steuerschicht und eine Ansteuerschicht, die auf der Substrat-Hauptoberfläche ausgebildet und elektrisch leitend sind; ein Leistungshalbleiterelement, das auf der Montageschicht angebracht ist und eine Elementrückseite und eine Elementhauptoberfläche enthält, wobei das Leistungshalbleiterelement eine erste Ansteuerelektrode, die auf der Elementrückseite ausgebildet und elektrisch mit der Montageschicht verbunden ist, und eine zweite Ansteuerelektrode und eine Steuerelektrode, die auf der Elementhauptoberfläche ausgebildet sind, enthält; ein steuerseitiges Verbindungselement, das die Steuerelektrode mit der Steuerschicht verbindet; ein ansteuerseitiges Verbindungselement, das die zweite Ansteuerelektrode mit der Ansteuerschicht verbindet; einen Steueranschluss, der elektrisch mit der Steuerschicht verbunden ist, und einen Erfassungsanschluss, der elektrisch mit der Ansteuerschicht verbunden ist. Das Leistungshalbleiterelement ist eines von mehreren Leistungshalbleiterelementen, die auf der Montageschicht in einer Richtung aus einer Dickenrichtung gesehen angeordnet sind. Das steuerseitige Verbindungsglied ist eines von mehreren steuerseitigen Verbindungsgliedern, die einem der Leistungshalbleiterelemente entsprechen. Das ansteuerseitige Verbindungsglied ist eines von mehreren ansteuerseitigen Verbindungsgliedern, die je einem der Leistungshalbleiterelemente entsprechen. Ein erster leitender Pfad ist ein Pfad zwischen der Steuerelektrode und dem Steueranschluss. Ein zweiter leitender Pfad ist ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode und dem Erfassungsanschluss. Die Steuerschicht und/oder die Ansteuerschicht weisen einen Umleitungsabschnitt auf, der eine Umleitung einrichtet, um eine Differenz zwischen den mehreren Leistungshalbleiterelementen hinsichtlich einer Summe einer Länge des ersten leitenden Pfads und einer Länge des zweiten leitenden Pfads zu verringern.
  • Die Spannung zwischen dem Steueranschluss und dem Erfassungsanschluss wird als Steuerspannung an die Steuerelektrode angelegt. Der Zeitpunkt, zu dem die Steuerspannung an die Steuerelektrode angelegt wird, wird in Abhängigkeit von der Summe des Induktivitätswerts des ersten leitenden Pfads, der sich von der Steuerelektrode zum Steueranschluss erstreckt, und des Induktivitätswerts des zweiten leitenden Pfads, der sich von der zweiten Ansteuerelektrode zu dem Erfassungsanschluss erstreckt, bestimmt. Der Induktivitätswert des ersten leitenden Pfads bestimmt sich hauptsächlich über dessen Länge. Der Induktivitätswert des zweiten leitenden Pfads bestimmt sich hauptsächlich über dessen Länge. Wenn also die Differenz zwischen den Leistungshalbleiterelementen hinsichtlich der Summe der Länge des ersten leitenden Pfads und der Länge des zweiten leitenden Pfads reduziert wird, werden die Schwankungen in der Summe der Induktivitätswerte zwischen den Leistungshalbleiterelementen reduziert.
  • In dieser Hinsicht ist das vorliegende Leistungsmodul so ausgebildet, dass der Umleitungsabschnitt die Differenz zwischen den Leistungshalbleiterelementen hinsichtlich der Summe der Länge des ersten leitenden Pfads und der Länge des zweiten leitenden Pfads verringert. Infolgedessen wird die Differenz zwischen den Leistungshalbleiterelementen hinsichtlich der Summe der Länge des ersten leitenden Pfads und der Länge des zweiten leitenden Pfads reduziert, wodurch eine Schwankung in der Summe der Induktivitätswerte zwischen den Leistungshalbleiterelementen verringert wird. Dementsprechend werden die zeitlichen Schwankungen bei der Aktivierung und Deaktivierung der Leistungshalbleiterelemente reduziert. Somit wird ein stabiler Betrieb des Leistungsmoduls gewährleistet.
  • Die Aufgabe wird ferner gelöst durch ein Leistungsmodul, aufweisend: ein elektrisch isolierendes Substrat mit einer Substrat-Hauptoberfläche und einer Substrat-Rückseite, die in einer Dickenrichtung in entgegengesetzte Richtungen weisen; eine Montageschicht, eine Steuerschicht und eine Ansteuerschicht, die auf der Substrat-Hauptoberfläche ausgebildet und elektrisch leitend sind; mehrere Leistungshalbleiterelemente, die auf der Montageschicht ausgebildet sind und in einer Richtung aus der Dickenrichtung gesehen angeordnet sind, wobei jedes der Leistungshalbleiterelemente eine Elementrückseite, eine Elementhauptoberfläche, eine erste Ansteuerelektrode, die auf der Elementrückseite ausgebildet und elektrisch mit der Montageschicht verbunden ist, eine zweite Ansteuerelektrode und eine Steuerelektrode, die auf der Elementhauptoberfläche ausgebildet sind, aufweist; mehrere steuerseitige Verbindungsglieder, die in der gleichen Richtung wie eine Anordnungsrichtung der mehreren Leistungshalbleiterelemente angeordnet sind, um die Steuerelektroden der mehreren Leistungshalbleiterelemente mit der Steuerschicht zu verbinden; mehrere ansteuerseitige Verbindungsglieder, die in der gleichen Richtung wie die Anordnungsrichtung der mehreren Leistungshalbleiterelemente angeordnet sind, um die zweiten Ansteuerelektroden der Leistungshalbleiterelemente mit der Ansteuerschicht zu verbinden; einen Steueranschluss, der elektrisch mit der Steuerschicht verbunden ist, und einen Erfassungsanschluss, der elektrisch mit der Ansteuerschicht verbunden ist. Die Leistungshalbleiterelemente weisen ein erstes End-Leistungshalbleiterelement und ein zweites End-Leistungshalbleiterelement auf, die sich in der Anordnungsrichtung an entgegengesetzten Enden befinden. Ein erster steuerseitiger leitender Pfad ist ein Pfad zwischen der Steuerelektrode des ersten End-Leistungshalbleiterelements und dem Steueranschluss. Ein erster ansteuerseitiger leitender Pfad ist ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des ersten End-Leistungshalbleiterelements und dem Erfassungsanschluss. Eine erste Summe ist die Summe einer Länge des ersten steuerseitigen leitenden Pfads und einer Länge des ersten ansteuerseitigen leitenden Pfads. Ein zweiter steuerseitiger leitender Pfad ist ein Pfad zwischen der Steuerelektrode des zweiten End-Leistungshalbleiterelements und dem Steueranschluss. Ein zweiter ansteuerseitiger leitender Pfad ist ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des zweiten End-Leistungshalbleiterelement und dem Erfassungsanschluss. Eine zweite Summe ist die Summe einer Länge des zweiten steuerseitigen leitenden Pfads und einer Länge des zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfads. Die Steuerschicht und/oder die Ansteuerschicht weisen einen Umleitungsabschnitt auf, der die leitenden Pfade umleitet, um eine Differenz zwischen der ersten Summe und der zweiten Summe zu verringern.
  • Die Spannung zwischen dem Steueranschluss und dem Erfassungsanschluss wird als Steuerspannung an die Steuerelektrode angelegt. Der Zeitpunkt, zu dem die Steuerspannung an die Steuerelektrode angelegt wird, wird in Abhängigkeit von der Summe des Induktivitätswerts des leitenden Pfads, der sich von der Steuerelektrode zum Steueranschluss erstreckt, und des Induktivitätswerts des leitenden Pfads, der sich von der zweiten Ansteuerelektrode zum Erfassungsanschluss erstreckt, bestimmt. Der Induktivitätswert des leitenden Pfads zwischen der Steuerelektrode und dem Steueranschluss wird hauptsächlich durch die Länge des leitenden Pfads zwischen der Steuerelektrode und dem Steueranschluss bestimmt. Der Induktivitätswert des leitenden Pfads zwischen der zweiten Ansteuerelektrode und dem Erfassungsanschluss wird hauptsächlich durch die Länge des leitenden Pfads zwischen der zweiten Ansteuerelektrode und dem Erfassungsanschluss bestimmt. Eine Verringerung der Differenz zwischen den Leistungshalbleiterelementen hinsichtlich der Summe der Länge des leitenden Pfads, der sich von der Steuerelektrode zum Steueranschluss erstreckt, und der Länge des leitenden Pfads, der sich von der zweiten Ansteuerelektrode zum Erfassungsanschluss erstreckt, wird daher Schwankungen in der Summe der Induktivitätswerte zwischen den Leistungshalbleiterelementen verringern.
  • Die Differenz in der Länge (Längenunterschied) zwischen dem leitenden Pfad, der sich von der Steuerelektrode zum Steueranschluss erstreckt, und dem leitenden Pfad, der sich von der zweiten Ansteuerelektrode zum Erfassungsanschluss erstreckt, wird als der größte zwischen den Leistungshalbleiterelementen (dem ersten End-Leistungshalbleiterelement und dem zweiten End-Leistungshalbleiterelement), die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der Leistungshalbleiterelemente befinden, angesehen.
  • In dieser Hinsicht weist das vorliegende Leistungsmodul den Umleitungsabschnitt auf, der die Differenz zwischen der ersten Summe, die eine Summe der Länge des ersten endsteuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des ersten endansteuerseitig leitenden Pfads des ersten End-Leistungshalbleiterelements ist, und der zweiten Summe, die eine Summe der Länge des zweiten endsteuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des zweiten endansteuerseitig leitenden Pfads des zweiten End-Leistungshalbleiterelements ist, verringert. Dadurch verringert sich die Differenz zwischen der Summe des Induktivitätswerts in dem ersten endsteuerseitigen leitenden Pfad und dem Induktivitätswert in dem ersten endansteuerseitigen leitenden Pfad und der Summe des Induktivitätswerts in dem zweiten endansteuerseitigen leitenden Pfad und dem Induktivitätswert in dem zweiten endansteuerseitig leitenden Pfad. Dementsprechend werden zeitliche Schwankungen bei der Aktivierung und Deaktivierung des ersten End-Leistungshalbleiterelements und des zweiten End-Leistungshalbleiterelements, die unter den Leistungshalbleiterelementen den größten Unterschied im Induktivitätswert aufweisen, reduziert. Somit wird ein stabiler Betrieb des Leistungsmoduls gewährleistet.
  • Die Aufgabe wird ferner gelöst durch ein Leistungsmodul aufweisend: ein elektrisch isolierendes Substrat mit einer Substrat-Hauptoberfläche und einer Substrat-Rückseite, die in einer Dickenrichtung in entgegengesetzte Richtungen weisen; eine erste Steuerschicht, eine zweite Steuerschicht, eine erste Ansteuerschicht, eine zweite Ansteuerschicht, eine erste Montageschicht, eine zweite Montageschicht und eine leitende Schicht, die auf der Substrat-Hauptoberfläche ausgebildet und elektrisch leitend sind; ein erstes Leistungshalbleiterelement, das auf der ersten Montageschicht angeordnet ist und eine erste Elementrückseite und eine erste Elementhauptoberfläche aufweist, wobei das erste Leistungshalbleiterelement eine erste Ansteuerelektrode, die auf der ersten Elementrückseite ausgebildet und elektrisch mit einem ersten Eingangsanschluss verbunden ist, und eine zweite Ansteuerelektrode und eine Steuerelektrode, die auf der ersten Elementhauptoberfläche ausgebildet sind, aufweist, wobei die zweite Ansteuerelektrode elektrisch mit einem Ausgangsanschluss verbunden ist; ein zweites Leistungshalbleiterelement, das auf der zweiten Montageschicht angeordnet ist und eine zweite Elementrückseite und eine zweite Elementhauptoberfläche aufweist, wobei das zweite Leistungshalbleiterelement eine erste Ansteuerelektrode, die auf der zweiten Elementrückseite ausgebildet und elektrisch mit dem Ausgangsanschluss verbunden ist, und eine zweite Ansteuerelektrode und eine Steuerelektrode, die auf der zweiten Elementhauptoberfläche ausgebildet sind, aufweist, wobei die zweite Ansteuerungselektrode elektrisch mit einem zweiten Eingangsanschluss verbunden ist; ein erstes steuerseitiges Verbindungsglied, das die Steuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements mit der ersten Steuerschicht verbindet; ein erstes ansteuerseitiges Verbindungsglied, das die zweite Ansteuerungselektrode des ersten Leistungshalbleiterelements mit der ersten Ansteuerschicht verbindet; ein zweites steuerseitiges Verbindungsglied, das die Steuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements mit der zweiten Steuerschicht verbindet; ein zweites ansteuerseitiges Verbindungsglied, das die zweite Ansteuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements mit der zweiten Ansteuerschicht verbindet; einen ersten Steueranschluss, der elektrisch mit der ersten Steuerschicht verbunden ist, einen zweiten Steueranschluss, der elektrisch mit der zweiten Steuerschicht verbunden ist, einen ersten Erfassungsanschluss, der elektrisch mit der ersten Ansteuerschicht verbunden ist, und einen zweiten Erfassungsanschluss, der elektrisch mit der zweiten Ansteuerschicht verbunden ist. Das erste Leistungshalbleiterelement ist eines von mehreren ersten Leistungshalbleiterelementen, die auf der ersten Montageschicht in einer Richtung aus der Dickenrichtung gesehen angeordnet sind. Das erste steuerseitige Verbindungsglied ist eines von mehreren ersten steuerseitigen Verbindungsgliedern, die je einem der ersten Leistungshalbleiterelemente entsprechen. Das erste ansteuerseitige Verbindungsglied ist eines von mehreren ersten ansteuerseitigen Verbindungsgliedern, die je einem der ersten Leistungshalbleiterelemente entsprechen. Ein erster leitender Pfad ist ein Pfad zwischen der Steuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements und dem ersten Steueranschluss. Ein zweiter leitender Pfad ist ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements und dem ersten Erfassungsanschluss. Die erste Steuerschicht und/oder die erste Ansteuerschicht weisen einen ersten Umleitungsabschnitt auf, der eine Umleitung einrichtet, um eine Differenz zwischen den ersten Leistungshalbleiterelementen hinsichtlich einer Summe einer Länge des ersten leitenden Pfads und einer Länge des zweiten leitenden Pfads zu verringern.
  • Die Spannung zwischen dem ersten Steueranschluss und dem ersten Erfassungsanschluss wird als Steuerspannung an die Steuerelektrode jedes ersten Leistungshalbleiterelements angelegt. Der Zeitpunkt, zu dem die Steuerspannung an die Steuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements angelegt wird, wird in Abhängigkeit von der Summe des Induktivitätswerts zwischen der Steuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements und dem ersten Steueranschluss und des Induktivitätswerts zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements und dem ersten Erfassungsanschluss bestimmt. Der Induktivitätswert zwischen der Steuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements und dem ersten Steueranschluss wird hauptsächlich durch die Länge des ersten leitenden Pfads bestimmt. Der Induktivitätswert zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements und dem ersten Erfassungsanschluss wird hauptsächlich durch die Länge des zweiten leitenden Pfads bestimmt. Wenn also die Differenz zwischen den ersten Leistungshalbleiterelementen hinsichtlich der Summe der Länge des ersten leitenden Pfads und der Länge des zweiten leitenden Pfads reduziert wird, werden die Schwankungen in der Summe der Induktivitätswerte zwischen den Leistungshalbleiterelementen reduziert.
  • In dieser Hinsicht ist das vorliegende Leistungsmodul so ausgebildet, dass der erste Umleitungsabschnitt die Differenz zwischen den ersten Leistungshalbleiterelementen hinsichtlich der Summe der Länge des ersten leitenden Pfads und der Länge des zweiten leitenden Pfads verringert. Infolgedessen wird die Differenz zwischen den ersten Leistungshalbleiterelementen hinsichtlich der Summe der Länge des ersten leitenden Pfads und der Länge des zweiten leitenden Pfads reduziert, wodurch eine Schwankung in der Summe der Induktivitätswerte zwischen den ersten Leistungshalbleiterelementen verringert wird. Dementsprechend werden die zeitlichen Schwankungen bei der Aktivierung und Deaktivierung der ersten Leistungshalbleiterelemente reduziert. Somit wird ein stabiler Betrieb des Leistungsmoduls gewährleistet.
  • Wirkungen der Erfindung
  • Das oben beschriebene Leistungsmodul arbeitet stabil.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine erste Ausführungsform eines Leistungsmoduls zeigt.
    • 2 ist eine Draufsicht auf das in 1 gezeigte Leistungsmodul.
    • 3 ist eine Seitenansicht des in 1 gezeigten Leistungsmoduls.
    • 4 ist eine Seitenansicht des in 1 gezeigten Leistungsmoduls, gesehen aus einer anderen Richtung als in 3.
    • 5 ist eine Seitenansicht des in 1 gezeigten Leistungsmoduls, gesehen aus einer anderen Richtung als in den 3 und 4.
    • 6 ist eine Ansicht der Unterseite des in 1 gezeigten Leistungsmoduls.
    • 7 ist eine Draufsicht, die einen inneren Aufbau (Struktur) des in 1 dargestellten Leistungsmoduls zeigt.
    • 8 ist ein Schaltungsdiagramm, das eine Schaltungsanordnung des in 1 gezeigten Leistungsmoduls zeigt.
    • 9 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie 9-9 in 7.
    • 10 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie 10-10 in 7.
    • 11 ist eine vergrößerte Teilansicht von 7.
    • 12 ist eine vergrößerte Teilansicht von 7.
    • 13 ist eine vergrößerte Teilansicht von 7.
    • 14 ist eine vergrößerte Teilansicht von 7.
    • 15 ist eine vergrößerte Teilansicht von 14.
    • 16 ist eine vergrößerte Teilansicht von 14.
    • 17 ist eine vergrößerte Teilansicht von 7.
    • 18 ist eine vergrößerte Teilansicht von 17.
    • 19 ist eine vergrößerte Teilansicht von 17.
    • 20 ist eine Draufsicht, die einen inneren Aufbau eines Vergleichsbeispiels eines Leistungsmoduls zeigt.
    • 21 ist eine vergrößerte Teilansicht von 20.
    • 22 ist eine vergrößerte Teilansicht von 20.
    • 23 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen jedem Leistungshalbleiterelement und dem Induktivitätswert des Leistungshalbleiterelements im Leistungsmodul der ersten Ausführungsform und dem Leistungsmodul des Vergleichsbeispiels zeigt.
    • 24 ist ein Diagramm, das ein Beispiel für die an die Gate-Elektrode eines bestimmten Leistungshalbleiterelements im Leistungsmodul des Vergleichsbeispiels angelegte Spannung zeigt.
    • 25 ist ein Diagramm, das ein Beispiel für die an die Gate-Elektrode eines bestimmten Leistungshalbleiterelements im Leistungsmodul der vorliegenden Ausführungsform angelegte Spannung zeigt.
    • 26 ist eine Draufsicht auf den inneren Aufbau einer zweiten Ausführungsform eines Leistungsmoduls.
    • 27 ist eine vergrößerte Teilansicht von 26.
    • 28 ist eine vergrößerte Teilansicht von 27.
    • 29 ist eine vergrößerte Teilansicht von 27.
    • 30 ist eine vergrößerte Teilansicht von 26.
    • 31 ist eine vergrößerte Teilansicht von 30.
    • 32 ist eine vergrößerte Teilansicht von 30.
    • ist ein Schaltungsdiagramm eines Drei-Phasen-Wechselrichters, an den ein Leistungsmodul angeschlossen ist.
    • 34 ist ein Schaltungsdiagramm eines Drei-Phasen-Wechselrichters, an den ein Leistungsmodul angeschlossen ist.
    • 35 ist eine teilweise vergrößerte Draufsicht, die den inneren Aufbau eines modifizierten Beispiels eines Leistungsmoduls zeigt.
    • 36 ist eine teilweise vergrößerte Draufsicht, die den inneren Aufbau eines modifizierten Beispiels eines Leistungsmoduls zeigt.
    • 37 ist eine teilweise vergrößerte Draufsicht, die den inneren Aufbau eines modifizierten Beispiels eines Leistungsmoduls zeigt.
    • 38 ist eine teilweise vergrößerte Draufsicht, die den inneren Aufbau eines modifizierten Beispiels eines Leistungsmoduls zeigt.
    • ist eine Draufsicht auf ein erstes Leistungshalbleiterelement in einem modifizierten Beispiel eines Leistungsmoduls.
  • AUSFÜHRUNGSFORMEN DER ERFINDUNG
  • Im Folgenden werden Ausführungsformen eines Leistungsmoduls unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Die nachstehend beschriebenen Ausführungsformen sind Beispiele für Konfigurationen und Methoden zur Umsetzung eines technischen Konzepts und sollen nicht dazu dienen, Material, Form, Struktur, Anordnung, Abmessungen und dergleichen der einzelnen Komponenten auf die nachstehend beschriebenen zu beschränken. Die im Folgenden beschriebenen Ausführungsformen können auf vielfältige Weise verändert werden.
  • Erste Ausführungsform
  • Eine erste Ausführungsform eines Leistungsmoduls 1A wird nun unter Bezugnahme auf die 1 bis 25 beschrieben.
  • Die 1 bis 6 zeigen die äußeren Formen des Leistungsmoduls 1A. 7 zeigt den inneren Aufbau des Leistungsmoduls 1A. Der Einfachheit halber sind ein Gehäuse 80 und Anschlüsse („terminals“) 50 in 9 nicht dargestellt.
  • Wie in den 1 bis 7 gezeigt, weist das Leistungsmodul 1A hauptsächlich das Gehäuse 80 und ein Substrat 10, Verbindungselemente 30, Leistungshalbleiterelemente 40, die Anschlüsse 50, ein Verkapselungsharz 60 (siehe 10) und eine Wärmeableitungsplatte 70, die in dem Gehäuse 80 untergebracht sind, auf. Das Leistungsmodul 1A kann einen Strom von z. B. 300 A oder mehr und 1000 A oder weniger liefern. Das Verkapselungsharz 60 ist in 7 aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht dargestellt. Wie in den 1 bis 7 dargestellt, sind das Substrat 10, die Verbindungselemente 30, die Leistungshalbleiterelemente 40 und das Verkapselungsharz 60 in der Wärmeableitungsplatte 70 und dem Gehäuse 80 untergebracht und nach außen hin nicht sichtbar. Die Anschlüsse 50 sind im Gehäuse 80 untergebracht und stehen teilweise frei oder ragen aus dem Gehäuse 80 heraus. Das Leistungsmodul 1A wird z. B. in einem Wechselrichter verwendet. Wie in den 1, 2 und 7 gezeigt, ist das Leistungsmodul 1A in Dickenrichtung des Substrats 10 („Dickenrichtung“) gesehen (im Folgenden als „Draufsicht“ bezeichnet) rechteckig. Der Kürze halber wird eine Richtung, die sich in Dickenrichtung des Substrats 10 erstreckt, als „die Dickenrichtung Z“ (Höhe) bezeichnet, und zwei Richtungen, die orthogonal zueinander und orthogonal zur Dickenrichtung Z sind, werden als „die Längsrichtung X“ (Breite) und „die Querrichtung Y“ (Tiefe) bezeichnet. In der vorliegenden Ausführungsform hat das Leistungsmodul 1A eine Langseitenrichtung, die mit der Längsrichtung X übereinstimmt, und eine Kurzseitenrichtung, die mit der Querrichtung Y übereinstimmt.
  • 8 zeigt die Schaltungsanordnung des Leistungsmoduls 1A gemäß der vorliegenden Ausführungsform. Das Leistungsmodul 1A weist eine erste Leistungshalbleiterelementgruppe 40AT mit ersten Leistungshalbleiterelementen 40A und eine zweite Leistungshalbleiterelementgruppe 40BT mit zweiten Leistungshalbleiterelementen 40B auf. Die ersten Leistungshalbleiterelemente 40A und die zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B sind die Leistungshalbleiterelemente 40. Der Einfachheit halber ist in 8 ein einzelnes erstes Leistungshalbleiterelement 40A als erste Leistungshalbleiterelementgruppe 40AT und ein einzelnes zweites Leistungshalbleiterelement 40B als zweite Leistungshalbleiterelementgruppe 40BT dargestellt.
  • Jedes der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A in der ersten Leistungshalbleiterelementgruppe 40AT und der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B in der zweiten Leistungshalbleiterelementgruppe 40BT wird als Schaltelement verwendet. Jedes der Leistungshalbleiterelemente 40A und 40B ist z. B. ein Transistor aus Si (Silizium), SiC (Siliziumkarbid), GaN (Galliumnitrid) oder GaAs (Galliumarsenid) oder Ga2O3 (Galliumoxid). Wenn die Leistungshalbleiterelemente 40A und 40B aus SiC sind, sind sie für Hochgeschwindigkeitsschaltungen geeignet. In der vorliegenden Ausführungsform ist jedes der Leistungshalbleiterelemente 40A und 40B ein N-Kanal-MOSFET aus SiC. Die Leistungshalbleiterelemente 40A und 40B sind nicht auf MOSFETs beschränkt und können Feldeffekttransistoren, einschließlich Metall-Isolator-Halbleiter-FETs (MISFET), oder bipolare Transistoren, einschließlich IGBTs, sein. Jedes der Leistungshalbleiterelemente 40A und 40B kann auch ein N-Kanal-MOSFET oder ein P-Kanal-MOSFET sein.
  • Jedes der Leistungshalbleiterelemente 40A und 40B weist eine Drain-Elektrode 41, eine Source-Elektrode 42 und eine Gate-Elektrode 43 auf. Jedes der Leistungshalbleiterelemente 40A und 40B kann auch eine Body-Diode (Körperdiode) 44 aufweisen. Obwohl in 8 nicht dargestellt, sind die ersten Leistungshalbleiterelemente 40A in der ersten Leistungshalbleiterelementgruppe 40AT parallel zueinander geschaltet. Genauer gesagt, sind die Drain-Elektroden 41 der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A miteinander verbunden, und die Source-Elektroden 42 der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A sind miteinander verbunden. Außerdem sind die zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B in der zweiten Leistungshalbleiterelementgruppe 40BT parallel zueinander geschaltet. Genauer gesagt, sind die Drain-Elektroden 41 der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B miteinander verbunden, und die Source-Elektroden 42 der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B sind miteinander verbunden. Die erste Leistungshalbleiterelementgruppe 40AT ist mit der zweiten Leistungshalbleiterelementgruppe 40BT in Reihe geschaltet. Genauer gesagt ist die Source-Elektrode 42 der ersten Leistungshalbleiterelementgruppe 40AT (die Source-Elektroden 42 der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A) elektrisch mit der Drain-Elektrode 41 der zweiten Leistungshalbleiterelementgruppe 40BT (die Drain-Elektroden 41 der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B) verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform weist das Leistungsmodul 1A somit eine Wechselrichterschaltung auf. Die erste Leistungshalbleiterelementgruppe 40AT bildet einen oberen Arm, und die zweite Leistungshalbleiterelementgruppe 40BT bildet einen unteren Arm.
  • Die Drain-Elektrode 41, die Source-Elektrode 42 und die Gate-Elektrode 43 jedes der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A in der ersten Leistungshalbleiterelementgruppe 40AT und der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B in der zweiten Leistungshalbleiterelementgruppe 40BT sind mit den Anschlüssen 50 verbunden.
  • Wie in den 1, 2 und 8 gezeigt, weisen die Anschlüsse 50 einen ersten Eingangsanschluss 51A, einen zweiten Eingangsanschluss 51B, einen ersten Ausgangsanschluss 52A, einen zweiten Ausgangsanschluss 52B, einen ersten Steueranschluss 53A, einen zweiten Steueranschluss 53B, einen ersten Erfassungsanschluss 54A, einen zweiten Erfassungsanschluss 54B, einen Leistungsstromversorgungsanschluss 55 und zwei Temperaturerfassungsanschlüsse 56 auf. Die beiden Temperaturerfassungsanschlüsse 56 sind nicht elektrisch mit den Leistungshalbleiterelementen 40A und 40B verbunden und in 8 der Einfachheit halber nicht dargestellt.
  • Der erste Eingangsanschluss 51A ist elektrisch mit der Drain-Elektrode 41 der ersten Leistungshalbleiterelementgruppe 40AT verbunden. Genauer gesagt, ist der erste Eingangsanschluss 51A elektrisch mit der Drain-Elektrode 41 jedes der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A verbunden. Der zweite Eingangsanschluss 51B ist elektrisch mit der Source-Elektrode 42 der zweiten Leistungshalbleiterelementgruppe 40BT verbunden. Genauer gesagt, ist der zweite Eingangsanschluss 51B elektrisch mit der Source-Elektrode 42 jedes der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B verbunden. Jeder der Ausgangsanschlüsse 52A und 52B ist elektrisch mit einem Knoten N1 zwischen der Source-Elektrode 42 der ersten Leistungshalbleiterelementgruppe 40AT und der Drain-Elektrode 41 der zweiten Leistungshalbleiterelementgruppe 40BT verbunden. Genauer gesagt, ist jeder der Ausgangsanschlüsse 52A und 52B elektrisch mit dem Knoten N1 zwischen den Source-Elektroden 42 der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A und den Drain-Elektroden 41 der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B verbunden. Der erste Steueranschluss 53A ist elektrisch mit der Gate-Elektrode 43 der ersten Leistungshalbleiterelementgruppe 40AT verbunden. Genauer gesagt, ist der erste Steueranschluss 53A elektrisch mit der Gate-Elektrode 43 jedes der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A verbunden. Der zweite Steueranschluss 53B ist elektrisch mit der Gate-Elektrode 43 der zweiten Leistungshalbleiterelementgruppe 40BT verbunden. Genauer gesagt, ist der zweite Steueranschluss 53B elektrisch mit der Gate-Elektrode 43 jedes der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B verbunden. Der erste Erfassungsanschluss 54A ist elektrisch mit der Source-Elektrode 42 der ersten Leistungshalbleiterelementgruppe 40AT verbunden. Genauer gesagt, ist der erste Erfassungsanschluss 54A elektrisch mit der Source-Elektrode 42 jedes der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A verbunden. Der zweite Erfassungsanschluss 54B ist elektrisch mit der Source-Elektrode 42 der zweiten Leistungshalbleiterelementgruppe 40BT verbunden. Genauer gesagt, ist der zweite Erfassungsanschluss 54B elektrisch mit der Source-Elektrode 42 jedes der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B verbunden. Der Leistungsstromversorgungsanschluss 55 ist elektrisch mit einem Knoten N2 zwischen der Drain-Elektrode 41 der ersten Leistungshalbleiterelementgruppe 40AT und dem ersten Eingangsanschluss 51A verbunden. Genauer gesagt, ist der Leistungsstromversorgungsanschluss 55 elektrisch mit dem Knoten N2 zwischen der Drain-Elektrode 41 jedes der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A und dem ersten Eingangsanschluss 51A verbunden. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind die Steueranschlüsse 53A und 53B, die Erfassungsanschlüsse 54A und 54B, der Leistungsstromversorgungsanschluss 55 und die beiden Temperaturerfassungsanschlüsse 56 elektrisch mit einer Steuerschaltung (nicht dargestellt) verbunden, die außerhalb des Leistungsmoduls 1A angeordnet ist.
  • Wie in den 1 und 2 gezeigt, sind die oben beschriebenen Anschlüsse 51A, 51B, 52A, 52B, 53A, 53B, 54A, 54B, 55 und 56 in dem Gehäuse 80 angeordnet.
  • Wie in den 1, 2 und 7 gezeigt, ist das Gehäuse 80 in der Draufsicht rahmenförmig und umgibt das Substrat 10, die Verbindungsglieder 30 und die Leistungshalbleiterelemente 40. Das Gehäuse 80 kann z. B. aus einem elektrisch isolierenden Kunstharz mit hoher Wärmebeständigkeit wie Polyphenylensulfid (PPS) hergestellt sein. Das Gehäuse 80 weist zwei Seitenwände 81A und 81B, zwei Anschlusssitze 82A und 82B, Befestigungsabschnitte 83, Stromanschlusshalterungen 84 und Ausgangsanschlusshalterungen 85.
  • Wie in den 2, 6 und 7 gezeigt, sind die beiden Seitenwände 81A und 81B in der Draufsicht in der Querrichtung Y voneinander getrennt und erstrecken sich in der Längsrichtung X. Wie in den 3 und 5 gezeigt, erstrecken sich die beiden Seitenwände 81A und 81B in einer Seitenansicht in der Dickenrichtung Z. Wie in den 2 und 7 gezeigt, sind der erste Steueranschluss 53A, der erste Erfassungsanschluss 54A, der Leistungsstromversorgungsanschluss 55 und die beiden Temperaturerfassungsanschlüsse 56 in der Seitenwand 81A angeordnet. Der erste Steueranschluss 53A, der erste Erfassungsanschluss 54A, der Leistungsstromversorgungsanschluss 55 und die beiden Temperaturerfassungsanschlüsse 56 werden von der Seitenwand 81A gestützt. Wie in den 1 und 3 gezeigt, stehen der erste Steueranschluss 53A, der erste Erfassungsanschluss 54A, der Leistungsstromversorgungsanschluss 55 und die beiden Temperaturerfassungsanschlüsse 56 von der Seitenwand 81A in Dickenrichtung Z hervor. Wie in den 2 und 7 gezeigt, sind der zweite Steueranschluss 53B und der zweite Erfassungsanschluss 54B in der Seitenwand 81B angeordnet. Der zweite Steueranschluss 53B und der zweite Erfassungsanschluss 54B werden von der Seitenwand 81B gestützt. Wie in den 1 und 3 gezeigt, stehen der zweite Steueranschluss 53B und der zweite Erfassungsanschluss 54B in der Dickenrichtung Z aus der Seitenwand 81B hervor. Die Steueranschlüsse 53A und 53B, die Erfassungsanschlüsse 54A und 54B, der Leistungsstromversorgungsanschluss 55 und die beiden Temperaturerfassungsanschlüsse 56 sind jeweils aus einem Metallstift, z.B. aus Kupfer (Cu), gebildet. Die Oberfläche des Metallstifts ist mit Zinn (Sn) beschichtet. Zwischen der Oberfläche des Metallstifts und der Verzinnung kann eine Vernickelung aufgebracht werden. Die Steueranschlüsse 53A und 53B, die Erfassungsanschlüsse 54A und 54B, der Leistungsstromversorgungsanschluss 55 und die beiden Temperaturerfassungsanschlüsse 56 sind z.B. identisch geformt und in einem Beispiel L-förmig, um einen ersten Teil zu haben, der sich in der Querrichtung Y erstreckt, und einen zweiten Teil zu haben, der sich in der Dickenrichtung Z erstreckt.
  • Wie in 7 gezeigt, sind die beiden Anschlusssitze 82A und 82B mit gegenüberliegenden Enden jeder der beiden Seitenwände 81A und 81B in der Längsrichtung X verbunden. Die beiden Seitenwände 81A und 81B und die beiden Anschlusssitze 82A und 82B bilden die Form eines Rahmens, der das Substrat 10, die Verbindungsglieder 30 und die Leistungshalbleiterelemente 40 umgibt. Die beiden Anschlusssitze 82A und 82B sind in der Längsrichtung X voneinander getrennt. Die Stromanschlusshalterungen 84 sind mit dem Anschlusssitz 82A verbunden und ragen vom Anschlusssitz 82A in der Längsrichtung X nach außen. Die Ausgangsanschlusshalterungen sind mit Anschlusssitz 82B verbunden und ragen vom Anschlusssitze 82B in Längsrichtung X nach außen.
  • Wie in den 2, 4 und 7 gezeigt, weisen die Stromanschlusshalterungen 84 eine erste Anschlusshalterung 84A und eine zweite Anschlusshalterung 84B auf. Die erste Anschlusshalterung 84A und die zweite Anschlusshalterung 84B sind in der Längsrichtung X ausgerichtet und in der Querrichtung Y angeordnet. Ein Abschnitt des ersten Eingangsanschlusses 51A ist an der ersten Anschlusshalterung 84A angeordnet. Die erste Anschlusshalterung 84A stützt den Teil des ersten Eingangsanschlusses 51A. Ein Teil des zweiten Eingangsanschlusses 51B ist auf der zweiten Anschlusshalterung 84B angeordnet. Die zweite Anschlusshalterung 84B trägt den Teil des zweiten Eingangsanschlusses 51B. Wie in 7 gezeigt, ist eine Mutter 84N in der ersten Anschlusshalterung 84A angeordnet. Wie in 7 gezeigt, ist in der zweiten Anschlusshalterung 84B eine Mutter 84N in der gleichen Weise wie in der ersten Anschlusshalterung 84A angeordnet.
  • Wie in 7 dargestellt, sind der erste Eingangsanschluss 51A und der zweite Eingangsanschluss 51B in der Draufsicht symmetrisch zueinander. Jeder der Eingangsanschlüsse 51A und 51B weist einen freiliegenden Abschnitt 51a, der zur Außenseite des Leistungsmoduls 1A hin freiliegt, Verbindungsabschnitte 51b, die elektrisch mit den Leistungshalbleiterelementen 40A und 40B verbunden sind, und einen Zusammenfügeabschnitt 51c, der den freiliegenden Abschnitt 51a mit den Verbindungsabschnitten 51b verbindet, auf. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist jeder der Eingangsanschlüsse 51A und 51B ein einteiliges Bauteil, bei dem der freiliegende Abschnitt 51a, die Verbindungsabschnitte 51b und der Zusammenfügeabschnitt 51c einstückig ausgebildet sind. Der freiliegende Abschnitt 51a hat ein Durchgangsloch 51d, das sich durch den freiliegenden Abschnitt 51a in Dickenrichtung Z erstreckt. Bei Betrachtung des ersten Eingangsanschlusses 51A in der Querrichtung Y, d.h. in einer Seitenansicht, ist der erste Eingangsanschluss 51A stufenförmig ausgebildet. Der freiliegende Abschnitt 51a des ersten Eingangsanschlusses 51A wird von der ersten Anschlusshalterung 84A gestützt. Der freiliegende Abschnitt 51a des zweiten Eingangsanschlusses 51B wird von der zweiten Anschlusshalterung 84B gestützt. Wie in 7 gezeigt, ist das Durchgangsloch 51d in dem freiliegenden Abschnitt 51a des ersten Eingangsanschlusses 51A in Übereinstimmung mit der Mutter 84N der ersten Anschlusshalterung 84A angeordnet. Das Durchgangsloch 51d ist in dem freiliegenden Abschnitt 51a des zweiten Eingangsanschlusses 51B in Übereinstimmung mit der Mutter 84N der zweiten Anschlusshalterung 84B angeordnet. Die Verbindungsabschnitte 51b sind in der Querrichtung Y voneinander getrennt.
  • Wie in den 2, 5 und 7 gezeigt, weisen die Ausgangsanschlusshalterungen 85 eine erste Anschlusshalterung 85A und eine zweite Anschlusshalterung 85B auf. Die erste Anschlusshalterung 85A und die zweite Anschlusshalterung 85B sind in der Längsrichtung X ausgerichtet und in der Querrichtung Y angeordnet. Ein Abschnitt des ersten Ausgangsanschlusses 52A ist an der ersten Anschlusshalterung 85A angeordnet. Die erste Anschlusshalterung 85A stützt den Teil des ersten Ausgangsanschlusses 52A. Ein Teil des zweiten Ausgangsanschlusses 52B ist auf der zweiten Anschlusshalterung 85B angeordnet. Die zweite Anschlusshalterung 85B stützt den Teil des zweiten Ausgangsanschlusses 52B. Wie in 7 gezeigt, ist eine Mutter 85N in der ersten Anschlusshalterung 85A angeordnet. Wie in 7 gezeigt, ist in der zweiten Anschlusshalterung 85B auf die gleiche Weise wie in der ersten Anschlusshalterung 85A eine Mutter 85N angeordnet.
  • Wie in 7 gezeigt, sind der erste Ausgangsanschluss 52A und der zweite Ausgangsanschluss 52B in der Draufsicht symmetrisch zueinander. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind die Ausgangsanschlüsse 52A und 52B in ihrer Form mit den Eingangsanschlüssen 51A und 51B identisch. Jeder der Ausgangsanschlüsse 52A und 52B weist einen freiliegenden Abschnitt 52a, der zur Außenseite des Leistungsmoduls 1A hin freiliegt, Verbindungsabschnitte 52b, die elektrisch mit den Leistungshalbleiterelementen 40A und 40B verbunden sind, und einen Zusammenfügeabschnitt 52c, der den freiliegenden Abschnitt 52a mit den Verbindungsabschnitten 52b verbindet, auf. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist jeder der Ausgangsanschlüsse 52A und 52B ein einteiliges Bauteil, bei dem der freiliegende Abschnitt 52a, die Verbindungsabschnitte 52b und der Zusammenfügeabschnitt 52c einstückig ausgebildet sind. Der freiliegende Abschnitt 52a hat ein Durchgangsloch 52d, das sich durch den freiliegenden Abschnitt 52a in Dickenrichtung Z erstreckt. Bei Betrachtung des ersten Ausgangsanschlusses 52A in der Querrichtung Y, d. h. in einer Seitenansicht, ist der erste Ausgangsanschluss 52A stufenförmig ausgebildet. Der freiliegende Abschnitt 52a des ersten Ausgangsanschlusses 52A wird von der ersten Anschlusshalterung 85A gestützt. Der freiliegende Abschnitt 52a des zweiten Ausgangsanschlusses 52B wird von der zweiten Anschlusshalterung 85B gestützt. Wie in 7 gezeigt, ist das Durchgangsloch 52d in dem freiliegenden Abschnitt 52a des ersten Ausgangsanschlusses 52A in Übereinstimmung mit der Mutter 85N der ersten Anschlusshalterung 85A angeordnet. Das Durchgangsloch 52d ist in dem freiliegenden Abschnitt 52a des zweiten Ausgangsanschlusses 52B in Übereinstimmung mit der Mutter 85N der zweiten Anschlusshalterung 85B angeordnet. Die Verbindungsabschnitte 52b sind in der Querrichtung Y voneinander getrennt.
  • Wie in den 3 und 6 gezeigt, ist die Wärmeableitungsplatte 70 an dem Gehäuse 80 befestigt, um ein Ende einer Öffnung in dem Gehäuse 80 zu schließen, das in Dickenrichtung Z offen ist. In diesem Fall kann die Oberfläche der Metallplatte mit Nickel beschichtet sein. Wie in 9 gezeigt, weist die Wärmeableitungsplatte 70 eine Wärmeableitungshauptoberfläche 70s und eine Wärmeableitungsrückseite 70r auf, die in der Dickenrichtung Z in entgegengesetzte Richtungen weisen. Wie in 6 in der Draufsicht gezeigt, weisen die vier Ecken der Wärmeableitungsplatte 70 Stützlöcher 71 auf, die sich in Dickenrichtung Z durch die Wärmeableitungsplatte 70 erstrecken.
  • Wie in den 2 und 7 dargestellt, sind die Befestigungsabschnitte 83 in der Draufsicht an den vier Ecken des Gehäuses 80 angeordnet. Jeder der Befestigungsabschnitte 83 hat ein Befestigungsloch 83a, das sich durch den Befestigungsabschnitt 83 in Dickenrichtung Z erstreckt. In Dickenrichtung Z gesehen, sind die Befestigungsabschnitte 83 so angeordnet, dass sie die vier Ecken der Wärmeableitungsplatte 70 überlappen. Die Befestigungslöcher 83a entsprechen also den Stützlöchern 71 in der Wärmeableitungsplatte 70 (siehe 6). Wenn Befestigungselemente wie z. B. Stifte in die Befestigungslöcher 83a und die Stützlöcher 71 eingesetzt werden, wird die Wärmeableitungsplatte 70 vom Gehäuse 80 gestützt.
  • Wie in den 1 und 2 gezeigt, weist das Gehäuse 80 eine obere Platte 86 auf. Die obere Platte 86 verschließt einen inneren Bereich des Leistungsmoduls 1A, der durch die Wärmeableitungsplatte 70, die beiden Seitenwände 81A und 81B und die beiden Klemmensitze 82A und 82B definiert (begrenzt) ist. Wenn die obere Platte 86 von den beiden Seitenwänden 81A und 81B gestützt wird, ist die obere Platte 86 von der Wärmeableitungsplatte 70 und dem Substrat 10 in Dickenrichtung Z getrennt.
  • Der innere Bereich des Leistungsmoduls 1A wird nun unter Bezugnahme auf die 7 und 9 bis 19 im Detail beschrieben. In den 15, 16, 18 und 19 sind die doppelt gestrichelten Linien Hilfslinien, die die Lagebeziehung zwischen jeder Steuerschicht und jeder Ansteuerschicht definieren.
  • Wie in den 7 und 10 gezeigt, ist der innere Bereich des Leistungsmoduls 1A ein offener Bereich, der von den beiden Seitenwänden 81A und 81B und den beiden Anschlusssitzen 82A und 82B des Gehäuses 80 umgeben ist. Die Wärmeableitungsplatte 70 verschließt ein Ende des offenen Bereichs in Dickenrichtung Z. Der innere Bereich nimmt das Substrat 10, die Verbindungselemente 30, die Leistungshalbleiterelemente 40 und das Verkapselungsharz 60 (in 7 nicht dargestellt) auf.
  • Wie in 10 dargestellt, ist das Verkapselungsharz 60 aus einem elektrisch isolierenden Harzmaterial und füllt den inneren Bereich aus, der von der Wärmeabgabeplatte 70 und der oberen Platte 86 abgeschlossen wird. Das Verkapselungsharz 60 verkapselt das Substrat 10, die Verbindungselemente 30 und die Leistungshalbleiterelemente 40.
  • Wie in 9 gezeigt, ist das Substrat 10 mit der Wärmeableitungshauptoberfläche 70s der Wärmeableitungsplatte 70 verbunden, z. B. durch ein Verbindungsmaterial wie Silber (Ag)-Paste oder Lot. Das Verbindungsmaterial ist nicht auf ein leitfähiges Verbindungsmaterial wie Ag-Paste oder Lot beschränkt und kann auch elektrisch isolierend sein. Wie in 7 dargestellt, weist das Substrat 10 ein erstes Substrat 11 und ein zweites Substrat 12 auf. Das erste Substrat 11 und das zweite Substrat 12 sind in der Querrichtung Y ausgerichtet und in der Längsrichtung X voneinander getrennt. Das erste Substrat 11 im inneren Bereich zu den Eingangsanschlüssen 51A und 51B hin in der Längsrichtung X angeordnet. Das zweite Substrat 12 ist im inneren Bereich zu den Ausgangsanschlüssen 52A und 52B hin in der Längsrichtung X angeordnet. Wie in 10 gezeigt, weist das erste Substrat 11 eine erste Substrat-Hauptoberfläche 11s und eine erste Substrat-Rückseite 11r auf, die in der Dickenrichtung Z in entgegengesetzte Richtungen weisen. Das zweite Substrat 12 weist eine zweite Substrat-Hauptoberfläche 12s und eine zweite Substrat-Rückseite 12r auf, die in der Dickenrichtung Z in entgegengesetzte Richtungen weisen.
  • Jedes der Substrate 11 und 12 ist ein elektrisch isolierendes Glied mit einer Montageschicht und einer leitenden Schicht. Die Montageschicht dient zur Befestigung der Leistungshalbleiterelemente 40 auf den Substraten 11 und 12. Die leitende Schicht dient der elektrischen Verbindung mit den Leistungshalbleiterelementen 40. Das Material, aus dem die Substrate 11 und 12 sind, kann eine Keramik mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit sein. Eine solche Keramik ist zum Beispiel AIN (Aluminiumnitrid). Bei jedem der Substrate 11 und 12 kann es sich um ein DBC-(engl.: Direct Bonding Copper)-Substrat handeln, bei dem eine Cu-Folie auf die Substrat-Hauptoberfläche 11s und 12s bzw. die Substrat-Rückseite 11r und 12r geklebt ist. Wenn ein DBC-Substrat verwendet wird, lassen sich die Montageschicht und die leitende Schicht leicht durch Strukturierung der Kupferfolie bilden, die mit den Substrat-Hauptoberflächen 11s und 12s verbunden ist. Darüber hinaus kann die Kupferfolie, die mit jeder der Substratrückseiten 11r und 12r verbunden ist, als wärmeleitende Schicht verwendet werden.
  • Wie in den 7 und 11 gezeigt, ist das erste Substrat 11 in der Draufsicht rechteckig, so dass sich die langen Seiten in der Längsrichtung X und die kurzen Seiten in der Querrichtung Y erstrecken. Wie in 11 gezeigt, weist das erste Substrat 11 hauptsächlich eine erste Substratseitenfläche 11a, eine zweite Substratseitenfläche 11b, eine dritte Substratseitenfläche 11c und eine vierte Substratseitenfläche 11d auf. Die erste Substrat-Seitenfläche 11a und die zweite Substrat-Seitenfläche 11b weisen in der Querrichtung Y in entgegengesetzte Richtungen und erstrecken sich in der Längsrichtung X. Die erste Substrat-Seitenfläche 11a ist eine Seitenfläche des ersten Substrats 11, die sich auf der Seite der Seitenwand 81A befindet. Die zweite Substrat-Seitenfläche 11b ist eine Seitenfläche des ersten Substrats 11, die sich auf der Seite der Seitenwand 81B befindet. Die dritte Substrat-Seitenfläche 11c und die vierte Substrat-Seitenfläche 11d sind in der Längsrichtung X in entgegengesetzte Richtungen gerichtet und erstrecken sich in der Querrichtung Y. Die dritte Substrat-Seitenfläche 11c ist eine Seitenfläche des ersten Substrats 11, die sich auf der Seite des Anschlusssitzes 82A befindet. Die vierte Substrat-Seitenfläche 11d ist eine Seitenfläche des ersten Substrats 11, die sich auf der Seite des Anschlusssitzes 82B befindet (siehe 7).
  • Wie in 11 gezeigt, sind auf der ersten Substrat-Hauptoberfläche 11s des ersten Substrats 11 eine erste Montageschicht 13A, eine zweite Montageschicht 14A, eine leitende Schicht 15A, eine erste Steuerschicht 21, eine zweite Steuerschicht 25, eine erste Ansteuerschicht 23, eine zweite Ansteuerschicht 27 und eine Thermistor-Montageschicht 16 angeordnet.
  • Die erste Montageschicht 13A, die zweite Montageschicht 14A und die leitende Schicht 15A sind in der Querrichtung Y voneinander getrennt. Die erste Montageschicht 13A befindet sich näher an der Seite der ersten Substrat-Seitenfläche 11a des ersten Substrats 11 als die zweite Montageschicht 14A und die leitende Schicht 15A in der Querrichtung Y. Die leitende Schicht 15A befindet sich näher an der Seite der zweiten Substrat-Seitenfläche 11b des ersten Substrats 11 als die erste Montageschicht 13A und die zweite Montageschicht 14A in der Querrichtung Y. Die zweite Montageschicht 14A befindet sich zwischen der ersten Montageschicht 13A und der leitenden Schicht 15A in der Querrichtung Y.
  • Die erste Montageschicht 13A weist einen Hauptbefestigungsabschnitt 13a, einen anschlussseitigen Verbindungsabschnitt 13b und einen Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13c auf. Der Hauptmontageabschnitt 13a ist bandförmig und erstreckt sich in der Längsrichtung X. Der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 13b ist an einem Ende des Hauptmontageabschnitts 13a in der Längsrichtung X ausgebildet, welches sich auf der Seite der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 befindet. Der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13c ist an einem Ende des Hauptbefestigungsabschnitts 13a in der Längsrichtung X ausgebildet, welches sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die erste Montageschicht 13A ein einteiliges Element, in dem der Hauptmontageabschnitt 13a, der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 13b und der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13c einstückig ausgebildet sind. Der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 13b erstreckt sich in der Querrichtung Y und steht von gegenüberliegenden Enden des Hauptmontageabschnitts 13a in der Querrichtung Y ab. Der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 13b ist benachbart zu dem Anschlusssitz 82A (siehe 7), d.h. dem ersten Eingangsanschluss 51A, in der Längsrichtung X angeordnet. Die Verbindungsabschnitte 51b des ersten Eingangsanschlusses 51A sind mit dem anschlussseitigen Verbindungsabschnitt 13b verbunden. Die Breitenabmessung des Hauptmontageabschnitts 13a (Abmessung des Hauptmontageabschnitts 13a in der Querrichtung Y) ist größer als die Breitenabmessung der ersten Steuerschicht 21 (Abmessung in einer Richtung orthogonal zur Erstreckungsrichtung der ersten Steuerschicht 21 in der Draufsicht) und ist auch größer als die Breitenabmessung der ersten Ansteuerschicht 23 (Abmessung der ersten Ansteuerschicht 23 in der Querrichtung Y). Die Breitenabmessung des Hauptmontageabschnitts 13a ist größer als oder gleich dem Zweifachen der Breitenabmessung der ersten Steuerschicht 21 und der Breitenabmessung der ersten Ansteuerschicht 23 und ist vorzugsweise größer als oder gleich dem Vierfachen.
    Bei der vorliegenden Ausführungsform beträgt die Breitenabmessung des Hauptmontageabschnitts 13a etwa das Achtfache der Breitenabmessung der ersten Steuerschicht 21 und der Breitenabmessung der ersten Ansteuerschicht 23. Die Breitenabmessung des Zwischenschicht-Verbindungsabschnitts 13c (Abmessung des Zwischenschicht-Verbindungsabschnitts 13c in der Querrichtung Y) ist größer als die Breitenabmessung des Hauptmontageabschnitts 13a (Abmessung des Hauptmontageabschnitts 13a in der Querrichtung Y). Ein Rand des Zwischenschicht-Verbindungsabschnitts 13c in der Querrichtung Y, der sich auf der Seite der ersten Substrat-Seitenfläche 11a des ersten Substrats 11 befindet, ist in der Querrichtung Y mit einem Rand des Hauptmontageabschnitts 13a in der Querrichtung Y, der sich auf der Seite der ersten Substrat-Seitenfläche 11a des ersten Substrats 11 befindet, ausgerichtet. Somit steht der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13c relativ zum Hauptmontageabschnitt 13a in Richtung der zweiten Substrat-Seitenfläche 11b des ersten Substrats 11 hervor.
  • Die leitende Schicht 15A weist einen leitenden Hauptabschnitt 15a, einen anschlussseitigen Verbindungsabschnitt 15b und einen Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 15c auf. Der leitende Hauptabschnitt 15a ist bandförmig und erstreckt sich in der Längsrichtung X. Der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 15b ist an einem Ende des leitenden Hauptabschnitts 15a in der Längsrichtung X ausgebildet, das sich auf der Seite der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 befindet. Der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 15c wird an einem Ende des leitenden Hauptabschnitts 15a in der Längsrichtung X gebildet, das sich auf der Seite der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die leitende Schicht 15A ein einteiliges Element, bei dem der leitende Hauptabschnitt 15a, der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 15b und der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 15c einstückig (integral) ausgebildet sind. Der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 15b erstreckt sich in der Querrichtung Y und steht von gegenüberliegenden Enden des leitenden Hauptabschnitts 15a in der Querrichtung Y hervor. Die Breitenabmessung des leitenden Hauptabschnitts 15a (Abmessung des leitenden Hauptabschnitts 15a in der Querrichtung Y) ist gleich der Breitenabmessung des Hauptmontageabschnitts 13a der ersten Montageschicht 13A (Abmessung des Hauptmontageabschnitts 13a in der Querrichtung Y). Der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 15b ist in Querrichtung Y benachbart zum anschlussseitigen Verbindungsabschnitt 13b der ersten Montageschicht 13A angeordnet. Der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 15b ist in Längsrichtung X benachbart zum Anschlusssitz 82A, d.h. des zweiten Eingangsanschlusses 51B, angeordnet. Die Verbindungsabschnitte 51b des zweiten Eingangsanschlusses 51B sind mit dem anschlussseitigen Verbindungsabschnitt 15b verbunden. Die Breitenabmessung des Zwischenschicht-Verbindungsabschnitts 15c (Abmessung des Zwischenschicht-Verbindungsabschnitts 15c in der Querrichtung Y) ist größer als die Breitenabmessung des leitenden Hauptabschnitts 15a (Abmessung des leitenden Hauptabschnitts 15a in der Querrichtung Y). Ein Rand des Zwischenschicht-Verbindungsabschnitts 15c in der Querrichtung Y, der sich auf der Seite der zweiten Substrat-Seitenfläche 11b des ersten Substrats 11 befindet, ist in der Querrichtung Y mit einem Rand des leitenden Hauptabschnitts 15a in der Querrichtung Y, der sich auf der Seite der zweiten Substrat-Seitenfläche 11b des ersten Substrats 11 befindet, ausgerichtet. Somit steht der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 15c relativ zum leitenden Hauptabschnitt 15a in Richtung der ersten Substrat-Seitenfläche 11a des ersten Substrats 11 hervor.
  • Die zweite Montageschicht 14A befindet sich in der Längsrichtung X näher an der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 als der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 13b der ersten Montageschicht 13A und der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 15b der leitenden Schicht 15A. Die zweite Montageschicht 14A befindet sich zwischen dem Hauptmontageabschnitt 13a der ersten Montageschicht 13A und dem leitenden Hauptabschnitt 15a der leitenden Schicht 15A in der Querrichtung Y. Bei der vorliegenden Ausführungsform befindet sich die zweite Montageschicht 14A in einem zentralen Abschnitt des ersten Substrats 11 in der Querrichtung Y. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind ein Rand der zweiten Montageschicht 14A in der Längsrichtung X, der sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet, ein Rand des Hauptmontageabschnitts 13a der ersten Montageschicht 13A in der Längsrichtung X, der sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d befindet, und ein Rand des leitenden Hauptabschnitts 15a der leitenden Schicht 15A in der Längsrichtung X, der sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d befindet, in der Querrichtung Y ausgerichtet. Die zweite Montageschicht 14A weist einen Hauptmontageabschnitt 14a und einen Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 14b auf. Der Hauptmontageabschnitt 14a ist bandförmig und erstreckt sich in der Längsrichtung X. Der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 14b ist an einem Ende des Hauptmontageabschnitts 14a in der Längsrichtung X ausgebildet, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Hauptoberfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die zweite Montageschicht 14A ein einteiliges Element, bei dem der Hauptmontageabschnitt 14a und der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 14b einstückig ausgebildet sind. Die Breitenabmessung des Hauptmontageabschnitts 14a der zweiten Montageschicht 14A (Abmessung des Hauptmontageabschnitts 14a in der Querrichtung Y) ist größer als die Breitenabmessung des Hauptmontageabschnitts 13a der ersten Montageschicht 13A (Abmessung des Hauptmontageabschnitts 13a in der Querrichtung Y) und die Breitenabmessung des leitenden Hauptabschnitts 15a der leitenden Schicht 15A (Abmessung des leitenden Hauptabschnitts 15a in der Querrichtung Y). Die Breitenabmessung des Zwischenschicht-Verbindungsabschnitts 14b (Abmessung des Zwischenschicht-Verbindungsabschnitts 14b in der Querrichtung Y) ist geringer als die Breitenabmessung des Hauptmontageabschnitts 14a. Der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 14b ist in der Querrichtung Y von gegenüberliegenden Rändern des Hauptmontageabschnitts 14a in der Querrichtung Y zurückgesetzt.
  • Die erste Steuerschicht 21 und die erste Ansteuerschicht 23 befinden sich in der Querrichtung Y näher an der ersten Substrat-Seitenfläche 11a des ersten Substrats 11 als der Hauptmontageabschnitt 13a der ersten Montageschicht 13A. Darüber hinaus befinden sich die erste Steuerschicht 21 und die erste Ansteuerschicht 23 in der Längsrichtung X näher an der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 als der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 13b der ersten Montageschicht 13A. Die erste Steuerschicht 21 und die erste Ansteuerschicht 23 sind in der Querrichtung Y voneinander getrennt. Die erste Ansteuerschicht 23 befindet sich näher an dem Hauptmontageabschnitt 13a der ersten Montageschicht 13A als die erste Steuerschicht 21. Mit anderen Worten, die erste Steuerschicht 21 befindet sich näher an der ersten Substrat-Seitenfläche 11a des ersten Substrats 11 als die erste Ansteuerschicht 23. Aus der Querrichtung Y gesehen überlappt die erste Steuerschicht 21 die erste Ansteuerschicht 23.
  • Die zweite Steuerschicht 25 und die zweite Ansteuerschicht 27 sind in der Querrichtung Y näher an der zweiten Substrat-Seitenfläche 11b des ersten Substrats 11 angeordnet als der leitende Hauptabschnitt 15a der leitenden Schicht 15A. Außerdem sind die zweite Steuerschicht 25 und die zweite Ansteuerschicht 27 in der Längsrichtung X näher an der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 angeordnet als der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 15b der leitenden Schicht 15A. Die zweite Steuerschicht 25 und die zweite Ansteuerschicht 27 sind in der Querrichtung Y voneinander getrennt. Die zweite Ansteuerschicht 27 befindet sich näher an dem leitenden Hauptabschnitt 15a der leitenden Schicht 15A als die zweite Steuerschicht 25. Mit anderen Worten, die zweite Steuerschicht 25 befindet sich näher an der zweiten Substrat-Seitenfläche 11b des ersten Substrats 11 als die zweite Ansteuerschicht 27. Aus der Querrichtung Y gesehen, überlappt die zweite Ansteuerschicht 27 die zweite Steuerschicht 25. Aus der Querrichtung Y gesehen, überlappt die zweite Ansteuerschicht 27 den leitenden Hauptabschnitt 15a der leitenden Schicht 15A. Somit befinden sich die erste Steuerschicht 21 und die erste Ansteuerschicht 23 auf der der zweiten Steuerschicht 25 und der zweiten Ansteuerschicht 27 in der Querrichtung Y gegenüberliegenden Seite der ersten Montageschicht 13A, der zweiten Montageschicht 14A und der leitenden Schicht 15A.
  • Die Thermistor-Montageschicht 16 befindet sich näher an der ersten Substrat-Seitenfläche 11a des ersten Substrats 11 als der Hauptmontageabschnitt 13a der ersten Montageschicht 13A in der Querrichtung Y. Darüber hinaus ist die Thermistor-Montageschicht 16 so angeordnet, dass sie den anschlussseitigen Verbindungsabschnitt 13b der ersten Montageschicht 13A, die erste Steuerschicht 21 und die erste Ansteuerschicht 23 in der Längsrichtung X überlappt. Der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 13b der ersten Montageschicht 13A befindet sich auf der der ersten Steuerschicht 21 und der ersten Ansteuerschicht 23 in Längsrichtung X gegenüberliegenden Seite der Thermistor-Montageschicht 16.
  • Die Thermistor-Montageschicht 16 ist so konfiguriert, dass sie die Montage eines Thermistors 17 ermöglicht, der ein Temperaturerfassungselement ist. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist der Thermistor 17 auf der Thermistor-Montageschicht 16 angebracht. Die Thermistor-Montageschicht 16 weist zwei Bereiche auf, die in der Querrichtung Y voneinander getrennt sind. Einer der Bereiche ist elektrisch mit einer positiven Elektrode des Thermistors 17 und der andere Bereich ist elektrisch mit einer negativen Elektrode des Thermistors 17 verbindbar.
  • Wie in den 7 und 12 gezeigt, ist das zweite Substrat 12 in der Draufsicht rechteckig, so dass sich die langen Seiten in der Längsrichtung X und die kurzen Seiten in der Querrichtung Y erstrecken. In der vorliegenden Ausführungsform sind das zweite Substrat 12 und das erste Substrat 11 symmetrisch zu einer Mittellinie, die sich in der Querrichtung Y erstreckt. Das zweite Substrat 12 und das erste Substrat 11 sind in ihrer Größe in der Längsrichtung X, in der Querrichtung Y und in der Dickenrichtung Z identisch. Das zweite Substrat 12 weist hauptsächlich eine erste Substrat-Seitenfläche 12a, eine zweite Substrat-Seitenfläche 12b, eine dritte Substrat-Seitenfläche 12c und eine vierte Substrat-Seitenfläche 12d auf. Die erste Substrat-Seitenfläche 12a und die zweite Substrat-Seitenfläche 12b weisen in der Querrichtung Y in entgegengesetzte Richtungen und erstrecken sich in der Längsrichtung X. Die erste Substrat-Seitenfläche 12a ist eine Seitenfläche des zweiten Substrats 12, die sich auf der Seite der Seitenwand 81A befindet. Die zweite Substrat-Seitenfläche 12b ist eine Seitenfläche des zweiten Substrats 12, die sich auf der Seite der Seitenwand 81B befindet. Die dritte Substrat-Seitenfläche 12c und die vierte Substrat-Seitenfläche 12d sind in der Längsrichtung X in entgegengesetzte Richtungen gerichtet und erstrecken sich in der Querrichtung Y. Die dritte Substrat-Seitenfläche 12c ist eine Seitenfläche des zweiten Substrats 11, die sich auf der Seite des Anschlusssitzes 82A befindet. Die vierte Substrat-Seitenfläche 12d ist eine Seitenfläche des zweiten Substrats 12, die sich auf der Seite des Anschlusssitzes 82B befindet (siehe 7). Das zweite Substrat 12 und das erste Substrat 11 müssen nicht symmetrisch sein. Das zweite Substrat 12 und das erste Substrat 11 können sich in ihrer Größe unterscheiden.
  • Wie in 12 gezeigt, sind auf der zweiten Substrat-Hauptoberfläche 12s des zweiten Substrats 12 eine erste Montageschicht 13B, eine zweite Montageschicht 14B, eine leitende Schicht 15B, eine erste Steuerschicht 22, eine zweite Steuerschicht 26, eine erste Ansteuerschicht 24 und eine zweite Ansteuerschicht 28 angeordnet.
  • - Die erste Montageschicht 13B, die zweite Montageschicht 14B und die leitende Schicht 15B sind in der Querrichtung Y voneinander getrennt. Die erste Montageschicht 13B befindet sich näher an der Seite der ersten Substrat-Seitenfläche 12a des zweiten Substrats 12 als die zweite Montageschicht 14B und die leitende Schicht 15B in der Querrichtung Y. Die leitende Schicht 15B befindet sich näher an der Seite der zweiten Substrat-Seitenfläche 12b des zweiten Substrats 12 als die erste Montageschicht 13B und die zweite Montageschicht 14B in der Querrichtung Y. Die zweite Montageschicht 14B befindet sich zwischen der ersten Montageschicht 13B und der leitenden Schicht 15B in der Querrichtung Y.
  • Die erste Montageschicht 13B weist einen Hauptmontageabschnitt 13d, einen anschlussseitigen Verbindungsabschnitt 13e und einen Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13f auf. Der Hauptmontageabschnitt 13d ist bandförmig und erstreckt sich in der Längsrichtung X. Der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 13e ist an einem Ende des Hauptmontageabschnitts 13d in der Längsrichtung X ausgebildet, welches sich auf der Seite der vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 befindet. Der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13f ist an einem Ende des Hauptmontageabschnitts 13d in der Längsrichtung X ausgebildet, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 befindet. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die erste Montageschicht 13B ein einteiliges Element, bei dem der Hauptmontageabschnitt 13d, der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 13e und der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13f einstückig ausgebildet sind. Der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 13e erstreckt sich in der Querrichtung Y und steht von dem Hauptmontageabschnitt 13d über die erste Substrat-Seitenfläche 12a des zweiten Substrats 12 in der Querrichtung Y hervor. Die Breitenabmessung des anschlussseitigen Verbindungsabschnitts 13e (Abmessung des anschlussseitigen Verbindungsabschnitts 13e in der Längsrichtung X) ist kleiner als die Breitenabmessung des Hauptmontageabschnitts 13d (Abmessung des Hauptmontageabschnitts 13d in der Querrichtung Y). Die Breitenabmessung des anschlussseitigen Anschlussteils 13e entspricht z. B. der Breitenabmessung der ersten Steuerschicht 22 (Abmessung der ersten Steuerschicht 22 in Querrichtung Y). Die Breitenabmessung des Hauptmontageabschnitts 13d (Abmessung des Hauptmontageabschnitts 13d in der Querrichtung Y) ist größer als die Breitenabmessung der ersten Steuerschicht 22 (Abmessung der ersten Steuerschicht 22 in der Querrichtung Y) und ist auch größer als die Breitenabmessung der ersten Ansteuerschicht 24 (Abmessung in einer Richtung orthogonal zur Erstreckungsrichtung der ersten Ansteuerschicht 24 in der Draufsicht). Die Breitenabmessung des Hauptmontageabschnitts 13d ist größer als oder gleich dem Zweifachen der Breitenabmessung der ersten Steuerschicht 22 und der Breitenabmessung der ersten Ansteuerschicht 24 und ist vorzugsweise größer als oder gleich dem Vierfachen. Bei der vorliegenden Ausführungsform beträgt die Breitenabmessung des Hauptmontageabschnitts 13d etwa das Achtfache der Breitenabmessung der ersten Steuerschicht 22 und der Breitenabmessung der ersten Ansteuerschicht 24. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die Breitenabmessung des Hauptmontageabschnitts 13d gleich der Breitenabmessung des Hauptmontageabschnitts 13a der ersten Montageschicht 13A (siehe 11). Die Breitenabmessung des Zwischenschicht-Verbindungsabschnitts 13f (Abmessung des Zwischenschicht-Verbindungsabschnitts 13f in der Querrichtung Y) ist größer als die Breitenabmessung des Hauptmontageabschnitts 13d (Abmessung des Hauptmontageabschnitts 13d in der Querrichtung Y). Ein Rand des Zwischenschicht-Verbindungsabschnitts 13f in der Querrichtung Y, der sich auf Seiten der ersten Substrat-Seitenfläche 12a des zweiten Substrats 12 befindet, ist in der Querrichtung Y mit einem Rand des Hauptbefestigungsabschnitts 13d ausgerichtet, der sich in der Querrichtung Y auf Seiten der ersten Substrat-Seitenfläche 12a des zweiten Substrats 12 befindet. Dadurch steht der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13f relativ zu dem Hauptmontageabschnitt 13d in Richtung der zweiten Substrat-Seitenfläche 12b des zweiten Substrats 12 hervor.
  • Die leitende Schicht 15B weist einen leitenden Hauptabschnitt 15d und einen Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 15e. Der leitende Hauptabschnitt 15d ist bandförmig und erstreckt sich in der Längsrichtung X. Der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 15e ist an einem Ende des leitenden Hauptabschnitts 15d in der Längsrichtung X ausgebildet, das sich auf Seiten der dritten Substratseitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 befindet. Die Breitenabmessung des leitenden Hauptabschnitts 15d der leitenden Schicht 15B (Abmessung des leitenden Hauptabschnitts 15d in der Querrichtung Y) ist gleich der Breitenabmessung des Hauptmontageabschnitts 13d der ersten Montageschicht 13B (Abmessung des Hauptmontageabschnitts 13d in der Querrichtung Y). Die Breitenabmessung des Zwischenschicht-Verbindungsabschnitts 15e (Abmessung des Zwischenschicht-Verbindungsabschnitts 15e in der Querrichtung Y) ist größer als die Breitenabmessung des leitenden Hauptabschnitts 15d (Abmessung des leitenden Hauptabschnitts 15d in der Querrichtung Y). Ein Rand des Zwischenschicht-Verbindungsabschnitts 15e in der Querrichtung Y, der sich auf der Seite der zweiten Substrat-Seitenfläche 12b des zweiten Substrats 12 befindet, ist in der Querrichtung Y mit einem Rand des leitenden Hauptabschnitts 15d in der Querrichtung Y, der sich auf der Seite der zweiten Substrat-Seitenfläche 12b des zweiten Substrats 12 befindet, ausgerichtet. Somit steht der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 15e relativ zum leitenden Hauptabschnitt 15d in Richtung der ersten Substrat-Seitenfläche 12a des zweiten Substrats 12 hervor.
  • Die zweite Montageschicht 14B weist einen Hauptmontageabschnitt 14c, einen anschlussseitigen Verbindungsabschnitt 14d und einen Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 14e auf. Der Hauptmontageabschnitt 14c ist bandförmig und erstreckt sich in der Längsrichtung X. Der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 14d ist an einem Ende des Hauptmontageabschnitts 14c in der Längsrichtung X ausgebildet, welches sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 befindet. Der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 14e ist an einem Ende des Hauptmontageabschnitts 14c in der Längsrichtung X ausgebildet, welches sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 befindet. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die zweite Montageschicht 14B ein einteiliges Element, bei dem der Hauptmontageabschnitt 14c, der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 14d und der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 14e einstückig ausgebildet sind. Der Hauptmontageabschnitt 14c befindet sich zwischen dem Hauptmontageabschnitt 13d der ersten Montageschicht 13B und der leitenden Schicht 15B in der Querrichtung Y. Bei der vorliegenden Ausführungsform befindet sich der Hauptmontageabschnitt 14c in einem zentralen Abschnitt des zweiten Substrats 12 in der Querrichtung Y. Die Breitenabmessung des Hauptmontageabschnitts 14c (Abmessung des Hauptmontageabschnitts 14c in der Querrichtung Y) ist größer als die Breitenabmessung des Hauptmontageabschnitts 13d der ersten Montageschicht 13B und die Breitenabmessung des leitenden Hauptabschnitts 15d der leitenden Schicht 15B. Ein Rand der zweiten Montageschicht 14B in der Längsrichtung X, der sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 befindet, ein Rand der ersten Montageschicht 13B in der Längsrichtung X, der sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 befindet, und ein Rand der leitenden Schicht 15B in der Längsrichtung X, der sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 befindet, sind in der Querrichtung Y ausgerichtet. Der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 14d erstreckt sich in der Querrichtung Y und steht von gegenüberliegenden Enden des Hauptmontageabschnitts 14c in der Querrichtung Y hervor. Somit ist die zweite Montageschicht 14B in der Draufsicht T-förmig. Der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 14d befindet sich näher an der vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 als die erste Montageschicht 13B und die leitende Schicht 15B. Der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 14d ist in Längsrichtung X neben dem Anschlusssitz 82B, d.h. dem ersten Ausgangsanschluss 52A und dem zweiten Ausgangsanschluss 52B, angeordnet. Die Verbindungsabschnitte 52b der Ausgangsanschlüsse 52A und 52B sind mit dem anschlussseitigen Verbindungsabschnitt 14d verbunden. Die Breitenabmessung des Zwischenschicht-Verbindungsabschnitts 14e (Abmessung des Zwischenschicht-Verbindungsabschnitts 14e in der Querrichtung Y) ist geringer als die Breitenabmessung des Hauptmontageabschnitts 14c. Der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 14e ist in der Querrichtung Y von gegenüberliegenden Rändern des Hauptmontageabschnitts 14c in der Querrichtung Y zurückgesetzt.
  • Die erste Steuerschicht 22 und die erste Ansteuerschicht 24 befinden sich in der Querrichtung Y näher an der ersten Substrat-Seitenfläche 12a des zweiten Substrats 12 als der Hauptmontageabschnitt 13d der ersten Montageschicht 13B. Darüber hinaus befinden sich die erste Steuerschicht 22 und die erste Ansteuerschicht 24 in der Längsrichtung X näher an der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 als der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 13e der ersten Montageschicht 13B. Die erste Steuerschicht 22 und die erste Ansteuerschicht 24 sind in der Querrichtung Y voneinander getrennt. Die erste Ansteuerschicht 24 befindet sich näher an dem Hauptmontageabschnitt 13d der ersten Montageschicht 13B als die erste Steuerschicht 22. Mit anderen Worten, die erste Steuerschicht 22 befindet sich näher an der ersten Substrat-Seitenfläche 12a des zweiten Substrats 12 als die erste Ansteuerschicht 24. Aus der Querrichtung Y gesehen überlappt die erste Ansteuerschicht 24 die erste Steuerschicht 22. Aus der Querrichtung Y gesehen, überlappt die erste Ansteuerschicht 24 den Hauptmontageabschnitt 13d der ersten Montageschicht 13B. Aus der Längsrichtung X betrachtet, überlappen die erste Steuerschicht 22 und die erste Ansteuerschicht 24 den anschlussseitigen Verbindungsabschnitt 13e der ersten Montageschicht 13B und den anschlussseitigen Verbindungsabschnitt 14d der zweiten Montageschicht 14B.
  • Die zweite Steuerschicht 26 und die zweite Ansteuerschicht 28 befinden sich in der Querrichtung Y näher an der zweiten Substrat-Seitenfläche 12b des zweiten Substrats 12 als die leitende Schicht 15B. Darüber hinaus befinden sich die zweite Steuerschicht 26 und die zweite Ansteuerschicht 28 in der Längsrichtung X näher an der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 als der anschlussseitige Verbindungsabschnitt 14d der zweiten Montageschicht 14B. Die zweite Steuerschicht 26 und die zweite Ansteuerschicht 28 sind in der Querrichtung Y voneinander getrennt. Die zweite Ansteuerschicht 28 befindet sich näher an der leitenden Schicht 15B als die zweite Steuerschicht 26. Mit anderen Worten, die zweite Steuerschicht 26 befindet sich näher an der zweiten Substrat-Seitenfläche 12b des zweiten Substrats 12 als die zweite Ansteuerschicht 28. Aus der Querrichtung Y gesehen, überlappt die zweite Ansteuerschicht 28 die zweite Steuerschicht 26. Aus der Querrichtung Y gesehen, überlappt die zweite Steuerschicht 26 die leitende Schicht 15B. Somit sind die erste Montageschicht 13B, die zweite Montageschicht 14B und die leitende Schicht 15B zwischen der ersten Steuerschicht 22 und der ersten Ansteuerschicht 24 sowie der zweiten Steuerschicht 26 und der zweiten Ansteuerschicht 28 in der Querrichtung Y eingebettet.
  • Wie in 7 gezeigt, sind der Hauptmontageabschnitt 13a und der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13c der ersten Montageschicht 13A mit dem Hauptmontageabschnitt 13d und dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13f der ersten Montageschicht 13B in der Querrichtung Y ausgerichtet und von dem Hauptmontageabschnitt 13d und dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13f der ersten Montageschicht 13B in der Längsrichtung X getrennt. Der Hauptmontageabschnitt 14a und der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 14b der zweiten Montageschicht 14A sind mit dem Hauptmontageabschnitt 14c und dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 14e der zweiten Montageschicht 14B in der Querrichtung Y ausgerichtet und sind von dem Hauptmontageabschnitt 14c und dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 14e der zweiten Montageschicht 14B in der Längsrichtung X getrennt. Der leitende Hauptabschnitt 15a und der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 15c der leitenden Schicht 15A sind mit dem leitenden Hauptabschnitt 15d und dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 15e der leitenden Schicht 15B in der Querrichtung Y ausgerichtet und sind von dem leitenden Hauptabschnitt 15d und dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 15e der leitenden Schicht 15B in der Längsrichtung X getrennt.
  • Wie in 13 gezeigt, sind der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13c der ersten Montageschicht 13A und der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13f der ersten Montageschicht 13B durch ein plattenförmiges Zusammenfügeglied 90A verbunden, das ein Beispiel für ein erstes Montageschicht-Verbindungsglied ist. Der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 14b der zweiten Befestigungsschicht 14A und der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 14e der zweiten Befestigungsschicht 14B sind durch ein plattenförmiges Zusammenfügeglied 90B verbunden, das ein Beispiel für ein zweites Montageschicht-Verbindungsglied ist. Der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 15c der leitenden Schicht 15A und der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 15e der leitenden Schicht 15B sind durch ein plattenförmiges Zusammenfügeglied 90C verbunden.
  • Wie in 13 dargestellt, sind die Zusammenfügeglieder 90A bis 90C in der Draufsicht identisch geformt. In einem Beispiel werden die Zusammenfügeglieder 90A bis 90C aus Cu oder einer Cu-Legierung hergestellt. Jedes der Zusammenfügeglieder 90A bis 90C weist zwei Verbinder 91, die sich in Längsrichtung X erstrecken, und einen Zusammenfügeabschnitt 92, der die beiden Verbindungsstücke 91 in Querrichtung Y verbindet, auf. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist jedes der Zusammenfügeglieder 90A bis 90C ein einteiliges Element, bei dem die beiden Verbindungsstücke 91 und der Zusammenfügeabschnitt 92 einstückig ausgebildet sind. Die beiden Verbinder 91 sind in der Querrichtung Y voneinander getrennt und erstrecken sich in der Längsrichtung X. Der Zusammenfügeabschnitt 92 verbindet die Mittelteile der beiden Verbindungsstücke 91 in der Längsrichtung X. In der Draufsicht ist daher jedes der Zusammenfügeglieder 90A bis 90C H-förmig.
  • Die beiden Verbinder 91 des Zusammenfügeglieds 90A sind mit dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13c der ersten Montageschicht 13A und dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13f der ersten Montageschicht 13B verbunden. Der Zusammenfügeabschnitt 92 des Zusammenfügeglieds 90A befindet sich zwischen dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13c und dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13f in der Längsrichtung X. Somit sind die erste Montageschicht 13A und die erste Montageschicht 13B durch das Zusammenfügeglied 90A elektrisch verbunden.
  • Die beiden Verbinder 91 des Zusammenfügeglieds 90B sind mit dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 14b der zweiten Montageschicht 14A und dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 14e der zweiten Montageschicht 14B verbunden. Der Zusammenfügeabschnitt 92 des Zusammenfügeglieds 90B befindet sich zwischen dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 14a und dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 14e in der Längsrichtung X. Somit sind die zweite Montageschicht 1$A und die zweite Montageschicht 14B durch das Zusammenfügeglied 90B elektrisch verbunden.
  • Die beiden Verbinder 91 des Zusammenfügeglieds 90C sind mit dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 15c der leitenden Schicht 15A und dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 15e der leitenden Schicht 15B verbunden. Der Zusammenfügeabschnitt 92 des Zusammenfügeglieds 90C befindet sich zwischen dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 15c und dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 15e in der Längsrichtung X. Somit sind die leitende Schicht 15A und die leitende Schicht 15B durch das Zusammenfügeglied 90C elektrisch verbunden.
  • Wie in 11 gezeigt, sind die mehreren (in der vorliegenden Ausführungsform fünf) ersten Leistungshalbleiterelemente 40A als Leistungshalbleiterelemente 40 auf dem Hauptmontageabschnitt 13a der ersten Montageschicht 13A angeordnet. Die ersten Leistungshalbleiterelemente 40A sind in der Querrichtung Y ausgerichtet und in der Längsrichtung X voneinander getrennt. Daher entspricht die Längsrichtung X, die eine Richtung ist, in der die ersten Leistungshalbleiterelemente 40A angeordnet sind, einer ersten in den Patentansprüchen genannten Richtung (die eine Richtung). Bei der vorliegenden Ausführungsform entspricht die Querrichtung Y, die aus der Dickenrichtung Z gesehen orthogonal zur Längsrichtung X ist, einer zweiten Richtung, die aus einer Dickenrichtung gesehen orthogonal zur ersten Richtung ist. Die ersten Leistungshalbleiterelemente 40A befinden sich in der Querrichtung Y an einem Ende des Hauptmontageabschnitts 13a, welches sich auf Seiten der zweiten Montageschicht 14A befindet. In der Längsrichtung X befinden sich die ersten Leistungshalbleiterelemente 40A nicht auf dem anschlussseitigen Verbindungsabschnitt 13b und dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13c.
  • Wie in den 9 und 10 gezeigt, enthält jedes erste Leistungshalbleiterelement 40A eine Elementhauptoberfläche 40s und eine Elementrückseite 40r, die in der Dickenrichtung Z in entgegengesetzte Richtungen weisen. Die Elementhauptoberfläche 40s des ersten Leistungshalbleiterelements 40A entspricht einer in den Patentansprüchen genannten ersten Elementhauptoberfläche. Die Elementrückseite 40r des ersten Leistungshalbleiterelements 40A entspricht einer ersten Elementrückseite der Patentansprüche. Das erste Leistungshalbleiterelement 40A ist auf der ersten Montageschicht 13A so angeordnet, dass die Elementrückseite 40r dem Hauptmontageabschnitt 13a gegenüberliegt. Die Elementrückseite 40r ist durch ein leitfähiges Bonding-Material mit dem Hauptmontageabschnitt 13a verbunden (gebondet). Ein Beispiel für ein leitfähiges Bonding-Material ist Ag-Paste oder Lot. Die Drain-Elektrode 41 (siehe 8), die ein Beispiel für eine erste Ansteuerelektrode ist, ist auf der Elementrückseite 40r ausgebildet. Die Drain-Elektrode 41 ist also elektrisch mit der ersten Montageschicht 13A verbunden. Da die erste Montageschicht 13A elektrisch mit dem ersten Eingangsanschluss 51A verbunden ist, ist die Drain-Elektrode 41 über die erste Montageschicht 13A elektrisch mit dem ersten Eingangsanschluss 51A verbunden.
  • Wie in 11 gezeigt, sind die Source-Elektrode 42, die ein Beispiel für eine zweite Ansteuerelektrode ist, und die Gate-Elektrode 43, die ein Beispiel für eine Steuerelektrode ist, auf der Elementhauptoberfläche 40s ausgebildet. Die Source-Elektrode 42 weist eine Source-Hauptelektrode 42A, eine erste Source-Elektrode 42B und eine zweite Source-Elektrode 42C auf.
  • Die Source-Hauptelektrode 42A ist auf einem Abschnitt der Elementhauptoberfläche 40s ausgebildet, der sich auf Seiten der zweiten Montageschicht 14A in der Querrichtung Y befindet. In der Draufsicht ist die Source-Hauptelektrode 42A rechteckig, so dass sich die langen Seiten in der Längsrichtung X und die kurzen Seiten in der Querrichtung Y erstrecken. Die Source-Hauptelektrode 42A nimmt die Hälfte oder mehr der Fläche der Elementhauptoberfläche 40s ein. Ein erstes Elementverbindungsglied 31A ist als Verbindungsglied 30 mit der Source-Hauptelektrode 42A verbunden. So sind in der Draufsicht mehrere erste Elementverbindungsglieder 31A in der Längsrichtung X, die der Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A entspricht, voneinander getrennt. Jedes erste Elementverbindungsglied 31A ist bandförmig und erstreckt sich in der Draufsicht in der Querrichtung Y. Das erste Elementverbindungsglied 31A ist beispielsweise aus einer dünnen Platte aus Cu oder einer Cu-Legierung oder einer dünnen Platte aus Aluminium (Al) oder einer Al-Legierung gebildet. Das erste Elementverbindungsglied 31A ist ebenfalls mit der zweiten Montageschicht 14A verbunden. Genauer gesagt, ist das erste Elementverbindungsglied 31A mit einem Ende der zweiten Montageschicht 14A in der Querrichtung Y verbunden, welches sich auf Seiten der ersten Montageschicht 13A befindet. Somit verbindet das erste Elementverbindungsglied 31A die Source-Hauptelektrode 42A jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A mit der zweiten Montageschicht 14A. Daher ist die Source-Elektrode 42 (siehe 8) des ersten Leistungshalbleiterelements 40A elektrisch mit der zweiten Montageschicht 14A verbunden.
  • Die erste Source-Elektrode 42B, die zweite Source-Elektrode 42C und die Gate-Elektrode 43 befinden sich an einem Ende der Elementhauptoberfläche 40s in der Querrichtung Y, welches sich auf Seiten der ersten Ansteuerschicht 23 befindet. Die erste Source-Elektrode 42B, die zweite Source-Elektrode 42C und die Gate-Elektrode 43 sind in der Querrichtung Y ausgerichtet und in der Längsrichtung X voneinander getrennt. Die Gate-Elektrode 43 befindet sich in der Längsrichtung X zwischen der ersten Source-Elektrode 42B und der zweiten Source-Elektrode 42C. Die Gate-Elektrode 43 ist in der Draufsicht rechteckig. Die erste Source-Elektrode 42B befindet sich näher an der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 als die Gate-Elektrode 43. Die zweite Source-Elektrode 42C befindet sich näher an der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 als die Gate-Elektrode 43. In der Draufsicht sind die erste Source-Elektrode 42B und die zweite Source-Elektrode 42C in ihrer Form identisch ausgebildet, so dass die langen Seiten in Längsrichtung X und die kurzen Seiten in Querrichtung Y verlaufen.
  • In jedem ersten Leistungshalbleiterelement 40A sind die erste Source-Elektrode 42B und die erste Ansteuerschicht 23 durch ein erstes ansteuerseitiges Verbindungsglied 33A und die Gate-Elektrode 43 und die erste Steuerschicht 21 durch ein erstes steuerseitiges Verbindungsglied 32A verbunden. Das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A und das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A sind Verbindungsglieder 30.
  • Die mehreren (in der vorliegenden Ausführungsform fünf) zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B sind als Leistungshalbleiterelemente 40 auf dem Hauptmontageabschnitt 14a der zweiten Montageschicht 14A angeordnet. Die zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B sind in der Querrichtung Y ausgerichtet und in der Längsrichtung X (erste Richtung) voneinander getrennt. Die zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B befinden sich an einem Ende des Hauptmontageabschnitts 14a in der Querrichtung Y, welches sich auf Seiten der leitenden Schicht 15A befindet. In der Längsrichtung X befinden sich die zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B nicht auf dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 14b.
  • Die zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B haben die gleiche Struktur wie die ersten Leistungshalbleiterelemente 40A. Daher werden die gleichen Referenzzeichen für die Komponenten verwendet, die mit den entsprechenden Komponenten der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A identisch sind. Diese Komponenten werden hier nicht im Detail erneut beschrieben. Darüber hinaus ist die Bonding-Struktur jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B mit dem Hauptmontageabschnitt 14a der zweiten Montageschicht 14A die gleiche wie die Bonding-Struktur jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A mit dem Hauptmontageabschnitt 13a der ersten Montageschicht 13A. So ist die Drain-Elektrode 41 (siehe 8) des zweiten Leistungshalbleiterelements 40B elektrisch mit der zweiten Montageschicht 14A verbunden. Die zweite Montageschicht 14A ist über das Zusammenfügeglied 90B und die zweite Montageschicht 14B mit den Ausgangsanschlüssen 52A und 52B verbunden. Dementsprechend ist die Drain-Elektrode 41 über die zweiten Montageschichten 14A und 14B und das Zusammenfügeglied 90B elektrisch mit den Ausgangsanschlüssen 52A und 52B verbunden. Die Drain-Elektrode 41 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B ist elektrisch mit der zweiten Montageschicht 14A verbunden. Dementsprechend ist die Drain-Elektrode 41 mit der Source-Elektrode 42 eines jeden ersten Leistungshalbleiterelements 40A elektrisch verbunden.
  • Ein zweites Elementverbindungsglied 31B ist mit der Source-Hauptelektrode 42A des zweiten Leistungshalbleiterelements 40B als Verbindungsglied 30 verbunden. So sind in der Draufsicht mehrere zweite Elementverbindungsglieder 31B in der Längsrichtung X, die der Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B entspricht, voneinander getrennt. Jedes zweite Elementverbindungsglied 31B ist bandförmig und erstreckt sich in der Draufsicht in der Querrichtung Y. Das zweite Verbindungselement 31B können z. B. aus einer dünnen Platte aus Cu oder einer Cu-Legierung gebildet sein. Das zweite Elementverbindungsglied 31B ist ebenfalls mit der leitenden Schicht 15A verbunden. Genauer gesagt, ist das zweite Elementverbindungsglied 31B mit einem Ende des leitenden Hauptabschnitts 15a der leitenden Schicht 15A in der Querrichtung Y verbunden, die sich auf Seiten der zweiten Befestigungsschicht 14A befindet. Daher ist die Source-Elektrode 42 (siehe 8) des zweiten Leistungshalbleiterelements 40B elektrisch mit der leitenden Schicht 15A verbunden. Da die leitende Schicht 15A elektrisch mit dem zweiten Eingangsanschluss 51B verbunden ist, ist die Source-Elektrode 42 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B elektrisch mit dem zweiten Eingangsanschluss 51B verbunden.
  • Bei jedem zweiten Leistungshalbleiterelement 40B sind die erste Source-Elektrode 42B und die zweite Ansteuerschicht 27 durch ein zweites ansteuerseitiges Verbindungsglied 33B und die Gate-Elektrode 43 und die zweite Steuerschicht 25 durch ein zweites steuerseitiges Verbindungsglied 32B miteinander verbunden. Das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B und das zweite steuerseitige Verbindungsglied 32B sind Verbindungsglieder 30.
  • Wie in 12 dargestellt, sind die mehreren (in der vorliegenden Ausführungsform fünf) ersten Leistungshalbleiterelemente 40A auf dem Hauptmontageabschnitt 13d der ersten Montageschicht 13B als Leistungshalbleiterelemente 40 angeordnet. Die ersten Leistungshalbleiterelemente 40A sind in der Querrichtung Y ausgerichtet und in der Längsrichtung X (erste Richtung) voneinander getrennt. Die ersten Leistungshalbleiterelemente 40A befinden sich an einem Ende des Hauptmontageabschnitts 13d in der Querrichtung Y, welches sich auf Seiten der zweiten Montageschicht 14B befindet. In der Längsrichtung X befinden sich die ersten Leistungshalbleiterelemente 40A nicht auf dem anschlussseitigen Verbindungsabschnitt 13e und dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13f.
  • Die Drain-Elektroden 41 der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A sind elektrisch mit der ersten Montageschicht 13B verbunden. Da die erste Montageschicht 13B über das Zusammenfügeglied 90A und die erste Montageschicht 13A elektrisch mit dem ersten Eingangsanschluss 51A verbunden ist, ist die Drain-Elektrode 41 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A elektrisch mit dem ersten Eingangsanschluss 51A verbunden.
  • Das erste Elementverbindungsglied 31A, das ein Verbindungsglied 30 ist, ist mit der Source-Hauptelektrode 42A der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A verbunden. Das erste Elementverbindungsglied 31A ist ebenfalls mit der zweiten Montageschicht 14B verbunden. Genauer gesagt, ist das erste Elementverbindungsglied 31A mit einem Ende der zweiten Montageschicht 14B in der Querrichtung Y verbunden, welches sich auf Seiten der ersten Montageschicht 13B befindet. Daher ist die Source-Elektrode 42 (siehe 8) des ersten Leistungshalbleiterelements 40A elektrisch mit der zweiten Montageschicht 14B verbunden.
  • In jedem ersten Leistungshalbleiterelement 40A sind die erste Source-Elektrode 42B und die erste Ansteuerschicht 24 durch ein erstes ansteuerseitiges Verbindungsglied 33A und die Gate-Elektrode 43 und die erste Steuerschicht 22 durch ein erstes steuerseitiges Verbindungsglied 32A verbunden. Das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A und das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A sind Verbindungsglieder 30.
  • Die mehreren (in der vorliegenden Ausführungsform fünf) zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B sind als Leistungshalbleiterelemente 40 auf dem Hauptmontageabschnitt 14c der zweiten Montageschicht 14B angeordnet. Die zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B sind in der Querrichtung Y ausgerichtet und in der Längsrichtung X voneinander getrennt. Die zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B befinden sich an einem Ende des Hauptmontageabschnitts 14c in der Querrichtung Y, welches sich auf Seiten der leitenden Schicht 15B befindet. In der Längsrichtung X befinden sich die ersten Leistungshalbleiterelemente 40A nicht auf dem anschlussseitigen Verbindungsabschnitt 13b und dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13c.
  • Die Drain-Elektrode 41 (siehe 8) des zweiten Leistungshalbleiterelements 40B ist elektrisch mit der zweiten Montageschicht 14B verbunden. Die zweite Montageschicht 14B ist mit den Ausgangsanschlüssen 52A und 52B verbunden. Dementsprechend ist die Drain-Elektrode 41 über die zweite Montageschicht 14B elektrisch mit den Ausgangsanschlüssen 52A und 52B verbunden. Die Drain-Elektrode 41 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B ist elektrisch mit der zweiten Montageschicht 14B verbunden. Dementsprechend ist die Drain-Elektrode 41 mit der Source-Elektrode 42 eines jeden ersten Leistungshalbleiterelements 40A elektrisch verbunden.
  • Ein zweites Elementverbindungsglied 31B ist mit der Source-Hauptelektrode 42A des zweiten Leistungshalbleiterelements 40B als Verbindungsglied 30 verbunden. Das zweite Elementverbindungsglied 31B ist ebenfalls mit der leitenden Schicht 15B verbunden. Genauer gesagt, ist das zweite Elementverbindungselement 31B mit einem Ende des leitenden Hauptabschnitts 15d der leitenden Schicht 15B in der Querrichtung Y verbunden, welches sich auf Seiten der zweiten Montageschicht 14B befindet. Somit verbindet das erste Elementverbindungsglied 31A die Source-Hauptelektrode 42A jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A mit der zweiten Montageschicht 14A. So ist die Source-Elektrode 42 (siehe 8) des zweiten Leistungshalbleiterelements 40B elektrisch mit der leitenden Schicht 15B verbunden. Da die leitende Schicht 15B über das Zusammenfügeglied 90C und die leitende Schicht 15A elektrisch mit dem zweiten Eingangsanschluss 51B verbunden ist, ist die Source-Elektrode 42 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B elektrisch mit dem zweiten Eingangsanschluss 51B verbunden.
  • Bei jedem zweiten Leistungshalbleiterelement 40B sind die erste Source-Elektrode 42B und die zweite Ansteuerschicht 28 durch ein zweites ansteuerseitiges Verbindungsglied 33B und die Gate-Elektrode 43 und die zweite Steuerschicht 26 durch ein zweites steuerseitiges Verbindungsglied 32B miteinander verbunden. Das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B und das zweite steuerseitige Verbindungsglied 32B sind Verbindungsglieder 30.
  • Die Formen der Steuerschichten 21, 22, 25 und 26 sowie der Ansteuerschichten 23, 24, 27 und 28 werden im Folgenden beschrieben. Außerdem werden die Verbindungsstrukturen der Leistungshalbleiterelemente 40A und 40B zu den Steueranschlüssen 53A und 53B und den Erfassungsanschlüssen 54A und 54B beschrieben.
  • Wie in 14 gezeigt, ist die Seitenwand 81A des Gehäuses 80 neben der ersten Steuerschicht 21, der ersten Ansteuerschicht 24 und der Thermistor-Montageschicht 16 in der Querrichtung Y angeordnet. Dementsprechend sind der erste Steueranschluss 53A, der erste Erfassungsanschluss 54A, der Leistungsstromversorgungsanschluss 55 und die beiden Temperaturerfassungsanschlüsse 56 an der Seitenwand 81A so angeordnet, dass sie in der Querrichtung Y an die erste Steuerschicht 21, die erste Antriebsschicht 24 und die Thermistor-Montageschicht 16 angrenzen.
  • Genauer gesagt befinden sich der erste Steueranschluss 53A und der erste Erfassungsanschluss 54A näher am zweiten Substrat 12 als die erste Steuerschicht 21 und benachbart zur ersten Ansteuerschicht 24 in der Querrichtung Y. Aus der Querrichtung Y gesehen, sind der erste Steueranschluss 53A und der erste Erfassungsanschluss 54A so angeordnet, dass sie das zweite Substrat 12 überlappen. Der erste Steueranschluss 53A und der erste Erfassungsanschluss 54A sind in der Längsrichtung X nebeneinander angeordnet. Der erste Steueranschluss 53A und der erste Erfassungsanschluss 54A befinden sich in der Längsrichtung X auf Seiten der dritten Substratseitenfläche 12c des zweiten Substrats 12. In der Längsrichtung X befindet sich der erste Erfassungsanschluss 54A näher an dem Anschlusssitz 82B als der erste Steueranschluss 53A. Der erste Steueranschluss 53A und die erste Steuerschicht 21 sind durch ein erstes steueranschlussseitiges Verbindungsglied 35A verbunden, das ein Verbindungsglied 30 ist. Der erste Erfassungsanschluss 54A und die erste Ansteuerschicht 23 sind durch ein erstes erfassungsanschlussseitiges Verbindungsglied 36A verbunden, das ein Verbindungsglied 30 ist.
  • Wie oben beschrieben, ist die Gate-Elektrode 43 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem ersten Substrat 11 über das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A, die erste Steuerschicht 21 und das erste steueranschlussseitige Verbindungsglied 35A elektrisch mit dem ersten Steueranschluss 53A verbunden. Die erste Steuerschicht 22 ist mit der ersten Steuerschicht 21 über ein erstes Steuerschicht-Verbindungsglied 93A elektrisch verbunden. Somit ist die Gate-Elektrode 43 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem zweiten Substrat 12 über das erste steuerseitige Verbindungsglied32A, die erste Steuerschicht 22, das erste Steuerschicht-Verbindungsglied 93A, die erste Steuerschicht 21 und das erste steueranschlussseitige Verbindungsglied 35A elektrisch mit dem ersten Steueranschluss 53A verbunden.
  • Darüber hinaus ist die erste Ansteuerschicht 23 über ein erstes Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A elektrisch mit der ersten Ansteuerschicht 24 verbunden. Somit ist die Source-Elektrode 42 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem ersten Substrat 11 über das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A, die erste Ansteuerschicht 24, das erste Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A, die erste Ansteuerschicht 23 und das erste Erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36A elektrisch mit dem ersten Erfassungsanschluss 54A verbunden. Die Source-Elektrode 42 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem zweiten Substrat 12 ist über das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A, die erste Ansteuerschicht 23 und das erste erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36A elektrisch mit dem ersten Erfassungsanschluss 54A verbunden.
  • Der Leistungsstromversorgungsanschluss 55 befindet sich in der Längsrichtung X näher am Anschlusssitz 82B als der erste Steueranschluss 53A und der erste Erfassungsanschluss 54A. Der Leistungsstromversorgungsanschluss 55 ist in der Querrichtung Y neben dem anschlussseitigen Verbindungsglied 13e der ersten Montageschicht 13B angeordnet. Der Leistungsstromversorgungsanschluss 55 und die erste Montageschicht 13B sind durch ein leistungsversorgungserfassungsseitiges Stromversorgungsverbindungsglied 34 verbunden. Das leistungsversorgungserfassungsseitige Verbindungsglied 34 ist mit einem Ende des anschlussseitigen Verbindungsabschnitts 13e der ersten Montageschicht 13B in der Querrichtung Y verbunden, die sich auf Seiten der ersten Substrat-Seitenfläche 12a des zweiten Substrats 12 befindet.
  • Einer der beiden Temperaturerfassungsanschlüsse 56 befindet sich näher an der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 als die erste Steuerschicht 21. Der andere Temperaturerfassungsanschluss 56 ist so angeordnet, dass er aus der Querrichtung Y gesehen ein Ende der ersten Steuerschicht 21 überlappt, welches sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 befindet. Die beiden Temperaturerfassungsanschlüsse 56 befinden sich in der Querrichtung Y neben der Thermistor-Montageschicht 16. Die beiden Temperaturerfassungsanschlüsse 56 und die Thermistor-Montageschicht 16 sind durch thermistorseitige Verbindungsglieder 37 verbunden, die Verbindungsglieder 30 sind. Die thermistorseitigen Verbindungsglieder 37 weisen zwei Drähte, die durch Drahtbonden realisiert werden, auf. Einer der Drähte verbindet einen der beiden Bereiche der Thermistor-Montageschicht 16 mit einem der beiden Temperaturerfassungsanschlüsse 56. Der andere Draht verbindet den anderen der beiden Bereiche der Thermistor-Montageschicht 16 mit dem anderen der beiden Temperaturerfassungsanschlüsse 56. So sind der Thermistor 17 und die Temperaturerfassungsanschlüsse 56 durch die thermistorseitigen Verbindungsglieder 37 elektrisch verbunden.
  • Wie in 15 gezeigt, weisen die erste Steuerschicht 21 einen ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 21a, einen ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 21b, einen ersten steuerseitigen Zusammenfügeabschnitt 21c und einen ersten steuerseitigen Verbinder 21d auf. In der vorliegenden Ausführungsform ist die erste Steuerschicht 21 ein einteiliges Element, bei dem der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 21a, der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b, der erste steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 21c und der erste steuerseitige Verbinder 21d einstückig ausgebildet sind. Die erste Steuerschicht 21 kann z. B. eine Kupferfolie sein. In der Draufsicht sind der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 21a, der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b und der erste steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 21c schmalbandig geformt.
  • Der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 21a erstreckt sich in der Längsrichtung X. Der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 21a hat ein Ende 21e, welches sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 in der Längsrichtung X befindet. Das Ende 21e befindet sich näher an der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 als ein erstes Leistungshalbleiterelement 40Aa, das eines der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A ist, die sich in der Längsrichtung X am nächsten an der vierten Substrat-Seitenfläche 11d befinden. Aus der Querrichtung gesehen überlappt das Ende 21e den Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13c der ersten Montageschicht 13A. Aus der Querrichtung Y gesehen, erstreckt sich der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 21a in der Längsrichtung X und überlappt vier der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A mit Ausnahme eines ersten Leistungshalbleiterelements 40Ab, das der dritten Substrat-Seitenfläche 11c am nächsten liegt.
  • Das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A, das mit jedem ersten Leistungshalbleiterelement 40A verbunden ist, ist mit dem ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 21a verbunden. Die ersten steuerseitigen Verbindungsglieder 32A sind in der Längsrichtung X, die mit der Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A übereinstimmt, voneinander getrennt. Die ersten steuerseitigen Verbindungsglieder 32A, die mit Ausnahme des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ab mit den ersten Leistungshalbleiterelementen 40A verbunden sind, erstrecken sich in der Draufsicht in der Querrichtung Y. Das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A, das mit dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ab verbunden ist, ist mit dem ersten steuerseitigen Zusammenfügeabschnitt 21c verbunden. Die Gate-Elektrode 43 des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ab befindet sich näher an der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 als der erste steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 21c in der Längsrichtung X. Daher ist das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A, das mit dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ab verbunden ist, in Richtung der vierten substratseitigen Oberfläche 11d des ersten Substrats 11 geneigt, wenn sich das erste steuerseitige Verbindungselement 32A in Richtung des ersten steuerseitigen Verbindungsabschnitts 21c erstreckt.
  • Der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b ist von dem ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 21a in der Querrichtung Y getrennt. Der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b und die erste Ansteuerschicht 23 befinden sich an gegenüberliegenden Seiten des ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 21a in der Querrichtung Y. Der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b erstreckt sich in der Längsrichtung X. Der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b ist länger als der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 21a in der Längsrichtung X. Wie in 15 gezeigt, sind die ersten steuerseitigen Verbindungsglieder 32A nicht mit dem ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 21b verbunden. Das heißt, die ersten steuerseitigen Verbindungsglieder 32A sind elektrisch mit dem ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 21b verbunden, stehen aber nicht in physischem Kontakt mit dem ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 21b.
  • Der erste steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 21c verbindet den ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 21a und den ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 21b. Genauer gesagt, verbindet der erste steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 21c ein Ende des ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 21a in der Längsrichtung X, welches sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 befindet, und ein Ende des ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 21b in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 11c befindet. Der erste steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 21c erstreckt sich in der Querrichtung Y. Aus der Querrichtung Y gesehen, ist der erste steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 21c so angeordnet, dass er ein Ende des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ab in der Längsrichtung X überlappt, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet.
  • Der erste steuerseitige Verbinder 21d ist an einem distalen Ende des ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 21b ausgebildet. Der erste steuerseitige Verbinder 21d ist näher an der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 angeordnet als der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 21a in der Längsrichtung X. Der erste steuerseitige Verbinder 21d erstreckt sich in der Querrichtung Y. Die Breitenabmessung des ersten steuerseitigen Verbinders 21d (Abmessung des ersten steuerseitigen Verbinders 21d in der Längsrichtung X) ist größer als die Breitenabmessung des ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 21b (Abmessung des ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 21b in der Querrichtung Y). Der erste steuerseitige Verbinder 21d ist von dem ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 21a in der Längsrichtung X getrennt, wenn der Rand des ersten steuerseitigen Verbinders 21d in der Querrichtung Y, der sich auf Seiten der ersten Ansteuerschicht 23 befindet, in der Querrichtung Y mit dem Rand des ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 21a in der Querrichtung Y, der sich auf Seiten der ersten Ansteuerschicht 23 befindet, ausgerichtet ist.
  • Die erste Ansteuerschicht 23 erstreckt sich in der Längsrichtung X. In der Draufsicht ist die erste Ansteuerschicht 23 schmalbandförmig. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die Breitenabmessung der ersten Ansteuerschicht 23 (Abmessung der ersten Ansteuerschicht 23 in der Querrichtung Y) gleich der Breitenabmessung der ersten Steuerschicht 21 im ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 21a (Abmessung des ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 21a in der Querrichtung Y). Die Breitenabmessung der ersten Ansteuerschicht 23 ist ebenfalls gleich der Breitenabmessung der ersten Steuerschicht 21 im ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 21b (Abmessung des ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 21b in der Querrichtung Y).
  • Wenn der Unterschied in der Abmessung in der Querrichtung Y zwischen der ersten Ansteuerschicht 23 und dem ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 21a der ersten Steuerschicht 21 innerhalb von beispielsweise 5% der Abmessung des ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 21a der ersten Steuerschicht 21 in der Querrichtung Y liegt, kann die Breitenabmessung der ersten Ansteuerschicht 23 als gleich der Breitenabmessung des ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 21a der ersten Steuerschicht 21 angesehen werden. Wenn der Unterschied in der Abmessung in der Querrichtung Y zwischen der ersten Ansteuerschicht 23 und dem ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 21b der ersten Steuerschicht 21 innerhalb von beispielsweise 5% der Abmessung des ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 21b der ersten Steuerschicht 21 in der Querrichtung Y liegt, kann die Breitenabmessung der ersten Ansteuerschicht 23 als gleich der Breitenabmessung des ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 21b der ersten Steuerschicht 21 angesehen werden.
  • Die erste Ansteuerschicht 23 ist länger als der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 21a der ersten Steuerschicht 21 in der Längsrichtung X. Die erste Ansteuerschicht 23 ist auch länger als der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b der ersten Steuerschicht 21 in der Längsrichtung X. In der Querrichtung Y gesehen ist das Ende der ersten Ansteuerschicht 23 in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 befindet, mit dem ersten steuerseitigen Verbindungsabschnitt 21c der ersten Steuerschicht 21 ausgerichtet. Aus der Querrichtung Y gesehen, ist das Ende der ersten Ansteuerschicht 23 in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet, auf den ersten steuerseitigen Verbinder 21d der ersten Steuerschicht 21 ausgerichtet. Ferner sind, aus der Querrichtung Y gesehen, der erste steuerseitige Verbinder 21d der ersten Steuerschicht 21 und das Ende der ersten Ansteuerschicht 23 in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet, mit dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13c der ersten Montageschicht 13A ausgerichtet.
  • Das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A, das mit jedem ersten Leistungshalbleiterelement 40A verbunden ist, ist mit der ersten Ansteuerschicht 23 verbunden. Die ersten ansteuerseitige Verbindungsglieder 33A sind in der Längsrichtung X, die mit der Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A übereinstimmt, voneinander getrennt. Die ersten ansteuerseitigen Verbindungsglieder 33A, die mit den ersten Leistungshalbleiterelementen 40A verbunden sind, erstrecken sich in der Draufsicht in Querrichtung Y.
  • Wie in 16 gezeigt, weisen die erste Ansteuerschicht 24 einen ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 24a, einen ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 24b, einen ersten ansteuerseitigen Zusammenfügeabschnitt 24c und einen ersten ansteuerseitigen Verbinder 24d auf. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die erste Ansteuerschicht 24 ein einteiliges Element, in dem der erste ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 24a, der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b, der erste ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 24c und der erste ansteuerseitige Verbinder 24d einstückig ausgebildet sind. Die erste Ansteuerschicht 24 kann z. B. aus einer Kupferfolie gebildet sein. In der Draufsicht sind der erste ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 24a, der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b und der erste ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 24c schmalbandig geformt.
  • Der erste ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 24a erstreckt sich in der Längsrichtung X. Der erste ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 24a hat ein Ende 24e, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 in der Längsrichtung X befindet. Das Ende 24e befindet sich näher an der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 als ein erstes Leistungshalbleiterelement 40Ac, das eines der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A ist, das sich am nächsten an der dritten Substrat-Seitenfläche 12c in der Längsrichtung X befindet.
  • Das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A, das mit jedem ersten Leistungshalbleiterelement 40A verbunden ist, ist mit dem ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 24a verbunden. Die ersten ansteuerseitige Verbindungsglieder 33A sind in der Längsrichtung X, die mit der Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A übereinstimmt, voneinander getrennt. Die ersten ansteuerseitigen Verbindungsglieder 33A, die mit den ersten Leistungshalbleiterelementen 40A verbunden sind, erstrecken sich in der Draufsicht in Querrichtung Y.
  • Der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b ist von dem ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 24a in der Querrichtung Y getrennt. Der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b und der erste ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 24a befinden sich auf gegenüberliegenden Seiten der ersten Steuerschicht 22 in der Querrichtung Y. Der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b erstreckt sich in der Längsrichtung X. Der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b ist etwas länger als der erste ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 24a in der Längsrichtung X. Wie in 16 gezeigt, sind die ersten ansteuerseitigen Verbindungsglieder 33A nicht mit dem ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 24b verbunden. Das heißt, die ersten ansteuerseitigen Verbindungsglieder 33A sind elektrisch mit dem ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 24b verbunden, stehen aber nicht in physischem Kontakt mit dem ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 24b.
  • Der erste ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 24c verbindet den ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 24a und den ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 24b. Genauer gesagt, verbindet der erste ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 24c ein Ende des ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 24a in Längsrichtung X, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 befindet, und ein Ende des ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 24b in Längsrichtung X, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 12d befindet. Der erste ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 24c erstreckt sich in der Querrichtung Y. Der erste ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 24c ist neben dem anschlussseitigen Verbindungsabschnitt 13e der ersten Montageschicht 13B in der Längsrichtung X angeordnet. Aus der Querrichtung Y gesehen ist der erste ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 24c so angeordnet, dass er ein erstes Leistungshalbleiterelement 40Ad überlappt, das eines der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A ist, die der vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 in der Längsrichtung X am nächsten liegen.
  • Der erste ansteuerseitige Verbinder 24d ist an einem distalen Ende des ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 24b ausgebildet. Der erste ansteuerseitige Verbinder 24d befindet sich näher an der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 als der erste ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 24a in der Längsrichtung X. Der erste ansteuerseitige Verbinder 24d erstreckt sich in der Querrichtung Y. Der erste ansteuerseitige Verbinder 24d ist in der Querrichtung Y neben dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13f der ersten Montageschicht 13B angeordnet. Die Breitenabmessung des ersten ansteuerseitigen Verbinders 24d (Abmessung des ersten ansteuerseitigen Verbinders 24d in der Längsrichtung X) ist größer als die Breitenabmessung des ersten ansteuerseitige Umleitungsabschnitts 24b (Abmessung des ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 24b in der Querrichtung Y). Der erste ansteuerseitige Verbinder 24d ist von dem ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 24a in der Längsrichtung X getrennt, wenn der Rand des ersten ansteuerseitigen Verbinders 24d in der Querrichtung Y, der sich auf Seiten der ersten Montageschicht 13B befindet, in der Querrichtung Y mit dem Rand des ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 24a in der Querrichtung Y, der sich auf Seiten der ersten Montageschicht 13B befindet, ausgerichtet ist.
  • Die erste Steuerschicht 22 erstreckt sich in der Längsrichtung X. In der Draufsicht ist die erste Steuerschicht 22 schmalbandförmig. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die Breitenabmessung der ersten Steuerschicht 22 (Abmessung der ersten Steuerschicht 22 in der Querrichtung Y) gleich der Breitenabmessung des ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 24a der ersten Ansteuerschicht 24 (Abmessung des ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 24a in der Querrichtung Y). Die Breitenabmessung der ersten Steuerschicht 22 ist ebenfalls gleich der Breitenabmessung des ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 24b der ersten Ansteuerschicht 24 (Abmessung des ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 24b in der Querrichtung Y).
  • Wenn der Unterschied in der Abmessung in der Querrichtung Y zwischen der ersten Steuerschicht 22 und dem ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 24a der ersten Ansteuerschicht 24 innerhalb von beispielsweise 5 % der Abmessung des ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 24a der ersten Ansteuerschicht 24 in der Querrichtung Y liegt, kann die Breitenabmessung der ersten Steuerschicht 22 als gleich der Breitenabmessung des ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 24a der ersten Ansteuerschicht 24 angesehen werden. Wenn der Unterschied in der Abmessung in der Querrichtung Y zwischen der ersten Steuerschicht 22 und dem ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 24b der ersten Ansteuerschicht 24 innerhalb von beispielsweise 5 % der Abmessung des ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 24b der ersten Ansteuerschicht 24 in der Querrichtung Y liegt, kann die Breitenabmessung der ersten Steuerschicht 22 als gleich der Breitenabmessung des ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 24b der ersten Ansteuerschicht 24 angesehen werden.
  • Die erste Steuerschicht 22 ist etwas kürzer als der erste ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 24a der ersten Ansteuerschicht 24 in der Längsrichtung X. In der Querrichtung Y gesehen ist das Ende der ersten Steuerschicht 22 in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 befindet, auf das Ende 24e des ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 24a der ersten Antriebsschicht 24 ausgerichtet. Aus der Längsrichtung X gesehen überlappt die erste Steuerschicht 22 den ersten ansteuerseitigen Verbinder 24d der ersten Ansteuerschicht 24.
  • Das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A, das mit jedem ersten Leistungshalbleiterelement 40A des zweiten Substrats 12 verbunden ist, ist mit der ersten Steuerschicht 22 verbunden. Die ersten steuerseitigen Verbindungsglieder 32A sind in der Längsrichtung X, die mit der Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A übereinstimmt, voneinander getrennt. Die ersten steuerseitigen Verbindungsglieder 32A, die mit den vier ersten Leistungshalbleiterelementen 40A verbunden sind, mit Ausnahme des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ad, das sich unter den ersten Leistungshalbleiterelementen 40A am nächsten zur vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 befindet, erstrecken sich in der Draufsicht in der Querrichtung Y. Die Gate-Elektrode 43 des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ad befindet sich näher an der vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 als die erste Steuerschicht 22. Daher ist das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A, das mit dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ad verbunden ist, in Richtung der dritten Substrat-Seitenfläche 12c geneigt, wenn sich das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A in Richtung der ersten Substrat-Seitenfläche 12a des zweiten Substrats 12 erstreckt.
  • Wie in den 14 bis 16 gezeigt, sind das erste steuerseitige Verbindungsglied 35A und das erste Steuerschicht-Verbindungsglied 93A mit dem ersten steuerseitigen Verbinder 21d verbunden. Genauer gesagt, ist das erste steueranschlussseitige Verbindungsglied 35A mit einem Ende des ersten steuerseitigen Verbinders 21d in der Querrichtung Y verbunden, das sich auf Seiten der ersten Substrat-Seitenfläche 11a des ersten Substrats 11 befindet.
  • Das erste Steuerschicht-Verbindungsglied 93A ist mit einem Ende des ersten steuerseitigen Verbinders 21d in der Querrichtung Y verbunden, das sich auf Seiten der ersten Ansteuerschicht 23 befindet. Das erste Steuerschicht-Verbindungsglied 93A ist auch mit einem Ende der ersten Steuerschicht 22 in der Längsrichtung X verbunden, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 befindet. In der Draufsicht erstreckt sich das erste Steuerschicht-Verbindungsglied 93A in der Längsrichtung X. Wie in 16 gezeigt, erstreckt sich das erste Steuerschicht-Verbindungsglied 93A über den ersten ansteuerseitigen Verbinder 24d der ersten Ansteuerschicht 24 in der Längsrichtung X.
  • Das erste erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36A und das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 94A sind mit dem ersten anschlussseitigen Verbinder 24d verbunden. Genauer gesagt, ist das erste erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36A mit einem Ende des ersten anschlussseitigen Verbinders 24d in der Querrichtung Y verbunden, das sich auf Seiten der ersten Substrat-Seitenfläche 12a des zweiten Substrats 12 befindet.
  • Das Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A ist mit einem Ende der ersten Ansteuerschicht 23 in der Längsrichtung X verbunden, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet. Das Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A ist mit einem Ende des ersten ansteuerseitigen Verbinders 24d in der Querrichtung Y verbunden, das sich auf Seiten der ersten Montageschicht 13B befindet. In der Draufsicht erstreckt sich das erste Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A in der Längsrichtung X.
  • Wie in 17 gezeigt, ist die Seitenwand 81B des Gehäuses 80 benachbart zu der zweiten Steuerschicht 26 und der zweiten Ansteuerschicht 27 in der Querrichtung Y angeordnet. Dementsprechend sind der zweite Steueranschluss 53B und der zweite Erfassungsanschluss 54B an der Seitenwand 81B so angeordnet, dass sie in der Querrichtung Y an die zweite Steuerschicht 26 und die zweite Ansteuerschicht 27 angrenzen.
  • Genauer gesagt, befinden sich der zweite Steueranschluss 53B und der zweite Erfassungsanschluss 54B näher am ersten Substrat 11 als die zweite Steuerschicht 26 und benachbart zur zweiten Ansteuerschicht 27 in der Querrichtung Y. Aus der Querrichtung Y gesehen, sind der zweite Steueranschluss 53B und der zweite Erfassungsanschluss 54B so angeordnet, dass sie das erste Substrat 11 überlappen. Der zweite Steueranschluss 53B und der zweite Erfassungsanschluss 54B sind in der Längsrichtung X nebeneinander angeordnet. Der zweite Steueranschluss 53B und der zweite Erfassungsanschluss 54B befinden sich in der Längsrichtung X auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11. In der Längsrichtung X befindet sich der zweite Erfassungsanschluss 54B näher an dem Anschlusssitz 82A als der zweite Steueranschluss 53B. Der zweite Steueranschluss 53B und die zweite Steuerschicht 26 sind durch ein zweites steueranschlussseitiges Verbindungsglied 35B verbunden, das ein Verbindungsglied 30 ist. Der zweite Erfassungsanschluss 54B und die zweite Ansteuerschicht 27 sind durch ein zweites erfassungsanschlussseitiges Verbindungsglied 36B verbunden, das ein Verbindungsglied 30 ist.
  • Die zweite Steuerschicht 25 ist mit der zweiten Steuerschicht 26 durch ein zweites Steuerschicht-Verbindungsglied 93B elektrisch verbunden. Somit ist die Gate-Elektrode 43 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B auf dem ersten Substrat 11 über das zweite steuerseitige Verbindungsglied 32B, die zweite Steuerschicht 25, das zweite Steuerschicht-Verbindungsglied 93B, die zweite Steuerschicht 26 und das zweite steueranschlussseitige Verbindungsglied 35B elektrisch mit dem zweiten Steueranschluss 53B verbunden. Die Gate-Elektrode 43 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B auf dem zweiten Substrat 12 ist über das zweite steuerseitige Verbindungsglied 32B, die zweite Steuerschicht 26 und das zweite steueranschlussseitige Verbindungsglied 35B elektrisch mit dem ersten Steueranschluss 53A verbunden.
  • Außerdem ist die Source-Elektrode 42 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B auf dem ersten Substrat 11 über das zweite ansteuerseitig Verbindungsglied 33B, die zweite Ansteuerschicht 27 und das zweite erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36B elektrisch mit dem zweiten Erfassungsanschluss 54B verbunden. Darüber hinaus ist die zweite Ansteuerschicht 28 über ein zweites Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94B elektrisch mit der zweiten Ansteuerschicht 27 verbunden. Somit ist die Source-Elektrode 42 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B auf dem zweiten Substrat 12 über das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B, die zweite Ansteuerschicht 27, das zweite Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94B, die zweite Ansteuerschicht 28 und das zweite erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36B elektrisch mit dem zweiten Erfassungsanschluss 54B verbunden.
  • Wie in 18 gezeigt, weist die zweite Ansteuerschicht 27 einen zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 27a, einen zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 27b, einen zweiten ansteuerseitigen Zusammenfügeabschnitt 27c und einen zweiten ansteuerseitigen Verbinder 27d auf. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die zweite Ansteuerschicht 27 ein einteiliges Element, in dem der zweite ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 27a, der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b, der zweite ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 27c und der zweite ansteuerseitige Verbinder 27d einstückig ausgebildet sind. Die zweite Ansteuerschicht 27 kann z. B. eine Kupferfolie sein. In der Draufsicht sind der zweite ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 27a, der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b und der zweite ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 27c schmalbandig geformt.
  • Der zweite ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 27a erstreckt sich in der Längsrichtung X. In der Querrichtung Y ist der zweite ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 27a angrenzend an die leitende Schicht 15A angeordnet. Der zweite ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 27a hat ein Ende 27e, das sich in der Längsrichtung X auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet. Das Ende 27e befindet sich näher an der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 als ein zweites Leistungshalbleiterelement 40Ba, das eines der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B ist, die sich in der Längsrichtung X am nächsten an der vierten Substrat-Seitenfläche 11d befinden. Aus der Querrichtung Y gesehen, erstreckt sich der zweite ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 27a in der Längsrichtung X, um alle auf dem ersten Substrat 11 angeordneten zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B zu überlappen.
  • Das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B, das mit jedem zweiten Leistungshalbleiterelement 40B verbunden ist, ist mit dem zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 27a verbunden. Die zweiten ansteuerseitigen Verbindungsglieder 33B sind in der Längsrichtung X, die mit der Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B übereinstimmt, voneinander getrennt. Die zweiten ansteuerseitigen Verbindungsglieder 33B, die mit den zweiten Leistungshalbleiterelementen 40B verbunden sind, erstrecken sich in der Draufsicht in Querrichtung Y.
  • Der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b ist von dem zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 27a in der Querrichtung Y getrennt. Der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b und der zweite ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 27a befinden sich auf gegenüberliegenden Seiten der zweiten Steuerschicht 25 in der Querrichtung Y. Der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b befindet sich näher an der zweiten Substrat-Seitenfläche 11b des ersten Substrats 11 als die zweite Steuerschicht 25 in der Querrichtung Y. In der Querrichtung Y ist der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b neben der zweiten Substrat-Seitenfläche 11b des ersten Substrats 11 angeordnet. Der zweite ansteuerseitig Umleitungsabschnitt 27b erstreckt sich in der Längsrichtung X. Der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b ist in der Längsrichtung X etwas länger als der zweite ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 27a. Wie in 18 gezeigt, sind die zweiten ansteuerseitigen Verbindungselemente 33B nicht mit dem zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 27b verbunden. Das heißt, die zweiten ansteuerseitigen Verbindungsglieder 33B sind elektrisch mit dem zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 27b verbunden, stehen aber nicht in physischem Kontakt mit dem zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 27b.
  • Der zweite ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 27c verbindet den zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 27a und den zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 27b. Genauer gesagt, verbindet der zweite ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 27c ein Ende des zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 27a in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 befindet, und ein Ende des zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 27b in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 11c befindet. Der zweite ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 27c erstreckt sich in der Querrichtung Y. Ein zweites Leistungshalbleiterelement 40Bb ist eines der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B, das der dritten Substrat-Seitenfläche 11c am nächsten liegt. Aus der Querrichtung Y gesehen, ist der zweite ansteuerseitige Verbindungsabschnitt 27c so angeordnet, dass er ein Ende des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bb in der Längsrichtung X überlappt, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 befindet.
  • Der zweite ansteuerseitige Verbinder 27d ist an einem distalen Ende des zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 27b ausgebildet. Der zweite ansteuerseitige Verbinder 27d ist näher an der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 angeordnet als der zweite ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 27a in der Längsrichtung X. Der zweite ansteuerseitige Verbinder 27d erstreckt sich in der Querrichtung Y. Die Breitenabmessung des zweiten ansteuerseitigen Verbinders 27d (Abmessung des zweiten ansteuerseitigen Verbinders 27d in der Längsrichtung X) ist größer als die Breitenabmessung des zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 27b (Abmessung des zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 27b in der Querrichtung Y). Der zweite ansteuerseitige Verbinder 27d ist von dem zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 27a in der Längsrichtung X getrennt, wenn der Rand des zweiten ansteuerseitigen Verbinders 27d in der Querrichtung Y, der sich auf Seiten der leitenden Schicht 15A befindet, in der Querrichtung Y mit dem Rand des zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 27a in der Querrichtung Y, der sich auf Seiten der leitenden Schicht 15A befindet, ausgerichtet ist.
  • Die zweite Steuerschicht 25 erstreckt sich in der Längsrichtung X. In der Draufsicht ist die zweite Steuerschicht 25 schmalbandförmig. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die Breitenabmessung der zweiten Steuerschicht 25 (Abmessung der zweiten Steuerschicht 25 in der Querrichtung Y) gleich der Breitenabmessung des zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 27a der zweiten Ansteuerschicht 27 (Abmessung des zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 27a in der Querrichtung Y). Die Breitenabmessung der zweiten Steuerschicht 25 ist ebenfalls gleich der Breitenabmessung des zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 27b der zweiten Ansteuerschicht 27 (Abmessung des zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 27b in der Querrichtung Y).
  • Wenn der Unterschied in der Abmessung in der Querrichtung Y zwischen der zweiten Steuerschicht 25 und dem zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 27a der zweiten Ansteuerschicht 27 innerhalb von beispielsweise 5% der Abmessung des zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 27a der zweiten Ansteuerschicht 27 in der Querrichtung Y liegt, kann die Breitenabmessung der zweiten Steuerschicht 25 als gleich der Breitenabmessung des zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 27a der zweiten Antriebsschicht 27 angesehen werden. Wenn der Unterschied in der Abmessung in der Querrichtung Y zwischen der zweiten Steuerschicht 25 und dem zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 27b der zweiten Ansteuerschicht 27 innerhalb von beispielsweise 5% der Abmessung des zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 27b der zweiten Ansteuerschicht 27 in der Querrichtung Y liegt, kann die Breitenabmessung der zweiten Steuerschicht 25 als gleich der Breitenabmessung des zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 27b der zweiten Antriebsschicht 27 angesehen werden.
  • Die zweite Steuerschicht 25 ist etwas kürzer als der zweite ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 27a der zweiten Ansteuerschicht 27 in der Längsrichtung X. Die zweite Steuerschicht 25 hat ein Ende 25x, das in der Längsrichtung X auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 angeordnet ist. Aus der Querrichtung Y betrachtet, ist das Ende 25x mit dem Ende 27e des zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 27a der zweiten Ansteuerschicht 27 ausgerichtet.
  • Das zweite steuerseitige Verbindungsglied 32B, das mit jedem zweiten Leistungshalbleiterelement 40B verbunden ist, ist mit der zweiten Steuerschicht 25 verbunden. Die zweiten steuerseitigen Verbindungsglieder 32B sind in der Längsrichtung X, die mit der Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B übereinstimmt, voneinander getrennt. Die zweiten steuerseitigen Verbindungsglieder 32B, die mit den zweiten Leistungshalbleiterelementen 40B verbunden sind, erstrecken sich in der Draufsicht in Querrichtung Y. Das Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A ist mit dem Ende der ersten Ansteuerschicht 23 in Längsrichtung X verbunden, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet.
  • Wie in 19 gezeigt, weist die zweite Steuerschicht 26 einen zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 26a, einen zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 26b, einen zweiten steuerseitigen Zusammenfügeabschnitt 26c und einen zweiten steuerseitigen Verbinder 26d auf. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die zweite Steuerschicht 26 ein einteiliges Element, in dem der zweite steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 26a, der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b, der zweite steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 26c und der zweite steuerseitige Verbinder 26d einstückig ausgebildet sind. Die zweite Steuerschicht 26 kann z. B. eine Kupferfolie sein. In der Draufsicht sind der zweite steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 26a, der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b und der zweite steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 26c schmalbandig geformt.
  • Der zweite steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 26a erstreckt sich in der Längsrichtung X. Der zweite steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 26a hat ein Ende 26e, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 in der Längsrichtung X befindet. Das Ende 26e befindet sich näher an der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 als ein zweites Leistungshalbleiterelement 40Bc, das eines der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B ist, das sich am nächsten an der dritten Substrat-Seitenfläche 12c in der Längsrichtung X befindet.
  • Das zweite steuerseitige Verbindungsglied 32B, das mit jedem zweiten Leistungshalbleiterelement 40B verbunden ist, ist mit dem zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 26a verbunden. Die zweiten steuerseitigen Verbindungsglieder 32B sind in der Längsrichtung X, die mit der Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B übereinstimmt, voneinander getrennt. Die zweiten steuerseitigen Verbindungsglieder 32B, die mit den zweiten Leistungshalbleiterelementen 40B verbunden sind, erstrecken sich in der Draufsicht in Querrichtung Y.
  • Der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b ist von dem zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 26a in der Querrichtung Y getrennt. Der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b und die zweite Ansteuerschicht 28 befinden sich auf gegenüberliegenden Seiten des zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 26a in der Querrichtung Y. Der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b ist neben der zweiten Substrat-Seitenfläche 12b des zweiten Substrats 12 in der Querrichtung Y angeordnet. Der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b erstreckt sich in der Längsrichtung X. Der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b ist etwas länger als der zweite steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 26a in der Längsrichtung X. Wie in 19 gezeigt, sind die zweiten steuerseitigen Verbindungsglieder 32B nicht am zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 26b verbunden. Das heißt, die zweiten steuerseitigen Verbindungsglieder 32B sind elektrisch mit dem zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 26b verbunden, stehen aber nicht in physischem Kontakt mit dem zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 26b.
  • Der zweite steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 26c verbindet den zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 26a und den zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 26b. Genauer gesagt, verbindet der zweite steuerseitige Verbindungsabschnitt 26c ein Ende des zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 26a in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 befindet, mit einem Ende des zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 26b in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 12d befindet. Der zweite steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 26c erstreckt sich in der Querrichtung Y. In der Längsrichtung X ist der zweite steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 26c angrenzend an den anschlussseitigen Verbindungsabschnitt 14d der zweiten Montageschicht 14B angeordnet. Aus der Querrichtung Y gesehen ist der zweite steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 26c so angeordnet, dass er ein zweites Leistungshalbleiterelement 40Bd überlappt, das eines der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B ist, die der vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 in der Längsrichtung X am nächsten liegen.
  • Der zweite steuerseitige Verbinder 26d ist an einem distalen Ende des zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 26b ausgebildet. Der zweite steuerseitige Verbinder 26d befindet sich näher an der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 als der zweite steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 26a in der Längsrichtung X. Der zweite steuerseitige Verbinder 26d erstreckt sich in der Querrichtung Y. In der Querrichtung Y ist der zweite steuerseitige Verbinder 26d angrenzend an die zweite Ansteuerschicht 28 angeordnet. Die Breitenabmessung des zweiten steuerseitigen Verbinders 26d (Abmessung des zweiten steuerseitigen Verbinders 26d in der Längsrichtung X) ist größer als die Breitenabmessung des zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 26b (Abmessung des zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 26b in der Querrichtung Y). Der zweite steuerseitige Verbinder 26d ist von dem zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 26a in der Längsrichtung X getrennt, wenn der Rand des zweiten steuerseitigen Verbinders 26d in der Querrichtung Y, der sich auf Seiten der zweiten Ansteuerschicht 28 befindet, mit dem Rand des zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 26a in der Querrichtung Y, der sich auf Seiten der zweiten Ansteuerschicht 28 befindet, ausgerichtet ist.
  • Die zweite Ansteuerschicht 28 erstreckt sich in der Längsrichtung X. In der Draufsicht ist die zweite Ansteuerschicht 28 schmalbandförmig. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die Breitenabmessung der zweiten Ansteuerschicht 28 (Abmessung der zweiten Ansteuerschicht 28 in der Querrichtung Y) gleich der Breitenabmessung des zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 26a der zweiten Steuerschicht 26 (Abmessung des zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 26a in der Querrichtung Y). Die Breitenabmessung der zweiten Ansteuerschicht 28 ist gleich der Breitenabmessung des zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 26b der zweiten Steuerschicht 26 (Abmessung des zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 26b in Querrichtung Y).
  • Wenn der Unterschied in der Abmessung in der Querrichtung Y zwischen der zweiten Ansteuerschicht 28 und dem zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 26a der zweiten Steuerschicht 26 innerhalb von beispielsweise 5% der Abmessung des zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 26a der zweiten Steuerschicht 26 in der Querrichtung Y liegt, kann die Breitenabmessung der zweiten Antriebsschicht 28 als gleich der Breitenabmessung des zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 26a der zweiten Steuerschicht 26 angesehen werden. Wenn der Unterschied in der Abmessung in der Querrichtung Y zwischen der zweiten Ansteuerschicht 28 und dem zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 26a der zweiten Steuerschicht 26 innerhalb von beispielsweise 5% der Abmessung des zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 26a der zweiten Steuerschicht 26 in der Querrichtung Y liegt, kann die Breitenabmessung der zweiten Ansteuerschicht 28 als gleich der Breitenabmessung des zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 26a der zweiten Steuerschicht 26 angesehen werden.
  • Die zweite Ansteuerschicht 28 ist länger als der zweite steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 26a der zweiten Steuerschicht 26 in der Längsrichtung X. Aus der Querrichtung Y gesehen ist ein Ende der zweiten Ansteuerschicht 28 in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 befindet, auf den zweiten steuerseitigen Verbindungsabschnitt 26c der zweiten Steuerschicht 26 ausgerichtet. Aus der Querrichtung Y gesehen, ist ein Ende der zweiten Ansteuerschicht 28 in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 befindet, mit dem zweiten steuerseitigen Anschluss 26d der zweiten Steuerschicht 26 ausgerichtet.
  • Das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B, das mit jedem zweiten Leistungshalbleiterelement 40B des zweiten Substrats 12 verbunden ist, ist mit der zweiten Ansteuerschicht 28 verbunden. Die zweiten ansteuerseitigen Verbindungsglieder 33B sind in der Längsrichtung X, die mit der Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B übereinstimmt, voneinander getrennt. Die zweiten ansteuerseitigen Verbindungsglieder 33B, die mit den zweiten Leistungshalbleiterelementen 40B verbunden sind, erstrecken sich in der Draufsicht in Querrichtung Y.
  • Wie in den 17 bis 19 dargestellt, ist das zweite erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36B mit dem zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 27b verbunden. Genauer gesagt, ist das zweite erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36B mit einem Ende des zweiten anschlussseitigen Umleitungsabschnitts 27b verbunden, das sich auf Seiten des zweiten anschlussseitigen Verbinders 27d befindet.
  • Das zweite Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94B ist mit dem zweiten ansteuerseitigen Verbinder 27d verbunden. Genauer gesagt, ist das zweite Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94B mit einem Ende des zweiten ansteuerseitigen Verbinders 27d in der Querrichtung Y verbunden, das sich auf Seiten der leitenden Schicht 15A befindet. Das zweite Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94B ist auch mit einem Ende der zweiten Ansteuerschicht 28 in Längsrichtung X verbunden, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 befindet. In der Draufsicht erstreckt sich das erste Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A in der Längsrichtung X.
  • Das zweite Steuerschicht-Verbindungsglied 93B ist mit dem Ende 25x der zweiten Steuerschicht 25 verbunden, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet. Das zweite Steuerschicht-Verbindungsglied 93B ist mit dem zweiten steuerseitigen Verbinder 26d der zweiten Steuerschicht 26 verbunden. Das zweite Steuerschicht-Verbindungselement 93B ist mit einem Ende des zweiten steuerseitigen Verbinders 26d in der Querrichtung Y verbunden, das sich auf Seiten der zweiten Ansteuerschicht 28 befindet. In der Draufsicht erstreckt sich das zweite Steuerschicht-Verbindungselement 93B in der Längsrichtung X. Wie in 18 dargestellt, erstreckt sich das zweite Steuerschicht-Verbindungselement 93B über den zweiten ansteuerseitigen Verbinder 27d der zweiten Ansteuerschicht 27 in der Längsrichtung X.
  • Das zweite steueranschlussseitige Verbindungsglied 35B ist mit dem zweiten steuerseitigen Verbinder 26d verbunden. Genauer gesagt, ist das zweite steueranschlussseitige Verbindungsglied 35B mit einem Ende des zweiten steuerseitigen Verbinders 26d in der Querrichtung Y verbunden, das sich auf Seiten der zweiten Substrat-Seitenfläche 12b des zweiten Substrats 12 befindet.
  • Wie in den 11 bis 19 gezeigt, sind die steuerseitigen Verbindungsglieder 32A und 32B, die ansteuerseitigen Verbindungsglieder 33A und 33B, das leistungsversorgungserfassungsseitige Verbindungsglied 34, die steueranschlussseitigen Verbindungsglieder 35A und 35B, die erfassungsanschlussseitigen Verbindungsglieder 36A und 36B, die thermistorseitigen Verbindungsglieder 37, die Steuerschicht-Verbindungsglieder 93A und 93B und die Ansteuerschicht-Verbindungsglieder 94A und 94B Drähte aus Gold (Au), einer Au-Legierung, Al, einer Al-Legierung, Cu oder einer Cu-Legierung.
  • Leitender Pfad
  • Im Folgenden werden ein steuerseitiger und ein ansteuerseitiger leitender Pfad beschrieben. Der steuerseitige leitende Pfad ist ein erster leitender Pfad, der sich von jedem der Leistungshalbleiterelemente 40A und 40B zu den jeweiligen Steueranschlüssen 53A und 53B erstreckt. Der ansteuerseitige leitende Pfad ist ein zweiter leitender Pfad, der sich von jedem der Leistungshalbleiterelemente 40A und 40B zu den jeweiligen Erfassungsanschlüssen 54A und 54B erstreckt.
  • Wie in 14 gezeigt, wird ein erster steuerseitiger leitender Pfad, der sich von der Gate-Elektrode 43 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem ersten Substrat 11 zum ersten Steueranschluss 53A erstreckt, durch das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A, die erste Steuerschicht 21 und das erste steueranschlussseitige Verbindungsglied 35A gebildet. Somit wird der erste steuerseitige leitende Pfad für jedes erste Leistungshalbleiterelement 40A auf dem ersten Substrat 11 vom ersten Leistungshalbleiterelement 40Ab in Richtung des ersten Leistungshalbleiterelements 40Aa länger. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des ersten steuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Aa und dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ab, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A entsprechen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A (der Längsrichtung X) befinden. In diesem Fall ist der erste steuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Aa am längsten und entspricht dem ersten endsteuerseitigen leitenden Pfad. Der erste steuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ab ist am kürzesten und entspricht dem zweiten endsteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Ein erster ansteuerseitiger leitender Pfad, der sich von der Source-Elektrode 42 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem ersten Substrat 11 zu dem ersten Erfassungsanschluss 54A erstreckt, wird durch das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A, die erste Ansteuerschicht 23, das erste Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A, den ersten ansteuerseitigen Verbinder 24d der ersten Ansteuerschicht 24 und das erste erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36A gebildet. Somit wird der erste ansteuerseitig leitende Pfad für jedes erste Leistungshalbleiterelement 40A auf dem ersten Substrat 11 vom ersten Leistungshalbleiterelement 40Aa in Richtung des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ab länger. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des ersten ansteuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Aa und dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ab, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A entsprechen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A (der Längsrichtung X) befinden. In diesem Fall ist der erste ansteuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Aa am kürzesten und entspricht dem ersten endansteuerseitigen leitenden Pfad. Der erste ansteuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ab ist am längsten und entspricht dem zweiten endansteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Ein erster steuerseitiger leitender Pfad, der sich von der Gate-Elektrode 43 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem zweiten Substrat 12 zum ersten Steueranschluss 53A erstreckt, wird durch das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A, die erste Steuerschicht 22, das erste Steuerschicht-Verbindungsglied 93A, den ersten steuerseitigen Verbinder 21d der ersten Steuerschicht 21 und das erste steueranschlussseitige Verbindungsglied 35A gebildet. Somit wird der erste steuerseitige leitende Pfad für jedes erste Leistungshalbleiterelement 40A auf dem zweiten Substrat 12 vom ersten Leistungshalbleiterelement 40Ac in Richtung des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ad länger. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des ersten steuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ac und dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ad, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A entsprechen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A (der Längsrichtung X) befinden. In diesem Fall ist der erste steuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ac am kürzesten und entspricht dem ersten endsteuerseitigen leitenden Pfad. Der erste steuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ad ist am längsten und entspricht dem zweiten endsteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Ein erster ansteuerseitiger leitender Pfad, der sich von der Source-Elektrode 42 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem zweiten Substrat 12 zu dem ersten Erfassungsanschluss 54A erstreckt, wird durch das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A, die erste Ansteuerschicht 24 und das erste erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36A gebildet. Somit wird der erste ansteuerseitige leitende Pfad für jedes erste Leistungshalbleiterelement 40A auf dem zweiten Substrat 12 vom ersten Leistungshalbleiterelement 40Ad in Richtung des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ac länger. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des ersten ansteuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ac und dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ad, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A entsprechen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A (der Längsrichtung X) befinden. In diesem Fall ist der erste ansteuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ac am längsten und entspricht dem ersten endansteuerseitigen leitenden Pfad. Der erste ansteuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ad ist am kürzesten und entspricht dem zweiten endansteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Wie oben beschrieben, sind bei der vorliegenden Ausführungsform der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b und der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b gebildet, um die Differenz in der Summe der Länge des ersten steuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des ersten ansteuerseitigen leitenden Pfads zwischen den ersten Leistungshalbleiterelementen 40A zu verringern. Das heißt, das Leistungsmodul 1A der vorliegenden Ausführungsform ist so ausgebildet, dass die Differenz zwischen den ersten Leistungshalbleiterelementen 40A hinsichtlich der Summe der Länge des ersten steuerseitigen leitenden Pfads, der ein Beispiel für den ersten leitenden Pfad ist, und der Länge des ersten ansteuerseitigen leitenden Pfads, der ein Beispiel für den zweiten leitenden Pfad ist, durch den ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 21b und den ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 24b verringert wird.
  • Darüber hinaus sind in der vorliegenden Ausführungsform der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b und der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b so ausgebildet, dass sie die Differenz zwischen der Summe der Länge des ersten endsteuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des ersten endansteuerseitigen leitenden Pfads und der Summe der Länge des zweiten endsteuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des zweiten endansteuerseitigen leitenden Pfads verringern.
  • Die Summe der Länge des ersten endsteuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des ersten endansteuerseitigen leitenden Pfads ist ein Beispiel für eine erste Summe, die in den Patentansprüchen genannt wird. Die Summe der Länge des zweiten endsteuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des zweiten endansteuerseitig leitenden Pfads ist ein Beispiel für eine zweite Summe, die in den Patentansprüchen genannt wird. Somit ist das Leistungsmodul 1A der vorliegenden Ausführungsform so ausgebildet, dass die Differenz zwischen der ersten Summe und der zweiten Summe durch den ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 21b und den ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 24b verringert wird.
  • Wie in 17 gezeigt, wird ein zweiter steuerseitiger leitender Pfad, der sich von der Gate-Elektrode 43 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B auf dem ersten Substrat 11 zu dem zweiten Steueranschluss 53B erstreckt, durch das zweite steuerseitige Verbindungsglied 32B, die zweite Steuerschicht 25, das zweite Steuerschicht-Verbindungsglied 93B, den zweiten steuerseitigen Verbinder 26d der zweiten Steuerschicht 26 und das zweite steueranschlussseitige Verbindungsglied 35B gebildet. Dadurch wird der zweite steuerseitige leitende Pfad für jedes zweite Leistungshalbleiterelement 40B auf dem ersten Substrat 11 vom zweiten Leistungshalbleiterelement 40Ba zum zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bb länger. Der zweite steuerseitige leitende Pfad ist ein Beispiel für einen dritten leitenden Pfad. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des zweiten steuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Ba und dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bb, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B entsprechen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B (der Längsrichtung X) befinden. In diesem Fall ist der zweite steuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Ba am kürzesten und entspricht dem dritten endsteuerseitigen leitenden Pfad. Der zweite steuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bb ist am längsten und entspricht dem vierten endsteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Ein zweiter ansteuerseitiger leitender Pfad, der sich von der Source-Elektrode 42 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B auf dem ersten Substrat 11 zum zweiten Erfassungsanschluss 54B erstreckt, wird durch das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B, die zweite Ansteuerschicht 27 und das zweite erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36B gebildet. Dadurch wird der zweite ansteuerseitig leitende Pfad für jedes zweite Leistungshalbleiterelement 40B auf dem ersten Substrat 11 vom zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bb zum zweiten Leistungshalbleiterelement 40Ba länger. Der zweite ansteuerseitige leitende Pfad ist ein Beispiel für einen vierten leitenden Pfad. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Ba und dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bb, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B entsprechen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B (der Längsrichtung X) befinden. In diesem Fall ist der zweite ansteuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Ba am längsten und entspricht einem dritten endansteuerseitigen leitenden Pfad. Der zweite ansteuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bb ist am kürzesten und entspricht einem vierten endansteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Ein zweiter steuerseitiger leitender Pfad, der sich von der Gate-Elektrode 43 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B auf dem zweiten Substrat 12 zum zweiten Steueranschluss 53B erstreckt, wird durch das zweite steuerseitige Verbindungsglied 32B, die zweite Steuerschicht 26 und das zweite steueranschlussseitige Verbindungsglied 35B gebildet. Dadurch wird der zweite steuerseitige leitende Pfad für jedes zweite Leistungshalbleiterelement 40B des zweiten Substrats 12 vom zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bd zum zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bc länger. Der zweite steuerseitige leitende Pfad ist ein Beispiel für einen dritten leitenden Pfad. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des zweiten steuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bc und dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bd, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B entsprechen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B (der Längsrichtung X) befinden. In diesem Fall ist der zweite steuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bc am längsten und entspricht dem dritten endsteuerseitigen leitenden Pfad. Der zweite steuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bd ist am kürzesten und entspricht dem vierten endsteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Ein zweiter ansteuerseitiger leitender Pfad, der sich von der Source-Elektrode 42 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B auf dem zweiten Substrat 12 zu dem zweiten Erfassungsanschluss 54B erstreckt, wird durch das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B, die zweite Ansteuerschicht 28, das zweite Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94B, den zweiten ansteuerseitigen Verbinder 27d der zweiten Ansteuerschicht 27 und das zweite erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36B gebildet. Dadurch wird der zweite ansteuerseitig leitende Pfad für jedes zweite Leistungshalbleiterelement 40B auf dem zweiten Substrat 12 vom zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bc zum zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bd länger. Der zweite ansteuerseitige leitende Pfad ist ein Beispiel für einen vierten leitenden Pfad. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bc und dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bd, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B entsprechen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B (der Längsrichtung X) befinden. In diesem Fall ist der zweite ansteuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bc am kürzesten und entspricht einem dritten endansteuerseitigen leitenden Pfad. Der zweite ansteuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bd ist am längsten und entspricht einem vierten endansteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Wie oben beschrieben, sind in der vorliegenden Ausführungsform der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b und der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b so ausgebildet, dass die Differenz zwischen den zweiten Leistungshalbleiterelementen 40B hinsichtlich der Summe der Länge des zweiten steuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfads verringert wird. Das heißt, das Leistungsmodul 1A der vorliegenden Ausführungsform ist so ausgebildet, dass die Differenz zwischen den zweiten Leistungshalbleiterelementen 40B hinsichtlich der Summe der Länge des zweiten steuerseitigen leitenden Pfads, der ein Beispiel für einen dritten leitenden Pfad ist, und der Länge des zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfads, der ein Beispiel für einen vierten leitenden Pfad ist, durch den zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 26b und den zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 27b verringert wird.
  • Darüber hinaus sind in der vorliegenden Ausführungsform der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b und der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b so ausgebildet, dass sie die Differenz zwischen der Summe der Länge des dritten endsteuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des dritten endansteuerseitigen leitenden Pfads und der Summe der Länge des vierten endsteuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des vierten endansteuerseitigen leitenden Pfads verringern.
  • Die Summe der Länge des dritten endsteuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des dritten endansteuerseitigen leitenden Pfads ist ein Beispiel für eine dritte Summe, die in den Patentansprüchen genannt wird. Die Summe der Länge des vierten endsteuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des vierten endansteuerseitig leitenden Pfads ist ein Beispiel für eine vierte Summe, die in den Patentansprüchen genannt wird. Somit ist das Leistungsmodul 1A der vorliegenden Ausführungsform so ausgebildet, dass die Differenz zwischen der dritten Summe und der vierten Summe durch den zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 26b und den zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 27b verringert wird.
  • Funktionsweise
  • Die Funktionsweise des Leistungsmoduls 1A der vorliegenden Ausführungsform wird nun beschrieben. 20 zeigt den inneren Aufbau eines Vergleichsbeispiels eines Leistungsmoduls 1X. Der Einfachheit halber ist das Gehäuse 80 in 20 nicht dargestellt. Der Aufbau des Leistungsmoduls 1X des Vergleichsbeispiels wird im Folgenden beschrieben.
  • Wie in 20 gezeigt, unterscheidet sich das Leistungsmodul 1X von dem Leistungsmodul 1A der vorliegenden Ausführungsform im Aufbau (Struktur) jeder Steuerschicht und jeder Ansteuerschicht. Der Einfachheit halber werden die Steuerschichten und die Ansteuerschichten des Leistungsmoduls 1X mit den Bezugszeichen der entsprechenden Steuerschichten 21, 22, 25 und 26 und der Ansteuerschichten 23, 24, 27 und 28 des Leistungsmoduls 1A mit dem Suffix „X“ bezeichnet.
  • Wie in 21 gezeigt, sind eine erste Steuerschicht 21X und eine erste Ansteuerschicht 23X in der Querrichtung Y voneinander getrennt. Die erste Ansteuerschicht 23X befindet sich näher an der ersten Montageschicht 13A als die erste Steuerschicht 21X. Die erste Steuerschicht 21X und die erste Ansteuerschicht 23X erstrecken sich in der Längsrichtung X. Die erste Steuerschicht 21X und der erste Steueranschluss 53A sind durch das erste steueranschlussseitige Verbindungsglied 35A elektrisch verbunden. Die erste Steuerschicht 21X und die Gate-Elektrode 43 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem ersten Substrat 11 sind durch das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A elektrisch verbunden. Die erste Ansteuerschicht 23X und die Source-Elektrode 42 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem ersten Substrat 11 sind durch das erste ansteuerseitige Verbindungselement 33A elektrisch verbunden.
  • Wie in 21 gezeigt, sind eine erste Steuerschicht 21X und eine erste Ansteuerschicht 23X in der Querrichtung Y voneinander getrennt. Die erste Ansteuerschicht 23X befindet sich näher an der ersten Montageschicht 13A als die erste Steuerschicht 21X. Die erste Steuerschicht 22X und die erste Ansteuerschicht 24X erstrecken sich in der Längsrichtung X. Die erste Steuerschicht 22X und die erste Steuerschicht 21X sind durch das erste Steuerschicht-Verbindungsglied 93A elektrisch verbunden. Die erste Ansteuerschicht 24X und die erste Ansteuerschicht 23X sind durch das erste Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A elektrisch verbunden. Die erste Ansteuerschicht 24X und der erste Erfassungsanschluss 54A sind durch das erste erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36A elektrisch verbunden. Die erste Steuerschicht 22X und die Gate-Elektrode 43 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem zweiten Substrat 12 sind durch das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A elektrisch verbunden. Die erste Ansteuerschicht 24X und die Source-Elektrode 42 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem zweiten Substrat 12 sind durch das erste ansteuerseitige Verbindungselement 33A elektrisch verbunden.
  • Ein erster steuerseitiger leitender Pfad, der sich von der Gate-Elektrode 43 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem ersten Substrat 11 zum ersten Steueranschluss 53A erstreckt, wird durch das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A, die erste Steuerschicht 21X und das erste steueranschlussseitige Verbindungsglied 35A gebildet. Somit wird der erste steuerseitige leitende Pfad für jedes erste Leistungshalbleiterelement 40A auf dem ersten Substrat 11 vom ersten Leistungshalbleiterelement 40Aa in Richtung des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ab länger. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des ersten steuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Aa und dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ab, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A entsprechen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A (der Längsrichtung X) befinden. In diesem Fall ist der erste steuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ac am kürzesten und entspricht dem ersten endsteuerseitigen leitenden Pfad. Der erste steuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ab ist am längsten und entspricht dem zweiten endsteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Ein erster treiberseitiger leitender Pfad, der sich von der Source-Elektrode 42 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem ersten Substrat 11 zum ersten Erfassungsanschluss 54A erstreckt, wird durch das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A, die erste Ansteuerschicht 23X, das erste Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A, die erste Ansteuerschicht 24X und das erste erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36A gebildet. Somit wird der erste ansteuerseitig leitende Pfad für jedes erste Leistungshalbleiterelement 40A auf dem ersten Substrat 11 vom ersten Leistungshalbleiterelement 40Aa in Richtung des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ab länger. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des ersten ansteuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Aa und dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ab, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A entsprechen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A (der Längsrichtung X) befinden. In diesem Fall ist der erste ansteuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Aa am kürzesten und entspricht dem ersten endansteuerseitigen leitenden Pfad. Der erste ansteuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ab ist am längsten und entspricht dem zweiten endansteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Ein erster steuerseitiger leitender Pfad, der sich von der Gate-Elektrode 43 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem zweiten Substrat 12 zum ersten Steueranschluss 53A erstreckt, wird durch das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A, die erste Steuerschicht 22X, das erste Steuerschicht-Verbindungselement 93A, die erste Steuerschicht 21X und das erste steueranschlussseitige Verbindungsglied 35A gebildet. Somit wird der erste steuerseitige leitende Pfad für jedes erste Leistungshalbleiterelement 40A auf dem zweiten Substrat 12 vom ersten Leistungshalbleiterelement 40Ac in Richtung des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ad länger. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des ersten steuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ac und dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ad, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A entsprechen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A (der Längsrichtung X) befinden. In diesem Fall ist der erste steuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ac am kürzesten und entspricht dem ersten endsteuerseitigen leitenden Pfad. Der erste steuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ad ist am längsten und entspricht dem zweiten endsteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Ein erster ansteuerseitiger leitender Pfad, der sich von der Source-Elektrode 42 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem zweiten Substrat 12 zu dem ersten Erfassungsanschluss 54A erstreckt, wird durch das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A, die erste Ansteuerschicht 24X und das erste erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36A gebildet. Somit wird der erste ansteuerseitige leitende Pfad für jedes erste Leistungshalbleiterelement 40A auf dem zweiten Substrat 12 vom ersten Leistungshalbleiterelement 40Ac zum ersten Leistungshalbleiterelement 40Ad länger. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des ersten ansteuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ac und dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ad, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A entsprechen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung (der Längsrichtung X) der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A befinden. In diesem Fall ist der erste ansteuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ac am kürzesten und entspricht dem ersten endansteuerseitigen leitenden Pfad. Der erste ansteuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ad ist am längsten und entspricht dem zweiten endansteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Wie oben beschrieben, werden bei dem Leistungsmodul 1X sowohl der erste steuerseitige leitende Pfad als auch der erste ansteuerseitige leitende Pfad für jedes erste Leistungshalbleiterelement 40A auf dem ersten Substrat 11 vom ersten Leistungshalbleiterelement 40Aa in Richtung des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ab länger. Dadurch erhöht sich die Differenz zwischen den ersten Leistungshalbleiterelementen 40A auf dem ersten Substrat 11 hinsichtlich der Summe der Länge des ersten steuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des ersten ansteuerseitigen leitenden Pfads. Insbesondere hat das erste Leistungshalbleiterelement 40Aa den kürzesten ersten steuerseitigen leitenden Pfad und den kürzesten ersten ansteuerseitigen leitenden Pfad. Das erste Leistungshalbleiterelement 40Ab hat den längsten ersten steuerseitigen leitenden Pfad und den längsten ersten ansteuerseitigen leitenden Pfad. Daher unterscheidet sich die Summe der Länge des ersten steuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des ersten ansteuerseitigen leitenden Pfads zwischen dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Aa und dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ab erheblich.
  • Außerdem werden sowohl der erste steuerseitige leitende Pfad als auch der erste ansteuerseitige leitende Pfad für jedes erste Leistungshalbleiterelement 40A auf dem zweiten Substrat 12 vom ersten Leistungshalbleiterelement 40Ac zum ersten Leistungshalbleiterelement 40Ad hin länger. Dadurch erhöht sich die Differenz zwischen den ersten Leistungshalbleiterelementen 40A auf dem zweiten Substrat 12 hinsichtlich der Summe der Länge des ersten steuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des ersten ansteuerseitigen leitenden Pfads. Insbesondere hat das erste Leistungshalbleiterelement 40Ac den kürzesten ersten steuerseitigen leitenden Pfad und den kürzesten ersten ansteuerseitigen leitenden Pfad. Das erste Leistungshalbleiterelement 40Ad hat den längsten ersten steuerseitigen leitenden Pfad und den längsten ersten ansteuerseitigen leitenden Pfad. Daher unterscheidet sich die Summe der Länge des ersten steuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des ersten ansteuerseitigen leitenden Pfads zwischen dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ac und dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ad erheblich.
  • Wie in 22 gezeigt, wird ein zweiter steuerseitiger leitender Pfad, der sich von der Gate-Elektrode 43 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B auf dem ersten Substrat 11 zu dem zweiten Steueranschluss 53B erstreckt, durch das zweite steuerseitige Verbindungsglied 32B, die zweite Steuerschicht 25X, das zweite Steuerschicht-Verbindungsglied 93B, die zweite Steuerschicht 26X und das zweite steueranschlussseitige Verbindungsglied 35B gebildet. Dadurch wird der zweite steuerseitige leitende Pfad für jedes zweite Leistungshalbleiterelement 40B auf dem ersten Substrat 11 vom zweiten Leistungshalbleiterelement 40Ba zum zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bb länger. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des zweiten steuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Ba und dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bb, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B entsprechen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B (der Längsrichtung X) befinden. In diesem Fall ist der zweite steuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Ba am kürzesten und entspricht dem dritten endsteuerseitigen leitenden Pfad. Der zweite steuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bb ist am längsten und entspricht dem vierten endsteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Ein zweiter ansteuerseitiger leitender Pfad, der sich von der Source-Elektrode 42 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B auf dem ersten Substrat 11 zum zweiten Erfassungsanschluss 54B erstreckt, wird durch das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B, die zweite Ansteuerschicht 27X und das zweite erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36B gebildet. Dadurch wird der zweite ansteuerseitige Leiterpfad für jedes zweite Leistungshalbleiterelement 40B auf dem ersten Substrat 11 vom zweiten Leistungshalbleiterelement 40Ba zum zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bb hin länger. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Ba und dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bb, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B entsprechen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung (der Längsrichtung X) der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B befinden. In diesem Fall ist der zweite ansteuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bb am kürzesten und entspricht einem dritten endansteuerseitigen leitenden Pfad. Der zweite ansteuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bb ist am längsten und entspricht einem vierten endansteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Ein zweiter steuerseitiger leitender Pfad, der sich von der Gate-Elektrode 43 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B auf dem zweiten Substrat 12 zum zweiten Steueranschluss 53B erstreckt, wird durch das zweite steuerseitige Verbindungsglied 32B, die zweite Steuerschicht 26X und das zweite steueranschlussseitige Verbindungsglied 35B gebildet. Dadurch wird der zweite steuerseitige leitende Pfad für jedes zweite Leistungshalbleiterelement 40B des zweiten Substrats 12 vom zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bc zum zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bd länger. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des zweiten steuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bc und dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bd, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B entsprechen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B (der Längsrichtung X) befinden. In diesem Fall ist der zweite steuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bc am kürzesten und entspricht dem dritten endsteuerseitigen leitenden Pfad. Der zweite steuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bd ist am längsten und entspricht dem vierten endsteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Ein zweiter ansteuerseitiger leitender Pfad, der sich von der Source-Elektrode 42 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B auf dem zweiten Substrat 12 zum zweiten Erfassungsanschluss 54B erstreckt, wird durch das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B, die zweite Ansteuerschicht 28X, das zweite Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94B, die zweite Ansteuerschicht 27X und das zweite erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36B gebildet. Dadurch wird der zweite ansteuerseitig leitende Pfad für jedes zweite Leistungshalbleiterelement 40B auf dem zweiten Substrat 12 vom zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bc zum zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bd länger. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bc und dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bd, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B entsprechen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B (der Längsrichtung X) befinden. In diesem Fall ist der zweite ansteuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bc am kürzesten und entspricht einem dritten endansteuerseitigen leitenden Pfad. Der zweite ansteuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bd ist am längsten und entspricht einem vierten endansteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Wie oben beschrieben, werden bei dem Leistungsmodul 1X sowohl der zweite steuerseitige leitende Pfad als auch der zweite ansteuerseitige leitende Pfad für jedes zweite Leistungshalbleiterelement 40B auf dem ersten Substrat 11 vom zweiten Leistungshalbleiterelement 40Ba in Richtung des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bb länger. Dadurch erhöht sich die Differenz zwischen den zweiten Leistungshalbleiterelementen 40B auf dem ersten Substrat 11 hinsichtlich der Summe der Länge des zweiten steuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfads. Insbesondere hat das zweite Leistungshalbleiterelement 40Ba den kürzesten zweiten steuerseitigen leitenden Pfad und den kürzesten zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfad. Das zweite Leistungshalbleiterelement 40Bb hat den längsten zweiten steuerseitigen leitenden Pfad und den längsten zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfad. Daher unterscheidet sich die Summe der Länge des zweiten steuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfads zwischen dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Ba und dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bb erheblich.
  • Außerdem werden sowohl der zweite steuerseitige leitende Pfad als auch der zweite ansteuerseitige leitende Pfad für jedes zweite Leistungshalbleiterelement 40B auf dem zweiten Substrat 12 von dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bc in Richtung des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bd länger. Dadurch erhöht sich die Differenz zwischen den zweiten Leistungshalbleiterelementen 40B auf dem zweiten Substrat 12 hinsichtlich der Summe der Länge des zweiten steuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfads. Insbesondere hat das zweite Leistungshalbleiterelement 40Bc den kürzesten zweiten steuerseitigen leitenden Pfad und den kürzesten zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfad. Das zweite Leistungshalbleiterelement 40Bd hat den längsten zweiten steuerseitigen leitenden Pfad und den längsten zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfad. Daher unterscheidet sich die Summe der Länge des zweiten steuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfads zwischen dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bc und dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bc erheblich.
  • Folglich variieren die ersten Leistungshalbleiterelemente 40A, wie in 23 gezeigt, in der Summe des Induktivitätswertes zwischen jedem ersten Leistungshalbleiterelement 40A und dem ersten Steueranschluss 53A und dem Induktivitätswert zwischen dem ersten Leistungshalbleiterelement 40A und dem ersten Erfassungsanschluss 54A. Wie in 23 gezeigt, hat unter den ersten Leistungshalbleiterelementen 40A, die auf der ersten Montageschicht 13A montiert sind, das erste Leistungshalbleiterelement 40Aa den kleinsten Induktivitätswert, und das erste Leistungshalbleiterelement 40Ab hat den größten Induktivitätswert. Das heißt, der Unterschied im Induktivitätswert ist zwischen dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Aa und dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ab am größten. Unter den ersten Leistungshalbleiterelementen 40A, die auf der ersten Montageschicht 13B montiert sind, hat das erste Leistungshalbleiterelement 40Ac den kleinsten Induktivitätswert, und das erste Leistungshalbleiterelement 40Ad hat den größten Induktivitätswert. Das heißt, der Unterschied im Induktivitätswert ist am größten zwischen dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ac und dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ad.
  • Die zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B variieren auch in der Summe des Induktivitätswerts zwischen jedem zweiten Leistungshalbleiterelement 40B und dem zweiten Steueranschluss 53B und dem Induktivitätswert zwischen dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40B und dem zweiten Erfassungsanschluss 54B. Wie in 23 gezeigt, hat unter den zweiten Leistungshalbleiterelementen 40B, die auf der zweiten Montageschicht 14A montiert sind, das zweite Leistungshalbleiterelement 40Ba den kleinsten Induktivitätswert, und das zweite Leistungshalbleiterelement 40Bb hat den größten Induktivitätswert. Das heißt, der Unterschied im Induktivitätswert ist zwischen dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Ba und dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bb am größten. Unter den zweiten Leistungshalbleiterelementen 40B, die auf der zweiten Befestigungsschicht 14B montiert sind, hat das zweite Leistungshalbleiterelement 40Bc den kleinsten Induktivitätswert und das zweite Leistungshalbleiterelement 40Bd den größten Induktivitätswert. Das heißt, der Unterschied im Induktivitätswert ist am größten zwischen dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bc und dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bd.
  • Wenn eine Gate-Spannung Vg an die ersten Leistungshalbleiterelemente 40A und die zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B angelegt wird, kann die Wellenform der Gate-Spannung Vg aufgrund von Schwankungen des Induktivitätswerts schwanken. Wenn bei dem Leistungsmodul 1X Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs als erste Leistungshalbleiterelemente 40A und zweite Leistungshalbleiterelemente 40B verwendet werden und mit hoher Geschwindigkeit schalten, kann ein „Klingeln“ (engl. ringing) auftreten, wie in 24 gezeigt.
  • In dieser Hinsicht sind bei der vorliegenden Ausführungsform, wie oben beschrieben, der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b und der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b so ausgebildet, dass die Differenz zwischen den ersten Leistungshalbleiterelementen 40A hinsichtlich der Summe der Länge des ersten steuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des ersten ansteuerseitigen leitenden Pfads reduziert wird. Darüber hinaus sind der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b und der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b so ausgebildet, dass die Differenz zwischen den zweiten Leistungshalbleiterelementen 40B in der Summe der Länge des zweiten steuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfads verringert wird. So werden, wie in 23 gezeigt, die Schwankungen der Summe des Induktivitätswertes zwischen jedem ersten Leistungshalbleiterelement 40A und dem ersten Steueranschluss 53A und des Induktivitätswertes zwischen dem ersten Leistungshalbleiterelement 40A und dem ersten Erfassungsanschluss 54A in den ersten Leistungshalbleiterelementen 40A reduziert. Außerdem werden die Schwankungen der Summe der Induktivitätswerte zwischen jedem zweiten Leistungshalbleiterelement 40B und dem zweiten Steueranschluss 53B und der Induktivitätswerte zwischen dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40B und dem zweiten Erfassungsanschluss 54B in den zweiten Leistungshalbleiterelementen 40B reduziert. Dementsprechend, wenn SiC-MOSFETs als erste Leistungshalbleiterelemente 40A und zweite Leistungshalbleiterelemente 40B verwendet werden und Hochgeschwindigkeitsschaltungen durchführen, wird einen „Klingeln“ im Leistungsmodul 1A der vorliegenden Ausführungsform reduziert, wie in 25 gezeigt.
  • Vorteile
  • Das Leistungsmodul 1A der vorliegenden Ausführungsform hat die folgenden Vorteile.
  • (1-1) Die erste Steuerschicht 21 weist den ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 21b auf. Die erste Ansteuerschicht 24 weist den ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 24b auf. Dadurch wird die Differenz in der Summe der Länge des ersten steuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des ersten ansteuerseitigen leitenden Pfads für die ersten Leistungshalbleiterelemente 40A verringert, wodurch die durch die Längenunterschiede verursachten Schwankungen des Induktivitätswertes reduziert werden. Infolgedessen wird ein „Klingeln“ in den ersten Leistungshalbleiterelementen 40A reduziert und das Leistungsmodul 1A arbeitet stabil.
  • (1-2) In der Draufsicht hat das Leistungsmodul 1A eine lange Seite, die sich in der Längsrichtung X erstreckt, und eine kurze Seite, die sich in der Querrichtung Y erstreckt. Der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b der ersten Steuerschicht 21 ist von dem ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 21a in der Querrichtung Y getrennt und erstreckt sich in der Längsrichtung X. Der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b der ersten Ansteuerschicht 24 ist von dem ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 24a in der Querrichtung Y getrennt und erstreckt sich in der Längsrichtung X. Der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b der zweiten Ansteuerschicht 27 ist von dem zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 27a in der Querrichtung Y getrennt und erstreckt sich in der Längsrichtung X. Der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b der zweiten Steuerschicht 26 ist von dem zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 26a in der Querrichtung Y getrennt und erstreckt sich in der Längsrichtung X. Wie oben beschrieben, erstrecken sich die Umleitungsabschnitte 21b, 24b, 26b, 27b in der Längsrichtung X, die mit der Längsseitenrichtung des Leistungsmoduls 1A übereinstimmt, so dass eine Zunahme der Größe des Leistungsmoduls 1A in der Querrichtung Y begrenzt ist.
  • (1-3) Die erste Steuerschicht 21 ist ein einteiliges Element, in dem der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 21a, der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b und der erste steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 21c einstückig ausgebildet sind. Diese Struktur erleichtert die Bildung der ersten Steuerschicht 21 auf dem ersten Substrat 11 im Vergleich zu einer Struktur, bei der beispielsweise der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 21a, der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b und der erste steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 21c separat gebildet und durch Drähte miteinander verbunden werden.
  • Die erste Ansteuerschicht 24 ist ebenfalls ein einteiliges Element, in dem der erste ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 24a, der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b und der erste ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 24c einstückig ausgebildet sind. Diese Struktur erleichtert die Bildung der ersten Ansteuerschicht 24 auf dem zweiten Substrat 12 im Vergleich zu einer Struktur, bei der beispielsweise der erste ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 24a, der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b und der erste ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 24c separat gebildet und durch Drähte miteinander verbunden sind.
  • Die zweite Ansteuerschicht 27 ist ebenfalls ein einteiliges Element, in dem der zweite ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 27a, der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b und der zweite ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 27c einstückig ausgebildet sind. Diese Struktur erleichtert die Bildung der zweiten Ansteuerschicht 27 auf dem ersten Substrat 11 im Vergleich zu einer Struktur, bei der z. B. der zweite ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 27a, der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b und der zweite ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 27c separat gebildet und durch Drähte miteinander verbunden sind.
  • Die zweite Steuerschicht 26 ist ebenfalls ein einteiliges Element, in dem der zweite steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 26a, der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b und der zweite steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 26c einstückig ausgebildet sind. Diese Struktur erleichtert die Bildung der zweiten Steuerschicht 26 auf dem zweiten Substrat 12 im Vergleich zu einer Struktur, bei der beispielsweise der zweite steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 26a, der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b und der zweite steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 26c separat gebildet und durch Drähte miteinander verbunden werden.
  • (1-4) In der Querrichtung Y liegt die erste Ansteuerschicht 23 näher an der ersten Montageschicht 13A als die erste Steuerschicht 21. Diese Struktur verkürzt das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A, das die erste Ansteuerschicht 23 mit der Source-Elektrode 42 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem ersten Substrat 11 verbindet. Infolgedessen wird die durch das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A verursachte Induktivität reduziert.
  • In der Querrichtung Y befindet sich die erste Ansteuerschicht 24 näher an der ersten Montageschicht 13B als die erste Steuerschicht 22. Diese Struktur verkürzt das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A, das die erste Ansteuerschicht 24 mit der Source-Elektrode 42 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem zweiten Substrat 12 verbindet. Infolgedessen wird die durch das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A verursachte Induktivität reduziert.
  • In der Querrichtung Y befindet sich die zweite Ansteuerschicht 27 näher an der leitenden Schicht 15A als die zweite Steuerschicht 25. Diese Struktur verkürzt das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B, das die zweite Ansteuerschicht 27 mit der Source-Elektrode 42 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B auf dem ersten Substrat 11 verbindet. Dadurch wird die Induktivität, die durch das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B verursacht wird, verringert.
  • In der Querrichtung Y befindet sich die zweite Ansteuerschicht 28 näher an der leitenden Schicht 15B als die zweite Steuerschicht 26. Diese Struktur verkürzt das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B, das die zweite Ansteuerschicht 28 mit der Source-Elektrode 42 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B auf dem zweiten Substrat 12 verbindet. Dadurch wird die Induktivität, die durch das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B verursacht wird, verringert.
  • (1-5) Der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b der ersten Steuerschicht 21 und der ersten Antriebsschicht 23 befinden sich auf gegenüberliegenden Seiten des ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 21a in der Querrichtung Y. Bei dieser Struktur befindet sich der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b in der Nähe der Seitenwand 81A des Gehäuses 80, d.h. in der Nähe des ersten Steueranschlusses 53A, in der Querrichtung Y. Dadurch wird das erste steueranschlussseitige Verbindungselement 35A verkürzt, das den ersten Steueranschluss 53A mit dem ersten steuerseitigen Verbinder 21d verbindet, der am distalen Ende des ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 21b ausgebildet ist. Dadurch wird die durch das erste steueranschlussseitige Verbindungsglied 35A verursachte Induktivität verringert.
  • Der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b der zweiten Steuerschicht 26 und die zweite Ansteuerschicht 28 befinden sich auf gegenüberliegenden Seiten des zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 26a in der Querrichtung Y. Bei dieser Struktur befindet sich der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b in der Nähe der Seitenwand 81B des Gehäuses 80, d.h. in der Nähe des zweiten Steueranschlusses 53B, in der Querrichtung Y. Dadurch wird das zweite steueranschlussseitige Verbindungselement 35B verkürzt, das den zweiten Steueranschluss 53B mit dem zweiten steuerseitigen Verbinder 26d verbindet, der am distalen Ende des zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 26b ausgebildet ist. Dadurch wird die durch das zweite steueranschlussseitige Verbindungsglied 35B verursachte Induktivität verringert.
  • (1-6) Der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b der ersten Ansteuerschicht 24 und der erste ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 24a befinden sich auf gegenüberliegenden Seiten der ersten Steuerschicht 22 in der Querrichtung Y. In dieser Struktur befindet sich der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b in der Nähe der Seitenwand 81A des Gehäuses 80, d.h. in der Nähe des ersten Erfassungsanschlusses 54A, in der Querrichtung Y. Dadurch verkürzt sich das erste erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36A, das den ersten Erfassungsanschluss 54A mit dem ersten ansteuerseitigen Anschluss 24d verbindet, der am distalen Ende des ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 24b ausgebildet ist. Dadurch wird die Induktivität, die durch das erste erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36A verursacht wird, reduziert.
  • Der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b der zweiten Ansteuerschicht 27 und der zweite ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 27a befinden sich auf gegenüberliegenden Seiten der zweiten Steuerschicht 25 in der Querrichtung Y. Bei dieser Struktur befindet sich der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b in der Nähe der Seitenwand 81A des Gehäuses 80, d.h. in der Nähe des zweiten Erfassungsanschlusses 54B, in der Querrichtung Y. Dadurch verkürzt sich das zweite erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36B, das den zweiten Erfassungsanschluss 54B mit dem zweiten ansteuerseitigen Verbinder 27d verbindet, der am distalen Ende des zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 27b ausgebildet ist. Dadurch wird die Induktivität, die durch das zweite erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36B verursacht wird, reduziert.
  • (1-7) Das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A ist nicht mit dem ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 21b der ersten Steuerschicht 21 verbunden. Das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A ist mit dem ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 21a verbunden. Bei dieser Struktur wird der erste steuerseitige leitende Pfad, der sich zwischen der Gate-Elektrode 43 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem ersten Substrat 11 und dem ersten Steueranschluss 53A erstreckt, vom ersten Leistungshalbleiterelement 40Ab, das das erste Leistungshalbleiterelement 40A auf dem ersten Substrat 11 ist, das der dritten Substrat-Seitenfläche 11c am nächsten liegt, zum ersten Leistungshalbleiterelement 40Aa hin länger, das eines der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A auf dem ersten Substrat 11 ist, das der vierten Substrat-Seitenfläche 11d am nächsten liegt. Im Gegensatz dazu wird der erste ansteuerseitig leitende Pfad, der sich zwischen der Source-Elektrode 42 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem ersten Substrat 11 und dem ersten Erfassungsanschluss 54A erstreckt, vom ersten Leistungshalbleiterelement 40Aa in Richtung des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ab länger. Dadurch verringert sich die Differenz zwischen den ersten Leistungshalbleiterelementen 40A auf dem ersten Substrat 11 hinsichtlich der Summe der Länge des ersten steuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des ersten ansteuerseitigen leitenden Pfads.
  • Das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A ist nicht mit dem ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 24b der ersten Ansteuerschicht 24 verbunden. Das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A ist mit dem ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 24a verbunden. Bei dieser Struktur wird der erste ansteuerseitige leitende Pfad, der sich zwischen der Source-Elektrode 42 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A und dem ersten Erfassungsanschluss 54A erstreckt, vom ersten Leistungshalbleiterelement 40Ad, das das erste Leistungshalbleiterelement 40A ist, das sich auf dem zweiten Substrat 12 am nächsten zur vierten Substrat-Seitenfläche 12d befindet, in Richtung des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ac verlängert, das das erste Leistungshalbleiterelement 40A ist, das sich auf dem zweiten Substrat 12 am nächsten zur dritten Substrat-Seitenfläche 12c befindet. Im Gegensatz dazu wird der erste steuerseitige leitende Pfad, der sich zwischen der Gate-Elektrode 43 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem zweiten Substrat 12 und dem ersten Steueranschluss 53A erstreckt, vom ersten Leistungshalbleiterelement 40Ac in Richtung des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ad länger. Dadurch verringert sich die Differenz zwischen den ersten Leistungshalbleiterelementen 40A auf dem zweiten Substrat 12 hinsichtlich der Summe der Länge des ersten steuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des ersten ansteuerseitigen leitenden Pfads.
  • Das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B ist nicht mit dem zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 27b der zweiten Ansteuerschicht 27 verbunden. Das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B ist mit dem zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 27a verbunden. Bei dieser Struktur wird der zweite ansteuerseitige leitende Pfad, der sich zwischen der Source-Elektrode 42 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B auf dem ersten Substrat 11 und dem zweiten Erfassungsanschluss 54B erstreckt, von dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bb, das das zweite Leistungshalbleiterelement 40B ist, das sich auf dem ersten Substrat 11 am nächsten zur dritten Substrat-Seitenfläche 11c befindet, in Richtung des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Ba verlängert, das das zweite Leistungshalbleiterelement 40B ist, das sich auf dem ersten Substrat 11 am nächsten zur vierten Substrat-Seitenfläche 11d befindet. Im Gegensatz dazu wird der zweite steuerseitige leitende Pfad, der sich zwischen der Gate-Elektrode 43 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B auf dem ersten Substrat 11 und dem zweiten Steueranschluss 53B erstreckt, vom zweiten Leistungshalbleiterelement 40Ba in Richtung des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bb länger. Dadurch verringert sich die Differenz zwischen den zweiten Leistungshalbleiterelementen 40B auf dem ersten Substrat 11 hinsichtlich der Summe der Länge des zweiten steuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfads.
  • Das zweite steuerseitige Verbindungsglied 32B ist nicht mit dem zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 26b der zweiten Steuerschicht 26 verbunden. Das zweite steuerseitige Verbindungsglied 32B ist mit dem zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 26a verbunden. Bei dieser Struktur wird der zweite steuerseitige leitende Pfad, der sich zwischen der Gate-Elektrode 43 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B auf dem zweiten Substrat 12 und dem zweiten Steueranschluss 53B erstreckt, vom zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bd, das das zweite Leistungshalbleiterelement 40B ist, das sich auf dem zweiten Substrat 12 am nächsten zur vierten Substrat-Seitenfläche 12d befindet, in Richtung des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bc verlängert, das das zweite Leistungshalbleiterelement 40B ist, das sich auf dem zweiten Substrat 12 am nächsten zur dritten Substrat-Seitenfläche 12c befindet. Im Gegensatz dazu wird der zweite ansteuerseitige leitende Pfad, der sich zwischen der Source-Elektrode 42 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B auf dem zweiten Substrat 12 und dem zweiten Erfassungsanschluss 54B erstreckt, vom zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bc in Richtung des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bd länger. Dadurch verringert sich die Differenz zwischen den zweiten Leistungshalbleiterelementen 40B auf dem zweiten Substrat 12 hinsichtlich der Summe der Länge des zweiten steuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfads.
  • (1-8) Die ersten steuerseitigen Verbindungsglieder 32A, die mit den ersten Leistungshalbleiterelementen 40A verbunden sind, erstrecken sich in der Querrichtung Y.
    Die ersten ansteuerseitigen Verbindungsglieder 33A, die mit den ersten Leistungshalbleiterelementen 40A verbunden sind, erstrecken sich in der Querrichtung Y.
    Die zweiten steuerseitigen Verbindungsglieder 32B, die mit den zweiten Leistungshalbleiterelementen 40B verbunden sind, erstrecken sich in der Querrichtung Y.
    Die zweiten ansteuerseitigen Verbindungsglieder 33B, die mit den zweiten Leistungshalbleiterelementen 40B verbunden sind, erstrecken sich in der Querrichtung Y. Bei diesen Strukturen können die Verbindungsglieder 32A, 32B, 33A und 33B auf einfache Weise durch Drahtbonden realisiert werden.
  • (1-9) Der erste steuerseitige Verbinder 21d der ersten Steuerschicht 21 erstreckt sich in der Querrichtung Y und überlappt die erste Steuerschicht 22 aus der Längsrichtung X gesehen. Daher kann das erste Steuerschicht-Verbindungsglied 93A, das den ersten steuerseitigen Verbinder 21d und die erste Steuerschicht 22 verbindet, in der Längsrichtung X auf einfache Weise ausgebildet sein.
  • Der erste ansteuerseitige Verbinder 24d der ersten Ansteuerschicht 24 erstreckt sich in der Querrichtung Y und überlappt die erste Ansteuerschicht 23 aus der Längsrichtung X gesehen. Daher kann das erste Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A, das den ersten ansteuerseitigen Verbinder 24d und die erste Ansteuerschicht 23 verbindet, in der Längsrichtung X auf einfache Weise ausgebildet sein.
  • Der zweite ansteuerseitige Verbinder 27d der zweiten Ansteuerschicht 27 erstreckt sich in der Querrichtung Y und überlappt die zweite Ansteuerschicht 28 aus der Längsrichtung X gesehen. Daher kann das zweite Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94B, das den zweiten ansteuerseitigen Verbinder 27d und die zweite Ansteuerschicht 28 miteinander verbindet, in der Längsrichtung X auf einfache Weise ausgebildet sein.
  • Der zweite steuerseitige Verbinder 26d der zweiten Steuerschicht 26 erstreckt sich in der Querrichtung Y und überlappt die zweite Steuerschicht 25 aus der Längsrichtung X gesehen. Daher kann das zweite Steuerschicht-Verbindungsglied 93B, das den zweiten steuerseitigen Verbinder 26d und die zweite Steuerschicht 25 miteinander verbindet, in der Längsrichtung X auf einfache Weise ausgebildet sein.
  • Zweite Ausführungsform
  • Eine zweite Ausführungsform eines Leistungsmoduls 1B wird nun unter Bezugnahme auf die 26 bis 32 beschrieben. Das Leistungsmodul 1B der vorliegenden Ausführungsform unterscheidet sich von dem Leistungsmodul 1A der ersten Ausführungsform hauptsächlich durch die Struktur der Steuerschichten und der Ansteuerschichten. Die Unterschiede zum Leistungsmodul 1A der ersten Ausführungsform werden nachstehend im Einzelnen beschrieben. Die gleichen Bezugszeichen werden für die Komponenten verwendet, die mit den entsprechenden Komponenten des Leistungsmoduls 1A in der ersten Ausführungsform übereinstimmen. Diese Komponenten werden nicht erneut beschrieben. Bei den 28, 29, 31 und 32 sind die doppelt gestrichelten Linien Hilfslinien, die die Lagebeziehung zwischen jeder Steuerschicht und jeder Ansteuerschicht definieren.
  • Wie in den 26 bis 28 gezeigt, weist die erste Steuerschicht 21 den ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 21a, den ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 21b und den ersten steuerseitigen Zusammenfügeabschnitt 21c auf. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 21a, der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b und der erste steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 21c separat ausgebildet. Der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 21a und der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b sind z. B. eine Kupferfolie. Der erste steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 21c ist z. B. ein Draht, der durch Drahtbonden realisiert ist. Der erste steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 21c kann z. B. aus Au, einer Au-Legierung, Al, einer Al-Legierung, Cu oder einer Cu-Legierung gebildet sein.
  • Der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 21a und der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b erstrecken sich in der Längsrichtung X. Der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b und die erste Ansteuerschicht 23 befinden sich auf gegenüberliegenden Seiten des ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 21a in der Querrichtung Y. Ein Ende des ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 21a in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet, ist in der Längsrichtung X mit einem Ende des ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 21b in der Längsrichtung X ausgerichtet, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet. Diese Enden sind mit dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13c der ersten Montageschicht 13A aus der Querrichtung Y gesehen ausgerichtet. Das heißt, die Enden befinden sich näher an der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 als das erste Leistungshalbleiterelement 40Aa, das das erste Leistungshalbleiterelement 40A ist, das sich am nächsten an der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet. Der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 21a ist länger als der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b in der Längsrichtung X. Das heißt, ein Ende des ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 21a in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 befindet, liegt näher an der dritten Substrat-Seitenfläche 11c als ein Ende des ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 21b in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 befindet.
  • Der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 21a ist so ausgebildet, dass er die ersten Leistungshalbleiterelemente 40A aus der Querrichtung Y gesehen überlappt. Das Ende des ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 21a in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 befindet, ist so ausgebildet, dass es ein Ende des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ab in der Längsrichtung X überlappt, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet. Das erste Leistungshalbleiterelement 40Ab ist eines der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A, das sich am nächsten an der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 befindet.
  • Das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A, das mit jedem ersten Leistungshalbleiterelement 40A des ersten Substrats 11 verbunden ist, ist mit dem ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 21a verbunden. Die ersten steuerseitigen Verbindungsglieder 32A sind in der Längsrichtung X, die mit der Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A übereinstimmt, voneinander getrennt. Die ersten steuerseitigen Verbindungsglieder 32A, die mit den vier ersten Leistungshalbleiterelementen 40A verbunden sind, mit Ausnahme des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ab, bei dem es sich um das erste Leistungshalbleiterelement 40A handelt, das der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 am nächsten liegt, erstrecken sich in der Draufsicht in Querrichtung Y. Die Gate-Elektrode 43 des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ab befindet sich näher an der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 als der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 21a. Daher ist das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A, das mit dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ab verbunden ist, in Richtung der vierten Substratseitenfläche 11d geneigt, wenn sich das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A in Richtung der ersten Substrat-Seitenfläche 11a des ersten Substrats 11 erstreckt.
  • Der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b ist so ausgebildet, dass er die ersten Leistungshalbleiterelemente 40A mit Ausnahme des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ab aus der Querrichtung Y gesehen überlappt. Das heißt, das Ende des ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 21b in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 befindet, liegt näher an der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 als das erste Leistungshalbleiterelement 40Ab. Wie in den 26 bis 28 dargestellt, sind die ersten steuerseitigen Verbindungsglieder 32A nicht mit dem ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 21b verbunden.
  • Der erste steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 21c verbindet das Ende des ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 21a in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 befindet, und das Ende des ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 21b in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 befindet. Somit ist der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 21a elektrisch mit dem ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 21b verbunden. Der erste steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 21c befindet sich näher an der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 als das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A, das mit dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ab verbunden ist. Da sich der erste steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 21c in Richtung der ersten Substrat-Seitenfläche 11a des ersten Substrats 11 erstreckt, ist der erste steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 21c in Richtung der vierten Substrat-Seitenfläche 11d geneigt.
  • Die erste Ansteuerschicht 23 erstreckt sich in der Längsrichtung X. Die erste Ansteuerschicht 23 ist in der Querrichtung Y neben der ersten Montageschicht 13A angeordnet. Die erste Ansteuerschicht 23 befindet sich in der Querrichtung Y zwischen dem ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 21a und der ersten Montageschicht 13A. Die erste Ansteuerschicht 23 ist länger als der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 21a und der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b. Ein Ende der ersten Ansteuerschicht 23 in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet, ist in der Querrichtung Y mit einem Ende des ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 21a in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d befindet, und einem Ende des ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 21b in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d befindet, ausgerichtet. Die erste Ansteuerschicht 23 überlappt die ersten Leistungshalbleiterelemente 40A des ersten Substrats 11 aus der Querrichtung Y gesehen. Die erste Ansteuerschicht 23 überlappt auch die Thermistor-Montageschicht 16 aus der Querrichtung Y gesehen.
  • Das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A, das mit jedem ersten Leistungshalbleiterelement 40A des ersten Substrats 11 verbunden ist, ist mit der ersten Ansteuerschicht 23 verbunden. Die ersten ansteuerseitige Verbindungsglieder 33A sind in der Längsrichtung X, die mit der Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A übereinstimmt, voneinander getrennt. Die ersten ansteuerseitigen Verbindungsglieder 33A, die mit den vier ersten Leistungshalbleiterelementen 40A verbunden sind, mit Ausnahme des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ab, bei dem es sich um das erste Leistungshalbleiterelement 40A handelt, das der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 am nächsten liegt, erstrecken sich in der Draufsicht in Querrichtung Y. Das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A, das mit dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ab verbunden ist, ist in Richtung der vierten Substrat-Seitenfläche 11d geneigt, wenn sich das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A in Richtung der ersten Substrat-Seitenfläche 11a des ersten Substrats 11 erstreckt.
  • Die Thermistor-Montageschicht 16 unterscheidet sich von der Thermistor-Montageschicht 16 der ersten Ausführungsform durch ihre Ausrichtung relativ zum ersten Substrat 11. Die Thermistor-Montageschicht 16 ist so angeordnet, dass sie gegenüber der Thermistor-Montageschicht 16 der ersten Ausführungsform im Uhrzeigersinn um 90° gedreht ist. Die Thermistor-Montageschicht 16 überlappt die erste Steuerschicht 21 aus der Längsrichtung X gesehen. Die Thermistor-Montageschicht 16 befindet sich in der Querrichtung Y näher an der ersten Substrat-Seitenfläche 11a des ersten Substrats 11 als die erste Ansteuerschicht 23.
  • Wie in den 27 und 29 gezeigt, weist die erste Ansteuerschicht 24 einen ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 24a, einen ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 24b, einen ersten ansteuerseitigen Zusammenfügeabschnitt 24c und einen ersten ansteuerseitigen Verbinder 24d auf. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind der erste ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 24a, der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b und der erste ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 24c separat ausgebildet, und der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b und der erste ansteuerseitige Verbinder 24d sind einstückig ausgebildet. Der erste ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 24a, der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b und der erste ansteuerseitige Verbinder 24d sind beispielsweise aus einer Kupferfolie gebildet. Der erste ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 24c ist z. B. ein Draht, der durch Drahtbonden realisiert ist. Der erste ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 24c kann z. B. aus Au, einer Au-Legierung, Al, einer Al-Legierung, Cu oder einer Cu-Legierung gebildet sein.
  • Der erste ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 24a und der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b erstrecken sich in der Längsrichtung X. Der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b und die erste Ansteuerschicht 24 befinden sich auf gegenüberliegenden Seiten des ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 24a in der Querrichtung Y. Ein Ende des ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 24a in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 befindet, ist in der Längsrichtung X auf ein Ende des ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 24b in der Längsrichtung X ausgerichtet, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 befindet. Diese Enden liegen aus der Querrichtung Y gesehen neben dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13f der ersten Montageschicht 13B. Der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b ist in Längsrichtung X etwas länger als der erste ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 24a.
  • Der erste ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 24a ist so ausgebildet, dass er die ersten Leistungshalbleiterelemente 40A aus der Querrichtung Y gesehen überlappt. Das Ende des ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 24a in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 befindet, ist so ausgebildet, dass es ein Ende des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ad in der Längsrichtung X überlappt, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 befindet. Das erste Leistungshalbleiterelement 40Ad ist eines der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A, das sich am nächsten an der vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 befindet.
  • Das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A, das mit jedem ersten Leistungshalbleiterelement 40A des zweiten Substrats 12 verbunden ist, ist mit dem ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 24a verbunden. Die ersten ansteuerseitige Verbindungsglieder 33A sind in der Längsrichtung X, die mit der Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A übereinstimmt, voneinander getrennt. Die ersten ansteuerseitigen Verbindungsglieder 33A, die mit Ausnahme des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ad mit den vier ersten Leistungshalbleiterelementen 40A verbunden sind, erstrecken sich in der Draufsicht in Querrichtung Y. Die Gate-Elektrode 43 des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ad befindet sich näher an der vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 als der erste ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 24a. Daher ist das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A, das mit dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ad verbunden ist, in Richtung der dritten Substrat-Seitenfläche 12c geneigt, wenn sich das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A in Richtung der ersten Substrat-Seitenfläche 12a des zweiten Substrats 12 erstreckt.
  • Der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b ist so ausgebildet, dass er die ersten Leistungshalbleiterelemente 40A aus der Querrichtung Y gesehen überlappt. Wie in den 26, 27 und 29 dargestellt, sind die ersten ansteuerseitigen Verbindungsglieder 33A nicht mit dem ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 24b verbunden.
  • Der erste ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 24c verbindet einen Punkt des ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 24a in der Längsrichtung X, der auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 liegt, mit einem Punkt des ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 24b in der Längsrichtung X, der auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 liegt. In der Draufsicht erstreckt sich der erste ansteuerseitige Verbindungsabschnitt 24c in der Querrichtung Y. Der erste ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 24c ist so ausgebildet, dass er sich über die erste Steuerschicht 22 erstreckt.
  • Der erste ansteuerseitige Verbinder 24d ist an einem Ende des ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 24b in der Längsrichtung X ausgebildet, das auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 liegt. Der erste ansteuerseitige Verbinder 24d befindet sich näher an der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 als der erste ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 24a in der Längsrichtung X. Der erste ansteuerseitige Verbinder 24d erstreckt sich in der Querrichtung Y. Der erste ansteuerseitige Verbinder 24d ist in der Querrichtung Y neben dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 13f der ersten Montageschicht 13B angeordnet. Die Breitenabmessung des ersten ansteuerseitigen Verbinders 24d (Abmessung des ersten ansteuerseitigen Verbinders 24d in der Längsrichtung X) ist größer als die Breitenabmessung des ersten ansteuerseitige Umleitungsabschnitts 24b (Abmessung des ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 24b in der Querrichtung Y). Der erste ansteuerseitige Verbinder 24d ist von dem ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 24a in der Längsrichtung X getrennt, wenn der Rand des ersten ansteuerseitigen Verbinders 24d in der Querrichtung Y, der sich auf Seiten der ersten Montageschicht 13B befindet, in der Querrichtung Y mit dem Rand des ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 24a in der Querrichtung Y, der sich auf Seiten der ersten Montageschicht 13B befindet, ausgerichtet ist.
  • Die erste Steuerschicht 22 befindet sich zwischen dem ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 24a und dem ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 24b der ersten Ansteuerschicht 24 in der Querrichtung Y. Die erste Steuerschicht 22 erstreckt sich in der Längsrichtung X. In der Draufsicht ist die erste Steuerschicht 22 schmalbandförmig. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die Breitenabmessung der ersten Steuerschicht 22 (Abmessung der ersten Steuerschicht 22 in der Querrichtung Y) gleich der Breitenabmessung des ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 24a der ersten Ansteuerschicht 24 (Abmessung des ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 24a in der Querrichtung Y). Die Breitenabmessung der ersten Steuerschicht 22 ist ebenfalls gleich der Breitenabmessung des ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 24b der ersten Ansteuerschicht 24 (Abmessung des ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 24b in der Querrichtung Y).
  • Wenn der Unterschied in der Abmessung in der Querrichtung Y zwischen der ersten Steuerschicht 22 und dem ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 24a der ersten Ansteuerschicht 24 innerhalb von beispielsweise 5 % der Abmessung des ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 24a der ersten Ansteuerschicht 24 in der Querrichtung Y liegt, kann die Breitenabmessung der ersten Steuerschicht 22 als gleich der Breitenabmessung des ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 24a der ersten Ansteuerschicht 24 angesehen werden. Wenn der Unterschied in der Abmessung in der Querrichtung Y zwischen der ersten Steuerschicht 22 und dem ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 24b der ersten Ansteuerschicht 24 innerhalb von beispielsweise 5 % der Abmessung des ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 24b der ersten Ansteuerschicht 24 in der Querrichtung Y liegt, kann die Breitenabmessung der ersten Steuerschicht 22 als gleich der Breitenabmessung des ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 24b der ersten Ansteuerschicht 24 angesehen werden.
  • Die erste Steuerschicht 22 ist gleich dem ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 24a der ersten Ansteuerschicht 24 in der Längsrichtung X. Aus der Querrichtung Y gesehen ist das Ende der ersten Steuerschicht 22 in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 befindet, mit dem Ende 24e des ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 24a der ersten Ansteuerschicht 24 ausgerichtet. Außerdem befindet sich das Ende der ersten Steuerschicht 22 in Längsrichtung X, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 befindet, in der Nähe des Zwischenschicht-Verbindungsabschnitts 13f der ersten Montageschicht 13B. Aus der Längsrichtung X gesehen überlappt die erste Steuerschicht 22 den ersten ansteuerseitigen Verbinder 24d der ersten Ansteuerschicht 24.
  • Das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A, das mit jedem ersten Leistungshalbleiterelement 40A des zweiten Substrats 12 verbunden ist, ist mit der ersten Steuerschicht 22 verbunden. Die ersten steuerseitigen Verbindungsglieder 32A sind in der Längsrichtung X, die mit der Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A übereinstimmt, voneinander getrennt. Die ersten steuerseitigen Verbindungsglieder 32A, die mit den vier ersten Leistungshalbleiterelementen 40A verbunden sind, mit Ausnahme des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ad, das sich unter den ersten Leistungshalbleiterelementen 40A am nächsten zur vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 befindet, erstrecken sich in der Draufsicht in der Querrichtung Y. Die Gate-Elektrode 43 des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ad befindet sich näher an der vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 als die erste Steuerschicht 22. Daher ist das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A, das mit dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ad verbunden ist, in Richtung der dritten Substrat-Seitenfläche 12c geneigt, wenn sich das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A in Richtung der ersten Substrat-Seitenfläche 12a des zweiten Substrats 12 erstreckt.
  • Wie in den 26 bis 29 gezeigt, ist das erste steueranschlussseitige Verbindungsglied 35A mit einem Punkt des ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 21b verbunden, der sich in der Längsrichtung X in Richtung der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet. Aus der Querrichtung Y gesehen ist das erste steueranschlussseitige Verbindungsglied 35A so ausgebildet, dass es das erste Leistungshalbleiterelement 40Aa überlappt.
  • Das erste Steuerschicht-Verbindungsglied 93A ist mit einem Ende des ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 21b in der Längsrichtung X verbunden, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet. Das erste Steuerschicht-Verbindungsglied 93A befindet sich näher an der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 als das erste Leistungshalbleiterelement 40Aa. Das erste Steuerschicht-Verbindungsglied 93A ist auch mit einem Ende der ersten Steuerschicht 22 in der Längsrichtung X verbunden, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 befindet. Der erste steuerseitig Umleitungsabschnitt 21b befindet sich in der Querrichtung Y näher an der Seitenwand 81A des Gehäuses 80 als die erste Steuerschicht 22. Daher ist in der Draufsicht, wenn sich das erste Steuerschicht-Verbindungsglied 93A von der ersten Steuerschicht 22 zur ersten Steuerschicht 21 erstreckt, das erste Steuerschicht-Verbindungsglied 93A zur Seitenwand 81A geneigt. Wie in 26 dargestellt, erstreckt sich das erste Steuerschicht-Verbindungsglied 93A über den ersten ansteuerseitigen Verbinder 24d der ersten Ansteuerschicht 24 in der Längsrichtung X.
  • Das erste erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36A ist mit dem ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 24b verbunden. Genauer gesagt, ist das erste erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36A mit einem Ende des ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 24b in der Längsrichtung X verbunden, das sich auf Seiten des ersten anschlussseitigen Verbinders 24d befindet.
  • Das Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A ist mit dem Ende der ersten Ansteuerschicht 23 in Längsrichtung X verbunden, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet. Das Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A ist mit einem Ende des ersten ansteuerseitigen Verbinders 24d in der Querrichtung Y verbunden, das sich auf Seiten der ersten Montageschicht 13B befindet. In der Draufsicht erstreckt sich das erste Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A in der Längsrichtung X.
  • Wie in den 30 und 31 gezeigt, weist die zweite Ansteuerschicht 27 einen zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 27a, einen zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 27b, einen zweiten ansteuerseitigen Zusammenfügeabschnitt 27c und einen zweiten ansteuerseitigen Verbinder 27d auf. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind der zweite ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 27a, der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b und der zweite ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 27c separat ausgebildet, und der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b und der zweite ansteuerseitige Verbinder 27d sind einstückig ausgebildet. Der zweite ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 27a, der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b und der zweite ansteuerseitige Verbinder 27d sind beispielsweise aus einer Kupferfolie gebildet. Der zweite ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 27c kann ein Draht sein, der durch Drahtbonden gebildet wird. In der Draufsicht sind der zweite ansteuerseitig Verdrahtungsabschnitt 27a und der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b schmalbandig geformt.
  • Der zweite ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 27a erstreckt sich in der Längsrichtung X. In der Querrichtung Y ist der zweite ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 27a angrenzend an die leitende Schicht 15A angeordnet. Das Ende 27e des zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 27a, das sich in Längsrichtung X auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet, liegt näher an der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 als ein zweites Leistungshalbleiterelement 40Ba, das eines der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B ist, das sich in Längsrichtung X am nächsten an der vierten Substrat-Seitenfläche 11d befindet. Der zweite ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 27a hat ein Ende 27f, das in Längsrichtung X auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 liegt. Das Ende 27f befindet sich näher an der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 als das zweite Leistungshalbleiterelement 40Bb, das das zweite Leistungshalbleiterelement 40B ist, das sich in der Längsrichtung X am nächsten an der dritten Substrat-Seitenfläche 11c befindet. Das heißt, aus der Querrichtung Y gesehen, erstreckt sich der zweite ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 27a in der Längsrichtung X, um alle zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B zu überlappen, die auf dem ersten Substrat 11 angeordnet sind.
  • Das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B, das mit jedem zweiten Leistungshalbleiterelement 40B verbunden ist, ist mit dem zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 27a verbunden. Die zweiten ansteuerseitigen Verbindungsglieder 33B sind in der Längsrichtung X, die mit der Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B übereinstimmt, voneinander getrennt. Die zweiten ansteuerseitigen Verbindungsglieder 33B, die mit den zweiten Leistungshalbleiterelementen 40B verbunden sind, erstrecken sich in der Draufsicht in Querrichtung Y.
  • Der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b ist von dem zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 27a in der Querrichtung Y getrennt. Der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b und die leitende Schicht 15A befinden sich auf gegenüberliegenden Seiten des zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 27a in der Querrichtung Y. Der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b befindet sich näher an der zweiten Substrat-Seitenfläche 11b des ersten Substrats 11 als die zweite Steuerschicht 25 in der Querrichtung Y. In der Querrichtung Y ist der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b angrenzend an die zweite Substrat-Seitenfläche 11b des ersten Substrats 11 angeordnet. Der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b erstreckt sich in der Längsrichtung X. Der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b ist in der Längsrichtung X etwas länger als der zweite ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 27a. Wie in 31 gezeigt, sind die zweiten ansteuerseitigen Verbindungsglieder 33B nicht mit dem zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 27b verbunden.
  • Der zweite ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 27c verbindet den zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 27a und den zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 27b. Genauer gesagt, verbindet der zweite ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 27c ein Ende des zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 27a in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 befindet, und ein Ende des zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 27b in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 11c befindet. Der zweite ansteuerseitig Zusammenfügeabschnitt 27c erstreckt sich in der Querrichtung Y. Aus der Querrichtung Y gesehen ist der zweite ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 27c so angeordnet, dass er ein Ende des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bb in der Längsrichtung X überlappt, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 befindet. Das zweite Leistungshalbleiterelement 40Bb ist eines der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B, das sich am nächsten an der dritten Substrat-Seitenfläche 11c befindet. In der Längsrichtung X befindet sich der zweite ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 27c näher an der dritten Substrat-Seitenfläche 11c des ersten Substrats 11 als das zweite steuerseitige Verbindungsglied 32B und das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B, die mit dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bb verbunden sind.
  • Der zweite ansteuerseitige Verbinder 27d ist an einem distalen Ende des zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 27b ausgebildet. Der zweite ansteuerseitige Verbinder 27d ist näher an der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 angeordnet als der zweite ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 27a in der Längsrichtung X. Der zweite ansteuerseitige Verbinder 27d erstreckt sich in der Querrichtung Y. Die Breitenabmessung des zweiten ansteuerseitigen Verbinders 27d (Abmessung des zweiten ansteuerseitigen Verbinders 27d in der Längsrichtung X) ist größer als die Breitenabmessung des zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 27b (Abmessung des zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 27b in der Querrichtung Y). Der zweite ansteuerseitige Verbinder 27d ist von dem zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 27a in der Längsrichtung X getrennt, wenn der Rand des zweiten ansteuerseitigen Verbinders 27d in der Querrichtung Y, der sich auf Seiten der leitenden Schicht 15A befindet, in der Querrichtung Y mit dem Rand des zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 27a in der Querrichtung Y, der sich auf Seiten der leitenden Schicht 15A befindet, ausgerichtet ist.
  • Die zweite Steuerschicht 25 erstreckt sich in der Längsrichtung X. In der Draufsicht ist die zweite Steuerschicht 25 schmalbandförmig. Die zweite Steuerschicht 25 befindet sich zwischen dem zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 27a und dem zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 27b in der Querrichtung Y. In der vorliegenden Ausführungsform ist die Breitenabmessung der zweiten Steuerschicht 25 (Abmessung der zweiten Steuerschicht 25 in der Querrichtung Y) gleich der Breitenabmessung des zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 27a der zweiten Ansteuerschicht 27 (Abmessung des zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 27a in der Querrichtung Y). Die Breitenabmessung der zweiten Steuerschicht 25 ist ebenfalls gleich der Breitenabmessung des zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 27b der zweiten Ansteuerschicht 27 (Abmessung des zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 27b in der Querrichtung Y).
  • Wenn der Unterschied in der Abmessung in der Querrichtung Y zwischen der zweiten Steuerschicht 25 und dem zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 27a der zweiten Ansteuerschicht 27 innerhalb von beispielsweise 5% der Abmessung des zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 27a der zweiten Ansteuerschicht 27 in der Querrichtung Y liegt, kann die Breitenabmessung der zweiten Steuerschicht 25 als gleich der Breitenabmessung des zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 27a der zweiten Antriebsschicht 27 angesehen werden. Wenn der Unterschied in der Abmessung in der Querrichtung Y zwischen der zweiten Steuerschicht 25 und dem zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 27b der zweiten Ansteuerschicht 27 innerhalb von beispielsweise 5% der Abmessung des zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 27b der zweiten Ansteuerschicht 27 in der Querrichtung Y liegt, kann die Breitenabmessung der zweiten Steuerschicht 25 als gleich der Breitenabmessung des zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitts 27b der zweiten Antriebsschicht 27 angesehen werden.
  • Die zweite Steuerschicht 25 ist gleich dem zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 27a der zweiten Ansteuerschicht 27 in der Längsrichtung X. In der Querrichtung Y sind gegenüberliegende Enden der zweiten Steuerschicht 25 in der Längsrichtung X mit gegenüberliegenden Enden des zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 27a der zweiten Ansteuerschicht 27 in der Längsrichtung X ausgerichtet.
  • Das zweite steuerseitige Verbindungsglied 32B, das mit jedem zweiten Leistungshalbleiterelement 40B verbunden ist, ist mit der zweiten Steuerschicht 25 verbunden. Die zweiten steuerseitigen Verbindungsglieder 32B sind in der Längsrichtung X, die mit der Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B übereinstimmt, voneinander getrennt. Die zweiten steuerseitigen Verbindungsglieder 32B, die mit den zweiten Leistungshalbleiterelementen 40B verbunden sind, erstrecken sich in der Draufsicht in Querrichtung Y. Das Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A ist mit dem Ende der ersten Ansteuerschicht 23 in Längsrichtung X verbunden, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet.
  • Wie in den 30 und 32 gezeigt, weist die zweite Steuerschicht 26 den zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 26a, den zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 26b und den zweiten steuerseitigen Zusammenfügeabschnitt 26c. In der vorliegenden Ausführungsform sind der zweite steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 26a, der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b und der zweite steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 26c separat ausgebildet. Der zweite steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 26a, der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b und der zweite steuerseitige Verbinder 26d können beispielsweise aus einer Kupferfolie gebildet sein. Der zweite steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 26c kann ein Draht sein, der durch Drahtbonden gebildet wird. In der Draufsicht sind der zweite steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 26a und der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b schmalbandförmig.
  • Der zweite steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 26a erstreckt sich in der Längsrichtung X. Das Ende 26e des zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 26a, das sich in der Längsrichtung X auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 befindet, liegt näher an der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 als ein zweites Leistungshalbleiterelement 40Bc, das eines der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B ist, die sich in der Längsrichtung X am nächsten an der dritten Substrat-Seitenfläche 12c befinden. Der zweite steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 26a hat ein Ende 26f in der Längsrichtung X, das auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 liegt. Das Ende 26f befindet sich näher an der vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 als das zweite Leistungshalbleiterelement 40Bd, das das zweite Leistungshalbleiterelement 40B ist, das der vierten Substrat-Seitenfläche 12d am nächsten liegt, in der Längsrichtung X.
  • Das zweite steuerseitige Verbindungsglied 32B, das mit jedem zweiten Leistungshalbleiterelement 40B verbunden ist, ist mit dem zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 26a verbunden. Die zweiten steuerseitigen Verbindungsglieder 32B sind in der Längsrichtung X, die mit der Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B übereinstimmt, voneinander getrennt. Die zweiten steuerseitigen Verbindungsglieder 32B, die mit den zweiten Leistungshalbleiterelementen 40B verbunden sind, erstrecken sich in der Draufsicht in Querrichtung Y.
  • Der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b ist von dem zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 26a in der Querrichtung Y getrennt. Der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b und die zweite Ansteuerschicht 28 befinden sich an gegenüberliegenden Seiten des zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 26a in der Querrichtung Y. Der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b ist angrenzend an die zweite Substrat-Seitenfläche 12b des zweiten Substrats 12 in der Querrichtung Y angeordnet. Der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b erstreckt sich in der Längsrichtung X. Der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b ist gleich dem zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 26a in der Längsrichtung X. Gegenüberliegende Enden des zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 26b in der Längsrichtung X sind mit gegenüberliegenden Enden des zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 26a in der Längsrichtung X ausgerichtet. Wie in 32 gezeigt, sind die zweiten steuerseitigen Verbindungsglieder 32B nicht an dem zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 26b verbunden.
  • Der zweite steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 26c verbindet den zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 26a und den zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 26b. Genauer gesagt, verbindet der zweite steuerseitige Verbindungsabschnitt 26c ein Ende des zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 26a in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 befindet, mit einem Ende des zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 26b in der Längsrichtung X, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 12d befindet. Der zweite steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 26c erstreckt sich in der Querrichtung Y. Aus der Querrichtung Y gesehen, ist der zweite steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 26c so angeordnet, dass er das zweite Leistungshalbleiterelement 40Bd überlappt, das das zweite Leistungshalbleiterelement 40B ist, das in der Längsrichtung X am nächsten an der vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 liegt. In der Längsrichtung X liegt der zweite steuerseitige Verbindungsabschnitt 26c näher an der vierten Substrat-Seitenfläche 12d des zweiten Substrats 12 als das zweite steuerseitige Verbindungsglied 32B und das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B, die mit dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bd verbunden sind.
  • Die zweite Ansteuerschicht 28 erstreckt sich in der Längsrichtung X. In der Draufsicht ist die zweite Ansteuerschicht 28 schmalbandförmig. In der Querrichtung Y ist die zweite Ansteuerschicht 28 neben der leitenden Schicht 15B angeordnet. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die Breitenabmessung der zweiten Ansteuerschicht 28 (Abmessung der zweiten Ansteuerschicht 28 in der Querrichtung Y) gleich der Breitenabmessung des zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 26a der zweiten Steuerschicht 26 (Abmessung des zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 26a in der Querrichtung Y). Die Breitenabmessung der zweiten Ansteuerschicht 28 ist ebenfalls gleich der Breitenabmessung des zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 26b der zweiten Steuerschicht 26 (Abmessung des zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 26b in Querrichtung Y).
  • Wenn der Unterschied in der Abmessung in der Querrichtung Y zwischen der zweiten Ansteuerschicht 28 und dem zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 26a der zweiten Steuerschicht 26 innerhalb von beispielsweise 5% der Abmessung des zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 26a der zweiten Steuerschicht 26 in der Querrichtung Y liegt, kann die Breitenabmessung der zweiten Antriebsschicht 28 als gleich der Breitenabmessung des zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 26a der zweiten Steuerschicht 26 angesehen werden. Wenn der Unterschied in der Abmessung in der Querrichtung Y zwischen der zweiten Ansteuerschicht 28 und dem zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 26a der zweiten Steuerschicht 26 innerhalb von beispielsweise 5% der Abmessung des zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 26a der zweiten Steuerschicht 26 in der Querrichtung Y liegt, kann die Breitenabmessung der zweiten Ansteuerschicht 28 als gleich der Breitenabmessung des zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 26a der zweiten Steuerschicht 26 angesehen werden.
  • Die zweite Ansteuerschicht 28 und der zweite steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 26a der zweiten Steuerschicht 26 sind in der Längsrichtung X gleich lang. Gegenüberliegende Enden der zweiten Ansteuerschicht 28 in der Längsrichtung X sind mit gegenüberliegenden Enden des zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 26a der zweiten Steuerschicht 26 in der Längsrichtung X ausgerichtet. Die zweite Ansteuerschicht 28 und der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b der zweiten Steuerschicht 26 sind in der Längsrichtung X gleich lang. Gegenüberliegende Enden der zweiten Ansteuerschicht 28 in der Längsrichtung X sind mit gegenüberliegenden Enden des zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 26b der zweiten Steuerschicht 26 in der Längsrichtung X ausgerichtet.
  • Das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B, das mit jedem zweiten Leistungshalbleiterelement 40B des zweiten Substrats 12 verbunden ist, ist mit der zweiten Ansteuerschicht 28 verbunden. Die zweiten ansteuerseitigen Verbindungsglieder 33B sind in der Längsrichtung X, die mit der Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B übereinstimmt, voneinander getrennt. Die zweiten ansteuerseitigen Verbindungsglieder 33B, die mit den zweiten Leistungshalbleiterelementen 40B verbunden sind, erstrecken sich in der Draufsicht in Querrichtung Y.
  • Wie in den 30 bis 32 dargestellt, ist das zweite erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36B mit dem zweiten anschlussseitigen Umleitungsabschnitt 27b verbunden. Genauer gesagt, ist das zweite erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36B mit einem Ende des zweiten anschlussseitigen Umleitungsabschnitts 27b in der Längsrichtung X verbunden, das sich in Richtung des zweiten ansteuerseitigen Verbinders 27d befindet.
  • Das zweite Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94B ist mit dem zweiten ansteuerseitigen Verbinder 27d verbunden. Genauer gesagt, ist das zweite Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94B mit einem Ende des zweiten ansteuerseitigen Verbinders 27d in der Querrichtung Y verbunden, das sich auf Seiten der leitenden Schicht 15A befindet. Das zweite Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94B ist auch mit einem Ende der zweiten Ansteuerschicht 28 in Längsrichtung X verbunden, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 befindet. In der Draufsicht erstreckt sich das erste Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A in der Längsrichtung X.
  • Das zweite steueranschlussseitige Verbindungsglied 35B und das zweite Steuerschicht-Verbindungsglied 93B sind mit dem zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 26b verbunden. Das zweite steueranschlussseitige Verbindungsglied 35B ist mit einem Punkt des zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 26b in der Längsrichtung X verbunden, der in Richtung der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 liegt. Das zweite Steuerschicht-Verbindungsglied 93B ist mit dem Ende 26e des zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 26b verbunden, der sich in Längsrichtung X in Richtung der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 befindet. Das zweite Steuerschicht-Verbindungsglied 93B ist auch mit dem Ende 25x der zweiten Steuerschicht 25 verbunden, das sich in der Längsrichtung X auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet. In der Querrichtung Y ist das Ende 26e des zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 26b näher an der zweiten Substrat-Seitenfläche 12b des zweiten Substrats 12 angeordnet als das Ende 25x der zweiten Steuerschicht 25. In der Draufsicht, wenn sich das zweite Steuerschicht-Verbindungsglied 93B vom Ende 25x der zweiten Steuerschicht 25 zum Ende 26e des zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 26b erstreckt, ist das zweite Steuerschicht-Verbindungsglied 93B daher zur zweiten Substrat-Seitenfläche 12b des zweiten Substrats 12 geneigt. Wie in 32 gezeigt, ist das zweite Steuerschicht-Verbindungsglied 93B so geformt, dass es sich über den zweiten ansteuerseitigen Verbinder 27d der zweiten Ansteuerschicht 27 erstreckt.
  • Leitender Pfad
  • Im Folgenden werden ein steuerseitiger und ein ansteuerseitiger leitender Pfad beschrieben. Der steuerseitige leitende Pfad ist ein erster leitender Pfad, der sich von jedem der Leistungshalbleiterelemente 40A und 40B zu den jeweiligen Steueranschlüssen 53A und 53B erstreckt. Der ansteuerseitige leitende Pfad ist ein zweiter leitender Pfad, der sich von jedem der Leistungshalbleiterelemente 40A und 40B zu den j eweiligen Erfassungsanschlüssen 54A und 54B erstreckt.
  • Wie in 27 gezeigt, wird ein erster steuerseitiger leitender Pfad, der sich von der Gate-Elektrode 43 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem ersten Substrat 11 zum ersten Steueranschluss 53A erstreckt, durch das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A, die erste Steuerschicht 21 und das erste steueranschlussseitige Verbindungsglied 35A gebildet. Somit wird der erste steuerseitige leitende Pfad für jedes erste Leistungshalbleiterelement 40A auf dem ersten Substrat 11 vom ersten Leistungshalbleiterelement 40Ab in Richtung des ersten Leistungshalbleiterelements 40Aa länger. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des ersten steuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Aa und dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ab, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A entsprechen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A befinden. In diesem Fall ist der erste steuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Aa am längsten und entspricht dem ersten endsteuerseitigen leitenden Pfad. Der erste steuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ab ist am kürzesten und entspricht dem zweiten endsteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Ein erster ansteuerseitiger leitender Pfad, der sich von der Source-Elektrode 42 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem ersten Substrat 11 zu dem ersten Erfassungsanschluss 54A erstreckt, wird durch das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A, die erste Ansteuerschicht 23, das erste Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A, den ersten ansteuerseitigen Verbinder 24d der ersten Ansteuerschicht 24 und das erste erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36A gebildet. Somit wird der erste ansteuerseitig leitende Pfad für jedes erste Leistungshalbleiterelement 40A auf dem ersten Substrat 11 vom ersten Leistungshalbleiterelement 40Aa in Richtung des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ab länger. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des ersten ansteuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Aa und dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ab, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A entsprechen, die sich in der Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A an entgegengesetzten Enden befinden. In diesem Fall ist der erste ansteuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Aa am kürzesten und entspricht dem ersten endansteuerseitigen leitenden Pfad. Der erste ansteuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ab ist am längsten und entspricht dem zweiten endansteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Ein erster steuerseitiger leitender Pfad, der sich von der Gate-Elektrode 43 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem zweiten Substrat 12 zum ersten Steueranschluss 53A erstreckt, wird durch das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A, die erste Steuerschicht 22, das erste Steuerschicht-Verbindungsglied 93A, die erste Steuerschicht 21 und das erste steueranschlussseitige Verbindungsglied 35A gebildet. Somit wird der erste steuerseitige leitende Pfad für jedes erste Leistungshalbleiterelement 40A auf dem zweiten Substrat 12 vom ersten Leistungshalbleiterelement 40Ac in Richtung des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ad länger. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des ersten steuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ac und dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ad, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A entsprechen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A befinden. In diesem Fall ist der erste steuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ac am kürzesten und entspricht dem ersten endsteuerseitigen leitenden Pfad. Der erste steuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ad ist am längsten und entspricht dem zweiten endsteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Ein erster ansteuerseitiger leitender Pfad, der sich von der Source-Elektrode 42 jedes ersten Leistungshalbleiterelements 40A auf dem zweiten Substrat 12 zu dem ersten Erfassungsanschluss 54A erstreckt, wird durch das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A, die erste Ansteuerschicht 24 und das erste erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36A gebildet. Somit wird der erste ansteuerseitige leitende Pfad für jedes erste Leistungshalbleiterelement 40A auf dem zweiten Substrat 12 vom ersten Leistungshalbleiterelement 40Ad in Richtung des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ac länger. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des ersten ansteuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ac und dem ersten Leistungshalbleiterelement 40Ad, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A entsprechen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente 40A befinden. In diesem Fall ist der erste ansteuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ac am längsten und entspricht dem ersten endansteuerseitigen leitenden Pfad. Der erste ansteuerseitige leitende Pfad des ersten Leistungshalbleiterelements 40Ad ist am kürzesten und entspricht dem zweiten endansteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Wie oben beschrieben, sind in der vorliegenden Ausführungsform der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b und der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b so ausgebildet, dass die Differenz zwischen den ersten Leistungshalbleiterelementen 40A hinsichtlich der Summe der Länge des ersten steuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des ersten ansteuerseitigen leitenden Pfads reduziert wird. Das heißt, das Leistungsmodul 1B der vorliegenden Ausführungsform ist so ausgebildet, dass die Differenz zwischen den ersten Leistungshalbleiterelementen 40A hinsichtlich der Summe der Länge des ersten steuerseitigen leitenden Pfads, der ein Beispiel für den ersten leitenden Pfad ist, und der Länge des ersten ansteuerseitigen leitenden Pfads, der ein Beispiel für den zweiten leitenden Pfad ist, durch den ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 21b und den ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 24b verringert wird.
  • Darüber hinaus sind in der vorliegenden Ausführungsform der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b und der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b so ausgebildet, dass sie die Differenz zwischen der Summe der Länge des ersten endsteuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des ersten endansteuerseitigen leitenden Pfads und der Summe der Länge des zweiten endsteuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des zweiten endansteuerseitigen leitenden Pfads verringern.
  • Die Summe der Länge des ersten endsteuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des ersten endansteuerseitigen leitenden Pfads ist ein Beispiel für eine erste Summe, die in den Patentansprüchen genannt wird. Die Summe der Länge des zweiten endsteuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des zweiten endansteuerseitig leitenden Pfads ist ein Beispiel für eine zweite Summe, die in den Patentansprüchen genannt wird. Somit ist das Leistungsmodul 1B der vorliegenden Ausführungsform so ausgebildet, dass die Differenz zwischen der ersten Summe und der zweiten Summe durch den ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 21b und den ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 24b verringert wird.
  • Wie in 30 gezeigt, wird ein zweiter steuerseitiger leitender Pfad, der sich von der Gate-Elektrode 43 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B auf dem ersten Substrat 11 zu dem zweiten Steueranschluss 53B erstreckt, durch das zweite steuerseitige Verbindungsglied 32B, die zweite Steuerschicht 25, das zweite Steuerschicht-Verbindungsglied 93B, den zweiten steuerseitigen Verbinder 26d der zweiten Steuerschicht 26 und das zweite steueranschlussseitige Verbindungsglied 35B gebildet. Dadurch wird der zweite steuerseitige leitende Pfad für jedes zweite Leistungshalbleiterelement 40B auf dem ersten Substrat 11 vom zweiten Leistungshalbleiterelement 40Ba zum zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bb länger. Der zweite steuerseitige leitende Pfad ist ein Beispiel für einen dritten leitenden Pfad. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des zweiten steuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Ba und dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bb, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B entsprechen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B befinden. In diesem Fall ist der zweite steuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Ba am kürzesten und entspricht dem dritten endsteuerseitigen leitenden Pfad. Der zweite steuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bb ist am längsten und entspricht dem vierten endsteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Ein zweiter ansteuerseitiger leitender Pfad, der sich von der Source-Elektrode 42 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B auf dem ersten Substrat 11 zum zweiten Erfassungsanschluss 54B erstreckt, wird durch das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B, die zweite Ansteuerschicht 27 und das zweite erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36B gebildet. Dadurch wird der zweite ansteuerseitig leitende Pfad für jedes zweite Leistungshalbleiterelement 40B auf dem ersten Substrat 11 vom zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bb zum zweiten Leistungshalbleiterelement 40Ba länger. Der zweite ansteuerseitige leitende Pfad ist ein Beispiel für einen vierten leitenden Pfad. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Ba und dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bb, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B entsprechen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B befinden. In diesem Fall ist der zweite ansteuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Ba am längsten und entspricht einem dritten endansteuerseitigen leitenden Pfad. Der zweite ansteuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bb ist am kürzesten und entspricht einem vierten endansteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Ein zweiter steuerseitiger leitender Pfad, der sich von der Gate-Elektrode 43 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B auf dem zweiten Substrat 12 zum zweiten Steueranschluss 53B erstreckt, wird durch das zweite steuerseitige Verbindungsglied 32B, die zweite Steuerschicht 26 und das zweite steueranschlussseitige Verbindungsglied 35B gebildet. Dadurch wird der zweite steuerseitige leitende Pfad für jedes zweite Leistungshalbleiterelement 40B des zweiten Substrats 12 vom zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bd zum zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bc länger. Der zweite steuerseitige leitende Pfad ist ein Beispiel für einen dritten leitenden Pfad. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des zweiten steuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bc und dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bd, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B entsprechen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B befinden. In diesem Fall ist der zweite steuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bc am längsten und entspricht dem dritten endsteuerseitigen leitenden Pfad. Der zweite steuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bd ist am kürzesten und entspricht dem vierten endsteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Ein zweiter ansteuerseitiger leitender Pfad, der sich von der Source-Elektrode 42 jedes zweiten Leistungshalbleiterelements 40B auf dem zweiten Substrat 12 zu dem zweiten Erfassungsanschluss 54B erstreckt, wird durch das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B, die zweite Ansteuerschicht 28, das zweite Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94B, den zweiten ansteuerseitigen Verbinder 27d der zweiten Ansteuerschicht 27 und das zweite erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36B gebildet. Dadurch wird der zweite ansteuerseitig leitende Pfad für jedes zweite Leistungshalbleiterelement 40B auf dem zweiten Substrat 12 vom zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bc zum zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bd länger. Der zweite ansteuerseitige leitende Pfad ist ein Beispiel für einen vierten leitenden Pfad. Mit anderen Worten, der Längenunterschied des zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfads ist am größten zwischen dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bc und dem zweiten Leistungshalbleiterelement 40Bd, die jeweils einem ersten End-Leistungshalbleiterelement und einem zweiten End-Leistungshalbleiterelement der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B entsprechen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente 40B befinden. In diesem Fall ist der zweite ansteuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bc am kürzesten und entspricht einem dritten endansteuerseitigen leitenden Pfad. Der zweite ansteuerseitige leitende Pfad des zweiten Leistungshalbleiterelements 40Bd ist am längsten und entspricht einem vierten endansteuerseitigen leitenden Pfad.
  • Wie oben beschrieben, sind in der vorliegenden Ausführungsform der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 26b und der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 27b so ausgebildet, dass die Differenz zwischen den zweiten Leistungshalbleiterelementen 40B hinsichtlich der Summe der Länge des zweiten steuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfads verringert wird. Das heißt, das Leistungsmodul 1B der vorliegenden Ausführungsform ist so ausgebildet, dass die Differenz zwischen den zweiten Leistungshalbleiterelementen 40B hinsichtlich der Summe der Länge des zweiten steuerseitigen leitenden Pfads, der ein Beispiel für einen dritten leitenden Pfad ist, und der Länge des zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfads, der ein Beispiel für einen vierten leitenden Pfad ist, durch den zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 26b und den zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 27b verringert wird.
  • Darüber hinaus sind in der vorliegenden Ausführungsform der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 21b und der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 24b so ausgebildet, dass sie die Differenz zwischen der Summe der Länge des dritten endsteuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des dritten endsteuerseitigen leitenden Pfads und der Summe der Länge des vierten endsteuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des vierten endansteuerseitigen leitenden Pfads verringern.
  • Die Summe der Länge des dritten endsteuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des dritten endansteuerseitigen leitenden Pfads ist ein Beispiel für eine dritte Summe, die in den Patentansprüchen genannt wird. Die Summe der Länge des vierten endsteuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des vierten endansteuerseitig leitenden Pfads ist ein Beispiel für eine vierte Summe, die in den Patentansprüchen genannt wird. Somit ist das Leistungsmodul 1B der vorliegenden Ausführungsform so ausgebildet, dass die Differenz zwischen der dritten Summe und der vierten Summe durch den zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 26b und den zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 27b verringert wird.
  • Vorteile
  • Das Leistungsmodul 1B der vorliegenden Ausführungsform hat zusätzlich zu den Vorteilen des Leistungsmoduls 1A der ersten Ausführungsform die folgenden Vorteile.
  • (2-1) Der erste steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 21c der ersten Steuerschicht 21 ist aus einem Draht gebildet. Der erste ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 24c der ersten Ansteuerschicht 24 ist ebenfalls aus einem Draht gebildet. Diese Struktur ermöglicht es, dem ersten steuerseitigen Zusammenfügeabschnitt 21c und dem ersten ansteuerseitigen Zusammenfügeabschnitt 24c, sich über andere auf dem Substrat 10 angeordnete Drähte zu erstrecken, wodurch ein Freiheitsgrad der Anordnung erhöht wird. Das Layout der ersten Steuerschicht 21 und der ersten Ansteuerschicht 24 kann auf einfache Weise gestaltet werden.
  • Anwendung des Leistungsmoduls
  • Im Folgenden werden Beispiele für Schaltungsanordnungen mit den Leistungsmodulen 1A und 1B beschrieben. Der Einfachheit halber ist die Body-Diode 44 in den 33 und 34 nicht dargestellt.
  • 33 zeigt einen Drei-Phasen-Wechselrichter 200 mit den Leistungsmodulen 1A und 1B als ein erstes Beispiel für die Schaltungsanordnungen. Bei dem Drei-Phasen-Wechselrichter 200 sind ein als U-Phasen-Wechselrichter konfiguriertes Leistungsmodul 1A, ein als V-Phasen-Wechselrichter konfiguriertes Leistungsmodul 1A und ein als W-Phasen-Wechselrichter konfiguriertes Leistungsmodul 1A parallel zueinander geschaltet. Bei dem Drei-Phasen-Wechselrichter 200 werden SiC-MOSFETs als Leistungshalbleiterelemente 40 verwendet, und ein Dämpfungskondensator C ist zwischen einem Leistungsanschluss (engl. power terminal) PL und einem Erdungssanschluss NL angeschlossen. Alternativ kann ein Drei-Phasen-Wechselrichter (nicht dargestellt) IGBTs als Leistungshalbleiterelemente 40 und den Dämpfungskondensator C enthalten, der zwischen dem Leistungsanschluss PL und dem Erdanschluss NL angeschlossen ist. In diesem Fall enthält der Drei-Phasen-Wechselrichter 200 außerdem Dioden, die antiparallel zu den IGBTs geschaltet sind.
  • Wie in 33 dargestellt, ist die Schaltgeschwindigkeit der SiC-MOSFETs hoch, wenn die Leistungsmodule 1A und 1B an eine Stromversorgung E angeschlossen sind und einen Schaltvorgang durchführen, so dass durch die Induktivität L der Verbindungsleitung eine große Stoßspannung (engl. surge voltage) Ldi/dt erzeugt wird. Wenn z. B. die Stromänderung di = 300A und die Zeitänderung entsprechend der Umschaltung dt = 100nsec beträgt, ist di/dt = 3 × 109 (A/s).
  • Der Wert der Stoßspannung Ldi/dt ändert sich in Abhängigkeit vom Wert der Induktivität L, und die Stoßspannung Ldi/dt wird der Stromversorgung E überlagert. Die Stoßspannung Ldi/dt wird durch den Snubber-Kondensator C absorbiert, der zwischen dem Leistungsanschluss PL und dem Erdungssanschluss NL angeschlossen ist.
  • 34 zeigt einen Drei-Phasen-Wechselrichter 210 mit den Leistungsmodulen 1A und 1B als ein erstes Beispiel für die Schaltungsanordnungen.
  • Der Drei-Phasen-Wechselrichter 210 weist eine Leistungsmoduleinheit 212, die mit einem Gate-Treiber 211, einer Stromversorgung oder einem Akkumulator 213 und einem Wandler (Konverter) 214 verbunden ist, und steuert den Antrieb einer dreiphasigen Wechselstrommotoreinheit 215. Die Leistungsmoduleinheit 212 weist einen U-Phasen-Wechselrichter, einen V-Phasen-Wechselrichter und einen W-Phasen-Wechselrichter, die entsprechend der U-Phase, der V-Phase und der W-Phase der dreiphasigen Wechselstrommotoreinheit 215 angeschlossen sind.
  • Der Gate-Treiber 211 ist mit der Gate-Elektrode 43 einer ersten Leistungshalbleiterelementgruppe 40AT und der Gate-Elektrode 43 einer zweiten Leistungshalbleiterelementgruppe 40BT eines den U-Phasen-Wechselrichter bildenden Leistungsmoduls 1A verbunden, die Gate-Elektrode 43 einer ersten Leistungshalbleiterelementgruppe 40AT und die Gate-Elektrode 43 einer zweiten Leistungshalbleiterelementgruppe 40BT eines Leistungsmoduls 1A, die den V-Phasenwechselrichter bilden, und die Gate-Elektrode 43 einer ersten Leistungshalbleiterelementgruppe 40AT und die Gate-Elektrode 43 einer zweiten Leistungshalbleiterelementgruppe 40BT eines Leistungsmoduls 1A, die den W-Phasenwechselrichter bilden. Der Gate-Treiber 211 ist auch mit der Source-Elektrode 42 der ersten Leistungshalbleiterelementgruppe 40AT und der Source-Elektrode 42 der zweiten Leistungshalbleiterelementgruppe 40BT des Leistungsmoduls 1A verbunden, die den U-Phasen-Wechselrichter bilden, die Source-Elektrode 42 der ersten Leistungshalbleiterelementgruppe 40AT und die Source-Elektrode 42 der zweiten Leistungshalbleiterelementgruppe 40BT des Leistungsmoduls 1A, die den V-Phasenwechselrichter bilden, und die Source-Elektrode 42 der ersten Leistungshalbleiterelementgruppe 40AT und die Source-Elektrode 42 der zweiten Leistungshalbleiterelementgruppe 40BT des Leistungsmoduls 1A, die den W-Phasenwechselrichter bilden.
  • Die Leistungsmoduleinheit 212 wird zwischen einem Pluspol (+) P und einem Minuspol (-) N des an die Stromversorgung oder den Akku (E) 213 angeschlossenen Wandler 214 angeschlossen. Die Leistungsmoduleinheit 212 weist die Leistungshalbleiterelementgruppen 40AT und 40BT des Leistungsmoduls 1A, die den U-Phasen-Wechselrichter bilden, die Leistungshalbleiterelementgruppen 40AT und 40BT des Leistungsmoduls 1A, die den V-Phasen-Wechselrichter bilden, und die Leistungshalbleiterelementgruppen 40AT und 40BT des Leistungsmoduls 1A, die den W-Phasen-Wechselrichter bilden, auf.
  • Eine Freilaufdiode (engl.: flyback diode) 216 ist antiparallel zu der Source-Elektrode 42 und der Drain-Elektrode 41 jeder der Leistungshalbleiterelementgruppe 40AT und 40BT in den Phasen-Wechselrichtern angeschlossen.
  • Geänderte Beispiele
  • Die obigen Ausführungen veranschaulichen, ohne die Absicht einer Einschränkung, anwendbare Formen eines Leistungsmoduls gemäß der vorliegenden Offenbarung. Das Leistungsmodul gemäß der vorliegenden Offenbarung kann in Formen eingesetzt werden, die sich von den oben genannten Ausführungsformen unterscheiden. In einem Beispiel für eine solche Form wird ein Teil der Konfigurationen der obigen Ausführungsformen ersetzt, geändert oder weggelassen, oder es wird eine weitere Konfiguration zu den obigen Ausführungsformen hinzugefügt. In den folgenden modifizierten Beispielen werden die Teile, die mit den entsprechenden Teilen der obigen Ausführungsformen identisch sind, mit denselben Bezugszeichen versehen. Diese Teile werden nicht im Einzelnen beschrieben.
  • In der ersten Ausführungsform können die erste Steuerschicht 21 und die erste Ansteuerschicht 23 getauscht werden bzw. die erste Steuerschicht 22 und die erste Ansteuerschicht 24 können getauscht werden.
  • 35 zeigt ein Beispiel, bei dem die erste Steuerschicht 21 in der Querrichtung Y an die erste Montageschicht 13A angrenzt und die erste Ansteuerschicht 23 und die erste Montageschicht 13A auf gegenüberliegenden Seiten der ersten Steuerschicht 21 im ersten Substrat 11 angeordnet sind.
  • Die erste Steuerschicht 21 erstreckt sich in der Längsrichtung X. Die erste Steuerschicht 21 ist in ihrer Form identisch mit der ersten Ansteuerschicht 23 der ersten Ausführungsform. Das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A, das mit jedem ersten Leistungshalbleiterelement 40A des ersten Substrats 11 verbunden ist, ist mit der ersten Steuerschicht 21 verbunden.
  • Die erste Ansteuerschicht 23 ist in ihrer Form identisch mit der ersten Steuerschicht 21 der ersten Ausführungsform. Die erste Ansteuerschicht 23 weist einen ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 23a, einen ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 23b, einen ersten ansteuerseitigen Zusammenfügeabschnitt 23c und einen ersten ansteuerseitigen Verbinder 23d auf. Die erste Ansteuerschicht 23 ist ein einteiliges Element, in dem der erste ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 23a, der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 23b, der erste ansteuerseitig Zusammenfügeabschnitt 23c und der erste ansteuerseitige Verbinder 23d einstückig ausgebildet sind. In der Querrichtung Y befinden sich der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 23b und die erste Steuerschicht 21 auf gegenüberliegenden Seiten des ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 23a. Das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A, das mit jedem ersten Leistungshalbleiterelement 40A des ersten Substrats 11 verbunden ist, ist mit dem ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 23a der ersten Ansteuerschicht 23 verbunden. Wie in 35 dargestellt, ist das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A, das mit jedem ersten Leistungshalbleiterelement 40A des ersten Substrats 11 verbunden ist, nicht mit dem ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 23b verbunden. Das erste erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36A und das erste Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A auf der Ansteuerschicht sind mit dem ersten anschlussseitigen Verbinder 23d verbunden.
  • Außerdem befindet sich bei dem zweiten Substrat 12 die erste Steuerschicht 22 in der Querrichtung Y neben der ersten Montageschicht 13B, und die erste Ansteuerschicht 24 und die erste Montageschicht 13B befinden sich auf gegenüberliegenden Seiten der ersten Steuerschicht 22.
  • Die erste Steuerschicht 22 ist in ihrer Form identisch mit der ersten Ansteuerschicht 24 der ersten Ausführungsform. Die erste Steuerschicht 22 weist einen ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 22a, einen ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 22b, einen ersten steuerseitigen Zusammenfügeabschnitt 22c und einen ersten steuerseitigen Verbinder 22d auf. Die erste Steuerschicht 22 ist ein einteiliges Element, in dem der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 22a, der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 22b, der erste steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 22c und der erste steuerseitige Verbinder 22d einstückig ausgebildet sind. In der Querrichtung Y befinden sich der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 22b und der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 22a auf gegenüberliegenden Seiten der ersten Ansteuerschicht 24. Das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A, das mit jedem ersten Leistungshalbleiterelement 40A des zweiten Substrats 12 verbunden ist, ist mit dem ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 22a verbunden. Wie in 35 dargestellt, ist das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A, das mit jedem ersten Leistungshalbleiterelement 40A des zweiten Substrats 12 verbunden ist, nicht mit dem ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 22b verbunden. Das erste steueranschlussseitige Verbindungsglied 35A und das erste Steuerschicht-Verbindungsglied 93A sind mit dem ersten steuerseitigen Verbinder 22d verbunden. In der Draufsicht erstreckt sich das erste Steuerschicht-Verbindungsglied 93A in der Längsrichtung X.
  • Die erste Ansteuerschicht 24 ist in ihrer Form identisch mit der ersten Steuerschicht 22 der ersten Ausführungsform. Die erste Ansteuerschicht 24 erstreckt sich in der Längsrichtung X. In der Querrichtung Y befindet sich die erste Ansteuerschicht 24 zwischen dem ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 22a und dem ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 22b. Das erste Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A ist mit einem Ende der ersten Ansteuerschicht 24 in der Längsrichtung X verbunden, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 befindet. In der Draufsicht erstreckt sich das erste Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A in der Längsrichtung X.
  • Wie in 35 gezeigt, können der erste Steueranschluss 53A und der erste Erfassungsanschluss 54A in der Längsrichtung X umgekehrt zu denen der ersten Ausführungsform angeordnet sein. Dadurch wird in der Draufsicht eine Überschneidung des ersten steueranschlussseitigen Verbindungsglieds 35A mit dem ersten erfassungsanschlussseitigen Verbindungsglied 36A vermieden.
  • Bei der ersten Ausführungsform können die zweite Steuerschicht 25 und die zweite Ansteuerschicht 27 getauscht werden, und die zweite Steuerschicht 26 und die zweite Ansteuerschicht 28 können getauscht werden.
    36 zeigt ein Beispiel, bei dem die zweite Steuerschicht 25 in der Querrichtung Y an die leitende Schicht 15A angrenzt und die zweite Ansteuerschicht 27 und die leitende Schicht 15A auf gegenüberliegenden Seiten der zweiten Steuerschicht 25 im ersten Substrat 11 angeordnet sind.
  • Die zweite Steuerschicht 25 ist in ihrer Form identisch mit der zweiten Ansteuerschicht 27 der ersten Ausführungsform. Die zweite Steuerschicht 25 weist einen zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 25a, einen zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 25b, einen zweiten steuerseitigen Zusammenfügeabschnitt 25c und einen zweiten steuerseitigen Verbinder 25d auf. Die zweite Steuerschicht 25 ist ein einteiliges Element, in dem der zweite steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 25a, der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 25b, der zweite steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 25c und der zweite steuerseitige Verbinder 25d einstückig ausgebildet sind. Der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 25b und der zweite steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 25a befinden sich auf gegenüberliegenden Seiten der zweiten Ansteuerschicht 27 in der Querrichtung Y. Das zweite steuerseitige Verbindungsglied 32B, das mit jedem zweiten Leistungshalbleiterelement 40B des ersten Substrats 11 verbunden ist, ist mit dem zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 25a verbunden. Wie in 36 gezeigt, ist das zweite steuerseitige Verbindungsglied 32B, das mit jedem zweiten Leistungshalbleiterelement 40B des ersten Substrats 11 verbunden ist, nicht mit dem zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 25b verbunden. Das zweite steueranschlussseitige Verbindungsglied 35B und das zweite Steuerschicht-Verbindungsglied 93B sind mit dem zweiten steuerseitigen Verbinder 25d verbunden.
  • Die zweite Ansteuerschicht 27 ist in ihrer Form identisch mit der zweiten Steuerschicht 25 der ersten Ausführungsform. Die zweite Ansteuerschicht 27 erstreckt sich in der Längsrichtung X. Die zweite Ansteuerschicht 27 befindet sich zwischen dem zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 25a und dem zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 25b der zweiten Steuerschicht 25 in der Querrichtung Y. Das zweite Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94B ist mit einem Ende der zweiten Ansteuerschicht 27 in der Längsrichtung X verbunden, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet.
  • Außerdem befindet sich bei dem zweiten Substrat 12 die zweite Steuerschicht 26 in der Querrichtung Y neben der leitenden Schicht 15B, und die zweite Ansteuerschicht 28 und die leitende Schicht 15B befinden sich auf gegenüberliegenden Seiten der zweiten Steuerschicht 26.
  • Die zweite Ansteuerschicht 28 ist in ihrer Form identisch mit der zweiten Steuerschicht 26 der ersten Ausführungsform. Die zweite Ansteuerschicht 28 weist einen zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 28a, einen zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 28b, einen zweiten ansteuerseitigen Zusammenfügeabschnitt 28c und einen zweiten ansteuerseitigen Verbinder 28d auf. Die zweite Ansteuerschicht 28 ist ein einteiliges Element, bei dem der zweite ansteuerseitig Verdrahtungsabschnitt 28a, der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 28b, der zweite ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 28c und der zweite ansteuerseitige Verbinder 28d einstückig ausgebildet sind. Der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 28b und die zweite Steuerschicht 26 befinden sich auf gegenüberliegenden Seiten des zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 28a in der Querrichtung Y. Das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B, das mit jedem zweiten Leistungshalbleiterelement 40B des zweiten Substrats 12 verbunden ist, ist mit dem zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 28a verbunden. Wie in 36 gezeigt, ist das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B, das mit jedem zweiten Leistungshalbleiterelement 40B des zweiten Substrats 12 verbunden ist, nicht mit dem zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 28b verbunden. Das zweite erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36B und das zweite Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94B sind mit dem zweiten anschlussseitigen Verbinder 28d verbunden. In der Draufsicht erstreckt sich das erste Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A in der Längsrichtung X.
  • Die zweite Steuerschicht 26 ist in ihrer Form identisch mit der zweiten Ansteuerschicht 28 der ersten Ausführungsform. Die zweite Steuerschicht 26 erstreckt sich in der Längsrichtung X. Die zweite Steuerschicht 26 befindet sich zwischen dem zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 28a und dem zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 28b in der Querrichtung Y. Das zweite Steuerschicht-Verbindungsglied 93B ist mit einem Ende der zweiten Ansteuerschicht 28 in der Längsrichtung X verbunden, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 befindet. In der Draufsicht erstreckt sich das zweite Steuerschicht-Verbindungsglied 93B in der Längsrichtung X.
  • Wie in 36 gezeigt, können der zweite Steueranschluss 53B und der zweite Erfassungsanschluss 54B gegenüber der ersten Ausführungsform in Längsrichtung X umgekehrt angeordnet sein. Dadurch wird in der Draufsicht eine Überschneidung des zweiten steueranschlussseitigen Verbindungsglieds 35B mit dem zweiten erfassungsanschlussseitigen Verbindungsglied 36B vermieden.
  • In der zweiten Ausführungsform können die erste Steuerschicht 21 und die erste Ansteuerschicht 23 getauscht werden bzw. die erste Steuerschicht 22 und die erste Ansteuerschicht 24 können getauscht werden.
  • 37 zeigt ein Beispiel, bei dem die erste Steuerschicht 21 in der Querrichtung Y an die erste Montageschicht 13A angrenzt und die erste Ansteuerschicht 23 und die erste Montageschicht 13A auf gegenüberliegenden Seiten der ersten Steuerschicht 21 im ersten Substrat 11 angeordnet sind.
  • Die erste Steuerschicht 21 erstreckt sich in der Längsrichtung X. Die erste Steuerschicht 21 ist in ihrer Form identisch mit der ersten Ansteuerschicht 23 der zweiten Ausführungsform. Das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A, das mit jedem ersten Leistungshalbleiterelement 40A des ersten Substrats 11 verbunden ist, ist mit der ersten Steuerschicht 21 verbunden.
  • Die erste Ansteuerschicht 23 ist in ihrer Form identisch mit der ersten Steuerschicht 21 der zweiten Ausführungsform. Die erste Ansteuerschicht 23 weist den ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 23a, den ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 23b und den ersten ansteuerseitigen Zusammenfügeabschnitt 23c auf. Der erste ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 23a, der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 23b und der erste ansteuerseitige Verbindungsabschnitt 23c sind separat ausgebildet. Der erste ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 23a und der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 23b können z. B. aus einer Kupferfolie gebildet sein. Der erste ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 23c kann z. B. ein Draht sein, der durch Drahtbond gebildet ist. In der Querrichtung Y befinden sich der erste ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 23b und die erste Steuerschicht 21 auf gegenüberliegenden Seiten des ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 23a. Das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A, das mit jedem ersten Leistungshalbleiterelement 40A des ersten Substrats 11 verbunden ist, ist mit dem ersten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 23a der ersten Ansteuerschicht 23 verbunden. Wie in 37 dargestellt, ist das ansteuerseitige Verbindungsglied 33A, das mit jedem ersten Leistungshalbleiterelement 40A des ersten Substrats 11 verbunden ist, nicht mit dem ersten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 23b verbunden. Das erste erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36A und das erste Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A auf der Ansteuerschicht sind mit dem ersten anschlussseitigen Verbinder 23d verbunden.
  • Außerdem befindet sich bei dem zweiten Substrat 12 die erste Steuerschicht 22 in der Querrichtung Y neben der ersten Montageschicht 13B, und die erste Ansteuerschicht 24 und die erste Montageschicht 13B befinden sich auf gegenüberliegenden Seiten der ersten Steuerschicht 22.
  • Die erste Steuerschicht 22 ist in ihrer Form identisch mit der ersten Ansteuerschicht 24 der ersten Ausführungsform. Die erste Steuerschicht 22 weist den ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 22a, den ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 22b, den ersten steuerseitigen Zusammenfügeabschnitt 22c und den ersten steuerseitigen Verbinder 22d. Der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 22a, der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 22b, der erste steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 22c und der erste steuerseitige Verbinder 22d sind separat ausgebildet. Der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 22b und der erste steuerseitige Verbinder 22d sind einstückig ausgebildet. Der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 22a, der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 22b und der erste steuerseitige Verbinder 22d können beispielsweise aus einer Kupferfolie gebildet sein. Der erste steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 22c kann z. B. ein Draht sein, der durch Drahtbonden gebildet wird. In der Querrichtung Y befinden sich der erste steuerseitige Umleitungsabschnitt 22b und der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 22a auf gegenüberliegenden Seiten der ersten Ansteuerschicht 24. Das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A, das mit jedem ersten Leistungshalbleiterelement 40A des zweiten Substrats 12 verbunden ist, ist mit dem ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 22a verbunden. Wie in 37 dargestellt, ist das erste steuerseitige Verbindungsglied 32A, das mit jedem ersten Leistungshalbleiterelement 40A des zweiten Substrats 12 verbunden ist, nicht mit dem ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 22b verbunden. Das erste steueranschlussseitige Verbindungsglied 35A und das erste Steuerschicht-Verbindungsglied 93A sind mit dem ersten steuerseitigen Verbinder 22d verbunden. In der Draufsicht erstreckt sich das erste Steuerschicht-Verbindungsglied 93A in der Längsrichtung X.
  • Die erste Ansteuerschicht 24 ist in ihrer Form identisch mit der ersten Steuerschicht 22 der ersten Ausführungsform. Die erste Ansteuerschicht 24 erstreckt sich in der Längsrichtung X. In der Querrichtung Y befindet sich die erste Ansteuerschicht 24 zwischen dem ersten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 22a und dem ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 22b. Das erste Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A ist mit einem Ende der ersten Ansteuerschicht 24 in der Längsrichtung X verbunden, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 befindet.
  • Wie in 37 gezeigt, können der erste Steueranschluss 53A und der erste Erfassungsanschluss 54A in der Längsrichtung X umgekehrt zu denen der ersten Ausführungsform angeordnet sein. Dadurch wird in der Draufsicht eine Überschneidung des ersten steueranschlussseitigen Verbindungsglieds 35A mit dem ersten erfassungsanschlussseitigen Verbindungsglied 36A vermieden.
  • Bei der zweiten Ausführungsform können die zweite Steuerschicht 25 und die zweite Ansteuerschicht 27 getauscht werden, und die zweite Steuerschicht 26 und die zweite Ansteuerschicht 28 können getauscht werden.
  • 38 zeigt ein Beispiel, bei dem die zweite Steuerschicht 25 in der lateralen Richtung Y an die leitende Schicht 15A angrenzt und die zweite Ansteuerschicht 27 und die leitende Schicht 15A auf gegenüberliegenden Seiten der zweiten Steuerschicht 25 im ersten Substrat 11 angeordnet sind.
  • Die zweite Steuerschicht 25 ist in ihrer Form identisch mit der zweiten Ansteuerschicht 27 der zweiten Ausführungsform. Die zweite Steuerschicht 25 weist einen zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 25a, einen zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 25b, einen zweiten steuerseitigen Zusammenfügeabschnitt 25c und einen zweiten steuerseitigen Verbinder 25d auf. Der zweite steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 25a, der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 25b und der zweite steuerseitige Verbindungsabschnitt 25c sind separat ausgebildet. Der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 25b und der zweite steuerseitige Verbinder 25d sind einstückig ausgebildet. Der zweite steuerseitige Umleitungsabschnitt 25b und der zweite steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 25a befinden sich auf gegenüberliegenden Seiten der zweiten Ansteuerschicht 27 in der Querrichtung Y. Das zweite steuerseitige Verbindungsglied 32B, das mit jedem zweiten Leistungshalbleiterelement 40B des ersten Substrats 11 verbunden ist, ist mit dem zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 25a verbunden. Wie in 38 gezeigt, ist das zweite steuerseitige Verbindungsglied 32B, das mit jedem zweiten Leistungshalbleiterelement 40B des ersten Substrats 11 verbunden ist, nicht mit dem zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 25b verbunden. Das zweite steueranschlussseitige Verbindungsglied 35B und das zweite Steuerschicht-Verbindungsglied 93B sind mit dem zweiten steuerseitigen Verbinder 25d verbunden.
  • Die zweite Ansteuerschicht 27 ist in ihrer Form identisch mit der zweiten Steuerschicht 25 der zweiten Ausführungsform. Die zweite Ansteuerschicht 27 erstreckt sich in der Längsrichtung X. Die zweite Ansteuerschicht 27 befindet sich zwischen dem zweiten steuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 25a und dem zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitt 25b der zweiten Steuerschicht 25 in der Querrichtung Y. Das zweite Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94B ist mit einem Ende der zweiten Ansteuerschicht 27 in der Längsrichtung X verbunden, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet.
  • Außerdem befindet sich bei dem zweiten Substrat 12 die zweite Steuerschicht 26 in der Querrichtung Y neben der leitenden Schicht 15B, und die zweite Ansteuerschicht 28 und die leitende Schicht 15B befinden sich auf gegenüberliegenden Seiten der zweiten Steuerschicht 26.
  • Die zweite Ansteuerschicht 28 ist in ihrer Form identisch mit der zweiten Steuerschicht 26 der zweiten Ausführungsform. Die zweite Ansteuerschicht 28 weist den zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 28a, den zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 28b und den zweiten ansteuerseitigen Zusammenfügeabschnitt 28c. Der zweite ansteuerseitige Verdrahtungsabschnitt 28a, der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 28b und der zweite ansteuerseitig Zusammenfügeabschnitt 28c sind separat ausgebildet. Der zweite ansteuerseitige Umleitungsabschnitt 28b und die zweite Steuerschicht 26 befinden sich auf gegenüberliegenden Seiten des zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitts 28a in der Querrichtung Y. Das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B, das mit jedem zweiten Leistungshalbleiterelement 40B des zweiten Substrats 12 verbunden ist, ist mit dem zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 28a verbunden. Wie in 38 dargestellt, ist das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied 33B, das mit jedem zweiten Leistungshalbleiterelement 40B des zweiten Substrats 12 verbunden ist, nicht mit dem zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 28b verbunden. Das zweite erfassungsanschlussseitige Verbindungsglied 36B und das zweite Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94B sind mit dem zweiten anschlussseitigen Verbinder 28d verbunden.
  • Die zweite Steuerschicht 26 ist in ihrer Form identisch mit der zweiten Ansteuerschicht 28 der zweiten Ausführungsform. Die zweite Steuerschicht 26 erstreckt sich in der Längsrichtung X. Die zweite Steuerschicht 26 befindet sich zwischen dem zweiten ansteuerseitigen Verdrahtungsabschnitt 28a und dem zweiten ansteuerseitigen Umleitungsabschnitt 28b in der Querrichtung Y. Das zweite Steuerschicht-Verbindungsglied 93B ist mit einem Ende der zweiten Ansteuerschicht 28 in der Längsrichtung X verbunden, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 befindet. In der Draufsicht erstreckt sich das zweite Steuerschicht-Verbindungsglied 93B in der Längsrichtung X.
  • Wie in 38 gezeigt, können der zweite Steueranschluss 53B und der zweite Erfassungsanschluss 54B gegenüber der ersten Ausführungsform in Längsrichtung X umgekehrt angeordnet sein. Dadurch wird in der Draufsicht eine Überschneidung des zweiten steueranschlussseitigen Verbindungsglieds 35B mit dem zweiten erfassungsanschlussseitigen Verbindungsglied 36B vermieden.
  • Bei der zweiten Ausführungsform kann die erste Steuerschicht 21 den ersten steuerseitigen Verbinder 21d wie bei der ersten Ausführungsform enthalten. Der erste steuerseitige Verbinder 21d ist an einem Ende des ersten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 21b in der Längsrichtung X ausgebildet, das sich auf Seiten der vierten Substrat-Seitenfläche 11d des ersten Substrats 11 befindet. In diesem Fall ist der erste steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 21a der ersten Steuerschicht 21 in Längsrichtung X verkürzt. Der erste steuerseitige Verbinder 21d ermöglicht es, dass sich das erste Steuerschicht-Verbindungsglied 93A in der Draufsicht in Längsrichtung X erstreckt.
  • Bei der zweiten Ausführungsform kann die zweite Steuerschicht 26 den zweiten steuerseitigen Verbinder 26d wie bei der ersten Ausführungsform enthalten. Der zweite steuerseitige Verbinder 26d ist an einem Ende des zweiten steuerseitigen Umleitungsabschnitts 26b in der Längsrichtung X ausgebildet, das sich auf Seiten der dritten Substrat-Seitenfläche 12c des zweiten Substrats 12 befindet. In diesem Fall ist der zweite steuerseitige Verdrahtungsabschnitt 26a der zweiten Steuerschicht 26 in Längsrichtung X verkürzt. Der zweite steuerseitige Verbinder 26d ermöglicht es, dass sich das zweite Steuerschicht-Verbindungsglied 93B in der Draufsicht in Längsrichtung X erstreckt.
  • In der zweiten Ausführungsform kann der erste steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 21c der ersten Steuerschicht 21 aus einer bandförmigen dünnen Platte anstelle eines Drahtes gebildet werden. Das Material der bandförmigen dünnen Platte ist Cu, eine Cu-Legierung, Al oder eine Al-Legierung.
  • Bei der zweiten Ausführungsform kann der erste ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 24c der ersten Antriebsschicht 24 aus einer bandförmigen dünnen Platte anstelle eines Drahtes gebildet werden. Das Material der bandförmigen dünnen Platte ist Cu, eine Cu-Legierung, Al oder eine Al-Legierung.
  • In der zweiten Ausführungsform kann der zweite steuerseitige Zusammenfügeabschnitt 26c der zweiten Steuerschicht 26 aus einer bandförmigen dünnen Platte anstelle eines Drahtes gebildet werden. Das Material der bandförmigen dünnen Platte ist Cu, eine Cu-Legierung, Al oder eine Al-Legierung.
  • Bei der zweiten Ausführungsform kann der zweite ansteuerseitige Zusammenfügeabschnitt 27c der zweiten Ansteuerschicht 27 aus einer bandförmigen dünnen Platte anstelle eines Drahtes gebildet werden. Das Material der bandförmigen dünnen Platte ist Cu, eine Cu-Legierung, Al oder eine Al-Legierung.
  • Bei jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen kann mindestens eines der Verbindungsglieder 31A und 31B aus einem oder mehreren Drähten gebildet werden.
  • Bei jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen kann mindestens eines der Zusammenfügeglieder 90A bis 90C aus einem oder mehreren Drähten gebildet werden.
  • Bei jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen können die Strukturen der Leistungshalbleiterelemente 40 (40A, 40B) in beliebiger Weise verändert werden. Bei einem Beispiel, wie in 39 gezeigt, können die Source-Elektrode 42 und die Gate-Elektrode 43 auf der Elementhauptoberfläche 40s des ersten Leistungshalbleiterelements 40A ausgebildet sein. Die Source-Elektrode 42 ist auf einem großen Abschnitt der Elementhauptoberfläche 40s ausgebildet. In der vorliegenden Ausführungsform weist die Source-Elektrode 42 eine erste Source-Elektrode 42D und eine zweite Source-Elektrode 42E auf. In der Draufsicht sind die erste Source-Elektrode 42D und die zweite Source-Elektrode 42E in Längsrichtung X getrennt. In der Draufsicht ist die Gate-Elektrode 43 in einer in der Source-Elektrode 42 ausgebildeten Ausnehmung 42x angeordnet. In 39 ist das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A mit der zweiten Source-Elektrode 42E verbunden. Das erste ansteuerseitige Verbindungsglied 33A kann mit der ersten Source-Elektrode 42D verbunden werden. Das zweite Leistungshalbleiterelement 40B kann wie in 39 gezeigt geändert werden.
  • Bei jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen kann einer der ersten Ausgangsanschlüsse 52A und der zweiten Ausgangsanschlüsse 52B weggelassen werden. Bei jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen können das erste Substrat 11 und das zweite Substrat 12 einstückig als Substrat 10 ausgebildet sein. In diesem Fall entfallen die Zusammenfügeglieder 90A bis 90C. Die erste Steuerschicht 21 und die erste Steuerschicht 22 können einstückig sein. In diesem Fall entfällt das erste Steuerschicht-Verbindungsglied 93A der Steuerschicht. Die erste Ansteuerschicht 23 und die erste Ansteuerschicht 24 können einstückig sein. In diesem Fall entfällt das erste Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94A. Die zweite Steuerschicht 25 und die zweite Steuerschicht 26 können einstückig sein. In diesem Fall entfällt das zweite Steuerschicht-Verbindungsglied 93B. Die zweite Ansteuerschicht 27 und die zweite Ansteuerschicht 28 können einstückig sein. In diesem Fall entfällt das zweite Ansteuerschicht-Verbindungsglied 94B.
  • Bei jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen kann das erste Substrat 11 oder das zweite Substrat 12 des Substrats 10 entfallen. Wenn das zweite Substrat 12 von dem Substrat 10 weggelassen wird, werden die erste Montageschicht 13B, die zweite Montageschicht 14B, die leitende Schicht 15B, die erste Steuerschicht 22, die erste Ansteuerschicht 24, die zweite Steuerschicht 26, die zweite Ansteuerschicht 28 und die Leistungshalbleiterelemente 40A und 40B des zweiten Substrats 12 hauptsächlich weggelassen. Wenn das erste Substrat 11 von dem Substrat 10 weggelassen wird, werden die erste Montageschicht 13A, die zweite Montageschicht 14A, die leitende Schicht 15A, die erste Steuerschicht 21, die erste Ansteuerschicht 23, die zweite Steuerschicht 25, die zweite Ansteuerschicht 27 und die Leistungshalbleiterelemente 40A und 40B des ersten Substrats 11 hauptsächlich weggelassen.
  • Bei jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen kann der Leistungsstromversorgungsanschluss 55 weggelassen werden. In diesem Fall entfällt das leistungsversorgungserfassungsseitige Verbindungsglied 34.
  • Bei jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen kann der Thermistor 17 weggelassen werden. Außerdem können die Thermistor-Montageschicht 16, die beiden Temperaturerfassungsanschlüsse 56 und die beiden thermistorseitigen Verbindungsglieder 37 weggelassen werden.
  • Bei jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen kann das Leistungsmodul aufweisen: ein einzelnes Substrat mit einer Substrat-Hauptoberfläche; eine Montageschicht, eine leitende Schicht, eine Steuerschicht und eine Ansteuerschicht, die auf der Substrat-Hauptoberfläche angeordnet sind; Leistungshalbleiterelemente, die auf der Montageschicht angeordnet sind; einen Steueranschluss; und einen Erfassungsanschluss. In diesem Fall wird auf der Steuerschicht und/oder der Ansteuerschicht ein Umleitungsabschnitt gebildet, um die Differenz zwischen den Leistungshalbleiterelementen hinsichtlich der Summe der Länge des steuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des ansteuerseitigen leitenden Pfads zu verringern.
  • Klauseln
  • Die technischen Konzepte, die sich aus den obigen Ausführungsformen und den modifizierten Beispielen ergeben, werden nun beschrieben.
  • Klausel 1
  • Ein Leistungsmodul, aufweisend:
    • ein elektrisch isolierendes Substrat mit einer Substrat-Hauptoberfläche und einer Substrat-Rückseite, die in einer Dickenrichtung in entgegengesetzte Richtungen weisen;
    • eine Montageschicht, eine Steuerschicht und eine Ansteuerschicht, die auf der Substrat-Hauptoberfläche ausgebildet und elektrisch leitend sind;
    • ein Leistungshalbleiterelement, das auf der Montageschicht montiert ist und eine Elementrückseite, eine Elementhauptoberfläche, eine erste Ansteuerelektrode, die auf der Elementrückseite ausgebildet und elektrisch mit der Montageschicht verbunden ist, eine zweite Ansteuerelektrode und eine Steuerelektrode enthält, wobei die zweite Ansteuerelektrode und die Steuerelektrode auf der Elementhauptoberfläche ausgebildet sind;
    • ein steuerseitiges Verbindungsglied, das die Steuerelektrode mit der Steuerschicht verbindet;
    • ein ansteuerseitiges Verbindungsglied, das die zweite Ansteuerelektrode mit der Ansteuerschicht verbindet;
    • einen Steueranschluss, der elektrisch mit der Steuerschicht verbunden ist, und
    • einen Erfassungsanschluss, der elektrisch mit der Ansteuerschicht verbunden ist, wobei
    • das Leistungshalbleiterelement eines von mehreren Leistungshalbleiterelementen ist, die auf der Montageschicht in einer Richtung aus einer Dickenrichtung gesehen angeordnet sind,
    • das steuerseitige Verbindungsglied eines von mehreren steuerseitigen Verbindungsgliedern ist, die einem der Leistungshalbleiterelemente entsprechen,
    • das ansteuerseitige Verbindungsglied eines von mehreren ansteuerseitigen Verbindungsgliedern ist, die je einem der Leistungshalbleiterelemente entsprechen,
    • ein erster leitender Pfad ein Pfad zwischen der Steuerelektrode und dem Steueranschluss ist,
    • ein zweiter leitender Pfad ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode und dem Erfassungsanschluss ist, und
    • die Steuerschicht und/oder die Ansteuerschicht einen Umleitungsabschnitt aufweist, der eine Umleitung einrichtet, um eine Differenz zwischen den mehreren Leistungshalbleiterelementen hinsichtlich einer Summe einer Länge des ersten leitenden Pfads und einer Länge des zweiten leitenden Pfads zu verringern.
  • Klausel 2
  • Ein Leistungsmodul, aufweisend:
    • ein elektrisch isolierendes Substrat mit einer Substrat-Hauptoberfläche und einer Substrat-Rückseite, die in einer Dickenrichtung in entgegengesetzte Richtungen weisen;
    • eine Montageschicht, eine Steuerschicht und eine Ansteuerschicht, die auf der Substrat-Hauptoberfläche ausgebildet und elektrisch leitend sind;
    • mehrere Leistungshalbleiterelemente, die auf der Montageschicht ausgebildet sind und in einer Richtung in Dickenrichtung gesehen angeordnet sind, wobei jedes der Leistungshalbleiterelemente eine Elementrückseite, eine Elementhauptoberfläche, eine erste Ansteuerelektrode, die auf der Elementrückseite ausgebildet und elektrisch mit der Montageschicht verbunden ist, eine zweite Ansteuerelektrode und eine Steuerelektrode aufweist, wobei die zweite Ansteuerelektrode und die Steuerelektrode auf der Elementhauptoberfläche ausgebildet sind;
    • mehrere steuerseitige Verbindungsglieder, die in der gleichen Richtung wie eine Anordnungsrichtung der mehreren Leistungshalbleiterelemente angeordnet sind, um die Steuerelektroden der mehreren Leistungshalbleiterelemente mit der Steuerschicht zu verbinden;
    • mehrere ansteuerseitige Verbindungsglieder, die in der gleichen Richtung wie die Anordnungsrichtung der mehreren Leistungshalbleiterelemente angeordnet sind, um die zweiten Ansteuerelektroden der Leistungshalbleiterelemente mit der Ansteuerschicht zu verbinden;
    • einen Steueranschluss, der elektrisch mit der Steuerschicht verbunden ist, und
    • einen Erfassungsanschluss, der elektrisch mit der Ansteuerschicht verbunden ist, wobei
    • die Leistungshalbleiterelemente ein erstes End-Leistungshalbleiterelement und ein zweites End-Leistungshalbleiterelement aufweisen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung befinden,
    • ein erster steuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der Steuerelektrode des ersten End-Leistungshalbleiterelements und dem Steueranschluss ist,
    • ein erster ansteuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des ersten End-Leistungshalbleiterelements und dem Erfassungsanschluss ist,
    • eine erste Summe die Summe einer Länge des ersten steuerseitigen leitenden Pfads und einer Länge des ersten ansteuerseitigen leitenden Pfads ist,
    • ein zweiter steuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der Steuerelektrode des zweiten End-Leistungshalbleiterelements und dem Steueranschluss ist,
    • ein zweiter ansteuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des zweiten End-Leistungshalbleiterelement und dem Erfassungsanschluss ist,
    • eine zweite Summe die Summe einer Länge des zweiten steuerseitigen leitenden Pfads und einer Länge des zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfads ist, und
    • die Steuerschicht und/oder die Ansteuerschicht einen Umleitungsabschnitt aufweist, der die leitenden Pfade umleitet, um eine Differenz zwischen der ersten Summe und der zweiten Summe zu verringern.
  • Klausel 3
  • Leistungsmodul nach Klausel 1 oder 2, bei dem, wenn eine Richtung als erste Richtung bezeichnet wird und eine Richtung, die die erste Richtung aus Dickenrichtung gesehen schneidet, als zweite Richtung bezeichnet wird,
    jede Steuerschicht und jede Ansteuerschicht jeweils einen Verdrahtungsabschnitt aufweist, der sich in der ersten Richtung erstreckt, und
    der Umleitungsabschnitt von dem Verdrahtungsabschnitt in der zweiten Richtung getrennt ist und sich in der ersten Richtung erstreckt.
  • Klausel 4
  • Leistungsmodul nach Klausel 3, bei dem
    die Steuerschicht und/oder die Ansteuerschicht einen Zusammenfügeabschnitt aufweist, der den Umleitungsabschnitt und den Verdrahtungsabschnitt verbindet, und
    der Verdrahtungsabschnitt, der Umleitungsabschnitt und der Zusammenfügeabschnitt einstückig als ein einteiliges Element ausgebildet sind.
  • Klausel 5
  • Leistungsmodul nach Klausel 3, bei dem die Steuerschicht und/oder die Ansteuerschicht einen Zusammenfügeabschnitt aufweist, der den Umleitungsabschnitt und den Verdrahtungsabschnitt verbindet, und
    der Zusammenfügeabschnitt ein Draht ist.
  • Klausel 6
  • Leistungsmodul nach einer der Klauseln 1 bis 5, bei dem die Antriebsschicht näher an der Montageschicht liegt als die Steuerschicht.
  • Klausel 7
  • Leistungsmodul nach Klausel 6, bei dem
    die Steuerschicht den Umleitungsabschnitt aufweist, und
    der Umleitungsabschnitt und die Ansteuerschicht sich auf gegenüberliegenden Seiten des Verdrahtungsabschnitts der Steuerschicht befinden.
  • Klausel 8
  • Leistungsmodul nach Klausel 6, bei dem
    die Ansteuerschicht den Umleitungsabschnitt enthält, und
    der Umleitungsabschnitt und die Montageschicht sich auf gegenüberliegenden Seiten der Steuerschicht befinden.
  • Klausel 9
  • Leistungsmodul nach einer der Klauseln 1 bis 8, bei dem das steuerseitige Verbindungsglied und das ansteuerseitige Verbindungsglied nicht am Umleitungsabschnitt verbunden sind.
  • Klausel 10
  • Leistungsmodul nach einer der Klauseln 1 bis 9, bei dem, wenn die eine Richtung als eine erste Richtung bezeichnet wird und eine Richtung, die die erste Richtung aus der Dickenrichtung gesehen schneidet, als eine zweite Richtung bezeichnet wird, sich das steuerseitige Verbindungsglied und/oder das ansteuerseitige Verbindungsglied in der zweiten Richtung aus der Dickenrichtung gesehen erstreckt,
  • Klausel 11
  • Leistungsmodul nach einer der Klauseln 1 bis 10, bei dem
    der Steueranschluss und die Steuerschicht durch ein steueranschlussseitiges Verbindungsglied elektrisch verbunden sind, und
    der Erfassungsanschluss und die Ansteuerschicht durch ein erfassungsanschlussseitiges Verbindungsglied elektrisch verbunden sind.
  • Klausel 12
  • Leistungsmodul nach Klausel 11, bei dem
    die Steuerschicht den Umleitungsabschnitt und einen ersten Verbindungsabschnitt aufweist, der an einem distalen Ende des Umleitungsabschnitts ausgebildet ist, und
    der erste Verbindungsabschnitt mit dem steueranschlussseitigen Verbindungsglied verbunden ist.
  • Klausel 13
  • Leistungsmodul nach Klausel 11, bei dem
    die Ansteuerschicht den Umleitungsabschnitt und einen zweiten Verbindungsabschnitt aufweist, der an einem distalen Ende des Umleitungsabschnitts ausgebildet ist, und
    der zweite Verbindungsabschnitt mit dem erfassungsanschlussseitigen Verbindungsglied verbunden ist.
  • Klausel 14
  • Leistungsmodul nach einer der Klauseln 1 bis 13, bei dem
    das Substrat ein erstes Substrat und ein zweites Substrat aufweist,
    die Montageschicht, die Steuerschicht und die Ansteuerschicht auf der Substrat-Hauptoberfläche sowohl des ersten Substrats als auch des zweiten Substrats angeordnet sind,
    die mehreren Leistungshalbleiterelemente auf der Montageschicht sowohl des ersten Substrats als auch des zweiten Substrats in der einen Richtung angeordnet sind,
    das erste Substrat und das zweite Substrat in der einen Richtung getrennt sind,
    die Montageschicht des ersten Substrats und die Montageschicht des zweiten Substrats durch ein Montageschicht-Verbindungsglied elektrisch verbunden sind,
    die Steuerschicht des ersten Substrats und die Steuerschicht des zweiten Substrats durch ein Steuerschicht-Verbindungsglied elektrisch verbunden sind,
    die Ansteuerschicht des ersten Substrats und die Ansteuerschicht des zweiten Substrats durch ein Ansteuerschicht-Verbindungsglied elektrisch verbunden sind,
    eine Schicht der Steuerschicht oder Ansteuerschicht des ersten Substrats den Umleitungsabschnitt enthält, und
    die jeweils andere Schicht der Steuerschicht oder Ansteuerschicht des zweiten Substrats, den Umleitungsabschnitt aufweist.
  • Klausel 15
  • Leistungsmodul nach Anspruch 14, bei dem, wenn die eine Richtung als eine erste Richtung bezeichnet wird und eine Richtung, die die erste Richtung aus der Dickenrichtung gesehen schneidet, als eine zweite Richtung bezeichnet wird, sowohl der Steueranschluss als auch der Erfassungsanschluss so angeordnet sind, dass sie das zweite Substrat aus der zweiten Richtung gesehen überlappen.
  • Klausel 16
  • Leistungsmodul nach einer der Klauseln 1 bis 15, bei dem
    das Leistungshalbleiterelement ein SiC-MOSFET ist,
    die erste Ansteuerelektrode ist eine Drain-Elektrode,
    die zweite Ansteuerelektrode eine Source-Elektrode ist, und die Steuerelektrode eine Gate-Elektrode ist.
  • Klausel 17
  • Ein Leistungsmodul, aufweisend:
    • ein elektrisch isolierendes Substrat mit einer Substrat-Hauptoberfläche und einer Substrat-Rückseite, die in einer Dickenrichtung in entgegengesetzte Richtungen weisen;
    • eine erste Steuerschicht, eine zweite Steuerschicht, eine erste Ansteuerschicht, eine zweite Ansteuerschicht, eine erste Montageschicht, eine zweite Montageschicht und eine leitende Schicht, die auf der Substrat-Hauptoberfläche ausgebildet sind und elektrisch leitend sind;
    • ein erstes Leistungshalbleiterelement, das auf der ersten Montageschicht angebracht ist und eine erste Elementrückseite und eine erste Elementhauptoberfläche aufweist, wobei das erste Leistungshalbleiterelement eine erste Ansteuerelektrode, die auf der ersten Elementrückseite ausgebildet und elektrisch mit einem ersten Eingangsanschluss verbunden ist, eine zweite Ansteuerelektrode und eine Steuerelektrode, die auf der ersten Elementhauptoberfläche ausgebildet sind, aufweist, wobei die zweite Ansteuerelektrode elektrisch mit einem Ausgangsanschluss verbunden ist;
    • ein zweites Leistungshalbleiterelement, das auf der zweiten Montageschicht angebracht ist und eine zweite Elementrückseite und eine zweite Elementhauptoberfläche aufweist, wobei das zweite Leistungshalbleiterelement eine erste Ansteuerelektrode, die auf der zweiten Elementrückseite ausgebildet und elektrisch mit dem Ausgangsanschluss verbunden ist, eine zweite Ansteuerelektrode und eine Steuerelektrode, die auf der zweiten Elementhauptoberfläche ausgebildet sind, aufweist, wobei die zweite Ansteuerelektrode elektrisch mit einem zweiten Eingangsanschluss verbunden ist;
    • ein erstes steuerseitiges Verbindungsglied, das die Steuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements mit der ersten Steuerschicht verbindet;
    • ein erstes ansteuerseitiges Verbindungsglied, das die zweite Ansteuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements mit der ersten Ansteuerschicht verbindet;
    • ein zweites steuerseitiges Verbindungsglied, das die Steuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements mit der zweiten Steuerschicht verbindet;
    • ein zweites ansteuerseitiges Verbindungsglied, das die zweite Ansteuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements mit der zweiten Ansteuerschicht verbindet;
    • einen ersten Steueranschluss, der elektrisch mit der ersten Steuerschicht verbunden ist,
    • einen zweiten Steueranschluss, der elektrisch mit der zweiten Steuerschicht verbunden ist,
    • einen ersten Erfassungsanschluss, der elektrisch mit der ersten Ansteuerschicht verbunden ist, und
    • einen zweiten Erfassungsanschluss, der elektrisch mit der zweiten Ansteuerschicht verbunden ist, wobei
    • das erste Leistungshalbleiterelement eines von mehreren ersten Leistungshalbleiterelementen ist, die auf der ersten Montageschicht in einer Richtung aus der Dickenrichtung gesehen angeordnet sind,
    • das erste steuerseitige Verbindungsglied eines von mehreren ersten steuerseitigen Verbindungsgliedern ist, die je einem der ersten Leistungshalbleiterelemente entsprechen,
    • das erste ansteuerseitige Verbindungsglied eines von mehreren ersten ansteuerseitigen Verbindungsgliedern ist, die je einem der ersten Leistungshalbleiterelemente entsprechen,
    • ein erster leitender Pfad ein Pfad zwischen der Steuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements und dem ersten Steueranschluss ist,
    • ein zweiter leitender Pfad ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements und dem ersten Erfassungsanschluss ist, und
    • die erste Steuerschicht und/oder die erste Ansteuerschicht einen ersten Umleitungsabschnitt aufweist, der eine Umleitung einrichtet, um eine Differenz zwischen den ersten Leistungshalbleiterelementen hinsichtlich einer Summe einer Länge des ersten leitenden Pfads und einer Länge des zweiten leitenden Pfads zu verringern.
  • Klausel 18
  • Ein Leistungsmodul, aufweisend:
    • ein elektrisch isolierendes Substrat mit einer Substrat-Hauptoberfläche und einer Substrat-Rückseite, die in einer Dickenrichtung in entgegengesetzte Richtungen weisen;
    • eine erste Steuerschicht, eine zweite Steuerschicht, eine erste Ansteuerschicht, eine zweite Ansteuerschicht, eine erste Montageschicht, eine zweite Montageschicht und eine leitende Schicht, die auf der Substrat-Hauptoberfläche ausgebildet sind und elektrisch leitend sind;
    • erste Leistungshalbleiterelemente, die auf der ersten Montageschicht angebracht und in einer Richtung aus der Dickenrichtung gesehen angeordnet sind, wobei jedes der ersten Leistungshalbleiterelemente eine erste Elementrückseite, eine erste Elementhauptoberfläche, eine erste Ansteuerelektrode, die auf der ersten Elementrückseite ausgebildet und elektrisch mit einem ersten Eingangsanschluss verbunden ist, und eine zweite Ansteuerelektrode und eine Steuerelektrode, die auf der ersten Elementhauptoberfläche ausgebildet sind, aufweist, wobei die zweite Ansteuerelektrode elektrisch mit einem Ausgangsanschluss verbunden ist;
    • zweite Leistungshalbleiterelemente, die auf der zweiten Montageschicht angebracht und in der einen Richtung aus der Dickenrichtung gesehen angeordnet sind, wobei jedes der zweiten Leistungshalbleiterelemente eine zweite Elementrückseite, eine zweite Elementhauptoberfläche, eine erste Ansteuerelektrode, die auf der zweiten Elementrückseite ausgebildet und elektrisch mit dem Ausgangsanschluss verbunden ist, und eine zweite Ansteuerelektrode und eine Steuerelektrode, die auf der zweiten Elementhauptoberfläche ausgebildet sind, aufweist, wobei die zweite Ansteuerelektrode elektrisch mit einem zweiten Eingangsanschluss verbunden ist;
    • erste steuerseitige Verbindungsglieder, die in der gleichen Richtung wie eine Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente angeordnet sind, um die Steuerelektroden der ersten Leistungshalbleiterelemente mit der ersten Steuerschicht zu verbinden;
    • erste ansteuerseitige Verbindungsglieder, die in der gleichen Richtung wie die Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente angeordnet sind, um die zweiten Ansteuerelektrode der ersten Leistungshalbleiterelemente mit der ersten Ansteuerschicht zu verbinden;
    • zweite steuerseitige Verbindungsglieder, die in der gleichen Richtung wie eine Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente angeordnet sind, um die Steuerelektroden der zweiten Leistungshalbleiterelemente mit der zweiten Steuerschicht zu verbinden;
    • zweite ansteuerseitige Verbindungsglieder, die in der gleichen Richtung wie die Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente angeordnet sind, um die zweiten Ansteuerelektrode der zweiten Leistungshalbleiterelemente mit der zweiten Ansteuerschicht zu verbinden;
    • einen ersten Steueranschluss, der elektrisch mit der ersten Steuerschicht verbunden ist,
    • einen zweiten Steueranschluss, der elektrisch mit der zweiten Steuerschicht verbunden ist,
    • einen ersten Erfassungsanschluss, der elektrisch mit der ersten Ansteuerschicht verbunden ist, und
    • einen zweiten Erfassungsanschluss, der elektrisch mit der zweiten Ansteuerschicht verbunden ist, wobei
    • die ersten Leistungshalbleiterelemente ein erstes End-Leistungshalbleiterelement und ein zweites End-Leistungshalbleiterelement aufweisen, die sich an gegenüberliegenden Enden in der Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente befinden,
    • ein erster endsteuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der Steuerelektrode des ersten End-Leistungshalbleiterelement und dem ersten Steueranschluss ist,
    • ein erster endansteuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des ersten End-Leistungshalbleiterelement und dem ersten Erfassungsanschluss ist,
    • eine erste Summe die Summe einer Länge des ersten endsteuerseitigen leitenden Pfads und einer Länge des ersten endansteuerseitigen leitenden Pfads ist,
    • ein zweiter endsteuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der Steuerelektrode des zweiten End-Leistungshalbleiterelement und dem ersten Steueranschluss ist,
    • ein zweiter endansteuerseitig leitender Pfad ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des End-Leistungshalbleiterelement und dem ersten Erfassungsanschluss ist,
    • eine zweite Summe die Summe einer Länge des zweiten endsteuerseitigen leitenden Pfads und einer Länge des zweiten endansteuerseitig leitenden Pfads ist,
    • die erste Steuerschicht und/oder die erste Ansteuerschicht einen ersten Umleitungsabschnitt aufweisen, der die leitenden Pfade umleitet, um eine Differenz zwischen der ersten Summe und der zweiten Summe zu verringern.
  • Die Spannung zwischen dem ersten Steueranschluss und dem ersten Erfassungsanschluss wird als Steuerspannung an die Steuerelektrode jedes ersten Leistungshalbleiterelements angelegt. Der Zeitpunkt, zu dem die Steuerspannung an die Steuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements angelegt wird, wird in Abhängigkeit von der Summe des Induktivitätswerts zwischen der Steuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements und dem ersten Steueranschluss und des Induktivitätswerts zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements und dem ersten Erfassungsanschluss bestimmt. Der Induktivitätswert zwischen der Steuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements und dem ersten Steueranschluss wird hauptsächlich durch die Länge des leitenden Pfads zwischen der Steuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements und dem ersten Steueranschluss bestimmt. Der Induktivitätswert zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements und dem ersten Erfassungsanschluss wird hauptsächlich durch die Länge des leitenden Pfads zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des Leistungshalbleiterelements und dem ersten Erfassungsanschluss bestimmt. Eine Verringerung der Differenz zwischen den ersten Leistungshalbleiterelementen hinsichtlich der Summe der Länge des leitenden Pfads, der sich von der Steuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements zu dem ersten Steueranschluss erstreckt, und der Länge des leitenden Pfads, der sich von der zweiten Ansteuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements zu dem ersten Erfassungsanschluss erstreckt, verringert daher die Schwankungen in der Summe der Induktivitätswerte zwischen den ersten Leistungshalbleiterelementen.
  • Der Unterschied in der Länge des leitenden Pfads, der sich von der ersten Steuerelektrode zu dem ersten Steueranschluss erstreckt, und des leitenden Pfads, der sich von der zweiten Steuerelektrode zu dem ersten Erfassungsanschluss erstreckt, wird als der größte zwischen den ersten Leistungshalbleiterelementen (dem ersten End-Leistungshalbleiterelement und dem zweiten End-Leistungshalbleiterelement) angesehen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente befinden.
  • Dabei ist das Leistungsmodul nach Klausel 18 so ausgebildet, dass die Differenz zwischen der ersten Summe und der zweiten Summe um den ersten Umleitungsabschnitt reduziert wird. Die erste Summe ist die Summe der Länge des ersten endsteuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des ersten endansteuerseitigen leitenden Pfads des ersten End-Leistungshalbleiterelements. Die zweite Summe ist die Summe der Länge des zweiten endsteuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des zweiten endansteuerseitigen leitenden Pfads des zweiten End-Leistungshalbleiterelements. Dadurch verringert sich die Differenz zwischen der Summe des Induktivitätswerts in dem ersten endsteuerseitigen leitenden Pfad und dem Induktivitätswert in dem ersten endansteuerseitigen leitenden Pfad und der Summe des Induktivitätswerts in dem zweiten endansteuerseitigen leitenden Pfad und dem Induktivitätswert in dem zweiten endansteuerseitig leitenden Pfad. Dementsprechend werden zeitliche Schwankungen bei der Aktivierung und Deaktivierung des ersten End-Leistungshalbleiterelements und des zweiten End-Leistungshalbleiterelement, die unter den ersten Leistungshalbleiterelementen den größten Unterschied im Induktivitätswert aufweisen, reduziert. Somit wird ein stabiler Betrieb des Leistungsmoduls gewährleistet.
  • Klausel 19
  • Leistungsmodul nach Klausel 17 oder 18, bei dem, wenn eine Richtung als erste Richtung bezeichnet wird und eine Richtung, die die erste Richtung aus Dickenrichtung gesehen schneidet, als zweite Richtung bezeichnet wird,
    in der zweiten Richtung, die zweite Montageschicht sich zwischen der ersten Montageschicht und der leitenden Schicht in der zweiten Richtung befindet,
    die zweite Montageschicht und jede der ersten Steuerschicht und der ersten Ansteuerschicht an gegenüberliegenden Seiten der ersten Montageschicht angeordnet sind, und
    die zweite Montageschicht und die zweite Steuerschicht und die zweite Ansteuerschicht jeweils auf gegenüberliegenden Seiten der leitenden Schicht angeordnet sind.
  • Klausel 20
  • Leistungsmodul nach Klausel 19, bei dem
    sowohl die erste Steuerschicht als auch die erste Ansteuerschicht einen ersten Verdrahtungsabschnitt aufweisen, der sich in der ersten Richtung erstreckt, und
    der erste Umleitungsabschnitt von dem ersten Verdrahtungsabschnitt in der zweiten Richtung getrennt ist und sich in der ersten Richtung erstreckt.
  • Klausel 21
  • Leistungsmodul nach Anspruch 20, bei dem
    die erste Steuerschicht und/oder die erste Ansteuerschicht einen ersten Zusammenfügeabschnitt aufweisen, der den ersten Umleitungsabschnitt und den ersten Verdrahtungsabschnitt verbindet, und
    der erste Verdrahtungsabschnitt, der erste Umleitungsabschnitt und der erste Zusammenfügeabschnitt einstückig als ein einteiliges Element ausgebildet sind.
  • Klausel 22
  • Leistungsmodul nach Anspruch 20, bei dem
    die erste Steuerschicht und/oder die erste Ansteuerschicht einen ersten Zusammenfügeabschnitt aufweisen, der den ersten Umleitungsabschnitt und den ersten Verdrahtungsabschnitt verbindet, und
    der erste Zusammenfügeabschnitt ein Draht ist.
  • Klausel 23
  • Leistungsmodul nach einer der Klauseln 17 bis 22, bei dem, wenn die eine Richtung als erste Richtung bezeichnet wird und eine Richtung, die die erste Richtung aus Dickenrichtung gesehen schneidet, als zweite Richtung bezeichnet wird,
    in der zweiten Richtung, die erste Ansteuerschicht sich neben der ersten Montageschicht befindet, und
    die erste Steuerschicht und die erste Montageschicht sich auf gegenüberliegenden Seiten der ersten Ansteuerschicht befinden.
  • Klausel 24
  • Leistungsmodul nach Klausel 23, bei dem
    die erste Steuerschicht den ersten Umleitungsabschnitt aufweist, und
    der erste Umleitungsabschnitt und die erste Ansteuerschicht sich auf gegenüberliegenden Seiten des ersten Verdrahtungsabschnitts der ersten Steuerschicht befinden.
  • Klausel 25
  • Leistungsmodul nach Klausel 23, bei dem
    die erste Ansteuerschicht den ersten Umleitungsabschnitt aufweist, und
    der erste Umleitungsabschnitt und die erste Montageschicht sich auf gegenüberliegenden Seiten der ersten Steuerschicht befindet.
  • Klausel 26
  • Leistungsmodul nach einer der Klauseln 17 bis 25, bei dem das erste steuerseitige Verbindungsglied und das erste ansteuerseitige Verbindungsglied nicht am ersten Umleitungsabschnitt verbunden sind.
  • Klausel 27
  • Leistungsmodul nach einer der Klauseln 17 bis 26, bei dem
    der erste Steueranschluss und die erste Steuerschicht durch ein erstes steueranschlussseitiges Verbindungsglied elektrisch verbunden sind, und
    der erste Erfassungsanschluss und die erste Ansteuerschicht durch ein erstes erfassungsanschlussseitiges Verbindungsglied elektrisch verbunden sind.
  • Klausel 28
  • Leistungsmodul nach Klausel 27, bei dem
    die erste Steuerschicht den ersten Umleitungsabschnitt und einen ersten Verbindungsabschnitt aufweist, der an einem distalen Ende des ersten Umleitungsabschnitts ausgebildet ist, und
    der erste Verbindungsabschnitt mit dem ersten steueranschlussseitigen Verbindungsglied verbunden ist.
  • Klausel 29
  • Leistungsmodul nach Klausel 27, bei dem
    die erste Ansteuerschicht den ersten Umleitungsabschnitt und einen zweiten Verbindungsabschnitt aufweist, der an einem distalen Ende des ersten Umleitungsabschnitts ausgebildet ist, und
    der zweite Verbindungsabschnitt mit dem ersten erfassungsanschlussseitigen Verbindungsglied verbunden ist.
  • Klausel 30
  • Leistungsmodul nach einer der Klauseln 17 bis 29, bei dem
    das Substrat ein erstes Substrat und ein zweites Substrat aufweist,
    die erste Steuerschicht, die zweite Steuerschicht, die erste Ansteuerschicht, die zweite Ansteuerschicht, die erste Montageschicht, die zweite Montageschicht und die leitende Schicht auf der Substrat-Hauptoberfläche sowohl des ersten Substrats als auch des zweiten Substrats angeordnet sind,
    die ersten Leistungshalbleiterelemente in der einen Richtung voneinander getrennt sind und auf der ersten Montageschicht des ersten Substrats und der ersten Montageschicht des zweiten Substrats angeordnet sind,
    die zweiten Leistungshalbleiterelemente in der einen Richtung voneinander getrennt sind und auf der zweiten Montageschicht des ersten Substrats und der zweiten Montageschicht des zweiten Substrats angeordnet sind,
    das erste Substrat und das zweite Substrat in der einen Richtung getrennt sind,
    die erste Montageschicht des ersten Substrats und die erste Montageschicht des zweiten Substrats durch ein erstes Montageschicht-Verbindungsglied elektrisch verbunden sind,
    die erste Steuerschicht des ersten Substrats und die erste Steuerschicht des zweiten Substrats durch ein erstes Steuerschicht-Verbindungsglied elektrisch verbunden sind,
    die erste Ansteuerschicht des ersten Substrats und die erste Ansteuerschicht des zweiten Substrats durch ein erstes Ansteuerschicht-Verbindungsglied elektrisch verbunden sind,
    eine von der ersten Steuerschicht und der ersten Antriebsschicht des ersten Substrats den ersten Umleitungsabschnitt enthält, und
    die andere von der ersten Steuerschicht und der ersten Antriebsschicht des zweiten Substrats den ersten Umleitungsabschnitt enthält.
  • Klausel 31
  • Leistungsmodul nach Klausel 30, bei dem, wenn die eine Richtung als eine erste Richtung bezeichnet wird und eine Richtung, die die erste Richtung aus der Dickenrichtung gesehen schneidet, als eine zweite Richtung bezeichnet wird, sowohl der erste Steueranschluss als auch der erste Erfassungsanschluss so angeordnet sind, dass sie das zweite Substrat aus der zweiten Richtung gesehen überlappen.
  • Klausel 32
  • Leistungsmodul nach Klausel 31, bei dem
    in jedem des ersten Substrats und des zweiten Substrats die erste Ansteuerschicht neben der ersten Montageschicht in der zweiten Richtung angeordnet ist und die erste Steuerschicht und die erste Montageschicht auf gegenüberliegenden Seiten der ersten Ansteuerschicht angeordnet sind,
    die erste Steuerschicht des ersten Substrats den ersten Umleitungsabschnitt aufweist,
    die erste Ansteuerschicht des zweiten Substrats den ersten Umleitungsabschnitt aufweist,
    der erste Umleitungsabschnitt der ersten Steuerschicht des ersten Substrats kürzer ist als der erste Umleitungsabschnitt der ersten Ansteuerschicht des zweiten Substrats, und
    das erste steuerseitige Verbindungsglied länger ist als das erste ansteuerseitiges Verbindungsglied.
  • Klausel 33
  • Leistungsmodul nach Klausel 17, bei dem
    das zweite Leistungshalbleiterelement eines von mehreren zweiten Leistungshalbleiterelementen ist, die auf der zweiten Montageschicht in der einen Richtung aus der Dickenrichtung gesehen angeordnet sind,
    das zweite steuerseitige Verbindungsglied eines von mehreren zweiten steuerseitigen Verbindungsgliedern ist, die je einem der zweiten Leistungshalbleiterelemente entsprechen,
    das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied eines von mehreren zweiten ansteuerseitigen Verbindungsgliedern ist, die je einem der zweiten Leistungshalbleiterelemente entsprechen,
    ein dritter leitender Pfad ein Pfad zwischen der Steuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements und dem zweiten Steueranschluss ist,
    ein vierter leitender Pfad ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements und dem zweiten Erfassungsanschluss ist, und
    die zweite Steuerschicht und/oder die zweite Ansteuerschicht einen zweiten Umleitungsabschnitt aufweist, der eine Umleitung einrichtet, um eine Differenz zwischen den zweiten Leistungshalbleiterelementen hinsichtlich einer Summe einer Länge des dritten leitenden Pfads und einer Länge des vierten leitenden Pfads zu verringern.
  • Klausel 34
  • Leistungsmodul nach Klausel 18, bei dem
    die zweiten Leistungshalbleiterelemente ein erstes End-Leistungshalbleiterelement und ein zweites End-Leistungshalbleiterelement aufweisen, die sich an gegenüberliegenden Enden in einer Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente befinden,
    ein dritter endsteuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der Steuerelektrode des ersten End-Leistungshalbleiterelements der zweiten Leistungshalbleiterelemente und dem zweiten Steueranschluss ist,
    ein dritter endansteuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des ersten End-Leistungshalbleiterelements der zweiten Leistungshalbleiterelemente und dem zweiten Erfassungsanschluss,
    eine dritte Summe die Summe der Länge des dritten endsteuerseitigen leitenden Pfads und einer Länge des dritten endansteuerseitigen leitenden Pfads ist,
    ein vierter endsteuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der Steuerelektrode des zweiten End-Leistungshalbleiterelements der zweiten Leistungshalbleiterelemente und dem zweiten Steueranschluss ist,
    ein vierter endansteuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des zweiten End-Leistungshalbleiterelements der zweiten Leistungshalbleiterelemente und dem zweiten Erfassungsanschluss,
    eine vierte Summe die Summe einer Länge des vierten endsteuerseitigen leitenden Pfads und einer Länge des vierten endansteuerseitigen leitenden Pfads ist,
    die zweite Steuerschicht und/oder die zweite Ansteuerschicht einen zweiten Umleitungsabschnitt aufweist, der die leitenden Pfade umleitet, um eine Differenz zwischen der dritten Summe und der vierten Summe zu verringern.
  • Klausel 35
  • Leistungsmodul nach Klausel 33 oder 34, bei dem, wenn eine Richtung als erste Richtung bezeichnet wird und eine Richtung, die die erste Richtung aus Dickenrichtung gesehen schneidet, als zweite Richtung bezeichnet wird,
    sowohl die zweite Steuerschicht als auch die zweite Ansteuerschicht einen zweiten Verdrahtungsabschnitt aufweisen, der sich in der ersten Richtung erstreckt, und
    der zweite Umleitungsabschnitt von dem zweiten Verdrahtungsabschnitt in der zweiten Richtung getrennt ist und sich in der ersten Richtung erstreckt.
  • Klausel 36
  • Leistungsmodul nach Klausel 35, bei dem
    die zweite Steuerschicht und/oder die zweite Ansteuerschicht einen zweiten Zusammenfügeabschnitt aufweist, der den zweiten Umleitungsabschnitt und den zweiten Verdrahtungsabschnitt verbindet, und
    der zweite Verdrahtungsabschnitt, der zweite Umleitungsabschnitt und der zweite Zusammenfügeabschnitt einstückig als ein einteiliges Element ausgebildet sind.
  • Klausel 37
  • Leistungsmodul nach Klausel 35, bei dem
    die zweite Steuerschicht und/oder die zweite Ansteuerschicht einen zweiten Zusammenfügeabschnitt aufweist, der den zweiten Umleitungsabschnitt und den zweiten Verdrahtungsabschnitt verbindet, und
    der zweite Zusammenfügeabschnitt ein Draht ist.
  • Klausel 38
  • Leistungsmodul nach einer der Klauseln 33 bis 37, bei dem, wenn die eine Richtung als erste Richtung bezeichnet wird und eine Richtung, die die erste Richtung aus Dickenrichtung gesehen schneidet, als zweite Richtung bezeichnet wird,
    die zweite Ansteuerschicht in der zweiten Richtung neben der leitenden Schicht angeordnet ist, und
    die zweite Steuerschicht und die leitende Schicht sich auf gegenüberliegenden Seiten der zweiten Ansteuerschicht befinden.
  • Klausel 39
  • Leistungsmodul nach Klausel 38, bei dem
    die zweite Steuerschicht den zweiten Umleitungsabschnitt aufweist, und
    der zweite Umleitungsabschnitt und die zweite Ansteuerschicht sich auf gegenüberliegenden Seiten des zweiten Verdrahtungsabschnitts der zweiten Steuerschicht befinden.
  • Klausel 40
  • Leistungsmodul nach Klausel 39, bei dem
    die zweite Ansteuerschicht den zweiten Umleitungsabschnitt aufweist, und
    der zweite Umleitungsabschnitt und die leitende Schicht sich auf gegenüberliegenden Seiten der zweiten Steuerschicht befinden.
  • Klausel 41
  • Leistungsmodul nach einer der Klauseln 33 bis 40, bei dem das zweite steuerseitige Verbindungsglied und das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied nicht am zweiten Umleitungsabschnitt verbunden sind.
  • Klausel 42
  • Leistungsmodul nach einer der Klauseln 33 bis 41, bei dem
    der zweite Steueranschluss und die zweite Steuerschicht durch ein zweites steueranschlussseitiges Verbindungsglied elektrisch verbunden sind, und
    der zweite Erfassungsanschluss und die zweite Ansteuerschicht durch ein zweites erfassungsanschlussseitiges Verbindungsglied elektrisch verbunden sind.
  • Klausel 43
  • Leistungsmodul nach Klausel 42, bei dem
    die zweite Steuerschicht den zweiten Umleitungsabschnitt und einen dritten Verbindungsabschnitt aufweist, der an einem distalen Ende des zweiten Umleitungsabschnitts ausgebildet ist, und
    der dritte Verbindungsabschnitt mit dem zweiten steueranschlussseitigen Verbindungsglied verbunden ist.
  • Klausel 44
  • Leistungsmodul nach Klausel 42 oder 43, bei dem
    die zweite Ansteuerschicht den zweiten Umleitungsabschnitt und einen vierten Verbindungsabschnitt aufweist, der an einem distalen Ende des zweiten Umleitungsabschnitts ausgebildet ist, und
    der vierte Verbindungsabschnitt mit dem zweiten erfassungsanschlussseitigen Verbindungsglied verbunden ist.
  • Klausel 45
  • Leistungsmodul nach einer der Klauseln 33 bis 44, bei dem
    das Substrat ein erstes Substrat und ein zweites Substrat aufweist,
    die erste Steuerschicht, die zweite Steuerschicht, die erste Ansteuerschicht, die zweite Ansteuerschicht, die erste Montageschicht, die zweite Montageschicht und die leitende Schicht auf der Substrat-Hauptoberfläche sowohl des ersten Substrats als auch des zweiten Substrats angeordnet sind,
    die ersten Leistungshalbleiterelemente in der einen Richtung voneinander getrennt sind und auf der ersten Montageschicht des ersten Substrats und der ersten Montageschicht des zweiten Substrats angeordnet sind,
    die zweiten Leistungshalbleiterelemente in der einen Richtung voneinander getrennt sind und auf der zweiten Montageschicht des ersten Substrats und der zweiten Montageschicht des zweiten Substrats angeordnet sind,
    das erste Substrat und das zweite Substrat in der einen Richtung getrennt sind,
    die zweite Montageschicht des ersten Substrats und die zweite Montageschicht des zweiten Substrats durch ein zweites Montageschicht-Verbindungsglied elektrisch verbunden sind,
    die zweite Steuerschicht des ersten Substrats und die zweite Steuerschicht des zweiten Substrats durch ein zweites Steuerschicht-Verbindungsglied elektrisch verbunden sind,
    die zweite Ansteuerschicht des ersten Substrats und die zweite Ansteuerschicht des zweiten Substrats durch ein zweites Ansteuerschicht-Verbindungsglied elektrisch verbunden sind,
    eine Schicht der zweiten Steuerschicht oder ersten Ansteuerschicht des ersten Substrats den zweiten Umleitungsabschnitt aufweist, und
    die jeweils andere Schicht der zweiten Steuerschicht oder zweiten Ansteuerschicht des zweiten Substrats, den zweiten Umleitungsabschnitt aufweist.
  • Klausel 46
  • Leistungsmodul nach Klausel 45, bei dem, wenn die eine Richtung als eine erste Richtung bezeichnet wird und eine Richtung, die die erste Richtung aus der Dickenrichtung gesehen schneidet, als eine zweite Richtung bezeichnet wird, sowohl der erste Steueranschluss als auch der erste Erfassungsanschluss so angeordnet sind, dass sie das zweite Substrat aus der zweiten Richtung gesehen überlappen.
  • Klausel 47
  • Leistungsmodul nach einer der Klauseln 17 bis 46, ferner aufweisend:
    • ein erstes Elementverbindungsglied, das die zweite Steuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements mit der zweiten Montageschicht verbindet; und
    • ein zweites Elementverbindungsglied, das die zweite Steuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements mit der leitenden Schicht verbindet.
  • Klausel 48
  • Leistungsmodul nach einer der Klauseln 17 bis 47, bei dem
    sowohl das erste Leistungshalbleiterelement als auch das zweite Leistungshalbleiterelement ein SiC-MOSFET ist,
    die erste Ansteuerelektrode ist eine Drain-Elektrode,
    die zweite Ansteuerelektrode eine Source-Elektrode ist, und die Steuerelektrode eine Gate-Elektrode ist.
  • Klausel 49
  • Ein Leistungsmodul, aufweisend:
    • ein elektrisch isolierendes Substrat mit einer Substrat-Hauptoberfläche und einer Substrat-Rückseite, die in einer Dickenrichtung in entgegengesetzte Richtungen weisen;
    • eine erste Steuerschicht, eine zweite Steuerschicht, eine erste Ansteuerschicht, eine zweite Ansteuerschicht, eine erste Montageschicht, eine zweite Montageschicht und eine leitende Schicht, die auf der Substrat-Hauptoberfläche ausgebildet sind und elektrisch leitend sind;
    • ein erstes Leistungshalbleiterelement, das auf der ersten Montageschicht angebracht ist und eine erste Elementrückseite und eine erste Elementhauptoberfläche aufweist, wobei das erste Leistungshalbleiterelement eine erste Ansteuerelektrode, die auf der ersten Elementrückseite ausgebildet und elektrisch mit einem ersten Eingangsanschluss verbunden ist, eine zweite Ansteuerelektrode und eine Steuerelektrode, die auf der ersten Elementhauptoberfläche ausgebildet sind, aufweist, wobei die zweite Ansteuerelektrode elektrisch mit einem Ausgangsanschluss verbunden ist;
    • ein zweites Leistungshalbleiterelement, das auf der zweiten Montageschicht angebracht ist und eine zweite Elementrückseite und eine zweite Elementhauptoberfläche aufweist, wobei das zweite Leistungshalbleiterelement eine erste Ansteuerelektrode, die auf der zweiten Elementrückseite ausgebildet und elektrisch mit dem Ausgangsanschluss verbunden ist, eine zweite Ansteuerelektrode und eine Steuerelektrode, die auf der zweiten Elementhauptoberfläche ausgebildet sind, aufweist, wobei die zweite Ansteuerelektrode elektrisch mit einem zweiten Eingangsanschluss verbunden ist;
    • ein erstes steuerseitiges Verbindungsglied, das die Steuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements mit der ersten Steuerschicht verbindet;
    • ein erstes ansteuerseitiges Verbindungsglied, das die zweite Ansteuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements mit der ersten Ansteuerschicht verbindet;
    • ein zweites steuerseitiges Verbindungsglied, das die Steuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements mit der zweiten Steuerschicht verbindet;
    • ein zweites ansteuerseitiges Verbindungsglied, das die zweite Ansteuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements mit der zweiten Ansteuerschicht verbindet;
    • einen ersten Steueranschluss, der elektrisch mit der ersten Steuerschicht verbunden ist,
    • einen zweiten Steueranschluss, der elektrisch mit der zweiten Steuerschicht verbunden ist,
    • einen ersten Erfassungsanschluss, der elektrisch mit der ersten Ansteuerschicht verbunden ist, und
    • einen zweiten Erfassungsanschluss, der elektrisch mit der zweiten Ansteuerschicht verbunden ist, wobei
    • das zweite Leistungshalbleiterelement mehrere zweite Leistungshalbleiterelemente aufweist, die auf der zweiten Montageschicht in der einen Richtung aus der Dickenrichtung gesehen angeordnet sind,
    • das zweite steuerseitige Verbindungsglied und das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied mehrere zweite steuerseitige Verbindungsglieder und mehrere zweite ansteuerseitige Verbindungsglieder aufweisen, die den mehreren zweiten Leistungshalbleiterelementen entsprechen,
    • ein dritter leitender Pfad ein Pfad zwischen der Steuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements und dem zweiten Steueranschluss ist,
    • ein vierter leitender Pfad ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements und dem zweiten Erfassungsanschluss ist, und
    • die zweite Steuerschicht und/oder die zweite Ansteuerschicht einen zweiten Umleitungsabschnitt aufweist, der eine Umleitung einrichtet, um eine Differenz zwischen den zweiten Leistungshalbleiterelementen hinsichtlich einer Summe einer Länge des dritten leitenden Pfads und einer Länge des vierten leitenden Pfads zu verringern.
  • Die Spannung zwischen dem zweiten Steueranschluss und dem zweiten Erfassungsanschluss wird als Steuerspannung an die Steuerelektrode jedes zweiten Leistungshalbleiterelements angelegt. Der Zeitpunkt, zu dem die Steuerspannung an die Steuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements angelegt wird, wird in Abhängigkeit von der Summe des Induktivitätswerts zwischen der Steuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements und dem zweiten Steueranschluss und des Induktivitätswerts zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements und dem zweiten Erfassungsanschluss bestimmt. Der Induktivitätswert zwischen der Steuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements und dem zweiten Steueranschluss wird hauptsächlich durch die Länge des dritten leitenden Pfads bestimmt. Der Induktivitätswert zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements und dem zweiten Erfassungsanschluss wird hauptsächlich durch die Länge des vierten leitenden Pfads bestimmt. Wenn also die Differenz zwischen den zweiten Leistungshalbleiterelementen hinsichtlich der Summe der Länge des dritten leitenden Pfads und der Länge des vierten leitenden Pfads verringert wird, werden die Schwankungen in der Summe der Induktivitätswerte zwischen den zweiten Leistungshalbleiterelementen verringert.
  • In diesem Zusammenhang ist das vorliegende Leistungsmodul so gestaltet, dass der zweite Umleitungsabschnitt die Differenz zwischen den zweiten Leistungshalbleiterelementen hinsichtlich der Summe der Länge des dritten leitenden Pfads und der Länge des vierten leitenden Pfads verringert. Infolgedessen wird die Differenz zwischen den zweiten Leistungshalbleiterelementen hinsichtlich der Summe der Länge des dritten leitenden Pfads und der Länge des vierten leitenden Pfads reduziert, wodurch eine Schwankung in der Summe der Induktivitätswerte zwischen den zweiten Leistungshalbleiterelementen verringert wird. Dementsprechend werden die zeitlichen Schwankungen bei der Aktivierung und Deaktivierung der zweiten Leistungshalbleiterelemente reduziert. Somit wird ein stabiler Betrieb des Leistungsmoduls gewährleistet.
  • Klausel 50
  • Leistungsmodul, aufweisend:
    • ein elektrisch isolierendes Substrat mit einer Substrat-Hauptoberfläche und einer Substrat-Rückseite, die in einer Dickenrichtung in entgegengesetzte Richtungen weisen;
    • eine erste Steuerschicht, eine zweite Steuerschicht, eine erste Ansteuerschicht, eine zweite Ansteuerschicht, eine erste Montageschicht, eine zweite Montageschicht und eine leitende Schicht, die auf der Substrat-Hauptoberfläche ausgebildet sind und elektrisch leitend sind;
    • erste Leistungshalbleiterelemente, die auf der ersten Montageschicht angebracht und in einer Richtung aus der Dickenrichtung gesehen angeordnet sind, wobei jedes der ersten Leistungshalbleiterelemente eine erste Elementrückseite und eine erste Elementhauptoberfläche aufweist, wobei das erste Leistungshalbleiterelement eine erste Ansteuerelektrode, die auf der ersten Elementrückseite ausgebildet und elektrisch mit einem ersten Eingangsanschluss verbunden ist, eine zweite Ansteuerelektrode und eine Steuerelektrode, die auf der ersten Elementhauptoberfläche ausgebildet sind, aufweist, wobei die zweite Ansteuerelektrode elektrisch mit einem Ausgangsanschluss verbunden ist;
    • zweite Leistungshalbleiterelemente, die auf der zweiten Montageschicht angebracht und in der einen Richtung angeordnet sind, wobei jedes der zweiten Leistungshalbleiterelemente eine zweite Elementrückseite und eine zweite Elementhauptoberfläche aufweist, wobei das zweite Leistungshalbleiterelement eine erste Ansteuerelektrode, die auf der zweiten Elementrückseite ausgebildet und elektrisch mit dem Ausgangsanschluss verbunden ist, eine zweite Ansteuerelektrode und eine Steuerelektrode, die auf der zweiten Elementhauptfläche ausgebildet sind, aufweist, wobei die zweite Ansteuerelektrode elektrisch mit einem zweiten Eingangsanschluss verbunden ist;
    • erste steuerseitige Verbindungsglieder, die in der gleichen Richtung wie eine Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente angeordnet sind, um die Steuerelektroden der ersten Leistungshalbleiterelemente mit der ersten Steuerschicht zu verbinden;
    • erste ansteuerseitige Verbindungsglieder, die in der gleichen Richtung wie die Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente angeordnet sind, um die zweiten Ansteuerelektrode der ersten Leistungshalbleiterelemente mit der ersten Ansteuerschicht zu verbinden;
    • zweite steuerseitige Verbindungsglieder, die in der gleichen Richtung wie eine Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente angeordnet sind, um die Steuerelektroden der zweiten Leistungshalbleiterelemente mit der zweiten Steuerschicht zu verbinden;
    • zweite ansteuerseitige Verbindungsglieder, die in der gleichen Richtung wie die Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente angeordnet sind, um die zweiten Ansteuerelektrode der zweiten Leistungshalbleiterelemente mit der zweiten Ansteuerschicht zu verbinden;
    • einen ersten Steueranschluss, der elektrisch mit der ersten Steuerschicht verbunden ist,
    • einen zweiten Steueranschluss, der elektrisch mit der zweiten Steuerschicht verbunden ist,
    • einen ersten Erfassungsanschluss, der elektrisch mit der ersten Ansteuerschicht verbunden ist, und
    • einen zweiten Erfassungsanschluss, der elektrisch mit der zweiten Ansteuerschicht verbunden ist, wobei
    • die zweiten Leistungshalbleiterelemente ein erstes End-Leistungshalbleiterelement und ein zweites End-Leistungshalbleiterelement aufweisen, die sich an gegenüberliegenden Enden in einer Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente befinden,
    • ein dritter endsteuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der Steuerelektrode des ersten End-Leistungshalbleiterelement und dem zweiten Steueranschluss ist,
    • ein dritter endansteuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des ersten End-Leistungshalbleiterelement und dem zweiten Erfassungsanschluss ist,
    • eine dritte Summe die Summe der Länge des dritten endsteuerseitigen leitenden Pfads und einer Länge des dritten endansteuerseitigen leitenden Pfads ist,
    • ein vierter endsteuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der Steuerelektrode des zweiten End-Leistungshalbleiterelement und dem zweiten Steueranschluss ist,
    • ein vierter endansteuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des zweiten End-Leistungshalbleiterelement und dem zweiten Erfassungsanschluss ist,
    • eine vierte Summe die Summe einer Länge des vierten endsteuerseitigen leitenden Pfads und einer Länge des vierten endansteuerseitigen leitenden Pfads ist,
    • die zweite Steuerschicht und/oder die zweite Ansteuerschicht einen zweiten Umleitungsabschnitt aufweist, der die leitenden Pfade umleitet, um eine Differenz zwischen der dritten Summe und der vierten Summe zu verringern.
  • Die Spannung zwischen dem zweiten Steueranschluss und dem zweiten Erfassungsanschluss wird als Steuerspannung an die Steuerelektrode jedes zweiten Leistungshalbleiterelements angelegt. Der Zeitpunkt, zu dem die Steuerspannung an die Steuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements angelegt wird, wird in Abhängigkeit von der Summe des Induktivitätswerts zwischen der Steuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements und dem zweiten Steueranschluss und des Induktivitätswerts zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements und dem zweiten Erfassungsanschluss bestimmt. Der Induktivitätswert zwischen der Steuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements und dem zweiten Steueranschluss wird hauptsächlich durch die Länge des leitenden Pfads zwischen der Steuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements und dem zweiten Steueranschluss bestimmt. Der Induktivitätswert zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements und dem zweiten Erfassungsanschluss wird hauptsächlich durch die Länge des leitenden Pfads zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements und dem zweiten Erfassungsanschluss bestimmt. Eine Verringerung der Differenz zwischen den zweiten Leistungshalbleiterelementen hinsichtlich der Summe der Länge des leitenden Pfads, der sich von der Steuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements zum zweiten Steueranschluss erstreckt, und der Länge des leitenden Pfads, der sich von der zweiten Ansteuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements zum zweiten Erfassungsanschluss erstreckt, wird daher Schwankungen in der Summe der Induktivitätswerte zwischen den zweiten Leistungshalbleiterelementen verringern.
  • Der Längenunterschied zwischen dem leitenden Pfad, der sich von der zweiten Steuerelektrode zu dem zweiten Steueranschluss erstreckt, und dem leitenden Pfad, der sich von der zweiten Ansteuerelektrode zu dem zweiten Erfassungsanschluss erstreckt, wird als der größte zwischen den zweiten Leistungshalbleiterelementen (dem ersten End-Leistungshalbleiterelement und dem zweiten End-Leistungshalbleiterelement) angesehen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente befinden.
  • In diesem Zusammenhang ist das vorliegende Leistungsmodul so gestaltet, dass die Differenz zwischen der dritten Summe und der vierten Summe durch den zweiten Umleitungsabschnitt verringert wird. Die dritte Summe ist die Summe der Länge des dritten endsteuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des dritten endansteuerseitigen leitenden Pfads des ersten End-Leistungshalbleiterelements. Die vierte Summe ist die Summe der Länge des vierten endsteuerseitigen leitenden Pfads und der Länge des vierten endansteuerseitigen leitenden Pfads des zweiten End-Leistungshalbleiterelements. Dadurch verringert sich die Differenz zwischen der Summe des Induktivitätswerts im dritten endsteuerseitigen leitenden Pfad und dem Induktivitätswert im dritten endansteuerseitigen leitenden Pfad und der Summe des Induktivitätswerts im vierten endsteuerseitigen leitenden Pfad und dem Induktivitätswert im vierten endansteuerseitigen leitenden Pfad. Dementsprechend werden zeitliche Schwankungen bei der Aktivierung und Deaktivierung des ersten End-Leistungshalbleiterelements und des zweiten End-Leistungshalbleiterelements, die unter den zweiten Leistungshalbleiterelementen den größten Unterschied im Induktivitätswert aufweisen, reduziert. Somit wird ein stabiler Betrieb des Leistungsmoduls gewährleistet.
  • Klausel 51
  • Leistungsmodul nach Klausel 49 oder 50, bei dem, wenn eine Richtung als erste Richtung bezeichnet wird und eine Richtung, die die erste Richtung aus Dickenrichtung gesehen schneidet, als zweite Richtung bezeichnet wird,
    sowohl die zweite Steuerschicht als auch die zweite Ansteuerschicht einen zweiten Verdrahtungsabschnitt aufweisen, der sich in der ersten Richtung erstreckt, und
    der zweite Umleitungsabschnitt von dem zweiten Verdrahtungsabschnitt in der zweiten Richtung getrennt ist und sich in der ersten Richtung erstreckt.
  • Klausel 52
  • Leistungsmodul nach Klausel 51, bei dem
    die zweite Steuerschicht und/oder die zweite Ansteuerschicht einen zweiten Zusammenfügeabschnitt aufweist, der den zweiten Umleitungsabschnitt und den zweiten Verdrahtungsabschnitt verbindet, und
    der zweite Verdrahtungsabschnitt, der zweite Umleitungsabschnitt und der zweite Zusammenfügeabschnitt einstückig als ein einteiliges Element ausgebildet sind.
  • Klausel 53
  • Leistungsmodul nach Klausel 51, bei dem
    die zweite Steuerschicht und/oder die zweite Ansteuerschicht einen zweiten Zusammenfügeabschnitt aufweist, der den zweiten Umleitungsabschnitt und den zweiten Verdrahtungsabschnitt verbindet, und
    der zweite Zusammenfügeabschnitt ein Draht ist.
  • Klausel 54
  • Leistungsmodul nach einer der Klauseln 49 bis 53, bei dem, wenn eine Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente aus Dickenrichtung gesehen als eine erste Richtung und eine die erste Richtung schneidende Richtung als eine zweite Richtung bezeichnet wird,
    die zweite Ansteuerschicht in der zweiten Richtung neben der leitenden Schicht angeordnet ist, und
    die zweite Steuerschicht und die leitende Schicht sich auf gegenüberliegenden Seiten der zweiten Ansteuerschicht befinden.
  • Klausel 55
  • Leistungsmodul nach Klausel 54, bei dem
    die zweite Steuerschicht den zweiten Umleitungsabschnitt aufweist, und
    der zweite Umleitungsabschnitt und die zweite Ansteuerschicht sich auf gegenüberliegenden Seiten des zweiten Verdrahtungsabschnitts der zweiten Steuerschicht in der zweiten Richtung befinden.
  • Klausel 56
  • Leistungsmodul nach Klausel 55, bei dem
    die zweite Ansteuerschicht den zweiten Umleitungsabschnitt aufweist, und
    der zweite Umleitungsabschnitt und die leitende Schicht sich auf gegenüberliegenden Seiten der zweiten Steuerschicht in der zweiten Richtung befinden.
  • Klausel 57
  • Leistungsmodul nach einer der Klauseln 49 bis 56, bei dem das zweite steuerseitige Verbindungsglied und das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied nicht am zweiten Umleitungsabschnitt verbunden sind.
  • Klausel 58
  • Leistungsmodul nach einer der Klauseln 49 bis 57, bei dem
    der zweite Steueranschluss und die zweite Steuerschicht durch ein zweites steueranschlussseitiges Verbindungsglied elektrisch verbunden sind, und
    der zweite Erfassungsanschluss und die zweite Ansteuerschicht durch ein zweites erfassungsanschlussseitiges Verbindungsglied elektrisch verbunden sind.
  • Klausel 59
  • Leistungsmodul nach Klausel 58, bei dem
    die zweite Steuerschicht den zweiten Umleitungsabschnitt und einen dritten Verbindungsabschnitt aufweist, der an einem distalen Ende des zweiten Umleitungsabschnitts ausgebildet ist, und
    der dritte Verbindungsabschnitt mit dem zweiten steueranschlussseitigen Verbindungsglied verbunden ist.
  • Klausel 60
  • Leistungsmodul nach Klausel 59, bei dem
    die zweite Ansteuerschicht den zweiten Umleitungsabschnitt und einen vierten Verbindungsabschnitt aufweist, der an einem distalen Ende des zweiten Umleitungsabschnitts ausgebildet ist, und
    der vierte Verbindungsabschnitt mit dem zweiten erfassungsanschlussseitigen Verbindungsglied verbunden ist.
  • Klausel 61
  • Leistungsmodul nach einer der Klauseln 49 bis 60, bei dem
    das Substrat ein erstes Substrat und ein zweites Substrat aufweist,
    die erste Steuerschicht, die zweite Steuerschicht, die erste Ansteuerschicht, die zweite Ansteuerschicht, die erste Montageschicht, die zweite Montageschicht und die leitende Schicht auf der Substrat-Hauptoberfläche sowohl des ersten Substrats als auch des zweiten Substrats angeordnet sind,
    die ersten Leistungshalbleiterelemente in der einen Richtung voneinander getrennt sind und auf der ersten Montageschicht des ersten Substrats und der ersten Montageschicht des zweiten Substrats angeordnet sind,
    die zweiten Leistungshalbleiterelemente in der einen Richtung voneinander getrennt sind und auf der zweiten Montageschicht des ersten Substrats und der zweiten Montageschicht des zweiten Substrats angeordnet sind,
    das erste Substrat und das zweite Substrat in der einen Richtung getrennt sind,
    in der einen Richtung die zweite Montageschicht des ersten Substrats und die zweite Montageschicht des zweiten Substrats durch ein zweites Montageschicht-Verbindungsglied elektrisch verbunden sind,
    die zweite Steuerschicht des ersten Substrats und die zweite Steuerschicht des zweiten Substrats durch ein zweites Steuerschicht-Verbindungsglied elektrisch verbunden sind,
    die zweite Ansteuerschicht des ersten Substrats und die zweite Ansteuerschicht des zweiten Substrats durch ein zweites Ansteuerschicht-Verbindungsglied elektrisch verbunden sind,
    eine Schicht der zweiten Steuerschicht oder ersten Ansteuerschicht des ersten Substrats den zweiten Umleitungsabschnitt aufweist, und
    die jeweils andere Schicht der zweiten Steuerschicht oder zweiten Ansteuerschicht des zweiten Substrats, den zweiten Umleitungsabschnitt aufweist.
  • Klausel 62
  • Leistungsmodul nach Klausel 61, bei dem sowohl der zweite Steueranschluss als auch der zweite Erfassungsanschluss so angeordnet sind, dass sie das erste Substrat in der ersten Richtung gesehen überlappen.
  • Klausel 63
  • Das Leistungsmodul nach einer der Klauseln 49 bis 62, bei dem das zweite Leistungshalbleiterelement einen SiC-MOSFET enthält.
  • Bezugszeichenliste
  • 1A, 1B)
    Leistungsmodul
    10)
    Substrat
    11)
    erstes Substrat (Substrat)
    11s)
    erste Substrat-Hauptoberfläche (Substrat-Hauptoberfläche)
    11r)
    erste Substrat-Rückseite (Substrat-Rückseite)
    12)
    zweites Substrat (Substrat)
    12s)
    zweite Substrat-Hauptoberfläche (Substrat-Hauptoberfläche)
    12r)
    zweite Substrat-Rückseite (Substrat-Rückseite)
    13A, 13B)
    erste Montageschicht (Montageschicht)
    14A, 14B)
    zweite Montageschicht (Montageschicht)
    15A, 15B)
    leitende Schicht
    21, 22)
    erste Steuerschicht (Steuerschicht)
    21a)
    erster steuerseitiger Verdrahtungsabschnitt (erster Verdrahtungsabschnitt, Verdrahtungsabschnitt)
    21b)
    erster steuerseitiger Umleitungsabschnitt (erster Umleitungsabschnitt, Umleitungsabschnitt)
    21c)
    erster steuerseitiger Zusammenfügeabschnitt (erster Zusammenfügeabschnitt, Zusammenfügeabschnitt)
    21d)
    erster steuerseitiger Verbinder (erster Verbinder)
    22a)
    erster steuerseitiger Verdrahtungsabschnitt (erster Verdrahtungsabschnitt, Verdrahtungsabschnitt)
    22b)
    erster steuerseitiger Umleitungsabschnitt (erster Umleitungsabschnitt, Umleitungsabschnitt)
    22c)
    erster steuerseitiger Zusammenfügeabschnitt (erster Zusammenfügeabschnitt, Zusammenfügeabschnitt)
    22d)
    erster steuerseitiger Verbinder (erster Verbinder)
    23, 24)
    erste Ansteuerschicht (Ansteuerschicht)
    23a)
    erster ansteuerseitiger Verdrahtungsabschnitt (erster Verdrahtungsabschnitt, Verdrahtungsabschnitt)
    23b)
    erster steuerseitiger Umleitungsabschnitt (erster Umleitungsabschnitt, Umleitungsabschnitt)
    23c)
    erster steuerseitiger Zusammenfügeabschnitt (erster Zusammenfügeabschnitt, Zusammenfügeabschnitt)
    23d)
    erster ansteuerseitiger Verbinder (zweiter Verbinder)
    24a)
    erster ansteuerseitiger Verdrahtungsabschnitt (erster Verdrahtungsabschnitt, Verdrahtungsteil)
    24b)
    erster ansteuerseitiger Umleitungsabschnitt (erster Umleitungsabschnitt, Umleitungsabschnitt)
    24c)
    erster ansteuerseitiger Zusammenfügeabschnitt (erster Zusammenfügeabschnitt, Zusammenfügeabschnitt)
    24d)
    erster ansteuerseitiger Verbinder (zweiter Verbinder)
    25, 26)
    zweite Steuerschicht (Steuerschicht)
    25a)
    zweiter steuerseitiger Verdrahtungsabschnitt (zweiter Verdrahtungsabschnitt, Verdrahtungsabschnitt)
    25b)
    zweiter steuerseitiger Umleitungsabschnitt (zweiter Umleitungsabschnitt, Umleitungsabschnitt)
    25c)
    zweiter steuerseitiger Zusammenfügeabschnitt (zweiter Zusammenfügeabschnitt, Zusammenfügeabschnitt)
    25d)
    zweiter steuerseitiger Verbinder (dritter Verbinder)
    26a)
    zweiter steuerseitiger Verdrahtungsabschnitt (zweiter Verdrahtungsabschnitt, Verdrahtungsabschnitt)
    26b)
    zweiter steuerseitiger Umleitungsabschnitt (zweiter Umleitungsabschnitt, Umleitungsabschnitt)
    26c)
    zweiter steuerseitiger Zusammenfügeabschnitt (zweiter Zusammenfügeabschnitt, Zusammenfügeabschnitt)
    26d)
    zweiter steuerseitiger Verbinder (dritter Verbinder)
    27, 28)
    zweite Ansteuerschicht (Ansteuerschicht)
    27a)
    zweiter Ansteuerseitiger Verdrahtungsabschnitt (zweiter Verdrahtungsabschnitt, Verdrahtungsabschnitt)
    27b)
    zweiter ansteuerseitiger Umleitungsabschnitt (zweiter Umleitungsabschnitt, Umleitungsabschnitt)
    27c)
    zweiter ansteuerseitiger Zusammenfügeabschnitt (zweiter Zusammenfügeabschnitt, Zusammenfügeabschnitt)
    27d)
    zweiter ansteuerseitiger Verbinder (vierter Verbinder)
    28a)
    zweiter ansteuerseitiger Verdrahtungsabschnitt (zweiter Verdrahtungsabschnitt, Verdrahtungsabschnitt)
    28b)
    zweiter ansteuerseitiger Umleitungsabschnitt (zweiter Umleitungsabschnitt, Umleitungsabschnitt)
    28c)
    zweiter ansteuerseitiger Zusammenfügeabschnitt (zweiter Zusammenfügeabschnitt,
    28d)
    Zusammenfügeabschnitt) zweiter ansteuerseitiger Verbinder (vierter Verbinder)
    31A)
    erstes Elementverbindungsglied
    31B)
    zweites Elementverbindungsglied
    32A)
    erstes steuerseitiges Verbindungsglied (steuerseitiges Verbindungsglied)
    32B)
    zweites steuerseitiges Verbindungsglied (steuerseitiges Verbindungsglied)
    33A)
    erstes ansteuerseitiges Verbindungsglied (ansteuerseitiges Verbindungsglied)
    33B)
    zweites ansteuerseitiges Verbindungsglied (ansteuerseitiges Verbindungsglied)
    35A)
    erstes steueranschlussseitiges Verbindungsglied
    35B)
    zweites steueranschlussseitiges Verbindungsglied
    36A)
    erstes erfassungsanschlussseitiges Verbindungsglied
    36B)
    zweites erfassungsanschlussseitiges Verbindungsglied
    40)
    Leistungshalbleiterelement
    40A)
    erstes Leistungshalbleiterelement
    40Aa, 40Ac)
    erstes Leistungshalbleiterelement (erstes End-Leistungshalbleiterelement)
    40Ab, 40Ad)
    erstes Leistungshalbleiterelement (zweites End-Leistungshalbleiterelement)
    40B)
    zweites Leistungshalbleiterelement
    40Ba, 40Bc)
    zweites Leistungshalbleiterelement (erstes End-Leistungshalbleiterelement)
    40Bb, 40Bd)
    zweites Leistungshalbleiterelement (zweites End-Leistungshalbleiterelement)
    40s)
    Elementhauptoberfläche (erste Elementhauptoberfläche, zweite Elementhauptoberfläche)
    40r)
    Elementrückseite (erste Elementrückseite, zweite Elementrückseite)
    41)
    Drain-Elektrode (erste Drain-Elektrode)
    42)
    Source-Elektrode (zweite Source-Elektrode)
    42A)
    Source-Hauptelektrode
    42B)
    erste Source-Elektrode
    42C)
    zweite Source-Elektrode
    43)
    Gate-Elektrode (Steuerelektrode)
    51A)
    erster Eingangsanschluss
    51B)
    zweiter Eingangsanschluss
    52A)
    erster Ausgangsanschluss (Ausgangsanschluss)
    52B)
    zweiter Ausgangsanschluss (Ausgangsanschluss)
    53A)
    erster Steueranschluss
    53B)
    zweiter Steueranschluss
    54A)
    erster Erfassungsanschluss
    54B)
    zweiter Erfassungsanschluss
    90A)
    Zusammenfügeabschnitt (erstes Montageschicht-Verbindungsglied)
    90B)
    Zusammenfügeglied (zweites Montageschicht-Verbindungsglied)
    93A)
    erstes Steuerschicht-Verbindungsglied
    93B)
    zweites Steuerschicht-Verbindungsglied
    94A)
    erstes Ansteuerschicht-Verbindungsglied
    94B)
    zweites Ansteuerschicht-Verbindungsglied
    X)
    Längsrichtung (erste Richtung)
    Y)
    Querrichtung (zweite Richtung)
    Z)
    Dickenrichtung

Claims (20)

  1. Leistungsmodul, aufweisend: ein elektrisch isolierendes Substrat mit einer Substrat-Hauptoberfläche und einer Substrat-Rückseite, die in einer Dickenrichtung in entgegengesetzte Richtungen weisen; eine Montageschicht, eine Steuerschicht und eine Ansteuerschicht, die auf der Substrat-Hauptoberfläche ausgebildet und elektrisch leitend sind; ein Leistungshalbleiterelement, das auf der Montageschicht montiert ist und eine Elementrückseite, eine Elementhauptoberfläche, eine erste Ansteuerelektrode, die auf der Elementrückseite ausgebildet und elektrisch mit der Montageschicht verbunden ist, eine zweite Ansteuerelektrode und eine Steuerelektrode enthält, wobei die zweite Ansteuerelektrode und die Steuerelektrode auf der Elementhauptoberfläche ausgebildet sind; ein steuerseitiges Verbindungsglied, das die Steuerelektrode mit der Steuerschicht verbindet; ein ansteuerseitiges Verbindungsglied, das die zweite Ansteuerelektrode mit der Ansteuerschicht verbindet; einen Steueranschluss, der elektrisch mit der Steuerschicht verbunden ist; und einen Erfassungsanschluss, der elektrisch mit der Ansteuerschicht verbunden ist, wobei das Leistungshalbleiterelement eines von mehreren Leistungshalbleiterelementen ist, die auf der Montageschicht in einer Richtung aus einer Dickenrichtung gesehen angeordnet sind, das steuerseitige Verbindungsglied eines von mehreren steuerseitigen Verbindungsgliedern ist, die einem der Leistungshalbleiterelemente entsprechen, das ansteuerseitige Verbindungsglied eines von mehreren ansteuerseitigen Verbindungsgliedern ist, die je einem der Leistungshalbleiterelemente entsprechen, ein erster leitender Pfad ein Pfad zwischen der Steuerelektrode und dem Steueranschluss ist, ein zweiter leitender Pfad ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode und dem Erfassungsanschluss ist, und die Steuerschicht und/oder die Ansteuerschicht einen Umleitungsabschnitt aufweisen, der eine Umleitung einrichtet, um eine Differenz zwischen den mehreren Leistungshalbleiterelementen hinsichtlich einer Summe einer Länge des ersten leitenden Pfads und einer Länge des zweiten leitenden Pfads zu verringern.
  2. Leistungsmodul, aufweisend: ein elektrisch isolierendes Substrat mit einer Substrat-Hauptoberfläche und einer Substrat-Rückseite, die in einer Dickenrichtung in entgegengesetzte Richtungen weisen; eine Montageschicht, eine Steuerschicht und eine Ansteuerschicht, die auf der Substrat-Hauptoberfläche ausgebildet und elektrisch leitend sind; mehrere Leistungshalbleiterelemente, die auf der Montageschicht ausgebildet sind und in einer Richtung aus der Dickenrichtung gesehen angeordnet sind, wobei jedes der Leistungshalbleiterelemente eine Elementrückseite, eine Elementhauptoberfläche, eine erste Ansteuerelektrode, die auf der Elementrückseite ausgebildet und elektrisch mit der Montageschicht verbunden ist, eine zweite Ansteuerelektrode und eine Steuerelektrode aufweist, wobei die zweite Ansteuerelektrode und die Steuerelektrode auf der Elementhauptoberfläche ausgebildet sind; mehrere steuerseitige Verbindungsglieder, die in der gleichen Richtung wie eine Anordnungsrichtung der mehreren Leistungshalbleiterelemente angeordnet sind, um die Steuerelektroden der mehreren Leistungshalbleiterelemente mit der Steuerschicht zu verbinden; mehrere ansteuerseitige Verbindungsglieder, die in der gleichen Richtung wie die Anordnungsrichtung der mehreren Leistungshalbleiterelemente angeordnet sind, um die zweiten Ansteuerelektroden der Leistungshalbleiterelemente mit der Ansteuerschicht zu verbinden; einen Steueranschluss, der elektrisch mit der Steuerschicht verbunden ist; und einen Erfassungsanschluss, der elektrisch mit der Ansteuerschicht verbunden ist, wobei die Leistungshalbleiterelemente ein erstes End-Leistungshalbleiterelement und ein zweites End-Leistungshalbleiterelement aufweisen, die sich an entgegengesetzten Enden in der Anordnungsrichtung befinden, ein erster steuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der Steuerelektrode des ersten End-Leistungshalbleiterelements und dem Steueranschluss ist, ein erster ansteuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des ersten End-Leistungshalbleiterelements und dem Erfassungsanschluss ist, eine erste Summe die Summe einer Länge des ersten steuerseitigen leitenden Pfads und einer Länge des ersten ansteuerseitigen leitenden Pfads ist, ein zweiter steuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der Steuerelektrode des zweiten End-Leistungshalbleiterelements und dem Steueranschluss ist, ein zweiter ansteuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des zweiten End-Leistungshalbleiterelement und dem Erfassungsanschluss ist, eine zweite Summe die Summe einer Länge des zweiten steuerseitigen leitenden Pfads und einer Länge des zweiten ansteuerseitigen leitenden Pfads ist, und die Steuerschicht und/oder die Ansteuerschicht einen Umleitungsabschnitt aufweist, der die leitenden Pfade umleitet, um eine Differenz zwischen der ersten Summe und der zweiten Summe zu verringern.
  3. Leistungsmodul nach Anspruch 1 oder 2, wobei, wenn eine Richtung als erste Richtung bezeichnet wird und eine Richtung, die die erste Richtung aus der Dickenrichtung gesehen schneidet, als zweite Richtung bezeichnet wird, jede Steuerschicht und jede Ansteuerschicht jeweils einen Verdrahtungsabschnitt aufweist, der sich in der ersten Richtung erstreckt, und der Umleitungsabschnitt von dem Verdrahtungsabschnitt in der zweiten Richtung getrennt ist und sich in der ersten Richtung erstreckt.
  4. Leistungsmodul nach Anspruch 3, wobei die Steuerschicht und/oder die Ansteuerschicht einen Zusammenfügeabschnitt aufweist, der den Umleitungsabschnitt und den Verdrahtungsabschnitt verbindet, und der Verdrahtungsabschnitt, der Umleitungsabschnitt und der Zusammenfügeabschnitt einstückig als ein einteiliges Element ausgebildet sind.
  5. Leistungsmodul nach Anspruch 3, wobei die Steuerschicht und/oder die Ansteuerschicht einen Zusammenfügeabschnitt aufweist, der den Umleitungsabschnitt und den Verdrahtungsabschnitt verbindet, und der Zusammenfügeabschnitt ein Draht ist.
  6. Leistungsmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Ansteuerschicht näher an der Montageschicht als an der Steuerschicht angeordnet ist.
  7. Leistungsmodul nach Anspruch 6, wobei die Steuerschicht den Umleitungsabschnitt aufweist, und der Umleitungsabschnitt und die Ansteuerschicht sich auf gegenüberliegenden Seiten des Verdrahtungsabschnitts der Steuerschicht befinden.
  8. Leistungsmodul nach Anspruch 6, wobei die Ansteuerschicht den Umleitungsabschnitt enthält, und der Umleitungsabschnitt und die Montageschicht sich auf gegenüberliegenden Seiten der Steuerschicht befinden.
  9. Leistungsmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei das steuerseitige Verbindungsglied und das ansteuerseitige Verbindungsglied nicht am Umleitungsabschnitt verbunden sind.
  10. Leistungsmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei, wenn die eine Richtung als erste Richtung bezeichnet wird und eine Richtung, die die erste Richtung aus der Dickenrichtung gesehen schneidet, als zweite Richtung bezeichnet wird, sich das steuerseitige Verbindungsglied und/oder das ansteuerseitige Verbindungsglied in der zweiten Richtung, aus der Dickenrichtung gesehen, erstrecken.
  11. Leistungsmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei der Steueranschluss und die Steuerschicht durch ein steueranschlussseitiges Verbindungsglied elektrisch verbunden sind, und der Erfassungsanschluss und die Ansteuerschicht durch ein erfassungsanschlussseitiges Verbindungsglied elektrisch verbunden sind.
  12. Leistungsmodul nach Anspruch 11, wobei die Steuerschicht den Umleitungsabschnitt und einen ersten Verbindungsabschnitt aufweist, der an einem distalen Ende des Umleitungsabschnitts ausgebildet ist, und der erste Verbindungsabschnitt mit dem steueranschlussseitigen Verbindungsglied verbunden ist.
  13. Leistungsmodul nach Anspruch 11 oder 12, wobei die Ansteuerschicht den Umleitungsabschnitt und einen zweiten Verbindungsabschnitt aufweist, der an einem distalen Ende des Umleitungsabschnitts ausgebildet ist, und der zweite Verbindungsabschnitt mit dem erfassungsanschlussseitigen Verbindungsglied verbunden ist.
  14. Leistungsmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei das Substrat ein erstes Substrat und ein zweites Substrat aufweist, die Montageschicht, die Steuerschicht und die Ansteuerschicht auf der Substrat-Hauptoberfläche sowohl des ersten Substrats als auch des zweiten Substrats angeordnet sind, die mehreren Leistungshalbleiterelemente auf der Montageschicht sowohl des ersten Substrats als auch des zweiten Substrats in der einen Richtung angeordnet sind, das erste Substrat und das zweite Substrat in der einen Richtung getrennt sind, die Montageschicht des ersten Substrats und die Montageschicht des zweiten Substrats durch ein Montageschicht-Verbindungsglied elektrisch verbunden sind, die Steuerschicht des ersten Substrats und die Steuerschicht des zweiten Substrats durch ein Steuerschicht-Verbindungsglied elektrisch verbunden sind, die Ansteuerschicht des ersten Substrats und die Ansteuerschicht des zweiten Substrats durch ein Ansteuerschicht-Verbindungsglied elektrisch verbunden sind, eine Schicht der Steuerschicht oder Ansteuerschicht des ersten Substrats den Umleitungsabschnitt enthält, und die jeweils andere Schicht der Steuerschicht oder Ansteuerschicht des zweiten Substrats, den Umleitungsabschnitt aufweist.
  15. Leistungsmodul nach Anspruch 14, wobei, wenn die eine Richtung als eine erste Richtung bezeichnet wird und eine Richtung, die die erste Richtung aus der Dickenrichtung gesehen schneidet, als eine zweite Richtung bezeichnet wird, sowohl der Steueranschluss als auch der Erfassungsanschluss so angeordnet sind, dass sie das zweite Substrat aus der zweiten Richtung gesehen überlappen.
  16. Leistungsmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei das Leistungshalbleiterelement ein SiC-MOSFET ist, die erste Ansteuerelektrode eine Drain-Elektrode ist, die zweite Ansteuerelektrode eine Source-Elektrode ist, und die Steuerelektrode eine Gate-Elektrode ist.
  17. Leistungsmodul, aufweisend: ein elektrisch isolierendes Substrat mit einer Substrat-Hauptoberfläche und einer Substrat-Rückseite, die in einer Dickenrichtung in entgegengesetzte Richtungen weisen; eine erste Steuerschicht, eine zweite Steuerschicht, eine erste Ansteuerschicht, eine zweite Ansteuerschicht, eine erste Montageschicht, eine zweite Montageschicht und eine leitende Schicht, die auf der Substrat-Hauptoberfläche ausgebildet sind und elektrisch leitend sind; ein erstes Leistungshalbleiterelement, das auf der ersten Montageschicht angebracht ist und eine erste Elementrückseite und eine erste Elementhauptoberfläche aufweist, wobei das erste Leistungshalbleiterelement eine erste Ansteuerelektrode, die auf der ersten Elementrückseite ausgebildet und elektrisch mit einem ersten Eingangsanschluss verbunden ist, eine zweite Ansteuerelektrode und eine Steuerelektrode, die auf der ersten Elementhauptoberfläche ausgebildet sind, aufweist, wobei die zweite Ansteuerelektrode elektrisch mit einem Ausgangsanschluss verbunden ist; ein zweites Leistungshalbleiterelement, das auf der zweiten Montageschicht angebracht ist und eine zweite Elementrückseite und eine zweite Elementhauptoberfläche aufweist, wobei das zweite Leistungshalbleiterelement eine erste Ansteuerelektrode, die auf der zweiten Elementrückseite ausgebildet und elektrisch mit dem Ausgangsanschluss verbunden ist, eine zweite Ansteuerelektrode und eine Steuerelektrode, die auf der zweiten Elementhauptoberfläche ausgebildet sind, aufweist, wobei die zweite Ansteuerelektrode elektrisch mit einem zweiten Eingangsanschluss verbunden ist; ein erstes steuerseitiges Verbindungsglied, das die Steuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements mit der ersten Steuerschicht verbindet; ein erstes ansteuerseitiges Verbindungsglied, das die zweite Ansteuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements mit der ersten Ansteuerschicht verbindet; ein zweites steuerseitiges Verbindungsglied, das die Steuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements mit der zweiten Steuerschicht verbindet; ein zweites ansteuerseitiges Verbindungsglied, das die zweite Ansteuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements mit der zweiten Ansteuerschicht verbindet; einen ersten Steueranschluss, der elektrisch mit der ersten Steuerschicht verbunden ist; einen zweiten Steueranschluss, der elektrisch mit der zweiten Steuerschicht verbunden ist; einen ersten Erfassungsanschluss, der elektrisch mit der ersten Ansteuerschicht verbunden ist; und einen zweiten Erfassungsanschluss, der elektrisch mit der zweiten Ansteuerschicht verbunden ist, wobei das erste Leistungshalbleiterelement eines von mehreren ersten Leistungshalbleiterelementen ist, die auf der ersten Montageschicht in einer Richtung aus der Dickenrichtung gesehen angeordnet sind, das erste steuerseitige Verbindungsglied eines von mehreren ersten steuerseitigen Verbindungsgliedern ist, die je einem der ersten Leistungshalbleiterelemente entsprechen, das erste ansteuerseitige Verbindungsglied eines von mehreren ersten ansteuerseitigen Verbindungsgliedern ist, die je einem der ersten Leistungshalbleiterelemente entsprechen, ein erster leitender Pfad ein Pfad zwischen der Steuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements und dem ersten Steueranschluss ist, ein zweiter leitender Pfad ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des ersten Leistungshalbleiterelements und dem ersten Erfassungsanschluss ist, und die erste Steuerschicht und/oder die erste Ansteuerschicht einen ersten Umleitungsabschnitt aufweist, der eine Umleitung einrichtet, um eine Differenz zwischen den ersten Leistungshalbleiterelementen hinsichtlich einer Summe einer Länge des ersten leitenden Pfads und einer Länge des zweiten leitenden Pfads zu verringern.
  18. Leistungsmodul nach Anspruch 17, wobei das zweite Leistungshalbleiterelement eines von mehreren zweiten Leistungshalbleiterelementen ist, die auf der zweiten Montageschicht in der einen Richtung aus der Dickenrichtung gesehen angeordnet sind, das zweite steuerseitige Verbindungsglied eines von mehreren zweiten steuerseitigen Verbindungsgliedern ist, die je einem der zweiten Leistungshalbleiterelemente entsprechen, das zweite ansteuerseitige Verbindungsglied eines von mehreren zweiten ansteuerseitigen Verbindungsgliedern ist, die je einem der zweiten Leistungshalbleiterelemente entsprechen, ein dritter leitender Pfad ein Pfad zwischen der Steuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements und dem zweiten Steueranschluss ist, ein vierter leitender Pfad ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des zweiten Leistungshalbleiterelements und dem zweiten Erfassungsanschluss ist, und die zweite Steuerschicht und/oder die zweite Ansteuerschicht einen zweiten Umleitungsabschnitt aufweist, der eine Umleitung einrichtet, um eine Differenz zwischen den zweiten Leistungshalbleiterelementen hinsichtlich einer Summe einer Länge des dritten leitenden Pfads und einer Länge des vierten leitenden Pfads zu verringern.
  19. Leistungsmodul nach Anspruch 18, wobei die ersten Leistungshalbleiterelemente ein erstes End-Leistungshalbleiterelement und ein zweites End-Leistungshalbleiterelement aufweisen, die sich an gegenüberliegenden Enden in einer Anordnungsrichtung der ersten Leistungshalbleiterelemente befinden, die zweiten Leistungshalbleiterelemente ein erstes End-Leistungshalbleiterelement und ein zweites End-Leistungshalbleiterelement aufweisen, die sich an gegenüberliegenden Enden in einer Anordnungsrichtung der zweiten Leistungshalbleiterelemente befinden, ein erster endsteuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der Steuerelektrode des ersten End-Leistungshalbleiterelements der ersten Leistungshalbleiterelemente und dem ersten Steueranschluss ist, ein erster endansteuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des ersten End-Leistungshalbleiterelements der ersten Leistungshalbleiterelemente und dem ersten Erfassungsanschluss ist, eine erste Summe die Summe einer Länge des ersten endsteuerseitigen leitenden Pfads und einer Länge des ersten endansteuerseitigen leitenden Pfads ist, ein zweiter endsteuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der Steuerelektrode des zweiten End-Leistungshalbleiterelements der ersten Leistungshalbleiterelemente und dem ersten Steueranschluss ist, ein zweiter endansteuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des zweiten End-Leistungshalbleiterelements der ersten Leistungshalbleiterelemente und dem ersten Erfassungsanschluss ist, eine zweite Summe die Summe einer Länge des zweiten endsteuerseitigen leitenden Pfads und einer Länge des zweiten endansteuerseitig leitenden Pfads ist, ein dritter endsteuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der Steuerelektrode des ersten End-Leistungshalbleiterelements der zweiten Leistungshalbleiterelemente und dem zweiten Steueranschluss ist, ein dritter endansteuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des ersten End-Leistungshalbleiterelements der zweiten Leistungshalbleiterelemente und dem zweiten Erfassungsanschluss, eine dritte Summe die Summe der Länge des dritten endsteuerseitigen leitenden Pfads und einer Länge des dritten endansteuerseitigen leitenden Pfads ist, ein vierter endsteuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der Steuerelektrode des zweiten End-Leistungshalbleiterelements der zweiten Leistungshalbleiterelemente und dem zweiten Steueranschluss ist, ein vierter endansteuerseitiger leitender Pfad ein Pfad zwischen der zweiten Ansteuerelektrode des zweiten End-Leistungshalbleiterelements der zweiten Leistungshalbleiterelemente und dem zweiten Erfassungsanschluss, eine vierte Summe die Summe einer Länge des vierten endsteuerseitigen leitenden Pfads und einer Länge des vierten endansteuerseitigen leitenden Pfads ist, der erste Umleitungsabschnitt eingerichtet ist, um eine Differenz zwischen der ersten Summe und der zweiten Summe zu verringern, und der zweite Umleitungsabschnitt eingerichtet ist, um eine Differenz zwischen der dritten Summe und der vierten Summe zu verringern.
  20. Leistungsmodul nach Anspruch 18 oder 19, wobei, wenn die eine Richtung als erste Richtung bezeichnet wird und eine Richtung, die die erste Richtung aus der Dickenrichtung gesehen schneidet, als zweite Richtung bezeichnet wird, sowohl die erste Steuerschicht als auch die erste Ansteuerschicht einen ersten Verdrahtungsabschnitt aufweisen, der sich in der ersten Richtung erstreckt, der erste Umleitungsabschnitt von dem ersten Verdrahtungsabschnitt in der zweiten Richtung getrennt ist und sich in der ersten Richtung erstreckt, sowohl die zweite Steuerschicht als auch die zweite Ansteuerschicht einen zweiten Verdrahtungsabschnitt aufweisen, der sich in der ersten Richtung erstreckt, und der zweite Umleitungsabschnitt von dem zweiten Verdrahtungsabschnitt in der zweiten Richtung getrennt ist und sich in der ersten Richtung erstreckt.
DE112020003931.5T 2019-08-21 2020-08-06 Leistungsmodul Pending DE112020003931T5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019150978 2019-08-21
JP2019-150978 2019-08-21
PCT/JP2020/030190 WO2021033565A1 (ja) 2019-08-21 2020-08-06 パワーモジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112020003931T5 true DE112020003931T5 (de) 2022-05-25

Family

ID=74660935

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE212020000704.7U Active DE212020000704U1 (de) 2019-08-21 2020-08-06 Leistungsmodul
DE112020003931.5T Pending DE112020003931T5 (de) 2019-08-21 2020-08-06 Leistungsmodul

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE212020000704.7U Active DE212020000704U1 (de) 2019-08-21 2020-08-06 Leistungsmodul

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220320049A1 (de)
JP (1) JPWO2021033565A1 (de)
CN (1) CN114270510A (de)
DE (2) DE212020000704U1 (de)
WO (1) WO2021033565A1 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11742332B2 (en) 2019-12-06 2023-08-29 Wolfspeed, Inc. Methods and systems for matching both dynamic and static parameters in dies, discretes, and/or modules, and methods and systems based on the same
JP2022185464A (ja) * 2021-06-02 2022-12-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
EP4203019A1 (de) 2021-12-23 2023-06-28 Hitachi Energy Switzerland AG Leistungsmodul und verfahren zur herstellung des leistungsmoduls
KR20230172344A (ko) * 2022-06-15 2023-12-22 현대자동차주식회사 파워 모듈 및 이를 이용한 모터 구동 시스템

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08340082A (ja) * 1995-06-09 1996-12-24 Origin Electric Co Ltd 電力用半導体装置
JP2015099843A (ja) * 2013-11-19 2015-05-28 パナソニックIpマネジメント株式会社 半導体装置
JP6394459B2 (ja) * 2015-03-26 2018-09-26 住友電気工業株式会社 半導体装置
DE112018001884T5 (de) * 2017-04-05 2019-12-19 Rohm Co., Ltd. Leistungsmodul
DE112019000112T5 (de) * 2018-04-18 2020-05-14 Fuji Electric Co., Ltd. Halbleitervorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
DE212020000704U1 (de) 2022-03-30
US20220320049A1 (en) 2022-10-06
CN114270510A (zh) 2022-04-01
JPWO2021033565A1 (de) 2021-02-25
WO2021033565A1 (ja) 2021-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112020003931T5 (de) Leistungsmodul
DE112009001638T5 (de) Leistungshalbleitermodul
DE102015121529A1 (de) Integrierte Leistungsanordnung mit gestapelten, einzeln gehäusten Leistungsbauelementen
DE102005041174A1 (de) Leistungshalbleiterbauteil mit Leitungen innerhalb eines Gehäuses
DE102015121524A1 (de) Integrierte Leistungsanordnung mit verringertem Formfaktor und verbesserter thermischer Dissipation
DE112019000660T5 (de) Halbleitervorrichtung
DE102018112477A1 (de) Halbleiterpackage mit leiterrahmen
DE112019004386T5 (de) Halbleitervorrichtung
DE112018006457T5 (de) Leistungswandler
DE112018001927T5 (de) Halbleiterbauelement
DE102017205757A1 (de) Halbleitergehäuse mit einem Transistor-die in source-unten Konfiguration und einem Transistor-die in drain-unten Konfiguration
DE112020005270T5 (de) Halbleitervorrichtung
DE112021002909T5 (de) Halbleiterbauteil
DE212021000109U1 (de) Halbleiterbauteil
DE102015104996A1 (de) Halbleitervorrichtungen mit Steuer- und Lastleitungen von entgegengesetzter Richtung
DE212021000254U1 (de) Halbleiterbauelement
DE112020003012T5 (de) Halbleiterbauteil
DE112020002920T5 (de) Halbleitervorrichtung und produktionsverfahren für halbleitervorrichtung
DE102014112429A1 (de) Halbleiterpackage mit Mehrebenen-Chipblock
DE102015108253B4 (de) Elektronisches Modul und Verfahren zum Herstellen desselben
DE112020003399T5 (de) Halbleiterbauteil
DE102013219192A1 (de) Leistungsmodul, Stromrichter und Antriebsanordnung mit einem Leistungsmodul
DE102017108172A1 (de) SMD-Package
DE102015219225A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE102018107094B4 (de) Multi-Package-Oberseitenkühlung und Verfahren zu deren Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed