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Die vorliegende Offenlegung betrifft Verfahren zur Herstellung elektronischer Bauelemente und insbesondere einer Kondensatorstruktur, die eine dielektrische Schicht oder Komponenten davon aufweist (z. B. eine Siliziumnitridschicht eines ONO-Dielektrikums), die sich über eine Seitenkante einer darüber liegenden leitenden Platte des Kondensators hinaus erstrecken, zum Beispiel ausgeführt als Poly-Schicht.
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Verschiedene elektronische Geräte umfassen integrierte Schaltkreis- (IC-) Komponenten, einschließlich einer beliebigen Anzahl von darin ausgebildeten Kondensatoren. Einige IC-Kondensatoren verwenden ein mehrschichtiges dielektrisches Material zwischen kapazitiven Anoden- und Kathodenplatten, z. B. ein mehrschichtiges Oxid-Nitrid-Oxid (ONO) Dielektrikum mit einer Siliziumnitridschicht zwischen einem Paar von Oxidschichten. Siliziumnitrid weist eine hohe Dielektrizitätskonstante auf und kann daher verwendet werden, um die Durchbruchspannung des Kondensators zu erhöhen, während die Kapazität gleich bleibt. Bestimmte herkömmliche IC-Kondensatoren, einschließlich bestimmter IC-Kondensatoren, die ein ONO-Dielektrikum verwenden, können Defekte oder Eigenschaften aufweisen, die Fehler verursachen, die zu einem Leckstrom in den Kondensatoren führen, der Fehler in oder Ausfälle der Kondensatoren und / oder bei einem Endprodukt verursachen kann, in dem die Kondensatoren enthalten sind. Diese Defekte umfassen Defekte an einer oder mehreren Kanten der Kondensatorstruktur, z. B. aufgrund konzentrierter elektrischer Felder an solchen Kantenbereichen. Weiterhin kann das Auftreten von Fehlern, die aus solchen Defekten resultieren, in Abhängigkeit von Anwendungen mit höherer Spannung zunehmen.
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Die 1A - 1B und 2A - 2B veranschaulichen zwei beispielhafte Kondensatoren, die durch herkömmliche Prozesse und Systeme implementiert werden, und die unter den oben diskutierten Mängeln leiden können. Jeder Kondensator, der in den 1A - 1B und 2A - 2B gezeigt ist, umfasst ein Paar Leiterplatten (z. B. positive Platte und negative Platte oder Anode und Kathode), die als Paar leitender Polyschichten (eine Poly-2-Schicht über einer Poly-1-Schicht) ausgeführt sind und durch eine Oxid-Nitrid-Oxid (ONO) -Schicht getrennt sind. Fehler können in der Nähe einer Seitenkante der Poly-2-Schicht und der darunterliegenden ONO-Schicht auftreten. Dieser Bereich ist in jeder der 1A - 1B und 2A - 2B eingekreist. Es versteht sich, dass die Kondensatorplatten in alternativen Ausführungsformen durch beliebige geeignete Strukturen oder Materialien abgesehen von Polysiliziumschichten ausgeführt sein können.
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Die 1A und 1B zeigen Mikroskopbilder (z. B. unter Verwendung eines Tunnelelektronenmikroskops aufgenommen) eines Querschnitts einer ersten herkömmlichen Kondensatorstruktur 100, die Anzeichen eines Ausfalls aufweisen kann, und veranschaulichen auch die oben erwähnten unerwünschten Eigenschaften, z. B. Fehler aufgrund von Feldeffekten in der Nähe der Seitenkante der Poly-2-Schicht.
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Der beispielhafte Kondensator 100 umfasst eine Basispolysiliziumschicht 110, eine ONO-Struktur (Schichtstapel) 103, die eine Oxidschicht 108, eine Siliziumnitridschicht (hier auch einfach als Nitridschicht bezeichnet) 106, eine weitere Oxidschicht 104 und ein oberes Polysilizium 102 aufweist. Wie in 1B gezeigt, können die Oxidschichten 108 und 104 an der Seitenkante oder Seitenwand der oberen Polysiliziumschicht 102 getrennt bleiben, und die Nitridschicht 106 kann sich zu dieser Seitenkante oder Seitenwand erstrecken. Somit ist der Kondensator 100 möglicherweise noch nicht ausgefallen, kann jedoch unerwünschte Feldeffekte erfahren. Zum Beispiel kann das Erhöhen elektrischer Leitungen am Rand des Kondensators das Feld am Punkt 112 konzentrieren, der in 1B als ein hellerer Punkt dargestellt ist. Der Punkt 112 kann aufgrund des Erhitzens in einer anderen Ebene einen Hohlraum im Oxid enthalten. Dieses erhöhte elektrische Feld kann in der Folge zu einem Fehler oder Ausfall führen.
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Die 2A und 2B zeigen Mikroskopbilder (z. B. aufgenommen unter Verwendung eines Rasterelektronenmikroskops) eines Querschnitts einer zweiten herkömmlichen Kondensatorstruktur 200, die anderweitig die beschriebene Schwäche aufgrund normaler Prozessvariationen in der Siliziumnitridschicht demonstrieren, die zu einem schmalen Dielektrikum an der Kondensatorkante führt.
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Wie bei dem in den 1A - 1B gezeigten Kondensator 100 umfasst der Kondensator 200 eine Basis-Polysiliziumschicht 210, eine ONO-Struktur 203 (Schichtstapel) mit einer Oxidschicht 208, einer Nitridschicht 206, einer weiteren Oxidschicht 204 und einer oberen Polysiliziumschicht 202. 2B zeigt, dass der Kondensator bei einer viel niedrigeren Spannung als beabsichtigt ausfallen kann. Der Fehler kann eine Annäherung oder einen Durchbruch der Oxidschichten 208 und 204 am Punkt 212 umfassen, und die Nitridschicht 206 kann sich möglicherweise nicht vollständig bis zur Seitenwand oder Kante der oberen Polysiliziumschicht 202 erstrecken. Der Fehler des nicht vollständigen Erstreckens zur Kante/Seitenwand wie auch die Annäherung der Oxidschichten 208, 204 kann eine unbeabsichtigte Folge von schlechtem Ätzen oder anderen Ätzfehlern sein. Darüber hinaus kann der Fehler aus den in 1A und 1B gezeigten starken Feldeffekten resultieren. Die Oxidschichten 208 und 204 und die Nitridschicht 206 können zusammen geätzt worden sein, beispielsweise unter Verwendung eines isotropen Prozesses, bei dem das Ätzen direkt gerade nach unten angewendet wird.
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Druckschrift
US 2005 / 0 179 077 A1 beschreibt eine monolithischen SOI Schaltkreis mit einem Kondensator. Der Kondensator weist eine untere Elektrode auf, die aus einem monokristallinen Bereich einer Silizium-Halbleiterschicht und einer Silizid-Schicht gebildet ist. Über der unteren Elektrode ist ein Dielektrikum und eine obere Elektrode angeordnet. Der Kondensator ist insbesondere für RF-Anwendungen geeignet aufgrund von reduzierten parasitären Kapazitäten der beschriebenen Bauweise. Aus dem US Patent
US 9 041 145 B2 ist eine Halbleitervorrichtung bekannt. Aus der US Patentanmeldung
US 2012 / 0 034 751 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer in der Hlableitervorrichtung ausgebildeten Kapazität bekannt. Aus der US Patentanmeldung
US 2009 / 0 273 883 A1 ist ein Verfahren und System zur Einbindung von Hochspannungsbauelementen in einem EEPROM bekannt. Aus der Koreanischen Patentanmeldung
KR 10 2005 0 070 708 A ist ein Ätzverfahren für eine Speicherzelle mit dualem floating Gate bekannt.
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Auf Basis des Standes der Technik besteht die Aufgabe, eine verbesserte Kondensatorstruktur und ein entsprechendes Verfahren zum Ausbilden einer verbesserten Kondensatorstruktur bereitzustellen.
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Die Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die Gegenstände der unabhängigen Ansprüche. Die abhängigen Ansprüche beschreiben Ausführungsbeispiele der Erfindung.
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Die erfindungsgemäße Kondensatorstruktur weist eine obere leitende Schicht, eine untere leitende Schicht, und eine dielektrische Schicht auf. Die dielektrische Schicht ist zwischen der oberen leitenden Schicht und der unteren leitenden Schicht angeordnet. Ein Abschnitt der dielektrischen Schicht erstreckt sich über eine Seitenkante der oberen leitenden Schicht hinaus. Die dielektrische Schicht ist eine Nitridschicht einer Oxid-Nitrid-Oxid (ONO)-Struktur, die zwischen der oberen leitenden Schicht und der unteren leitenden Schicht angeordnet ist.
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Die verbesserte Kondensatorstruktur kann zum Beispiel eine verringerte Wahrscheinlichkeit bestimmter Ausfälle aufweisen, z. B. der oben diskutierten Arten von Ausfällen, und kann somit einen zuverlässigeren Kondensator bereitstellen.
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Erfindungsgemäß ist während des Herstellungsprozesses eine Nitridschicht zu einem Kondensator hinzugefügt, um die Durchschlagspannung des Kondensators zu erhöhen. Die Schicht ist unter Verwendung einer verbesserten Oxid-Nitrid-Oxid (ONO) -Struktur implementiert.
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In einigen Ausführungsformen kann der Kondensator ein MOS- oder MOS-artiger integrierter Kondensator sein. Der Kondensator kann Eigenschaften der Durchbruchspannung sowie der Kapazität des Gesamtkondensators umfassen. Die Durchbruchspannung kann eine Spannung umfassen, bei der bei gegebener elektrischer Feldstärke oberhalb dieser Feldstärke das Dielektrikum in einem Kondensator leitend wird. Die Durchschlagspannung wird durch das Produkt der Spannungsfestigkeit und den Abstand zwischen den Leitern definiert. Die Durchschlagsfestigkeit kann gemäß der speziellen Substanz definiert sein, die als Dielektrikum verwendet wird. Das Dielektrikum kann in dünnen Schichten verwendet werden. Die Durchbruchspannung kann die maximale Energie darstellen, die in einem Kondensator gespeichert werden kann. Durchbrüche können auftreten, wenn sich die elektrische Feldstärke an einem Punkt im Kondensator sammelt. Die Durchbruchspannung kann abnehmen, wenn das dielektrische Material dünner wird. Bei Verwendung des gleichen Dielektrikums über verschiedene Kondensatoren kann die Durchschlagspannung ebenfalls abnehmen, wenn die Dicke abnimmt, um die Kapazität zu erhöhen. Kapazität und Durchbruchspannung können invers in Beziehung stehen. Die Verwendung von Nitrid als Dielektrikum, mit einer anderen Dielektrizitätskonstante, kann mit der dreifachen normalen Dicke verwendet werden, wodurch ein Kondensator den gleichen Kapazitätswert beibehalten kann (aufgrund des verbesserten Werts der Dielektrizitätskonstante), während die Durchschlagspannung (aufgrund der Dicke) erhöht wird.
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In einigen Ausführungsformen kann der Kondensator eine untere Polyschicht (Poly 1), eine obere Polyschicht (Poly 2) und eine ONO-Struktur enthalten, die eine Nitridschicht zwischen der unteren und der oberen Polyschicht umfasst. In einigen Ausführungsformen kann der Kondensator so ausgebildet sein, dass sich ein Abschnitt der Nitridschicht (einschließlich einer Abschlusskante der Nitridschicht) seitlich über eine Seitenkante der darüber liegenden oberen Polyschicht hinaus erstreckt. Diese Struktur mit der Nitridschicht, die sich seitlich über die darüber liegende obere Polyschicht hinaus erstreckt, kann bestimmte Fehler oder unerwünschte Kondensatoreigenschaften, die oben beschrieben wurden, verringern oder beseitigen.
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Eine Ausführungsform stellt eine Kondensatorstruktur bereit, die eine obere leitende Schicht, eine untere leitende Schicht und eine zwischen der oberen leitenden Schicht und der unteren leitenden Schicht angeordnete dielektrische Schicht aufweist, wobei sich ein Abschnitt der dielektrischen Schicht über eine Seitenkante der oberen leitenden Schicht hinaus erstreckt.
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In einer Ausführungsform weist die Kondensatorstruktur eine Oxid-Nitrid-Oxid (ONO) - Struktur auf, die zwischen der oberen leitenden Schicht und der unteren leitenden Schicht angeordnet ist, wobei die ONO-Struktur eine untere Oxidschicht, eine Nitridschicht und eine obere Oxidschicht aufweist, wobei die dielektrische Schicht die Nitridschicht der ONO-Struktur aufweist; wobei sich die obere Oxidschicht der ONO-Struktur nicht über die Seitenkante der oberen leitenden Schicht hinaus erstreckt.
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In einer Ausführungsform weist die Kondensatorstruktur weiterhin ein Distanzstück neben der Seitenkante der oberen leitenden Schicht auf, das den Abschnitt des Dielektrikums, der sich über die Seitenkante der oberen leitenden Schicht hinaus erstreckt, bedeckt.
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In einer Ausführungsform weist das Distanzstück ein Oxid auf.
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In einer Ausführungsform weist die Kondensatorstruktur eine Oxid-Nitrid-Oxid (ONO) - Struktur auf, die zwischen der oberen leitenden Schicht und der unteren leitenden Schicht angeordnet ist, wobei die ONO-Struktur eine untere Oxidschicht, eine Nitridschicht und eine obere Oxidschicht aufweist, wobei die dielektrische Schicht die Nitridschicht der ONO-Struktur aufweist; und ein Distanzstück, das an die Seitenkante der oberen leitenden Schicht angrenzt und den Abschnitt des Dielektrikums bedeckt, der sich über die Seitenkante der oberen leitenden Schicht hinaus erstreckt. Das Distanzstück kann ein anderes Oxid als die obere Oxidschicht der ONO-Struktur aufweisen.
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In einer Ausführungsform erstreckt sich eine Abschlusskante der dielektrischen Schicht in einer ersten Richtung über die Seitenkante der oberen leitenden Schicht hinaus, und die untere leitende Schicht erstreckt sich in der ersten Richtung über die Abschlusskante der dielektrischen Schicht hinaus.
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In einer Ausführungsform umfassen die obere leitende Schicht und die untere leitende Schicht Polysilizium.
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Eine weitere Ausführungsform stellt ein Verfahren zum Ausbilden einer Kondensatorstruktur bereit, welches das Ausbilden einer unteren leitenden Schicht, das Ausbilden einer dielektrischen Schicht über der unteren leitenden Schicht und das Ausbilden einer oberen leitenden Schicht über der dielektrischen Schicht aufweist. Nach dem Ausbilden der Kondensatorstruktur erstreckt sich ein erster Abschnitt der dielektrischen Schicht über eine Seitenkante der oberen leitenden Schicht hinaus.
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In einer Ausführungsform weist das Verfahren das Ausbilden eines Distanzstücks neben der Seitenkante der oberen leitenden Schicht und über dem ersten Abschnitt der dielektrischen Schicht auf; und Durchführen eines Ätzvorgangs, um einen zweiten Abschnitt der dielektrischen Schicht zu entfernen, der sich seitlich über das Distanzstück hinaus erstreckt, wobei das Distanzstück den ersten Abschnitt der dielektrischen Schicht davor schützt, durch das Ätzen entfernt zu werden; derart, dass sich das Distanzstück und der erste Abschnitt der dielektrischen Schicht, die von dem Distanzstück bedeckt sind, nach dem Ätzen über die Seitenkante der oberen leitenden Schicht hinaus erstrecken.
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In einer Ausführungsform weist das Ausbilden des Distanzstücks das Ausbilden einer Distanzstückschicht auf, die sich über zumindest einen Abschnitt der oberen leitenden Schicht und über den ersten und zweiten Abschnitt der dielektrischen Schicht erstreckt; und teilweises Entfernen der Distanzstückschicht, um den zweiten Abschnitt der dielektrischen Schicht freizulegen.
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In einer Ausführungsform weist das Ausbilden der dielektrischen Schicht über der unteren leitenden Schicht das Ausbilden einer Oxid-Nitrid-Oxid (ONO) -Struktur über der unteren leitenden Schicht auf, wobei die ONO-Struktur eine untere ONO-Oxidschicht, eine Nitridschicht und eine obere ONO-Oxidschicht aufweist, wobei die dielektrische Schicht die Nitridschicht der ONO-Struktur derart aufweist, dass sich ein erster Abschnitt der Nitridschicht über die Seitenkante der oberen leitenden Schicht hinaus erstreckt. Das Verfahren kann das Ausbilden eines Distanzstücks benachbart zur Seitenkante der oberen leitenden Schicht und über einem ersten Abschnitt der ONO-Struktur aufweisen, der einen ersten Abschnitt der oberen ONO-Oxidschicht, den ersten Abschnitt der Nitridschicht und einen zweiten Abschnitt der ONO-Struktur umfasst; und Durchführen eines Ätzvorgangs, um (a) einen zweiten Abschnitt der oberen ONO-Oxidschicht zu entfernen, der sich seitlich über das Distanzstück hinaus erstreckt, und (b) einen zweiten Abschnitt der Nitridschicht, der sich seitlich über das Distanzstück hinaus erstreckt.
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In einer Ausführungsform entfernt der Ätzprozess auch einen Teil oder die Gesamtheit eines zweiten Abschnitts der unteren ONO-Schicht, der sich seitlich über das Distanzstück hinaus erstreckt.
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In einer Ausführungsform entfernt der Ätzprozess auch einen Abschnitt des Distanzstücks.
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In einer Ausführungsform weist das Ausbilden des Distanzstücks das Ausbilden des Distanzstücks aus einem anderen Oxid als die obere ONO-Oxidschicht auf.
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Figurenliste
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Beispielhafte Aspekte und Ausführungsformen werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert, in denen:
- 1A ein Transmissionselektronenmikroskopbild eines Querschnitts einer herkömmlichen Kondensatorstruktur zeigt, die noch nicht versagt hat, jedoch unerwünschte Eigenschaften zu zeigen beginnt, z. B. Fehler aufgrund von Feldeffekten nahe der Seitenkante der Poly-2-Schicht;
- 1B eine vergrößerte Ansicht des in 1A gezeigten eingekreisten Bereichs zeigt;
- 2A ein Rasterelektronenmikroskopbild eines Querschnitts einer herkömmlichen Kondensatorstruktur zeigt, die noch nicht ausgefallen ist, jedoch aufgrund des fehlenden Nitrids am Rand der Poly-2-Schicht eine niedrigere Durchschlagspannung aufweist;
- 2B eine vergrößerte Ansicht des in 2A gezeigten eingekreisten Bereichs zeigt;
- 3 einen schematischen Querschnitt einer verbesserten Kondensatorstruktur zeigt, wobei sich eine Nitridschicht seitlich über eine Seitenkante einer darüber liegenden Poly-2-Schicht hinaus erstreckt, was gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenlegung eine verbesserte Leistung des Kondensators bereitstellen kann;
- Die 4A bis 4E ein beispielhaftes Verfahren zum Ausbilden der in 3 gezeigten verbesserten Kondensatorstruktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenlegung zeigen; und
- 5 ein Rasterelektronenmikroskopbild eines Querschnitts einer beispielhaften Kondensatorstruktur der vorliegenden Offenlegung zeigt, die zum Beispiel gemäß dem in den 4A bis 4E gezeigten Verfahren hergestellt wurde.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
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3 zeigt einen Querschnitt eines verbesserten Kondensators 300 gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenlegung. Der Kondensator 300 kann eine Basispolysiliziumschicht (Poly 1) 310, eine ONO-Struktur 303 (Schichtstapel) mit einer unteren Oxidschicht 308, einer Nitridschicht 306, einer oberen Oxidschicht 304 und einer oberen Polysiliziumschicht (Poly 2) enthalten In einer Ausführungsform kann die untere Oxidschicht 308 aus einem thermisch gewachsenen Oxid bestehen, und die obere Oxidschicht 304 kann aus einem abgeschiedenen Oxid bestehen. In einer Ausführungsform können die untere Oxidschicht 308 und die obere Oxidschicht 304 ein anderes Oxid als Borphosphosilikatglas (BPSG) aufweisen, da BPSG verwendet werden kann, um andere Oxidschichten auszubilden, z. B. einschließlich eines Oxidabstandshalters 312, wie nachstehend ausführlicher erörtert wird. In einer Ausführungsform kann die Nitridschicht 306 ein Siliziumnitrid aufweisen.
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Ein Verfahren zum Ausbilden dieser Abschnitte des Kondensators kann das Abscheiden oder Aufschichten einer Polysilizium-Grundschicht 310, das Abscheiden oder Aufschichten einer Oxidschicht 308, das Abscheiden oder Aufschichten einer Nitridschicht 306 und das Abscheiden oder Aufschichten einer Oxidschicht 304 aufweisen. Eine ONO-Struktur 303 kann jenseits des Endes oder der Seitenwand der eventuellen oberen Polysiliziumschicht 302 abgeschieden oder aufgeschichtet werden, z. B. unter Verwendung eines Distanzstücks 312, das auf der ONO-Struktur 303 abgeschieden oder ausgebildet wird. Das Distanzstück 312 kann BPSG oder eine andere geeignete Oxidschicht enthalten.
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Dementsprechend erstreckt sich die Nitridschicht 306 der ONO-Struktur 303 seitlich über die Polyschicht 302 hinaus. Somit kann verhindert werden, dass Ätzungen oder Defekte einen Pfad ausgehend von den Schichten 302 und 310 ausbilden.
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Die 4A - 4E zeigen ein beispielhaftes Verfahren zum Ausbilden der in 3 gezeigten verbesserten Kondensatorstruktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenlegung.
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Wie in 4A gezeigt, kann eine untere Polysiliziumschicht 410 ausgebildet werden; eine ONO-Struktur 403 kann über der Polysiliziumschicht 410 ausgebildet werden, wobei die ONO-Struktur 403 eine untere Oxidschicht 408, eine Nitridschicht 406 und eine obere Oxidschicht 404 aufweist; und eine obere Polysiliziumschicht (Poly 2) 402 kann über der ONO-Struktur 403 ausgebildet werden.
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Wie in 4B gezeigt, kann die obere Polyschicht 402 derart geätzt werden, dass sich die ONO-Struktur 403 seitlich über den Rand der Polyschicht 402 hinaus erstreckt. Das Ätzen kann beispielsweise selektiv sein, um an der Nitridschicht 406 aufzuhören, so dass die obere Oxidschicht 404, die unter dem entfernten Abschnitt der oberen Polyschicht 402 liegt, durch das Ätzen entfernt wird. Das Entfernen der oberen Oxidschicht 404 neben der Seitenkante der oberen Polyschicht 402 kann dazu beitragen, eine verbesserte Leistung (z. B. eine verringerte Ausfallrate) des resultierenden Kondensators bereitzustellen, wie nachstehend erörtert wird.
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Dann können ein oder mehrere Schritte ausgeführt werden, um ein Distanzstück 412 seitlich neben der Seitenkante der oberen Polyschicht 402 auszubilden und Abschnitte der darunterliegenden Nitridschicht 406 zu entfernen, so dass das Distanzstück 412 einen Abschnitt der Nitridschicht 406 vor dem Wegätzen schützt, der sich seitlich über die die darüber liegende obere Polyschicht 402 erstreckt. Die resultierende Struktur, wie z. B. in 4E gezeigt, umfasst eine Nitridschicht 406, die sich seitlich über die darüber liegende obere Polyschicht 402 hinaus erstreckt, was bestimmte Fehler oder unerwünschte Kondensatoreigenschaften, die oben beschrieben wurden, verringern oder beseitigen kann.
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In einigen Ausführungsformen, z. B. wie nachstehend unter Bezugnahme auf die 4C - 4E erörtert, wird das Distanzstück 412 durch Abscheiden einer Distanzstückoxidschicht und anschließendes Durchführen eines oder mehrerer Ätzvorgänge ausgebildet. In anderen Ausführungsformen kann das Distanzstück 412 auf irgendeine andere Weise ausgebildet werden, z. B. durch Abscheiden von Oxid oder anderem geeigneten Material lokal neben der Seitenkante der oberen Polyschicht 402.
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Wie in 4C gezeigt, kann eine Distanzstückoxidschicht 420 über der Struktur abgeschieden werden. Die Distanzstückoxidschicht 420 kann Borphosphosilikatglas (BPSG) oder eine andere geeignete Oxidschicht aufweisen. In einigen Ausführungsformen wird die Distanzstückoxidschicht 420 aus einem anderen Oxid als die Oxidschichten 404 und 408 von ONO 403 ausgebildet. In anderen Ausführungsformen wird die Distanzstückoxidschicht 420 aus demselben Oxid wie die Oxidschichten 404 und 408 von ONO 403 ausgebildet.
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Ein oder mehrere Ätzprozesse (nachstehend unter Bezugnahme auf 4D und 4E erörtert) können dann durchgeführt werden, um Abschnitte der Distanzstückschicht 420 und der darunter liegenden Nitridschicht 406 zu entfernen, wobei ein Abschnitt der Distanzstückschicht 420 nahe der Seitenkante der oberen Polyschicht 402 liegt (d.h. in der Nähe der Abwärtsschritts von der oberen Polyschicht 402 zur unteren Polyschicht 410) kann als Distanzstück 412 wirken, um einen Abschnitt der Nitridschicht 406, der sich seitlich über die darüber liegende obere Polyschicht 402 hinaus erstreckt, vor dem Wegätzen zu schützen. Somit kann, wie in 4E gezeigt, nach dem Ätzprozess (den Ätzprozessen) die Seitenkante der Nitridschicht 406 mit der Seitenkante des Distanzstücks 412 zusammenfallen und sich somit seitlich über die darüber liegende obere Polyschicht 402 hinaus erstrecken.
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In einer Ausführungsform können mehrere Ätzprozesse an der in 4C gezeigten Struktur durchgeführt werden, um die in 4E gezeigte resultierende Struktur bereitzustellen, in der sich die Nitridschicht 406 seitlich über die Seitenkante der oberen Polyschicht 402 hinaus erstreckt. Unter Bezugnahme auf 4D kann zum Beispiel ein Oxidätzvorgang (der für Nitrid selektiv sein kann, um die Nitridschicht 406 vor dem Ätzen zu schützen) durchgeführt werden, um Abschnitte das Distanzstückoxidschicht 420 zu entfernen, um das Distanzstück 412 zu definieren; und dann kann unter Bezugnahme auf 4E ein Nitridätzen durchgeführt werden, um den Abschnitt der Nitridschicht 406 zu entfernen, der sich lateral über das Oxiddistanzstück 412 hinaus erstreckt. Das Nitridätzen kann ein isotropes Ätzen oder ein anderes geeignetes Ätzen sein. Das Nitridätzen kann für die Polyschichten 402 und 410 selektiv sein und kann für den Oxidabstandshalter 412 selektiv sein oder nicht. Zusätzlich kann das Nitridätzen den Abschnitt der oberen ONO-Oxidschicht 404 über dem Abschnitt der Nitridschicht 406 entfernen, der sich seitlich jenseits des Oxidabstandshalters 412 erstreckt und kann auch einen Abschnitt oder die gesamte untere ONO-Oxidschicht 408 unterhalb des Abschnitts der Nitridschicht 406 entfernen, die sich lateral jenseits des Oxidabstandshalters 412 erstreckt. Das Nitridätzen kann auch einige Abschnitte des Distanzstücks 412 entfernen, so dass dieses wie in 4E gezeigt eine gekrümmte Form aufweist. In anderen Ausführungsformen kann das Oxidätzen, das an der in 4C gezeigten Struktur durchgeführt wird (anstelle des nachfolgenden Nitridätzens), zu der gekrümmten Form des Distanzstücks 412 führen.
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In einer anderen Ausführungsform kann ein einzelner Ätzprozess an der Struktur von 4C durchgeführt werden, um die Struktur von 4E bereitzustellen, wodurch der in 4D gezeigte Zustand übersprungen wird.
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Mit Bezug auf die resultierende Kondensatorstruktur, die in 4E gezeigt ist, kann die laterale Trennung der Abschlusskante der Nitridschicht 406 von den lateralen Kanten der oberen Polyschicht 402 die Feldeffekte in diesem Bereich, die oben in Bezug auf herkömmliche Kondensatorstrukturen erörtert wurden, verringern oder beseitigen.
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5 zeigt einen Kondensator 500 gemäß beispielhaften Ausführungsformen. Der Kondensator 500 kann eine Basis-Polysiliziumschicht 510, eine ONO-Struktur 503 (Schichtstapel) mit einer unteren Oxidschicht 508, einer Nitridschicht 506 und einer oberen Oxidschicht 504 und einer oberen Polysiliziumschicht 502 umfassen. Das Distanzstück 512 kann die Nitridschicht 506 abdecken und schützen, so dass sich das Distanzstück 512 und ein darunter liegender Abschnitt der Nitridschicht 506 seitlich über eine Seitenkante der oberen Polysiliziumschicht 502 hinaus erstrecken.
