DE112017004597B4 - Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur - Google Patents
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Abstract
Ein Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur, das folgende Merkmale aufweist:einen Quantenstrukturdünnfilm (10), der folgende Merkmale umfasst:ein erstes Substrat (1), das eine erste Oberfläche (11), eine Einfalloberfläche (12) aufweist, die der ersten Oberfläche (11) gegenüberliegt und eine Mehrzahl von ersten Mikrostrukturen (13), die auf der Einfalloberfläche (12) gebildet sind, wobei die ersten Mikrostrukturen (13) aus Poly(methylmethacrylat), Polyurethan, Silikon und Kombinationen davon bestehen,ein zweites Substrat (2), das von dem ersten Substrat (1) beabstandet ist und das eine zweite Oberfläche (21), die der ersten Oberfläche (11) des ersten Substrats (1) zugewandt ist, und eine Lichtaustrittsoberfläche (22) aufweist, die der zweiten Oberfläche (21) gegenüberliegt, undeine Anregungsschicht (3), die zwischen der ersten Oberfläche (11) des ersten Substrats (1) und der zweiten Oberfläche (21) des zweiten Substrats (2) angeordnet ist und die eine Mehrzahl von Quantenstrukturen (31) umfasst, wobei die Quantenstrukturen (31) Quantenpunkte sind, von denen jeder eine Abmessung in einem Bereich von 9 nm bis 13 nm aufweist und aus Cäsium-Blei-Halogenid oder Organisches-Ammonium-Blei-Halogenid bestehen; undeine Licht-emittierende Einheit (4), die von dem Quantenstrukturdünnfilm (10) beabstandet ist und die ein erstes Licht-emittierendes Element (41), das blaues Licht emittiert, und ein zweites Licht-emittierendes Element (42) umfasst, das rotes Licht emittiert, wobei das durch das erste Licht-emittierende Element (41) emittierte blaue Licht und das durch das zweite Licht-emittierende Element (42) emittierte rote Licht durch das erste Substrat (1) verlaufen und in die Anregungsschicht (3) eintreten, das blaue Licht die Quantenstrukturen (31) dahingehend anregt, grünes Licht zu emittieren, und das rote Licht, das blaue Licht und das grüne Licht gemischt werden und aus der Lichtaustrittsoberfläche (22) des zweiten Substrats (2) austreten.
Description
- Technisches Gebiet
- Die Offenbarung bezieht sich auf ein Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur, insbesondere auf ein Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur, das mehrere Quantenstrukturen umfasst, die aus Cäsium-Blei-Halogenid oder Organisches-Ammonium-Blei-Halogenid bestehen.
- Hintergrund der Erfindung
- Ein herkömmliches Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur umfasst eine Lichtemittierende Einheit und einen Quantenstrukturdünnfilm, der eine Mehrzahl von Quantenpunkten umfasst. Die Licht-emittierende Einheit emittiert ein erstes Licht, um den Quantenstrukturdünnfilm dahingehend anzuregen, ein zweites Licht zu emittieren, das sich mit dem ersten Licht mischt, um ein gewünschtes Ausgabelicht zu bilden. Beispielsweise emittiert eine Blaulicht-emittierende Einheit blaues Licht, um die Quantenpunkte dahingehend anzuregen, rotes Licht und grünes Licht zu emittieren, die sich mit dem blauen Licht mischen, um weißes Licht zu bilden. Die Eigenschaft der Lichtantwort der Quantenpunkte kann angepasst werden, indem die Größe oder das Material der Quantenpunkte geändert wird.
- Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur kann in einem Rücklichtmodul einer Anzeigevorrichtung verwendet werden. Die Anzeigevorrichtung, die das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur umfasst, weist einen hervorragenden Farbpegel, eine hervorragende Farbart, einen hervorragenden Farbbereich und eine hervorragende Farbsättigung auf.
- Herkömmlicherweise werden Cadmium-haltige Halbleitermaterialien wie etwa Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid, Cadmiumtellurid, usw. weit verbreitet zur Herstellung der Quantenpunkte verwendet. Die toxische Natur der Cadmium-haltigen Halbleitermaterialien hat Wissenschaftler jedoch dazu veranlasst, nach alternativen Materialien wie etwa CsPbX3 zu suchen, wobei X Fluor, Brom, lod oder Kombinationen davon sein kann. Das von den Quantenpunkten emittierte Licht kann geändert werden, indem das Verhältnis von Fluor, Brom und lod geändert wird, oder indem die Größe der Quantenpunkte geändert wird. Eine Blaulicht-emittierende Einheit wird oft zum Anregen der CsPbX3-Quantenpunkte dahingehend verwendet, rotes und grünes Licht zu erhalten. Jedoch weist ein derartiger Anregungsmechanismus jedoch das Problem auf, dass die Menge an rotem Licht nicht ausreicht, was zu einem schlechten Farbbereich der Anzeigevorrichtung führt.
- Die Druckschrift
US 2016/0116121 A1 - Die Druckschrift
US 2016/0225955 A1 - Die Druckschriften CN 104861958 A /
EP 3296378 A1 beziehen sich auf ein Perowskit/Polymer-Komposit-Lumineszenzmaterial und dessen Herstellungsverfahren und Verwendung. - Kurzdarstellung der Erfindung
- Daher besteht eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung darin, ein Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur bereitzustellen, das zumindest einen der Nachteile, die mit dem Stand der Technik in Verbindung stehen, mindern kann.
- Die Erfindung ist im beigefügten Anspruchssatz beschrieben.
- Gemäß einem Aspekt dieser Offenbarung umfasst ein Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur einen Quantenstrukturdünnfilm und eine Licht-emittierende Einheit.
- Der Quantenstrukturdünnfilm umfasst ein erstes Substrat, ein zweites Substrat und eine Anregungsschicht. Das erste Substrat weist eine erste Oberfläche und eine Einfalloberfläche auf, die der ersten Oberfläche gegenüberliegt. Das zweite Substrat ist von dem ersten Substrat beabstandet und weist eine zweite Oberfläche, die der ersten Oberfläche des ersten Substrats zugewandt ist, und eine Lichtaustrittsoberfläche auf, die der zweiten Oberfläche gegenüberliegt. Die Anregungsschicht ist zwischen der ersten Oberfläche des ersten Substrats und der zweiten Oberfläche des zweiten Substrats angeordnet und umfasst eine Mehrzahl von Quantenstrukturen. Die Quantenstrukturen sind entweder Quantenpunkte oder Quantenstäbe und bestehen aus Cäsium-Blei-Halogenid oder Organisches-Ammonium-Blei-Halogenid.
- Die Licht-emittierende Einheit ist von dem Quantenstrukturdünnfilm beabstandet und umfasst ein erstes Licht-emittierendes Element, das blaues Licht emittiert, und ein zweites Licht-emittierendes Element, das rotes Licht emittiert.
- Das durch das erste Licht-emittierende Element emittierte blaue Licht und das durch das zweite Licht-emittierende Element emittierte rote Licht verlaufen durch das erste Substrat und treten in die Anregungsschicht ein. Das blaue Licht regt die Quantenstrukturen dahingehend an, grünes Licht zu emittieren. Das rote Licht, das blaue Licht und das grüne Licht werden gemischt und treten aus der Lichtaustrittsoberfläche des zweiten Substrats aus.
- Figurenliste
- Weitere Merkmale und Vorteile der Offenbarung werden in der folgenden ausführlichen Beschreibung der Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ersichtlich, in denen:
-
1 eine Teilquerschnittsseitenansicht eines ersten Ausführungsbeispiels eines Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung ist; -
2 eine Teilquerschnittsseitenansicht eines zweiten Ausführungsbeispiels des Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung ist; -
3 eine Teilquerschnittsseitenansicht eines dritten Ausführungsbeispiels des Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung ist; -
4 eine schematische Teilansicht des dritten Ausführungsbeispiels ist, die eine relative Position einer Licht-emittierenden Einheit und einer Lichtführungsplatte des dritten Ausführungsbeispiels zeigt; und -
5 eine Teilquerschnittsseitenansicht eines vierten Ausführungsbeispiels des Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung ist. - Ausführliche Beschreibung
- Bevor die Offenbarung ausführlich beschrieben wird, ist zu beachten, dass an geeigneter Stelle Bezugszeichen oder Endabschnitte von Bezugszeichen in den Figuren wiederholt wurden, um entsprechende oder analoge Elemente aufzuzeigen, die optionaler Weise ähnliche Eigenschaften aufweisen können.
- Unter Bezugnahme auf
1 umfasst ein erstes Ausführungsbeispiel eines Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung einen Quantenstrukturdünnfilm 10 und eine Licht-emittierende Einheit 4. Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur dieser Offenbarung kann in einer Anzeigevorrichtung (nicht gezeigt) verwendet werden. - Der Quantenstrukturdünnfilm 10 umfasst ein erstes Substrat 1, ein zweites Substrat 2 und eine Anregungsschicht 3. Das erste Substrat 1 weist eine erste Oberfläche 11 und eine Einfalloberfläche 12 auf, die der ersten Oberfläche 11 gegenüberliegt. Das zweite Substrat 2 ist von dem ersten Substrat 1 beabstandet und weist eine zweite Oberfläche 21, die der ersten Oberfläche 11 des ersten Substrats 1 zugewandt ist, und eine Lichtaustrittsoberfläche 22 auf, die der zweiten Oberfläche 21 gegenüberliegt. Das erste Substrat 1 und das zweite Substrat 2 bestehen jeweils aus Polyethylenterephthalat, zyklischem Olefincopolymer, Polyimid, Polyethersulfon, Polyethylennaphthalat, Polycarbonat und Kombinationen davon.
- Die Anregungsschicht 3 ist zwischen der ersten Oberfläche 11 des ersten Substrats 1 und der zweiten Oberfläche 21 des zweiten Substrats 2 angeordnet und umfasst einen Hauptkörper 32 sowie eine Mehrzahl von Quantenstrukturen 31, die in dem Hauptkörper 32 verteilt sind. Die Quantenstrukturen 31 können durch blaues Licht dahingehend angeregt werden, grünes Licht zu emittieren. Die Quantenstrukturen 31 sind entweder Quantenpunkte oder Quantenstäbe. Wenn die Quantenstrukturen 31 Quantenpunkte sind, können die Quantenstrukturen 31 jeweils eine Abmessung im Bereich von 9 nm bis 13 nm aufweisen, so dass das durch die Quantenstrukturen 31 emittierte grüne Licht nahe an reinem grünen Licht ist, wodurch ermöglicht wird, dass die Anzeigevorrichtung einen hervorragenden Farbbereich aufweist. Die Quantenstrukturen 31 bestehen entweder aus Cäsium-Blei-Halogenid oder Organisches-Ammonium-Blei-Halogenid. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist das Cäsium-Blei-Halogenid CsPbBr3 und das Organisches-Ammonium-Blei-Halogenid ist CH3NH3PbBr3. Durch die Verwendung des oben erwähnten Perovskit-Materials sind die Quantenstrukturen 31 frei von Cadmium und damit umweltfreundlich.
- Bei bestimmten Ausführungsbeispielen kann eine Oberfläche des ersten Substrats 1 und des zweiten Substrats 2 mit einem wasserbeständigen Film gebildet sein, der verhindern kann, dass Feuchtigkeit das erste Substrat 1 und das zweite Substrat 2 durchdringt und somit die Anregungsschicht 3 beeinflusst.
- Bei der Herstellung der Anregungsschicht 3 werden die Quantenstrukturen 31 in eine Ölsäurelösung oder eine Oleylaminlösung eingetaucht, die für einen vorbestimmten Zeitraum eine vorbestimmte Konzentration aufweist, um die Quantenstrukturen 31 mit gewünschten Abmessungen zu erhalten. Die Ölsäurelösung oder die Oleylaminlösung verbessert außerdem die Lichtstabilität der Quantenstrukturen 31. Anschließend werden die behandelten Quantenstrukturen 31 in einem kolloidalen System verteilt, das aus einem lichtdurchlässigen Harz bestehen und als Lichthomogenisator dienen kann. Dann kann das kolloidale System mit den Quantenstrukturen 31 auf die erste Oberfläche 11 des ersten Substrats 1 oder die zweite Oberfläche 21 des zweiten Substrats 2 beschichtet werden, um den Hauptkörper 32 zu bilden, bei dem die Quantenstrukturen 31 verteilt sind. Basierend auf tatsächlichen Anforderungen kann die Anregungsschicht 3 einem Ausglühen unterzogen werden, um die Bandlücke zu ändern und Defekte der Quantenstrukturen 31 zu verringern, um eine Lichteffizienz der Anregungsschicht 3 zu verbessern.
- Die Licht-emittierende Einheit 4 ist von dem Quantenstrukturdünnfilm 10 beabstandet und umfasst eine Schaltungsplatine 43. Die Licht-emittierende Einheit 4 umfasst ferner eine Mehrzahl von ersten Licht-emittierenden Elementen 41 und eine Mehrzahl von zweiten Licht-emittierenden Elementen 42, die abwechselnd auf der Schaltungsplatine 43 angeordnet sind. Jedes der ersten Licht-emittierenden Elemente 41 kann eine Blaulicht-emittierende Diode sein, die dazu in der Lage ist, blaues Licht zu emittieren. Jedes der zweiten Licht-emittierenden Elemente 42 kann eine Rotlicht-emittierende Diode sein, die dazu in der Lage ist, rotes Licht zu emittieren. Bei bestimmten Ausführungsbeispielen kann jedes der zweiten Licht-emittierenden Elemente 42 Kaliumfluorsilikatphosphor umfassen. Im Einzelnen kann jedes der zweiten Licht-emittierenden Elemente 42 K2SiF6:Mn4+-Phosphor umfassen, wodurch ermöglicht wird, dass das zweite Lichtemittierende Element 42 das rote Licht mit schmaler voller Breite bei halbem Maximum, hoher Energie emittieren kann, so dass der Farbbereich der Anzeigevorrichtung verbessert ist.
- Das durch die Licht-emittierenden Elemente 41 emittierte blaue Licht und das durch die zweiten Licht-emittierenden Elemente 42 emittierte rote Licht verlaufen durch das erste Substrat 1 und treten in die Anregungsschicht 3 ein. Das blaue Licht regt die Quantenstrukturen 31 dahingehend an, grünes Licht zu emittieren. Das rote Licht, das blaue Licht und das grüne Licht werden dahingehend gemischt, weißes Licht zu bilden, und verlassen die Lichtaustrittsoberfläche 22 des zweiten Substrats 2. Das grüne Licht kann eine dominante Wellenlänge in einem Bereich von 520 nm bis 540 nm aufweisen.
- Unter Bezugnahme auf
2 weist ein zweites Ausführungsbeispiel des Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung eine Struktur auf, die im Vergleich zu der des ersten Ausführungsbeispiels modifiziert ist. Bei dem zweiten Ausführungsbeispiel weist das erste Substrat 1 ferner eine Mehrzahl von ersten Mikrostrukturen 13 auf, die auf der Einfalloberfläche 12 gebildet sind, und das zweite Substrat 2 weist ferner eine Mehrzahl von zweiten Mikrostrukturen 23 auf, die auf der Lichtaustrittsoberfläche 22 gebildet sind. Die ersten Mikrostrukturen 13 und die zweiten Mikrostrukturen 23 können eine Lichtstreuung und Lichthomogenisierung des zweiten Ausführungsbeispiels verbessern und können aus Poly(methylmethacrylat), Polyurethan, Silikon und Kombinationen davon bestehen. Die Form jeder der ersten Mikrostrukturen 13 und der zweiten Mikrostrukturen 23 kann identisch sein oder sich voneinander unterscheiden und kann konisch, halbkreisförmig, hexagonal oder unregelmäßig sein. Die ersten Mikrostrukturen 13 brechen einfallendes Licht, wodurch die Anzahl an Strahlengängen des blauen Lichts in der Anregungsschicht 3 erhöht wird, um die Quantenstruktur 31 effektiver anzuregen, wodurch ermöglicht wird, dass die Anzeigevorrichtung einen verbesserten Farbbereich und eine verbesserte Farbsättigung bescerzielt. Die zweiten Mikrostrukturen 23 mildern die Totalreflexion des austretenden Lichts und verbessern so die Effizienz der Lichtextrahierung des zweiten Ausführungsbeispiels. - Es ist zu beachten, dass die Gestaltung des ersten und des zweiten Ausführungsbeispiels als Direktbelichtungsgestaltung bekannt sind, wobei die ersten Licht-emittierenden Elemente 41 und die zweiten Licht-emittierenden Elemente 42 auf die Einfalloberfläche 12 des ersten Substrats 1 zeigen. Unter Bezugnahme auf
3 und4 weist ein drittes Ausführungsbeispiel des Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung eine Struktur auf, die im Vergleich zu der des ersten Ausführungsbeispiels modifiziert ist. Das dritte Ausführungsbeispiel ist eine randbeleuchtete Gestaltung und umfasst ferner eine Lichtführungsplatte 5, die an einer Seite der Einfalloberfläche 12 des ersten Substrats 1 angeordnet ist. Die Lichtführungsplatte 5 weist eine Lichtaustrittslichtführungsoberfläche 51, die der Einfalloberfläche 12 des ersten Substrats 1 zugewandt ist, eine Reflexionslichtführungsoberfläche 52, die der Lichtaustrittslichtführungsoberfläche 51 gegenüberliegt, und eine Einfalllichtführungsoberfläche 53 auf, die die Lichtaustrittslichtführungsoberfläche 51 und die Reflexionslichtführungsoberfläche 52 verbindet. Die Reflexionslichtführungsoberfläche 52 kann mit einer Punktarraystruktur gebildet sein und ist dazu in der Lage, Lichter zu reflektieren. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind die ersten Licht-emittierenden Elemente 41 und die zweiten Licht-emittierenden Elemente 42 abwechselnd entlang einer langen Seite der Einfalllichtführungsoberfläche 53 der Lichtführungsplatte 5 angeordnet (siehe4 ) und zeigen auf die Einfalllichtführungsoberfläche 53. Das durch jedes der ersten Licht-emittierenden Elemente 41 emittierte blaue Licht und das durch jedes der zweiten Licht-emittierenden Elemente 42 emittierte rote Licht verlaufen durch die Einfalllichtführungsoberfläche 53 der Lichtführungsplatte 5 und werden durch die Reflexionslichtführungsoberfläche 52 zu der Lichtaustrittslichtführungsoberfläche 51 geleitet und treten dann aus der Lichtaustrittslichtführungsoberfläche 51 zu der Einfalloberfläche 12 des ersten Substrats 1 des Quantenstrukturdünnfilms 10 aus. - Unter Bezugnahme auf
5 weist ein viertes Ausführungsbeispiel des Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung eine Struktur auf, die im Vergleich zu der des ersten Ausführungsbeispiels modifiziert ist. Bei dem vierten Ausführungsbeispiel umfasst der Quantenstrukturdünnfilm 10 ferner zwei Wasserbeständigkeitseinheiten 6, die jeweils zwischen dem ersten Substrat 1 und der Anregungsschicht 3 bzw. zwischen dem zweiten Substrat 2 und der Anregungsschicht 3 angeordnet sind. Jede der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 umfasst eine Wasserbeständigkeitsschicht 61 und eine Kombinierungsschicht 62. - Die Wasserbeständigkeitsschichten 61 der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 sind jeweils auf der ersten Oberfläche 11 des ersten Substrats 1 bzw. der zweiten Oberfläche 21 des zweiten Substrats 2 gebildet. Die Wasserbeständigkeitsschicht 61 jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 bestehen aus einem organischen Material und einem anorganischen Material und sind feuchtigkeitsundurchlässig. Das organische Material kann Hexamethyldisiloxan sein. Das anorganische Material kann Metallnitrid, Metalloxid oder Metallstickstoffoxid sein. Die Wasserbeständigkeitsschicht 61 jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 weist eine Dicke in einem Bereich von 5 nm bis 200 nm auf und kann verhindern, dass Feuchtigkeit das erste Substrat 1 und das zweite Substrat 2 durchdringt und die Anregungsschicht 3 beeinflusst.
- Die Kombinationsschicht 62 jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 ist zwischen der Wasserbeständigkeitsschicht 61 der Wasserbeständigkeitseinheit 6 und der Anregungsschicht 3 angeordnet und besteht aus einem organischen Material. Bei einem bestimmten Ausführungsbeispiel besteht die Kombinationsschicht 62 jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 aus Methylmethacrylat, Epoxymethacrylat, Epoxyacrylaten, Bisphenol-A-Ethoxylatdimethacrylat, Hexandioldiacrylat, Bisphenol-A-Epoxyacrylat und Kombinationen davon. Die Kombinationsschichten 62 der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 fungieren dahingehend, eine Anhaftung zwischen den Wasserbeständigkeitsschichten 61 der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 und der Anregungsschicht 3 zu erhöhen und außerdem zu verhindern, dass Feuchtigkeit das erste Substrat 1 und das zweite Substrat 2 durchdringt. Die Kombinationsschicht 62 jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 weist eine Dicke von rund 1 µm auf.
- Die Kombinationsschichten 62 der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 werden durch Beschichten und Wärmehärten gebildet. Die Wasserbeständigkeitsschichten 61 der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 werden durch eine Zerstäubungstechnik gebildet. Es ist zu beachten, dass das zwischen den organischen und anorganischen Materialien während des Zerstäubens gebildete Bonding sicherstellen kann, dass die Wasserbeständigkeitsschichten 61 mit geringerer Wahrscheinlichkeit reißen, wodurch eine hervorragende wasserbeständige Eigenschaft bereitgestellt wird.
- Feuchtigkeit kann die Lebensdauer des Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur negativ beeinflussen. Nach längerem Kontakt mit Feuchtigkeit kann die Effizienz der Anregungsschicht 3 aufgrund einer Rissbildung beeinträchtigt werden. Die Wasserbeständigkeitsschichten 61 und die Kombinationsschichten 62 der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 haften nicht nur gut an der Anregungsschicht 3 an, sondern versehen die Anregungsschicht 3 mit einer wasserbeständigen Eigenschaft. Zusätzlich dazu wird die Gesamtdicke der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 dahingehend gesteuert, dem Licht-emittierenden Modul mit Quantenstrukturen nicht zu viel Volumen hinzuzufügen.
- Es ist zu beachten, dass aufgrund von praktischen Anforderungen eine der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 weggelassen werden kann. Die Wasserbeständigkeitseinheiten 6 können außerdem an das zweite Ausführungsbeispiel angepasst werden, wo die Wasserbeständigkeitseinheiten 6 jeweils zwischen den ersten Mikrostrukturen 13 und der Anregungsschicht 3 bzw. den zweiten Mikrostrukturen 23 und der Anregungsschicht 3 angeordnet sind.
- Zusammenfassend lässt sich sagen, dass das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur dieser Offenbarung das durch die ersten Licht-emittierende Elemente 41 emittierte blaue Licht dahingehend nutzt, die Quantenstrukturen 31 dazu anzuregen, das grüne Licht zu emittieren. Das blaue Licht und das grüne Licht werden mit dem durch die zweiten Licht-emittierenden Elemente 42 emittierten roten Licht gemischt, um das weiße Licht zu erzeugen. Ein herkömmliches Licht-emittierendes Modul erzeugt rotes Licht durch die Verwendung von unscharfer Lichtanregung. Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur dieser Offenbarung weist eine stärkere Rotlichtintensität auf, wodurch ermöglicht wird, dass die Anzeigevorrichtung, die das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur umfasst, einen hervorragenden Farbbereich, eine hervorragende Farbsättigung und eine hervorragende Intensität des weißen Lichts aufweist. Wenn die zweiten Licht-emittierenden Elemente 42 K2SiF6:Mn4+-Phosphor umfassen, werden der Farbbereich und die Farbsättigung der Anzeigevorrichtung weiter verbessert.
- In der oben genannten Beschreibung wurden zu Erklärungszwecken zahlreiche spezifische Details dargelegt, um ein eingehendes Verständnis der exemplarischen Ausführungsbeispiele bereitzustellen. Es ist Fachleuten jedoch ersichtlich, dass eines oder mehrere andere Ausführungsbeispiele ohne einige dieser spezifischen Details genutzt werden können. Es sei außerdem darauf hingewiesen, dass die Bezugnahme in dieser Beschreibung auf „ein Ausführungsbeispiel“, ein Ausführungsbeispiel mit einer Anzeige einer Ordnungszahl usw. bedeutet, dass ein bestimmtes Merkmal, eine Struktur oder eine Eigenschaft in der Nutzung der Offenbarung umfasst ist. Es sei ferner darauf hingewiesen, dass in der Beschreibung mehrere Merkmale manchmal in einem einzelnen Ausführungsbeispiel, einer Figur oder Beschreibung derselben mit dem Ziel zusammengefasst sind, die Offenbarung zu straffen und das Verständnis mehrerer erfinderischer Aspekte zu unterstützen.
- Obwohl die Offenbarung in Verbindung mit den als exemplarisch betrachteten Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist zu beachten, dass diese Offenbarung nicht auf die Ausführungsbeispiele beschränkt ist, es jedoch beabsichtigt ist, dass dieselbe zahlreiche Anordnungen abdeckt, die in der Wesensart und dem Schutzumfang der breitesten Interpretation enthalten sind, um alle derartigen Modifizierungen und äquivalenten Anordnungen zu umfassen.
Claims (17)
- Ein Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur, das folgende Merkmale aufweist: einen Quantenstrukturdünnfilm (10), der folgende Merkmale umfasst: ein erstes Substrat (1), das eine erste Oberfläche (11), eine Einfalloberfläche (12) aufweist, die der ersten Oberfläche (11) gegenüberliegt und eine Mehrzahl von ersten Mikrostrukturen (13), die auf der Einfalloberfläche (12) gebildet sind, wobei die ersten Mikrostrukturen (13) aus Poly(methylmethacrylat), Polyurethan, Silikon und Kombinationen davon bestehen, ein zweites Substrat (2), das von dem ersten Substrat (1) beabstandet ist und das eine zweite Oberfläche (21), die der ersten Oberfläche (11) des ersten Substrats (1) zugewandt ist, und eine Lichtaustrittsoberfläche (22) aufweist, die der zweiten Oberfläche (21) gegenüberliegt, und eine Anregungsschicht (3), die zwischen der ersten Oberfläche (11) des ersten Substrats (1) und der zweiten Oberfläche (21) des zweiten Substrats (2) angeordnet ist und die eine Mehrzahl von Quantenstrukturen (31) umfasst, wobei die Quantenstrukturen (31) Quantenpunkte sind, von denen jeder eine Abmessung in einem Bereich von 9 nm bis 13 nm aufweist und aus Cäsium-Blei-Halogenid oder Organisches-Ammonium-Blei-Halogenid bestehen; und eine Licht-emittierende Einheit (4), die von dem Quantenstrukturdünnfilm (10) beabstandet ist und die ein erstes Licht-emittierendes Element (41), das blaues Licht emittiert, und ein zweites Licht-emittierendes Element (42) umfasst, das rotes Licht emittiert, wobei das durch das erste Licht-emittierende Element (41) emittierte blaue Licht und das durch das zweite Licht-emittierende Element (42) emittierte rote Licht durch das erste Substrat (1) verlaufen und in die Anregungsschicht (3) eintreten, das blaue Licht die Quantenstrukturen (31) dahingehend anregt, grünes Licht zu emittieren, und das rote Licht, das blaue Licht und das grüne Licht gemischt werden und aus der Lichtaustrittsoberfläche (22) des zweiten Substrats (2) austreten.
- Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 1 , wobei das Cäsium-Blei-Halogenid CsPbBr3 ist und das Organisches-Ammonium-Blei-Halogenid CH3NH3PbBr3 ist. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 1 , wobei das zweite Licht-emittierende Element (42) eine Rotlicht-emittierende Diode ist, die Kaliumfluorsilikatphosphor umfasst. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 1 , wobei das durch die Quantenstrukturen (31) emittierte grüne Licht eine dominante Wellenlänge in einem Bereich von 520 nm bis 540 nm aufweist. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 1 , wobei das zweite Substrat (2) ferner eine Mehrzahl von zweiten Mikrostrukturen (23) aufweist, die auf der Lichtaustrittsoberfläche (22) gebildet sind. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 1 , wobei das erste Licht-emittierende Element (41) und das zweite Licht-emittierende Element (42) auf die Einfalloberfläche (12) des ersten Substrats (1) zeigen. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 1 , das ferner eine Lichtführungsplatte (5) aufweist, die an einer Seite der Einfalloberfläche (12) des ersten Substrats (1) angeordnet ist, wobei die Lichtführungsplatte (5) eine Lichtaustrittslichtführungsoberfläche (51), die auf die Einfalloberfläche (12) des ersten Substrats (1) zeigt, eine Reflexionslichtführungsoberfläche (52), die der Lichtaustrittslichtführungsoberfläche (51) gegenüberliegt, und eine Einfalllichtführungsoberfläche (53) aufweist, die die Lichtaustrittslichtführungsoberfläche (51) und die Reflexionslichtführungsoberfläche (52) verbindet, wobei das erste Lichtemittierende Element (41) und das zweite Licht-emittierende Element (42) auf die Einfalllichtführungsoberfläche (53) zeigen. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 1 , wobei der Quantenstrukturdünnfilm (10) ferner zumindest eine Wasserbeständigkeitseinheit (6) aufweist, die zwischen dem ersten Substrat (1) und der Anregungsschicht (3) oder dem zweiten Substrat (2) und der Anregungsschicht (3) angeordnet ist, wobei die Wasserbeständigkeitseinheit (6) eine Wasserbeständigkeitsschicht (61) umfasst, die aus einem organischem Material und einem anorganischen Material besteht und die feuchtigkeitsundurchlässig ist. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 8 , wobei das organische Material der Wasserbeständigkeitsschicht (61) Hexamethyldisiloxan ist, wobei das anorganische Material der Wasserbeständigkeitsschicht (61) Metallnitrid, Metalloxid oder Metallstickstoffoxid ist. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 8 , wobei die Wasserbeständigkeitsschicht (61) eine Dicke in einem Bereich von 5 nm bis 200 nm aufweist. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 8 , wobei die Wasserbeständigkeitseinheit (6) ferner eine Kombinierungsschicht (62) aufweist, die zwischen der Wasserbeständigkeitsschicht (61) und der Anregungsschicht (3) angeordnet ist und die aus einem organischen Material besteht. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 11 , wobei die Kombinierungsschicht (62) aus Methylmethacrylat, Epoxymethacrylat, Epoxyacrylaten, Bisphenol-A-Ethoxylatdimethacrylat, Hexandioldiacrylat, Bisphenol-A-Epoxyacrylat und Kombinationen davon besteht. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 1 , wobei der Quantenstrukturdünnfilm (10) ferner zwei Wasserbeständigkeitseinheiten (6) umfasst, die jeweils zwischen dem ersten Substrat (1) und der Anregungsschicht (3) bzw. dem zweiten Substrat (2) und der Anregungsschicht (3) angeordnet sind, wobei jede der Wasserbeständigkeitseinheiten (6) eine Wasserbeständigkeitsschicht (61) umfasst, die aus einem organischen Material und einem anorganischen Material besteht und die feuchtigkeitsundurchlässig ist. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 13 , wobei das organische Material der Wasserbeständigkeitsschicht (61) jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten (6) Hexamethyldisiloxan ist, wobei die anorganische Schicht der Wasserbeständigkeitsschicht (61) jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten (6) Metallnitrid, Metalloxid oder Metallstickstoffoxid ist. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 13 , wobei die Wasserbeständigkeitsschicht (61) jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten (6) eine Dicke in einem Bereich von 5 nm bis 200 nm aufweist. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 13 , wobei jede der Wasserbeständigkeitseinheiten (6) ferner eine Kombinierungsschicht (62) umfasst, die zwischen der Wasserbeständigkeitsschicht (61) der Wasserbeständigkeitseinheit (6) und der Anregungsschicht (3) angeordnet ist und die aus einem organischen Material besteht. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 16 , wobei die Kombinierungsschicht (62) jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten (6) aus Methylmethacrylat, Epoxymethacrylat, Epoxyacrylaten, Bisphenol-A-Ethoxylatdimethacrylat, Hexandioldiacrylat, Bisphenol-A-Epoxyacrylat und Kombinationen davon besteht.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11898744B2 (en) * | 2016-09-13 | 2024-02-13 | Sic Technology Co. Ltd | Quantum structure thin film and quantum structure light-emitting module including the same |
CN110975919B (zh) * | 2019-12-25 | 2021-06-01 | 福州大学 | 一种氮掺杂碳量子点原位生长脱硝抗硫催化剂及其制备方法 |
CN112542537B (zh) * | 2020-12-02 | 2022-10-04 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种量子点膜层、背光模组及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008117879A (ja) | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Harison Toshiba Lighting Corp | 平面発光装置 |
CN104861958A (zh) | 2015-05-14 | 2015-08-26 | 北京理工大学 | 一种钙钛矿/聚合物复合发光材料及其制备方法 |
US20160116121A1 (en) | 2013-06-28 | 2016-04-28 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Led backlight light source |
US20160225955A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101358717A (zh) * | 2008-09-10 | 2009-02-04 | 深圳市中电淼浩固体光源有限公司 | 一种使用白色led光源的lcd背光系统 |
KR101577300B1 (ko) * | 2008-10-28 | 2015-12-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점을 이용한 백색광 발광다이오드 구조 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 |
KR101961931B1 (ko) * | 2011-12-20 | 2019-03-26 | 미래나노텍(주) | 조명용 광학부재 및 이를 이용하는 조명장치 |
KR101426448B1 (ko) * | 2012-11-09 | 2014-08-05 | 주식회사 엘엠에스 | 나노 복합체, 이를 포함하는 광학 부재 및 백라이트 유닛 |
US9580648B2 (en) * | 2013-03-15 | 2017-02-28 | General Electric Company | Color stable red-emitting phosphors |
JP6230974B2 (ja) * | 2013-08-26 | 2017-11-15 | 富士フイルム株式会社 | 光変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに光変換部材の製造方法 |
CN104421754A (zh) * | 2013-08-27 | 2015-03-18 | 信利半导体有限公司 | Led光源及包括该led光源的背光源、液晶显示器 |
KR102116823B1 (ko) * | 2013-09-13 | 2020-06-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광원, 그것의 제조 방법, 및 그것을 포함하는 백라이트 유닛 |
KR20160042226A (ko) * | 2014-10-07 | 2016-04-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정표시장치 |
CN104388089B (zh) * | 2014-11-04 | 2017-06-06 | 深圳Tcl新技术有限公司 | 一种杂化钙钛矿量子点材料的制备方法 |
EP3343279A3 (de) * | 2015-01-13 | 2018-07-25 | Samsung Display Co., Ltd | Anzeigevorrichtung |
CN106907578A (zh) * | 2015-12-22 | 2017-06-30 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 照明装置 |
-
2017
- 2017-08-14 JP JP2019535994A patent/JP6817451B2/ja active Active
- 2017-08-14 US US16/332,322 patent/US20190221721A1/en not_active Abandoned
- 2017-08-14 DE DE112017004597.5T patent/DE112017004597B4/de active Active
- 2017-08-14 KR KR1020197010591A patent/KR20190055140A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-08-14 WO PCT/IB2017/054934 patent/WO2018051199A1/en active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008117879A (ja) | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Harison Toshiba Lighting Corp | 平面発光装置 |
US20160116121A1 (en) | 2013-06-28 | 2016-04-28 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Led backlight light source |
US20160225955A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
CN104861958A (zh) | 2015-05-14 | 2015-08-26 | 北京理工大学 | 一种钙钛矿/聚合物复合发光材料及其制备方法 |
EP3296378A1 (de) | 2015-05-14 | 2018-03-21 | Beijing Institute Of Technology | Lumineszentes perowskit/polymer-verbundstoffmaterial, herstellungsverfahren und anwendung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190221721A1 (en) | 2019-07-18 |
JP2019534543A (ja) | 2019-11-28 |
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WO2018051199A1 (en) | 2018-03-22 |
DE112017004597T5 (de) | 2019-08-08 |
KR20190055140A (ko) | 2019-05-22 |
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