DE112017004597T5 - Licht-emittierendes modul mit quantenstruktur - Google Patents
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Abstract
Ein Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur umfasst einen Quantenstrukturdünnfilm und eine Licht-emittierende Einheit. Der Quantenstrukturdünnfilm umfasst ein erstes und ein zweites Substrat sowie eine Anregungsschicht, die zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat angeordnet ist und die mehrere Quantenstrukturen umfasst, welche Quantenpunkte oder Quantenstäbe sind und aus Cäsium-Blei-Halogenid oder Organisches-Ammonium-Blei-Halogenid bestehen. Die Licht-emittierende Einheit umfasst ein erstes Licht-emittierendes Element, das blaues Licht emittiert, welches dahingehend in die Anregungsschicht eintritt, die Quantenstrukturen dazu anzuregen, grünes Licht zu emittieren, sowie ein zweites Licht-emittierendes Element, das rotes Licht emittiert. Das blaue, rote und grüne Licht werden gemischt und verlassen das zweite Substrat.
Description
- Technisches Gebiet
- Die Offenbarung bezieht sich auf ein Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur, insbesondere auf ein Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur, das mehrere Quantenstrukturen umfasst, die aus Cäsium-Blei-Halogenid oder Organisches-Ammonium-Blei-Halogenid bestehen.
- Hintergrund der Erfindung
- Ein herkömmliches Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur umfasst eine Licht-emittierende Einheit und einen Quantenstrukturdünnfilm, der eine Mehrzahl von Quantenpunkten umfasst. Die Licht-emittierende Einheit emittiert ein erstes Licht, um den Quantenstrukturdünnfilm dahingehend anzuregen, ein zweites Licht zu emittieren, das sich mit dem ersten Licht mischt, um ein gewünschtes Ausgabelicht zu bilden. Beispielsweise emittiert eine Blaulicht-emittierende Einheit blaues Licht, um die Quantenpunkte dahingehend anzuregen, rotes Licht und grünes Licht zu emittieren, die sich mit dem blauen Licht mischen, um weißes Licht zu bilden. Die Eigenschaft der Lichtantwort der Quantenpunkte kann angepasst werden, indem die Größe oder das Material der Quantenpunkte geändert wird.
- Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur kann in einem Rücklichtmodul einer Anzeigevorrichtung verwendet werden. Die Anzeigevorrichtung, die das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur umfasst, weist einen hervorragenden Farbpegel, eine hervorragende Farbart, einen hervorragenden Farbbereich und eine hervorragende Farbsättigung auf.
- Herkömmlicherweise werden Cadmium-haltige Halbleitermaterialien wie etwa Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid, Cadmiumtellurid, usw. weit verbreitet zur Herstellung der Quantenpunkte verwendet. Die toxische Natur der Cadmium-haltigen Halbleitermaterialien hat Wissenschaftler jedoch dazu veranlasst, nach alternativen Materialien wie etwa CsPbX3 zu suchen, wobei X Fluor, Brom, lod oder Kombinationen davon sein kann. Das von den Quantenpunkten emittierte Licht kann geändert werden, indem das Verhältnis von Fluor, Brom und lod geändert wird, oder indem die Größe der Quantenpunkte geändert wird. Eine Blaulicht-emittierende Einheit wird oft zum Anregen der CsPbX3-Quantenpunkte dahingehend verwendet, rotes und grünes Licht zu erhalten. Jedoch weist ein derartiger Anregungsmechanismus jedoch das Problem auf, dass die Menge an rotem Licht nicht ausreicht, was zu einem schlechten Farbbereich der Anzeigevorrichtung führt.
- Kurzdarstellung der Erfindung
- Daher besteht eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung darin, ein Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur bereitzustellen, das zumindest einen der Nachteile, die mit dem Stand der Technik in Verbindung stehen, mindern kann.
- Gemäß einem Aspekt dieser Offenbarung umfasst ein Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur einen Quantenstrukturdünnfilm und eine Licht-emittierende Einheit.
- Der Quantenstrukturdünnfilm umfasst ein erstes Substrat, ein zweites Substrat und eine Anregungsschicht. Das erste Substrat weist eine erste Oberfläche und eine Einfalloberfläche auf, die der ersten Oberfläche gegenüberliegt. Das zweite Substrat ist von dem ersten Substrat beabstandet und weist eine zweite Oberfläche, die der ersten Oberfläche des ersten Substrats zugewandt ist, und eine Lichtaustrittsoberfläche auf, die der zweiten Oberfläche gegenüberliegt. Die Anregungsschicht ist zwischen der ersten Oberfläche des ersten Substrats und der zweiten Oberfläche des zweiten Substrats angeordnet und umfasst eine Mehrzahl von Quantenstrukturen. Die Quantenstrukturen sind entweder Quantenpunkte oder Quantenstäbe und bestehen aus Cäsium-Blei-Halogenid oder Organisches-Ammonium-Blei-Halogenid.
- Die Licht-emittierende Einheit ist von dem Quantenstrukturdünnfilm beabstandet und umfasst ein erstes Licht-emittierendes Element, das blaues Licht emittiert, und ein zweites Licht-emittierendes Element, das rotes Licht emittiert.
- Das durch das erste Licht-emittierende Element emittierte blaue Licht und das durch das zweite Licht-emittierende Element emittierte rote Licht verlaufen durch das erste Substrat und treten in die Anregungsschicht ein. Das blaue Licht regt die Quantenstrukturen dahingehend an, grünes Licht zu emittieren. Das rote Licht, das blaue Licht und das grüne Licht werden gemischt und treten aus der Lichtaustrittsoberfläche des zweiten Substrats aus.
- Figurenliste
- Weitere Merkmale und Vorteile der Offenbarung werden in der folgenden ausführlichen Beschreibung der Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ersichtlich, in denen:
-
1 eine Teilquerschnittsseitenansicht eines ersten Ausführungsbeispiels eines Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung ist; -
2 eine Teilquerschnittsseitenansicht eines zweiten Ausführungsbeispiels des Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung ist; -
3 eine Teilquerschnittsseitenansicht eines dritten Ausführungsbeispiels des Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung ist; -
4 eine schematische Teilansicht des dritten Ausführungsbeispiels ist, die eine relative Position einer Licht-emittierenden Einheit und einer Lichtführungsplatte des dritten Ausführungsbeispiels zeigt; und -
5 eine Teilquerschnittsseitenansicht eines vierten Ausführungsbeispiels des Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung ist. - Ausführliche Beschreibung
- Bevor die Offenbarung ausführlich beschrieben wird, ist zu beachten, dass an geeigneter Stelle Bezugszeichen oder Endabschnitte von Bezugszeichen in den Figuren wiederholt wurden, um entsprechende oder analoge Elemente aufzuzeigen, die optionaler Weise ähnliche Eigenschaften aufweisen können.
- Unter Bezugnahme auf
1 umfasst ein erstes Ausführungsbeispiel eines Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung einen Quantenstrukturdünnfilm10 und eine Licht-emittierende Einheit4 . Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur dieser Offenbarung kann in einer Anzeigevorrichtung (nicht gezeigt) verwendet werden. - Der Quantenstrukturdünnfilm
10 umfasst ein erstes Substrat1 , ein zweites Substrat2 und eine Anregungsschicht3 . Das erste Substrat1 weist eine erste Oberfläche11 und eine Einfalloberfläche12 auf, die der ersten Oberfläche11 gegenüberliegt. Das zweite Substrat2 ist von dem ersten Substrat1 beabstandet und weist eine zweite Oberfläche21 , die der ersten Oberfläche11 des ersten Substrats1 zugewandt ist, und eine Lichtaustrittsoberfläche22 auf, die der zweiten Oberfläche21 gegenüberliegt. Das erste Substrat1 und das zweite Substrat2 bestehen jeweils aus Polyethylenterephthalat, zyklischem Olefincopolymer, Polyimid, Polyethersulfon, Polyethylennaphthalat, Polycarbonat und Kombinationen davon. - Die Anregungsschicht
3 ist zwischen der ersten Oberfläche11 des ersten Substrats1 und der zweiten Oberfläche21 des zweiten Substrats2 angeordnet und umfasst einen Hauptkörper32 sowie eine Mehrzahl von Quantenstrukturen31 , die in dem Hauptkörper32 verteilt sind. Die Quantenstrukturen31 können durch blaues Licht dahingehend angeregt werden, grünes Licht zu emittieren. Die Quantenstrukturen31 sind entweder Quantenpunkte oder Quantenstäbe. Wenn die Quantenstrukturen31 Quantenpunkte sind, können die Quantenstrukturen31 jeweils eine Abmessung im Bereich von 9 nm bis 13 nm aufweisen, so dass das durch die Quantenstrukturen31 emittierte grüne Licht nahe an reinem grünen Licht ist, wodurch ermöglicht wird, dass die Anzeigevorrichtung einen hervorragenden Farbbereich aufweist. Die Quantenstrukturen31 bestehen entweder aus Cäsium-Blei-Halogenid oder Organisches-Ammonium-Blei-Halogenid. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist das Cäsium-Blei-Halogenid CsPbBr3 und das Organisches-Ammonium-Blei-Halogenid ist CH3NH3PbBr3. Durch die Verwendung des oben erwähnten Perovskit-Materials sind die Quantenstrukturen31 frei von Cadmium und damit umweltfreundlich. - Bei bestimmten Ausführungsbeispielen kann eine Oberfläche des ersten Substrats
1 und des zweiten Substrats2 mit einem wasserbeständigen Film gebildet sein, der verhindern kann, dass Feuchtigkeit das erste Substrat1 und das zweite Substrat2 durchdringt und somit die Anregungsschicht3 beeinflusst. - Bei der Herstellung der Anregungsschicht
3 werden die Quantenstrukturen31 in eine Ölsäurelösung oder eine Oleylaminlösung eingetaucht, die für einen vorbestimmten Zeitraum eine vorbestimmte Konzentration aufweist, um die Quantenstrukturen31 mit gewünschten Abmessungen zu erhalten. Die Ölsäurelösung oder die Oleylaminlösung verbessert außerdem die Lichtstabilität der Quantenstrukturen31 . Anschließend werden die behandelten Quantenstrukturen31 in einem kolloidalen System verteilt, das aus einem lichtdurchlässigen Harz bestehen und als Lichthomogenisator dienen kann. Dann kann das kolloidale System mit den Quantenstrukturen31 auf die erste Oberfläche11 des ersten Substrats1 oder die zweite Oberfläche21 des zweiten Substrats2 beschichtet werden, um den Hauptkörper32 zu bilden, bei dem die Quantenstrukturen31 verteilt sind. Basierend auf tatsächlichen Anforderungen kann die Anregungsschicht3 einem Ausglühen unterzogen werden, um die Bandlücke zu ändern und Defekte der Quantenstrukturen31 zu verringern, um eine Lichteffizienz der Anregungsschicht3 zu verbessern. - Die Licht-emittierende Einheit
4 ist von dem Quantenstrukturdünnfilm10 beabstandet und umfasst eine Schaltungsplatine43 . Die Licht-emittierende Einheit4 umfasst ferner eine Mehrzahl von ersten Licht-emittierenden Elementen41 und eine Mehrzahl von zweiten Licht-emittierenden Elementen42 , die abwechselnd auf der Schaltungsplatine43 angeordnet sind. Jedes der ersten Licht-emittierenden Elemente41 kann eine Blaulicht-emittierende Diode sein, die dazu in der Lage ist, blaues Licht zu emittieren. Jedes der zweiten Licht-emittierenden Elemente42 kann eine Rotlicht-emittierende Diode sein, die dazu in der Lage ist, rotes Licht zu emittieren. Bei bestimmten Ausführungsbeispielen kann jedes der zweiten Licht-emittierenden Elemente42 Kaliumfluorsilikatphosphor umfassen. Im Einzelnen kann jedes der zweiten Licht-emittierenden Elemente42 K2SiF6:Mn4+-Phosphor umfassen, wodurch ermöglicht wird, dass das zweite Licht-emittierende Element42 das rote Licht mit schmaler voller Breite bei halbem Maximum, hoher Energie emittieren kann, so dass der Farbbereich der Anzeigevorrichtung verbessert ist. - Das durch die Licht-emittierenden Elemente
41 emittierte blaue Licht und das durch die zweiten Licht-emittierenden Elemente42 emittierte rote Licht verlaufen durch das erste Substrat1 und treten in die Anregungsschicht3 ein. Das blaue Licht regt die Quantenstrukturen31 dahingehend an, grünes Licht zu emittieren. Das rote Licht, das blaue Licht und das grüne Licht werden dahingehend gemischt, weißes Licht zu bilden, und verlassen die Lichtaustrittsoberfläche22 des zweiten Substrats2 . Das grüne Licht kann eine dominante Wellenlänge in einem Bereich von 520 nm bis 540 nm aufweisen. - Unter Bezugnahme auf
2 weist ein zweites Ausführungsbeispiel des Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung eine Struktur auf, die im Vergleich zu der des ersten Ausführungsbeispiels modifiziert ist. Bei dem zweiten Ausführungsbeispiel weist das erste Substrat1 ferner eine Mehrzahl von ersten Mikrostrukturen13 auf, die auf der Einfalloberfläche12 gebildet sind, und das zweite Substrat2 weist ferner eine Mehrzahl von zweiten Mikrostrukturen23 auf, die auf der Lichtaustrittsoberfläche22 gebildet sind. Die ersten Mikrostrukturen13 und die zweiten Mikrostrukturen23 können eine Lichtstreuung und Lichthomogenisierung des zweiten Ausführungsbeispiels verbessern und können aus Poly(methylmethacrylat), Polyurethan, Silikon und Kombinationen davon bestehen. Die Form jeder der ersten Mikrostrukturen13 und der zweiten Mikrostrukturen23 kann identisch sein oder sich voneinander unterscheiden und kann konisch, halbkreisförmig, hexagonal oder unregelmäßig sein. Die ersten Mikrostrukturen13 brechen einfallendes Licht, wodurch die Anzahl an Strahlengängen des blauen Lichts in der Anregungsschicht3 erhöht wird, um die Quantenstruktur31 effektiver anzuregen, wodurch ermöglicht wird, dass die Anzeigevorrichtung einen verbesserten Farbbereich und eine verbesserte Farbsättigung erzielt. Die zweiten Mikrostrukturen23 mildern die Totalreflexion des austretenden Lichts und verbessern so die Effizienz der Lichtextrahierung des zweiten Ausführungsbeispiels. - Es ist zu beachten, dass die Gestaltung des ersten und des zweiten Ausführungsbeispiels als Direktbelichtungsgestaltung bekannt sind, wobei die ersten Licht-emittierenden Elemente
41 und die zweiten Licht-emittierenden Elemente42 auf die Einfalloberfläche12 des ersten Substrats1 zeigen. Unter Bezugnahme auf3 und4 weist ein drittes Ausführungsbeispiel des Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung eine Struktur auf, die im Vergleich zu der des ersten Ausführungsbeispiels modifiziert ist. Das dritte Ausführungsbeispiel ist eine randbeleuchtete Gestaltung und umfasst ferner eine Lichtführungsplatte5 , die an einer Seite der Einfalloberfläche12 des ersten Substrats1 angeordnet ist. Die Lichtführungsplatte5 weist eine Lichtaustrittslichtführungsoberfläche51 , die der Einfalloberfläche12 des ersten Substrats1 zugewandt ist, eine Reflexionslichtführungsoberfläche52 , die der Lichtaustrittslichtführungsoberfläche51 gegenüberliegt, und eine Einfalllichtführungsoberfläche53 auf, die die Lichtaustrittslichtführungsoberfläche51 und die Reflexionslichtführungsoberfläche52 verbindet. Die Reflexionslichtführungsoberfläche52 kann mit einer Punktarraystruktur gebildet sein und ist dazu in der Lage, Lichter zu reflektieren. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind die ersten Licht-emittierenden Elemente41 und die zweiten Licht-emittierenden Elemente42 abwechselnd entlang einer langen Seite der Einfalllichtführungsoberfläche53 der Lichtführungsplatte5 angeordnet (siehe4 ) und zeigen auf die Einfalllichtführungsoberfläche53 . Das durch jedes der ersten Licht-emittierenden Elemente41 emittierte blaue Licht und das durch jedes der zweiten Licht-emittierenden Elemente42 emittierte rote Licht verlaufen durch die Einfalllichtführungsoberfläche53 der Lichtführungsplatte5 und werden durch die Reflexionslichtführungsoberfläche52 zu der Lichtaustrittslichtführungsoberfläche51 geleitet und treten dann aus der Lichtaustrittslichtführungsoberfläche51 zu der Einfalloberfläche12 des ersten Substrats1 des Quantenstrukturdünnfilms10 aus. - Unter Bezugnahme auf
5 weist ein viertes Ausführungsbeispiel des Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung eine Struktur auf, die im Vergleich zu der des ersten Ausführungsbeispiels modifiziert ist. Bei dem vierten Ausführungsbeispiel umfasst der Quantenstrukturdünnfilm10 ferner zwei Wasserbeständigkeitseinheiten6 , die jeweils zwischen dem ersten Substrat1 und der Anregungsschicht3 bzw. zwischen dem zweiten Substrat2 und der Anregungsschicht3 angeordnet sind. Jede der Wasserbeständigkeitseinheiten6 umfasst eine Wasserbeständigkeitsschicht61 und eine Kombinierungsschicht62 . - Die Wasserbeständigkeitsschichten
61 der Wasserbeständigkeitseinheiten6 sind jeweils auf der ersten Oberfläche11 des ersten Substrats1 bzw. der zweiten Oberfläche21 des zweiten Substrats2 gebildet. Die Wasserbeständigkeitsschicht61 jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten6 bestehen aus einem organischen Material und einem anorganischen Material und sind feuchtigkeitsundurchlässig. Das organische Material kann Hexamethyldisiloxan sein. Das anorganische Material kann Metallnitrid, Metalloxid oder Metallstickstoffoxid sein. Die Wasserbeständigkeitsschicht61 jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten6 weist eine Dicke in einem Bereich von 5 nm bis 200 nm auf und kann verhindern, dass Feuchtigkeit das erste Substrat1 und das zweite Substrat2 durchdringt und die Anregungsschicht3 beeinflusst. - Die Kombinationsschicht
62 jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten6 ist zwischen der Wasserbeständigkeitsschicht61 der Wasserbeständigkeitseinheit6 und der Anregungsschicht3 angeordnet und besteht aus einem organischen Material. Bei einem bestimmten Ausführungsbeispiel besteht die Kombinationsschicht62 jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten6 aus Methylmethacrylat, Epoxymethacrylat, Epoxyacrylaten, Bisphenol-A-Ethoxylatdimethacrylat, Hexandioldiacrylat, Bisphenol-A-Epoxyacrylat und Kombinationen davon. Die Kombinationsschichten62 der Wasserbeständigkeitseinheiten6 fungieren dahingehend, eine Anhaftung zwischen den Wasserbeständigkeitsschichten61 der Wasserbeständigkeitseinheiten6 und der Anregungsschicht3 zu erhöhen und außerdem zu verhindern, dass Feuchtigkeit das erste Substrat1 und das zweite Substrat2 durchdringt. Die Kombinationsschicht62 jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten6 weist eine Dicke von rund 1 µm auf. - Die Kombinationsschichten
62 der Wasserbeständigkeitseinheiten6 werden durch Beschichten und Wärmehärten gebildet. Die Wasserbeständigkeitsschichten61 der Wasserbeständigkeitseinheiten6 werden durch eine Zerstäubungstechnik gebildet. Es ist zu beachten, dass das zwischen den organischen und anorganischen Materialien während des Zerstäubens gebildete Bonding sicherstellen kann, dass die Wasserbeständigkeitsschichten61 mit geringerer Wahrscheinlichkeit reißen, wodurch eine hervorragende wasserbeständige Eigenschaft bereitgestellt wird. - Feuchtigkeit kann die Lebensdauer des Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur negativ beeinflussen. Nach längerem Kontakt mit Feuchtigkeit kann die Effizienz der Anregungsschicht
3 aufgrund einer Rissbildung beeinträchtigt werden. Die Wasserbeständigkeitsschichten61 und die Kombinationsschichten62 der Wasserbeständigkeitseinheiten6 haften nicht nur gut an der Anregungsschicht3 an, sondern versehen die Anregungsschicht3 mit einer wasserbeständigen Eigenschaft. Zusätzlich dazu wird die Gesamtdicke der Wasserbeständigkeitseinheiten6 dahingehend gesteuert, dem Licht-emittierenden Modul mit Quantenstrukturen nicht zu viel Volumen hinzuzufügen. - Es ist zu beachten, dass aufgrund von praktischen Anforderungen eine der Wasserbeständigkeitseinheiten
6 weggelassen werden kann. Die Wasserbeständigkeitseinheiten6 können außerdem an das zweite Ausführungsbeispiel angepasst werden, wo die Wasserbeständigkeitseinheiten6 jeweils zwischen den ersten Mikrostrukturen13 und der Anregungsschicht3 bzw. den zweiten Mikrostrukturen23 und der Anregungsschicht3 angeordnet sind. - Zusammenfassend lässt sich sagen, dass das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur dieser Offenbarung das durch die ersten Licht-emittierende Elemente
41 emittierte blaue Licht dahingehend nutzt, die Quantenstrukturen31 dazu anzuregen, das grüne Licht zu emittieren. Das blaue Licht und das grüne Licht werden mit dem durch die zweiten Licht-emittierenden Elemente42 emittierten roten Licht gemischt, um das weiße Licht zu erzeugen. Ein herkömmliches Licht-emittierendes Modul erzeugt rotes Licht durch die Verwendung von unscharfer Lichtanregung. Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur dieser Offenbarung weist eine stärkere Rotlichtintensität auf, wodurch ermöglicht wird, dass die Anzeigevorrichtung, die das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur umfasst, einen hervorragenden Farbbereich, eine hervorragende Farbsättigung und eine hervorragende Intensität des weißen Lichts aufweist. Wenn die zweiten Licht-emittierenden Elemente42 K2SiF6:Mn4+-Phosphor umfassen, werden der Farbbereich und die Farbsättigung der Anzeigevorrichtung weiter verbessert. - In der oben genannten Beschreibung wurden zu Erklärungszwecken zahlreiche spezifische Details dargelegt, um ein eingehendes Verständnis der exemplarischen Ausführungsbeispiele bereitzustellen. Es ist Fachleuten jedoch ersichtlich, dass eines oder mehrere andere Ausführungsbeispiele ohne einige dieser spezifischen Details genutzt werden können. Es sei außerdem darauf hingewiesen, dass die Bezugnahme in dieser Beschreibung auf „ein Ausführungsbeispiel“, ein Ausführungsbeispiel mit einer Anzeige einer Ordnungszahl usw. bedeutet, dass ein bestimmtes Merkmal, eine Struktur oder eine Eigenschaft in der Nutzung der Offenbarung umfasst ist. Es sei ferner darauf hingewiesen, dass in der Beschreibung mehrere Merkmale manchmal in einem einzelnen Ausführungsbeispiel, einer Figur oder Beschreibung derselben mit dem Ziel zusammengefasst sind, die Offenbarung zu straffen und das Verständnis mehrerer erfinderischer Aspekte zu unterstützen.
- Obwohl die Offenbarung in Verbindung mit den als exemplarisch betrachteten Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist zu beachten, dass diese Offenbarung nicht auf die Ausführungsbeispiele beschränkt ist, es jedoch beabsichtigt ist, dass dieselbe zahlreiche Anordnungen abdeckt, die in der Wesensart und dem Schutzumfang der breitesten Interpretation enthalten sind, um alle derartigen Modifizierungen und äquivalenten Anordnungen zu umfassen.
Claims (19)
- Ein Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur, das folgende Merkmale aufweist: einen Quantenstrukturdünnfilm, der folgende Merkmale umfasst: ein erstes Substrat, das eine erste Oberfläche und eine Einfalloberfläche aufweist, die der ersten Oberfläche gegenüberliegt, ein zweites Substrat, das von dem ersten Substrat beabstandet ist und das eine zweite Oberfläche, die der ersten Oberfläche des ersten Substrats zugewandt ist, und eine Lichtaustrittsoberfläche aufweist, die der zweiten Oberfläche gegenüberliegt, und eine Anregungsschicht, die zwischen der ersten Oberfläche des ersten Substrats und der zweiten Oberfläche des zweiten Substrats angeordnet ist und die eine Mehrzahl von Quantenstrukturen umfasst, wobei die Quantenstrukturen entweder Quantenpunkte oder Quantenstäbe sind und aus Cäsium-Blei-Halogenid oder Organisches-Ammonium-Blei-Halogenid bestehen; und eine Licht-emittierende Einheit, die von dem Quantenstrukturdünnfilm beabstandet ist und die ein erstes Licht-emittierendes Element, das blaues Licht emittiert, und ein zweites Licht-emittierendes Element umfasst, das rotes Licht emittiert, wobei das durch das erste Licht-emittierende Element emittierte blaue Licht und das durch das zweite Licht-emittierende Element emittierte rote Licht durch das erste Substrat verlaufen und in die Anregungsschicht eintreten, das blaue Licht die Quantenstrukturen dahingehend anregt, grünes Licht zu emittieren, und das rote Licht, das blaue Licht und das grüne Licht gemischt werden und aus der Lichtaustrittsoberfläche des zweiten Substrats austreten.
- Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 1 , wobei das Cäsium-Blei-Halogenid CsPbBr3 ist und das Organisches-Ammonium-Blei-Halogenid CH3NH3PbBr3 ist. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 1 , wobei das zweite Licht-emittierende Element eine Rotlicht-emittierende Diode ist, die Kaliumfluorsilikatphosphor umfasst. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 3 , wobei die Quantenstrukturen Quantenpunkte sind, von denen jeder eine Abmessung in einem Bereich von 9 nm bis 13 nm aufweist. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 4 , wobei das durch die Quantenstrukturen emittierte grüne Licht eine dominante Wellenlänge in einem Bereich von 520 nm bis 540 nm aufweist. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 1 , wobei das erste Substrat ferner eine Mehrzahl von ersten Mikrostrukturen aufweist, die auf der Einfalloberfläche gebildet sind. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 6 , wobei das zweite Substrat ferner eine Mehrzahl von zweiten Mikrostrukturen aufweist, die auf der Lichtaustrittsoberfläche gebildet sind. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 1 , wobei das erste Licht-emittierende Element und das zweite Licht-emittierende Element auf die Einfalloberfläche des ersten Substrats zeigen. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 1 , das ferner eine Lichtführungsplatte aufweist, die an einer Seite der Einfalloberfläche des ersten Substrats angeordnet ist, wobei die Lichtführungsplatte eine Lichtaustrittslichtführungsoberfläche, die auf die Einfalloberfläche des ersten Substrats zeigt, eine Reflexionslichtführungsoberfläche, die der Lichtaustrittslichtführungsoberfläche gegenüberliegt, und eine Einfalllichtführungsoberfläche aufweist, die die Lichtaustrittslichtführungsoberfläche und die Reflexionslichtführungsoberfläche verbindet, wobei das erste Licht-emittierende Element und das zweite Licht-emittierende Element auf die Einfalllichtführungsoberfläche zeigen. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 1 , wobei der Quantenstrukturdünnfilm ferner zumindest eine Wasserbeständigkeitseinheit aufweist, die zwischen dem ersten Substrat und der Anregungsschicht oder dem zweiten Substrat und der Anregungsschicht angeordnet ist, wobei die Wasserbeständigkeitseinheit eine Wasserbeständigkeitsschicht umfasst, die aus einem organischem Material und einem anorganischen Material besteht und die feuchtigkeitsundurchlässig ist. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 10 , wobei das organische Material der Wasserbeständigkeitsschicht Hexamethyldisiloxan ist, wobei das anorganische Material der Wasserbeständigkeitsschicht Metallnitrid, Metalloxid oder Metallstickstoffoxid ist. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 10 , wobei die Wasserbeständigkeitsschicht eine Dicke in einem Bereich von 5 nm bis 200 nm aufweist. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 10 , wobei die Wasserbeständigkeitseinheit ferner eine Kombinierungsschicht aufweist, die zwischen der Wasserbeständigkeitsschicht und der Anregungsschicht angeordnet ist und die aus einem organischen Material besteht. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 13 , wobei die Kombinierungsschicht aus Methylmethacrylat, Epoxymethacrylat, Epoxyacrylaten, Bisphenol-A-Ethoxylatdimethacrylat, Hexandioldiacrylat, Bisphenol-A-Epoxyacrylat und Kombinationen davon besteht. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 1 , wobei der Quantenstrukturdünnfilm ferner zwei Wasserbeständigkeitseinheiten umfasst, die jeweils zwischen dem ersten Substrat und der Anregungsschicht bzw. dem zweiten Substrat und der Anregungsschicht angeordnet sind, wobei jede der Wasserbeständigkeitseinheiten eine Wasserbeständigkeitsschicht umfasst, die aus einem organischen Material und einem anorganischen Material besteht und die feuchtigkeitsundurchlässig ist. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 15 , wobei das organische Material der Wasserbeständigkeitsschicht jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten Hexamethyldisiloxan ist, wobei die anorganische Schicht der Wasserbeständigkeitsschicht jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten Metallnitrid, Metalloxid oder Metallstickstoffoxid ist. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 15 , wobei die Wasserbeständigkeitsschicht jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten eine Dicke in einem Bereich von 5 nm bis 200 nm aufweist. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 15 , wobei jede der Wasserbeständigkeitseinheiten ferner eine Kombinierungsschicht umfasst, die zwischen der Wasserbeständigkeitsschicht der Wasserbeständigkeitseinheit und der Anregungsschicht angeordnet ist und die aus einem organischen Material besteht. - Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß
Anspruch 18 , wobei die Kombinierungsschicht jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten aus Methylmethacrylat, Epoxymethacrylat, Epoxyacrylaten, Bisphenol-A-Ethoxylatdimethacrylat, Hexandioldiacrylat, Bisphenol-A-Epoxyacrylat und Kombinationen davon besteht.
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Families Citing this family (3)
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CN112542537B (zh) * | 2020-12-02 | 2022-10-04 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种量子点膜层、背光模组及其制备方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN101358717A (zh) * | 2008-09-10 | 2009-02-04 | 深圳市中电淼浩固体光源有限公司 | 一种使用白色led光源的lcd背光系统 |
KR101577300B1 (ko) * | 2008-10-28 | 2015-12-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점을 이용한 백색광 발광다이오드 구조 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 |
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US9580648B2 (en) * | 2013-03-15 | 2017-02-28 | General Electric Company | Color stable red-emitting phosphors |
CN103292225A (zh) * | 2013-06-28 | 2013-09-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种led背光光源 |
JP6230974B2 (ja) * | 2013-08-26 | 2017-11-15 | 富士フイルム株式会社 | 光変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに光変換部材の製造方法 |
CN104421754A (zh) * | 2013-08-27 | 2015-03-18 | 信利半导体有限公司 | Led光源及包括该led光源的背光源、液晶显示器 |
KR102116823B1 (ko) * | 2013-09-13 | 2020-06-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광원, 그것의 제조 방법, 및 그것을 포함하는 백라이트 유닛 |
KR20160042226A (ko) * | 2014-10-07 | 2016-04-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정표시장치 |
CN104388089B (zh) * | 2014-11-04 | 2017-06-06 | 深圳Tcl新技术有限公司 | 一种杂化钙钛矿量子点材料的制备方法 |
EP3045963B1 (de) * | 2015-01-13 | 2018-04-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung |
EP3054492B1 (de) * | 2015-02-03 | 2024-04-17 | Epistar Corporation | Lichtemittierende vorrichtung |
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