DE112017004597T5 - Licht-emittierendes modul mit quantenstruktur - Google Patents

Licht-emittierendes modul mit quantenstruktur Download PDF

Info

Publication number
DE112017004597T5
DE112017004597T5 DE112017004597.5T DE112017004597T DE112017004597T5 DE 112017004597 T5 DE112017004597 T5 DE 112017004597T5 DE 112017004597 T DE112017004597 T DE 112017004597T DE 112017004597 T5 DE112017004597 T5 DE 112017004597T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
light
quantum
water resistance
substrate
emitting module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE112017004597.5T
Other languages
English (en)
Other versions
DE112017004597B4 (de
Inventor
Shih-Chieh Tang
Ying-Tsung Lu
Shien-Tsung Wu
Wan-Shan Lee
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sic Tech Co Ltd
Sic Technology Co Ltd
SIC TECH CO Ltd
Sic Technology Co Ltd
Efun Technology Co Ltd
Original Assignee
Sic Tech Co Ltd
Sic Technology Co Ltd
SIC TECH CO Ltd
Sic Technology Co Ltd
Efun Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from TW105129771A external-priority patent/TWI689111B/zh
Application filed by Sic Tech Co Ltd, Sic Technology Co Ltd, SIC TECH CO Ltd, Sic Technology Co Ltd, Efun Technology Co Ltd filed Critical Sic Tech Co Ltd
Publication of DE112017004597T5 publication Critical patent/DE112017004597T5/de
Application granted granted Critical
Publication of DE112017004597B4 publication Critical patent/DE112017004597B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/61—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
    • C09K11/617—Silicates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
    • G02B6/0229—Optical fibres with cladding with or without a coating characterised by nanostructures, i.e. structures of size less than 100 nm, e.g. quantum dots
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133615—Edge-illuminating devices, i.e. illuminating from the side
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0066—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133606—Direct backlight including a specially adapted diffusing, scattering or light controlling members
    • G02F1/133607—Direct backlight including a specially adapted diffusing, scattering or light controlling members the light controlling member including light directing or refracting elements, e.g. prisms or lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

Ein Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur umfasst einen Quantenstrukturdünnfilm und eine Licht-emittierende Einheit. Der Quantenstrukturdünnfilm umfasst ein erstes und ein zweites Substrat sowie eine Anregungsschicht, die zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat angeordnet ist und die mehrere Quantenstrukturen umfasst, welche Quantenpunkte oder Quantenstäbe sind und aus Cäsium-Blei-Halogenid oder Organisches-Ammonium-Blei-Halogenid bestehen. Die Licht-emittierende Einheit umfasst ein erstes Licht-emittierendes Element, das blaues Licht emittiert, welches dahingehend in die Anregungsschicht eintritt, die Quantenstrukturen dazu anzuregen, grünes Licht zu emittieren, sowie ein zweites Licht-emittierendes Element, das rotes Licht emittiert. Das blaue, rote und grüne Licht werden gemischt und verlassen das zweite Substrat.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die Offenbarung bezieht sich auf ein Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur, insbesondere auf ein Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur, das mehrere Quantenstrukturen umfasst, die aus Cäsium-Blei-Halogenid oder Organisches-Ammonium-Blei-Halogenid bestehen.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Ein herkömmliches Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur umfasst eine Licht-emittierende Einheit und einen Quantenstrukturdünnfilm, der eine Mehrzahl von Quantenpunkten umfasst. Die Licht-emittierende Einheit emittiert ein erstes Licht, um den Quantenstrukturdünnfilm dahingehend anzuregen, ein zweites Licht zu emittieren, das sich mit dem ersten Licht mischt, um ein gewünschtes Ausgabelicht zu bilden. Beispielsweise emittiert eine Blaulicht-emittierende Einheit blaues Licht, um die Quantenpunkte dahingehend anzuregen, rotes Licht und grünes Licht zu emittieren, die sich mit dem blauen Licht mischen, um weißes Licht zu bilden. Die Eigenschaft der Lichtantwort der Quantenpunkte kann angepasst werden, indem die Größe oder das Material der Quantenpunkte geändert wird.
  • Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur kann in einem Rücklichtmodul einer Anzeigevorrichtung verwendet werden. Die Anzeigevorrichtung, die das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur umfasst, weist einen hervorragenden Farbpegel, eine hervorragende Farbart, einen hervorragenden Farbbereich und eine hervorragende Farbsättigung auf.
  • Herkömmlicherweise werden Cadmium-haltige Halbleitermaterialien wie etwa Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid, Cadmiumtellurid, usw. weit verbreitet zur Herstellung der Quantenpunkte verwendet. Die toxische Natur der Cadmium-haltigen Halbleitermaterialien hat Wissenschaftler jedoch dazu veranlasst, nach alternativen Materialien wie etwa CsPbX3 zu suchen, wobei X Fluor, Brom, lod oder Kombinationen davon sein kann. Das von den Quantenpunkten emittierte Licht kann geändert werden, indem das Verhältnis von Fluor, Brom und lod geändert wird, oder indem die Größe der Quantenpunkte geändert wird. Eine Blaulicht-emittierende Einheit wird oft zum Anregen der CsPbX3-Quantenpunkte dahingehend verwendet, rotes und grünes Licht zu erhalten. Jedoch weist ein derartiger Anregungsmechanismus jedoch das Problem auf, dass die Menge an rotem Licht nicht ausreicht, was zu einem schlechten Farbbereich der Anzeigevorrichtung führt.
  • Kurzdarstellung der Erfindung
  • Daher besteht eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung darin, ein Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur bereitzustellen, das zumindest einen der Nachteile, die mit dem Stand der Technik in Verbindung stehen, mindern kann.
  • Gemäß einem Aspekt dieser Offenbarung umfasst ein Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur einen Quantenstrukturdünnfilm und eine Licht-emittierende Einheit.
  • Der Quantenstrukturdünnfilm umfasst ein erstes Substrat, ein zweites Substrat und eine Anregungsschicht. Das erste Substrat weist eine erste Oberfläche und eine Einfalloberfläche auf, die der ersten Oberfläche gegenüberliegt. Das zweite Substrat ist von dem ersten Substrat beabstandet und weist eine zweite Oberfläche, die der ersten Oberfläche des ersten Substrats zugewandt ist, und eine Lichtaustrittsoberfläche auf, die der zweiten Oberfläche gegenüberliegt. Die Anregungsschicht ist zwischen der ersten Oberfläche des ersten Substrats und der zweiten Oberfläche des zweiten Substrats angeordnet und umfasst eine Mehrzahl von Quantenstrukturen. Die Quantenstrukturen sind entweder Quantenpunkte oder Quantenstäbe und bestehen aus Cäsium-Blei-Halogenid oder Organisches-Ammonium-Blei-Halogenid.
  • Die Licht-emittierende Einheit ist von dem Quantenstrukturdünnfilm beabstandet und umfasst ein erstes Licht-emittierendes Element, das blaues Licht emittiert, und ein zweites Licht-emittierendes Element, das rotes Licht emittiert.
  • Das durch das erste Licht-emittierende Element emittierte blaue Licht und das durch das zweite Licht-emittierende Element emittierte rote Licht verlaufen durch das erste Substrat und treten in die Anregungsschicht ein. Das blaue Licht regt die Quantenstrukturen dahingehend an, grünes Licht zu emittieren. Das rote Licht, das blaue Licht und das grüne Licht werden gemischt und treten aus der Lichtaustrittsoberfläche des zweiten Substrats aus.
  • Figurenliste
  • Weitere Merkmale und Vorteile der Offenbarung werden in der folgenden ausführlichen Beschreibung der Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ersichtlich, in denen:
    • 1 eine Teilquerschnittsseitenansicht eines ersten Ausführungsbeispiels eines Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung ist;
    • 2 eine Teilquerschnittsseitenansicht eines zweiten Ausführungsbeispiels des Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung ist;
    • 3 eine Teilquerschnittsseitenansicht eines dritten Ausführungsbeispiels des Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung ist;
    • 4 eine schematische Teilansicht des dritten Ausführungsbeispiels ist, die eine relative Position einer Licht-emittierenden Einheit und einer Lichtführungsplatte des dritten Ausführungsbeispiels zeigt; und
    • 5 eine Teilquerschnittsseitenansicht eines vierten Ausführungsbeispiels des Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung ist.
  • Ausführliche Beschreibung
  • Bevor die Offenbarung ausführlich beschrieben wird, ist zu beachten, dass an geeigneter Stelle Bezugszeichen oder Endabschnitte von Bezugszeichen in den Figuren wiederholt wurden, um entsprechende oder analoge Elemente aufzuzeigen, die optionaler Weise ähnliche Eigenschaften aufweisen können.
  • Unter Bezugnahme auf 1 umfasst ein erstes Ausführungsbeispiel eines Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung einen Quantenstrukturdünnfilm 10 und eine Licht-emittierende Einheit 4. Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur dieser Offenbarung kann in einer Anzeigevorrichtung (nicht gezeigt) verwendet werden.
  • Der Quantenstrukturdünnfilm 10 umfasst ein erstes Substrat 1, ein zweites Substrat 2 und eine Anregungsschicht 3. Das erste Substrat 1 weist eine erste Oberfläche 11 und eine Einfalloberfläche 12 auf, die der ersten Oberfläche 11 gegenüberliegt. Das zweite Substrat 2 ist von dem ersten Substrat 1 beabstandet und weist eine zweite Oberfläche 21, die der ersten Oberfläche 11 des ersten Substrats 1 zugewandt ist, und eine Lichtaustrittsoberfläche 22 auf, die der zweiten Oberfläche 21 gegenüberliegt. Das erste Substrat 1 und das zweite Substrat 2 bestehen jeweils aus Polyethylenterephthalat, zyklischem Olefincopolymer, Polyimid, Polyethersulfon, Polyethylennaphthalat, Polycarbonat und Kombinationen davon.
  • Die Anregungsschicht 3 ist zwischen der ersten Oberfläche 11 des ersten Substrats 1 und der zweiten Oberfläche 21 des zweiten Substrats 2 angeordnet und umfasst einen Hauptkörper 32 sowie eine Mehrzahl von Quantenstrukturen 31, die in dem Hauptkörper 32 verteilt sind. Die Quantenstrukturen 31 können durch blaues Licht dahingehend angeregt werden, grünes Licht zu emittieren. Die Quantenstrukturen 31 sind entweder Quantenpunkte oder Quantenstäbe. Wenn die Quantenstrukturen 31 Quantenpunkte sind, können die Quantenstrukturen 31 jeweils eine Abmessung im Bereich von 9 nm bis 13 nm aufweisen, so dass das durch die Quantenstrukturen 31 emittierte grüne Licht nahe an reinem grünen Licht ist, wodurch ermöglicht wird, dass die Anzeigevorrichtung einen hervorragenden Farbbereich aufweist. Die Quantenstrukturen 31 bestehen entweder aus Cäsium-Blei-Halogenid oder Organisches-Ammonium-Blei-Halogenid. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist das Cäsium-Blei-Halogenid CsPbBr3 und das Organisches-Ammonium-Blei-Halogenid ist CH3NH3PbBr3. Durch die Verwendung des oben erwähnten Perovskit-Materials sind die Quantenstrukturen 31 frei von Cadmium und damit umweltfreundlich.
  • Bei bestimmten Ausführungsbeispielen kann eine Oberfläche des ersten Substrats 1 und des zweiten Substrats 2 mit einem wasserbeständigen Film gebildet sein, der verhindern kann, dass Feuchtigkeit das erste Substrat 1 und das zweite Substrat 2 durchdringt und somit die Anregungsschicht 3 beeinflusst.
  • Bei der Herstellung der Anregungsschicht 3 werden die Quantenstrukturen 31 in eine Ölsäurelösung oder eine Oleylaminlösung eingetaucht, die für einen vorbestimmten Zeitraum eine vorbestimmte Konzentration aufweist, um die Quantenstrukturen 31 mit gewünschten Abmessungen zu erhalten. Die Ölsäurelösung oder die Oleylaminlösung verbessert außerdem die Lichtstabilität der Quantenstrukturen 31. Anschließend werden die behandelten Quantenstrukturen 31 in einem kolloidalen System verteilt, das aus einem lichtdurchlässigen Harz bestehen und als Lichthomogenisator dienen kann. Dann kann das kolloidale System mit den Quantenstrukturen 31 auf die erste Oberfläche 11 des ersten Substrats 1 oder die zweite Oberfläche 21 des zweiten Substrats 2 beschichtet werden, um den Hauptkörper 32 zu bilden, bei dem die Quantenstrukturen 31 verteilt sind. Basierend auf tatsächlichen Anforderungen kann die Anregungsschicht 3 einem Ausglühen unterzogen werden, um die Bandlücke zu ändern und Defekte der Quantenstrukturen 31 zu verringern, um eine Lichteffizienz der Anregungsschicht 3 zu verbessern.
  • Die Licht-emittierende Einheit 4 ist von dem Quantenstrukturdünnfilm 10 beabstandet und umfasst eine Schaltungsplatine 43. Die Licht-emittierende Einheit 4 umfasst ferner eine Mehrzahl von ersten Licht-emittierenden Elementen 41 und eine Mehrzahl von zweiten Licht-emittierenden Elementen 42, die abwechselnd auf der Schaltungsplatine 43 angeordnet sind. Jedes der ersten Licht-emittierenden Elemente 41 kann eine Blaulicht-emittierende Diode sein, die dazu in der Lage ist, blaues Licht zu emittieren. Jedes der zweiten Licht-emittierenden Elemente 42 kann eine Rotlicht-emittierende Diode sein, die dazu in der Lage ist, rotes Licht zu emittieren. Bei bestimmten Ausführungsbeispielen kann jedes der zweiten Licht-emittierenden Elemente 42 Kaliumfluorsilikatphosphor umfassen. Im Einzelnen kann jedes der zweiten Licht-emittierenden Elemente 42 K2SiF6:Mn4+-Phosphor umfassen, wodurch ermöglicht wird, dass das zweite Licht-emittierende Element 42 das rote Licht mit schmaler voller Breite bei halbem Maximum, hoher Energie emittieren kann, so dass der Farbbereich der Anzeigevorrichtung verbessert ist.
  • Das durch die Licht-emittierenden Elemente 41 emittierte blaue Licht und das durch die zweiten Licht-emittierenden Elemente 42 emittierte rote Licht verlaufen durch das erste Substrat 1 und treten in die Anregungsschicht 3 ein. Das blaue Licht regt die Quantenstrukturen 31 dahingehend an, grünes Licht zu emittieren. Das rote Licht, das blaue Licht und das grüne Licht werden dahingehend gemischt, weißes Licht zu bilden, und verlassen die Lichtaustrittsoberfläche 22 des zweiten Substrats 2. Das grüne Licht kann eine dominante Wellenlänge in einem Bereich von 520 nm bis 540 nm aufweisen.
  • Unter Bezugnahme auf 2 weist ein zweites Ausführungsbeispiel des Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung eine Struktur auf, die im Vergleich zu der des ersten Ausführungsbeispiels modifiziert ist. Bei dem zweiten Ausführungsbeispiel weist das erste Substrat 1 ferner eine Mehrzahl von ersten Mikrostrukturen 13 auf, die auf der Einfalloberfläche 12 gebildet sind, und das zweite Substrat 2 weist ferner eine Mehrzahl von zweiten Mikrostrukturen 23 auf, die auf der Lichtaustrittsoberfläche 22 gebildet sind. Die ersten Mikrostrukturen 13 und die zweiten Mikrostrukturen 23 können eine Lichtstreuung und Lichthomogenisierung des zweiten Ausführungsbeispiels verbessern und können aus Poly(methylmethacrylat), Polyurethan, Silikon und Kombinationen davon bestehen. Die Form jeder der ersten Mikrostrukturen 13 und der zweiten Mikrostrukturen 23 kann identisch sein oder sich voneinander unterscheiden und kann konisch, halbkreisförmig, hexagonal oder unregelmäßig sein. Die ersten Mikrostrukturen 13 brechen einfallendes Licht, wodurch die Anzahl an Strahlengängen des blauen Lichts in der Anregungsschicht 3 erhöht wird, um die Quantenstruktur 31 effektiver anzuregen, wodurch ermöglicht wird, dass die Anzeigevorrichtung einen verbesserten Farbbereich und eine verbesserte Farbsättigung erzielt. Die zweiten Mikrostrukturen 23 mildern die Totalreflexion des austretenden Lichts und verbessern so die Effizienz der Lichtextrahierung des zweiten Ausführungsbeispiels.
  • Es ist zu beachten, dass die Gestaltung des ersten und des zweiten Ausführungsbeispiels als Direktbelichtungsgestaltung bekannt sind, wobei die ersten Licht-emittierenden Elemente 41 und die zweiten Licht-emittierenden Elemente 42 auf die Einfalloberfläche 12 des ersten Substrats 1 zeigen. Unter Bezugnahme auf 3 und 4 weist ein drittes Ausführungsbeispiel des Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung eine Struktur auf, die im Vergleich zu der des ersten Ausführungsbeispiels modifiziert ist. Das dritte Ausführungsbeispiel ist eine randbeleuchtete Gestaltung und umfasst ferner eine Lichtführungsplatte 5, die an einer Seite der Einfalloberfläche 12 des ersten Substrats 1 angeordnet ist. Die Lichtführungsplatte 5 weist eine Lichtaustrittslichtführungsoberfläche 51, die der Einfalloberfläche 12 des ersten Substrats 1 zugewandt ist, eine Reflexionslichtführungsoberfläche 52, die der Lichtaustrittslichtführungsoberfläche 51 gegenüberliegt, und eine Einfalllichtführungsoberfläche 53 auf, die die Lichtaustrittslichtführungsoberfläche 51 und die Reflexionslichtführungsoberfläche 52 verbindet. Die Reflexionslichtführungsoberfläche 52 kann mit einer Punktarraystruktur gebildet sein und ist dazu in der Lage, Lichter zu reflektieren. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind die ersten Licht-emittierenden Elemente 41 und die zweiten Licht-emittierenden Elemente 42 abwechselnd entlang einer langen Seite der Einfalllichtführungsoberfläche 53 der Lichtführungsplatte 5 angeordnet (siehe 4) und zeigen auf die Einfalllichtführungsoberfläche 53. Das durch jedes der ersten Licht-emittierenden Elemente 41 emittierte blaue Licht und das durch jedes der zweiten Licht-emittierenden Elemente 42 emittierte rote Licht verlaufen durch die Einfalllichtführungsoberfläche 53 der Lichtführungsplatte 5 und werden durch die Reflexionslichtführungsoberfläche 52 zu der Lichtaustrittslichtführungsoberfläche 51 geleitet und treten dann aus der Lichtaustrittslichtführungsoberfläche 51 zu der Einfalloberfläche 12 des ersten Substrats 1 des Quantenstrukturdünnfilms 10 aus.
  • Unter Bezugnahme auf 5 weist ein viertes Ausführungsbeispiel des Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung eine Struktur auf, die im Vergleich zu der des ersten Ausführungsbeispiels modifiziert ist. Bei dem vierten Ausführungsbeispiel umfasst der Quantenstrukturdünnfilm 10 ferner zwei Wasserbeständigkeitseinheiten 6, die jeweils zwischen dem ersten Substrat 1 und der Anregungsschicht 3 bzw. zwischen dem zweiten Substrat 2 und der Anregungsschicht 3 angeordnet sind. Jede der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 umfasst eine Wasserbeständigkeitsschicht 61 und eine Kombinierungsschicht 62.
  • Die Wasserbeständigkeitsschichten 61 der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 sind jeweils auf der ersten Oberfläche 11 des ersten Substrats 1 bzw. der zweiten Oberfläche 21 des zweiten Substrats 2 gebildet. Die Wasserbeständigkeitsschicht 61 jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 bestehen aus einem organischen Material und einem anorganischen Material und sind feuchtigkeitsundurchlässig. Das organische Material kann Hexamethyldisiloxan sein. Das anorganische Material kann Metallnitrid, Metalloxid oder Metallstickstoffoxid sein. Die Wasserbeständigkeitsschicht 61 jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 weist eine Dicke in einem Bereich von 5 nm bis 200 nm auf und kann verhindern, dass Feuchtigkeit das erste Substrat 1 und das zweite Substrat 2 durchdringt und die Anregungsschicht 3 beeinflusst.
  • Die Kombinationsschicht 62 jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 ist zwischen der Wasserbeständigkeitsschicht 61 der Wasserbeständigkeitseinheit 6 und der Anregungsschicht 3 angeordnet und besteht aus einem organischen Material. Bei einem bestimmten Ausführungsbeispiel besteht die Kombinationsschicht 62 jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 aus Methylmethacrylat, Epoxymethacrylat, Epoxyacrylaten, Bisphenol-A-Ethoxylatdimethacrylat, Hexandioldiacrylat, Bisphenol-A-Epoxyacrylat und Kombinationen davon. Die Kombinationsschichten 62 der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 fungieren dahingehend, eine Anhaftung zwischen den Wasserbeständigkeitsschichten 61 der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 und der Anregungsschicht 3 zu erhöhen und außerdem zu verhindern, dass Feuchtigkeit das erste Substrat 1 und das zweite Substrat 2 durchdringt. Die Kombinationsschicht 62 jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 weist eine Dicke von rund 1 µm auf.
  • Die Kombinationsschichten 62 der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 werden durch Beschichten und Wärmehärten gebildet. Die Wasserbeständigkeitsschichten 61 der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 werden durch eine Zerstäubungstechnik gebildet. Es ist zu beachten, dass das zwischen den organischen und anorganischen Materialien während des Zerstäubens gebildete Bonding sicherstellen kann, dass die Wasserbeständigkeitsschichten 61 mit geringerer Wahrscheinlichkeit reißen, wodurch eine hervorragende wasserbeständige Eigenschaft bereitgestellt wird.
  • Feuchtigkeit kann die Lebensdauer des Licht-emittierenden Moduls mit Quantenstruktur negativ beeinflussen. Nach längerem Kontakt mit Feuchtigkeit kann die Effizienz der Anregungsschicht 3 aufgrund einer Rissbildung beeinträchtigt werden. Die Wasserbeständigkeitsschichten 61 und die Kombinationsschichten 62 der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 haften nicht nur gut an der Anregungsschicht 3 an, sondern versehen die Anregungsschicht 3 mit einer wasserbeständigen Eigenschaft. Zusätzlich dazu wird die Gesamtdicke der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 dahingehend gesteuert, dem Licht-emittierenden Modul mit Quantenstrukturen nicht zu viel Volumen hinzuzufügen.
  • Es ist zu beachten, dass aufgrund von praktischen Anforderungen eine der Wasserbeständigkeitseinheiten 6 weggelassen werden kann. Die Wasserbeständigkeitseinheiten 6 können außerdem an das zweite Ausführungsbeispiel angepasst werden, wo die Wasserbeständigkeitseinheiten 6 jeweils zwischen den ersten Mikrostrukturen 13 und der Anregungsschicht 3 bzw. den zweiten Mikrostrukturen 23 und der Anregungsschicht 3 angeordnet sind.
  • Zusammenfassend lässt sich sagen, dass das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur dieser Offenbarung das durch die ersten Licht-emittierende Elemente 41 emittierte blaue Licht dahingehend nutzt, die Quantenstrukturen 31 dazu anzuregen, das grüne Licht zu emittieren. Das blaue Licht und das grüne Licht werden mit dem durch die zweiten Licht-emittierenden Elemente 42 emittierten roten Licht gemischt, um das weiße Licht zu erzeugen. Ein herkömmliches Licht-emittierendes Modul erzeugt rotes Licht durch die Verwendung von unscharfer Lichtanregung. Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur dieser Offenbarung weist eine stärkere Rotlichtintensität auf, wodurch ermöglicht wird, dass die Anzeigevorrichtung, die das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur umfasst, einen hervorragenden Farbbereich, eine hervorragende Farbsättigung und eine hervorragende Intensität des weißen Lichts aufweist. Wenn die zweiten Licht-emittierenden Elemente 42 K2SiF6:Mn4+-Phosphor umfassen, werden der Farbbereich und die Farbsättigung der Anzeigevorrichtung weiter verbessert.
  • In der oben genannten Beschreibung wurden zu Erklärungszwecken zahlreiche spezifische Details dargelegt, um ein eingehendes Verständnis der exemplarischen Ausführungsbeispiele bereitzustellen. Es ist Fachleuten jedoch ersichtlich, dass eines oder mehrere andere Ausführungsbeispiele ohne einige dieser spezifischen Details genutzt werden können. Es sei außerdem darauf hingewiesen, dass die Bezugnahme in dieser Beschreibung auf „ein Ausführungsbeispiel“, ein Ausführungsbeispiel mit einer Anzeige einer Ordnungszahl usw. bedeutet, dass ein bestimmtes Merkmal, eine Struktur oder eine Eigenschaft in der Nutzung der Offenbarung umfasst ist. Es sei ferner darauf hingewiesen, dass in der Beschreibung mehrere Merkmale manchmal in einem einzelnen Ausführungsbeispiel, einer Figur oder Beschreibung derselben mit dem Ziel zusammengefasst sind, die Offenbarung zu straffen und das Verständnis mehrerer erfinderischer Aspekte zu unterstützen.
  • Obwohl die Offenbarung in Verbindung mit den als exemplarisch betrachteten Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist zu beachten, dass diese Offenbarung nicht auf die Ausführungsbeispiele beschränkt ist, es jedoch beabsichtigt ist, dass dieselbe zahlreiche Anordnungen abdeckt, die in der Wesensart und dem Schutzumfang der breitesten Interpretation enthalten sind, um alle derartigen Modifizierungen und äquivalenten Anordnungen zu umfassen.

Claims (19)

  1. Ein Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur, das folgende Merkmale aufweist: einen Quantenstrukturdünnfilm, der folgende Merkmale umfasst: ein erstes Substrat, das eine erste Oberfläche und eine Einfalloberfläche aufweist, die der ersten Oberfläche gegenüberliegt, ein zweites Substrat, das von dem ersten Substrat beabstandet ist und das eine zweite Oberfläche, die der ersten Oberfläche des ersten Substrats zugewandt ist, und eine Lichtaustrittsoberfläche aufweist, die der zweiten Oberfläche gegenüberliegt, und eine Anregungsschicht, die zwischen der ersten Oberfläche des ersten Substrats und der zweiten Oberfläche des zweiten Substrats angeordnet ist und die eine Mehrzahl von Quantenstrukturen umfasst, wobei die Quantenstrukturen entweder Quantenpunkte oder Quantenstäbe sind und aus Cäsium-Blei-Halogenid oder Organisches-Ammonium-Blei-Halogenid bestehen; und eine Licht-emittierende Einheit, die von dem Quantenstrukturdünnfilm beabstandet ist und die ein erstes Licht-emittierendes Element, das blaues Licht emittiert, und ein zweites Licht-emittierendes Element umfasst, das rotes Licht emittiert, wobei das durch das erste Licht-emittierende Element emittierte blaue Licht und das durch das zweite Licht-emittierende Element emittierte rote Licht durch das erste Substrat verlaufen und in die Anregungsschicht eintreten, das blaue Licht die Quantenstrukturen dahingehend anregt, grünes Licht zu emittieren, und das rote Licht, das blaue Licht und das grüne Licht gemischt werden und aus der Lichtaustrittsoberfläche des zweiten Substrats austreten.
  2. Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß Anspruch 1, wobei das Cäsium-Blei-Halogenid CsPbBr3 ist und das Organisches-Ammonium-Blei-Halogenid CH3NH3PbBr3 ist.
  3. Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß Anspruch 1, wobei das zweite Licht-emittierende Element eine Rotlicht-emittierende Diode ist, die Kaliumfluorsilikatphosphor umfasst.
  4. Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß Anspruch 3, wobei die Quantenstrukturen Quantenpunkte sind, von denen jeder eine Abmessung in einem Bereich von 9 nm bis 13 nm aufweist.
  5. Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß Anspruch 4, wobei das durch die Quantenstrukturen emittierte grüne Licht eine dominante Wellenlänge in einem Bereich von 520 nm bis 540 nm aufweist.
  6. Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß Anspruch 1, wobei das erste Substrat ferner eine Mehrzahl von ersten Mikrostrukturen aufweist, die auf der Einfalloberfläche gebildet sind.
  7. Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß Anspruch 6, wobei das zweite Substrat ferner eine Mehrzahl von zweiten Mikrostrukturen aufweist, die auf der Lichtaustrittsoberfläche gebildet sind.
  8. Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß Anspruch 1, wobei das erste Licht-emittierende Element und das zweite Licht-emittierende Element auf die Einfalloberfläche des ersten Substrats zeigen.
  9. Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß Anspruch 1, das ferner eine Lichtführungsplatte aufweist, die an einer Seite der Einfalloberfläche des ersten Substrats angeordnet ist, wobei die Lichtführungsplatte eine Lichtaustrittslichtführungsoberfläche, die auf die Einfalloberfläche des ersten Substrats zeigt, eine Reflexionslichtführungsoberfläche, die der Lichtaustrittslichtführungsoberfläche gegenüberliegt, und eine Einfalllichtführungsoberfläche aufweist, die die Lichtaustrittslichtführungsoberfläche und die Reflexionslichtführungsoberfläche verbindet, wobei das erste Licht-emittierende Element und das zweite Licht-emittierende Element auf die Einfalllichtführungsoberfläche zeigen.
  10. Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß Anspruch 1, wobei der Quantenstrukturdünnfilm ferner zumindest eine Wasserbeständigkeitseinheit aufweist, die zwischen dem ersten Substrat und der Anregungsschicht oder dem zweiten Substrat und der Anregungsschicht angeordnet ist, wobei die Wasserbeständigkeitseinheit eine Wasserbeständigkeitsschicht umfasst, die aus einem organischem Material und einem anorganischen Material besteht und die feuchtigkeitsundurchlässig ist.
  11. Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß Anspruch 10, wobei das organische Material der Wasserbeständigkeitsschicht Hexamethyldisiloxan ist, wobei das anorganische Material der Wasserbeständigkeitsschicht Metallnitrid, Metalloxid oder Metallstickstoffoxid ist.
  12. Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß Anspruch 10, wobei die Wasserbeständigkeitsschicht eine Dicke in einem Bereich von 5 nm bis 200 nm aufweist.
  13. Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß Anspruch 10, wobei die Wasserbeständigkeitseinheit ferner eine Kombinierungsschicht aufweist, die zwischen der Wasserbeständigkeitsschicht und der Anregungsschicht angeordnet ist und die aus einem organischen Material besteht.
  14. Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß Anspruch 13, wobei die Kombinierungsschicht aus Methylmethacrylat, Epoxymethacrylat, Epoxyacrylaten, Bisphenol-A-Ethoxylatdimethacrylat, Hexandioldiacrylat, Bisphenol-A-Epoxyacrylat und Kombinationen davon besteht.
  15. Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß Anspruch 1, wobei der Quantenstrukturdünnfilm ferner zwei Wasserbeständigkeitseinheiten umfasst, die jeweils zwischen dem ersten Substrat und der Anregungsschicht bzw. dem zweiten Substrat und der Anregungsschicht angeordnet sind, wobei jede der Wasserbeständigkeitseinheiten eine Wasserbeständigkeitsschicht umfasst, die aus einem organischen Material und einem anorganischen Material besteht und die feuchtigkeitsundurchlässig ist.
  16. Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß Anspruch 15, wobei das organische Material der Wasserbeständigkeitsschicht jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten Hexamethyldisiloxan ist, wobei die anorganische Schicht der Wasserbeständigkeitsschicht jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten Metallnitrid, Metalloxid oder Metallstickstoffoxid ist.
  17. Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß Anspruch 15, wobei die Wasserbeständigkeitsschicht jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten eine Dicke in einem Bereich von 5 nm bis 200 nm aufweist.
  18. Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß Anspruch 15, wobei jede der Wasserbeständigkeitseinheiten ferner eine Kombinierungsschicht umfasst, die zwischen der Wasserbeständigkeitsschicht der Wasserbeständigkeitseinheit und der Anregungsschicht angeordnet ist und die aus einem organischen Material besteht.
  19. Das Licht-emittierende Modul mit Quantenstruktur gemäß Anspruch 18, wobei die Kombinierungsschicht jeder der Wasserbeständigkeitseinheiten aus Methylmethacrylat, Epoxymethacrylat, Epoxyacrylaten, Bisphenol-A-Ethoxylatdimethacrylat, Hexandioldiacrylat, Bisphenol-A-Epoxyacrylat und Kombinationen davon besteht.
DE112017004597.5T 2016-09-13 2017-08-14 Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur Active DE112017004597B4 (de)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW105129771A TWI689111B (zh) 2016-09-13 2016-09-13 量子點薄膜及其製造方法
TW105129771 2016-09-13
TW105137238 2016-11-15
TW105137238 2016-11-15
PCT/IB2017/054934 WO2018051199A1 (en) 2016-09-13 2017-08-14 Quantum structure light-emitting module

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE112017004597T5 true DE112017004597T5 (de) 2019-08-08
DE112017004597B4 DE112017004597B4 (de) 2022-06-30

Family

ID=61618651

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112017004597.5T Active DE112017004597B4 (de) 2016-09-13 2017-08-14 Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20190221721A1 (de)
JP (1) JP6817451B2 (de)
KR (1) KR20190055140A (de)
DE (1) DE112017004597B4 (de)
WO (1) WO2018051199A1 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11898744B2 (en) * 2016-09-13 2024-02-13 Sic Technology Co. Ltd Quantum structure thin film and quantum structure light-emitting module including the same
CN110975919B (zh) * 2019-12-25 2021-06-01 福州大学 一种氮掺杂碳量子点原位生长脱硝抗硫催化剂及其制备方法
CN112542537B (zh) * 2020-12-02 2022-10-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种量子点膜层、背光模组及其制备方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008117879A (ja) * 2006-11-02 2008-05-22 Harison Toshiba Lighting Corp 平面発光装置
CN101358717A (zh) * 2008-09-10 2009-02-04 深圳市中电淼浩固体光源有限公司 一种使用白色led光源的lcd背光系统
KR101577300B1 (ko) * 2008-10-28 2015-12-15 삼성디스플레이 주식회사 양자점을 이용한 백색광 발광다이오드 구조 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리
KR101961931B1 (ko) * 2011-12-20 2019-03-26 미래나노텍(주) 조명용 광학부재 및 이를 이용하는 조명장치
KR101426448B1 (ko) * 2012-11-09 2014-08-05 주식회사 엘엠에스 나노 복합체, 이를 포함하는 광학 부재 및 백라이트 유닛
US9580648B2 (en) * 2013-03-15 2017-02-28 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
CN103292225A (zh) * 2013-06-28 2013-09-11 深圳市华星光电技术有限公司 一种led背光光源
JP6230974B2 (ja) * 2013-08-26 2017-11-15 富士フイルム株式会社 光変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに光変換部材の製造方法
CN104421754A (zh) * 2013-08-27 2015-03-18 信利半导体有限公司 Led光源及包括该led光源的背光源、液晶显示器
KR102116823B1 (ko) * 2013-09-13 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 광원, 그것의 제조 방법, 및 그것을 포함하는 백라이트 유닛
KR20160042226A (ko) * 2014-10-07 2016-04-19 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정표시장치
CN104388089B (zh) * 2014-11-04 2017-06-06 深圳Tcl新技术有限公司 一种杂化钙钛矿量子点材料的制备方法
EP3343279A3 (de) * 2015-01-13 2018-07-25 Samsung Display Co., Ltd Anzeigevorrichtung
EP3054492B1 (de) 2015-02-03 2024-04-17 Epistar Corporation Lichtemittierende vorrichtung
CN104861958B (zh) 2015-05-14 2017-02-15 北京理工大学 一种钙钛矿/聚合物复合发光材料及其制备方法
CN106907578A (zh) * 2015-12-22 2017-06-30 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20190221721A1 (en) 2019-07-18
KR20190055140A (ko) 2019-05-22
WO2018051199A1 (en) 2018-03-22
JP2019534543A (ja) 2019-11-28
DE112017004597B4 (de) 2022-06-30
JP6817451B2 (ja) 2021-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102015122343B4 (de) Led-lichtquelle, hintergrundbeleuchtungsmodul und flüssigkristallanzeigevorrichtung
DE102016123108B4 (de) Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen und Verfahren zu deren Herstellung
DE102016116119B4 (de) Organische Licht emittierende Dioden-Anzeigevorrichtung
DE102006021648B4 (de) Licht emittierende Vorrichtung für Wechselspannung und Herstellungsverfahren dafür
DE102012106769B4 (de) Wellenlängenwandelstruktur, Herstellungsverfahren derselben und Licht emittierende Vorrichtung mit der Wellenlängenwandelstruktur
DE212019000235U1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung, Leuchtdioden-Anordnung, Rückbeleuchtungseinheit und Flüssigkristallanzeige
DE102013114150B4 (de) Organische Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE112017004597B4 (de) Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur
DE102006033018A1 (de) Weißes Licht emittierende Vorrichtung mit fluoreszierender Faser
DE112016004229B4 (de) Licht emittierende Vorrichtung
DE112007001232T5 (de) Lichtemittierendes Halbleiterelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102009013926A1 (de) Optischer Film
DE102017102112A1 (de) Lichtemittierendes Element und sein Herstellungsverfahren
DE102010018030A1 (de) Flächenlichtquelle
DE202013104219U9 (de) Rand-Beleuchtung und Direkt-Beleuchtung kombinierendes Hintergrundlichtmodul
WO2020038722A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
DE102014212694A1 (de) Lichtemissionschip
WO2012146633A1 (de) Lichtabgebendes element mit einer oled oder qled
DE112017000624T5 (de) Licht emittierende Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE112015003980B4 (de) Optoelektronische Anordnung und Beleuchtungsvorrichtung
WO2016023903A1 (de) Organisches licht emittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines organischen licht emittierenden bauelements
DE102010046089A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102009037189B4 (de) Oberflächenlichtemittierende Vorrichtung und entsprechendes Verfahren sowie Beleuchtungsgerät und Anzeigegerät
DE102008027995A1 (de) Lineare Lichtquelle, ebenes Lichtemissionsbauteil, ebene Lichtquelle und Flüssigkristalldisplay
DE102007035942A1 (de) Flüssigkristallanzeige, Hintergrundbeleuchtungs-Modul dafür sowie Lichtemissionsmodul

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: G02F0001133570

Ipc: G02F0002020000

R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final