DE112015003980B4

DE112015003980B4 - Optoelektronische Anordnung und Beleuchtungsvorrichtung

Info

Publication number: DE112015003980B4
Application number: DE112015003980.5T
Authority: DE
Inventors: Britta Göötz; Norwin von Malm; Dominik Schulten
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2014-08-28
Filing date: 2015-08-25
Publication date: 2022-11-17
Anticipated expiration: 2035-08-26
Also published as: WO2016030374A1; US20170219763A1; US10488579B2; DE112015003980A5; DE102014117312A1

Abstract

Optoelektronische Anordnung (1) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen Halbleiterchip (2), wobei- dem Halbleiterchip in Abstrahlungsrichtung (21) ein Strahlungskonversionselement (3) nachgeordnet ist;- das Strahlungskonversionselement eine Mehrzahl von Konversionskörpern (40) mit jeweils einer Längserstreckungsachse (44) aufweist,- eine räumliche Ausrichtung der Längserstreckungsachsen eine Vorzugsrichtung (39) aufweist,- das Strahlungskonversionselement ein Matrixmaterial (35) aufweist, in das die Konversionskörper eingebettet sind, und- das Strahlungskonversionselement vollständig von einer Verkapselungsschicht (32) umhüllt ist;und wobei(i) das Strahlungskonversionselement an einer Strahlungsaustrittsfläche (10) des Halbleiterchips befestigt ist; oder(ii) der Halbleiterchip in einem Gehäusekörper (25) angeordnet ist und das Strahlungskonversionselement an dem Gehäusekörper befestigt ist; oder(iii) die optoelektronische Anordnung eine Mehrzahl von Halbleiterchips aufweist, die ungehäust auf einem Anschlussträger angeordnet sind, wobei das Strahlungskonversionselement ein gemeinsames Strahlungskonversionselement für mehrere Halbleiterchips bildet und zumindest bereichsweise auch eine zwischen den Halbleiterchips angeordnete Umhüllung bedeckt.

Description

Es werden eine optoelektronische Anordnung und eine Beleuchtungsvorrichtung mit einer optoelektronischen Anordnung angegeben.
Die Druckschrift US 2013 / 0 032 768 A1 beschreibt Kombinationen aus Leuchtstoffen und Nanopartikeln.
Die Druckschrift DE 20 2010 017 509 U1 beschreibt eine lichtemittierende Vorrichtung.
Die Druckschrift US 2014 / 0 009 902 A1 beschreibt polarisierte Beleuchtungssysteme.
Zur Darstellung von insbesondere bewegten Bildern finden oftmals Flüssigkristallanzeigen (Liquid Crystal Displays, LCDs) Anwendung. Diese können beispielsweise mit Leuchtdioden als Strahlungsquellen hinterleuchtet werden. Durch die in den LCDs zur Bilderzeugung verwendeten Polarisatoren geht jedoch typischerweise ein vergleichsweise großer Strahlungsanteil der Strahlungsquellen verloren.
Eine Aufgabe ist es, die Effizienz bei der Hinterleuchtung von LCDs zu erhöhen.
Diese Aufgabe wird unter anderem durch eine optoelektronische Anordnung gemäß Anspruch 1 gelöst. Weiterbildungen und Ausführungsformen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Die optoelektronische Anordnung weist zumindest einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen Halbleiterchip auf. Insbesondere liegt die Strahlung im blauen Spektralbereich, im ultravioletten Spektralbereich oder im roten Spektralbereich. Der Halbleiterchip ist beispielsweise in einem Gehäuse angeordnet oder ungehäust auf einem Anschlussträger, etwa einer Leiterplatte, befestigt.
Die optoelektronische Anordnung weist ein Strahlungskonversionselement auf. Das Strahlungskonversionselement ist dem Halbleiterchip in Abstrahlungsrichtung nachgeordnet. Das Strahlungskonversionselement ist insbesondere ein vorgefertigtes Element der optoelektronischen Anordnung. Das Strahlungskonversionselement ist beispielsweise ein selbsttragendes Element, etwa eine vorgefertigte Folie. Das Strahlungskonversionselement ist dafür vorgesehen, eine von dem zumindest einen Halbleiterchip erzeugte Primärstrahlung, beispielsweise im blauen, ultravioletten oder infraroten Spektralbereich, vollständig oder zumindest teilweise in Sekundärstrahlung umzuwandeln. Die Sekundärstrahlung kann beispielsweise im roten, grünen, blauen und/oder infraroten Spektralbereich liegen. Beispielsweise kann eine Strahlungskonversion vom blauen oder ultravioletten Spektralbereich in den roten oder grünen Spektralbereich oder eine Strahlungskonversion vom sichtbaren in den infraroten Spektralbereich oder vom infraroten Spektralbereich in den infraroten Spektralbereich erfolgen. Insbesondere kann die Sekundärstrahlung in zumindest zwei voneinander verschiedenen Spektralbereichen des sichtbaren Spektrums Strahlungsanteile enthalten, beispielsweise im roten und im grünen Spektralbereich.
Das Strahlungskonversionselement weist eine Mehrzahl von Konversionskörpern mit jeweils einer Längserstreckungsachse auf. Die Längserstreckungsachse verläuft entlang derjenigen Richtung, entlang der die Ausdehnung der Konversionskörper am größten ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung weist das Strahlungskonversionselement eine Mehrzahl von Quantenstäbchen mit jeweils einer Längserstreckungsachse auf. Die Konversionskörper sind also zumindest teilweise durch Quantenstäbchen gebildet. Die Längserstreckungsachse verläuft entlang derjenigen Richtung, entlang der die Ausdehnung der Quantenstäbchen am größten ist. Als Quantenstäbchen werden insbesondere Volumenkörper verstanden, die aufgrund ihrer geringen Größe zumindest quer zur Längserstreckungsachse eine Quantisierung der energetischen Zustände erfahren. Die Quantenstäbchen sind insbesondere nicht kugelsymmetrisch. Zum Beispiel sind die Quantenstäbchen rotationssymmetrisch zur Längserstreckungsachse.
Das Strahlungskonversionselement kann weiterhin Konversionskörper, beispielsweise Quantenstäbchen oder organische Konversionskörper aufweisen, die sich in der Peak-Wellenlänge der Sekundärstrahlung unterscheiden. Zum Beispiel emittieren erste Konversionskörper, zum Beispiel erste Quantenstäbchen, im roten Spektralbereich und zweite Konversionskörper, zum Beispiel zweite Quantenstäbchen, im grünen Spektralbereich. Zusätzlich können dritte Konversionskörper, zum Beispiel Quantenstäbchen, vorgesehen sein, die beispielsweise im blauen Spektralbereich emittieren. Die Peak-Wellenlänge der von den Quantenstäbchen emittierten Strahlung ist bei deren Herstellung insbesondere über das Material und/oder die Dimensionierung der Quantenstäbchen einstellbar.
Eine räumliche Ausrichtung der Längserstreckungsachsen weist eine Vorzugsrichtung auf. Die Konversionskörper, beispielsweise die Quantenstäbchen, sind hinsichtlich der Orientierung ihrer Längserstreckungsachse also nicht zufällig verteilt. Insbesondere sind mindestens 50 % der Konversionskörper, beispielsweise der Quantenstäbchen, bevorzugt mindestens 80% der Konversionskörper, beispielsweise der Quantenstäbchen, so orientiert, dass die Längserstreckungsachse der Konversionskörper, beispielsweise der Quantenstäbchen, in einem Winkel von höchstens 20° zur Vorzugsrichtung verläuft. Im Idealfall sind alle Konversionskörper, beispielsweise alle Quantenstäbchen entlang der Vorzugsrichtung orientiert. Eine erhöhte Effizienz der optoelektronischen Anordnung wird jedoch auch bereits erreicht, wenn die Konversionskörper, beispielsweise die Quantenstäbchen nur zum Teil entlang der Vorzugsrichtung orientiert sind.
Die Vorzugsrichtung verläuft insbesondere in einer Haupterstreckungsebene des Strahlungskonversionselements.
In mindestens einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung weist die Anordnung einen Halbleiterchip auf, der zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen ist. Dem Halbleiterchip ist in Abstrahlungsrichtung ein Strahlungskonversionselement nachgeordnet. Das Strahlungskonversionselement weist eine Mehrzahl von Konversionskörpern, beispielsweise Quantenstäbchen mit jeweils einer Längserstreckungsachse auf, wobei eine räumliche Ausrichtung der Längserstreckungsachsen eine Vorzugsrichtung aufweist.
Im Unterschied zu kugelsymmetrischen Konversionskörpern, beispielsweise Quantenpunkten, emittieren Konversionskörper mit einer Längserstreckungsachse, beispielsweise Quantenstäbchen nicht isotrop in alle Raumrichtungen. Die Konversionskörper, beispielsweise die Quantenstäbchen emittieren jeweils am stärksten in einer senkrecht zur Längserstreckungsachse verlaufenden Ebene. Entlang der Längserstreckungsachse emittieren die Konversionskörper, beispielsweise die Quantenstäbchen keine Strahlung. Bei einer vollständigen Ausrichtung aller Längserstreckungsachsen aller Konversionskörper, beispielsweise aller Quantenstäbchen, parallel zur Vorzugsrichtung strahlt das Strahlungskonversionselement parallel zur Vorzugsrichtung keine Strahlung ab. Mittels einer Ausrichtung der Vorzugsrichtung parallel zur Haupterstreckungsebene kann der Strahlungsanteil der Sekundärstrahlung verringert werden, der in der Haupterstreckungsebene verläuft und nur schwer nutzbar wäre.
Weiterhin kann die Ausrichtung der Konversionskörper, beispielsweise der Quantenstäbchen im Strahlungskonversionselement bewirken, dass die optoelektronische Anordnung zumindest teilpolarisierte Strahlung abstrahlt. Teilpolarisiert bedeutet in diesem Zusammenhang, dass eine Polarisationsrichtung gegenüber einer senkrecht dazu verlaufenden weiteren Polarisationsrichtung überwiegt. Die polarisierte Emission von Nano-Materialien ist beispielsweise auf der Internet-Seite http://qlightnano.com/products/ beschrieben, deren Offenbarungsgehalt diesbezüglich in die vorliegende Anmeldung aufgenommen wird. Der Strahlungsanteil, der aufgrund seiner Polarisation an einem Polarisationsfilter an einer Eintrittsseite einer nachgeordneten Flüssigkristallanzeige verloren geht, kann so verringert werden. Im Unterschied zu einer optoelektronischen Anordnung, die unpolarisierte Strahlung abstrahlt, geht also nicht die Hälfte der abgestrahlten Strahlung an diesem Polarisationsfilter verloren. Der für die Hinterleuchtung einer Flüssigkristallanzeige nutzbare Strahlungsanteil wird also bei gleicher Leistungsaufnahme der optoelektronischen Anordnung erhöht. Mit anderen Worten wird die für die Funktion der Flüssigkristallanzeige erforderliche Polarisation der Strahlung nicht nur durch den strahlungseintrittsseitigen Polarisationsfilter erzielt, was bei unpolarisierter Strahlung zwangsläufig zum Verlust der halben Strahlungsleistung führt. Vielmehr wird die Strahlung in der optoelektronischen Anordnung so erzeugt, dass die erzeugte Strahlung bedingt durch den der Strahlungserzeugung zugrunde liegenden Mechanismus überwiegend, beispielsweise zu 55 % oder mehr oder zu 65 % oder mehr, die geeignete Polarisation aufweist.
Senkrecht zur Längserstreckungsachse weisen die Konversionskörper, beispielsweise die Quantenstäbchen eine maximale Querausdehnung auf, die insbesondere kleiner ist als eine Längsausdehnung entlang der Längserstreckungsachse.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung weisen die Konversionskörper, beispielsweise die Quantenstäbchen ein Verhältnis der Längsausdehnung zur maximalen Querausdehnung zwischen einschließlich 2:1 und einschließlich 20:1 auf. Zum Beispiel beträgt das Verhältnis zwischen einschließlich 3:1 und einschließlich 10:1.
Konversionskörper, beispielsweise Quantenstäbchen mit einem solchen Verhältnis haben sich für ein Strahlungskonversionselement zur Erzeugung von zumindest teilpolarisierter Strahlung als besonders geeignet heraus gestellt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung weisen die Konversionskörper, beispielsweise die Quantenstäbchen eine maximale Querausdehnung zwischen einschließlich 1 nm und einschließlich 50 nm auf. Zum Beispiel beträgt die maximale Querausdehnung zwischen einschließlich 2 nm und einschließlich 20 nm.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung basieren die Quantenstäbchen auf einem anorganischen Material. Die Quantenstäbchen enthalten insbesondere ein anorganisches Material, beispielsweise ein anorganisches Halbleitermaterial.
Die anorganischen Quantenstäbchen können beispielsweise ein II-VI-Verbindungshalbleitermaterial enthalten, etwa Cadmiumselenid, Cadmiumsulfid oder Zinkselenid. Alternativ oder ergänzend können die Quantenstäbchen ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial enthalten, etwa Indiumphosphid. Für die Erzeugung von Strahlung im infraroten Spektralbereich eignet sich beispielsweise Al_xIn_yGa_1-x-yAs mit 0 ≤ x ≤ 1 und 0 ≤ x + y ≤ 1 oder PbS.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung weisen die Quantenstäbchen jeweils einen Kern (core) und eine den Kern vollständig umschließende Schale (shell) auf. Der Kern und die Schale sind insbesondere hinsichtlich des Materials voneinander verschieden.
Insbesondere enthalten der Kern und die Schale jeweils ein anorganisches Verbindungshalbleitermaterial. Beispielsweise weist das Material der Schale eine größere Bandlücke auf als das Material des Kerns.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung basieren die Konversionskörper auf einem organischen Material. Die Konversionskörper enthalten beispielsweise Perylene, kondensierte Aromaten, Ringsysteme oder planare Systeme.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung weisen die Quantenstäbchen eine organische Außenhülle auf. Die Außenhülle bildet insbesondere die Außenfläche der einzelnen Quantenstäbchen. Die organische Außenhülle ist insbesondere dafür vorgesehen, eine Agglomeration der Quantenstäbchen beim Ausbilden des Strahlungskonversionselements zu vermeiden oder zumindest zu verringern. Die vorstehend angegebenen Längs- und Querausdehnungen der Quantenstäbchen beziehen sich auf die Ausdehnungen ohne die Außenhülle. Zum Beispiel umschließt die organische Hülle die Quantenstäbchen insbesondere vollständig. Die Außenhülle weist beispielsweise ein organisches Material auf, das Phosphat-, Sulfid-, Amin- oder Amid-basiert ist.
Die organische Hülle kann frei von einer Strahlungskonversionswirkung sein. In diesem Fall leistet die organische Hülle keinen Beitrag zur Strahlungskonversion. Alternativ kann die organische Hülle an der Strahlungskonversion beteiligt sein. Zum Beispiel kann die organische Hülle zur Strahlungsabsorption beitragen und die Energie an die Quantenstäbchen abgeben, etwa mittels eines Förster-Transfers.
Das Strahlungskonversionselement weist ein Matrixmaterial auf, in das die Konversionskörper, beispielsweise die Quantenstäbchen eingebettet sind. Das Matrixmaterial enthält insbesondere ein Polymermaterial. Zum Beispiel eignen sich als Matrixmaterial PET, PE, PS, PMMA, ein Acrylat, ein Epoxid, ein Silikon oder ein Hybridmaterial mit zumindest einem Epoxid oder einem Silikon.
Das Strahlungskonversionselement ist vollständig von einer Verkapselungsschicht umhüllt. Das Strahlungskonversionselement ist also allseitig von der Verkapselungsschicht umgeben. Die Verkapselungsschicht dient insbesondere einem Schutz der Konversionskörper, beispielsweise der Quantenstäbchen vor Sauerstoff und Feuchtigkeit. Auch bei der Verwendung von vergleichsweise empfindlichen Konversionskörpern, beispielsweise Quantenstäbchen ist so eine hohe Betriebslebensdauer der Anordnung vereinfacht erzielbar. Das Matrixmaterial des Strahlungskonversionselements muss also nicht notwendigerweise selbst einen hinreichenden Schutz der Konversionskörper, beispielsweise der Quantenstäbchen vor Feuchtigkeit und/oder Sauerstoff bieten. Das Matrixmaterial kann jedoch zu einer gesteigerten Verkapselungswirkung beitragen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung enthält die Verkapselungsschicht einen Schichtstapel mit zumindest einer Schicht aus organischem Material und/oder zumindest eine Schicht aus anorganischem Material.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung weist die Anordnung eine Mehrzahl von zur Strahlungserzeugung vorgesehenen Halbleiterchips auf. Die Halbleiterchips sind zum Beispiel zumindest teilweise quer, insbesondere senkrecht, zur Vorzugsrichtung der Konversionskörper, beispielsweise der Quantenstäbchen nebeneinander angeordnet. Beispielsweise ist zumindest zwei der Mehrzahl von Halbleiterchips ein gemeinsames Strahlungskonversionselement zugeordnet. Die Herstellung der Anordnung wird so vereinfacht. Alternativ kann jedem zur Strahlungserzeugung vorgesehenen Halbleiterchip ein eigenes, separates Strahlungskonversionselement zugeordnet sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung ist das Strahlungskonversionselement auf einer Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips angeordnet. Beispielsweise kann das Strahlungskonversionselement mittels einer Befestigungsschicht an der Strahlungsaustrittsfläche befestigt sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung ist das Strahlungskonversionselement räumlich beabstandet von dem Halbleiterchip angeordnet (remotephosphor-Konfiguration oder auch semi-remote-phosphor-Konfiguration). Beispielsweise ist das Strahlungskonversionselement auf einem Gehäuse für den Halbleiterchip angeordnet.
Eine Beleuchtungsvorrichtung weist gemäß zumindest einer Ausführungsform eine optoelektronische Anordnung und eine Abstrahlungsfläche auf, wobei im Betrieb der optoelektronischen Anordnung erzeugte Strahlung durch die Abstrahlungsfläche austritt. Die aus der Abstrahlungsfläche austretende Strahlung ist insbesondere zur Einkopplung in eine Flüssigkristallanzeige vorgesehen. Die vorbeschriebene optoelektronische Anordnung ist für die Beleuchtungsvorrichtung besonders geeignet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Beleuchtungsvorrichtung weist die Beleuchtungsvorrichtung einen Lichtleiter auf. Der Lichtleiter weist eine Hauptfläche auf, durch die in den Lichtleiter eingekoppelte Strahlung austritt. Die Hauptfläche kann die Abstrahlungsfläche bilden oder parallel zur Abstrahlungsfläche verlaufen.
Insbesondere wird die Strahlung durch eine schräg oder senkrecht zur Hauptfläche verlaufende Seitenfläche des Lichtleiters eingekoppelt und tritt durch die Hauptfläche aus. Die von der optoelektronischen Anordnung in den Lichtleiter eingekoppelte Strahlung wird also im Lichtleiter in Richtung der Hauptfläche umgelenkt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Beleuchtungsvorrichtung ist der Lichtleiter zumindest teilweise polarisationserhaltend ausgebildet. Die Lichtumlenkung erfolgt insbesondere derart, dass in den Lichtleiter beispielsweise durch die Seitenfläche eintretende polarisierte Strahlung beim Austritt durch die Hauptfläche zumindest noch teilpolarisiert ist. Derartige polarisationserhaltende Lichtleiter sind in dem Artikel von Z. Luo et al. (Beitrag 57.2 in SID 2014 Digest, S. 836 - 838) beschrieben.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Beleuchtungsvorrichtung ist die Abstrahlungsrichtung der optoelektronischen Anordnung senkrecht zur Abstrahlungsfläche angeordnet. Eine derartige Anordnung wird bei der Hinterleuchtung von Flüssigkristallanzeigen auch als direkte Hinterleuchtung bezeichnet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Beleuchtungsvorrichtung ist dem Strahlungskonversionselement der optoelektronischen Anordnung in Abstrahlungsrichtung ein optisches Element nachgeordnet, das die von der optoelektronischen Anordnung emittierte Strahlung im Lichtleiter zumindest zum Teil polarisationserhaltend umlenkt. Zum Beispiel weist das optische Element eine Mehrzahl von Prismen, die entlang einer Längsrichtung lang gestreckt sind, auf, wobei die Längsrichtung parallel zur Vorzugsrichtung der Konversionskörper, beispielsweise der Quantenstäbchen verläuft. Die Prismen können die Strahlung in einen nutzbaren Winkelbereich kollimieren. Das optische Element kann beispielsweise eine Folie sein, die auf der optoelektronischen Anordnung angeordnet ist. Die Folie kann insbesondere als eine sogenannte helligkeitssteigernde Folie (Brightness Enhancement Film, BEF) ausgebildet sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Beleuchtungsvorrichtung ist die Beleuchtungsvorrichtung zur Hinterleuchtung einer Flüssigkristallanzeige vorgesehen. Die Hinterleuchtung kann so besonders energieeffizient und zugleich mit einer hohen Betriebslebensdauer erfolgen.
Weitere Ausgestaltungen und Weiterbildungen ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.
Es zeigen:

1 ein Ausführungsbeispiel für ein Strahlungskonversionselement in perspektivischer schematischer Darstellung;
die 2A und 2B jeweils ein Ausführungsbeispiel für eine Beleuchtungsvorrichtung mit einer optoelektronischen Anordnung in schematischer Schnittansicht;
die 3A und 3B ein weiteres Ausführungsbeispiel für eine optoelektronische Anordnung in schematischer Draufsicht (3A) und zugehöriger Seitenansicht (3B); und
die 4A und 4B jeweils ein weiteres Ausführungsbeispiel eine Beleuchtungsvorrichtung mit einer optoelektronischen Anordnung in schematischer Darstellung. Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.

In 1 ist ein Ausführungsbeispiel für ein Strahlungskonversionselement 3 gezeigt, in dem das Funktionsprinzip der optoelektronischen Anordnung und der Mechanismus der Strahlungserzeugung erläutert werden.
Das Strahlungskonversionselement 3 umfasst eine Mehrzahl von Konversionskörpern 40. Es wird nachfolgend exemplarische eine Ausgestaltung beschrieben, bei der die Konversionskörper 40 Quantenstäbchen 4 sind. Davon abweichend können die Konversionskörper aber auch auf einem organischen Material basieren und beispielsweise Perylene, kondensierte Aromaten, Ringsysteme oder planare Systeme enthalten. Die Quantenstäbchen 4 sind in ein Matrixmaterial 35 des Strahlungskonversionselements eingebettet. Die Quantenstäbchen 4 sind jeweils länglich ausgebildet und weisen entlang einer Längserstreckungsachse 44 eine Längsausdehnung 45 auf, die größer ist als eine senkrecht zur Längserstreckungsachse verlaufende Querausdehnung 46.
Bei einer optischen Anregung der Quantenstäbchen durch eine Primärstrahlung 20 emittieren die Quantenstäbchen eine Sekundärstrahlung 30. Die Intensität der Abstrahlung ist proportional zu sin² θ, wobei θ den Winkel zwischen der Längserstreckungsachse 44 und der Abstrahlungsrichtung angibt. Die Quantenstäbchen strahlen also entlang ihrer Längserstreckungsachse 44 nicht ab. Senkrecht zur Längserstreckungsachse 44, also für θ = 90° verläuft eine Hauptabstrahlungsebene 49, was in der 1 schematisch als perspektivisch gezeichneter Kreis dargestellt ist. Die von den Quantenstäbchen 4 emittierte Strahlung ist jeweils polarisiert. Eine Polarisationsrichtung 48 verläuft parallel zur Längserstreckungsachse 44.
In dem Strahlungskonversionselement 3 sind die einzelnen Quantenstäbchen 4 so orientiert, dass die Längserstreckungsachsen 44 der Quantenstäbchen 4 eine Vorzugsrichtung 39 aufweisen. Die Vorzugsrichtung verläuft insbesondere in der Haupterstreckungsebene des Strahlungskonversionselements 3. In dem gezeigten Ausführungsbeispiel verlaufen alle Längserstreckungsachsen 44 parallel zur Vorzugsrichtung. In diesem Idealfall ist die in dem Strahlungskonversionselement 3 von den Quantenstäbchen 4 erzeugte Sekundärstrahlung vollständig polarisiert. Einzelne Quantenstäbchen 4 können jedoch auch eine von der Vorzugsrichtung 39 abweichende Orientierung der Längserstreckungsachse 44 aufweisen, so dass die Sekundärstrahlung 30 teilpolarisiert ist. Die Ausrichtung der Quantenstäbchen kann während der Herstellung dadurch erzielt werden, dass die Quantenstäbchen in das Matrixmaterial in Form einer Folie eingebettet werden und die Folie anisotrop entlang einer Richtung unter Einwirkung von Wärme in einen gedehnten Zustand gebracht wird. Entlang dieser Richtung erfolgt die Ausrichtung der Quantenstäbchen, welche nach dem Erstarren des Matrixmaterials in dem gedehnten Zustand erhalten bleibt. Alternativ oder zusätzlich zu Wärme kann eine Ausrichtung beispielsweise auch mechanisch, etwa über Zug, oder elektromagnetisch erfolgen.
In dem gezeigten Ausführungsbeispiel weisen die Quantenstäbchen 4 jeweils einen Kern und eine den Kern vollständig umgebende Schale 42 auf.
Weiterhin weisen die Quantenstäbchen 4 eine Außenhülle auf, die vorzugsweise aus einem organischen Material gebildet ist. Die Außenhülle dient der Vermeidung einer Agglomeration der einzelnen Quantenstäbchen 4. Die Längsausdehnung 45 und die Querausdehnung 46 der Quantenstäbchen 4 beziehen sich daher auf die jeweilige Ausdehnung der Quantenstäbchen ohne die Außenhülle 43.
Die Quantenstäbchen 4 weisen ein Verhältnis der Längsausdehnung zur maximalen Querausdehnung zwischen einschließlich 2:1 und einschließlich 20:1, zum Beispiel zwischen einschließlich 3:1 und einschließlich 10:1, auf. Die maximale Querausdehnung beträgt zwischen einschließlich 1 nm und einschließlich 50 nm, zum Beispiel zwischen einschließlich 2 nm und einschließlich 20 nm. Die Längsausdehnung beträgt beispielsweise zwischen einschließlich 10 nm und einschließlich 200 nm.
Das Strahlungskonversionselement 3 weist in dem gezeigten Ausführungsbeispiel exemplarisch erste Quantenstäbchen 4A, zweite Quantenstäbchen 4B und dritte Quantenstäbchen 4C auf. Die ersten, zweiten und dritten Quantenstäbchen sind dafür vorgesehen, Sekundärstrahlungsanteile mit voneinander verschiedenen Peak-Wellenlängen zu erzeugen. Beispielsweise erzeugen die ersten Quantenstäbchen Strahlung im roten Spektralbereich, die zweiten Quantenstäbchen Strahlung im grünen Spektralbereich und die dritten Quantenstäbchen Strahlung im blauen Spektralbereich. In diesem Fall kann das Strahlungskonversionselement 3 Strahlungsanteile im roten, grünen und blauen Spektralbereich zur Verfügung stellen, die jeweils polarisiert oder zumindest teilpolarisiert sind. Weiterhin können die Quantenstäbchen jeweils eine spektral schmalbandige Abstrahlung aufweisen, so dass Verluste an Farbfiltern einer Flüssigkristallanzeige minimiert werden können.
Die ersten Quantenstäbchen 4A, die zweiten Quantenstäbchen 4B und die dritten Quantenstäbchen 4C können sich beispielsweise bezüglich der Ausdehnung und/oder der verwendeten Materialien jeweils voneinander unterscheiden, um so voneinander verschiedene Peak-Wellenlängen zu erzielen.
Das Strahlungskonversionselement 3 kann jedoch auch nur einen Typ oder zwei Typen von Quantenstäbchen 4 oder mehr als drei Typen von Quantenstäbchen aufweisen.
Die Quantenstäbchen 4 enthalten vorzugsweise ein anorganisches Material, insbesondere ein Verbindungshalbleitermaterial. Bei einer Anordnung mit einem Kern 41 und einer Schale 42 enthalten vorzugsweise sowohl der Kern als auch die Schale ein anorganisches Material, insbesondere ein Verbindungshalbleitermaterial. Beispielsweise enthalten die Quantenstäbchen 4 Cadmiumselenid, Cadmiumsulfid, Zinkselenid oder Indiumphosphid.
Ein Ausführungsbeispiel für eine Beleuchtungsvorrichtung 7 mit einer optoelektronischen Anordnung 1 ist in 2A in schematischer Schnittansicht gezeigt. Die Beleuchtungsvorrichtung 7 umfasst die optoelektronische Anordnung 1 und einen Lichtleiter 71.
Die optoelektronische Anordnung 1 weist einen zur Strahlungserzeugung vorgesehenen Halbleiterchip 2 auf. Beispielsweise enthält der Halbleiterchip einen zur Strahlungserzeugung im blauen oder ultravioletten Spektralbereich vorgesehenen aktiven Bereich auf der Basis von einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial, etwa Al_x In_y Ga_1-x-y N mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1.
Weiterhin weist die optoelektronische Anordnung ein Strahlungskonversionselement 3 auf, das dem Halbleiterchip 2 in einer Abstrahlungsrichtung 21 nachgeordnet ist. Das Strahlungskonversionselement 3 ist also Teil der optoelektronischen Anordnung. Vor dem Austritt der im Betrieb der optoelektronischen Anordnung im Halbleiterchip erzeugten Primärstrahlung aus einer Strahlungsaustrittsfläche 10 der optoelektronischen Anordnung muss die Strahlung also das Strahlungskonversionselement 3 durchqueren. Bei der in 2A dargestellten Ausgestaltung bildet das Strahlungskonversionselement 3 die Strahlungsaustrittsfläche.
Das Strahlungskonversionselement 3 kann wie im Zusammenhang mit 1 beschrieben ausgebildet sein. Die von der optoelektronischen Anordnung 1 im Strahlungskonversionselement 3 erzeugte und durch die Strahlungsaustrittsfläche 10 der optoelektronischen Anordnung austretende Sekundärstrahlung ist polarisiert oder zumindest teilpolarisiert. Die Vorzugsrichtung der Quantenstäbchen verläuft senkrecht zur Schnittebene der 2A. Die optoelektronische Anordnung 1 stellt also selbst bereits polarisierte oder zumindest teilpolarisierte Strahlung zur Verfügung, so dass bei der Hinterleuchtung einer Flüssigkristallanzeige Verluste an dem Polarisationsfilter, der auf der Strahlungseintrittsseite der Flüssigkristallanzeige angeordnet ist, verringert werden. Weiterhin wird die Sekundärstrahlung bedingt durch den Erzeugungsmechanismus mittels orientierten Quantenstäbchen bereits zumindest teilweise polarisiert erzeugt und die Effizienz der Beleuchtung erhöht.
Ferner erfolgt keine Abstrahlung der Quantenstäbchen 4 entlang der Vorzugsrichtung, welche parallel zur Haupterstreckungsebene des Strahlungskonversionselements verläuft. Dieser Strahlungsanteil, der nur schwer in den Lichtleiter 71 eingekoppelt werden könnte, wird also zugunsten einer erhöhten Abstrahlung senkrecht zur Strahlungsaustrittsfläche verringert.
Weiterhin weist das Strahlungskonversionselement 3 eine Verkapselungsschicht 32 auf. Die Verkapselungsschicht ist insbesondere dafür vorgesehen, die Quantenstäbchen 4 vor Feuchtigkeit und/oder Sauerstoff zu schützen. Die Verkapselungsschicht bedeckt das Strahlungskonversionselement 3 an allen Seiten. Die Verkapselungsschicht 32 enthält oder besteht beispielsweise aus einem Polymermaterial, etwa Silikon, Epoxid, PET, Parylene oder Polysilazan oder enthält oder besteht aus einem anorganischen Material, etwa Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Aluminiumoxid, Titanoxid oder Zirconiumoxid. Die Verkapselungsschicht kann insbesondere mehrschichtig ausgebildet sein. Weiterhin kann die Verkapselungsschicht auch eine Schichtfolge mit zumindest einer organischen und einer anorganischen Schicht aufweisen. Die Verkapselungsschicht 32 bildet bei dem in 2A dargestellten Ausführungsbeispiel die Strahlungsaustrittsfläche 10 der optoelektronischen Anordnung.
Der Halbleiterchip 2 ist in einem Gehäusekörper 25 angeordnet. Der Gehäusekörper 25 umformt einen ersten Anschlussleiter 26 und einen weiteren Anschlussleiter 27. Der erste Anschlussleiter und der weitere Anschlussleiter sind von außerhalb des Gehäusekörpers 25 auf der der Strahlungsaustrittsfläche 10 abgewandten Seite für eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterchips 2 zugänglich. Der Halbleiterchip 2 ist über Verbindungsleitungen 23 mit dem Anschlussleiter 26 und dem weiteren Anschlussleiter 27 verbunden. Im gezeigten Ausführungsbeispiel weist der Halbleiterchip 2 auf der der Strahlungsaustrittsfläche 10 zugewandten Seite zwei Kontakte auf. Davon abweichend kann aber auch ein Halbleiterchip Anwendung finden, der zumindest einen Kontakt oder beide Kontakte auf der der Strahlungsaustrittsfläche 10 abgewandten Seite aufweist.
Der Halbleiterchip 2 ist in eine Umhüllung 22 eingebettet. Die Umhüllung 22 enthält zweckmäßigerweise ein für die Primärstrahlung strahlungsdurchlässiges Material, beispielsweise ein Silikon oder ein Epoxid.
Bei dem in 2A dargestellten Ausführungsbeispiel ist das Strahlungskonversionselement 3 von dem Halbleiterchip 2 räumlich beabstandet. Das Strahlungskonversionselement 3 ist an dem Gehäusekörper 25 befestigt. Beispielsweise ist das Strahlungskonversionselement 3 mittels einer Befestigungsschicht 28 befestigt. Alternativ kann das Strahlungskonversionselement auf den Gehäusekörper auflaminiert sein.
Auf der der Strahlungsaustrittsfläche 10 abgewandten Seite sind der Anschlussleiter 26 und der weitere Anschlussleiter 27 mit einem Anschlussträger 29, beispielsweise einer Leiterplatte elektrisch leitend verbunden.
Die optoelektronische Anordnung 1 kann selbstverständlich auch mehr als einen zur Strahlungserzeugung vorgesehenen Halbleiterchip 2 aufweisen, wobei die Halbleiterchips jeweils in einem Gehäuse oder mehrere Halbleiterchips in einem Gehäuse angeordnet sein können. Weiterhin können alternativ mehrere Halbleiterchips auch ungehäust auf dem Anschlussträger 29 angeordnet und elektrisch kontaktiert sein. Die Art der Gehäuse für die Halbleiterchips 2 ist in weiten Grenzen wählbar. Beispielsweise kann der Gehäusekörper 25 auch durch ein Material gebildet sein, das an den Halbleiterchip 2 angeformt ist.
Bei dem in 2B dargestellten Ausführungsbeispiel ist das Strahlungskonversionselement 3 im Unterschied zu dem in 2A dargestellten Ausführungsbeispiel unmittelbar auf dem Halbleiterchip 2 angeordnet. Das Strahlungskonversionselement 3 ist gemeinsam mit dem Halbleiterchip 2 in die Umhüllung 22 eingebettet. Die Umhüllung kann also auch dem Schutz des Strahlungskonversionselements dienen. Auf eine zusätzliche Verkapselungsschicht kann in diesem Fall auch verzichtet werden. Die Umhüllung verläuft bereichsweise zwischen dem Strahlungskonversionselement und der Strahlungsaustrittsfläche 10 der optoelektronischen Anordnung.
In den 3A und 3B ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für eine optoelektronische Anordnung 1 gezeigt.
Die optoelektronische Anordnung weist eine Mehrzahl von Halbleiterchips 2 auf. Die Halbleiterchips 2 sind ungehäust auf dem Anschlussträger 29 angeordnet. Das Strahlungskonversionselement 3 bildet ein gemeinsames Strahlungskonversionselement für mehrere Halbleiterchips 2, insbesondere alle Halbleiterchips der optoelektronischen Anordnung 1. Das Strahlungskonversionselement überdeckt zumindest bereichsweise auch die zwischen den Halbleiterchips angeordnete Umhüllung 22. In dem gezeigten Ausführungsbeispiel sind die Halbleiterchips 2 in einer senkrecht zur Vorzugsrichtung 39 verlaufenden Richtung nebeneinander in Form eines Streifens angeordnet. Eine derartige Ausgestaltung der optoelektronischen Anordnung 1 eignet sich insbesondere für eine seitliche Einkopplung in einen Lichtleiter (vergleiche 4A).
Auf der der Strahlungsaustrittsfläche 10 zugewandten Seite sind die Halbleiterchips 2 frei von der Umhüllung 22. Für die Umhüllung kann daher auch ein reflektierendes Material Anwendung finden, beispielsweise ein mit Weißpigmenten versetztes Polymermaterial, etwa ein Silikon oder ein Epoxid oder ein Hybridmaterial mit einem Silikon und einem Epoxid. Als Weißpigment eignet sich beispielsweise Titanoxid oder Zirkoniumoxid.
Alternativ kann die Umhüllung 22 auch strahlungsdurchlässig ausgebildet sein. In diesem Fall ist der Anschlussträger 29 vorzugsweise reflektierend ausgebildet, beispielsweise mittels einer Beschichtung, die für die von der optoelektronischen Anordnung 1 abgestrahlte Strahlung reflektierend ausgebildet ist, beispielsweise mit einer Reflektivität von mindestens 60%. Vorzugsweise ist die Beschichtung metallisch. Eine polarisationserhaltende Reflexion ist so vereinfacht erzielbar.
In 4A ist ein Ausführungsbeispiel für eine Beleuchtungsvorrichtung 7 gezeigt, wobei die optoelektronische Anordnung 1 insbesondere wie im Zusammenhang mit dem 3A und 3B beschrieben ausgebildet sein kann.
Die Einkopplung der im Betrieb der optoelektronischen Anordnung 1 erzeugten Strahlung erfolgt über eine Seitenfläche 715 des Lichtleiters 71 der Beleuchtungsvorrichtung. Die Abstrahlung des Lichtleiters 71 erfolgt über eine Hauptfläche 710, die entlang einer Haupterstreckungsebene des Lichtleiters 71 verläuft. Der Lichtleiter 71 bildet eine Abstrahlungsfläche 70 der Beleuchtungsvorrichtung. Die Vorzugsrichtung 39 der Quantenstäbchen 4 verläuft senkrecht zur Hauptfläche 710, so dass die Abstrahlung der optoelektronischen Anordnung wie im Zusammenhang mit 1 beschrieben überwiegend in einem engwinkligen Abstrahlmuster 12 parallel zur Haupterstreckungsebene des Lichtleiters 71 erfolgt. Dadurch kann eine besonders effiziente Einkopplung in den Lichtleiter erzielt werden. Zugleich bewirkt die Vorzugsrichtung in der optoelektronischen Anordnung wie im Zusammenhang mit 1 beschrieben eine breitwinklige Abstrahlung in der Haupterstreckungsebene des Lichtleiters. Dies führt zu einer effizienten Lichtmischung innerhalb des Lichtleiters und damit zu einer über die Abstrahlungsfläche 70 homogenen Abstrahlung. Dadurch können besonders kleine Totbereiche am Rand der Beleuchtungsvorrichtung erzielt werden.
Der Lichtleiter 71 ist weiterhin vorzugsweise polarisationserhaltend ausgebildet, so dass die aus der Hauptfläche 710 austretende Strahlung der Beleuchtungsvorrichtung zumindest teilpolarisiert ist. Hierfür kann der Lichtleiter 71 beispielsweise einer der Hauptfläche gegenüberliegenden weiteren Hauptfläche 711 eine Strukturierung aufweisen, an der eine polarisationserhaltende Umlenkung erfolgt (nicht explizit dargestellt). Alternativ kann der Lichtleiter beispielsweise keilförmig sein. Je höher der Polarisationsgrad der aus der Beleuchtungsvorrichtung austretenden Strahlung ist, desto geringer können die Verluste an einem nachgeordneten Polarisationsfilter einer Flüssigkristallanzeige sein.
Weiterhin erfolgt in dem Strahlungskonversionselement 3 keine Abstrahlung entlang der Vorzugsrichtung 39. Dieser Strahlungsanteil, der nicht in den Lichtleiter 71 eingekoppelt würde, wird dadurch minimiert und die Effizienz der Hinterleuchtung einer Flüssigkristallanzeige erhöht.
In 4B ist in schematischer Darstellung perspektivisch eine Beleuchtungsvorrichtung 7 gezeigt, bei der die optoelektronische Anordnung 1 der direkten Hinterleuchtung einer Flüssigkristallanzeige 8 dient. Hierfür weist die optoelektronische Anordnung 1 eine Mehrzahl von Halbleiterchips 2 auf, die matrixförmig auf einem Anschlussträger 29 angeordnet sind. Selbstverständlich kann auch eine andere flächige Anordnung, beispielsweise in Form eines hexagonalen Musters, Anwendung finden. Die Haupterstreckungsebene des Anschlussträgers (x-y-Ebene in 4B) verläuft parallel zur Haupterstreckungsebene der Flüssigkristallanzeige 8. Die Abstrahlungsrichtungen der optoelektronischen Anordnungen verlaufen jeweils senkrecht zur Abstrahlungsfläche 70.
Der optoelektronischen Anordnung 1 ist ein optisches Element 6 zugeordnet. Das optische Element 6 ist zur besseren Darstellbarkeit in Form eines übertrieben groß dargestellten Ausschnitts gezeigt. Das optische Element 6 ist dafür vorgesehen, die vom Strahlungskonversionselement 3 abgestrahlte Strahlung, die entlang der Vorzugsrichtung 39 polarisiert ist, polarisationserhaltend umzulenken. Hierfür weist das optische Element exemplarisch eine Mehrzahl von langgestreckten Prismen 61 auf, deren Längsrichtung 610 parallel zur Vorzugsrichtung 39 verläuft. Das optische Element 6 kann beispielsweise als eine Folie ausgebildet sein, die im Strahlengang zwischen den Halbleiterchips 2 und der Flüssigkristallanzeige 8 angeordnet ist.
Die Abstrahlung der Quantenstäbchen 4 erfolgt wie im Zusammenhang mit 1 beschrieben vergleichsweise engwinklig um die x-Achse in 4B. Die Halbleiterchips 2 sind in der optoelektronischen Anordnung 1 daher entlang der Vorzugsrichtung 39 (y-Richtung) vorzugsweise in einem kleineren Abstand angeordnet als entlang der senkrecht zur Vorzugsrichtung 39 und in der Haupterstreckungsebene des Strahlungskonversionselements 3 verlaufenden Richtung (x-Richtung).
Mit der beschriebenen optoelektronischen Anordnung 1 kann auf besonders effiziente Weise eine gleichmäßige Hinterleuchtung einer Flüssigkristallanzeige sowohl bei einer seitlichen Einkopplung in einen Lichtleiter als auch bei einer direkten Hinterleuchtung erzielt werden. Insbesondere können Strahlungsanteile, die für die Hinterleuchtung nicht nutzbar sind, beispielsweise aufgrund einer ungeeigneten Abstrahlungsrichtung oder einer ungeeigneten Polarisation, bereits bei der Erzeugung der Strahlung zugunsten einer Erhöhung der nutzbaren Strahlung vermindert werden.

Claims

Optoelektronische Anordnung (1) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen Halbleiterchip (2), wobei - dem Halbleiterchip in Abstrahlungsrichtung (21) ein Strahlungskonversionselement (3) nachgeordnet ist; - das Strahlungskonversionselement eine Mehrzahl von Konversionskörpern (40) mit jeweils einer Längserstreckungsachse (44) aufweist, - eine räumliche Ausrichtung der Längserstreckungsachsen eine Vorzugsrichtung (39) aufweist, - das Strahlungskonversionselement ein Matrixmaterial (35) aufweist, in das die Konversionskörper eingebettet sind, und - das Strahlungskonversionselement vollständig von einer Verkapselungsschicht (32) umhüllt ist; und wobei (i) das Strahlungskonversionselement an einer Strahlungsaustrittsfläche (10) des Halbleiterchips befestigt ist; oder (ii) der Halbleiterchip in einem Gehäusekörper (25) angeordnet ist und das Strahlungskonversionselement an dem Gehäusekörper befestigt ist; oder (iii) die optoelektronische Anordnung eine Mehrzahl von Halbleiterchips aufweist, die ungehäust auf einem Anschlussträger angeordnet sind, wobei das Strahlungskonversionselement ein gemeinsames Strahlungskonversionselement für mehrere Halbleiterchips bildet und zumindest bereichsweise auch eine zwischen den Halbleiterchips angeordnete Umhüllung bedeckt.
Optoelektronische Anordnung nach Anspruch 1, bei der die Konversionskörper senkrecht zur Längserstreckungsachse eine maximale Querausdehnung (46) aufweisen und ein Verhältnis einer Längsausdehnung entlang der Längserstreckungsachse zur maximalen Querausdehnung zwischen einschließlich 2:1 und einschließlich 20:1 beträgt.
Optoelektronische Anordnung nach Anspruch 2, bei der die Konversionskörper eine maximale Querausdehnung zwischen einschließlich 1 nm und einschließlich 50 nm aufweisen.
Optoelektronische Anordnung nach einem der vorherigen Ansprüche, bei der die Konversionskörper Quantenstäbchen (4) aufweisen.
Optoelektronische Anordnung nach Anspruch 4, bei der die Quantenstäbchen jeweils einen Kern (41) und eine den Kern vollständig umschließende Schale (42) aufweisen.
Optoelektronische Anordnung nach einem der vorherigen Ansprüche, bei der die Konversionskörper auf einem anorganischen Material basieren.
Optoelektronische Anordnung nach einem der vorherigen Ansprüche, bei der die Konversionskörper auf einem organischen Material basieren.
Optoelektronische Anordnung nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die Verkapselungsschicht einen Schichtstapel mit zumindest einer Schicht aus organischem Material und/oder zumindest eine Schicht aus anorganischem Material enthält.
Optoelektronische Anordnung nach Anspruch 4 oder 5, bei der die Quantenstäbchen jeweils eine organische Außenhülle (43) aufweisen.
Optoelektronische Anordnung nach einem der vorherigen Ansprüche, bei der die Anordnung eine Mehrzahl von zur Strahlungserzeugung vorgesehenen Halbleiterchips aufweist und die Halbleiterchips quer zur Vorzugsrichtung der Konversionskörper nebeneinander angeordnet sind.
Beleuchtungsvorrichtung (7) mit einer optoelektronischen Anordnung nach einem der vorherigen Ansprüche und mit einer Abstrahlungsfläche (70), durch die die im Betrieb der optoelektronischen Anordnung erzeugte Strahlung austritt.
Beleuchtungsvorrichtung nach Anspruch 11, wobei die Beleuchtungsvorrichtung einen Lichtleiter (71) mit einer Hauptfläche (710) und einer schräg oder senkrecht zur Hauptfläche verlaufenden Seitenfläche (715) aufweist, wobei die Strahlung durch die Seitenfläche des Lichtleiters eingekoppelt wird und durch die Hauptfläche austritt.
Beleuchtungsvorrichtung nach Anspruch 12, wobei der Lichtleiter zumindest teilweise polarisationserhaltend ausgebildet ist.
Beleuchtungsvorrichtung nach Anspruch 11, wobei die Abstrahlungsrichtung der optoelektronischen Anordnung senkrecht zur Abstrahlungsfläche angeordnet ist.
Beleuchtungsvorrichtung nach Anspruch 14, wobei dem Strahlungskonversionselement der optoelektronischen Anordnung in Abstrahlungsrichtung ein optisches Element (6) mit einer Mehrzahl von Prismen, die entlang einer Längsrichtung (610) lang gestreckt sind, nachgeordnet ist, wobei die Längsrichtung parallel zur Vorzugsrichtung der Konversionskörper verläuft.
Beleuchtungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 15, wobei die Beleuchtungsvorrichtung zur Hinterleuchtung einer Flüssigkristallanzeige (8) vorgesehen ist.