WO2020030716A1 - Anzeigevorrichtung - Google Patents

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WO2020030716A1
WO2020030716A1 PCT/EP2019/071265 EP2019071265W WO2020030716A1 WO 2020030716 A1 WO2020030716 A1 WO 2020030716A1 EP 2019071265 W EP2019071265 W EP 2019071265W WO 2020030716 A1 WO2020030716 A1 WO 2020030716A1
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chips
display device
additional
pixels
additional chips
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PCT/EP2019/071265
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Hubert Halbritter
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Osram Oled Gmbh
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    • H04M1/026—Details of the structure or mounting of specific components
    • H04M1/0266—Details of the structure or mounting of specific components for a display module assembly

Definitions

  • a display device is specified.
  • One task to be solved is to specify a display device in which additional functions are efficiently integrated within a display area.
  • This task is carried out, among other things, by a
  • a display device which has many pixels between which it is distributed
  • Illumination sources are arranged approximately for infrared.
  • a radiation source for example for facial recognition, is space-saving via the additional lighting sources
  • Display device a variety of pixels.
  • Pixels are arranged in a regular main grid. Red, blue and green light is preferably emitted from the pixels with an adjustable intensity. This means that the pixels can be so-called RGB pixels.
  • the pixels can then be used to display colored images and / or films with the display device.
  • the display device comprises a plurality of additional optoelectronic chips.
  • the additional chips can all be identical or several types of different additional chips are installed. The additional chips are set up to generate radiation, in particular for
  • the pixels are by individually controllable light-emitting regions
  • Filter mask like a liquid crystal mask is therefore not necessary.
  • the light-emitting areas and thus the pixels are controlled, for example, with an active matrix circuit or with a passive matrix circuit.
  • Inorganic semiconductor materials are preferred, since with inorganic semiconductor materials per unit area light is higher
  • Pixels based on an inorganic semiconductor material can thus be smaller and larger gaps between adjacent pixels are possible.
  • the additional chips are arranged in at least one secondary grid.
  • the secondary grid can be regular or irregular. It is possible for several regular secondary grids to be combined with one another and the additional chips are distributed over grid points of the plurality of secondary grids.
  • the at least one secondary grid is offset from the main grid. That is, some or all of the grid grid's grid points fall
  • the additional chips are positioned away from the grid points of the main grid. In other words, the additional chips do not represent a substitution of
  • Pixels represent, but preferably form independent components that exist in addition to the pixels.
  • an arrangement especially a regular arrangement, does not or does not significantly impair or disrupt pixels by the additional chips.
  • Display device a plurality of pixels, which are arranged in a regular main grid. Several optoelectronic additional chips are used to generate radiation.
  • the pixels can be controlled by individually
  • the light-emitting areas are based on an organic and / or an inorganic semiconductor material.
  • the additional chips are arranged in a secondary grid.
  • the secondary grid is offset from the main grid, so that the additional chips are positioned away from grid points of the main grid.
  • Smartphones a recess for an infrared light source and / or for a camera. This is
  • LEDs light-emitting diode chips
  • pLEDs typically have edge dimensions in the range around 10 pm.
  • the space between the pixels is preferably filled with lasers such as pVCSELs or IREDs. These serve as a distributed light source and no longer need to be designed as a discrete component next to the display.
  • each individual additional chip in particular in the form of the pVCSELs and / or the pIREDs, can be controlled and / or modulated very quickly, since only a few pA are required for the current supply.
  • the additional chips can also be controlled via the same control chip, in particular a pIC, which controls the RGB pixels.
  • the radiation of each additional chip can be imaged accordingly. This allows both homogeneous
  • the pVCSELs in particular are arranged in a distributed manner, there are no problems regarding eye safety. Since, for example, the yVCSELs only require a little yA of operating current, they can be modulated quickly, unlike large, discrete chips, which require a few amperes of current and are therefore inductance-limited in terms of their switching times. Furthermore, customized optics such as meter optics, diffractive optics or refractive optics are available for the
  • Display device at least 0.3 million pixels or 1 million pixels or 3.5 million pixels.
  • the display device can thus be used to display images or films with high resolution.
  • At most 100,000 or 10,000 or 1,000 of the additional chips are present. This means that a comparatively small number of additional chips is sufficient to achieve the additional function such as infrared lighting.
  • the secondary grid in which the additional chips are arranged can have a considerably larger grid dimension than the main grid in which the pixels are arranged.
  • the grid dimension of the main grid is at least 30 ⁇ m or 50 ⁇ m.
  • the grid size of the main grid is at most 200 ym or 150 ym or 100 ym.
  • the size of the pixels is preferably at most 90% or 80% or 50% of the grid dimension of the main grid. This means that the pixels can be made relatively small compared to the grid size of the main grid.
  • the additional chips have an average edge length of at most 50 ⁇ m or 20 ⁇ m or 10 ⁇ m when viewed in plan view.
  • the average edge length of the additional chips is at least 1 ⁇ m or 2 ⁇ m or 5 ⁇ m or 10 ⁇ m.
  • the additional chips are arranged at a distance from the pixels. That means the additional chips and the light emitting areas of the pixels.
  • Pixels and / or semiconductor chips of the pixels do not touch.
  • a distance between the additional chips and the pixels and / or their light-emitting areas is, for example, at least 5% or 10% or 20% of the grid size of the main grid.
  • the pixels each have a light-emitting area for red, green and blue light.
  • the light-emitting areas of the respective pixel can preferably be controlled electrically independently of one another. This means that the pixels can be set up as RGB pixels.
  • the pixels are each formed by one or more light-emitting diode chips.
  • an LED chip for generating red light an LED chip for generating green light and an LED chip for generating blue light are present.
  • the respective light can be immediately in one
  • Semiconductor layer sequence of the associated LED chips are generated or only by wavelength conversion using at least one phosphor. If at least one phosphor is used, the light-emitting diode chips of the pixels preferably emit near-ultraviolet radiation or blue light and can therefore all be identical in construction.
  • the semiconductor layer sequence is preferably based on a III-V compound semiconductor material.
  • the semiconductor material is, for example, a nitride
  • Phosphide compound semiconductor material such as
  • Compound semiconductor material such as Al n In ] __ nm Ga m As or like Al n Ga m In ] __ nm As P ] _-k, where 0 dn ⁇ 1, 0 dm ⁇ 1 and n + m ⁇ 1 and 0 dk ⁇ 1 is.
  • the semiconductor layer sequence is preferably based on AlInGaN.
  • the pixels are each formed by light-emitting organic regions. For each emission color there is preferably a separately controllable light-emitting area per pixel.
  • the display device can be a so-called OLED display.
  • part or all of the additional chips are formed by lasers.
  • the lasers or at least some of the lasers are those with a vertical resonator.
  • Such lasers are also referred to as VCSEL, where VCSEL stands for Vertical Cavity Surface Emitting Laser. Because of the preferably small dimensions of the additional chips in the ym range with edge lengths of in particular at most 20 ym or 10 ym, such lasers can also be referred to as yVCSEL.
  • part or all of the additional chips are formed by LED chips and / or by IRED chips.
  • IRED stands for InfraRed Emitting Diode.
  • the additional chips in this case preferably have small dimensions, so that the additional chips are formed by yLEDs or ylREDs.
  • Touch sensor chips are formed or there are corresponding detector chips in addition to the additional chips.
  • a sensor such as a touch sensor or a
  • the control chips are preferably used to control the additional chips and / or the additional detector chips and / or the pixels set up. It is possible for the control chips to control at least some of the pixels as well as the additional chips.
  • control chips are arranged in the same secondary grid or in one of the secondary grids as the additional chips and / or the detector chips.
  • control chips are in
  • control chips are then neither arranged in the main grid nor in the at least one secondary grid.
  • At least some of the additional chips are set up to emit near-infrared radiation.
  • a wavelength of maximum intensity of these additional chips is preferably at least 800 nm and / or at most 1000 nm, in particular around 850 nm or around 940 nm.
  • the additional chips taken together are provided for an optical radiation power of at least 1 W or 2 W or 3 W and / or at most 5 W.
  • Individual additional chips are preferably provided for a radiation power of at least 0.3 mW or 1 mW or 3 mW and / or at most 50 mW or 15 mW.
  • the additional chips preferably do not emit the radiation continuously, but rather in a pulsed manner for only short time ranges. Thus, a power consumption of the additional chips in the
  • time average preferably significantly less than one
  • Additional chips may also be present which emit in the visible spectral range at wavelengths which are not covered by the pixels themselves.
  • the additional chips can emit in different areas of the near infrared spectral range.
  • the different emission wavelengths are preferably emitted successively in time in order to achieve a wavelength resolution.
  • the additional chips can be used with the
  • the additional chips are distributed unevenly over the display device. It is thus possible for the display device to be free of the additional chips in some areas. Areas with a specific density of the additional chips can thus be present, this density not varying in the area in question, and in some areas the display device is completely free of the additional chips. Alternatively, the additional chips are distributed with a continuous gradient, so that in certain areas the display device has a high density of additional chips and in some areas a low density of additional chips.
  • Display device one or more optics.
  • the at least one optic is provided for the additional chips.
  • the at least one optical system is spaced apart from the at least one assigned
  • a distance between the optics and the additional chip is, for example, at least 50 ⁇ m or 100 ⁇ m. This means that the distance of the optics from the additional chip can be significantly larger than the lateral dimensions of the additional chip.
  • the optics are located directly on and / or on the associated additional chip. This allows the display device to have a low overall height.
  • the respective optics for the additional chips in a cover plate are
  • Example is made of a glass or a plastic, preferably covers the pixels and the additional chips together. A separate optical component for the additional chips can thus be dispensed with.
  • At least some of the additional chips are used to generate radiation pulses with a duration of at most 20 ns or 10 ns or 2 ns
  • the radiation impulses a short duration, for example a distance measurement or a transit time measurement can be implemented.
  • part or all of the additional chips are for a biometric measurement
  • the additional chips serve as a light source for facial recognition and / or for fingerprint determination.
  • Display device a display of a smartphone.
  • the display device is a display for a portable computer such as a tablet or a notebook.
  • the display device can display a
  • Wrist device such as a watch or one
  • Figure 1 is a schematic plan view of a display
  • FIGS. 8 to 11 are schematic top views of smartphones with exemplary embodiments of the display devices described here.
  • the modification 1 shows a smartphone 10 with a modification 1 'of a display device.
  • the modification 1 ' has a relatively large cutout 11.
  • the cutout 11 there is, for example, a point projector for structured light, an infrared flash for lighting, for example for face recognition, and / or an infrared camera.
  • the cutout 11 provides a usable area for the modification 1 'of the display device
  • the cutout 11 can be significantly reduced in size or it is possible that the cutout 11 is completely omitted.
  • FIG. 1 An exemplary embodiment of the display device 1 is illustrated in FIG.
  • a plurality of pixels 2 are attached to a carrier 8, such as a printed circuit board.
  • the pixels 2 are each, for example, by a red-emitting LED chip 22R, by a green-emitting one
  • LED chip 22G and formed by a blue-emitting LED chip 22B.
  • the light-emitting diode chips 22R, 22G, 22B are preferably so-called yLEDs, which have only small lateral ones
  • a grid dimension T of an arrangement of the pixels 2 is, for example, approximately 85 ⁇ m. Since the LED chips 22R, 22G, 22B are comparatively small, there is a comparatively large free area on the carrier 8 between adjacent pixels 2. At least one additional chip 4 is accommodated in this free area.
  • the additional chip 4 is preferably a source for near-infrared radiation.
  • the additional chip 4 is formed by a yRRED or by a yVCSEL. This means that the additional chip 4 can optionally generate laser radiation.
  • the additional chip 4 is preferably located in a common plane with the LED chips 22R, 22G, 22B. In particular, the additional chip 4 is attached centrally between adjacent pixels 2. Deviating from the illustration in FIG. 2, there may also be an eccentric arrangement of the additional chip 4 between the pixels 2.
  • Optics 7 are optionally assigned to the additional chip 4.
  • the optics 7 are, for example, a refractive optics such as a lens or also a meta-optics made of an optical metamaterial.
  • the optics 7 can be formed by a diffractive optical element, also referred to as DOE.
  • Lateral dimensions of the optics 7 are preferably larger than the lateral dimensions of the additional chip 4.
  • a width W of the optics 7 is at least 10 ⁇ m and / or at most 50 ⁇ m. The same applies preferably in all other exemplary embodiments.
  • the additional chip 4 can have a single aperture and / or a single one Have laser unit or also include multiple apertures and / or multiple laser units.
  • a single aperture and / or laser unit has lateral ones, for example
  • the additional chip 4 can thus comprise, for example, a 3 ⁇ 3 arrangement or a 5 ⁇ 5 arrangement of VCSEL units.
  • FIG. 3 illustrates that the optics 7 are attached directly or very close to the additional chip 4. In the lateral direction, ie parallel to the carrier 8, the optics 7 can be flush or approximately flush with the
  • the optics 7 can be integrated monolithically or hybrid.
  • each of the additional chips 4 is one of the
  • Additional chips 4 can each be assigned to a control chip 6.
  • the drive chip 6 is an IC, for example.
  • the at least one control chip 6 is located
  • the pixels 2 and the additional chips 4 are located on a main grid 3 and on a secondary grid 5, the
  • At least one control chip 6 is not on these grids. It is possible that there is a separate grid for the control chips 6, which, for example, has its own grid dimension, which can deviate from a grid dimension for the pixels 2 and for the additional chips 4 or also one
  • Pitch for the additional chips 4 can correspond. It is further illustrated in FIG. 4 that the optics 7 for the additional chip 4 shown can be integrated in a cover plate 69. Thus, the optics 7 for the additional chip 4 need not be a separate optical element, but the optics 7 can be integrated in the cover plate 69 above the pixels 2.
  • FIG. 5 illustrates that, as an alternative or in addition to the control chip 6, several
  • Thin film transistors 61 may be present.
  • the at least one thin-film transistor 61 is used to interconnect and / or wire the pixels 2 and / or
  • Additional chips 4 can be implemented.
  • a plurality of photodetector chips 62 are present.
  • the photodetector chips 62 can be arranged in a further, preferably regular, grid dimension.
  • a sensor distance S lies between adjacent photodetector chips 62
  • the sensor distance S which can correspond to a grid dimension of the arrangement of the photodetector chips 62, is preferably equal to the grid dimension T of the pixels 2 or a grid dimension of the secondary grid for the additional chips 4.
  • the photodetector chips 62 can be distributed over the entire display device 1 are present or only be accommodated in regions in the display device 1.
  • the photodetector chips 62 are each assigned their own optics 7b. Different types of optics 7a for the additional chips 4 and optics 7b for the photodetector chips 62 can thus be present. According to FIG. 4, the optics 7a, 7b can be integrated in a cover plate not shown in FIG. 6.
  • photo detector chips 62 can also be different
  • detector chips are used, for example for a touch sensitivity.
  • Corresponding detector chips work capacitively, for example.
  • the pixels 2 each have light-emitting organic regions 23R, 23G, 23B for the independent generation of red, green and blue light.
  • Wiring 9 is provided to control areas 23R, 23G, 23B. Furthermore there is a
  • Activation for example, via thin-film transistors 61, which can be attached between adjacent pixels 2.
  • the light-emitting organic regions 23R, 23G, 23B occupy a comparatively large proportion of an upper side of the carrier 8. This means that there is only a comparatively small intermediate area between adjacent pixels 2.
  • the additional chips 4 are attached in this intermediate area. For this purpose, the additional chips 4 above about the
  • FIG. 8 shows a top view of a smartphone 10 that shows an exemplary embodiment of the display device 1
  • the display device 1 is, for example
  • the pixels 2 are arranged in large numbers in a main grid 3.
  • the additional chips 4 are arranged in a secondary grid 5.
  • Both grids 3, 5 can be formed by regular square or rectangular grids with different grid dimensions.
  • a density of the additional chips 4 is significantly smaller than a density of the pixels 2. That is, there are significantly more pixels 2 than additional chips 4.
  • the additional chips 4 are, for example, approximately on diagonals between the pixels 2
  • Additional chips 4 are located away from grid lines of the main grid 3.
  • FIG. 9 illustrates that the additional chips 4 lie on the connecting lines of the main grid 3. Seen in the left-right direction of FIG. 9, the additional chips 4 are therefore each between adjacent pixels 2.
  • the display device 1 has, for example, approximately 4 million of the pixels 2, in particular for one
  • Eye safety can be achieved, for example, across the entire smartphone 10, since the intensity of the radiation is locally only relatively low in each case.
  • FIG. 10 shows that the additional chips 4 are not distributed over the entire display device 1, but rather, for example, in a central area
  • a lower area and optionally also an upper area of the display device 1 can be free of the additional chips 4, so that, for example, only the pixels 2 are located in the upper and lower areas.
  • FIG. 11 illustrates that the pixels 2 and the pixels in an upper area of the display device 1
  • Additional chips 4 are available. Such an arrangement enables efficient lighting for facial recognition to be achieved, for example.
  • the additional chips 4, the pixels 2 and the photodetector chips 62 are present in a lower region of the display device 1. This allows, for example, an efficient one in the lower area
  • a front camera not shown, can be present in each case. Compared to the modification in FIG. 1, however, such a camera takes up only a comparatively small amount of space on the front, since there is no separate light source next to the
  • An image for facial recognition can then be computed, for example, from the individual signals of the photodetector chips 62 distributed via the display device 1.
  • Layers that do not touch in the figures are preferably spaced apart from one another. If lines are drawn parallel to one another, the corresponding surfaces are preferably also aligned parallel to one another. Unless otherwise indicated, the relative positions of the drawn components to one another are also correctly represented in the figures.
  • the invention encompasses every new feature and every combination of features, which in particular includes every combination of features in the patent claims, even if this feature or this combination itself is not explicitly specified in the patent claims or exemplary embodiments.

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Abstract

In einer Ausführungsform umfasst die Anzeigevorrichtung (1) eine Vielzahl von Bildpunkten (2), die in einem regelmäßigen Hauptraster (3) angeordnet sind. Mehrere optoelektronische Zusatzchips (4) dienen zur Strahlungserzeugung. Die Bildpunkte (2) sind durch einzeln ansteuerbare lichtemittierende Bereiche (22, 23) gebildet. Die Zusatzchips (4) sind in einem Nebenraster (5) angeordnet. Das Nebenraster (5) ist gegenüber dem Hauptraster (3) versetzt, sodass die Zusatzchips (4) abseits von Gitterpunkten des Hauptrasters (3) positioniert sind.

Description

Beschreibung
ANZEIGEVORRICHTUNG
Es wird eine Anzeigevorrichtung angegeben.
Eine zu lösende Aufgabe liegt darin, eine Anzeigevorrichtung anzugeben, bei der Zusatzfunktionen effizient innerhalb einer Anzeigefläche integriert sind.
Diese Aufgabe wird unter anderem durch eine
Anzeigevorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der übrigen
Ansprüche .
Insbesondere wird eine Anzeigevorrichtung angegeben, die viele Bildpunkte aufweist, zwischen denen verteilt
Beleuchtungsquellen etwa für Infrarot angeordnet sind. Über die zusätzlichen Beleuchtungsquellen ist platzsparend eine Strahlungsquelle etwa für eine Gesichtserkennung
realisierbar .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die
Anzeigevorrichtung eine Vielzahl von Bildpunkten. Die
Bildpunkte sind in einem regelmäßigen Hauptraster angeordnet. Bevorzugt wird von den Bildpunkten mit einer einstellbaren Intensität jeweils rotes, blaues und grünes Licht emittiert. Das heißt, die Bildpunkte können sogenannte RGB-Bildpunkte sein. Über die Bildpunkte ist es dann möglich, dass mit der Anzeigevorrichtung farbige Bilder und/oder Filme dargestellt werden . Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Anzeigevorrichtung mehrere optoelektronische Zusatzchips. Die Zusatzchips können alle baugleich sein oder es sind mehrere Arten verschiedener Zusatzchips verbaut. Die Zusatzchips sind zur Strahlungserzeugung eingerichtet, insbesondere zur
Erzeugung von nahinfraroter Strahlung.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Bildpunkte durch einzeln ansteuerbare lichtemittierende Bereiche
gebildet. Das heißt, die Bildpunkte sind dann nicht durch eine Hintergrundbeleuchtung zusammen mit einer
Flüssigkristallmaske realisiert, sondern durch einzelne, selbst lichtemittierende Bereich. Eine nachgeschaltete
Filtermaske wie eine Flüssigkristallmaske ist somit nicht erforderlich. Die lichtemittierenden Bereiche und damit die Bildpunkte werden beispielsweise mit einer Aktivmatrix- Schaltung oder mit einer Passivmatrix-Schaltung angesteuert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform basieren die
lichtemittierenden Bereiche auf einem organischen und/oder auf einem anorganischen Halbleitermaterial. Anorganische Halbleitermaterialien sind bevorzugt, da mit anorganischen Halbleitermaterialien pro Flächeneinheit Licht höherer
Intensität erzeugt werden kann als mit organischen
Halbleitermaterialien. Damit können auf einem anorganischen Halbleitermaterial basierende Bildpunkte kleiner sein und es sind größere Zwischenräume zwischen benachbarten Bildpunkten möglich .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Zusatzchips in mindestens einem Nebenraster angeordnet. Das Nebenraster kann regelmäßig oder auch unregelmäßig sein. Es ist möglich, dass mehrere regelmäßige Nebenraster miteinander kombiniert werden und die Zusatzchips auf Rasterpunkten der mehreren Nebenraster verteilt vorliegen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das mindestens eine Nebenraster gegenüber dem Hauptraster versetzt. Das heißt, einige oder alle Gitterpunkte des Nebenrasters fallen
bevorzugt nicht mit Gitterpunkten des Hauptrasters zusammen. Damit ist erreichbar, dass die Zusatzchips abseits von den Gitterpunkten des Hauptrasters positioniert sind. Mit anderen Worten stellen die Zusatzchips keine Substitution von
Bildpunkten dar, sondern bilden bevorzugt eigenständige, zusätzlich zu den Bildpunkten vorhandene Komponenten.
Insbesondere ist eine Anordnung, speziell eine regelmäßige Anordnung, der Bildpunkte durch die Zusatzchips nicht oder nicht signifikant beeinträchtigt oder gestört.
In mindestens einer Ausführungsform umfasst die
Anzeigevorrichtung eine Vielzahl von Bildpunkten, die in einem regelmäßigen Hauptraster angeordnet sind. Mehrere optoelektronische Zusatzchips dienen zur Strahlungserzeugung. Die Bildpunkte sind durch einzeln ansteuerbare
lichtemittierende Bereiche gebildet. Die lichtemittierenden Bereiche basieren auf einem organischen und/oder auf einem anorganischen Halbleitermaterial. Die Zusatzchips sind in einem Nebenraster angeordnet. Das Nebenraster ist gegenüber dem Hauptraster versetzt, sodass die Zusatzchips abseits von Gitterpunkten des Hauptrasters positioniert sind.
Üblicherweise benötigen Displays in mobilen Geräten wie
Smartphones eine Aussparung etwa für eine Infrarot- Beleuchtungsquelle und/oder für eine Kamera. Dies ist
zunehmend unerwünscht, da eine solche Aussparung die effektive Bildgröße limitiert und einen optischen Gesamteindruck schmälert.
Insbesondere durch die Verwendung von Leuchtdiodenchips, auch als LEDs bezeichnet, als Lichtquelle für die einzelnen
Bildpunkte ergibt sich je nach einem Rastermaß der Bildpunkte ein vergleichsweise großer Freiraum zwischen den einzelnen Bildpunkten und/oder den LEDs für die Bildpunkte. Dies gilt insbesondere, wenn sogenannte pLEDs verwendet werden. Solche pLEDs weisen typischerweise Kantenabmessungen im Bereich um 10 pm auf.
Der Zwischenraum zwischen den Bildpunkten wird bevorzugt mit Lasern wie pVCSELs oder IREDs aufgefüllt. Diese dienen als verteilte Lichtquelle und brauchen nicht mehr als diskrete Komponente neben dem Display ausgeführt zu werden. Zudem kann jeder einzelne Zusatzchip, insbesondere in Form der pVCSELs und/oder der pIREDs, sehr schnell angesteuert und/oder moduliert werden, da je nur wenige pA zur Bestromung benötigt werden. Außerdem können über den gleichen Ansteuerchip, insbesondere ein pIC, der die RGB-Bildpunkte ansteuert, auch die Zusatzchips angesteuert werden.
Werden die einzelnen Zusatzchips mit einer Optik versehen, so kann die Strahlung jedes Zusatzchips entsprechend abgebildet werden. Damit lassen sich sowohl homogene
Beleuchtungsszenarien als auch eine strukturierte Abbildung, auch als structured light bezeichnet, realisieren.
Durch die Anordnung der Zusatzchips zwischen den Bildpunkten ist somit kein zusätzlicher Bauraum für eine weitere
Leuchtquelle nötig. Dadurch, dass insbesondere die pVCSELs verteilt angeordnet sind, bestehen keine Probleme hinsichtlich der Augensicherheit. Da etwa die yVCSELs nur wenig yA an Betriebsstrom benötigen, ergibt sich zudem eine schnelle Modulierbarkeit, anders als bei großen, diskreten Chips, die einige Ampere an Strom benötigen und dadurch hinsichtlich ihrer Schaltzeiten induktivitätsbegrenzt sind. Weiterhin sind maßgeschneiderte Optiken wie Meteroptiken, diffraktive Optiken oder refraktive Optiken für die
Zusatzchips möglich, die ein angepasstes Beleuchtungsszenario aus der Fläche heraus erlauben.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die
Anzeigevorrichtung mindestens 0,3 Millionen Bildpunkte oder 1 Million Bildpunkte oder 3,5 Millionen Bildpunkte. Somit lassen sich mit der Anzeigevorrichtung Bilder oder Filme mit hoher Auflösung darstellen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind höchstens 100000 oder 10000 oder 1000 der Zusatzchips vorhanden. Das heißt, eine vergleichsweise geringe Anzahl der Zusatzchips ist ausreichend, um die Zusatzfunktion wie eine Infrarot- Beleuchtung zu erzielen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind um mindestens einen Faktor 100 oder 500 oder 1000 mehr Bildpunkte als
Zusatzchips vorhanden. Im Vergleich zu den Bildpunkten liegen damit nur sehr wenige der Zusatzchips vor. Entsprechend kann das Nebenraster, in dem die Zusatzchips angeordnet sind, ein erheblich größeres Rastermaß aufweisen als das Hauptraster, in dem die Bildpunkte angeordnet sind.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt das Rastermaß des Hauptrasters bei mindestens 30 ym oder 50 ym. Alternativ oder zusätzlich liegt das Rastermaß des Hauptrasters bei höchstens 200 ym oder 150 ym oder 100 ym. Eine Größe der Bildpunkte liegt bevorzugt bei höchstens 90 % oder 80 % oder 50 % des Rastermaßes des Hauptrasters. Das heißt, die Bildpunkte können im Vergleich zum Rastermaß des Hauptrasters relativ klein gestaltet sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die Zusatzchips in Draufsicht gesehen eine mittlere Kantenlänge von höchstens 50 ym oder 20 ym oder 10 ym auf. Alternativ oder zusätzlich liegt die mittlere Kantenlänge der Zusatzchips bei mindestens 1 ym oder 2 ym oder 5 ym oder 10 ym.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Zusatzchips beabstandet von den Bildpunkten angeordnet. Das heißt, die Zusatzchips und die lichtemittierenden Bereiche der
Bildpunkte und/oder Halbleiterchips der Bildpunkte berühren sich nicht. Ein Abstand zwischen den Zusatzchips und den Bildpunkten und/oder deren lichtemittierender Bereiche liegt beispielsweise bei mindestens 5 % oder 10 % oder 20 % des Rastermaßes des Hauptrasters.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die Bildpunkte jeweils einen lichtemittierenden Bereich für rotes, grünes und blaues Licht auf. Die lichtemittierenden Bereiche des jeweiligen Bildpunkts sind bevorzugt elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbar. Das heißt, die Bildpunkte können als RGB-Bildpunkte eingerichtet sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Bildpunkte jeweils durch einen oder durch mehrere Leuchtdiodenchips gebildet. Beispielsweise ist ein LED-Chip zur Erzeugung von rotem Licht, ein LED-Chip zur Erzeugung von grünem Licht und ein LED-Chip zur Erzeugung von blauem Licht vorhanden. Das jeweilige Licht kann unmittelbar in einer
Halbleiterschichtenfolge der zugehörigen LED-Chips erzeugt werden oder erst durch Wellenlängenkonversion mit Hilfe mindestens einem Leuchtstoffs. Wird zumindest ein Leuchtstoff verwendet, so emittieren die Leuchtdiodenchips der Bildpunkte bevorzugt nahultraviolette Strahlung oder blaues Licht und können damit alle baugleich sein.
Die Halbleiterschichtenfolge basiert bevorzugt auf einem III- V-Verbindungshalbleitermaterial . Bei dem Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein Nitrid-
Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn]__n-mGamN oder um ein
Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial wie
AlnIn]__n-mGamP oder auch um ein Arsenid-
Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn]__n-mGamAs oder wie AlnGamIn]__n-mAs P]_-k, wobei jeweils 0 d n < 1, 0 d m < 1 und n + m < 1 sowie 0 d k < 1 ist. Bevorzugt gilt dabei für zumindest eine Schicht oder für alle Schichten der
Halbleiterschichtenfolge 0 < n < 0,8, 0,4 < m < 1 und n + m < 0,95 sowie 0 < k < 0,5. Dabei kann die
Halbleiterschichtenfolge Dotierstoffe sowie zusätzliche
Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also Al, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können.
Bevorzugt basiert die Halbleiterschichtenfolge auf AlInGaN.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Bildpunkte jeweils durch lichtemittierende organische Bereiche gebildet. Für jede Emissionsfarbe ist pro Bildpunkt bevorzugt ein separat ansteuerbarer lichtemittierender Bereich vorhanden. Das heißt, die Anzeigevorrichtung kann ein sogenanntes OLED- Display sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein Teil oder sind alle der Zusatzchips durch Laser gebildet. Insbesondere handelt es sich bei den Lasern oder bei zumindest einem Teil der Laser um solche mit einem vertikalen Resonator. Derartige Laser werden auch als VCSEL bezeichnet, wobei VCSEL für Vertical Cavity Surface Emitting Laser steht. Aufgrund der bevorzugt kleinen Abmessungen der Zusatzchips im ym-Bereich mit Kantenlängen von insbesondere höchstens 20 ym oder 10 ym können solche Laser auch als yVCSEL bezeichnet werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein Teil oder sind alle der Zusatzchips durch LED-Chips und/oder durch IRED- Chips gebildet. IRED steht für InfraRed Emitting Diode.
Wiederum weisen die Zusatzchips in diesem Fall bevorzugt kleine Abmessungen auf, sodass die Zusatzchips durch yLEDs oder ylREDs gebildet sind.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein Teil der
Zusatzchips durch Fotodetektor-Chips und/oder durch
Berührungssensor-Chips gebildet oder es sind entsprechende Detektorchips zusätzlich zu den Zusatzchips vorhanden. Somit kann auch ein Sensor wie ein Berührungssensor oder eine
Kamera oder ein Fotodetektor verteilt über die
Anzeigevorrichtung im Bereich zwischen den Bildpunkten angebracht sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die
Anzeigevorrichtung mehrere Ansteuerchips. Die Ansteuerchips sind bevorzugt zur Ansteuerung der Zusatzchips und/oder der zusätzlichen Detektorchips und/oder der Bildpunkte eingerichtet. Es ist möglich, dass die Ansteuerchips sowohl zumindest einen Teil der Bildpunkte als auch die Zusatzchips ansteuern .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Ansteuerchips in dem gleichen Nebenraster oder in einem der Nebenraster angeordnet wie die Zusatzchips und/oder die Detektorchips. Alternativ befinden sich die Ansteuerchips in
Zwischenbereichen zwischen dem Hauptraster und dem
Nebenraster. Das heißt, die Ansteuerchips sind dann weder in dem Hauptraster noch in dem zumindest einen Nebenraster angeordnet .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist zumindest ein Teil der Zusatzchips zur Emission von nahinfraroter Strahlung eingerichtet. Eine Wellenlänge maximaler Intensität dieser Zusatzchips liegt bevorzugt bei mindestens 800 nm und/oder bei höchstens 1000 nm, insbesondere um 850 nm oder um 940 nm.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Zusatzchips zusammengenommen für eine optische Strahlungsleistung von mindestens 1 W oder 2 W oder 3 W und/oder von höchstens 5 W vorgesehen. Einzelne Zusatzchips sind bevorzugt für eine Strahlungsleistung von mindestens 0,3 mW oder 1 mW oder 3 mW und/oder von höchstens 50 mW oder 15 mW vorgesehen. Dabei emittieren die Zusatzchips bevorzugt die Strahlung nicht kontinuierlich, sondern gepulst für nur kurze Zeitbereiche. Somit ist eine Leistungsaufnahme der Zusatzchips im
zeitlichen Mittel bevorzugt deutlich geringer als eine
Leistungsaufnahme der Bildpunkte.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind mehrere
verschiedene Arten von Zusatzchips vorhanden. Die verschiedenen Arten von Zusatzchips sind bevorzugt zur
Emission von Strahlung unterschiedlicher Wellenlängen
maximaler Intensität eingerichtet. Beispielsweise ist eine oder sind mehrere Arten von Zusatzchips vorhanden, die im nahen ultravioletten oder im blauen Spektralbereich
emittieren. Weiterhin können Zusatzchips vorhanden sein, die im sichtbaren Spektralbereich bei Wellenlängen emittieren, die von den Bildpunkten selbst nicht abgedeckt sind. Außerdem können die Zusatzchips in unterschiedlichen Bereichen des nahinfraroten Spektralbereichs emittieren.
Durch Zusatzchips, die bei unterschiedlichen Wellenlängen emittieren, lassen sich beispielsweise spektroskopische
Anwendungen realisieren, etwa um die Frische von
Lebensmitteln festzustellen oder um einen Farbabgleich von Kosmetika zu vereinfachen. Sind Zusatzchips mit
unterschiedlichen Emissionswellenlängen vorhanden, so werden die verschiedenen Emissionswellenlängen bevorzugt zeitlich nacheinander emittiert, um eine Wellenlängenauflösung zu erzielen. Alternativ können die Zusatzchips mit den
unterschiedlichen Emissionswellenlängen auch zeitgleich betrieben werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Zusatzchips ungleichmäßig über die Anzeigevorrichtung verteilt. Somit ist es möglich, dass die Anzeigevorrichtung bereichsweise frei von den Zusatzchips ist. Somit können Bereiche mit einer bestimmten Dichte der Zusatzchips vorhanden sind, wobei diese Dichte in dem betreffenden Bereich nicht variiert, und bereichsweise ist die Anzeigevorrichtung gänzlich frei von den Zusatzchips. Alternativ sind die Zusatzchips mit einem kontinuierlichen Gradienten verteilt, sodass bereichsweise die Anzeigevorrichtung eine hohe Dichte an Zusatzchips und bereichsweise eine niedrige Dichte an Zusatzchips aufweist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die
Anzeigevorrichtung eine oder mehrere Optiken. Die mindestens eine Optik ist für die Zusatzchips vorgesehen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die mindestens eine Optik beabstandet von dem mindestens einen zugeordneten
Zusatzchip angebracht. Ein Abstand zwischen der Optik und dem Zusatzchip liegt beispielsweise bei mindestens 50 ym oder 100 ym. Das heißt, der Abstand der Optik von dem Zusatzchip kann signifikant größer sein als laterale Abmessungen des Zusatzchips .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform befindet sich die Optik direkt an und/oder auf dem zugeordneten Zusatzchip. Hierdurch lässt sich eine geringe Bauhöhe der Anzeigevorrichtung erzielen .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die jeweiligen Optiken für die Zusatzchips in einer Deckplatte der
Anzeigevorrichtung integriert. Die Deckplatte, die zum
Beispiel aus einem Glas oder einem Kunststoff ist, überdeckt bevorzugt die Bildpunkte und die Zusatzchips gemeinsam. Somit kann eine separate Optikkomponente für die Zusatzchips entfallen .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist mindestens ein Teil der Zusatzchips zur Erzeugung von Strahlungsimpulsen mit einer Dauer von höchstens 20 ns oder 10 ns oder 2 ns
eingerichtet. Dies ist insbesondere durch die Verwendung von VCSELs möglich. Durch Zusatzchips, die Strahlungsimpulse einer kurzen Dauer aussenden, lässt sich beispielsweise eine Abstandsmessung oder eine Laufzeitmessung realisieren.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein Teil oder sind alle der Zusatzchips für eine biometrische Messung
eingerichtet. Beispielsweise dienen die Zusatzchips als Lichtquelle für eine Gesichtserkennung und/oder für eine Fingerabdruckbestimmung .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die
Anzeigevorrichtung ein Display eines Smartphones. Alternativ handelt es sich bei der Anzeigevorrichtung um ein Display für einen tragbaren Rechner wie ein Tablet oder ein Notebook. Ferner kann die Anzeigevorrichtung ein Display eines
Armbandgeräts wie einer Uhr oder eines
Körperfunktionenmessgeräts sein. Die Verwendung der
Anzeigevorrichtung in anderen mobilen Geräten ist ebenso möglich .
Nachfolgend wird eine hier beschriebene Anzeigevorrichtung unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von
Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Draufsicht auf ein Display eines
Smartphones mit einer Abwandlung einer
Anzeigevorrichtung, Figuren 2 bis 7 schematische Schnittdarstellungen von
Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen
Anzeigevorrichtungen, und
Figuren 8 bis 11 schematische Draufsichten auf Smartphones mit Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen Anzeigevorrichtungen .
In Figur 1 ist ein Smartphone 10 mit einer Abwandlung 1' einer Anzeigevorrichtung dargestellt. An einem oberen Ende weist die Abwandlung 1' einen relativ großen Ausschnitt 11 auf. In dem Ausschnitt 11 befindet sich beispielsweise ein Punktprojektor für strukturiertes Licht, ein Infrarot-Blitz zur Beleuchtung etwa für Gesichtserkennung und/oder eine Infrarotkamera . Durch den Ausschnitt 11 wird eine nutzbare Fläche für die Abwandlung 1 ' der Anzeigevorrichtung
reduziert. Mit den unten beschriebenen Anzeigevorrichtungen 1 lässt sich der Ausschnitt 11 in seiner Größe signifikant reduzieren oder es ist möglich, dass der Ausschnitt 11 komplett entfällt.
In Figur 2 ist ein Ausführungsbeispiel der Anzeigevorrichtung 1 illustriert. Auf einem Träger 8 wie einer Leiterplatte ist eine Vielzahl von Bildpunkten 2 angebracht. Die Bildpunkte 2 sind beispielsweise jeweils durch einen rot emittierenden Leuchtdiodenchip 22R, durch einen grün emittierenden
Leuchtdiodenchip 22G sowie durch einen blau emittierenden Leuchtdiodenchip 22B gebildet. Die Leuchtdiodenchips 22R,
22G, 22B sind elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbar. Bei den Leuchtdiodenchips 22R, 22G, 22B handelt es sich bevorzugt um sogenannte yLEDs, die nur kleine laterale
Abmessungen aufweisen. Ein Rastermaß T einer Anordnung der Bildpunkte 2 liegt beispielsweise bei ungefähr 85 ym. Da die Leuchtdiodenchips 22R, 22G, 22B vergleichsweise klein sind, liegt zwischen benachbarten Bildpunkten 2 eine vergleichsweise große freie Fläche an dem Träger 8 vor. In dieser freien Fläche ist mindestens ein Zusatzchip 4 untergebracht. Bei dem Zusatzchip 4 handelt es sich bevorzugt um eine Quelle für nahinfrarote Strahlung. Beispielsweise ist der Zusatzchip 4 durch eine ylRED oder durch einen yVCSEL gebildet. Das heißt, von dem Zusatzchip 4 kann optional Laserstrahlung erzeugt werden.
Der Zusatzchip 4 befindet sich bevorzugt in einer gemeinsamen Ebene mit den Leuchtdiodenchips 22R, 22G, 22B. Insbesondere ist der Zusatzchip 4 mittig zwischen benachbarten Bildpunkten 2 angebracht. Abweichend von der Darstellung der Figur 2 kann auch eine ausmittige Anordnung des Zusatzchips 4 zwischen den Bildpunkten 2 vorliegen.
Optional ist dem Zusatzchip 4 eine Optik 7 zugeordnet. Bei der Optik 7 handelt es sich beispielsweise um eine refraktive Optik wie eine Linse oder auch um eine Metaoptik aus einem optischen Metamaterial. Weiterhin kann die Optik 7 durch ein diffraktives optisches Element, auch als DOE bezeichnet, gebildet sein.
Laterale Abmessungen der Optik 7 sind bevorzugt größer als laterale Abmessungen des Zusatzchips 4. Beispielsweise liegt eine Breite W der Optik 7 bei mindestens 10 ym und/oder bei höchstens 50 ym. Entsprechendes gilt bevorzugt auch in allen anderen Ausführungsbeispielen.
Handelt es sich bei dem Zusatzchip 4 um einen VCSEL, so kann der Zusatzchip 4 eine einzige Apertur und/oder eine einzige Lasereinheit aufweisen oder ebenso mehrere Aperturen und/oder mehrere Lasereinheiten umfassen. Eine einzelne Apertur und/oder Lasereinheit weist beispielsweise laterale
Abmessungen im Bereich um 2 ym auf. Damit kann der Zusatzchip 4 beispielsweise eine 3 x 3-Anordnung oder eine 5 x 5- Anordnung von VCSEL-Einheiten umfassen.
Im Ausführungsbeispiel der Figur 3 ist illustriert, dass die Optik 7 direkt oder sehr nah an dem Zusatzchip 4 angebracht ist. In lateraler Richtung, also parallel zum Träger 8, kann die Optik 7 bündig oder näherungsweise bündig mit dem
Zusatzchip 4 abschließen. Beispielsweise befindet sich zwischen der Optik 7 und dem Zusatzchip 4 lediglich ein
Verbindungsmittel wie ein Kleber, nicht gezeichnet. Die Optik 7 kann monolithisch oder auch hybrid integriert sein.
Beim Ausführungsbeispiel der Figur 4 sind außerdem zwischen den benachbarten Bildpunkten 2 Ansteuerchips 6 vorhanden. Beispielsweise ist jedem der Zusatzchips 4 einer der
Ansteuerchips 6 zugeordnet. Es können auch mehrere
Zusatzchips 4 jeweils einem Ansteuerchip 6 zugeordnet sein. Der Ansteuerchip 6 ist zum Beispiel ein IC.
Der mindestens eine Ansteuerchip 6 befindet sich
beispielsweise auf einem weiteren Raster. Das heißt, die Bildpunkte 2 sowie die Zusatzchips 4 befinden sich auf einem Hauptraster 3 und auf einem Nebenraster 5, wobei der
zumindest eine Ansteuerchip 6 nicht auf diesen Rastern liegt. Es ist möglich, dass ein eigenes Raster für die Ansteuerchips 6 vorhanden ist, das beispielsweise ein eigenes Rastermaß aufweist, das von einem Rastermaß für die Bildpunkte 2 sowie für die Zusatzchips 4 abweichen kann oder auch einem
Rastermaß für die Zusatzchips 4 entsprechen kann. Weiterhin ist in Figur 4 illustriert, dass die Optik 7 für den dargestellten Zusatzchip 4 in einer Deckplatte 69 integriert sein kann. Somit braucht es sich bei der Optik 7 für den Zusatzchip 4 nicht um ein separates optisches Element zu handeln, sondern die Optik 7 kann in die Deckplatte 69 über den Bildpunkten 2 integriert sein.
Im Ausführungsbeispiel der Figur 5 ist illustriert, dass alternativ oder zusätzlich zum Ansteuerchips 6 mehrere
Dünnfilmtransistoren 61 vorhanden sein können. Über den mindestens einen Dünnfilmtransistor 61 ist eine Verschaltung und/oder Verdrahtung der Bildpunkte 2 und/oder der
Zusatzchips 4 realisierbar.
Hinsichtlich einer Anordnung der Dünnfilmtransistoren 61 gelten die Ausführungen zu den Ansteuerchips 6 in Figur 4 entsprechend .
Im Ausführungsbeispiel der Figur 6 sind zusätzlich zu den Zusatzchips 4 mehrere Fotodetektor-Chips 62 vorhanden. Die Fotodetektor-Chips 62 können in einem weiteren, bevorzugt regelmäßigen Rastermaß angeordnet sein. Ein Sensorabstand S zwischen benachbarten Fotodetektor-Chips 62 liegt
beispielsweise um 100 ym. hierdurch lässt sich ein
Fingerabdruckscanner mittels der Fotodetektor-Chips 62 realisieren .
Der Sensorabstand S, der einem Rastermaß der Anordnung der Fotodetektor-Chips 62 entsprechen kann, ist bevorzugt gleich dem Rastermaß T der Bildpunkte 2 oder einem Rastermaß des Nebenrasters für die Zusatzchips 4. Die Fotodetektor-Chips 62 können über die gesamte Anzeigevorrichtung 1 verteilt vorliegen oder nur bereichsweise in der Anzeigevorrichtung 1 untergebracht sein.
Es ist möglich, dass den Fotodetektor-Chips 62 jeweils eine eigene Optik 7b zugeordnet ist. Damit können unterschiedliche Arten von Optiken 7a für die Zusatzchips 4 sowie Optiken 7b für die Fotodetektor-Chips 62 vorhanden sein. Die Optiken 7a, 7b können entsprechend Figur 4 in einer in Figur 6 nicht gezeichneten Deckplatte integriert sein.
Anstelle von Fotodetektor-Chips 62 können auch anders
gestaltete Detektorchips verwendet werden, beispielsweise für eine Berührsensitivität . Entsprechende Detektorchips arbeiten beispielsweise kapazitiv.
Beim Ausführungsbeispiel der Figur 7 weisen die Bildpunkte 2 jeweils lichtemittierende organische Bereiche 23R, 23G, 23B zur voneinander unabhängigen Erzeugung von rotem, grünem und blauem Licht auf. Zur Ansteuerung der Bereiche 23R, 23G, 23B ist eine Verdrahtung 9 vorhanden. Ferner erfolgt eine
Ansteuerung beispielsweise über Dünnfilmtransistoren 61, die zwischen benachbarten Bildpunkten 2 angebracht sein können.
Im Vergleich zu den Ausführungsbeispielen der Figuren 2 bis 6 nehmen die lichtemittierenden organischen Bereiche 23R, 23G, 23B einen vergleichsweise großen Anteil einer Oberseite des Trägers 8 ein. Das heißt, zwischen benachbarten Bildpunkten 2 liegt nur ein vergleichsweise kleiner Zwischenbereich vor.
Die Zusatzchips 4 sind in diesem Zwischenbereich angebracht. Dazu können die Zusatzchips 4 oberhalb etwa der
Dünnfilmtransistoren 61 und oberhalb der Verdrahtung 9 angebracht sein. Hierdurch ist eine platzsparende Anordnung der Zusatzchips 4 realisierbar. In Figur 8 ist eine Draufsicht auf ein Smartphone 10 gezeigt, dass ein Ausführungsbeispiel der Anzeigevorrichtung 1
umfasst. Die Anzeigevorrichtung 1 ist beispielsweise
gestaltet, wie in Verbindung mit den Figuren 2 bis 7
beschrieben .
Die Bildpunkte 2 sind in großer Anzahl in einem Hauptraster 3 angeordnet. Eine Anordnung der Zusatzchips 4 erfolgt in einem Nebenraster 5. Beide Raster 3, 5 können durch regelmäßige quadratische oder rechteckige Raster mit unterschiedlichen Rastermaßen gebildet sein.
Eine Dichte der Zusatzchips 4 ist wesentlich kleiner als eine Dichte der Bildpunkte 2. Das heißt, es sind deutlich mehr Bildpunkte 2 als Zusatzchips 4 vorhanden.
Die Zusatzchips 4 befinden sich beispielsweise ungefähr auf Diagonalen zwischen den Bildpunkten 2. Damit können die
Zusatzchips 4 abseits von Rasterlinien des Hauptrasters 3 liegen .
In Figur 9 ist illustriert, dass die Zusatzchips 4 auf den Verbindungslinien des Hauptrasters 3 liegen. In Links-Rechts- Richtung der Figur 9 gesehen liegen die Zusatzchips 4 damit jeweils zwischen benachbarten Bildpunkten 2.
Die Anzeigevorrichtung 1 weist beispielsweise ungefähr 4 Millionen der Bildpunkte 2 auf, insbesondere für eine
Auflösung von 1200 x 1900 Bildpunkten. Hingegen liegen bevorzugt weniger als 1000 der Zusatzchips 4 vor, die
insbesondere durch yVCSELs realisiert sind. Durch die
vergleichsweise großflächige Verteilung der Zusatzchips 4 etwa über das gesamte Smartphone 10 hinweg lässt sich die Augensicherheit erreichen, da eine Intensität der Strahlung lokal jeweils nur relativ gering ist.
In Figur 10 ist veranschaulicht, dass die Zusatzchips 4 nicht über die gesamte Anzeigevorrichtung 1 verteilt vorliegen, sondern beispielsweise in einem mittleren Bereich
konzentriert sind. Ein unterer Bereich und optional auch ein oberer Bereich der Anzeigevorrichtung 1 können frei von den Zusatzchips 4 sein, sodass sich beispielsweise in den oberen und unteren Bereichen nur die Bildpunkte 2 befinden.
In Figur 11 ist veranschaulicht, dass in einem oberen Bereich der Anzeigevorrichtung 1 die Bildpunkte 2 sowie die
Zusatzchips 4 vorhanden sind. Durch eine solche Anordnung lässt sich beispielsweise eine effiziente Beleuchtung für eine Gesichtserkennung erzielen.
Alternativ oder zusätzlich liegen in einem unteren Bereich der Anzeigevorrichtung 1 die Zusatzchips 4, die Bildpunkte 2 sowie die Fotodetektor-Chips 62 vor. Hierdurch lässt sich im unteren Bereich beispielsweise effizient eine
Fingerabdruckerkennung realisieren .
In den Ausführungsbeispielen der Figuren 8 bis 11 kann jeweils eine nicht gezeichnete Frontseitenkamera vorhanden sein. Gegenüber der Abwandlung in Figur 1 nimmt eine solche Kamera jedoch nur einen vergleichsweise geringen Platz an der Frontseite ein, da keine separate Lichtquelle neben der
Anzeigevorrichtung untergebracht werden muss.
Sind die Fotodetektor-Chips 62 über die gesamte Frontseite hinweg verteilt, anders als in Figur 11 dargestellt, ist es zudem möglich, dass eine dezidierte Frontseitenkamera
entfallen kann. Ein Bild etwa für eine Gesichtserkennung ist dann beispielsweise rechnerisch aus den Einzelsignalen der über die Anzeigevorrichtung 1 verteilten Fotodetektor-Chips 62 ermittelbar.
Die in den Figuren gezeigten Komponenten folgen, sofern nicht anders kenntlich gemacht, bevorzugt in der angegebenen
Reihenfolge insbesondere jeweils unmittelbar aufeinander.
Sich in den Figuren nicht berührende Schichten sind bevorzugt voneinander beabstandet. Soweit Linien parallel zueinander gezeichnet sind, sind die entsprechenden Flächen bevorzugt ebenso parallel zueinander ausgerichtet. Ebenfalls, soweit nicht anders kenntlich gemacht, sind die relativen Positionen der gezeichneten Komponenten zueinander in den Figuren korrekt wiedergegeben.
Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die
Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt.
Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist .
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2018 119 548.6, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Bezugszeichenliste
1 Anzeigevorrichtung
1 Abwandlung der Anzeigevorrichtung 2 Bildpunkt
22 Leuchtdiodenchip
23 lichtemittierender organischer Bereich
3 Hauptraster
4 Zusatzchip
5 Nebenraster
6 Ansteuerchip
61 Dünnfilmtransistor
62 Fotodetektor-Chip
69 Deckplatte
7 Optik
8 Träger
9 Verdrahtung
10 Smartphone
11 Ausschnitt
P Rastermaß der Bildpunkte
5 Sensorabstand
W Breite der Optik

Claims

Patentansprüche
1. Anzeigevorrichtung (1) mit
- einer Vielzahl von Bildpunkten (2), die in einem
regelmäßigen Hauptraster (3) angeordnet sind, und
- mehreren optoelektronischen Zusatzchips (4) zur
Strahlungserzeugung,
wobei
- die Bildpunkte (2) durch einzeln ansteuerbare
lichtemittierende Bereiche (22, 23) gebildet sind,
- die lichtemittierenden Bereiche (22, 23) auf einem
organischen und/oder auf einem anorganischen
Halbleitermaterial basieren,
- die Zusatzchips (4) in einem Nebenraster (5) angeordnet sind, und
- das Nebenraster (3) gegenüber dem Hauptraster (3) versetzt ist, sodass die Zusatzchips (4) abseits von Gitterpunkten des Hauptrasters (3) positioniert sind,
- um mindestens einen Faktor 500 mehr Bildpunkte (2) als Zusatzchips (4) vorhanden sind, und
- zumindest ein Teil der Zusatzchips (4) zur Emission von nahinfraroter Strahlung mit einer Wellenlänge maximaler
Intensität zwischen einschließlich 800 nm und 1 ym
eingerichtet ist und diese Zusatzchips (4) zusammengenommen für eine optische Strahlungsleistung von mindestens 1 W eingerichtet sind.
2. Anzeigevorrichtung (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, die mindestens 0,3 Millionen Bildpunkte (3) umfasst,
wobei höchstens 10 000 der Zusatzchips (4) vorhanden sind.
3. Anzeigevorrichtung (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei um mindestens einen Faktor 1000 mehr Bildpunkte (2) als Zusatzchips (4) vorhanden sind.
4. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei ein Rastermaß des Hauptrasters (3) zwischen
einschließlich 30 ym und 150 ym liegt,
wobei die Zusatzchips (4) in Draufsicht gesehen eine mittlere Kantenlänge von höchstens 20 ym aufweisen, und
wobei die Zusatzchips (4) beabstandet von den Bildpunkten (2) angeordnet sind, und
wobei die Bildpunkte (2) jeweils zur voneinander unabhängigen Abstrahlung von rotem, grünem und blauem Licht eingerichtet sind .
5. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei die Bildpunkte (2) jeweils durch mindestens einen
Leuchtdiodenchip (22) gebildet sind.
6. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Bildpunkte (2) jeweils durch lichtemittierende organische Bereiche (23) gebildet sind, sodass die
Anzeigevorrichtung (1) eine OLED-Display ist.
7. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei mindestens ein Teil der Zusatzchips (4) durch Laser mit einem vertikalen Resonator gebildet ist.
8. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei mindestens ein Teil der Zusatzchips (4) durch IRED- Chips gebildet ist.
9. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
ferner umfassend mehrere Detektorchips, die durch
Fotodetektor-Chips (62) und/oder durch Berührungssenor-Chips gebildet sind.
10. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
ferner umfassend mehrere Ansteuerchips (6),
wobei die Ansteuerchips (6) entweder in dem Nebenraster (5) oder in Zwischenbereichen zwischen dem Hauptraster (3) und dem Nebenraster (5) angebracht sind.
11. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei mehrere verschiedene Arten von Zusatzchips (4)
vorhanden sind, die zur Emission von Strahlung
unterschiedlicher Wellenlängen maximaler Intensität
eingerichtet sind.
12. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei die Zusatzchips (4) ungleichmäßig verteilt sind, sodass die Anzeigevorrichtung (1) bereichsweise frei von den
Zusatzchips (4) ist.
13. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
ferner umfassend mindestens eine Optik (7) für die
Zusatzchips ( 4 ) , wobei die Optik (7) beabstandet von dem mindestens einem zugeordneten Zusatzchip (4) angebracht ist.
14. Anzeigevorrichtung (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Optik (7) in einer Deckplatte (69) der
Anzeigevorrichtung (1) integriert ist,
wobei die Deckplatte (69) die Bildpunkte (2) und die
Zusatzchips (4) gemeinsam überdeckt, sodass eine separate Optikkomponente für die Zusatzchips (4) entfällt,
entfallenAnzeigevorrichtung (1) integriert ist.
15. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei mindestens ein Teil der Zusatzchips (4) zur Erzeugung von Strahlungsimpulsen mit einer Dauer von höchstens 10 ns eingerichtet ist, sodass mittels dieser Zusatzchips (4) eine Abstandsmessung ermöglicht ist.
16. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei mindestens ein Teil der Zusatzchips (4) für eine biometrische Messung, insbesondere für eine Gesichtserkennung und/oder für eine Fingerabdruckbestimmung, eingerichtet sind.
17. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
die ein Display eines Smartphones (10) ist.
PCT/EP2019/071265 2018-08-10 2019-08-07 Anzeigevorrichtung WO2020030716A1 (de)

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020053932A1 (ja) * 2018-09-10 2020-03-19 シャープ株式会社 表示デバイス
WO2021031124A1 (zh) * 2019-08-20 2021-02-25 深圳Tcl新技术有限公司 一种光源单元、背光模组及显示装置
EP4002455B1 (de) * 2020-11-12 2022-10-12 Infineon Technologies AG Anzeigevorrichtung und elektronische vorrichtung damit
FR3142288A1 (fr) * 2022-11-18 2024-05-24 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif d'affichage et procédé de fabrication d'un tel dispositif

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140313294A1 (en) * 2013-04-22 2014-10-23 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and method of detecting 3d geometry of object
US20150331508A1 (en) * 2014-05-16 2015-11-19 Apple Inc. Integrated silicon-oled display and touch sensor panel
CN106056099A (zh) * 2016-06-23 2016-10-26 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别显示面板及显示装置
CN107145837A (zh) * 2017-04-13 2017-09-08 上海与德科技有限公司 阵列基板、显示模组及电子设备
CN107422571A (zh) * 2017-09-20 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、装置及其操控方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8947627B2 (en) * 2011-10-14 2015-02-03 Apple Inc. Electronic devices having displays with openings
FI20126259L (fi) * 2012-12-03 2014-08-04 Lumichip Ltd Hermeettisesti suljettu optoelektroninen komponentti
US9991163B2 (en) * 2014-09-25 2018-06-05 X-Celeprint Limited Small-aperture-ratio display with electrical component
US10234695B2 (en) * 2015-02-16 2019-03-19 Apple Inc. Low-temperature hermetic sealing for diffractive optical element stacks
US10467952B2 (en) * 2016-10-12 2019-11-05 Shaoher Pan Integrated light-emitting diode arrays for displays

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140313294A1 (en) * 2013-04-22 2014-10-23 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and method of detecting 3d geometry of object
US20150331508A1 (en) * 2014-05-16 2015-11-19 Apple Inc. Integrated silicon-oled display and touch sensor panel
CN106056099A (zh) * 2016-06-23 2016-10-26 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别显示面板及显示装置
US20180239942A1 (en) * 2016-06-23 2018-08-23 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel for fingerprint recognition and display device
CN107145837A (zh) * 2017-04-13 2017-09-08 上海与德科技有限公司 阵列基板、显示模组及电子设备
CN107422571A (zh) * 2017-09-20 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、装置及其操控方法
US20190086659A1 (en) * 2017-09-20 2019-03-21 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, display device and method for controlling the same

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