DE112017003749A5 - Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips, strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements - Google Patents

Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips, strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements Download PDF

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018132955A1 (de) * 2018-12-19 2020-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes bauelement
DE102022108133A1 (de) * 2022-04-05 2023-10-05 Ams-Osram International Gmbh Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP3028813B1 (ja) * 1999-06-23 2000-04-04 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
JP2008143981A (ja) * 2006-12-07 2008-06-26 Three M Innovative Properties Co 光反射性樹脂組成物、発光装置及び光学表示装置
KR20100080423A (ko) * 2008-12-30 2010-07-08 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
CN104205371B (zh) * 2012-05-31 2017-03-01 松下知识产权经营株式会社 Led模块和制备led模块的方法、照明装置
US9708492B2 (en) * 2013-01-10 2017-07-18 Konica Minolta, Inc. LED device and coating liquid used for production of same
US9419185B2 (en) * 2014-01-27 2016-08-16 Glo Ab Method of singulating LED wafer substrates into dice with LED device with Bragg reflector
DE102014117591A1 (de) * 2014-12-01 2016-06-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Halbleiterchips und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen oder optoelektronischen Bauelements und elektronisches oder optoelektronisches Bauelement

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