DE112016002926B4 - Optoelektronische Leuchtvorrichtung - Google Patents

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Abstract

Optoelektronische Leuchtvorrichtung (901, 903), umfassend:- ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (113, 115) mit einer eine lichtemittierenden Fläche (127) umfassenden Oberseite (123),- ein das Halbleiterbauteil (113, 115) einbettendes und die lichtemittierende Fläche (127) freilassendes Gehäuse (203),- wobei eine Gehäusefläche (205) mit einer lichtstreuenden dielektrischen Lackschicht (505) beschichtet ist, die auf eine der Gehäusefläche (205) abgewandten Fläche (507) der Lackschicht (505) einfallendes Licht streuen kann,- wobei in dem Gehäuse (203) eine von einer Oberseite (205) des Gehäuses (205) zu einer der Oberseite (205) gegenüberliegenden Unterseite (207) des Gehäuses (207) verlaufende elektrische Durchkontaktierung (109, 111) eingebettet ist, die eine teilweise mittels der Lackschicht (505) beschichtete Oberseite (117) und eine der Oberseite (117) gegenüberliegende Unterseite (121) umfasst,- wobei an der Oberseite (117) der Durchkontaktierung (109, 111) eine elektrische Kontaktfläche (503) ausgebildet ist, die frei von der Lackschicht (505) ist und die durch eine auf der Lackschicht (505) aufgebrachte Metallisierung mit einer an der Oberseite (123) des Halbleiterbauteils (113, 115) ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche (129) elektrisch verbunden ist,- wobei an einem Rand der Oberseite (123) des Halbleiterbauteils (113, 115) ein Grat (1101, 1103) gebildet ist, wobei der Grat (1101, 1103) vollständig in die Lackschicht (505) eingebettet ist, wodurch der Grat (1101, 1103) elektrisch gegenüber der Metallisierung isoliert ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrichtung sowie ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung.
  • Bei oWLP-Bauteilen (oWLP: „optical Wafer Level Package“) ist die Oberfläche außerhalb des LED-Chips meist vollständig oder teilweise mit einem Dielektrikum und einer darauf aufgebrachten Metallisierung bedeckt. Die Metallisierungen weisen oft eine nicht optimale Reflektivität auf. Ebenso weisen freiliegende Bereiche, also Bereiche, wo entweder das Dielektrikum oder das darunterliegende schwarze Moldmaterial offenliegt, eine nicht optimale Reflektivität auf.
  • Es ist möglich, diese freiliegenden Bereiche mittels eines Metalls abzudecken. Dies führt aber zu einem hohen Metallverbrauch. Ferner kann bei einer Metalloberfläche keine optimale Reflektivität bei gleichzeitiger Korrosionsbeständigkeit der Oberfläche erreicht werden. Auch kann die reflektierende Fläche nicht beliebig nahe an eine Kante der lichtemittierenden Chipfläche herangeführt werden.
  • Es ist auch möglich, über einen weiteren Prozessschritt am Ende der Prozesskette eine Silikonschicht mit einem Diffusor auf die freiliegenden Bereiche aufzubringen. Dies bedingt allerdings einen zusätzlichen Prozessschritt und ist im Zusammenhang mit einem lateralen Strukturieren einer Konversionsschicht schwer zu realisieren und kann Effizienz kosten.
  • Die DE 10 2012 212 963 A1 beschreibt ein optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einem optoelektronischen Halbleiterchip, der in einen Formkörper eingebettet ist. Eine Oberfläche des Halbleiterchips ist gegenüber einer Oberseite des Formkörpers erhaben. Auf der Oberseite des Formkörpers ist eine reflektierende Schicht angeordnet.
  • Die US 2014 / 0 334 137 A1 beschreibt eine Lichtquelle mit auf einem Unterseitensubstrat angeordneten LED-Chips. Ein transparentes Oberseitensubstrat ist auf das Unterseitensubstrat laminiert.
  • Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe ist darin zu sehen, ein effizientes Konzept bereitzustellen, welches die bekannten Nachteile überwindet und somit eine verbesserte optoelektronische Leuchtvorrichtung sowie ein verbessertes Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung ermöglicht.
  • Diese Aufgabe wird mittels des jeweiligen Gegenstands der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von jeweils abhängigen Unteransprüchen.
  • Nach einem Aspekt wird eine optoelektronische Leuchtvorrichtung bereitgestellt, umfassend:
    • - ein optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer eine lichtemittierenden Fläche umfassende Oberseite,
    • - ein das Halbleiterbauteil einbettendes und die lichtemittierende Fläche freilassendes Gehäuse,
    • - wobei eine Gehäusefläche mit einer lichtstreuenden dielektrischen Lackschicht beschichtet ist, die auf eine der Gehäusefläche abgewandten Fläche der Lackschicht einfallendes Licht streuen kann.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt wird ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung bereitgestellt, umfassend die folgenden Schritte:
    • - Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauteils mit einer eine lichtemittierende Fläche umfassende Oberseite, wobei das Halbleiterbauteil in einem die lichtemittierende Fläche freilassendes Gehäuse eingebettet ist,
    • - Beschichten einer Gehäusefläche mit einem lichtstreuenden dielektrischen Lack, so dass eine die Gehäusefläche beschichtende lichtstreuende dielektrische Lackschicht gebildet wird, die auf eine der Gehäusefläche abgewandten Fläche der Lackschicht einfallendes Licht streuen kann.
  • Die Erfindung umfasst also insbesondere und unter anderem den Gedanken, eine Gehäusefläche mit einer Lackschicht zu versehen, die sowohl zur Lichtstreuung als auch als Dielektrikum ausgebildet ist. Das heißt also insbesondere, dass die Lackschicht eine Doppelfunktion aufweist: eine dielektrische Funktion und eine lichtstreuende Funktion.
  • Aufgrund der dielektrischen Funktion wirkt die Lackschicht somit in vorteilhafter Weise als eine elektrische Isolationsschicht. Die Lackschicht ist also ein Dielektrikum.
  • Aufgrund der lichtstreuenden Funktion kann die Lackschicht in vorteilhafter Weise Licht streuen, welches auf eine Fläche der Lackschicht einfällt, die der Gehäusefläche abgewandt ist. Dadurch kann also in vorteilhafter Weise eine Reflektivität der Leuchtvorrichtung gesteigert werden. Das heißt also insbesondere, dass Licht effizienter gestreut werden kann. Insbesondere kann dadurch in vorteilhafter Weise ein homogener Farbeindruck erzeugt werden. Somit wird also insbesondere in vorteilhafter Weise eine verbesserte Farbhomogenität bewirkt. Die Lackschicht wirkt also als Streuschicht, ist also auch eine Streuschicht.
  • Weiterhin kann in vorteilhafter Weise die Streuschicht, also die lichtstreuende dielektrische Lackschicht, in einem gemeinsamen Prozessschritt mit einer dielektrischen Lackschicht erzeugt werden, insofern mittels eines einzigen Aufbringens des Lacks eine Lackschicht gebildet wird, die, wie vorstehend ausgeführt, eine Doppelfunktion aufweist. Das heißt also, dass mit dem Bilden einer einzigen Schicht sowohl eine lichtstreuende Schicht als auch eine dielektrische Schicht gebildet wird: die lichtstreuende dielektrische Lackschicht. Dadurch wird in vorteilhafter Weise eine effiziente Herstellung der Leuchtvorrichtung bewirkt.
  • Aufgrund des Beschichtens kann in vorteilhafter Weise eine optimale und effiziente Bedeckung der Gehäusefläche mit einer sehr hohen Genauigkeit erzielt werden.
  • Durch das Vorsehen der lichtstreuenden dielektrischen Lackschicht kann beispielsweise in vorteilhafter Weise ein homogener optischer Eindruck bewirkt werden, wenn auf die Lackschicht in Richtung der Gehäusefläche geblickt wird.
  • Die Lackschicht ist insbesondere ausgebildet, nur bestimmte Wellenlängen oder nur einen bestimmten Wellenlängenbereich von einfallendem Licht zu reflektieren oder streuen. Wenn im Lichte dieser Beschreibung von Licht geschrieben wird, so soll stets allgemein eine elektromagnetische Strahlung mitgelesen werden.
  • Die Lackschicht reflektiert oder streut (bei Streuung soll stets Reflexion mitgelesen werden und umgekehrt) nach einer Ausführungsform auf ihrer der Gehäusefläche abgewandten Fläche einfallendes Licht nur in einem bestimmten Wellenlängenbereich. So kann also in vorteilhafter Weise ein bestimmter Farbeindruck entstehen. Dies ist insbesondere aus Designgründen, insbesondere im Hinblick auf ein industrielles Design, von Vorteil. Insbesondere kann zum Beispiel entsprechend des verwendeten Lacks eine bestimmte Farbe erzeugt werden.
  • Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Lackschicht mehrere Streupartikel umfasst.
  • Die Streupartikel können in vorteilhafter Weise effizient Licht reflektieren oder streuen. Dies insbesondere in einem bestimmten Wellenbereich oder nur einer bestimmten Wellenlänge. Die Farbe, die diese Streupartikel reflektieren und/oder streuen, kann als Kennzeichnung zur Benennung der Lackschicht verwendet werden. Bei einer Streuung von rotem Licht, kann die Lackschicht als eine rote Lackschicht bezeichnet werden. Bei einer Streuung von weißem Licht kann die Lackschicht als eine weiße Lackschicht bezeichnet werden. Insbesondere bei einer weißen Lackschicht kann eine Lichtausbeute in einem ausgeschalteten Zustand des optoelektronischen Halbleiterbauteils erhöht werden.
  • In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Streupartikel ein oder mehrere Elemente ausgewählt aus der folgenden Gruppe von Streupartikeln umfassen: TiO2-Partikel, Al2O3-Partikel, SiO2-Partikel, BaSO4-Partikel, ZrO2-Partikel, HfO2-Partikel.
  • Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass eine effiziente Streuung von Licht ermöglicht ist. Insbesondere kann entsprechend der verwendeten Streupartikel genau eingestellt werden, welcher Wellenlängenbereich oder welche Wellenlänge von einfallendem Licht gestreut oder reflektiert werden soll.
  • Die Streupartikel weisen zum Beispiel nach einer Ausführungsform einen Durchmesser von kleiner als 10 µm auf, insbesondere von kleiner als 1 µm. Vorzugsweise ist ein Durchmesser der Streupartikel kleiner als eine Dicke der Lackschicht.
  • Nach einer Ausführungsform weist die Lackschicht eine Schichtdicke zwischen 5 µm und 25 µm auf. Vorzugsweise ist die Schichtdicke der Lackschicht kleiner als 50 µm. Eine minimale Dicke der Lackschicht hängt insbesondere von den dielektrischen Eigenschaften der Lackschicht ab und ist insbesondere durch die dielektrischen Eigenschaften begrenzt. Denn die Lackschicht wirkt ja insbesondere als elektrischer Isolator.
  • Die Schichtdicke der Lackschicht beträgt nach einer Ausführungsform zwischen 5 µm und 50 µm, insbesondere zwischen 10 µm und 25 µm.
  • In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Lackschicht derart ausgebildet ist, dass gestreutes Licht weiß ist.
  • Dadurch wird insbesondere der Vorteil bewirkt, dass ein weißer Farbeindruck erzielt werden kann. Dies insbesondere in einem ausgeschalteten Zustand des optoelektronischen Halbleiterbauteils. Dadurch kann insbesondere eine Lichtausbeute erhöht werden.
  • Das heißt also insbesondere, dass nach einer Ausführungsform vorgesehen ist, dass die Lackschicht eine weiße Lackschicht ist, dass also gestreutes und/oder reflektiertes Licht weiß ist.
  • In dem Gehäuse ist eine von einer Oberseite des Gehäuses zu einer der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite des Gehäuses verlaufende elektrische Durchkontaktierung eingebettet, die eine teilweise mittels der Lackschicht beschichtete Oberseite und eine der Oberseite gegenüberliegende Unterseite umfasst, wobei an der Oberseite der Durchkontaktierung eine elektrische Kontaktfläche ausgebildet ist, die frei von der Lackschicht ist und die mit einer an der Oberseite des Halbleiterbauteils ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche elektrisch verbunden ist.
  • Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass eine effiziente elektrische Kontaktierung des Halbleiterbauteils erzielt werden kann. Insbesondere wird dadurch der technische Vorteil bewirkt, dass aufgrund der teilweisen Beschichtung der Oberseite der Durchkontaktierung mittels der Lackschicht eine Lichtausbeute der Leuchtvorrichtung effizient weiter gesteigert werden kann. Denn die Fläche, die Licht streuen und/oder reflektieren kann, wird somit vergrößert.
  • Da die Lackschicht eine dielektrische Lackschicht ist, also ein Dielektrikum ist, muss also ein Bereich der Oberseite der Durchkontaktierung frei von dieser Lackschicht sein, damit die elektrische Verbindung zwischen der Durchkontaktierung und der Kontaktfläche der Oberseite des Halbleiterbauteils ermöglicht ist.
  • In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass ein verschieden von der lichtemittierenden Fläche ausgebildeter Abschnitt der Oberseite des Halbleiterbauteils mit der Lackschicht teilweise beschichtet ist.
  • Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass eine Lichtausbeute weiter effizient gesteigert werden kann. Denn nun ist noch zusätzlich zur Gehäusefläche ein Abschnitt der Oberseite des Halbleiterbauteils, der verschieden von der lichtemittierenden Fläche ist, mit der Lackschicht beschichtet. Somit vergrößert sich also in effizienter Weise eine Fläche der Lackschicht. Hierbei ist aber insbesondere vorgesehen, dass zumindest ein Bereich oder ein Abschnitt der Oberseite, der verschieden von der lichtemittierenden Fläche ist, frei von der Lackschicht bleibt. Denn dieser Bereich ist insbesondere als elektrische Kontaktfläche ausgebildet, um das Halbleiterbauteil elektrisch zu kontaktieren.
  • In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Abschnitt einen Rand der Oberseite des Halbeiterbauteils umfasst. Das heißt also insbesondere, dass ein Rand der Oberseite des Halbleiterbauteils mit der Lackschicht versehen ist.
  • In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass ein Rand der Oberseite des Halbleiterbauteils vollständig mit der Lackschickt versehen ist.
  • An einem Rand der Oberseite des Halbleiterbauteils ist ein Grat gebildet, der mit der Lackschicht beschichtet ist.
  • Ein solcher Grat, der insbesondere elektrisch leitfähig ist, bildet sich zum Beispiel bei einem Vereinzeln des Halbleiterbauteils aus einem Waferverbund von mehreren Halbleiterbauteilen mittels eines Lasers. Dieser Grat kann auch als ein Schlackegrat bezeichnet werden, insofern die Materialien, aus denen das Halbleiterbauteil gebildet ist, beim Laservereinzeln schmelzen und somit lokal eine Schlacke bilden.
  • Dieser Grat kann, da er elektrisch leitfähig ist, die elektrisch leitfähige Verbindung, die zwischen der an der Oberseite der Durchkontaktierung gebildeten elektrischen Kontaktfläche und der an der Oberseite des Halbleiterbauteils ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche gebildet ist, kurzschließen. Dadurch aber, dass der Grat mit der Lackschicht beschichtet ist, ist der Grat in vorteilhafter Weise elektrisch gegenüber dieser elektrisch leitfähigen Verbindung isoliert. Dadurch wird effizient ein entsprechender Kurzschluss vermieden.
  • Die elektrisch leitfähige Verbindung, die zwischen der an der Oberseite der Durchkontaktierung gebildeten elektrischen Kontaktfläche und der an der Oberseite des Halbleiterbauteils ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche gebildet ist, ist als eine auf der Lackschicht aufgebrachte Metallisierung gebildet.
  • Zum Beispiel ist vorgesehen, dass die Lackschicht, die auf dem Grat aufgebracht ist, mit der Metallisierung versehen ist respektive wird.
  • Es ist vorgesehen, dass der Grat mit der Lackschicht versehen oder beschichtet wird, wobei anschließend die Metallisierung aufgebracht wird, so dass sich dadurch eine elektrisch leitfähige Verbindung (, also die elektrische Verbindung,) zwischen der an der Oberseite der Durchkontaktierung gebildeten elektrischen Kontaktfläche und der an der Oberseite des Halbleiterbauteils ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche bildet.
  • Der Grat weist beispielsweise in der Regel eine Höhe von 15 µm auf. Eine Höhe einer Kontaktfläche beträgt in der Regel beispielsweise maximal 4 µm auf. Der Grat überragt also in der Regel die Kontaktfläche. Insofern ist es in der Regel sehr schwierig oder nicht möglich, eine Leiterbahn vorzusehen, die die an der Oberseite der Durchkontaktierung gebildete elektrische Kontaktfläche mit der an der Oberseite des Halbleiterbauteils ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche elektrisch leitfähig verbindet. Denn der Grat steht hier sozusagen im Weg.
  • Da aber der Grat nach einer Ausführungsform mit der Lackschicht versehen ist, kann die elektrisch leitfähige Verbindung, also die elektrische Verbindung, zwischen den beiden elektrischen Kontaktflächen effizient mittels einer Metallisierung der Lackschicht gebildet werden.
  • In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die elektrische Verbindung zwischen der an der Oberseite der Durchkontaktierung gebildeten elektrischen Kontaktfläche und der an der Oberseite des Halbleiterbauteils ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche als eine Leiterbahn ausgebildet ist. Die Leiterbahn ist also beispielsweise auf der den Grat beschichtende Lackschicht gebildet.
  • In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Lackschicht an die lichtemittierende Fläche unmittelbar angrenzt.
  • Die lichtemittierende Fläche ist insbesondere eine Oberfläche einer Epitaxie-Schicht oder eines Epitaxie-Schichtenstapels. Eine solche Epitaxie-Schicht oder ein solcher Epitaxie-Schichtenstapel wird vom Fachmann auch als eine Epi bezeichnet. „Epi“ steht also abgekürzt für „Epitaxie-Schicht oder Epitaxie-Schichtenstapel“. Ein anderer Begriff für Epi ist „Mesa“. Es kann auch der zusammengesetzte Begriff „Epi-Mesa“ für „Epitaxie-Schicht“ oder „Epitaxie-Schichtenstapel“ verwendet werden.
  • Die lichtemittierende Fläche ist nach einer Ausführungsform mittels einer Konversionsschicht teilweise oder vollständig beschichtet.
  • In einer Ausführungsform ist die lichtemittierende Fläche frei von einer Konversionsschicht.
  • In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Lackschicht an einer Seitenflanke (, die der Einfachheit halber auch nur als eine Flanke bezeichnet werden kann,) der Epitaxie-Schicht oder des Epitaxie-Schichtenstapels unmittelbar angrenzt. Das heißt also insbesondere, dass die Lackschicht die Seitenflanke (Flanke) der Epitaxie-Schicht oder des Epitaxie-Schichtenstapels unmittelbar berührt oder unmittelbar kontaktiert. Für den Begriff „Flanke“ soll stets der Plural mitgelesen werden. Zum Beispiel grenzt die Lackschicht unmittelbar an gegenüberliegenden Flanken der Epitaxie-Schicht oder des Epitaxie-Schichtenstapels an, berührt oder kontaktiert diese also.
  • In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Lack ein Lötstopplack ist. Die Lackschicht ist also vorzugsweise eine Lötstopplackschicht.
  • Der Lötstopplack ist beispielsweise ein Lötstopplack auf Epoxidharzbasis. Die Lötstopplackschicht ist also beispielsweise eine Lötstopplackschicht auf Epoxidharzbasis.
  • Der Lötstopplack umfasst zum Beispiel mehrere Streupartikel, zum Beispiel Titandioxid (TiO2)-Streupartikel. Die Lötstopplackschicht umfasst also zum Beispiel mehrere Streupartikel, zum Beispiel Titandioxid (TiO2)-Streupartikel.
  • In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Lack ein fotostrukturierbares Silikon und/oder ein fotostrukturierbares Siloxan umfasst. Die Lackschicht umfasst also insbesondere ein fotostrukturierbares Silikon und/oder ein fotostrukturierbares Siloxan. In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass das fotostrukturierbare Silikon respektive das fotostrukturierbare Siloxan mehrere Streupartikel, zum Beispiel Titandioxid (TiO2)-Streupartikel, umfassen. Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass die Lackschicht effizient mittels eines fotolithographischen Prozesses effizient bearbeitet oder strukturiert werden kann.
  • In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Lack ein Fotolack ist. Die Lackschicht ist also insbesondere eine Fotolackschicht. Der Fotolack umfasst beispielsweise mehrere Streupartikel, insbesondere Titandioxid (TiO2)-Streupartikel. Die Fotolackschicht umfasst also insbesondere mehrere Streupartikel, insbesondere Titandioxid (TiO2)-Streupartikel. Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass die Lackschicht effizient mittels eines fotolithographischen Prozesses effizient bearbeitet oder strukturiert werden kann.
  • In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass nach dem Beschichten die Lackschicht strukturiert wird. Die Lackschicht ist also vorzugsweise eine strukturierte Lackschicht. Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass die Lackschicht effizient für eine konkrete Anwendung angepasst werden kann.
  • Das Strukturieren umfasst nach einer Ausführungsform ein fotolithographisches Strukturieren. Die Lackschicht ist also beispielsweise eine fotolithographisch strukturierte Lackschicht. Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass die Lackschicht effizient strukturiert werden kann.
  • Ein lithographisches Strukturieren der Lackschicht weist ferner den Vorteil auf, dass die Lackschicht effizient großflächig bearbeitet werden kann.
  • Die nachfolgend beschriebenen beispielhaften Beschichtungsverfahren eignen insbesondere in vorteilhafter Weise, um den Lack effizient großflächig aufzubringen.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, mittels eines Siebdrucks unter Verwendung eines strukturierten Siebs eine strukturierte Lackschicht aufzubringen. Das heißt also insbesondere, dass die Strukturen der Lackschicht durch ein strukturiertes Sieb beim Siebdruck aufgebracht werden. Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass auf einen teuren Lithographieprozess verzichtet werden kann. Zwar mag ein Siebdruck unter Verwendung eines strukturierten Siebs nicht ganz so präzise sein wie ein Lithographieprozess. Dennoch ist der Siebdruck für Anwendungen vorteilhaft, in denen die Kosten eine erhebliche Rolle spielen.
  • Ferner können mittels eines solchen Siebdrucks Materialien als Lack aufgebracht werden, die nicht lithographisch strukturierbar sind. Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass eine größere Auswahlmöglichkeit bei den Materialien für die Lackschicht bereitgestellt ist im Vergleich zu einem Lithographieprozess.
  • Das Beschichten umfasst nach einer Ausführungsform ein Siebdrucken der Lackschicht. Der Lack wird also beispielsweise mittels eines Siebdruckens aufgebracht. Die Lackschicht ist also insbesondere eine siebgedruckte Lackschicht. Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass das Beschichten effizient durchgeführt werden kann. Das Siebdrucken wird zum Beispiel unter Verwendung eines strukturierten Siebs, wie vorstehend beschrieben, durchgeführt.
  • Das Beschichten umfasst nach einer Ausführungsform ein Vorhanggießen der Lackschicht. Der Lack wird also beispielsweise mittels eines Vorhanggießens aufgebracht. Die Lackschicht ist also beispielsweise eine vorhanggegossene Lackschicht. Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass das Beschichten effizient durchgeführt werden kann.
  • Das Beschichten umfasst nach einer Ausführungsform ein Aufschleudern der Lackschicht. Der Lack wird also insbesondere aufgeschleudert. Die Lackschicht ist also insbesondere eine aufgeschleuderte Lackschicht. Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass das Beschichten effizient durchgeführt werden kann.
  • Das Beschichten umfasst nach einer Ausführungsform ein Aufsprühen von Lack. Die Lackschicht ist also insbesondere eine aufgesprühte Lackschicht. Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass das Beschichten effizient durchgeführt werden kann.
  • Wie vorstehend beispielhaft beschrieben, kann also der Lack unstrukturiert aufgebracht werden, um eine unstrukturierte Lackschicht zu bilden, wobei die unstrukturierte Lackschicht nach dem Aufbringen strukturiert wird, beispielsweise mittels eines Lithographieprozesses. Zum Beispiel ist vorgesehen, dass der Lack strukturiert aufgebracht wird, so dass sich unmittelbar eine strukturierte Lackschicht bildet, die somit nicht mehr nach dem Aufbringen strukturiert werden muss.
  • In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass die optoelektronische Leuchtvorrichtung mittels des Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung hergestellt ist respektive wird.
  • Ausführungsformen betreffend das Verfahren ergeben sich analog aus Ausführungsformen betreffend die optoelektronische Leuchtvorrichtung und umgekehrt. Das heißt also, dass sich technische Funktionalitäten des Verfahrens in analoger Weise aus entsprechenden technischen Funktionalitäten der optoelektronischen Leuchtvorrichtung ergeben. Ausführungen, die im Zusammenhang mit dem Verfahren gemacht sind, gelten analog für die optoelektronische Leuchtvorrichtung und umgekehrt.
  • Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass als Streupartikel ein oder mehrere Elemente aus der folgenden Gruppe von Streupartikeln ausgewählt werden: TiO2-Partikel, Al2O3-Partikel, SiO2-Partikel, BaSO4-Partikel, ZrO2-Partikel, HfO2-Partikel.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Lackschicht derart ausgebildet wird, dass gestreutes Licht weiß ist.
  • Nach einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass in dem Gehäuse eine von einer Oberseite des Gehäuses zu einer der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite des Gehäuses verlaufende elektrische Durchkontaktierung eingebettet ist, die eine Oberseite und eine der Oberseite gegenüberliegende Unterseite umfasst, wobei die Oberseite der Durchkontaktierung teilweise mittels des Lacks beschichtet wird, so dass die Oberseite der Durchkontaktierung teilweise mittels der Lackschicht beschichtet ist, wobei an der Oberseite der Durchkontaktierung eine elektrische Kontaktfläche ausgebildet wird, die frei von der Lackschicht ist und die mit einer an der Oberseite des Halbleiterbauteils ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche elektrisch verbunden wird.
  • Nach noch einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass ein verschieden von der lichtemittierenden Fläche ausgebildeter Abschnitt der Oberseite des Halbleiterbauteils teilweise mittels des Lacks beschichtet wird, so dass der verschieden von der lichtemittierenden Fläche ausgebildete Abschnitt des Halbleiterbauteils teilweise mittels der Lackschicht beschichtet ist.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Bereitstellen umfasst, dass das oder die einzubettenden Elemente vor dem Einbetten auf einen Träger angeordnet werden, wobei das Einbetten umfasst, dass das oder die auf dem Träger angeordneten Elemente mittels eines Moldwerkstoffs eingemoldet werden, so dass das Gehäuse mittels des Moldwerkstoffs gebildet wird, wobei der Träger nach dem Molden von dem oder den eingemoldeten Elementen entfernt wird, so dass ein aus dem Moldwerkstoff gemoldetes Gehäuse bereitgestellt wird, in welchem das oder die einzubettenden Elemente eingebettet sind.
  • Durch das Vorsehen eines gemeldeten Gehäuses wird in vorteilhafter Weise bewirkt, dass das Gehäuse effizient hergestellt werden kann. Ein Molden im Sinne der vorliegenden Erfindung kann insbesondere als ein Spritzgießen bezeichnet werden. Das heißt also insbesondere, dass das Gehäuse spritzgegossen wird.
  • Das Gehäuse ist nach einer Ausführungsform ein spritzgegossenes Gehäuse.
  • Ein Moldwerkstoff kann somit insbesondere als ein Spritzgusswerkstoff bezeichnet werden. Ein Moldwerkstoff umfasst insbesondere ein oder mehrere Silikone oder ist aus einem oder mehreren Silikonen gebildet.
  • Die Formulierung „eines Halbleiterbauteil einbettendes und die lichtemittierende Fläche freilassendes Gehäuse“ heißt insbesondere, dass das Gehäuse zwar das Halbleiterbauteil einbettet, hierbei aber die lichtemittierende Fläche freilässt. Das heißt also insbesondere, dass die lichtemittierende Fläche nicht mittels des Gehäuses bedeckt ist. Das heißt also insbesondere, dass die lichtemittierende Fläche freiliegt.
  • Nach einer Ausführungsform ist die Oberseite der Durchkontaktierung eine metallbeschichtete Oberseite. Das heißt also insbesondere, dass die Oberseite der Durchkontaktierung eine Metallbeschichtung aufweist. Das heißt also insbesondere, dass nach einer Ausführungsform die Metallbeschichtung teilweise mittels des Lacks beschichtet wird, sodass eine die Metallbeschichtung teilweise beschichtende Lackschicht gebildet ist. Das heißt also insbesondere, dass die Lackschicht die Metallbeschichtung teilweise beschichtet. Die Oberseite der Durchkontaktierung bei einem Vorhandensein einer Metallbeschichtung ist also die Oberseite der Metallbeschichtung.
  • Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die elektrische Kontaktfläche der Oberseite des Halbleiterbauteils eine Metallbeschichtung aufweist. Diese Metallbeschichtung ist analog zu der Metallbeschichtung der Durchkontaktierung nach einer Ausführungsform teilweise mittels der Lackschicht beschichtet.
  • Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die elektrische Verbindung zwischen der elektrischen Kontaktfläche der Oberseite des Halbleiterbauteils und der Oberseite der Durchkontaktierung durch eine elektrische Verbindung zwischen der Metallbeschichtung der elektrischen Kontaktfläche der Oberseite des Halbleiterbauteils und der Metallbeschichtung der Oberseite der Durchkontaktierung gebildet wird.
  • Das Bilden der elektrischen Verbindung kann nach einer Ausführungsform ein Bonden umfassen.
  • Das Bilden der elektrischen Verbindung kann nach einer Ausführungsform einen fotolithographischen Prozess umfassen. Das heißt, dass die elektrische Verbindung beispielsweise eine fotolithographisch definierte elektrische Verbindung ist. Das heißt insbesondere, dass eine Form der elektrischen Verbindung insbesondere mittels des fotolithographischen Prozesses vorgegeben ist respektive wird.
  • Nach einer Ausführungsform ist das Halbleiterbauteil als ein Halbleiterchip gebildet.
  • Nach einer Ausführungsform ist das Halbleiterbauteil eine Leuchtdiode oder lichtemittierende Diode (auf Englisch: Light Emitting Diode, LED). Die lichtemittierende Diode ist vorzugsweise eine anorganische Diode.
  • Insbesondere ist nach einer Ausführungsform die lichtemittierende Diode eine Laserdiode. Die Laserdiode ist vorzugsweise als ein Laserdiodenchip gebildet.
  • Die lichtemittierende Fläche kann nach einer Ausführungsform eine Fläche einer Konversionsschicht sein. Das heißt also zum Beispiel, dass das Halbleiterbauteil eine Konversionsschicht umfassen kann. Die Oberseite des Halbleiterbauteils umfasst somit insbesondere eine solche Konversionsschicht.
  • Eine Konversionsschicht ist insbesondere ausgebildet, elektromagnetische Strahlung aufweisend eine erste Wellenlänge oder einen ersten Wellenlängenbereich in eine elektromagnetische Strahlung aufweisend eine zweite Wellenlänge oder einen zweiten Wellenlängenbereich zu konvertieren, wobei die zweite Wellenlänge verschieden von der ersten Wellenlänge ist respektive der zweite Wellenlängenbereich zumindest teilweise, insbesondere vollständig, verschieden von dem ersten Wellenlängenbereich ist.
  • Eine Konversionsschicht weist also eine Konversionsfunktion auf, konvertiert also elektromagnetische Strahlung oder Licht. Die zu konvertierende elektromagnetische Strahlung kann zum Beispiel als ein Primärlicht oder als eine Primärstrahlung bezeichnet werden. Die mittels der Konversionsschicht konvertierte elektromagnetische Strahlung kann zum Beispiel als ein Sekundärlicht oder als eine Sekundärstrahlung bezeichnet werden. Das Halbleiterbauteil emittiert somit zum Beispiel das Primärlicht, welches mittels der Konversionsschicht in Sekundärlicht konvertiert wird.
  • Die Konversionsschicht kann zum Beispiel einen Phosphor und/oder einen organischen und/oder einen anorganischen Leuchtstoff umfassen.
  • Die Formulierung „respektive“ umfasst insbesondere die Formulierung „und/oder“.
  • Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden, wobei
    • 1 bis 9 jeweils einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung,
    • 10 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung und
    • 11 und 12 jeweils einen den jeweils in den 5 und 6 gezeigten Schritten entsprechenden Schritt in einem weiteren Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung.
  • Im Folgenden können für gleiche Merkmale gleiche Bezugszeichen verwendet werden.
  • 1 zeigt einen ersten Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung.
  • Gemäß diesem ersten Schritt wird ein Träger 101 bereitgestellt. Der Träger 101 umfasst eine Oberseite 103. Auf der Oberseite 103 des Trägers 101 ist ein Klebeband 104 angeordnet. Auf diesem Klebeband 104 ist eine Klebstoffschicht 105 angeordnet.
  • Das Klebeband 104 kann zum Beispiel ein Klebeband gekennzeichnet durch den Markennamen „Revalpha“ sein.
  • Das Klebeband 104 ist ein Doppelklebeband, bei dem eine der beiden Klebschichten durch Wärmeeinwirkung ab einer bestimmten Temperatur ihre Klebwirkung verliert. Das Klebeband ist also ein sogenanntes Thermo-Release-Klebeband.
  • Auch im deutschen wird von einer Thermo Release Folie gesprochen.
  • Die Klebstoffschicht weist eine Oberseite 107 auf, die der Oberseite 103 des Trägers 101 abgewandt ist.
  • Auf der Oberseite 107 der Klebstoffschicht 105 sind zwei Durchkontaktierungen 109, 111 und zwei optoelektronische Halbleiterbauteile 113, 115 angeordnet.
  • Die Durchkontaktierungen 109, 111 weisen jeweils eine Oberseite 117 und eine der Oberseite 117 gegenüberliegende Unterseite 121 auf. Die Oberseite 117 ist als eine metallbeschichtete oder metallisierte Oberseite ausgebildet. Die entsprechende Metallbeschichtung ist mit dem Bezugszeichen 119 gekennzeichnet. Die jeweilige Oberseite 117 ist der Oberseite 107 der Klebstoffschicht 105 zugewandt.
  • Die optoelektronischen Halbleiterbauteile 113, 115 weisen jeweils eine Oberseite 123 und eine der Oberseite gegenüberliegende Unterseite 124 auf. Die jeweilige Oberseite 123 ist der Oberseite 107 der Klebstoffschicht 105 zugewandt.
  • Die jeweilige Oberseite 123 der Halbleiterbauteile 113, 115 umfasst jeweils eine Epi 125, die eine lichtemittierende Fläche 127 aufweist. Die lichtemittierende Fläche ist in einer Ausführungsform mittels einer Konversionsschicht teilweise oder vollständig beschichtet. Die Epi 125 ist beispielsweise frei von einer Konversionsschicht.
  • Mittels dieser lichtemittierenden Fläche 127 wird im Betrieb der beiden Halbleiterbauteile 113, 115 Licht oder allgemein elektromagnetische Strahlung emittiert.
  • An der jeweiligen Oberseite 123 der Halbleiterbauteile 113, 115 ist jeweils eine elektrische Kontaktfläche 129 gebildet, die von einem Lötpad 131 umfasst ist. Das jeweilige Lötpad 131 ist an der Oberseite 123 der beiden Halbleiterbauteile 113, 115 gebildet oder angeordnet. Somit ist mittelbar an der jeweiligen Oberseite 123 eine elektrische Kontaktfläche 129 ausgebildet.
  • Die beiden optoelektronischen Halbleiterbauteile 113, 115 und die beiden Durchkontaktierungen 109, 111, die allgemein zum Beispiel aus Kupfer gebildet sein können oder Kupfer umfassen können, werden in einem Moldprozess oder einem Spritzgussprozess eingemoldet oder umspritzt. Dies zeigt symbolisch 2.
  • Es ist also in einem folgenden Schritt vorgesehen, dass die Halbleiterbauteile 113, 115 und die Durchkontaktierungen 109, 111 mittels eines Moldwerkstoffs 201 eingemoldet werden. Durch das Einmolden bildet sich ein Gehäuse 203. Das Gehäuse 203 bettet somit die Durchkontaktierungen 109, 111 und die Halbleiterbauteile 113, 115 ein. Hierbei bleibt aber eine jeweilige Oberseite 117, 123 der einzelnen eingebetteten Elemente 109, 111, 113, 115 frei.
  • Das Gehäuse 203 weist eine Oberseite 205 auf, die der Oberseite 103 des Trägers 101 zugewandt ist. Das Gehäuse 203 weist eine Unterseite 207 auf, die der Oberseite 205 des Gehäuses 203 gegenüberliegt.
  • Die Durchkontaktierungen 109, 111 und die optoelektronischen Halbleiterbauteile 113, 115 sind mit ihrer jeweiligen Oberseite 117, 123 der Oberseite 103 des Trägers 101 zugewandt, wenn die Durchkontaktierungen 109, 111 und die Halbleiterbauteile 113, 115 auf dem Träger 101 angeordnet sind, also mittels der Klebstoffschicht 105 und mittels des Klebebands 104 auf der Oberseite 103 des Trägers 101 festgeklebt sind.
  • Nach dem Molden des Gehäuses 203 ist in einem weiteren Schritt des Verfahrens vorgesehen, dass der Träger 101 gemeinsam mit der Klebstoffschicht 105 und dem Klebeband 104 von dem Gehäuse 203 und den Durchkontaktierungen 109, 111 und den Halbleiterbauteilen 113, 115 entfernt wird. 3 zeigt die Anordnung gemäß 2 mit entferntem Träger 101 und entfernter Klebstoffschicht 105 und entferntem Klebeband 104. Zusätzlich ist noch überflüssiger Moldwerkstoff 201 entfernt worden, der sich zum Beispiel zwischen dem Lötpad 131 und der Epi 125 festgesetzt hat.
  • Somit sind die beiden Durchkontaktierungen 109, 111 derart im Gehäuse 203 eingebettet, dass nur noch die Metallbeschichtung 119 freiliegt. Die Metallbeschichtung 119 schaut sozusagen aus dem Gehäuse 203 heraus. Sie ragt also aus dem Gehäuse 203 über die Oberseite 205 des Gehäuses 203 hinaus. Analog gilt dies für die Lötpads 131 sowie die Epi 125.
  • 4 zeigt die Anordnung gemäß 3, wobei diese um 180° gedreht wurde. Somit zeigen nun die jeweiligen Oberseiten 117, 123 bezogen auf die Papierebene nach oben.
  • Es finden nun vorzugsweise fotolithografische Bearbeitungsprozesse und/oder Sputterprozesse und/oder Metallisierungsprozesse und/oder Ätzprozesse auf den Oberseiten 117, 123 statt. Dies zeigt symbolisch 5. Aufgrund dieser Prozesse werden zum Beispiel auf den Lötpads 131 elektrische erhöhte Kontaktabschnitte 501 gebildet. „Erhöht“ bedeutet hier bezogen auf eine Oberfläche der Lötpads 131. An einer Seite der Kontaktabschnitte 501, die der Oberseite 123 der Halbleiterbauteile 113, 115 abgewandt ist, ist somit die elektrische Kontaktfläche 129 ausgebildet. Somit ist mittelbar an der jeweiligen Oberseite 123 eine elektrische Kontaktfläche 129 ausgebildet.
  • Solche erhöhte elektrische Kontaktabschnitte 501 sind ebenfalls auf der Metallbeschichtung 119 gebildet, wobei hier diese elektrischen Kontaktabschnitte 501 eine elektrische Kontaktfläche 503 umfassen, die der Oberseite 117 der Durchkontaktierungen 109, 111 abgewandt ist. Somit ist an den Oberseiten 117 der Durchkontaktierungen 109, 111 mittelbar jeweils eine elektrische Kontaktfläche 503 ausgebildet.
  • Ferner ist vorgesehen, dass die Oberseite 205 des Gehäuses 203 mit einem Lack beschichtet wird, sodass sich eine Lackschicht 505 ausbildet. Da die Oberseite 205 eine Gehäusefläche ist, wird also eine Gehäusefläche des Gehäuses 203 mit einem Lack beschichtet. Das heißt also insbesondere, dass beispielsweise vorgesehen ist, freiliegende Bereiche oder Abschnitte der Oberseite 205 des Gehäuses 203 mit einem Lack zu beschichten, sodass sich hier entsprechend eine Lackschicht 505 ausbildet. Die Lackschicht 505 weist eine Oberseite 507 auf. Die Lackschicht 505 weist ferner eine Unterseite 509 auf, die der Oberseite 507 abgewandt ist. Die Unterseite 509 der Lackschicht 505 ist der Oberseite 205 des Gehäuses 203 zugewandt.
  • Der Lack ist ein dielektrischer Lack und umfasst mehrere Streupartikel. Somit ist die Lackschicht 505 eine lichtstreuende dielektrische Lackschicht. Licht, welches auf die Oberseite 507 der Lackschicht 505 einfällt, wird somit gestreut und/oder reflektiert. Die Oberseite 507 der Lackschicht 505 ist der Oberseite 205 des Gehäuses 203 abgewandt. Da die Oberseite 507 der Lackschicht 505 eine Fläche ist, wird somit Licht mittels der Lackschicht 505 gestreut und/oder reflektiert, welches auf eine Fläche, also die Oberseite 507, der Lackschicht 505 einfällt, die der Oberseite 205, also der Gehäusefläche, abgewandt ist.
  • Es ist weiter vorgesehen, dass weitere Abschnitte von freiliegenden Flächen mit dem Lack beschichtet werden, sodass sich auch hier entsprechend die Lackschicht 505 ausbildet. Bei diesen freiliegenden Flächen handelt es sich zum Beispiel um Teilflächen der Oberseite 123 der Halbleiterbauteile 113, 115, die verschieden von der lichtemittierenden Fläche 127 sind. Insbesondere ist vorgesehen, teilweise die Oberseiten 117 der Durchkontaktierungen 109, 111 mit dem Lack zu beschichten, wobei hier zumindest ein Bereich frei von dem Lack bleibt, um hier den elektrischen Kontaktabschnitt 501 auszubilden. Gleiches gilt für das Lötpad 131, auch hier muss ein Abschnitt frei von einem Lack bleiben, um hier entsprechend den elektrischen Kontaktabschnitt 501 auszubilden.
  • Nach einer Ausführungsform handelt es sich um einen reflektierenden Lack. Die Lackschicht 505 weist vorzugsweise eine Schichtdicke zwischen 5 µm und 50 µm, insbesondere zwischen 10 µm und 25 µm auf. Die Lackschicht 505 bedeckt insbesondere einen Rand 1105 der Oberseite 123 des Halbleiterbauteils 115 sowie insbesondere einen Rand 1107 der Oberseite 123 des Halbleiterbauteils 113. Die Lackschicht 505 kontaktiert unmittelbar gegenüberliegende Flanken 1109 der Epi 125.
  • Die Durchkontaktierungen 109, 111 werden nun mit den optoelektronischen Halbleiterbauteilen 113, 115 elektrisch verbunden. Es ist vorgesehen, dass die Durchkontaktierung 109 mit dem Halbleiterbauteil 113 elektrisch verbunden wird. Die Durchkontaktierung 111 wird mit dem optoelektronischen Halbleiterbauteil 115 elektrisch verbunden. Hierbei ist vorgesehen, dass eine elektrische Verbindung zwischen der jeweiligen elektrischen Kontaktfläche 129 sowie der jeweiligen elektrischen Kontaktfläche 503 gebildet wird.
  • Dies ist symbolisch in 6 dargestellt. Die elektrische Verbindung ist hier mit dem Bezugszeichen 601 gekennzeichnet. Die elektrische Verbindung 601 kann nach einer Ausführungsform ein Bonddraht sein. In einer weiteren Ausführungsform kann diese elektrische Verbindung 601 mittels eines fotolithografischen Prozesses definiert sein respektive werden.
  • In 6 ist eine geschweifte Klammer mit dem Bezugszeichen 603 eingezeichnet, die einen zu entfernenden Gehäuseabschnitt des Gehäuses 203 kennzeichnet. Das heißt also, dass dieser Gehäuseabschnitt 603 entfernt werden wird, um die Unterseiten 121 der Durchkontaktierungen 109, 111 und die Unterseiten 124 der Halbleiterbauteile 113, 115 freizulegen.
  • Das Entfernen des Gehäuseabschnitts 603 kann zum Beispiel ein Schleifen und/oder ein Sägen umfassen.
  • 7 zeigt die Anordnung gemäß 6 mit entferntem Gehäuseabschnitt 603. Das heißt also, dass die Anordnung gemäß 7 nicht mehr den Gehäuseabschnitt 603 zeigt. Das heißt also, dass das Gehäuse 203, welches in 7 gezeigt ist, nicht mehr den Gehäuseabschnitt 603 gemäß 6 aufweist. Die Unterseiten 121 der Durchkontaktierungen 109, 111 sowie die Unterseiten 124 der Halbleiterbauteile 113, 115 liegen somit frei.
  • Die Durchkontaktierungen 109, 111 verlaufen somit von der Oberseite 205 des Gehäuses 203 durch das Gehäuse 203 zur Unterseite 207 des Gehäuses 203, nachdem der Gehäuseabschnitt 603 entfernt wurde.
  • Somit ist es in vorteilhafter Weise ermöglicht und auch so vorgesehen, dass diese Unterseiten 121, 124 metallisiert werden. Es wird also eine Metallisierung oder eine Metallschicht auf den Unterseiten 121, 124 gebildet. Hierbei zeigt das Bezugszeichen 701 auf eine jeweilige Metallisierung der Unterseite 124 der Halbleiterbauteile 113, 115. Das Bezugszeichen 703 zeigt auf eine jeweilige Metallisierung der Unterseiten 121 der Durchkontaktierungen 109, 111.
  • Somit können die Durchkontaktierungen 109, 111 und die Halbleiterbauteile 113, 115 über diese Metallisierungen 701, 703 effizient elektrisch kontaktiert werden.
  • Die in 7 gezeigte Anordnung wird noch mit einer Beschichtung 801 versehen, die zum Beispiel aufgesprüht werden kann. Dies zeigt symbolisch 8. Die Beschichtung 801 ist eine Konversionsbeschichtung. Es ist somit eine Konversionsschicht 801 gebildet. Zum Beispiel umfasst die Konversionsschicht 801 einen Phosphor-Konverter, der in einer Silikonmatrix eingebettet ist.
  • Eine Konversionsschicht ist insbesondere ausgebildet, elektromagnetische Strahlung aufweisend eine erste Wellenlänge oder einen ersten Wellenlängenbereich in eine elektromagnetische Strahlung aufweisend eine zweite Wellenlänge oder einen zweiten Wellenlängenbereich zu konvertieren, wobei die zweite Wellenlänge verschieden von der ersten Wellenlänge ist respektive der zweite Wellenlängenbereich zumindest teilweise, insbesondere vollständig, verschieden von dem ersten Wellenlängenbereich ist. Eine Konversionsschicht weist also eine Konversionsfunktion auf, konvertiert also elektromagnetische Strahlung. Die zu konvertierende elektromagnetische Strahlung kann zum Beispiel als ein Primärlicht oder als eine Primärstrahlung bezeichnet werden. Die mittels der Konversionsschicht konvertierte elektromagnetische Strahlung kann zum Beispiel als ein Sekundärlicht oder als eine Sekundärstrahlung bezeichnet werden.
  • Die Konversionsschicht kann zum Beispiel einen Phosphor und/oder einen organischen und/oder einen anorganischen Leuchtstoff umfassen.
  • Die in 8 gezeigte Anordnung wird vereinzelt, sodass zwei optoelektronische Leuchtvorrichtungen 901, 903 gebildet werden. Dies zeigt symbolisch 9.
  • Somit weist jede der optoelektronischen Leuchtvorrichtungen 901, 903 jeweils eine Durchkontaktierung 109, 111 sowie ein optoelektronisches Halbleiterbauteil 113, 115 sowie ein Gehäuse 203 auf, in welchem die Durchkontaktierung 109, 111 und das optoelektronische Halbleiterbauteil 113, 115 eingebettet sind, wobei insbesondere die lichtemittierenden Flächen 127 freiliegen. Ferner sind Abschnitte von Flächen, die verschieden von der lichtemittierenden Fläche 127 sind, teilweise mit der Lackschicht 505 beschichtet.
  • Die in 1 bis 9 symbolisch und exemplarisch gezeigten Herstellungsschritte in einem Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung zeigen zwei Durchkontaktierungen 109, 111 sowie zwei optoelektronische Halbleiterbauteile 113, 115. In nicht gezeigten Ausführungsformen können mehr oder weniger (also eine) als zwei Durchkontaktierungen 109, 111 und mehr oder weniger (also eine) als zwei optoelektronische Halbleiterbauteile 113, 115 vorgesehen sein, die analog zu den zwei Durchkontaktierungen 109, 111 und den zwei optoelektronischen Halbleiterbauteilen 113, 115 in ein Gehäuse 203 eingebettet werden. Entsprechend kann dann eine Vereinzelung stattfinden, um mehr als zwei optoelektronische Leuchtvorrichtungen zu bilden. Auch kann in weiteren nicht gezeigten Ausführungsformen vorgesehen sein, dass einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung mehrere Halbleiterbauteile zugeordnet sind und entsprechend mehrere Durchkontaktierungen zugeordnet sind.
  • 10 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung.
  • Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte:
    • - Bereitstellen 1001 eines optoelektronischen Halbleiterbauteils mit einer eine lichtemittierende Fläche umfassende Oberseite, wobei das Halbleiterbauteil in einem die lichtemittierende Fläche freilassendes Gehäuse eingebettet ist,
    • - Beschichten 1003 einer Gehäusefläche mit einem lichtstreuenden dielektrischen Lack, so dass eine die Gehäusefläche beschichtende lichtstreuende dielektrische Lackschicht gebildet 1005 wird, die auf eine der Gehäusefläche abgewandten Fläche der Lackschicht einfallendes Licht streuen kann.
  • 11 und 12 zeigen jeweils einen den jeweils in den 5 und 6 gezeigten Schritten entsprechenden Schritt in einem weiteren Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung.
  • Es werden daher für gleiche Merkmale gleiche Bezugszeichen verwendet. Als ein Unterschied weisen hier die Halbleiterbauteile Grate auf, was nachstehend noch weiter beschrieben wird. Die der 5 vorausgehenden Schritte und die der 6 nachfolgenden Schritte gelten aber analog für die in den 11 und 12 gezeigten Halbleiterbauteile umfassend Grate.
  • Das Halbleiterbauteil 115 weist einen Grat 1101 auf. Das Halbleiterbauteil 113 weist ebenfalls einen Grat 1103 auf.
  • Der Grat 1101 des Halbleiterbauteils 115 ist an einem Rand 1105 der Oberseite 123 des Halbleiterbauteils 115 gebildet.
  • Der Grat 1103 des Halbleiterbauteils 113 ist an einem Rand 1107 der Oberseite 123 des Halbleiterbauteils 113 gebildet.
  • Die Grate 1101, 1103 entstehen beispielsweise während eines Vereinzelns der Halbleiterbauteile 113, 115. Die Grate 1101, 1103 weisen eine Höhe (zum Beispiel 14 µm) auf, die größer ist als die Höhe (zum Beispiel maximal 4 µm) der elektrischen Kontaktfläche 129 des Lötpads 131.
  • Die Grate 1101, 1103 werden von der Lackschicht 501 vollständig bedeckt, so dass die Grate 1101, 1103 vollständig in der Lackschicht eingebettet sind.
  • Die elektrische Verbindung 601 wird auf der die Grate 1101, 1103 einbettende Lackschicht 501 gebildet, beispielsweise als eine Metallisierung. Aufgrund der Lackschicht 501 wird die elektrische Verbindung 601 von den Graten 1101, 1103 nicht kurzgeschlossen. Die Grate 1101, 1103 sind also von der elektrischen Verbindung 601 elektrisch isoliert.
  • Zusammenfassend ist erfindungsgemäß insbesondere vorgesehen, dem Lack, der im Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung als Dielektrikum auf die einzelnen Flächen aufgebracht wird, eine reflektierende und/oder streuende Substanz, insbesondere eine weiß reflektierende und/oder weiß streuende Substanz, wie zum Beispiel TiO2, beizufügen respektive einen reflektierenden und/oder streuenden Lack, insbesondere einen weiß reflektierenden und/oder weiß streuenden Lack, zu verwenden. Die Substanz umfasst insbesondere Streupartikel.
  • Dadurch erhöht sich in vorteilhafter Weise eine Effizienz der Leuchtvorrichtung, da das Licht von der Oberseite der Lackschicht reflektiert und/oder gestreut werden kann. Die Effizienz wird in vorteilhafter Weise besonders erhöht, wenn es sich hier um eine weiß reflektierende und/oder weiß streuende Lackschicht handelt. Dies kann in vorteilhafter Weise auch für eine Farbhomogenität vorteilhaft sein. Insbesondere können so weiß erscheinende Packages (Leuchtvorrichtung) erzeugt werden. Anstelle von Weiß kann entsprechend dem verwendeten Lack ein andersfarbig erscheinendes Package erzeugt werden. Das Erzeugen der Lackschicht, die auch als eine Reflexions- und/oder Streuschicht bezeichnet werden kann, kann in vorteilhafter Weise in einem Prozessschritt erfolgen, der bereits Bestandteil eines Herstellungsprozesses oder eines Herstellungsverfahrens einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung ist. Es ist somit in vorteilhafter Weise kein zusätzlicher Prozessschritt notwendig. Das heißt also insbesondere, dass in einem bereits an sich bekannten Herstellungsverfahren einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung nun erfindungsgemäß ein Lack verwendet wird, wie er im Rahmen dieser Beschreibung beschrieben ist. Weiterhin kann durch das Beschichten mit dem Lack eine optimale Bedeckung der einzelnen zu beschichtenden Flächen mit einer sehr hohen Genauigkeit erzielt werden.
  • BEZUGSZEICHENLISTE
    • 101
    Träger
    103
    Oberseite des Trägers
    104
    Klebeband
    105
    Klebstoffschicht
    107
    Oberseite der Klebstoffschicht
    109
    Durchkontaktierung
    111
    Durchkontaktierung
    113
    optoelektronisches Halbleiterbauteil
    115
    optoelektronisches Halbleiterbauteil
    117
    Oberseite der Durchkontaktierung
    119
    Metallbeschichtung
    121
    Unterseite der Durchkontaktierung
    123
    Oberseite des Halbleiterbauteils
    124
    Unterseite des Halbleiterbauteils
    125
    Epi
    127
    lichtemittierende Fläche
    129
    elektrische Kontaktfläche des Lötpads
    131
    Lötpad
    201
    Moldwerkstoff
    203
    Gehäuse
    205
    Oberseite des Gehäuses
    207
    Unterseite des Gehäuses
    501
    elektrischer Kontaktabschnitt
    503
    elektrische Kontaktfläche der Metallbeschichtung
    505
    Lackschicht
    507
    Oberseite der Lackschicht
    509
    Unterseite der Lackschicht
    601
    elektrische Verbindung
    603
    zu entfernender Gehäuseabschnitt
    701
    Metallisierung
    703
    Metallisierung
    801
    Konversionsschicht
    901
    optoelektronische Leuchtvorrichtung
    903
    optoelektronische Leuchtvorrichtung
    1001
    Bereitstellen
    1003
    Beschichten
    1005
    Bilden einer Lackschicht
    1101
    Grat
    1103
    Grat
    1105
    Rand
    1107
    Rand
    1109
    Flanke

Claims (13)

  1. Optoelektronische Leuchtvorrichtung (901, 903), umfassend: - ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (113, 115) mit einer eine lichtemittierenden Fläche (127) umfassenden Oberseite (123), - ein das Halbleiterbauteil (113, 115) einbettendes und die lichtemittierende Fläche (127) freilassendes Gehäuse (203), - wobei eine Gehäusefläche (205) mit einer lichtstreuenden dielektrischen Lackschicht (505) beschichtet ist, die auf eine der Gehäusefläche (205) abgewandten Fläche (507) der Lackschicht (505) einfallendes Licht streuen kann, - wobei in dem Gehäuse (203) eine von einer Oberseite (205) des Gehäuses (205) zu einer der Oberseite (205) gegenüberliegenden Unterseite (207) des Gehäuses (207) verlaufende elektrische Durchkontaktierung (109, 111) eingebettet ist, die eine teilweise mittels der Lackschicht (505) beschichtete Oberseite (117) und eine der Oberseite (117) gegenüberliegende Unterseite (121) umfasst, - wobei an der Oberseite (117) der Durchkontaktierung (109, 111) eine elektrische Kontaktfläche (503) ausgebildet ist, die frei von der Lackschicht (505) ist und die durch eine auf der Lackschicht (505) aufgebrachte Metallisierung mit einer an der Oberseite (123) des Halbleiterbauteils (113, 115) ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche (129) elektrisch verbunden ist, - wobei an einem Rand der Oberseite (123) des Halbleiterbauteils (113, 115) ein Grat (1101, 1103) gebildet ist, wobei der Grat (1101, 1103) vollständig in die Lackschicht (505) eingebettet ist, wodurch der Grat (1101, 1103) elektrisch gegenüber der Metallisierung isoliert ist.
  2. Optoelektronische Leuchtvorrichtung (901, 903) nach Anspruch 1, wobei die Lackschicht (505) mehrere Streupartikel umfasst.
  3. Optoelektronische Leuchtvorrichtung (901, 903) nach Anspruch 2, wobei die Streupartikel ein oder mehrere Elemente ausgewählt aus der folgenden Gruppe von Streupartikeln umfassen: TiO2-Partikel, Al2O3-Partikel, SiO2-Partikel, BaSO4-Partikel, ZrO2-Partikel, HfO2-Partikel.
  4. Optoelektronische Leuchtvorrichtung (901, 903) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Lackschicht (505) derart ausgebildet ist, dass gestreutes Licht weiß ist.
  5. Optoelektronische Leuchtvorrichtung (901, 903) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei ein verschieden von der lichtemittierenden Fläche (127) ausgebildeter Abschnitt der Oberseite (123) des Halbleiterbauteils (113, 115) mit der Lackschicht (505) beschichtet ist.
  6. Optoelektronische Leuchtvorrichtung (901, 903) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Lackschicht (505) eine strukturierte Lackschicht, insbesondere eine fotolithographisch strukturierte Lackschicht ist.
  7. Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung (901, 903), umfassend die folgenden Schritte: - Bereitstellen (1001) eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (113, 115) mit einer eine lichtemittierende Fläche (127) umfassende Oberseite (123), wobei das Halbleiterbauteil (113, 115) in einem die lichtemittierende Fläche (127) freilassendes Gehäuse (203) eingebettet ist, wobei in dem Gehäuse (203) eine von einer Oberseite (205) des Gehäuses (203) zu einer der Oberseite (205) gegenüberliegenden Unterseite (207) des Gehäuses (203) verlaufende elektrische Durchkontaktierung (109, 111) eingebettet ist, die eine Oberseite (117) und eine der Oberseite (117) gegenüberliegende Unterseite (121) umfasst, wobei an einem Rand der Oberseite (123) des Halbleiterbauteils (113, 115) ein Grat (1101, 1103) gebildet ist, , - Beschichten (1003) einer Gehäusefläche (205) mit einem lichtstreuenden dielektrischen Lack, so dass eine die Gehäusefläche (205) beschichtende lichtstreuende dielektrische Lackschicht (505) gebildet (1005) wird, die auf eine der Gehäusefläche (205) abgewandten Fläche (507) der Lackschicht (505) einfallendes Licht streuen kann, wobei die Oberseite (117) der Durchkontaktierung (109, 111) teilweise mittels des Lacks beschichtet wird, so dass die Oberseite (117) der Durchkontaktierung (109, 111) teilweise mittels der Lackschicht (505) beschichtet ist, wobei an der Oberseite (117) der Durchkontaktierung (109, 111) eine elektrische Kontaktfläche (503) ausgebildet wird, die frei von der Lackschicht (505) ist und die durch eine auf der Lackschicht (505) aufgebrachte Metallisierung mit einer an der Oberseite (123) des Halbleiterbauteils (113, 115) ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche (129) elektrisch verbunden wird, wobei der Grat (1101, 1103) vollständig in die Lackschicht (505) eingebettet wird, wodurch der Grat (1101, 1103) elektrisch gegenüber der Metallisierung isoliert ist.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei der Lack mehrere Streupartikel umfasst.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei als Streupartikel ein oder mehrere Elemente aus der folgenden Gruppe von Streupartikeln ausgewählt werden: TiO2-Partikel, Al2O3-Partikel, SiO2-Partikel, BaSO4-Partikel, ZrO2-Partikel, HfO2-Partikel.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, wobei die Lackschicht (505) derart ausgebildet wird, dass gestreutes Licht weiß ist.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, wobei ein verschieden von der lichtemittierenden Fläche (127) ausgebildeter Abschnitt der Oberseite (123) des Halbleiterbauteils (113, 115) mittels des Lacks beschichtet wird, so dass der verschieden von der lichtemittierenden Fläche (127) ausgebildete Abschnitt des Halbleiterbauteils (113, 115) mittels der Lackschicht (505) beschichtet ist.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 11, wobei das Bereitstellen umfasst, dass das oder die einzubettenden Elemente vor dem Einbetten auf einen Träger (101) angeordnet werden, wobei das Einbetten umfasst, dass das oder die auf dem Träger (101) angeordneten Elemente mittels eines Moldwerkstoffs (201) eingemoldet werden, so dass das Gehäuse (203) mittels des Moldwerkstoffs (201) gebildet wird, wobei der Träger (101) nach dem Molden von dem oder den eingemoldeten Elementen entfernt wird, so dass ein aus dem Moldwerkstoff (201) gemoldetes Gehäuse (203) bereitgestellt wird, in welchem das oder die einzubettenden Elemente eingebettet sind.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 12, wobei nach dem Beschichten die Lackschicht (505) strukturiert wird, insbesondere fotolithographisch strukturiert wird.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200383600A1 (en) * 2019-06-08 2020-12-10 PercuSense, Inc. Analyte sensor
CN111900184A (zh) * 2020-09-02 2020-11-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制备方法
DE102022102090A1 (de) * 2022-01-28 2023-08-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen vorrichtung

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012212963A1 (de) 2012-07-24 2014-02-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US20140334137A1 (en) 2012-02-02 2014-11-13 The Procter & Gamble Company Bidirectional light sheet

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150033323A1 (en) * 2003-07-01 2015-01-29 Securityprofiling, Llc Virtual patching system, method, and computer program product
US7129114B2 (en) * 2004-03-10 2006-10-31 Micron Technology, Inc. Methods relating to singulating semiconductor wafers and wafer scale assemblies
EP1630729B1 (de) * 2004-08-31 2007-12-26 STMicroelectronics S.r.l. Verfahren zur Herstellung einer MMC-Multimediakarte mittels Spritzguss- und Laserschneidverfahren
US7838331B2 (en) * 2005-11-16 2010-11-23 Denso Corporation Method for dicing semiconductor substrate
US7307348B2 (en) * 2005-12-07 2007-12-11 Micron Technology, Inc. Semiconductor components having through wire interconnects (TWI)
DE102010026518A1 (de) * 2010-07-08 2012-01-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips
US9432992B2 (en) * 2010-11-08 2016-08-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and device for receiving a subframe in different forms in a wireless communication system
DE102011018295B4 (de) * 2011-04-20 2021-06-24 Austriamicrosystems Ag Verfahren zum Schneiden eines Trägers für elektrische Bauelemente
JP5583703B2 (ja) * 2012-01-18 2014-09-03 信越化学工業株式会社 光半導体装置の製造方法
CN103367619B (zh) * 2012-03-30 2015-12-02 光宝电子(广州)有限公司 金属支架结构及发光二极管结构
DE102012113003A1 (de) * 2012-12-21 2014-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
US9196688B2 (en) * 2013-03-05 2015-11-24 Infineon Technologies Americas Corp. Delamination and crack prevention in III-nitride wafers
SG11201507671SA (en) * 2013-03-15 2015-10-29 Russell Jaffe Soft gel encapsulation
DE112014004318T5 (de) * 2013-09-20 2016-07-07 Namiki Seimitsu Houseki Kabushiki Kaisha Substrat und Verfahren zu dessen Herstellung, Lichtemissionselement und Verfahren zu dessen Herstellung und Vorrichtung mit dem Substrat oder Lichtemissionselement
DE102013112549B4 (de) 2013-11-14 2021-08-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
JP6341056B2 (ja) * 2014-10-24 2018-06-13 日亜化学工業株式会社 サブマウント及びその製造方法並びに半導体レーザ装置及びその製造方法
DE102015100686A1 (de) * 2015-01-19 2016-07-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips und Halbleiterchip

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140334137A1 (en) 2012-02-02 2014-11-13 The Procter & Gamble Company Bidirectional light sheet
DE102012212963A1 (de) 2012-07-24 2014-02-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil

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Publication number Publication date
WO2017001327A1 (de) 2017-01-05
DE102015110429A1 (de) 2017-01-12
US20180198044A1 (en) 2018-07-12
DE112016002926A5 (de) 2018-03-08
US10340430B2 (en) 2019-07-02

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