DE112015002515T5 - Mit kunststoff umpresste breit-bandabstands-leistungstransistoren und mmics - Google Patents

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Simon Wood
James W. Milligan
Chris Hermanson
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Abstract

Eine Transistor-Gehäuseverpackung, die folgendes einschließt: eine Leiterplatte, einen Breit-Bandabstands-Transistor, der mit der Leiterplatte verbunden ist, und eine Umgießung, die die Leiterplatte und den Breit-Bandabstands-Transistor umgibt. Der Breit-Bandabstands-Transistor hat eine Spitzenausgangsleistung von mehr als 150 W in Betrieb mit einer Frequenz von bis zu 3,8 GHz. Indem eine Umgießung mit einem Breit-Bandabstands-Transistor in der Transistor-Gehäuseverpackung verwendet wird, wird der Transistor-Gehäuseverpackung eine außerordentlich hohe Effizienz, Verstärkung und Bandbreite zu erzielen ermöglicht, während die Herstellungskosten der Transistor-Gehäuseverpackung niedrig gehalten werden.

Description

  • Gebiet der Offenbarung
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen. Im Speziellen betrifft die vorliegende Offenbarung umpresste Breit-Bandabstands-Leistungstransistoren.
  • Hintergrund
  • Während sich Funkkommunikationsstandards weiter entwickeln, um Verbesserungen bei Datenraten und Zuverlässigkeit gewährleisten, werden zunehmend strenge Anforderungen an die Hochfrequenz-(RF)Leistungsverstärker (PAs) gestellt, die zur Übertragung von Funksignalen verwendet werden. RF PAs, die mit den neuesten Funkkommunikationsstandards kompatibel sind, müssen einen hohen Grad an Linearität und eine hohe Verstärkung über eine große Bandbreite aufweisen und gleichzeitig hoch effizient sein, um die Batterielebensdauer eines mobilen Endgeräts, in dass sie integriert sind, aufrechtzuerhalten. Silizium-(Si) und Galliumarsenid-(GaAs)RF PAs sind gut bekannt und weit verbreitet, leiden jedoch an einer relativ schmalen Bandbreite und begrenzter Ausgangsleistung, Eigenschaften, die den Vorrichtungen aufgrund des schmalen Bandabstands ihrer jeweiligen Materialsysteme inherent sind. Zur Verbesserung der Leistung eines mobilen Endgeräts werden zur Zeit Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen für die Verstärkung von RF-Signalen untersucht.
  • Breit-Bandabstands-RF PAs wie solche, die aus Siliziumcarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) bestehen, bieten Verbesserungen im Hinblick auf Bandbreite, Ausgangsleistung und Effizienz im Vergleich zu ihren Schmal-Bandabstands-Gegenstücken. Aufgrund des erhöhten Preises, die mit Breit-Bandabstands-Vorrichtungen verbunden sind, verlassen sich jedoch viele Hersteller von mobilen Geräten weiterhin in der Konstruktion und Herstellung von RF-Schaltungen auf herkömmliche RF PAs. Während es zahlreiche beitragende Faktoren gibt, die zu dem erhöhten Preis von Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen beitragen, ist eine große Kostenkomponente auf deren Gehäuseverpackung zurückzuführen.
  • Die 1 und 2 zeigen eine herkömmliche Gehäuseverpackung 10 für eine Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtung 12. Die herkömmliche Gehäuseverpackung 10 schließt einen Keramikkörper 14 und einen oder mehrere Metallkontakte 16 ein. Innerhalb der Gehäuseverpackung 10 umgibt eine eingeschlossene Luftblase 18 die Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtung 12, die über ein Formbefestigungsmaterial 22 mit einem Metallsubstrat 20 verbunden ist. Ein oder mehrere Bond-Drähte 24 verbinden die Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtung 12 mit einem ersten Metallkontakt 16A und einem zweiten Metallkontakt 16B. Die eingeschlossene Luftblase 18 und das Metallsubstrat 20 leiten die Wärme ab, die von der Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtung 12 erzeugt wird und isolieren und schützen gleichzeitig die Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtung 12 vor der äußeren Umgebung. Der Keramikkörper 14 und das Metallsubstrat 20 der herkömmlichen Gehäuseverpackung 10 sind zwar geeignet, selbst eine Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtung zu schützen und die von ihr erzeugte Wärme abzuleiten, sie sind jedoch teuer in der Herstellung und treiben so die Kosten von Elektronik-Gehäuseverpackungen, die Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen einschließen, nach oben.
  • Zusammenfassung
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft umpresste Breit-Bandabstands-Leistungstransistoren. In einer Ausführungsform schließt eine Transistor-Gehäuseverpackung eine Leiterplatte, einen Breit-Bandabstands-Transistor, der an der Leiterplatte befestigt ist, und eine Umgießung, welche die Leiterplatte und den Breit-Bandabstands-Transistor umgibt, ein. Der Breit-Bandabstands-Transistor hat eine Spitzenausgangsleistung von mehr als 150 W, wenn er mit einer Frequenz von bis zu 3,8 GHz betrieben wird. Die Verwendung einer Umgießung gemeinsam mit einem Breit-Bandabstands-Transistor in der Transistor-Gehäuseverpackung ermöglicht es der Transistor-Gehäuseverpackung, eine außerordentlich hohe Verstärkung und Bandbreite zu erzielen, während die Herstellungskosten für die Transistor-Gehäuseverpackung niedrig gehalten werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist der Breit-Bandabstands-Transistor ein Galliumnitrid-(GaN-)Transistor. In einer weiteren Ausführungsform ist der Breit-Bandabstands-Transistor ein GaN auf Siliziumcarbid-(SiC-)Transistor und kann außerdem ein Transistor mit hoher Elektronenmobilität (HEMT) sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform beträgt die Effizienz der Transistor-Gehäuseverpackung mehr als ungefähr 30%, gemessen bei einem typischen Funkkommunikationsstandardsignal, wie zum Beispiel bei einem Long Term Evolution(LTE-)-Signal, wobei der Peak-zu-Mittelwerts-Faktor ungefähr 7,5 dB beträgt.
  • Der Fachmann wird den Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung sowie zusätzliche Aspekte derselben erkennen, nachdem er die folgende detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen im Zusammenhang mit den beigefügen Zeichnungen gelesen hat.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die beigefügten Zeichnungen, die in diese Beschreibung integriert sind und einen Teil von ihr bilden, zeigen verschiedene Aspekte der Offenbarung und dienen gemeinsam mit der Beschreibung dazu, die Grundsätze der Offenbarung zu erläutern.
  • 1 ist eine isometrische Ansicht einer herkömmlichen Elektronik-Gehäuseverpackung für eine Halbleitervorrichtung.
  • 2 ist eine Querschnittsansicht der herkömmlichen Elektronik-Gehäuseverpackung für eine Halbleitervorrichtung, die in 1 gezeigt ist.
  • 3 ist eine isometrische Ansicht einer Elektronik-Gehäuseverpackung für eine Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • 4 ist eine Querschnittsansicht der Elektronik-Gehäuseverpackung, die in 3 dargestellt ist, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • 5 ist eine schematische Darstellung einer Hochfrequenz-(RF)Übertragungskette gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Die 6A–6C sind schematische Darstellungen einer Transistor-Gehäuseverpackung zur Verwendung in der RF-Übertragungskette in 5 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Die 7A–7C sind schematische Darstellungen einer Verstärker-Gehäuseverpackung zur Verwendung in der RF-Übertragungskette in 5 gemäß einer zusätzlichen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • 8 ist eine schematische Darstellung eines Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerks zur Verwendung in der Transistor-Gehäuseverpackung in den 6A–6C und/oder der Verstärker-Gehäuseverpackung in den 7A–7C gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • 9 ist eine Grafik, welche die Spitzenausgangsleistungsreaktion der Transistor-Gehäuseverpackung in den 6A–6C und/oder der Verstärker-Gehäuseverpackung in den 7A–7C gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
  • Detaillierte Beschreibung
  • Die unten ausgeführten Ausführungsformen bieten die notwendigen Informationen, um es dem Fachmann zu ermöglichen, die Ausführungsformen umzusetzen und stellen den besten Weg der Umsetzung der Ausführungsformen dar. Beim Lesen der folgenden Beschreibung mit Berücksichtigung der beigefügten Zeichnungen wird der Fachmann die Grundsätze der Offenbarung verstehen und die Anwendungen dieser Konzepte, die nicht speziell hierin ausgeführt sind, erkennen. Es versteht sich, dass diese Konzepte und Anwendungen innerhalb des Schutzumfangs der Offenbarung und der beigefügten Ansprüche liegen.
  • Es versteht sich, dass, obwohl die Ausdrücke „erstes”, „zweites” usw. hierin verwendet werden können, um verschiedene Elemente zu beschreiben, diese Elemente nicht durch diese Ausdrücke eingeschränkt sein sollen. Diese Ausdrücke werden nur verwendet, um die Elemente voneinander zu unterscheiden. Zum Beispiel könnte ein erstes Element als zweites Element bezeichnet werden, und in ähnlicher Weise könnte ein zweites Element als erstes Element bezeichnet werden, ohne vom Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Wie hierin verwendet schließt der Ausdruck „und/oder” alle Kombination eines oder mehrerer der dazugehörigen aufgeführten Teile ein.
  • Es versteht sich, dass, wenn ein Element, wie zum Beispiel eine Schicht, ein Bereich oder ein Substrat als „auf” einem anderen Element befindlich oder sich „auf” ein anderes Element erstreckend bezeichnet wird, es sich direkt auf dem anderen Element befinden oder darauf erstrecken kann oder außerdem dazwischenliegende Elemente vorhanden sein können. Wenn hingegen ein Element als sich „direkt auf” einem anderen Element befindlich oder sich „direkt auf” ein anderes Element erstreckend bezeichnet wird, sind keine dazwischenliegenden Elemente vorhanden. In ähnlicher Weise versteht es sich, dass, wenn ein Element, wie zum Beispiel eine Schicht, ein Bereich oder ein Substrat als sich „über” einem anderen Element befindlich oder „über” ein anderes Element erstreckend bezeichnet wird, es sich direkt über dem anderen Element befinden oder darüber erstrecken kann, oder außerdem dazwischenliegende Elemente vorhanden sein können. Wenn hingegen ein Element als sich „direkt über” einem anderen Element befindlich oder sich „direkt über” ein anderes Element erstreckend bezeichnet wird, sind keine dazwischenliegenden Elemente vorhanden. Es versteht sich auch, dass, wenn ein Element als mit einem anderen Element „verbunden” oder „gekoppelt” bezeichnet wird, es direkt mit dem anderen Element verbunden oder gekoppelt sein kann oder dazwischenliegende Elemente vorhanden sein können. Wenn hingegen ein Element als mit einem anderen Element „direkt verbunden” oder „direkt gekoppelt” bezeichnet wird, sind keine dazwischenliegenden Elemente vorhanden.
  • Relative Ausdrücke wie „unter”, „über”, „oberes”, „unteres”, „horizontal” oder „vertikal” können hierin verwendet werden, um die Beziehung eines Elements einer Schicht oder eines Bereichs zu einem anderen Element einer anderen Schicht oder einem anderen Bereich, wie in den Figuren dargestellt, zu beschreiben. Es versteht sich, dass diese und die oben behandelten Ausdrücke verschiedene Ausrichtungen der Vorrichtung zusätzlich zu der in den Figuren dargestellten Ausrichtung umfassen sollen.
  • Die hierin verwendete Terminologie dient dem Zweck der Beschreibung nur bestimmter Ausführungsformen und soll die Offenbarung nicht einschränken. Wie hierin verwendet, ist beabsichtigt, dass die Singularformen „ein”, „eine” und „der”, „die” und „das” auch die Pluralformen einschließen sollen, soweit der Kontext dies nicht ausdrücklich anders erfordert. Es versteht sich weiter, dass die Ausdrücke „umfasst”, „umfassend”, „schließt ein” und/oder „einschließlich”, wenn sie hierin verwendet werden, die Anwesenheit angegebener Merkmale ganzer Zahlen, Schritte, Vorgänge, Elemente und/oder Komponenten angeben, aber nicht Anwesenheit oder das Hinzufügen eines oder mehrerer anderer Merkmale ganzer Zahlen, Schritte, Vorgänge, Elemente, Komponenten und/oder Gruppen davon ausschließen.
  • Soweit nicht anderweitig definiert haben alle hierin verwendeten Ausdrücke (einschließlich technischer und wissenschaftlicher Ausdrücke) dieselbe Bedeutung die allgemein von einer Person mit durchschnittlichem Fachwissen auf dem Gebiet zu den diese Offenbarung gehört verstanden wird. Es versteht sich weiter, dass die hierin verwendeten Ausdrücke dahingehend zu interpretieren sind, dass sie eine Bedeutung haben, die mit ihrer Bedeutung im Kontext dieser Beschreibung und des dazugehörigen Fachgebiets konsistent ist und nicht idealisiert oder übermäßig formal interpretiert werden, außer wenn dies hierin ausdrücklich angegeben ist.
  • Die 3 und 4 zeigen ein Elektronikgehäuse 26, das zur Verwendung mit einer oder mehreren Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung geeignet ist. Im Speziellen zeigt 3 eine isometrische Ansicht des Elektronikgehäuses 26, während 4 eine Querschnittsansicht des Elektronikgehäuses 26 zeigt. Das Elektronikgehäuse 26 schließt eine Umgießung 30, einen oder mehrere Eingangs-/Ausgangs-Pins 32 und eine Leiterplatte 34 ein. Die Umgießung 30 kann im Wesentlichen die einen oder mehreren Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 umgeben, die mit einem Formbefestigungsmaterial 38 auf der Leiterplatte 34 montiert sind. Die Umgießung 30 kann aus einer Kunststoff- oder eine Kunststoffpolymerverbindung bestehen, die um die Leiterplatte 34 und die einen oder mehreren Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 herum spritzgegossen wird und so einen Schutz vor der äußeren Umgebung bietet. Die einen oder mehreren Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 können mit den einen oder mehreren Eingangs-/Ausgangs-Pins 32 über Bond-Drähte 40 gekoppelt sein.
  • Der maximale Termperaturwert herkömmlicher Elektronik-Gehäuseverpackungstechnologien die eine Umgießung verwenden, wurde aufgrund der Materialien, die in einer herkömmlichen Elektronik-Gehäuseverpackung verwendet wird, bei 150°C gekappt. Daher sind herkömmliche Elektronik-Gehäuseverpackungstechnologien im Allgemeinen nur für Schmal-Bandabstandsvorrichtungen mit einer Spitzenausgangsleistung von weniger als 150 W und einer Arbeitsfrequenz von weniger als 2,2 GHz geeignet. Aufgrund der inhärent hohen Leistungsdichte von Breit-Bandabstands-Vorrichtungen unterliegt die Gehäuseverpackung einer Breit-Bandabstands-Vorrichtung deutlich strengeren Anforderungen als die Gehäuseverpackung einer ähnlichen Schmal-Bandabstandsvorrichtung. Insbesondere resultiert die hohe Leistungsdichte einer Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtung aus einer großen Wärmemenge, die von der Vorrichtung erzeugt wird und die von der Gehäuseverpackung angemessen abgeleitet werden muss, um eine Schädigung der Vorrichtung zu vermeiden. Weiter sollte, aufgrund der großen produzierten Wärmemenge, der Teil der Gehäuseverpackung, der in Kontakt mit einer Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtung steht, eine exzessive Expansion und/oder Kontraktion beim Erhitzen und Abkühlen vermeiden, da dies die einen oder mehreren Vorrichtungen, die in Kontakt mit der Gehäuseverpackung stehen, beschädigen kann.
  • Da Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen oftmals mit einer Spitzenausgangsleistung von mehr als 200 W, Frequenzen bis zu 3,8 GHz und Temperaturen von mehr als 200°C arbeiten, sind herkömmliche Elektronik-Gehäuseverpackungstechnologien daher nicht geeignet für Breit-Bandabstands-Vorrichtungen, die mit ihrer vollen Kapazität bemessen sind. Bei der Konstruktion eines Elektronikgehäuses, dass für eine Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtung geeignet ist, entdeckten die Erfinder vier Schlüsseleigenschaften zur Bestimmung der Eignung eines Materials, dass für die Umgießung 30 verwenden wird. Im Speziellen entdeckten die Erfinder, dass die Glasübergangstemperatur (TG), das Biegemodul (FM), der thermische Ausdehnungskoeffizient (CTE) und die Feuchtigkeitsabsorptionsrate (AR) des Materials, das für die Umgießung 30 verwendet wird, für die Leistung und Langlebigkeit der Elektronik-Gehäuseverpackung 26 entscheidend sind.
  • Die Glasübergangstemperatur (TG) eines Materials gibt die Temperatur an, bei dem eine Zustandsänderung von einem Feststoff zu einem flüssigen Stoff beginnt, und sie wird häufig von Elektronik-Gehäuseverpackungsentwicklern verwendet, um die Wärmefähigkeiten des Materials zu kennzeichnen. Das Biegemodul (FM) eines Materials ist das Verhältnis von Dehnung zur Spannung in der Biegeverformung des Materials (zum Beispiel die Tendenz des Materials sich zu biegen). Der Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) eines Materials gibt an, wie sehr sich die Größe eines Materials infolge von Änderungen der Temperatur des Materials ändert. Die Feuchtigkeitsabsorptionsrate (AR) eines Materials gibt schließlich die Menge an Feuchtigkeit (prozentual) an, die ein Material unter bestimmten Bedingungen absorbieren wird.
  • Im Allgemeinen wird eine Erhöhung der Glasübergangstemperatur (TG) eines bestimmten Materials es ermöglichen, dass das Material einer höheren Temperatur ausgesetzt wird, ohne dass die Struktur des Materials geschädigt wird. Während jedoch die Glasübergangstemperatur (TG) eines Materials ansteigt, ist dies auch der Fall beim Biegemodul (FM), dem Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) und der Feuchtigkeitsabsorptionsrate (AR) des Materials. Bei der Konstruktion der Elektronik-Gehäuseverpackung 26 entdeckten die Erfinder, dass die Verwendung von Materialien mit einem hohen Biegemodul (FM), einem hohen Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) und/oder einer hohen Feuchtigkeitsabsorptionsrate (AR) für die Umgießung 30 zu einem Abblättern der Umgießung 30 von der Leiterplatte 34 und/oder zu Reißen oder anderen strukturellen Schäden der einen oder mehreren Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 führen kann, die in Kontakt mit der Umgießung 30 stehen, aufgrund von Expansion und Kontraktion der Umgießung 30, wenn sich die Temperatur der einen oder mehreren Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 mit der Zeit verändert. Daher muss ein Ausgleich gefunden werden zwischen der Glasübergangstemperatur (TG), den Biegemodul (FM), dem Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) und der Feuchtigkeitsabsorptionsrate (AR) des Materials, das für die Umgießung 30 verwendet wird.
  • In einer Ausführungsform kann die Umgießung 30 der Elektronik-Gehäuseverpackung 26 eine Glasübergangstemperatur (TG) zwischen ungefähr 135°C und 400°C, ein Biegemodul (FM) unterhalb von ungefähr 20 GPa, einem Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) unterhalb von ungefähr 50 ppm/°C bei Temperaturen oberhalb der Glasübergangstemperatur und unterhalb von ungefähr 18 ppm/°C bei Temperaturen unterhalb der Glasübergangstemperatur und einer Feuchtigkeitsabsorptionsrate (AR) von weniger als ungefähr 0,5% haben.
  • In einer Ausführungsform ist die Umgießung 30 aus der Teile Nr. G720A geformt, hergestellt von Sumitomo Bakelite in Fukuoka, Japan, von dem das Datenblatt hierin vollständig durch die Bezugnahme eingeschlossen ist. Durch Verwendung einer Umgießung 30 für die Elektronik-Gehäuseverpackung 26 mit einer Glasübergangstemperatur (TG) zwischen ungefähr 135°C und 400°C, einem Biegemodul (FM) unterhalb von ungefähr 20 GPa, einem Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) unterhalb von ungefähr 50 ppm/°C bei Temperaturen oberhalb der Glasübergangstemperatur und unterhalb von ungefähr 18 ppm/°C bei Temperaturen unterhalb der Glasübergangstemperatur, und bei einer Feuchtigkeitsabsorptionsrate (AR) von weniger als ungefähr 0,5% kann die Elektronik-Gehäuseverpackung 26 zur Aufnahme der einen oder mehreren Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 geeignet sein. Im Speziellen ermöglicht die hohe Glasübergangstemperatur (TG) der Umgießung 30 es der Elektronik-Gehäuseverpackung 26, die Wärme, die von der einen oder den mehreren Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 erzeugt wird, innerhalb der Elektronik-Gehäuseverpackung 26 ohne strukturellen Schaden daran abzuleiten, während das niedrige Biegemodul (FM) der Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) und die Feuchtigkeitsabsorptionsrate (AR) der Umgießung 30 einen Schaden an den einen oder mehreren Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 verhindern, der aufgrund einer Verformung des Teils der Umgießung 30 verursacht werden kann, welcher in Kontakt mit den einen oder mehreren Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 steht, aufgrund von Wärmeausdehnung und/oder Kontraktion.
  • Zusätzlich zu den Eigenschaften, die oben mit Bezug auf die Umgießung 30 behandelt sind, machten die Erfinder auch ähnliche Entdeckungen im Hinblick auf das Formbefestigungsmaterial 38. Im Speziellen haben die Erfinder entdeckt, dass die Massen-Wärmeleitfähigkeit (KT) und das Biegemodul (FM) des Formbefestigungsmaterials 38 für die Leistung und Langlebigkeit der Elektronik-Gehäuseverpackung 26 entscheidend sind. Das Formbefestigungsmaterial 38 kann ein gesintertes Material sein, wie zum Beispiel ein gesintertes Silbermaterial mit einer Massen-Wärmeleitfähigkeit (KT) zwischen ungefähr 40 W/m-K und 200 W/m-K und einem Biegemodul (FM) von weniger als ungefähr 20 GPa. In einer Ausführungsform ist das Formbefestigungsmaterial 38 Teile Nr. D591-3B, hergestellt von Alpha Advanced Materials in Suwanee, Georgia, von dem das Datenblatt hierin vollständig durch die Bezugnahme eingeschlossen ist. Durch Verwendung eines Formbefestigungsmaterials 38 für die Elektronik-Gehäuseverpackung 26 mit einer Massen-Wärmeleitfähigkeit (KT) zwischen ungefähr 40 W/m-K und 200 W/m-K und einem Biegemodul (FM) von weniger als ungefähr 20 GPa kann die Elektronik-Gehäuseverpackung 26 geeignet sein, um die einen oder mehreren Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 aufzunehmen. Im Speziellen stellt die hohe Massen-Wärmeleitfähigkeit (KT) des Formbefestigungsmaterials 38 sicher, dass eine angemessene Wärmemenge von der einen oder mehreren Halbleitervorrichtungen 28 fortgeleitetet wird, während das niedrige Biegemodul (FM) des Formbefestigungsmaterials 38 Schäden an den einen oder mehreren Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 verhindert, die durch Verformung des Teils des Formbefestigungsmaterials 38 verursacht werden können, der in Kontakt mit den einen oder mehreren Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 steht, aufgrund von Wärmeexpansion und/oder Kontraktion.
  • Während der Konstruktion der Elektronik-Gehäuseverpackung 26 entdeckten die Erfinder weiter, dass die Obergrenze des Biegemoduls (FM) des Formbefestigungsmaterials (28) von der Fläche der einen oder mehreren Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 in der Elektronik-Gehäuseverpackung 26 abhängen kann. Dementsprechend kann das jeweilige Material, das als Formbefestigungsmaterial 28 verwendet wird, je nach Fläche der einen oder mehreren Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 in der Elektronik-Gehäuseverpackung 26 variieren. In einer Ausführungsform, in der die einen oder mehreren Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 eine Fläche von weniger als 4 mm × 4 mm haben, kann das Biegemodul (FM) des Formbefestigungsmaterials 28 kleiner als ungefähr 6 GPa sein. In einer weiteren Ausführungsform in welcher die einen oder mehreren Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 eine Fläche von weniger als 2 mm × 2 mm haben, kann das Biegemodul (FM) des Formbefestigungsmaterials 28 kleiner als ungefähr 10 GPa sein. In noch einer anderen Ausführungsform, in welcher die einen oder mehreren Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 eine Fläche von weniger als 1 mm × 1 mm haben, kann das Biegemodul (FM) des Formbefestigungsmaterials 28 kleiner als ungefähr 20 GPa sein. In ähnlicher Weise können die Obergrenze des Biegemoduls (FM), der Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) und die Feuchtigkeitsabsorptionsrate (AR) der Umgießung 30 je nach der Fläche der einen oder mehreren Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 im Elektronikgehäuse 26 anders ausfallen.
  • Die Eingangs-/Ausgangs-Pins 32 und die Leiterplatte 34 können aus Kupfer, Kupferlegierung oder dergleichen bestehen, es können jedoch beliebige geeignete Materialien für die Eingangs-/Ausgangs-Pins 32 verwendet werden, ohne von den Grundsätzen der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.
  • Es ist anzumerken, dass die Verwendung der Elektronik-Gehäuseverpackung 26 mit den oben erwähnten Eigenschaften die Unterbringung einer oder mehrerer Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 ermöglicht und gleichzeitig die Herstellungskosten für die Elektronik-Gehäuseverpackung 26 erheblich reduziert. Da die Gehäuseverpackung der Breit-Bandabstands-Vorrichtungen eine große Kostenkomponente darstellt, kann die Verwendung der Elektronik-Gehäuseverpackung 26 die Kosten von Elektronik-Gehäuseverpackungen die Breit-Bandabstands-Vorrichtungen verwenden, erheblich reduzieren. Weiter können die einen oder mehreren Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 aufgrund der Eigenschaften, die oben mit Bezug auf die Elektronik-Gehäuseverpackung 26 behandelt werden, mit voller Kapazität arbeiten, ohne dass sich ihr Zustand aufgrund ihrer Gehäuseverpackung verschlechtert. In einer Ausführungsform sind die einen oder mehreren Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 Breit-Bandabstands-Transistoren, die konfiguriert sind, um mit einer Spitzenausgangsleistung von ungefähr 150 W bei Frequenzen oberhalb von 2,2 GHz und bis zu 3,8 GHz zu arbeiten. In einer anderen Ausführungsform sind die einen oder mehreren Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 Breit-Bandabstands-Transistoren, die konfiguriert sind, um mit einer Spitzenausgangsleistung von ungefähr 200 W und einer Frequenz von bis zu 3,8 GHz zu arbeiten. In noch einer anderen Ausführungsform sind die einen oder mehreren Breit-Bandabstands-Halbleitervorrichtungen 28 Breit-Bandabstands-Transistoren, die konfiguriert sind, um mit einer Spitzenausgangsleistung von ungefähr 250 W und einer Frequenz von bis zu 3,8 GHz zu arbeiten.
  • In einer Ausführungsform entspricht die Elektronik-Gehäuseverpackung 26 den Umgebungsstandards für Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL-3) und des Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC).
  • 5 zeigt eine Hochfrequenz-(RF)Übertragungskette 42 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die RF-Übertragungskette 42 schließt einen Eingangsknoten RF_IN, eine Antenne 44, einen Eingangsstufen-RF-Leistungsverstärker (PA) 46, einen Ausgangsstufen-RF-PA 48 und mehrere passende Netzwerke 50 ein. Im Speziellen schließt die RF-Übertragungskette 42 ein erstes Anpassungsnetzwerk 50A ein, das zwischen dem Eingangsknoten RF_IN und der Eingangsstufe RF PA 46 angeschlossen ist, ein zweites Anpassungsnetzwerk 50B, das zwischen der Eingangsstufe RF PA 46 und der Ausgangsstufe RF PA 48 angeschlossen ist, und ein drittes Anpassungsnetzwerk 50C, das zwischen der Ausgangsstufe RF PA 48 und der Antenne 44 angeschlossen ist. Während des Betriebs wird dem Eingangsknoten RF_IN ein moduliertes Signal geliefert, wo es durch das erste Anpassungsnetzwerk 50A an die Eingangsstufe RF PA 46 geliefert wird. Das modulierte Signal wird durch die Eingangsstufe RF PA 46 verstärkt und durch das zweite Anpassungsnetzwerk 50B an die Ausgangsstufe RF PA 48 geliefert. Die Ausgangsstufe RF PA 48 verstärkt dann das modulierte Signal weiter, um ein RF Ausgangssignal zu erzeugen, das zur Übertragung über die Antenne 44 geeignet ist und das das RF Ausgangssignal durch das dritte Anpassungsnetzwerk 50C an die Antenne 44 liefert.
  • Die Anpassungsnetzwerke 50 können bereitgestellt werden, um eine Impedanz zwischen zwei verschiedenen Komponenten anzupassen und so den stabilen Betrieb der RF-Übertragungskette 42 mit minimalen Verlusten aufgrund von zum Beispiel einem hohen Spannungsstehwellenverhältnis (VSWR) sicherzustellen. Obwohl drei verschiedene Anpassungsnetzwerke 50 in der RF-Übertragungskette 42 dargestellt sind, kann eine beliebige Anzahl von Anpassungsnetzwerken 50 in der RF-Übertragungskette 42 verwendet werden, ohne von den Grundsätzen der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Desweiteren kann, obwohl nur eine Eingangsstufe RF PA 46 und eine Ausgangsstufe RF PA 48 in 5 dargestellt sind, eine beliebige Anzahl von Eingangsstufen- oder Ausgangsstufen-RF PAs in der RF-Übertragungskette 42 verwendet werden, ohne von den Grundsätzen der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.
  • Wie oben ausgeführt, benötigt die RF-Übertragungskette 42 einen hohen Grad an Linearität und eine große Verstärkung über eine große Bandbreite, während sie gleichzeitig hoch effizient ist. Daher können die Eingangsstufe RF PA 46, die Ausgangsstufe RF PA 48 oder beide Breit-Bandabstands-RF PAs sein, um die Leistungsfähigkeit der RF-Übertragungskette 42 zu erhöhen.
  • 6A zeigt eine Transistor-Gehäuseverpackung 52, die zur Verwendung als Eingangsstufe RF PA 46, Ausgangsstufe RF PA 48 oder beide in der RF-Übertragungskette 42 geeignet ist, die in 5 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung dargestellt ist. Die Transistor-Gehäuseverpackung 52 schließt einen Eingangsknoten RF_IN, einen Breit-Bandabstands-Transistor 54, ein Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 56 und einen Ausgangsknoten RF_OUT ein. Das Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 56 ist zwischen dem Eingangsknoten RF_IN und dem Breit-Bandabstands-Transistor 54 angeschlossen. Der Breit-Bandabstands-Transistor 54 ist zwischen dem Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 56 und dem Ausgangsknoten RF_OUT angeschlossen. Wie oben ausgeführt, kann die Verwendung des Breit-Bandabstands-Transistors 50 einen hohen Grad an Linearität und eine große Verstärkung über eine große Bandbreite liefern. In bestimmten Fällen kann die Bandbreite der Transistor-Gehäuseverpackung 52 problematisch sein, zum Beispiel aufgrund einer oder mehrerer Spektralmaskierungsanforderungen (wie sie zum Beispiel ein Funkkommunikationsstandard erfordert, dem die Transistor-Gehäuseverpackung 52 entsprechen sollte). Daher wird zur Reduzierung von Signalübertragungen außerhalb eines vordefinierten Frequenzbandes oder außerhalb vordefinierter Frequenzbänder das Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 56 bereitgestellt, um die Verstärkung des Breit-Bandabstands-Transistors 54 zu dämpfen, wenn er außerhalb des vordefinierten Frequenzbandes oder der vordefinierten Frequenzbänder arbeitet. Zusätzlich zur Dämpfung der Verstärkung des Breit-Bandabstands-Transistors 54 außerhalb des vordefinierten Frequenzbandes oder der vordefinierten Frequenzbänder kann das Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 56 auch eine externe Impedanz anpassen, die mit der Transistor-Gehäuseverpackung 52 gekoppelt ist. Die Details des Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerks 56 sind unten detaillierter behandelt.
  • In einer Ausführungsform ist der Breit-Bandabstands-Transistor 54 ein Galliumnitrid-(GaN-)Transistor. In einer weiteren Ausführungsform ist der Breit-Bandabstands-Transistor 54 ein Galliumnitrid-(GaN-) auf Siliziumcarbid-(SiC-)Transistor. In weiteren Ausführungsformen kann eine beliebige Anzahl an Breit-Bandabstands-Halbleitermaterialsystemen für den Breit-Bandabstands-Transistor 54 verwendet werden, die alle hierin bedacht sind. Der Breit-Bandabstands-Transistor 54 kann ein Transistor hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT) sein. Dementsprechend kann das Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 56 zwischen dem Eingangsknoten RF_IN und einem Gate-Kontakt (G) des Breit-Bandabstands-Transistors 54 angeschlossen sein, wobei der Ausgangsknoten RF_OUT mit einem Drain-Kontakt (D) des Breit-Bandabstands-Transistors 54 gekoppelt sein kann und ein Source-Kontakt (S) des Breit-Bandabstands-Transistors 54 mit der Erde gekoppelt sein kann. In anderen Ausführungsformen kann der Breit-Bandabstands-Transistor 54 ein Feldeffekttransistor (FET), ein MOSFET-Transistor, ein Bipolar-Junction-Transistor (BJT), ein Insulated-Gate-Bipolar-Transistor (IGBT) oder dergleichen sein.
  • Die Transistor-Gehäuseverpackung 52 ist ein integrierter Schaltkreis, der als separate Komponente verpackt ist. Mit anderen Worten ist die Transistor-Gehäuseverpackung 52 als Austauschkomponente für eine oder mehrere herkömmliche RF PAs geeignet. In einer Ausführungsform ist die Transistor-Gehäuseverpackung 52 ein monolithischer integrierter Schaltkreis. Im Rahmen dieser Anmeldung ist ein monolithischer integrierter Schaltkreis ein integrierter Schaltkreis, der auf einem einzigen Halbleiterchip geformt ist. In einer weiteren Ausführungsform ist die Transistor-Gehäuseverpackung 52 ein hybrider integrierter Schaltkreis. Im Zusammenhang mit dieser Anmeldung ist ein hybrider integrierter Schaltkreis ein integrierter Schaltkreis, in dem mehrere miteinander verbundene Halbleiterchips innerhalb eines einzigen Gehäuses auf einem Substrat bereitgestellt sind. Die Bereitstellung des Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerks 56 innerhalb der Transistor-Gehäuseverpackung 52 ermöglicht der Transistor-Gehäuseverpackung 52 einen ähnlichen Frequenzgang wie bei einem herkömmlichen Schmal-Bandabstands RF PA, wobei aber eine größere Verstärkung und Effizienz aufrechterhalten wird bei niedrigeren Verlusten als bei seinem herkömmlichen Gegenstück. Dementsprechend kann die Transistor-Gehäuseverpackung 52 als direkter Ersatz für eine herkömmliche RF PA verwendet werden, wodurch die Leistung einer RF-Übertragungskette verbessert wird, in welcher die Transistor-Gehäuseverpackung 52 integriert ist, während keine oder nur eine geringe Umstellung der RF-Schaltung erforderlich ist, die an die Transistor-Gehäuseverpackung 52 angeschlossen ist.
  • In einer Ausführungsform ist die Transistor-Gehäuseverpackung 52 eine Umgießverpackung, wie oben mit Bezug auf die 3 und 4 beschrieben. Dementsprechend kann die Transistor-Gehäuseverpackung 52 eine Kunststoff-Umgießung mit einer Glasübergangstemperatur (TG) zwischen ungefähr 135°C und 400°C, einem Biegemodul (FM) unterhalb von ungefähr 20 GPa, einem Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) unterhalb von ungefähr 50 ppm/°C bei Temperaturen oberhalb der Glasübergangstemperatur und unterhalb von ungefähr 18 ppm/°C bei Temperaturen unterhalb der Glasübergangstemperatur, und einer Feuchtigkeitsabsorptionsrate (AR) von weniger als ungefähr 0,5% einschließen. Weiter kann die Transistor-Gehäuseverpackung 52 an eine Leiterplatte angeschlossen werden unter Verwendung eines Formbefestigungsmaterials mit einer Massen-Wärmeleitfähigkeit (KT) zwischen ungefähr 40 W/m-K und 200 W/m-K und einem Biegemodul (FM) von weniger als ungefähr 20 GPa. So können die Kosten der Transistor-Gehäuseverpackung 52 niedrig gehalten werden, während gleichzeitig die oben erwähnten Leistungsverbesserungen bereitgestellt werden.
  • In einer Ausführungsform hat die Transistor-Gehäuseverpackung 52 eine Spitzenausgangsleistung von mehr als 54 dBm (oder 250 W) in dem vordefinierten Frequenzband oder den vordefinierten Frequenzbändern. Weiter hat die Transistor-Gehäuseverpackung 52 aufgrund des Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerks 56 eine durchschnittliche Ausgangsleistung von weniger als 48 W außerhalb des vordefinierten Frequenzbands oder der vordefinierten Frequenzbänder. Das Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 56 kann einen Verstärkungs-Flankenabfall von mehr als 0,5 dB innerhalb von 200 MHz des vordefinierten Frequenzbands oder der vordefinierten Frequenzbänder und einen Verstärkungs-Flankenabfall von 7,5 dB innerhalb von 300 MHz des vordefinierten Frequenzbands oder der vordefinierten Frequenzbänder bereitstellen. Dementsprechend kann die Transistor-Gehäuseverpackung 52 mehr als 240 W Spitzenausgangsleistung in dem vordefinierten Frequenzband oder den vordefinierten Frequenzbändern und weniger als 48 W durchschnittliche Ausgangsleistung außerhalb des vordefinierten Frequenzbands oder der vordefinierten Frequenzbänder bereitstellen, wobei die durchschnittliche Ausgangsleistung der Transistor-Gehäuseverpackung 52 entsprechend einem Spitzen-zu-Mittelwertfaktor (PAR) für WCDMA von 7,5 dB gemessen wird. Weiter kann die Transistor-Gehäuseverpackung 52 eine Spitzenausgangsleistung von mehr als 240 W in dem vordefinierten Frequenzband oder den vordefinierten Frequenzbändern und eine durchschnittliche Ausgangsleistung von weniger als 48 W außerhalb des vordefinierten Frequenzbandes oder den vordefinierten Frequenzbändern bereitstellen, wobei die durchschnittliche Ausgangsleistung der Transistor-Gehäuseverpackung 52 als die Ausgangsleistung der Transistor-Gehäuseverpackung 52 definiert ist, wenn die Transistor-Gehäuseverpackung 52 mit maximaler Kapazität mit einem 20% Impulsdauerverhältnis betrieben wird. In einer Ausführungsform kann die Transistor-Gehäuseverpackung 52 eine durchschnittliche Ausgangsleistung von über 80 W bei 2,6 GHz mit einer 50 prozentigen Verstärkungseffizienz haben, während 7,5 dB PAR Long Term Evolution-(LTE-)Signale bei 50 V übertragen werden, und sie kann 17 dB Verstärkung bei der Nenn-Ausgangsleistung haben. In einer zusätzlichen Ausführungsform kann die Transistor-Gehäuseverpackung 52 eine Sättigungs-Effizienz (PSAT) von mehr als 65% haben.
  • In einer Ausführungsform ist das vordefinierte Frequenzband oder sind die vordefinierten Frequenzbänder diejenigen, die für RF-Kommunikation verwendet werden. Daher kann das Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 56 eine oder mehrere Impedanzen bei den RF-Frequenzen anpassen und gleichzeitig die Bandbreite des Breit-Bandabstands-Transistors 54 begrenzen. In einer Ausführungsform schließt das vordefinierte Frequenzband oder schließen die vordefinierten Frequenzbänder eine oder mehrere der Frequenzen zwischen 690–960 MHz, 1800–2300 MHz oder 2300–2700 MHz ein.
  • 6B zeigt die Transistor-Gehäuseverpackung 52 gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Transistor-Gehäuseverpackung 52 in 6B ist ähnlich der Transistor-Gehäuseverpackung 52, die in 6A dargestellt ist, sie schließt jedoch das Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 56 in einer Kopplung zwischen dem Breit-Bandabstands-Transistor 54 und dem Ausgangsknoten RF_OUT ein und nicht in einer Kopplung zwischen dem Eingangsknoten RF_IN und dem Breit-Bandabstands-Transistor 54. Die Transistor-Gehäuseverpackung 52 kann im Wesentlichen ähnlich arbeiten wie die Transistor-Gehäuseverpackung 52 in 6A. Das heißt, dass das Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 56 die Verstärkungsantwort des Breit-Bandabstands-Transistors 54 außerhalb eines vordefinierten Frequenzbands oder vordefinierter Frequenzbänder reduzieren kann, um sicherzustellen, dass die Transistor-Gehäuseverpackung 52 einer oder mehreren Spektralmaskierungsanforderungen entspricht.
  • In einer Ausführungsform, in welcher der Breit-Bandabstands-Transistor 54 ein HEMT ist, ist das Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 56 zwischen dem Drain-Kontakt (D) des Breit-Bandabstands-Transistors 54 und dem Ausgangsknoten RF_OUT angeschlossen, wobei der Eingangsknoten RF_IN mit dem Gate-Kontakt (G) des Breit-Bandabstands-Transistors 54 gekoppelt ist und der Source-Kontakt (S) des Breit-Bandabstands-Transistors 54 mit der Erde gekoppelt ist.
  • 6C zeigt die Transistor-Gehäuseverpackung 52 gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Transistor-Gehäuseverpackung 52, die in 6C dargestellt ist, ist ähnlich der Transistor-Gehäuseverpackung 52 in 6A und 6B, schließt jedoch sowohl ein erstes Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 56A ein, das zwischen dem Eingangsknoten RF_IN und dem Breit-Bandabstands-Transistor 54 angeschlossen ist, als auch ein zweites Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 56B, das zwischen dem Breit-Bandabstands-Transistor 54 und dem Ausgangsknoten RF_OUT angeschlossen ist. Die Transistor-Gehäuseverpackung 52 kann im Wesentlichen auf ähnliche Art und Weise arbeiten wie die Transistor-Gehäuseverpackung 52 in 6A und 6B. Das heißt, das erste Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 56A und das zweite Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 56B können die Verstärkungsantwort eines Breit-Bandabstands-Transistors 54 außerhalb eines vordefinierten Frequenzbands oder vordefinierter Frequenzbänder reduzieren, um sicherzustellen, dass die Transistor-Gehäuseverpackung 52 einer oder mehreren Spektralmaskierungsanforderungen entspricht.
  • In einer Ausführungsform, in welcher der Breit-Bandabstands-Transistor 54 ein HEMT ist, ist das erste Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 56A zwischen dem Eingangsknoten RF_IN und dem Gate-Kontakt (G) des Breit-Bandabstands-Transistors 54 angeschlossen, wobei das zweite Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 56B zwischen dem Drain-Kontakt (D) des Breit-Bandabstands-Transistors 54 und dem Ausgangsknoten RF_OUT angeschlossen ist, und der Source-Kontakt (S) des Breit-Bandabstands-Transistors 54 mit der Erde gekoppelt ist.
  • 7A zeigt eine Verstärkerverpackung 58, die geeignet ist zur Verwendung als Eingangsstufe RF PA 46, als Ausgangsstufe RF PA 48 oder als beide in der RF-Übertragungskette 42, die in 5 dargestellt ist, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Das Verstärkerpaket 58 schließt Folgendes ein: einen ersten Breit-Bandabstands-Transistor 60A, einen zweiten Breit-Bandabstands-Transistor 60B, und ein oder mehrere Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerke 62. Die Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerke 62 sind zwischen einem Eingangsknoten RF_IN und den Breit-Bandabstands-Transistoren 60 angeschlossen. In manchen Ausführungsformen sind der erste Breit-Bandabstands-Transistor 60A und der zweite Breit-Bandabstands-Transistor 60B in einer Doherty-Konfiguration angeordnet. Die Bereitstellung mehrerer Breit-Bandabstands-Transistoren 60 im Verstärkerpaket 58 kann die Verstärkung und Leistung des Verstärkerpakets 59 in manchen Anwendungen erhöhen. Wie oben ausgeführt, können der ersten Breit-Bandabstands-Transistor 60A und der zweiten Breit-Bandabstands-Transistor 60B über eine große Bandbreite einen hohen Grad an Linearität und eine hohe Verstärkung gewährleisten. In manchen Fällen kann die Bandbreite des Verstärkerpakets 58 problematisch sein, zum Beispiel aufgrund von einer oder mehreren Spektralmaskierungsanforderungen. Dementsprechend werden zur Reduzierung von Signalübertragungen außerhalb eines vordefinierten Frequenzbands oder vordefinierter Frequenzbänder die Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerke 62 bereitgestellt, um die Verstärkung des ersten Breit-Bandabstands-Transistors 60A und des zweiten Breit-Bandabstands-Transistors 60B zu dämpfen, wenn sie außerhalb des vordefinierten Frequenzbands oder der vordefinierten Frequenzbänder arbeiten. Zusätzlich zur Dämpfung der Verstärkung des ersten Breit-Bandabstands-Transistors 60A und des zweiten Breit-Bandabstands-Transistors 60B außerhalb des vordefinierten Frequenzbands oder der vordefinierten Frequenzbänder können die Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerke 62 auch eine externe Impedanz anpassen, die mit dem Verstärkerpaket 58 gekoppelt ist. Die Details der Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerke 62 sind unten detaillierter behandelt.
  • In einer Ausführungsform sind der erste Breit-Bandabstands-Transistor 60A und der zweite Breit-Bandabstands-Transistor 60B GaN-Transistoren. In einer weiteren Ausführungsform sind der erste Breit-Bandabstands-Transistor 60A und der zweite Breit-Bandabstands-Transistor 60B GaN basierend auf SiC-Transistoren. Es existiert eine Vielzahl an geeigneten Breitband-Halbleitermaterialsystemen für den ersten Breit-Bandabstands-Transistor 60A und den zweiten Breit-Bandabstands-Transistor 60B, die alle hierin berücksichtigt sind. Der erste Breit-Bandabstands-Transistor 60A und der zweite Breit-Bandabstands-Transistor 60B können HEMTs sein. Dementsprechend kann ein erstes Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 62A zwischen dem Eingangsknoten RF_IN und einem Gate-Kontakt (G) des ersten Breit-Bandabstands-Transistors 60A angeschlossen sein, wobei ein zweites Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 62B zwischen dem Eingangsknoten RF_IN und einem Gate-Kontakt (G) des zweiten Breit-Bandabstands-Transistors 60B angeschlossen sein kann und ein Drain-Kontakt (D) des ersten Breit-Bandabstands-Transistors 60A mit dem Ausgangsknoten RF_OUT gekoppelt sein kann, wobei ein Source-Kontakt (S) des ersten Breit-Bandabstands-Transistors mit der Erde gekoppelt sein kann, ein Drain-Kontakt (D) des zweiten Breit-Bandabstands-Transistors 60B mit dem Ausgangsknoten RF_OUT gekoppelt sein kann, und ein Source-Kontakt (S) des zweiten Breit-Bandabstands-Transistors 60B mit der Erde gekoppelt sein kann. In anderen Ausführungsformen können der erste Breit-Bandabstands-Transistor 60A und der zweite Breit-Bandabstands-Transistor 60B FETs, MOSFETs, BJTs, IGBTs oder dergleichen sein.
  • In einer Ausführungsform ist das Verstärkerpaket 58 ein integrierter Schaltkreis, der als separate Komponente verpackt ist. Mit anderen Worten ist das Verstärkerpaket 58 geeignet als Ersatzvorrichtung für eine oder mehrere herkömmliche RF PAs. In einer Ausführungsform ist das Verstärkerpaket 58 ein monolithischer integrierter Schaltkreis. In einer anderen Ausführungsform ist das Verstärkerpaket 58 ein hybrider integrierter Schaltkreis. Die Bereitstellung des Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerks 62 innerhalb des Verstärkerpakets 58 ermöglicht es dem Verstärkerpaket 58, einen ähnlichen Frequenzgang zu haben, wie ein herkömmlicher Schmal-Bandabstands RF PA, aber dabei eine größere Verstärkung und Effizienz aufrechtzuerhalten bei gleichzeitigen niedrigeren Verlusten als bei seinem herkömmlichen Gegenstück. Daher kann das Verstärkerpaket 58 als direkter Ersatz für einen herkömmlichen RF PA verwendet werden, wodurch die Leistung einer RF-Übertragungskette verbessert wird, in welcher das Verstärkerpaket 58 integriert ist, wobei keine oder nur eine geringe Umgestaltung der RF-Schaltung erforderlich ist, die mit dem Verstärkerpaket 58 verbunden ist.
  • In einer Ausführungsform ist die Transistor-Gehäuseverpackung 52 eine Umgießverpackung, wie oben mit Bezug auf die 3 und 4 beschrieben. Dementsprechend kann die Transistor-Gehäuseverpackung 52 eine Kunststoff-Umgießung mit einer Glasübergangstemperatur (TG) zwischen ungefähr 135°C und 400°C, einem Biegemodul (FM) unterhalb von ungefähr 20 GPa, einem Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) unterhalb von ungefähr 50 ppm/°C bei Temperaturen oberhalb der Glasübergangstemperatur und unterhalb von ungefähr 18 ppm/°C bei Temperaturen unterhalb der Glasübergangstemperatur, und einer Feuchtigkeitsabsorptionsrate (AR) von weniger als ungefähr 0,5% einschließen. Weiter kann die Transistor-Gehäuseverpackung 52 an einer Leiterplatte mit einem Formbefestigungsmaterial mit einer Massen-Wärmeleitfähigkeit (KT) zwischen ungefähr 40 W/m-K und 200 W/m-K und einem Biegemodul (FM) von weniger als ungefähr 20 GPa befestigt werden. So können die Kosten der Transistor-Gehäuseverpackung 52 niedrig gehalten werden, während gleichzeitig die oben erwähnten Leistungsverbesserungen ermöglicht werden.
  • In einer Ausführungsform hat die Verstärkerverpackung 58 eine Spitzenausgangsleistung von mehr als 54 dBm (oder 250 W) in dem vordefinierten Band oder den vordefinierten Bändern. Weiter hat die Verstärkerverpackung 58 aufgrund der Bandbreitenbegrenzungs-Netzwerke 62 eine durchschnittliche Ausgangsleistung von weniger als 48 W außerhalb des vordefinierten Bands oder der vordefinierten Bänder. Die Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerke 62 können einen Verstärkungs-Flankenabfall von 0,5 dB innerhalb von 200 MHz des vordefinierten Bands oder der vordefinierten Bänder und einen Verstärkungs-Flankenabfall von 7,5 dB innerhalb von 300 MHz des vordefinierten Bands oder der vordefinierten Bänder bereitstellen. Dementsprechend kann das Verstärkerpaket 58 mehr als 240 W Spitzenausgangsleistung im vordefinierten Band oder den vordefinierten Bändern und weniger als 48 W durchschnittliche Ausgangsleistung außerhalb des vordefinierten Bands oder der vordefinierten Bänder bereitstellen, wobei die durchschnittliche Ausgangsleistung des Verstärkerpakets 58 entsprechend einem 7,5 dB PAR für WCDMA gemessen wird. Weiter kann das Verstärkerpaket 58 folgendes bereitstellen: eine Spitzenausgangsleistung von mehr als 240 W in dem vordefinierten Band oder den vordefinierten Bändern und eine durchschnittliche Ausgangsleistung von weniger als 48 W außerhalb des vordefinierten Bands oder der vordefinierten Bänder, wobei die durchschnittliche Ausgangsleistung des Verstärkerpakets 58 definiert ist als die Ausgangsleistung des Verstärkerpakets 58, bei der das Verstärkerpaket 58 mit maximaler Kapazität mit einem 20% Pulszeitverhältbis betrieben wird. In einer Ausführungsform kann das Verstärkerpaket 58 eine durchschnittliche Ausgangsleistung oberhalb von 80 W bei 2,6 GHz mit 50 prozentiger Drain-Effizienz bereitstellen, während gleichzeitig 7,5 dB PAR Long Term Evolution-(LTE-)Signale bei 50 V übertragen werden, und bei 17 dB Verstärkung bei der Nenn-Ausgangsleistung. In einer zusätzlichen Ausführungsform kann das Verstärkerpaket 58 eine Sättigungs-(PSAT-)Effizienz von mehr als 65% haben.
  • In einer Ausführungsform sind das vordefinierte Frequenzband oder die vordefinierten Frequenzbänder Frequenzbänder, die für RF-Kommunikation verwendet werden. Daher können die Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerke 62 eine Voranpassung einer oder mehrerer Impedanzen an den RF-Frequenzen durchführen und gleichzeitig die Bandbreite der Breit-Bandabstands-Transistoren 60 begrenzen. In einer Ausführungsform schließen das vordefinierte Frequenzband oder die vordefinierten Frequenzbänder eine oder mehrere der Frequenzen zwischen 690–960 MHz, 1800–2300 MHz oder 2300–2700 MHz ein.
  • 7B zeigt das Verstärkerpaket 58 gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Das in 7B gezeigte Verstärkerpaket 58 ist ähnlich demjenigen, das in 7A dargestellt ist, schließt jedoch die Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerke 62 in Kopplung zwischen den Breit-Bandabstands-Transistoren 60 und dem Ausgangsknoten RF_OUT ein und nicht zwischen einem Eingangsknoten RF_IN und dem Breit-Bandabstands-Transistoren 60. Das Verstärkerpaket 58 kann auf eine im Wesentlichen ähnliche Art und Weise arbeiten, wie das Verstärkerpaket 58 in 7A. Das heißt, die Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerke 62 können die Verstärkungsantwort des ersten Breit-Bandabstands-Transistors 60A und des zweiten Breit-Bandabstands-Transistors 60B außerhalb eines vordefinierten Frequenzbands oder vordefinierter Frequenzbänder abschwächen, um sicherzustellen, dass das Verstärkerpaket 58 einer oder mehreren Spektralmaskierungsanforderungen entspricht.
  • In einer Ausführungsform, in welcher der erste Breit-Bandabstands-Transistor 60A und der zweite Breit-Bandabstands-Transistor 60B HEMTs sind, ist der Eingangsknoten RF_IN mit dem Gate-Kontakt (G) des ersten Breit-Bandabstands-Transistors 60A und dem Gate-Kontakt (G) des zweiten Breit-Bandabstands-Transistors 60B gekoppelt, wobei der Source-Kontakt (S) des ersten Breit-Bandabstands-Transistors 60A mit der Erde gekoppelt ist, der Drain-Kontakt (D) des ersten Breit-Bandabstands-Transistors 60A über das erste Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 62A mit dem Ausgangsknoten RF_OUT gekoppelt ist, der Drain-Kontakt (D) des zweiten Breit-Bandabstands-Transistors 60B über das zweite Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 62B mit dem Ausgangsknoten RF_OUT gekoppelt ist, und der Source-Kontakt (S) des zweiten Breit-Bandabstands-Transistors 60B mit der Erde gekoppelt ist.
  • 7C zeigt das Verstärkerpaket 58 gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Das in 7C gezeigte Verstärkerpaket 58 ist im Wesentlichen denjenigen die in 7A und 7B gezeigt sind ähnlich, schließt jedoch weiter ein drittes Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 62C und ein viertes Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 62D ein. Das Verstärkerpaket 58 kann im Wesentlichen auf ähnliche Art arbeiten wie das Verstärkerpaket 58 das oben mit Bezug auf die 5A und 5B beschrieben ist. Das heißt, die Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerke 62 können die Verstärkungsantwort des ersten Breit-Bandabstands-Transistors 60A und des zweiten Breit-Bandabstands-Transistors 60B abschwächen, um sicherzustellen, dass das Verstärkerpaket 58 einer oder mehreren Spektralmaskierungsanforderungen entspricht.
  • In einer Ausführungsform, in welcher der erste Breit-Bandabstands-Transistor 60A und der zweite Breit-Bandabstands-Transistor 60B HEMTs sind, ist das erste Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 62A zwischen dem Eingangsknoten RF_IN und dem Gate-Kontakt (G) des ersten Breit-Bandabstands-Transistors 60A angeschlossen, wobei das zweite Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 62B zwischen dem Drain-Kontakt (D) des ersten Breit-Bandabstands-Transistors 60A und dem Ausgangsknoten RF_OUT angeschlossen ist, der Source-Kontakt (S) des ersten Breit-Bandabstands-Transistors 60A mit der Erde gekoppelt ist, das dritte Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 62C zwischen dem Eingangsknoten RF_IN und dem Gate-Kontakt (G) des zweiten Breit-Bandabstands-Transistors 62B angeschlossen ist, das vierte Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 62D zwischen dem Drain-Kontakt (D) des zweiten Breit-Bandabstands-Transistors 60B und dem Ausgangsknoten RF_OUT angeschlossen ist, und der Source-Kontakt (S) des zweiten Breit-Bandabstands-Transistors 60B mit der Erde gekoppelt ist.
  • 8 zeigt ein exemplarisches Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 64, das als das Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 56 verwendet werden kann, die in den 6A–6C gezeigt sind und/oder als die Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerke 62, die in den 7A–7C gezeigt sind, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Das Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 64 schließt einen Eingangsknoten RF_IN, eine erste Induktivität L1, die zwischen dem Eingangsknoten RF_IN und einem dazwischenliegenden Knoten 66 angeschlossen ist, eine zweite Induktivität L2, und eine erste Kapazität C1, die seriell zwischen dem dazwischenliegenden Knoten 66 und der Erde angeschlossen ist, eine dritte Induktivität L3, die zwischen dem dazwischenliegenden Knoten 66 und einem Ausgangsknoten RF_OUT angeschlossen ist, und eine zweite Kapazität C2 ein, die zwischen dem Ausgangsknoten RF_OUT und der Erde angeschlossen ist. Die zweite Induktivität L2 und die erste Kapazität C1 können als Notch-Sperrfilter wirken, der die Verstärkung einer angeschlossenen Komponente mit einer vordefinierten Frequenz dämpfen kann. Die vordefinierte Frequenz ist bestimmt durch die Induktivität und/oder die Kapazität, die für die verschiedenen Komponenten im Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 64 gewählt ist. Die zusätzlichen Komponenten im Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 64 können eine Impedanz, die an den Eingangsknoten RF_IN angelegt ist, mit einer Impedanz abgleichen, die an den Ausgangsknoten RF_OUT angelegt ist, um eine Interferenz in dem Schaltkreis zu reduzieren, in den das Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 64 integriert ist.
  • Obwohl das Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 64 einschließlich einer bestimmten Anzahl von Komponenten dargestellt ist, die auf bestimmte Art und Weise angeordnet sind, gibt es viele verschiedene Konfigurationen sowohl für die Anzahl als auch für die Anordnung der Komponenten im Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 64 die alle hierin berücksichtigt sind. Die Anzahl und Anordnung der Komponenten im Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 64 kann sich je nach dem vordefinierten Frequenzband oder dem vordefinierten Frequenzbändern ändern, über die eine Verstärkungsantwort für die Transistor-Gehäuseverpackung 53 und/oder das Verstärkerpaket 58 erwünscht ist.
  • 9 ist eine Grafik, welche die Spitzenausgangsleistungantwort der Transistor-Gehäuseverpackung 52 in den 4A–4C darstellt, wobei das vordefinierte Frequenzband zwischen ungefähr 2,4 GHz bis 2,7 GHz liegt. Die durchgezogene Linie in 9 zeigt die Spitzenausgangsleistungsantwort der Transistor-Gehäuseverpackung 52 einschließlich des Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerks 56, während die gepunktete Linie die Leistungsantwort der Transistor-Gehäuseverpackung 52 ohne das Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 56 darstellt. Wie in 9 gezeigt, fällt die Flanke der Leistungsantwort der Transistor-Gehäuseverpackung 52 einschließlich des Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerks 56 mit einer signifikant beschleunigten Rate statt, die bei ungefähr 2,7 GHz beginnt, während die Leistungsantwort der Transistor-Gehäuseverpackung 52 ohne das Bandbreitenbegrenzungs-Anpassungsnetzwerk 56 relativ linear bleibt. Weiter ist die Leistung der Transistor-Gehäuseverpackung 52 in dem vordefinierten Frequenzband hoch und hat einen Spitzenwert bei ungefähr 55 dB. Daher ist die Transistor-Gehäuseverpackung 52 ohne weiteres in der Lage, eine oder mehrere Spektralmaskierungsanforderungen zu erfüllen mit minimaler Auswirkung auf die In-Band-Leistung der Transistor-Gehäuseverpackung 52.
  • Der Fachmann wird Verbesserungen und Modifikationen der bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung erkennen. Alle derartigen Verbesserungen und Modifikationen werden als innerhalb des Schutzumfangs der hierin offenbarten Konzepte und der folgenden Ansprüche liegend betrachtet.

Claims (25)

  1. Eine Transistor-Gehäuseverpackung, umfassend: • eine Leiterplatte; • einen Breit-Bandabstands-Transistor, der an der Leiterplatte befestigt ist, wobei der Breit-Bandabstands-Transistor eine Spitzenausgangsleistung von mehr als ungefähr 150 W hat, wenn er mit einer Frequenz von bis zu ungefähr 3,8 GHz betrieben wird; und • eine Umgießung, die die Leiterplatte und den Breit-Bandabstands-Transistor im Wesentlichen umgibt.
  2. Die Transistor-Gehäuseverpackung gemäß Anspruch 1, wobei der Breit-Bandabstands-Transistor ein Galliumnitrid-(GaN-)Transistor ist.
  3. Die Transistor-Gehäuseverpackung gemäß Anspruch 1, wobei der Breit-Bandabstands-Transistor ein Galliumnitrid-(GaN) auf Siliziumcarbid-(SiC)Transistor ist.
  4. Die Transistor-Gehäuseverpackung gemäß Anspruch 3, wobei der Breit-Bandabstands-Transistor ein Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT) ist.
  5. Die Transistor-Gehäuseverpackung gemäß Anspruch 1, wobei die Spitzenausgangsleistung des Breit-Bandabstands-Transistors weniger als ungefähr 1 kW beträgt.
  6. Die Transistor-Gehäuseverpackung gemäß Anspruch 1, wobei die Effizienz des Breit-Bandabstands-Transistors mehr als ungefähr 30% beträgt.
  7. Die Transistor-Gehäuseverpackung gemäß Anspruch 1, wobei die Umgießung Kunststoff ist.
  8. Die Transistor-Gehäuseverpackung gemäß Anspruch 1, wobei die Transistor-Gehäuseverpackung ein monolithischer integrierter Schaltkreis ist.
  9. Die Transistor-Gehäuseverpackung gemäß Anspruch 1, wobei die Transistor-Gehäuseverpackung ein hybrider integrierter Schaltkreis ist.
  10. Die Transistor-Gehäuseverpackung gemäß Anspruch 1, wobei der Breit-Bandabstands-Transistor bei Temperaturen von mehr als 150°C arbeitet.
  11. Die Transistor-Gehäuseverpackung gemäß Anspruch 1, wobei die Umgießung eine Glasübergangstemperatur von mehr als 135°C und ein Biegemodul von weniger als ungefähr 20 GPa hat.
  12. Die Transistor-Gehäuseverpackung gemäß Anspruch 11, wobei die Umgießung einen Wärmeausdehnungskoeffizienten von weniger als ungefähr 50 ppm/°C bei Temperaturen oberhalb der Glasübergangstemperatur und einen Wärmeausdehnungskoeffizienten von weniger als 18 ppm/°C bei Temperaturen unterhalb der Glasübergangstemperatur hat.
  13. Die Transistor-Gehäuseverpackung gemäß Anspruch 12, wobei die Umgießung eine Feuchtigkeitsabsorptionsrate von weniger als ungefähr 0,5% hat.
  14. Eine Umgießungs-Transistor-Gehäuseverpackung einschließlich eines Breit-Bandabstands-Transistors mit einer Spitzenausgangsleistung von mehr als ungefähr 150 W bei Betrieb bei Frequenzen oberhalb von 2,2 GHz und bis zu ungefähr 3,8 GHz.
  15. Die Umgießungs-Transistor-Gehäuseverpackung gemäß Anspruch 14, wobei der Breit-Bandabstands-Transistor ein Galliumnitrid-(GaN)Transistor ist.
  16. Die Umgießungs-Transistor-Gehäuseverpackung gemäß Anspruch 14, wobei der Breit-Bandabstands-Transistor ein Galliumnitrid-(GaN) auf Siliziumcarbid-(SiC-)Transistor ist.
  17. Die Umgießungs-Transistor-Gehäuseverpackung gemäß Anspruch 16, wobei der Breit-Bandabstands-Transistor ein Transistor hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT) ist.
  18. Die Umgießungs-Transistor-Gehäuseverpackung gemäß Anspruch 14, wobei die Spitzenausgangsleistung des Breit-Bandabstands-Transistors weniger als ungefähr 1 kW beträgt.
  19. Die Umgießungs-Transistor-Gehäuseverpackung gemäß Anspruch 14, wobei die Effizienz der Umgießungs-Transistor-Gehäuseverpackung größer als 30% ist.
  20. Die Umgießungs-Transistor-Gehäuseverpackung gemäß Anspruch 14, wobei die Umgießungs-Transistor-Gehäuseverpackung aus Kunststoff ist.
  21. Die Umgießungs-Transistor-Gehäuseverpackung gemäß Anspruch 14, wobei die Transistor-Gehäuseverpackung ein monolithischer integrierter Schaltkreis ist.
  22. Die Umgießungs-Transistor-Gehäuseverpackung gemäß Anspruch 14, wobei die Transistor-Gehäuseverpackung ein hybrider integrierter Schaltkreis ist.
  23. Die Umgießungs-Transistor-Gehäuseverpackung gemäß Anspruch 14, wobei die Umgießung eine Glasübergangstemperatur von mehr als ungefähr 135°C und ein Biegemodul von weniger als ungefähr 20 GPa hat.
  24. Die Umgießungs-Transistor-Gehäuseverpackung gemäß Anspruch 23, wobei die Umgießung einen Wärmeausdehnungskoeffizienten von weniger als ungefähr 50 ppm/°C bei Temperaturen oberhalb der Glasübergangstemperatur und einen Wärmeausdehnungskoeffizienten unterhalb von ungefähr 18 ppm/°C bei Temperaturen unterhalb der Glasübergangstemperatur hat.
  25. Die Umgießungs-Transistor-Gehäuseverpackung gemäß Anspruch 24, wobei die Umgießung eine Feuchtigkeitsabsorptionsrate von weniger als ungefähr 0,5% hat.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015102041A1 (de) * 2015-02-12 2016-08-18 Danfoss Silicon Power Gmbh Leistungsmodul
US11356070B2 (en) 2020-06-01 2022-06-07 Wolfspeed, Inc. RF amplifiers having shielded transmission line structures
US20210313293A1 (en) 2020-04-03 2021-10-07 Cree, Inc. Rf amplifier devices and methods of manufacturing
US11670605B2 (en) 2020-04-03 2023-06-06 Wolfspeed, Inc. RF amplifier devices including interconnect structures and methods of manufacturing
US11837457B2 (en) 2020-09-11 2023-12-05 Wolfspeed, Inc. Packaging for RF transistor amplifiers
DE102020133756A1 (de) 2020-12-16 2022-06-23 Infineon Technologies Ag Hochfrequenzvorrichtungen mit dämpfenden dielektrischen Materialien
CN113658849A (zh) * 2021-07-06 2021-11-16 华为技术有限公司 复合衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0389636B1 (de) * 1988-08-23 1995-03-22 Asahi Yukizai Kogyo Kabushiki Kaisha Material für giessformen und verfahren zur herstellung der giessformen
US5028741A (en) 1990-05-24 1991-07-02 Motorola, Inc. High frequency, power semiconductor device
JPH06102714B2 (ja) 1990-06-18 1994-12-14 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH06102715B2 (ja) 1990-08-14 1994-12-14 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
AU5131793A (en) 1992-09-21 1994-04-12 Thermoset Plastics, Inc. Thermoplastic modified, thermosetting polyester encapsulants for microelectronics
US5477188A (en) 1994-07-14 1995-12-19 Eni Linear RF power amplifier
US5965663A (en) 1995-06-06 1999-10-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Resin composition and resin-molded type semiconductor device
JP3469446B2 (ja) 1996-11-29 2003-11-25 株式会社東芝 樹脂組成物およびこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
US6531931B1 (en) 1998-06-01 2003-03-11 Agere Systems Inc. Circuit and method for equalization of signals received over a communication system transmission line
JP2000022049A (ja) 1998-06-26 2000-01-21 Toray Ind Inc 樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止型半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物
US6281574B1 (en) * 1999-09-27 2001-08-28 Raytheon Company High power microwave transistor amplifier
US6384472B1 (en) 2000-03-24 2002-05-07 Siliconware Precision Industries Co., Ltd Leadless image sensor package structure and method for making the same
US6632704B2 (en) 2000-12-19 2003-10-14 Intel Corporation Molded flip chip package
JP4172177B2 (ja) * 2001-05-09 2008-10-29 日立化成工業株式会社 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
US20030023007A1 (en) * 2001-07-27 2003-01-30 Hycomp, Inc. Enhancement of thermal properties of benzoxazine polymers by use of aromatic polyamines to incorporate internal benzoxazine groups within the monomer
US7154166B2 (en) 2001-08-15 2006-12-26 Texas Instruments Incorporated Low profile ball-grid array package for high power
JP4357817B2 (ja) * 2002-09-12 2009-11-04 パナソニック株式会社 回路部品内蔵モジュール
US6822321B2 (en) 2002-09-30 2004-11-23 Cree Microwave, Inc. Packaged RF power transistor having RF bypassing/output matching network
WO2004090033A1 (ja) 2003-04-07 2004-10-21 Hitachi Chemical Co., Ltd. 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置
US7135720B2 (en) 2003-08-05 2006-11-14 Nitronex Corporation Gallium nitride material transistors and methods associated with the same
US6980055B2 (en) 2003-08-11 2005-12-27 Texas Instruments Incorporated CMOS differential buffer circuit
JP2005285872A (ja) * 2004-03-26 2005-10-13 Kyocera Corp 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
DE112005001337B4 (de) * 2004-06-10 2010-07-01 Toyoda Gosei Co., Ltd., Nishikasugai-gun Verfahren zur Herstellung eines FET
JPWO2006001305A1 (ja) * 2004-06-23 2008-04-17 日立化成工業株式会社 印刷配線板用プリプレグ、金属箔張積層板、及び印刷配線板、並びに、多層印刷配線板の製造方法
SG119379A1 (en) 2004-08-06 2006-02-28 Nippon Catalytic Chem Ind Resin composition method of its composition and cured formulation
US7560821B2 (en) 2005-03-24 2009-07-14 Sumitomo Bakelite Company, Ltd Area mount type semiconductor device, and die bonding resin composition and encapsulating resin composition used for the same
US20070004871A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Qiwei Lu Curable composition and method
JP2007312031A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子デバイス
EP2141185A4 (de) 2007-04-24 2012-01-04 Hitachi Chemical Co Ltd Härtbare harzzusammensetzung, led-gehäuse sowie verfahren zur herstellung des led-gehäuses und optischer halbleiter
US9741673B2 (en) 2007-06-22 2017-08-22 Cree, Inc. RF transistor packages with high frequency stabilization features and methods of forming RF transistor packages with high frequency stabilization features
US8330265B2 (en) 2007-06-22 2012-12-11 Cree, Inc. RF transistor packages with internal stability network and methods of forming RF transistor packages with internal stability networks
US8592966B2 (en) 2007-06-22 2013-11-26 Cree, Inc. RF transistor packages with internal stability network including intra-capacitor resistors and methods of forming RF transistor packages with internal stability networks including intra-capacitor resistors
US8076994B2 (en) 2007-06-22 2011-12-13 Cree, Inc. RF power transistor packages with internal harmonic frequency reduction and methods of forming RF power transistor packages with internal harmonic frequency reduction
JP2009099709A (ja) 2007-10-16 2009-05-07 Nec Electronics Corp 半導体装置
US7858443B2 (en) 2009-03-09 2010-12-28 Utac Hong Kong Limited Leadless integrated circuit package having standoff contacts and die attach pad
US20110014834A1 (en) * 2009-07-15 2011-01-20 Beijing Institute of Aeronautical Materials, AVIC I Prefabricated Fabric for Liquid Molding Composite Material and Preparation Method Thereof
US8581382B2 (en) 2010-06-18 2013-11-12 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with leadframe and method of manufacture thereof
DE102010044709B4 (de) * 2010-09-08 2015-07-02 Vincotech Holdings S.à.r.l. Leistungshalbleitermodul mit Metallsinterverbindungen sowie Herstellungsverfahren
CN103261277B (zh) * 2010-12-17 2015-12-02 积水化学工业株式会社 聚酰胺酸粒子的制造方法、聚酰亚胺粒子的制造方法、聚酰亚胺粒子及电子部件用接合材料
JP5665572B2 (ja) * 2011-01-28 2015-02-04 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US8786327B2 (en) 2011-02-28 2014-07-22 Transphorm Inc. Electronic components with reactive filters
US8797105B2 (en) 2011-10-04 2014-08-05 Cornell University Tunable signal source
US8937374B2 (en) * 2011-12-22 2015-01-20 Panasonic Corporation Semiconductor package, method and mold for producing same, input and output terminals of semiconductor package
KR101882556B1 (ko) 2012-03-16 2018-07-26 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 밀봉용 수지 조성물 및 이것을 사용한 전자 장치
US20130256894A1 (en) * 2012-03-29 2013-10-03 International Rectifier Corporation Porous Metallic Film as Die Attach and Interconnect
US9761700B2 (en) 2012-06-28 2017-09-12 Skyworks Solutions, Inc. Bipolar transistor on high-resistivity substrate
US8963305B2 (en) 2012-09-21 2015-02-24 Freescale Semiconductor, Inc. Method and apparatus for multi-chip structure semiconductor package
US9911685B2 (en) 2012-11-09 2018-03-06 Amkor Technology, Inc. Land structure for semiconductor package and method therefor
KR101557538B1 (ko) * 2012-12-24 2015-10-06 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
JP5975911B2 (ja) 2013-03-15 2016-08-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US9269596B2 (en) * 2013-12-19 2016-02-23 Intel Corporation Narrow-gap flip chip underfill composition

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