DE112012006033T5 - Befestigung einer mikroelektronischen Vorrichtung auf einem umgekehrten mikroelektronischen Paket - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Beschreibung betrifft im Allgemeinen das Gebiet der Herstellung mikroelektronischer Strukturen. Die mikroelektronische Struktur kann ein mikroelektronisches Substrat mit einer Öffnung beinhalten, wobei die Öffnung durch das mikroelektronische Substrat gebildet werden oder ein Rücksprung sein kann, der im mikroelektronischen Substrat gebildet wird. Ein mikroelektronisches Paket kann an dem mikroelektronischen Substrat befestigt werden, wobei das mikroelektronische Paket einen Interposer mit einer ersten Fläche und einer entgegengesetzten zweiten Fläche beinhalten kann. Eine mikroelektronische Vorrichtung kann an der ersten Fläche des Interposers befestigt sein und der Interposer kann mit der ersten Fläche des Interposers am mikroelektronischen Substrat befestigt sein, sodass sich die mikroelektronische Vorrichtung in die Öffnung erstreckt. Mindestens eine sekundäre mikroelektronische Vorrichtung kann an der zweiten Fläche des Interposers befestigt sein.

Description

  • HINTERGRUND
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beziehen sich im Allgemeinen auf den Bereich mikroelektronischer Pakete und insbesondere auf die umgekehrte Befestigung eines mikroelektronischen Pakets auf einem Substrat und mindestens eine sekundäre mikroelektronische Vorrichtung, die am mikroelektronischen Paket befestigt ist.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Der Gegenstand der vorliegenden Offenbarung wird insbesondere im Schlussteil der Beschreibung dargelegt und klar beansprucht. Vorstehendes und andere Merkmale der vorliegenden Offenbarung werden besser aus der folgenden Beschreibung und den beigefügten Ansprüchen verstanden, die in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen gegeben werden. Es ist selbstverständlich, dass die begleitenden Zeichnungen nur mehrere Ausführungsformen in Übereinstimmung mit der vorliegenden Offenbarung darstellen und daher den Umfang nicht einschränken sollen. Die Offenbarung wird zusätzlich spezifischer und detaillierter durch die Verwendung der begleitenden Zeichnungen beschrieben, sodass die Vorteile der vorliegenden Offenbarung rascher bestimmt werden können. Wobei:
  • 1 eine Querschnittseitenansicht eines mikroelektronischen Pakets veranschaulicht, das auf einem mikroelektronischen Substrat montiert ist, wie auf diesem technischen Gebiet bekannt bekannt.
  • 2 eine Querschnittseitenansicht der Struktur von 1 mit einer Wärmeableitungsvorrichtung veranschaulicht, die mit dem mikroelektronischen Paket in Kontakt ist, wie auf diesem technischen Gebiet bekannt.
  • 3 eine Querschnittseitenansicht eines mikroelektronischen Pakets veranschaulicht, das umgekehrt auf einem mikroelektronischen Substrat montiert ist, wobei sich mindestens eine mikroelektronischen Vorrichtung des mikroelektronischen Pakets in eine Öffnung im mikroelektronischen Substrat erstreckt, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Beschreibung.
  • 4 eine Querschnittseitenansicht der Struktur von 3 mit einer Wärmeableitungsvorrichtung veranschaulicht, die mit der mikroelektronischen Vorrichtung des mikroelektronischen Pakets in Kontakt ist, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Beschreibung.
  • 5 eine Querschnittseitenansicht eines mikroelektronischen Pakets veranschaulicht, das umgekehrt auf einem mikroelektronischen Substrat montiert ist, wobei sich mindestens eine mikroelektronischen Vorrichtung des mikroelektronischen Pakets in einen Rücksprung im mikroelektronischen Substrat erstreckt, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Beschreibung.
  • 6 eine Querschnittseitenansicht eines mikroelektronischen Pakets veranschaulicht, das umgekehrt auf einem mikroelektronischen Substrat montiert ist, wobei sich eine Vielzahl mikroelektronischer Vorrichtungen des mikroelektronischen Pakets in eine Öffnung im mikroelektronischen Substrat mit einer Wärmeableitungsvorrichtung erstreckt, die mit der mikroelektronischen Vorrichtung in Kontakt ist, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Beschreibung.
  • 7 ist ein Ablaufdiagramm eines Prozesses der Herstellung einer mikroelektronischen Struktur, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Beschreibung.
  • 8 veranschaulicht ein elektronisches System/eine elektronische Vorrichtung, gemäß einer Implementierung der vorliegenden Beschreibung.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die einige bestimmte Ausführungsformen, in denen der beanspruchte Gegenstand ausgeführt werden kann, darstellt. Diese Ausführungsformen werden in ausreichendem Detail beschrieben, um fachkundige Personen zu befähigen, den Gegenstand auszuführen. Es ist selbstverständlich, dass die verschiedenen Ausführungsformen, auch wenn diese sich unterscheiden, sich nicht notwendigerweise gegenseitig ausschließen. Zum Beispiel kann ein bestimmtes Merkmal, eine bestimmte Struktur oder eine bestimmte Eigenschaft, das/die hierin in Verbindung mit einer Ausführungsform beschrieben wird, in anderen Ausführungsformen implementiert werden, ohne vom Sinn und Umfang des beanspruchten Gegenstands abzuweichen. Verweise in dieser Beschreibung auf „eine Ausführungsform” bedeuten, dass ein bestimmtes Merkmal, eine Struktur oder Charakteristik, das/die in Verbindung mit der Ausführungsform beschrieben wird, mindestens in einer innerhalb der vorliegenden Erfindung eingeschlossenen Implementierung enthalten ist. Daher bezieht sich die Verwendung des Ausdrucks „eine Ausführungsform” nicht notwendigerweise auf die gleiche Ausführungsform. Außerdem ist selbstverständlich, dass der Ort oder die Anordnung einzelner Elemente in der jeweiligen offenbarten Ausführungsform geändert werden können, ohne vom Sinn und Umfang des beanspruchten Gegenstands abzuweichen. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb in keiner Weise einschränkend zu sehen, und der Umfang des Gegenstands wird nur durch die angefügten Ansprüche definiert, angemessen interpretiert, zusammen mit dem ganzen Bereich von Äquivalenten, zu denen die angehängten Ansprüche berechtigen. In den Zeichnungen beziehen sich ähnliche Zahlen auf dieselben oder ähnliche Elemente oder Funktionen in den zahlreichen Ansichten, und die hierin dargestellten Elemente sind nicht notwendigerweise im gleichen Maßstab, sondern einzelne Elemente können größer oder kleiner dargestellt sein, um die Elemente im Zusammenhang der vorliegenden Beschreibung einfacher zu verstehen.
  • Ausführungsformen der vorliegenden Beschreibung beziehen sich auf das Gebiet der Herstellung mikroelektronischer Strukturen. Die mikroelektronische Struktur kann ein mikroelektronisches Substrat mit einer Öffnung beinhalten, wobei die Öffnung durch das mikroelektronische Substrat gebildet werden oder ein Rücksprung sein kann, der im mikroelektronischen Substrat gebildet wird. Ein mikroelektronisches Paket kann an dem mikroelektronischen Substrat befestigt werden, wobei das mikroelektronische Paket einen Interposer mit einer ersten Fläche und einer entgegengesetzten zweiten Fläche beinhalten kann. Eine mikroelektronische Vorrichtung kann an der ersten Fläche des Interposers befestigt sein und der Interposer kann mit der ersten Fläche des Interposers am mikroelektronischen Substrat befestigt sein, sodass sich die mikroelektronische Vorrichtung in die Öffnung erstreckt. Mindestens eine sekundäre mikroelektronische Vorrichtung kann an der zweiten Fläche des Interposers befestigt sein.
  • Bei der Produktion von mikroelektronischen Strukturen werden mikroelektronische Pakete im Allgemeinen auf mikroelektronischen. Substraten montiert, die elektrische Kommunikationswege zwischen den mikroelektronischen Paketen und externen Komponenten bereitstellen. Wie in 1 dargestellt, kann eine mikroelektronische Vorrichtung 102, z. B. ein Mikroprozessor, ein Chipsatz, eine Grafikeinheit, ein drahtloses Gerät, ein Speichergerät, ein anwendungsspezifischer integrierter Schaltkreis oder ähnliches, an einem mikroelektronischen Interposer 104 über eine Vielzahl von Verbindungen 106 befestigt werden, um ein mikroelektronisches Paket 120 zu bilden. Die Verbindungen von der Vorrichtung zum Interposer 106 können sich zwischen Bondflächen 108 auf einer aktiven Fläche 112 der mikroelektronischen Vorrichtung 102 und im Wesentlichen spiegelbildlichen Bondflächen 114 auf einer Vorrichtungsbefestigungsfläche 116 des mikroelektronischen Interposers 104 erstrecken. Die Bondflächen der mikroelektronischen Vorrichtung 108 können mit dem integrierten Schaltkreis (nicht dargestellt) in der mikroelektronischen Vorrichtung 102 elektrisch kommunizieren. Die Bondflächen des mikroelektronischen Interposers 114 können mit den leitenden Wegen (als gestrichelte Linien 118 dargestellt) im mikroelektronischen Interposer 104 elektrisch kommunizieren. Die leitenden Wege des Interposers 118 liefern Wege für die elektrische Kommunikation zu den Bondflächen 122 auf einer Substratbefestigungsfläche 124 des mikroelektronischen Interposers 104.
  • Der mikroelektronische Interposer 104 und die leitenden Wege des jeweiligen Interposers 118 können aus mehreren Schichten leitender Traces, z. B. Kupfer oder Aluminium, hergestellt sein, die auf oder durch dielektrische Schichten, z. B. Epoxid, aufgebaut werden, die auf beiden Seiten des Matrixkerns laminiert sind, z. B. Glasfaser oder Epoxid. Des Weiteren können passive Vorrichtungen 126, z. B. Widerstände, Kondensatoren und Induktionsspulen, an der Befestigungsfläche des Substrats des mikroelektronischen Interposers 124 befestigt sein und mit der mikroelektronischen Vorrichtung 102 über die leitenden Wege des jeweiligen Interposers 118 elektrisch kommunizieren.
  • Wie des Weiteren in 1 dargestellt, kann das mikroelektronische Paket 120 auf einem mikroelektronischen Substrat 130, z. B. einer Hauptplatine, montiert sein, die Wege für die elektrische Kommunikation zwischen dem mikroelektronischen Paket 120 und externen Komponenten bereitstellt. Das mikroelektronische Paket 120 kann am mikroelektronischen Substrat 130 über eine Vielzahl von Verbindungen 132 befestigt sein, um eine mikroelektronische Struktur 100 zu bilden. Die Verbindungen vom Substrat zum Interposer 132 können sich zwischen Bondflächen der Befestigungsfläche des Substrats des mikroelektronischen Interposers 122 und im Wesentlichen spiegelbildlichen Bondflächen 134 auf einer ersten Fläche 136 des mikroelektronischen Substrats 130 erstrecken. Die Bondflächen der ersten Fläche des mikroelektronischen Substrats 134 können mit den leitenden Wegen (als gestrichelte Linien 138 dargestellt) im mikroelektronischen Substrats 130 elektrisch kommunizieren. Die leitenden Wege des mikroelektronischen Substrats 138 stellen Wege für die elektrische Kommunikation zu externen Komponenten, z. B. sekundären mikroelektronischen Vorrichtungen 142, bereit. Die sekundären mikroelektronischen Vorrichtungen 142 können durch Verbindungen 144 befestigt werden, die sich zwischen Bondflächen 146 auf den sekundären mikroelektronischen Vorrichtungen 142 und sekundären Bondflächen 148 auf dem mikroelektronischen Substrat 130 erstrecken. Die sekundären mikroelektronischen Vorrichtungen 142 können u. a. einen Mikroprozessor, einen Chipsatz, eine Grafikeinheit, ein drahtloses Gerät, ein Speichergerät, einen anwendungsspezifischen integrierten Schaltkreis oder ähnliches umfassen.
  • Wie in 1 zu sehen, kann die Anordnung der Komponenten in der mikroelektronischen Struktur 100 erheblichen Platz benötigen, was bei mobilen Geräten mit kleinem Formfaktor, wie Mobiltelefonen, Computer-Tablets und Laptop-Computern, schwierig zu bewerkstelligen sein kann. Des Weiteren kann, wenn Wärme von der mikroelektronischen Vorrichtung 102 abgeleitet werden muss, z. B. durch eine Wärmeableitungsvorrichtung 150 (in 2 als Wärmeverteiler 152, der mit einen Wärmerohr 154 gekoppelt ist, dargestellt), die Dicke der Anordnung der Komponenten in der mikroelektronischen Struktur 100 die Unterbringung in Geräten mit kleinem Formfaktor ebenfalls erschweren.
  • Eine Ausführungsform der mikroelektronischen Strukturen der vorliegenden Beschreibung ist in 3 veranschaulicht. Wie in 3 dargestellt, kann eine mikroelektronische Vorrichtung 202, z. B. ein Mikroprozessor, ein Chipsatz, eine Grafikeinheit, ein drahtloses Gerät, ein Speichergerät, ein anwendungsspezifischer integrierter Schaltkreis oder ähnliches, an einem mikroelektronischen Interposer 204 über eine Vielzahl von Verbindungen 206 befestigt werden, um ein mikroelektronisches Paket 220 zu bilden. Die Verbindungen von der Vorrichtung zum Interposer 206 können sich zwischen Bondflächen 208 auf einer ersten Fläche 212 der mikroelektronischen Vorrichtung 202 und im Wesentlichen spiegelbildlichen Bondflächen 214 auf einer ersten Fläche 216 des mikroelektronischen Interposers 204 erstrecken. Die Bondflächen der mikroelektronischen Vorrichtung 208 können mit dem integrierten Schaltkreis (nicht dargestellt) in der mikroelektronischen Vorrichtung 202 elektrisch kommunizieren. Die Bondflächen des mikroelektronischen Interposers 214 können mit den leitenden Wegen (als gestrichelte Linien 218 dargestellt) im mikroelektronischen Interposer 204 elektrisch kommunizieren. Die leitenden Wege des Interposers 218 liefern Wege für die elektrische Kommunikation zu den Bondflächen 222 auf einer zweiten Fläche 224 des mikroelektronischen Interposers 204.
  • Auch wenn die Verbindungen zwischen Gerät und Interposer 206 als aufschmelzbare Lötpunkte oder -kugeln dargestellt sind, eine Konfiguration, die im Allgemeinen als Flip-Chip oder C4-Montagetechnik (controlled collapse chip connection) bekannt ist, können die Verbindungen auch Stifte, Lötaugen oder Drahtbonds sein, wie auf diesem technischen Gebiet bekannt. Der mikroelektronische Interposer 204 und die leitenden Wege des jeweiligen Interposers 218 können aus mehreren Schichten leitender Traces, z. B. Kupfer oder Aluminium, hergestellt sein, die auf oder durch dielektrische Schichten, z. B. Epoxid, aufgebaut werden, die auf beiden Seiten des Matrixkerns laminiert sind, z. B. Glasfaser oder Epoxid.
  • Wie des Weiteren in 3 dargestellt, kann eine Öffnung 210 im mikroelektronischen Substrat 230 gebildet werden, z. B. einer Hauptplatine, montiert sein, die Wege für die elektrische Kommunikation zwischen dem mikroelektronischen Paket 220 und externen Komponenten bereitstellt. In einer Ausführungsform kann die Öffnung im mikroelektronischen Substrat 210 sich durch das mikroelektronische Substrat 230, wie veranschaulicht, von einer ersten Fläche 236 des mikroelektronischen Substrats 230 zu einer zweiten Fläche 240 des mikroelektronischen Substrats 230 erstrecken. Das mikroelektronische Paket 220 kann auf der ersten Fläche des mikroelektronischen Substrats 236 in umgekehrter Konfiguration montiert werden, sodass sich die mikroelektronische Vorrichtung 202 in die Öffnung des mikroelektronischen Substrats erstreckt 210. Das mikroelektronische Paket 220 kann am mikroelektronischen Substrat 230 über eine Vielzahl von. Verbindungen 232 befestigt sein, um eine mikroelektronische Struktur 200 zu bilden. Die Verbindungen vorn Interposer zum Substrat 232 können sich zwischen Bondflächen 228 auf einer ersten Fläche des mikroelektronischen Interposers 216 und im Wesentlichen spiegelbildlichen Bondflächen 234 auf einer ersten Fläche 236 des mikroelektronischen Substrats 230 erstrecken. Die Bondflächen des mikroelektronischen Substrats 234 können mit den leitenden Wegen (als gestrichelte Linien 238 dargestellt) im mikroelektronischen Substrats 230 elektrisch kommunizieren. Die leitenden Wege des mikroelektronischen Substrats 238 stellen Wege für die elektrische Kommunikation zu externen. Komponenten (nicht dargestellt) bereit.
  • Mindestens eine sekundäre mikroelektronische Vorrichtung 242 kann durch Verbindungen 244 an der zweiten Fläche des mikroelektronischen Interposers 224 befestigt werden, die sich zwischen Bondflächen 246 auf den sekundären mikroelektronischen Vorrichtungen 242 und Bondflächen 222 auf der zweiten Fläche des mikroelektronischen Substrats 224 erstrecken. Die sekundären mikroelektronischen Vorrichtungen 242 können u. a. einen Mikroprozessor, einen Chipsatz, eine Grafikeinheit, ein drahtloses Gerät, ein Speichergerät, einen anwendungsspezifischen integrierten Schaltkreis oder ähnliches umfassen. in einer Ausführungsform kann das mikroelektronische Substrat 202 ein Mikroprozessor und die sekundäre mikroelektronische Vorrichtung 242 kann ein Speichergerät sein. Des Weiteren können passive Vorrichtungen 226, z. B. Widerstände, Kondensatoren und Induktionsspulen, an der zweiten Fläche des mikroelektronischen Interposers 224 befestigt sein und mit der mikroelektronischen Vorrichtung 202 über die leitenden Wege des jeweiligen Interposers 218 elektrisch kommunizieren.
  • Auch wenn die Verbindungen zwischen Interposer und Substrat 232 als aufschmelzbare Lötpunkte oder -kugeln dargestellt sind, können sie Stifte oder Lötaugen sein, wie auf diesem technischen Gebiet bekannt. Des Weiteren können, auch wenn die Verbindungen zwischen Vorrichtung und Substrat 244 als aufschmelzbare Lötpunkte oder -kugeln dargestellt sind, diese Stifte, Lötaugen oder Drahtbonds sein, wie auf diesem technischen Gebiet bekannt.
  • Das mikroelektronische Substrat 230 kann hauptsächlich aus einem geeigneten Material bestehen, einschließlich, aber nicht beschränkt auf, Bismaleimid, Triazinharz, Material der Feuerbeständigkeitsklasse 4, Polyimid-Materialien, glasfaserverstärktes Epoxid-Matrixmaterial und ähnliches, sowie Laminate aus mehreren Lagen daraus. Die leitenden Wege des mikroelektronischen Substrats 238 können aus jedem leitfähigen Material bestehen, einschließlich, aber nicht beschränkt auf, Metalle wie Kupfer und Aluminium sowie Legierungen daraus. Für Fachleute ist es selbstverständlich, dass die leitenden Wege des mikroelektronischen Substrats 238 aus einer Vielzahl von leitenden Traces (nicht dargestellt) gebildet werden können, die sich auf Schichten von dielektrischem Material bilden (die die Schichten des mikroelektronischen Substratmaterials darstellen), die durch leitende Vias (nicht dargestellt) verbunden sind.
  • Wenn Lötkugeln oder -punkte verwendet werden, um die Verbindungen zwischen Vorrichtung und Interposer 206, die Verbindungen zwischen Interposer und Substrat 232 und/oder die Verbindungen zwischen sekundärer mikroelektronischer Vorrichtung und Interposer 244 zu bilden, kann das Lötmetall jedes geeignete Material sein, einschließlich, aber nicht beschränkt auf, Blei/Zinn-Legierungen und Legierungen mit hohem Zinngehalt (z. B. 90% oder mehr Zinn) und ähnliche Legierungen. Das Lötmetall kann entweder durch Hitze, Druck und/oder Schallenergie aufgebracht werden.
  • Wie in 4 zu sehen, kann, wenn Wärme von der mikroelektronischen Vorrichtung 202 entfernt werden muss, eine Wärmeableitungsvorrichtung 250 (als Wärmeverteiler 252 dargestellt, der mit einen Wärmerohr 254 gekoppelt ist) sich in die Öffnung des mikroelektronischen Substrats 210 erstrecken, um einen thermischen Kontakt zur mikroelektronischen Vorrichtung 202 herzustellen. Durch Erweiterung der Wärmeableitungsvorrichtung 250 in die Öffnung des mikroelektronischen Substrats 210 kann die Dicke der Anordnung der Komponenten in der mikroelektronischen Struktur 200 verringert werden
  • In einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Beschreibung, die in 5 dargestellt ist, kann die Öffnung des mikroelektronischen Substrats 210 ein Rücksprung sein, der sich von der ersten Fläche des mikroelektronischen Substrats 236 in das mikroelektronische Substrat 230 erstreckt.
  • Es ist selbstverständlich, dass Ausführungsformen der vorliegenden Beschreibung zahlreiche Konfigurationen umfassen können. Wie in 6 dargestellt, kann sich eine Vielzahl mikroelektronischer Vorrichtungen (dargestellt als 202 und 202') in die Öffnung des mikroelektronischen Substrats 210 erstrecken. Ein Teil der Wärmeableitungsvorrichtung 250 kann im mikroelektronischen Substrat 230 enthalten sein, wie z. B. hier beigefügt. Das mikroelektronischen Substrat 230 kann doppelseitig sein, sodass zusätzliche mikroelektronische Vorrichtungen 262 an der ersten Fläche des mikroelektronischen Substrats 236 und/oder an der zweiten Fläche des mikroelektronischen Substrats 240 befestigt werden können.
  • Ausführungsformen der vorliegenden Beschreibung können den Platz, der auf einem mikroelektronischen Substrat für das Befestigen sekundärer mikroelektronischer Vorrichtungen auf dem mikroelektronischen Substrat benötigt wird, erheblich verringern. Des Weiteren, wenn die Verlegung einer Verbindungsplatine mit hoher Dichte zwischen der sekundären mikroelektronischen Vorrichtung und der mikroelektronischen Vorrichtung erforderlich ist, die am mikroelektronischen Interposer befestigt ist, was die Kosten der mikroelektronischen Struktur verringern kann. Insbesondere, wenn die sekundäre mikroelektronische Vorrichtung ein Speichergerät ist und die mikroelektronische Vorrichtung, die am mikroelektronischen Interposer befestigt ist, ein Mikroprozessor ist. Darüber hinaus, kann die Verringerung des Platzes, der auf dem mikroelektronischen Substrat erforderlich ist, eine größere Batteriegröße bei spezifischen Plattformen ermöglichen, z. B. elektronische Tablets und Ultrabook-Plattformen.
  • Eine Ausführungsform eines Prozesses der Herstellung einer mikroelektronischen Struktur der vorliegenden Beschreibung ist in einem Ablaufdiagramm 300 von 7 veranschaulicht. Wie in Block 310 definiert, kann ein mikroelektronisches Substrat mit einer Öffnung darin gebildet werden. Es kann ein mikroelektronisches Paket gebildet werden, das einen mikroelektronischen Interposer beinhaltet, der mindestens eine mikroelektronische Vorrichtung hat, die an einer ersten Fläche des mikroelektronischen Interposers befestigt ist, wie in Block 320 definiert. Wie in Block 330 definiert, kann die erste Fläche des mikroelektronischen Interposers elektrisch an einer ersten Fläche des mikroelektronischen Substrats befestigt sein, wobei die mikroelektronische Vorrichtung so positioniert ist, dass sie sich zumindest teilweise in die Öffnung des mikroelektronischen Substrats erstreckt. Mindestens eine sekundäre Vorrichtung kann an einer zweiten Fläche des mikroelektronischen Interposers befestigt sein, wie in Block 340 definiert.
  • 8 veranschaulicht eine Ausführungsform eines elektronischen Systems/einer elektronischen Vorrichtung 400, z. B. ein tragbarer Computer, ein Desktop-Computer, ein Mobiltelefon, eine Digitalkamera, ein digitaler Music Player, ein Webtablet-/Pad-Gerät, ein Personal Digital Assistant, ein Pager, ein Instant-Messaging-Gerät oder ein anderes Gerät. Das elektronische System/die elektronische Vorrichtung 400 kann so angepasst sein, dass es/sie Informationen drahtlos überträgt und/oder empfängt, z. B. über ein WLAN-System (wireless local area network), ein WPAN-System (wireless personal area network) und/oder ein Mobiltelefonnetz. Das elektronische System/die elektronische Vorrichtung 400 kann eine mikroelektronische Struktur 410 (z. B. die mikroelektronische Struktur 200 in 3–6) in einem Gehäuse 420 enthalten. Wie bei Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung kann die mikroelektronische Struktur 410 eine mikroelektronische Struktur 440 mit einer Öffnung (siehe Element 210 von 3–6) darin und ein mikroelektronisches Paket 430 mit einem mikroelektronischen Interposer (siehe Element 204 von 3–6) mit mindestens einer mikroelektronischen Vorrichtung (siehe Element 202 von 3–6) umfassen, die an einer ersten Fläche davon befestigt ist, wobei das mikroelektronische Paket 430 durch die erste Fläche des mikroelektronischen Interposers elektrisch am mikroelektronischen Substrat 410 befestigt ist und wobei die mikroelektronische Vorrichtung sich mindestens teilweise in die Öffnung des mikroelektronischen Substrats erstreckt, und mindestens eine sekundäre mikroelektronische Vorrichtung (siehe Element 202 von 3–6), die an einer zweiten Fläche des mikroelektronischen Interposers befestigt ist. Das mikroelektronische Substrat 410 kann an verschiedenen Peripheriegeräten befestigt sein, z. B. ein Eingabegerät 450, wie eine Tastatur, und ein Anzeigegerät 460, wie ein LCD-Display. Es ist selbstverständlich, dass das Anzeigegerät 460 auch als Eingabegerät fungieren kann, wenn das Anzeigegerät 460 berührungsempfindlich ist.
  • Es ist selbstverständlich, dass der Gegenstand der vorliegenden Beschreibung nicht notwendigerweise auf spezifische Anwendungen beschränkt ist, die in 1–8 veranschaulicht sind. Für Fachleute ist es selbstverständlich, dass der Gegenstand auf andere Herstellungsanwendungen für mikroelektronische Vorrichtungen angewandt werden kann.
  • Nachdem Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung im Detail beschrieben wurden, ist es selbstverständlich, dass die von den angehängten Ansprüchen definierte Erfindung nicht durch bestimmte Details beschränkt wird, die in der obigen Beschreibung ausgeführt sind, da viele offensichtliche Varianten davon möglich sind, ohne vom Sinn oder Umfang abzuweichen.

Claims (27)

  1. Eine mikroelektronische Struktur, umfassend: ein mikroelektronisches Substrat mit einer Öffnung darin und ein mikroelektronisches Paket, das einen mikroelektronischen Interposer mit mindestens einer mikroelektronischen Vorrichtung umfasst, die elektrisch an einer ersten Fläche des mikroelektronischen Interposers befestigt ist, wobei das mikroelektronische Paket durch die erste Fläche des mikroelektronischen Interposers elektrisch am mikroelektronischen Substrat befestigt ist und wobei die mikroelektronische Vorrichtung sich mindestens teilweise in die Öffnung des mikroelektronischen Substrats erstreckt.
  2. Mikroelektronische Struktur nach Anspruch 1 des Weiteren umfassend mindestens eine sekundäre mikroelektronische Vorrichtung, die an einer zweiten Fläche des mikroelektronischen Interposers befestigt ist.
  3. Mikroelektronische Struktur nach Anspruch 2, wobei die mikroelektronische Vorrichtung einen Mikroprozessor und die sekundäre mikroelektronische Vorrichtung ein Speichergerät umfasst.
  4. Mikroelektronische Struktur nach Anspruch 1, wobei sich die Öffnung des mikroelektronischen Substrats von einer ersten Fläche des mikroelektronischen Substrats zu einer zweiten Fläche des mikroelektronischen Substrats erstreckt.
  5. Mikroelektronische Struktur nach Anspruch 1, wobei die Öffnung des mikroelektronischen Substrats einen Rücksprung beinhaltet, der sich von der ersten Fläche des mikroelektronischen Substrats in das mikroelektronische Substrat erstreckt.
  6. Mikroelektronische Struktur nach Anspruch 1, des Weiteren umfassend eine Wärmeableitungsvorrichtung, die in thermischem Kontakt mit der mikroelektronischen Vorrichtung ist.
  7. Mikroelektronische Struktur nach Anspruch 6, wobei mindestens ein Teil der Wärmeableitungsvorrichtung sich in die Öffnung des mikroelektronischen Substrats erstreckt.
  8. Mikroelektronische Struktur nach Anspruch 6, wobei mindestens ein Teil der Wärmeableitungsvorrichtung im mikroelektronischen Substrat enthalten ist.
  9. Mikroelektronische Struktur nach Anspruch 1 des Weiteren umfassend mindestens eine passive Vorrichtung, die an einer zweiten Fläche des mikroelektronischen Interposers befestigt ist.
  10. Verfahren zur Bildung einer mikroelektronischen Struktur, umfassend: Bildung eines mikroelektronischen Substrats mit einer Öffnung darin Bildung eines mikroelektronischen Pakets, das einen mikroelektronischen Interposer beinhaltet, der mindestens eine mikroelektronische Vorrichtung hat, die an einer ersten Fläche des mikroelektronischen Interposers befestigt ist, und elektrische Befestigung der ersten Fläche des mikroelektronischen Interposers an einer ersten Fläche des mikroelektronischen Substrats, wobei sich die mikroelektronische Vorrichtung zumindest teilweise in die Öffnung des mikroelektronischen Substrats erstreckt.
  11. Verfahren nach Anspruch 10 des Weiteren umfassend die elektrische Befestigung von mindestens einer sekundären mikroelektronischen Vorrichtung an einer zweiten Fläche des mikroelektronischen Interposers.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei Bildung eines mikroelektronischen Pakets, das einen mikroelektronischen Interposer mit mindestens einer mikroelektronischen Vorrichtung umfasst, die elektrisch an einer ersten Fläche des mikroelektronischen Interposers befestigt ist, die mikroelektronische Vorrichtung einen Mikroprozessor und die sekundäre mikroelektronische Vorrichtung ein Speichergerät umfasst, Bildung eines mikroelektronischen Pakets, das einen mikroelektronischen Interposer mit einen Mikroprozessor umfasst, der elektrisch an einer ersten Fläche des mikroelektronischen Interposers befestigt ist, und wobei die elektrische Befestigung mindestens einer sekundären Vorrichtung an einer zweiten Fläche des mikroelektronischen Interposers die elektrische Befestigung mindestens eines Speichergeräts an einer zweiten Fläche des mikroelektronischen Interposers umfasst.
  13. Verfahren nach Anspruch 10, wobei Bildung eines mikroelektronischen Substrats mit einer Öffnung darin die Bildung eines mikroelektronischen Substrats mit einer Öffnung umfasst, die sich von der ersten Fläche des mikroelektronischen Substrats zu einer zweiten Fläche des mikroelektronischen Substrats erstreckt.
  14. Verfahren nach Anspruch 10, wobei Bildung eines mikroelektronischen Substrats mit einer Öffnung darin die Bildung eines mikroelektronischen Substrats mit einer Öffnung umfasst, wobei die Öffnung des mikroelektronischen Substrats einen Rücksprung umfasst, der sich von der ersten Fläche des mikroelektronischen Substrats in das mikroelektronische Substrat erstreckt.
  15. Verfahren nach Anspruch 10, des Weiteren umfassend den Kontakt einer Wärmeableitungsvorrichtung mit der mikroelektronischen Vorrichtung.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei mindestens ein Teil der Wärmeableitungsvorrichtung sich in die Öffnung des mikroelektronischen Substrats erstreckt.
  17. Verfahren nach Anspruch 15, wobei mindestens ein Teil der Wärmeableitungsvorrichtung im mikroelektronischen Substrat enthalten ist.
  18. Verfahren nach Anspruch 10 des Weiteren umfassend die Befestigung mindestens einer passiven Vorrichtung an einer zweiten Fläche des mikroelektronischen Interposers.
  19. Ein mikroelektronisches System, umfassend: ein Gehäuse und eine mikroelektronische Struktur, die im Gehäuse angeordnet ist, umfassend: ein mikroelektronisches Substrat mit einer Öffnung darin und ein mikroelektronisches Paket, das einen mikroelektronischen Interposer mit einer mikroelektronischen Vorrichtung umfasst, die elektrisch an einer ersten Fläche des mikroelektronischen Interposers befestigt ist, wobei das mikroelektronische Paket durch die erste Fläche des mikroelektronischen Interposers elektrisch am mikroelektronischen Substrat befestigt ist und wobei die mikroelktronische Vorrichtung sich mindestens teilweise in die Öffnung des mikroelektronischen Substrats erstreckt.
  20. Mikroelektronisches System nach Anspruch 19, wobei das mikroelektronische Paket des Weiteren mindestens eine sekundäre mikroelektronische Vorrichtung umfasst, die an einer zweiten Fläche des mikroelektronischen Interposers befestigt ist.
  21. Mikroelektronisches System nach Anspruch 20, wobei die mikroelektronische Vorrichtung einen Mikroprozessor und die sekundäre mikroelektronische Vorrichtung ein Speichergerät umfasst.
  22. Mikroelektronisches System nach Anspruch 19, wobei sich die Öffnung des mikroelektronischen Substrats von einer ersten Fläche des mikroelektronischen Substrats zu einer zweiten Fläche des mikroelektronischen Substrats erstreckt.
  23. Mikroelektronisches System nach Anspruch 19, wobei die Öffnung des mikroelektronischen Substrats einen Rücksprung beinhaltet, der sich von der ersten Fläche des mikroelektronischen Substrats in das mikroelektronische Substrat erstreckt.
  24. Mikroelektronisches System nach Anspruch 19, des Weiteren umfassend eine Wärmeableitungsvorrichtung, die in thermischem Kontakt mit der mikroelektronischen Vorrichtung ist.
  25. Mikroelektronisches System nach Anspruch 24, wobei mindestens ein Teil der Wärmeableitungsvorrichtung sich in die Öffnung des mikroelektronischen Substrats erstreckt.
  26. Mikroelektronisches System nach Anspruch 24, wobei mindestens ein Teil der Wärmeableitungsvorrichtung im mikroelektronischen Substrat enthalten ist.
  27. Mikroelektronisches System nach Anspruch 19 des Weiteren umfassend mindestens eine passive Vorrichtung, die an einer zweiten Fläche des mikroelektronischen Interposers befestigt ist.
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