DE112010003607T5 - Phovoltaik-rückkontakt - Google Patents

Phovoltaik-rückkontakt Download PDF

Info

Publication number
DE112010003607T5
DE112010003607T5 DE112010003607T DE112010003607T DE112010003607T5 DE 112010003607 T5 DE112010003607 T5 DE 112010003607T5 DE 112010003607 T DE112010003607 T DE 112010003607T DE 112010003607 T DE112010003607 T DE 112010003607T DE 112010003607 T5 DE112010003607 T5 DE 112010003607T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
acid
cleaning agent
carbon
surfactant
depositing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE112010003607T
Other languages
English (en)
Inventor
Oleh P. Karpenko
Pratima V. Addepalli
John S. Deeken
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
First Solar Inc
Original Assignee
First Solar Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by First Solar Inc filed Critical First Solar Inc
Publication of DE112010003607T5 publication Critical patent/DE112010003607T5/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2075—Carboxylic acids-salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/30—Amines; Substituted amines ; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/265—Carboxylic acids or salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/073—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising only AIIBVI compound semiconductors, e.g. CdS/CdTe solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Secondary Cells (AREA)

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Vorbereitung einer CdTe-Oberfläche vor der Bildung eines Metall-Rückkontakts offenbart. Das Verfahren kann die Entfernung von Kohlenstoff von der CdTe-Oberfläche umfassen.

Description

  • PRIORITÄTSANSPRUCH
  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der vorläufigen US-Patentanmeldung Nr. 61/241,606, eingereicht am 11. September 2009, welche in ihrer Gesamtheit durch Verweis hierin aufgenommen ist.
  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Diese Erfindung betrifft ein Verfahren zur Vorbereitung einer Oberfläche vor der Bildung eines Metall-Rückkontakts für Solarmodule.
  • HINTERGRUND
  • Um einen elektrischen Kontakt an einer Oberfläche eines Photovoltaik-Geräts zu erzeugen, kann die Rückkontakt-Schicht Metall aufweisen.
  • BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine Prinzipskizze eines Photovoltaik-Geräts mit einer Vielzahl von Schichten vor der Vorbereitung einer CdTe-Oberfläche.
  • 2 ist eine Prinzipskizze, die das reaktive Ionenätzverfahren zur Vorbereitung der CdTe-Oberfläche zeigt.
  • 3 ist eine Prinzipskizze eines Photovoltaik-Geräts mit einer Vielzahl von Schichten und mit einem Metall-Rückkontakt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Um ein Photovoltaik-Gerät elektrisch zu verbinden, kann die Rückkontakt-Schicht Metall aufweisen. Bei Kadmiumtellurid-(CdTe-)Solarzellen kann das Vorhandensein von Kohlenstoffrückständen und Oxid an der CdTe-Oberfläche vor der Bildung des Metall-Rückkontakts das Leistungsvermögen des Photovoltaik-Geräts beeinträchtigen.
  • Ein Photovoltaik-Gerät kann eine transparente leitfähige Oxidschicht benachbart zu einem Substrat sowie Schichten eines Halbleitermaterials aufweisen. Die Schichten des Halbleitermaterials können eine Doppelschicht aufweisen, die eine Fensterschicht aus einem Halbleiter vom n-Typ und eine Absorptionsschicht aus einem Halbleiter vom p-Typ aufweisen kann. Die Fensterschicht vom n-Typ und die Absorptionsschicht vom p-Typ können in gegenseitigem Kontakt angeordnet sein, um ein elektrisches Feld zu erzeugen. Bei Kontakt mit der Fensterschicht vom n-Typ können Photonen Elektronen-Loch-Paare freisetzen, wobei die Elektronen auf die n-Seite und die Löcher auf die p-Seite geschickt werden. Die Elektronen können über einen externen Strompfad wieder zur p-Seite zurückfließen. Der daraus entstehende Elektronenfluss schafft einen Strom, der zusammen mit der aus dem elektrischen Feld resultierenden Spannung Leistung erzeugt. Das Ergebnis ist die Umwandlung von Photonenenergie in elektrische Leistung.
  • Kadmiumtellurid (CdTe) ist auf Grund seiner optimalen Bandstruktur und seiner kostengünstigen Herstellung ein bevorzugtes Material für Solarzellen-Absorptionsschichten. Um ein Photovoltaik-Gerät elektrisch zu verbinden, kann die Rückkontakt-Schicht Metall aufweisen. Bei Kadmiumtellurid-(CdTe-)Solarzellen ist die Zusammensetzung des Rückkontakts entscheidend für das Leistungsvermögen des Geräts. Die Oberfläche der CdTe-Absorptionsschicht kann vor der Bildung eines Metall-Rückkontakts benachbart zu der CdTe-Schicht vorbereitet werden. Während der Geräteherstellung können Solarzellen jedoch Material auf Kohlenstoffbasis aus der Werksumgebung absorbieren. Die Geräteoberflächen können auch oxidieren. Dies verändert die Zusammensetzung des Rückkontakts. Als Ergebnis kann das Vorhandensein von Kohlenstoffrückständen und Oxid an der CdTe-Oberfläche vor der Bildung des Metall-Rückkontakts das Leistungsvermögen des Photovoltaik-Geräts beeinträchtigen. Zur Lösung dieses Problems kann ein Verfahren zur Reinigung der CdTe-Oberfläche vor der Bildung des Metall-Rückkontakts entwickelt werden.
  • Das Verfahren zur Reinigung einer Kadmiumtellurid-Oberfläche kann das Inkontaktbringen eines Reinigungsmittels mit der Kadmiumtellurid-Oberfläche umfassen. In einem Aspekt kann Kohlenstoff oder Sauerstoff von einer Halbleiteroberfläche entfernt werden, bevor ein Metall-Rückkontakt benachbart zu der Photovoltaik-Geräteschicht gebildet wird. Der Kohlenstoff kann ein Kohlenstoffrückstand sein. Der Kohlenstoff kann eine Kohlenstoffschicht benachbart zu der Photovoltaik-Geräteschicht sein. Die Photovoltaik-Geräteschicht kann die Fensterschicht sein. Die Photovoltaik-Geräteschicht kann Kadmiumtellurid aufweisen. Der Kohlenstoff oder das Kohlenstoff enthaltende Material kann entfernt werden, indem ein Reinigungsmittel mit einem Teil des Kohlenstoffs oder des Kohlenstoff enthaltenden Materials in Kontakt gebracht wird. Das Reinigungsmittel kann mit dem Kohlenstoff oder dem Kohlenstoff enthaltenden Material an einer Stelle benachbart zu der Photovoltaik-Geräteschicht in Kontakt gebracht werden.
  • In einem weiteren Aspekt kann ein Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaik-Geräts das Bilden einer transparenten leitfähigen Oxidschicht benachbart zu einem Substrat, das Bilden einer Halbleiter-Fensterschicht benachbart zu der transparenten leitfähigen Oxidschicht und das Bilden einer Halbleiter-Absorptionsschicht benachbart zu der Halbleiter-Fensterschicht umfassen, wobei die Halbleiter-Absorptionsschicht Kadmiumtellurid und ein Kohlenstoff enthaltendes Material aufweist. Das Verfahren kann des Weiteren das Inkontaktbringen eines Reinigungsmittels mit dem Kohlenstoff enthaltenden Material umfassen. Der Schritt des Inkontaktbringens eines Reinigungsmittels mit dem Kohlenstoff enthaltenden Material kann einen Teil des Kohlenstoff enthaltenden Materials von der Absorptionsschicht entfernen. Die Absorptionsschicht kann eine Kohlenstoff enthaltende Schicht aufweisen, und der Schritt des Inkontaktbringens eines Reinigungsmittels mit der Oberfläche der Absorptionsschicht kann die Dicke des Kohlenstoff enthaltenden Materials verändern. Nachdem der Kohlenstoff oder das Kohlenstoff enthaltende Material entfernt wurde, kann die Dicke einer Oxidschicht eingestellt werden, bevor eine Rückkontaktschicht benachbart zu der Oberfläche der Absorptionsschicht gebildet wird.
  • Das Reinigungsmittel kann eine säurehaltige Lösung aufweisen. Die säurehaltige Lösung kann einen pH-Wert in dem Bereich von etwa 3 bis etwa 5 aufweisen. Die säurehaltige Lösung kann eine organische Säure aufweisen. Die säurehaltige Lösung kann eine Säure wie etwa Asparaginsäure, Zitronensäure, Gluconsäure, Glutaminsäure, Maleinsäure, Oxalsäure, Propionsäure, Salicylsäure und Weinsäure oder Kombinationen dieser Säuren, oder eine beliebige andere geeignete Säure aufweisen.
  • Das Reinigungsmittel kann eine alkalische Lösung aufweisen. Die alkalische Lösung kann einen pH-Wert höher als etwa 9 aufweisen. Der pH-Wert der alkalischen Lösung kann durch eine Aminverbindung eingestellt werden. Beispiele für solche Aminverbindungen umfassen Ethylendiamin, Tetraalkylammoniumsalz, Isopropanolamin, oder Isopropylhydroxylamin.
  • Das Reinigungsmittel kann einen oberflächenaktiven Stoff aufweisen. Zum Beispiel kann der oberflächenaktive Stoff einen kationischen oberflächenaktiven Stoff, einen anionischen oberflächenaktiven Stoff oder einen nichtionischen oberflächenaktiven Stoff aufweisen.
  • Das Reinigungsmittel kann ein chelatbildendes Mittel aufweisen. Das chelatbildende Mittel kann ein beliebiges geeignetes ionenbindendes Material sein. Beispiele für chelatbildende Mittel, die verwendet werden können, umfassen Ethylendiamin, Gluconsäure, Isopropanolamin, Isopropylhydroxylamin, Dicarboxylmethyl-Glutaminsäure, Ethylendiamindibernsteinsäure oder Ethylendiamin-Tetraessigsäure.
  • Das Reinigungsmittel kann ein beliebiges geeignetes oxidierendes Material aufweisen. Zum Beispiel kann das Reinigungsmittel Eisen-Ammonium-Citrat, Eisenchlorid, Eisennitrat, Ammonium-Cer-Nitrat, N-Bromsuccinimid, Kupferchlorat, Pyridiniumtribromid, oder Trifluorperessigsäure aufweisen.
  • Das Inkontaktbringen des Reinigungsmittels mit dem Kohlenstoff enthaltenden Material kann ein Trockenverfahren umfassen, zum Beispiel ein Verfahren in Abwesenheit von Wasser oder anderer Lösemittel. Das Trockenverfahren kann ein reaktives Ionenätzverfahren umfassen. Das Trockenverfahren kann ein plasmaunterstütztes Ätzverfahren mit einem reaktiven Gas umfassen. Das reaktive Gas kann ein reduzierendes Gas, ein oxidierendes Gas oder ein beliebiges geeignetes Gas aufweisen. Das reaktive Gas kann Wasserstoff aufweisen.
  • Das Verfahren zur Entfernung des Kohlenstoffs oder des Kohlenstoff enthaltenden Materials von der Photovoltaik-Geräteschicht kann des Weiteren den Schritt des Entfernens von Oxid von der Oberfläche der Geräteschicht vor der Bildung des Rückkontakts umfassen.
  • Das Verfahren zur Entfernung des Kohlenstoffs oder des Kohlenstoff enthaltenden Materials von der Photovoltaik-Geräteschicht kann des Weiteren einen Schritt des Abscheidens eines Materials mit einem reaktiven Gas umfassen. Das abgeschiedene Material kann Kohlenstoff, Kohlenstoff enthaltende Spezies oder ein beliebiges anderes geeignetes Material aufweisen. Das Abscheidungsverfahren kann eine plasmaunterstützte chemische Dampfabscheidung (plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD) oder eine beliebige andere geeignete chemische Dampfabscheidung sein. Der Rückkontakt kann aus einem oxidierten, reduzierten oder mit einem reaktiven Gas abgeschiedenen Material bestehen.
  • Das Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaik-Geräts kann des Weiteren einen Schritt des Einstellens der Dicke einer Oxidschicht nach dem Inkontaktbringen eines Reinigungsmittels mit dem Kohlenstoff enthaltenden Material umfassen.
  • Das Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaik-Geräts kann des Weiteren einen Schritt des Einstellens des Kadmiumtellurid-Verhältnisses an der Rückkontaktoberfläche umfassen. Der Rückkontakt kann ein Metall und ein Metalloxid aufweisen. Das Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaik-Geräts kann des Weiteren einen Schritt des Einstellens des Verhältnisses von Metall und Metalloxid in dem Rückkontakt umfassen.
  • Unter Bezugnahme auf 1 kann ein Photovoltaik-Gerät 100 eine benachbart zu einem Substrat 110 abgeschiedene transparente leitfähige Oxidschicht 120 aufweisen. Die transparente leitfähige Oxidschicht 120 kann auf dem Substrat 110 durch Sputtern oder Aufdampfen oder ein beliebiges anderes geeignetes Verfahren abgeschieden werden. Das Substrat 110 kann ein beliebiges geeignetes Substratmaterial aufweisen, einschließlich Glas, wie etwa Natronkalkglas. Die transparente leitfähige Oxidschicht 120 kann ein beliebiges geeignetes transparentes leitfähiges Oxidmaterial aufweisen, einschließlich Kadmiumstannat, mit Indium dotiertes Kadmiumoxid oder mit Zinn dotiertes Indiumoxid. Eine Halbleiter-Fensterschicht 130 kann benachbart zu der transparenten leitfähigen Oxidschicht 120 abgeschieden werden. Die Halbleiter-Fensterschicht 130 kann benachbart zu der transparenten leitfähigen Oxidschicht 120 abgeschieden werden, welche gehärtet sein kann. Die Halbleiter-Fensterschicht 130 kann ein beliebiges geeignetes Fenstermaterial aufweisen, wie etwa Kadmiumsulfid, und kann durch ein beliebiges geeignetes Abscheidungsverfahren wie etwa Sputtern oder Dampftransport-Abscheidung gebildet werden. Eine Halbleiter-Absorptionsschicht 140 kann benachbart zu der Halbleiter-Fensterschicht 130 abgeschieden werden. Die CdTe-Absorptionsschicht 140 kann auf der Halbleiter-Fensterschicht 130 abgeschieden werden. Die CdTe-Absorptionsschicht 140 kann eine nach oben weisende Oberfläche 141 aufweisen. Während der Herstellung können Solarzellen auf Kohlenstoff basierendes Material aus der Werksumgebung absorbieren und durch Luft langsam oxidieren. Alle diese Faktoren können zum Vorliegen von Kohlenstoffrückständen und Oxid 150 an der CdTe-Oberfläche 141 vor der Bildung des Metall-Rückkontakts führen.
  • Die CdTe-Oberfläche 141 kann behandelt werden, so dass Oxide und Kohlenstoffrückstände entfernt werden. Dies kann durch eine chemische Behandlung erreicht werden, d. h. durch Oxidieren in einer säurehaltigen oder alkalischen Lösung. In einigen Ausführungsformen können die säurehaltigen Lösungen einen pH-Wert in dem Bereich von etwa 3,0 bis etwa 5,0 aufweisen. Der Säuregehalt kann unter Verwendung schwacher organischer Säuren wie etwa Asparaginsäure, Benzoesäure, Zitronensäure, Gluconsäure, Glutaminsäure, Maleinsäure, Oxalsäure, Propionsäure, Salicylsäure und Weinsäure, oder beliebige geeignete Mischungen dieser Säuren, eingestellt werden. In einigen Ausführungsformen können die alkalischen Lösungen einen pH-Wert höher als etwa 9,0 aufweisen. Der pH-Wert kann mit einer beliebigen Anzahl von Aminverbindungen eingestellt werden, wie etwa Ethylendiamin, Tetraalkylammoniumsalze, Isopropanolamin, oder Isopropylhydroxylamin, oder beliebige geeignete Mischungen dieser Verbindungen.
  • Die chemische Behandlung kann ein Reinigungsmittel umfassen, welches mit dem Kohlenstoffrückstand 150 benachbart zu einer Photovoltaik-Geräteschicht in Kontakt gebracht werden kann. Das Reinigungsmittel kann mit dem Kohlenstoffrückstand 150 benachbart zu der Halbleiter-Absorptionsschicht 140 in Kontakt gebracht werden. Das Reinigungsmittel kann oberflächenaktive Stoffe enthalten, um die Entfernung größerer Partikel an der CdTe-Oberfläche 141 zu unterstützen. Die oberflächenaktiven Stoffe können kationische, anionische oder nichtionische oberflächenaktive Stoffe aufweisen.
  • Das Reinigungsmittel oder die Reinigungslösung, welches bzw. welche mit dem Kohlenstoff benachbart zu der Halbleiter-Absorptionsschicht 140 in Kontakt gebracht werden kann, kann chelatbildende Mittel enthalten, welche Cd oder Te selektiv binden. Beispiele für chelatbildende Mittel umfassen Verbindungen wie etwa Ethylendiamin, Gluconsäure, Isopropanolamin, Isopropylhydroxylamin, Dicarboxylmethyl-Glutaminsäure, Ethylendiamindibernsteinsäure (EDDS), Ethylendiamin-Tetraessigsäure (EDTA), oder ein beliebiges anderes geeignetes chelatbildendes Mittel. Die Reinigungsmittel können Eisen-Ammonium-Citrat, Eisenchlorid, Eisennitrat, Ammonium-Cer-Nitrat, N-Bromsuccinimid, Kupferchlorat, Pyridiniumtribromid, Trifluorperessigsäure, oder ein beliebiges anderes geeignetes Oxidationsmittel aufweisen.
  • In einigen Ausführungsformen können die Oxide und Kohlenstoffrückstände durch ein Trockenverfahren entfernt werden. Das Trockenverfahren kann reaktives Ionenätzen (reactive ion etching, RIE), Dampfphasenätzen, oder andere geeignete Trockenätzverfahren umfassen.
  • Unter Bezugnahme auf 2 kann in einigen Ausführungsformen für ein reaktives Ionenätzverfahren zur Vorbereitung einer CdTe-Oberfläche in einem RIE-System 200 das Photovoltaik-Gerät 100 mit nach oben weisender CdTe-Oberfläche 141 (1) in eine Reaktorkammer 210 eingebracht werden, wobei ein oder mehrere Gase 260 über eine Verteilerdüse 270 in die Reaktorkammer 210 eingeleitet werden. Eine obere Elektrode 220 und eine untere Elektrode 230 können in der Kammer 210 gegenüberliegend angeordnet sein. Die untere Elektrode 230 kann auch verwendet werden, um das Photovoltaik-Gerät 100 zu halten. Unter Verwendung einer HF-Energiequelle 240 wird in dem Gasgemisch ein Plasma gezündet, wodurch die Gasmoleküle in Ionen aufgespaltet werden. Um den HF-Eintrag zu isolieren, kann in die Kammerwand ein HF-Isolator 250 integriert sein. Die Ionen können zu der Oberfläche des zu ätzenden Materials hin beschleunigt werden und mit dieser reagieren, wobei ein weiteres gasförmiges Material 280 gebildet wird, das herausgepumpt werden kann. Dies ist als chemischer Teil des reaktiven Ionenätzens bekannt. Es existiert auch ein physikalischer Teil, der seiner Art nach dem Abscheidungsverfahren durch Sputtern ähnlich ist. Wenn die Ionen ausreichend hohe Energie aufweisen, können sie Kohlenstoff und Oxid aus der CdTe-Oberfläche 141 (1), die ohne chemische Reaktion geätzt werden soll, herausschlagen. Es kann eine komplexe Aufgabenstellung sein, ein Trockenätzverfahren zu entwickeln, das ein Gleichgewicht zwischen chemischem und physikalischem Ätzen herstellt, da hierbei viele Parameter einzustellen sind. Durch Verändern des Gleichgewichts ist es möglich, die entstehende Zusammensetzung und Rauheit der gereinigten CdTe-Oberfläche 141 (1) zu beeinflussen.
  • Dampfphasenätzen kann ebenfalls eine Trockenätzlösung sein, welche mit einfacherer Ausrüstung als der für RIE erforderlichen bewerkstelligt werden kann. In diesem Verfahren kann das Photovoltaik-Gerät 100, um geätzt zu werden, in eine Kammer eingebracht werden, in welche ein oder mehrere Gase eingeleitet werden. Das zu ätzende Material wird an der Oberfläche in einer chemischen Reaktion mit den Gasmolekülen aufgelöst. In einigen Ausführungsformen können die Oxide und Kohlenstoffrückstände durch ein plasmaunterstütztes Trockenverfahren mit reaktiven Gasen wie etwa Wasserstoff entfernt werden.
  • Wie bereits erläutert kann die Behandlung eine Nassbehandlung, ein Trockenätzverfahren oder eine beliebige geeignete Kombination aus beiden sein. In einigen Ausführungsformen kann die Behandlung verwendet werden, um durch vorhergehende Verarbeitungsschritte verursachte Änderungen in der Zusammensetzung zu beseitigen. Auf diese Weise können sämtliche Kohlenstoffrückstande entfernt werden. Darüber hinaus können das Cd-/Te-Verhältnis und die Dicke der Metalloxidschicht eingestellt werden, um die Zusammensetzung des Rückkontakts zu steuern.
  • Unter Bezugnahme auf 3 kann ein Photovoltaik-Gerät 300 nach den Schritten der Vorbereitung einer CdTe-Oberfläche 141 und der Bildung eines Metall-Rückkontakts auf der CdTe-Oberfläche 141 eine benachbart zu einem Substrat 110 abgeschiedene transparente leitfähige Oxidschicht 120 aufweisen. Die transparente leitfähige Oxidschicht 120 kann auf dem Substrat 110 durch Sputtern oder Aufdampfen oder ein beliebiges anderes geeignetes Verfahren abgeschieden werden. Das Substrat 110 kann ein beliebiges geeignetes Substratmaterial aufweisen, einschließlich Glas, wie etwa Natronkalkglas. Die transparente leitfähige Oxidschicht 120 kann ein beliebiges geeignetes transparentes leitfähiges Oxidmaterial aufweisen, einschließlich Kadmiumstannat, ein mit Indium dotiertes Kadmiumoxid oder ein mit Zinn dotiertes Indiumoxid. Die Halbleiter-Fensterschicht 130 kann benachbart zu der transparenten leitfähigen Oxidschicht 120 abgeschieden werden. Die Halbleiter-Fensterschicht 130 kann benachbart zu der transparenten leitfähigen Oxidschicht 120 abgeschieden werden, welche gehärtet sein kann. Die Halbleiter-Fensterschicht 130 kann ein beliebiges geeignetes Fenstermaterial aufweisen, wie etwa Kadmiumsulfid, und kann durch ein beliebiges geeignetes Abscheidungsverfahren wie etwa Sputtern oder Dampftransport-Abscheidung gebildet werden. Die CdTe-Absorptionsschicht 140 kann benachbart zu der Halbleiter-Fensterschicht 130 abgeschieden werden. Die CdTe-Absorptionsschicht 140 kann durch ein beliebiges geeignetes Verfahren wie etwa Sputtern oder Dampftransport-Abscheidung gebildet werden. Der Rückkontakt 160 kann benachbart zu der CdTe-Absorptionsschicht 140 gebildet werden. Der Rückkontakt 160 kann an der behandelten Oberfläche 141 der CdTe-Absorptionsschicht 140 gebildet werden. Um ein Photovoltaik-Gerät elektrisch zu verbinden, kann der Rückkontakt 160 ein beliebiges geeignetes Metall wie etwa Molybdän oder Kupfer aufweisen.
  • In bestimmten Ausführungsformen kann ein Photovoltaik-Gerät eine Rückkontaktschicht aufweisen, welche ein Rückkontaktmaterial aufweist, um ein besseres Leistungsvermögen zu schaffen. Das Rückkontaktmaterial kann ein beliebiges geeignetes Material aufweisen. Zum Beispiel kann das Rückkontaktmaterial ein beliebiges anderes geeignetes Material wie etwa Tellur, Selen, Calcium, Blei, Quecksilber oder Graphit aufweisen.
  • Vorstehend wurde eine Anzahl von Ausführungsformen der Erfindung beschrieben. Es ist jedoch klar, dass eine Reihe von Abwandlungen möglich ist, ohne vom Geist und Schutzbereich der Erfindung abzuweichen. Es wird auch angemerkt, dass die beiliegenden Zeichnungen nicht notwendigerweise maßstabgetreu sind und eine etwas vereinfachte Darstellung verschiedener bevorzugter Merkmale beinhalten, die die grundlegenden Prinzipien der Erfindung veranschaulichen.

Claims (55)

  1. Verfahren zur Reinigung einer Kadmiumtellurid-Oberfläche, umfassend das Inkontaktbringen eines Reinigungsmittels mit der Kadmiumtellurid-Oberfläche.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Reinigungsmittel eine säurehaltige Lösung aufweist.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die säurehaltige Lösung einen pH-Wert in dem Bereich von etwa 3 bis etwa 5 aufweist.
  4. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die säurehaltige Lösung eine organische Säure aufweist.
  5. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die säurehaltige Lösung eine Säure ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Asparaginsäure, Zitronensäure, Gluconsäure, Glutaminsäure, Maleinsäure, Oxalsäure, Propionsäure, Salicylsäure und Weinsäure aufweist.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Reinigungsmittel eine alkalische Lösung aufweist.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei die alkalische Lösung einen pH-Wert höher als etwa 9 aufweist.
  8. Verfahren nach Anspruch 6, wobei der pH-Wert der alkalischen Lösung durch eine Aminverbindung eingestellt wird.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei die Aminverbindung ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Ethylendiamin, Tetraalkylammoniumsalz, Isopropanolamin und Isopropylhydroxylamin.
  10. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Reinigungsmittel einen oberflächenaktiven Stoff aufweist.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei der oberflächenaktive Stoff einen kationischen oberflächenaktiven Stoff aufweist.
  12. Verfahren nach Anspruch 10, wobei der oberflächenaktive Stoff einen anionischen oberflächenaktiven Stoff aufweist.
  13. Verfahren nach Anspruch 10, wobei der oberflächenaktive Stoff einen nichtionischen oberflächenaktiven Stoff aufweist.
  14. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Reinigungsmittel ein chelatbildendes Mittel aufweist.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei das chelatbildende Mittel ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Ethylendiamin, Gluconsäure, Isopropanolamin, Isopropylhydroxylamin, Dicarboxymethyl-Glutaminsäure, Ethylendiamindibernsteinsäure und Ethylendiamin-Tetraessigsäure.
  16. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Reinigungsmittel Eisen-Ammonium-Citrat, Eisenchlorid, Eisennitrat, Ammonium-Cer-Nitrat, N-Bromsuccinimid, Kupferchlorat, Pyridiniumtribromid oder Trifluorperessigsäure aufweist.
  17. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Inkontaktbringens des Reinigungsmittels mit der Kadmiumtellurid-Oberfläche ein Trockenverfahren umfasst.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, wobei das Trockenverfahren ein reaktives Ionenätzverfahren umfasst.
  19. Verfahren nach Anspruch 17, wobei das Trockenverfahren ein plasmaunterstütztes Ätzverfahren mit einem reaktiven Gas umfasst.
  20. Verfahren nach Anspruch 19, wobei das reaktive Gas ein reduzierendes Gas aufweist.
  21. Verfahren nach Anspruch 19, wobei das reaktive Gas ein oxidierendes Gas aufweist.
  22. Verfahren nach Anspruch 19, wobei das reaktive Gas Wasserstoff aufweist.
  23. Verfahren nach Anspruch 1, des Weiteren umfassend das Abscheiden eines Materials mit einem reaktiven Gas.
  24. Verfahren nach Anspruch 23, wobei der Schritt des Abscheidens eines Materials das Abscheiden von Kohlenstoff umfasst.
  25. Verfahren nach Anspruch 23, wobei der Schritt des Abscheidens eines Materials das Abscheiden eines Kohlenstoff enthaltenden Materials umfasst.
  26. Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaik-Geräts, umfassend die folgenden Schritte: Bilden einer transparenten leitfähigen Oxidschicht benachbart zu einem Substrat; Bilden einer Halbleiter-Fensterschicht benachbart zu der transparenten leitfähigen Oxidschicht; Bilden einer Halbleiter-Absorptionsschicht benachbart zu der Halbleiter-Fensterschicht, wobei die Halbleiter-Absorptionsschicht Kadmiumtellurid und ein Kohlenstoff enthaltendes Material aufweist; Inkontaktbringen eines Reinigungsmittels mit dem Kohlenstoff enthaltenden Material, wodurch ein Teil des Kohlenstoff enthaltenden Materials von der Kadmiumtelluridschicht entfernt wird; und Bilden einer Rückkontaktschicht benachbart zu der Oberfläche der Absorptionsschicht.
  27. Verfahren nach Anspruch 26, wobei der Schritt des Inkontaktbringens eines Reinigungsmittels mit dem Kohlenstoff enthaltenden Material die Dicke des Kohlenstoff enthaltenden Materials verändert.
  28. Verfahren nach Anspruch 26, des Weiteren umfassend das Einstellen der Dicke einer Oxidschicht nach dem Inkontaktbringen eines Reinigungsmittels mit dem Kohlenstoff enthaltenden Material.
  29. Verfahren nach Anspruch 26, des Weiteren umfassend das Einstellen des Kadmiumtellurid-Verhältnisses an der Rückkontaktoberfläche.
  30. Verfahren nach Anspruch 26, wobei der Rückkontakt ein Metall und ein Metalloxid aufweist.
  31. Verfahren nach Anspruch 30, des Weiteren umfassend das Einstellen des Verhältnisses von Metall und Metalloxid in dem Rückkontakt.
  32. Verfahren nach Anspruch 26, wobei das Reinigungsmittel eine säurehaltige Lösung aufweist.
  33. Verfahren nach Anspruch 32, wobei die säurehaltige Lösung einen pH-Wert in dem Bereich von etwa 3 bis etwa 5 aufweist.
  34. Verfahren nach Anspruch 32, wobei die säurehaltige Lösung eine organische Säure aufweist.
  35. Verfahren nach Anspruch 32, wobei die säurehaltige Lösung eine Säure ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Asparaginsäure, Zitronensäure, Gluconsäure, Glutaminsäure, Maleinsäure, Oxalsäure, Propionsäure, Salicylsäure und Weinsäure aufweist.
  36. Verfahren nach Anspruch 26, wobei das Reinigungsmittel eine alkalische Lösung aufweist.
  37. Verfahren nach Anspruch 36, wobei die alkalische Lösung einen pH-Wert höher als etwa 9 aufweist.
  38. Verfahren nach Anspruch 36, wobei der pH-Wert der alkalischen Lösung durch eine Aminverbindung eingestellt wird.
  39. Verfahren nach Anspruch 38, wobei die Aminverbindung ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Ethylendiamin, Tetraalkylammoniumsalz, Isopropanolamin und Isopropylhydroxylamin.
  40. Verfahren nach Anspruch 26, wobei das Reinigungsmittel einen oberflächenaktiven Stoff aufweist.
  41. Verfahren nach Anspruch 40, wobei der oberflächenaktive Stoff einen kationischen oberflächenaktiven Stoff aufweist.
  42. Verfahren nach Anspruch 40, wobei der oberflächenaktive Stoff einen anionischen oberflächenaktiven Stoff aufweist.
  43. Verfahren nach Anspruch 40, wobei der oberflächenaktive Stoff einen nichtionischen oberflächenaktiven Stoff aufweist.
  44. Verfahren nach Anspruch 26, wobei das Reinigungsmittel ein chelatbildendes Mittel aufweist.
  45. Verfahren nach Anspruch 44, wobei das chelatbildende Mittel ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Ethylendiamin, Gluconsäure, Isopropanolamin, Isopropylhydroxylamin, Dicarboxymethyl-Glutaminsäure, Ethylendiamindibernsteinsäure und Ethylendiamin-Tetraessigsäure.
  46. Verfahren nach Anspruch 26, wobei das Reinigungsmittel Eisen-Ammonium-Citrat, Eisenchlorid, Eisennitrat, Ammonium-Cer-Nitrat, N-Bromsuccinimid, Kupferchlorat, Pyridiniumtribromid, oder Trifluorperessigsäure aufweist.
  47. Verfahren nach Anspruch 26, wobei der Schritt des Inkontaktbringens eines Reinigungsmittels mit dem Kohlenstoff enthaltenden Material ein Trockenverfahren umfasst.
  48. Verfahren nach Anspruch 47, wobei das Trockenverfahren ein reaktives Ionenätzverfahren umfasst.
  49. Verfahren nach Anspruch 47, wobei das Trockenverfahren ein plasmaunterstütztes Ätzverfahren mit einem reaktiven Gas umfasst.
  50. Verfahren nach Anspruch 49, wobei das reaktive Gas ein reduzierendes Gas aufweist.
  51. Verfahren nach Anspruch 49, wobei das reaktive Gas ein oxidierendes Gas aufweist.
  52. Verfahren nach Anspruch 49, wobei das reaktive Gas Wasserstoff aufweist.
  53. Verfahren nach Anspruch 26, des Weiteren umfassend das Abscheiden eines Materials mit einem reaktiven Gas.
  54. Verfahren nach Anspruch 53, wobei der Schritt des Abscheidens eines Materials das Abscheiden von Kohlenstoff umfasst.
  55. Verfahren nach Anspruch 53, wobei der Schritt des Abscheidens eines Materials das Abscheiden eines Kohlenstoff enthaltenden Materials umfasst.
DE112010003607T 2009-09-11 2010-09-07 Phovoltaik-rückkontakt Pending DE112010003607T5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US24160609P 2009-09-11 2009-09-11
US61/241,606 2009-09-11
PCT/US2010/047971 WO2011031666A1 (en) 2009-09-11 2010-09-07 Photovoltaic back contact

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112010003607T5 true DE112010003607T5 (de) 2012-08-23

Family

ID=43729290

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112010003607T Pending DE112010003607T5 (de) 2009-09-11 2010-09-07 Phovoltaik-rückkontakt

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8603253B2 (de)
CN (1) CN102498572B (de)
DE (1) DE112010003607T5 (de)
IN (1) IN2012DN02167A (de)
MY (1) MY164919A (de)
TW (1) TWI513814B (de)
WO (1) WO2011031666A1 (de)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2417241A4 (de) * 2009-04-08 2014-10-15 Sunsonix Verfahren und vorrichtung zur entfernung von kontaminationsmaterial aus substraten
US20110117696A1 (en) * 2009-11-19 2011-05-19 Air Liquide Electronics U.S. Lp CdTe SURFACE TREATMENT FOR STABLE BACK CONTACTS
WO2012021593A1 (en) 2010-08-13 2012-02-16 First Solar, Inc. Photovoltaic device with oxide layer
WO2012024667A2 (en) 2010-08-20 2012-02-23 First Solar, Inc. Electrical contact
WO2014144120A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 First Solar, Inc. Method of manufacturing a photovoltaic device
CN104518045B (zh) * 2013-09-26 2018-03-23 中国建材国际工程集团有限公司 用来调理CdTe薄层太阳能电池的CdTe层的方法
EP3387679B1 (de) * 2015-12-09 2022-04-27 First Solar, Inc. Fotovoltaikvorrichtungen und verfahren zur herstellung
MY191173A (en) 2016-04-07 2022-06-03 First Solar Inc Devices and methods for making polycrystalline alloys
CN117832333B (zh) * 2024-03-05 2024-05-31 龙焱能源科技（杭州）有限公司 一种碲化镉薄膜电池及其制备方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5837662A (en) * 1997-12-12 1998-11-17 Memc Electronic Materials, Inc. Post-lapping cleaning process for silicon wafers
DK1105778T3 (da) * 1998-05-18 2009-10-19 Mallinckrodt Baker Inc Silikatholdige alkaliske sammensætninger til rensning af mikorelektroniske substrater
US6767762B2 (en) * 2002-07-23 2004-07-27 United Solar Systems Corporation Lightweight semiconductor device and method for its manufacture
TWI415926B (zh) * 2003-07-11 2013-11-21 Grace W R & Co 化學機械研磨用磨粒
CN1875325B (zh) * 2003-10-29 2011-01-26 马林克罗特贝克公司 含有金属卤化物腐蚀抑制剂的碱性后等离子体蚀刻/灰化残余物去除剂和光致抗蚀剂剥离组合物
JP2005181987A (ja) * 2003-11-27 2005-07-07 Konica Minolta Holdings Inc 光双方向モジュール
US20060183055A1 (en) * 2005-02-15 2006-08-17 O'neill Mark L Method for defining a feature on a substrate
JP2009515369A (ja) * 2005-11-07 2009-04-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 光電池接触部及び配線の形成
US20130000214A1 (en) * 2006-01-11 2013-01-03 Jia-Ni Chu Abrasive Particles for Chemical Mechanical Polishing
US8309387B2 (en) * 2007-04-13 2012-11-13 David Forehand Improving back-contact performance of group VI containing solar cells by utilizing a nanoscale interfacial layer
WO2009012346A1 (en) * 2007-07-16 2009-01-22 Ascent Solar Technologies, Inc. Methods for fabricating p-type cadmium selenide
TW200916571A (en) * 2007-08-02 2009-04-16 Advanced Tech Materials Non-fluoride containing composition for the removal of residue from a microelectronic device
WO2009058273A1 (en) * 2007-10-29 2009-05-07 Ekc Technology, Inc. Stabilization of hydroxylamine containing solutions and method for their preparation
CN100555679C (zh) * 2008-08-05 2009-10-28 四川大学 CdTe薄膜太阳电池的腐蚀方法
JP2010171362A (ja) * 2008-12-26 2010-08-05 Fujifilm Corp 半導体デバイス用洗浄剤及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JP2011018636A (ja) * 2009-06-09 2011-01-27 Fujifilm Corp 導電性組成物、並びに透明導電膜、表示素子及び集積型太陽電池
EP2454755A4 (de) * 2009-07-13 2016-03-30 First Solar Inc Kontaktdotierung einer solarzellenvorderseite
IN2012DN01293A (de) * 2009-08-10 2015-06-05 First Solar Inc
WO2012129235A1 (en) * 2011-03-21 2012-09-27 EncoreSolar, Inc. High efficiency cadmium telluride solar cell and method of fabrication

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011031666A1 (en) 2011-03-17
CN102498572A (zh) 2012-06-13
US8603253B2 (en) 2013-12-10
IN2012DN02167A (de) 2015-08-21
US9252302B2 (en) 2016-02-02
MY164919A (en) 2018-02-15
TW201127949A (en) 2011-08-16
CN102498572B (zh) 2016-03-02
US20110061736A1 (en) 2011-03-17
US20140057389A1 (en) 2014-02-27
TWI513814B (zh) 2015-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112010003607T5 (de) Phovoltaik-rückkontakt
EP2338179B1 (de) Verfahren zur behandlung von substraten und behandlungseinrichtung zur durchführung des verfahrens
EP2817829B1 (de) Verfahren zum herstellen einer solarzelle
DE102006051735A1 (de) Druckfähiges Medium zur Ätzung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten
DE1144846B (de) Verfahren zur Herstellung und zur Erhoehung der Oberflaechenleitfaehigkeit elektrisch leitender Filme sowie zur schichtweisen AEnderung des Leitungstyps fuer n- und p-Schichten, insbesondere fuer elektrolumineszente Flaechenlampen und Photozellen
DE102005007743A1 (de) Druckfähiges Medium zur Ätzung von Siliziumdioxid- und Siliziumnitridschichten
EP1435116A1 (de) Kombinierte ätz- und dotiermedien
DE3725346A1 (de) Verfahren zur wiederverwendung von silizium-basismaterial einer metall-isolator-halbleiter-(mis)-inversionsschicht-solarzelle
DE102014111282A1 (de) Verfahren zum sauren Ätzen von Silizium-Wafern
DE102012103243A1 (de) Verfahren zur zeitlichen Veränderung der Laserintensität während des Ritzens einer Photovoltaikvorrichtung
DE102012000541A1 (de) Solarzelle und Verfahren zur Herstellung derselben
DE4340589A1 (de) Verfahren zur Reinigung von Halbleiterbauelementen
WO2012000612A2 (de) Verfahren zur erzeugung einer selektiven dotierstruktur in einem halbleitersubstrat zur herstellung einer photovoltaischen solarzelle
EP4088323A1 (de) Verfahren und anlage zur herstellung eines ausgangsmaterials für eine siliziumsolarzelle mit passivierten kontakten
KR101394469B1 (ko) 식각액 조성물, 및 다중금속막 식각 방법
EP3051596B1 (de) Verfahren zur modifizierung der cdte-schicht einer cdte-dünnschicht-solarzelle
CN107123582A (zh) 一种GaAs光电阴极的化学清洗方法
DE3910185C2 (de) Siliziumplättchen mit hervorragendem Gettervermögen und Verfahren zu dessen Herstellung
DE3542116A1 (de) Photovoltaische zelle
DE102016222175A1 (de) Verfahren zum Aufbringen von Ladungsträger-selektiven Kontakten auf Solarzellen
WO2023094327A1 (de) Verfahren und nassbank zur in-line-prozessierung von solarzellensubstraten
DE19758712B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE102013225669A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbzeugs für Dünnschichtsolarzellen
Tarneja et al. Investigation of liquid dopants for the production of high efficiency solar cells from dendritic web silicon
DE102010037321A1 (de) Verfahren zum Ausbilden eines Dotierstoffpfofils

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication