DE112009004715T5 - Verfahren zur Substratherstellung, bei dem Muster ausgebildet werden - Google Patents
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Abstract
Description
- [Technisches Gebiet]
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Substrat für eine Halbleitervorrichtung und auf ein Verfahren zum Herstellen desselben, sowie insbesondere auf ein Substrat, auf dem eine Mehrzahl von Muster ausgebildet ist, um es zum Herstellen einer Hochleistungs-Leuchtdiode (LED) zu verwenden, und auf ein Verfahren zum Herstellen desselben.
- [Technischer Hintergrund]
- Die Nachfrage nach Leuchtdioden (LED) ist gewachsen auf der Grundlage von leistungsschwachen LEDs, die bei einer tragbaren Kommunikationsvorrichtung, wie z. B. einem Mobiltelefon, bei einer Tastatur eines kleinen Haushaltsgerätes oder bei einer Hintergrundbeleuchtungseinheit einer Flüssigkristallanzeige (LCD) verwendet werden. In letzter Zeit nimmt der Bedarf an leistungsstarken und hocheffizienten Lichtquellen zu, die bei einer Innenbeleuchtung, bei einer Außenbeleuchtung, bei inneren und äußeren Räumen eines Fahrzeugs und bei einer Hintergrundbeleuchtungseineinheit einer großformatigen LCD verwendet werden, und LED-Absatzmärkte haben auf leistungsstarke Produkte abgezielt.
- Das größte Problem bei LEDs ist die geringe Lichtausbeute. Im Allgemeinen wird die Lichtausbeute bestimmt durch die Effizienz beim Erzeugen von Licht (interne Quanteneffizienz), die Effizienz, mit der Licht von einer Vorrichtung an die Umgebung abgestrahlt wird (externe Lichtauskopplungseffizienz), und die Effizienz, mit der Licht durch Phosphor gewandelt wird. Es ist wichtig, die Eigenschaften einer aktiven Schicht in Hinblick auf die interne Quanteneffizienz zu verbessern, um leistungsstarke LEDs herzustellen. Jedoch ist es sehr wichtig, die externe Lichtauskopplungseffizienz des tatsächlich erzeugten Lichtes zu erhöhen.
- Das größte Hindernis, das beim Abstrahlen von Licht von einer LED an die Umgebung auftritt ist die innere Totalreflexion, die durch einen Unterschied der Brechungsindizes zwischen den Schichten der LED verursacht wird. Aufgrund des Unterschiedes bei den Brechungsindizes zwischen den Schichten der LED wird etwa 20% des erzeugten Lichtes durch eine Grenzfläche zwischen den Schichten der LED an die Umgebung abgestrahlt. Außerdem bewegt sich das nicht durch die Grenzfläche zwischen den Schichten der LED an die Umgebung abgestrahlte Licht innerhalb der LED und wird in Wärme umgewandelt. Als Ergebnis ist die Lichtausbeute gering und die Menge an in einer Vorrichtung erzeugten Wärme ist erhöht und die Lebensdauer der LED ist verringert.
- Um die externe Lichtauskopplungseffizienz zu verbessern wurde ein Verfahren zum Erhöhen der Rauhigkeit einer p-GaN-Obefläche oder einer n-GaN-Obefläche, ein Verfahren zur Aufrauhen der Oberfläche eines Substrates als ein Unterteil einer Vorrichtung oder ein Verfahren zum Bilden von gekrümmten Muster vorgeschlagen.
-
1 ist eine Querschnittsansicht einer LED14 , die auf einem Substrat10 ausgebildet ist, bei dem Muster12 ausgebildet sind, und2 ist eine Ansicht des Substrates10 , bei dem die Muster12 ausgebildet sind. Wenn die Muster12 auf dem Substrat10 der LED14 ausgebildet sind, bei der ein Fremdsubstrat, wie z. B. ein Saphirsubstrat verwendet wird, ist insbesondere die externe Lichtauskopplungseffizienz verbessert. - Auf der Oberfläche eines Saphirsubstrates ausgebildete Muster sind geeignet, die externe Lichtauskopplungseffizienz um 100% oder mehr zu erhöhen. Die
koreanischen Patentanmeldungen Nr. 2004-0021801 2004-0049329 - Bei dem Verfahren zum Bilden der Muster durch Ätzen ist die Höhe der Muster beschränkt durch eine Ätzselektivität zwischen dem Resist und dem Substrat, und aufgrund geringer Gleichmäßigkeit eines Verfahrens zum Strukturieren der dicken Resistschicht und eines Trockenätzverfahrens ist die Gleichmäßigkeit, der am Ende gebildeten Muster gering. Vor Allem ist die Verunreinigung, die beim Trockenätzen auftritt, das größte Problem. Aufgrund der Hitze, die lokal beim Ätzen erzeugt wird, bleibt ein Reaktionsstoff des Resists und von Gas, das beim Ätzen verwendet wird, auf der Oberfläche des Saphirsubstrates und wird selbst dann nicht vollständig entfernt, wenn ein Reinigungsverfahren durchgeführt wird. Zusätzlich können Schäden in der Oberfläche des Substrates auftreten, durch beim Ätzen verwendete Hochenergiegasteilchen (Silicon processing for the VLSI ear, Bd 1, process technology, S. 574–582). Wenn eine solche Verunreinigung auftritt, können, wenn epitaktisches GaN-Wachstum als nächster Prozess durchgeführt wird, Defekte in einer epitaktischen Nitridschicht auftreten aufgrund der Verunreinigung. Aufgrund des obigen Nachteils wird eine sehr geringe Ausbeute erwartet, wenn eine Vorrichtung unter Verwendung des Saphirsubstrates hergestellt wird, das durch Anwenden eines Ätzverfahrens strukturiert wird.
- Bei dem oben erwähnten Trockenätzprozess sollte ein hochwertiges Ätzgerät mit einer Kühlfunktion verwendet werden, um eine überschüssige Wärmemenge abzustrahlen, die beim zwangsweisen Ätzen des Saphirs erzeugt wird. Um die Lichtauskopplungseffizienz zu verbessern, sollte ein Verfahren zum Verringern der Größe unter Verwendung eines hochwertigen Belichtungsgerätes, wie z. B. einem Stepper, durchgeführt werden. Somit erhöhen sich die Kosten beim Durchführen des oben erwähnten Trockenätzverfahrens. Darüber hinaus kann bei dem Verfahren, bei dem das Belichtungsgerät, wie z. B. der Stepper, verwendet wird, der Prozess-Durchsatz aufgrund des komplizierten Verfahrens nicht leicht erhöht werden.
- [Offenbarung]
- [Technisches Problem]
- Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum Herstellen eines Substrats bereit, bei dem Muster ausgebildet werden, durch das keine Schäden im Kristall eines Substrates oder keine Verschlechterung einer Vorrichtungseigenschaft beim Strukturieren eines Substrat durch Anwenden eines Ätzverfahrens aufgrund von Reststoffen auftreten, und die Gleichmäßigkeit der Muster kann in erheblichem Maße erhöht werden.
- [Technische Lösung]
- Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen eines Substrates bereit gestellt, bei dem Muster gebildet werden, wobei das Verfahren aufweist: Vorbereiten einer Lösung, in der eine Mehrzahl von Oxidkügelchen dispergiert sind; Bilden von Mustern auf einem Substrat; Einrichten einer vorläufigen Struktur in einem oberen Abschnitt des Substrates derart, dass ein Mikro-Kanal auf dem Substrat gebildet wird; Injizieren der Lösung, in der die Oxidkügelchen dispergiert sind, in den Mikro-Kanal und Fixieren der Oxidkügelchen an dem Substrat; und thermisches Bearbeiten des Substrates.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen eines Substrates bereit gestellt, bei dem ausgebildet sind, wobei das Verfahren aufweist: Vorbereiten einer Lösung, in der eine Mehrzahl von Oxidkügelchen dispergiert ist; Bilden von Mustern auf einem Substrat; Durchführen eines Verfahrens des Eintauchens des Substrates, bei dem die Mehrzahl von Muster ausgebildet sind, in eine Lösung, in die die Oxidkügelchen dispergiert sind, und eines Verfahrens des Herausnehmens des Substrates zumindest einmal und Fixieren der Oxidkügelchen an dem Substrat; und thermisches Bearbeiten des Substrates.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen eines Substrates bereit gestellt, bei dem Muster gebildet werden, wobei das Verfahren aufweist: Einrichten einer vorläufigen Struktur in einem oberen Abschnitt eines Substrates derart, dass ein Mikro-Kanal auf dem Substrat gebildet wird; Bilden einer Kügelchenmischung durch Mischen einer Mehrzahl von Oxidkügelchen und einer Mehrzahl von Polymerkügelchen; Injizieren der Kügelchenmischung in den Mikro-Kanal und Anordnen der Oxidkügelchen und der Polymerkügelchen auf dem Substrat; Trennen der vorläufigen Struktur von dem Substrat; Entfernen der Polymerkügelchen; und thermisches Bearbeiten des Substrates.
- [Vorteilhafte Wirkungen]
- Bei dem Verfahren zum Herstellen des Substrates gemäß der vorliegenden Erfindung kann eine Mehrzahl von kostengünstigen Oxidkügelchen auf einem Substrat als Muster mit einer gewünschten Form aufgebracht werden, so dass verhindert werden kann, dass Schäden während eines Trockenätzens in dem Substrat auftreten, und ein Ätzverfahren wird nicht durchgeführt, so dass eine Ausbeute einer Vorrichtung nicht verringert wird und die Massenproduktion der Vorrichtung zunimmt. Zusätzlich wird kein teures Gerät zum Trockenätzen benötigt, so dass das Verfahren zum Herstellen des Substrates ökonomisch ist und eine hohe Produktivität erzielt wird, bei der große Mengen an Substraten in kurzer Zeit hergestellt werden.
- [Beschreibung der Zeichnungen]
-
1 ist eine Querschnittsansicht einer Leuchtdiode (LED), die ausgebildet ist auf einem Substrat, bei dem Muster ausgebildet sind; -
2 ist eine Ansicht des Substrats, bei dem Muster ausgebildet sind; -
3 ist ein Flussdiagramm, welches ein Verfahren zum Herstellen eines Substrates darstellt, bei dem Muster gebildet werden durch Verwenden eines Miniskus einer Flüssigkeit gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; -
4 bis8 sind Querschnittsansichten des in3 dargestellten Verfahrens zum Herstellen eines Substrates, bei dem Muster gebildet werden; -
9 ist ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen eines Substrates darstellt, bei dem Muster gebildet werden durch Verwenden eines Miniskus einer Flüssigkeit gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; -
10 bis14 sind Querschnittsansichten des in9 dargestellten Verfahrens zum Herstellen eines Substrates, bei dem Muster gebildet werden; -
15 ist ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen eines Substrates darstellt, bei dem Muster gebildet werden durch Verwenden von Opferpolymerkügelchen gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und -
16 bis19 sind Querschnittsansichten des in15 dargestellten Verfahrens zum Herstellen eines Substrates, bei dem Muster gebildet werden. - [Ausführungsform der Erfindung]
- Die vorliegende Erfindung wird nun genauer beschrieben werden, mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen, in denen beispielhafte Ausführungsformen der Erfindung gezeigt sind. Die Erfindung kann jedoch in verschiedenen Formen ausgebildet sein und sollte nicht als auf die hier ausgeführten Ausführungsbeispiele beschränkt ausgelegt werden. Vielmehr sind diese Ausführungsformen dafür vorgesehen, dass diese Offenbarung umfassend und vollständig ist, und dass sie das Konzept der Erfindung den Fachleuten vollständig vermitteln.
-
3 ist ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen eines Substrates darstellt, bei dem Muster gebildet werden durch Verwenden eines Miniskus einer Flüssigkeit, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und4 bis8 sind Querschnittsansichten des Verfahrens zum Herstellen eines Substrates, bei dem Muster gebildet werden, das in3 gezeigt ist. - Bezugnehmend auf die
3 bis8 wird zunächst eine Lösung750 , in der eine Mehrzahl von Oxidkügelchen740 dispergiert ist, vorbereitet (S610). Der Brechungsindex jedes der Oxidkügelchen740 ist 1,2 bis 2,0, und jedes der Oxidkügelchen740 ist ausgebildet aus zumindest einem Ausgewählten aus der aus SiO2, Al2O3, TiO2, ZrO2, Y2O3-ZrO2, CuO, Cu2O, Ta2O5, PZT(Pb(Zr, Ti)O3), Nb2O5, Fe3O4, Fe2O3, and GeO2 bestehenden Gruppe. Die Oxidkügelchen740 können rund sein und der Durchmesser jeder der Oxidkügelchen740 ist 0,1 bis 10 μm. Wasser kann als ein Lösungsmittel zum Dispergieren der Oxidkügelchen740 verwendet werden. - Als nächstes werden wie in
4 dargestellt, Muster720 auf einem Substrat710 gebildet (S620). Das Substrat710 kann ausgebildet sein aus entweder Saphir oder Lithium-Aluminium-Oxid (LiAlO2) oder Magnesiumoxid (MgO). Die Muster720 können eine Mehrzahl von Resistmustern sein, die gebildet werden durch Aufbringen einer Resistschicht auf das Substrat710 und durch Durchführen eines Belichtungs- und Entwicklungs-Verfahrens an der Resistschicht. Die Dichte und Größe jedes der Muster720 kann durch Verwenden von Simulation angepasst werden auf Werte, bei denen die Lichtauskopplung maximiert ist. Wie in5 dargestellt, wird eine vorläufige Struktur730 auf dem Substrat710 eingerichtet, um einen Mikro-Kanal725 zu bilden (S630). Die vorläufige Struktur730 kann gebildet werden aus Polydimethylsiloxan (PDMS). - Als nächstes wird die Lösung
750 , in der die Oxidkügelchen740 dispergiert sind, und Gas760 abwechselnd in den Mikro-Kanal725 injiziert (S640). Wenn die Lösung750 , in der die Oxidkügelchen740 dispergiert sind, und das Gas760 abwechselnd in den Mikro-Kanal725 injiziert werden, wie in6 dargestellt ist, werden die Oxidkügelchen740 zwischen den Muster720 angeordnet und an dem Substrat710 fixiert aufgrund eines Miniskus, der an einer Grenzfläche zwischen der Lösung750 und dem Gas760 auf dem Substrat710 auftritt. Wenn die Oxidkügelchen740 an dem Substrat710 fixiert sind, wird die Injektion der Lösung750 , in der die Oxidkügelchen740 dispergiert sind, und des Gases760 beendet, und die vorläufige Struktur730 wird entfernt. Dieser Zustand ist in7 gezeigt. - Zuletzt wird das Substrat
710 thermisch bearbeitet, wodurch die Oxidkügelchen740 an das Substrat710 gebunden werden (S650). Das Substrat710 wird thermisch bearbeitet zwischen 500°C und 1400°C und kann thermisch bearbeitet werden zwischen 800°C und 1200°C. Wenn das Substrat710 auf diese Art und Weise thermisch bearbeitet wird, werden die auf dem Substrat710 ausgebildeten Muster720 entfernt. Damit werden, wie in8 dargestellt, die Oxidkügelchen740 an das Substrat710 gebunden, wodurch das Substrat710 hergestellt wird, bei dem die Oxidkügelchen-Muster770 ausgebildet werden. - Wenn das Substrat
710 hergestellt wird durch Verwenden des in3 gezeigten Verfahrens kann das Substrat710 mit guter Lichtauskopplungseffizienz hergestellt werden. -
9 ist ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen eines Substrates darstellt, bei dem Muster durch Verwenden eines Miniskus einer Flüssigkeit gebildet werden, gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und die10 bis14 sind Querschnittsansichten des in9 dargestellten Verfahrens zum Herstellen eines Substrates, bei dem Muster gebildet werden. - Bezugnehmend auf die
9 bis14 wird zunächst eine Lösung930 , in der eine Mehrzahl von Oxidkügelchen dispergiert sind, vorbereitet (S810). Der Brechungsindex jedes der Oxidkügelchen940 ist 1,2 bis 2,0, und jedes Oxidkügelchen940 ist ausgebildet aus zumindest einem Ausgewählten aus der aus SiO2, Al2O3, TiO2, ZrO2, Y2O3-ZrO2, CuO, Cu2O, Ta2O5, PZT(Pb(Zr, Ti)O3), Nb2O5, Fe3O4, Fe2O3, und GeO2 bestehenden Gruppe. Die Oxidkügelchen940 können rund sein, und der Durchmesser jedes der Oxidkügelchen940 ist gleich 0,1 bis 10 μm. Wasser kann verwendet werden als Lösungsmittel zum Dispergieren der Oxidkügelchen940 . - Als nächstes werden Muster
920 auf einem Substrat910 gebildet, wie in10 dargestellt ist (S820). Das Substrat910 kann ausgebildet sein aus entweder Saphir oder Lithium-Aluminium-Oxid (LiAlO2) oder Magnesiumoxid (MgO). Die Muster920 können Resistmuster sein, die gebildet werden durch Aufbringen einer Resistschicht auf das Substrat910 und durch Durchführen eines Belichtungs- und Entwicklungsverfahrens an der Resistschicht. Die Dichte und Größe jedes der Muster920 kann durch Verwenden von Simulation angepasst werden auf Werte, bei denen die Lichtauskopplung maximiert ist. - Als nächstes werden, wie in den
11 und12 dargestellt, ein Verfahren des Eintauchens des Substrates910 , bei dem Muster920 ausgebildet sind, in die Lösung930 , in der die Oxidkügelchen940 dispergiert sind, und ein Verfahren des Herausnehmens des Substrates910 aus der Lösung930 mehr als einmal durchgeführt (S830). Wenn das Substrat910 , bei dem die Muster920 ausgebildet sind, in die Lösung930 eingetaucht wird, in der die Oxidkügelchen940 dispergiert sind und aus der Lösung930 herausgenommen wird, werden die Oxidkügelchen zwischen den Mustern920 angeordnet und an dem Substrat910 in einem Abschnitt fixiert, in dem die Oberfläche der Lösung930 , in der die Oxidkügelchen940 dispergiert sind, das Substrat berührt aufgrund eines Miniskus, der an einer Grenzfläche zwischen der Lösung930 , in der die Oxidkügelchen940 dispergiert sind, und Luft auftritt. Durch wiederholtes Durchführen des obigen Verfahrens können die Oxidkügelchen940 zwischen den Mustern920 fixiert werden. - Wie in
13 dargestellt, wenn die Oxidkügelchen940 an dem Substrat910 fixiert sind, wird das Substrat910 aus der Lösung950 , in der die Oxidkügelchen940 dispergiert sind, herausgenommen. - Zuletzt wird das Substrat
910 thermisch bearbeitet, wodurch die Oxidkügelchen940 an das Substrat910 gebunden werden (S650). Das Substrat910 wird thermisch bearbeitet zwischen 500°C und 1400°C, und kann thermisch bearbeitet werden zwischen 800°C und 1200°C. Wenn das Substrat910 auf diese Art und Weise thermisch bearbeitet wird, werden die auf dem Substrat910 ausgebildeten Muster920 entfernt. Damit werden wie in14 dargestellt die Oxidkügelchen940 an das Substrat910 gebunden, wodurch das Substrat910 hergestellt wird, bei dem die Oxidkügelchen-Muster950 ausgebildet sind. - Wenn das Substrat
910 durch Verwenden des in9 gezeigten Verfahren hergestellt wird, kann wie bei dem Verfahren aus3 das Substrat910 mit einer guten Lichtauskopplungseffizienz hergestellt werden. - Wie oben beschrieben sind die Muster
720 und920 , die auf den Substraten710 und910 gebildet werden, aus einem fotosensitiven Material gebildete physikalische Unebenheiten. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese beschränkt, und die Muster720 und920 können hydrophobe oder hydrophile Oberflächenenergiemuster sein. Wenn jedes der Oxidkügelchen740 und940 eine hydrophile Eigenschaft besitzt, werden die Oxidkügelchen740 und940 in Verfahrensschritt S640 oder S840 nur auf den hydrophilen Muster aber nicht auf den hydrophoben Mustern angeordnet. Wenn im Gegensatz dazu jedes der Oxidkügelchen740 und940 eine hydrophobe Eigenschaft besitzt, werden die Oxidkügelchen740 und940 in Verfahrensschritt S640 oder S830 nur auf den hydrophoben Mustern und nicht auf den hydrophilen Muster angeordnet. Auf diese Art und Weise können die Oxidkügelchen740 und940 als Muster auf die Substrate710 und910 aufgebracht werden, und die Substrate710 und910 können thermisch bearbeitet werden wie in Verfahrensschritt S650 oder S840, wodurch die Substrate710 und910 hergestellt werden, bei denen die Oxidkügelchen740 und940 als Muster angeordnet sind. -
15 ist ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen eines Substrates darstellt, bei dem Muster gebildet werden durch Verwenden von Opferpolymerkügelchen, gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und16 bis19 sind Querschnittsansichten des in15 dargestellten Verfahrens zum Herstellen eines Substrates, bei dem Muster gebildet werden. - Bezug nehmend auf die
15 bis19 wird zunächst eine provisorische Struktur1120 eingerichtet auf einem Substrat1110 , um so einen Mikro-Kanal1130 , wie in16 dargestellt, zu bilden (S1010). Das Substrat1110 kann ausgebildet sein aus entweder Saphir oder Lithium-Aluminium-Oxid (LiAlO2) oder Magnesiumoxid (MgO). Die vorläufige Struktur1120 kann gebildet werden aus PDMS. In diesem Fall kann der Mikro-Kanal1130 derart gebildet werden, dass eine Kügelchenmischung aus einer Mehrzahl von Polymerkügelchen1140 und einer Mehrzahl von Oxidkügelchen1150 , die später beschrieben werden wird, als eine Monoschicht angeordnet werden kann. Wenn der Mikro-Kanal1130 mit einer Größe gebildet wird, bei der die Kügelchenmischung der Polymerkügelchen1140 und der Oxidkügelchen1150 als zwei oder mehr Lagen angeordnet werden können, kann das in2 gezeigte Substrat10 nicht leicht hergestellt werden, und die Polymerkügelchen1140 können nicht leicht entfernt werden bei einem Verfahrensschritt, der später beschrieben werden wird. Damit kann die vorläufige Struktur1120 derart eingerichtet werden, dass sie etwas größer ist als die Größe der Kügelchenmischung von Polymerkügelchen1140 und der Oxidkügelchen1150 , so dass die Kügelchenmischung der Polymerkügelchen1140 und der Oxidkügelchen1140 als eine Monolage auf den Mikro-Kanal1130 angeordnet werden kann. - Als nächstes wird die Kügelchenmischung gebildet durch Mischen der Oxidkügelchen
1150 und der Polymerkügelchen1140 (S1020). Der Brechungsindex jedes der Oxidkügelchen1150 ist 1,2 bis 2,0, und jedes der Oxidkügelchen ist ausgebildet aus zumindest einem Ausgewählten aus der aus SiO2, Al2O3, TiO2, ZrO2, Y2O3-ZrO2, CuO, Cu2O, Ta2O5, PZT(Pb(Zr, Ti)O3), Nb2O5, Fe3O4, Fe2O3, und GeO2 bestehenden Gruppe. Die Oxidkügelchen 1150 können rund sein, und der Durchmesser jedes der Oxidkügelchen ist 0,1 bis 10 μm. - Als nächstes wird die Kügelchenmischung der Polymerkügelchen
1140 und der Oxidkügelchen1150 in den Mikro-Kanal1130 injiziert (S1030). Wenn die Kügelchenmischung der Polymerkügelchen1140 und der Oxidkügelchen1150 zufällig in den Mikro-Kanal1130 angeordnet ist, wie in17 dargestellt ist, wird die vorläufige Struktur1120 entfernt. - Als nächstes werden die Polymerkügelchen
1140 entfernt (S1040). Wenn die vorläufige Struktur1120 entfernt ist, werden die Polymerkügelchen1140 durch Verwenden eines Plasmaverfahrens entfernt, wie in18 dargestellt ist, nur die Oxidkügelchen1150 verbleiben auf dem Substrat1110 . Ein Chlor (Cl) enthaltendes Plasmagas kann verwendet werden zum Entfernen der Polymerkügelchen1140 . - Zuletzt wird das Substrat
1110 thermisch bearbeitet, wodurch die Oxidkügelchen1150 an das Substrat1110 gebunden werden (S1050). Das Substrat1110 wird thermisch bearbeitet zwischen 500°C und 1400°C und kann thermisch bearbeitet werden zwischen 800°C und 1200°C. Wenn das Substrat1110 auf diese Art und Weise thermisch bearbeitet ist, sind, wie in19 dargestellt, die Oxidkügelchen1150 an das Substrat1110 gebunden, wodurch das Substrat1110 hergestellt wird, bei dem die Oxidkügelchen-Muster1160 ausgebildet sind. - Wenn das Substrat
1110 durch Verwenden des in15 gezeigten Verfahrens hergestellt wird, kann wie bei dem Verfahren aus den3 und9 das Substrat1110 mit guter Lichtauskopplungseffizienz hergestellt werden. - Wie oben beschrieben, können bei dem Verfahren zum Herstellen des Substrates gemäß der vorliegenden Erfindung eine Mehrzahl von kostengünstigen Kügelchen als Muster mit einer gewünschten Form auf ein Substrat aufgebracht werden, so dass während eines Trockätzens in dem Substrat auftretende Schäden vermieden werden können und ein Ätzprozess nicht durchgeführt wird, so dass eine Ausbeute einer Vorrichtung nicht verringert wird und Massenproduktion der Vorrichtung zunimmt. Zusätzlich wird ein teures Gerät zum Trockenätzen nicht benötigt, so dass das Verfahren zum Herstellen des Substrates ökonomisch ist und eine hohe Produktivität erreicht wird, bei der große Mengen an Substraten innerhalb einer kurzen Zeit hergestellt werden.
- Während die Erfindung im Einzelnen gezeigt und beschrieben wurde, mit Bezug auf die beispielhaften Ausführungsformen davon, ist es für Fachleute selbstverständlich, dass verschiedene Abänderungen in der Form und in Details dabei gemacht werden können ohne von der Idee und dem Umfang der vorliegenden Erfindung, wie sie durch die folgenden Ansprüche definiert ist, abzuweichen.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
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- KR 2004-0021801 [0007]
- KR 2004-0049329 [0007]
- Zitierte Nicht-Patentliteratur
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- Silicon processing for the VLSI ear, Bd 1, process technology, S. 574–582 [0008]
Claims (16)
- Verfahren zum Herstellen eines Substrates, bei dem Muster gebildet werden, wobei das Verfahren aufweist: Vorbereiten einer Lösung, in der eine Mehrzahl von Oxidkügelchen dispergiert ist; Bilden von Mustern auf einem Substrat; Einrichten einer vorläufigen Struktur in einem oberen Abschnitt des Substrates, so dass ein Mikro-Kanal auf dem Substrat gebildet wird; Injizieren der Lösung, in der die Oxidkügelchen dispergiert sind, in den Mikro-Kanal und Fixieren der Oxidkügelchen an dem Substrat; und thermisches Bearbeiten des Substrates.
- Verfahren zum Herstellen eines Substrates, bei dem Muster gebildet werden, wobei das Verfahren aufweist: Vorbereiten einer Lösung, in der eine Mehrzahl von Oxidkügelchen dispergiert ist; Bilden von Mustern auf einem Substrat; Durchführen eines Verfahrens des Eintauchens des Substrates, bei dem die Mehrzahl von Muster gebildet sind, in eine Lösung, in der die Oxidkügelchen dispergiert sind, und eines Verfahrens des Herausnehmens des Substrates aus der Lösung zumindest einmal und Fixieren der Oxidkügelchen an dem Substrat; und thermisches Bearbeiten des Substrates.
- Verfahren zum Herstellen eines Substrates, bei dem Muster gebildet werden, wobei das Verfahren aufweist: Einrichten einer vorläufigen Struktur in einen oberen Abschnitt eines Substrates, so dass ein Mikro-Kanal auf dem Substrat gebildet wird; Bilden einer Kügelchenmischung durch Mischen einer Mehrzahl von Oxidkügelchen und einer Mehrzahl von Polymerkügelchen; Injizieren der Kügelchenmischung in den Mikro-Kanal und Anordnen der Oxidkügelchen und der Polymerkügelchen auf dem Substrat; Trennen der vorläufigen Struktur von dem Substrat; Entfernen der Polymerkügelchen; und thermisches Bearbeiten des Substrates.
- Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Substrat ausgebildet ist aus entweder Saphir oder Litium-Aluminium-Oxid (LiAlO2) oder Magnesiumoxid (MgO).
- Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, wobei ein Brechungsindex jedes der Oxidkügelchen gleich 1,2 bis 2,0 ist.
- Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, wobei jedes der Oxidkülgelchen ausgebildet ist aus zumindest einem Ausgewählten von der aus SiO2, Al2O3, TiO2, ZrO2, Y2O3-ZrO2, CuO, Cu2O, Ta2O5, PZT(Pb(Zr, Ti)O3), Nb2O5, Fe3O4, Fe2O3, und GeO2 bestehenden Gruppe.
- Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Oxidkügelchen rund sind.
- Verfahren, wobei ein Durchmesser der Oxidkügelchen gleich 0,1 bis 10 μm ist.
- Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das thermische Bearbeiten des Substrates zwischen 500°C bis 1400°C durchgeführt wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Injizieren der Lösung, in der die Oxidkügelchen dispergiert sind, in den Mikro-Kanal das abwechselnde Injizieren der Lösung, in der die Oxidkügelchen dispergiert sind, und von Luft umfasst.
- Verfahren nach Anspruch 3, wobei das Entfernen der Polymerkügelchen durchgeführt wird durch Verwenden eines Plasmas.
- Verfahren nach Anspruch 1 oder 3, wobei die vorläufige Struktur aus Polydimethylsiloxan (PDMS) gebildet wird.
- Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Muster aus einem Resist gebildete physikalische Unebenheiten sind.
- Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Musteroberflächen Oberflächenenergiemuster sind.
- Verfahren nach Anspruch 14, wobei die Oberflächenenergiemuster hydrophobe oder hydrophile Muster sind.
- Verfahren nach Anspruch 3, wobei das Einrichten der vorläufigen Struktur in den oberen Abschnitt des Substrates, so dass der Mikro-Kanal auf dem Substrat gebildet wird, das Einrichten der vorläufigen Struktur derart aufweist, dass die Oxidkügelchen und die Polymerkügelchen als eine Monolage angeordnet werden.
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KR102114305B1 (ko) * | 2013-11-13 | 2020-05-22 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 및 발광소자 제조방법 |
JP2018110137A (ja) * | 2015-03-19 | 2018-07-12 | アダマンド並木精密宝石株式会社 | 基板とその製造方法、及び発光素子とその製造方法、及びその基板又は発光素子を有する装置 |
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040021801A (ko) | 2002-09-04 | 2004-03-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 화상표시장치 |
KR20040049329A (ko) | 2002-12-03 | 2004-06-12 | 현대자동차주식회사 | 배기가스 열교환 장치 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2898725B2 (ja) * | 1990-09-03 | 1999-06-02 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
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US6143580A (en) | 1999-02-17 | 2000-11-07 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a mask pattern and methods of forming a field emitter tip mask |
JP3921917B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2007-05-30 | セイコーエプソン株式会社 | 微細構造体の製造方法 |
KR100568297B1 (ko) | 2004-03-30 | 2006-04-05 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
JP2005302321A (ja) | 2004-04-06 | 2005-10-27 | Bridgestone Corp | 金属酸化物半導体膜の形成方法、色素増感型金属酸化物半導体電極及び色素増感型太陽電池 |
KR100586973B1 (ko) | 2004-06-29 | 2006-06-08 | 삼성전기주식회사 | 돌기부가 형성된 기판을 구비한 질화물 반도체 발광소자 |
JP2006222288A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Toshiba Corp | 白色led及びその製造方法 |
JP2007141885A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-06-07 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及び電子機器 |
KR20070063731A (ko) * | 2005-12-15 | 2007-06-20 | 엘지전자 주식회사 | 나노 패턴이 형성된 기판의 제조방법 및 그 기판을 이용한발광소자 |
KR20070113762A (ko) * | 2006-05-26 | 2007-11-29 | 삼성전자주식회사 | 모세관력을 이용한 나노입자 배열 방법 및 그에 의해서제조된 나노입자 어레이 |
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-
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040021801A (ko) | 2002-09-04 | 2004-03-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 화상표시장치 |
KR20040049329A (ko) | 2002-12-03 | 2004-06-12 | 현대자동차주식회사 | 배기가스 열교환 장치 |
Non-Patent Citations (1)
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