KR102114305B1 - 발광 소자 및 발광소자 제조방법 - Google Patents

발광 소자 및 발광소자 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자는 유기물과 무기물의 혼성 구조를 가지는 혼성입자를 이용하여 형성된 광추출패턴을 구비하는 기판; 및 상기 기판 상에 배치되고, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광구조물;을 포함한다.

Description

발광 소자 및 발광소자 제조방법{A light emitting device and a fabrication method thereof}
실시예는 발광 소자 및 그를 제조하는 제조방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 광의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모컨, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고 있으며, 점차 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.
발광소자는 순방향전압 인가시 n층의 전자(electron)와 p층의 정공(hole)이 결합하여 전도대(Conduction band)와 가전대(Valance band)의 에너지 갭에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며, 빛의 형태로 발산되면 LED가 되는 것이다.
질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.
발광소자는 그 내부에서 광에너지가 열에너지로 변하지 않고 외부로 추출되는 것이 중요한 이슈일 수 있다. 따라서, 발광소자를 형성하는 물질의 광투과도 및 층간의 굴절율 차이에 대한 연구가 중요한 실정이다.
발광소자 패키지는 발광소자를 기판 상에 제작하고, 절단(sawing)공정인 다이 분리(dieseparation)를 통해 발광소자 칩을 분리한 후, 발광소자 칩을 패키지 몸체(package body)에 다이 본딩(diebonding)하고 와이어 본딩(wire bonding), 몰딩(molding)을 진행 후 테스트를 진행할 수 있다.
본 발명의 실시예는 유기물과 무기물의 혼성 구조를 가지는 혼성입자를 이용하여 기판에 광추출패턴을 구비하여 광추출효율을 향상시킨 발광소자를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자는 유기물과 무기물의 혼성 구조를 가지는 혼성입자를 이용하여 형성된 광추출패턴을 구비하는 기판; 및 상기 기판 상에 배치되고, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광구조물;을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 제조방법은 유기물과 무기물의 혼성 구조를 가지는 혼성입자를 무극성 용액에 분산시켜 분산용액을 제조하는 단계; 기판을 친수성 용액의 내부에 배치하는 단계; 상기 분산용액을 상기 친수성 용액에 첨가하는 단계; 및 상기 혼성입자를 상기 기판 상에 배치시키는 단계;를 포함한다.
본 발명의 여러 실시예의 발광소자 및 발광소자 패키지는 다음과 같은 효과가 하나 혹은 그 이상 있다.
일 실시예에 따른 발광소자 및 발광소자 제조방법은 유기물과 무기물의 혼성구조를 가지는 혼성입자를 사용하여 기판의 광추출패턴을 균일하게 형성하여 광추출효율을 극대화할 수 있다.
일 실시예에 따른 발광소자 및 발광소자 제조방법은 유기물과 무기물의 혼성구조를 가지는 혼성입자가 기판의 광추출패턴 상에 배치되어, 광추출효율이 향상될 수 있다.
일 실시예에 따른 발광소자 제조방법은 무극성 용액에 혼성입자를 분산시켜, 기판 상에 혼성입자가 고르게 자리잡도록 할 수 있다.
일 실시예에 따른 발광소자 제조방법은 양쪽 친매성 용액을 친수성 용액 상에 첨가하여, 혼성입자가 기판 상에 배치되는 정도를 높일 수 있다.
도 1 은 일 실시예에 따른 발광소자 제조방법을 도시한 순서도,
도 2 내지 도 5 는 일 실시예에 따른 발광소자 제조방법을 순서대로 도시한 도면,
도 6 은 일 실시예에 따른 발광소자 제조방법의 혼성입자의 배치상태를 도시한 도면,
도 7 은 일 실시예에 따른 발광소자의 기판을 도시한 단면도,
도 8 은 일 실시예에 따른 발광소자의 기판 상의 광추출패턴을 도시한 도면,
도 9 및 도 10 은 일 실시예에 다른 발광소자를 도시한 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다.
또한, 실시예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.
이하에서는 도면을 참조하여 실시예를 보다 상세하게 설명한다.
도 1 은 일 실시예에 따른 발광소자 제조방법을 도시한 순서도이고, 도 2 내지 도 5 는 일 실시예에 따른 발광소자 제조방법을 순서대로 도시한 도면이고,다.
도 1 을 참조하면, 일 실시예에 따른 발광소자 제조방법은 유기물과 무기물의 혼성 구조를 가지는 혼성입자를 무극성 용액에 분산시켜 분산용액을 제조하는 단계(S410), 기판을 친수성 용액의 내부에 배치하는 단계(S420), 분산용액을 친수성 용액에 첨가하는 단계(S430) 및 혼성입자를 기판 상에 배치시키는 단계(S440)를 포함할 수 있다.
도 2 를 참조하면, 일 실시예의 발광소자 제조방법은 유기물과 무기물을 혼성구조를 가지는 혼성입자를 무극성 용액에 분산시킬 수 있다.
상기 혼성입자(10)는 실리콘(Si)을 포함할 수 있다. 혼성입자(10)는 실리콘을 기반으로 한 유기물과 무기물의 혼성구조일 수 있다. 혼성입자(10)는 실리콘을 함유하는 무기물의 유도체에 유기물을 혼합한 형태일 수 있다.
혼성입자(10)는 크기가 10nm 내지 10㎛ 일 수 있다. 혼성입자(10)는 크기가 10nm 이하인 경우, 기판(110)을 식각하여 형성되는 패턴의 크기가 너무 작아 광추출효율을 높이기 위한 효과가 저감될 수 있고, 10㎛ 이상인 경우에는 기판(110) 상의 패턴의 양이 너무 적어 광추출효율 증가폭이 적을 수 있다.
혼성입자(10)는 예를 들어, 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane) 또는 폴리메틸실세스퀴옥산(Polymethylsilsesquioxane)일 수 있다. 혼성입자(10)는 구형일 수 있다. 유기물과 무기물의 혼성구조인 혼성입자(10)를 마스크로 사용하여 기판(110)을 식각하는 경우, 건식식각이 가능하여 광추출 패턴을 고르게 만들 수 있어, 광추출효율을 극대화할 수 있다. 혼성입자(10)는 구 형태일 수 있다.
유기물과 무기물의 혼성 구조를 가지는 혼성입자를 무극성 용액에 분산시켜 분산용액을 제조하는 단계(S410)는 혼성입자(10)와 무극성 용액을 혼합할 수 있다. 혼성입자(10)는 무극성 용액(20)에 분산할 수 있다.
무극성 용액(20)은 물보다 밀도가 낮은 물질일 수 있다. 무극성 용액(20)은 휘발성을 가지는 용액일 수 있다. 무극성 용액(20)은 에탄올, 메탄올, 이소프로필알콜, 헥산 또는 부탄올 등일 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.
도 3 을 참조하면, 일 실시예의 발광소자 제조방법은 기판(110)을 친수성 용액(30)의 내부에 배치하는 단계(S420) 및 분산용액을 친수성 용액에 첨가하는 단계(S430)를 포함할 수 있다.
기판(110)은 발광소자를 성장시키는 토대일 수 있다. 기판(110)은 광 투과성을 가질 수 있다. 기판(110)은 실리콘(Si), 사파이어(Al2O3), 게르마늄(Ge), 비소화갈륨(GaAs), 산화아연(ZnO), 실리콘카바이드(SiC), 실리콘게르마늄(SiGe), 질화갈륨(GaN) 또는 갈륨(Ⅲ)옥사이드(Ga2O3) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.
친수성 용액(30)은 예를 들어, 물일 수 있다. 기판(110)은 친수성 용액(30) 내에 배치될 수 있다.
분산용액을 친수성 용액에 첨가하는 단계(S430)는, 혼성입자(10)를 포함하는 분산용액을 친수성 용액 상에 첨가할 수 있다. 분산용액은 친수성 용액(30) 상에 부유할 수 있다. 혼성입자(10)는 소수성일 수 있다. 소수성을 가지는 혼성입자(10)는 친수성 용액(30) 상에 부유할 수 있다.
분산용액을 친수성 용액(30)에 첨가하는 단계(S430)는, 분산용액을 단분자층으로 친수성 용액 상에 부유시킬 수 있다.
일 실시예의 발광소자 제조방법은 혼성입자를 기판 상에 배치시키는 단계(S440)를 포함할 수 있다.
혼성입자(10)를 기판 상에 배치시키는 단계(S440)는 분산용액의 무극성 용매가 휘발되도록 할 수 있다. 분산용액 중의 무극성 용매는 휘발되면서, 혼성입자(10)는 친수성 용액(30) 상에 단분자층(HCP : Hexagonal Close Packed) 형태로 부유할 수 있다.
혼성입자(10)를 기판 상에 배치시키는 단계(S440)는 양쪽 친매성 용액(40)을 친수성 용액(30) 상에 첨가할 수 있다. 양쪽 친매성 용액(40)을 친수성 용액(30) 상에 첨가하는 경우, 양쪽 친매성 용액(40)이 혼성입자(10)를 기판(110)과 수직적으로 중첩하는 부분으로 집중되도록 할 수 있다.
도 5 를 참조하면, 혼성입자(10)를 기판 상에 배치시키는 단계(S440)는 친수성 용액을 제거할 수 있다.
혼성입자(10)를 기판 상에 배치시키는 단계(S440)는 혼성입자(10)들이 기판(110)과 수직적으로 중첩하는 위치에 집중된 상태에서 친수성 용액을 제거할 수 있다.
혼성입자(10)를 기판 상에 배치시키는 단계(S440)는 혼성입자(10)들이 친수성 용액이 제거됨에 따라, 점차 기판(110)과 가까워지다가, 최종적으로 기판(110)의 상면에 고르게 배치될 수 있다.
일 실시예의 발광소자 제조방법은 혼성입자(10)가 상면에 배치된 기판(110)을 열처리하는 단계(S450)를 더 포함할 수 있다. 혼성입자(10)가 상면에 배치된 기판(110)을 열처리하여, 혼성입자(10)를 기판(110) 상에 고정시킬 수 있다.
도 7 은 일 실시예에 따른 발광소자의 기판을 도시한 단면도이다.
기판(110)은 혼성입자(10)가 상면에 배치된 상태에서 식각될 수 있다.
광추출패턴(112)은 기판(110)의 상면이 식각되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 혼성입자(10)를 마스크로 이용하여, 건식식각될 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 상면에 혼성입자(10)를 구비한 상태에서 플라즈마 건식식각될 수 있다. 예를 들어, 건식 식각의 방법은 스퍼터 식각, 반응성 라디칼 식각, 이온 식각의 방법 중 하나일 수 있다.
건식 식각의 방법은 평행 평판 전극을 이용하여 플라즈마를 발생시키고, 기판(110)을 접지 전극 상에 배치하여 라디칼을 이용하여 식각을 할 수 있다. 이온 식각의 경우, 전자와 이온간 이동도의 차이로 인해 기판이 위치한 전극 쪽에 셀프 바이어스가 형성될 수 있다. 기판(110)은 플라즈마 내 이온이 가속되어 전극 쪽으로 끌려와 식각될 수 있다. 기판(110)은 이방성으로 식각될 수 있다.
기판(110)은 상면이 식각되어, 광추출패턴(112)을 구비할 수 있다. 광추출패턴(112)은 기판(110)의 평탄하지 않는 상면으로서, 텍스쳐(texture) 패턴, 요철 패턴, 평탄하지 않는 패턴(uneven pattern) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나 이에 한정하지 아니한다.
도 8 은 일 실시예에 따른 발광소자의 기판 상의 광추출패턴(112)을 도시한 도면이다. 도 8 을 참조하면, 상기의 방법으로 기판(110)의 상면에 광추출패턴(112)이 고르게 형성됨을 확인할 수 있다.
도 9 및 도 10 은 일 실시예에 다른 발광소자를 도시한 단면도이다.
도 9 을 참조하면, 일 실시예의 발광소자는 기판(110) 상에 배치되는 발광구조물(130)을 포함할 수 있다.
광추출패턴(112) 상에는 버퍼층(120)이 배치될 수 있다. 광추출패턴(112)은 발광구조물(130)과 대향하는 면에 구비될 수 있다. 다른 실시예의 경우, 광추출패턴(112)은 기판(110)의 하면에 구비될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 예를 들어, 광추출패턴(112)은 기판(110)의 상면과 하면 양면에 구비될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.
기판(110)의 상면에 버퍼층(120)을 구비할 수 있다. 버퍼층(120)은 기판(110)의 광추출패턴(112) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(120)은 기판(110)과 발광구조물(130) 사이에 배치될 수 있다.
버퍼층(120)은 기판(110)과 발광구조물(130) 사이의 격자 상수 및 열 팽창 계수의 차이로 인해 발생하는 발광구조물(130)의 결정결함(dislocation)을 최소화할 수 있다.
예를 들어, 버퍼층(120)은 InN, AlN, AlInN, AlGaN 등을 포함하는 적어도 하나의 층을 포함할 수 있다. 버퍼층(120)은 상기의 물질을 포함한 복수 개의 층으로 형성될 수 있다. 버퍼층(120)은 높이에 따라서, In 또는 Al 의 함량이 변화될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.
발광구조물(130)은 버퍼층(120) 상에 배치될 수 있다. 발광구조물(130)은 제1 반도체층(132), 활성층(134) 및 제2 반도체층(136)을 포함할 수 있고, 제1 반도체층(132)과 제2 반도체층(136) 사이에 활성층(134)이 개재된 구성으로 이루어질 수 있다.
제1 반도체층(132)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 상기 n형 반도체층은 예컨데, InxAlyGa1-x-yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN(Gallium nitride), AlN(Aluminium nitride), AlGaN(Aluminium gallium nitride), InGaN(Indium gallium nitride), InN(Indium nitride), InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있다. 제1 반도체층(132)은 예를 들어, 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 셀레늄(Se), 텔루늄(Te)과 같은 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
활성층(134)은 제1 반도체층(132) 상에 형성될 수 있다. 활성층(134)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 단일 또는 다중 양자 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다.
활성층(134)이 양자우물구조로 형성된 경우 예컨데, InxAlyGa1 -x- yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1 -a- bN (0=a=1, 0=b=1, 0=a+b=1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 갖을 수 있다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 작은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
활성층(134)의 위 또는/및 아래에는 도전성 클래드층(미도시)이 형성될 수 있고, 상기 도전성 클래드층(미도시)은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 활성층(134)의 밴드 갭보다는 큰 밴드 갭을 가질 수 있다.
제2 반도체층(136)은 활성층(134) 상에 형성될 수 있다. 제2 반도체층(136)은 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 제2 반도체층(136)은 InxAlyGa1-x-yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN(Gallium nitride), AlN(Aluminium nitride), AlGaN(Aluminium gallium nitride), InGaN(Indium gallium nitride), InN(Indium nitride), InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba) 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
제1 반도체층(132), 활성층(134) 및 제2 반도체층(136)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
발광구조물(130)은 제1 반도체층(132) 및 제2 반도체층(136) 내의 도전형 도펀트의 도핑 농도가 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 발광구조물(130)의 층간구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지 아니한다.
기판(110)의 광추출패턴(112)은 발광구조물(130)에서 발생된 빛이 외부로 방출되는 정도를 높일 수 있다. 광추출패턴(112)은 규칙적이고, 크기가 고르게 형성될수록 발광소자의 광추출효율을 높일 수 있다. 본 발명의 일 실시예의 발광소자는 유기물과 무기물의 혼성입자를 마스크로 사용하여 기판(110) 상에 광추출패턴을 형성하여, 기존보다 규칙적이고 크기가 고른 광추출패턴(112)을 구비할 수 있다.
도 10 을 참조하면, 일 실시예의 발광소자는 기판(110)상에는 혼성입자를 포함하는 파티클(140)을 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 파티클(140)은 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane) 또는 폴리메틸실세스퀴옥산(Polymethylsilsesquioxane)을 포함할 수 있다.
파티클(140)은 구 형태의 혼성입자를 포함할 수 있다. 파티클(140)은 광추출패턴(112)과 접하도록 배치될 수 있다. 파티클(140)은 광추출패턴(112)의 요철에서 철부에 위치할 수 있다. 예를 들어, 파티클(140)은 광추출패턴(112)의 돌출된 부분의 상부에 배치될 수 있다.
도 9 및 도 10 에서 발광소자는 수평형 형태로 도시되었으나, 이에 한정하지 아니하며, 유기물과 무기물 혼성입자로 광추출패턴을 형성한 발광소자는 그 전기 단자들이 모두 상부 면에 형성된 수평형 타입(Horizontal type) 뿐 만 아니라, 상, 하부 면에 형성된 수직형 타입(Vertical type), 또는 플립 칩 모두에 적용 가능하다.
상기 실시예에서 발광소자는 발광구조물이 파란색 파장의 빛을 발광하는 블루 엘이디로 설명되었으나, 이에 한정하지 아니하고, 발광소자는 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 발광 소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
실시예에 따른 발광소자는 형광체와 함께 활용될 수 있다. 발광소자는 발광구조물에서 방출하는 빛을 여기하여 다른 파장의 빛을 방출하는 형광체를 더 포함할 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 형광체(미도시)는 YAG계, TAG계, 황화물계, 실리케이트계, 알루미네이트계, 질화물계, 카바이드계, 니트리도실리케이트계, 붕산염계, 불화물계, 인산염계 등의 공지된 것일 수 있으나, 어느 하나의 종류에 한정하지 아니한다.
실시예에 따른 발광소자는 상기한 바와 같이 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
이상에서는 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다
10 : 혼성입자
20 : 무극성 용매
30 : 친수성 용액
40 : 양쪽 친매성 용액
110 : 기판
120 : 버퍼층
130 : 발광구조물
170 : 확산제한층

Claims (15)

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  8. 유기물과 무기물의 혼성 구조를 가지는 혼성입자를 무극성 용액에 분산시켜 분산용액을 제조하는 단계;
    기판을 친수성 용액의 내부에 배치하는 단계;
    상기 분산용액을 상기 친수성 용액에 첨가하는 단계; 및
    상기 혼성입자를 상기 기판 상에 배치시키는 단계;를 포함하는 발광소자 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 분산용액을 상기 친수성 용액에 첨가하는 단계;는,
    상기 분산용액을 상기 친수성 용액 상에 부유시키는 발광소자 제조방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 분산용액을 상기 친수성 용액에 첨가하는 단계;는,
    상기 분산용액을 단분자층으로 상기 친수성 용액 상에 부유시키는 발광소자 제조방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 혼성입자를 상기 기판 상에 배치시키는 단계;는,
    상기 혼성입자를 상기 기판과 수직적으로 중첩하도록 하기 위하여, 상기 친수성 용액 상에 양쪽 친매성 용액을 첨가하는 발광소자 제조방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 혼성입자를 상기 기판 상에 배치시키는 단계;는,
    상기 친수성 용액을 제거하는 발광소자 제조방법.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 혼성입자가 상면에 배치된 상기 기판을 열처리하는 단계;를 더 포함하는 발광소자 제조방법.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 혼성입자가 상면에 배치된 상기 기판을 플라즈마 건식식각하는 단계;를 더 포함하는 발광소자 제조방법.
  15. 제8항에 있어서,
    상기 무극성 용액은 에틸알콜, 이소프로필알콜, 메탄올, 헥산 또는 부탄올인 발광소자 제조방법.
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