JP5592479B2 - パターンが形成された基板の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 138
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 77
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 47
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims description 88
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 11
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 7
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 4
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 claims description 4
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 4
- YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N lithium aluminate Chemical compound [Li+].[O-][Al]=O YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 7
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 6
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
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Claims (15)
- 酸化物ビードが分散された溶液を用意する段階と、
基板上にパターンを形成する段階と、
前記基板上にマイクロチャネルが形成されるように仮設構造物を前記基板の上方に設ける段階と、
前記酸化物ビードが分散された溶液を前記マイクロチャネルに注入して、前記基板上に前記酸化物ビードを固定させる段階と、
前記基板を熱処理する段階と、を含むことを特徴とするパターンが形成された基板の製造方法。 - 基板上にマイクロチャネルが形成されるように、仮設構造物を前記基板の上方に設ける段階と、
酸化物ビードとポリマービードとを混合してビード混合物を形成する段階と、
前記ビード混合物を前記マイクロチャネルに注入して、前記基板上に前記酸化物ビードと前記ポリマービードとを組立てる段階と、
前記仮設構造物を前記基板から分離する段階と、
前記ポリマービードを除去する段階と、
前記基板を熱処理する段階と、を含むことを特徴とするパターンが形成された基板の製造方法。 - 前記基板は、サファイア、リチウムアルミニウム酸化物及びマグネシウム酸化物のうちいずれか一つであることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターンが形成された基板の製造方法。
- 前記酸化物ビードの屈折率は1.2ないし2.0であることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターンが形成された基板の製造方法。
- 前記酸化物ビードは、SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、Y2O3−ZrO2、CuO、Cu2O、Ta2O5、PZT(Pb(Zr、Ti)O3)、Nb2O5、Fe3O4、Fe2O3及びGeO2から選択された1種以上からなることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターンが形成された基板の製造方法。
- 前記酸化物ビードは球形であることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターンが形成された基板の製造方法。
- 前記酸化物ビードの直径は0.1ないし10μmであることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターンが形成された基板の製造方法。
- 前記基板を熱処理する段階は、500ないし1400℃の範囲で行われることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターンが形成された基板の製造方法。
- 前記酸化物ビードが分散された溶液を前記マイクロチャネルに注入する段階は、
前記酸化物ビードが分散された溶液とガスとを交互に注入することを特徴とする請求項1に記載のパターンが形成された基板の製造方法。 - 前記ポリマービードを除去する段階は、プラズマを利用することを特徴とする請求項2に記載のパターンが形成された基板の製造方法。
- 前記仮設構造物は、PDMSからなることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターンが形成された基板の製造方法。
- 前記パターンは、レジストによる物理的凹凸であることを特徴とする請求項1に記載のパターンが形成された基板の製造方法。
- 前記パターンは、表面エネルギーパターンであることを特徴とする請求項1に記載のパターンが形成された基板の製造方法。
- 前記表面エネルギーパターンは、疎水性または親水性パターンであることを特徴とする請求項13に記載のパターンが形成された基板の製造方法。
- 前記基板上にマイクロチャネルが形成されるように、仮設構造物を前記基板の上方に設ける段階は、
前記酸化物ビードと前記ポリマービードとが一層に組み立てられるように、前記仮設構造物を設けることを特徴とする請求項2に記載のパターンが形成された基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/KR2009/002253 WO2010126177A1 (en) | 2009-04-29 | 2009-04-29 | Method of fabricating substrate where patterns are formed |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012524997A JP2012524997A (ja) | 2012-10-18 |
JP5592479B2 true JP5592479B2 (ja) | 2014-09-17 |
Family
ID=43032309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012507130A Active JP5592479B2 (ja) | 2009-04-29 | 2009-04-29 | パターンが形成された基板の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8936828B2 (ja) |
JP (1) | JP5592479B2 (ja) |
CN (1) | CN102422444B (ja) |
DE (1) | DE112009004715B4 (ja) |
WO (1) | WO2010126177A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201513394A (zh) * | 2013-09-20 | 2015-04-01 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | 基板及其製造方法、發光元件及其製造方法以及具有該基板或發光元件之裝置 |
KR102114305B1 (ko) * | 2013-11-13 | 2020-05-22 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 및 발광소자 제조방법 |
JP2018110137A (ja) * | 2015-03-19 | 2018-07-12 | アダマンド並木精密宝石株式会社 | 基板とその製造方法、及び発光素子とその製造方法、及びその基板又は発光素子を有する装置 |
CN110203878A (zh) * | 2019-05-27 | 2019-09-06 | 东南大学 | 基于亲疏水阵列的单层纳米颗粒二聚体及多聚体制备方法 |
USD989128S1 (en) * | 2020-07-07 | 2023-06-13 | Ironhawk Industrial Distribution LLC | Curb guard |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2898725B2 (ja) | 1990-09-03 | 1999-06-02 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JPH09327881A (ja) | 1996-06-07 | 1997-12-22 | Dairiki:Kk | スタンピングホイル等として使用できる高輝性反射転写箔 |
US6143580A (en) | 1999-02-17 | 2000-11-07 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a mask pattern and methods of forming a field emitter tip mask |
JP3921917B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2007-05-30 | セイコーエプソン株式会社 | 微細構造体の製造方法 |
KR100472508B1 (ko) | 2002-09-04 | 2005-03-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 화상표시장치 |
KR100501281B1 (ko) | 2002-12-03 | 2005-07-18 | 현대자동차주식회사 | 배기가스 열교환 장치 |
KR100568297B1 (ko) | 2004-03-30 | 2006-04-05 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
JP2005302321A (ja) | 2004-04-06 | 2005-10-27 | Bridgestone Corp | 金属酸化物半導体膜の形成方法、色素増感型金属酸化物半導体電極及び色素増感型太陽電池 |
KR100586973B1 (ko) | 2004-06-29 | 2006-06-08 | 삼성전기주식회사 | 돌기부가 형성된 기판을 구비한 질화물 반도체 발광소자 |
JP2006222288A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Toshiba Corp | 白色led及びその製造方法 |
JP2007141885A (ja) | 2005-11-14 | 2007-06-07 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及び電子機器 |
KR20070063731A (ko) | 2005-12-15 | 2007-06-20 | 엘지전자 주식회사 | 나노 패턴이 형성된 기판의 제조방법 및 그 기판을 이용한발광소자 |
KR20070113762A (ko) * | 2006-05-26 | 2007-11-29 | 삼성전자주식회사 | 모세관력을 이용한 나노입자 배열 방법 및 그에 의해서제조된 나노입자 어레이 |
JP2008293609A (ja) | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Fujitsu Ltd | 複製用型の製造方法、ナノホール構造体の製造方法、及び磁気記録媒体の製造方法 |
KR100966367B1 (ko) | 2007-06-15 | 2010-06-28 | 삼성엘이디 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그의 제조방법 |
-
2009
- 2009-04-29 US US13/265,366 patent/US8936828B2/en active Active
- 2009-04-29 DE DE112009004715.7T patent/DE112009004715B4/de active Active
- 2009-04-29 JP JP2012507130A patent/JP5592479B2/ja active Active
- 2009-04-29 CN CN200980158967.XA patent/CN102422444B/zh active Active
- 2009-04-29 WO PCT/KR2009/002253 patent/WO2010126177A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102422444A (zh) | 2012-04-18 |
US8936828B2 (en) | 2015-01-20 |
US20120040087A1 (en) | 2012-02-16 |
DE112009004715B4 (de) | 2019-03-21 |
JP2012524997A (ja) | 2012-10-18 |
CN102422444B (zh) | 2014-11-26 |
DE112009004715T5 (de) | 2012-07-12 |
WO2010126177A1 (en) | 2010-11-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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