TWI387003B - 形成有圖案之基板的製造方法 - Google Patents

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形成有圖案之基板的製造方法
本發明是有關於一種半導體裝置(semiconductor device)的基板及其製造方法，且特別是有關於一種形成有多個圖案之基板以使用其來製造高輸出功率的發光二極體(Light emitting diode，LED)，以及基板的製造方法。
由於使用在手提式通訊裝置(例如手機)、小型家用電器的袖珍型鍵盤(keypad)或是液晶顯示器(liquid crystal display，LCD)的背光單元之低輸出功率的LED，進而使得LED市場得以發展。近幾年，隨著高輸出功率、高效率光源(包括室內照明、室外照明與運輸工具的內外空間)以及大型LCD的背光單元的需求增加，LED市場已將目標置於高輸出功率的產品。
其中，低發光效率(light emitting efficiency)為LED的一大難題。一般而言，發光效率是由下述所決定：產生光的效率(內部量子效率，internal quantum efficiency)、發射光至裝置外部空間的效率(外部光提取效率，external light extracting efficiency)以及利用磷光體(phosphor)來轉換光的效率。重要的是，考慮到內部量子效率而改善主動層(active layer)的特性，藉以生產高輸出功率LED。然而，增加實際上所產生的光之外部光提取效率則更為重要。
將光發射至LED的外部空間的最大阻礙在於由LED 的膜層之間的折射率不同所造成的內部全反射(internal total reflection)。由於LED膜層之間折射率的不同，被激發的光約略20%會被發射至LED膜層之間的介面的外部空間。而沒有被發射至LED膜層之間的介面的外部空間的光則會在LED內部傳遞並且轉換為熱。因此，發光效率降低，而在裝置中所產生之熱的總量會增加，並且會縮短LED的使用期限。
為了改善外部光提取效率，提出了增加P型摻雜的氮化鎵(p-GaN)表面粗糙度或是N型摻雜的氮化鎵(n-GaN)表面粗糙度之方法、將作為裝置底部的基板表面變得粗糙之方法，或是形成曲形圖案之方法。
圖1是LED 14形成於具有圖案12之基板10的橫剖面示意圖。圖2是形成有圖案12之基板10的示意圖。特別的是，使用不同的基板(例如，藍寶石基板)作為圖案12形成於LED 14的基板10時，外部光提取效率會有所改善。
計算形成於藍寶石基板表面上的圖案，使得外部光提取效率增加100%或更多。韓國專利第2004-0021801號以及韓國專利第2004-0049329號揭露了形成於藍寶石基板表面的圖案形狀或是圖案。目前是使用蝕刻來形成圖案的方法。在利用蝕刻來形成圖案的方法中，為了在藍寶石基板上形成半球形(semispherical)圖案，圖案化具有數十微米厚度的厚層光阻(thick layer resist)，然後利用乾式蝕刻(dry etching)來對光阻與藍寶石基板同時進行蝕刻。
在利用蝕刻來形成圖案的方法中，藉由在光阻與基板之間的蝕刻選擇比(etching selectivity)來限制圖案的高度，而由於圖案化厚層光阻的製程以及乾式蝕刻製程的低均勻度(uniformity)，使得最終形成的圖案之均勻度降低。首先，由乾式蝕刻所產生之污染為一大問題。由於在蝕刻期間局部所產生的熱，使得光阻的反應物以及使用於蝕刻的氣體殘留在藍寶石基板的表面，即便是進行清洗製程也無法完全地移除。此外，在進行乾式蝕刻時所使用的高能氣體粒子(請參閱Silicon processing for the VLSI era,vol.1,process technology,p.574-582)，可能會造成基板表面上的損害。當像這樣的污染產生時，倘若進行下一道GaN晶膜成長的製程，則可能會因為上述的污染而使得氮化物磊晶層(nitride epitaxial layer)產生缺陷。由於上述缺點，當使用藉由蝕刻製程而圖案化的藍寶石基板來製造裝置時，可以預料到其產量將會非常低。
如上所述之乾式蝕刻製程，為了發射出當藍寶石被強制蝕刻所產生之額外的熱，因此就需要具有冷卻功能的高價蝕刻設備。為了改善光提取效率，須進行對利用像是步進機(stepper)之高價微影設備所蝕刻之圖案的尺寸予以縮小的製程。因此，當執行上述乾式蝕刻製程時，將使得成本增加。此外，在製程中使用例如步進機之微影設備，由於複雜的程序，使得製程的生產率不易提升。
本發明提供一種形成有圖案之基板的製造方法，藉此 當圖案化基板時，不會因為蝕刻製程所產生之殘留物而造成基板結晶的損害或是裝置特性的降低，並且可大幅增加圖案的均勻度。
本發明提出一種形成有圖案之基板的製造方法，包括：準備散佈有多個氧化物珠粒的溶液；在基板上形成圖案；在基板的上部分設置臨時結構，以在基板上形成微通道；將散佈有氧化物珠粒之溶液注入至微通道，並且將氧化物珠粒固定在基板上；以及熱處理上述基板。
本發明提出另一種形成有圖案之基板的製造方法，包括：準備散佈有多個氧化物珠粒的溶液；在基板上形成圖案；至少一次進行將形成圖案的基板浸入至散佈有氧化物珠粒之溶液中的製程以及自溶液中取出基板的製程，並且將該氧化物珠粒固定在基板上；以及熱處理上述基板。
本發明提出又一種形成有圖案之基板的製造方法，包括：在一基板的上部分設置臨時結構，以在基板上形成微通道；藉由混合多個氧化物珠粒和多個聚合物珠粒而形成珠粒混合物；將珠粒混合物注入至微通道，並且配置氧化物珠粒與聚合物珠粒在基板上；將臨時結構與基板分離；移除聚合物珠粒；以及熱處理上述基板。
【有利的效果】
基於上述，本發明能夠使得多個低價氧化物珠粒圖案化在基板上而形成想要的形狀，進而可避免乾式蝕刻時在基板上所造成的損害；並且，不進行蝕刻製程，則裝置的產量將不會減少進而增加裝置的量產。另外，不需要高價 裝置來進行乾式蝕刻而使得基板的製造方法更經濟，並且能夠達到在短時間內製造大量基板的高生產力。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
以下便搭配圖式來說明本發明據以實施的範例。而本發明可以不同的形式來實施，並不侷限於底下實施例的說明。當然，下述實施例將完善且完整地揭露本發明內容，並且充分地將本發明內容傳達給本領域通常知識者。
圖3是依照本發明一實施例之利用液體的彎液面(meniscus)而形成有圖案之基板的製造方法的流程圖。圖4~圖8是利用圖3所示之方法而形成圖案於基板的橫剖面示意圖。
參照圖3~圖8，首先，準備散佈有多個氧化物珠粒740的溶液750(步驟S610)。各氧化物珠粒740的折射率為1.2至2.0，且各氧化物珠粒740是選自於由SiO2 、Al2 O3 、TiO2 、ZrO2 、Y2 O3 -ZrO2 、CuO、Cu2 O、Ta2 O5 、PZT(Pb(Zr,Ti)O3 )、Nb2 O5 、Fe3 O4 、Fe2 O3 以及GeO2 所組成的族群中至少其中之一所形成。氧化物珠粒740可以是球狀的，且各氧化物珠粒740的直徑為0.1至10微米(μm)。而可以將水作為溶劑以分散這些氧化物珠粒740。
接著，如圖4所示，在基板710上形成圖案720(步驟S620)。基板710可以由藍寶石、氧化鋁鋰(lithium aluminum oxide，LiAlO2 )以及氧化鎂(magnesium oxide， MgO)其中之一所形成。圖案720可以是多個光阻圖案，其是藉由在基板710上鋪上一層光阻層，並且透過在光阻層上進行曝光和顯影製程而形成。透過模擬，可調整各圖案720的密度與尺寸使得出的光輸出效率達到最大。如圖5所示，在基板710上設置臨時結構730，以在基板710上形成微通道725(步驟S630)。而臨時結構730可由聚二甲基矽氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)所形成。
之後，將散佈有氧化物珠粒740之溶液750以及氣體760交替地注入至微通道725(步驟S640)。如圖6所示，倘若散佈有氧化物珠粒740之溶液750和氣體760是交替地注入至微通道725，則由於在基板710上該溶液750與氣體760之間的介面會產生彎液面(meniscus)，因此氧化物珠粒740將會被配置在圖案720之間並且固定在基板710上。如果氧化物珠粒740被固定在基板710上，則停止注入散佈有氧化物珠粒740之溶液750與氣體760，並且移除臨時結構730，如圖7所示。
最後，對基板710進行熱處理(thermally process)，因此這些氧化物珠粒740便會附著於基板710上(步驟S650)。而基板710是在500℃至1400℃之間進行熱處理，並且也可在800℃至1200℃之間進行熱處理。倘若基板710透過此方式來進行熱處理，則形成在基板710上的圖案720將會被移除。如此一來如圖8所示，氧化物珠粒740會附著於基板710上，從而製造出形成有圖案化氧化物珠粒770的基板710。
倘若利用如圖3所示之方法來製造基板710，則將能夠製造出具有良好光提取效率的基板710。
圖9是依照本發明另一實施例之利用液體的彎液面而形成有圖案之基板的製造方法的流程圖。圖10~圖14是利用圖9所示之方法而形成圖案於基板上的橫剖面示意圖。
參照圖9~圖14，首先，準備散佈有多個氧化物珠粒940的溶液930(步驟S810)。各氧化物珠粒940的折射率為1.2至2.0，且各氧化物珠粒940是選自於由SiO2 、Al2 O3 、TiO2 、ZrO2 、Y2 O3 -ZrO2 、CuO、Cu2 O、Ta2 O5 、PZT(Pb(Zr,Ti)O3 )、Nb2 O5 、Fe3 O4 、Fe2 O3 以及GeO2 所組成的族群中至少其中之一所形成。氧化物珠粒940可以是球狀的，且各氧化物珠粒940的直徑為0.1至10微米。而可以將水作為溶劑以分散這些氧化物珠粒740。
接著，如圖10所示，在基板910上形成圖案920(步驟S820)。基板910可以由藍寶石、氧化鋁鋰以及氧化鎂其中之一所形成。圖案920可以是光阻圖案，其是藉由在基板910上鋪上一層光阻層，並且透過在光阻層上進行曝光和顯影製程而形成。透過模擬，可調整各圖案920的密度與尺寸使得出的光輸出效率達到最大。
之後，如圖11與圖12所示，不只一次進行將形成圖案920的基板910浸入至散佈有氧化物珠粒940之溶液930中的製程，以及自溶液930中取出基板910的製程(步驟S830)。倘若將形成有圖案920的基板910浸入至散佈有氧化物珠粒940的溶液930中並將基板910自溶液930中 取出，由於散佈有氧化物珠粒940的溶液930與空氣之間的介面會產生彎液面，則氧化物珠粒940會被配置在圖案920之間並且被固定在基板910的一部分上，此一部分為溶液930(其散佈有氧化物珠粒940)的表面與基板910所接觸之部份。重複進行上述製程，使得各氧化物珠粒940能夠固定在各圖案920之間。
如圖13所示，如果氧化物珠粒940被固定在基板910上，便將基板910自散佈有氧化物珠粒940的溶液930中取出。
最後，對基板910進行熱處理，因此這些氧化物珠粒940便會附著於基板910上(步驟S840)。而基板910是在500℃至1400℃之間進行熱處理，並且也可在800℃至1200℃之間進行熱處理。倘若基板910透過此方式來進行熱處理，則形成在基板910上的圖案920將會被移除。如此一來如圖14所示，氧化物珠粒940會附著於基板910上，從而製造出形成有圖案化氧化物珠粒950的基板910。
倘若利用如圖9所示之方法來製造基板910，則如同圖3之方法，而能夠製造出具有良好光提取效率的基板910。
如上所述，分別形成於基板710和基板910之圖案720和圖案920為由感光性材料所形成的物理性不平坦結構(physical unevenness)。然而，本發明並不限定於此，圖案720和圖案920亦可為疏水(hydrophobic)或親水(hydrophile)的表面能(surface energy)圖案。倘若在步 驟S640或步驟S830中，各氧化物珠粒740與氧化物珠粒940具有親水性質，則氧化物珠粒740與氧化物珠粒940將會只配置於親水圖案而不會配置於疏水圖案。相對地，倘若在步驟S640或步驟S830中，各氧化物珠粒740與氧化物珠粒940具有疏水性質，則氧化物珠粒740與氧化物珠粒940將會只配置於疏水圖案而不會配置於親水圖案。藉此，氧化物珠粒740與氧化物珠粒940可圖案化形成於基板710與基板910上，並且可對基板710與基板910進行如步驟S650或步驟S840的熱處理，進而製造出具有圖案化之氧化物珠粒740與氧化物珠粒940的基板710與基板910。
圖15是依照本發明一實施例之利用犧牲式聚合物珠粒形成有圖案之基板的製造方法的流程圖。圖16~圖19是利用圖15所示之方法而形成圖案於基板的橫剖面示意圖。
參照圖15~圖19，首先，如圖16所示，在基板1100上設置臨時結構1120以形成微通道1130(步驟S1010)。基板1010可以由藍寶石、氧化鋁鋰(LiAlO2 )以及氧化鎂(MgO)其中之一所形成。而臨時結構1120可由PDMS所形成。在此情況下可形成微通道1130，使得多個聚合物珠粒1140與多個氧化物珠粒1150混合的珠粒混合物(將於之後進行描述)能夠被配置作為單一層。假設微通道1130所形成的尺寸能夠配置以聚合物珠粒1140與氧化物珠粒1150所混合的珠粒混合物為兩層以上，則不易製造出如圖2所示的基板10，且不易移除聚合物珠粒1140(其操作將 於之後詳述)。因此，臨時結構1120可設置為比珠粒混合物(包括聚合物珠粒1140與氧化物珠粒1150)的尺寸稍微大一點的尺寸，使得珠粒混合物能夠配置在微通道1130的同一層。
接著，藉由混合多個氧化物珠粒1150和多個聚合物珠粒1140而形成珠粒混合物(步驟S1020)。各氧化物珠粒1150的折射率為1.2至2.0，且各氧化物珠粒1150是選自於由SiO2 、Al2 O3 、TiO2 、ZrO2 、Y2 O3 -ZrO2 、CuO、Cu2 O、Ta2 O5 、PZT(Pb(Zr,Ti)O3 )、Nb2 O5 、Fe3 O4 、Fe2 O3 以及GeO2 所組成的族群中至少其中之一所形成。氧化物珠粒1150可以是球狀的，且各氧化物珠粒1150的直徑為0.1至10微米。
之後，將聚合物珠粒1140與氧化物珠粒1150所混合的珠粒混合物注入至微通道1130(步驟S1030)。如圖17所示，若聚合物珠粒1140與氧化物珠粒1150所混合的珠粒混合物任意地配置於微通道1130上，則移除該臨時結構1120。
然後，移除聚合物珠粒1140(步驟S1040)。如圖18所示，若臨時結構1120已移除，則利用電漿(plasma)將聚合物珠粒1140移除，僅留下氧化物珠粒1150在基板1110上。利用具有氯氣(chlorine，Cl)的氣體電漿能夠將聚合物珠粒140移除。
最後，對基板1110進行熱處理，因此這些氧化物珠粒1150便會附著於基板1110上(步驟S1050)。而基板1110 是在500℃至1400℃之間進行熱處理，並且也可在800℃至1200℃之間進行熱處理。倘若基板1110透過此方式來進行熱處理，如圖19所示，氧化物珠粒1150便會附著於基板1110上，從而製造出形成有圖案化氧化物珠粒1160的基板1110。
倘若利用圖15所示之方法來製造基板1110，則如同於圖3和圖9之方法，而能夠製造出具有良好光提取效率的基板1110。
綜上所述，本發明之基板的製造方法中，能夠使得多個低價氧化物珠粒圖案化在基板上而形成想要的形狀，可避免乾式蝕刻時在基板上所造成的損害。再者，不進行蝕刻製程，裝置的產量將不會減少進而增加裝置的量產。另外，不需要高價裝置來進行乾式蝕刻使得基板的製造方法更經濟，並且能夠達到在短時間內製造大量基板的高生產力。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10、710、910、1110‧‧‧基板
12、720、920‧‧‧圖案
14‧‧‧LED
725、1130‧‧‧微通道
730、1120‧‧‧臨時結構
740、940、1150‧‧‧氧化物珠粒
750、930‧‧‧溶液
760‧‧‧氣體
770、950、1160‧‧‧圖案化氧化物珠粒
1140‧‧‧聚合物珠粒
S610~S650‧‧‧本發明一實施例之利用液體的彎液面而形成有圖案之基板的製造方法之各步驟
S810~S840‧‧‧本發明另一實施例之利用液體的彎液面而形成有圖案之基板的製造方法之各步驟
S1010~S1050‧‧‧本發明一實施例之利用犧牲式聚合物珠粒而形成有圖案之基板的製造方法之各步驟
圖1是LED形成於具有圖案之基板上的橫剖面示意圖。
圖2是形成有圖案之基板的示意圖。
圖3是依照本發明一實施例之利用液體的彎液面而形 成有圖案之基板的製造方法的流程圖。
圖4~圖8是利用圖3所示之方法形成圖案於基板上的橫剖面示意圖。
圖9是依照本發明另一實施例之利用液體的彎液面而形成有圖案之基板的製造方法的流程圖。
圖10~圖14是利用圖9所示之方法而形成圖案於基板上的橫剖面示意圖。
圖15是依照本發明一實施例之利用犧牲式聚合物珠粒形成有圖案之基板的製造方法的流程圖。
圖16~圖19是利用圖15所示之方法形成圖案於基板上的橫剖面示意圖。
S610~S650‧‧‧本發明一實施例之利用液體的彎液面而形成有圖案之基板的製造方法之各步驟

Claims (16)

  1. 一種形成有圖案之基板的製造方法，包括：準備一溶液，該溶液中散佈有多個氧化物珠粒；在一基板上形成多個圖案；在該基板的上部分設置一臨時結構，以在該基板上形成一微通道；將散佈有該些氧化物珠粒之該溶液注入至該微通道，並且將該些氧化物珠粒固定在該基板上；以及熱處理該基板。
  2. 一種形成有圖案之基板的製造方法，包括：準備一溶液，該溶液中散佈有多個氧化物珠粒；在一基板上形成多個圖案；至少一次進行將形成該些圖案的該基板浸入至散佈有該些氧化物珠粒之該溶液中的製程以及自該溶液中取出該基板的製程，並且將該些氧化物珠粒固定在該基板上；以及熱處理該基板。
  3. 一種形成有圖案之基板的製造方法，包括：在一基板的上部分設置一臨時結構，以在該基板上形成一微通道；藉由混合多個氧化物珠粒和多個聚合物珠粒而形成一珠粒混合物；將該珠粒混合物注入至該微通道，並且將該些氧化物珠粒與該些聚合物珠粒配置在該基板上； 將該臨時結構與該基板分離；移除該些聚合物珠粒；以及熱處理該基板。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一所述之形成有圖案之基板的製造方法，其中該基板是由藍寶石、氧化鋁鋰(lithium aluminum oxide，LiAlO2 )以及氧化鎂(magnesium oxide，MgO)其中之一所形成。
  5. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一所述之形成有圖案之基板的製造方法，其中每一該些氧化物珠粒的折射率為1.2至2.0。
  6. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一所述之形成有圖案之基板的製造方法，其中每一該些氧化物珠粒是選自於由SiO2 、Al2 O3 、TiO2 、ZrO2 、Y2 O3 -ZrO2 、CuO、Cu2 O、Ta2 O5 、PZT(Pb(Zr,Ti)O3 )、Nb2 O5 、Fe3 O4 、Fe2 O3 以及GeO2 所組成的族群中至少其中之一所形成。
  7. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一所述之形成有圖案之基板的製造方法，其中該些氧化物珠粒為球狀的。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之形成有圖案之基板的製造方法，其中該些氧化物珠粒的直徑為0.1至10微米(μm)。
  9. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一所述之形成有圖案之基板的製造方法，其中該基板是在500℃至1400℃之間進行熱處理。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之形成有圖案之基板 的製造方法，其中注入包括散開的該些氧化物珠粒之該溶液至該微通道的步驟包括交替注入散佈有該些氧化物珠粒的該溶液與空氣。
  11. 如申請專利範圍第3項所述之形成有圖案之基板的製造方法，其中利用電漿來進行該些聚合物珠粒的移除。
  12. 如申請專利範圍第1項或第3項所述之形成有圖案之基板的製造方法，其中該臨時結構是由聚二甲基矽氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)所形成。
  13. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之形成有圖案之基板的製造方法，其中該些圖案為光阻所形成的物理性不平坦結構。
  14. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之形成有圖案之基板的製造方法，其該些圖案為表面能圖案。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之形成有圖案之基板的製造方法，其中該些表面能圖案為疏水或親水圖案。
  16. 如申請專利範圍第3項所述之形成有圖案之基板的製造方法，其中在該基板的上部分設置該臨時結構，以在該基板上形成該微通道的步驟包括設置該臨時結構使得該些氧化物珠粒與該些聚合物珠粒配置在同一層中。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8980960B2 (en) 2010-07-09 2015-03-17 Evonik Degussa Gmbh Methods for producing a dispersion containing silicon dioxide particles and cationization agent

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060186424A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-24 Akira Fujimoto White LED and manufacturing method therefor
US20070166862A1 (en) * 2005-12-15 2007-07-19 Lg Electronics Inc. Method for fabricating substrate with nano structures, light emitting device and manufacturing method thereof
WO2008035818A1 (en) * 2006-09-21 2008-03-27 Fujirebio Inc. Method and apparatus for producing small structures
TW200847470A (en) * 2007-05-24 2008-12-01 Genesis Photonics Inc A manufacturing method for patterned substrate
US20090001398A1 (en) * 2007-06-15 2009-01-01 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060186424A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-24 Akira Fujimoto White LED and manufacturing method therefor
US20070166862A1 (en) * 2005-12-15 2007-07-19 Lg Electronics Inc. Method for fabricating substrate with nano structures, light emitting device and manufacturing method thereof
WO2008035818A1 (en) * 2006-09-21 2008-03-27 Fujirebio Inc. Method and apparatus for producing small structures
TW200847470A (en) * 2007-05-24 2008-12-01 Genesis Photonics Inc A manufacturing method for patterned substrate
US20090001398A1 (en) * 2007-06-15 2009-01-01 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8980960B2 (en) 2010-07-09 2015-03-17 Evonik Degussa Gmbh Methods for producing a dispersion containing silicon dioxide particles and cationization agent

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