DE112008003378B4 - Plasma-CVD-Vorrichtung - Google Patents

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Abstract

Eine Plasma-CVD-Vorrichtung, aufweisend:eine Kammer (13),eine in der Kammer (13) angeordnete erste Elektrode (14),eine zweite Elektrode (32), die in der Kammer (13) angeordnet ist und die so angeordnet ist, dass sie der ersten Elektrode (14) zugewendet ist,eine Energiequelle (34), die elektrisch mit mindestens einer der ersten Elektrode (14) und der zweiten Elektrode (32) verbunden ist zum Zuführen elektrischer Plasma-Energie,ein Rohmaterialgas-Einleitungsmechanismus zum Einleiten eines Rohmaterialgases in die Kammer (13),eine schichtbildende Behandlungsschablone (8) aufweisend: ein Halteelement (39) zum Halten einer Platte (107) durch Festklemmen der Platte (107) mit einer Durchgangsöffnung in einem Zustand, in dem die Durchgangsöffnung und eine Vorder- und eine Rückfläche der Platte (107) freiliegen; und ein Elektrodenelement (49) mit dem daran befestigten Halteelement (39), undeine Plasmawand (37), die in der Kammer (13) angeordnet ist und um die zwischen der ersten und der zweiten Elektrode (14, 32) angeordnete Platte (107) angeordnet ist, wobeidie Plasmawand (37) mit einem schwebenden Potential (60) verbunden ist,das Elektrodenelement (49) als ein Teil der zweiten Elektrode (32) fungiert, wenn eine dünne Schicht auf der Vorder- und der Rückfläche der durch das Haltelement (39) gehaltenen Platte (107) und einer Innenfläche der Durchgangsöffnung durch ein Plasma-CVD-Verfahren gebildet wird durch elektrisches Anschließen des Elektrodenelements (49) an die zweite Elektrode (32) und durch Anordnen der durch das Haltelement (39) gehaltenen Platte (107) zwischen der ersten Elektrode (14) und der zweiten Elektrode (32).

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Plasma-CVD (Chemical Vapour Deposition - chemische Gasphasenabscheidung) -Vorrichtung, welche die schichtbildende Behandlungsschablone verwendet.
  • Stand der Technik
  • 8 ist eine Querschnittsansicht, die eine übliche Plasma-CVD-Vorrichtung im Überblick darstellt. 9 ist eine Vorderansicht, die eine Lochblende zeigt. Die Lochblende 107 ist eine Komponente zum Verengen eines Elektronenstrahls in einem Elektronenmikroskop. Die in 8 gezeigte Plasma-CVD-Vorrichtung ist eine Vorrichtung zum Bilden einer Metallschicht auf der Oberfläche der Lochblende 107.
  • Wie in 8 gezeigt, weist eine übliche Plasma-CVD-Vorrichtung eine Kammer 101 auf und in der Kammer 101 sind eine Gasdusche-Elektrode 102 als eine obere Elektrode von einem parallelen, flachen Plattentyp und eine untere Elektrode 103 angeordnet. Die Gasdusche-Elektrode 102 ist an eine Rohmaterial-Gasversorgungsquelle 104 angeschlossen. Ferner sind die Gasdusche-Elektrode 102 und die Kammer 101 an das Erdpotential angeschlossen.
  • Auf der unteren Elektrode 103 ist ein Träger angeordnet und auf dem Träger 106 ist die Lochblende 107 angebracht. An die untere Elektrode 103 ist eine Radiofrequenz-Energiequelle 109 (RF-Energiequelle) über eine Anpassungseinheit 108 angeschlossen.
  • Die in 9 gezeigte Lochblende 107 ist ein plattenartiges Element mit einer Dicke von 100 bis 500 pm und hat eine erste Durchgangsöffnung 107a (eine Durchgangsöffnung zur Befestigung) mit einem Durchmesser von ungefähr 2 mm. Ferner ist eine Mehrzahl von zweiten Durchgangsöffnungen (nicht gezeigt) mit einem Durchmesser von ungefähr 2 bis 100 pm auf der Lochblende 107 angeordnet, wobei die zweite Durchgangsöffnung eine Öffnung zum Verengen des Elektronenstrahls in einem Elektronenmikroskop ist. Die Abschnitte, für welche die Bildung der Metallschicht auf der Lochblende 107 erforderlich ist, sind ein Abschnitt nahe der zweiten Durchgangsöffnung auf der Vorder- und der Rückfläche der Lochblende und auf der Innenoberfläche der zweiten Durchgangsöffnung.
  • Ein Verfahren zum Bilden der Metallschicht auf der Lochblende 107 unter Verwendung der obigen üblichen Plasma-CVD-Vorrichtung ist wie folgt ausgestaltet.
  • Auf dem Träger 106, beispielsweise einem Wafer, wird die Lochblende 107 angebracht und der Träger 106 wird auf der unteren Elektrode 103 in der Kammer 101 angeordnet. Anschließend wird ein Rohmaterialgas der Gasdusche-Elektrode 102 von der Rohmaterial-Gasversorgungsquelle 104 zugeführt und das Rohmaterialgas wird von der Gasdusche-Elektrode 102 in Form einer Dusche zur unteren Elektrode 103 hin ausgestoßen. Durch Ausgabe einer Radiofrequenzwelle von der RF-Energiequelle 103 über die Anpassungseinheit 108 an die untere Elektrode 103 wird dann eine Metallschicht auf der Oberfläche der Lochblende 107 und der Innenfläche der zweiten Durchgangsöffnung durch ein Plasma-CVD-Verfahren gebildet.
  • Danach wird der Träger 106 aus der Kammer 101 herausgenommen, die Lochblende 107 wird vom Träger 106 gelöst und so auf dem Träger 106 angeordnet, dass die andere Oberfläche (die Rückfläche) der Lochblende 107 freigelegt ist, und der Träger 106 wird auf der unteren Elektrode 103 in der Kammer 101 angeordnet. Durch das gleiche Verfahren wie das zur Bildung der Metallschicht auf der Vorderfläche der Lochblende 107 wird danach die Metallschicht auf der Rückfläche der Lochblende 107 und auf der Innenfläche der zweiten Durchgangsöffnung gebildet.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Probleme, die von der Erfindung gelöst werden
  • In der oben genannten üblichen Plasma-CVD-Vorrichtung muss im Falle einer Platte, welche eine zweite Durchgangsöffnung mit einem Mikrodurchmesser aufweist, beispielsweise einer Lochblende, eine doppelte Schichtbildungs-Behandlung ausgeführt werden, um eine dünne Schicht auf der Innenfläche der zweiten Durchgangsöffnung und auf einem nahe der zweiten Durchgangsöffnung auf der Vorder- und der Rückfläche der Platte angeordneten Bereich, wie oben beschrieben, auszubilden. Folglich besteht das Problem, dass die Kosten der Schichtbildungs-Behandlung für die Platte groß werden. Ferner wird zwangsläufig eine Grenzschicht zwischen der ersten durch die erste Schichtbildungs-Behandlung gebildeten Metallschicht und der zweiten durch die zweite Schichtbildungs-Behandlung gebildeten Metallschicht gebildet, wenn die doppelte Schichtbildungs-Behandlung ausgeführt wird, und im Ergebnis entsteht gelegentlich das Problem, dass die Ablösung an der Grenzschicht zwischen der ersten Metallschicht und der zweiten Metallschicht auftritt.
  • Auf der anderen Seite besteht ein Vorschlag im Bilden einer Osmiumschicht, wobei diese die Metallschicht ist, auf der Vorder- und der Rückfläche der Lochblende und der Innenfläche der zweiten Durchgangsöffnung. Die Osmiumschicht weist hohe Beständigkeit gegenüber dem Elektronenstrahl auf und daher wird erwartet, dass sie im Vergleich zu anderen Metallschichten hohe Betriebsleistung liefert.
  • In der oben beschriebenen üblichen Plasma-CVD-Vorrichtung von einem parallelen Plattentyp tritt jedoch kaum schweres OsO4-Gas, welches ein Rohmaterialgas zur Bildung der Osmiumschicht ist, durch die zweite Durchgangsöffnung mit einem Mikrodurchmesser hindurch, da Plasma auf einfache Weise diffundiert, und im Ergebnis wird die auf die Innenfläche der zweiten Durchgangsöffnung angebrachte Osmiumschicht nicht mit guter Gleichförmigkeit gebildet. Mit anderen Worten weist die Osmiumschicht dann, selbst wenn die Osmiumschicht auf der Innenfläche der zweiten Durchgangsöffnung mit der üblichen Plasma-CVD-Vorrichtung gebildet wird, eine geringe Gleichförmigkeit auf und liefert damit keine hohe Betriebsleistung.
  • Aus den US 2003 / 0 148 040 A1 , EP 0 730 266 A2 und US 2002 / 0 048 940 A1 sind weitere verschiedene Plasma-CVD-Vorrichtungen und Beschichtungsverfahren bekannt.
  • Die vorliegende Erfindung wurde in Anbetracht der obigen Umstände entwickelt und eine Aufgabe ist es, eine schichtbildende Behandlungsschablone zum Bilden einer dünnen Schicht auf einer Platte mit einer Durchgangsöffnung mit einem Mikrodurchmesser durch eine einzelne Plasma-Schichtbildungs-Behandlung und eine Plasma-CVD-Vorrichtung, welche die schichtbildende Behandlungsschablone verwendet, bereitzustellen.
  • Mittel zur Lösung des Problems
  • Die vorstehende Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Weitere Ausgestaltungen gehen den Unteransprüchen hervor.
  • Die Plasma-CVD-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Plasma-CVD-Vorrichtung, aufweisend:
    • eine Kammer,
    • eine in der Kammer angeordnete erste Elektrode,
    • eine zweite Elektrode, die in der Kammer angeordnet ist und derart angeordnet ist, so dass sie der ersten Elektrode zugewendet ist,
    • eine Energiequelle, die elektrisch an mindestens eine der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeschlossen ist zum Zuführen von elektrischer Plasma-Energie,
    • ein Rohmaterialgas-Einleitungsmechanismus zum Einleiten eines Rohmaterialgases in die Kammer und
    • eine schichtbildende Behandlungsschablone, aufweisend: ein Halteelement zum Halten einer Platte durch Festklammern der Platte, die eine Durchgangsöffnung aufweist, in einem Zustand, in dem die Durchgangsöffnung und die Vorder- und die Rückfläche der Platte freigelegt sind; und ein Elektrodenelement mit dem daran befestigten Halteelement, und
    • eine Plasmawand, die in der Kammer angeordnet ist und um die zwischen der ersten und der zweiten Elektrode angeordnete Platte angeordnet ist, wobei
    • die Plasmawand mit einem schwebenden Potential verbunden ist,
    • das Elektrodenelement als ein Teil der zweiten Elektrode fungiert, wenn eine dünne Schicht auf der Vorder- und der Rückfläche der von dem Halteelement gehaltenen Platte und auf der Innenfläche der Durchgangsöffnung durch ein Plasma-CVD-Verfahren gebildet wird, indem das Elektrodenelement an die zweite Elektrode elektrisch angeschlossen wird und die von dem Halteelement gehaltene Platte zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet wird.
  • Dieses ermöglicht es, mit der Plasmawand die Strömung des in die Kammer eingeleiteten Rohmaterialgases um die Platte zu konzentrieren und mit der Plasmawand auch das Plasma um die Platte einzuschränken, um die Plasmadichte zu erhöhen.
  • In der Plasma-CVD-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist es ferner auch möglich, dass das Elektrodenelement einen Kragen aufweist und die Vorrichtung ein Transfermechanismus enthält zum Transferieren der schichtbildenden Behandlungsschablone in die Kammer durch Anordnen des Kragens auf dem Transferarm.
  • Darüber hinaus wird in der Plasma-CVD-Vorrichtung der vorliegenden Erfindung vorzugsweise das Rohmaterialgas durch den Rohmaterialgas-Einleitungsmechanismus in einer parallelen Ausrichtung zur Oberfläche der zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordneten Platte eingeleitet.
  • Die Plasma-CVD-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Plasma-CVD-Vorrichtung aufweisend:
    • eine Kammer;
    • eine in der Kammer angeordnete obere Elektrode;
    • eine untere Elektrode, die auf der unteren Seite in der Kammer angeordnet ist und so angeordnet ist, dass sie der oberen Elektrode zugewendet ist;
    • eine Energieversorgung, die elektrisch an mindestens eine der oberen Elektrode und der unteren Elektrode zum Zuführen der elektrischen Plasma-Energie angeschlossen ist;
    • ein Rohmaterialgas-Einleitungssystem zum Einleiten eines Rohmaterialgases in die Kammer und zum Herbeiführen, dass das Rohmaterialgas von der Seite der oberen Elektrode zur Seite der unteren Elektrode strömt;
    • eine schichtbildende Behandlungsschablone, aufweisend ein Halteelement zum Halten einer Platte durch Festklemmen der Platte mit einer Durchgangsöffnung in einem Zustand, in dem die Durchgangsöffnung und die Vorder- und die Rückfläche der Platte freiliegen; ein Elektrodenelement mit dem daran befestigten Halteelement und einen an dem Elektrodenelement vorgesehenen Kragen;
    • einen Transfermechanismus zum Transferieren der schichtbildenden Behandlungsschablone in die Kammer, indem der Kragen auf dem Transferarm angeordnet wird, und
    • eine Plasmawand, die in der Kammer angeordnet ist und um die zwischen der ersten und der zweiten Elektrode angeordnete Platte angeordnet ist, wobei
    • die Plasmawand mit einem schwebenden Potential verbunden ist,
    • das Elektrodenelement als ein Teil der zweiten Elektrode fungiert, wenn eine dünne Schicht auf der Vorder- und der Rückfläche der von dem Halteelement festgehaltenen Platte und auf der Innenfläche der Durchgangsöffnung durch ein Plasma-CVD-Verfahren gebildet wird, indem das Elektrodenelement an die untere Elektrode elektrisch angeschlossen wird und die von dem Halteelement gehaltene Platte so zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet wird, dass ihre Oberfläche parallel zu der Richtung senkrecht zur Oberfläche der unteren Elektrode angeordnet ist.
  • Darüber hinaus ist bevorzugt in der Plasma-CVD-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung die Platte eine Lochblende, die Durchgangsöffnung hat einen Durchmesser von 100 pm oder weniger und die dünne Schicht ist eine Osmiumschicht.
  • Überdies ist die elektrische Plasma-Energie in der Plasma-CVD-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung vorzugsweise eine Radiofrequenz-Energie.
  • Vorzug der Erfindung
  • Wie oben beschrieben, ist es gemäß der vorliegenden Erfindung möglich eine Plasma-CVD-Vorrichtung, welche die schichtbildende Behandlungsschablone verwendet, bereitzustellen.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Draufsicht der gesamten Anordnung einer Plasma-CVD-Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
    • 2 ist eine Querschnittsansicht entlang der in 1 gezeigten 2a-2a Linie.
    • 3 ist eine Querschnittsansicht, welche schematisch die schichtbildende Kammer, die Plasma-Energiequelle und den Rohmaterialgas-Versorgungsmechanismus zeigt, welche in 2 gezeigt sind.
    • 4(A) ist eine Seitenansicht einer schichtbildenden Behandlungsschablone, die eine Lochblende hält und 4(B) ist eine Draufsicht der in 4(A) gezeigten schichtbildenden Behandlungsschablone.
    • 5(A) ist eine Zeichnung, welche die Situation darstellt, wenn die schichtbildende Behandlungsschablone transferiert wird und eine Draufsicht, welche den Fall zeigt, in dem die schichtbildende Behandlungsschablone auf dem Transferarm angeordnet wird und 5(B) ist eine Seitenansicht der in 5(A) gezeigten schichtbildenden Behandlungsschablone und des Transferarmes
    • 6 ist eine Draufsicht eines modifizierten Ausführungsbeispiels der schichtbildenden Behandlungsschablone, welche die Lochblende hält.
    • 7 ist eine Querschnittsansicht, die durch einen Schnitt durch die nähere Umgebung der Durchgangsöffnung mit einem Mikrodurchmesser der Lochblende, auf welcher eine Osmiumschicht durch ein Experiment gebildet werden soll, erhalten wird.
    • 8 ist eine Querschnittszeichnung einer üblichen Plasma-CVD-Vorrichtung im Überblick.
    • 9 ist eine Draufsicht, die eine Lochblende zeigt.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Reinigungskammer
    2
    schichtbildende Kammer
    3
    erster Transfermechanismus
    4
    zweiter Transfermechanismus
    5
    Transferkammer
    6
    erste Schleuse
    7
    zweite Schleuse
    8
    schichtbildende Behandlungsschablone
    9
    Abdeckung
    10
    Ablagetisch
    11
    vertikaler Bewegungsmechanismus
    11a
    Ablageabschnitt
    11b
    Bewegungsmechanismus
    12
    äußere Kammer
    13
    innere Kammer
    14
    Gasdusche-Elektrode
    15 - 22
    Rohrleitung
    23 - 26
    Ventil
    27, 28
    Massenfluss-Steuereinheit (MFC - mass flow controller)
    29
    Wasserstoff-Gasversorgungsquelle
    30
    OsO4-Gasversorgungsquelle
    31
    Heizer
    32
    untere Elektrode
    33
    Anpassungseinheit (MB - matching box)
    34
    Radiofrequenz-Energiequelle (RF-Energiequelle)
    35
    vertikaler Bewegungsmechanismus
    36
    Pfeil
    37
    Plasmawand
    37a
    zylindrisches Richtelement
    37b
    ringförmiges Richtelement
    37c
    zylindrisches Richtelement
    38
    schichtbildende Position
    39
    Halteelement
    49
    Kragenelement
    49a
    Säulenelement
    49b
    Kragen
    52 - 55
    Positionierungsabschnitt
    60
    schwebendes Potential
    101
    Kammer
    102
    Gasdusche-Elektrode
    103
    untere Elektrode
    104
    Rohmaterialgas-Versorgungsquelle
    106
    Träger
    107
    Lochblende
    107a
    erste Durchgangsöffnung
    107b
    Durchgangsöffnung mit einem Mikrodurchmesser (zweite Durchgangsöffnung)
    108
    Anpassungseinheit
    109
    Radiofrequenz-Energiequelle (RF-Energiequelle)
    110
    Osmiumschicht
  • Nachstehend werden Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die Zeichnung beschrieben.
    1 ist eine Draufsicht der Anordnung einer gesamten Plasma-CVD-Vorrichtung als Beispiel gemäß der vorliegenden Erfindung
    2 ist eine Querschnittsansicht entlang der in 1 gezeigten 2a-2a Linie
    3 ist eine Querschnittsansicht, welche schematisch die schichtbildende Kammer, die Plasma-Energiequelle und den Rohmaterialgas-Versorgungsmechanismus zeigt, die in 2 dargestellt sind.
  • Wie in 1 und 2 gezeigt, weist die Plasma-CVD-Vorrichtung eine Reinigungskammer 1 und eine schichtbildende Kammer 2 auf. Die Reinigungskammer 1 ist an die Transferkammer 5 über eine erste Schleuse 6 angeschlossen und die Transferkammer 5 ist an einen ersten Transfermechanismus 3 angeschlossen. Wenn eine schichtbildende Behandlungsschablone 8, die eine Lochblende 107 trägt, in die Transferkammer 5 eingesetzt wird, transferiert der erste Transfermechanismus 3 die schichtbildende Behandlungsschablone 8 in die Transferkammer 5 durch die offene erste Schleuse 6 zur unteren Seite der Reinigungskammer 1 hin. Außerdem ist die schichtbildende Kammer 2 an die Transferkammer 5 über eine zweite Schleuse 7 angeschlossen und die Transferkammer 5 ist an einen zweiten Transfermechanismus 4 angeschlossen. Der zweite Transfermechanismus 4 dient dem Transferieren der schichtbildenden Behandlungsschablone 8 in die Transferkammer 5 durch die offene zweite Schleuse 7 zur unteren Seite der schichtbildenden Kammer 2 hin.
  • Die Transferkammer 5, die schichtbildende Kammer 2 und die Umgebung davon werden im Detail mit Bezug auf die 2 und 3 umschrieben.
    Wie in 2 gezeigt, weist die Transferkammer 5 eine frei zu öffnende und verschließbare Abdeckung 9 auf. In der Transferkammer 5 sind ein Ablagetisch 10 zum Anordnen der schichtbildenden Behandlungsschablone 8 und ein vertikaler Bewegungsmechanismus zum Bewegen der auf dem Ablagetisch angeordneten schichtbildenden Behandlungsschablone 8 angebracht. Der vertikale Bewegungsmechanismus 11 hat einen Ablageabschnitt 11a zum Ablegen der schichtbildenden Behandlungsschablone 8 und einen Bewegungsmechanismus 11b zum vertikalen Bewegen des Ablageabschnittes 11a. Darüber hinaus ist an die Transferkammer ein Evakuierungsmechanismus, beispielsweise eine Vakuumpumpe, angeschlossen und er ist zum Evakuieren des Inneren der Transferkammer 5 durch den Evakuierungsmechanismus eingerichtet. Das Einsetzen der schichtbildenden Behandlungsschablone 8, welche die Lochblende 107 trägt, in die Transferkammer 5 wird durch Öffnen der Abdeckung 9 in einem Zustand durchgeführt, in dem die zweite Schleuse 7 geschlossen ist, durch Anordnen der schichtbildenden Behandlungsschablone 8, welche die Lochblende 107 trägt, auf dem Ablagetisch 110 und durch Schließen der Abdeckung 109 danach.
  • Wie in 2 gezeigt, weist die schichtbildende Kammer 2 eine äußere Kammer 12 auf und die äußere Kammer 12 ist an die Transferkammer 5 über die frei zu öffnende und schließbare Schleuse 7 angeschlossen. Darüber hinaus ist an die äußere Kammer 12 ein Evakuierungsmechanismus, beispielsweise eine Vakuumpumpe, angeschlossen und er ist so eingerichtet, dass das Innere der äußeren Kammer 12 durch den Evakuierungsmechanismus evakuiert werden kann.
  • Wie in 2 und 3 gezeigt, ist eine innere Kammer 13 innerhalb der äußeren Kammer 12 angeordnet. Im oberen Abschnitt der inneren Kammer 13 ist eine Gasdusche-Elektrode 14 als eine obere Elektrode angebracht. Ein erster Gas-Versorgungsmechanismus zum Bereitstellen von Wasserstoffgas und ein zweiter Gasversorgungsmechanismus zum Bereitstellen von OsO4- Gas sind an die Gasdusche-Elektrode 14 angeschlossen.
  • Der erste Gasversorgungsmechanismus hat eine Wasserstoff-Gasversorgungsquelle 29 und ein Ende einer Leitung 18 ist an die Wasserstoff-Gasversorgungsquelle 29 angeschlossen. Ans andere Ende der Leitung 18 ist ein Ende eines Ventils 24 angeschlossen und an das andere Ende des Ventils 24 ist ein Ende einer Leitung 17 angeschossen. Ans andere Ende der Leitung 17 ist ein Ende eines Massendurchfluss-Steuerungsgeräts (MFC - mass flow controller) 27 angeschlossen und an das andere Ende des Massendurchflusssteuergerätes 27 ist ein Ende einer Leitung 16 angeschlossen. Ans andere Ende der Leitung 16 ist ein Ende eines Ventils 23 angeschlossen und an das andere Ende 23 ist ein Ende einer Leitung 15 angeschlossen. An das andere Ende der Leitung 15 ist eine Gasdusche-Elektrode 14 angeschlossen.
  • Der zweite Gasversorgungsmechanismus hat eine OsO4-Gasversorgungsquelle 30 und ein Ende einer Leitung 22 ist an die OsO4-Gasversorgungsquelle30 angeschlossen. An das andere Ende der Leitung 22 ist ein Ende eines Ventils 26 angeschlossen und an das andere Ende des Ventils 26 ist ein Ende einer Leitung 21 angeschlossen. An das andere Ende der Leitung 21 ist ein Ende eines Massendurchfluss-Steuergeräts 28 angeschlossen und an das andere Ende des Massendurchfluss-Steuergeräts 28 ist ein Ende einer Leitung 20 angeschlossen. An das andere Ende der Leitung 20 ist ein Ende eines Ventils 25 angeschlossen und an das andere Ende des Ventils 25 ist eine Leitung 19 angeschlossen. An das andere Ende der Leitung 19 ist eine Gasdusche-Elektrode 14 angeschlossen. Die OsO4-Gasversorgungsquelle 23 hat einen Heizer 31 und sie ist so eingerichtet, dass der Heizer 31 das feste OsO4 erhitzt und sublimiert, um OsO4-Gas zu erzeugen. Sie ist auch so eingerichtet, dass jede Leitung 19 - 21, Ventile 25 und 26 und das Massendurchfluss-Steuergerät 28 durch den Heizer (nicht gezeigt) auf ungefähr 80 Grad Celsius geheizt werden. Dies ermöglicht das Einleiten, des durch die OsO4-Gasversorgungsquelle30 erzeugten OsO4-Gases in die Gasdusche-Elektrode 14 ohne dessen Verfestigung.
  • Die Gasduscheelektrode 14, die innere Kammer 13 und die äußere Kammer 12 sind mit dem Erdpotential verbunden.
    Auf der unteren Seite der inneren Kammer 13 ist eine untere Elektrode 32 angeordnet und eine Radiofrequenz-Energiequelle (RF-Energiequelle) 34 ist über die Anpassungseinheit 33 an die untere Elektrode 32 angeschlossen. Die Radiofrequenz-Energiequelle kann eine Frequenz im Bereich von 100 KHz bis 20 MHz verwenden.
  • Ferner, wie in 2 gezeigt, weist die Vorrichtung einen vertikalen Bewegungsmechanismus 35 zum vertikalen Bewegen der unteren Elektrode 32 zwischen dem unteren Abschnitt der äußeren Kammer 12 und dem unteren Abschnitt der inneren Kammer 13. In einem Zustand, in dem der vertikale Bewegungsmechanismus 35 die untere Elektrode 32 zur unteren Seite der äußeren Kammer 12 bewegt hat, hält ein Transferarm 4a des zweiten Transfermechanismus 4 die schichtbildende Behandlungsschablone 8 in der Transferkammer 5, der Transferarm 4a bewegt die schichtbildende Behandlungsschablone 8 durch die offene zweite Schleuse 7 zur unteren Seite der äußeren Kammer 12 und die schichtbildende Behandlungsschablone 8 wird auf der unteren Elektrode 32 zum Befestigen daran oder Einlegen darin oder zum elektrischen Verbinden damit angeordnet. Dann wird der Transferarm 4a in die Transferkammer 5 zurückgeführt und die zweite Schleuse 7 wird geschlossen. Der vertikale Bewegungsmechanismus 35 hebt die untere Elektrode 32, auf welcher die schichtbildende Behandlungsschablone befestigt ist, um die untere Elektrode 32 von der unteren Seite der äußeren Kammer 12 zum unteren Abschnitt der inneren Kammer 13 zu bewegen und dadurch wird die elektrisch mit der unteren Elektrode 32 verbundene schichtbildende Behandlungsschablone 8 in der inneren Kammer 13 angeordnet. Wie oben beschrieben, ist die Lochblende 107 zwischen der Gasdusche-Elektrode 14 und der unteren Elektrode 32 angeordnet und ist parallel zur Richtung, in welcher das Rohmaterialgas in einer Art Dusche von der Gasdusche-Elektrode 14 ausgestoßen wird, angeordnet. Die Position ist eine schichtbildende Position 38, wenn die Lochblende 107 beschichtet wird.
  • Die schichtbildende Behandlungsschablone 8 ist beispielsweise aus SOS (stainless use steel - rostfreier Stahl) gefertigt und fungiert auch als ein Teil der unteren Elektrode. Wenn Radiofrequenz-Energie der unteren Elektrode 32 von der RF-Energiequelle 34 durch die Anpassungseinheit 33 bereitgestellt wird, wird folglich die Radiofrequenz-Energie der Lochblende 107 durch die schichtbildende Behandlungsschablone 8 zugeführt. Die spezifische Struktur der schichtbildenden Behandlungsschablone 8, das Halterverfahren zum Halten der Lochblende 107 und dergleichen werden später beschrieben.
  • Wie in 3 gezeigt, ist eine aus Keramik oder Quarz oder Glas gefertigte Plasmawand 37 um die Lochblende 107 in der inneren Kammer 13 angeordnet. Die Plasmawand 37 hat eine Aufgabe, die Strömung des von der Gasdusche-Elektrode 14 eingeleiteten Rohmaterialgases zu richten, sodass es sich um die Lochblende 107 ansammelt, und eine Aufgabe, das Plasma um die Lochblende 107 einzufangen, um die Plasmadichte zu erhöhen. Nur wenn die Plasmawand 37 die Rolle erfüllen kann, sind ihre Form und ihr Material veränderbar und im Ausführungsbeispiel wird die in 3 gezeigte Form angenommen.
  • Das heißt, die Plasmawand 37 weist ein zylindrisches Richtelement 37a und ein ringförmiges Richtelement 37b zum Steuern der Strömung des Rohmaterialgases auf und ein zylindrisches Richtelement 37c, das außerhalb des zylindrischen Richtelementes 37a angeordnet ist, zum Unterdrücken der Entladung zwischen der inneren Kammerwand und der äußeren Kammerwand. Jeder obere Abschnitt der zylindrischen Richtelemente 37a und 37c ist durch das ringförmige Richtelement 37b verbunden. Die Plasmawand 37 ist an ein schwebendes Potential 60 angeschlossen. Durch das ringförmige Richtelement 37b und das zylindrische Richtelement 37a ist es möglich, das Rohmaterialgas von der Gasdusche-Elektrode 14 um die Lochblende 107 zu konzentrieren und im Ergebnis die Verbrauchseffizienz des Rohmaterialgases zu verbessern. Außerdem ist es durch das zylindrische Richtelement 37c möglich, das Diffundieren des Plasmas zu unterdrücken und die Plasmadichte zu erhöhen und die Entladung um die Lochblende 107 herum zu stabilisieren.
  • Als nächstes wird die spezifische Struktur der schichtbildenden Behandlungsschablone 8, das Halteverfahren der Lochblende 107 daran und Ähnliches mit Bezug auf 4 und 5 umschrieben.
  • 4(A) ist eine Vorderansicht der die Lochblende haltenden schichtbildenden Behandlungsschablone und 4(B) ist eine Draufsicht auf die in 4(A) gezeigte schichtbildende Behandlungsschablone. 5(A) ist eine Zeichnung, welche die Situation darstellt, in der die schichtbildende Behandlungsschablone transferiert wird und eine Draufsicht, welche den Zustand zeigt, in dem die schichtbildende Behandlungsschablone auf den Transferarm angeordnet wird, und 5(B) ist eine Vorderansicht der in 5(A) gezeigten schichtbildenden Behandlungsschablone und des Transferarmes.
  • Wie in 4(A) und 4(B) gezeigt, hat das Halteelement 39 eine zylindrische Form. Das Halteelement 39 hält 4 Lochblenden 107 im Zustand einer Festklemmung des Kragens. Der Haltezustand ist ein Zustand, wobei die zweite Durchgangsöffnung (die Durchgangsöffnung mit einem Mikrodurchmesser, in 9 beschrieben) und die Vorder- und die Rückfläche der Lochblende 107 freigelegt sind.
  • Das Halteelement 39 ist an ein Kragenelement 49 befestigt. Dieses ermöglicht es jede der vier Lochblenden 107 von dem Halteelement 39 in einem Zustand zu halten, in dem jede von ihnen in vertikaler Richtung in Bezug auf die obere Fläche des Kragenelements 49 aufgerichtet ist. Das Kragenelement 49 weist, wie in 4(A) gezeigt, ein säulenartiges Element 49a und einen Kragen 49b von einer konvexen Form auf, der um den oberen Abschnitt des säulenförmigen Elementes 49a herum angeordnet ist. Der Kragen 49b ist auf den Transferarm 4a anzuordnen, wie in 5(A) und 5(B) gezeigt. Das heißt, durch Anordnen des Transferarmes 4a um das säulenförmige Element 49a und durch Anordnen des Kragens 49b auf dem Transferarm 4a, während der Kragen 49b an den Positionierungsabschnitten 52 bis 55 ausgerichtet wird, wird der Zustand gesetzt, sodass die schichtbildende Behandlungsschablone 8 durch den Transferarm 4a transferiert werden kann. Wenn die schichtbildende Behandlungsschablone 8 an die in 3 gezeigte untere Elektrode 32 angeschlossen wird, wird das Kragenelement 49 zum Elektrodenelement und fungiert als ein Teil der unteren Elektrode.
  • Als nächstes wird das Verfahren der Bildung einer Osmiumschicht auf der Lochblende unter Verwendung der oben genannten Plasma-CVD-Vorrichtung beschrieben.
  • Wie in 4(A) und 4(B) gezeigt, werden zuerst vier Lochblenden 107 von dem Halteelement 39 der schichtbildenden Behandlungsschablonen 8 gehalten und, wie in 2, 5(A) und 5(B) gezeigt, wird der Bewegungsmechanismus 11b angehoben, um die auf dem Ablagetisch 10 angeordnete schichtbildende Behandlungsschablone 8 im Ablagebereich 11a anzuordnen. Dann wird der Bewegungsmechanismus 11b weiter angehoben, um den Transferarm 4a zur unteren Seite der schichtbildenden Behandlungsschablone 8 zu bewegen, die auf dem Ablagebereich 11a angeordnet ist. Durch Absenken des Bewegungsmechanismus 11b um die schichtbildende Behandlungsschablone 8 zusammen mit dem Ablagebereich 11a zu senken, wird danach der Kragen 49b der schichtbildenden Behandlungsschablone 8 auf dem Transferarm 4a angeordnet. Wie oben beschrieben, wird die schichtbildende Behandlungsschablone 8 auf dem Transferarm 4a angeordnet um einen solchen Zustand herbeizuführen, dass die schichtbildende Behandlungsschablone 8 durch den Transferarm 4a transferiert werden kann. Danach wird die schichtbildende Behandlungsschablone 8 von der Transferkammer 5 zur Säuberungskammer 1 durch den ersten Transfermechanismus 3 transferiert und die Lochblende 107 wird einer Säuberungsbehandlung unterzogen. Danach wird die schichtbildende Behandlungsschablone 8 aus der Säuberungskammer 1 in die Transferkammer 5 durch den ersten Transfermechanismus 3 transferiert.
  • Nachfolgend, wie in 2 gezeigt, wird der Zustand so eingestellt, dass die schichtbildende Behandlungsschablone 8 durch den Transferarm 4a transferiert werden kann, die schichtbildende Behandlungsschablone 8 wird durch den zweiten Transfermechanismus 4 aus der Transferkammer 5 in die schichtbildende Kammer 2 transferiert und die schichtbildende Behandlungsschablone 8 wird an der schichtbildenden Position 38 positioniert.
  • Als Nächstes, wie in 3 gezeigt, versorgen der erste Gasversorgungsmechanismus und der zweite Gasversorgungsmechanismus die Gasdusche-Elektrode 14 mit Wasserstoffgas und das Wasserstoff- und das OsO4-Gas werden von der Gasduschelektrode 14 in Richtung der Lochblende 107 geliefert. Der Grund, warum hierbei das Rohmaterialgas von oben nach unten (in Richtung der Gravitation) entlang der Pfeile 36 eingeströmt wird, ist, dass das OsO4-Gas ein großes Molekulargewicht aufweist. Umgekehrt, im Falle eines Rohmaterialgases mit einem kleinen Molekulargewicht, wenn das Gas der Vorder- und der Rückfläche der Lochplatte mit hoher Gleichförmigkeit bereitgestellt werden kann, wird es nicht notwendigerweise von oben nach unten strömen und die Richtung der Strömung des Rohmaterialgases kann auf geeignete Weise geändert werden.
  • Durch Versorgen der unteren Elektrode 32 mit Radiofrequenz-Energie durch die RF-Energiequelle 34, um die Radiofrequenz-Energie der Lochblende 107 zuzuführen, wird danach eine Osmiumschicht mit einer Dicke von 10 nm oder mehr auf der Vorder- und der Rückfläche der Lochblende 107 und der Innenfläche der zweiten Durchgangsöffnung (die Durchgangsöffnung mit einem Mikrodurchmesser, beschrieben in 9) durch eine einzelne Schichtbildungs-Behandlung mit hoher Gleichförmigkeit durch ein Plasma-CVD-Verfahren gebildet. Hierbei ist die chemische Reaktion wie folgt, wobei wie untenstehend in Formeln 1 und 2 angegeben das Gas im Plasma ionisiert wird und die schichtbildende Reaktion in Formel 3 auf der Lochblende stattfindet. H2 + 2e- →2H+ + 4e- (1) OsO4 + e- →OsO4 + 2e- (2) OSO4 + + 8H+ + 9e- →Os ↓+ 4H2O ↑ (3)
  • Der Grund warum die Osmiumschicht auf der Lochblende 107 gebildet werden soll ist, dass die Osmiumschicht im Vergleich zu anderen metallischen Schichten höhere Beständigkeit gegen einen Elektronenstrahl aufweist und damit eine längere Lebensdauer realisiert werden kann und sie ermöglicht es, Fokussierungseigenschaften des Elektronenstrahls zu verbessern.
  • Gemäß dem obigen Ausführungsbeispiel ist es möglich, da die schichtbildende Behandlungsschablone 8 die zuvor genannte Struktur aufweist, wie in 2 gezeigt, die schichtbildende Behandlungsschablone 8 durch den Transferarm 4a zu transferieren und die schichtbildende Behandlungsschablone 8 auf oder in der unteren Elektrode zu befestigen oder einzupassen. Da die an die untere Elektrode 32 angebrachte schichtbildende Behandlungsschablone 8 auch als untere Elektrode fungiert, wie in 3 gezeigt, kann dann die Radiofrequenz-Energie der Lochblende 107 durch die schichtbildende Behandlungsschablone 108 bereitgestellt werden, indem Radiofrequenz-Energie der unteren Elektrode 32 bereitgestellt wird. Ferner kann das Halteelement 38 der schichtbildenden Behandlungsschablone 8 die Lochblende 107 in einem Zustand halten, in dem ihre Vorder- und ihre Rückfläche freigelegt sind. Durch Ausführen einer einzelnen Schichtbildungs-Behandlung mit einer Plasma-CVD-Vorrichtung ist es in Folge dessen möglich, eine Osmiumschicht auf einer Platte mit einer Durchgangsöffnung mit einem Mikrodurchmesser, beispielsweise einer Lochblende 107 (als Durchgangsöffnung betitelte Öffnung in 9), auf der Innenfläche der Durchgangsöffnung und auf dem Abschnitt nahe der Durchgangsöffnung auf der Vorder- und der Rückfläche der Platte zu bilden. Entsprechend kann die Behandlungszeit der Schichtbildungs-Behandlung der Platte reduziert werden und im Ergebnis können die Kosten einer Schichtbildungs-Behandlung gesenkt werden.
  • Da die an das schwebende Potential 60 angeschlossene Plasmawand 37 um die Lochblende 107 herum angeordnet ist, ist es zusätzlich in dem Ausführungsbeispiel möglich, das Rohmaterialgas von der Gasdusche-Elektrode 14 um die Lochblende 107 herum zu konzentrieren und die Diffusion des Plasmas zu unterdrücken und das Plasma auf der Lochblende 107 zu konzentrieren, um die Plasma-Dichte zu erhöhen. In Folge dessen, selbst wenn ein Rohmaterialgas zur Schichtbildung verwendet wird, das ein großes Molekulargewicht aufweist und schwer ist, beispielsweise OsO4-Gas, kann die Osmiumschicht auf der Innenfläche der Durchgangsöffnung mit einem Mikrodurchmesser mit einer hohen Gleichförmigkeit gebildet werden.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf das obige Ausführungsbeispiel beschränkt, sondern kann in verschiedenartig geänderten Betriebsarten innerhalb des Umfangs der Erfindung ausgeübt werden, ohne vom Kerngedanken der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
  • Beispielsweise, wie in 6 gezeigt, kann das Halteelement 39 der schichtbildenden Behandlungsschablone so errichtet sein, dass es 6 Lochblenden 107 halten kann.
  • Im obigen Ausführungsbeispiel ist ferner die untere Elektrode 32 an die Radiofrequenz-Energieversorgung 34 angeschlossen und die obere Elektrode 14 ist mit dem Erdpotential verbunden, jedoch kann die obere Elektrode 14 an die Radiofrequenz-Energieversorgung angeschlossen werden und die untere Elektrode 32 kann mit dem Erdpotential verbunden werden oder die obere Elektrode 14 kann an eine erste Radiofrequenz-Energieversorgung und die untere Elektrode 32 kann an eine zweite Radiofrequenz-Energieversorgung angeschlossen werden. Ferner kann die Radiofrequenz-Energieversorgung gegen eine andere Plasma-Energiequelle getauscht werden. Beispiele anderer Plasma-Energiequellen beinhalten eine Energiequelle für Mikrowellen, eine Energiequelle für DC-Entladung und jede Art von pulsmodulierter Radiofrequenz-Energiequelle.
  • Im obigen Ausführungsbeispiel sind die Elektroden, wie die obere Elektrode 14 und die untere Elektrode 32, vertikal angeordnet, jedoch ist die Anordnung nicht darauf beschränkt und die Elektroden können seitlich angeordnet werden.
  • Als nächstes werden die Bedingungen oder die Ergebnisse des Experimentes zum Bilden einer Osmiumschicht auf der Lochblende mit einer Durchgangsöffnung mit einem Mikrodurchmesser unter Verwendung der Plasma-CVD-Vorrichtung gemäß dem obigen Ausführungsbeispiel erläutert.
  • (Experimentelle Bedingungen)
  • Radiofrequenz-Ausgangsleistungsdichte: 0,25 bis 2,0 W/cm2
    Frequenz der Radiofrequenzwelle: 13,56 MHz
    OsO4-Gas-Durchflussstrom: 0,1 bis 3 cm3/min
    H2-Gas- Durchflussstrom: 5 bis 15 cm3/min
    Ar-Gas- Durchflussstrom: 5 bis 15 cm3/min
    Druck: 13 - 40 Pa
    Schichtbildungszeit: 10 bis 50 Sekunden
    Heiztemperatur: 200 bis 300 °C
    Os-Schichtdicke: 10 bis 50 nm
  • (Experimentelle Ergebnisse)
  • 7 zeigt schematisch die Lochblende 107, auf welcher eine Osmiumschicht 110 durch das Experiment gebildet worden ist und sie stellt eine Querschnittsansicht der Lochblende dar, die in der Umgebung der Durchgangsöffnung (zweite Durchgangsöffnung) 107b mit Mikrodurchmesser (insbesondere 2 bis 100 µm) durchtrennt wurde. Wie in 7 gezeigt, wurde bestätigt, dass eine Grenzfläche wie im Fall einer Schicht, die durch ein übliches Verfahren, wie der doppelten Schichtbildungs-Behandlung, nicht gebildet wird, da die Osmiumschicht 110 durch eine einzelne Schichtbildungs-Behandlung gebildet worden ist, und dass die Osmiumschicht 110 auf der Innenfläche der Durchgangsöffnung 107b mit einem Mikrodurchmesser mit hoher Gleichförmigkeit gebildet werden kann. Im Ergebnis wird das Abblättern der Osmiumschicht 110 unterdrückt und die Osmiumschicht 110, die sehr gute Fokussiereigenschaften des Elektronenstrahls liefert und hohe Beständigkeit gegenüber dem Elektronenstrahl aufweist und somit langlebig ist, wurde in der Durchgangsöffnung 107b mit einem Mikrodurchmesser geformt.

Claims (6)

  1. Eine Plasma-CVD-Vorrichtung, aufweisend: eine Kammer (13), eine in der Kammer (13) angeordnete erste Elektrode (14), eine zweite Elektrode (32), die in der Kammer (13) angeordnet ist und die so angeordnet ist, dass sie der ersten Elektrode (14) zugewendet ist, eine Energiequelle (34), die elektrisch mit mindestens einer der ersten Elektrode (14) und der zweiten Elektrode (32) verbunden ist zum Zuführen elektrischer Plasma-Energie, ein Rohmaterialgas-Einleitungsmechanismus zum Einleiten eines Rohmaterialgases in die Kammer (13), eine schichtbildende Behandlungsschablone (8) aufweisend: ein Halteelement (39) zum Halten einer Platte (107) durch Festklemmen der Platte (107) mit einer Durchgangsöffnung in einem Zustand, in dem die Durchgangsöffnung und eine Vorder- und eine Rückfläche der Platte (107) freiliegen; und ein Elektrodenelement (49) mit dem daran befestigten Halteelement (39), und eine Plasmawand (37), die in der Kammer (13) angeordnet ist und um die zwischen der ersten und der zweiten Elektrode (14, 32) angeordnete Platte (107) angeordnet ist, wobei die Plasmawand (37) mit einem schwebenden Potential (60) verbunden ist, das Elektrodenelement (49) als ein Teil der zweiten Elektrode (32) fungiert, wenn eine dünne Schicht auf der Vorder- und der Rückfläche der durch das Haltelement (39) gehaltenen Platte (107) und einer Innenfläche der Durchgangsöffnung durch ein Plasma-CVD-Verfahren gebildet wird durch elektrisches Anschließen des Elektrodenelements (49) an die zweite Elektrode (32) und durch Anordnen der durch das Haltelement (39) gehaltenen Platte (107) zwischen der ersten Elektrode (14) und der zweiten Elektrode (32).
  2. Die Plasma-CVD-Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei das Elektrodenelement (49) einen Kragen (49b) aufweist, und die Vorrichtung einen Transfermechanismus zum Transferieren der schichtbildenden Behandlungsschablone (8) in die Kammer (13) durch Anordnen des Kragens (49b) auf einem Transferarm (4a) aufweist.
  3. Die Plasma-CVD-Vorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei das Rohmaterialgas durch den Rohmaterialgas-Einleitungsmechanismus in einer Richtung parallel zur Oberfläche der zwischen der ersten und der zweiten Elektrode (14, 32) angeordneten Platte (107) eingeführt wird.
  4. Eine Plasma-CVD-Vorrichtung aufweisend: eine Kammer (13); eine in der Kammer (13) angeordnete obere Elektrode (14), eine in der Kammer (13) angeordnete untere Elektrode (32), die so angeordnet ist, dass sie einer Unterseite der oberen Elektrode (14) zugewendet ist; eine Energiequelle (32), die elektrisch mit mindestens einer der oberen Elektrode (14) und der unteren Elektrode (32) verbunden ist zum Zuführen elektrischer Plasma-Energie; ein Rohmaterialgas-Einleitungsmechanismus zum Einleiten eines Rohmaterialgases in die Kammer (13) und zum Herbeiführen einer Strömung des Rohmaterialgases von der Seite der oberen Elektrode (14) zur Seite der unteren Elektrode (32) hin; eine schichtbildende Behandlungsschablone (8), aufweisend: ein Halteelement (39) zum Halten einer Platte (106) durch Festklemmen der Platte (106) mit einer Durchgangsöffnung in einem Zustand, in dem die Durchgangsöffnung und eine Vorder- und eine Rückfläche der Platte (106) freiliegen; ein Elektrodenelement (49) mit dem daran befestigten Halteelement (39); und einen auf dem Elektrodenelement (49) vorgesehenen Kragen (49b); einen Transfermechanismus zum Transferieren der schichtbildenden Behandlungsschablone (8) in die Kammer (13) durch Anordnen des Kragens (49b) auf einen Transferarm (4a), und eine Plasmawand (39), die in der Kammer (13) angeordnet ist und um die zwischen der ersten und der zweiten Elektrode (14, 32) angeordnete Platte (107) angeordnet ist, wobei die Plasmawand (39) mit einem schwebenden Potential (60) verbunden ist, das Elektrodenelement (49) als ein Teil der zweiten Elektrode (32) fungiert, wenn eine dünne Schicht auf der Vorder- und der Rückfläche der von dem Halteelement (39) gehaltenen Platte (107) und der Innenfläche der Durchgangsöffnung durch ein Plasma-CVD-Verfahren gebildet wird durch elektrisches Anschließen des Elektrodenelementes (49) an die untere Elektrode (32) und durch Anordnen der von dem Halteelement (39) gehaltenen Platte (107) zwischen der oberen Elektrode (14) und der unteren Elektrode (32) und durch derartiges Anordnen der Platte (107), dass ihre Oberfläche parallel zur Richtung senkrecht zu einer oberen Fläche der unteren Elektrode (32) ausgerichtet ist.
  5. Die Plasma-CVD-Vorrichtung gemäß Anspruch 4, wobei die Platte (107) eine Lochblende (107) ist, die Durchgangsöffnung einen Durchmesser von 100 pm oder weniger hat und die Schicht eine Osmiumschicht ist.
  6. Die Plasma-CVD-Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die elektrische Plasma-Energie eine Radiofrequenz-Energie ist.
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