-
Technisches Gebiet
-
Diese
Erfindung betrifft Ausgangspuffer, die in integrierten Schaltungen
angewendet werden, und betrifft insbesondere das Steuern von Anstiegsraten bzw.
Anstiegsgeschwindigkeiten derartiger Ausgangspuffer.
-
Hintergrund der Erfindung
-
Hochgeschwindigkeitsdatenbusse,
etwa PCIX 2.0, besitzen gewisse Anforderungen im Hinblick auf Änderungen
in der Anstiegsrate. Die Anstiegsrate bzw. Anstiegsgeschwindigkeit
ist in diesem Zusammenhang die Rate der Änderung einer Ausgangssignalspannung.
Beispielsweise sind in dem PCIX 2.0 die Anforderungen hinsichtlich
der Anstiegsrate 1,8 V/ns < Anstiegrate < 3.0 V/ns. Eine Möglichkeit,
eine Steuerung der Anstiegsrate vorzusehen, besteht darin, ein Abbild
der Schaltung eines Ausgangspuffers aufzubauen, die in genauer Weise die
Ausgabeanstiegsrate wiedergibt. Es wird dann ein Steuerungsstrom
für die
Anstiegsrate eingestellt, bis die Messwerte der Anstiegsrate der
nachgebildeten Schaltung innerhalb gewisser Grenzen liegen. Das
geeignete Einstellen der nachgebildeten Schaltung erfordert Technologien
mit externer Zeitbasis und externen Messtechniken für die Anstiegsrate.
-
Bei
der Herstellung integrierter Schaltungen unterliegt der Fertigungsprozess
gewissen Schwankungen, woraus sich integrierte Schaltungen ergeben,
die unterschiedliche Leistungseigenschaften aufweisen, selbst wenn
das gleiche Bauteil in der gleichen Fertigungsstätte hergestellt wurde. Auf Grund
der Prozessschwankungen und der möglichen Betriebsbereiche verhalten
sich somit integrierte Schaltungen unterschiedlich. Folglich können integrierte
Schaltungen auf der Grundlage des Leistungsverhaltens in „schnelle
Bereiche" und „langsame
Bereiche" eingestuft
werden. In dem schnellen Bereich arbeiten integrierte Schaltungen
schneller auf Grund von Schwankungen solcher Faktoren, wie etwa
der Prozesse, der Spannung oder der Temperatur. Zu Prozessschwankungen
gehören
Faktoren wie die Schwellwertspannung (Vt), die Gatelänge, die Eingangskapazität, der Schichtwiderstand
und die Kapazität
zwischen Gate und Drain. Integrierte Schaltungen, die zum schnel len
Bereich gehören, besitzen
typischerweise Prozesseigenschaften, die zu einem schnelleren Leistungsverhalten
führen, etwa
eine geringere Vt, eine kleinere Gatelänge, eine geringere Eingangskapazität, etc.
In ähnlicher
Weise kann eine hohe Versorgungsspannung VDD zu einem verbesserten
Leistungsverhalten der integrierten Schaltung führen. Für die integrierten Schaltungen,
die zum langsamen Bereich gehören,
ist die Betriebsgeschwindigkeit auf Grund von Faktoren, etwa einer
geringen VDD und einem hohen Vt, geringer. Von besonderem Interesse
ist hierin das variierende Leistungsverhalten von Ausgangstreiberschaltungen auf
Grundlage von Prozess-, Spannungs- und/oder Temperatur-(PVT)Schwankungen.
-
Leistungsschwankungen
auf Grund von Prozessen, Spannungen und Temperatur machen es schwierig
sicherzustellen, dass die Erfordernisse im Hinblick auf die Anstiegsrate über normale
Prozessschwankungen hinweg eingehalten werden. D. h., ein Ausgangssignal
kann sich zu rasch oder zu langsam ändern, um die Erfordernisse
im Hinblick auf die Anstiegsrate zu erfüllen.
-
Überblick über die Erfindung
-
Folglich
ist es wünschenswert,
eine Ausgangstreiberschaltung bereitzustellen, die konstantere Anstiegsraten
bzw. Anstiegsgeschwindigkeiten bei Vorhandensein von Prozessschwankungen,
Spannungsänderungen
und/oder Temperatur-Schwankungen (PVT) bietet, die das Leistungsverhalten
beeinflussen. Eine nicht geschlossene (keine Rückkopplung) Lösung wird
verwendet, die konstantere Anstiegsgeschwindigkeiten trotz PVT-Variationen bietet.
In einer Ausführungsform
stellt diese Lösung ein
Verfahren zum Reduzieren der Variation der Anstiegsgeschwindigkeit
eines Ausgangstreibers einer integrierten Schaltung bereit. Das
Verfahren umfasst das Erzeugen eines ersten betriebsverhaltenabhängigen Stromes;
Erzeugen eines Referenzstromes; Erzeugen eines dritten Stromes,
der umgekehrt in Beziehung steht zum Betriebsverhalten unter Anwendung
des Referenzstromes und des betriebsverhaltenabhängigen Stromes; und Zuführen des
dritten Stromes zu einem Gate einer ersten Transistorschaltung,
die einen Teil des Ausgangstreibers bildet, um damit die Anstiegsgeschwindigkeit
bei Anwesenheit von PVT-Variationen zu steuern.
-
In
einer weiteren Ausführungsform
wird eine integrierte Schaltung bereitgestellt, die eine Ausgangs-
bzw. Ausgabeschaltung aufweist, die einen ersten Transistor enthält, der
einen Ausgangsanschluss der integrierten Schaltung mit einem ersten Versorgungsspannungsknoten
verbindet, wenn von der Ausgangsschaltung auszugebende Daten einen ersten
Wert aufweisen. Der erste Transistor ist so angeschlossen, dass
er einen Gatestrom empfängt,
der umgekehrt in Beziehung steht zum Betriebsverhalten der Ausgangsschaltung.
Somit bleibt die Anstiegsgeschwindigkeit zu einem höheren Grade
konstant, selbst für
Variationen im Betriebsverhalten auf Grund von PVT-Schwankungen.
-
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
-
Die
vorliegende Erfindung kann besser verstanden werden und ihre zahlreichen
Aufgaben, Merkmale und Vorteile werden für den Fachmann ersichtlich,
indem auf die begleitenden Zeichnungen Bezug genommen wird.
-
1 zeigt
einen Bereich zum Spannungsherunterziehen einer Ausgangsstufe einer
integrierten Schaltung.
-
2 ist
eine Blockansicht auf höherer
Ebene die eine Ausführungsform
zeigt, wobei ein Gatestrom bereitgestellt ist, der umgekehrt proportional
zu Schwankungen im Betriebsverhalten auf Grund der Prozesse, der
Spannung und der Temperatur ist.
-
3 zeigt
eine Ausführungsform
der Referenzstromerzeugungsschaltung, die in 2 gezeigt ist.
-
4 zeigt
Ausführungsformen
der Erzeugungsschaltung für
prozessabhängige
Ströme,
die in 2 gezeigt ist.
-
5a ist
eine vereinfachte Ansicht, in der eine Ausführungsform einer Ausgangspufferschaltung
gezeigt ist, die die hierin offenbarte Steuerung der Anstiegsgeschwindigkeit
verwendet.
-
5b zeigt
eine weitere Darstellung eines Integrators, der durch die in 5a gezeigte
Schaltung gebildet ist.
-
6 zeigt
die Funktionsweise der Subtrahierschaltung in 2,
die den in 5 verwendeten Strom bereitstellt.
-
7 zeigt,
wie sich die Pufferspannung in Reaktion auf eine Änderung
von V;,, mit einem konstanten Iin ändert, wobei
Vin die Spannung an dem Gate des Ausgangstransistors
ist.
-
8 zeigt
eine Ausführungsform
einer Ausgangspufferschaltung gemäß einer Ausführungsform der
Erfindung.
-
9 zeigt
eine weitere Ausführungsform,
in der der erzeugte Referenzstrom umgekehrt proportional zum Betriebsverhalten
entsprechend zu beispielsweise Prozessvariationen ist.
-
10 zeigt
den Verlauf eines Stromes, der eine stärkere inverse Prozessabhängigkeit
im Vergleich zum Strom in 9 aufweist.
-
11 die
Funktionsweise einer weiteren Ausführungsform der Erfindung, wobei
ein Strom verwendet wird, der sich in der in 9 und 10 gezeigten
Weise verhält.
-
Art bzw. Arten zum Ausführen der
Erfindung
-
In 1 ist
ein Bereich zur Spannungsabsenkung auf ein bestimmtes Potential
bzw. ein Bereich zum Herunterziehen einer Ausgangsstufe einer integrierten
Schaltung gezeigt. Durch einen Transistor 101, der, wenn
er als Resultat eine Signals DATA mit dem Wert 0, das auf einen
Knoten 102 zugeleitet wird, eingeschaltet wird, wird die
Kontaktfläche 103 auf
einen tiefen Pegel herabgezogen. Mit einem idealerweise konstanten
Gatestrom aus einer Stromquelle 107 gibt es eine beträchtliche
(mehr als 2:1) Schwankung in der Ausgangsanstiegsgeschwindigkeit
in Abhängigkeit
von Prozessen, Spannungen und der Temperatur (PVT). Wenn der Gatestrom stattdessen
eine inverse Abhängigkeit
zu den Größen PVT
aufweist, d. h., der Gatestrom nimmt ab, wenn das Leistungsvermögen auf
Grund der Änderung
in den Größen PVT
zunimmt, läge
der Gatestrom näher
an dem Gatestrom, der für
eine konstantere oder im Wesentlichen konstante Ausgangsanstiegsgeschwindigkeit
in Abhängigkeit
von Schwankungen im Prozess, der Spannung und/oder der Temperatur
erforderlich wäre.
-
In 2 wird
in einem Blockdiagramm auf höherer
Ebene eine Ausführungsform
dargestellt, die einen Gatestrom liefert, der umgekehrt abhängt von Leistungsschwankungen
auf Grund von Prozessen, der Spannung der Temperatur. D. h., wenn
das Leistungsvermögen
ansteigt, nimmt der Strom ab, und umgekehrt. In der in 2 dargestellten
Ausführungsform
wird ein Referenzstrom in einer Referenzstromerzeugungsschaltung 201 erzeugt
und ein prozessabhängiger
Strom wird in der Schaltung 203 zum Erzeugen eines prozessabhängigen Stromes
erzeugt. Der prozessabhängige
Strom wird dann von dem Referenzstrom in der Subtrahierschaltung 205 subtrahiert.
Der resultierende Strom wird als ein Gatestrom für einen Transistor in der Ausgangstreiberstufe 207 bereitgestellt.
-
3 zeigt
eine Ausführungsform
einer Referenzstromerzeugungsschaltung 201. Ein externer Widerstand
REXT 301 ist mit einem Ausgangsanschluss
der integrierten Schaltung an der Kontaktfläche 303 verbunden.
Da der Widerstand ein externer Widerstand ist, kann ein Hochpräzisionswiderstand, beispielsweise
mit einer Genauigkeit von besser als 1%, verwendet werden. Die an
der Kontaktfläche 303 anliegende
Spannung wird mit einer Spannung VREF 310 verglichen, die
dem Komparator 305 von dem Spannungsteiler, der aus Widerständen 307 und 308 gebildet
ist, zugeführt
wird. Der Strom durch den variablen Widerstand (RTRIM) 309 wird
durch Transistoren 311 und 315 gespiegelt. Der
Referenzstrom IOut wird als das Ausgangssignal
der Referenzstromerzeugungsschaltung 201 verwendet.
-
Während des
Betriebs ändert
sich die Spannung der Kontaktfläche 303 auf
Grund des veränderlichen
Widerstandes 309, bis der Komparator 305 eine Übereinstimmung
zwischen der Spannung an der Kontaktfläche 303 und der dem
Komparator von dem Spannungsteiler zugeführten Spannung erkennt. Wenn
eine Übereinstimmung
eintritt, ist durch eine bekannte Spannung an der Kontaktfläche 303, die
durch VIO und die Widerstände 307 und 308 festgelegt
ist, und einen bekannten Widerstand bei REXT 301 ein
Strom festgelegt, der intern gespiegelt wird, um den Referenzstrom
IOut zu bilden.
-
In
einer Ausführungsform,
die in
3 gezeigt ist, ist der Widerstand
301 R
EXT = 114 Ω, N = 37 (wobei N das Verhältnis der
Transistorgrößen ist),
der Widerstand
309 R
TRIM = N × R
EXT und I
OUT durch
den Transistor
315 beträgt:
-
Zu
beachten ist, dass, wenn die Spannung VIO eine
unakzeptable große
Schwankung aufweist, eine stabilere Spannungsversorgung verwendet
werden kann. Andere Fehler in dem Ausgangsstrom IOut können auf
Grund eines nicht genau übereinstimmenden
N-Verhältnisses
für die
Transistoren 311, 313 und 315 hervorgerufen
werden. Eine geringe Verstärkung
in der Differenzverstärkung
in dem Komparator 305 kann ebenfalls einen Fehler hervorrufen.
-
In 4 sind
Ausführungsformen
einer Schaltung zum Erzeugen von prozessabhängigen Strömen 203 dargestellt.
Die Ausführungsformen
in 4 zeigen den Verlauf eines prozessabhängigen Stromes,
der proportional zum Leistungsverhalten ist, wobei PMOS-Transistoren 401, 403 und 405 und NMOS-Transistoren 411, 413 und 415 verwendet werden.
Der Strom proportional zum Leistungsverhalten, der als IPVT dargestellt ist und von der Substrahierschaltung 205 (siehe 2)
verwendet wird, um einen Gatestrom zu erhalten, wird zum Ansteuern eines
Transistors in der Ausgangsstufe 207 verwendet. Es können zwei
Subtrahierschaltungen verwendeten werden, um einen Strom zu dem
Hochzieh- und Herunterziehbereich der Ausgangstreiberschaltung zu
führen.
Der prozessabhängige
Strom wird von dem Referenzstrom abgezogen und der resultierende
Strom dient als eine Stromreferenz zum Ansteuern des Ausgangstransistors,
der den Ausgangsanschluss mit der hochpegeligen oder tiefpegeligen Versorgungsspannung
in der Ausgangsstufe verbindet.
-
Für jene integrierten
Schaltungen, die in dem schnellen Bereich liegen, wird der prozessabhängige Strom,
der von dem in 4 gezeigten Schaltungen bereitgestellt
wird, einen höheren
Wert im Vergleich zu jenen integrierten Schaltungen aufweisen, die
zu dem langsamen Bereich gehören,
für den
der prozessabhängige
Strom geringer ist. Ohne die technische Lehre, die hierin offenbart
ist, würden
jene integrierte Schaltungen, die zum schnellen Bereich gehören, und
jene die zum langsamen Bereich gehören, unakzeptabel unterschiedliche
Anstiegsgeschwindigkeiten aufweisen.
-
5a ist
eine vereinfachte Ansicht, in der eine Ausgangspufferschaltung gezeigt
ist, in der die hierin offenbarte Steuerung der Anstiegsgeschwindigkeit
verwendet ist. Stromreferenzen 501 und 503 liefern
einen Storm zu den Gates von Transistoren 505 und 507,
die die Kontaktfläche 502 entsprechend dem
Steuersignal auf ein höheres
oder tieferes Spannungsniveau ziehen, wobei die Steuersignale den Gates
der Transistoren 501 und 503 zu geleitet sind. Andere
Bereiche des Ausgangstreibers, etwa die in 1 gezeigten
zusätzlichen
Details, sind der Einfachheit halber hier weggelassen. Der Bereich
des Ausgangstreibers zum Herunterziehen, der die Stromreferenz 503 enthält, liefert
Strom (der in einer Weise erzeugt wird, wie dies in Bezug zu 2 beschrieben
ist) zu dem Gate von Transistoren 507. Ein Integrator ist
in der Ausgangsstufe gebildet und enthält den Transistor 507 und
die Gate-Drain-Kapazität Cgd 509, die mit dem Transistor 507 verknüpft ist.
Der Hochziehbereich des Ausgangspuffers arbeitet in ähnlicher
Weise.
-
Der
durch die in
5a gezeigte Schaltung gebildete
Integrator kann auch in der in
5b gezeigten
Weise vorgesehen werden. Der Integrator enthält eine Stromquelle
510,
die einen Verstärker
511 mit
einer Verstärkung
Av versorgt, und enthält
einen Kondensator
512. Die Stromquelle
510 repräsentiert
die Stromquelle
501 oder
503 und der Kondensator
512 ist
die Gate-Drain-Kapazität,
die mit dem Transistor
505 oder
507 verknüpft ist.
Der Integrator in
5 arbeitet gemäß der folgenden
Gleichung:
wobei C eine Konstante ist.
Für einen
großen
Wert Av beträgt
die Anstiegsrate, bevor der Eingang den Schwellwert des Verstärkers an
dem Gate erreicht:
wobei nI
REF der
Strom ist, der von der Stromquelle
510 geliefert wird.
Während
des Ausgebens beträgt die
Anstiegsgeschwindigkeit:
-
6 zeigt
die Funktionsweise der Subtrahierschaltung 205 in 1,
die den in 5 verwendeten Strom liefert.
Der Referenzstrom IREF 601 wird von
der Referenzstromerzeugungsschaltung 201 geliefert. Dieser
Strom kann im Wesentlichen im Hinblick auf Prozess- und Spannungsschwankungen konstant
sein oder kann eine gewisse Schwankung aufweisen, wie dies zuvor
beschrieben ist. Der prozessabhängige
Strom IPVT 603, der beispiels weise von
dem in 4 gezeigten Schaltungen erzeugt wird, wird von
dem Referenzstrom abgezogen und der resultierende Strom ISLEW wird als Gatestrom beispielsweise dem
Transistor 507 (siehe 5)
zugeführt.
Zu beachten ist, dass der Gatestrom ISLEW kleiner
wird, wenn das Leistungsvermögen
ansteigt.
-
7 zeigt,
wie die Spannung an der Anschlussfläche und Vin sich ändert, wenn
ein konstanter Iin (siehe 510 in 5) angenommen wird, wobei Vin die
Spannung an dem Gate des Ausgangstransistors (z. B. der Transistor 507 in 5) ist, der die Kontaktfläche mit
einer Versorgungsspannung (d. h. hohe Versorgungsspannung oder Masse)
verbindet, und Av repräsentiert
die Verstärkung
der Ausgangsschaltung. Zu beachten ist, dass Iin die
Eingangskapazität
vor und nach einer Richtungsänderung
des Ausgangssignals schneller auflädt.
-
8 zeigt
eine Ausführungsform
einer Ausgangspufferschaltung gemäß einer Ausführungsform der
Erfindung. Der Referenzstrom, der z. B. wie in 3 dargestellt
erzeugt wird, wird einem Knoten 801 zugeführt. Die
Schaltungen zum Erzeugen prozessabhängiger Ströme 803 und 805 stellen
den Strom bereit, der direkt entsprechend dem Leistungsverhalten
auf Grund von z. B. Prozess-, Spannungs- und Temperaturschwankungen
variiert. Die Schaltungen zum Erzeugen prozessabhängiger Ströme 803 und 805 liefern
Ströme
zu dem Summationsknoten 807 bzw. 809, in denen
eine Kopie des Referenzstromes, der auf dem Knoten 801 bereitgestellt
wird, erzeugt wird. Der prozessabhängige Strom wird von dem Referenzstrom
an den Summationsknoten 807 und 809 subtrahiert,
um den Gatestrom 605 (ISLEW) zu erzeugen,
der in 6 gezeigt ist. Wenn die Eingangsdaten, die dem
Knoten 815 zugeleitet werden, den Wert Null besitzen, wird
ein Strom in dem Zweig 807a erzeugt, der einen Wert von
IREF-IPVT besitzt,
der dem Gate des Transistors 811 über einen Knoten 862 und
den Transistor 812 zugeleitet wird. Der Transistor 812 dient
als ein Durchlassgate, das so gesteuert ist, dass es leitend ist,
wenn die Anstiegssteuerung verwendet wird. Es kann in gewissen Ausführungsformen
ausgeschaltet werden, wenn der Ausgangspuffer so gestaltet ist,
dass er ohne die Anstiegssteuerung arbeitet, um einen Schutz bereitzustellen, wenn
VIO 3,3 Volt beträgt. In dem Anstiegssteuerungsmodus
in der dargestellten Ausführungsform beträgt VIO für
1,5 Volt.
-
Wenn
die an dem Knoten 815 bereitgestellten Daten den Wert 1
besitzen, wird ein Strom im Zweig 809a erzeugt, der einen
Wert von IREF-IPVT besitzt,
der dem Gate eines Hochzieh- Transistors 817 über einen
Knoten 860 und einen Durchlasstransistor 818 zugeleitet
wird, der ähnlicher
Weise ausgebildet ist, wie der Durchlasstransistor 812.
Der Transistor 814 liefert eine Rückkopplung, um eine Voransteuerungsauslenkung
zu ermöglichen.
-
Obwohl
dies für
das Verständnis
der Erfindung nicht erforderlich ist, können die Steuereingänge CTL1,
CTL2, CTL3 und CTL4 so konfiguriert sein, dass ein Betrieb im 3,3
Volt-Modus in Verbindung
mit anderen Schaltungen (nicht gezeigt) möglich ist, in denen ein Anstiegssteuerung
nicht verwendet wird. Dies ermöglicht
es, dass der gleiche Ausgangstreiber für unterschiedliche Betriebsarten
eingesetzt wird, um die Ausgangskapazität in einer speziellen Ausführungsform
der Erfindung zu begrenzen. Beim Betrieb mit 3,3 Volt wird die Anstiegssteuerung
nicht verwendet, so dass Details für das Bereitstellen dieser
Fähigkeit
weggelassen werden, da sie für
das Verständnis
der Erfindung nicht erforderlich sind. Im asymmetrischen Steuerungsmodus
und bei VIO ungefähr 1,5 Volt sind CTL1, CTL2
und CTL4 ungefähr 3,3
Volt und CTL3 = 0.
-
Zu
beachten ist, dass die Eingangs/Ausgangs-Logik häufig auf einer unterschiedlichen
Leistungsebene angeordnet sind, wobei z. B. VIO im
Gegensatz zu VDD Verwendung findet, wobei geeignete Schaltungen
erforderlich sein können,
um eine Verbindung zwischen den zwei Leistungsebenen herzustellen,
z. B. wenn Daten auf einem Knoten 815 empfangen werden,
in einer Weise, wie dies im Stand der Technik bekannt ist.
-
8 zeigt
auch eine Ausführungsform,
in der eine zusätzliche
Hochzieh- oder Herabzieh-Schaltung
vorgesehen ist, um den Voransteuerungsschalter bereitzustellen.
Derartige Schaltungen können
eingesetzt werden, um eine Änderung
im Logikpegel innerhalb der zugeordneten Zeit zu erreichen, beispielsweise
in einer Bitzeit. In der dargestellten Ausführungsform wird der Wert an
der Ausgangskontaktfläche 869 an
den Knoten 850 zurückgespeist,
wodurch der Transistor 851 oder der Transistor 853 eingeschaltet
wird. Wenn daher der Wert der Ausgangskontaktfläche einen Sollwert erreicht, wird
die Voransteuerung rascher bewerkstelligt. Wenn beispielsweise die
Ausgangskontaktfläche sich
einem Logikwert von 1 annähert,
wird die Spannung an den Knoten 850 zurückgekoppelt, wodurch der Transistor 853 beginnt
durchzuschalten. Der Transistor 855 ist bereits auf Grund
des Wertes der an dem Knoten 815 eingespeisten Daten durchgeschaltet.
Somit wird der Knoten 869 in der zugeordneten Zeit vollständiger herabgezogen.
Dies hilft, eine Beendigung der Einschwingzeit der internen Knoten
in der zugewiesenen Zeit sicherzustellen, um damit eine Zwischensymbol-Störung (ISI)
zu vermeiden.
-
In
9 ist
in einer weiteren Ausführungsform
der Referenzstrom direkt abhängig
von dem Leistungsverhalten, das beispielsweise von Prozessschwankungen
abhängt.
Der Referenzstrom
wobei V
gs eine
Funktion des Prozesses, der Spannung und der Temperatur und der
Widerstandstoleranz ist. Gemäß
10 wird
ein Strom I
PVT, erzeugt, der eine stärkere Prozessabhängigkeit
besitzt,
Sodann wird I
PVT von
I
REF abgezogen, um den Gatestrom I
SLEW zu erzeugen, der in
11 gezeigt
ist. Zu beachten ist, dass der resultierende Strom I
SLEW weiterhin
umgekehrt in Beziehung steht zum Leistungsverhalten, da I
PVT einen steileren Verlauf als I
REF aufweist. Zu beachten ist ferner, dass
wie in
11 gezeigt ist, bei einer Änderung
von R der Strom I
PTV und der Strom I
REF ebenso variieren. Minimale und maximale
Kurvenverläufe
sowohl für
I
REF und I
PVT auf
Basis von R sind dargestellt. Für
I
REF ist eine einzelne Kurve gezeigt, wobei
die Kurve auch variieren kann in Abhängigkeit davon, welche Werte
für I
PVT und I
REF verwendet
werden, um I
SLEW zu erzeugen.
-
Es
wurden somit diverse Ausführungsformen zum
Steuern der Anstiegsrate in einem Ausgangspuffer beschrieben. Die
Beschreibung der Erfindung, wie sie hierin dargestellt ist, ist
lediglich anschaulicher Natur und soll den Schutzbereich der Erfindung, wie
sie in den folgenden Patentansprüchen
beschrieben ist, nicht beschränken.
Es können
andere Variationen und Modifizierungen der hierin offenbarten Ausführungsformen
auf der Grundlage der hierin dargelegten Beschreibung durchgeführt werden,
ohne von dem Schutzbereich der Erfindung abzuweichen, wie sie in
den folgenden Patentansprüchen
dargestellt ist.
-
Zusammenfassung
-
Es
wird eine Ausgangstreiberschaltung (807) offenbart, die
konstantere Anstiegsgeschwindigkeiten bei Auftreten von Prozess-,
Spannungs- oder Temperaturschwankungen bietet, die das Leistungsverhalten
beeinflussen. Es wird eine offene Lösung (keine Rückkopplung)
verwendet, die konstantere Anstiegsgeschwindigkeiten trotz des Vorhandenseins
von PVT-Schwankungen
bietet. Ein erster leistungsabhängiger
Strom (203) und ein Referenzstrom (201) werden
erzeugt und es wird ein dritter Strom erzeugt (205), der
im ungekehrten Verhältnis zum
Leistungsverhalten steht, wobei der Referenzstrom und der leistungsabhängige Strom
verwendet werden. Der dritte Strom (860, 862)
wird einem Gate einer ersten Transistorschaltung (817, 811)
zugeleitet, die einen Teil des Ausgangstreibers bildet, um damit
die Anstiegsgeschwindigkeit zu steuern.