DE1118888B - Diffusionstransistor und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents
Diffusionstransistor und Verfahren zu dessen HerstellungInfo
- Publication number
- DE1118888B DE1118888B DEN18131A DEN0018131A DE1118888B DE 1118888 B DE1118888 B DE 1118888B DE N18131 A DEN18131 A DE N18131A DE N0018131 A DEN0018131 A DE N0018131A DE 1118888 B DE1118888 B DE 1118888B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- collector
- zone
- collector zone
- bombardment
- attached
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P34/00—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices
- H10P34/40—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
- H10P95/50—Alloying conductive materials with semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01515—Forming coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB12229/59A GB919211A (en) | 1959-04-10 | 1959-04-10 | Improvements in and relating to semi-conductor devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1118888B true DE1118888B (de) | 1961-12-07 |
| DE1118888C2 DE1118888C2 (enExample) | 1962-06-28 |
Family
ID=10000727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEN18131A Granted DE1118888B (de) | 1959-04-10 | 1960-04-06 | Diffusionstransistor und Verfahren zu dessen Herstellung |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH381328A (enExample) |
| DE (1) | DE1118888B (enExample) |
| FR (1) | FR1253756A (enExample) |
| GB (1) | GB919211A (enExample) |
| NL (1) | NL250075A (enExample) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1240198B (de) * | 1963-06-04 | 1967-05-11 | Sperry Rand Corp | Elektronisches Duennschichtbauelement |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6047725B2 (ja) * | 1977-06-14 | 1985-10-23 | ソニー株式会社 | フエライトの加工法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2799637A (en) * | 1954-12-22 | 1957-07-16 | Philco Corp | Method for electrolytic etching |
| AT194909B (de) * | 1955-03-23 | 1958-01-25 | Western Electric Co | Verfahren zur Vorbehandlung eines Halbleiterkörpers für eine Halbleitereinrichtung und danach erhaltene Halbleiterkörper |
| DE1024640B (de) | 1953-07-22 | 1958-02-20 | Int Standard Electric Corp | Verfahren zur Herstellung von Kristalloden |
| DE1035787B (de) | 1954-08-05 | 1958-08-07 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit mehreren UEbergaengen, z. B.Flaechen-Transistoren |
-
0
- NL NL250075D patent/NL250075A/xx unknown
-
1959
- 1959-04-10 GB GB12229/59A patent/GB919211A/en not_active Expired
-
1960
- 1960-04-06 DE DEN18131A patent/DE1118888B/de active Granted
- 1960-04-07 CH CH392260A patent/CH381328A/de unknown
- 1960-04-08 FR FR823978A patent/FR1253756A/fr not_active Expired
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1024640B (de) | 1953-07-22 | 1958-02-20 | Int Standard Electric Corp | Verfahren zur Herstellung von Kristalloden |
| DE1035787B (de) | 1954-08-05 | 1958-08-07 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit mehreren UEbergaengen, z. B.Flaechen-Transistoren |
| US2799637A (en) * | 1954-12-22 | 1957-07-16 | Philco Corp | Method for electrolytic etching |
| AT194909B (de) * | 1955-03-23 | 1958-01-25 | Western Electric Co | Verfahren zur Vorbehandlung eines Halbleiterkörpers für eine Halbleitereinrichtung und danach erhaltene Halbleiterkörper |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1240198B (de) * | 1963-06-04 | 1967-05-11 | Sperry Rand Corp | Elektronisches Duennschichtbauelement |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CH381328A (de) | 1964-08-31 |
| DE1118888C2 (enExample) | 1962-06-28 |
| GB919211A (en) | 1963-02-20 |
| NL250075A (enExample) | 1900-01-01 |
| FR1253756A (fr) | 1961-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE19803490C2 (de) | Abscheidevorrichtung | |
| DE966492C (de) | Elektrisch steuerbares Schaltelement aus Halbleitermaterial | |
| DE3223432C2 (de) | Verfahren zum Beseitigen von Kurz- oder Nebenschlüssen des Halbleiterkörpers einer Solarzelle | |
| DE1092131B (de) | Transistor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE1080696B (de) | Transistor, insbesondere Unipolartransistor, mit einem ebenen Halbleiterkoerper und halbleitenden, zylindrischen Zaehnen auf dessen Oberflaeche und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE2142146A1 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung | |
| DE874936C (de) | Transister fuer Stromverstaerkung | |
| DE1130522B (de) | Flaechentransistor mit anlegierten Emitter- und Kollektorelektroden und Legierungs-verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE1018555B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere einer Kristalldiode oder eines Transistors, deren halbleitender Koerper mit wenigstens einer aufgeschmolzenen Elektrode versehen ist | |
| DE1521414C3 (de) | Verfahren zum Aufbringen von nebeneinander liegenden, durch einen engen Zwischenraum voneinander getrennten Metallschichten auf eine Unterlage | |
| DE1090770B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit nahe nebeneinander liegenden aufgeschmolzenen Elektroden | |
| DE1150456B (de) | Esaki-Diode und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE1118888B (de) | Diffusionstransistor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE919303C (de) | Kristallgleichrichter | |
| DE2608813C3 (de) | Niedrigsperrende Zenerdiode | |
| AT221585B (de) | Diffusionstransistor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE1217502B (de) | Unipolartransistor mit einer als duenne Oberflaechenschicht ausgebildeten stromfuehrenden Zone eines Leitungstyps und Verfahren zum Herstellen | |
| DE1227562B (de) | Verfahren zum Herstellen von Tunneldioden nach Esaki fuer hohe Frequenzen mit kleinerPN-UEbergangsflaeche und nach diesem Verfahren hergestellte Tunneldioden | |
| DE1295695B (de) | Steuerbares Halbleiterbauelement mit vier aufeinanderfolgenden Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps | |
| DE1137078B (de) | Halbleitervorrichtung mit mehreren stabilen Halbleiterelementen | |
| DE1252809B (de) | Halbleiterdiode mit einem einkristallinen Halbleiterkörper und mit Rekombinationszentren in der n- und in der p-Zone und Verfahren zum Herstellen | |
| DE1295089B (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, insbesondere eines Transistors | |
| DE1253825B (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Halbleiterkoerper aus Galliumarsenid durch AEtzen | |
| AT206937B (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
| AT210476B (de) | Halbleitervorrichtung |