DE1118888B - Diffusionstransistor und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents
Diffusionstransistor und Verfahren zu dessen HerstellungInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB12229/59A GB919211A (en) | 1959-04-10 | 1959-04-10 | Improvements in and relating to semi-conductor devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1118888B true DE1118888B (de) | 1961-12-07 |
| DE1118888C2 DE1118888C2 (enExample) | 1962-06-28 |
Family
ID=10000727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEN18131A Granted DE1118888B (de) | 1959-04-10 | 1960-04-06 | Diffusionstransistor und Verfahren zu dessen Herstellung |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH381328A (enExample) |
| DE (1) | DE1118888B (enExample) |
| FR (1) | FR1253756A (enExample) |
| GB (1) | GB919211A (enExample) |
| NL (1) | NL250075A (enExample) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1240198B (de) * | 1963-06-04 | 1967-05-11 | Sperry Rand Corp | Elektronisches Duennschichtbauelement |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6047725B2 (ja) * | 1977-06-14 | 1985-10-23 | ソニー株式会社 | フエライトの加工法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2799637A (en) * | 1954-12-22 | 1957-07-16 | Philco Corp | Method for electrolytic etching |
| AT194909B (de) * | 1955-03-23 | 1958-01-25 | Western Electric Co | Verfahren zur Vorbehandlung eines Halbleiterkörpers für eine Halbleitereinrichtung und danach erhaltene Halbleiterkörper |
| DE1024640B (de) | 1953-07-22 | 1958-02-20 | Int Standard Electric Corp | Verfahren zur Herstellung von Kristalloden |
| DE1035787B (de) | 1954-08-05 | 1958-08-07 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit mehreren UEbergaengen, z. B.Flaechen-Transistoren |
-
0
- NL NL250075D patent/NL250075A/xx unknown
-
1959
- 1959-04-10 GB GB12229/59A patent/GB919211A/en not_active Expired
-
1960
- 1960-04-06 DE DEN18131A patent/DE1118888B/de active Granted
- 1960-04-07 CH CH392260A patent/CH381328A/de unknown
- 1960-04-08 FR FR823978A patent/FR1253756A/fr not_active Expired
Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
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| DE1240198B (de) * | 1963-06-04 | 1967-05-11 | Sperry Rand Corp | Elektronisches Duennschichtbauelement |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CH381328A (de) | 1964-08-31 |
| FR1253756A (fr) | 1961-02-10 |
| GB919211A (en) | 1963-02-20 |
| DE1118888C2 (enExample) | 1962-06-28 |
| NL250075A (enExample) | 1900-01-01 |
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