AT194909B - Verfahren zur Vorbehandlung eines Halbleiterkörpers für eine Halbleitereinrichtung und danach erhaltene Halbleiterkörper - Google Patents

Verfahren zur Vorbehandlung eines Halbleiterkörpers für eine Halbleitereinrichtung und danach erhaltene Halbleiterkörper

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1118888B (de) * 1959-04-10 1961-12-07 Philips Nv Diffusionstransistor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE1289189B (de) * 1964-07-03 1969-02-13 Telefunken Patent Verfahren zum Eindiffundieren von Stoerstellen in einen Halbleiterkoerper

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1118888B (de) * 1959-04-10 1961-12-07 Philips Nv Diffusionstransistor und Verfahren zu dessen Herstellung
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