DE1113033B - Verfahren zur Begrenzung der Legierungs-flaeche von in einen Halbleiterkristall einzulegierendem Elektrodenmaterial - Google Patents
Verfahren zur Begrenzung der Legierungs-flaeche von in einen Halbleiterkristall einzulegierendem ElektrodenmaterialInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL238257 | 1959-04-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1113033B true DE1113033B (de) | 1961-08-24 |
| DE1113033C2 DE1113033C2 (enrdf_load_html_response) | 1962-03-08 |
Family
ID=19751673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEN18166A Granted DE1113033B (de) | 1959-04-17 | 1960-04-13 | Verfahren zur Begrenzung der Legierungs-flaeche von in einen Halbleiterkristall einzulegierendem Elektrodenmaterial |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH385350A (enrdf_load_html_response) |
| DE (1) | DE1113033B (enrdf_load_html_response) |
| FR (1) | FR1267807A (enrdf_load_html_response) |
| GB (1) | GB925743A (enrdf_load_html_response) |
| NL (1) | NL238257A (enrdf_load_html_response) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2796562A (en) * | 1952-06-02 | 1957-06-18 | Rca Corp | Semiconductive device and method of fabricating same |
-
0
- NL NL238257D patent/NL238257A/xx unknown
-
1960
- 1960-04-13 DE DEN18166A patent/DE1113033B/de active Granted
- 1960-04-14 CH CH429460A patent/CH385350A/de unknown
- 1960-04-14 GB GB13395/60A patent/GB925743A/en not_active Expired
- 1960-04-15 FR FR824581A patent/FR1267807A/fr not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2796562A (en) * | 1952-06-02 | 1957-06-18 | Rca Corp | Semiconductive device and method of fabricating same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL238257A (enrdf_load_html_response) | |
| GB925743A (en) | 1963-05-08 |
| FR1267807A (fr) | 1961-07-28 |
| DE1113033C2 (enrdf_load_html_response) | 1962-03-08 |
| CH385350A (de) | 1964-12-15 |
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