DE1111402B - Verfahren zur Herstellung von hochreinem Indium oder Indiumverbindungen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von hochreinem Indium oder Indiumverbindungen

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DE1111402B
DE1111402B DEL22407A DEL0022407A DE1111402B DE 1111402 B DE1111402 B DE 1111402B DE L22407 A DEL22407 A DE L22407A DE L0022407 A DEL0022407 A DE L0022407A DE 1111402 B DE1111402 B DE 1111402B
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DE
Germany
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indium
acid
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high purity
hydrochloric acid
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DEL22407A
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Dr-Ing Franz Arthur Pohl
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Publication date
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    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G15/00Compounds of gallium, indium or thallium
    • C01G15/003Preparation involving a liquid-liquid extraction, an adsorption or an ion-exchange
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B3/00Extraction of metal compounds from ores or concentrates by wet processes
    • C22B3/20Treatment or purification of solutions, e.g. obtained by leaching
    • C22B3/26Treatment or purification of solutions, e.g. obtained by leaching by liquid-liquid extraction using organic compounds
    • C22B3/302Ethers or epoxides
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description

  • Verfahren zur Herstellung von hochreinem Indium oder Indiumverbindungen Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von hochreinem Indium mit einem Reinheitsgrad von mindestens 99,995 % oder von hochreinen Indiumverbindungen unter Verwendung von Flüssig-Flüssig-Extraktion mit einem nichtmischbaren Solvens. Als Ausgangssubstanz können handelsübliche Produkte von Indium oder Indiumverbindungen, aber auch nach bekannten Verfahren gewonnenes metallisches Indium verwendet werden.
  • Zur Herstellung von reinem Indium werden bisher bei dessen Raffination vorwiegend elektrolytische Prozesse angewendet, bei denen der erzielte Effekt von der richtigen Zusammensetzung des Elektrolyten abhängt. Um den Reinheitsgrad des Endproduktes zu erhöhen, hat man fraktionierte Elektrolysen sowie wiederholte chemische Fällung, z. B. mit Ammoniak oder Schwefelwasserstoff, eingesetzt. Solche Verfahren sind in »Gmelins Handbuch der Anorganischen Chemie«, B. Auflage, 1936, Indium, System Nr. 37, S. 14 und 15, beschrieben. Nach dem Handbuch von G m e 1 i n läßt sich z. B. durch ein Verfahren der mehrfachen Elektrolyse in salzsaurer Lösung Indium gewinnen, das insgesamt bis zu 0,009 % an metallischen Verunreinigungen enthält. Das im »Bulletin of the Institution of Mining and Metallurgy«, 60 (1950), S. 77 bis 80, angegebene Reinigungsverfahren mittels Zinkchlorid-Ammoniumchlorid soll Indium mit einem Reinheitsgrad bis 99,9990% ergeben. Es ist aber mit diesen und anderen bekannten Verfahren nicht möglich, Indium so weit zu reinigen, daß ein Reinheitsgrad von mindestens 99,9995% erreicht wird und der Gehalt an metallischen Verunreinigungen, vorwiegend Blei, Titan, Nickel, Kupfer, Zink, Aluminium, Wismut, Magnesium, Eisen, Arsen, Cadmium und Antimon, spektralanalytisch nicht mehr nachweisbar ist. Daher führt nach bekannten Verfahren hergestelltes Indium bei der Verwendung für halbleitende Verbindungen, z. B. Indiumantimonid und andere Indiumverbindungen, zu Halbleitern, deren Reinheit den außerordentlich hohen Anforderungen für die Anwendung in Halbleitereinrichtungen nicht genügen kann.
  • Es wurde nun gefunden, daß die Reinigung von Indium in wesentlich höherem Maße als nach bekannten Verfahren durch Verwendung von Flüssig-Flüssig-Extraktion mit einem nichtmischbaren Solvens gelingt, indem erfindungsgemäß zwei Extraktionen aus verschiedenen Halogensäuren vorgenommen werden.
  • Bevorzugt kann zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens die eine Flüssig-Flüssig-Extraktion aus Bromwasserstoffsäure oder Jodwasserstoffsäure und die andere Flüssig-Flüssig-Extraktion aus Chlorwasserstoffsäure vorgenommen werden. Zweckmäßig kann man zunächst aus 2 bis 5 n-Bromwasserstoffsäure oder aus 0,5 bis 3 n-Jodwasserstoffsäure und anschließend aus 5 bis 8 n-Chlorwasserstoffsäure extrahieren. Besonders vorteilhaft erweist sich die Verwendung einer 4 n-Bromwasserstoffsäure oder einer 2 n-Jodwasserstoffsäure zur Ausführung der einen Extraktion und die Verwendung einer 6 n-Chlorwasserstoffsäure zur Ausführung der anderen Extraktion.
  • Zur Erzeugung einer halogensauren Phase kann an Stelle von einer Halogenwasserstoffsäure das dieser entsprechende Alkalihalogenid in Verbindung mit einer Mineralsäure, insbesondere Schwefelsäure, verwendet werden. Als mit Wasser nichtmischbares Solvens sind Ester, Kohlenwasserstoffe, chlorierte Kohlenwasserstoffe oder Äther, vorzugsweise Äthyläther oder Isopropyläther, verwendbar.
  • Zwischen den Extraktionen aus halogensaurer Phase kann man den Extrakt zweckmäßig mit reinstem Ammoniak behandeln, den man vorteilhaft im Polyäthylengefäß aus bidestilliertem Wasser und Ammoniakgas herstellt; man saugt dann die überstehende Lösung ab und löst in der zur anschließenden Extraktion vorgesehenen Säure. Eine Umsetzung mit reinstem Ammoniak wird vorteilhaft auch nach der zweiten Extraktion vorgenommen. Das so gereinigte Indiumhydroxyd wird in einem Elektrolyten gelöst und daraus metallisches Indium in bekannter Weise abgeschieden; nach der Überführung des Indiumhydroxyds in das Oxyd kann metallisches Indium auch durch Reduktion in Wasserstoffatmosphäre gewonnen werden. Das gereinigte Indiumhydroxyd kann aber auch nach bekannten Verfahren in eine gewünschte Indiumverbindung übergeführt werden.
  • Die der Erfindung zugrunde liegenden Untersuchungen haben ergeben, daß Indium gegenüber anderen Metallen bei der Extraktion mit einem Solvens, welches mit Wasser nicht mischbar ist, z. B. Äther, ein von anderen Elementen abweichendes Verhalten zeigt. Während die meisten Elemente in bestimmten Wertigkeitsstufen als Halogensäurenkomplexe mit Äther entweder eine merkliche oder aber gar keine Extrahierbarkeit zeigen und diese Eigenschaften bei Verwendung von Chlor-, Brom-und Jodwasserstoffsäuren ähnlich sind, verhält sich Indium als Chlorwasserstoffkomplex bei der Extraktion völlig anders als in Form des Brom- oder Jodwasserstoffkomplexes. Aus Bromwasserstoff oder Jodwasserstoff ist Indium quantitativ extrahierbar, dagegen verbleibt es bei Chlorwasserstoff in der Säurephase.
  • Auf dieser Tatsache beruht die Möglichkeit, Indium durch Aufeinanderfolge von Bromid- oder Jodidextraktion und Chloridextraktion von möglicherweise im Ausgangsprodukt enthaltenen Verunreinigungen der Elemente Calcium, Barium, Strontium, Beryllium, Magnesium, seltene Erden, Titan, Chrom, Mangan, Kobalt, Nickel, Kupfer, Eisen, Zink, Aluminium, Arsen, Molybdän, Silber, Cadmium, Antimon, Gold, Quecksilber, Blei, Wismut, Silicium, Thallium und Gallium zu trennen. Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren können Verunreinigungen an diesen Elementen so weit aus dem Indium entfernt werden, daß das Indium einen Verunreinigungsgehalt an diesen Elementen von weniger als insgesamt 5 - 10-4 Gewichtsprozent aufweist. Die Reinigungswirkung des erfindungsgemäßen Verfahrens zeigt ferner das in nachstehender Tabelle zusammengefaßte Ergebnis einer durchschnittlichen Analyse.
    Gemäß
    Festgestellte Rohprodukt der Erfindung
    Verunreinigungs- Indium gereinigtes
    elemente (99,9 0l0) Indium (minde-
    stens 99,9995 0/0)
    Kupfer ........... 0,0005811/o 0,00000°/o
    Wismut ........... 0,0140% 0,0000O11%
    Blei .............. 0,02211/o 0,000017'%
    Cadmium ......... 0,0060% 4,00000,1/o
    Zink ............. 0,01900% 0,0000820/0
    Thallium . . . . . . . . . . 0,00062'0% 0,00000,1/o
    Eisen ............. 0,0100% 0,000062%
    Beispiel Die zu reinigende Ausgangssubstanz, also Indium oder eine Indiumverbindung, kann nach einem der üblichen technischen Verfahren gewonnen werden. Sie wird nach einem bekannten Verfahren in das Bromid des Indiums übergeführt und z. B. in 4 n-Bromwasserstoffsäure in Lösung gebracht.
  • Man führt diese Lösung in eine Extraktionsapparatur über und extrahiert z. B. mit Äther. Bei dieser Extraktion verbleiben Verunreinigungen an den Elementen Calcium, Blei, Nickel, Silber, Kupfer, Aluminium, Wismut, Silicium, Magnesium, Barium, Quecksilber, seltene Erden, Titan, Chrom, Mangan, Kobalt, Strontium, Zink, Cadmium, Beryllium in der Säurephase, während Verunreinigungen an den Elementen Thallium, Zinn, Arsen, Antimon, Eisen, Gallium, Molybdän, Gold und das Indium durch die Extraktion abgetrennt werden. Hierbei ist es gleichgültig, ob die Verunreinigungen, die durch die Extraktion entfernt werden, in der zu reinigenden Ausgangssubstanz enthalten waren oder im Wege der Lösung eingeschleppt worden sind.
  • An die Atherextraktion wird vorzugsweise eine Umsetzung mit reinstem Ammoniak angeschlossen. Die Darstellung des reinsten Ammoniaks kann vorteilhaft im Polyäthylengefäß aus Ammoniakgas und bidestilliertem Wasser vorgenommen werden. Die Lösung über dem gebildeten Indiumhydroxyd wird zweckmäßig abgesaugt.
  • Hiernach wird das Indiumhydroxyd z. B. in 6 n-Chlorwasserstoffsäure gelöst und aus dieser Phase eine Extraktion mit Äther ausgeführt. Während Verunreinigungen an den Elementen Thallium, Zinn, Arsen, Antimon, Eisen, Gallium, Molybdän und Gold durch diese Ätherextraktion entfernt werden können, bleibt nun das Indium in der Chlorwasserstoffsäure in Lösung zurück.
  • Durch erneute Umsetzung mit Ammoniak erhält man das von Verunreinigungen befreite Indium als Hydroxyd. Nach dem Filtrieren wird das Indiumhydroxyd in einem Elektrolyten gelöst und in metallischer Form durch elektrolytische Abscheidung nach bekannten Verfahren gewonnen oder nach bekannten Verfahren in die gewünschte Indiumverbindung übergeführt: Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestelltes Indium eignet sich besonders für Anwendungen auf dem Halbleitergebiet. Inbesondere kann nach der Erfindung hergestelltes Indium als Ausgangssubstanz zur Herstellung von halbleitenden Verbindungen des Indiums, insbesondere von intermetallischen Verbindungen, verwendet werden. Weiterhin ist es von Vorteil, nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestelltes Indium zur Erzeugung von sperrschichtbildenden oder eine Sperrschichtbildung verhindernde Kontakten für Halbleiteranordnungen, insbesondere zur Kontaktierung von Halbleiterkristallen aus Germanium, Silicium oder Selen zu verwenden. Halbleitende Verbindungen des Indiums können als Halbleiterkristalle günstig in ungesteuerten oder gesteuerten Gleichrichtern, vorzugsweise Transistoren, Anwendung finden.

Claims (6)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Verfahren zur Herstellung von hochreinem Indium oder hochreinen Indiumverbindungen, dadurch gekennzeichnet, daß das zu reinigende Indium in Brom- oder Jodwasserstoffsäure gelöst, mit einem mit Wasser nichtmischbaren Solvens extrahiert, als Hydroxyd gefällt, in Chlorwasserstoffsäure gelöst, aus dieser Lösung die restlichen Verunreinigungen mit einem mit Wasser nichtmischbaren Solvens extrahiert und das in der Säure gelöste Indium in bekannter Weise in metallisches Indium oder in eine Indiumverbindung überführt wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die erste Extraktion 2 bis 5 n-Bromwasserstoffsäure, vorzugsweise 4 n-Bromwasserstoffsäure, oder 0,5 bis 3 n-Jodwasserstoffsäure, vorzugsweise 2 n-Jodwasserstoffsäure, und für die zweite Extraktion 5 bis 8 n-Chlorwasserstoffsäure, vorzugsweise 6 n-Chlorwasserstoffsäure, verwendet wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung einer halogensauren Phase an Stelle der Halogenwasserstoffsäure das dieser entsprechende Alkalihalogenid in Verbindung mit einer Mineralsäure, vorzugsweise Schwefelsäure, verwendet wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß als mit Wasser nichtmischbarem Solvens ein Ester, Kohlenwasserstoff, chlorierter Kohlenwasserstoff oder ein Äther, vorzugsweise Äthyläther oder Isopropyläther, verwendet wird.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Extraktion aus Bromwasserstoff- oder Jodwasserstoffsäure oder/und nach der Extraktion aus Chlorwasserstoffsäure für die Umsetzung zu Indiumhydroxyd reinstes Ammoniak verwendet wird.
  6. 6. Verwendung von hochreinem Indium oder hochreinen Indiumverbindungen, hergestellt gemäß den Ansprüchen 1 bis 5, für Halbleiteranordnungen. In Betracht gezogene Druckschriften: »Gmelins Handbuch der Anorganischen Chemie«, 8 Auflage, 1936, Indium, System Nr. 37, S. 14 und 15; Zeitschrift für Erzbergbau und Metallhüttenwesen, 11 (1949), S. 18; Bulletin of the Institution of Mining and Metallurgy, 60 (1950), S. 77 bis 80.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US3170857A (en) * 1963-03-28 1965-02-23 Siemens Ag Method for producing gallium, particularly for semiconductor purposes

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