DE1094885B - Halbleiteranordnung zum Schalten mit einem Halbleiterkoerper aus drei Zonen und je eier ohmschen Elektrode an diesen - Google Patents
Halbleiteranordnung zum Schalten mit einem Halbleiterkoerper aus drei Zonen und je eier ohmschen Elektrode an diesenInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 76
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)
- Lasers (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US863829XA | 1957-07-08 | 1957-07-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1094885B true DE1094885B (de) | 1960-12-15 |
Family
ID=22198205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DES58827A Pending DE1094885B (de) | 1957-07-08 | 1958-07-02 | Halbleiteranordnung zum Schalten mit einem Halbleiterkoerper aus drei Zonen und je eier ohmschen Elektrode an diesen |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1094885B (enrdf_load_stackoverflow) |
| FR (1) | FR1207607A (enrdf_load_stackoverflow) |
| GB (1) | GB863829A (enrdf_load_stackoverflow) |
| NL (2) | NL104786C (enrdf_load_stackoverflow) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1124933A (fr) * | 1954-03-04 | 1956-10-22 | Siemens Ag | Dispositif pour la commutation sans contact de circuits électriques à courant fort |
| DE953185C (de) * | 1953-11-20 | 1956-11-29 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung |
| DE954624C (de) * | 1952-06-19 | 1956-12-20 | Western Electric Co | Hochfrequenz-Halbleiterverstaerker |
-
0
- NL NL229370D patent/NL229370A/xx unknown
- NL NL104786D patent/NL104786C/xx active
-
1958
- 1958-06-30 FR FR1207607D patent/FR1207607A/fr not_active Expired
- 1958-07-01 GB GB21085/58A patent/GB863829A/en not_active Expired
- 1958-07-02 DE DES58827A patent/DE1094885B/de active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE954624C (de) * | 1952-06-19 | 1956-12-20 | Western Electric Co | Hochfrequenz-Halbleiterverstaerker |
| DE953185C (de) * | 1953-11-20 | 1956-11-29 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung |
| FR1124933A (fr) * | 1954-03-04 | 1956-10-22 | Siemens Ag | Dispositif pour la commutation sans contact de circuits électriques à courant fort |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL104786C (enrdf_load_stackoverflow) | |
| GB863829A (en) | 1961-03-29 |
| NL229370A (enrdf_load_stackoverflow) | |
| FR1207607A (fr) | 1960-02-17 |
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