DE1077787B - Axialsymmetrischer Transistor, bei dem das aufgebrachte Dotierungsmaterial einer flaechenhaften Legierungselektrode von einer draht-foermigen Elektrode durchsetzt ist - Google Patents

Axialsymmetrischer Transistor, bei dem das aufgebrachte Dotierungsmaterial einer flaechenhaften Legierungselektrode von einer draht-foermigen Elektrode durchsetzt ist

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DE1077787B DED28397A DED0028397A DE1077787B DE 1077787 B DE1077787 B DE 1077787B DE D28397 A DED28397 A DE D28397A DE D0028397 A DED0028397 A DE D0028397A DE 1077787 B DE1077787 B DE 1077787B
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Dipl-Phys Alfons Haehnlein
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1161356B (de) * 1960-06-03 1964-01-16 Rudolf Rost Dr Ing Schaltender und schwingender Unipolartransistor und Oszillatorschaltung mit einem solchen Transistor

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