DE1075672T1 - Teilchenkontaminationsschutz für lithographische komponenten - Google Patents

Teilchenkontaminationsschutz für lithographische komponenten

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DE1075672T1 DE1075672T DE99914187T DE1075672T1 DE 1075672 T1 DE1075672 T1 DE 1075672T1 DE 1075672 T DE1075672 T DE 1075672T DE 99914187 T DE99914187 T DE 99914187T DE 1075672 T1 DE1075672 T1 DE 1075672T1
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Claims (27)

914 187.2 EUV LIMITED LIABILITY CORPORATION PATENTANS PRUCHE 5
1. Vorrichtung zum Schutz einer Oberfläche vor Teilchenab1agerung, umfas s end:
a) ein Gehäuse, das ein Gas enthält und mit mindestens einer Gaseinlasseinrichtung und mindestens einer Öff-
nung ausgestattet ist;
b) ein innerhalb des Gehäuses befindliches Substrat,
das eine vordere Oberfläche und eine rückwärtige Oberfläche aufweist, und wobei die Öffnung Zugang zur vorderen Oberfläche bietet; und
c) Einrichtungen zum Einstellen eines Temperaturgefälles zwischen mindestens der vorderen Oberfläche des
Substrats und den Wänden des Gehäuses, wobei die vordere Oberfläche wärmer als die Gehäusewände ist.
2. Die Vorrichtung nach Anspruch 1, worin die Gaseinlasseinrichtung und die Öffnung so positioniert sind, dass für eine Gasströmung gesorgt wird, die im wesentlichen parallel zur vorderen Oberfläche des Substrats ist und von dieser wegführt.
3. Die Vorrichtung nach Anspruch 1, worin der Temperaturgradient zwischen der vorderen Oberfläche des
Substrats und den Wänden des Gehäuses mindestens 1
K/cm beträgt.
30
4. Die Vorrichtung nach Anspruch 1, worin das Gas ein
niedriges Molekulargewicht und eine hohe Viskosität
aufweist.
5. Die Vorrichtung nach Anspruch 4, worin das Gas H2, He
oder Ne ist.
6. Die Vorrichtung nach Anspruch 1, worin das Gas Ar ist.
7. Die Vorrichtung nach Anspruch 1, worin das Gehäuse aus Metall besteht.
8. Die Vorrichtung nach Anspruch 7, worin das Metall Kupfer oder Aluminium ist.
9. Die Vorrichtung nach Anspruch 1, die ferner Einrichtungen zur Beseitigung jeglichen elektrischen Feldes
zwischen der vorderen Oberfläche des Substrats und dem Gehäuse umfasst.
10. Die Vorrichtung nach Anspruch 1, worin die vordere
Oberfläche des Substrats in nach unten blickender
Richtung ausgerichtet ist.
11. Vorrichtung zum Schutz einer Oberfläche vor Teilchenablagerung in einer Umgebung bei Subatmosphärendruck
gegenüber atmosphärischem Druck, umfassend:
a) ein Gehäuse, das ein Gas enthält und mit mindestens einer Gaseinlasseinrichtung und mindestens einer Öff-
nung, die die Gasausströmrate zur Aufrechterhaltung
eines festgelegten Drucks in dem Gehäuse steuert, ausgestattet ist;
b) ein innerhalb des Gehäuses befindliches Substrat,
das eine vordere Oberfläche und eine rückwärtige Ober-0 fläche aufweist, und wobei die Öffnung Zugang zur vorderen Oberfläche bietet; und
c) Einrichtungen zum Einstellen eines Temperaturgefälles zwischen mindestens der vorderen Oberfläche des
Substrats und den Wänden des Gehäuses, wobei die vor-
5 dere Oberfläche wärmer als die Gehäusewände ist.
12. Die Vorrichtung nach Anspruch 11, worin die Gaseinlasseinrichtung und die Öffnung so positioniert sind, dass für eine Gasströmung gesorgt wird, die im wesentliehen parallel zur vorderen Oberfläche des Substrats ist und von dieser wegführt.
13. Die Vorrichtung nach Anspruch 11, worin der Temperaturgradient zwischen der vorderen Oberfläche des Substrats und den Wänden des Gehäuses mindestens 1 K/cm beträgt.
14. Die Vorrichtung nach Anspruch 11, worin der festgelegte Druck in dem Gehäuse über etwa 1 mTorr liegt.
15. Die Vorrichtung nach Anspruch 11, worin die vordere Oberfläche des Substrats in nach unten blickender Richtung ausgerichtet ist.
16. Die Vorrichtung nach Anspruch 11, worin das Gas ein niedriges Molekulargewicht und eine hohe Viskosität aufweist.
17. Die Vorrichtung nach Anspruch 16, worin das Gas H2, He oder Ne ist.
18. Die Vorrichtung nach Anspruch 11, worin das Gas Ar ist.
19. Die Vorrichtung nach Anspruch 11, worin das Gehäuse aus Metall besteht.
20. Die Vorrichtung nach Anspruch 19, worin das Metall
Kupfer oder Aluminium ist.
35
21. Die Vorrichtung nach Anspruch 11, die ferner Einrichtungen zur Beseitigung jeglichen elektrischen Feldes zwischen der vorderen Oberfläche des Substrats und dem Gehäuse umfasst.
22. Vorrichtung zum Schutz einer Oberfläche eines Retikels vor Teilchenkontamination in einer Umgebung mit niedrigem Druck, umfassend:
a) ein Gehäuse, das ein Gas enthält und mit mindestens einer Gaseinlasseinrichtung und mindestens einer Öffnung, die die Gasausströmrate zur Aufrechterhaltung eines festgelegten Drucks in dem Gehäuse steuert, ausgestattet ist;
b) ein in dem Gehäuse befindliches Retikel, das eine vordere und eine rückwärtige Oberfläche aufweist, wobei die vordere Oberfläche des Retikels in einer nach unten blickenden Richtung ausgerichtet ist, und wobei die Öffnung Zugang zur vorderen Oberfläche des Retikels bietet;
c) Einrichtungen zur Beseitigung jeglichen elektrischen Feldes zwischen der vorderen Oberfläche des Retikels und den Wänden des Gehäuses; und d) Einrichtungen zur Einstellung eines Temperaturgefälles zwischen mindestens der vorderen Oberfläche des Retikels und den Wänden des Gehäuses, wobei die vordere Oberfläche wärmer als die Gehäusewände ist.
23. Verfahren zum Schutz einer Oberfläche vor Teilchenkontamination in einer Umgebung mit niedrigem Druck, 0 umfassend:
a) das Bereitstellen eines Gehäuses, das mindestens eine Gaseinlasseinrichtung und mindestens eine Öffnung, die die Gasauströmrate zur Aufrechterhaltung eines festgelegten Gasdrucks in dem Gehäuse steuert, 5 aufweist;
b) das Platzieren eines Substrats mit einer vorderen und einer rückwärtigen Oberfläche in dem Gehäuse, wobei die Gasströmung im wesentlichen parallel zur vorderen Oberfläche des Substrats ist und von dieser wegführt, und wobei die Öffnung Zugang zur vorderen Oberfläche bietet;
c) das Einstellen eines Temperaturgefälles zwischen der vorderen Oberfläche des Substrats und den Wänden des Gehäuses, wobei die vordere Oberfläche des Substrats eine höhere Temperatur als die Temperatur der Wände des Gehäuses aufweist; und
d) das Beseitigen des elektrischen Feldes zwischen der vorderen Oberfläche des Retikels und den Wänden des Gehäuses.
24. Das Verfahren nach Anspruch 23, das ferner das Ausrichten der vorderen Oberfläche des Substrats in einer nach unten blickenden Richtung umfasst.
25. Das Verfahren nach Anspruch 23, worin die Einstellstufe das Erwärmen der vorderen Oberfläche des Substrats auf eine höhere Temperatur als die Wände des Gehäuses umfasst.
26. Das Verfahren nach Anspruch 23, worin die Einstellstufe das Erwärmen der rückwärtigen Oberfläche des Substrats umfasst.
27. Das Verfahren nach Anspruch 23, worin die Einstellstu-0 fe das Kühlen der Wände des Gehäuses auf eine Temperatur unterhalb der Temperatur der vorderen Oberfläche des Substrats umfasst.
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