DE1070747B - - Google Patents

Info

Publication number
DE1070747B
DE1070747B DENDAT1070747D DE1070747DA DE1070747B DE 1070747 B DE1070747 B DE 1070747B DE NDAT1070747 D DENDAT1070747 D DE NDAT1070747D DE 1070747D A DE1070747D A DE 1070747DA DE 1070747 B DE1070747 B DE 1070747B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode
collector electrode
semiconductor
crystal
collector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DENDAT1070747D
Other languages
German (de)
English (en)
Publication date
Publication of DE1070747B publication Critical patent/DE1070747B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/30Devices controlled by electric currents or voltages
    • H10D48/32Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H10D48/34Bipolar devices
    • H10D48/345Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/326Application of electric currents or fields, e.g. for electroforming
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00Bipolar junction transistors [BJT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/83Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
    • H10D62/834Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge further characterised by the dopants

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
DENDAT1070747D Pending DE1070747B (en:Method)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1070747B true DE1070747B (en:Method) 1959-12-10

Family

ID=595580

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DENDAT1070747D Pending DE1070747B (en:Method)

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1070747B (en:Method)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE499900A (en:Method) * 1950-12-05 1900-01-01
US2502479A (en) * 1948-09-24 1950-04-04 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor amplifier
US2538593A (en) * 1949-04-30 1951-01-16 Rca Corp Semiconductor amplifier construction

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2502479A (en) * 1948-09-24 1950-04-04 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor amplifier
US2538593A (en) * 1949-04-30 1951-01-16 Rca Corp Semiconductor amplifier construction
BE499900A (en:Method) * 1950-12-05 1900-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1032404B (de) Verfahren zur Herstellung von Flaechenhalbleiterelementen mit p-n-Schichten
DE1187326B (de) Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Schaltdiode
DE3428067A1 (de) Halbleiter-ueberspannungsunterdruecker mit genau vorherbestimmbarer einsatzspannung
DE1087704B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit wenigstens einem p-n-UEbergang
DE1115837B (de) Flaechentransistor mit einem plaettchenfoermigen Halbleiterkoerper
DE1514563A1 (de) Steuerbares Halbleiterbauelement
DE1150456B (de) Esaki-Diode und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1002472B (de) Verfahren zum Anloeten von Elektroden an einen Halbleiter
DE112016001599B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE1070747B (en:Method)
DE2507038C3 (de) Inverser Planartransistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1063279B (de) Halbleiteranordnung aus einem Halbleiterkoerper mit flaechenhaftem innerem pn-UEbergang und mit mehr als drei Elektroden
AT201114B (de) Verfahren zur Herstellung von halbleitenden Vorrichtungen
DE1194064B (de) Verfahren zum elektrolytischen AEtzen der Ober-flaeche eines mit Legierungselektroden aus einer Bleilegierung versehenen npn-Transistors mit einem Halbleiterkoerper aus Germanium
DE1227562B (de) Verfahren zum Herstellen von Tunneldioden nach Esaki fuer hohe Frequenzen mit kleinerPN-UEbergangsflaeche und nach diesem Verfahren hergestellte Tunneldioden
DE1094883B (de) Flaechentransistor
DE1589834A1 (de) Varaktor mit vergroessertem Kapazitaetsbereich
DE1127484B (de) Halbleiterkristalldiode mit flaechenhaftem PN-UEbergang ueber den ganzen Querschnitt des Halbleiterkoerpers und Verfahren zu ihrer Herstellung
AT202600B (de) Feldeffekt-Transistor und Verfahren zur Herstellung eines solchen Transistors
DE1090326B (de) Verfahren zur Herstellung eines Transistors mit drei Zonen aus verschiedenen Halbleitermaterialien abwechselnden Leitungstyps
DE1185292B (de) Doppelhalbleiterbauelement mit einem Esaki-UEbergang und einem parallel geschalteten weiteren UEbergang
DE1194065B (de) Halbleiterbauelement mit teilweise fallender Charakteristik und Betriebsschaltung
DE1094884B (de) Feldeffekt-Transistor mit einem Halbleiterkoerper aus zwei Zonen entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps und einer Nut zwischen den zwei ohmschen Elektroden und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1040700B (de) Verfahren zur Herstellung eines Diffusionstransistors
US2818537A (en) Germanium diodes