DE1069703B - - Google Patents

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DE1069703B
DE1069703B DENDAT1069703D DE1069703DA DE1069703B DE 1069703 B DE1069703 B DE 1069703B DE NDAT1069703 D DENDAT1069703 D DE NDAT1069703D DE 1069703D A DE1069703D A DE 1069703DA DE 1069703 B DE1069703 B DE 1069703B
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circuit
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transistor
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H03F1/565Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/191Tuned amplifiers

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  • Power Engineering (AREA)
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Description

  • Schaltungsanordnung für AM-FM-Funkempfangsgeräte, insbesondere ZF-Verstärkerstufe für zwei Frequenzbereiche mit Transistoren Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung für AM-FM-Funkempfangsgeräte, insbesondere Zwischenfrequenz-Verstärkerstufen mit Transistoren. Es ist bekannt, daß bei Transistorverstärkern, bedingt durch die inneren Kapazitäten des #Terstärkerelementes. Rückwirkungen vom Ausgangskreis auf den Eingangskreis auftreten. Zur Beseitigung dieser Rückwirkungen ist es notwendig, Neutralisationsschaltungen anzuwenden. Derartige Neutralisationsschaltungen für Transistorverstärker für eine -drequenz oder für einen Frequenzbereich sind bereits iekannt.
  • So ist es beispielsweise bekannt, bei einer Transistorbasisschaltung eine Spannungsgegenkopplung vorzusehen, welche durch die Reihenschaltung eines Kondensators und eines Ohmscher Widerstandes im Kollektorkreis erzielt wird. Am Verbindungspunkt des Kondensators und des Widentandes liegt dabei der Fußpunkt der mit dem Enitter verbundenen Sekundärseite des Eingangstrangormators. Außerdem sind Neutralisierungsschalangen für Transistoren in Emitterschaltung beh.nnt, bei welchen aus dem Kollektorkreis mittels ei-.es Übertragers die notwendige Neutralisierungsspann<ng gewonnen wird und über eine Widerstands-Kapaztäts-Anordnung an die Basis geleitet ist.
  • Es ist somit nahehegend, bei inem Zwischenfrequenzverstärker getrennte N1 eutrdisationszweige für jeden Verstärkerkanal zu verweilen. Dies bedeutet jedoch einen relativ hohen Aufwad und bedingt beim Abgleich einen größeren Arbeitsafwand.
  • Die Erfindung weist einen nuen Weg. um mit einem einzigen Neutralisationsz@eig die notwendige Neutralisierung für zwei weit iuseinanderliegende Frequenzen gleichzeitig durchzfiihren. Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreiat, daß bei einer Schaltungsanordnung für AM-W-Empfangsgeräte, insbesondere ZF-Verstärkerstufe'-ür zwei Frequenzbereiche finit Transistoren, mit z,ei auf weit auseinanderliegende Frequenzen abge:immten Eingangskreisen, wobei der höherfrequem Kreis durch eine Gegeninduktivität und der niderfrequente Kreis durch kapazitive Spannungsteilun an den Transistoreingang (z. B. leistungsmäßig) ingepaßt sind, die beiden Kreise in Reihe geschalt< sind und daß die Kreiskapazitäten und Kreisindufivitäten sowie der an sich bekannte Neutralisierugskondensator, der zwischen dem Kollektor des Traristors und dem von der Basis entfernten Punkt des bherfrequenten Eingangskreises angeordnet ist, deirt bemessen sind, daß die Neutralisierungsbedingugen für beide Frequenzen zugleich erfüllt sind. In Verfolg des Erfindungsgedankens ist der Verlustmnkelverlauf des genannten Neutralisierungskondenstors, der zwischen dem Kollektor des Transistors uh dem von der Basis entfernten Punkt des Eingangskreises für die höhere der beiden zu verstärkenden Frequenzen angeordnet ist, dem Verlustwinkel der Rückwirkungskapazität des Transistors entsprechend zu gestalten. Außerdem wird mit der Induktivität des höherfrequenten Eingangskreises eine zusätzliche Induktivität gekoppelt, wobei diese Induktivität und diese Kopplung derart bemessen sind, daß die Neutralisationsbedingung erfüllt ist, und ferner wird diese Induktivität einerseits mit der Basis des Transistors und andererseits mit der Schwingkreisspule des niederfrequenten Eingangskreises verbunden.
  • Durch die Erfindung ist es möglich, jede beliebige -Neutralisation bei jeder gewünschten Leistungsanpassung zu realisieren. Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß die Neutralisation mit Hilfe weniger Schaltelemente für zwei Frequenzen gleichzeitig durchgeführt werden kann. Dies bedeutet bei der Serienfertigung eine weitgehende Einsparung von Schaltelementen und Abgleicharbeiten.
  • Falls der geforderte Verlustwinkelverlauf der NTeutralisationskapazität nicht in ausreichendem Maße dem Verlauf der Rückwirkungskapazität des Transistor.< entspricht, ist es nach einer weiteren Ausbildung der Erfindung zweckmäßig, in Reihe mit dieser Kapazität und/oder parallel d::zu Widerstände zu schalten. Dadurch ist es möglich dem Verlustwinkel der Kapazität den gewünschten Verlauf zu geben.
  • Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung werden an Hand der Zeichnung, welche ein Ausführungsbeispiel darstellt, angegeben und näher erläutert.
  • Der Transistor 1 dient in der Zwischenfrequenz_verstärkerstufe zur Verstärkung zweier weit auseinanderliegender Frequenzen, beispielsweise 10,7'`IHz und 468 kHz. Für die höhere der beiden Frequenzen ist der aus der Induktivität 5 und der Kapazität 6 bestehende Schwingungskreis vorgesehen, während für die niedrigere der beiden Frequenzen der aus der Induktivität 14 und der Kapazität 15 bestehende Schwingungskreis dient. Zwischen dem Kollektor 3 und dem von der Basis entfernten Punkt 7 des höherfrequenten Eingangskreises 5, 6 ist in an sich bekannter Weise eine kleine Kapazität 8 eingeschaltet. Erfindungsgemäß ist das kalte Ende 13 des Eingangskreises 5, 6 mit der Verbindungsstelle der Induktivität 14 und einer an Masse angeschlossenen Kapazität 16 verbunden. Zur Anpassung des Verlustwinkels der Kapazität 8 an den Ve rlustwinkelverlauf der inneren Kapazität des Transistors 1 dienen die Widerstände 9 bzw. 10, die der Kapazität 8 in Reihe bzw. zu ihr parallel geschaltet sind. Mit der Spule 5 des ersten Eingangskreises ist eine Induktivität 11 relativ sehr fest gekoppelt. Diese Induktivität ist derart gepolt und gekoppelt, daß die Phasenlage im Hinblick auf die Neutralisationsbedingung für die höheren der beiden Frequenzen erfüllt ist. Vom kalten Ende 13 des höherfrequenten Kreises führt die Kreiskapazität 15 des niederfrequenteren Kreises gegen Masse. An der Induktivität 14 des niederfrequenten Kreises entsteht eine Phasendrehung derart, daß im Punkt 12 die Phasenlage um 180° gegenüber der im Punkt 13 verschoben ist. Die Induktivität 11 ist einerseits mit dem Punkt 12 des niederfrequenten Eingangskreises verbunden und andererseits mit der Basis 2 des Transistors 1.
  • Durch eine geeignete Dimensionierung ist es möglich, jede beliebige Neutralisation bei jeder gewünschten Leistungsanpassung zu realisieren. Durch den Kondensator 15 in Verbindung mit dem Kondensator 16 kann die Basis 2 des Transistors 1 an den Kreis 14, 15, 16 angepaßt werden. Diese Anpassung durch kapazitive Spannungsteilung ist an sich bekannt. Durch geeignete Bemessung des Kondensators 8 kann nunmehr die Neutralisationsbedingung für die niedrigere der beiden Frequenzen erfüllt werden. Die Anpassung des hochfrequenten Kreises 5, 6 ist durch die Gegeninduktiv ität der Koppelwicklung 11 gegeben. Bei einer sehr festen Kopplung, welche in den meisten Fällen gegeben ist, ist die Anpassung des Kreises an den Transistor 1 im wesentlichen durch die Selbstinduktion 11 bestimmt. Dadurch ist die Dimensionierung für den Kondensator 8 und die Induktivität 11 vorgegeben. Als frei wählbar verbleiben noch die Kapazität 6 bzw. die Induktivität 5. Diese freie Wählbarkeit kann dazu ausgenutzt werden, auch die Neutralisationsbedingung für die höhere der beiden Frequenzen zu erfüllen. Über den Widerstand 21 kann noch eine Regelspannung in die Verstärkerstufe eingeführt werden. Der Emitter 4 des Transistors 1 ist durch den Kondensator 17 an Masse gelegt. während Tiber den Widerstand 18 die Regelspannung an die vorhergehende Verstärkerstufe geführt werden kann. Die am Kollektor 3 angeschlossenen Induktivithen 19 bzw. 20 stellen die Primärwicklungen der beiden Ausgangskreise, beispielsweise von Bandfiltern, dar.
  • Wesentlich bei der erfindungsgemäßen Neutralisationsschaltung ist es, daß die Rückwirkungskapazitäten des Transistors nahezu frequenzunabhängig sind. Bei den sehr häuft auftretenden Exemplarstreuungen bei Transistoren ist es daher bei einer Änderung der Rückwirkungskapazität desjeweiligverwendetenTransistors nur nötig, falls aus Gründen einer gewünschten höheren Verstärkung der Stufe eine individuelle Neutralisation notwendig wird, die Kapazität 8 zu verändern, um wieder für beide Frequenzen eine vollkommene Neutralisation zu erzielen.
  • In allen anderen Dimensionierungsfällen ist jedoch keine Änderung der Kapazität 8 nötig. Es kann daher die genannte Kapazität z. B. in der Technik der gedruckten Schaltungen sehr einfach durch Verwendung von zwei benachbarten Leitungen auf einer Druckplatte billig und genau reproduzierbar verwirklicht werden.

Claims (3)

  1. PAPENTANSPYCC1jI:7 1. Schaltungsanordnung für AM-FM-Funkempfangsgeräte, insbesondere ZF-Verstärkerstufe für zwei Frequenztereiche mit Transistoren, mit zwei auf weit auseitanderliegende Frequenzen abgestimmten Eingangskreisen, wobei der höherfrequente Kreis doch eine Gegeninduktivität und der niederfrequente'reis durch kapazitive Spannungsteilung an den Iransistoreneingang angepaßt sind, dadurch gekenn:eichnet, daß die beiden Kreise in Reihe geschaltetsind und die Kreiskapazitäten und Kreisinduktivitäen sowie der an sich bekannte NeutralisierungKondensator, der zwischen dem Kollektor des Tansistors und dem von der Basis entfernten Punk des höherfrequenten Eingangskreises angeordrt ist, derart bemessen sind, daß die Neutralisierngsbedingungen für beide Frequenzen zugleiclerfüllt sind.
  2. 2. Schaltungsnordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeihnet, daß der Verlustwinkelverlauf des genannen Neutralisierungskondensators dem Verlauf d6 Verlustwinkels der Rückwirkungskapazität ds Transistors entspricht, daß mit der Induktivität es auf die höhere der beiden Frequenzen abgestimmten Eingangskreises eine zusätzliche Induktrität gekoppelt ist, wobei diese Induktivität unddiese Kopplung derart bemessen sind, daß die Netralisationsbedingung erfüllt ist, und daß diese Inuktiv ität ferner einerseits mit der Basis des Tran@stors und andererseits mit der Schwingkreisspu des niederfrequenten Eingangskreises verbunde ist.
  3. 3. Schaltungsaordnung nach Anspruch 1 bzw. 2, dadurch gekennaichnet, daß parallel und/oder in Reihe zur Neutrtisationskapazität mindestens ein Widerstand gescältet ist.
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