DE1058158B - Verfahren zum Anbringen einer Legierungs-Elektrode auf einem halbleitenden Koerper - Google Patents
Verfahren zum Anbringen einer Legierungs-Elektrode auf einem halbleitenden KoerperInfo
- Publication number
- DE1058158B DE1058158B DEN13579A DEN0013579A DE1058158B DE 1058158 B DE1058158 B DE 1058158B DE N13579 A DEN13579 A DE N13579A DE N0013579 A DEN0013579 A DE N0013579A DE 1058158 B DE1058158 B DE 1058158B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- wire
- opening
- electrode
- germanium
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H10W76/60—
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
- A47B—TABLES; DESKS; OFFICE FURNITURE; CABINETS; DRAWERS; GENERAL DETAILS OF FURNITURE
- A47B31/00—Service or tea tables, trolleys, or wagons
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
-
- H10P95/00—
-
- H10P95/50—
-
- H10W70/69—
-
- H10W99/00—
-
- H10W72/5363—
-
- H10W72/5434—
-
- H10W72/5522—
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S228/00—Metal fusion bonding
- Y10S228/904—Wire bonding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Temperature-Responsive Valves (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB12697/56A GB789931A (en) | 1956-04-25 | 1956-04-25 | Improvements in devices comprising semi-conductors |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1058158B true DE1058158B (de) | 1959-05-27 |
Family
ID=10009446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEN13579A Pending DE1058158B (de) | 1956-04-25 | 1957-04-25 | Verfahren zum Anbringen einer Legierungs-Elektrode auf einem halbleitenden Koerper |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US2878148A (enExample) |
| CH (1) | CH347580A (enExample) |
| DE (1) | DE1058158B (enExample) |
| FR (1) | FR1171850A (enExample) |
| GB (1) | GB789931A (enExample) |
| NL (2) | NL106770C (enExample) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL221194A (enExample) * | 1956-10-01 | |||
| US3036937A (en) * | 1957-12-26 | 1962-05-29 | Sylvania Electric Prod | Method for manufacturing alloyed junction semiconductor devices |
| DE1059112B (de) * | 1958-04-11 | 1959-06-11 | Intermetall | Verfahren zur Kontaktierung von mit Aluminium legierten Silizium-Transistoren |
| US3005897A (en) * | 1959-05-07 | 1961-10-24 | Hoffman Electrouics Corp | Heater control circuit for alloying apparatus |
| NL135881C (enExample) * | 1959-08-05 | |||
| NL256799A (enExample) * | 1959-10-15 | 1900-01-01 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1103565A (fr) * | 1953-05-28 | 1955-11-04 | Rca Corp | Procédé et appareil pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs |
| FR1115250A (fr) * | 1953-12-09 | 1956-04-20 | Philips Nv | Système d'électrodes, en particulier diode à cristal ou transisteur |
| FR1118488A (fr) * | 1953-12-23 | 1956-06-06 | Philips Nv | Systèmes d'électrodes comportant un corps semi-conducteur et au moins une électrode combinée |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2736847A (en) * | 1954-05-10 | 1956-02-28 | Hughes Aircraft Co | Fused-junction silicon diodes |
-
0
- NL NL216667D patent/NL216667A/xx unknown
- NL NL106770D patent/NL106770C/xx active
-
1956
- 1956-04-25 GB GB12697/56A patent/GB789931A/en not_active Expired
-
1957
- 1957-04-23 CH CH347580D patent/CH347580A/de unknown
- 1957-04-23 FR FR1171850D patent/FR1171850A/fr not_active Expired
- 1957-04-25 DE DEN13579A patent/DE1058158B/de active Pending
- 1957-04-26 US US655291A patent/US2878148A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1103565A (fr) * | 1953-05-28 | 1955-11-04 | Rca Corp | Procédé et appareil pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs |
| FR1115250A (fr) * | 1953-12-09 | 1956-04-20 | Philips Nv | Système d'électrodes, en particulier diode à cristal ou transisteur |
| FR1118488A (fr) * | 1953-12-23 | 1956-06-06 | Philips Nv | Systèmes d'électrodes comportant un corps semi-conducteur et au moins une électrode combinée |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB789931A (en) | 1958-01-29 |
| FR1171850A (fr) | 1959-01-30 |
| CH347580A (de) | 1960-07-15 |
| NL106770C (enExample) | |
| US2878148A (en) | 1959-03-17 |
| NL216667A (enExample) |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1058158B (de) | Verfahren zum Anbringen einer Legierungs-Elektrode auf einem halbleitenden Koerper | |
| DE1032405B (de) | Flaechenhalbleiter mit guter Waermeableitung | |
| DE1126513B (de) | Verfahren zur Bearbeitung von Halbleiteranordnungen | |
| AT201114B (de) | Verfahren zur Herstellung von halbleitenden Vorrichtungen | |
| DE3021021A1 (de) | Verfahren zum selektiven zuechten einer fluessigphasen-epitaxieschicht auf einem halbleitersubstrat | |
| DE1182354B (de) | Transistor | |
| DE1071846B (enExample) | ||
| DE1061906B (de) | Verfahren zur Herstellung von Flaechen-Halbleiterkristalloden mit mindestens zwei verschmolzenen Halbleiterteilen vom entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyp | |
| AT234152B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| DE1059112B (de) | Verfahren zur Kontaktierung von mit Aluminium legierten Silizium-Transistoren | |
| AT212372B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| AT219712B (de) | Stromleiter mit stark gekrümmter Stromspannungskennlinie | |
| DE1464296C (de) | Verfahren zum Atzen eines Halbleiter bauelementes | |
| DE1015937B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitern mit p-n-Schichten | |
| DE1055693B (de) | Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden Elektrodensystems | |
| AT217094B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelektrodensystems z. B. eines Transistors | |
| AT227778B (de) | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Halbleiteranordnungen | |
| DE1008088B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Loetverbindung zwischen zwei Koerpern, insbesondere an einem Flaechengleichrichter bzw. -transistor zwischen einer Systemelektrode und einer Abnahmeelektrode bzw. einer Anschlussleitung | |
| DE1146592B (de) | Verfahren zum Herstellen eines ohmschen Basisanschlusses an dem n-leitenden Halbleiterkoerper eines Transistors | |
| AT247415B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen, insbesondere von Tunneldioden | |
| DE1270694B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes | |
| DE1121224B (de) | Transistor mit dicht nebeneinander einlegierten Emitter- und Basiselektroden und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE1464288C (de) | Flächentransistor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE1105069B (de) | AEtzverfahren eines pn-UEberganges bei der Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| DE2707721C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterlasers |