DE10352670A1 - Elektrisches Bauelement - Google Patents
Elektrisches Bauelement Download PDFInfo
- Publication number
- DE10352670A1 DE10352670A1 DE2003152670 DE10352670A DE10352670A1 DE 10352670 A1 DE10352670 A1 DE 10352670A1 DE 2003152670 DE2003152670 DE 2003152670 DE 10352670 A DE10352670 A DE 10352670A DE 10352670 A1 DE10352670 A1 DE 10352670A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrical component
- component according
- elements
- sub
- subelements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
- H01L2924/13033—TRIAC - Triode for Alternating Current - A bidirectional switching device containing two thyristor structures with common gate contact
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19043—Component type being a resistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft ein elektrisches Bauelement (1) mit einer Ausgleichsvorrichtung (20) zum Ausgleich temperaturbedingter mechanischer Spannungen, die zwei unterschiedliche Längenausdehnungskoeffizienten aufweisende Teilelemente (10, 11) miteinander verbindet.
Description
- Die Erfindung betrifft ein elektrisches Bauelement, das zwei miteinander verbundene Teilelemente mit unterschiedlichen Längenausdehnungskoeffizienten aufweist.
- Ein Beispiel für zwei gemäß dem Stand der Technik miteinander verbundene Teilelemente ist in
1 dargestellt: zwei Teilelemente10 ,11 mit unterschiedlichen Längenausdehnungskoeffizienten sind mittels einer Verbindungsschicht13 verbunden. - Bei Bauelementen mit derart verbundenen Teilelementen kann es sich beispielsweise um optische Bauelemente handeln, bei denen eine lichtdurchlässige Scheibe, beispielsweise eine Glasscheibe mit relativ geringem Längenausdehnungskoeffizienten, mit einer Elektrode, beispielsweise aus Kupfer oder einer Kupferlegierung mit relativ hohem Längenausdehnungskoeffizienten, verbunden ist. Bei einer Temperaturänderung entstehen in Folge der unterschiedlichen thermischen Ausdehnung mechanische Spannungen im Übergangsbereich zwischen den beiden Materialien. Dadurch wird die Verbindung geschwächt oder kann aufbrechen, so dass die mechanische Stabilität beeinträchtigt ist oder unerwünschte Undichtigkeiten an der Verbindungsstelle auftreten. Ebenso kann es zu Beschädigungen der Teilelemente, beispielsweise einem Sprung in der Glasscheibe, oder anderen Komponenten des Bauelements kommen.
- Aus der
DE 100 26 651 Cl ist ein lichtzündbarer Thyristor bekannt, in dessen Gehäuse ein Fenster aus Aluminiumoxid-Saphir eingesetzt ist. -
2 zeigt einen Querschnitt dieser Anordnung. Ein Fenster11b aus Aluminiumoxid-Saphir ist mittels einer Verbindung11c , die als Sinterverbindung ausgebildet ist, mit einer hohlzylinderförmigen Aluminiumoxid-Keramik11a verbunden. Diese Einheit bildet ein Teilelement11 mit einem relativ geringen Längenausdehnungskoeffizienten. Das Teilelement11 ist an einem Teilelement10 in Form eines metallischen Gehäusedeckels befestigt, der einen relativ hohen Längenausdehnungskoeffizienten aufweist. Zur Befestigung wird ein Materialstück20 aus einer Nickel-Eisen-Legierung eingesetzt, das durch Lötverbindungen40 bzw.41 mit den Teilelementen10 bzw.11 verbunden ist. Das Materialstück20 dient zum Ausgleich temperaturwechselbedingter mechanischer Spannungen, da es mit der hohlzylinderförmigen Aluminiumoxid-Keramik11a unter einem Winkel verbunden ist, so dass durch unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten verursachte Kräfte durch eine Relativbewegung zwischen der Aluminiumoxid-Keramik11a und dem Materialstück20 kompensiert werden können. - Diese Anordnungen weisen den Nachteil auf, dass bei der Verbindung von zwei Teilelementen mit stark unterschiedlichen Längenausdehnungskoeffizienten hohe Temperaturwechselbelastungen insbesondere auf die Lötverbindungen wirken, oder, dass deren strukturelle Festigkeit durch die Verwendung beweglicher, winkelig miteinander verbundener Komponenten infolge ungünstiger Hebelverhältnisse nicht optimal ist.
- Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein elektrisches Bauelement der eingangs genannten Art sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung vorzustellen, bei dem Materialen mit unterschiedlichen Längenausdehnungskoeffizienten temperaturwechsel stabil und ohne durch Verbiegung relativ zueinander beweglicher Komponenten miteinander verbunden sind.
- Diese Aufgabe wird gemäß durch Anspruch 1 sowie durch ein Verfahren gemäß Anspruch 29 gelöst. Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Erfindungsgedankens sind Gegenstand von Unteransprüchen.
- Das erfindungsgemäße elektrische Bauelement weist zwei Teilelemente mit unterschiedlichen Längenausdehnungskoeffizienten auf. Zwischen diesen Teilelementen ist eine Ausgleichsvorrichtung zum Ausgleich temperaturbedingter mechanischer Spannungen angeordnet.
- Bei einer Temperaturänderung, beispielsweise in Folge einer Änderung eines das elektrische Bauelement durchfließenden elektrischen Stromes, dehnen sich die miteinander verbundenen Teilelemente infolge ihrer unterschiedlichen Längenausdehnungskoeffizienten verschieden stark aus bzw. ziehen sich zusammen. Dadurch kommt es zwischen den beiden Teilelementen zu mechanischen Spannungen, die sich im wesentlichen als Scherkräfte äußern. Diese Spannungen werden von der Ausgleichsvorrichtung soweit aufgenommen, dass es zu keiner Beschädigung oder Zerstörung des Bauelementes kommt.
- Die Ausgleichsvorrichtung ist schichtartig aus wenigstens zwei Ausgleichsschichten mit beliebigen Schichtdicken aufgebaut und verbindet die beiden Teilelemente miteinander. Wenigstens zwei der Ausgleichsschichten sind mittels einer zwischen diesen angeordneten ersten Lötverbindung verbunden.
- Durch die Auswahl geeigneter Materialien sowie durch eine gezielte Einstellung der Schichtdicken ist es möglich, die Ausgleichsschichten so einzustellen, dass die in einem bestimmten Temperaturbereich auftretenden mechanischen Spannungen im wesentlichen innerhalb der Ausgleichsschichten kompensiert werden, so dass auf mit den Ausgleichsschichten verbundene Lötverbindungen keine signifikanten Belastungen wirken.
- Weiterhin sind gemäß einer bevorzugten Ausführungsform wenigstens zwei der Ausgleichsschichten aus identischem Material hergestellt.
- Jedes der Teilelemente weist einen Oberflächenbereich auf, der dem jeweils anderen Teilelement zugewandt ist. Die Ausgleichsvorrichtung ist zwischen diesen Oberflächenbereichen angeordnet. Dabei sind zwei der Ausgleichsschichten mit einem der Oberflächenbereiche, vorzugsweise durch eine zweite bzw. dritte Lötverbindung, verbunden.
- Bevorzugt kann die die Ausgleichsschichten verbindende erste Lötverbindung relativ schwach, z.B. als Weichlotverbindung, ausgebildet sein.
- Hieraus ergibt sich ein fertigungstechnischer Vorteil, wenn beispielsweise wenigstens eines der beiden noch nicht verbundenen Teilelemente gemäß einer bevorzugten Ausführungsform wenigstens teilweise aus miteinander verlöteten Unterelementen aufgebaut ist. In diesem Fall kann zunächst in einem ersten Schritt jedes der Teilelemente durch Verlöten der betreffenden Unterelemente hergestellt werden. Anschließend wird in einem zweiten Schritt an jedem der Teilelemente ein Teil der Ausgleichsvorrichtung, zum Beispiel mittels der oben genannten zweiten bzw. dritten Lötverbindung, befestigt. Die so vorbereiteten Baugruppen können nun in einem dritten Schritt durch die erwähnte Weichlotverbindung miteinander verbunden werden. Die abschließende Weichlotverbindung erfolgt bei einer niedrigeren Temperatur als alle anderen Lotverbindungen. Damit besteht für letztere nicht die Gefahr, durch den abschließenden Lötvorgang wieder aufgeschmolzen zu werden.
- Die durch die Ausgleichsvorrichtung aufgenommenen mechanischen Spannungen hängen vor allem davon ab, wie stark sich die Längenausdehnungskoeffizienten der mit der Ausgleichsvorrichtung verbundenen Materialien unterscheiden. Je größer der Unterschied der Längenausdehnungskoeffizienten, desto größer sind auch die temperaturbedingt auftretenden mechanischen Spannungen. Daher ist es vorteilhaft, wenn die für die Ausgleichsschichten der Ausgleichsvorrichtung verwendeten Materialien einen Längenausdehnungskoeffizienten aufweisen, der zwischen denen der miteinander verbundenen Teilelemente liegt, so dass die maximal auftretenden mechanischen Spannungen zwischen der Ausgleichsvorrichtung und jedem der Teilelemente geringer sind als bei direkt miteinander verbundenen Teilelementen.
- Entsprechend ist es in einer weiteren bevorzugten Ausführungsform vorteilhaft, wenn die Längenausdehnungskoeffizienten der aufeinander folgenden Ausgleichsschichten zwischen den Längenausdehnungskoeffizienten der beiden Teilelemente liegen und beginnend bei dem Teilelement mit dem niedrigeren Längenausdehnungskoeffizienten in Richtung des Teilelementes mit dem höheren Längenausdehnungskoeffizienten ansteigen oder wenigstens gleich bleiben. Für zwei benachbarte, durch eine Weichlotverbindung verbundene Ausgleichsschichten ist es von Vorteil, wenn diese den gleichen oder einen näherungsweise glei chen Längenausdehnungskoeffizienten aufweisen, weil dadurch die auf die – relativ schwache – Weichlotverbindung wirkenden Spannungen minimiert werden.
- Die beiden Teilelemente können jeweils einstückig ausgebildet sein. Alternativ besteht aber auch die Möglichkeit, dass wenigstens eines der beiden Teilelemente aus mehreren miteinander verbundenen Unterelementen aufgebaut ist. Die Unterelemente weisen dann im allgemeinen verschiedene Längenausdehnungskoeffizienten auf. In diesem Fall ist für die obigen Betrachtungen in erster Linie der Längenausdehnungskoeffizient desjenigen Unterelementes eines Teilelementes relevant, das der Ausgleichsvorrichtung am nächsten liegt. Dies gilt zumindest bei ausreichender Materialstärke dieses Unterelementes. Bei geringeren Materialstärken ist von einem Effektivwert für den Längenausdehnungskoeffizienten auszugehen. Dieser hängt vom Aufbau des Teilelementes sowie von den verwendeten Materialien ab.
- Bei der Herstellung der Ausgleichsvorrichtung ist es gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform vorteilhaft, wenn wenigstens zwei der Ausgleichselemente identisch oder wenigstens identisch geformt sind und so unter Verwendung derselben Werkzeuge gefertigt werden können.
- Bei einem erfindungsgemäßen Bauelement können verschiedenste Materialien, wie sie typischerweise bei elektrischen Bauelementen verwendet werden, zuverlässig miteinander verbunden sein. Als Beispiel seien zunächst elektrische Anschlusskontakte wie z.B. Anoden- oder Kathodenkontakte genannt. Hierfür werden häufig Kupfer, aber auch andere Metalle wie Gold oder Platin, in Reinform oder in einer Legierung verwendet.
- Andere typischerweise bei elektrischen Bauelementen verwendete Komponenten sind Isolatoren, die an elektrischen Leitern, Halbleitern oder Isolatoren befestigt sind. Die Isolatoren sind häufig aus keramischen Materialien, Kunststoff oder Glas hergestellt, welche zum einen im Vergleich zu Metallen wesentlich andere Längenausdehnungskoeffizienten aufweisen, zum anderen relativ spröde sind und so bei mechanischen Spannungen leicht zerspringen oder brechen.
- Bei opto-elektronischen Bauelementen mit einem lichtempfindlichen Element werden oftmals lichtdurchlässige Materialen wie z.B. Gläser oder Kristalle mit anderen Materialien verbunden. Die lichtdurchlässigen Materialien sind meist scheibenförmig ausgebildet, lassen einfallendes Licht passieren und so zu dem lichtempfindlichen Element gelangen. Zugleich ist das lichtempfindliche Element vor unerwünschtem Eindringen beispielsweise von Staub oder Feuchtigkeit oder vor einer mechanischen Beschädigung geschützt.
- Weiterhin weisen opto-elektronische Bauelemente häufig einen Lichtkanal auf, durch den Licht auf ein lichtempfindliches Element gelangen kann. Im einfachsten Fall ist dieser Lichtkanal wie eine herkömmliche Blende als Öffnung mit geringer Tiefe ausgeführt. Um eine Richtwirkung zu erhalten, kann der Lichtkanal jedoch auch als Öffnung mit einem länglichen Kanal ausgebildet sein. In bevorzugten Ausführungsformen ist in beiden Fällen der Kanal in einem oder mehreren Teil- oder Unterelementen ausgebildet. Zur Bildung des Kanals können auch mehrere mit einer Öffnung versehene Teil- oder Unterelemente hintereinander angeordnet sein.
- Viele elektrische Bauelemente wie z.B. Sensoren für Licht-, Druck- oder Neigungsmessung, weisen zum Schutz der empfindlichen Messtechnik vor unerwünschten äußeren Einflüssen einen hermetisch dichten Innenraum auf, bei dessen Herstellung es erforderlich sein kann, Materialien mit unterschiedlichen Längenausdehnungskoeffizienten zu verbinden, so dass der hermetisch dichte Innenraum wenigstens teilweise von Teil- oder Unterelementen begrenzt ist.
- Andere zur Herstellung erfindungsgemäßer elektrischer Bauelemente eingesetzte Komponenten sind Halbleiter- bzw. Leistungshalbleiterelemente wie Dioden, Transistoren, Thyristoren, Triacs, FETs, MOSFETs, IGBTs usw. Diese sind aus Halbleitermaterial gefertigt und müssen häufig mit Metallen wie Anoden- bzw. Kathodenkontakten, Isolatoren oder anderen Halbleitern verbunden werden. Von vielen dieser Halbleiter- bzw. Leistungshalbleiterelemente gibt es auch optisch ansteuerbare Varianten, die ein lichtempfindliches Element oder einen lichtempfindlichen Bereich aufweisen.
- Prinzipiell können in einem erfindungsgemäßen elektrischen Bauelement nahezu beliebige, insbesondere die genannten, Materialien miteinander verbunden sein.
- Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend anhand der in den Figuren gezeigten Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigen:
-
1 zwei miteinander verbundene Teilelemente gemäß dem Stand der Technik im Querschnitt, -
2 zwei Teilelemente eines Thyristors gemäß dem Stand der Technik, die durch eine unter einem Winkel angeordnete Ausgleichsvorrichtung miteinander verbunden sind im Querschnitt, -
3 zwei miteinander verbundene Teilelemente eines erfindungsgemäßen elektrischen Bauelementes mit einer Ausgleichsvorrichtung in einer bevorzugten Ausführungsform im Querschnitt, -
4 zwei miteinander verbundene Teilelemente gemäß2 , jedoch mit einem aus Unterelementen aufgebauten Teilelement im Querschnitt, -
5 ein erfindungsgemäßes elektrisches Bauelement mit einer Ausgleichsvorrichtung in einer bevorzugten Ausführungsform im Querschnitt und -
6 einen vergrößerten Ausschnitt des erfindungsgemäßen elektrischen Bauelements aus5 im Querschnitt. -
3 zeigt zwei Teilelemente10 ,11 eines erfindungsgemäßen elektrischen Bauelementes mit unterschiedlichen Längenausdehnungskoeffizienten sowie eine Ausgleichsvorrichtung20 . Die beiden Teilelemente10 ,11 weisen je einen dem anderen Teilelement11 ,10 zugewandten Oberflächenbereich10s ,11s auf. Die Teilelemente10 ,11 sind zwischen den Oberflächenbereichen10s ,11s durch die Ausgleichsvorrichtung20 miteinander verbunden. Die Ausgleichsvorrichtung20 nimmt durch unterschiedliches thermisches Ausdehnungsverhalten der beiden Teilelemente10 ,11 verursachte mechanische Spannungen auf. Die Ausgleichsvorrichtung20 kann beispielsweise mittels Lotverbin dungen (nicht dargestellt) mit den Teilelementen10 ,11 verbunden sein. Die Ausgleichsvorrichtung20 selbst ist schichtartig aufgebaut und umfasst zwei durch eine Weichlotverbindung20c verbundene Ausgleichsschichten20a ,20b , deren Längenausdehnungskoeffizienten zwischen denen der Teilelemente10 ,11 liegen. Dabei können die Ausgleichsschichten20a ,20b denselben Längenausdehnungskoeffizienten aufweisen. Ebenso jedoch können die Längenausdehnungskoeffizienten der einzelnen Ausgleichsschichten20a ,20b der Ausgleichsvorrichtung20 ausgehend von dem Teilelement11 mit dem niedrigeren Längenausdehnungskoeffizienten in Richtung des Teilelementes10 mit dem höheren Ausdehnungskoeffizienten ansteigen. - In beiden Fällen entsteht dadurch ein abgestufter Übergang zwischen den unterschiedlichen Längenausdehnungskoeffizienten der Teilelemente
10 ,11 bzw. der bei einem Temperaturwechsel daraus resultierenden mechanischen Spannungen. - Die Teilelemente
10 ,11 können auch aus zwei oder mehreren Unterelementen bestehen. Dies ist beispielhaft in4 an Teilelement10 gezeigt, das zwei miteinander verbundene Unterelemente10a ,10b umfasst. Diese Verbindung kann beispielsweise mittels einer nicht dargestellten Löt- oder Sinterverbindung realisiert sein. - In
5 ist ein erfindungsgemäßes elektrisches Bauelement1 in Form eines lichtempfindlichen optischen Halbleiterbauelementes mit einer Ausgleichsvorrichtung20 dargestellt. Eine detaillierte Ansicht des kreisförmigen Ausschnittes ist in6 vergrößert gezeigt. Die folgenden Erläuterungen beziehen sich auf beide Figuren. - Das elektrische Bauelement
1 weist zwei Teilelemente10 ,11 auf, die mittels einer Ausgleichsvorrichtung20 verbunden sind. - Das Teilelement
10 besteht aus einer Kupferkathode10a sowie einem lichtempfindlichen Halbleiterbauelement10b , während das Teilelement11 aus einem ringförmigen, elektrisch isolierenden Isolierkörper11a aus Keramik oder Glas und einer lichtdurchlässigen Scheibe11b aus Keramik oder Glas, beispielsweise einem Mineralglas, gebildet ist. Der Isolierkörper11a und die lichtdurchlässige Scheibe11b sind durch eine Hartlotverbindung11c , die z.B. aus einem metallischen Lot oder einem Glaslot besteht, miteinander verbunden. Der Ausdruck „lichtdurchlässig" bezieht sich dabei nicht nur auf für das menschliche Auge sichtbares Licht sondern auch auf Licht mit längerer bzw. kürzerer Wellenlänge, insbesondere auf infrarotes bzw. ultraviolettes Licht. - Die Ausgleichsvorrichtung
20 ist aus zwei identischen, als Lochscheiben ausgebildeten Ausgleichsschichten20a ,20b sowie einer zwischen diesen angeordneten Weichlotverbindung20c gebildet. Die Lochscheiben bestehen aus einer Eisen-Nickel-Legierung, deren Längenausdehnungskoeffizient zwischen dem der Teilelemente10 bzw.11 liegt. - Die Ausgleichsvorrichtung
20 verbindet die Teilelemente10 ,11 zwischen deren Oberflächenbereichen10s ,11s mittels zweier Hartlotverbindungen40 ,41 . - Die Hartlotverbindungen
41 ,11c bestehen aus einem Glas- oder Metalllot. Sie weisen, ebenso wie die weitere Lötverbindung40 , eine höhere Festigkeit auf die Weichlotverbindung20c . Da durch ist es möglich, zunächst die Hartlotverbindungen11c ,40 ,41 herzustellen, so dass die Teilelemente10 bzw.11 jeweils mit einer Ausgleichsschicht20a bzw.20b versehen sind und so zwei Baugruppen bilden, die abschließend durch eine Weichlotverbindung20c miteinander verlötet werden. Die Hartlotverbindungen11c ,40 ,41 werden durch diesen abschließenden Lötvorgang wegen des niedrigeren Schmelzpunktes der Weichlotverbindung20c nicht beeinträchtigt. - Die Teilelemente
10 ,11 sind durch die Ausgleichsvorrichtung20 unverwinkelt verbunden, so dass bei einer Belastung des Teilelementes11 in Richtung des Teilelementes10 , d.h. in etwa senkrecht zu den Oberflächenbereichen10s ,11s , kein oder zumindest kein signifikantes Kippmoment auf die Ausgleichsvorrichtung20 wirkt und damit die Lötverbindungen40 ,41 nicht beeinträchtigt werden. - Das aus der Kupferkathode
10a und dem Halbleiterelementl0b gebildete Teilelement10 umschließt das andere Teilelement11 in einem Winkel von deutlich über 180° so, dass ein gegenüber dem Außenbereich des Bauelementes1 hermetisch dichter Innenraum50 entsteht. Dadurch ist das Halbleiterelementl0b vor unerwünschten Umwelteinflüssen wie Staub oder Feuchtigkeit geschützt. - In Richtung der Z-Achse auf das elektrische Bauelement
1 einfallendes Licht (nicht dargestellt) gelangt zunächst durch einen aus hintereinander angeordneten Öffnungen30a ,30b ,30c ,30d der Unterelemente10a ,20a ,20b ,11a gebildeten Lichtkanal30 , tritt anschließend durch eine lichtdurchlässige Scheibe11b und fällt dann auf den lichtempfindlichen Bereich12 eines als lichtempfindliches Halbleiterelement ausgebildeten Unter elementes10b , wodurch das elektrische Bauelement1 angesteuert wird. - Dem Kathodenkontakt
10a liegt in Bezug auf das lichtempfindliche Halbleiterelement10b der Anodenkontakt10c gegenüber. Um den Umfang des elektrischen Bauelementes1 herum ist noch ein ringförmiger Isolator60 angeordnet. -
- 1
- elektrisches Bauelement
- 10
- Teilelement
- 10a, b, c
- Unterelement
- l0s
- Oberflächenbereich
- 11
- Teilelement
- 11a, b
- Unterelement
- 11c
- Verbindung
- 11s
- Oberflächenbereich
- 12
- lichtempfindlicher Bereich
- 13
- Verbindungsschicht
- 20
- Ausgleichsvorrichtung
- 20a, b
- Ausgleichsschicht
- 20c
- erste Lötverbindung
- 30
- Lichtkanal
- 30a-d
- Öffnung
- 40, 41
- zweite bzw. dritte Lötverbindung
- 50
- hermetisch dichter Innenraum
- 60
- ringförmiger Isolator
Claims (30)
- Elektrisches Bauelement mit zwei unterschiedliche Längenausdehnungskoeffizienten aufweisenden Teilelementen (
10 ,11 ) und einer diese verbindende Ausgleichsvorrichtung (20 ) zum Ausgleich temperaturwechselbedingter mechanischer Spannungen, wobei jedes Teilelement (10 ,11 ) einen dem anderen Teilelement (11 ,10 ) zugewandten Oberflächenbereich (10s ,11s ) aufweist,dadurch gekennzeichnet , dass die Ausgleichsvorrichtung (20 ) wenigstens zwei Ausgleichsschichten (20a ,20b ) aufweist, wenigstens zwei der Ausgleichsschichten (20a ,20b ) mittels einer zwischen diesen angeordneten ersten Lötverbindung (20c ) verbunden sind, und wenigstens zwei der Ausgleichsschichten (20a ,20b ) mit jeweils einem der Oberflächenbereiche (10s ,11s ) verbunden sind. - Elektrisches Bauelement nach Anspruch 1, bei dem die Ausgleichsvorrichtung (
20 ) mittels einer zweiten (40 ) und/oder dritten (41 ) Lötverbindung mit einem der Oberflächenbereiche (10s ,11s ) verbunden ist. - Elektrisches Bauelement nach Anspruch 2, bei dem die erste Lötverbindung (
20c ) als Weichlotverbindung ausgebildet ist, deren Löttemperatur niedriger ist als die Löttemperatur der zweiten (40 ) bzw. dritten (41 ) Lötverbindung. - Elektrisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem wenigstens eines der Teilelemente (
10 ,11 ) aus wenigstens zwei miteinander verbundenen Unterelementen (10a ,10b ,10c ;11a ,11b ) gebildet ist. - Elektrisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem wenigstens zwei der miteinander verbundenen Unterelemente (
11a ,11b ) mittels wenigstens einer Verbindungsschicht (11c ) verbunden sind. - Elektrisches Bauelement nach Anspruch 5, bei dem die Verbindungsschicht (
11c ) als Hartlotverbindung ausgebildet ist, die eine höhere Festigkeit aufweist als die erste Lötverbindung (20c ). - Elektrisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem wenigstens eine der Lötverbindungen (
20c ,40 ,41 ,11c ) mittels eines Glaslotes hergestellt ist. - Elektrisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem wenigstens eines der Teilelemente (
10 ,11 ) bzw. Unterelemente (10a ,10b ,10c ,11a ,11b ) als lichtempfindliches Element (10b ) ausgebildet ist. - Elektrisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem wenigstens eines der Teilelemente (
10 ,11 ) bzw. Unterelemente (10a ,10b ,10c ,11a ,11b ) als Halbleiterelement oder als Leistungshalbleiterelement ausgebildet ist. - Elektrisches Bauelement nach den Ansprüchen 8 und 9, bei dem das Halbleiterelement bzw. Leistungshalbleiterelement ein lichtempfindliches Element oder einen lichtempfindlichen Bereich (
12 ) aufweist. - Elektrisches Bauelement nach einem der Ansprüche 8 bis 10, bei dem in wenigstens einem der Teilelemente (
10 ,11 ) bzw. Unterelemente (10a ,10b ,10c ,11a ,11b ) ein Lichtkanal (30 ) ausgebildet ist, durch den einfallendes Licht auf das lichtempfindliche Element (10b ) fällt. - Elektrisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem wenigstens eines der Teilelemente (
10 ,11 ) bzw. Unterelemente (10a ,10b ,10c ,11a ,11b ) aus lichtdurchlässigem Material (11b ) gebildet ist. - Elektrisches Bauelement nach Anspruch 12, bei dem das lichtdurchlässige Material (
11b ) Mineralglas oder Keramik ist. - Elektrisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem wenigstens eines der Teilelemente (
10 ,11 ) bzw. Unterelemente (10a ,10b ,10c ,11a ,11b ) als lichtdurchlässige Scheibe ausgebildet ist, die für sichtbares Licht und/oder infrarotes Licht und/oder ultraviolettes Licht durchlässig ist. - Elektrisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem wenigstens zwei der Ausgleichsschichten (
20a ,20b ) denselben Längenausdehnungskoeffizienten aufweisen. - Elektrisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem wenigstens zwei der Ausgleichsschichten (
20a ,20b ) aus demselben Material hergestellt sind. - Elektrisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem wenigstens zwei der Ausgleichsschichten (
20a ,20b ) aus einer metallischen Legierung gebildet sind. - Elektrisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei denen die Werte der Längenausdehnungskoeffizienten der Ausgleichsschichten (
20a ,20b ) zwischen denen der Teilelemente (10 ,11 ) liegen. - Elektrisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem wenigstens zwei der Ausgleichsschichten (
20a ,20b ) als Lochscheiben ausgebildet sind. - Elektrisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem wenigstens zwei der Ausgleichsschichten identisch geformt sind.
- Elektrisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem wenigstens eines der Teilelemente (
10 ,11 ) bzw. Unterelemente (10a ,10b ,10c ,11a ,11b ) ringförmig ausgebildet ist. - Elektrisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem wenigstens eines der Teilelemente (
10 ,11 ) bzw. Unterelemente (10a ,10b ,10c ,11a ,11b ) aus metallischem Material gebildet ist. - Elektrisches Bauelement nach Anspruch 22, bei dem das metallische Material Kupfer oder eine Kupferlegierung ist.
- Elektrisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem wenigstens eines der Teilelemente (
10 ,11 ) bzw. Unterelemente (10a ,10b ,10c ,11a ,11b ) teilweise aus elektrisch isolierendem Material gebildet ist. - Elektrisches Bauelement nach Anspruch 24, bei dem das elektrisch isolierende Material Keramik oder Glas ist.
- Elektrisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem ein Teilelement (
10 ) das andere Teilelement (11 ) in einem Winkel von mehr als 180 Grad umschließt. - Elektrisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das einen hermetisch dichten Innenraum (
50 ) aufweist, der wenigstens teilweise von Teilelementen (10 ,11 ) bzw. Unterelementen (10a ,10b ,10c ,11a ,11b ) begrenzt ist. - Elektrisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Teilelemente (
10 ,11 ) durch die Ausgleichsvorrichtung (20 ) unverwinkelt verbunden sind. - Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelementes nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die erste Lötverbindung nach der zweiten (
40 ) und dritten (41 ) Lötverbindung hergestellt wird. - Verfahren nach Anspruch 29, bei dem die erste Lötverbindung (
20c ) als letzte aller die Teilelemente (10 ,11 ) bzw. Unterelemente (10a ,10b ,10c ,11a ,11b ) verbindenden Lötverbindungen (11c ,20c ,40 ,41 ) hergestellt wird.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2003152670 DE10352670A1 (de) | 2003-11-11 | 2003-11-11 | Elektrisches Bauelement |
CNB2004100909222A CN100376038C (zh) | 2003-11-11 | 2004-11-10 | 电子组件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2003152670 DE10352670A1 (de) | 2003-11-11 | 2003-11-11 | Elektrisches Bauelement |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10352670A1 true DE10352670A1 (de) | 2005-06-16 |
Family
ID=34584986
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2003152670 Ceased DE10352670A1 (de) | 2003-11-11 | 2003-11-11 | Elektrisches Bauelement |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100376038C (de) |
DE (1) | DE10352670A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009001534A1 (de) | 2009-03-13 | 2010-09-23 | Infineon Technologies Bipolar Gmbh & Co. Kg | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4673961A (en) * | 1985-03-13 | 1987-06-16 | Research Development, Corporation Of Japan | Pressurized contact type double gate static induction thyristor |
JPS63224242A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-19 | Hitachi Ltd | 熱伝達装置 |
JPH05175378A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-13 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH05267491A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-15 | Hitachi Ltd | 圧接型半導体装置及びこれを使用した電力変換装置 |
JPH05283555A (ja) * | 1992-04-01 | 1993-10-29 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
JPH05292555A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-11-05 | Hitachi Ltd | スイッチの制御方法およびスイッチシステム |
EP0789397A2 (de) * | 1996-02-07 | 1997-08-13 | Hitachi, Ltd. | Schaltungsplatine und Halbleiterbauteil mit dieser |
DE10026651C1 (de) * | 2000-05-29 | 2001-07-26 | Siemens Ag | Materialverbund sowie Herstellung und Verwendung des Materialverbunds |
US20010017377A1 (en) * | 2000-02-29 | 2001-08-30 | Powered Co., Ltd. & Omron Corporation. | Chip-type semiconductor device |
DE10135984A1 (de) * | 2001-07-24 | 2003-03-06 | Eupec Gmbh & Co Kg | Anordnung mit einem lichtzündbaren Halbleiterbauelement und einem Teil zur Lichtdurchführung sowie Thyristor mit integrierter Licht-Überkopfzündung |
JP2003124410A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-04-25 | Yamaha Corp | 多層ヒートシンクおよびその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5994854A (ja) * | 1982-11-24 | 1984-05-31 | Nec Corp | 半導体装置の蓋 |
DE19611046A1 (de) * | 1996-03-20 | 1997-09-25 | Siemens Ag | Halbleitervorrichtung |
-
2003
- 2003-11-11 DE DE2003152670 patent/DE10352670A1/de not_active Ceased
-
2004
- 2004-11-10 CN CNB2004100909222A patent/CN100376038C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4673961A (en) * | 1985-03-13 | 1987-06-16 | Research Development, Corporation Of Japan | Pressurized contact type double gate static induction thyristor |
JPS63224242A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-19 | Hitachi Ltd | 熱伝達装置 |
JPH05175378A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-13 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH05267491A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-15 | Hitachi Ltd | 圧接型半導体装置及びこれを使用した電力変換装置 |
JPH05283555A (ja) * | 1992-04-01 | 1993-10-29 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
JPH05292555A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-11-05 | Hitachi Ltd | スイッチの制御方法およびスイッチシステム |
EP0789397A2 (de) * | 1996-02-07 | 1997-08-13 | Hitachi, Ltd. | Schaltungsplatine und Halbleiterbauteil mit dieser |
US20010017377A1 (en) * | 2000-02-29 | 2001-08-30 | Powered Co., Ltd. & Omron Corporation. | Chip-type semiconductor device |
DE10026651C1 (de) * | 2000-05-29 | 2001-07-26 | Siemens Ag | Materialverbund sowie Herstellung und Verwendung des Materialverbunds |
DE10135984A1 (de) * | 2001-07-24 | 2003-03-06 | Eupec Gmbh & Co Kg | Anordnung mit einem lichtzündbaren Halbleiterbauelement und einem Teil zur Lichtdurchführung sowie Thyristor mit integrierter Licht-Überkopfzündung |
JP2003124410A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-04-25 | Yamaha Corp | 多層ヒートシンクおよびその製造方法 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
JP 05175378 A (Patent Abstracts of Japan) * |
JP 05267491 A (Patent Abstracts of Japan) * |
JP 05293555 A (Patent Abstracts of Japan) * |
JP 2003124410 A (Patent Abstracts of Japan) * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009001534A1 (de) | 2009-03-13 | 2010-09-23 | Infineon Technologies Bipolar Gmbh & Co. Kg | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
DE102009001534B4 (de) * | 2009-03-13 | 2012-10-04 | Infineon Technologies Bipolar Gmbh & Co. Kg | Lichtempfindliches, elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Gehäusedeckels |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100376038C (zh) | 2008-03-19 |
CN1630103A (zh) | 2005-06-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0933823B1 (de) | Flächenleuchte mit ausdehnungskompensiertem optoelektronischem Halbleiter-Bauelement | |
DE102005039478B4 (de) | Leistungshalbleiterbauteil mit Halbleiterchipstapel und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE3221199C2 (de) | ||
EP0347704B1 (de) | Infrarotdetektor | |
DE3138718C2 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2808531A1 (de) | Lichtgetriggertes hochleistungs-halbleiterbauelement | |
DE102008027999A1 (de) | Halbleitersensor | |
DE2140107A1 (de) | Fotodetektoranordnung | |
DE102006031344A1 (de) | Elektrisches Bauelement mit einem Sensorelement, Verfahren zur Verkapselung eines Sensorelements und Verfahren zur Herstellung einer Plattenanordnung | |
DE2248303C2 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE1961314A1 (de) | Geschuetztes Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
EP0962035B1 (de) | Laservorrichtung | |
DE1212220B (de) | Halbleiteranordnung mit einem durch einen lamellenfoermigen Deckel verschlossenen Gehaeuse | |
DE3017502A1 (de) | Verfahren zur herstellung von monolithischen halbleiterbauelementen | |
DE3913066C2 (de) | ||
EP0888642B1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
EP1196747B1 (de) | Vorrichtung zur hochtemperaturerfassung und verfahren zur herstellung derselben | |
DE10124141B4 (de) | Verbindungseinrichtung für eine elektronische Schaltungsanordnung und Schaltungsanordnung | |
DE10065495C2 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
DE19727447B4 (de) | Verwendung einer pyroelektrischen Einheit als Lichtempfangsfläche eines Infrarotsensors und Verfahren zur Einstellung der relativen Nachweisrate eines Infrarotsensors | |
DE10352670A1 (de) | Elektrisches Bauelement | |
DE102013215389A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE10303103B4 (de) | Halbleiterbauteil, insbesondere Leistungshalbleiterbauteil | |
DE2125468A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE102004059389A1 (de) | Kontaktierung eines Halbleiterbauelements |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ON | Later submitted papers | ||
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 81669 MUENCHEN, DE |
|
8131 | Rejection |