DE10347518A1 - Elektronisches Bauelement, Schaltungsträgeraufbau und Elektronikeinheit mit Wärmespeicher - Google Patents

Elektronisches Bauelement, Schaltungsträgeraufbau und Elektronikeinheit mit Wärmespeicher Download PDF

Info

Publication number
DE10347518A1
DE10347518A1 DE10347518A DE10347518A DE10347518A1 DE 10347518 A1 DE10347518 A1 DE 10347518A1 DE 10347518 A DE10347518 A DE 10347518A DE 10347518 A DE10347518 A DE 10347518A DE 10347518 A1 DE10347518 A1 DE 10347518A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
pcm
phase change
change material
circuit carrier
electronic component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10347518A
Other languages
English (en)
Inventor
Stephan Bolz
Michael Decker
Thomas Dr. Riepl
Karin Schottenloher
Daniela Wolf
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE10347518A priority Critical patent/DE10347518A1/de
Priority to PCT/EP2004/052528 priority patent/WO2005036587A2/de
Publication of DE10347518A1 publication Critical patent/DE10347518A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
    • H01L23/4275—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes by melting or evaporation of solids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
    • H05K3/0061—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates onto a metallic substrate, e.g. a heat sink

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Control Of Electric Motors In General (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement, einen Schaltungsträgeraufbau sowie eine Elektronikeinheit, insbesondere zur Verwendung im Bereich der Kraftfahrzeugelektronik. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung solcher Vorrichtungen. DOLLAR A Es ist daher eine Aufgabe der Erfindung, einen Weg aufzuzeigen, um die Betriebstemperatur von elektronischen Bauelementen in einfacher Weise beeinflussen zu können, insbesondere zur Verlängerung der Bauelementlebensdauer. DOLLAR A Die Grundidee der Erfindung besteht darin, zeitweise im Betrieb eines elektronischen Bauelements auftretende Betriebstemperaturänderungen durch einen "thermischen Speicher" in Form eines Phasenänderungsmaterials abzufangen, d. h. eine zeitweise erhöhte oder verringerte thermische Verlustleistung des Bauelements reversibel in der Umgebung dieses Bauelements zu speichern.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement, einen Schaltungsträgeraufbau sowie eine Elektronikeinheit, insbesondere zur Verwendung im Bereich der Kraftfahrzeugelektronik. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung solcher Vorrichtungen.
  • Es ist bekannt, bei der Auslegung von elektronischen Bauelementen, Schaltungsträgern, Leiterplatten und Elektronikeinheiten umfassend einen mit wenigstens einem elektronischen Bauelement bestückten Schaltungsträger (z. B. Leiterplatte, Keramik, Flexfolie etc.) eine möglichst gute Ableitung der Wärme vorzusehen, die unvermeidbar im Betrieb von elektronischen Bauelementen entsteht ("thermische Verlustleistung"). Dies verlängert die Lebensdauer der Bauelemente und erhöht die Zuverlässigkeit der damit gebildeten Elektronikeinrichtungen.
  • Im Gegensatz zu mechanischen Bauelementen, deren Alterung maßgeblich durch wiederholte Temperaturwechsel bestimmt wird, ist es bei elektronischen Bauelementen, deren Alterung maßgeblich durch die Höhe der Arbeitstemperatur bzw. die "Temperaturlagerung" bestimmt wird, in der Praxis nicht lediglich wichtig, die Betriebstemperatur stets unterhalb derjenigen Temperatur ("Materiallimit") zu halten, bei welcher das Bauelement irreversibel geschädigt oder zerstört wird. Bei elektronischen Bauelementen ist es vielmehr wichtig, die Bauelementtemperatur stets mehr oder weniger weit unterhalb des Materiallimits zu halten. Auf Grund eines nicht linearen son dern eher exponentiellen Zusammenhangs zwischen der Bauelementtemperatur und der Bauelementlebensdauer ("Arrhenius-Gesetz") kommt es hierbei nicht lediglich darauf an, die über die Zeit gemittelte Durchschnittstemperatur niedrig zu halten, sondern entscheidend auch darauf, relativ nahe an das Materiallimit heranreichende Betriebstemperaturen ("Temperaturspitzen") zu vermeiden. Der nicht-lineare Zusammenhang zwischen Betriebstemperatur und Lebensdauer folgt dem Arrhenius-Gesetz, aus welchem sich bei Anwendung auf ein typisches Halbleiterbauelement ergibt, dass beispielsweise durch eine Erhöhung der Betriebstemperatur von 140°C auf 150°C (was auf der absoluten Temperaturskala einer Erhöhung der Temperatur von ungefähr 2% entspricht) die Lebensdauer um ungefähr 30% verringert wird.
  • Bisherige Lösungsansätze bestehen abgesehen von einer Erhöhung des Materiallimits vor allem darin, die thermische Anbindung des elektronischen Bauelements an dessen Umgebung zu verbessern, beispielsweise durch Bereitstellung von Wärmeableitpfaden mit hoher Wärmeleitfähigkeit zu einer Leiterplatte hin und/oder durch Anbringung eines Kühlkörpers mit Kühlrippen in gutem thermischen Kontakt zum Bauelement und/oder dem damit bestückten Schaltungsträger.
  • Nachteilig ist bei den bisherigen Lösungsansätzen oftmals der damit verbundene Aufwand bei der Herstellung der genannten Vorrichtungen und/oder bei deren Montage zu einer Elektronikeinheit. Darüber hinaus ist die Wirkung der bekannten Wärmeableitungsmaßnahmen, abhängig vom Anwendungsgebiet, nicht immer zufriedenstellend.
    •
  • Es ist daher eine Aufgabe der Erfindung, einen Weg aufzuzeigen, um die Betriebstemperatur von elektronischen Bauelemen ten in einfacher Weise beeinflussen zu können, insbesondere zur Verlängerung der Bauelementlebensdauer.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch ein elektronisches Bauelement nach Anspruch 1, einen Schaltungsträgeraufbau nach Anspruch 5, eine Elektronikeinheit nach Anspruch 8 sowie ein Verfahren zur Herstellung dieser Vorrichtungen nach einem der Ansprüche 9, 10 oder 11. Die abhängigen Ansprüche betreffen vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung.
  • Die Grundidee der Erfindung besteht darin, zeitweise im Betrieb eines elektronischen Bauelements auftretende Betriebstemperaturänderungen durch einen "thermischen Speicher" in Form eines Phasenänderungsmaterials abzufangen, d. h. eine zeitweise erhöhte oder verringerte thermische Verlustleistung des Bauelements reversibel in der Umgebung dieses Bauelements zu speichern.
  • Bei dem elektronischen Bauelement kann es sich um ein beliebiges, in einer elektronischen Schaltung einsetzbares Element handeln. Derartige Elemente an sich sind in großer Vielfalt bekannt, z. B. als aktive oder passive elektronische Bauelemente, gehäuste oder ungehäuste elektronische Bauelemente (z. B. Transistoren, ICs, IC-Module, mikromechanisch struktuierte Elemente wie z. B. Sensoren mit Auswerteeinheit, Widerstände etc).
  • Anstatt eine zeitweise erhöht anfallende thermische Energie lediglich abzuführen wird diese Energie gemäß der Erfindung alternativ oder zusätzlich zur reversiblen Änderung der inneren Energie des verwendeten Phasenänderungsmaterials herangezogen, also kurzfristig dem System entzogen und umgewandelt.
  • Der Begriff "Phasenänderungsmaterial" (engl.: "phase change material", kurz "PCM") bezeichnet hierbei jedes Material, welchem bei wenigstens einer Temperatur (Phasenänderungstemperatur) thermische Energie zugeführt oder entzogen werden kann, ohne dass sich die Temperatur dieses Materials ändert, indem die zugeführte bzw. entzogene Energie lediglich einen isothermen Phasenübergang des Materials (bei konstanter Phasenübergangstemperatur) bewirkt.
  • Daraus ergibt sich insbesondere die Möglichkeit, Temperaturspitzen der Temperatur eines dem Phasenänderungsmaterial zugeordneten Bauelements abzufangen, indem die aus der zeitweise erhöhten thermischen Verlustleistung resultierende thermische Energie in Phasenänderungsenergie umgesetzt und somit gebunden wird. Bei einer nachfolgenden Normalisierung der Bauelementtemperatur kann die im Material gespeicherte Energie wieder kontinuierlich abgegeben werden, so dass hinsichtlich der Alterung bzw. Lebensdauer des Bauelements kritische Temperaturspitzen verhindert oder zumindest abgemildert werden.
  • Prinzipiell ist als Phasenübergang jede physikalische und/oder chemische Zustandsänderung verwendbar, welche zu der erläuterten Eigenschaft des Materials führt, also beispielsweise eine reversible Änderung des Aggregatzustands von fest nach flüssig und/oder eine bei Zufuhr thermischer Aktivierungsenergie reversibel endotherm verlaufende chemische Reaktion.
  • Wenn mittels des Phasenänderungsmaterials zeitweise auftretende Betriebstemperaturanstiege abgefangen werden sollen, so muss ein Material gewählt werden, dessen Phasenänderungstemperatur (z. B. Schmelztemperatur) über derjenigen Temperatur liegt, die bei normalem Betrieb des oder der zugeordneten, also z. B. der benachbarten oder über Wärmeleitungspfade thermisch angebundenen Bauelemente im Bereich dieses Materials vorliegt. Gleichzeitig muss in diesem Fall die Phasenänderungstemperatur jedoch unter derjenigen Temperatur liegen, welche sich für diesen Bereich ergeben würde, wenn die Betriebstemperatur des Bauelements am Materiallimit ist. Daraus ergibt sich, dass eine besonders zweckmäßige bzw. optimale Phasenänderungstemperatur von der Art des oder der thermisch zu stabilisierenden Bauelemente, den Wärmeleitungseigenschaften der unmittelbaren Umgebung sowie dem Anordnungsort des Phasenänderungsmaterials abhängt. Anhand dieser Überlegungen ist im Rahmen der Erfindung für viele Anwendungsgebiete (z. B. Fahrzeugelektronik) oftmals eine Phasenänderungstemperatur interessant, die etwa im Bereich von 100°C bis 200°C liegt. Die zweckmäßig zu wählende Phasenänderungstemperatur hängt jedoch insbesondere von der Umgebungstemperatur, den thermischen Eigenschaften des Systems, dem Anordnungsort des Phasenänderungsmaterials und der Höhe der anfallenden Verlustleistung ab.
  • Die Art und Menge des verwendeten Phasenänderungsmaterials bestimmt auch die beim Phasenübergang isotherm maximal zuführbare bzw. entziehbare Energie (latente Wärme des Phasenübergangs). In dieser Hinsicht ist es von Vorteil, wenn die latente Wärme des Phasenübergangs eines Bereichs von Phasenänderungsmaterial wenigstens etwa im Bereich von 10 bis 100 mJ liegt. Diese Größenordnung der Energie ist geeignet, um in der Leistungselektronik typischerweise anfallende Leistungsspitzen eines Bauelements (z.B. Halbleiterdiode, Halbleitertransistor oder -schaltelement) abzufangen.
  • Bei der Wahl der Art und Menge des Phasenänderungsmaterials ist zu berücksichtigen, dass mit einer größeren maximal im Material einspeicherbaren Energie mehr elektronische Bauelemente thermisch stabilisiert werden können und/oder über längere Zeiträume thermisch stabilisiert werden können. Was die Dauer der hier interessierenden Temperaturspitzen anbelangt, so liegt diese typischerweise etwa im Bereich von Bruchteilen einer Sekunde bis hin zu vielen Sekunden, ebenfalls abhängig von der Art des oder der Bauelemente und der Anordnung des Phasenänderungsmaterials.
  • Das gemäß der Erfindung vorgesehene Phasenänderungsmaterial ist nicht nur vorteilhaft an Orten in der Elektronik einsetzbar, an denen es zu Temperaturüberhöhungen kommt, sondern prinzipiell ebenso als "Temperaturspeicher" bei zeitweise auftretenden Temperaturerniedrigungen einsetzbar. Bestimmte Bauteile (wie z. B. Dioden) besitzen in bestimmten Anwendungsfällen einen hinsichtlich ihrer Funktion optimalen Betriebstemperaturbereich, der weder überschritten noch unterschritten werden sollte. Zum Abfangen von zeitweise auftretenden Betriebstemperaturabfällen solcher Bauelemente eignet sich ein Phasenänderungsmaterial mit einer Phasenänderungstemperatur, die etwa bei oder etwas über der unteren Grenze desjenigen Temperaturbereichs liegt, der sich am Ort des Materials bei einer Temperatur des oder der Bauelemente im optimalen Temperaturbereich ergibt. Durch Verwendung zweier Phasenänderungsmaterialien mit unterschiedlicher Phasenänderungstemperatur, die beide einem bestimmten Bauelement zugeordnet sind, lässt sich dementsprechend die Bauelementtemperatur bezüglich Temperaturabweichungen nach unten und nach oben abpuffern.
  • Phasenänderungsmaterialien an sich sind in der Technik bekannt. Lediglich beispielhaft seien an dieser Stelle Kohlenwasserstoffverbindungen (z. B. Paraffine) sowie organische Salze und Salzverbindungen genannt. Bei Kohlenwasserstoffverbindungen kann die Änderung des Aggregatzustands von fest nach flüssig und umgekehrt verwendet werden, wobei die Schmelz- bzw. Erstarrungstemperatur im Wesentlichen von der Länge der Molekülketten abhängt und somit im Rahmen der Formulierung der Verbindung "maßgeschneidert" werden kann. Paraffine besitzen typischerweise eine extrem schlechte Wärmeleitfähigkeit, was in manchen Anwendungsfällen insofern nachteilig sein könnte, als damit die Ableitung von Verlustwärme vom Bauelement weg mehr oder weniger verschlechtert wird. Andererseits ist diese schlechte Wärmeleitfähigkeit von Paraffinen in manchen Anwendungsfällen von Vorteil. So kann ein Vorteil beispielsweise darin bestehen, dass die zum Abfangen einer Temperaturspitze in das Material eingespeicherte Energie tendenziell langsamer wieder von dem Material abgegeben wird.
  • Das verwendete Phasenänderungsmaterial sollte chemisch inert gegenüber den im konkreten Anwendungsfall angrenzenden Materialien sein, wie beispielsweise Au (Bondungen), Glaspassivierung (Chipabdeckung), Al (Pads), Lot, Gehäusekunststoff, "underfill"-Material etc. Ferner sollte bei der Auswahl des Phasenänderungsmaterials sichergestellt werden, dass dessen Temperatur nicht die Verdampfungstemperatur erreicht, d. h. dass das Material sich zwar verflüssigen kann, nicht aber verdampfen kann.
  • Im Allgemeinen ist es sinnvoll, ein elektrisch nicht leitendes Phasenänderungsmaterial zu verwenden, insbesondere um die elektronischen Funktionen des betreffenden Systems bzw. der betreffenden Komponente nicht zu beeinträchtigen. In speziellen Anwendungsfällen kann jedoch auch ein elektrisch leitfähiges Phasenänderungsmaterial vorteilhaft sein, z. B. um eine Doppelfunktion dieses Materials zu nutzen (elektrische Verbindung und Energiespeicherung).
  • Ein bevorzugtes Anwendungsgebiet der Erfindung ist die Kraftfahrzeugelektronik. In diesem Bereich gibt es einen Trend zur Montage von Elektronikeinheiten (z. B. Steuerelektronik bzw. Steuergeräte) direkt an bestimmten Fahrzeugkomponenten wie Motor, Getriebe oder Bremsen ("Vorort-Elektronik"), z. B. mit dem Ziel, die Logistik und die Endmontage zu vereinfachen. Als Konsequenz daraus folgt jedoch für die Elektronik eine höhere Umgebungstemperatur, die der gleichzeitigen Forderung nach einer Verlängerung der Lebensdauer und Erhöhung der Zuverlässigkeit der Elektronik zuwiderläuft. Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, werden bereits hochtemperaturtaugliche Bauelementmaterialien eingesetzt. Dieser Ansatz ist jedoch mit hohen Kosten verbunden. Die ebenfalls bereits verfolgte Verbesserung des "thermischen Managements" durch verbesserte thermische Anbindung von Bauelementen an deren Umgebung stößt mittlerweile an die Grenzen der verwendeten Technologien. Daher bietet es sich gerade in diesem technischen Bereich mit erhöhter Umgebungstemperatur an, die Erfindung zur Überwindung derzeit bestehender technologischer Grenzen einzusetzen.
  • Aus den unten beschriebenen Ausführungsbeispielen der Erfindung werden eine Vielzahl weiterer Vorteile der Erfindung ersichtlich, von denen an dieser Stelle bereits einige genannt seien:
    • – Die Erfindung trägt der Erkenntnis Rechnung, dass der Bauelementstress bei einer Temperaturerhöhung überproportional steigt. Die Verminderung von Temperaturschwankungen führt vorteilhaft zu einer Verringerung der Wahrscheinlichkeit von Ausfällen der Verbindungstechnik (z. B. Lötungen), die oftmals gerade durch solche Temperaturschwankungen und/oder Temperaturspitzen verursacht werden.
    • – Zur Realisierung der Erfindung können im Bereich der Elektronik bereits bekannte Technologien eingesetzt werden (z. B. Dispensen eines flüssigen bzw. aushärtbaren Materials, Montage eines Kunststoffrahmens als Flussbegrenzung für flüssig aufgebrachtes Material).
    • – Im einfachsten Fall sind keine zusätzlichen oder neuartigen Konstruktionen oder zusätzliche Prozessschritte bei der Fertigung notwendig (z. B. Verwendung eines Phasenänderungsmaterials anstelle eines "Glob Top"-Vergusses), was die Realisierung der Erfindung kostengünstig macht.
    • – Die Energiespeicherung gemäß der Erfindung ist lokal und anwendungsspezifisch einsetzbar bzw. sehr flexibel einsetzbar (z. B. abhängig von der einzuspeichernden Wärmemenge kann die Menge des Phasenänderungsmaterials angepasst werden).
    • – Mit der Erfindung können elektronische Vorrichtungen (Bauelemente, Leiterplatten, Elektronikeinheiten etc.) bereitgestellt werden, bei welchen eine einfache Reparierbarkeit gewährleistet ist.
  • Das elektronische Bauelement ist erfindungsgemäß gekennzeichnet durch eine Ummantelung, die wenigstens teilweise aus einem Phasenänderungsmaterial, im Folgenden auch als PCM be zeichnet, gebildet ist. In diesem Fall entfaltet das PCM seine Wirkung vorteilhaft unmittelbar im Bereich des elektronischen Bauelements, so dass insbesondere zeitlich sehr kurze Temperaturabweichungen gut abzufangen sind. Ein solches Bauelement kann darüber hinaus ohne irgendwelche Anpassungsmaßnahmen in eine beliebige "thermische Umgebung" eingebaut werden. Das Wärmespeichervermögen ist dem Bauelement inhärent.
  • Das Bauelement lässt sich unter weitgehender Nutzung von herkömmlichen Herstellungstechnologien fertigen. Das herkömmlich verwendete Material für eine Ummantelung, beispielsweise eine Epoxydharzmasse (z. B. Epoxyharz mit Füllstoffen) oder Keramik ist lediglich durch ein PCM zu ersetzen oder mit einem PCM zu ergänzen.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Phasenänderungsmaterial von Bereichen festen Ummantelungsmaterials eingeschlossen ist. Bei diesem festen Ummantelungsmaterial kann es sich z. B. um ein bislang bereits verwendetes Epoxydharz oder eine Keramik handeln.
  • Insbesondere wenn das PCM einen Phasenübergang von fest nach flüssig oder zähflüssig vorsieht, so muss dafür Sorge getragen werden, dass das PCM im Betrieb des Bauelements bei Verflüssigung des PCM nicht aus der Ummantelung herausläuft. Dazu bietet es sich an, das PCM hermetisch einzuschließen. Fertigungstechnisch kann dies beispielsweise dadurch erfolgen, dass zunächst eine nach oben hin geöffnete Ummantelungsstruktur aus dem festen Material gebildet wird, sodann das PCM in fester oder flüssiger Form von oben eingefüllt wird, und schließlich eine den Austritt des PCM verhindernde Abdeckstruktur aus festem Material aufgesetzt wird. In diesem Fall bilden die Bereiche des festen Ummantelungsmaterials also ei nen Hohlraum zum Einschluss des PCM aus. Alternativ können auch mehrere solcher Hohlräume ausgebildet sein, um ein PCM oder mehrere verschiedene PCM einzuschließen. Der Einschluss wenigstens zweier verschiedener PCM kann z. B. zur oben erwähnten Pufferung von Temperaturabweichungen nach oben und nach unten genutzt werden.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Bereiche festen Ummantelungsmaterials als schwammartiges oder poröses Material (z. B. Keramik), insbesondere mit mikroskopischen Poren, zum Einschluss des PCM ausgebildet sind. In diesem Fall vereinfacht sich die Herstellung des Bauelements insofern als das Ummantelungsmaterial (mit beigemischtem PCM) in einem Arbeitsschritt ausgebildet werden kann.
  • Der erfindungsgemäße Schaltungsträgeraufbau ist gekennzeichnet durch wenigstens einen Hohlraum, der ein PCM enthält. Die Wirkung dieses PCM entfaltet sich in diesem Fall nicht innerhalb des Bauelements oder der Bauelemente, mit denen der Schaltungsträger bestückt ist, sondern in einem gewissen Abstand hiervon. In diesem Fall sollte eine gute Wärmeübergangsverbindung zwischen dem oder den betreffenden Bauelementen und diesem Hohlraum geschaffen werden. Dies lässt sich besonders einfach mit den in der Technik bereits gut etablierten Maßnahmen zur vertikalen und horizontalen Wärmespreizung bewerkstelligen. Derartige Maßnahmen sind hinlänglich bekannt und bedürfen keiner detaillierten Erläuterung. Lediglich beispielhaft seien hierzu horizontal flächig ausgebildete Wärmeleitungsabschnitte (z. B. Leiterbahnflächen) sowie in vertikaler Richtung sich erstreckende elektrische und/oder thermische Übergangsverbindungen ("vias") genannt, mit denen dem Hohlraum mehr oder weniger benachbarte Bauelemente thermisch angekoppelt werden können. Solche vias sind z. B. vor teilhaft in flächiger Überlappung mit dem PCM-gefüllten Hohlraum anzuordnen.
  • Der Schaltungsträgeraufbau besteht im einfachsten Fall aus dem eigentlichen Schaltungsträger, der in erster Linie zur Aufnahme und elektrischen Verbindung der elektronischen Bauelemente dient, kann jedoch auch noch weitere Komponenten bzw. Aufbauteile umfassen, die vorwiegend thermische und mechanische Funktionen erfüllen, wie z. B. Kühlkörper, Wärmesenken, Befestigungsmittel, Gehäuseteile.
  • Der Schaltungsträger kann in Verbindung mit herkömmlichen elektronischen Bauelementen und/oder den oben beschriebenen erfindungsgemäßen elektronischen Bauelementen verwendet werden.
  • In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass sich der Hohlraum im Inneren des Schaltungsträgeraufbaus erstreckt und durch wenigstens einen Kanal mit dem Außenraum verbunden ist. Über derartige Kanäle, deren Volumen bevorzugt wesentlich kleiner als das Volumen des Hohlraums ist, lässt sich das PCM in fester oder flüssiger Form einfach einfüllen. Abhängig von der Art des PCM und der Orientierung des Schaltungsträgers in der damit aufgebauten elektronischen Einrichtung kann es zweckmäßig sein, die Öffnungen der Kanäle nach dem Füllen mit PCM zu verschließen. Beispielsweise kann bereits bei der Fertigung des Schaltungsträgers bzw. des Schaltungsträgeraufbaus das Befüllen mit PCM und das Verschließen der Befüllöffnungen erfolgen. Alternativ kann der Schaltungsträgeraufbau zunächst mit noch leeren Hohlräumen gefertigt werden, die bei der Bestückung mit PCM gefüllt und gegebenenfalls verschlossen werden.
  • Eine besonders gute thermische Kopplung zwischen dem Bauelement und dem PCM lässt sich in einer Ausführungsform sicherstellen, bei welcher der Hohlraum zu einer Bestückungsseite des Schaltungsträgers hin offen ist. In diesem Fall kann ein Bauelement unmittelbar an der offenen Seite des Hohlraums angrenzend angeordnet werden und somit in direkten Kontakt mit dem PCM gebracht werden.
  • Die erfindungsgemäße Elektronikeinheit, umfassend einen mit wenigstens einem elektronischen Bauelement bestückten Schaltungsträgeraufbau, ist dadurch gekennzeichnet, dass das elektronische Bauelement gemäß der Erfindung ausgebildet ist und/oder der Schaltungsträgeraufbau gemäß der Erfindung ausgebildet ist und/oder in einem Bereich, der thermisch an das elektronische Bauelement und/oder den Schaltungsträgeraufbau angekoppelt ist, insbesondere in einem Übergangsbereich zwischen dem elektronischen Bauelement und dem Schaltungsträgeraufbau, ein PCM angeordnet ist. Eine solche Elektronikeinheit kann also im einfachsten Fall unter Verwendung von herkömmlichen Bauelementen und herkömmlichen Leiterplatten hergestellt werden, wobei bei oder nach der Bestückung der Leiterplatte ein PCM zur Wärmespeicherung angeordnet wird. Das PCM kann auch in einer mit dem Schaltungsträger verbundenen Struktur, z. B. einer Wärmesenke oder einem Elektronikeinheit-Gehäuse, angeordnet sein.
  • Herkömmliche Elektronikeinheiten, bei welchen bestückte Substrate bzw. Leiterplattenaufbauten in einer Gehäusestruktur untergebracht werden, werden oftmals zum mechanischen Schutz der Bauelemente und Verbindungen vor dem Schließen des Gehäuses oder Aufsetzen eines Gehäusedeckels mit einem Silgel vergossen, welches dann im Wesentlichen den gesamten Gehäusein nenraum ausfüllt. Gemäß der Erfindung könnte das Silgel durch ein geeignetes PCM ersetzt oder damit angereichert werden.
    •
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand einiger Ausführungsbeispiele mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen weiter beschrieben. Es stellen jeweils schematisch dar:
  • 1 ein elektronisches Bauelement, in dessen Ummantelung ein mit einem Phasenänderungsmaterial (PCM) gefüllter Hohlraum ausgebildet ist,
  • 2 eine Darstellung zur Veranschaulichung des Vergusses eines auf einem Keramiksubstrat angeordneten Chips mit einer PCM-Masse,
  • 3 einen auf einem Keramiksubstrat angeordneten und mit PCM-Masse vergossenen Chip,
  • 4 eine Darstellung zur Veranschaulichung der Anordnung eines PCM im Übergangsbereich zwischen einem elektronischen Bauelement und der darunter befindlichen Leiterplatte,
  • 5 und 6 einen Schaltungsträgeraufbau, mit einem Hohlraum, der ein PCM enthält (6 um 90° gedreht gegenüber 5), und
  • 7 und 8 einen Schaltungsträgeraufbau ähnlich dem in den 5 und 6 dargestellten Aufbau, wobei jedoch der mit PCM gefüllte Hohlraum nach oben hin offen ist (8 um 90° gedreht gegenüber 7).
  • 1 zeigt ein insgesamt mit 10 bezeichnetes elektronisches Bauelement mit Anschlusspins 12 und 12' zum Anschluss des Bauelements, die in bekannter Weise aus einem Gehäuse 14 (Ummantelung) herausragen.
  • Das Gehäuse 14 besteht in diesem Ausführungsbeispiel aus einem Gehäuseboden 16 und einem darauf aufgesetzten Gehäusedeckel 18. Diese Gehäuseteile sind aus Keramik gebildet und begrenzen im Inneren des Bauelements 10 einen Hohlraum 20, der im Wesentlichen vollständig mit einem Phasenänderungsmaterial, im Folgenden auch kurz "PCM", gefüllt ist. Dieses PCM wurde bei der Fertigung des Bauelements 10 in die nach oben offene Aussparung des Gehäusebodens 16 eingefüllt bevor der Gehäusedeckel 18 in einem zweiten Arbeitsschritt aufgesetzt wurde.
  • Der Klarheit der Darstellung halber, und weil dies im Rahmen der Erfindung eine nebengeordnete Rolle spielt, ist die eigentliche elektronisch wirksame Struktur, hier also z. B. ein Halbleiterplättchen mit aktiver Fläche und Bondungen zu einem "lead frame", nicht dargestellt. Dieser elektronisch wirksame Bereich befindet sich bei dem Bauelement 10 unterhalb des Hohlraums 20 im Gehäuse 14 eingebettet.
  • Die Figur zeigt das Bauelement 10 bereits einsatzbereit auf einem Leiterplattenaufbau (Schaltungsträgeraufbau) 40 einer elektronischen Einrichtung montiert.
  • Eine Leiterplatte 42 besteht in an sich bekannter Weise aus einem kupferbeschichteten elektrisch isolierenden Leiterplattensubstrat. Nach unten hin schließt sich daran eine Wärmeableitungslage 44 ("thermal interface material", kurz "TIM") und eine metallische Wärmesenke 46 (aus Aluminium) an. Die Anschlusspins 12 und 12' sind an Lötstellen 48 und 48' über eine Metallisierungsschicht mit der strukturierten Kupferschicht des Substrats 42 elektrisch verbunden.
  • Dieser an sich bekannte Leiterplattenaufbau gewährleistet eine mehr oder weniger gute Abfuhr von Wärme, die im Betrieb des Bauelements 10 als elektrische Verlustleistung erzeugt wird. Diese Wärme wird einerseits über die Anschlusspins 12 und 12' und über die Lötstellen 48 und 48' und andererseits über eine Wärmeableitfläche 50 ("heatslug") des Bauelementbodens und eine Verbindungsschicht (Haftschicht) zur Leiterplatte 42 übertragen. Dort findet durch die thermisch leitfähigen Lagen (Kupferschichten) eine horizontale Wärmespreizung statt. Ferner wird die Wärme zu einem großen Teil auch vertikal zur Wärmesenke 46 hin übertragen.
  • Unabhängig von diesen bekannten Wärmeableitungsmaßnahmen kann durch die Verwendung des dargestellten Bauelements 10 Wärme auch besonders rasch dem elektronisch aktiven Bereich entzogen und isotherm in das PCM eingespeichert werden. Beim dargestellten Ausführungsbeispiel können somit kurzzeitig auftretende Verlustleistungsspitzen abgefangen werden. Das PCM im Hohlraum 20 dient als "Temperaturpuffer". Wenn sich die Verlustleistung des Bauelements 10 nach einer solchen Leistungsüberhöhung wieder absenkt (normalisiert), wird die eingespeicherte Wärme reversibel wieder an die Umgebung abgegeben. Das PCM dient somit als thermischer Kondensator. Durch die Glättung des zeitlichen Temperaturverlaufs wird die Lebensdauer des Bauelements 10 und somit der damit aufgebauten Elektronikeinheit erheblich verlängert.
  • Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel sieht das PCM einen Phasenübergang von fest nach flüssig bei Überschreiten einer Temperatur von 140°C und den reversiblen Übergang von flüssig nach fest bei Unterschreiten einer Temperatur von 140°C vor. Sofern bei diesem Phasenübergang, abhängig von der Art des PCM, überhaupt eine nennenswerte Volumen- bzw. Druckänderung stattfindet, kann diese in der Regel durch die festen Ummantelungsbereiche 16, 18 aufgenommen werden. Alternativ oder zusätzlich könnten Maßnahmen zur Abmilderung der Wirkung einer Volumen- bzw. Druckänderung des Materials beim Phasenübergang getroffen werden, beispielsweise in Form von Druckausgleichsöffnungen in der Ummantelung 14 und/oder in Form eines kleineren Füllgrads (= Volumen des PCM/Hohlraumvolumen). Im letzteren Fall dient der nennenswerte Anteil an eingeschlossener Luft als "Druckpuffer".
  • Wenngleich eine Verklebung oder Verlötung der Wärmeableitfläche 50 des Bauelements 10 der Wärmeableitung zur Leiterplatte 42 hin förderlich ist, so könnte abweichend vom dargestellten Beispiel auf eine solche Ankopplung auch verzichtet werden, zumal dann noch eine Wärmeableitung über die Anschlusspins 12, 12' stattfindet und die zeitweise Einspeicherung von Verlustwärme in das PCM erfolgen kann. Ein zusätzlicher Vorteil wäre hierbei die bessere Reparaturmöglichkeit der Elektronikeinrichtung durch problemlosen Austausch des Bauelements 10.
  • Abweichend vom dargestellten Ausführungsbeispiel, wenn es sich bei dem Bauelement z. B. um einen Chip mit offenem Gehäuse handelt, wie dies beispielsweise bei einigen Arten von Sensoren üblich ist, könnte das PCM an der offenen Gehäuseseite aufgebracht werden und, falls erforderlich, mit einer zusätzlichen Flussschutzabdeckung versehen werden, die ein Herauslaufen des PCM im flüssigen Zustand verhindert.
  • Wenn ein Phasenübergang von fest nach "zähflüssig" vorgesehen ist, so kann in vielen Fällen auf einen Flussschutz ganz verzichtet werden.
  • Ebenfalls abweichend vom dargestellten Beispiel wäre es vorstellbar, ein PCM als zusätzliche (strukturierte) Schicht auf dem Halbleitersubstrat zu verwenden, die bereits bei der Herstellung des Halbleiterbauelements auf Waferebene durch einen oder mehrere zusätzliche Prozessschritte der Halbleitertechnologie aufgebracht und strukturiert wird. Diese zusätzliche Schicht, die mangels elektronischer Funktion als ein Teil der Ummantelung des Bauelements zu betrachten ist, könnte z. B. aus Indium gebildet werden, das einen Schmelzpunkt von etwa 156°C besitzt. Falls im konkreten Anwendungsfall erforderlich, kann diese Schmelztemperatur durch geeignete Beimischungen noch besser angepasst werden.
  • Bei der nachfolgenden Beschreibung von weiteren Ausführungsbeispielen werden für analoge Komponenten die gleichen Bezugszahlen verwendet, jeweils ergänzt durch einen kleinen Buchstaben zur Unterscheidung der Ausführungsform. Dabei wird im Wesentlichen nur auf die Unterschiede zu dem bzw. den bereits beschriebenen Ausführungsbeispielen eingegangen und im Übrigen hiermit ausdrücklich auf die Beschreibung vorangegangener Ausführungsbeispiele verwiesen. Die in den einzelnen Ausführungsbeispielen jeweils beschriebenen Besonderheiten können vorteilhaft zumeist auch kombiniert werden.
  • 2 veranschaulicht die Einbettung eines ungehäusten und auf einer Keramik 40a montierten Bauelements (IC-Chip) 10a in einer PCM-Masse. Hierzu wird zunächst ein Flussbegrenzungsrahmen 56a das Bauteil 10a umgebend aufgesetzt, wie in 2 links ersichtlich. Dieser Rahmen 56a ist aus Kunststoff ge bildet und wird wie ein Bauteil montiert und über das betreffende elektronische Bauteil 10a gesetzt. Der Rahmen 56a dient als Flussbegrenzung für den nachfolgenden Verguss mit einer PCM-Masse, welche als pastöse Mischung des eigentlichen PCM und einer auch nach einer gewissen Aushärtung dauerelastischen Vergussmasse aufgetragen wird. Alternativ ist es möglich, ein elastisches PCM aufzutragen. Der vergossene Zustand ist in 2 rechts ersichtlich. Bis auf die Verwendung einer PCM-Masse, also einer ein PCM enthaltenden oder ein PCM ausbildenden Vergussmasse, entspricht dieses Verfahren dem an sich bekannten "Glob Top"-Verguss, der herkömmlicherweise als mechanischer Schutz der Bonddrähte dient und ebenfalls mittels eines Kunststoffrahmens als Flussbegrenzung durch einen Dispenser in den Rahmen eingegossen wird. Bei der in 2 dargestellten Ausführung dient dieser Verguss jedoch gleichzeitig als Wärmespeicher zum Abfangen von zeitweisen Verlustleistungsabweichungen. Ferner dient dieser Rahmen 56a auch als Flussschutz nach einer Verflüssigung des PCM im Betrieb.
  • Hinsichtlich der Befüllung des Flussbegrenzungsrahmens 56a ist anzumerken, dass durch Zugabe geeigneter Füllmaterialien das PCM so modifiziert werden kann, dass die mechanischen Eigenschaften (thermischer Ausdehnungskoeffizient, Elastizitätsmodul etc.) denen der herkömmliche Glob Top-Masse entsprechen. Der Zustand des PCM könnte beim Einfüllen fest (z. B. als Pulver) oder flüssig sein. In letzterem Fall unter der Bedingung, dass die Temperatur der flüssigen PCM-Masse eine hinsichtlich einer Schädigung des betreffenden Bauteils kritische Temperatur nicht überschreitet.
  • Eine ähnliche Anwendung ist auch bei "Flip Chip"-Bauelementen möglich, wie in 3 veranschaulicht. Ebenso wie bei dem "Chip on Board"-Aufbau von 2 wird auch hier ein Rahmen 56b für die PCM-Begrenzung verwendet.
  • Im Unterschied zu der Ausführungsform nach 2 ist das Bauelement 10b (IC-Chip) an dessen Unterseite kontaktiert. In der Figur ist eine der Verbindungsstellen mit 48b gekennzeichnet.
  • Die Verbindungsstellen 48b in Form so genannter "balls" dienen zur elektrischen Kontaktierung des dargestellten "Flip Chips" 10b auf der Keramik 40b. Solche "balls" bestehen üblicherweise aus Lot oder elektrisch leitfähigem Kleber (z. B. Silberleitkleber). Alternativ könnte z. B. Indium oder eine andere elektrisch leitfähige PCM-Masse an dieser Stelle eingesetzt werden, so dass die "balls" sowohl elektrisch kontaktieren als auch zur Wärmespeicherung dienen. Üblicherweise werden die "balls" mit einem "underfill" umschlossen, welches mittels einer seitlich angesetzten Düse und durch Kapillarkräfte in den Zwischenraum eingebracht wird. Im Rahmen der Erfindung könnte das "underfill"-Material durch ein PCM ersetzt oder damit gemischt verwendet werden. Eine andere Möglichkeit hierzu wäre es, bei den derzeitigen Aufbauten zusätzliche "thermische balls", bestehend aus einem PCM, hinzuzufügen. Diese zusätzlichen "balls" müssten hierbei keine mechanischen oder elektrischen Funktionen übernehmen und lediglich die Wärmespeicherfunktion bereitstellen.
  • 4 veranschaulicht eine Umspritzung der Lötverbindungen zu einer Leiterplatte 42c hin mit einem PCM. Ein gehäustes Bauelement 10c (hier: ein Leistungshalbleiter mit verlötetem "heatslug") ist mit den Enden von Anschlusspins 12c und 12c' mittels Verlötung auf der Bestückungsseite einer Leiterplatte 42c montiert. Diese Lötverbindungen nach unten auf die Lei terplatte 42c sind ein Wärmepfad bei der thermischen Anbindung des Bauelements 10c, neben einem Hauptwärmepfad über den "heatslug" nach unten. In der Figur sind die Wärmepfade durch Pfeile symbolisiert. Insbesondere wenn vergleichsweise viel Wärme über die Anschlusspins 12c, 12c' geleitet wird und/oder die Wärmeabfuhr mittels der Leiterplatte 42c nur unzureichend ist, so kann es im Bereich der Anschlusspins und deren Verlötung auf der Kupferbeschichtung des Substrats 42c zu einer nachteiligen Stauung der Wärme kommen. Dies fördert eine schnelle Alterung (Ausbildung verschiedener Phasen) der Lötverbindungen, die zu einem Ausfall der Verbindungen führen können, z. B. durch Risse im Bereich der Verlötung. Die nachträgliche Umspritzung des Übergangsbereiches zwischen dem Bauelement 10c und der Leiterplatte 42c, insbesondere im Bereich der Anschlusspins 12c und 12c', schafft jedoch eine Möglichkeit zur temporären Wärmespeicherung im PCM, so dass dieses umspritzte Material nicht nur zur Temperaturpufferung hinsichtlich der Betriebstemperatur des Bauteils sondern auch hinsichtlich der Lötstellentemperatur dient. Mithin wirkt das PCM bei diesem Ausführungsbeispiel auch besonders effizient gegen temperaturbedingte Beschädigungen der Lötstellen.
  • Beim Aufbringen des PCM kann als Flussbegrenzung beispielsweise ein Lötstoplack dienen, der auf Grund der Oberflächenspannung des PCM verhindert, dass das Material verläuft. Auch im späteren Betrieb wird damit nach einer Verflüssigung des PCM dessen Verlaufen verhindert. Alternativ wäre es auch möglich, einen wie oben bereits beschriebenen Flussbegrenzungsrahmen aufzusetzen, der dann nicht vollständig mit PCM-Masse gefüllt wird, damit das Gehäuse des Bauteils 10c unbedeckt bleibt.
  • Die 5 und 6 zeigen einen Schaltungsträgeraufbau 40d mit einem Hohlraum 60d, der ein PCM enthält. Der Aufbau 40d besteht hier aus einer Leiterplatte 42d, einer Klebefolie (Wärmeableitungslage) 44d und einer Wärmesenke 46d.
  • Die Temperaturpufferfunktion dieses PCM ist in diesem Beispiel einem Bauelement 10d zugeordnet bzw. angepasst. Zu diesem Zweck entspricht die horizontale Ausdehnung des Hohlraums 60d etwa der Ausdehnung derjenigen Fläche, in welcher das Bauelement 10d in direktem thermischen Kontakt mit der Oberseite der Leiterplatte 42d steht.
  • Abweichend vom dargestellten Beispiel könnte ein solcher Hohlraum 60d auch mehreren Bauelementen zugeordnet werden, indem z.B. die horizontale Ausdehnung dieses Hohlraums eine Mehrzahl von Bauelementen überlappt.
  • Der Hohlraum 60d ist durch zwei Kanäle 62d und 62d', die durch Bohrungen gebildet sind, mit dem Außenraum verbunden. Diese Kanäle dienen zur Befüllung des Hohlraums mit PCM (62d) und zur Entlüftung des Hohlraums während der Befüllung (62d').
  • Abweichend vom dargestellten Beispiel könnte auf die Kanäle 62d, 62d' auch verzichtet werden, indem z. B. beim Aufbringung einer ausgesparten Klebefolie bzw. Wärmeableitungslage 44d auf die Wärmesenke 46d der ausgesparte Bereich (Hohlraum) sogleich mit PCM gefüllt wird und dann die Leiterplatte 42d aufgebracht wird, so dass der befüllte Hohlraum geschlossen wird. Hierbei ist es von Vorteil hinsichtlich der bei einem Phasenübergang gegebenenfalls vorliegenden Volumen- bzw. Druckänderung, den Hohlraum nur teilweise mit PCM zu füllen.
  • Die Realisierung des Hohlraums als ausgesparter Bereich einer Lage des Aufbaus 40d ist fertigungstechnisch relativ einfach. Wenn hierfür eine relativ dünne Lage, wie z. B. die dargestellte Klebefolie 44d verwendet wird, so ist dies von Vorteil für eine PCM-Befüllung durch Kapillarwirkung.
  • Wenn die PCM-Befüllung erst bei der Bestückung der Leiterplatte 42d erfolgt, so könnten die Öffnungen der Kanäle 62d, 62d' auch z. B. durch eine Vergussmasse verschlossen werden.
  • Bevorzugt ist, wie dargestellt, der Querschnitt der Kanalöffnungen wesentlich kleiner als der Querschnitt des Hohlraums 60d. Prinzipiell kann das PCM in flüssigem oder festem (z. B. pulverförmigem) Aggregatzustand in den Hohlraum 60d eingebracht werden. Im Hinblick auf eine rasche und einfache Befüllung ist zumeist ein flüssiger oder zähflüssiger Zustand zu bevorzugen. Das Befüllen kann erfolgen durch Einpressen des PCM mit Überdruck oder durch Einsaugen des PCM mit Unterdruck oder durch die auf das PCM wirkende Kapillarkraft des Kanals. Bei diesen Verfahrensvarianten kann beispielsweise nach der Bestückung der Leiterplatte 42d ein auf die Mündung eines Kanals aufgesetzter Düsenkopf zum Befüllen (oder zur Unterdruckerzeugung) verwendet werden.
  • Abweichend vom dargestellten Ausführungsbeispiel könnte der Hohlraum 60d sich alternativ oder zusätzlich auch in einer anderen vertikalen Position erstrecken, etwa durch entsprechende Aussparungen im Bereich der Leiterplatte 42d und/oder der Wärmesenke 46d. Nachfolgend wird eine solche Ausführung beschrieben.
  • Die 7 und 8 zeigen einen Leiterplattenaufbau 40e, bei dem eine Leiterplatte 42e unter einem Leistungsbauelement 14e vollständig ausgespart ist. Diese als der Hohlraum 60e dienende Aussparung ist vollständig mit einem PCM gefüllt, welches wie dargestellt in direktem Kontakt zu der Unterseite des Bauelements 10e steht.
  • Wenn bei dieser Variante das PCM einen Fest-Flüssig-Phasenübergang bei der Phasenänderungstemperatur vorsieht, so muss sichergestellt sein, dass der mechanische Kontakt zwischen der Bauelementunterseite und der PCM-Oberfläche auch bei häufiger Verflüssigung im Feld erhalten bleibt. In dieser Hinsicht ist abweichend vom dargestellten Beispiel eine Ausführungsform interessant, bei welcher ein unterer Abschnitt der Ummantelung 14e des Bauelements 10e in das PCM "eintaucht". Hierzu können vor der Montage des Bauelements 10e beispielsweise dessen Anschlusspins nach oben gebogen werden, so dass der montierte Bauelementkörper tiefer in die Aussparung bzw. den Hohlraum 60e eingebettet wird. Bei dieser Ausführungsform könnte vor der Montage des Bauelements das PCM in festem Zustand eingefüllt werden. Beim Auflöten (oder Kleben) der Anschlusspins könnten durch eine teilweise Verflüssigung des PCM gegebenenfalls vorhandene Höhenunterschiede der PCM-Oberfläche ausgeglichen werden.
  • Bei den zuletzt beschriebenen Ausführungsformen dient die nach oben hin offene Aussparung in der Leiterplatte selbst als Flussschutz für das PCM, so dass auf einen wie oben bereits beschriebenen Flussschutzrahmen verzichtet werden kann. Optional könnte ein Verschluss dieser Aussparung auch mit dem Bauelement stattfinden.
  • Falls die Phasenänderung PCM als Verflüssigung vorgesehen ist und der Leiterplattenaufbau 40e nicht unbedingt in der dargestellten Orientierung in der fertigen Elektronikeinheit ver wendet wird, so kann ein Herauslaufen des PCM im verflüssigtem Zustand zuverlässig beispielsweise durch einen umlaufenden Verguss des Spalts zwischen der Ummantelung 14e und dem Rand der Aussparung 60e nach der Befüllung verhindert werden. Alternativ könnte eine Phasenänderung von fest nach zähflüssig oder ein Fest-Fest-Phasenübergang (z. B. eine Änderung der Kristallstruktur) eine solche Abdichtung entbehrlich machen.

Claims (16)

  1. Elektronisches Bauelement (10), gekennzeichnet durch eine Ummantelung (14, PCM), die wenigstens teilweise aus einem Phasenänderungsmaterial (PCM) gebildet ist.
  2. Elektronisches Bauelement (10) nach Anspruch 1, wobei das Phasenänderungsmaterial (PCM) von Bereichen festen Ummantelungsmaterials (14) eingeschlossen ist.
  3. Elektronisches Bauelement (10) nach Anspruch 2, wobei die Bereiche festen Ummantelungsmaterials (14) wenigstens einen Hohlraum (20) zum Einschluss des Phasenänderungsmaterials (PCM) ausbilden.
  4. Elektronisches Bauelement (10) nach Anspruch 2, wobei die Bereiche festen Ummantelungsmaterials (14) als poröses Material mit Poren zum Einschluss des Phasenänderungsmaterials (PCM) ausgebildet sind.
  5. Schaltungsträgeraufbau (40), gekennzeichnet durch wenigstens einen Hohlraum (60), der ein Phasenänderungsmaterial (PCM) enthält.
  6. Schaltungsträgeraufbau (40) nach Anspruch 5, wobei der Hohlraum (60) sich im Inneren des Schaltungsträgeraufbaus (40) erstreckt und durch wenigstens einen Kanal (62) mit dem Außenraum verbunden ist.
  7. Schaltungsträgeraufbau (40) nach Anspruch 5, wobei der Hohlraum (60) zu einer Bestückungsseite des Schaltungsträgeraufbaus (40) hin offen ist.
  8. Elektronikeinheit, umfassend einen mit wenigstens einem elektronischen Bauelement (10) bestückten Schaltungsträgeraufbau (40), dadurch gekennzeichnet, dass das elektronische Bauelement (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 4 ausgebildet ist, und/oder der Schaltungsträgeraufbau (40) nach einem der Ansprüche 5 bis 7 ausgebildet ist, und/oder in einem Bereich, der thermisch an das elektronische Bauelement (10) und/oder den Schaltungsträgeraufbau (40) angekoppelt ist, ein Phasenänderungsmaterial (PCM) angeordnet ist.
  9. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements (10), umfassend den Schritt der Ausbildung einer Ummantelung, dadurch gekennzeichnet, dass die Ummantelung (14, PCM) wenigstens teilweise aus einem Phasenänderungsmaterial (PCM) gebildet wird.
  10. Verfahren zur Herstellung eines Schaltungsträgeraufbaus (40), gekennzeichnet durch ein Ausbilden wenigstens eines Hohlraums (60) und ein Befüllen des Hohlraums mit einem Phasenänderungsmaterial (PCM).
  11. Verfahren zur Herstellung einer Elektronikeinheit, umfassend einen mit wenigstens einem elektronischen Bauelement (10) bestückten Schaltungsträgeraufbau (40), dadurch gekennzeichnet, dass ein elektronisches Bauelement (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 4 verwendet wird, und/oder ein Schaltungsträgeraufbau (40) nach einem der Ansprüche 5 bis 7 verwendet wird, und/oder in einem Bereich, der thermisch an das elektronische Bauelement (10) und/oder den Schaltungsträgeraufbau (40) angekoppelt ist, ein Phasenänderungsmaterial (PCM) angeordnet wird.
  12. Vorrichtung oder Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei ein Phasenänderungsmaterial (PCM), welches einem oder mehreren elektronischen Bauelementen (10) zugeordnet ist, zum Abfangen von zeitweise im Betrieb dieser elektronischen Bauelemente (10) auftretenden Betriebstemperaturanstiegen gewählt und angeordnet ist.
  13. Vorrichtung oder Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei ein Phasenänderungsmaterial (PCM), welches einem oder mehreren elektronischen Bauelementen (10) zugeordnet ist, zum Abfangen von zeitweise im Betrieb dieser elektronischen Bauelemente (10) auftretenden Be triebstemperaturabfällen gewählt und angeordnet ist.
  14. Vorrichtung oder Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Phasenänderungsmaterial (PCM) mit einem elastischen Material gemischt verwendet wird.
  15. Vorrichtung oder Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Phasenänderungsmaterial (PCM) mit einem wärmeleitenden Material gemischt verwendet wird.
  16. Verwendung einer Vorrichtung oder eines Verfahrens nach einem der vorangehenden Ansprüche als Komponente bzw. zur Herstellung einer Komponente der Elektronik eines Kraftfahrzeugs.
DE10347518A 2003-10-13 2003-10-13 Elektronisches Bauelement, Schaltungsträgeraufbau und Elektronikeinheit mit Wärmespeicher Withdrawn DE10347518A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10347518A DE10347518A1 (de) 2003-10-13 2003-10-13 Elektronisches Bauelement, Schaltungsträgeraufbau und Elektronikeinheit mit Wärmespeicher
PCT/EP2004/052528 WO2005036587A2 (de) 2003-10-13 2004-10-13 Elektronisches bauelement, schaltungsträgeraufbau und elektronikeinheit mit wärmespeicher

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10347518A DE10347518A1 (de) 2003-10-13 2003-10-13 Elektronisches Bauelement, Schaltungsträgeraufbau und Elektronikeinheit mit Wärmespeicher

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10347518A1 true DE10347518A1 (de) 2005-05-25

Family

ID=34428357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10347518A Withdrawn DE10347518A1 (de) 2003-10-13 2003-10-13 Elektronisches Bauelement, Schaltungsträgeraufbau und Elektronikeinheit mit Wärmespeicher

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE10347518A1 (de)
WO (1) WO2005036587A2 (de)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005034546A1 (de) * 2005-07-23 2007-01-25 Conti Temic Microelectronic Gmbh Baugruppe mit Kühlvorrichtung
DE102008004053A1 (de) * 2008-01-11 2009-07-23 Airbus Deutschland Gmbh Spitzenlast-Kühlung von elektronischen Bauteilen durch phasenwechselnde Materialien
DE102008057963A1 (de) * 2008-11-19 2010-05-27 Lorenzen, Dirk, Dr. Strahlungsquelle mit einer Wärmeübertragungsvorrichtung und Verfahren zum Betrieb der Strahlungsquelle
DE102009042519A1 (de) * 2009-09-16 2011-03-24 Esw Gmbh Vorrichtung zur Kühlung von Halbleitern
EP2463854A1 (de) 2010-12-08 2012-06-13 Robert Bosch GmbH Ultraschallsensor mit einer Dämpfungseinrichtung und Verwendung desselben
DE102010062914A1 (de) * 2010-12-13 2012-06-14 Robert Bosch Gmbh Halbleiter mit einem Verbindungselement zum Aführen von Wärme und Verfahren
DE112008000371B4 (de) * 2007-02-08 2012-12-06 Toyota Jidosha K.K. Halbleiterelement-Struktur mit Latentwärmespeichermaterial
DE102013217829A1 (de) * 2013-09-06 2015-03-12 Siemens Aktiengesellschaft Integriertes Schaltungssystem mit einer ein Latentwärme-Speichermedium nutzenden Kühlvorrichtung
WO2015117814A1 (de) * 2014-02-05 2015-08-13 Robert Bosch Gmbh Elektronisches system und verfahren zum herstellen eines elektronischen systems
DE102017200524A1 (de) * 2017-01-13 2018-07-19 Siemens Aktiengesellschaft Kühlvorrichtung mit einem Wärmerohr und einem Latentwärmespeicher, Verfahren zum Herstellen derselben und elektronische Schaltung

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005041861B3 (de) * 2005-09-02 2007-04-19 Siemens Ag Anordnung zum Temperieren einer Elektronikeinheit
DE102011075565A1 (de) * 2011-05-10 2012-11-15 Robert Bosch Gmbh Schaltungsmodul mit Kühlung durch Phasenwechselmaterial
US8937384B2 (en) * 2012-04-25 2015-01-20 Qualcomm Incorporated Thermal management of integrated circuits using phase change material and heat spreaders
JP6511534B2 (ja) 2015-03-24 2019-05-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置、及びデバイスを製造する方法
EP3240372A1 (de) * 2016-04-27 2017-11-01 AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Kapazitiver wärmekomponententräger und verfahren zur herstellung des komponententrägers
DE102023126586A1 (de) 2022-09-30 2024-04-04 Bernd WILDPANNER Halbleiter-Bauelement

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH546480A (de) * 1972-06-08 1974-02-28 Bbc Brown Boveri & Cie Einrichtung zur absorption thermischer impulse.
JPS59155156A (ja) * 1983-02-24 1984-09-04 Toshiba Corp Ｉｃモジユ−ル
DE4019091A1 (de) * 1990-06-15 1991-12-19 Battelle Institut E V Waermeableitungseinrichtung fuer halbleiterbauelemente und verfahren zu deren herstellung
US5315154A (en) * 1993-05-14 1994-05-24 Hughes Aircraft Company Electronic assembly including heat absorbing material for limiting temperature through isothermal solid-solid phase transition
US5455458A (en) * 1993-08-09 1995-10-03 Hughes Aircraft Company Phase change cooling of semiconductor power modules
EP0732743A2 (de) * 1995-03-17 1996-09-18 Texas Instruments Incorporated Wärmesenken
DE19932441A1 (de) * 1999-07-12 2001-01-25 Siemens Ag Vorrichtung zur Entwärmung von Halbleiterbauelementen beim Auftreten von Belastungsspitzen
US6202739B1 (en) * 1998-11-25 2001-03-20 Motorola, Inc. Apparatus including a heat-dissipating apparatus, and method for forming same
DE10114998A1 (de) * 2000-06-08 2002-02-21 Merck Patent Gmbh Einsatz von PCM in Kühlern für elektronische Batterie

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5349237A (en) * 1992-03-20 1994-09-20 Vlsi Technology, Inc. Integrated circuit package including a heat pipe
US6317321B1 (en) * 1994-11-04 2001-11-13 Compaq Computer Corporation Lap-top enclosure having surface coated with heat-absorbing phase-change material
US6848500B1 (en) * 1999-03-11 2005-02-01 Skyworks Solutions, Inc. Cooling system for pulsed power electronics
US6703128B2 (en) * 2002-02-15 2004-03-09 Delphi Technologies, Inc. Thermally-capacitive phase change encapsulant for electronic devices

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH546480A (de) * 1972-06-08 1974-02-28 Bbc Brown Boveri & Cie Einrichtung zur absorption thermischer impulse.
JPS59155156A (ja) * 1983-02-24 1984-09-04 Toshiba Corp Ｉｃモジユ−ル
DE4019091A1 (de) * 1990-06-15 1991-12-19 Battelle Institut E V Waermeableitungseinrichtung fuer halbleiterbauelemente und verfahren zu deren herstellung
US5315154A (en) * 1993-05-14 1994-05-24 Hughes Aircraft Company Electronic assembly including heat absorbing material for limiting temperature through isothermal solid-solid phase transition
US5455458A (en) * 1993-08-09 1995-10-03 Hughes Aircraft Company Phase change cooling of semiconductor power modules
EP0732743A2 (de) * 1995-03-17 1996-09-18 Texas Instruments Incorporated Wärmesenken
US6202739B1 (en) * 1998-11-25 2001-03-20 Motorola, Inc. Apparatus including a heat-dissipating apparatus, and method for forming same
DE19932441A1 (de) * 1999-07-12 2001-01-25 Siemens Ag Vorrichtung zur Entwärmung von Halbleiterbauelementen beim Auftreten von Belastungsspitzen
DE10114998A1 (de) * 2000-06-08 2002-02-21 Merck Patent Gmbh Einsatz von PCM in Kühlern für elektronische Batterie

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 59155156 A in: Patent Abstracts of Japan *
JP 59155156 A Pat. Abstr. of Jp.

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005034546A1 (de) * 2005-07-23 2007-01-25 Conti Temic Microelectronic Gmbh Baugruppe mit Kühlvorrichtung
DE112008000371B4 (de) * 2007-02-08 2012-12-06 Toyota Jidosha K.K. Halbleiterelement-Struktur mit Latentwärmespeichermaterial
US8919424B2 (en) 2007-02-08 2014-12-30 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Semiconductor element cooling structure
DE112008000371B8 (de) * 2007-02-08 2013-02-28 Toyota Jidosha K.K. Halbleiterelement-Struktur mit Latentwärmespeichermaterial
DE102008004053A1 (de) * 2008-01-11 2009-07-23 Airbus Deutschland Gmbh Spitzenlast-Kühlung von elektronischen Bauteilen durch phasenwechselnde Materialien
DE102008057963A1 (de) * 2008-11-19 2010-05-27 Lorenzen, Dirk, Dr. Strahlungsquelle mit einer Wärmeübertragungsvorrichtung und Verfahren zum Betrieb der Strahlungsquelle
DE102009042519A1 (de) * 2009-09-16 2011-03-24 Esw Gmbh Vorrichtung zur Kühlung von Halbleitern
DE102010062593A1 (de) 2010-12-08 2012-06-14 Robert Bosch Gmbh Ultraschallsensor mit einer Dämpfungseinrichtung und Verwendung desselben
EP2463854A1 (de) 2010-12-08 2012-06-13 Robert Bosch GmbH Ultraschallsensor mit einer Dämpfungseinrichtung und Verwendung desselben
DE102010062914A1 (de) * 2010-12-13 2012-06-14 Robert Bosch Gmbh Halbleiter mit einem Verbindungselement zum Aführen von Wärme und Verfahren
DE102013217829A1 (de) * 2013-09-06 2015-03-12 Siemens Aktiengesellschaft Integriertes Schaltungssystem mit einer ein Latentwärme-Speichermedium nutzenden Kühlvorrichtung
WO2015117814A1 (de) * 2014-02-05 2015-08-13 Robert Bosch Gmbh Elektronisches system und verfahren zum herstellen eines elektronischen systems
DE102017200524A1 (de) * 2017-01-13 2018-07-19 Siemens Aktiengesellschaft Kühlvorrichtung mit einem Wärmerohr und einem Latentwärmespeicher, Verfahren zum Herstellen derselben und elektronische Schaltung

Also Published As

Publication number Publication date
WO2005036587A2 (de) 2005-04-21
WO2005036587A3 (de) 2009-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10347518A1 (de) Elektronisches Bauelement, Schaltungsträgeraufbau und Elektronikeinheit mit Wärmespeicher
DE19950026B4 (de) Leistungshalbleitermodul
DE102012200329B4 (de) Halbleiteranordnung mit einem Heatspreader und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE102007052630B4 (de) Leistungshalbleitermodul mit Temperatursensor
WO2010121860A1 (de) Gekapselte schaltungsvorrichtung für substrate mit absorptionsschicht sowie verfahren zu herstellung derselben
DE102007037543A1 (de) Gehäuse für eine integrierte Schaltung mit einer Wärmeabgabeeinheit und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2013091962A1 (de) Getriebesteuermodul
DE102012224355A1 (de) Leistungsmodul
EP3271943B1 (de) Leistungsmodul sowie verfahren zum herstellen eines leistungsmoduls
WO2006021191A1 (de) Halbleiterbauteil in flachleitertechnik mit einem halbleiterchip
WO2008009524A1 (de) Elektronikanordnung
DE102018219377A1 (de) Stapeltyp-leistungsmodul und verfahren zum herstellen desselben
DE102005053974B3 (de) Elektronische Schaltungsanordnung und Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Schaltungsanordnung
DE102013219780A1 (de) Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
DE102007036045A1 (de) Elektronischer Baustein mit zumindest einem Bauelement, insbesondere einem Halbleiterbauelement, und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102015221062B4 (de) Halbleiterschaltungsanordnung mit gepresstem gel und montageverfahren
DE102006024147B3 (de) Elektronisches Modul mit Halbleiterbauteilgehäuse und einem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben
WO2018001883A1 (de) Leistungsmodul
DE102004030443A1 (de) Steuergerät
DE10303103A1 (de) Mikroelektronisches Bauteil
WO2018037047A1 (de) Leistungsmodul, verfahren zur herstellung und leistungselektronikschaltung
DE102018133434B4 (de) Verfahren zum Verkapseln mindestens eines Trägersubstrats
DE102018010352B4 (de) Verfahren zum Verkapseln mindestens eines Trägersubstrats, Elektronikmodul und Werkzeug zum Verkapseln eines Trägersubstrats
DE102015204905A1 (de) Elektronische Steuervorrichtung
WO2013178379A1 (de) Elektronikmodul sowie verfahren zur herstellung eines solchen elektronikmoduls, sowie elektronisches steuergerät mit einem solchen elektronikmodul

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8130 Withdrawal