DE1033712B - Speicher fuer binaere Informationen - Google Patents

Description

ist bekannt, diesen Träger so auszubilden, daß er ·

außerdem Mittel aufweist, welche zum Festhalten der
ihm eingeschriebenen Informationen dienen. Bisher
sind diese Mittel jedoch in der Weise vorgesehen worden, daß sie nur die Gesamtspeicherung sämtlicher auf 25 ' ' dem Träger aufgezeichneten Informationen bewirken « können. Eine teilweise Veränderung des Speicherinhalts, z. B. die Änderung eines Wortes, ist also nur selbe gilt auch vom Standpunkt der Beleuchtung aus, möglich, indem die gesamte Aufzeichnung durch Aus- wenn das elektrolumineszente Element durchsichtig schaltung der Haltespannung gelöscht und die gesamte 30 ist. Die aufzuzeichnende Information wird auf den Informationsmenge wieder aufgeschrieben wird, wo- Träger geworfen. Ihre hellen Stellen bewirken eine bei dann die geänderten Informationen berücksichtigt beträchtliche Verminderung des örtlichen Widerstands werden können. des Photoleiters an den Auftreffstellen und dadurch Die Erfindung befaßt sich dagegen mit einem die Erregung der Elektrolumineszenz an den beitreffen-Speicher der geschilderten Art, der eine Speicher- und 35 den Stellen des elektrolumineszenten Elements. Das Löschvorrichtung aufweist, mit deren Hilfe eine be- von diesem Element ausgehende Eigenlicht wirkt auf liebige Information unter der Gesamtmenge der ge- den Photoleiter, dessen Widerstand gegen Stromspeicherten Informationen aufrechterhalten und ge- durchgang infolgedessen an den beleuchteten Stellen löscht werden kann, womit auch eine neue Information gering bleibt. Hierdurch wird die Information gezusätzlich zu den vorhandenen Informationen oder als 40 speichert.

Ersatz für eine gelöschte Information aufgezeichnet Aus praktischen Gründen der bequemen Herstelwerden kann, ohne daß der gesamte Inhalt des lung und der wirksamen Ausnutzung ist es vorteil-Speichers von neuem geschrieben werden muß. haft, diese Träger so auszubilden, daß sie zur Auf-

Kurz gesagt besteht ein Träger für die Elektro- zeichnung und Speicherung des vollständigen Inhalts lumineszenzspeicherung in jedem Punkt aus der Kas- 45 eines Speichers, d. h. einer Anzahl von Informationen, kadenschaltung eines photoleitendeu Elements und welche der gewünschten Wortkapazität des betreffeneines elektrolumineszenten Elements, die an den Klem- den Speichers entspricht, dienen können. Deswegen men einer elektrischen Spannungsquelle liegen. Wenn besteht in der Praxis ein bereits vorgeschlagener die aufzuschreibende Information nur einmal in Form Elektrolumineszenzspeicher der geschilderten Art voreines Lichtsignals gegeben wird, ist die Spannung eine 50 teilhaft aus zwei auf einanderliegenden Schichten zwi-Wechselspannung. Wenn dagegen die Information sehen zwei leitenden und durchsichtigen Elektroden, periodisch wiederkehrt, verwendet man eine Gleich- Die eine Schicht ist photoleitend und die andere lumispannung. Die Reihenfolge der Elemente ist vom neszent. Durch die richtige Wahl der Werkstoffe für Standpunkt der Speicherung aus gleichgültig. Das- diese Schichten läßt sich erreichen, daß die Einfügung

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beide belichtet sind. Wenn also der Widerstand hoch ist (unbelichtet), kann die Elektrolumineszenz in 3 nicht erregt werden, auch wenn der Widerstand niedrig (belichtet) ist, und umgekehrt.

Die Arbeitsweise einer Anordnung, deren Ersatzschaltbild in Fig. 1 dargestellt ist, ist hieraus ohne weiteres klar. Damit eine Information aufgezeichnet wird, die in Form eines Lichtstrahls 6 auf den Aufzeichnungsträger 1 auftrifft, muß gleichzeitig bei 7

einer leitenden und'durchsidhtigen Elektrode zwischen den Klemmen der Elektrolumineszenzschicht 3 nur den beiden Schichten, die elektrisch, in Reihe geschal- dann den Wert erreichen kann, der zur Aktivierung tet sind, überflüssig wird. Diese Weglassung ist aber der Elektrolumineszenz erforderlich ist, wenn die nicht unbedingt erforderlich. In beiden Fällen er- Werte der Widerstände 2 und 5 beide niedrig sind, scheint also der Speicherträger als »Sandwich« zwi- 5 d. h. die entsprechenden Photowiderstandsschichten sehen den äußeren Elektrodenbelegungen, an denen die
Speicherspannung angelegt wird. Offenbar kann die
Löschung nur dadurch geschehen, daß diese Spannung
abgeschaltet wird, was den gesamten Inhalt des
Speichers beeinflußt. Nur die Aufzeichnung geschieht io
also selektiv. Aufrechterhaltung und Löschung wirken auf den gesamten Inhalt des Speichers.

In diesem Speicher sind' die Informationen nach einem bestimmten Raster verteilt. Beispielsweise

nimmt jedes Wort eine Zeile ein, und jede Zeile hat 15 derjenige Teil der zusätzlichen Photowiderstandsso viel Ziffernplätze, wie Ziffern je Wort existieren. schicht belichtet werden, welcher dem Teil des Trä-Gemäß der Erfindung ist in dem Speisestromkreis gers 1 entspricht, der diese Information erhalten soll, für die Haltespannung eines Speichers der erwähnten Wenn eine solche Information einmal aufgezeichnet Art, vorzugsweise in Reihe mit dem Aufzeichnungs- ist, ist es für ihre Aufrechterhaltung erforderlich, daß träger, mindestens eine weitere Photowiderstands- 20 der entsprechende Teil der Schicht 5 beleuchtet bleibt, schicht eingeschaltet, welche gegen das von der Elek- Die Löschung dieser Information geschieht dadurch, trolumineszenzschicht des Aufzeichnungsträgers her- daß die Belichtung des betreffenden Teils der Schicht 5 rührende Licht abgeschirmt ist, wobei zwischen der aufgehoben wird. Dagegen wirkt das Licht 6 nur auf Fläche der zusätzlichen Photowiderstandsschicht und die Elektrolumineszenzschicht des Trägers 1. und das der Fläche der Elektrolumineszenzschicht eine der- 25 Licht 7 kann diesen Träger nicht erreichen. Es besteht artige elektrische Entsprechung hergestellt ist, daß also keine Gefahr der Störung zwischen den beiden die selektive Belichtung von Teilen der zusätzlichen
Photowiderstandsschicht die Sensibilfeierung oder
Desensibilisierung entsprechender Teile der Elektrolumineszenzschicht bewirkt. Auf diese Weise kann in 30
dem erfindungsgemäßen Speicher jede Information
nur dann in einem Teil des Aufzeichnungsträgers aufrechterhalten und sogar nur dann aufgezeichnet werden, wenn an dem entsprechenden Teil der zusätzlichen Photowiderstandsschicht ein Belichtungszu- 35 Klemmen der Elektrolumineszenzschicht 3 angelegt, stand von bestimmtem Charakter herrscht. Dieser Be- Wenn der veränderliche Widerstand 5, der dieser lichtungszustand kann positiv oder vorhanden sein, Schicht elektrisch parallel geschaltet ist, sich auf seiwenn die zusätzliche Schicht elektrisch in Reihe mit nem hohen Wert befindet, d. h. der Photoleiter nicht dem Aufzeichnungsträger geschaltet ist. Der Beiich- belichtet ist, kann der elektrolumineszente Werkstoff tungszustand kann auch negativ oder nicht vorhanden 40 an denjenigen Stellen aktiviert werden, welche durch sein, wenn die zusätzliche Photowiderstandsschicht so die bei 6 ankommende Information bestimmt werden,

und wird in diesem Zustand gehalten, weil dann praktisch der gesamte Strom die Schicht 3 an diesen Stellen durchfließt. Wenn dagegen bei der Aufzeichnung die Schicht 5 ebenfalls belichtet ist, übernimmt sie einen wesentlichen Teil dieses Stromes, und infolgedessen kann die Elektrolumineszenz in 3 nicht erregt werden. Wenn 3 aktiviert ist und die Schicht 5 belichtet wird, bewirkt der Parallelstrom über 5, daß

Fig. 4 bis 6 verschiedene Abwandlungen dieses Aus- 5° die Elektrolumineszenz in 3 erlischt, führungsbeispiels hinsichtlich der Aufzeichnungs- Es muß beachtet werden, daß jedes Photowiderschichten und der zusätzlichen Photowiderstands- Standselement oder Elektrolumineszenzelement nicht schicht. punktförmig ist, sondern aus einer Fläche besteht, Und

In den Schaltbildern ist der Aufzeichnungsträger 1 daß demzufolge di-e Schaltbilder nach Fig. 1 und 2 sich als Reihenschaltung eines veränderlichen ohmschen 55 jeweils nur auf einen Punkt oder eine Anzahl von Widerstandes 2, nämlich der Photowiderstandsschicht, Punkten dieser Flächen beziehen. Die Wirkung der

Sg wischen den beiden

Aufgaben der Speicherung und der Steuerung hinsichtlich der Elektrolumineszenzschicht der Anordnung.

Bei der Schaltung nach Fig. 1 handelt es sich um eine Spannungssteuerung. Gemäß Fig. 2 kann eine Stromsteuerung durchgeführt werden. Sobald der Widerstand 2 auf seinen niedrigen Wert gebracht ist, wird die volle Wechselspannungsdifferenz an die K

angeordnet ist, daß sie parallel zur Elektrolumineszenzschicht des Aufzeichnungsträgers geschaltet ist.

Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung erläutert. Hierin zeigen

Fig. 1 und 2 Ersatzschaltbilder der erfindungsgemäßen Einrichtung,

Fig. 3 die gesamte Anordnung eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Speichers und

und eines veränderlichen kapazitiven Widerstandes 3, nämlich der Elektrolumineszenzschicht, symbolisiert. Die beiden Schichten befinden sich in einem Stromkreis mit einer Wechselspannungsquelle 4. In Fig. 1 ist außerdem ein veränderlicher ohmscher Widerstand 5 in Reihe mit dem Aufzeichnungsträger 1 geschaltet. Der gleiche Widerstand 5 ist gemäß Fig. 2

Aktivierung, Aufrechterhaltung und Außerbetriebsetzung des Elements 5 macht sich nur auf dem entsprechenden Flächenteil des Trägers 1 bemerkbar.

In Fig. 3 ist ein Ausführungsbeispiel für einen Elektrolumineszenzspeicher gemäß der Erfindung dargestellt. Der Hauptteil, der die Speicherung bewirkt, besteht aus aufeinanderliegenden Schichten zwischen den beiden leitenden und durchsichtigen Elektroden 8

parallel zu der Schicht 3 geschaltet. Der Widerstand 5

bedeutet in beiden Fällen die zusätzliche Photowider- ⁶5 und 9, von denen eine an einem durchsichtigen mecha-

standsschicht, die erfindungsgemäß in einen Speicher nischen Träger 11 befestigt ist. Zwischen diesen Elek-

der geschilderten Art eingefügt ist. troden befinden sich folgende Elemente: eine Photo-

Die Wechselspannung ist bei Fig. 1 hinsichtlich Widerstandsschicht2, eine Elektrolumineszenzschicht3

der elektrischen Werte - des Stromkreises, den sie und eine zweite Photowiderstandsschicht 5. Zwischen

speist, so gewählt, daß der Spannungsunterschied an 7o der Elektrolumineszenzschicht 3 und der Photowider-

Standsschicht 5 ist eine leitende oder halbleitende lichtundurchlässige Schicht 10 eingeschaltet. Die Wechselspannung 4 wird zwischen den Elektroden 8 und 9 angelegt.

Zur Herstellung dieser Anordnung kann z. B. wie folgt vorgegangen werden:

Auf einer dielektrischen Platte aus einem durchsichtigen Werkstoff bekannter Art wird durch Vakuumbedatnpfung ein leitendes Häutchen, z. B. aus Aluminium, aufgebracht. Dies ergibt die Elektrode 9. Die mit der Elektrode überzogene Platte wird in einen Behälter mit einstellbarer Atmosphäre gebracht. Gegenüber von ihr wird eine leitende Platte aufgestellt, auf der vorher z. B. ein Niederschlag von Antimon erzeugt wurde. Dieser Niederschlag kann ebenfalls durch Aufdampfung von Antimon in einem mittleren Vakuum von etwa 10—⁴ Torr aus Tiegeln erzeugt werden, die Rohantimon enthalten und beispielsweise an den vier Ecken gegenüber der Trägerplatte aufgestellt und dann erhitzt werden. Der so erhaltene Antimonniederschlag ist gleichmäßig und rein.

In dem Behälter wird eine Sauerstoffatmosphäre unter geringem konstantem Druck erzeugt. Zwischen der Trägerplatte für das Antimon und dem AIuminiumhäutchen wird eine Gleichspannung angelegt, wobei der positive Pol an dem Häutchen 9 liegt.

Die Anordnung verhält sich wie eine Gasentladungsvorrichtung bei einer Stromdichte, die so gewählt ist, daß die Antimonteilchen aus dem Niederschlag losgerissen, oxydiert und im oxydierten Zustand auf die Schicht 9 übergeführt werden. Der Prozeß wird fortgesetzt, bis die gewünschte Dicke der Antimonoxydschicht 5 erreicht ist. Diese beträgt z. B. einige Hundertstelmillimeter.

Auf der so gebildeten Photowiderstandsschicht 5 wird nun ein undurchsichtiges leitendes Häutchen 10 erzeugt, das z. B. aus Ruß und/oder Indiumantimonid besteht.

Nun wird die vorhergehende Operation wiederholt, wobei der Antimonniederschlag durch einen Vorrat ersetzt wird, der z. B. aus einer Legierung von Zink und Samarium oder Kupfer besteht. Hierdurch erhält man die Elektrolumineszenzschicht 3. Durch Hochfrequenzheizung der Anordnung, welche die Elektrolumineszenzschicht aufnimmt, gleichzeitig mit ihrer Bildung kann man diese Schicht in Form eines Einkristalles 3 herstellen.

Auf der Elektrolumineszenzschicht wird eine zweite Photowiderstandsschicht in gleicher Weise wie oben aufgebracht. Hierdurch erhält man die Photowiderstandsschicht 2. Schließlich wird das Aluminiumhäutchen 8 durch Vakuumbedampfung der Photowiderstandsschicht 2 erzeugt.

Dieser Speicher empfängt jede aufzuzeichnende Information in Form eines optischen Signals, das von dem Lichtstrahl 6 getragen wird. Dieses Signal kommt von einem Lichterzeuger, der, wie dargestellt, aus einer monokristallinen Elektrolumineszenzplattel2 bestehen kann, die zwischen zwei Leitersätzen eingeschlossen ist. Der eine Leitersatz 13 verläuft horizontal und der andere Leitersatz 14 vertikal. Die Anzahl der Leiter

13 ist z. B. gleich der Anzahl der maximal im Speicher aufzuzeichnenden Worte. Die Anzahl der Leiter

14 ist z. B. gleich der Ziffernzahl jedes Wortes.

Die Lichtquelle kann z. B. wie folgt hergestellt werden: Auf einer dielektrischen isolierenden, vorzugsweise undurchsichtigen Platte 15 wird ein leitendes Gitter 14 erzeugt, indem z. B. zunächst durch einen Seidenschirm eine Mischung aufgebracht wird, die ein Metall in Pulverform und ein keramisches Schmelzmittel mit niedriger Schmelztemperatur enthält. Diesem Vorgang schließt sich eine Wärmebehandlung für die Befestigung des Niederschlags an. Dann werden die Spuren auf galvanoplastischem Wege mit Rhodium verstärkt, bis eine solche Dicke erreicht ist, daß das Rhodium optisch poliert werden kann.

Nun wird die monokristalline Elektrolumineszenzschicht 12 auf dem Gitter 14 erzeugt, z. B. auf gleichem Wege, wie es bei der Schicht 3 des Speicherelements

ίο beschrieben wurde. Schließlich wird das zweite Liniengitter 13 erzeugt, indem z. B. Aluminium im Vakuum durch einen Seidenschirm von der gewünschten Gestalt hindurch aufgedampft wird.

Zur Bildung der einem Wort entsprechenden Lichtverteilung kann nun folgendermaßen vorgegangen werden. Wenn die Leiter der beiden. Gitter im Ruhezustand sich auf der gleichen Gleichspannung befinden, existiert kein Potentialunterschied zwischen den beiden Flächen des Elektrolumineszenzelements, und infolgedessen ist dieses Element nicht erregt.

Die Ziffernspannungen kommen parallel über die Leiter 14 an. Wenn z. B. das Ruhepotential der Leiter 13 und 14 Null beträgt, wird für jede Ziffer 1 eines Wortes der entsprechende Leiter 14 auf eine Spannung von z. B. —50 Volt gebracht. Jedoch beträgt der Spannungsunterschied, der zur Erregung der Elektrolumineszenz erforderlich ist, z. B. 75 Volt. Wenn nun gleichzeitig mit der Anlegung des Codes des aufzuschreibenden Wortes über das Gitter 14 einer der Leiter 13 ausgewählt und z.B. auf +50VoIt gebracht wird, wird offenbar die Elektrolumineszenz der Schicht 12 nur an den Kreuzungsstellen des ausgewählten Leiters 13 mit den auf —50 Volt liegenden Leitern 14 auftreten. Es erscheint also vorübergehend auf einer der Zeilen 13 ein in Lichtwerten nach einem vorgegebenen Code ausgedrücktes Signal, daß über eine nicht dargestellte Optik auf eine entsprechende Zeilenstelle des Speichers geworfen wird. In diesem Speicher erzeugt jeder belichtete Punkt vorübergehend einen örtlichen Widerstandsabfall des Halbleiters 2 und dadurch die Aktivierung der Elektrolumineszenzschicht 3, vorausgesetzt, daß die Photowiderstandsschicht 5 ihrerseits ein Lichtsignal für die Auswahl der gleichen Zeile erhält, wie sie unter den erwähnten Zeilen 13 ausgewählt wurde.

Wenn dies zutrifft, wird das Signal aufgezeichnet und durch Einwirkung des Aufleuchtens der Schicht 3 auf die Photowiderstandsschicht 2 so lange aufrechterhalten, wie auf der Photowiderstandsschicht 5 die Belichtung der entsprechenden Zeile aufrechterhalten wird.

Die Steuerung der Schicht 5 geschieht durch ein Elektrolumineszenzelement 16, das hier zwischen zwei leitenden Elektrodengittern 19 und 18 eingespannt ist, wobei die Gitterdrähte diesmal untereinander parallel sind. Die Auswahl der betreffenden Zeile geschieht also unmittelbar durch Anlegung einer Wechselspannung zwischen den einander gegenüberliegenden Drähten. Der Aufbau des Steuerelements für die Schichtö folgt unmittelbar aus demjenigen, was oben für die Lichtquelle gesagt wurde. Bei 39 ist eine dielektrische Trägerplatte für das Steuerelement vorgesehen, die vorzugsweise undurchsichtig ist. Die Gitterdrähte 19 sind vorzugsweise reflektierend ausgebildet.

Wenn keine gleichlaufende Auswahl der Zeilen in dem Lichtcodeerzeuger und der Steuerlichtquelle stattfindet, ist keine Aufzeichnung möglich. Wenn nach einer Aufzeichnung die betreffende Zeile des Steuerelements gelöscht wird, tritt automatisch die Löschung der Speicherzeile in entsprechender Lage ein. Durch

eine solche Vorrichtung sind also auf einfache und sichere Weise die anfangs angegebenen Ziele der Erfindung erreicht.

Da der Speicher unabhängig von der Festhaltung des Speicherinhalts abgelesen werden muß, ist ein Ableseelement vorgesehen, daß aus einer dünnen halbleitenden Folie 20, z. B. aus Silicium, besteht, die also für das vom Generator 12 ausgehende Licht durchsichtig ist. Sie befindet sich zwischen zwei leitenden Gittern 24 und 22, die ebenfalls durchsichtig sind. Das Ganze wird von einer Platte aus reinem Siliciumoxyd, also mit hoher Lichtdurchlässigkeit, getragen. Dieses Ableseelement ist hier zwischen der Lichtsignalquelle und dem Speicher angebracht und wird bei jeder neuen Aufzeichnung vom Lichtsignal 6 durchquert. Die Auswahl der abgelesenen Signale geschieht durch Auswahl der Leiter in Zeilen- und Spaltenrichtung in den Gittern 24 und 22. Die entstehenden elektrischen Codespannungen können z. B. in Parallelform abgenommen werden. Ein solches Ableseelement kann dadurch hergestellt werden, daß auf dem Quarzträger 23 ein erstes Gitter von Leitern aus einem Komplex von Bor- und Titanoxyden aufgebracht wird, daß darauf eine dünne Siliciumschicht 20 und dann ein zweites Gitter von gleicher Zu- ^a5 sammensetzung angebracht wird. Die verschiedenen Niederschläge können durch pyrolytische Umwandlung von Dämpfen der betreffenden Materialien erzeugt werden.

Es sei bemerkt, daß in dem beschriebenen Beispiel eine Auswahl Zeile für Zeile vorgesehen ist, wobei jedes Wort eine vollständige Zeile des Speichers einnimmt. Wenn jedoch eine Wahl Ziffer für Ziffer oder eine Wahl vorgenommen werden soll, bei welcher mehrere Worte in einer Speicherzeile liegen, braucht nur das Steuerelement mit einem leitenden Gitter 18 oder 19 versehen zu werden, das rechtwinkelig zu dem anderen Gitter verläuft. Die Auswahl der betreffenden Punkte geschieht dann auf gleiche Weise wie bei dem Lichtcodeerzeuger, wobei jedoch die aktivierenden Spannungen Wechselspannungen und nicht vorübergehende Impulse sind. Eine derartige Anordnung braucht nicht im einzelnen beschrieben zu werden.

Bei der Speicheranordnung nach Fig. 4 ist die Einschaltung des Ableseelements zwischen dem Lichtcodeerzeuger und der Vorderseite des Speicherelements vermieden. Auch eine undurchsichtige Schicht zwischen der Elektrolumineszenzschicht 3 und der steuernden Photowiderstandsschicht 5 ist hier nicht erforderlich.

Bei dieser Ausführungsform ist die Oberfläche des Trägers 11 etwas mehr als doppelt so groß wie die Fläche jeder Speicherschicht. Ein Gitter von quer verlaufenden Leitern 30 (Fig. 5) ist auf dem Träger angebracht, um eine unmittelbare Entsprechung zwischen den Zeilen der Elektrolumineszenzschicht 3 und den Zeilen der zur Steuerung dienenden zusätzlichen Photowiderstandsschicht 5 herzustellen. Diese Leiter können, wie gesagt, aus einem Komplex von Bor- und Titanoxyden bestehen, also durchsichtig sein. Die übrige Anordnung ist im Sinne der vorhergehenden Ausführungen unmittelbar aus Fig. 4 zu entnehmen. Das zur Aufzeichnung dienende koordinierte Licht kommt bei 6 an und das gespeicherte Licht geht bei 21 zu der nicht dargestellten Leseeinrichtung. Das Steuerlicht kommt bei 7 an. Die leitenden und durchsichtigen Häutchen 8 und 9 sind über die Speisespannungsquelle verbunden, um den elektrischen Stromkreis zu schließen.

Fig. 6 gibt ein Ausführungsbeispiel des Speichers für den Fall, daß die Photowiderstandsschicht 5 zur Elektrolumineszenzschicht 3 parallel geschaltet ist. In diesem Falle ist das leitende Gitter 30 zwischen die Elektrolumineszenzschicht 3 und die Photowiderstandsschicht 2 des Trägers eingefügt, wodurch eine doppelte Entsprechung zwischen der Schicht 5 einerseits und den Schichten 2 und 3 andererseits Zeile für Zeile hergestellt wird. Eine zusätzliche durchsichtige Elektrode 29 ist auf der Rückseite der Photowiderstandsschicht 5 gebildet. Die Elektrolumineszenzschicht 3 ist mit der Elektrode 9 überzogen. Die Spannungsquelle 4 ist zwischen der Elektrode 8 einerseits und den miteinander verbundenen Elektroden 9 und andererseits eingeschaltet, so daß sich die elektrische Schaltung nach Fig. 2 ergibt. Der mechanische Träger 11 kann z. B. auf der Seite der beiden Photowiderstandsschichten angebracht sein. Die Herstellung einer solchen Anordnung und ihre Verwendung ist nach der Beschreibung der Fig. 3 ohne weiteres verständlich.

Claims (10)

Patentansprüche·

1. Speicher für binäre Informationen, dessen Aufzeichnungsträger aus einer Anordnung besteht, bei welcher zwischen mindestens zwei leitenden Elektrodenbelegungen, von denen wenigstens eine durchsichtig ist, eine Photowiderstandsschicht und eine optisch mit ihr verknüpfte Elektrolumineszenzschicht angeordnet sind, wobei zwischen den Elektroden eine elektrische Spannungsdifferenz angelegt ist, derart, daß jedes Paar von optisch miteinander verknüpften Punkten der beiden Schichten zwischen den Elektroden in Reihe geschaltet ist, wobei ferner eine optische Verteilungsvorrichtung mit vorbestimmtem Raster vorhanden ist, um die Codeziffern der binären Informationen auf den Aufzeichnungsträger zu verteilen, indem entsprechende Punkte der Elektrolumineszenzschicht der Anordnung vorübergehend erregt werden, während eine photoelektrische Ablesevorrichtung das in der Anordnung auftretende Licht empfängt und die selektive Abnahme der von den Lichtpunkten gebildeten Codeinformationen gestattet, dadurch gekennzeichnet, daß eine zusätzliche Photowiderstandsschicht (5), die mit der Elektrolumineszenzschicht (S) optisch nicht gekoppelt ist, in der Anordnung vorgesehen ist, wobei eine bestimmte elektrische Zuordnung der Flächenpunkte der zusätzlichen Photowiderstandsschicht und derjenigen der Elektrolumineszenzschicht und der mit ihr optisch verbundenen Photowiderstandsschicht (2) getroffen ist, während der Zustand des eigenen Widerstandes der zusätzlichen Photowiderstandsschicht an ihrer Oberfläche selektiv durch eine Belichtungsquelle gesteuert wird, die unabhängig von dem optischen Verteiler steuerbar ist, jedoch das gleiche optische Raster aufweist, derart, daß die Aufzeichnung, Speicherung und Löschung der Codeinformationen in dem Speicher selektiv je nach dem örtlichen Widerstands wert der zusätzlichen Photowiderstandsschicht bewirkt wird, bei welcher durch selektive Belichtung die Aktivierung der Elektrolumineszenzschicht an den entsprechenden Stellen der Anordnung zugelassen oder verboten wird.

2. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zusätzliche Photowiderstandsschicht (5) auf einer undurchsichtigen, leitenden Schicht (10) gebildet ist, die sich ihrerseits auf

der Photowiderstandsschicht (2) oder der Elektrolumineszenzschicht (3) befindet, so daß die Elektroden (8, 9) vier Schichten einschließen, derart, daß jeder Punkt der zusätzlichen Photowiderstandsschicht elektrisch mit jedem Paar von optisch und elektrisch gekoppelten Punkten der Photowiderstandsschicht und der Elektrolumineszenzschicht in Reihe liegt und die Erregung der Elektrolumineszenz nur an denjenigen Stellen der Elektrolumineszenzschicht möglich ist, welche be- ίο leuchteten Stellen der zusätzlichen Photowiderstandsschicht entsprechen.

3. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zusätzliche Photowiderstandsschicht (5) mit zwei eigenen Elektroden (9, SO) versehen ist, von denen mindestens eine durchsichtig ist, während die Photowiderstandsschicht (2) und die Elektrolumineszenzschicht (3), die optisch miteinander gekoppelt sind, ebenfalls zwischen zwei Elektroden (8, 30) eingeschlossen sind, wobei die eine Elektrode (30) jedes Elektrodenpaares die gleiche Gestalt aufweist und die Elemente dieser Elektroden nach einer bestimmten Zuordnung miteinander verbunden sind und die Spannung zwischen den beiden nicht miteinander verbundenen Elektroden (8, 9) der beiden Elektrodenpaare angelegt ist, derart, daß die Erregung der Elektrolumineszenz nur an denjenigen Stellen der Elektrolumineszenzschicht möglich ist, welche belichteten Stellen der zusätzlichen Photowider-Standsschicht entsprechen, wobei die einander zugeordneten Paare derartiger Stellen in Reihe geschaltet sind.

4. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zusätzliche Photowiderstandsschicht (5) mit Elektroden (29, 30) versehen ist, von denen mindestens eine durchsichtig ist, während die Elektrolumineszenzschicht (3) und die mit ihr optisch gekoppelte Photowiderstandsschicht (2) zwischen zwei Elektroden (8,9) eingeschlossen sind, von denen mindestens eine durchsichtig ist, und daß zwischen den beiden Schichten (2, 3) eine Zwischenelektrode (30) vorgesehen ist, wobei die eine Elektrode (30) der zusätzlichen Photowiderstandsschicht und die Zwischenelektrode die gleiche Gestalt aufweisen und die Elemente dieser Elektroden elektrisch miteinander verbunden sind, während die Spannung zwischen der einen Außenelektrode (8) der Anordnung und den miteinander verbundenen anderen Außenelektroden (9,29), nämlich derjenigen der Anordnung und der freien Elektrode der Photowiderstandsschicht (2), angelegt wird, derart, daß die Erzeugung der Elektrolumineszenz in der Elektrolumineszenzschicht nur dann möglich ist, wenn entsprechende Stellen der zusätzlichen Photowiderstandsschicht unbelichtet sind, wobei die einander zugeordneten Stellen elektrisch parallel geschaltet sind.

5. Speicher nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden (30) von bestimmter Gestalt aus einem Gitter leitender Linien bestehen, von denen jede die Länge entsprechend einer aufzuzeichnenden Information hat.

6. Speicher nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein gemeinsamer durchsichtiger mechanischer Träger (11) vorgesehen ist, der auf einem Teil seiner Fläche die beiden optisch miteinander verbundenen Schichten und ihre Elektroden und auf einem anderen Teil seiner Fläche die zusätzliche Photowiderstandsschicht und ihre Elektroden aufnimmt, wobei entsprechende Elemente der Elektroden (30) von bestimmter Gestalt durch leitende Linien miteinander verbunden sind, die ebenfalls von dem mechanischen Träger getragen werden.

7. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtquelle für die zusätzliche Photowiderstandsschicht aus einem optischen Verteiler besteht, der durch eine Elektrolumineszenzschicht (16) dargestellt wird, die zwischen selektiv paarweise erregbaren leitenden Gittern (18, 19) eingeschlossen ist, wobei jedes Leiterpaar eine Länge entsprechend einer Information in der Speicheranordnung aufweist.

8. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoelektrische Lesevorrichtung aus einer Photowiderstandsschicht (20) besteht, die zwischen zwei leitenden Gittern (22, 24) eingeschlossen ist, welche zusammen ein Raster gemäß dem des optischen Schreibverteilers darstellen.

9. Speicher nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Lesevorrichtung zwischen dem Aufzeichnungsträger und dem optischen Schreibverteiler angeordnet ist.

10. Speicher nach Anspruch 8 und einem der Ansprüche 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Lesevorrichtung auf der dem optischen Verteiler abgewandten Seite gegenüber den optisch miteinander verknüpften Schichten des Aufzeichnungsträgers angeordnet ist.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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