DE1954966B2 - Elektrische Speichermatrix in Kompaktbauweise - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine elektrische Speichermatrix in Kompaktbauweise mit einem isolierenden Tragkörper, mit einer Gruppe von in Reihen angeordneten A'-Leitern, mit einer Gruppe von in Spalten angeordneten Y-Leitern, wobei mindestens eine dieser Gruppen auf der einen Seite d«is Trägerkörpers angeordnet ist, mit schichtförmigen, im Bereich der Kreuzungsstellen der Leiter angeordneten, zur Speicherung dienenden, halbleitenden, bistabilen Schalterelementen, die bei Überschreiten einer Schwellenspannung vom Zustand hohen elektrischen Widerstands plötzlich in den Zustand niedrigen elektrischen Widerstands umschalten und

rctfei

durch* einen Stromimpuls wieder in den Zustand ho- aufweisen; sie befinden sich dann jedoph entweder

hen elektrischen Widerstands zurückschalten, und im n- oder im p-leitenden Zustand, d.h. in einem

mit jeweils in Reihe zu den bistabilen Schalteröle- einzigen Zustand elektrischer Leitfähigkeit, Derartige

menten geschalteten, halbleitenden Trennelementen, Halbleiterstoffe besteben aus bsispielsweise; 25 «/p

die ihrerseits mit den Leitern der anderen Gruppe in 5 Arsen und 75°/« Tellur, 72,6 «/β Tellur, 13,2«/q GaI-

Verbindung stehen. Uum und 14,2«/» Arsen, 75 % Tellur und 25 % SiIi-

Eine derartige Speichermatrix ist bereits bekannt zium, 75 ^fl/o Selen und 25 % Arsen,
(DT-AS 1212 J 55). Sie unterscheidet sich von be- Schließlich sind auch Speicbermatrizen bekannt kannten Speichermatriaen mit derartigen bistabilen (FR-PS I 533 269), bei denen an den Kreuzungsstri-Scbalterelementen (GB-PS X 072 718) dadurch, daß i° len halbleitende Transistoren angeordnet sted.
die Trennelemente die Ausbildung von sogenannten Obwohl diese und auch die eingangs genannten »Umwegströraen« vermeiden, die das Einstellen bzw. Speichermatrizen mit Dioden beispielsweise auf dem Einschreiben, Abfragen und Zurückstellen bzw. Lö- Wege der integrierten Schalttechnik durchaus in sehen von bistabilen und daher speichernden Schal- Kompaktbauweise herstellbar sind, ist die Herstelterelementen an genau vorbestimmten Kreuzungsstel- 15 lung verhältsnimäßig kostspielig. So müssen für die len verhindern oder zumindest erschweren. Dadurch halbleitenden Dioden oder Transistoren hochreine daß unidirektionale Trennelemente, nämlich Gleich- Materialien wie Silizium verwendet und speziell dorichter bzw. Dioden, jeweils in Reihe zu den tiert werden, was verständlicherweise erhebliche Herspeichernden Schalterelementen zwischen die jeder Stellungskosten bereitet.

Kreuzungsstelle zugeordneten Leiter geschaltet sind, 20 Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine ist der Stromfluß immer nur in einer Richtung mög- deraitige elektrische Speiebermatrix in Kompaktbaulich, wodurch die Umwegströme, die über andere weise herstellungsmäßig tuulich zu vereinfachen, parallel zu dieser Reihenschaltung angeordnete ohne daß die Vorteile einer solchen Dioden-Bestük-Schalterelemente-Trennelemente-Paare fließen wol- kung, d. h. die Einstellbarkeit, Lesbarkeit und Löschten, an denjenigen Stellen gesperrt werden, an denen 25 barkeit spezieller speichernder Schalterelemente, verdie Trennelemente in umgekehrter Richtung durch- loren gehen,
flössen werden müßten. Die Erfindung besteht darin, daß die Trennele-

Halbleitende Schalterelemente der genannten Art, mente monostabile bidirektionale Schalterelemente die auf Grund ihrer bistabilen Eigenschaften zum sind, die bei Überschreiten einer Schwellenspannung Speichern verwendet werden können, sind bereits be- 30 vom Zustand hohen elektrischen Widerstands plötzkannt (US-PS 3 271591). Es handelt sich um Halb- Hch in den Zustand niedrigen elektrischen Widerleiter, die im Zustand hohen elektrischen Wider- stands umschalten und bei Unterschreiten eines im stands eine amorphe bzw. amorphartige Struktur auf- Leiterzustand fließenden Schwellenstroms in den Zuweisen, die sich im Zustand niedrigen elektrischen stand hohen elektrischen Widerstands zurückfallen, Widerstands zu einer kristallinen oder in Richtung 35 und daß diese Trennelemente ebenfalls schichtförmig einer kristallinen Struktur umordnet. Das Material ausgebildet sind.

dieser bistabilen Schalterelemente besteht insbeson- Erfindungsgemäß werden daher an Stelle von Diodere aus Telluriden, Seleniden, Sulfiden und/oder den monostabile Schalterelemente der oben bereits Oxiden von Metallen, Metalloiden, zwischenmetalli- erwähnten Art verwendet, die ebenso einfach wie die sehen Verbindungen, z.B. aus 50°/oTellur und 50% 40 bistabilen Schalterelemente der obenerwähnten Art Germanium gegebenenfalls mit einem Vanadiumpen- herstell- und auf den Trägerkörper aufbringbar sind, toxidzusatz, 50 % Tellur und 50 % Galliuin-Antimo- wodurch eine »All-Film-Technik« anwendbar ist, nid, 50 »/0 Selen und 50% Germanium, 95Vo Tellur wenn auch diese Trennelemente ebenfalls schichtför- und 5 % Germanium. Einige solcher Stoffe werden mig ausgebildet sind. Es empfiehlt sich, die monostaauch als halbleitende Gläser bezeichnet. Ihre 45 bilen Schalterelemente auch auf den Trägerkörper Strom-Spannungs-Charakteristik weist zwei sich abzuscheiden bzw. niederzuschlagen, wie dies zweckkreuzende Kurvenzüge auf, von denen die Sperrzu- mäßigerweise mit den bistabilen Schalterelementen, Standskurve nur relativ flach zur Spannungsabszisse die zur Speicherung dienen, geschieht,
geneigt ist und bei der Schwellenspannung abbricht, Da die schichtförmigen monostabilen Schallerelewährend die Leiterzustandskurve demgegenüber steil 5« mente im Gegensatz zu Dioden bidirektional sind, erverläuft. Beide Kurven schneiden den Koordinaten- gibt sich bei der Erfindung ein weiterer wesentlicher Schnittpunkt gemäß F i g. 6 und 7, weswegen auch Vorteil, der sich im Betrieb der Speichermatrix auszwei stabile Zustände selbst bei fehlendem Stromfluß wirkt. Es ist nämlich im Gegensatz zu den diodenbevorhanden sind. stückten Speichermatrizen der eingangs genannten

Daneben sind halbleitende Schalterelemente ande- 55 Gattung nicht mehr notwendig, die zum Speichern, rer Eigenschaften bekannt (US-PS 3 271591), deren Lesen Abfragen u.dgl. erforderlichen Signale in Sperrzustandskurve zwar ähnlich der obengenannten einer einzigen Richtung zu erzeugen und über die beverläuft, deren Leiterzustandskurve dagegen prak- treffenden Leiter entlangströmen zu lassen, sondern tisch parallel zur Stromordinate in geringerem Ab- die erfindungsgemäße Speichermatrix erlaubt einen stand zu dieser verläuft und vor dem Koordinaten- 60 Betrieb in beiden Stromrichtungen, da auch die zur Schnittpunkt bzw. der Spannungsabszisse abbricht, Speicherung dienenden bistabile)«» Schalterelemente weshalb bei fehlendem Stromfluß nur ein Zustand, bidirektional sind, d.h. den Strom in jeder Stromnämlich der Sperrzustand hohen elektrischen Wider- richtung in praktisch gleicher Weise leiten bzw. sperstands, möglich ist (vgl. F i g. 5). Diese monostabilen ren.

Schalterelemente sind ebenso wie die bistabilen bidi- 65 Gemäß einer weiteren Ausbildung der Erfindung rektional, verhalten sich also in jeder Stromrichtung empfiehlt es sich daher, die Speichermatrix mit einer praktisch, äquivalent. Im Sperrzustand können sie so- Einstelleinrichtung, die an ausgewählte Kreuzungswohl eine amorphe als auch eine kristalline Struktur stellen eine Einstellspannung legt, die sowohl das be-

treffende zum Speichern dienende bistabile Schalter- von derartigen Strahlen in ihrer Struktur und ihrei

element als auch das betreffende monostabile Schal- physikalischen Eigenschaften teilweise erheblich ver

tefelement in den Leiterzustand umschaltet, mit einer ändert werden, so daß mit derartigen Dioden ode;

Löscheinrichtung, die an ausgewählte Kreuzungsstel- Transistoren bestückte Speichermatrizen bei solcher

len eine Löschspannung legt, die das betreffende mo- S Applikationen überhaupt nicht angewendet werder

nostabile Schaltelement im Leitzustand des zugehö- können. Bei Verwendung der erfindungsgemäßer

rigen bistabilen Schalterelements in den Leitzustand Speichermatrix ist es daher auch möglich, sie diesbe

umschaltet und diesem einen Löschstromimpuls als züglich echt zerstörungsfrei zu machen, denn eint

Rückschaltsignal zuführt, und mit einer Leseeinrich- von Unbefugten bewußt oder unbewußt herbeige

tung zu vereinen, die an ausgewählten Kreuzungsstel- io führte Strahlenaussetzung vermag nicht, die in die

len eine Lesespannung legt, die die Schwellenspan- Speichermatrix eingespeicherten Daten zu veränderr

flung des betreffenden monostabilen Schalterele- und deren Informationsinhalt zu zerstören,

ments überschreitet, jedoch nur so groß ist, daß die- Es ist daher verständlich, daß die erfindungsgemä-

ses nur dann in seinen Leiterzustand umschaltet, Ben Speichermatrizen nicht nur einfach und preis-

wenn sich das zugehörige bistabile Schalterelement 15 günstiger herstellbar sind als die bisher bekannten,

im Leitzustand befindet, um einen anderen Strom- sondern auch deren Anwendungsbereich größer als

fluß als den Löschstromimpuls zu erzeugen. bisher üblich ist. Sie eignen sich daher auch sehr vor-

Herstellungstechnisch und konstruktiv ergeben teilhaft zum Einsatz in logische Schaltungsanordnung

sich dann Vorteile, wenn die Halbleiterschichten des gen und Computern.

bistabilen Schalterelements jeweils mit der entspre- so Die All-Film-Technik erlaubt ein Auftragen dei

chenden Kreuzungsstelle der Leiter fluchten und von Halbleiterschichten durch Aufdampfen, Vakuum-

den entsprechenden Halbleiterschichten anderer niederschlagen, Aufspritzen, Kathodenzerstäuben,

Kreuzungsstellen getrennt angeordnet sind. Die oben- Siebdrucken u. d$l. bekannte Auftragsverfahren. Da

erwähnte All-Film-Technik läßt es zu, die zum Tren- die Herstellung solcher Halbleiterschichten und auch

nen dienenden monostabilen Schalterelemente und 45 de'^n physikalisches Verhalten an sich bekannt sind

die zum Speichern dienenden bistabilen Schalterele- (US-PS 3 271591), sei hier nicht noch besonders

mente schichtförmig übereinander anzuordnen. darauf eingegangen. Erwähnt sei lediglich, daß das

Vorzugsweise bilden die monostabilen Schalterele- bereits obenerwähnte L-odi, durch das nach einer mente und die Spaltenleiter eine Baueinheit mit dem besonderen Ausbildung der Erfindung die betreffen-Trägerkörper und sind die bistabilen Schalterele- 30 den Halbleiterschichten bis zu den betreffenden Leimente und Zeilenleiter über den Spaltenleitern tern hindurchreichen, außerordentlich klein sein niedergeschlagen. kann und einen Durchmesser in der Größenordnung

Bei der Anwendung der AH-Film-Technik emp- von etwa 10 bis 100 μπι, vorzugsweise 10 μ, aufweist, fiehlt es sich, die bistabilen Schalterelemente und die so daß der im Zustand niedrigen elektischen Widermonostabilen Schalterelemente jeder Kreuzungsstelle 35 Stands sich ausbildende fadenförmige stromleitende zwar in deren Nachbarschaft, jedoch im Abstand von Pfad immer an der gleichen Materialstelle auftritt, ihr anzuordnen. Ein derartiges Loch wird beispielsweise dadurch er-

Die Spaltenleiter sollten unmittelbar auf dem zeugt, daß auf die Fläche des auf den betreffenden Trägerkörper und die Zeiletileiter ebenfalls unmittel- isolierenden Trägerkörper aufgetragenen Films eine

bar auf dem Trägerkörper an den Kreuzungsstellen 4= lichtempfindliche saure Schutzmasse aufgetragen und

mit den Spaltenleitern, jedoch unter Einfügung einer anschließend eine Bestrahlung mit sichtbarem Licht

Isolierschicht zwischen den sich überkreuzenden Lei- durchgeführt wird. Eine Fotoemulsionsschablone mit

tem aufgetragen sein. Jeweils über den Spaltenleitern lichtdurchlässigen Flächenteilen und lichtundurchläs-

sollten die monostabilen Schalterelemente und über sigen Flächenteilen wird verwendet, um dann durch

den Zeilenleitern die bistabilen Schalterelemente an- +5 Bestrahlen und Entwickeln mit Hilfe einer Säure

geordnet und die Leiter an jenen Stellen teilweise oder einer anderen chemischen Behänd¹ jng die dem

von einer IsoK-rrschicht abgedeckt und über den zu- Licht nicht ausgesetzten Filmteile zu entfernen. Auch

geordneten bistabilen Schalterelementen und mono- durch selektives Atzen oder andere Maskenverfahren

Stabilen SchalterefefBenten sowie Isöfierschächten sind solche definnatea pr Löcher feersteB-

softten beide Elemente verbindende Kopplungsfeiter S» &sr.

angeordnet sein. In der Zeichnung sind bevorzgte Ausführungsbei-

In vielen Falten empfiehlt es sich, wenn die Leiter spiele der Erfindung dargestellt Darin zeigt

an den mit einem monostabilen Schalterelement bzw. F i g. 1 ein Schaltschema einer Speichennatrix, bei

bistabilen Schalterelement versehenen Stellen jeweils dem die Erfindung anwendbar ist; es zeigt Schaltun-

mit einer Isolierschicht abgedeckt sind, die ein Loch SS gen zum Einspeichern von Nachrichten in die Matrix

aufweist, durch das die betreffenden Halbierter- and zum Lesen ve« darin gespeicherten Nachrichten

sdrichten bis zn den betreffenden Leitern hindurch- F i g. 2 ein vereinfachtes Schema der jedem aktiven

reichen. Kreuzungsptmkt der Matrix zugeordneten voDstän-

Neben den obenerwähnten Vorzügen der erfin- digen Schaltung;

dongsgemäßen Speichennatrix empfiehlt sich deren 60 Fig.3 die Spannungen, die zum Einstellen, d.h. Anwendung insbesondere in solchen Räumen, die zam Speichern eines Binärsymbols »Ic an einer Strahlen, wie Röntgenstrahlen, Kernstrahlen, exterre- Kreuzungsstelle, zum Rückstellen, d. h. zam Einspeistrischen Höhenstrahlen o. dgl., ausgesetzt sind. Es ehern eines Binarspmbols »0« an der Kreuzangsstelle hat sich nämlich gezeigt, daß die für die bistabilen und zam Lesen bzw. Abfragen des an einer bestimmend momjstabilen Schafteieteinente verwendeten $5 ten KreuzongssteÜe der Matrix gespeicherten Binär· Halbleitermaterialien selbst nach längerer starker Be- symbols anzulegen sind;

strahlung noch die gleichen Sehalteigenschaften und F i g. 4 ein Schema zur VeranschauRchung der ver-Keunlinteu aufweisen, während dotierte Halbleiter schiedenen Ström«·., die an der betreffenden Kreu-

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zungsstelle während des Einsteilens, Rückstellen und fert. Die negative Klemme 14' der Gleichspannungs-Lesens eines Binärsymbols »1« fließen; quelle 16 ist an Masse 20 gelegt (geerdet), so daß die

Fig.5 eine Strom-Spannungs-Kennlinie eines als Spannung der Klemme 14 +V2 (in Volt) beträgt.

Trennelement dienenden monostabilen bidirektiona- Die Rückstelleitung 11' ist über einen verhältnisfrtä-

len Schalterelements; 5 ßig kleinen Widerstand 22 mit der positiven Klemme

Fig. 6 eine Strom-Spannungs-Kennlinie eines als 24 einer Gleichspannungsquelle 26 verbunden, deren

Speiehei<tf?6ment dienenden bistabilen Schalterele- negative Klemme 24' an Masse 20 Hegt. Die positive

mems im Zustand hohen Widerstandes (Sperrzu- Klemme 24 liefert eine Spannung von + V\ (in Volt)

stand); über Erdpotential. Die Leseleitung 11" ist über einen

F i g. 7 die Strom-Spannungs-Charakteriatik des bi- w Widctstand 28 mit der positiven Klemme 24 verbunstabilen Schalterelements im Zustand niedrigen den.
Widerstandes (Leiterzustand); Jeder Y-Leiter ist mit einem der Enden eines Sat-

F i g. 8 eine Draufsicht auf einen Teil der in F i g. 1 zes paralleler Schalter 10, 10' und 10" verbunden

schematisch gezeigten Speichermatrix; (die ebenfalls durch weitere Symbole gekennzeichnet

F i g. 9 einen Querschnitt durch die gleiche Matrix »5 sind, die den den betreffenden X- bzw. Y-Leitern zu-

entlang der Linie 9-9 in Fig. 8; geordneten Nummer entsprechen). Die anderen En-

Fig. 10 einen Querschnitt durch die gleiche Ma- den dieser Schalter 10, 10' 10" sind mit einer ge-

trix entlang der Linie 10-10 in F i g. 8; meinsamen Leitung 30 verbunden, die zu der negati-

F i g. 11 ein Schaltschema einer Steuerschaltung, ven Klemme 32' einer Gleichspannungsquelle 34

die zur Gänze durch Filmaufträge auf einer isolieren- *o führt, deren positive Klemme 32 bei 20 geerdet ist.

den Tafel (AU-Film-Technik) herstellbar ist; Die negative Klemme 32' ist also auf einem Potential

F i g. 12 eine Schalttafel, an der alle Bausteine der von - V 1 in Volt in bezug auf das Erdpotential.
Schaltung gemäß F i g. 11 als Filmaufträge gebildet Die Schalter 8, 8\ 8", 10, 10' und 10" sind vorsind; zugsweise elektronische Schnellschalter oder -kon-

F i g. 13 eine Teilansicht einer abgewandelten Aus- «5 takte. Zum Schließen geeigneter Schalterpaare (zum

führungsform der Erfindung von oben; und Anschalten der richtigen positiven bzw. negativen

Fig. 14 einen Schnitt entlang der Linie 14-14 in Spannungsquellen an die ausgewählten X- und

Fig. Ij. Y-Leiter) dienen nicht dargestellte Schaltersteuerein-

Gemäß F i g. 1 weist eine Speichermatrix 2 eine richtungen.

Reihe von einander unter rechtem Winkel kreuzen- 3<> Wie bereits angedeutet, bilden je einer der bidirekden ^-Leitern Xl, X 1...Xn und Y-Leitern Yl, tionalen Schalterelemente 4, 6 eine Schwellenschalt-Y 2... Yn auf, die sich in einer zweidimensionalen vorrichtung. Wenn sie sich im Zustand hohen WiderDarstellung zu schneiden scheinen, sich jedoch in der Standes befindet, wird eine Spannung angelegt, die Tat nicht berühren. Jeder X- und Y-Leiter ist an der gleich oder größer als eine gegebene Schwellenspan-Kreuzungsstelle oder in dessen Nähe mit einer Rei- 35 nung ist, um die Vorrichtung in ihren Zustand niedhenschaltung aus einem speichernden bistabilen rigen Widerstandes umzuschalten. Unter der An-Schalterelement 4 bzw. M und einem monostabilenn nähme, daß der Widerstand dieser Vorrichtungen in Schalterelement 6 bzw. T verbunden. Wie bei den ihrem Zustand hohen Widerstandes dem Wert nach meisten Speichermatrizen ist die an jedem Kreu- vergleichbar oder im wesentlichen gleich sind, wird, zungspunkt gespeicherte Nachricht vorzugsweise in 4° um eine »1« des Binärcodes an einem beliebigen Binärform, d.h. in der Form einer »1« oder einer Kreuzungspunkt in das Speicherelement einzuspei- »0«, was durch den Zustand des Speicherelementes ehern, an die gewählten X- und Y-Leiter eine Spanangezeigt werden kann. Bei Magnetkernmatrizen be- nung angelegt, die gleich oder größer ist als die niedstimtnt der jeweilige Magnetisierungszustand einer rigste der Schwellenspannungen der in Reihe ge-Magnetkernvorrichtung, ob an dem betreffenden 45 schalteten Schalterelemente 4, 6. Wenn beispiels-Kreuzungspunkt der Matrix eine »1« oder »0« ge- weise das speichernde Schalterelement 4 eine Schwelspeichert ist. Bei der Erfindung ist die binär ver- lenspannung von 20 V und das als Trennelement dieschlüsseUe Nachricht an jedem Kreuzungspunkt da- iiende Schalterelement 6 eine Schwellenspannung von «torch bestimmt, ob sich das speichernde Schalterele- 15 V hat, sollte die durch das Schließen eines gettern^ an diesem Kretiztmgspxmkt ta einem Zustand 5» wählten Paares von Schaltkontakten 8 bis 10 angeniedrigen Widerstandes oder hohen Widerstandes be- legte Spannung gleich oder vorzugsweise gröBer ate findet, denen ein Zustand »1« bzw. ein Zustand »0« 30 V «sein. Dies bedeutet, daß die Summe der Lieferdes Binärsystems zugeordnet ist. Die Zuordnung ist spannungen der Gleichspannungsquellen 16» 34, die willkürlich; hn vorliegenden Fall sei die »1« dem Zu- zwischen den Klemmen 14, 32* eingeschaltet sind, stand hohen Widerstandes zugeordnet. Das monosta- 55 ebenfalls 30 V überschreiten sollte, da die Werte dei feile Schalterelement 6 isoliert jeden Kreuzungspunkt Widerstände 12, 22 und 28 im Vergleich zum Widervon den übrigen Kreuzungspunkten. stand der Schalterelemente 4, 6 in derem Zustand

Jeder .Y-Leiter Xl, X 1...Xn ist mit einem der hohen Widerstandes unendlich klein sind. Dh Enden eines Satzes von drei parallelen Schaltern 8. Widerstände der Schaherelemente 4, 6 sind jedocr f und8" verbanden (und zu dieses Bezugszeichen ^fo hn wesentlichen unterschiedlich. Am vorteilhaftester treten noch zusätzliche Bezugssymbofe hinzu, die der ist der Widerstand des monostabilen Schalterele dem betreffenden Jf-Leiter zugeordneten Nummer ments6 im nichtleitenden Zustand mindestens zehnentsprechen), und die anderen Enden der Schalter 8, nsal, vorzugsweise aber tausendmal größer als dei 8\ 8" sind an den Einstell-, Rückstelt- und Leselei- des zugeordneten speichernden bistabilen Schalter tuagen II, II' bzw. II" angeschlossen. Die Einstel- «5 elements 4. In eraem solches Fall wird bei der obenleitung 11 ist fiber einen Widerstand 12 mit einer po- genannten SchwelfeRspannung das Binärsymbol »1« vitiven Klemme 14 einer Girachspamrangsquelle 16 an einem beliebigen gewähltes Kreuzungspunkt ein verbunden, die eine Spannung von V1 Qm Volt) lie- gespeichert, indem eine Spannung von mindesten

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etwas über 20 V, vorzugsweise im Interesse größter 15 V überschreiten jedoch weniger als 20 V betragen

Verläßliehkeit von einigen Volt über 20 V art die ge- Bei dem in F ί g. 3 gezeigten Ausführungsbeispiel be

wählte Reihenschaltung angelegt wird (F i g. 3). Es tragen sowohl die Lesespanrtung als auch die Rück·

»öllte keine Spannung angelegt werden, die die Stellspannung etwa mitten zwischen 15 und 20 V. Summe der Einstellürtgspärtnungen dreier Kreu- 5 Aus dem in Fig. 1 dargestellten Schaltschema isi

ätufigspurtkte überschreitet, da dies zur Folge haben ersichtlich, daß die Summe der Lieferspannungen dei

körtttte, daß ein beliebiger aus elfter Anzahl von drei Gieichspannungsquellen 26, 34, die 2 V1 beträgt, ca

in iteihe geschalteten Kreuzüngspunkten, die zu dem 17,5 V beträgt. Da die Summe der Lieferspannungen

gewählten Kfettöuttgsipuftkt parallel geschaltet sind, der Spannungsquellen 16, 34 für einen Einstellvor-

eingestellt wird. io gang mit 22 V angenommen wurde, beträgt die

Es sei angenommen, daß die Widerstände der Lieferspannung der Spannungsquelle 16 bei dem vor-

Schatterelemente 4, 6 in derem Zustand hohen liegend beschriebenen Beispiel einer Schaltung ca.

Widerstandes im wesentlichen gleich sind: Um ein 13,25 V.

speicherndes Schalterelement 4 an einem Kreuzungs- Wenn in einem bestimmten speichernde« bistabipunkt zurückzustellen (d.h. um es aus dem Zustand 15 len Schalterelement4 eine »1« des Binärcodes geftiedrigen Widerstandes in den Zustand hohen speichert ist, hat das Anlegen einer Lesespannung an Widerstandes zu bringen), sollte die zwischen der die betreffenden A"- und V-Leiter oberhalb der Rückstelleitung 1Γ und der gemeinsamen Leitung 30 Schwellenspannung des zugeordneten monostabilen, angelegte Spannung die Schwellenspannung des ge- als Schwellenschalter wirkenden Schalterelements 6 wählten monostabilen Schalterelements 6 überschrei- so zur Folge, daß ein nennenswerter Strom durch den in ten, da angenommen wird, daß der Widerstandswert Reihe mit der Leseleitung H" geschalteten Widereines beliebigen solchen Schalterelements 6 im Zu- stand 28 fließt. Wenn sich andererseits das gewählte Stand normalerweise hohen Widerstandes viele hun- speichernde Schalterelement 4 im Zustand hohen dert- oder tausendmal größer ist als der Widerstand Widerstandes befindet, ist die Lesespannung nicht eines beliebigen speichernden Schalterelements 6 im as hoch genug, um dieses Speicherelement in den Zu-Zustand niedrigen Widerstandes. Auch sollte die an- stand niedrigen Widerstandes umzuschalten, so daß gelegte Spannung unter der Schwellenspannung des im wesentlichen kein Strom durch den Widerstand zurückzustellenden speichernden Schalterelements 4 28 fließt. Dementsprechend ist ein Lesestromkreis 40 sein (Fig. 3). Durch Anlagen einer solchen Span- vorgesehen, der den Spannungsabfall über den nung zwischen der Rückstelleitung II' und der ge- 30 Widerstand 28 abfühlt und auf diese Weise bemeinsamen Leitung 30 wird das monostabile Schal- stimmt, ob sich der gewählte Kreuzungspunkt im Zuterelemento in den Zustand niedrigen Widerstandes stand »1« oder »0« des Binärsystems befindet, getrieben. Wenn dann der Quellenwiderstand des Die Schalterelemente 4, 6 sind schichtförmig, ins-Rückstellstromkreises genügend niedrig ist, so daß besondere als Filmaufträge auf einem isolierenden ein Rückstellstrom auf dem Niveau L1 (F i g. 3)oder 35 Trägerkörper 42 ausgebildet, da in einem solchen darüber durch das betreffende speichernde Schalter- Fall die Herstellungskosten äußerst gering gehalten element 4 zum Fließen kommt, wird dieses in den werden können und die Speicherkrpazität (Speicher-Zustand hohen Widerstandes zurückgestellt. Dem- dichte) äußert hoch ist

entsprechend wird dpr mit der Rückstelleitung 11' in Derartige Filme bestehen aus einem im wesentli-Re.he geschaltete Widerstand 22 genügend klein aus- 40 chen ungeordneten und allgemein amorphen Halbgeführt, damit bei einem Rückstellvorgang der ge- leitermaterial im Zustand hohen und niedrigen wünschte Rückstellstrom durch das gewählte spei- Widerstandes. Das Material hat eine örtliche Ordchernde Schalterelement 4 hindurchfließt. Der mit nung und eine örtlich begrenzte Bindung und ist so der Einstelleitung II in Reihe geschaltete Wider- herstestellt, daß jedes Bestreben, diese örtliche Ordstand 12 und der mit der Leseleitung 11" in Reihe 45 nung oder diese örtlich beschränkte Bindung zu vergeschaltete Widerstand 28 sind strombegrenzende ändern, bei Andeningen zwischen dem Zustand ho-Widerstände, die die Stromstärke des durch das bi- hen und dem des niedrigen Widerstandes auf ein stabile Schalterelement 4 hindurchfließenden Stromes Mindestmaß begrenzt ist In manchen Fallen können während eines Einstell- oder Lesevorganges auf fur das monostabile Schalterelemeöt« jedoch ffetb* emem Wert onterhalb der RScksteHstromstäfkeLI se leftenrratertaiten verwendet weiden, die hn Sperrzunaften. stand kristallin sfnd. Typisch Strom-Spannungs-

Während eines Lesevorganges wird zwischen der Kennlinien dieses monostabilen Schalterelements 6 Leseleitung II" und der gemeinsamen Leitung 30 sind in Fig.5 gezeigt. Zorn Unterschied von Mateeine Spannung angelegt, die ungenügend hoch ist, am riafwTi for die monostabilen Schalterelemente 6 ist ein monostabiles Schalterelemente, das sich hn Zu- ss das Material der speichernden Schalterelemente4 stand hohen Widerstandes befindet und mit einem derart ausgebildet, daß die örtliche Ordnung oder die speichernden Schalterelement 4 in Reihe geschlossen örtlich begrenzte Bindung desselben veränderbar ist, ist, das sich ebenfalls hn Zustand hohen Widerstan- so daß mindestens ein leitender Pfad in einer quasi des befindet, und nut einem speichernden Schalter- permanenten Weise hergestellt wird. Mit anderen element 4 ta Reihe geschlossen ist, das sich ebenfalls 60 Worten: Die Leitfähigkeit des Materials kam draiffl Zustand hohen Widerstandes befindet, in den Zu- stisch geändert werden, so daß ein oder mehrere leistend niedrigen Widerstandes oder den !».rterzustand tende Pfade m dem Material entstehen und darin ab «a bringen. Bei der beispielsweise gezeigten Ausfoh- Leitzustand gemäß Fig. 7 eingefroren werden. Dierungsform der Erfindung gemäß Fig. 3, bei der die ser mindestens eine leitende Pfad kann durch einen Schwelpg jedes monostabilen Schalteröle- 65 Sls hn wesentlichen in den nrspriingficen «entsfi mit ISV anoen ist und die Schwel- Spen-zustarid von Fig. 6 zurückgebracht werden, lertspannung jedes speichernden Schalterelemente 4 Em typischer Bereirii niedriger Widerstandsweite mit 20 V angenommen ist, sollte die Lesespannung for ein monostabiles Schalterelement 6 reicht von 1

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bis 1 kQ, und ein typischer Bereich hoher Wider- Schalterelemente 4, 6 an jedem Kreuzungspunkt

standswerte desselben reicht von 10 bis 1000 MQ. können natürlich vertauscht werden). Um bei einer

Ein typischer Bereich niedriger Widerstandswerte für solchen Vorrichtung eine zweckmäßige Leitfähig-

ein ipeichemdes bistabitcs Sehalterelement 4 reicht keitscharakteristik zu gewährleisten, empfiehlt es

von ebenfalls 1 bis 1 kQ, und ein typischer Bereich 5 sich, den Stromfluß jederzeit, wenn ein Element

hoher Widerstandswerte desselben reicht ebenfalls Strom leitet, auf den gleichen Bereteh, vorzugsweise

von 10 bis 1000 ΜΩ. auf den gleichen Pfad oder Faden des Halbleiterma-

Im Betrieb beider Schalterelemente 4, 6 erfolgt das terials zu beschränken. Dies wird dadurch weicht, Umschatten vom Zustand hohen Widerstandes zum daß gemäß der Figur eine Isolierschicht 46 Über je- Zustand niedrigen Widerstandes und umgekehrt im i« dem Leiter in dem Bereich zwischen einem benach-

wesentlichen augenblicklich und tritt vorzugsweise barten Paar von Y-Leitern aufgetragen wird. Jede

entlang eines oder mehrerer Pfade zwischen den leit- Isolierschicht 46 hat eine Pore oder ein kleines Loch

fähigen Elektroden auf, die an den gegenüberliegen- 48, so daß nur ein kleiner Teil der Außenfläche jedes

den Seiten des Filmes bzw. der Schicht des betreffen- A'-Leiters für die Aufbringung des schichtfönnigen

den Halbleitermaterials angelegt sind. 15 speichernden Schalterelements 49 freiliegt, so daß als

Aus einer Betrachtung der F i g. 5 und 7 dürfte er- nächstes eine solche Schicht des die speichernde

sichtlich sein, daß im Zustand niedrigen Widerstan- Sehaltvorrichtung bildenden Halbleitermaterials

des des speichernden Schalterelements 4 die Strom- oberhalb und in jedem Loch 48 niedergeschlagen

leitung im wesentlichen dem Ohmschen Gesetz folgt, werden kann und das Halbleitermaterial mit dem

so daß mit zunehmendem Spannungsabfall die »° ^-Leiter über einen sehr schmalen Bereich in Berüh-

Stromstärke des hindurchfließenden Stromes zu- rung steht. Beispielsweise kann die Breite jedes Lo-

nimmt. In manchen Fällen ist jedoch beobachtet ches und somit der besprochene Breich der Berüh-

worden, daß bei verhältnismäßig hohen Stromstärken rung bei der besonders bevorzugten Ausführungs-

die Stromleitung durch das speichernde Schalterele- form der Erfindung im Bereich zwischen 10 und 100

ment 4 bei einem im wesentlich konstanten Span- 35 H^m liegen.

nungsabfall erfolgt, obwohl sie bei fiedrigen Strom- In ähnlicher Weise wird eine Isolierschicht 46' auf stärken dem Ohmschen Gesetz folgt. Zum Unter- jeden Y-Leiter in dem Bereich zwischen jedem Paar schied hiervon bleibt bei den monostabilen Schalter- benachbarter tf-Leiter aufgebracht. Diese Isolierelementen 6 der Spannungsabfall über einen weiten schicht 46' ist ebenfalls mit einer Pore oder einem Bereich von Stromstärken im wesentlichen konstant. 30 kleinen Loch 48' ausgestattet, in das anschließend

Das Zurückschalten eines speichernden Schalter- ein schichtförmiges monostabiles Schalterelement 49' elements 4 aus dem Zustand niedrigen Widerstandes aufgetragen wird. Beide Schalterelementschichten 49, in den Zustand hohen Widerstandes kann dadurch 49' sind durch eine als Kopplungsleiter 50 dienende herbeigeführt werden, daß ein Rückstell-Stromhnpuls Schicht aus leitfähigem Material hintereinandergpvon der genannten Rückstellstromstärke Ll oder 35 schaltet, das insbesondere wiederum im Siebdruckdarüber bei einer Spannung unterhalb der Schwellen- verfahren in einem Band aufgetragen ist, das sich zwispannung dieses Elements durch dasselbe geschickt sehen den äußeron freien Flächen der Halbleiterwird. Zum Unterschied vom monostabilen Schalter- materialien erstreckt, die je ein aus einem monostabielement 6, das nur so lange im Zustand niedrigen len Schalterelement 6 und einem speichernden, bista-Widerstandes bleibt, wie der hindurchfließende 40 bilen Schalterelement 4 bestehendes Paar bilden. Strom oberhalb einer Haltestromstärke bzw. eines Die Erfindung ist auch bei anderen Speichermatri-Schwellenstromes liegt, bleibt das speichernde Schal- zen verwendbar, beispielsweise bei Lolchen, bei deterelement4 unbegrenzt im Zustand niedrigen nen ein monostabiles Schalterelement 6 nur an eini-Widerstandes, selbst wenn der Stromfluß durch diese gen Kreuzungspunkten der Matrize vorhanden ist. unterbrochen wird und die angelegte Spannung he- 45 Gemäß F i g. 1 ist die durch Filmauftrag erzeugte seitigt wird, d. h. es ist bistabil. Schaltung 53 eine bistabile Schaltung mit zwei mono-

F i g. 8 bis 10 zeigen die bevorzugteste körperliche stabilen Schalterelementen 6 a, 66, die zv «hen Ausführungsform der Speichermatrix gemäß der Er- einer Klemme 55 und einem Ende eines Widerstan-

findung. Die Matrizeneinheit «eist einen, isolierenden des 57 in Reihe geschaltet sind, dessen anderes Ende

tiägerkeiper « ate ebnss elektrisch isolierenden so wiederum aa^ eine Klemme 5» aggescblossen ist

Material auf, auf diem vor aüest im SletKliwAverfalt- &wal WwfagaaaiiB 89, d snat dle tibamaa

fen die im Abstand voni Regenden parallelen der Schalterelerflente 6a bzw. 66, za diesen parallel,

!"'Leiter aufgebracht sind. An jedem Punkt entlang geschaltet. Eine SgflratemgaogtfrtenHne 60 ist an dh

jedes y-Leiters, an dem ein ^-Leiter kreuzen soll, ist VerbmdungjsteBe zwischen desselben angeseMossen

eine Isolierschicht 44 aufgebracht, die sich über die 55 Die Schaltung 53 weist ferner zwei weitere monosta-

voile Breite des bfn Y-Leiters erstreckt. Die We Schalteretetaente 6tf, kW auf, die zwsn dk

X-Leiter werden dann vor aflem wiedeT im Sieb- Klemme 55 and das eise Bude eines Wire!

druckverfahren in fan Abstand voneinander liegenden ST in Reibe sind, dessen anderes Eetff

parallelen Baadern derart angebracht, daß sie über mit der Klemme 58 va ist Dk WiderstSfidi

die Isolierschichten 44 verlaufen aod jeglicher elek- Go S¥, 61' sind aa den Klemmen je eines der Schaft»

frisch leitender Kontakt mit den Y-Leitern an dee elemente 6a% ttf, ze diesen parallel, im der !"&»

Kreuzungspunkten n wird. der Widerstände 57, ST geschalteL Ao die Veftöe An jedem Kreuzungspunltt wird ein bistabil düngen zwischen den Srel 6a, %tl test

speicherndes Schalterelemeirt4 als Finn in dem Be- den Widerständen St bzw. ST siad AesgangskJem

reich zwischen den benachbarten F-Leitern and das 63 men 62, 62* aBgescMossen. Die Klemme» eme

zugeordnete monostabile Scte! iet 6 ebenfalls GieTchspaminslle 63 sind filter etaeat 16»· aa

als Film iro Bereich zwischen den benachbarten Ausschalter 65 ohne BerSefcsiefl%ung der

Jf-Leitem aufgetragen (die Anordmmgsorte der der A an die g SS, §&

13 I U

sen. Bei der beispielsweise gezeigten Schaltung 53 bildet die Signaleingangsklemrrm 60'. Die untere war die Schwellenspannung jeder der Schalteröle- Elektrode des SchaUerelements 6 β ist.von einer Vermente 6 a, 6 β', 66 und 6 b' im Bereich von 6 Ws 10 lSngerung 75« einer Schicht 75 aus leitfähigem May und die Ausgangsspannwig der Gleichspannungs- terial gebildet. Die Schicht aus Jejtfähigem Material quelle 63 lag iw Bereich von ca, 8 Ws 15 V. Die s 75 liegt über dem einen der Enden der die WiderSpannung, die an den Klemmen einer beliebigen der stände 57, 59 und 63« bildenden Aufträge. Die Schaltereleraente bei Fehlem einer äußeren Signal- Widerstände 57 und 63« (sowie auch der Widerspannung auftritt, reicht nicht aus, um diese in ihren stand 57') können von verhältnismäßig geringem Zustand niedrigen Widerstandes zu treiben, Widerstandswert von z.B. 1,5 IcQ sein und sind da-

Ein gewähltes Paar von Schalterelementeu 6 a, 6 b, io her als rechteckig ausgebildete Aufträge aus wider-

6 a', 6 b' wird in den leitfähiigen Zustand getrieben, standsbildendem Material dargestellt, während der

indem an die eine der Signaleingangsklemmen 60 Widerstand 59 und die anderen Widerstände 61, 59'

oder 60' und an die Klemme 55 eine Spannung ange- und 61' Widerstandswerte haben, die um ein Vielfa-

legt wird, die die betreffende Schwellenspannung ches größer (z.B. 0,1 MQ) als der genannte Wert

Überschreitet. Die Widerstandswerte der Widerstände 15 sind; sie sind daher als schmale, zickzackförmige

59, 61 und 59', 6Γ sind vorzugsweise zehnmal oder Aufträge aus widerstandsbildendem Material darge·

mehrmals so groß wie die der Widerstände 57 und stellt. Das andere Ende des den Widerstand 59 bil-

57', so daß das plötzliche Umschalten der Schalter- denden Auftrages ist von einem Teil der Schicht 72

elemente 6 b oder 6 b' zur Folge hat, daß im wesent- aus leitfähigem Material überdeckt. Das andere Ende

liehen die ganze Lieferspannung der Gleichspan- 20 des den Widerstand 57 bildenden Auftrages ist von

nungsquelle 63 am zugeordneten Schalterelement 6<j einer Verlängerung 78 a einer eine Anschlußschiene

bzw. 6 d zur Wirkung kommt und diese in ihren Zu- bildenden Schicht 78 aus hochleitfähigem Material

stand niedrigen Widerstandes treibt. Beide Schalter- überdeckt.

elemente des betreffenden Paares werden auf diese Die untere Elektrode des Schalterelements 6 a ist

Weise praktisch gleichzeitig in ihren leitfähigen Zu- 35 von einer Verlängerung 75 α der Schicht 75' aus leit-

stand versetzt, so daß die Spannung an der zugeord- fähigem Material gebildet, die auch das eine Ende

neten Ausgangsklemme 62 bzw. 62' eine heftige Ver- eines rechteckigen Auftrags aus Widerstandsmaterial

minderung erfährt. Ein Teil dieses plötzlichen Span- überdeckt, der den Widerstand 57' bildet. Das an-

nungsabfalls wird über einen Widerstand 63 α und dere Ende des Widerstandes 57' ist von einer Verlän-

einen Kondensator 65 dem iuideren Schalterelement- 30 gerung 78 b der Schicht 78 aus leitfähigem Material

paar zugeführt, und diese werden, wenn sie sich be- überdeckt. Die Verlängerung 75 α der Schicht 75'

reits in ihrem Zustand niedrigen Widerstandes befin- aus leitfähigem Material überdeckt auch ein Ende

den, auf ihren Zustand hohen Widerstandes umge- eines schmalen zickzackförmigen Auftrages aus

schaltet. Die leitfähigen Zustände der beiden Schalt- Widerstandsmaterial, das den Widerstand 59' bildet,

elementpaare können auf diese Weise vertauscht 35 Das andere Ende des Widerstandes 59' ist von der

werden, indem eine Auslösespannung an die Signal- Schicht 72' aus leitfähigem Material überdeckt,

eingangsklemme 60 bzw. 60' angelegt wird, die dem- Die Schicht 75' aus leitfähigem Material, die die

jenigen paar zugeordnet ist, die sich in einem gegebe- untere Elektrode des Schalterelements 6 a bildet, hat

nen Augenblick im Zustand hohen Widerstandes be- eine Verlängerung 75 b\ die über einer, das Dielek-

finden. 40 trikum des Kondensators 65 bildenden Schicht 80

Fig. 12 zeigt die Bauelemente der Schaltung, die aus isolierfähigem Material liegt und eine der Platten in F i g. 11 von einer unterbrochenen Linie 68 um- dieses Kondensators bildet. Die Schicht 80 aus isoschlossen sind, und zwar sämtliche Schaltungsteile lierfähigem Material ist über einer die Bodenplatte mit Ausnahme des Ein- und Ausschalters 65 und der des Kondensators 65 bildenden Verlängerung 82 a Gleichspannungsquelle 63, als Filmaufträge auf 45 einer auf dem isolierfähigen Trägerkörper 70 aufgeeinem isolierfähigen Trägelkörper 70. Die Abmes- tragenen Schicht 82 aus hochleitfähigem Material sungen der durch All-Film-Technik erzeugten Schal- aufgetragen, die über dem anderen Ende der Schicht tungsind in Fig. 12 stark vergrößert dargestellt. aus Widerstandsmaterial liegt, die den Widerstand

Die Abmessungen des isolierfähigen Trägerkörpers 63 a bildet. Die gegenüberliegenden Enden der 70 betragen z. B. ca. 12,7 mim im Quadrat oder went- 50 Schicht des Widerstandsmaterials, das den Widerger. Die verschiedenen als Filme aufgetragenen stand 57' bildet, werden von Teilen der Schicht 75' Schaltungsteile sind in der Darstellung der Fig. 12 bzw. der Schicht 78 aus leitfähigem Material übermit den gleichen Bezugszeichen wie in F i g. 11 be- deckt. Die unteren Elektroden der Schalterelemente zeichnet. Jedes der Schalterelemente 6 a, 6 b, 6 a' 6 b, 6 b' sind von einer Verlängerung 84 a dei und 6 b' kann eine Reihe von Schichten aus Leiter- 55 Schicht 84 aus hochleitfähigem Material gebildet, die und Halbleitermaterialien sein, die im wesentlichen auf dem Trägerkörper 70 aufgetragen ist. Die gegendenen des Schalterelements 6 in Fig.8 bis 10 gleich überliegenden Enden eines schmalen zickzackförmisind. Die obere Elektrode der Schalterelemente 6 a, gen Auftrages aus Widerstandsmaterial, das der 66 ist durch eine Verlängerung 72 a' der Schicht 72 Widerstand 61' bildet, sind von der Schicht 84 bzw aus hochleitfähigem Materini gebildet, die auch die 60 der Schicht 72' aus leitfähigem Material, wie darge· Schalterclemente 6 a, 6 6 in Reihe miteinander ver- stellt, überdeckt. In ähnlicher Weise liegen über den bindet. Die Schicht 72 aus leitfähigem Material hat Ende des zickzackförmigen Auftrages aus Wider eine Weitere Verlängerung 726, die die genannte Si- !Standsmaterial, das den Widerstand 61 bildet, Teilt gnaleingangsklemme 60 bilden kann. Eine Schicht der Schicht 72 bzw. 84 aus leitfähigem Material.
72' aus hochleitfähigem Material mit einer inneren 6s Gemäß Fig. 11 können die Eingangsklemmen 58 Verlängerung 72 a' bildet die äußeren Schalterele- 55 für die Erregerspannung von einem beliebigen Tei mentelektroden und verbindet diese Elemente in der Schichten 78, 84 aus leitfähigem Material gebil Reihe miteinander. Eine äußere Verlängerung 726' det sein, an denen Außenleiter in bequemer Weisi

Ao

angeschlossen werden können. Die Ausgangsklemmen 6t bzw. Gl' können von einem beliebigen Teil der Schichten 75, 75' aus leitfähigem Material gebildet sein, an die Außenleitungen bequem angeschlossen werden können.

Gemäß Fig. 13 und 14 nimmt der y-Leiter einen Filmauftrag oder eine Schicht 90 des bistabilen Schalterelements aus Halbleitermaterial auf. Darüber ist eine Isolierschicht 91 mit einem Loch aufgetragen, und diese umgibt oder verdeckt vorzugsweise drei Seiten der Schaltcrelementeschicht 90 mit Ausnahme des Bereiches des Loches. Über der Isolierschicht 91 ist ein weiterer Film oder eine Schicht eines Halbleitermaterials des monostabilen Schalterelements 92 aufgetragen, und Teile dieser Schicht er-

strecken sich durch das Loch in die Isolierschicht 91 hinein bis zur Berührung mit der erstgenannten Schalterelementschicht 90, Dann wird der A'-Leiter in Berührung mit der monostabilen Schalterelemen-

teschicht 92 aufgetragen, wodurch die Schaltung an dem Kreuzungspunkt der X- und y-Achsenleiter fertiggestellt wird. Die gesamte Schaltmatrix kann auf diese Weise aufgebaut sein.

Aus der obigen Beschreibung geht hervor, daß die

ίο Erfindung den Aufbau vollständiger Schaltung durch einfaches Anbringen von Filmaufträgen auf einer Seite eines Trägerkörpers aus isolierfähigem Material ermöglicht, so daß komplette Schaltungen in einfacher Weise billig durch automatische Maschinen der

Massenproduktion herstellbar sind.

Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

Claims (9)

1. Patentansprüche;

   Ϊ. Elektrische Speichermatrix in Kompaktbauweise mit einem isolierenden TrBgerkörper, mit «iner Gruppe von in Reihen ungeordneten X-t&xlern, mit einer Gruppe von in Spalten angeordneten Y-Leitern, wobei mindestens eine dieser Gruppen auf der einen Seite des Trägerkörpers ingeordnet ist, mit scbichtförmigen, im Bereich w der Kreuzungsstellen der Leiter angeordneten, zur Speicherung dienenden, haJbleitenden, bistabilen Schalterelementen, die bei Überschreiten einer Schwellenspannung vom Zustand hohen elektrischen Widerstands plötzlich in den Zustand niedrigen elektrischen Widerstands umschalten und durch einen Stromimpuls wieder in den Zustand hohen elektrischen Widerstands zurückschalten, und mit jeweils in Reihe zu den bistabilen Schaltelementen geschalteten, halbleitenden Trew^elementen, die ihrerseits mit den Leitern der anderen Gruppe in Verbindung stehen, dadurch gekennzeichnet, daß die Trennelemente monostabile, bidirektionale Schalterelemente (6; 49'; 92) sind, die bei Überschreiten einer Schwellenspannung vom Zustand hohen elektrischen Widerstands plötzlich in den Zustand niedrigen elektrischen Widerstands umschalten und bei Unterschreiten eines im Leiterzustand fließenden Schwellenstromes in den Zustand hol ^n elektrischen Widerstands zurückfallen, und daß diese Trennelemente ebenfalls schichtfönnig ausgebildet: Ind.
2. 2. Speichermatrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jedes iaonostabile Schalterelement (49', 92) eine auf dem Trägerkörper (42) abgeschiedene bzw. niedergeschlagene Halbleiterschicht ist.
3. 3. Speichermatrix nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch die Vereinigung mit einer Einstellrichtung (8, 10), die an ausgewählte Kreuzungsstellen eine Einstellspannung legt, die sowohl das betreffende zum Speichern dienende bistabile Schaltercletnent (4) als auch das betreffende monostabile Schalterelement (6) in den Leiterzustand umschaltet, mit einer Löscheinrichtung (8', 10'), die an ausgewählte Kreuzungsstellen eine Löschspannung legt, die das betreffende monostabile Schalterelement (6) im Leitzustand des zugehörigen bistabilen Schalterelements (4) in den Leitzustand umschaltet und diesem einen Löschstromimpuls als Rückschaltsignal zuführt, und mit einer Leseeinrichtung (8", 10"), die an ausgewählte Kreu-Eungsstellen eine Lesespannung legt, die die Schwellenspannung des betreffenden monostabilen Schalterelements (6) überschreitet, jedoch nur so groß ist, daß dieses nur dann in seinen Leiterzustand umschaltet, wenn sich das zugehörige bistabile Schalterelement (4) im Leitzustand befindet, um einen anderen Stromfluß als den Löschstromimpuls zu erzeugen.
4. 4. Speichermatrix nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicher-Halbleiterschicht (90) jeweils mit der entsprechenden Kreuzungsstelle fluchtend und von den entsprechenden Halbleiterschichten anderer Kreuzungsstellen getrennt angeordnet ist.
5. 5. Speichermatrix nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die bistabilen Scha tereemente (90) und die monostabil Schalterelemente (92) scnichtförmig übereinander angeordnet sind. , ,
6. 6. Speichermatrix nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die monostabilen Schaltereleroente (6) und die Spaltenleiter (Y) eine Baueinheit mit dem Trägerkörper (42) bilden und die bistabilen Schalterelememe (4) und Zeilenleüer (X) über den Spaltenleitem (Y) niedergeschlagen sind.
7. 7. SpHcbermatrix nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die bistabilen Scbalterelemente (49) und die monostabilen Schalterelemente (49') jeder Kreuzungsstelle in deren Nachbarschaft, jedoch im Abstand von ihr, angeordnet sind.
8. 8. Speichermatrix nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Spaltenleiter (Y) unmittelbar auf dem Trägerkörper (42) und die Zeilenleiter (X) ebenfalls unmittelbar auf dem Trägerkörper (42) an den Kreuzungsstellen mit den Spaltenleitem (Y), jedoch unter Einfügung einer Isolierschicht (44) zwischen den sich überkreuzenden Leitern aufgetragen sind, daß jeweils über den Spaltenleitem (Y) die mi>nostabilen Schalterelemente (6) und über den Zeilenleitern (X) die bistabilen Schalterelemente (4) angeordnet und die Leiter an jenen Stellen teilweise von einer Isolierschicht (46, 46') abgedeckt sind, und daß über den zugeordneten bistabilen Schalterelementen (4) und moiiostabilen Schalterelementen (6) sowie Isolierschichten (46, 46^ beide Elemente verbindende Kopplungsleiter (50) angeordnet sind.
9. 9. Speichermatrix nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiter an den mit einem monostabilen Schalterelement (6) bzw. bistabilen Schalterelement (4) versehenen Stellen jeweils mit einer Isolierschicht (46, 46'; 91) abgedeckt sind, die ein Loch (48, 48') aufweist, durch das die betreffenden Halbleiterschichten bis zu den betreffenden Leitern hindurchreichen.