DE10297653T5 - Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbauteils zur Prüfung einer elektrischen Vorrichtung und ein elektrisches Kontaktbauteil - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbauteils zur Prüfung einer elektrischen Vorrichtung und ein elektrisches Kontaktbauteil Download PDF

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Abstract

Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils, wobei Folgendes ausgeführt wird:
Festlegen eines Grabens auf einem Opfersubstrat zur Bildung eines Spitzenabschnitts, Bilden einer Schutzfilmschablone in einer solchen Weise, dass die Schutzfilmschablone einen geöffneten Bereich abgrenzt, in welchem ein Trägerabschnitt bildbar ist und welcher mit dem Graben kommuniziert, Einfüllen eines leitfähigen Werkstoffs in den geöffneten Bereich, und Entfernen des Opfersubstrats und der Schutzfilmschablone zum Bilden des elektrischen Kontaktbauteils mit dem Spitzenabschnitt und dem Trägerabschnitt, wobei das Verfahren den folgenden Verfahrensschritt aufweist:
Ein- oder mehrmaliges Durchführen von anisotropen Ätzen in dem Graben nach Festlegen des Grabens, so dass eine Tiefe des Grabens vergrößert und eine innere Fläche des Grabens gerundet wird.

Description

  • TECHNISCHER BEREICH
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbauteils, welches zum Prüfen einer elektronischen Vorrichtung beziehungsweise eines elektronischen Bausteins verwendet wird, und ein dabei hergestelltes elektrisches Kontaktbauteil, und insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung ein elektrisches Kontaktbauteil, welches zur elektrischen Prüfung einer elektronischen Vorrichtung geeignet ist, indem es mit der elektronischen Vorrichtung in Kontakt gebracht wird, um zu prüfen, ob sich die elektronische Vorrichtung in einem normalen Zustand befindet oder nicht, und ein dadurch hergestelltes elektrisches Kontaktbauteil.
  • Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbauteils, welches zur elektrischen Prüfung einer elektronischen Vorrichtung geeignet ist, indem es in seiner physikalischen Kraft auf Grund des Vorhandenseins einer Armstütze verstärkt ist, um zu prüfen, ob sich die elektronische Vorrichtung in einem normalen Zustand befindet oder nicht, und ein dadurch hergestelltes elektrisches Kontaktbauteil.
  • STAND DER TECHNIK
  • Im Allgemeinen wird ein Halbleiterchip auf einem Halbleitersubstrat realisiert, indem eine Folge von Halbleiterherstellungsvorgängen mit einem Oxidationsprozess, einem Diffusionsprozess, einem Ionen-Implantationsprozess, einem Ätzprozess, einem Metallisierungsprozess und so weiter durchgeführt wird. Die auf Halbleitersubstraten gefertigten Chips werden durch ein elektrisches Sortieren, ein so genanntes Electrical Die Sorting (EDS), in normale beziehungsweise Normalwerte aufweisende und fehlerhafte sortiert. Darauf werden nur die normalen Chips den Schneide- und Weiterverarbeitungsprozessen unterzogen.
  • Im Zeitpunkt der EDS-Prüfung wird ein elektrisches Kontaktbauteil, beispielsweise eine Prüfkarte beziehungsweise eine Karte mit Prüfsonden, mit einem Kontaktfeld eines Halbleiterchips in Kontakt gebracht, um darauf ein elektrisches Signal aufzubringen, und dann ist es möglich, durch Abtasten eines auf das aufgebrachte elektrische Signal reagierenden elektrischen Signals zu prüfen, ob sich der Chip in einem funktionsfähigen Normalzustand befindet oder nicht.
  • Auch im Fall einer Flachfeldanzeigevorrichtung, wie beispielsweise eine Flüssigkristallanzeige (LCD = Liquid Crystal Display), die durch Ausführung einer Folge von Fertigungsprozessen für eine Flachfeldanzeigevorrichtung hergestellt worden ist, wird ein elektrisches Kontaktbauteil mit einem vorher ausgewählten Abschnitt der flachen Anzeigefeldeinrichtung zum Aufbringen eines elektrischen Signals in Kontakt gebracht, und dann wird durch Abtasten eines auf das aufgebrachte elektrische Signal reagierenden elektrischen Signals nachgewiesen, ob sich die LCD-Anzeige in einem funktionsfähigen Normalzustand befindet oder nicht.
  • Zur Zeit sind Forschungen und Entwicklungen mit Anstrengung durchgeführt worden, um sicherzustellen, dass das zur Prüfung des Normalzustands eines Halbleiterchips oder einer Flachfeldanzeige, wie beispielsweise eine LCD oder dergleichen, verwendete elektrische Kontaktbauteil dem gegenwärtigen Trend zu Präzisionsabmessungen in einer hochintegrierten Halbleitervorrichtung, wie zum Beispiel ein 1 G-DRAM, entspricht, dass es eine hohe Ansprechgeschwindigkeit zur Verwendung in einem hohen Frequenzband aufweist, dass es eine ausreichende Festigkeit besitzt, um nicht durch wiederholten Kontakt zu verschleißen, dass es einen vorher festgelegten Kontaktwiderstand für eine hervorragende elektrische Leitfähigkeit beibehält, und dass es eine ausreichende Übersteuerungseigenschaft (OD = Over-Drive) aufweist.
  • Insbesondere sind Forschungen und Entwicklungen mit Anstrengung durchgeführt worden, um sicherzustellen, dass die Erzeugung von Partikeln auf dem elektrischen Kontaktbauteil minimiert wird, während das elektrischen Kontaktbauteil wiederholt mit der hochintegrierten Halbleitervorrichtung in Kontakt gebracht wird, dass das elektrische Kontaktbauteil eine hervorragende elektrische Leitfähigkeit aufweist, und dass Spitzenabschnitte einer Vielzahl von elektrischen Kontaktbauuteilen mit einer Kontaktfläche beziehungsweise mit Kontaktflächen des Halbleiterchips gleichzeitig in Kontakt gebracht werden können, um eine Übersteuerungsanordnung ausreichend zu erfüllen.
  • Wie in 1 dargestellt ist, ist bei dem herkömmlichen elektrischen Kontaktbauteil ein Anschluss eines elektronischen Bauteils 10, beispielsweise eine gedruckte Schaltungsplatte (PCB) mit einem darauf gebildeten, vorher festgelegten Schaltungsaufbau und dergleichen, mit einem Pfostenabschnitt 12 verbunden. Der Pfostenabschnitt 12 ist mit einem Trägerabschnitt 14 verbunden, und der Trägerarm 14 steht seinerseits mit einem Spitzenabschnitt 16 in Verbindung.
  • Derzeit sind der Pfostenabschnitt 12, der Trägerabschnitt 14 und der Spitzenabschnitt 16 individuell vorgesehen und untereinander mittels Klebstoff verbunden. Der Trägerarm 14 weist einen stangenförmigen Aufbau mit einer konstanten Breite auf.
  • Insbesondere weist der Spitzenabschnitt 16 einen vierflächigen beziehungsweise mit vier Kanten versehenen pyramidenförmigen Aufbau mit einem distalen beziehungsweise vorderen spitzen Ende auf.
  • So wird der Spitzenabschnitt 16 des elektrischen Kontaktbauteils wiederholt durch eine konstante physikalische Kraft F mit einer Kontaktfläche eines Halbleiterchips in Kontakt gebracht, während er eine gewünschte OD-Eigenschaft aufweist, um ein konstantes elektrisches Signal auf den Halbleiterchip aufzubringen und dadurch nachzuweisen, ob der Halbleiterchip in einem funktionsfähigen Normalzustand ist oder nicht.
  • Ein Problem des herkömmlichen elektrischen Kontaktbauteils besteht jedoch darin, dass beim wiederholten Inkontaktbringen des Spitzenabschnitts des elektrischen Kontaktbauteils durch eine konstante physikalische Kraft F mit der Kontaktfläche eines Halbleiterchips der Spitzenabschnitt einen auf der Kontaktfläche gebildeten Oxidfilm wahrscheinlich durchbohrt und die Kontaktfläche beschädigt, wodurch bei der Durchführung nachfolgender Halbleiterherstellungsprozesse, wie zum Beispiel Bonden von Draht und dergleichen, ein defekter Anteil nur vergrößert wird.
  • Außerdem neigt der Spitzenabschnitt zu Verschleiß beim Inkontaktbringen mit der Kontaktfläche des Halbleiterchips auf Grund der Tatsache, dass der Spitzenabschnitt des herkömmlichen elektrischen Kontaktbauteils mehrfach an seiner Seite mit Kanten versehen ist und selbst Partikel erzeugt, die den hochintegrierten Halbleiterchip kontaminieren.
  • Da auch der Spitzenabschnitt des elektrischen Kontaktbauteils das distale Ende mit Spitze aufweist, kann ein Kontaktbereich zwischen dem Spitzenabschnitt und der Kontaktfläche des Halbleiterchips nur vermindert werden, und dabei wird die elektrische Leitfähigkeit reduziert.
  • Während das elektrische Kontaktbauteil mit der Kontaktfläche des Halbleiterchips durch eine konstante physikalische Kraft F in Kontakt gebracht werden muss, um die gewünschte OD-Eigenschaft zu gewährleisten, ist es außerdem schwierig, die OD-Eigenschaft geeignet einzustellen, da der Spitzenabschnitt eine kurze Länge aufweist.
  • Während die Vielzahl von elektrischen Kontaktbauteilen auf einer Prüfkarte vorgesehen und zur Bildung einer vorher festgelegten Kontour angeordnet sind, bedeutet dies, da der Spitzenabschnitt des elektrischen Kontaktbauteils eine kurze Länge aufweist, dass es schwierig ist, eine geeignete Höhe der Vielzahl von elektrischen Kontaktbauteilen zur Erlangung der gewünschten OD-Eigenschaft einzustellen.
  • Die oben beschriebenen Probleme können auch durch die Entwicklung in Aufbau oder in Konfiguration des Spitzenabschnitts hervorgerufen werden.
  • Es wurden nämlich Spitzenabschnitte, die anfänglich eine Konfiguration aus nadelförmigem Wolfram aufwiesen, zu einer V-förmigen oder zu einer pyramidenförmigen Konfiguration entwickelt. Der pyramidenförmige Spitzenabschnitt wurde zu einer Pyramidenstumpfform weiterentwickelt.
  • Der nadelförmige Spitzenabschnitt aus Wolfram weist einen Nachteil auf, der darin besteht, dass Reproduzierbarkeit und Produktivität des Spitzenabschnitts verschlechtert sind, da beim Anspitzen des distalen Endes des Spitzenabschnitts die Ausführung des Anspitzens des distalen Endes manuell erfolgt. Auch auf Grund der Tatsache, dass die Spitzenabschnitte mit Pyramidenform und Pyramidenstumpfform winklige Kanten aufweisen, neigen die Spitzenabschnitte beim wiederholten Inkontaktbringen mit Kontaktflächen von Halbleitervorrichtungen zu Verschleiß an den Kanten. Daher ist es notwendig, die Schärfe der Kanten zu verringern oder zu entfernen.
  • Wenn, wie schon vorher oben erwähnt, wiederholtes Durchführen der Prüfung für die Vielzahl von elektronischen Vorrichtungen erfolgt, ist es auf Grund des Vorhandenseins von erzeugten Partikeln auf den spitzen distalen Enden und Kanten der Spitzenabschnitte folglich notwendig, die Spitzenabschnitte regelmäßig zu waschen, woraus sich ergibt, dass die Prüfung nicht in einer schnellen und fortlaufenden Art und Weise durchgeführt werden kann.
  • Weiterhin sind die gegenwärtig entwickelten integrierten elektronischen Vorrichtungen in hochfrequenter Bauart bedeutend durch Störungen beeinflusst, und da der Spitzenabschnitt verschleißt, kann ein Kontaktpunkt nicht gleichmäßig gebildet werden, wodurch die Zuverlässigkeit der Prüfung nur verschlechtert wird.
  • Aus diesem Grund ist es erforderlich, die Prüfung innerhalb eines kurzen Zeitabschnitts durchzuführen, um die Produktivität zu erhöhen.
  • Da der Trägerabschnitt die stangenförmige Konfiguration aufweist, kann er dem gegenwärtigen Trend zu einer hohen Präzision in einer hochintegrierten Halbleitervorrichtung nicht geeignet entsprechen. Auch wenn das elektrische Kontaktbauteil mit der Kontaktfläche des Halbleiterchips durch die konstante Kraft F in Kontakt gebracht wird, erfolgt eine Beanspruchung konzentriert auf einen bestimmter Punkt auf dem Trägerabschnitt, und der Trägerabschnitt neigt zum Bruch.
  • Wenn das elektrische Kontaktbauteil mit der Kontaktfläche des Halbleiterchips durch die konstante Kraft F in Kontakt gebracht wird, wird auf Grund eines kleinen Verbindungsbereichs zwischen dem Trägerabschnitt und dem Spitzenabschnitt eine Beanspruchung auf den Verbindungsbereich konzentriert, und der Spitzenabschnitt neigt zum Bruch.
  • Während es weiterhin notwendig ist, die auf den Spitzenabschnitt aufgebrachte konstante physikalische Kraft F in herkömmlichen Prüfvorrichtungen für elektronische Vorrichtungen in dem Ausmaß zu erhöhen, dass die gewünschte OD-Eigenschaft gewährleistet wird und der auf der Kontaktfläche des Halbleiterchips gebildete Oxidfilm durchbohrt werden kann, wird ein Problem hervorgebracht, das auf verschiedene negative Faktoren zurückzuführen ist, die das herkömmliche elektrische Kontaktbauteil aufweist.
  • Konkret bedeutet das Folgendes: Während eine Länge des Trägerabschnitts zur Erhöhung der konstanten physikalischen Kraft F gekürzt werden sollte, ist es schwierig, die gewünschte OD-Eigenschaft zu erreichen, wenn die Länge des Trägerabschnitts gekürzt ist, und auf den Trägerabschnitt wird lokal eine übermäßige Belastung aufgebracht, wodurch der Trägerabschnitt zum Brechen neigt.
  • Auch wenn es erforderlich ist, dass der Trägerabschnitt eine vorher festgelegte Elastizität aufweist, wird die Elastizität des Trägerabschnitts vermindert, da die Länge Trägerabschnitts gekürzt ist.
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • Dementsprechend wurde die Erfindung zur Lösung der im Stand der Technik auftretenden Probleme gemacht, und eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbauteils zu schaffen, welches zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendet wird, und welches das Problem des herkömmlichen Standes der Technik aufheben kann, das darin besteht, dass ein Spitzenabschnitt verschleißt und selbst Partikel erzeugt, weil der Spitzenabschnitt des herkömmlichen elektrischen Kontaktbauteils mehrfach an seiner Seite Kanten aufweist, während der Spitzenabschnitt mit einer Kontaktfläche eines Halbleiterchips in Kontakt gebracht wird, sowie ein dadurch hergestelltes elektrisches Kontaktbauteil zu schaffen.
  • Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbauteils zu schaffen, welches zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendet wird, und welches das Problem des herkömmlichen Standes der Technik aufheben kann, das darin besteht, dass sich elektrische Leitfähigkeit verschlechtert, weil ein Spitzenabschnitt des herkömmlichen elektrischen Kontaktbauteils ein spitzes distales Ende aufweist, sowie ein dadurch hergestelltes elektrisches Kontaktbauteil zu schaffen.
  • Eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbauteils zu schaffen, welches zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendet wird, und welches das Problem des herkömmlichen Standes der Technik aufheben kann, das darin besteht, dass ein Spitzenabschnitt einen auf der Kontaktfläche gebildeten Oxidfilm durchbohrt und die Kontaktfläche beschädigt, da der Spitzenabschnitt des herkömmlichen elektrischen Kontaktbauteils ein spitzes distales Ende aufweist, während der Spitzenabschnitt wiederholt durch eine konstante physikalische Kraft mit einer Kontaktfläche eines Halbleiterchips in Kontakt gebracht wird, und dass ein defekter Anteil vergrößert wird, wenn nachfolgende Halbleiterherstellungsprozesse, zum Beispiel ein Bondingverfahren für Draht und dergleichen, durchgeführt werden, sowie ein dadurch hergestelltes elektrisches Kontaktbauteil zu schaffen.
  • Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbauteils zu schaffen, welches zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendet wird, bei welchem eine Länge eines Spitzenabschnitts zur Ermöglichung eines leichten Erreichens einer gewünschten OD-Eigenschaft vergrößert wird, sowie ein dadurch hergestelltes elektrisches Kontaktbauteil zu schaffen.
  • Eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbauteils zu schaffen, welches zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendet wird, welches dem gegenwärtigen Trend zu einer in einer elektronischen Vorrichtung beziehungsweise Bauelement, beispielsweise ein hochintegrierter Halbleiterchip, geforderten hohen Präzision in geeigneter Weise entspricht, sowie ein dadurch hergestelltes elektrisches Kontaktbauteil zu schaffen.
  • Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbauteils zu schaffen, welches zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendet wird, welches das Problem des Standes der Technik überwindet, das darin besteht, dass sich Belastung auf einen bestimmten Punkt des Trägerabschnitts konzentriert, während ein Spitzenabschnitt des herkömmlichen elektrischen Kontaktbauteils durch eine konstante physikalische Kraft mit einer Kontaktfläche eines Halbleiterchips wiederholt in Kontakt gebracht wird, und der Trägerabschnitt gebrochen ist, sowie ein dadurch hergestelltes elektrisches Kontaktbauteil zu schaffen.
  • Eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbauteils zu schaffen, welches zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendet wird, welches das Problem des Standes der Technik überwindet, das darin besteht, dass auf Grund eines kleinen Verbindungsbereichs zwischen einem Trägerabschnitt und einem Spitzenabschnitt des herkömmlichen elektrischen Kontaktbauteils eine Belastung auf den kleinen Verbindungsbereich konzentriert ist, wenn das elektrische Kontaktbauteil durch eine konstante physikalische Kraft mit einer Kontaktfläche eines Halbleiterchips in Kontakt gebracht wird, und der Trägerabschnitt gebrochen ist, sowie ein dadurch hergestelltes elektrisches Kontaktbauteil zu schaffen.
  • Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbauteils zu schaffen, welches zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendet wird, welches eine verbesserte Reproduzierbarkeit in Bezug auf einen Trägerabschnitt und eine Spitzenabschnitt davon aufweist, sowie ein dadurch hergestelltes elektrisches Kontaktbauteil zu schaffen.
  • Es ist noch eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbauteils zu schaffen, welches zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendet wird, welches Schaden durch Partikel und Kratzer minimiert, die auf einer Kontaktfläche einer Vorrichtung beziehungsweise eines Bauelements gebildet sind, und welches einen Spitzenabschnitt eines vergrößerten Kontaktbereichs aufweist, wodurch die Produktivität gesteigert wird, sowie ein dadurch hergestelltes elektrisches Kontaktbauteil zu schaffen.
  • Noch eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbauteils zu schaffen, welches zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendet wird, welches eine elektronische Vorrichtung elektrisch prüfen kann, indem es in seiner physikalischen Kraft auf Grund des Vorhandenseins einer Armstütze verstärkt ist, um zu prüfen, ob sich die elektronische Vorrichtung in einem Normalzustand befindet oder nicht, sowie ein dadurch hergestelltes elektrisches Kontaktbauteil zu schaffen.
  • Um die obigen Aufgaben zu lösen ist gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils vorgesehen, wobei Folgendes ausgeführt wird: Festlegen eines Grabens auf einem Opfersubstrat zur Bildung eines Spitzenabschnitts, Bilden einer Schutzfilmschablone in einer solchen Weise, dass die Schutzfilmschablone einen geöffneten Bereich abgrenzt, in welchem ein Trägerabschnitt bildbar ist und welcher mit dem Graben kommuniziert, Einfüllen eines leitfähigen Werkstoffs in den geöffneten Bereich, und Entfernen des Opfersubstrats und der Schutzfilmschablone zum Bilden des elektrischen Kontaktbauteils mit dem Spitzenabschnitt und dem Trägerabschnitt, wobei das Verfahren den folgenden Verfahrensschritt aufweist: Ein- oder mehrmaliges Durchführen von anisotropen Ätzen in dem Graben nach Festlegen des Grabens, so dass eine Tiefe des Grabens vergrößert und eine innere Fläche des Grabens gerundet wird.
  • Gemäß einer weiteren Ausführung der vorliegenden Erfindung wird der Verfahrensschritt des ein- oder mehrmaligen Durchführens von anisotropen Ätzen in dem Graben, so dass eine Tiefe des Grabens vergrößert und eine innere Fläche des Grabens gerundet wird, durch einen reaktiven Ionenätzprozess (RIE) ausgeführt.
  • Gemäß einer anderen Ausführung der vorliegenden Erfindung weist der Trägerabschnitt eine vielstufige Konfiguration auf, welche Folgendes aufweist: einen mit dem Spitzenabschnitt verbundenen stangenförmigen ersten Abschnitt, einen mit dem ersten Abschnitt verbundenen stangenförmigen zweiten Abschnitt, der eine größere Breite als der erste Abschnitt aufweist, und einen mit dem zweiten Abschnitt verbundenen stangenförmigen dritten Abschnitt, der eine größere Breite als der zweite Abschnitt aufweist. Alternativ weist der Trägerabschnitt eine Zickzack-Konfiguration mit Folgendem auf: einen mit dem Spitzenabschnitt verbundenen stangenförmigen ersten Abschnitt, einen mit dem ersten Abschnitt verbundenen zickzackförmigen zweiten Abschnitt, der ein- oder mehrfach zickzackförmig ausgebildet ist, und einen mit dem zweiten Abschnitt verbundenen stangenförmigen dritten Abschnitt.
  • Gemäß einer weiteren Ausführung der vorliegenden Erfindung weist ein distales Ende des Spitzenabschnitts eine Konfiguration in einer polygonalen Pyramidenstumpfgestalt oder in einer Kegelstumpfgestalt mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche auf. Alternativ weist ein distales Ende des Spitzenabschnitts eine Konfiguration in Säulenform mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche auf, und um ein proximales Ende des Spitzenabschnitts herum ist ein Vorsprung gebildet.
  • Gemäß einer weiteren Ausführung der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils geschaffen, wobei Folgendes ausgeführt wird: Festlegen eines Grabens auf einem Opfersubstrat zur Bildung eines Spitzenabschnitts, Bilden einer Schutzfilmschablone in einer solchen Weise, dass die Schutzfilmschablone einen ersten geöffneten Bereich abgrenzt, in welchem ein Trägerabschnitt bildbar ist und welcher mit dem Graben kommuniziert, Einfüllen eines leitfähigen Werkstoffs in den ersten geöffneten Bereich, und Entfernen des Opfersubstrats und der Schutzfilmschablone zum Bilden des elektrischen Kontaktbauteils mit dem Spitzenabschnitt und dem Trägerabschnitt, wobei das Verfahren die folgenden Verfahrensschritte aufweist: Ein- oder mehrmaliges Durchführen von anisotropen Ätzen in dem Graben nach Festlegen des Grabens dergestalt, dass eine Tiefe des Grabens vergrößert und eine innere Fläche des Grabens gerundet wird, Einfüllen des leitfähigen Werkstoffs in den ersten geöffneten Bereich von einer vorher festgelegten Dicke, die auf dem Opfersubstrat durch die erste Schutzschicht begrenzt ist, um den Spitzenabschnitt und den Trägerabschnitt zu bilden, und danach Glätten einer oberen Fläche eines daraus sich ergebenden ersten Produkts; Bilden einer zweiten Schutzfilmschablone auf dem ersten sich ergebenden Produkt, welches dem Verfahrensschritt Glätten unterzogen wurde, in einer solchen Weise, dass die zweite Schutzfilmschablone einen zweiten geöffneten Bereich abgrenzt, in welchem eine Armstütze bildbar ist, angrenzend an den Graben, in dem der Spitzenabschnitt bildbar ist; Einfüllen des leitfähigen Werkstoffs in den zweiten geöffneten Bereich in einer vorher festgelegten Dicke, die auf dem ersten sich ergebenden Produkt durch die zweite Schutzschicht begrenzt wird, um die Armstütze zu bilden, und danach Glätten einer oberen Fläche eines daraus sich ergebenden zweiten Produkts; und Entfernen der zweiten Schutzfilmschablone, der ersten Schutzfilmschablone und des Opfersubstrats, um das elektrische Kontaktbauteil mit dem Spitzenabschnitt, dem Trägerabschnitt und der Armstütze zu vervollständigen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführung der vorliegenden Erfindung weist ein distales Ende des Spitzenabschnitts eine Konfiguration einer polygonalen Pyramidenstumpfgestalt, einer Kegelstumpfgestalt oder einer Säulenform mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche auf, und um ein proximales Ende des Spitzenabschnitts herum ist ein Vorsprung gebildet.
  • Gemäß einer anderen Ausführung der vorliegenden Erfindung ist ein zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendetes elektrisches Kontaktbauteil vorgesehen, welches Folgendes aufweist: einen Trägerabschnitt mit einer vielstufigen Konfiguration mit einem ersten stangenförmigen Abschnitt, einem mit dem ersten Abschnitt verbundenen stangenförmigen zweiten Abschnitt, der eine größere Breite als der erste Abschnitt aufweist, und mit einem dritten stangenförmigen Abschnitt, der mit seinem einen Ende mit dem zweiten Abschnitt verbunden ist und eine größere Breite als der zweite Abschnitt aufweist, wobei der dritte Abschnitt mit seinem anderen Ende mit einer elektronischen Vorrichtung über einen Vorsprung beziehungsweise eine Erhebung verbunden ist; einen Graben, der auf einem Opfersubstrat an einer zu einem freien Ende des ersten Abschnitts des Trägerabschnitts korrespondierenden Stelle durch einen ersten isotropischen Ätzprozess unter Verwendung einer ersten Schutzfilmschablone als Ätzmaske gebildet ist, wobei der Ätzprozess ein- oder mehrmalig in einer solchen Weise ausgeführt ist, dass eine Bodenfläche des Grabens gerundet ist; und einen Spitzenabschnitt, der nach dem Entfernen der ersten Schutzfilmschablone wie folgt gebildet ist: Aufbringen einer zweiten Schutzfilmschablone auf dem Opfersubstrat, Einfüllen eines leitfähigen Werkstoffs in den Graben, Glätten einer oberen Fläche auf einem sich ergebenden Produkt, Entfernen des Opfersubstrats und der zweiten Schutzfilmschablone durch Nassätzen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführung der vorliegenden Erfindung ist ein zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendetes elektrisches Kontaktbauteil vorgesehen, welches Folgendes aufweist: einen Trägerabschnitt mit einer Zickzack-Konfiguration mit einem ersten stangenförmigen Abschnitt, der mit einer elektronischen Komponente über einen Vorsprung verbunden ist, einem mit dem ersten Abschnitt verbundenen zweiten zickzackförmigen Abschnitt, der ein- oder mehrmals zickzackförmig ausgebildet ist, und mit einem mit dem zweiten Abschnitt verbundenen dritten stangenförmigen Abschnitt; einen Graben, der auf einem Opfersubstrat an einer zu einem freien Ende des dritten Abschnitts des Trägerabschnitts korrespondierenden Stelle durch einen ersten isotropischen Ätzprozess unter Verwendung einer ersten Schutzfilmschablone als Ätzmaske gebildet ist, wobei der Ätzprozess ein- oder mehrmalig in einer solchen Weise ausgeführt ist, dass eine Bodenfläche des Grabens gerundet ist; und einen Spitzenabschnitt, der nach dem Entfernen der ersten Schutzfilmschablone wie folgt gebildet ist: Aufbringen einer zweiten Schutzfilmschablone auf dem Opfersubstrat, Einfüllen eines leitfähigen Werkstoffs in den Graben, Glätten einer oberen Fläche auf einem sich ergebenden Produkt, Entfernen des Opfersubstrats und der zweiten Schutzfilmschablone durch Nassätzen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführung der vorliegenden Erfindung weist der Graben durch ein- oder mehrmaliges Durchführen von anisotropischem Ätzen eine polygonale Pyramidenstumpfform, eine Kegelstumpfform oder einen säulenförmigen Abschnitt, mit einer geneigten Seitenfläche des Grabens auf.
  • Gemäß einer weiteren Ausführung der vorliegenden Erfindung weist ein distales Ende eine säulenförmige Konfiguration mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche auf, und erste und zweite Vorsprünge sind um ein proximales Ende des Spitzenabschnitts herum gebildet.
  • Gemäß einer weiteren Ausführung der vorliegenden Erfindung ist ein zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendetes elektrisches Kontaktbauteil vorgesehen, welches Folgendes aufweist: ein gebildetes Opfersubstrat mit einem ersten Fotoresist mit einer vorher festgelegten Dicke auf einer Oberfläche davon; einen ersten geöffneten Bereich, der durch Ausgestaltung des ersten Fotoresists gebildet ist, um darin die Bildung eines Spitzenabschnitts zu ermöglichen; einen Graben zur Ermöglichung der Bildung des Spitzenabschnitts darin durch Verwendung einer ersten Fotoresistschablone als Ätzmaske, wobei der Graben einem anisotropen Ätzprozess zur Rundung des Spitzenabschnitts unterzogen wird, und wobei die auf dem Opfersubstrat gebildete erste Fotoresistschablone durch Veraschung beziehungsweise Nasspolieren (so genanntes Ashing) entfernt wird; einen ein- oder mehrmals zickzackförmig ausgebildeten zickzackförmigen Trägerabschnitt und eine Armstütze, gebildet durch die folgenden Schritte: Einfüllen eines leitfähigen Werkstoffs für die Bildung des Spitzen- und Trägerabschnitts in einen auf dem Opfersubstrat durch eine zweite Fotoresistschablone abgegrenzten zweiten geöffneten Bereich bis zu einer vorher festgelegten Dicke und durch Ausführen einer chemischen Dampfabscheidung (CVD), physikalischen Dampfabscheidung (PVD) oder eines Galvanisierungsprozesses, Glätten einer oberen Fläche eines sich daraus ergebenden Produkts, und Entfernen der zweiten Fotoresistschablone und einer dritten Fotoresistschablone; einen auf einem Anschlusspunkt einer elektronischen Komponente gebildeten Pfostenabschnitt zum Aufweisen einer Erhebung von einer vorher festgelegten Größe; und eine Verbindungseinrichtung zur Verbindung des Pfostenabschnitts mit einem Ende des Trägerabschnitts gegenüber dem anderen Ende des Trägerabschnitts liegend, an welchem die Armstütze gebildet ist; wobei die Armstütze auf einer unteren Fläche eines zickzackförmigen Abschnitts des Trägerabschnitts gebildet ist, wenn das Opfersubstrat durch Nassätzen entfernt ist.
  • Gemäß einer weiteren Ausführung der vorliegenden Erfindung ist ein zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendetes elektrisches Kontaktbauteil vorgesehen, welches Folgendes aufweist: ein gebildetes Opfersubstrat mit einem ersten Fotoresist mit einer vorher festgelegten Dicke auf einer Oberfläche davon; einen ersten geöffneten Bereich, der durch Ausgestaltung des ersten Fotoresists gebildet ist, um darin die Bildung eines Spitzenabschnitts zu ermöglichen; einen Graben zur Ermöglichung der Bildung des Spitzenabschnitts darin durch Verwendung einer ersten Fotoresistschablone als Ätzmaske, wobei der Graben einem anisotropen Ätzprozess zur Rundung des Spitzenabschnitts unterzogen wird, und wobei die auf dem Opfersubstrat gebildete erste Fotoresistschablone durch Veraschung beziehungsweise Nasspolieren (so genanntes Ashing) entfernt wird; einen ein- oder mehrmals zickzackförmig ausgebildeten zickzackförmigen Trägerabschnitt und eine Armstütze, gebildet durch die folgenden Schritte: Einfüllen eines leitfähigen Werkstoffs für die Bildung des Spitzen- und Trägerabschnitts in einen auf dem Opfersubstrat durch eine zweite Fotoresistschablone abgegrenzten zweiten geöffneten Bereich bis zu einer vorher festgelegten Dicke und durch Ausführen einer chemischen Dampfabscheidung, physikalischen Dampfabscheidung oder eines Galvanisierungsprozesses, Glätten einer oberen Fläche eines sich daraus ergebenden Produkts, und Entfernen der zweiten Fotoresistschablone und einer dritten Fotoresistschablone; einen auf einem Anschlusspunkt einer elektronischen Komponente gebildeten Pfostenabschnitt zum Aufweisen einer Erhebung von einer vorher festgelegten Größe; und eine Verbindungseinrichtung zur Verbindung des Pfostenabschnitts mit einem Ende des Trägerabschnitts gegenüber dem anderen Ende des Trägerabschnitts liegend, auf welchem die Armstütze gebildet ist; wobei, wenn das Opfersubstrat durch Nassätzen entfernt ist, Armstützen jeweils auf einem zickzackförmigen Abschnitt des zickzackförmigen Trägerabschnitts und einer Fläche der elektronischen Komponente in einer solchen Art und Weise gebildet sind, dass die Armstützen in einem vorher festgelegten Abstand von einander entfernt angeordnet sind.
  • Gemäß einer weiteren Ausführung der vorliegenden Erfindung ist die Armstütze in dem Fall, in welchem der Trägerabschnitt mit einem ein- oder mehrmals zickzackförmig ausgebildeten zickzackförmigen Abschnitt gebildet ist, zwischen einer gewünschten Position auf dem zickzackförmigen Abschnitt und einer korrespondieren Position auf einer Fläche der elektronischen Komponente gebildet.
  • Gemäß einer noch weiteren Ausführung der vorliegenden Erfindung ist die Armstütze auf dem Trägerabschnitt gegenüberliegend dem Spitzenabschnitt gebildet.
  • Gemäß einer noch weiteren Ausführung der vorliegenden Erfindung ist die Armstütze zwischen einem Punkt, der sehr nahe an dem Spitzenabschnitt liegt, auf dem zickzackförmigen Abschnitt des Trägerabschnitts und der korrespondierenden Position auf der Fläche der elektronischen Komponente gebildet.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die obigen Aufgaben und andere Eigenschaften und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden nach der Lektüre der folgenden detaillierten Beschreibung noch verständlicher, wenn Bezugnahme auf die Zeichnungen gemacht wird, von denen:
  • 1a und 1b eine Schnittansicht und eine perspektivische Ansicht sind, die das herkömmliche zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendete elektrische Kontaktbauteil darstellen;
  • 2 bis 10 Querschnittsansichten sind, die ein Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutern;
  • 11a eine Draufsicht ist, die einen Trägerabschnitt des zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt;
  • 11 b eine Draufsicht ist, die einen anderen Trägerabschnitt des zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt;
  • 12 bis 18 Querschnittsansichten sind, die ein Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutern;
  • 19 bis 25b Querschnittsansichten sind, die ein Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutern;
  • 26 eine perspektivische Ansicht ist, die ein erstes elektrisches Kontaktbauteil darstellt, das durch das Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt ist;
  • 27 eine perspektivische Ansicht ist, die ein zweites elektrisches Kontaktbauteil darstellt, das durch das Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt ist;
  • 28 eine perspektivische Ansicht ist, die ein drittes elektrisches Kontaktbauteil darstellt, das durch das Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt ist;
  • 29 eine perspektivische Ansicht ist, die ein viertes elektrisches Kontaktbauteil darstellt, das durch das Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt ist;
  • 30 eine perspektivische Ansicht ist, die ein fünftes elektrisches Kontaktbauteil darstellt, das durch das Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt ist;
  • 31 eine perspektivische Ansicht ist, die ein sechstes elektrisches Kontaktbauteil darstellt, das durch das Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt ist;
  • 32 eine perspektivische Ansicht ist, die ein siebentes elektrisches Kontaktbauteil darstellt, das durch das Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt ist;
  • 33 eine perspektivische Ansicht ist, die ein achtes elektrisches Kontaktbauteil darstellt, das durch das Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt ist;
  • 34 eine Draufsicht ist, die ein Layout von zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteile gemäß der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
  • 35 eine Draufsicht ist, die ein weiteres Layout von zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteile gemäß der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
  • 36 eine grafische Darstellung ist, die eine Belastungsverteilung eines stangenförmigen Trägerabschnitts eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils zeigt;
  • 37 eine grafische Darstellung ist, die eine Belastungsverteilung eines zickzackförmigen Trägerabschnitts eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 38a und 38b eine Querschnittsansicht und eine perspektivischen Ansicht sind, die ein zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendetes elektrisches Kontaktbauteil gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen;
  • 39a und 39b eine Querschnittsansicht und eine perspektivischen Ansicht sind, die ein zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendetes elektrisches Kontaktbauteil gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen;
  • 40a und 40b eine Querschnittsansicht und eine perspektivischen Ansicht sind, die ein zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendetes elektrisches Kontaktbauteil gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen;
  • 41(a) bis 41(f) Längsquerschnittsansichten sind, die Trägerabschnitte der in 38a bis 40b gezeigten elektrischen Kontaktbauteile darstellen;
  • 42a bis 42i Querschnittsansichten sind, die ein Verfahren zur Herstellung des in 38a und 38b zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung gezeigten verwendeten elektrischen Kontaktbauteils veranschaulichen;
  • 43a bis 43d Querschnittsansichten sind, die ein Verfahren zur Herstellung des in 39a und 39b zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung gezeigten verwendeten elektrischen Kontaktbauteils veranschaulichen;
  • 44a bis 44d Querschnittsansichten sind, die ein Verfahren zur Herstellung des in 40a und 40b zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung gezeigten verwendeten elektrischen Kontaktbauteils veranschaulichen;
  • 45a eine grafische Darstellung von Ergebnissen ist, die von einer simulierten Belastungsverteilung stammen, die auf einem Trägerabschnitt des zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils gemäß der vorliegenden Erfindung aufgebracht ist; und
  • 45b eine grafische Darstellung von Ergebnissen ist, die von einer simulierten Belastungsverteilung stammen, die auf einem Trägerabschnitt des zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten herkömmlichen elektrischen Kontaktbauteils aufgebracht ist.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AÜSFÜHRUNGSFORMEN
  • Nun wird in größerem Detail auf eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung Bezug genommen, von der ein Beispiel in den beigefügten Zeichnungen dargestellt ist. Wo es immer möglich ist, werden gleiche Bezugszeichen für gleiche oder ähnliche Bauteile in den Zeichnungen und in der Beschreibung verwendet.
  • 2 bis 10b sind Querschnittsansichten, die ein Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen.
  • Bei dem Verfahren gemäß dieser erfindungsgemäßen Ausführungsform wird zuerst, wie in 2 gezeigt ist, ein erster Schutzfilm 22 einer vorher festgelegten Dicke auf einer gesamten Oberfläche eines Opfersubstrats 20 aus Silizium mit einer festen Orientierung wie zum Beispiel (1 0 0) gebildet. Der erste Schutzfilm 22 weist einen dünnen Film wie zum Beispiel ein Fotoresist oder einen Oxidfilm auf. Zu diesem Zeitpunkt wird das Fotoresist durch einen Schleuderbeschichtungsprozess gebildet, bei welchem das Fotoresist auf das Opfersubstrat 20 aufgegossen wird, während das Opfersubstrat rotiert, und der Oxidfilm wird durch den herkömmlichen thermischen Oxidationsprozess gebildet.
  • Wie in 3 gezeigt ist, wird dann ein wohlbekannter Fotolithografieprozess durchgeführt, wobei die erste Fotoschutzfilmschablone 24 mit einem ersten geöffneten Bereich (nicht mit Bezugszeichen versehen) gebildet wird.
  • Zu diesem Zeitpunkt ist die erste Schutzfilmschablone 24 mit dem Fotoresist durch Positionieren, Belichten und Entwickeln eines Retikels gebildet, welches darauf eine begrenzte Flächenschablone realisiert hat, nämlich auf dem ersten Schutzfilm 22. Weiterhin ist die erste Schutzfilmschablone 24 mit dem Oxidfilm durch Beschichten des Fotoresists auf dem ersten Schutzfilm 22 gebildet, wobei eine Fotoresistschablone durch Belichten und Entwickeln des resultierenden Produkts vorbereitet wird, und wobei ein Nass- oder Trockenätzprozess mit Verwendung der Fotoresistschablone als Ätzmaske durchgeführt wird.
  • Wie 4a zeigt wird durch Ausführung eines ersten Ätzvorgangs mit Verwendung der ersten Schutzfilmschablone 24 als Ätzmaske ein Graben zur Bildung eines Spitzenabschnitts auf dem Opfersubstrat 20 gebildet.
  • Zu diesem Zeitpunkt weist der erste Ätzprozess einen Nassätzvorgang auf, welcher eine Chemikalie verwendet, bei der Kaliumhydroxid (KOH) und deionisiertes Wasser in einem vorher festgelegten Verhältnis gemischt sind. Bei der Durchführung des Nassätzvorgangs mit Verwendung der Chemikalie wird das Opfersubstrat 20 mit der festen Orientierung anisotrop geätzt, um einen Graben 26 mit einer Form einer polygonalen Pyramidenstumpf- oder Kegelstumpfkonfiguration zu bilden.
  • Wie in 4b gezeigt ist, kann der erste Ätzprozess weiterhin einen Nassätzvorgang aufweisen, der eine Chemikalie aufweist, in welcher Hydrogenfluorid (HF), Salpetersäure (HNO,) und Essigsäure (CH3COOH) in einem vorher festgelegten Verhältnis gemischt sind. Bei der Durchführung des Nassätzvorgangs mit Verwendung der Chemikalie wird das Opfersubstrat 20 mit der festen Orientierung, wie beispielsweise einer solchen wie (1 0 0), anisotrop geätzt, um einen Graben 28 mit einer Konfiguration einer Säule, beispielsweise eine quadratische Säule, mit einer abgerundeten Bodenoberfläche zu bilden.
  • Zu diesem Zeitpunkt wird das Opfersubstrat 20 auf Grund einer isotropischen Eigenschaft der Chemikalie auch um ein oberes Ende des ersten geöffneten Bereichs herum und unter der ersten Schutzfilmschablone 24 geätzt.
  • Wie in 5a gezeigt ist, wird als nächstes die auf dem Opfersubstrat 20 aufgebrachte erste Schutzfilmschablone 24 als eine Ätzmaske verwendet, welche durch den ersten anisotropen Ätzprozess mit dem Graben 26 der polygonalen pyramidenstumpfförmigen oder der kegelstumpfförmigen Konfiguration mit einer geneigten Seitenfläche gebildet ist. In diesem Zustand wird ein zweiter Ätzvorgang durchgeführt, welcher eine Gasmischung verwendet, in welcher die Gase SF6, C4F8 und O2 in einem vorher ausgewählten Verhältnis gemischt sind.
  • Zu diesem Zeitpunkt wird der zweite Ätzprozess, der eine Art von Tiefgrabenätzung ist, durch reaktives Ionenätzen (RIE) ausgeführt, welches ein Bosh-Prozess genannt wird. Bei Ausführung des zweiten Ätzprozesses wird eine Tiefe des Grabens 26, der durch den ersten Ätzprozess gebildet worden ist und die polygonale pryramidenstumpfförmige oder die kegelstumpfförmige Konfiguration aufweist, auf 30 μm bis 500 μm vergrößert, und zur gleichen Zeit wird eine Bodenoberfläche des Grabens 26 gerundet.
  • Nachdem der Graben 26 weiter auf die Tiefe von 30 μm bis 500 μm durch eine isotropische Ätzeigenschaft von SF6 geätzt worden ist, wird ein Winkel der inneren Oberfläche des Grabens 26 mit der polygonalen pryramidenstumpfförmigen oder der kegelstumpfförmigen Konfiguration durch eine vorher festgelegte Weite vermindert und die Bodenoberfläche des Grabens 26 gerundet.
  • Hierbei ist anzumerken, dass der zweite Ätzprozess einmal oder mehrmals ausgeführt werden kann.
  • Wie in 5b gezeigt ist, wird die auf dem Opfersubstrat 20 aufgebrachte erste Schutzfilmschablone 24, welche mit dem Graben 28 der säulenförmigen Konfiguration mit der inneren gerundeten Oberfläche durch den ersten Ätzprozess gebildet wurde, auch als eine Ätzmaske benutzt. In diesem Zustand wird ein zweiter Ätzvorgang ausgeführt, der eine Gasmischung verwendet, in welcher die Gase SF6, C4FB und O2 in einem vorher ausgewählten Verhältnis gemischt sind.
  • Zu diesem Zeitpunkt wird der zweite Ätzprozess, der eine Art von Tiefgrabenätzung ist, durch RIE ausgeführt, welches ein Bosh-Prozess genannt wird. Bei Ausführung des zweiten Ätzprozesses wird eine Tiefe des Grabens 28, der durch den ersten Ätzprozess gebildet worden ist, auf 30 μm bis 500 μm vergrößert. Deshalb ist der Graben weiter vertieft und eine Bodenoberfläche davon ist abgerundet.
  • Hierbei ist anzumerken, dass der zweite Ätzprozess einmal oder mehrmals ausgeführt werden kann.
  • Wie in 6a dargestellt ist, wird, nachdem die erste Schutzfilmschablone 24 entfernt worden ist, eine zweite Schutzfilmschablone 30 mit einem Fotoresist, welches eine vorher eingestellte Dicke aufweist und einen zweiten geöffneten Bereich abgrenzt (nicht mit Bezugszeichen versehen), auf der gesamten Oberfläche des Opfersubstrats 20 gebildet, welches durch den zweiten Ätzprozess mit dem Gräben 26 der polygonalen pyramidenstumpfförmigen oder der kegelstumpfförmigen Konfiguration mit der abgerundeten Bodenoberfläche ausgebildet ist. Wie in 6b dargestellt ist, wird alternativ, nachdem die erste Schutzfilmschablone 24 entfernt worden ist, eine zweite Schutzfilmschablone 31 mit einem Fotoresist, welches eine vorher eingestellte Dicke aufweist und einen zweiten geöffneten Bereich abgrenzt (nicht mit Bezugszeichen versehen), auf der gesamten Oberfläche des Opfersubstrats 20 gebildet, welches durch den zweiten Ätzprozess mit dem Graben 28 der säulenförmigen Konfiguration mit der abgerundeten Bodenoberfläche ausgebildet ist.
  • Zu diesem Zeitpunkt wird die zweite Schutzfilmschablone 30 durch Beschichten, Belichten und Entwickeln eines Fotoresists gebildet. Die zweiten Schutzfilmschablonen 30 und 31 sind zur Begrenzung des zweiten geöffneten Bereichs auf dem Opfersubstrat 20 in einer solchen Weise gebildet, dass die Trägerabschnitte in den zweiten geöffneten Bereichen gebildet werden, und die zweiten geöffneten Bereiche jeweils mit den Gräben 26 und 28 kommunizieren.
  • Nachdem wie in 7a gezeigt die zweite Schutzfilmschablone 30 auf dem Opfersubstrat gebildet und ein leitfähiger Werkstoff 32 in den geöffneten Bereich durch Ausführung von CVD, PVD oder eines Galvanikprozesses zum Erhalt der vorher eingestellten Dicke eingefüllt worden ist, wird eine obere Fläche eines resultierenden Produkts geglättet. Nachdem wie in 7b gezeigt ein leitfähiger Werkstoff auf dem Opfersubstrat gebildet worden ist, welcher mit der zweiten Schutzfilmschablone 31 gebildet wurde, um die vorher eingestellte Dicke durch Ausführung von CVD, PVD oder eines Galvanikprozesses zu erhalten, wird eine obere Fläche eines resultierenden Produkts geglättet.
  • Zu diesem Zeitpunkt ist der leitfähige Werkstoff aus einer Nickellegierung etc. hergestellt, und die obere Fläche des Opfersubstrats 20, die mit dem leitfähigen Werkstoff gebildet ist, kann durch chemisches mechanisches Polieren, Rückätzung, Schleifen, etc. geglättet werden.
  • Wie in 8a dargestellt ist, wird in Folge, nachdem die zweite Schutzfilmschablone 30 (siehe 7a) von der oberen Fläche des Opfersubstrats 20 nach Durchführung des Glättungsvorgangs entfernt worden ist, der Spitzenabschnitt in dem Graben 26 und der Trägerabschnitt 38 in dem zweiten geöffneten Bereich gebildet. Alternativ wird, wie in 8b gezeigt ist, nachdem die zweite Schutzfilmschablone 31 (siehe 7b) von der oberen Fläche des Opfersubstrats 20 nach Durchführung des Glättungsvorgangs entfernt worden ist, der Spitzenabschnitt in dem Graben 28 und der Trägerabschnitt 38 in dem zweiten geöffneten Bereich gebildet.
  • Zu diesem Zeitpunkt ist die zweite Schutzfilmschablone 31 (siehe 7b) durch Ausführung eines Nassätzvorgangs mit Verwendung einer Chemikalie oder durch Ausführung eines Trockenätzvorgangs entfernt, beispielsweise Ashing und dergleichen.
  • Um dem gegenwärtigen Trend nach einer hohen Präzision in geeigneter Weise zu entsprechen, weisen beide Trägerabschnitte 36 und 38 wie in 11a gezeigt eine mehrstufige Konfiguration auf, welche Folgendes aufweist: einen ersten stangenförmigen Abschnitt 40, der mit jedem der in den Gräben 26 und 28 gebildeten Spitzenabschnitte verbunden ist, einen zweiten stangenförmigen Abschnitt 42, der mit dem ersten Abschnitt 40 verbunden ist und eine größere Breite als der erste Abschnitt 40 aufweist, und einen dritten stangenförmigen Abschnitt 44, der mit dem zweiten Abschnitt 42 verbunden ist und eine größere Breite als der zweite Abschnitt 42 aufweist.
  • Wie in 11b gezeigt ist, kann auch jeder der Trägerabschnitte 36 und 38 eine zickzackförmige Konfiguration besitzen, welche Folgendes aufweist: einen ersten stangenförmigen Abschnitt 46, der mit jedem der in den Gräben 26 und 28 gebildeten Spitzenabschnitte verbunden ist, einen zweiten zickzackförmigen Abschnitt 48, der mit dem ersten Abschnitt 46 verbunden ist und eine ein- oder mehrfache zickzackförmige Ausbildung aufweist, und einen dritten stangenförmigen Abschnitt 50.
  • Zu diesem Zeitpunkt können die dritten Abschnitte 40 und 50 mit den in den Gräben 26 und 28 gebildeten jeweiligen Spitzenabschnitten verbunden werden. Der zweite zickzackförmige Abschnitt 48 des zickzackförmigen Trägerabschnitts 38 hat einen Biegungswinkel von 30° bis 170°, vorzugsweise ungefähr 90°. Es soll angemerkt werden, dass der zweite Abschnitt 48 ein- oder mehrfach zickzackförmig ausgebildet sein kann. Bei jedem der Trägerabschnitte 36 und 38 ist eine Breite von einer Position einer Erhebung bis zu der des Spitzenabschnitts verringert, so dass dem gegenwärtigen Trend zu einer Hochpräzision wie in der mehrstufigen Konfiguration leicht entsprochen werden kann.
  • Nachfolgend wird der auf dem Opfersubstrat 20 gebildete Trägerabschnitt 36, wie in 9a gezeigt ist, der mit dem Graben 26 der polygonalen pyramidenstumpfförmigen oder der kegelstumpfförmigen Konfiguration mit der abgerundeten Bodenoberfläche gebildet ist, mittels einer Erhebung 62 mit einer elektronischen Komponente 60 verbunden, auf der eine Schaltungsausführung realisiert ist. Alternativ wird der der auf dem Opfersubstrat 20 gebildete Trägerabschnitt 38, wie in 9b gezeigt ist, der mit dem Graben 28 der säulenförmigen Konfiguration mit der abgerundeten Bodenoberfläche gebildet ist, mittels einer Erhebung 66 mit einer elektronischen Komponente 64 verbunden, auf der eine Schaltungsausführung realisiert ist.
  • Zu diesem Zeitpunkt sind die auf dem Opfersubstrat 20 realisierten Trägerabschnitte 36 und 38 und die elektronischen Komponenten 60 und 64 jeweils miteinander in einer solchen Weise verbunden, dass, nachdem die Erhebungen 62 und 66 zwischen den Trägerabschnitten 36 und 38 und den elektronischen Komponenten 60 und 64 angeordnet worden sind, die Erhebungen 62 und 66 und die Trägerabschnitte 36 und 38 miteinander durch Weichlöten, Hartlöten, Galvanisieren, einen Leitkleber, etc. gekoppelt sind.
  • Wie in 10a dargestellt ist, kann schließlich, wenn das mit dem Graben 26 der polygonalen pyramidenstumpfförmigen oder der kegelstumpfförmigen Konfiguration mit der abgerundeten Bodenoberfläche gebildete Opfersubstrat 20 durch Nassätzung etc. entfernt worden ist, der Trägerabschnitt 36 befreit werden, um ein elektrisches Kontaktbauteil 35 zur Verwendung zur Prüfung der elektronischen Vorrichtung zu vervollständigen. Alternativ kann, wie in 1 Ob dargestellt ist, wenn das mit dem Graben 28 der säulenförmigen Konfiguration mit der abgerundeten Bodenoberfläche gebildete Opfersubstrat 20 durch Nassätzung etc. entfernt worden ist, der Trägerabschnitt 38 befreit werden, um ein elektrisches Kontaktbauteil 39 zur Verwendung zur Prüfung der elektronischen Vorrichtung zu vervollständigen.
  • Hiernach wird das elektrische Kontaktbauteil, das durch das Verfahren zur Herstellung eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendete elektrische Kontaktbauteil gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt ist, und der Trägerabschnitt und Spitzenabschnitt des elektrischen Kontaktbauteils im Detail erläutert.
  • 26 ist eine perspektivische Ansicht, die ein erstes elektrisches Kontaktbauteil, das durch das Verfahren zur Herstellung eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendete elektrische Kontaktbauteil hergestellt ist, gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • An dem zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten erfindungsgemäßen ersten elektrischen Kontaktbauteil sind, wie in 26 gezeigt ist, ein Anschluss (nicht mit Bezugszeichen versehen) einer elektronischen Komponente 100, beispielsweise eine gedruckte Schaltung auf einer Platine (PCB) mit einer darauf aufgebrachten vorher festgelegten Schaltungsausführung, und ein dritter Abschnitt 108 des Trägerabschnitts des elektrischen Kontaktbauteils miteinander mittels einer Erhebung 102 und durch einen Verbindungsabschnitt 104 verbunden.
  • In diesem Stadium besitzt das elektrische Kontaktbauteil 106 den Trägerabschnitt einer mehrstufigen Konfiguration, welche Folgendes aufweist: einen ersten stangenförmigen Abschnitt 112, einen zweiten stangenförmigen Abschnitt 110, der mit dem ersten Abschnitt 112 verbunden ist und eine Breite aufweist, die größer als die des ersten Abschnitts 112 ist, und einen dritten stangenförmigen Abschnitt 108, der mit dem zweiten Abschnitt 110 verbunden ist, und eine Breite aufweist, die größer ist als die des zweiten Abschnitts 110.
  • Ein freies Ende des ersten Abschnitts 112 des Trägerabschnitts ist vollständig mit einem Spitzenabschnitt 114 verbunden, welcher durch eine konstante physikalische Kraft mit einer Kontaktfläche eines Halbleiterchips in Kontakt bringbar ausgebildet ist.
  • Hier weist der Spitzenabschnitt 114 eine vierseitige pyramidenstumpfförmige Konfiguration mit einer distalen abgerundeten Endoberfläche auf. Eine Länge des Spitzenabschnitts 114 erstreckt sich auf 30 μm bis 500 μm in Anbetracht einer OD-Eigenschaft. In dieser bevorzugten Ausgestaltung besitzt der Spitzenabschnitt 114 eine Länge von 100 μm.
  • Auf Grund der Tatsache, dass der Spitzenabschnitt 114 des elektrischen Kontaktbauteils 106 die vierseitige pyramidenförmige Konfiguration mit der abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist, ist es dementsprechend möglich, während der Spitzenabschnitt 114 wiederholt mit der Kontaktfläche des Halbleiterchips in Kontakt gebracht wird, zu verhindern, dass der Spitzenabschnitt 114 verschleißt und durch sich selbst Partikel erzeugt.
  • Ebenfalls ist es auf Grund der Tatsache, dass die distale Endoberfläche des Spitzenabschnitts 114 abgerundet ist, möglich, während der Spitzenabschnitt 114 des elektrischen Kontaktbauteils 106 wiederholt durch konstante physikalische Kraft mit der Kontaktfläche des Halbleiterchips in Kontakt gebracht wird, zu verhindern, dass der Spitzenabschnitt 114 einen auf der Kontaktfläche aufgebrachten Oxidfilm durchbohrt und die Kontaktfläche beschädigt, wodurch es möglich ist, zu verhindern, dass ein fehlerhafter Abschnitt vergrößert wird, wenn nachfolgende Halbleiterfertigungsprozesse, wie beispielsweise ein Drahtbondingvorgang und dergleichen, durchgeführt werden.
  • Da die distale Endoberfläche des Spitzenabschnitts 114 abgerundet ist, kann elektrische Leitfähigkeit verbessert werden, da ein Kontaktbereich zwischen dem Spitzenabschnitt 114 und der Kontaktfläche des Halbleiterchips vergrößert ist.
  • Und da der Spitzenabschnitt 114 eine Länge von 30 μm bis 500 μm und in dieser bevorzugten Ausgestaltung 100 μm aufweist, ist es möglich, eine OD-Eigenschaft leicht einzustellen.
  • Auf Grund der Tatsache, dass der Trägerabschnitt des elektrischen Kontaktbauteils 106 die mehrstufige Konfiguration mit dem ersten stangenförmigen Abschnitt 112 aufweist, der mit dem Spitzenabschnitt 114 verbunden ist, sowie den zweiten stangenförmigen Abschnitt 110, der mit dem ersten Abschnitt 112 verbunden ist und eine größere Breite hat als der erste Abschnitt 112, sowie den dritten stangenförmigen Abschnitt 108, der mit dem zweiten Abschnitt 110 verbunden ist und eine größere Breite als der zweite Abschnitt 110 aufweist, ist es möglich, dem gegenwärtigen Trend zu einer Hochpräzision in einer elektronischen Vorrichtung zu entsprechen, wie einer solchen einer hochintegrierten Halbleitervorrichtung.
  • Da die Breite des Trägerabschnitts von dem ditten Abschnitt 108 zum ersten Abschnitt 112 wie in 34 gezeigt abnimmt, bedeutet dieses, dass eine Vielzahl von elektrischen Kontaktbauteilen 106 radial eins neben dem anderen angeordnet werden kann, und auf diese Weise mit einer Kontaktfläche einer Halbleitervorrichtung in Kontakt bringbar ist. Auf diese Art und Weise ist es möglich, dem gegenwärtigen Trend zu einer Hochpräzision in einer elektronischen Vorrichtung zu entsprechen, wie einer solchen einer hochintegrierten Halbleitervorrichtung.
  • 27 ist eine perspektivische Ansicht, die ein zweites elektrisches Kontaktbauteil darstellt, das durch ein Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt ist.
  • Das zweite erfindungsgemäße elektrische Kontaktbauteil 115 ist dadurch gekennzeichnet, dass wie in 27 dargestellt der Spitzenabschnitt 114 des ersten elektrischen Kontaktbauteils 106 durch einen Spitzenabschnitt 116 ersetzt ist, der an einem proximalen Ende davon mit einem Vorsprung 118 und einem distalen Ende einer säulenförmigen Konfiguration mit einer distalen abgerundeten Endoberfläche ausgebildet ist.
  • Hier erstreckt sich eine Länge des Spitzenabschnitts 116 auf 30 μm bis 500 μm in Anbetracht einer OD-Eigenschaft. In dieser bevorzugten Ausgestaltung weist der Spitzenabschnitt 116 eine Länge von 100 μm auf.
  • Auf Grund der Tatsache, dass der Vorsprung 118 um das proximale Ende des Spitzenabschnitts 116 des zweiten elektrischen Kontaktbauteils 115 herum gebildet ist, ist es dementsprechend zusätzlich zu den durch das erste elektrische Kontaktbauteil 106 erlangten Arbeitseffekten möglich, wenn der Spitzenabschnitt 116 durch konstante physikalische Kraft mit der Kontaktfläche des Halbleiterchips in Kontakt gebracht wird, auf das proximale Ende des Spitzenabschnitts 116 aufgebrachte Belastung zu verteilen und zu verhindern, dass der Spitzenabschnitt 116 bricht.
  • 28 ist eine perspektivische Ansicht, die ein drittes elektrisches Kontaktbauteil darstellt, das durch ein Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt ist.
  • Bei dem erfindungsgemäßen dritten elektrischen Kontaktbauteil 120 ist der Trägerabschnitt des ersten elektrischen Kontaktbauteils 106 durch einen Trägerabschnitt mit einer zickzackförmigen Konfiguration ersetzt. Mit anderen Worten weist der Trägerabschnitt wie in 28 dargestellt Folgendes auf: einen stangenförmigen ersten Abschnitt 122, einen zickzackförmigen zweite Abschnitt 124, der mit dem ersten Abschnitt 122 verbunden ist, und einen stangenförmigen dritten Abschnitt 126, der mit dem zweiten Abschnitt 124 verbunden ist.
  • In diesem Stadium weist der zickzackförmige zweite Abschnitt 124 des Trägerabschnitts einen Biegungswinkel von 30° bis 170° auf, vorzugsweise ungefähr 90°. Es ist anzumerken, dass der zweite Abschnitt 124 einmal oder mehrmals zickzackförmig ausgebildet sein kann.
  • Auf Grund der Tatsache, dass bei dem zickzackförmigen Trägerabschnitt eine Breite von einer Position einer Erhebung 102 aus auf den Spitzenabschnitt 114 hin verringert ist, ist es möglich, den Trägerabschnitt in einer solchen Weise herzustellen, dass er leicht dem gegenwärtigen Trend zu einer Hochpräzision wie der Trägerabschnitt der mehrfach abgestuften Konfiguration entspricht.
  • Durch die Tatsache, dass der Trägerabschnitt des dritten elektrischen Kontaktbauteils 120 die zickzackförmige Konfiguration zusätzlich zu den durch das erste elektrische Kontaktbauteil erreichten Auswirkungen aufweist, kann die auf den Trägerabschnitt aufgebrachte Belastung aufgeteilt werden, wenn der Spitzenabschnitt 114 durch konstante physikalische Kraft mit der Kontaktfläche des Halbleiterchips in Kontakt gebracht wird, da eine Länge des Trägerabschnitts, gemessen von der Erhebung 102 bis zum Spitzenabschnitt 114, vergrößert ist, und der Trägerabschnitt wird vor Bruch geschützt, der auf Grund von konzentrierter Belastungsaufbringung entsteht.
  • 36 ist eine grafische Darstellung, die Ergebnisse von simulierter Belastungsverteilung auf einen stangenförmigen Trägerabschnitt des zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten herkömmlichen elektrischen Kontaktbauteils zeigt; und 37 ist eine grafische Darstellung, die Ergebnisse von simulierter Belastungsverteilung auf einen zickzackförmigen Trägerabschnitt des zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten erfindungsgemäßen elektrischen Kontaktbauteils zeigt.
  • Mit Bezugnahme auf 36 und 37 ist im Fall des herkömmlichen stangenförmigen Trägerabschnitts starke Belastung bis zu 500 × 106 Pa auf den Trägerabschnitt an einer Position in einer Entfernung von ungefähr 0,4 mm von der Erhebung aufgebracht. Im Gegensatz dazu kann im Fall des erfindungsgemäßen zickzackförmigen Trägerabschnitts bestätigt werden, dass die Belastung über den gesamten Bereich des Trägerabschnitts aufgeteilt ist.
  • Wie aus 35 ersichtlich ist, ist es weiterhin möglich, dem gegenwärtigen Trend zu einer Hochpräzision in einer hochintegrierten Halbleitervorrichtung zu entsprechen, da das dritte elektrische Kontaktbauteil 120 mit dem Trägerabschnitt der zickzackförmigen Ausführung in seiner Breite von der Position einer Erhebung 102 aus auf die des Spitzenabschnitts 114 hin verringert ist.
  • Da die Breite des Trägerabschnitts von dem ersten Abschnitt 122 aus auf den dritten Abschnitt 126 hin wie in 36 gezeigt verringert ist, kann eine Vielzahl von elektrischen Kontaktbauteilen 120 radial nebeneinander angeordnet mit einer Kontaktfläche 302 einer Halbleitervorrichtung in Kontakt gebracht werden. Auf diese Art und Weise ist es möglich, dem gegenwärtigen Trend zu einer Hochpräzision in einer hochintegrierten elektronischen Vorrichtung zu entsprechen.
  • 29 ist eine perspektivische Ansicht, die ein viertes elektrisches Kontaktbauteil darstellt, das durch das Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt ist.
  • Das vierte elektrische Kontaktbauteil 121 gemäß der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass der Trägerabschnitt des ersten elektrischen Kontaktbauteils 106 durch einen Trägerabschnitt einer zickzackförmigen Konfiguration ersetzt ist, die Folgendes aufweist: einen ersten stangenförmigen Abschnitt 122, einen zickzackförmigen zweiten Abschnitt 124, der mit dem ersten Abschnitt 122 verbunden ist, und einen stangenförmigen dritten Abschnitt 126, der mit dem zweiten Abschnitt verbunden ist. Das vierte elektrische Kontaktbauteil 121 ist auch dadurch gekennzeichnet, das ein Spitzenabschnitt 116 auf dem dritten Abschnitt 126 vorgesehen ist und ein proximales Ende, um welches herum ein Vorsprung 118 gebildet ist, und ein distales Ende einer säulenförmigen Konfiguration mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist.
  • Das vierte elektrische Kontaktbauteil 121 kann dementsprechend die durch den Spitzenabschnitt 116 des zweiten elektrischen Kontaktbauteils 115 und die durch den Trägerabschnitt des dritten elektrischen Kontaktbauteils 120 erlangten Arbeitseffekte gleichzeitig leisten.
  • Hiernach wird ein Verfahren zum Herstellen des zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten erfindungsgemäßen elektrischen Kontaktbauteils in Übereinstimmung mit einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Detail beschrieben.
  • 12 bis 18b sind Querschnittsansichten, die ein Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutern.
  • Bei dem Verfahren gemäß dieser erfindungsgemäßen Ausführungsform wird zuerst, wie in 12 gezeigt ist, ein erster Schutzfilm einer vorher festgelegten Dicke auf einer gesamten Oberfläche eines Opfersubstrats 60 aus Silizium mit einer festen Orientierung wie zum Beispiel (1 0 0) gebildet. Der erste Schutzfilm weist einen dünnen Film wie zum Beispiel ein Fotoresist und einen Oxidfilm auf. Indem der gleiche Fotolithografieprozess wie in der vorerwähnten ersten Ausführungsform ausgeführt wird, wird eine erste Schutzfilmschablone 62 mit einem zweiten geöffneten Bereich (nicht mit Bezugszeichen versehen) gebildet, der größer ist als ein erster geöffneter Bereich der ersten Ausführungsform.
  • Im Anschluss wird durch Ausführung eines ersten Ätzvorgangs mit Verwendung der ersten Schutzfilmschablone 62 als eine Ätzmaske das Opfersubstrat 60 anisotrop geätzt, um einen Graben 64 mit einer polygonalen pyramidenstumpfförmigen Konfiguration, beispielsweise eine vierseitige Pyramide, oder mit einer kegelstumpfförmige Konfiguration zu bilden. Eine Seitenfläche des Grabens 64 ist in einem vorher festgelegten Winkel geneigt.
  • Zu diesem Zeitpunkt weist ein erster Ätzprozess zum isotropen Ätzen des Opfersubstrats 60 einen Nassätzvorgang auf, welcher eine Chemikalie verwendet, die Kaliumhydroxid (KOH) etc. aufweist.
  • Wie in 13 dargestellt ist, wird, nachdem die erste Schutzfilmschablone 62 entfernt worden ist, ein zweiter Schutzfilm mit einer vorher festgelegten Dicke, der einen dünnen Film, beispielsweise ein Fotoresist, einen Oxidfilm, und dergleichen aufweist, auf der gesamten Oberfläche des Opfersubstrats 60 gebildet. Dann wird durch Ausführen des gleichen Fotolithografieprozesses wie im Fall des Bildens der ersten Schutzfilmschablone 62 eine zweite Schutzfilmschablone 66 in einer solchen Weise gebildet, dass beide Endseitenabschnitte des Grabens 64 verschlossen sind und nur ein zentraler Abschnitt des Grabens 64 geöffnet ist.
  • Wie in 14a gezeigt ist, wird danach durch Ausführung eines zweiten Ätzvorgangs mit Verwendung der zweiten Schutzfilmschablone 66 als Ätzmaske der Graben 64 weiter vertieft.
  • Zu diesem Zeitpunkt weist der erste Ätzprozess einen Nassätzvorgang auf, welcher eine Chemikalie verwendet, bei der Kaliumhydroxid (KOH) und deionisiertes Wasser in einem vorher festgelegten Verhältnis gemischt sind. Bei Ausführung des Nassätzvorgangs mit Verwendung der Chemikalie wird der Graben 64 anisotrop geätzt, um einen Graben 68 mit einer polygonalen pyramidenstumpfförmigen oder einer kegelstumpfförmigen Konfiguration so auszubilden, dass der Graben 68 weiter vertieft wird.
  • Wie in 14b gezeigt ist, kann der zweite Ätzprozess weiterhin einen Nassätzvorgang aufweisen, der eine Chemikalie aufweist, in welcher Hydrogenfluorid (HF), Salpetersäure (HNO3) und Essigsäure (CH3COOH) in einem vorher festgelegten Verhältnis gemischt sind. Bei der Durchführung des Nassätzvorgangs mit Verwendung der Chemikalie wird der Graben 64 isotrop geätzt, um einen Graben 70 mit einer Konfiguration einer Säule mit einer abgerundeten Bodenoberfläche zu bilden.
  • Zu diesem Zeitpunkt wird das Opfersubstrat 60 um ein oberes Ende des zweiten geöffneten Bereichs herum und unter der zweiten Schutzfilmschablone 66 geätzt.
  • Wie in 15a dargestellt ist, wird als nächstes die auf dem Opfersubstrat 60 aufgebrachte zweite Schutzfilmschablone 66, welches mit dem Graben 68 der pyramidenstumpfförmigen Konfiguration durch den zweiten Ätzvorgang ausgebildet ist, als eine Ätzmaske benutzt. In diesem Zustand wird wieder ein dritter Ätzvorgang ausgeführt.
  • Zu diesem Zeitpunkt beinhaltet der dritte Ätzvorgang den gleichen im Stand der Technik wohlbekannten RIE-Prozess wie bei der ersten Ausführungsform. Bei Ausführung des dritten Ätzvorgangs wird eine Tiefe des Grabens 68, die durch den zweiten Ätzprozess gebildet wurde, weiter vergrößert. Es ist anzumerken, dass der dritte Ätzvorgang einmal oder mehrmals ausgeführt werden kann.
  • Insbesondere wird die Bodenoberfläche des Grabens 68 mit der polygonalen pyramidenstumpfförmigen oder der kegelstumpfförmigen Konfiguration in der gleichen Weise abgerundet wie in der ersten Ausführungsform.
  • Wie 15b darstellt, wird auch die zweite Schutzfilmschablone 66, die auf dem Opfersubstrat aufgebracht ist, welches mit dem Graben 70 der säulenförmigen Konfiguration mit der abgerundeten Bodenoberfläche durch den zweiten Ätzvorgang ausgebildet ist, als eine Ätzmaske benutzt. In diesem Zustand wird wieder ein dritter Ätzvorgang ausgeführt.
  • Zu diesem Zeitpunkt beinhaltet der dritte Ätzvorgang den gleichen im Stand der Technik wohlbekannten RIE-Prozess wie bei der ersten Ausführungsform. Bei Ausführung des dritten Ätzvorgangs wird eine Tiefe des Grabens 70, die durch den zweiten Ätzprozess gebildet wurde, weiter vergrößert, wodurch der säulenförmige Graben 70 an einem proximalen Ende davon mit einer Einsenkung versehen wird.
  • Hier ist anzumerken, dass der dritte Ätzvorgang einmal oder mehrmals ausgeführt werden kann.
  • Wie in 16a dargestellt ist, wird, nachdem die zweite Schutzfilmschablone 66 (siehe 15a) entfernt worden ist, eine dritte Schutzfilmschablone 72 mit einem Fotoresist, welches eine vorher eingestellte Dicke aufweist und einen dritten geöffneten Bereich abgrenzt (nicht mit Bezugszeichen versehen), auf der gesamten Oberfläche des Opfersubstrats 60 gebildet, welches durch den dritten Ätzprozess mit dem Graben 68 der polygonalen pyramidenstumpfförmigen oder der kegelstumpfförmigen Konfiguration ausgebildet ist. Wie in 16b dargestellt ist, wird alternativ, nachdem die zweite Schutzfilmschablone 66 (siehe 15b) entfernt worden ist, eine dritte Schutzfilmschablone 72 mit einem Fotoresist, welches eine vorher eingestellte Dicke aufweist und einen zweiten geöffneten Bereich abgrenzt (nicht mit Bezugszeichen versehen), auf der gesamten Oberfläche des Opfersubstrats 60 gebildet, welches durch den dritten Ätzprozess mit dem Graben 70 der säulenförmigen Konfiguration mit der an dem proximalen Ende davon gebildeten Einsenkung ausgebildet ist.
  • Zu diesem Zeitpunkt kann die dritte Schutzfilmschablone 72 durch das gleiche Verfahren gebildet werden, das zum Bilden der zweiten Schutzfilmschablone 66 verwendet wurde. Die dritten Schutzfilmschablonen 72 werden zur Begrenzung der dritten geöffneten Bereiche auf dem Opfersubstrat 60 in einer solchen Weise gebildet, dass die Trägerabschnitte in den dritten geöffneten Bereichen gebildet werden und die dritten geöffneten Bereiche jeweils mit den Gräben 68 und 70 kommunizieren.
  • Nachdem ein leitfähiger Werkstoff 73, wie in 17a dargestellt ist, in der Menge der vorher eingestellten Dicke in den auf dem Opfersubstrat 60 von der Schutzfilmschablone 72 begrenzten dritten geöffneten Bereich durch Ausführung von CVD, PVD oder eines Galvanikprozesses eingefüllt worden ist, wird danach eine obere Fläche eines sich ergebenden Produkts geglättet. Alternativ wird, nachdem ein leitfähiger Werkstoff 74, wie in 17b dargestellt ist, in der Menge der vorher eingestellten Dicke in den auf dem Opfersubstrat 60 von der Schutzfilmschablone 72 begrenzten dritten geöffneten Bereich durch Ausführung von CVD, PVD oder eines Galvanikprozesses eingefüllt worden ist, eine obere Fläche eines sich ergebenden Produkts geglättet.
  • Zu diesem Zeitpunkt ist der leitfähige Werkstoff aus einer Nickellegierung etc. hergestellt, und die oberen Flächen der resultierenden Produkte, die mit den leitfähigen Werkstoffen 73 und 74 gebildet sind, können durch chemisches mechanisches Polieren (CMP), Rückätzung, Schleifen, etc. geglättet werden.
  • Wie in 18a dargestellt ist, wird in Folge, nachdem die dritte Schutzfilmschablone 72 (siehe 7a) von der oberen Fläche des Opfersubstrats 60 nach Durchführung des Glättungsvorgangs entfernt worden ist, der Trägerabschnitt 76 dergestalt gebildet, dass er mit dem Spitzenabschnitt verbunden ist. Alternativ wird, wie in 18b gezeigt ist, nachdem die zweite Schutzfilmschablone 72 von der oberen Fläche des Opfersubstrats 60 nach Durchführung des Glättungsvorgangs entfernt worden ist, der Trägerabschnitt 78 dergestalt gebildet, dass er mit dem Spitzenabschnitt verbunden ist.
  • In diesem Zustand kann die dritte Schutzfilmschablone 72 durch Ausführung eines Nassätzvorgangs mit Verwendung einer Chemikalie oder eines Trockenätzvorgangs, beispielsweise Ashing und dergleichen, entfernt werden.
  • In der gleichen Weise wie die erste Ausführungsform weist jeder der Trägerabschnitte 76 und 78 eine mehrstufige Konfiguration auf, welche Folgendes aufweist: einen ersten stangenförmigen Abschnitt, der mit jedem der in den Gräben 68 und 70 gebildeten Spitzenabschnitte verbunden ist, einen zweiten stangenförmigen Abschnitt, dessen Breite größer ist als die des ersten Abschnitts, und einen dritten stangenförmigen Abschnitt mit einer Breite, die größer ist als die des zweiten Abschnitts. Selektiv kann jeder der Trägerabschnitte 76 und 78 eine zickzackförmige Konfiguration umfassen, welche Folgendes aufweist: einen mit jedem der in den Gräben 68 und 70 gebildeten Spitzenabschnitten verbundenen ersten stangenförmigen Abschnitt, einen zweiten zickzackförmigen Abschnitt, und einen dritten stangenförmigen Abschnitt.
  • Ebenfalls wird wie in der ersten Ausführungsform ein Prozess ausgeführt, um die auf dem Opfersubstrat 60 gebildeten Trägerabschnitte 76 und 78 mittels einer Erhebung und Durchbonden mit einer elektronischen Komponente zu verbinden, auf welcher eine Schaltung realisiert ist. So wird durch Entfernen des Opfersubstrats 60 mittels Nassätzen etc. das zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendete elektrische Kontaktbauteil vervollständigt.
  • Hiernach wird das durch das Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektrischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils hergestellte elektrische Kontaktbauteil in Übereinstimmung mit der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Detail beschrieben.
  • 30 ist eine perspektivische Ansicht, die ein fünftes elektrisches Kontaktbauteil, das durch das Verfahren zur Herstellung eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendete elektrische Kontaktbauteil hergestellt ist, gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • An dem zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten erfindungsgemäßen fünften elektrischen Kontaktbauteil 206 sind in der gleichen Weise wie beim ersten elektrischen Kontaktbauteil 106, wie in 30 gezeigt ist, ein Anschluss (nicht mit Bezugszeichen versehen) einer elektronischen Komponente 200, beispielsweise eine gedruckte Schaltung auf einer Platine (PCB) mit einer darauf aufgebrachten vorher festgelegten Schaltungsausführung, und das elektrische Kontaktbauteil 206 miteinander mittels einer Erhebung 202 und durch einen Verbindungsabschnitt 204 verbunden.
  • In diesem Stadium besitzt das elektrische Kontaktbauteil 206 einen Trägerabschnitt einer mehrstufigen Konfiguration, welche Folgendes aufweist: einen ersten stangenförmigen Abschnitt 212, einen zweiten stangenförmigen Abschnitt 210, der mit dem ersten Abschnitt 212 verbunden ist und eine Breite aufweist, die größer als die des ersten Abschnitts 212 ist, und einen dritten stangenförmigen Abschnitt 208, der mit dem zweiten Abschnitt 210 verbunden ist, und eine Breite aufweist, die größer ist als die des zweiten Abschnitts 210.
  • Wie aus 30 klar ersichtlich ist, ist das fünfte elektrische Kontaktbauteil 206 gemäß der vorliegenden Erfindung insbesondere dadurch gekennzeichnet, dass ein Spitzenabschnitt 215 integral an einem freien Ende des dritten Abschnitts 121 des Trägerabschnitts vorgesehen ist, um durch eine konstante physikalische Kraft mit einer Kontaktfläche eines Halbleiterchips in Kontakt bringbar ausgebildet zu sein, und der Spitzenabschnitt 215 ein proximales Ende, um welches herum ein Vorsprung 214 gebildet ist, und ein distales Ende einer vierseitigen säulenförmigen Konfiguration mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist.
  • In diesem Zustand erstreckt sich eine Länge des Spitzenabschnitts 212 auf 30 μm bis 500 μm in Anbetracht einer OD-Eigenschaft. In dieser bevorzugten Ausführungsform weist der Spitzenabschnitt 212 eine Länge von 100 μm auf.
  • Wenn das elektrische Kontaktbauteil 206 durch konstante physikalische Kraft mit der Kontaktfläche des Halbleiterchips in Kontakt gebracht wird, ist es dementsprechend zusätzlich zu den durch das erste elektrische Kontaktbauteil erreichten Arbeitseffekten bei dem fünften elektrischen Kontaktbauteil 206 auf Grund des Vorhandenseins des Vorsprungs 214 möglich, auf das proximale Ende des Spitzenabschnitts 215 aufgebrachte Belastung aufzuteilen, und der Spitzenabschnitt 215 ist vor Bruch geschützt.
  • 31 ist eine perspektivische Ansicht, die ein sechstes elektrisches Kontaktbauteil, das durch das Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils hergestellt ist, gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • Das sechste elektrische Kontaktbauteil 207 gemäß der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass der Spitzenabschnitt 215 des vorerwähnten fünften elektrischen Kontaktbauteils 206 durch einen Spitzenabschnitt 216 ersetzt ist, bei welchem ein erster Vorsprung um ein proximales Ende herum gebildet ist, ein mit dem ersten Vorsprung 220 verbundener zweiter Vorsprung mit einem Querschnitt, der kleiner ist als der des ersten Vorsprungs, an einem Mittelabschnitt des Spitzenabschnitts 216 gebildet ist, und ein mit dem zweiten Vorsprung 218 verbundenes distales Ende mit einem Querschnitt, der kleiner ist als der des zweiten Vorsprungs 218, wobei das Ende eine säulenförmige Konfiguration mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist.
  • Dementsprechend ist es bei dem sechsten elektrischen Kontaktbauteil 207 auf Grund des Vorhandenseins des ersten und zweiten Vorsprungs 220 und 218 möglich, wenn das elektrischen Kontaktbauteil 207 durch eine konstante physikalische Kraft mit einer Kontaktfläche eines Halbleiterchips in Kontakt gebracht wird, auf das proximale Ende des Spitzenabschnitts 216 aufgebrachte Belastung wirkungsvoller aufzuteilen und dadurch den Spitzenabschnitt 216 vor Bruch zu schützen.
  • 32 ist eine perspektivische Ansicht, die ein siebentes elektrisches Kontaktbauteil, das durch das Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils hergestellt ist, gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • Das siebente elektrische Kontaktbauteil 230 gemäß der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass der Trägerabschnitt des vorerwähnten fünften elektrischen Kontaktbauteils 206 durch einen Trägerabschnitt einer zickzackförmigen Konfiguration ersetzt ist, welche Folgendes aufweist: einen ersten stangeförmigen Abschnitt 232, einen mit dem ersten Abschnitt 232 verbundenen zickzackförmigen Abschnitt 234, und einen mit dem zweiten Abschnitt 234 verbundenen stangenförmigen Abschnitt 236.
  • Dementsprechend ist es auf Grund der Tatsache, dass das siebente elektrische Kontaktbauteil 230 mit der zickzackförmigen Konfiguration ausgebildet ist, zusätzlich zu den von dem fünften elektrischen Kontaktbauteil 206 erlangten Arbeitseffekten möglich, wenn der Spitzenabschnitt durch konstante physikalische Kraft mit der Kontaktfläche des Halbleiterchips in Kontakt gebracht wird, auf der Trägerabschnitt aufgebrachte Belastung aufzuteilen, und der Spitzenabschnitt ist vor Bruch geschützt.
  • 33 ist eine perspektivische Ansicht, die ein achtes elektrisches Kontaktbauteil, das durch das Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils hergestellt ist, gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • Das siebente elektrische Kontaktbauteil 230 gemäß der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass der Trägerabschnitt des vorerwähnten fünften elektrischen Kontaktbauteils 206 durch einen Trägerabschnitt einer zickzackförmigen Konfiguration ersetzt ist, welche Folgendes aufweist: einen ersten stangeförmigen Abschnitt 232, einen mit dem ersten Abschnitt 232 verbundenen zickzackförmigen Abschnitt 234, und einen mit dem zweiten Abschnitt 234 verbundenen stangenförmigen Abschnitt 236, und der Spitzenabschnitt 215 des vorerwähnten fünften elektrischen Kontaktbauteils 206 durch einen Spitzenabschnitt 216 ersetzt ist, bei welchem ein erster Vorsprung um ein proximales Ende herum gebildet ist, ein mit dem ersten Vorsprung 220 verbundener zweiter Vorsprung mit einem Querschnitt, der kleiner ist als der des ersten Vorsprungs, an einem Mittelabschnitt des Spitzenabschnitts 216 gebildet ist, und ein mit dem zweiten Vorsprung 218 verbundenes distales Ende mit einem Querschnitt, der kleiner ist als der des zweiten Vorsprungs 218, wobei das Ende eine säulenförmige Konfiguration mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist.
  • Dementsprechend ist es mit dem achten elektrischen Kontaktbauteil 231 möglich, die durch den Spitzenabschnitt 216 des sechsten elektrischen Kontaktbauteils 207 und die durch den Trägerabschnitt des siebenten Bauteils 234 erlangten Arbeitseffekte gleichzeitig aufzuweisen.
  • 19 bis 25b sind Querschnittsansichten, die ein Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen.
  • Bei dem Verfahren gemäß dieser erfindungsgemäßen Ausführungsform wird zuerst, wie in 19 gezeigt ist, ein erster Schutzfilm einer vorher festgelegten Dicke auf einer gesamten Oberfläche eines Opfersubstrats 80 aus Silizium mit einer festen Orientierung wie zum Beispiel (1 0 0) gebildet. Der erste Schutzfilm weist einen dünnen Film wie zum Beispiel ein Fotoresist und einen Oxidfilm auf. Indem der gleiche Fotolithografieprozess wie in der vorerwähnten ersten Ausführungsform ausgeführt wird, wird eine erste Schutzfilmschablone 82 mit einem zweiten geöffneten Bereich (nicht mit Bezugszeichen versehen) gebildet, der größer ist als ein erster geöffneter Bereich der ersten Ausführungsform.
  • Im Anschluss wird durch Ausführung eines ersten Ätzvorgangs mit Verwendung der ersten Schutzfilmschablone 82 als eine Ätzmaske das Opfersubstrat 80 isotrop geätzt, um einen Graben 84 mit einer vierseitigen Vertiefung zur Bildung eines Spitzenabschnitts aufzuweisen.
  • Zu diesem Zeitpunkt weist ein erster Ätzprozess einen Nassätzvorgang mit Verwendung einer Chemikalie auf, in welcher Hydrogenfluorid (HF), Salpetersäure (HNO3) und Essigsäure (CH3COOH) in einem vorher festgelegten Verhältnis gemischt sind.
  • Wie in 20 dargestellt ist, wird dann, nachdem die erste Schutzfilmschablone 82 entfernt worden ist, ein zweiter Schutzfilm mit einer vorher festgelegten Dicke, der einen dünnen Film, beispielsweise ein Fotoresist, einen Oxidfilm, und dergleichen aufweist, auf der gesamten Oberfläche des Opfersubstrats 80 gebildet. Dann wird durch Ausführen des gleichen Fotolithografieprozesses wie im Fall des Bildens der ersten Schutzfilmschablone 82 eine zweite Schutzfilmschablone 86 in einer solchen Weise gebildet, dass beide Endseitenabschnitte des Grabens 64 verschlossen sind und nur ein zentraler Abschnitt des Grabens 84 geöffnet ist.
  • Wie in 21a gezeigt ist, wird danach durch Ausführung eines zweiten Ätzvorgangs mit Verwendung der zweiten Schutzfilmschablone 86 als Ätzmaske der Graben 84 weiter vertieft
  • Zu diesem Zeitpunkt weist der erste Ätzprozess einen Nassätzvorgang auf, welcher eine Chemikalie verwendet, bei der Kaliumhydroxid (KOH) und deionisiertes Wasser in einem vorher festgelegten Verhältnis gemischt sind. Bei Ausführung des Nassätzvorgangs mit Verwendung der Chemikalie wird der Graben 84 anisotrop geätzt, um einen Graben 88 mit einer polygonalen pyramidenstumpfförmigen oder einer kegelstumpfförmigen Konfiguration so auszubilden, dass der Graben 88 weiter vertieft wird.
  • Wie in 21b gezeigt ist, kann der zweite Ätzprozess weiterhin einen Nassätzvorgang aufweisen, der eine Chemikalie aufweist, in welcher Hydrogenfluorid (HF), Salpetersäure (HNO3) und Essigsäure (CH3COOH) in einem vorher festgelegten Verhältnis gemischt sind. Bei der Durchführung des Nassätzvorgangs mit Verwendung der Chemikalie wird der Graben 84 isotrop geätzt, um einen Graben 90 mit einer Konfiguration einer Säule mit einem vertieften proximalen Ende und einer abgerundeten Bodenoberfläche zu bilden.
  • Zu diesem Zeitpunkt wird das Opfersubstrat 80 um ein oberes Ende des zweiten geöffneten Bereichs herum und unter der zweiten Schutzfilmschablone 86 geätzt.
  • Wie in 22a dargestellt ist, wird als nächstes die auf dem Opfersubstrat 80 aufgebrachte zweite Schutzfilmschablone 86, welches mit dem Graben 88 der pyramidenstumpfförmigen Konfiguration durch den zweiten Ätzvorgang ausgebildet ist, als eine Ätzmaske benutzt. In diesem Zustand wird wieder ein dritter Ätzvorgang ausgeführt.
  • Zu diesem Zeitpunkt beinhaltet der dritte Ätzvorgang den gleichen im Stand der Technik wohlbekannten RIE-Prozess wie bei der ersten Ausführungsform. Bei Ausführung des dritten Ätzvorgangs wird eine Tiefe des Grabens 88, die durch den zweiten Ätzprozess gebildet wurde, weiter vergrößert und eine Bodenoberfläche des Grabens 88 wird gerundet.
  • Hierbei ist anzumerken, dass der dritte Ätzvorgang einmal oder mehrmals ausgeführt werden kann.
  • Wie in 22b gezeigt ist, wird auch die auf dem Opfersubstrat aufgebrachte zweite Schutzfilmschablone 86, welches mit dem Graben 90 der säulenförmigen Konfiguration durch Ausführung des zweiten Ätzvorgangs ausgebildet ist, als eine Ätzmaske benutzt. In diesem Zustand wird wieder ein dritter Ätzvorgang ausgeführt.
  • Zu diesem Zeitpunkt beinhaltet der dritte Ätzvorgang den gleichen im Stand der Technik wohlbekannten RIE-Prozess wie bei der ersten Ausführungsform. Bei Ausführung des dritten Ätzvorgangs wird eine Tiefe des Grabens 90, die durch den zweiten Ätzprozess gebildet wurde, weiter vergrößert, wodurch der säulenförmige Graben 90 mit dem eingesenkten proximalen Ende gebildet wird. Es ist anzumerken, dass der dritte Ätzvorgang einmal oder mehrmals ausgeführt werden kann.
  • Wie in 23a dargestellt ist, wird, nachdem die zweite Schutzfilmschablone 86 entfernt worden ist, nachfolgend eine dritte Schutzfilmschablone 92 mit einem Fotoresist, welches eine vorher eingestellte Dicke aufweist und einen dritten geöffneten Bereich abgrenzt (nicht mit Bezugszeichen versehen), auf der gesamten Oberfläche des Opfersubstrats 80 gebildet, welches durch den dritten Ätzprozess mit dem Graben 88 der polygonalen pyramidenstumpfförmigen oder der kegelstumpfförmigen Konfiguration ausgebildet ist. Wie in 23b dargestellt ist, wird alternativ, nachdem die zweite Schutzfilmschablone 86 entfernt worden ist, eine dritte Schutzfilmschablone 92 mit einem Fotoresist, welches eine vorher festgelegte Dicke aufweist und einen zweiten geöffneten Bereich abgrenzt (nicht mit Bezugszeichen versehen), auf der gesamten Oberfläche des Opfersubstrats 80 gebildet, welches durch den dritten Ätzprozess mit dem Graben 90 der säulenförmigen Konfiguration mit dem eingesenkten proximalen Ende ausgebildet ist.
  • Zu diesem Zeitpunkt sind die dritten Schutzfilmschablonen 92 gebildet, um die dritten geöffneten Bereiche auf dem Opfersubstrat 80 zu begrenzen, dergestalt, dass die Trägerabschnitte in den dritten geöffneten Bereichen gebildet werden, und die dritten geöffneten Bereiche jeweils mit den Gräben 88 und 90 kommunizieren.
  • Nachdem ein leitfähiger Werkstoff 93, wie in 24a dargestellt ist, in der Menge der vorher eingestellten Dicke in den auf dem Opfersubstrat 80 von der Schutzfilmschablone 92 begrenzten dritten geöffneten Bereich durch Ausführung von CVD, PVD oder eines Galvanikprozesses eingefüllt worden ist, wird danach eine obere Fläche eines sich ergebenden Produkts geglättet. Alternativ wird, nachdem ein leitfähiger Werkstoff 94, wie in 24b dargestellt ist, in der Menge der vorher eingestellten Dicke in den auf dem Opfersubstrat 80 von der Schutzfilmschablone 92 begrenzten dritten geöffneten Bereich durch Ausführung von CVD, PVD oder eines Galvanikprozesses eingefüllt worden ist, eine obere Fläche eines sich ergebenden Produkts geglättet.
  • Zu diesem Zeitpunkt sind die leitfähigen Werkstoffe aus einer Nickellegierung etc. hergestellt, und die oberen Flächen der resultierenden Produkte, die mit den leitfähigen Werkstoffen 93 und 94 gebildet sind, können durch chemisches mechanisches Polieren (CMP), Rückätzung, Schleifen, etc. geglättet werden.
  • Wie in 25a dargestellt ist, wird in Folge, nachdem die dritte Schutzfilmschablone 92 von der oberen Fläche des Opfersubstrats 80 nach Durchführung des Glättungsvorgangs entfernt worden ist, ein Trägerabschnitt 96 dergestalt gebildet, dass er mit einem Spitzenabschnitt verbunden ist, der um das proximale Ende davon zwei ununterbrochen ausgebildete Vorsprünge aufweist. Alternativ wird, wie in 25b gezeigt ist, nachdem die zweite Schutzfilmschablone 92 von der oberen Fläche des Opfersubstrats 80 nach Durchführung des Glättungsvorgangs entfernt worden ist, der Trägerabschnitt 98 dergestalt gebildet, dass er mit dem zwei Vorsprünge aufweisenden Spitzenabschnitt verbunden ist.
  • In diesem Zustand kann die dritte Schutzfilmschablone 92 durch Ausführung eines Nassätzvorgangs mit Verwendung einer Chemikalie oder eines Trockenätzvorgangs, beispielsweise Ashing und dergleichen, entfernt werden.
  • In der gleichen Weise wie die erste Ausführungsform weist jeder der Trägerabschnitte 96 und 98 eine mehrstufige Konfiguration auf, welche Folgendes aufweist: einen ersten stangenförmigen Abschnitt, der mit jedem der in den Gräben 88 und 90 gebildeten Spitzenabschnitte verbunden ist, einen zweiten stangenförmigen Abschnitt, dessen Breite größer ist als die des ersten Abschnitts, und einen dritten stangenförmigen Abschnitt mit einer Breite, die größer ist als die des zweiten Abschnitts. Selektiv kann jeder der Trägerabschnitte 96 und 98 eine zickzackförmige Konfiguration umfassen, welche Folgendes aufweist: einen mit jedem der in den Gräben 88 und 90 gebildeten Spitzenabschnitten verbundenen ersten stangenförmigen Abschnitt, einen zweiten zickzackförmigen Abschnitt, und einen dritten stangenförmigen Abschnitt.
  • Ebenfalls wird wie in der ersten Ausführungsform ein Prozess ausgeführt, um die auf dem Opfersubstrat 80 gebildeten Trägerabschnitte 96 und 98 mittels einer Erhebung und Durchbonden mit einer elektronischen Komponente zu verbinden, auf welcher eine Schaltung realisiert ist. So wird durch Entfernen des Opfersubstrats 80 mittels Nassätzen etc. das zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendete elektrische Kontaktbauteil vervollständigt.
  • 38a und 38b sind eine Querschnittsansicht und eine perspektivischen Ansicht, die ein zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendetes elektrisches Kontaktbauteil gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • An dem zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten erfindungsgemäßen ersten elektrischen Kontaktbauteil sind, wie in 38a und 38b gezeigt ist, ein Anschluss (einer elektronischen Komponente 20, beispielsweise eine gedruckte Schaltung auf einer Platine (PCB) mit einer darauf aufgebrachten vorher festgelegten Schaltungsausführung, und ein Pfostenabschnitt 22 mit einer Erhebung einer vorher festgelegten Größe etc. miteinander verbunden. Ein Trägerabschnitt 24, der an einem Ende davon mit einem Spitzenabschnitt 26 ausgebildet ist, ist mit dem Pfostenabschnitt 22 durch Weichlöten, Hartlöten, einen Leitkleber, etc. verbunden.
  • In diesem Stadium weist der Trägerabschnitt 24 eine zickzackförmige Konfiguration mit mindestens einem zickzackförmigen Abschnitt auf. Eine Armstütze 30 gemäß der vorliegenden Erfindung ist auf einer Fläche auf dem zickzackförmigen Abschnitt des Trägerabschnitts 24 vorgesehen, wobei diese Fläche am weitesten von dem Spitzenabschnitt 26 entfernt angeordnet ist. Die Armstütze 30 ist dergestalt angeordnet, dass sie in einer horizontalen Richtung dem Spitzenabschnitt 26 benachbart ist.
  • Weiterhin ist auf einer äußeren Oberfläche der Armstütze 30 eine Isolationsschicht 34 aus Polyimid, Parylene, etc aufgebracht, um das Erzeugen von statischer Elektrizität zu verhindern, die auf Kontakt zwischen der Armstütze 32 und der elektronischen Komponente 20 zurüekzuführen ist.
  • Hiernach werden Trägerabschnitte eines zur Prüfung einer elektronischen Komponente verwendeten elektrischen Kontaktbauteils gemäß der vorliegenden Erfindung im Detail mit Bezugnahme auf 41(a) bis 41(f) beschrieben.
  • Wie in 41(a) dargestellt ist, weist der Trägerabschnitt 24 des erfindungsgemäßen elektrischen Kontaktbauteils eine zickzackförmige Konfiguration auf, bei der ein erster stangenförmiger Abschnitt 100 einer vorher festgelegten Länge, ein zweiter Abschnitt 102 und ein dritter Abschnitt 104 in einem vorher festgelegten Winkel gebogen sind, um zwei abgebogene beziehungsweise abgewinkelte Segmente zu bilden.
  • In diesem Zustand ist eine Armstütze 106 auf einer Oberfläche des Trägerabschnitts zwischen dem zweiten und dritten Abschnitt 102 und 103 anliegend an einem Biegepunkt vorgesehen, und ein Spitzenabschnitt 108 ist an einem freien Ende des dritten Abschnitts 104 ausgebildet.
  • Wie in 41(b) bis 41(f) dargestellt ist, können die Trägerabschnitte 24 der erfindungsgemäßen elektrischen Kontaktbauteile weiterhin zickzackförmige Konfigurationen aufweisen, bei welchen stangenförmige erste Abschnitte 110, 120, 130, 140 und 150, zweite Abschnitte 112, 122, 132, 142 und 152, dritte Abschnitte 114, 124, 134, 144 und 154 und vierte Abschnitte 116, 126, 136, 146 und 156 in vorher festgelegten Winkeln gebogen sind, um drei abgebogene Segmente zu bilden.
  • In diesem Zustand sind Armstützen 118, 128, 138, 148 und 158 auf einer Oberfläche der Trägerabschnitte zwischen den zweiten Abschnitten 112, 122, 132, 142 und 152 und den dritten Abschnitten 114, 124, 134, 144 und 154 anliegend an Biegepunkten vorgesehen. Spitzenabschnitte 119, 129, 139, 149 und 159 sind an freien Enden der vierten Abschnitte 116, 126, 136, 146 und 156 gebildet.
  • Wie aus 41(F) klar ersichtlich ist, ist es in diesem Zustand auf Grund der Tatsache, dass die Trägerabschnitte 24 in ihrer Breite von den Pfostenabschnitte aus zu den Spitzenabschnitte 159 hin verringert sind, möglich, dem gegenwärtigen Trend zu einer Hochpräzision in einer hochintegrierten Halbleitervorrichtung zu entsprechen.
  • Da die Breite der Trägerabschnitte von den ersten Abschnitten aus auf die vierten Abschnitte hin verringert ist, bedeutet dieses, dass eine Vielzahl von mit den Spitzenabschnitten 159 ausgebildeten Trägerabschnitten 24 radial aneinander angeordnet werden kann, um mit einer Kontaktfläche einer Halbleitervorrichtung in Kontakt gebracht zu werden.
  • Folglich kann der Spitzenabschnitt 26 des elektrischen Kontaktbauteils durch konstante physikalische Kraft mit einem Halbleiterchip in Kontakt gebracht werden, während er eine gewünschte OD-Eigenschaft aufweist, um ein konstantes elektrisches Signal auf den Halbleiterchip aufzubringen und dadurch festzustellen, ob der Halbleiterchip in einem Normalzustand, das heißt funktionsfähig, ist oder nicht.
  • In dieser Lage wird der Trägerabschnitt 24 von der physikalischen Kraft verbogen, wodurch der Spitzenabschnitt 26 mit der Kontaktfläche des Halbleiterchips in Kontakt gebracht wird, und die auf der Oberfläche des Trägerabschnitts 24 ausgebildete Armstütze 30 wird mit der elektronischen Komponente 20 in Kontakt gebracht.
  • Wenn der Spitzenabschnitt 26 und die Kontaktfläche des Halbleiterchips miteinander in Kontakt gebracht sind, tritt außerdem ein Torsionsphänomen auf, da der Trägerabschnitt 24 die einmal oder mehrmals ausgeführte zickzackförmige Konfiguration aufweist und die Armstütze 30 auf einer Oberfläche des Trägerabschnitts angeordnet ist. Auf Grund dieses Torsionsphänomens kann eine durch den Spitzenabschnitt 26 auf den Halbleiterchip aufgebrachte Druckkraft verdoppelt werden, um zu gewährleisten, dass der Spitzenabschnitt 26 mit der Kontaktfläche des Halbleiterchips durch einen Oxidfilm verlässlich in Kontakt gebracht ist.
  • 39a und 39b sind eine Querschnittsansicht und eine perspektivische Ansicht, die ein zur Prüfung einer elektrischen Vorrichtung verwendetes elektrisches Kontaktbauteil in Übereinstimmung mit einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen.
  • Wie aus 39a und 39b klar ersichtlich ist, ist das elektrische Kontaktbauteil gemäß dieser Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in der gleichen Art und Weise aufgebaut wie die vierte Ausführungsform, außer dass die Armstütze 50 auf der elektronischen Komponente 40 an einer Position vorgesehen ist, die zu einem abgewinkelten Abschnitt des Trägerabschnitts 44 korrespondiert und die nahe an dem Spitzenabschnitt 46 angeordnet ist.
  • Um hierbei zu verhindern, dass statische Elektrizität auf Grund des Kontaktierens zwischen der Armstütze 50 und dem Trägerabschnitt 44 erzeugt wird, wird außerdem eine Beschichtung 52 aus Polyimid, Parylene etc. auf eine äußere Oberfläche der Armstütze 50 aufgebracht.
  • Folglich kann der Spitzenabschnitt 46 des elektrischen Kontaktbauteils durch konstante physikalische Kraft mit einer Kontaktfläche eines Halbleiterchips in Kontakt gebracht werden, während er eine gewünschte OD-Eigenschaft aufweist, um ein konstantes elektrisches Signal auf den Halbleiterchip aufzubringen und dadurch festzustellen, ob der Halbleiterchip in einem Normalzustand ist oder nicht.
  • In dieser Lage wird der Trägerabschnitt 44 von der physikalischen Kraft gebogen, wodurch der Spitzenabschnitt 46 mit der Kontaktfläche des Halbleiterchips in Kontakt gebracht wird, und die auf der Oberfläche der elektronischen Komponente 40 ausgebildete Armstütze 50 wird mit einer Oberfläche des Trägerabschnitts 44 in Kontakt gebracht.
  • Wenn der Spitzenabschnitt 46 und die Kontaktfläche des Halbleiterchips miteinander in Kontakt gebracht sind, tritt außerdem ein Torsionsphänomen auf, da der Trägerabschnitt 44 die einmal oder mehrmals ausgeführte zickzackförmige Konfiguration aufweist und die Armstütze 50 auf der elektronischen Komponente angeordnet ist. Auf Grund dieses Torsionsphänomens kann eine durch den Spitzenabschnitt 46 auf den Halbleiterchip aufgebrachte Druckkraft verdoppelt werden, um zu gewährleisten, dass der Spitzenabschnitt 46 mit der Kontaktfläche des Halbleiterchips durch einen Oxidfilm verlässlich in Kontakt gebracht ist.
  • 40a und 40b sind eine Querschnittsansicht und eine perspektivische Ansicht, die ein zur Prüfung einer elektrischen Vorrichtung verwendetes elektrisches Kontaktbauteil in Übereinstimmung mit einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen.
  • Wie aus 40a und 40b klar ersichtlich ist, ist das elektrische Kontaktbauteil gemäß dieser Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in der gleichen Art und Weise aufgebaut wie die vierte Ausführungsform, außer dass ein Paar von Armstützen 70 und 74 jeweils horizontal an dem Spitzenabschnitt 26 anliegend und auf einer Oberfläche des zickzackförmigen Abschnitts des Trägerabschnitts 64 angeordnet sind, wobei die Oberfläche vertikal am weitesten von dem Spitzenabschnitt 66 entfernt und auf der elektronischen Komponente an einer Position angeordnet ist, die zu einem abgewinkelten Abschnitt des Trägerabschnitts 64 korrespondiert, die horizontal an dem Spitzenabschnitt 46 anliegend angeordnet ist.
  • In diesem Zustand ist das Paar von Armstützen 70 und 74 jeweils auf dem Trägerabschnitt 64 und der elektronischen Komponente 60 in einem Abstand von einander in Anbetracht eines Ausmaßes angeordnet, in dem der Trägerabschnitt 64 abgewinkelt ist. Um zu verhindern, dass statische Elektrizität auf Grund des Kontaktierens zwischen den Armstützen 70 und 74 erzeugt wird, werden außerdem Beschichtungen 72 und 76 aus Polyimid, Parylene etc. auf äußere Oberflächen der Armstützen 70 und 74 aufgebracht.
  • Folglich kann der Spitzenabschnitt 66 des elektrischen Kontaktbauteils durch konstante physikalische Kraft mit einer Kontaktfläche eines Halbleiterchips in Kontakt gebracht werden, während er eine gewünschte OD-Eigenschaft aufweist, um ein konstantes elektrisches Signal auf den Halbleiterchip aufzubringen und dadurch festzustellen, ob der Halbleiterchip in einem Normalzustand ist oder nicht.
  • In dieser Lage wird der Trägerabschnitt 64 von der physikalischen Kraft gebogen, wodurch der Spitzenabschnitt 66 mit der Kontaktfläche des Halbleiterchips in Kontakt gebracht wird, und das auf der Oberfläche des Trägerabschnitts 64 und der elektronischen Komponente vorgesehene Paar von Armstützen 70 und 74 wird miteinander in Kontakt gebracht.
  • Wenn der Spitzenabschnitt 66 und die Kontaktfläche des Halbleiterchips miteinander in Kontakt gebracht sind, tritt außerdem ein Torsionsphänomen auf, da der Trägerabschnitt 64 die einmal oder mehrmals ausgeführte zickzackförmige Konfiguration aufweist und das Paar von Armstützen 70 und 74 jeweils auf der Oberfläche des Trägerabschnitts 64 und auf der elektronischen Komponente 60 angeordnet ist. Auf Grund dieses Torsionsphänomens kann eine durch den Spitzenabschnitt 66 auf den Halbleiterchip aufgebrachte Druckkraft verdoppelt werden, um zu gewährleisten, dass der Spitzenabschnitt 66 mit der Kontaktfläche des Halbleiterchips durch einen Oxidfilm verlässlich in Kontakt gebracht ist.
  • 42a bis 42i sind Querschnittsansichten, die ein Verfahren zum Herstellen des zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils veranschaulichen, das in 38a und 38b dargestellt ist.
  • Bei dem Verfahren gemäß dieser Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird zuerst, wie in 42a gezeigt ist, ein erster Schutzfilm einer vorher festgelegten Dicke auf einer gesamten Oberfläche eines Opfersubstrats 200 aus Silizium gebildet. Der erste Schutzfilm kann einen solchen dünnen Film wie ein Fotoresist und dergleichen aufweisen. Dann wird durch Schablonenerstellung des ersten Schutzfilms eine erste Schutzfilmschablone 202 in einer solchen Weise gebildet, dass die erste Schutzfilmschablone 202 einen ersten geöffneten Bereich zur Bildung eines Spitzenabschnitts abgrenzt.
  • Zu diesem Zeitpunkt weist die erste Schutzfilmschablone 202 das Fotoresist und dergleichen auf und wird durch Beschichten, Belichten und Entwickeln des Fotoresists und dergleichen auf dem Opfersubstrat 200 gebildet, während das Opfersubstrat 200 rotiert.
  • Als nächstes wird wie in 42b gezeigt ein Graben 204 zur Bildung eines Spitzenabschnitts in nachfolgenden Prozessen auf dem Opfersubstrat 200 durch Ausführen eines Ätzvorgangs mit Verwenden der ersten Schutzfilmschablone 202 als eine Ätzmaske gebildet.
  • Zu diesem Zeitpunkt kann der Ätzprozess zum Bilden des Grabens 204 einen Nassätzvorgang mit Verwenden einer Chemikalie oder eines Trockenätzprozesses mit Verwenden eines Reaktionsgases aufweisen. Nachdem der Graben 204 durch ein- oder mehrmaliges Ausführen von anisotropem Ätzen in dem Graben ausgebildet worden ist, wird eine Tiefe des Grabens 204 vergrößert, wodurch der Graben 204 eine polygonale pyramidenstumpfförmige oder kegelstumpfförmige Konfiguration mit einer geneigten Seitenfläche aufweist. Ebenfalls wird durch Abrunden einer inneren Oberfläche des Grabens 204 und ein- oder mehrmaliges Ausführen von anisotropem Ätzen in dem Graben ein abgerundeter Spitzenabschnitt 218 gebildet.
  • Wie in 42c dargestellt ist, wird in Folge nach Entfernen der ersten Schutzfilmschablone 202 durch Ashing etc. eine zweite Schutzfilmschablone 206 in einer solchen Weise gebildet, dass ein zweiter geöffneter Bereich zur Bildung eines Trägerabschnitts abgegrenzt wird, wobei der Trägerabschnitt ein- oder mehrmals zickzackförmig ausgebildet ist und mindestens einen abgewinkelten Abschnitt aufweist, und wobei der Bereich mit dem Graben 204 kommuniziert.
  • In diesem Stadium kann die zweite Schutzfilmschablone 206 in der gleichen Art und Weise wie die erste Schutzfilmschablone 202 durch kontinuierliches Durchführen von Beschichten, Belichten und Entwickeln eines Fotoresists gebildet werden.
  • Nachdem die zweite Schutzfilmschablone 206 auf dem Opfersubstrat 200 gebildet worden ist, wird darauffolgend, wie in 42d gezeigt ist, ein leitfähiger Werkstoff 208 von einer vorher festgelegten Dicke in dem geöffneten Bereich der zweiten Schutzfilmschablone 206 durch Ausführen von CVD, PVD oder eines Galvanikprozesses in einer solchen Weise gebildet, dass der Trägerabschnitt und der Spitzenabschnitt gebildet werden. Danach wird eine obere Fläche eines sich ergebenden Produkts geglättet.
  • Wie in 42e dargestellt ist, wird in Folge auf der gesamten Oberfläche des Opfersubstrats 200, das dem Glättungsprozess unterzogen wurde, eine dritte Schutzfilmschablone 210 in einer solchen Weise gebildet, dass ein dritter geöffneter Bereich abgegrenzt wird, in welchem eine Armstütze in nachfolgenden Prozessen an einer Position bildbar ist, die horizontal naheliegend an dem Graben 204 zur Bildung des Spitzenbereichs angeordnet ist.
  • Zu diesem Zeitpunkt ist die dritte Schutzfilmschablone 210 ausgebildet, um sicherzustellen, dass die Armstütze auf einem abgewinkelten Abschnitt des Trägerabschnitts in den nachfolgenden Prozessen bildbar und einmal oder mehrmals zickzackförmig ausbildbar ist, wobei der abgewinkelte Abschnitt horizontal an dem Spitzenabschnitt anliegend angeordnet ist.
  • Nachdem die dritte Schutzfilmschablone 210 auf dem Opfersubstrat 200 gebildet worden ist, wird danach, wie in 42f gezeigt ist, ein leitfähiger Werkstoff 211 von einer vorher festgelegten Dicke in dem geöffneten Bereich der dritten Schutzfilmschablone 210 durch Ausführen von CVD, PVD oder eines Galvanikprozesses gebildet. Danach wird eine obere Fläche eines sich ergebenden Produkts geglättet.
  • In diesem Zustand kann eine obere Fläche des durch den leitfähigen Werkstoff 211 gebildeten resultierenden Produkts durch CMP, Rückätzen, Schleifen etc. geglättet werden.
  • Wie in 42d gezeigt ist, wird der Trägerabschnitt 214 und die Armstütze 212 durch Entfernen der zweiten und dritten Schutzfilmschablone 206 und 210 gebildet. Eine Beschichtung 216 aus einem Isolierwerkstoff wie Polyimid, Parylene etc. ist auf einer äußeren Oberfläche der Armstütze 212 aufgebracht.
  • Nachfolgend wird wie in 42h dargestellt ein Pfostenabschnitt 302 mit einer Erhebung von vorher festgelegter Größe etc. auf einem Anschluss einer elektronischen Komponente 300 ausgebildet, beispielsweise einer PCB mit einer darauf vorher festgelegten realisierten Schaltungsausführung. Ein Ende des in dem voraufgehenden Prozess auf dem Opfersubstrat 200 gebildeten Trägerabschnitts 24, welches am weitesten von der Armstütze 212 entfernt ist, ist mit dem Pfostenabschnitt 302 durch eine Verbindungseinrichtung 304 verbunden, wie beispielsweise Weichlötung, Hartlötung, Leitkleber etc.
  • Wie in 42i dargestellt ist, ist schließlich nach Entfernen des Opfersubstrats 200 durch Nassätzen und daraus resultierendes Freilegen des Trägerabschnitts 214 und des damit verbundenen Spitzenabschnitts 218 ein elektrisches Kontaktbauteil mit der auf dem Trägerabschnitt 214 angeordneten Armstütze 212 vervollständigt.
  • 43a bis 44d sind Querschnittsansichten, die ein Verfahren zum Herstellen des zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils veranschaulichen, das in 39a und 39b dargestellt ist.
  • Bei dem Verfahren gemäß der fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird, wie in 43a gezeigt ist, wie bei dem Verfahren zum Herstellen des elektrischen Kontaktbauteils gemäß der vierten Ausführungsform ein zweiter Schutzfilm 404 in einer solchen Weise gebildet, dass ein zweiter geöffneter Bereich zur Bildung eines einmal oder mehrmals zickzackförmig ausgebildeten Trägerabschnitts mit mindestens einem abgewinkelten Abschnitt gebildet ist. Die zweite Schutzfilmschablone 404 kommuniziert mit einem Graben 402, welcher durch Ausführung eines Ätzprozesses unter Verwendung einer ersten Schutzfilmschablone (nicht dargestellt) auf dem Opfersubstrat 400 gebildet ist, und in welcher ein Spitzenabschnitt bildbar ist.
  • Nachdem der Graben 402 durch ein- oder mehrmaliges Ausführen von anisotropem Ätzen in dem Graben 402 ausgebildet worden ist, wird eine Tiefe des Grabens 402 vergrößert, wodurch der Graben 402 eine polygonale pyramidenstumpfförmige oder kegelstumpfförmige Konfiguration mit einer geneigten Seitenfläche aufweist. Ebenfalls kann durch Abrunden einer inneren Oberfläche des Grabens 402 und ein- oder mehrmaliges Ausführen von anisotropem Ätzen in dem Graben 402 der Spitzenabschnitt 218 mit einem abgerundetem distalen Ende gebildet werden.
  • Nachdem die zweite Schutzfilmschablone 404 auf dem Opfersubstrat 400 gebildet worden ist, wird darauffolgend ein leitfähiger Werkstoff 406 von vorher festgelegter Dicke in dem zweiten geöffneten Bereich der zweiten Schutzfilmschablone 404 durch Ausführen eines CVD, PVD oder eines Galvanikprozesses in einer solchen Weise ausgebildet, dass der Trägerabschnitt und der Spitzenabschnitt gebildet werden. Danach wird eine obere Fläche eines sich ergebenden Produkts geglättet.
  • Wie in 43b dargestellt ist, wird in Folge durch Entfernen der zweiten Schutzfilmschablone 404 der Trägerabschnitt 408 mit einer zickzackförmigen Konfiguration gebildet, die einmal oder mehrmals zickzackförmig ausgebildet ist. Dabei wird die zweite Schutzfilmschablone 404 durch Ausführen von Nassätzen etc. entfernt.
  • Nachfolgend wird wie in 43c dargestellt eine Armstütze 504 von vorher festgelegter Größe auf einem Anschluss einer elektronischen Komponente 500 ausgebildet, beispielsweise einer PCB mit einer darauf vorher festgelegten realisierten Schaltungsausführung. Eine Beschichtung 506 aus einem Isolierwerkstoff wie Polyimid, Parylene etc. ist auf einer äußeren Oberfläche der Armstütze 504 aufgebracht.
  • Zu diesem Zeitpunkt ist die Armstütze 504 auf der elektronischen Komponente 500 an einer Position auf einem abgewinkelten Abschnitt des Trägerabschnitts 408 gebildet, der einmal oder mehrmals zickzackförmig gestaltet ist, wobei die Position horizontal an dem Spitzenabschnitt anliegend angeordnet ist.
  • Ein Pfostenabschnitt 502 mit einer Erhebung von vorher festgelegter Größe etc. wird auf einem Anschluss einer elektronischen Komponente 500 ausgebildet. Ein Ende des Trägerabschnitts 408, welches am weitesten von dem Graben 402 entfernt ist, ist mit dem Pfostenabschnitt 502 durch eine Verbindungseinrichtung 508 verbunden, wie beispielsweise Weichlötung, Hartlötung, Leitkleber etc.
  • Wie in 43d dargestellt ist, ist schließlich nach Entfernen des Opfersubstrats 400 durch Nassätzen und daraus resultierendes Freilegen des Trägerabschnitts 408 und des damit verbundenen Spitzenabschnitts 410 ein elektrisches Kontaktbauteil mit der auf der elektronischen Komponente 500 angeordneten Armstütze 504 vervollständigt.
  • 44a bis 44d sind Querschnittsansichten, die ein Verfahren zur Herstellung des in 40a und 40b zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung gezeigten verwendeten elektrischen Kontaktbauteils veranschaulichen.
  • Bei dem Verfahren gemäß der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird, wie in 44a gezeigt ist, wie bei dem Verfahren zum Herstellen des elektrischen Kontaktbauteils gemäß der vierten Ausführungsform ein zweiter Schutzfilm 604 in einer solchen Weise gebildet, dass ein zweiter geöffneter Bereich zur Bildung eines einmal oder mehrmals zickzackförmig ausgebildeten Trägerabschnitts mit mindestens einem abgewinkelten Abschnitt gebildet ist. Die zweite Schutzfilmschablone 604 kommuniziert mit einem Graben 602, welcher durch Ausführung eines Ätzprozesses unter Verwendung einer ersten Schutzfilmschablone (nicht dargestellt) auf dem Opfersubstrat 600 gebildet ist, und in welcher ein Spitzenabschnitt bildbar ist.
  • Nachdem der Graben 602 durch ein- oder mehrmaliges Ausführen von anisotropem Ätzen in dem Graben 602 ausgebildet worden ist, wird eine Tiefe des Grabens 602 vergrößert, wodurch der Graben 602 eine polygonale pyramidenstumpfförmige oder kegelstumpfförmige Konfiguration mit einer geneigten Seitenfläche aufweist. Ebenfalls kann durch Abrunden einer inneren Oberfläche des Grabens 602 und ein- oder mehrmaliges Ausführen von anisotropem Ätzen in dem Graben 602 der Spitzenabschnitt 616 mit einem abgerundetem distalen Ende gebildet werden.
  • Nachdem die zweite Schutzfilmschablone 604 auf dem Opfersubstrat 600 gebildet worden ist, wird darauffolgend ein leitfähiger Werkstoff 609 in der Menge einer vorher festgelegten Dicke in den zweiten geöffneten Bereich der zweiten Schutzfilmschablone 604 durch Ausführen eines CVD, PVD oder eines Galvanikprozesses in einer solchen Weise eingefüllt, dass der Trägerabschnitt und der Spitzenabschnitt gebildet werden. Danach wird eine obere Fläche eines sich ergebenden Produkts geglättet.
  • Weiterhin wird eine dritte Schutzfilmschablone 608 auf einem resultierenden Produkt gebildet, welches das Opfersubstrat 600 einschließt, das dem Glättungsvorgang unterzogen wurde, wobei diese Bildung der Schutzfilmschablone 608 in einer solchen Weise erfolgt, dass ein dritter geöffneter Bereich abgegrenzt wird, in welchem eine Armstütze bildbar ist.
  • In diesem Zustand ist die dritte Schutzfilmschablone 608 gebildet, um sicherzustellen, dass die Armstütze auf einem abgewinkelten Abschnitt des Trägerabschnitts gebildet wird, wobei der Trägerabschnitt in den nachfolgenden Prozessen gebildet wird und eine ein- oder mehrfache zickzackförmige Ausgestaltung erhält, wobei der abgewinkelte Abschnitt horizontal an dem Spitzenabschnitt anliegend ausgebildet ist.
  • Nachdem die dritte Schutzfilmschablone 608 auf dem Opfersubstrat 600 gebildet worden ist, wird dann ein leitfähiger Werkstoff 609 in der Menge einer vorher festgelegten Dicke in dem dritten geöffneten Bereich der dritten Schutzfilmschablone 608 durch Ausführen eines CVD, PVD oder eines Galvanikprozesses gebildet. Danach wird eine obere Fläche eines sich ergebenden Produkts geglättet.
  • Wie in 44b dargestellt ist, wird der Trägerabschnitt 614 und die Armstütze 610 durch Entfernen der zweiten und dritten Schutzfilmschablonen 604 und 608 gebildet. Eine Beschichtung 612 aus einem Isolierwerkstoff wie Polyimid, Parylene etc. ist auf einer äußeren Oberfläche der Armstütze 610 aufgebracht.
  • Nachfolgend wird, wie in 44c gezeigt ist, eine Armstütze 702 von vorher festgelegter Größe auf einem Anschluss einer elektronischen Komponente 700 aufgebracht, beispielsweise einer PCB mit einer darauf vorher festgelegten realisierten Schaltungsausführung. Eine Beschichtung 704 aus einem Isolierwerkstoff wie Polyimid, Parylene etc. ist auf einer äußeren Oberfläche der Armstütze 702 aufgebracht.
  • In diesem Zustand ist die Armstütze 702 an einer Position ausgebildet, die zur der auf dem Trägerabschnitt 614 ausgebildeten Armstütze 610 korrespondiert.
  • Ein Pfostenabschnitt 706 mit einer Erhebung von einer vorher festgelegten Größe etc. wird auf einem Anschluss der elektronischen Komponente 700 ausgebildet. Ein Ende des Trägerabschnitts 614, welches am weitesten von dem Graben 602 entfernt ist, ist mit dem Pfostenabschnitt 706 durch eine Verbindungseinrichtung 708 verbunden, wie beispielsweise Weichlötung, Hartlötung, Leitkleber etc.
  • In dieser Lage ist die Armstütze 702 in einer solchen Weise verbunden, dass sie der auf dem Trägerabschnitt 614 gebildeten Armstütze 610 gegenüber steht, wobei sie davon in einem Abstand angeordnet ist.
  • Wie in 44d dargestellt ist, ist schließlich nach Entfernen des Opfersubstrats 600 durch Nassätzen und daraus resultierendes Freilegen des Trägerabschnitts 614 und des damit verbundenen Spitzenabschnitts 616 ein elektrisches Kontaktbauteil mit den Armstützen 610 und 702 vervollständigt, die jeweils auf dem Trägerabschnitt 614 und auf der elektronischen Komponente 700 angeordnet sind.
  • Hiernach werden Simulationsergebnisse zur Aufteilung von Belastung mit Bezugnahme auf 45a und 45b beschrieben, wobei die Belastung auf einen Trägerabschnitt des zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils gemäß der vorliegenden Erfindung und auf einen Trägerabschnitt des zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten herkömmlichen elektrischen Kontaktbauteils aufgebracht ist.
  • Im Fall des Trägerabschnitts gemäß der vorliegenden Erfindung ist, wie in 45a dargestellt ist, konstante Belastung von ungefähr 500 M (Pa) auf den Trägerabschnitt über einen Abschnitt aufgebracht, der von der Verbindungseinrichtung wie der Erhebung um 5.0 × 10–4 bis 2.0 × 10–33 m abgetrennt ist. Im Gegensatz dazu ist im Fall des herkömmlichen Trägerabschnitts, wie in 45b dargestellt ist, variierende Belastung von ungefähr 400 bis 500 M (Pa) auf den Trägerabschnitt durch den gleichen Abschnitt aufgebracht.
  • Wie aus der obigen Beschreibung ersichtlich ist, schafft das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils und das dadurch hergestellte erfindungsgemäße elektrische Kontaktbauteil Vorteil wie weiter unten beschrieben.
  • Da Belastung auf einen Trägerabschnitt des elektrischen Kontaktbauteils aufgeteilt aufgebracht wird, ist es bei der vorliegenden Erfindung möglich, den Trägerabschnitt vor Bruch zu schützen, während der Trägerabschnitt wiederholt mit einem Halbleiterchip in Kontakt gebracht wird.
  • Auf Grund der Tatsache, dass ein distales Ende eines Spitzenabschnitts eine polygonale pyramidenstumpfförmige oder eine kegelstumpfförmige Konfiguration mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche oder eine säulenförmige Konfiguration mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist, durchsticht der Spitzenabschnitt bei der vorliegenden Erfindung einen auf einer Kontaktfläche eines Halbleiterchips gebildeten Oxidfilm nicht und beschädigt die Kontaktfläche nicht, wenn der Spitzenabschnitt des elektrischen Kontaktbauteils wiederholt durch konstante physikalische Kraft mit der Kontaktfläche des Halbleiterchips in Kontakt gebracht wird, und ein fehlerhafter Teil der Kontaktfläche wird nicht vergrößert, wenn nachfolgende Halbleiterfertigungsprozesse wie Drahtbonding und dergleichen ausgeführt werden. Ebenso wird die Wahrscheinlichkeit vermieden, dass das distale Ende des elektrischen Kontaktbauteils verschleißt und durch sich selbst Partikel erzeugt.
  • Weiterhin ist eine Kontaktfläche des Spitzenabschnitts vergrößert und elektrischen Leitfähigkeit dadurch verbessert, was zurückzuführen ist auf die Tatsache, dass das distale Ende des Spitzenabschnitts des elektrischen Kontaktbauteils, welches mit der Kontaktfläche des Halbleiterchips in Kontakt bringbar ist, abgerundet ausgebildet ist.
  • Außerdem kann eine Einstellung einer OD-Eigenschaft leicht ausgeführt werden, da sich eine Länge des Spitzenabschnitts des elektrischen Kontaktbauteils auf 30 μm bis 500 μm erstreckt. Da ein Vorsprung um ein proximales Ende des Spitzenabschnitts herum gebildet ist, wo der Spitzenabschnitt und der Trägerabschnitt des elektrischen Kontaktbauteils miteinander verbunden sind, wird Belastung nicht auf das proximale Ende des Spitzenabschnitts aufgebracht, während der Spitzenabschnitt des elektrischen Kontaktbauteils wiederholt durch konstante physikalische Kraft mit der Kontaktfläche des Halbleiterchips in Kontakt gebracht wird, und es ist möglich, den Spitzenabschnitt vor Bruch zu schützen.
  • Da der Trägerabschnitt des elektrischen Kontaktbauteils eine Vielzahl von abgestuften Abschnitten aufweist, ist es weiterhin möglich, dem gegenwärtigen Trend zu einer Hochpräzision zu entsprechen, der in einer elektronischen Vorrichtung erforderlich ist, wie zum Beispiel ein hochintegrierter Halbleiterchip. Da der Trägerabschnitt des elektrischen Kontaktbauteils eine zickzackförmige Konfiguration aufweist, ist es auch möglich, während der Spitzenabschnitt des elektrischen Kontaktbauteils wiederholt durch konstante physikalische Kraft mit der Kontaktfläche des Halbleiterchips in Kontakt gebracht wird, auf den Trägerabschnitt aufgebrachte Belastung aufzuteilen und den Trägerabschnitt vor Bruch zu schützen.
  • Durch die Tatsache, dass das elektrischen Kontaktbauteil gemäß der vorliegenden Erfindung unter Verwendung eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS) in einer Massenproduktion hergestellt werden kann, ist es möglich, Durchsatz, Produktivität und Betriebszuverlässigkeit einer Prüfgerätschaft für elektronische Vorrichtungen zu erhöhen, wie beispielsweise eine Prüfkarte, welche ein elektrisches Kontaktbauteil aufweisen kann.
  • Es ist auch möglich, den Halbleiterchip zu prüfen, wenn die konstante physikalische Kraft bedeutend bis zu dem Ausmaß erhöht ist, dass der Spitzenabschnitt den auf der Kontaktfläche des Halbleiterchips gebildeten Oxidfilm durchbohrt. Dieses ist zurückzuführen auf einen Torsionseffekt, der von einer Armstütze ermöglicht wird.
  • In den Zeichnungen und der Beschreibung sind typische bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung offenbart und, obwohl spezifische Ausdrücke verwendet werden, sind sie nur in einem allgemeinen und beschreibenden Sinn und nicht zum Zweck einer Beschränkung benutzt, wobei der Bereich der Erfindung durch die folgenden Patentansprüche festgelegt wird.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Offenbart ist ein Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils und ein elektrisches Kontaktbauteil, welches durch Bildung des elektrischen Kontaktbauteils mit dem Spitzenabschnitt und dem Trägerabschnitt hergestellt ist. Das Verfahren weist den Verfahrensschritt Durchführen von anisotropen Ätzen in dem Graben nach dem Festlegen des Grabens auf, wobei das Ätzen in einer solchen Weise durchgeführt wird, dass eine Tiefe des Grabens vergrößert und eine innere Fläche des Grabens gerundet wird. Das elektrische Kontaktbauteil weist einen Trägerabschnitt mit einer vielstufigen Konfiguration auf, der einen dreifach stangenförmigen Abschnitt aufweist, wobei eine Breite größer ist als die davorliegende. Jeder einzelne Abschnitt ist am anderen Ende davon mit einer elektronischen Komponente durch eine Erhebung verbunden; und ein Spitzenabschnitt ist integral mit einem freien Ende des ersten Abschnitts des Trägerabschnitts ausgebildet.

Claims (62)

  1. Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils, wobei Folgendes ausgeführt wird: Festlegen eines Grabens auf einem Opfersubstrat zur Bildung eines Spitzenabschnitts, Bilden einer Schutzfilmschablone in einer solchen Weise, dass die Schutzfilmschablone einen geöffneten Bereich abgrenzt, in welchem ein Trägerabschnitt bildbar ist und welcher mit dem Graben kommuniziert, Einfüllen eines leitfähigen Werkstoffs in den geöffneten Bereich, und Entfernen des Opfersubstrats und der Schutzfilmschablone zum Bilden des elektrischen Kontaktbauteils mit dem Spitzenabschnitt und dem Trägerabschnitt, wobei das Verfahren den folgenden Verfahrensschritt aufweist: Ein- oder mehrmaliges Durchführen von anisotropen Ätzen in dem Graben nach Festlegen des Grabens, so dass eine Tiefe des Grabens vergrößert und eine innere Fläche des Grabens gerundet wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Verfahrensschritt des ein- oder mehrmaligen Durchführens von anisotropen Ätzen in dem Graben, so dass eine Tiefe des Grabens vergrößert und eine innere Fläche des Grabens gerundet wird, durch einen reaktiven Ionenätzprozess ausgeführt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Trägerabschnitt eine vielstufige Konfiguration aufweist, welche Folgendes aufweist: einen mit dem Spitzenabschnitt verbundenen stangenförmigen ersten Abschnitt, einen mit dem ersten Abschnitt verbundenen stangenförmigen zweiten Abschnitt, der eine größere Breite als der erste Abschnitt aufweist, und einen mit dem zweiten Abschnitt verbundenen stangenförmigen dritten Abschnitt, der eine größere Breite als der zweite Abschnitt aufweist.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Trägerabschnitt eine zickzackförmige Konfiguration mit Folgendem aufweist: einen mit dem Spitzenabschnitt verbundenen stangenförmigen ersten Abschnitt, einen mit dem ersten Abschnitt verbundenen zickzackförmigen zweiten Abschnitt, der ein- oder mehrfach zickzackförmig ausgebildet ist, und einen mit dem zweiten Abschnitt verbundenen stangenförmigen dritten Abschnitt.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei ein distales Ende des Spitzenabschnitts eine Konfiguration in einer polygonalen Pyramidenstumpfgestalt oder in einer Kegelstumpfgestalt mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei ein distales Ende des Spitzenabschnitts eine Konfiguration in Säulenform mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist, und wobei um ein proximales Ende des Spitzenabschnitts herum ein Vorsprung gebildet ist.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, welches weiterhin die folgenden Verfahrensschritte aufweist: Nach Festlegen des Grabens zum Bilden des Spitzenabschnitts darin auf dem Opfersubstrat; Erneutes Bilden einer weiteren vorgegebenen Schutzfilmschablone, welche anders ist als die Schutzfilmschablone zum Öffnen von einem einzigen zentralen Abschnitt des Grabens auf dem Opfersubstrat; und dann Ein- oder mehrmaliges Durchführen eines Ätzprozesses zum Vergrößern der Tiefe des Grabens; und Entfernen der vorgegebenen Schutzfilmschablone, die anders ist als die Schutzfilmschablone, zum Öffnen des einzigen zentralen Abschnitts des Grabens.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei ein distales Ende des Spitzenabschnitts eine Konfiguration in einer polygonalen Pyramidenstumpfgestalt oder in einer Kegelstumpfgestalt mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist, und wobei um ein proximales Ende des Spitzenabschnitts herum ein Vorsprung gebildet ist.
  9. Verfahren nach Anspruch 7, wobei ein distales Ende des Spitzenabschnitts eine Konfiguration in Säulenform mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist, und wobei um ein proximales Ende des Spitzenabschnitts herum eine Vielzahl von Vorsprüngen gebildet ist.
  10. Verfahren zum Herstellen eines zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung verwendeten elektrischen Kontaktbauteils durch: Festlegen eines Grabens auf einem Opfersubstrat zur Bildung eines Spitzenabschnitts, Bilden einer Schutzfilmschablone in einer solchen Weise, dass die Schutzfilmschablone einen ersten geöffneten Bereich abgrenzt, in welchem ein Trägerabschnitt bildbar ist und welcher mit dem Graben kommuniziert, Einfüllen eines leitfähigen Werkstoffs in den ersten geöffneten Bereich, und Entfernen des Opfersubstrats und der Schutzfilmschablone zum Bilden des elektrischen Kontaktbauteils mit dem Spitzenabschnitt und dem Trägerabschnitt, wobei das Verfahren die folgenden Verfahrensschritte aufweist: Ein- oder mehrmaliges Durchführen von anisotropen Ätzen in dem Graben nach Festlegen des Grabens dergestalt, dass eine Tiefe des Grabens vergrößert und eine innere Fläche des Grabens gerundet wird; Einfüllen des leitfähigen Werkstoffs in den ersten geöffneten Bereich von einer vorher festgelegten Dicke, die auf dem Opfersubstrat durch die erste Schutzschicht begrenzt ist, um den Spitzenabschnitt und den Trägerabschnitt zu bilden, und danach Glätten einer oberen Fläche eines daraus sich ergebenden ersten Produkts; Bilden einer zweiten Schutzfilmschablone auf dem ersten sich ergebenden Produkt, welches dem Verfahrensschritt Glätten unterzogen wurde, in einer solchen Weise, dass die zweite Schutzfilmschablone einen zweiten geöffneten Bereich abgrenzt, in welchem eine Armstütze bildbar ist, angrenzend an den Graben, in dem der Spitzenabschnitt bildbar ist; Einfüllen des leitfähigen Werkstoffs in den zweiten geöffneten Bereich in einer vorher festgelegten Dicke, die auf dem ersten sich ergebenden Produkt durch die zweite Schutzschicht begrenzt wird, um die Armstütze zu bilden, und danach Glätten einer oberen Fläche eines daraus sich ergebenden zweiten Produkts; und Entfernen der zweiten Schutzfilmschablone, der ersten Schutzfilmschablone und des Opfersubstrats, um das elektrische Kontaktbauteil mit dem Spitzenabschnitt, dem Trägerabschnitt und der Armstütze zu vervollständigen.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei ein distales Ende des Spitzenabschnitts eine Konfiguration in einer polygonalen Pyramidenstumpfgestalt oder in einer Kegelstumpfgestalt mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist, und wobei um ein proximales Ende des Spitzenabschnitts herum ein Vorsprung gebildet ist.
  12. Verfahren nach Anspruch 10, wobei ein distales Ende des Spitzenabschnitts eine Konfiguration in Säulenform mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist, und wobei um ein proximales Ende des Spitzenabschnitts herum eine Vielzahl von Vorsprüngen gebildet ist.
  13. Elektrisches Kontaktbauteil zur Verwendung zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung, welches Folgendes aufweist: einen Trägerabschnitt mit einer vielstufigen Konfiguration mit einem ersten stangenförmigen Abschnitt, einem mit dem ersten Abschnitt verbundenen stangenförmigen zweiten Abschnitt, der eine größere Breite als der erste Abschnitt aufweist, und mit einem dritten stangenförmigen Abschnitt, der mit seinem einen Ende mit dem zweiten Abschnitt verbunden ist und eine größere Breite als der zweite Abschnitt aufweist, wobei der dritte Abschnitt mit seinem anderen Ende mit einer elektronischen Vorrichtung über einen Vorsprung beziehungsweise eine Erhebung verbunden ist; einen Graben, der auf einem Opfersubstrat an einer zu einem freien Ende des ersten Abschnitts des Trägerabschnitts korrespondierenden Stelle durch einen ersten isotropischen Ätzprozess unter Verwendung einer ersten Schutzfilmschablone als Ätzmaske gebildet ist, wobei der Ätzprozess ein- oder mehrmalig in einer solchen Weise ausgeführt ist, dass eine Bodenfläche des Grabens gerundet ist; und einen Spitzenabschnitt, der nach dem Entfernen der ersten Schutzfilmschablone wie folgt gebildet ist: Aufgingen einer zweiten Schutzfilmschablone auf dem Opfersubstrat, Einfüllen eines leitfähigen Werkstoffs in den Graben, Glätten einer oberen Fläche auf einem sich ergebenden Produkt, Entfernen des Opfersubstrats und der zweiten Schutzfilmschablone durch Nassätzen.
  14. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 13, wobei durch ein- oder mehrmalige Durchführung von anisotropen Ätzvorgängen der Graben einen polygonalen pyramidenstumpfförmigen oder einen kegelstumpfförmigen Abschnitt aufweist, wobei eine Seitenfläche des Grabens geneigt ausgebildet ist.
  15. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 13, wobei ein distales Ende des Spitzenabschnitts eine Konfiguration in Säulenform mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist, und wobei um ein proximales Ende des Spitzenabschnitts herum eine Vielzahl von Vorsprüngen gebildet ist.
  16. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 15, wobei der Spitzenabschnitt gebildet ist durch: Bildung einer Einsenkung auf dem Opfersubstrat durch Ausführung eines ersten isotropen Ätzvorgangs und eines zweiten anisotropen Ätzvorgangs, Bildung des Grabens mit einem säulenförmigen Abschnitt mit der abgerundeten Bodenfläche, Einfüllung des leitfähigen Werkstoffs in den Graben, und Entfernung des Opfersubstrats.
  17. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 13, wobei ein distales Ende des Spitzenabschnitts eine Konfiguration in einer polygonalen Pyramidenstumpfgestalt oder in einer Kegelstumpfgestalt mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist, und wobei um ein proximales Ende des Spitzenabschnitts herum ein Vorsprung gebildet ist.
  18. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 17, wobei der Spitzenabschnitt gebildet ist durch: Bildung einer Einsenkung auf dem Opfersubstrat durch Ausführung eines ersten, zweiten und dritten Ätzvorgangs, Bildung des Grabens mit einem polygonalen pyramidenstumpfförmigen oder einem kegelstumpfförmigen Abschnitt mit der abgerundeten Bodenfläche, Einfüllung des leitfähigen Werkstoffs in den Graben, und Entfernung des Opfersubstrats.
  19. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 13, wobei ein distales Ende des Spitzenabschnitts eine Konfiguration in Säulenform mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist, und wobei um ein proximales Ende des Spitzenabschnitts herum erste und zweite Vorsprünge gebildet sind.
  20. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 19, wobei der Spitzenabschnitt gebildet ist durch: Bildung von ersten und zweiten Einsenkungsabschnitten auf dem Opfersubstrat durch Ausführung von ersten, zweiten und dritten Ätzvorgängen, Bildung des Grabens mit einem säulenförmigen Abschnitt mit der abgerundeten Bodenfläche, Einfüllung des leitfähigen Werkstoffs in den Graben, und Entfernung des Opfersubstrats.
  21. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 13, wobei ein distales Ende des Spitzenabschnitts eine Konfiguration in einer Pyramidenstumpfgestalt oder in einer Kegelstumpfgestalt mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist.
  22. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 13, wobei ein distales Ende des Spitzenabschnitts eine Konfiguration in Säulenform mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist, und wobei um ein proximales Ende des Spitzenabschnitts herum ein Vorsprung gebildet ist.
  23. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 13, wobei ein distales Ende des Spitzenabschnitts eine Konfiguration in einer Pyramidenstumpfgestalt oder in einer Kegelstumpfgestalt mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist, und wobei um ein proximales Ende des Spitzenabschnitts herum ein Vorsprung gebildet ist.
  24. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 13, wobei ein erster Vorsprung um ein proximales Ende des Spitzenabschnitts herum gebildet ist, ein zweiter Vorsprung um einen mittleren Abschnitt des Spitzenabschnitts herum in solcher Weise gebildet ist, dass der zweite Vorsprung mit dem ersten Vorsprung verbunden ist und eine kleinere Querschnittsfläche als der erste Vorsprung aufweist, und ein distales Ende des Spitzenabschnitts eine Konfiguration in Säulengestalt mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche in einer solchen Weise aufweist, dass das distale Ende mit dem zweiten Vorsprung verbunden ist und eine kleinere Querschnittsfläche als der zweite Vorsprung aufweist.
  25. Elektrisches Kontaktbauteil zur Verwendung zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung, welches Folgendes aufweist: einen Trägerabschnitt mit einer zickzackförmigen Konfiguration mit einem ersten stangenförmigen Abschnitt, der mit einer elektronischen Komponente über einen Vorsprung beziehungsweise eine Erhebung verbunden ist, einem mit dem ersten Abschnitt verbundenen zweiten zickzackförmigen Abschnitt, der ein- oder mehrmals zickzackförmig ausgebildet ist, und mit einem mit dem zweiten Abschnitt verbundenen dritten stangenförmigen Abschnitt; einen Graben, der auf einem Opfersubstrat an einer zu einem freien Ende des dritten Abschnitts des Trägerabschnitts korrespondierenden Stelle durch einen ersten isotropischen Ätzprozess unter Verwendung einer ersten Schutzfilmschablone als Ätzmaske gebildet ist, wobei der Ätzprozess ein- oder mehrmalig in einer solchen Weise ausgeführt ist, dass eine Bodenfläche des Grabens gerundet ist; und einen Spitzenabschnitt, der nach dem Entfernen der ersten Schutzfilmschablone wie folgt gebildet ist: Aufbringen einer zweiten Schutzfilmschablone auf dem Opfersubstrat, Einfüllen eines leitfähigen Werkstoffs in den Graben, Glätten einer oberen Fläche auf einem sich ergebenden Produkt, Entfernen des Opfersubstrats und der zweiten Schutzfilmschablone durch Nassätzen.
  26. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 25, wobei der Graben durch ein- oder mehrmalige Ausführung von anisotropischem Ätzen eine polygonale Pyramidenstumpfform, eine Kegelstumpfform mit einer geneigten Seitenfläche des Grabens aufweist.
  27. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 25, wobei ein distales Ende des Spitzenabschnitts eine Konfiguration in Säulenform mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist, und wobei um ein proximales Ende des Spitzenabschnitts herum ein Vorsprung gebildet ist.
  28. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 25, wobei der Spitzenabschnitt gebildet ist durch: Bildung einer Einsenkung auf dem Opfersubstrat durch Ausführung eines ersten isotropischen Ätzvorgangs und eines zweiten anisotropischen Ätzvorgangs, Bildung des Grabens mit einem säulenförmigen Abschnitt mit der abgerundeten Bodenfläche, Einfüllung des leitfähigen Werkstoffs in den Graben, und Entfernung des Opfersubstrats.
  29. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 25, wobei ein distales Ende des Spitzenabschnitts eine Konfiguration in einer polygonalen Pyramidenstumpfgestalt oder in einer Kegelstumpfgestalt mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist, und wobei um ein proximales Ende des Spitzenabschnitts herum ein Vorsprung gebildet ist.
  30. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 29, wobei der Spitzenabschnitt gebildet ist durch: Bildung einer Einsenkung auf dem Opfersubstrat durch Ausführung eines ersten, zweiten und dritten Ätzvorgangs, Bildung des Grabens mit einem polygonalen pyramidenstumpfförmigen oder einem kegelstumpfförmigen Abschnitt mit der abgerundeten Bodenfläche, Einfüllung des leitfähigen Werkstoffs in den Graben, und Entfernung des Opfersubstrats.
  31. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 25, wobei ein distales Ende des Spitzenabschnitts eine Konfiguration in Säulenform mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist, und wobei um ein proximales Ende des Spitzenabschnitts herum erste und zweite Vorsprünge gebildet sind.
  32. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 31, wobei der Spitzenabschnitt gebildet ist durch: Bildung von ersten und zweiten Einsenkungsabschnitten auf dem Opfersubstrat durch Ausführung von ersten, zweiten und dritten Ätzvorgängen, Bildung des Grabens mit einem säulenförmigen Abschnitt mit der abgerundeten Bodenfläche, Einfüllung des leitfähigen Werkstoffs in den Graben, und Entfernung des Opfersubstrats.
  33. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 25, wobei der zweite zickzackförmige Abschnitt des Trägerabschnitts einen Biegungswinkel von 30° bis 170° aufweist.
  34. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 25, wobei der Trägerabschnitt in seiner Breite von dem ersten Abschnitt aus zu dem dritten Abschnitt hin verringert ist.
  35. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 25, wobei ein distales Ende des Spitzenabschnitts eine Konfiguration in einer Pyramidenstumpfgestalt oder in einer Kegelstumpfgestalt mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist.
  36. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 25, wobei ein distales Ende des Spitzenabschnitts eine Konfiguration in Säulenform mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist, und wobei um ein proximales Ende des Spitzenabschnitts herum ein Vorsprung gebildet ist.
  37. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 25, wobei ein distales Ende des Spitzenabschnitts eine Konfiguration in einer Pyramidenstumpfgestalt oder in einer Kegelstumpfgestalt mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche aufweist, und wobei um ein proximales Ende des Spitzenabschnitts herum ein Vorsprung gebildet ist.
  38. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 25, wobei ein erster Vorsprung um ein proximales Ende des Spitzenabschnitts herum gebildet ist, ein zweiter Vorsprung um einen mittleren Abschnitt des Spitzenabschnitts herum in solcher Weise gebildet ist, dass der zweite Vorsprung mit dem ersten Vorsprung verbunden ist und eine kleinere Querschnittsfläche als der erste Vorsprung aufweist, und ein distales Ende des Spitzenabschnitts eine Konfiguration in Säulengestalt mit einer abgerundeten distalen Endoberfläche in einer solchen Weise aufweist, dass das distale Ende mit dem zweiten Vorsprung verbunden ist und eine kleinere Querschnittsfläche als der zweite Vorsprung aufweist.
  39. Elektrisches Kontaktbauteil zur Verwendung zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung, welches Folgendes aufweist: ein gebildetes Opfersubstrat mit einem ersten Fotoresist mit einer vorher festgelegten Dicke auf einer Oberfläche davon; einen ersten geöffneten Bereich, der durch Ausgestaltung des ersten Fotoresists gebildet ist, um dann die Bildung eines Spitzenabschnitts zu ermöglichen; einen Graben zur Ermöglichung der Bildung des Spitzenabschnitts dann durch Verwendung einer ersten Fotoresistschablone als Ätzmaske, wobei der Graben einem anisotropen Ätzprozess zur Rundung des Spitzenabschnitts unterzogen wird, und wobei die auf dem Opfersubstrat gebildete erste Fotoresistschablone durch Veraschung beziehungsweise Nasspolieren (so genanntes Ashing) entfernt wird; einen ein- oder mehrmals zickzackförmig ausgebildeten zickzackförmigen Trägerabschnitt und eine Armstütze, gebildet durch die folgenden Schritte: Einfüllen eines leitfähigen Werkstoffs für die Bildung des Spitzen- und Trägerabschnitts in einen auf dem Opfersubstrat durch eine zweite Fotoresistschablone abgegrenzten zweiten geöffneten Bereich bis zu einer vorher festgelegten Dicke und durch Ausführen einer chemischen Dampfabscheidung, physikalischen Dampfabscheidung oder eines Galvanisierungsprozesses, Glätten einer oberen Fläche eines sich daraus ergebenden Produkts, und Entfernen der zweiten Fotoresistschablone und einer dritten Fotoresistschablone; einen auf einem Anschlusspunkt einer elektronischen Komponente gebildeten Pfostenabschnitt zum Aufweisen einer Erhebung von einer vorher festgelegten Größe; und eine Verbindungseinrichtung zur Verbindung des Pfostenabschnitts mit einem Ende des Trägerabschnitts gegenüber dem anderen Ende des Trägerabschnitts liegend, an welchem die Armstütze gebildet ist; wobei die Armstütze auf einer unteren Fläche eines zickzackförmigen Abschnitts des Trägerabschnitts gebildet ist, wenn das Opfersubstrat durch Nassätzen entfernt ist.
  40. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 39, wobei ein Beschichtungsfilm aus einem Isolierwerkstoff auf einer äußeren Oberfläche der Armstütze aufgebracht ist.
  41. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 39, wobei der Isolierwerkstoff Polyimid oder Parylene aufweist.
  42. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 39, wobei die Verbindungseinrichtung Weichlötung, Hartlötung, Galvanisierung, oder einen Leitkleber aufweist.
  43. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 39, wobei in dem Fall, dass der Trägerabschnitt mit einem zickzackförmigen Abschnitt ausgebildet ist, der einmal oder mehrmals zickzackförmig ausgestaltet ist, die Armstütze zwischen einer gewünschten Position auf dem zickzackförmigen Abschnitt und einer korrespondierenden Position auf einer Oberfläche der elektronischen Komponente gebildet ist.
  44. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 39, wobei die Armstütze auf dem Trägerabschnitt gegenüber dem Spitzenabschnitt gebildet ist.
  45. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 39, wobei ein Paar von Armstützen jeweils auf dem Trägerabschnitt und der elektronischen Komponente so gebildet sind, dass sie gegenüberliegend angeordnet sind.
  46. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 39, wobei die Armstütze zwischen einem Punkt, der sehr nahe an dem Spitzenabschnitt liegt, auf dem zickzackförmigen Abschnitt des Trägerabschnitt und der korrespondierenden Position auf der Fläche der elektronischen Komponente gebildet ist.
  47. Elektrisches Kontaktbauteil zur Verwendung zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung, welches Folgendes aufweist: ein gebildetes Opfersubstrat mit einem ersten Fotoresist mit einer vorher festgelegten Dicke auf einer Oberfläche davon; einen ersten geöffneten Bereich, der durch Ausgestaltung des ersten Fotoresists gebildet ist, um darin die Bildung eines Spitzenabschnitts zu ermöglichen; einen Graben zur Ermöglichung der Bildung des Spitzenabschnitts darin durch Verwendung einer ersten Fotoresistschablone als Ätzmaske, wobei der Graben einem anisotropen Ätzprozess zur Rundung des Spitzenabschnitts unterzogen wird, und wobei die auf dem Opfersubstrat gebildete erste Fotoresistschablone durch Veraschung beziehungsweise Nasspolieren (so genanntes Ashing) entfernt wird; einen ein- oder mehrmals zickzackförmig ausgebildeten zickzackförmigen Trägerabschnitt und eine Armstütze, gebildet durch die folgenden Schritte: Einfüllen eines leitfähigen Werkstoffs für die Bildung der Spitzen- und Trägerabschnitte in einen auf dem Opfersubstrat durch eine zweite Fotoresistschablone abgegrenzten zweiten geöffneten Bereich bis zu einer vorher festgelegten Dicke und durch Ausführen einer chemischen Dampfabscheidung, physikalischen Dampfabscheidung oder eines Galvanisierungsprozesses, Glätten einer oberen Fläche eines sich daraus ergebenden Produkts, und Entfernen der zweiten Fotoresistschablone und einer dritten Fotoresistschablone; einen auf einem Anschlusspunkt einer elektronischen Komponente gebildeten Pfostenabschnitt zum Aufweisen einer Erhebung von einer vorher festgelegten Größe; eine Verbindungseinrichtung zur Verbindung des Pfostenabschnitts mit einem Ende des Trägerabschnitts gegenüber dem anderen Ende des Trägerabschnitts liegend, auf welchem die Armstütze gebildet ist; und der Spitzenabschnitt auf dem Trägerabschnitt gebildet wird, wenn das Opfersubstrat durch Nassätzen entfernt ist; wobei die Armstütze auf einem zickzackförmigen Abschnitt des zickzackförmigen Trägerabschnitts oder auf einer dem zickzackförmigen Trägerabschnitt gegenüberliegenden Oberfläche der elektronischen Komponente selektiv gebildet ist.
  48. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 47, wobei ein Beschichtungsfilm aus einem Isolierwerkstoff auf einer äußeren Oberfläche der Armstütze aufgebracht ist.
  49. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 48, wobei der Isolierwerkstoff Polyimid oder Parylene aufweist.
  50. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 47, wobei die Verbindungseinrichtung Weichlötung, Hartlötung, Galvanisierung, oder einen Leitkleber aufweist.
  51. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 47, wobei in dem Fall, dass der Trägerabschnitt mit einem zickzackförmigen Abschnitt ausgebildet ist, der einmal oder mehrmals zickzackförmig ausgestaltet ist, die Armstütze zwischen einer gewünschten Position auf dem zickzackförmigen Abschnitt und einer korrespondierenden Position auf einer Oberfläche der elektronischen Komponente gebildet ist.
  52. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 47, wobei die Armstütze auf dem Trägerabschnitt gegenüberliegend dem Spitzenabschnitt gebildet ist.
  53. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 47, wobei ein Paar von Armstützen jeweils auf dem Trägerabschnitt und der elektronischen Komponente so gebildet sind, dass sie gegenüberliegend angeordnet sind.
  54. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 47, wobei die Armstütze zwischen einem Punkt, der dem Spitzenabschnitt am nächsten liegt, auf dem zickzackförmigen Abschnitt des Trägerabschnitts und der korrespondierenden Position auf der Oberfläche der elektronischen Komponente gebildet ist.
  55. Elektrisches Kontaktbauteil zur Verwendung zur Prüfung einer elektronischen Vorrichtung, welches Folgendes aufweist: ein gebildetes Opfersubstrat mit einem ersten Fotoresist mit einer vorher festgelegten Dicke auf einer Oberfläche davon; einen ersten geöffneten Bereich, der durch Ausgestaltung des ersten Fotoresists gebildet ist, um darin die Bildung eines Spitzenabschnitts zu ermöglichen; einen Graben zur Ermöglichung der Bildung des Spitzenabschnitts darin durch Verwendung einer ersten Fotoresistschablone als Ätzmaske, wobei der Graben einem anisotropen Ätzprozess zur Rundung des Spitzenabschnitts unterzogen wird, und wobei die auf dem Opfersubstrat gebildete erste Fotoresistschablone durch Veraschung beziehungsweise Nasspolieren (so genanntes Ashing) entfernt wird; einen ein- oder mehrmals zickzackförmig ausgebildeten zickzackförmigen Trägerabschnitt und eine Armstütze, gebildet durch die folgenden Schritte: Einfüllen eines leitfähigen Werkstoffs für die Bildung des Spitzen- und Trägerabschnitts in einen auf dem Opfersubstrat durch eine zweite Fotoresistschablone abgegrenzten zweiten geöffneten Bereich bis zu einer vorher festgelegten Dicke und durch Ausführen einer chemischen Dampfabscheidung, physikalischen Dampfabscheidung oder eines Galvanisierungsprozesses, Glätten einer oberen Fläche eines sich daraus ergebenden Produkts, und Entfernen der zweiten Fotoresistschablone und einer dritten Fotoresistschablone; einen auf einem Anschlusspunkt einer elektronischen Komponente gebildeten Pfostenabschnitt zum Aufweisen einer Erhebung von einer vorher festgelegten Größe; und eine Verbindungseinrichtung zur Verbindung des Pfostenabschnitts mit einem Ende des Trägerabschnitts gegenüberliegend dem anderen Ende des Trägerabschnitts angeordnet, auf welchem die Armstütze gebildet ist; wobei, wenn das Opfersubstrat durch Nassätzen entfernt ist, Armstützen jeweils auf einem zickzackförmigen Abschnitt des zickzackförmigen Trägerabschnitts und einer Fläche der elektronischen Komponente in einer solchen Art und Weise gebildet sind, dass die Armstützen in einem vorher festgelegten Abstand von einander entfernt angeordnet sind.
  56. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 55, wobei ein Beschichtungsfilm aus einem Isolierwerkstoff auf einer äußeren Oberfläche der Armstütze aufgebracht ist.
  57. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 56, wobei der Isolierwerkstoff Polyimid oder Parylene aufweist.
  58. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 55, wobei die Verbindungseinrichtung Weichlötung, Hartlötung, Galvanisierung, oder einen Leitkleber aufweist.
  59. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 55, wobei in dem Fall, dass der Trägerabschnitt mit einem zickzackförmigen Abschnitt ausgebildet ist, der einmal oder mehrmals zickzackförmig ausgestaltet ist, die Armstütze zwischen einer gewünschten Position auf dem zickzackförmigen Abschnitt und einer korrespondierenden Position auf einer Oberfläche der elektronischen Komponente gebildet ist.
  60. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 55, wobei die Armstütze auf dem Trägerabschnitt gegenüberliegend dem Spitzenabschnitt gebildet ist.
  61. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 60, wobei ein Paar von Armstützen jeweils auf dem Trägerabschnitt und der elektronischen Komponente so gebildet sind, dass sie gegenüberliegend angeordnet sind.
  62. Elektrisches Kontaktbauteil nach Anspruch 55, wobei die Armstütze zwischen einem Punkt, der dem Spitzenabschnitt am nächsten liegt, auf dem zickzackförmigen Abschnitt des Trägerabschnitts und der korrespondierenden Position auf der Oberfläche der elektronischen Komponente gebildet ist.
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