DE1026357B - Elektronische Speicheranordnung mit einer Speicherroehre - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf elektronische Speicher, bei denen ein Kathodenstrahlsysteni einen Schreibstrahl erzeugt, der mit Hilfe eines Ablenksystems in, bekannter Weise stetig abgelenkt wird und auf einer Isolierschicht zeilenweise ein dem Eingangssignal entsprechendes Ladungsbild entstehen läßt, wobei die längs der Zeile sich ändernde Aufladung durch geeignete Beeinflussung des Schreibstrahls erzielt wird. Ein zweites Strahlsystem erzeugt einen Lesestrahl, der ebenfalls längs, der Zeile abgelenkt wird. Dieser Lesestrahl tastet die auf der Zeile durch den Schreibstrahl erzeugten; Ladungen ab und soll sie bei der im folgenden beschriebenen Anwendung auch löschen. Die Isolierschicht sitzt auf einer leitenden Grundplatte. Ferner ist ein Kollektor vorhanden, der die Elektronen, die während der Lade- bzw. Entladevorgänge als Sekundärelektronen die Isolierschicht verlassen, aufnehmen soll. Das Ausgangssignal wird vorzugsweise zwischen Grundplatte und Kollektor entnommen. Es ist bekannt, daß auch ein einziges Strahlsystcm ausreicht, wenn Schreiben und Lesen slels nacheinander erfolgen.

Es war bisher üblich, bei derartigen Speichern für den Schreib- und den Lesevorgang die Tatsache auszunutzen, daß für bestimmte Beschleunigungsspaniinngen eine starke Sekundäremission eintritt und dadurch die Isolierschicht positiv aufgeladen wird, während für sehr kleine oder sehr große Spannungen infolge geringer .Sekundäremission eine negative Aufladung erfolgt. Da das Fokussieren langsamer Elektronen meist schwierig ist, mußte daher die die negative Aufladung erzeugende Spannung im allgemeinen sehr hoch sein.

Bei diesen bekannten Speichern liegt die Beschleunigungsspannung für das Schreiben in einem Bereich mit anderem Aufladungsvorzeichen als die Beschleunigungsspannung für das Lesen (und Löschen). Der Zwang, für beide Vorgänge zwei erheblich verschiedene Spannungen zu verwenden, hat wesentliche Nachteile, da nicht nur zwei verschiedene Stromversorgungsschaltungen erforderlich, sind, sondern auch zwei verschiedene Fokussierungsbedingungen und zwei verschiedene Ablenkbedingungen vorliegen, die von der jeweiligen Höhe der Beschleunigungsspannung abhängig sind. Dies wird besonders störend empfunden bei; Speichern mit nur einem Strahlsystem, das nacheinander zum Schreiben und Abtasten, verwendet wird, weil dann beim Umschalten sehr viele Spannungen gleichzeitig geschaltet und sehr genau eingestellt werden müssen. Aber auch beim Vorhandensein von zwei Strahlsystemen entstehen praktisch Schwierigkeiten bei Speichern, an die extreme Forderungen hinsichtlich geometrischer Genauigkeit gestellt werden, z. B. bei Speichern zur Frequenzkompression von Elektronische Speicheranordnung
mit einer Speicherröhre

Anmelder:

Pintsch-Electro G.m.b.H.,
Konstanz (Bodensee), Bücklestr. 3

Dr. Hans Heinrich Meinke, Gauting bei München,

und Dr.-Ing. Horst Groll, München,

sind als Erfinder genannt worden

Radarbildern. Hier ist gefordert, daß die gelesene Zeile genau mit der geschriebenen Zeile zusammenfällt, weil sonst entweder bei Linienspeichern eine Abtastung neben der geschriebenen Linie kein Signal ergibt oder bei Flächenspeichern eine falsche Zeile abgetastet wird. Es muß also· hier eine äußerst genaue Justierung der Spannungen erfolgen und auch äußerste Konstanz der Spannungen gefordert werden, um den optimalen Betrieb über längere Zeit ohne dauernde Korrekturvorgänge sicherzustellen.

Alle diese Nachteile werden durch die Speicheranordnung nach, der Erfindung vermieden, die es ermöglicht, beim Schreiben und Lesen mit nicht wesentlich verschiedenen, vorzugsweise sogar mit annähernd gleichen Beschleunigungsspannungen zu arbeiten. Eine derartige Speicheranordnung weist daher gegenüber den in der bisher bekannten Weise wirkenden Speichern eine Reihe von wesentlichen Vorteilen auf:

Es vereinfachen sich die Stromversorgungsgeräte. Für Schreiben und Lesen können Strahlsysteme mit gleichem Aufbau verwendet werden; die Fokussierung und die Ablenkung in beiden Dimensionen, kann mit annähernd gleichen Spannungen erfolgen; bei Spannungsschwankungen, die beide Ablenksysteme gemeinsam betreffen, wandern daher auch die Zeilen (Schreib- und Lesezeile) gemeinsam und bleiben somit aufeinander liegen. Für die Praxis bedeutet dies eine Vereinfachung der Geräte bei gesteigerter Betriebssicherheit.

Diese vorteilhaften Eigenschaften werden dadurch erreicht, daß bei der gemäß der Erfindung verwendeten Speicherröhre von einem neuartigen Umladungsvorgang durch, Raumladungssteuerung Gebrauch gemacht

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wird, zu dessen Verwirklichung die folgenden, in ihrer Gesamtheit wirksamen Maßnahmen vorgeschlagen werden:

a) auf zumindest einer Seite einer jeden Speicherzeile einen, parallel neben ihr verlaufenden Streifen vorzusehen, der von keinem der Elektronenstrahlen getroffen" wird und eine negative Ladung erhält,

b) sowohl für den Schreib- als auch für den Abtastvorgang die Beschleunigungsspannung so· zu wählen, daß jedes auf die Speicherzeile auftreffende: Primärelektron im Durchschnitt mehr als ein Sekundärelektron auslöst,

c) die über der Speicherzeile befindliche Sekundärelektronen-Raumladung bei hinreichender Streifen-, laden sie sich nach Inbetriebnahme des Speichers negativ auf und erreichen in sehr kurzer Zeit eine negative Endspannung, weil durch die abstoßende Wirkung der bereits vorhandenen Ladungen ent-5 sprechend der begrenzten Geschwindigkeit der Sekundärelektronen dann keine weiteren Elektronen mehr aufgenommen werden (abgesehen von einem sehr kleinen Nachschub wegen der unvermeidlichen Isolationsverluste).

ίο In einer Abwandlung der Erfindung haben die vStreifen b und c einen leitenden (metallischen) Überzug, dem von außen eine negative Spannung zugeführt werden kann. Dies hat den Vorteil, daß die entstehende Spannung von außen her beeinflußt und auf einen

breite so zu beeinflussen, daß der von der Isolier- 15 optimalen Wert, eingestellt werden kann. Jedoch kann

schicht zum Kollektor fließende Sekundärstrom für man in sehr vielen Fällen den erstrebten Effekt auch

den einen Strahl (z. B. den Schreibstrahl) größer bereits mit Isolierstreifen erreichen, was den Vorteil

und für den anderen Strahl (z. B. den Lesestrahl) einfacherer Herstellung hat Wenn die Aufladung der

kleiner ist als der primäre Strahlstrom, und Seitenstreifen erfolgt ist, wirken auf die Sekundär-

den Kollektor so weit von der Speicherschicht ₂o elektronen, die bei Beschüß durch einen Elektronen

entfernt anzuordnen, daß die durch ihn bewirkten statischen Felder den Einfluß der negativ geladenen Streifen, auf die Ausbildung der Sekundärelektronen-Raumladung nicht behindern. Wenngleich es grundsätzlich möglich ist, nur auf einer Seite der Speicherzeile einen parallel neben ihr verlaufenden Streifen, vorzusehen, wird die Erfindung an Hand einer zunächst bevorzugten, Ausführungsform beschrieben, bei der zu beiden Seiten der Speicherzeile je ein solcher Streifen vorgesehen ist. Hierbei wird auch erläutert werden, in welcher Weise sich die einzelnen obengenannten Maßnahmen, beispielsweise die. Beeinflussung der über der Speicherzeile gebildeten Sekundärelektronen-Raumladung, praktisch durchführen lassen.

Die vorgeschlagene Speicheranordnung läßt sich mittels eines Linienspeichers verwirklichen, also· einer solchen Speicherröhre, die nur eine einzige Zeile enthält, oder mittels eines Flächenspeicners, dessen strahl aus dem Streifen α austreten, folgende Kräfte:

1. Abstoßung durch, die negativ geladenen seitlichen Streifen b und c;

2. Abstoßung durch die Raumladung der ausgelösten Sekundärelektronen, die wegen des durch die seitlichen Streifen erzeugten negativen Potentials hier sehr kleine Geschwindigkeit haben, und deshalb die für die beabsichtigte Wirkung wesentliche, verhältnismäßig große Raumladungsdichte erzeugen;

3. Abstoßung durch die auf dem Streifen α befindlichen negativen Ladungen;

4. Anziehung durch den Kollektor und die gegebenenfalls auf dem Streifen α befindlichen positiven Ladungen.

Die austretenden Sekundär elektronen unterliegen dadurch einem Stromverteilungsvorgang, der dem Stromverteil.ungsvo>rgang vor der Kathode einer Elektronenröhre sehr ähnlich ist. Ein Teil der Elek-

einzelne Zeilen so· weit voneinander entfernt sind, daß 40 tronen vermag die Abstoßung zu überwinden und die Breite des zwischen benachbarten Zeilen befind- wandert zum Kollektor, ein anderer Teil fällt auf den liehen ungenutzten Streifens wesentlich größer als die Streifen α zurück. Je größer die Raumladung, desto ausgenutzte Breite der Zeile selbst ist, so daß sich die größer wird der Anteil der zurückfallenden Elektronen, im folgenden beschriebene Aufladung der an die Zeile
angrenzenden Streifen ausreichend entwickeln, kann. 45
Da sich dann die benachbarten Zeilen weder potentialmäßig noch durch Streuelektronen merklich beeinflussen, können, wirkt auch ein solcher Flächenspeicher
wie eine Reihe nebeneinandierliegender einfacher

Linienspeicher, so daß die folgenden Überlegungen, 50 auch bei einer kleinen seitlichen Auswanderung immer in denen nur eine Speicherlinie betrachtet wird, in noch, im wesentlichen im Bereich des jeweiligen Bildgleicher Weise für beide Arten von Speichern gelten.
Fig. 1 der Zeichnung stellt einen schematischen

Die abstoßende Wirkung der Seitenstreifen b und c führt dazu, daß die· zurückfallenden Elektronen, nun sehr kurze Wege durchlaufen und daher im wesentlichen wieder auf ihren Ausgangspunkt zurückfallen, der ja wegen der nicht unendlich guten Fokussierung eine gewisse Ausdehnung hat, so daß die Elektronen

Ausschnitt aus einer Speicherplatte dar. Auf einer Grundplatte 1 sitzt eine Isolierschicht 2, auf der mittels eines Elektronenstrahls 3 die Speicherlinie a geschrieben bzw. abgetastet wird. Zu beiden Seiten dieser Linie befinden sich Streifen b bzw. c, die nicht von den Elektronenstrahlen getroffen werden. Die von

den Primärelektronen im Streifen α ausgelösten 60 wirkenden Raumladung.

punktes bleiben. Maßgebend für die vom Primärstrahl erzeugte Aufladung der einzelnen Bildpunktzone ist die Differenz der Stromstärke J₁ der auftreffenden Primärelektronen, und der Stromstärke i₂ der den Kollektor erreichenden Sekundärelektronen. Da der Anteil der zum Kollektor laufenden Sekundärelektronen von der Raumladung abhängt, ist auch die Aufladung der Bildpunktzone abhängig von der jeweils

Sekundärelektronen wandern entweder zum Kollektor (nicht dargestellt) oder fallen auf die Streifen b und c oder auf den Streifen α zurück. Der Kollektor soll im vorliegenden Falle nicht sehr nahe an der Schicht Erfindungsgemäß wird sowohl beim Schreiben als auch beim Abtasten dem Primärstrahl stets eine solche Beschleunigungsspannung gegeben, daß die Zahl der zunächst ausgelösten Sekundärelektronen merklich

liegen, um durch seine Felder das Potential in der 65 größer als die Zahl der auslösenden Primärelektronen

Nähe der Schicht nicht zu sehr zu beeinflussen, so· daß die im folgenden beschriebene Aufladung der Seiten-Streifen voll möglich ist und das Potential dieser Aufladung gut zur Wirkung kommt. Da, die Streifen b ist. Bei sehr kleiner Raumladung und ausreichender Anziehung durch den Kollektor wandern daher mehr Elektronen fort, als vom Primärstrahl geliefert werden, und der Speicherpunkt lädt sich positiv auf.

und c niemals von einem Strahl getroffen werden, 70 Bei sonst gleichen Betriebsspannungen, aber ver-

größerter Raumladung vermindert sich die Zahl der zum Kollektor laufenden Sekundärelektronen, so daß bei hinreichender Raumladung I₁ = i₂ ist und der Bildpunkt nicht aufgeladen wird. Bei noch größerer Raumladung wird i₂ <C i_v und der Bildpunkt lädt sich negativ auf. Es sei angenommen, daß der Schraibvorgang unter Ausnutzung einer bestimmten, Raumladung vor sich geht und eine Aufladung mit bestimmtem Vorzeichen bewirkt. Die zum Lesen (und gegebenenfalls Löschen) erforderliche Änderung des Vorzeichens der Aufladung erreicht man nun erfindungsgemäß im wesentlichen dadurch, daß man im oben erläuterten Sinne die in der Nähe der Speicherlinie wirksame Raumladung ändert, so daß die vorher eingeschriebene J ,adung teilweise (oder ganz) wieder entfernt wird.

Es gibt mehrere bevorzugte Möglichkeiten zum Ändern der Raumladung, die auch bei für Schreiben und Lesen gleicher Beschleunigungsspannung wirksam sind und sowohl einzeln als auch in Kombination verwendet werden können:

1. Ändern der Stromstärke I₁ des primären Stromes bei gleichbleibender Ablenkgeschwindigkeit. — Da sich die Anzahl der pro Bildpunkt ausgelösten Sekundärdektronen proportional zu I₁ ändert, wächst mit wachsendem I₁ auch die Raumladung, und i₂ nimmt ab. Eine dynamische Messung an einer solchen Speicherliuie ergab die Kurve der Fig. 2, die durch die charakteristische: Größe (i_s — I₁)Zi₁ in Abhängigkeit von I₁ die relative Aufladung und den vorher beschriebenen Vorzeichenwechsel zeigt. In diesem Falle kann man also· z. B. mit kleiner Stromstärke I₁ des Elektronenstrahles in d-εη Speicher schreiben und das eingeschriebene Signal mit einem Elektronenstrahl großer Stromstärke I₁ wieder entnehmen. Man kann dieses Vorgehen auch auf Additionsspeicher anwenden, indem man dort mehrmals mit kleinem I₁ auf der gleichen Zeile schreibt und dann die Summe mit großem I₁ wieder entfernt.

2. Ändern der Ablenkgeschwindigkeit bei gleicher Stromstärke. — Wenn man bei gleichem I₁ den Strahl mit zunehmender Geschwindigkeit über die Zeile führt, vermindert sich dabei die den einzelnen Bildpunkt treffende Ladungsmenge und dadurch die über jedem Bildpunkt entstehende Raumladung, also wird i₂ dabei größer. Man kann also z. B. bei sonst gleichen Betriebsdaten mit größerer Ablenkgeschwindigkeit schreiben und positive Aufladung erzeugen, und mit kleinerer Ablenkgeschwindigke.it lesen und dabei die Aufladung wieder entfernen. Dies ist ein Verfahren, das besonders für Speicher zur Kompression des Frequenzbandes von Radarbildern geeignet ist, bei denen stets mit hoher Geschwindigkeit geschrieben und mit niedriger gelesen wird.

3. Wenn man die Streifen b und c der Fig. 1 mit einer leitenden Oberfläche verseben hat, kann man ihre negative Verspannung unmittelbar ändern und auf diese: Weise i₂ beeinflussen, weil dadurch die Geschwindigkeit der Sekundärelektronen und dadurch die Raumladungsdichte unmittelbar über der Schicht geändert wird. Man. gibt dann bei sonst gleichen Betriebsdaten den Streifen b und c beim Schreiben und Lesen eine jeweils verschiedene Vorspannung.

Das einwandfreie Arbeiten der Speicheranordnung gemäß der Erfindung hat zur Voraussetzung, daß der lesende Elektronenstrahl genau über die geschriebene Linie läuft. Die richtige Einstellung dieses Vorganges ist ohne besondere Hilfsmittel schwierig. Im folgenden wird eine Maßnahme beschrieben, die den Einstellvorgang auch für ungeübtes Bedienungspersonal sehr leicht macht und keinen. Aufwand erfordert.' Danach wird als speichernde Isolierschicht ein Leuchtschirm verwendet, auf dem man die geschriebene Linie und die abgetastete Linie durch ihr Leuchten erkennt. Die Platte 1 in Fig. 1 soll aus durchsichtigem Isolierstoff, z. B. aus Glimmer oder Glas sein, das nur unterhalb der Speicherlinie α· (im Bereich 4 der Fig. 1) einen metallisierten Streifen hat, z. B. einen Silberbelag, der entweder zwischen der Isolierschicht und der durchsichtigen Unterlage oder auch (wie in, der Zeichnung) unter der durchsichtigen. Unterlage liegen kann. Beispielsweise kann man die erfindungsgemäße Speicheranordnung mit einer Einstrahl- oder Zweistrahlbildröhre üblicher Bauart verwirklichen, die außen auf dem Glas an einer passenden Stelle über dem Bildschirm an d:er Stelle der gewünschten, Speicherlinie einen, schmalen metallisierten Streifen erhält. Jeder Strahl besitzt außer dem Ablenksystem, das ihn längs der Linie laufen läßt, eiin dazu senkrechtes Ablenksystem, das mit Hilfe einer regelbaren Steuergleichspannung (bzw. eines Steuergleichstroms) die vom Strahl beschriebene Linie parallel zu sich selbst zu verschieben gestattet. Wenn man dadurch die Linien zur Seite schiebt, werden sie neben dem metallischen Streifen 4 durch, die Platte 1 hindurch sichtbar und können von außen durch Regeln, der Gleichspannungen (bzw. -ströme) unter optischer Beobachtung zur Deckung gebracht werden,. Liegt nun ein Teil der beiden Querregelspannungen an einem gemeinsamen Regelwiderstand, so können die leuchtenden Linien, nachdem sie in seitlich verschobener Lage zur Deckung gebracht wurden, durch Betätigung nur der gemeinsamen Regelung über den Metallstreifen 4 geschoben werden; hierbei geht ihre gegenseitige Deckung nicht verloren, da ja nach der vorliegenden Erfindung gleiche Strahlsysteme mit im wesentlicher gleicher Betriebsspannung verwendet werden. Im Vergleich zu anderen Einstellverfahren erweist sich das vorliegende daher als außerordentlich einfach und sicher.

Im allgemeinen wird man mit einer längs der Zeile konstanten Lesegeschwindigkeit und konstantem J₁ arbeiten. Es gibt jedoch auch Fälle, in denen man eine längs der Zeile veränderliche Geschwindigkeit verwendet, z. B. gemäß einem bereits vorgeschlagenen Verfahren. Dies würde nach der früheren Erläuterung unter Punkt 2 wegen der dadurch veränderten Raumladung bei konstantem I₁ zu einem in seiner Wirkung mit der Geschwindigkeit variierenden Lesevorgang führen, der fehlerhafte Zusatzsignale erzeugt. Beispielsweise würde dann aus einer Zeile, die kein eingeschriebenes Signal enthält, wegen des mit der Geschwindigkeit wechselnden L₂ ein dem i₂ entsprechendes, wechselndes Ausgangssignal entstehen. In diesem Fall ist erfindungsgemäß vorgesehen, gleichzeitig mit der Geschwindigkeit der Strahlablenkung in der weiter oben angeführten Weise auch die Raumladung so zu steuern, daß die Lesewirkung· (d. h. das Verhältnis 1.Ji₁ bei sign.alfreier Zeile) längs der Zeile konstant bleibt. Entsprechende Maßnahmen sind anwendbar, wenn nicht der Lesestrahl, sondern der Schreibstrahl mit veränderlicher Geschwindigkeit abgelenkt wird und dabei gleichbleibende Schreibeigenschaften behalten

Claims (12)

Patentansprüche:

1. Elektronische Speicheranordnung mit einer Speicherröhre, die eine Speicherplatte mit isolierender Oberfläche, einen Kollektor sowie zumindest ein Strahlsystem mit zugehörigem Ablenksystem umfaßt, wobei auf die Speicherplatte

mittels eines Elektronenstrahls Ladungen bestimmten Vorzeichens zeilenweise aufgeschrieben und von dieser mittels desselben oder eines weiteren. Elektronenstrahls zeilenweise wieder entnommen, werden, dadurch gekennzeichnet, daß auf zumindest einer Seite einer jeden auf einer Isolierschicht befindlichen Speicherzeile¹ (α) ein parallel neben ihr verlaufender Streifen {b, c) vorgesehen ist, der von keinem der Elektronenstrahlen, getroffen wird und eine negative Ladung erhält, daß sowohl für den Schreib- als auch für den. Abtastvorgang die Beschleunigungsspannung so· gewählt wird, daß jedes auf die Speicherzeile auftreffende Primärelektron, im Durchschnitt mehr als ein Sekundäretektron auslöst, daß der von der Speicherzelle der Isolierschicht zum Kollektor fließende Sekundärstrom für den, einen Vorgang größer und für den anderen Vorgang kleiner gehalten wird als der primäre Strahlstrom, indem die Größe der über dier Speicherzeile befindlichen Sekundärelektronien-Raumladung bei hinreichender Strei'ifenbreite entsprechend beeinflußt wird, und daß der Kollektor so weit von der Speicherschicht -entfernt angeordnet ist, daß die durch ihn bewirkten statischen. Felder den Einfluß der negativ geladenen Streifen auf die Ausbildung der Sekundarelektronen'-Raumladung nicht hehioidern.

2. Speicheranordnung nach Anspruch, 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Streifen neben der Speicherlinie eine isolierende Oberfläche haben und ihre Aufladung durch aus der Speicherlinie austretende Sekundärelektronen erfolgt.

3. Speicheranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Streifen neben der Speicherlinie eine leitende Oberfläche haben und mit Anschlußkontakten in Verbindung stehen und daß ihre Aufladung durch hieran angeschlossene äußere Schaltmittel beeinflußt wird.

4. Speicheranordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufladung der eine leitende Oberfläche aufweisenden Streifen neben der Speicherlinie durch eine von außen, angelegte negative Spannung erfolgt.

5. Speicheranordnung nach, Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die über der Speicherlinie befindliche Raumladung durch für den Schreib- und den Lesevoargang verschiedene Vorspannungen der Streifen neben der Speicherlinie beeinflußt wird.

6. Speicheranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die.

über der Speicherlinie befindliche Raumladung durch jeweils verschiedene Stromstärken des Schreibstrahls und des Lesestrahls beeinflußt wird.

7. Speicheranordnung nach. Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Beeinflussung der Raumladung durch für den Schreib- und den Lesevorgang verschiedene Ablenkgeschwindigkeiten des betreffenden Elektronenstrahls erfolgt.

8. Speicheranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß für den schreibenden und den, lesenden Elektronenstrahl die Beschleunigungsspannung praktisch gleich groß ist.

9. Speicheranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß eine Speicherröhre verwendet wird, bei der die Fokussierungssysteme für den. Schreib- und für den Lesestrahl gleich ausgebildet sind und mit praktisch gleichen Betriebsspannungen, arbeiten.

10·. Speicheranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch, gekennzeichnet, daß als Isolierschicht ein Leuchtschirm dient, der auf einer durchsichtigen. Unterlage aufgebracht ist. die nur unter oder in unmittelbarer Nähe der zum Speichern verwendeten Linie (a) einen schmalen metallisierten Streifen (4) zum Abnehmen des Signals erhält, wobei die Isolierschicht so breit und der Streifen (4) so· schmal ist, das die leuchtenden. Schreib- und Leselinien bei einer Verschiebung parallel zu sich, selbst in voller Länge neben dem metallischen Streifen sichtbar werden.

11. Speicheranordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Verschiebung der Schreib- und Leselinie parallel zu sich selbst durch je eine regelbare Gleichspannung oder je einen, regelbaren Gleichstrom erfolgt, wobei beide Regelgrößen sowohl einzeln als auch durch ein beiden, gemeinsames Regelglied beeinflußt werden, so daß jede Linie einzeln, aber auch beide gemeinsam (bei gleichbleibender relativer Lage) durch Regeln nur eines Gliedes seitlich verschiebbar sind.

12. Speicheranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Schreibstrahl oder Lesestrahl mit längs der Zeile veränderlicher Ablenkgeschwindigkeit arbeitet und die Stromstärke des betreffenden Strahles dementsprechend, zeitlich so verändert wird, daß die Raumladungsdichte über der Speicherlinie und dadurch, das Aufladungsvermögen des Strahles zeitlich konstant bleibt.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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