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Die Erfindung betrifft ein Verfahren
zum Strukturieren dielektrischer Schichten auf Halbleitersubstraten.
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Um eine weitere Leistungssteigerung
von Mikroprozessoren und Speicherchips zu erreichen, ist es erforderlich,
die Abmessungen der einzelnen mikroelektronischen Bauelemente wie
Kondensatoren oder Transistoren ständig weiter zu verringern.
Dies ermöglicht
eine höhere
Integrationsdichte auf einer gegebenen Chipfläche sowie eine Verkürzung der
pro Zeiteinheit durchgeführten
Operationen. Um die Integrationsdichte weiter erhöhen zu können, werden
zunehmend verschiedene mikroelektronische Bauelemente in Schichten übereinander
gestapelt. Um die einzelnen mikroelektronischen Bauelemente jeweils
gezielt ansteuern zu können,
sind daher mehrere, übereinander
angeordnete Leiterbahnebenen erforderlich, die jeweils durch isolierende
dielektrische Schichten voneinander getrennt werden. Bei der Herstellung
eines Mikrochips werden die Strukturen der einzelnen Bauelemente
im Allgemeinen durch eine sequentielle Abscheidung von Schichten verschiedener
Materialien erzeugt. Um gezielt Abschnitte dieser Schichten bearbeiten
zu können,
werden Masken aus einen fotoempfindlichen Resist hergestellt, welcher
sich durch lithografische Verfahren strukturieren lässt. Nach
einer Entwicklung des belichteten Fotoresists, bei welcher selektiv
bestimmte Abschnitte einer Schicht des Fotoresists entfernt werden,
werden Abschnitte der unter der Resistmaske angeordneten Schicht freigelegt,
welche dann selektiv bearbeitet werden können. Nach der Bearbeitung
wird die Resistmaske wieder entfernt. Dazu kann die Resistmaske
beispielsweise mit einem geeigneten Lösungsmittel abgelöst werden oder
in einem Sauerstoffplasma verascht werden. Anschließend erfolgt
meist eine nasschemi sche Reinigung, um auf der Oberfläche verbliebene
Reste organischer Materialien sowie Oxidschichten, welche sich im
Sauerstoffplasma gebildet haben, zu entfernen. Bei der Herstellung
eines Kontaktlochs, durch welches eine leitende Verbindung zwischen
einem in einer unteren Ebene angeordneten elektronischen Bauelement,
beispielsweise dem Sourcekontakt eines Transistors, und einer in
einer höheren
Ebene angeordneten Leiterbahn hergestellt werden soll, wird bisher
in der Weise vorgegangen, dass im einfachsten Fall auf der Ebene,
welche den Kontakt eines elektronischen Bauelements umfasst, zu
welchem eine leitende Verbindung hergestellt werden soll, eine isolierende
dielektrische Schicht abgeschieden wird. Auf dieser dielektrischen
Schicht wird eine Schicht aus einem fotoempfindlichen Resist abgeschieden
und die Resistschicht anschließend
abschnittsweise belichtet und in üblicher Weise entwickelt, so
dass die dielektrische Schicht in dem Abschnitt, in welchem das
Kontaktloch eingebracht werden soll, freigelegt wird. Mit einem
geeigneten Plasma, beispielsweise einem fluorhaltigen Plasma, wird
anschließend
das Kontaktloch in die dielektrische Schicht geätzt, so dass am Grund des Kontaktlochs
der Kontakt zum mikroelektronischen Bauelement freigelegt ist. Anschließend wird
der Resistfilm bzw. die Resistmaske in einem Sauerstoffplasma verascht.
Die Veraschung wird bei einer Temperatur von ca. 250°C während ca.
1 bis 1,5 Minuten durchgeführt.
Das Sauerstoffplasma wird aus einem Gasgemisch erzeugt, das im Wesentlichen
aus Sauerstoff besteht, welchem geringe Mengen eines Formiergases
zugesetzt sind. Das Formiergas dient zur Stabilisierung des Plasmas
und besteht meist aus einem Gemisch aus Stickstoff- und Wasserstoffgas.
Der Anteil des Formiergases am Gas zur Erzeugung des Sauerstoffplasmas
wird im Allgemeinen zwischen 3 und 10 Vol.-% gewählt, üblicherweise in einem Bereich
von ca. 5 Vol.-%. Anschließend
erfolgt eine nasschemische Reinigung der strukturierten Oberfläche der
dielektrischen Schicht unter oxidativen Bedingungen, um auf der
Oberfläche
anhaftende organische Reste zu entfernen. Ein übliches Reinigungsmittel ist
beispielsweise H2SO4 in
Kombination mit 03. Der am Grund des Kontaktlochs
freigelegte Kontakt besteht meist aus Silizium, das beispielsweise
mit einer Dotierung versehen ist. Im Sauerstoffplasma bzw. durch
Sauerstoff oder Wasser aus der Umgebungsluft bildet sich daher eine
dünne Oxidschicht
aus, welche zunächst
entfernt werden muss, ehe das Kontaktloch mit einem leitfähigen Material
gefüllt
wird. Dazu wird die Oberfläche
mit stark verdünnter
wässriger
Flusssäure
gereinigt, die zum Beispiel mit NH4F gepuffert
ist. Es wird dabei jedoch nicht nur die Oxidschicht am Grund des
Kontaktlochs entfernt, sondern auch Material an den Seitenwänden des
Kontaktlochs abgetragen. Durch die Reinigung mit gepufferter Flusssäure erfolgt
also eine Aufweitung der in die dielektrische Schicht eingeätzten Strukturen.
Die gleiche Problematik ergibt sich, wenn der Kontakt aus einer
metallischen Schicht aufgebaut ist, beispielsweise für die Erzeugung
von Vias zwischen übereinander
angeordneten Leiterbahnebenen. Auch hier bildet sich auf der Oberfläche des
Kontakts eine Oxidschicht aus, die vor dem Füllen des Kontaktlochs zunächst entfernt
werden muss. Dazu kann Flusssäure als übliches Ätzmittel
verwendet werden.
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Bei den gegenwärtig bei der Herstellung von
Mikrochips verwirklichten Strukturgrößen lässt sich die Aufweitung beherrschen,
indem die Prozessbedingungen für
die Reinigung mit verdünnter
Flusssäure
optimiert werden. Dazu kann beispielsweise die Konzentration der
Flusssäure,
die Temperatur, bei welcher die Reinigung durchgeführt wird,
sowie die Dauer der Reinigung optimiert werden. Ferner kann beim
Design des Chips die Aufweitung der Kontaktlöcher oder Gräben berücksichtigt
werden, welche bei der Reinigung mit verdünnter Flusssäure erfolgt.
Die Aufweitung, welche durch die Reinigung mit gepufferter verdünnter Flusssäure in Kauf
genommen werden muss, liegt gegenwärtig im Bereich von ca. 25
bis 38 % gegenüber
dem Ätzmaß. Eine
weitere Verringerung der Aufweitung durch beispielsweise eine Verkürzung der
Reinigungszeit erscheint nicht mehr möglich, da in diesem Fall die
Oxidschicht auf dem Kontakt am Grund des Kontaktlochs nicht mehr in
ausreichendem Maß entfernt
werden kann. Für
die zukünftige
Chiptechnologie ist jedoch die Darstellung einer kritischen Strukturgröße im Bereich
von 90 nm oder darunter gefordert. Eine Berücksichtigung der Aufweitung
der in eine dielektrische Schicht eingebrachten Kontaktlöcher beim
Design des Mikrochips kann dabei nicht mehr erfolgen. Da die Aufweitung
der Kontaktlöcher
unabhängig
von dessen Durchmesser ist, also bei einer Verkleinerung der Strukturen
immer stärker
ins Gewicht fällt,
ist es dringend erforderlich, Wege aufzuzeigen, auf denen auch bei
einer kritischen Strukturgröße von weniger
als 90 nm eine Darstellung von Kontaktlöchern mit der geforderten hohen
Präzision
möglich
ist.
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Aufgabe der Erfindung ist es daher,
ein Verfahren zum Strukturieren dielektrischer Schichten auf Halbleitersubstraten
aufzuzeigen, welches die Darstellung von Kontaktlöchern oder
Gräben
in der dielektrischen Schicht mit hoher Präzision auch bei kleinen Abmessungen
ermöglicht.
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Diese Aufgabe wird gelöst mit einem
Verfahren zum Strukturieren dielektrischer Schichten auf Halbleitersubstraten
mit zumindest den Schritten:
Bereitstellen einer ersten Schicht,
Abscheiden
zumindest einer aus einem dielektrischen Material gebildeten Schicht
auf der ersten Schicht, so dass eine dielektrische Schicht erhalten
wird;
Abscheiden einer fotoempfindlichen Resistschicht auf
der dielektrischen Schicht;
abschnittsweises Belichten und
Entwickeln der Resistschicht, so dass eine Resistmaske erhalten
wird, durch welche Abschnitte der dielektrischen Schicht freigelegt
sind;
Abtragen der dielektrischen Schicht in den durch die
Resistmaske freigelegten Abschnitten bis zumindest einer Tiefe,
dass die erste Schicht freigelegt ist,
Veraschen der Resistmaske
in einem Sauerstoffplasma, wobei das Veraschen bei einer Temperatur
durchgeführt
wird, die zwischen 50°C
und 200°C
gewählt
ist, und das Sauerstoffplasma aus einem Gas erzeugt wird, das zumindest
Sauerstoffgas und ein Formiergas enthält, wobei der Anteil des Sauerstoffgases
zwischen 40 und 60 Vol.-% und der Anteil des Formiergases zwischen
40 und 60 Vol.-% gewählt
wird, so dass eine strukturierte dielektrische Schicht erhalten
wird; und
Reinigen der strukturieren dielektrischen Schicht
mit wässriger
verdünnter
Flusssäure.
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Überraschenderweise
hat sich gezeigt, dass durch die Bedingungen, unter welchen eine
Veraschung der Resistmaske durchgeführt wird, die Aufweitung der
in die dielektrische Schicht eingebrachten Gräben oder Löcher beeinflusst werden kann,
die beim abschließenden
Reinigungsschritt mit wässriger
verdünnter
Flusssäure
beobachtet wird. Durch eine Optimierung der Bedingungen für die Veraschung
der Resistmaske kann die Aufweitung der in die dielektrische Schicht
eingebrachten Löcher
bzw. Gräben
verringert werden. Es lassen sich daher mit dem erfindungsgemäßen Verfahren
Kontaktlöcher
bzw. Gräben
mit hoher Präzision
darstellen, die einen geringeren Durchmesser aufweisen, als er mit
den derzeit üblichen
Verfahren erreicht werden kann.
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Bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens
wird in der Weise vorgegangen, dass zunächst eine erste Schicht bereitgestellt
wird. Diese erste Schicht kann beispielsweise eine Halbleiterschicht sein,
welche z.B. dotierte Gebiete umfasst, zu denen ein Kontakt zu einer
Leiterbahnebene hergestellt werden soll. Im Allgemeinen besteht
die Halbleiter schicht aus Silizium, welches zum Beispiel für die Erzeugung
eines Source- oder Drainkontakts eines Transistors mit einer Dotierung
versehen sein kann. Die erste Schicht kann auch von einem Halbleitersubstrat
gebildet werden, in welches ein Graben eingebracht werden soll,
z.B. für die
Herstellung eines Grabenkondensators. Weiter kann die erste Schicht
auch aus einem Metall aufgebaut sein und beispielsweise als Leiterbahn
ausgebildet sein, zu der ein Kontakt hergestellt werden soll, z.B.
als Via zu einer höher
angeordneten Leiterbahnebene. Auf diese erste Schicht wird anschließend zumindest
eine Schicht aus einem isolierenden Material abgeschieden, so dass
eine dielektrische Schicht erhalten wird. Die dielektrische Schicht
kann eine einzelne Schicht umfassen, die homogen aus einem einzelnen
Material gebildet ist. Es ist aber auch möglich, mehrere Schichten aus
jeweils verschiedenen dielektrischen Materialien übereinander
anzuordnen, welche dann gemeinsam die dielektrische Schicht ausbilden,
in welche ein Kontaktloch eingebracht werden soll, welches bis zur
ersten Schicht reicht. Die dielektrische Schicht wird mit üblichen
Verfahren abgeschieden, beispielsweise durch chemische Dampfphasenabscheidung
(CVD). Als isolierende Materialien können an sich alle üblichen
Materialien verwendet werden. Typische Beispiele sind Oxidschichten, insbesondere
Schichten aus Siliziumdioxid, oder auch Schichten aus einem Silikatglas,
zum Beispiel einem Bor-Phosphorsilikatglas.
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Um den Bereich der dielektrischen
Schicht zu definieren, welcher für
die Herstellung eines Grabens oder eines Kontaktlochs abgetragen
werden soll, wird eine Schicht aus einem fotoempfindlichen Resist
auf der dielektrischen Schicht abgeschieden. Es können gängige Fotoresists
verwendet werden, wie sie bei der Herstellung von Mikrochips üblicherweise
verwendet werden. Die Abscheidung der fotoempfindlichen Resistschicht
erfolgt ebenfalls nach gängigen
Verfahren, beispielsweise durch Rufschleudern. Die fotoempfindliche Resistschicht
wird anschließend
in üblicher
Weise belichtet, wobei bei spielsweise mit Hilfe einer Fotomaske ein
dem Kontaktloch entsprechender Abschnitt des Resistfilms belichtet
wird. Die Resistschicht wird anschließend in üblicher Weise entwickelt, so
dass eine Resistmaske erhalten wird, welche Abschnitte umfasst,
in denen die dielektrische Schicht freigelegt ist. Die dielektrische
Schicht wird anschließend
in den freigelegten Abschnitten so weit abgetragen, dass die unter
der dielektrischen Schicht angeordnete erste Schicht wieder freigelegt
wird. Die dielektrische Schicht kann dabei bis zur Grenzfläche zwischen
dielektrischer Schicht und erster Schicht abgetragen werden. Es
ist aber auch möglich,
den Abtrag in die erste Schicht hinein fortzusetzen, um beispielsweise
einen Graben in der ersten Schicht zu erzeugen. Der Abtrag der dielektrischen
Schicht erfolgt mit üblichen
Verfahren. Meist wird ein geeignetes Plasma verwendet. Besteht die
dielektrische Schicht aus beispielsweise Siliziumdioxid, kann das
Kontaktloch beispielsweise mit einem fluorhaltigen Plasma geätzt werden.
Ist das Kontaktloch in die dielektrische Schicht eingebracht, werden
nun erfindungsgemäß beim Veraschen
der Resistmaske in einem Sauerstoffplasma die Bedingungen so gewählt, dass
die Veraschung bei einer im Vergleich zu den derzeit üblichen
Verfahren geringeren Temperatur durchgeführt wird. Erfindungsgemäß wird die
Temperatur für
das Veraschen geringer als 200 °C,
bevorzugt zwischen 50°C
und 200°C
gewählt. Ferner
wird die Veraschung bei einer geringeren Sauerstoffkonzentration
durchgeführt,
als sie bei den bisher üblichen
Veraschungsschritten verwendet wird. Bei der bisher üblichen
Veraschung wird der Anteil des Sauerstoffgases im Gas zur Erzeugung
des Sauerstoffplasmas üblicherweise
höher als
90 Vol.-% gewählt.
Im Gegensatz dazu wird beim erfindungsgemäßen Verfahren der Sauerstoffanteil
im Gas zur Erzeugung des Sauerstoffplasmas niedriger gewählt. Geeignet
wird der Sauerstoffanteil kleiner als 60 Vol-%, bevorzugt zwischen 40
Vol.-% und 60 Vol.-% gewählt,
insbesondere bevorzugt zwischen 40 Vol.-% und 50 Vol.-%. Entsprechend höher wird
der Anteil des Formiergases gewählt.
Das Formiergas nimmt nicht unmittelbar an der Veraschung des Resists
teil, bewirkt aber eine Stabilisierung des Plasmas. Beim erfindungsgemäßen Verfahren
wird der Anteil des Formiergases geeignet größer als 40 Vol.-%, bevorzugt
zwischen 60 und 40 Vol.-%, insbesondere bevorzugt zwischen 60 und
50 Vol.-% gewählt.
Nach der Veraschung der Resistmaske wird eine strukturierte dielektrische
Schicht erhalten, in welche beispielsweise Kontaktlöcher oder
Gräben
eingebracht sind, welche durch die dielektrische Schicht bis zur
unter der dielektrischen Schicht angeordneten erste Schicht reichen.
Abschließend
erfolgt eine Reinigung mit verdünnter
Flusssäure,
um eine Oxidschicht zu entfernen, die sich am Grund des Kontaktlochs
bzw. des Grabens auf der ersten Schicht ausgebildet hat. Hier werden
an sich die gleichen Bedingungen eingesetzt, wie sie auch bisher
für eine
Reinigung der strukturierten dielektrischen Schicht nach einer Resistveraschung üblich sind.
Die Konzentration der verdünnten
wässrigen
Flusssäure
HF/H2O beträgt im Allgemeinen zwischen
1 : 300 und 1 : 500. Die Reinigung wird gewöhnlich bei Raumtemperatur und für eine Dauer
zwischen 10 Sekunden und 120 Sekunden durchgeführt. Dabei erfolgt überraschenderweise eine
deutlich geringere Aufweitung der Kontaktlöcher bzw. Gräben als
sie nach einer Veraschung der Resistschicht unter den bisher üblichen
Bedingungen beobachtet wird, also bei einer Veraschung der fotoempfindlichen
Schicht bei hoher Temperatur bzw. mit einem Plasma mit hohem Sauerstoffanteil.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren
steht also neben der Temperatur, der Dauer und der Konzentration
der wässrigen
Flusssäure,
die jeweils nach der Veraschung der Resistmaske bei der Reinigung
mit Flusssäure
gewählt
wird, noch ein weiterer Parameter zur Verfügung, mit dem die Aufweitung
eines Kontaktlochs bzw, eines Grabens während der Reinigung mit wässriger
Flusssäure
beeinflusst werden kann, nämlich
die Bedingungen für
die Veraschung der Resistmaske.
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Nach dem Einbringen des Kontaktlochs
oder des Grabens in die dielektrische Schicht und der abschließenden Reinigung
wird die strukturierte dielektrische Schicht in üblicher Weise prozessiert.
Es kann beispielsweise ein Liner in den Graben oder das Kontaktloch
eingebracht werden, mit welchem die Seitenwände abgedeckt werden oder das
Kontaktloch kann beispielsweise auch direkt mit einem leitenden
Material aufgefüllt
werden.
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Die Zeitdauer für die Veraschung der Resistmaske
wird möglichst
kurz gewählt,
um eine Schädigung der
Seitenwände
des Grabens oder des Kontaktlochs möglichst gering zu halten. Geeignet
wird für
die Veraschung der Resistmaske eine Zeitdauer zwischen 30 Sekunden
und 120 Sekunden gewählt,
insbesondere bevorzugt zwischen 30 Sekunden und 60 Sekunden. Die
für die
Veraschung gewählte
Dauer wird vom Resistmaterial sowie von der Dicke der Resistschicht
beeinflusst. Für
ein gegebenes Resistmaterial und eine gegebene Schichtdicke kann
der Fachmann durch einfache Vorversuche die geeignete Dauer für die Veraschung jedoch
ohne weiteres ermitteln.
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Beim erfindungsgemäßen Verfahren
wird die Veraschung der Resistmaske bei einer im Vergleich zu bisher üblichen
Verfahren deutlich geringeren Sauerstoffkonzentration durchgeführt. Geeignet
wird der Sauerstoffpartialdruck im Gas für die Erzeugung des Sauerstoffplasmas
zwischen 0,2 und 8,0 Torr, insbesondere bevorzugt 0,8 und 1,5 Torr
gewählt.
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Neben dem Sauerstoffgas enthält das Gas
zur Erzeugung des Sauerstoffplasmas ein Formiergas als weiteren
Bestandteil. Als Formiergas kann beispielsweise Stickstoffgas verwendet
werden. Bevorzugt enthält das
Formiergas jedoch zumindest Stickstoff- und Wasserstoffgas.
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Das Formiergas enthält dabei
im Allgemeinen das Stickstoffgas im Überschuss gegenüber dem
Wasserstoffgas. Der Anteil des Wasserstoffgases im Formiergas wird
geeignet zwischen 1 und 50 Vol.-% gewählt.
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Die erste Schicht kann an sich aus
einem beliebigen Material bestehen. Geeignet werden jedoch Materialien
eingesetzt, welche wasserlösliche
Fluoride bilden. Insbesondere bevorzugt ist die erste Schicht aus Silizium
aufgebaut. Beim Veraschen der Resistschicht entsteht zunächst eine
dünne Schicht
aus Siliziumdioxid auf der am Grund des Kontaktlochs freigelegten
Halbleiterschicht, welche sich mit verdünnter Flusssäure entfernen
lässt.
Das Silizium kann auch eine Dotierung umfassen, durch welche beispielsweise
die elektrische Leitfähigkeit
erhöht
wird. Solche dotierten Bereiche werden beispielsweise als Source-
oder Drainkontakt für Feldeffekttransistoren
verwendet.
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Die dielektrische Schicht kann, wie
bereits oben beschrieben, aus an sich beliebigen Materialien aufgebaut
sein, die eine ausreichende Isolationswirkung zwischen verschiedenen
elektrisch leitenden Ebenen ermöglichen.
Besonders ausgeprägt
ist der beim erfindungsgemäßen Verfahren
beobachtete Effekt jedoch bei Dielektrika, welche vom Silizium abgeleitet
sind. Besonders bevorzugt umfasst die dielektrische Schicht daher zumindest
eine Schicht aus einem Silikatglas und/oder einem Siliziumcarbid.
Als Silikatglas kann beispielsweise Siliziumdioxid verwendet werden.
Das Silikatglas kann jedoch noch weitere Elemente enthalten, beispielsweise
Bor oder Phosphor. Das Silikatglas wird mit üblichen Verfahren abgeschieden,
beispielsweise durch chemische Gasphasenabscheidung. Das Siliziumcarbid
kann neben Silizium und Kohlenstoff noch weitere Elemente umfassen,
insbesondere Wasserstoff. Ein Siliziumcarbid mit einem hohen Anteil
an Wasserstoffatomen kann beispielsweise durch chemische Gasphasenabscheidung
erzeugt werden.
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Die abschließende Reinigung der strukturierten
dielektrischen Schicht erfolgt mit verdünnter wässriger Flusssäure. An
sich können
auch andere Lösungsmittel
gewählt
werden, in welchen die Flusssäure
löslich
ist. Wegen der einfacheren Entsorgung, wird jedoch bevorzugt eine
wässrige
verdünnte
Flusssäure
verwendet. Die Konzentration der Flusssäure wird möglichst gering gewählt, um
die Behandlungszeiten ausreichend genau steuern zu können und
um einen möglichst
geringen Abtrag der dielektrischen Schicht an den Seitenwänden des
Grabens oder des Kontaktlochs zu bewirken. Geeignet enthält die wässrige verdünnte Flusssäure HF und
H2O in einem Verhältnis von weniger als 1 : 400,
vorzugsweise weniger als 1 : 500.
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Für
die abschließende
Reinigung der strukturierten dielektrischen Schicht wird die Behandlungsdauer möglichst
kurz gewählt,
um ein Überätzen zu
vermeiden. Bevorzugt wird die Dauer für die Reinigung der strukturierten
dielektrischen Schicht verdünnter
Flusssäure
geringer als 60 Sekunden, insbesondere bevorzugt geringer als 30
Sekunden gewählt.
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Der Reinigungsschritt, in welchem
die strukturierte dielektrische Schicht mit Flusssäure behandelt wird,
entspricht an sich dem üblichen
Reinigungsverfahren. Die verdünnte
Flusssäure
enthält üblicherweise ein
Puffersalz, insbesondere bevorzugt NH4F.
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Wie bei den bisher üblichen
Verfahren kann auch beim erfindungsgemäßen Verfahren nach der Veraschung
der Resistmaske zunächst
eine nasschemische Reinigung erfolgen, um organische Reste, die
nach dem Veraschen der Resistmaske noch auf der strukturierten dielektrischen
Schicht verblieben sind, zu entfernen. Die nasschemische Reinigung
wird im Allgemeinen unter oxidativen Bedingungen durchgeführt. Es
können
hierzu übliche
Verfahren verwendet werden, beispielsweise, wie bereits oben beschrieben,
eine Behandlung mit H2SO4/O3.
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Die Erfindung wird im weiteren unter
Bezugnahme auf eine beigefügte
Zeichnung näher
erläutert.
Die Figuren der Zeichnung zeigen im einzelnen:
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1 Arbeitsschritte,
welche bei der Ausführung
des erfindungsgemäßen Verfahrens
durchlaufen werden;
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2 Arbeitsschritte,
welche bei der Ausführung
des erfindungsgemäßen Verfahrens
durchlaufen werden, wobei die dielektrische Schicht mehrere Schichten
umfasst;
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3 eine
graphische Darstellung des Abtrags eines dielektrischen Materials
nach einer Behandlung im Sauerstoffplasma sowie nach einer Reinigung
mit gepufferter Flusssäure.
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1A zeigt
eine Schicht
1 aus einem Dielektrikum, in welche eine Leiterbahn
2 eingebracht
ist. Die Leiterbahn
2 ist beispielsweise aus Aluminium
aufgebaut und bildet ide erste Schicht im Sinne der Erfindung. Auf
der Schicht
1 ist eine weitere dielektrische Schicht
3 angeordnet,
die beispielsweise aus Siliziumdioxid besteht und in welche ein
Kontaktloch zur Erzeugung eines Vias eingebracht werden soll. Auf
der dielektrischen Schicht
3 wird zunächst eine fotoempfindliche
Schicht
4 aufgebracht, belichtet und entwickelt, um eine
in
1B dargestellte Öffnung
5 zu
definieren, welche als Maske für
die Erzeugung des Kontaktlochs dient. Anschließend wird in üblicher
Weise mit einem fluorhaltigen Plasma ein Kontaktloch
6 durch
die dielektrische Schicht
3 geätzt, das, wie in
1C gezeigt, bis zur Leiterbahn
2 reicht.
Im nächsten
Arbeitsschritt wird die Fotoempfindliche Schicht
4 in einem
sauerstoffhaltigen Plasma verascht. Typische Bedingungen für die Veraschung
sind im Folgenden angegeben:
Temperatur: | 195°C (50°C – 200°C) |
Sauerstoff: | 1000
sccm (< 2000 sccm) |
Verhältnis | O2/Formiergas: 1/1 (V/V) |
Formiergas: | 1000
sccm |
Behandlungsdauer: | 50
s |
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Wie in 1D dargestellt,
wird die Oberseite der dielektrischen Schicht 3 wieder
freigelegt und am Grund des Kontaktlochs 6 bildet sich
auf der freiliegenden Oberfläche
der Leiterbahn 2 eine Oxidschicht 7 aus. Die Oxidschicht 7 kann
mit verdünnter
Flusssäure
entfernt werden. Dabei wird nur eine geringe Aufweitung des Kontaktlochs 6 beobachtet.
Anschließend
wird in üblicher
Weise das Kontaktloch 7 mit einem leitfähigen Material aufgefüllt und
dann, wie in 1E gezeigt,
eine weitere Leiterbahn 8 abgeschieden. Die Leiterbahnen 2 und 8 sind
durch ein Via 9 elektrisch leitend verbunden.
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2 zeigt
Arbeitsschritte, die bei der Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens
durchlaufen werden, wobei in diesem Fall die dielektrische Schicht 3 mehrere
Schichten aus unterschiedlichen Materialien umfasst. 2A zeigt eine Halbleiterschicht 10,
beispielsweise ein Siliziumwafer, in welcher ein dotierter Bereich 11 definiert
ist, zu welchem eine leitende Verbindung hergestellt werden soll.
Auf der Halbleiterschicht 10 ist eine dielektrische Schicht 3 angeordnet,
welche aus mehreren Einzelschichten aufgebaut ist.
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Bei der in 2A dargestellten Anordnung wird auf der
Halbleiterschicht 10 zunächst eine Schicht 12 aus
einem Bor-Phosphor-Siliziumglas
(BPSG) abgeschieden. Auf dieser Schicht 12 wird eine Siliziumcarbid-Schicht 13 abgeschieden.
Diese Schicht 13 besteht im Wesentlichen aus Siliziumcarbid
mit einem hohen Wasserstoffanteil, das durch eine chemische Gasphasenabscheidung
erzeugt wird. Als oberste Schicht ist schließlich eine Silanoxidschicht 14 vorgesehen,
welche durch eine chemische Gasphasenabscheidung erzeugt wird, beispiels weise
aus Siliziumtetrachlorid und Wasser. Um eine leitende Verbindung
zum dotierten Bereich 11 herstellen zu können, muss
zunächst
auf der Oberfläche
der dielektrischen Schicht 3 derjenige Abschnitt definiert
werden, in welchem ein durch die dielektrische Schicht 3 reichendes
Kontaktloch eingebracht werden soll. Dazu wird zunächst eine
Schicht aus einem fotoempfindlichen Resist 4 aufgebracht,
selektiv belichtet und anschließend
in üblicher
Weise entwickelt. Man erhält,
wie in 2B dargestellt,
eine Resistmaske, welche eine Öffnung 5 umfasst,
in welcher die Oberfläche
der dielektrischen Schicht 3 freigelegt ist. Die durch die Öffnung 5 vorgegebene
Fläche
wird nun mit einem fluorhaltigen Plasma die dielektrische Schicht 3 geätzt, so
dass ein Kontaktloch 6 erhalten wird, welches durch die
dielektrische Schicht 3 bis zum dotierten Bereich 11 der
Halbleiterschicht 10 reicht. Anschließend wird die fotoempfindliche
Schicht 4 durch Veraschung im Sauerstoffplasma entfernt.
Die Veraschung kann bei den bei 1 angegebenen
Bedingungen durchgeführt
werden.
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Nach der Veraschung der fotoempfindlichen
Schicht 4 im Sauerstoffplasma ist die Oberfläche der dielektrischen Schicht 3 wieder
freigelegt. Gleichzeitig bildet sich jedoch am Grund des Kontaktlochs 6 eine
dünne Oxidschicht 7 aus,
wie dies in 2D dargestellt
ist. Wird das Kontaktloch 6 direkt mit einem leitenden
Material aufgefüllt,
würde die
Oxidschicht 7 zu einem hohen ohmschen Widerstand führen. Es
ist daher erforderlich, die Oxidschicht 7 durch eine Behandlung
mit verdünnter
wässriger
Flusssäure
zunächst
zu entfernen. Dazu wird auf die in 2D dargestellte
Anordnung wässrige
Flusssäure
gegeben (Verdünnung:
1 : 500; Raumtemperatur (23°C);
30 – 60
s). Die Oxidschicht 7 wird aufgelöst. Gleichzeitig greift die
verdünnte
Flusssäure
jedoch die von der dielektrischen Schicht 3 gebildeten
Seitenwände
des Kontaktlochs 6 an. Die Aufweitung des Kontaktlochs 6 ist
jedoch deutlich geringer als nach einer Veraschung der fotoempfindlichen
Schicht 4 unter den bisher üblichen Bedingungen. Nach Entfernung
der Oxidschicht 7 wird das Kontaktloch 7 mit einem leitenden
Material 15 aufgefüllt,
um, wie in 1E dargestellt,
eine durch die dielektrische Schicht 3 reichende leitende
Verbindung zum dotierten Bereich 11 in der Halbleiterschicht 10 herzustellen.
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Der Einfluss der Veraschungsbedingungen
auf den Abtrag der dielektrischen Schicht kann durch die folgenden
Beispiele gezeigt werden.
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Blanke Siliziumwafer als Halbleitermaterial
werden mit einer Siliziumcarbid-Schicht einer bestimmten Schichtdicke
beschichtet. Auf diese Siliziumcarbid-Schicht wird eine Schicht
aus einem Fotoresist aufgetragen. Der Fotoresist wird anschließend mit
einem Sauerstoffplasma verascht. Dabei werden die in Tabelle 1 angegebenen
Bedingungen eingestellt. Die Veraschung wird in unterschiedlichen
Plasmakammern (Plasmakammer A bzw. B) sowie bei unterschiedlichen
Temperaturen und Sauerstoffkonzentrationen durchgeführt. Nach der
Veraschung der Fotoresistschicht wird die Schichtdicke der Siliziumcarbid-Schicht
bestimmt und aus der Differenz der Schichtdickenverlust berechnet,
der durch die Veraschung verursacht wird. Der Schichtdickenverlust
ist in 3a jeweils graphisch
in Form eines Balkendiagramms dargestellt. Man erkennt, dass während der
Veraschung der Schichtabtrag der Siliziumcarbid-Schicht durch die Temperatur wie auch
durch die Sauerstoffkonzentration im Plasma beeinflusst wird. Dabei
ist jedoch keine eindeutige Tendenz festzustellen. Der Schichtabtrag
wird nicht nur durch die Temperatur und die Sauerstoffkonzentration
beeinflusst, sondern beispielsweise auch durch die Art der verwendeten
Plasmakammer.
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Anschließend werden alle Wafer unter
jeweils gleichen Bedingungen mit einer verdünnten wässrigen gepufferten Flusssäure behandelt
(H2O/HF = 500 : 1; 23°C; 60 s). Nach der Behandlung
wird die Schichtdicke der Siliziumcarbid-Schicht erneut be stimmt
und daraus der weitere Schichtdickenverlust berechnet. Der weitere
Schichtdickenverlust ist in 3B dargestellt.
Man erkennt, dass die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren behandelten Siliziumwafer
einen deutlich geringeren Schichtdickenverlust bei der Behandlung
mit verdünnter
Flusssäure
erleiden als diejenigen Siliziumwafer, bei welchen die Veraschung
bei höherer
Temperatur bzw. bei höherer
Sauerstoffkonzentration erfolgt. Der gesamte Verlust der Schichtdicke
ergibt sich durch eine Addition der jeweiligen Werte aus 3A und 3B. Es zeigt sich dabei, dass bei Durchführung des
erfindungsgemäßen Verfahrens
ein deutlich geringerer Schichtdickenverlust auftritt als nach einer
Veraschung unter den bisher üblichen
Bedingungen. Dies bedeutet, dass Kontaktlöcher bzw. Gräben in eine
dielektrische Schicht eingebracht werden können, welche einen deutlich
geringeren Durchmesser aufweisen, da bei der Reinigung mit verdünnter wässriger
Flusssäure
eine deutlich geringere Aufweitung der Öffnung beobachtet wird.
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Die zum Veraschen der Fotoresistschicht
verwendeten Prozessbedingungen sind nachfolgend in Tabelle 1 angegeben.
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Tabelle
1 Reaktionsbedingungen
für die
Veraschung der Resistschicht
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Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich an
sich für
beliebige dielektrische Materialien. Neben dem bereits beschriebenen
Siliziumcarbid (SiC(H)), BPSG (Bor-Phosphor-Silizium-Glas) und Silanoxid
eignet sich das Verfahren beispielsweise auch zur Strukturierung
von TEOS (Tetraethoxysilikat), thermischen Oxiden, phosphordotiertem
Siliziumglas, FSG (fluoriertes Silikatglas), SiC(N), SiOC und ähnliche
Verbindungen sowie anorganischen Low K Materialien.