DE10241603A1

DE10241603A1 - Leitersysteme für Dickfilm-Elektronikschaltkreise

Info

Publication number: DE10241603A1
Application number: DE10241603A
Authority: DE
Inventors: Donkai Shangguan
Original assignee: Visteon Global Technologies Inc
Current assignee: Visteon Global Technologies Inc
Priority date: 2001-09-12
Filing date: 2002-09-04
Publication date: 2003-04-03
Also published as: GB2379800A; US6476332B1; GB0217424D0

Abstract

Es wird ein Dickfilm-Elektronikschaltkreis offen gelegt. Der Schaltkreis umfasst ein Substrat zur Halterung des Schaltkreises und eine Leiterbahn zur Verbindung einer Vielzahl von auf dem Dickfilm-Elektronikschaltkreis verteilt angeordneten Elektronikelementen. Die Leiterbahn besitzt eine Anschlussstelle für die Verbindung von mindestens einem aus der Vielzahl der Elektronikelemente mit der Leiterbahn mithilfe von Lot. Darüber hinaus besteht die Leiterbahn aus Palladium-Silber und die Anschlussstelle aus vollständig mit Lot abgedecktem Silber.

Description

Technisches Gebiet

Die Erfindung betrifft Dickfilm-Elektronikschaltkreise sowie Systeme und Verfahren zur Schaffung derartiger Schaltkreise unter Verwendung bleifreier Lötmittel.

Hintergrund der Erfindung

Dickfilm-Elektronikmodule sind insbesondere in der Automobilindustrie eine äußerst wichtige Gruppe elektronischer Produkte. Die Dickfilmtechnologie ist für die Automobilumgebung unverzichtbar geworden, weil Dickfilm-Elektronikschaltkreise den für die Betriebsumgebung im Automobil charakteristischen höheren Temperaturen zu widerstehen vermögen und die Kennwerte der Leiter und Widerstände sehr genau gesteuert werden können. Viele Automobilanwendungen setzen Dickfilmprodukte ein, wie beispielsweise Luftstromsensoren, die ihre Funktion in der extrem rauhen Umgebung des Automobilmotorraums verrichten.

Ein Dickfilm-Elektronikschaltkreis wird typischerweise erzeugt, indem zuerst auf ein keramisches Substrat mittels Siebdruck oder ähnlicher Druckverfahren Druckpasten aufgebracht werden. Auf dem Keramiksubstrat können aus den Leit-, Widerstands- und dielektrischen Pasten Leiterbahnen, Widerstände bzw. Dielektrika gebildet werden. Eine Druckpaste für Leiterbahnen wird normalerweise aus leitfähigen, normalerweise aus Metallen oder Legierungen produzierten Partikeln hergestellt, die mit weiteren Additiven in einer Suspension vermischt werden. Die Additive dienen dazu, die normalerweise durch Drucken erfolgende Ablagerung der Druckpaste auf dem Substrat zu erleichtern und die Haftung des Leiters auf dem Substrat nach dem Trocknen und Einbrennen zu verbessern. Analog werden Widerstands- und dielektrische Pasten typischerweise aus Widerstands- bzw. dielektrischen Partikeln angefertigt, die mit demselben Ziel der Erleichterung der Ablagerung der Druckpaste und Haftung auf dem Substrat mit weiteren Additiven vermischt werden. Als keramische Substratmaterialien sind Werkstoffe wie Tonerde (Al₂O₃) geeignet. Nachdem beispielsweise die Leitpaste entsprechend dem Schaltkreisentwurf auf das Substrat aufgedruckt worden ist, wird das Substrat getrocknet und in einem Ofen gebrannt, um die Leiterbahnen auf dem Substrat zu erzeugen. Widerstände und dielektrische Elemente werden auf ähnliche Weise erzeugt, indem Widerstands- bzw. dielektrische Pasten auf das Substrat aufgebracht werden. Es werden dann typischerweise aus Partikeln einer Lotlegierung in einem Flussmittel gefertigte Lotpaste (durch Siebdruck) auf den Leiteranschlussstellen (die in den Leiterbahnenkreis auf dem Substrat integriert sind) aufgebracht und danach elektronische Bauelemente auf den Leiteranschlussstellen platziert. Dann wird die Baugruppe aus Substrat und Bauelementen in einem Reflowofen mit festgelegtem Temperatur-Zeit-Verlauf postiert. Während des Reflowprozesses schmilzt das Lot und interagiert mit dem Leiter und den Anschlussfahnen des Bauelements. Anschließend kühlt sich das Lot ab und erstarrt und bildet damit eine Verbindung zwischen dem Leiter und dem Bauelement, so dass das Elektronikmodul entsteht. Typischerweise wird Zinn-Blei-Lot mit einer Zusammensetzung 63% Zinn/37% Blei oder 62% Zinn/36% Blei/2% Silber (alle Prozentangaben sind Gewichtsprozentangaben) benutzt.

Obwohl die Systeme und Verfahren des Stands der Technik zur Herstellung von Dickfilmschaltkreisen ihren Zweck erfüllen, gibt es dennoch beachtliche Probleme. Zum Beispiel ist das im Zinn(Sn)-Blei(Pb)-Lot verwendete Blei als für die Umwelt äußerst giftig bekannt. Um dieses Problem zu überwinden, sind erhebliche Anstrengungen zur Entwicklung einer bleifreien Lotlegierung unternommen worden. Derzeit benutzt die Autoindustrie eine Zinn-Silber(Ag)-Legierung mit einer Zusammensetzung 96,5% Zinn und 3,5% Silber (beides Gewichtsprozent); es können auch verschiedene Varianten der Sn-Ag-Legierung, wie Zinn-Silber-Kupfer(Cu) (z. B. 95,5% Sn, 3,9% Ag und 0,6% Cu; alles Gewichtsprozent) verwendet werden.

Gegenwärtig werden in erster Linie zwei Leitertypen für die Schaffung von Dickfilm-Elektronikschaltkreisen verwendet. Der eine Leitertyp wird aus Palladium-Silber (Pd-Ag), der andere aus Silber (Ag) gefertigt. Typischerweise werden Palladium-Silber-Leiter verwendet, die ein Palladium-Silber-Verhältnis von etwa eins zu drei haben und weitere Additive in sehr kleinen Mengen enthalten. Der Palladium-Silber-Leiter ist ein typisches Material für Dickfilmprodukte geworden. Leider finden zwischen dem Pd-Ag-Leiter und dem zinnbasierten Lot umfangreiche metallurgische Interdiffusionen statt. Das ist in erster Linie auf das Vorhandensein von Pd im Leiter zurückzuführen. Eine derartige metallurgische Interdiffusion wirkt sich sehr nachteilig auf die Zuverlässigkeit der Verbindung aus. Findet eine umfassende metallurgische Interdiffusion zwischen Lot und Leiter statt, wird beispielsweise die Adhäsion zwischen Lot, Leiter und Keramiksubstrat erheblich beeinträchtigt. Bei normaler thermomechanischer Belastung, wie sie beim normalen Betrieb des Automobils auftritt, kommt es in der Verbindung zu Rissentstehung und Rissfortpflanzung bis hin zum elektrischen Versagen.

Eine Lösung im Stand der Technik war das Aufdrucken und Reflowlöten eines hochbleihaltigen Lots (wie z. B. 10% Zinn/90% Blei oder 10% Zinn/88% Blei/2% Silber; alles Gewichtsprozent) als Interdiffusionssperrschicht zwischen dem Leiter und dem eutektischen Zinn-Blei-Lot. Leider ist eine direkte Bauelementkontaktierung mit dem hochbleihaltigen Lot nicht durchführbar, weil die Schmelztemperatur des hochbleihaltigen Lots eine Löttemperatur erfordert, bei der die Bauelemente so beträchtlich beschädigt werden könnten, dass der Elektronikschaltkreis nicht betriebsfähig wäre. Darüber hinaus kann, obgleich die hochbleihaltige Sperrschicht das Interdiffusionsproblem löst, dieses Verfahren wegen des hohen Bleigehalts (90%) in Anwendungsfällen mit bleifreiem Lot nicht benutzt werden.

Andere Lösungen im Stand der Technik, um den genannten Problemen zu begegnen, bestanden in der Verwendung von Silber als Leitermaterial. Für Silber wurde nachgewiesen, dass es wegen der Abwesenheit von Palladium im Leiter keine erhebliche Interdiffusion mit dem zinnbasierten Lot induziert. Zusätzlich vorteilhaft sind die geringeren Kosten eines Silberleiters gegenüber dem Palladium-Silber-Leiter (Palladium ist sehr teuer und knapp; die bedeutendsten Palladiumvorkommen befinden sich in Russland). Allerdings bringt die Verwendung eines Silberleiters ein anderes Problem von Bedeutung mit sich. Silber reagiert mit Schwefel, der in der Automobilumgebung vorkommt. Schwefel überführt das Silber in Silbersulfid, das nichtleitend ist. Das Endergebnis ist elektrisches Versagen, der Stromkreis wird unterbrochen, und wiederum ist das Elektronikmodul nicht betriebsfähig. Die Autoindustrie hat zahlreiche Garantiefälle infolge von Silbersulfidbildung verzeichnet.

Es besteht deshalb das Bedürfnis nach einem neuen und verbesserten System und Verfahren zur Befestigung elektronischer Bauelemente auf einem Dickfilmschaltkreis. Ein solches neues und verbessertes System und Verfahren muss das Problem der Giftigkeit bei der Verwendung von bleihaltigem Lot bekämpfen, die metallurgische Interdiffusion reduzieren oder eliminieren und die Silbersulfidbildung bei Verwendung eines Silberleiters reduzieren oder eliminieren.

Zusammenfassende Beschreibung der Erfindung

Die Erfindung überwindet das oben dargelegte Problem und weitere vom Stand der Technik nicht angesprochene Probleme, indem sie ein System und ein Verfahren für die Befestigung elektrischer Bauelemente auf Dickfilmschaltkreisen bereitstellt.

In einer Ausgestaltung der Erfindung wird eine Silberleiteranschlussstelle bereitgestellt, auf der Lotpaste aufgebracht und elektronische Bauelemente platziert werden. Ferner wird zur Verhinderung der Silbersulfidbildung die Silberleiteranschlussstelle durch Überdrucken der Anschlussstelle mit dem Lot vollständig mit dem Lot abgedeckt. Dadurch wird Silber einer Reaktion mit Schwefel nicht ausgesetzt, so dass die Silbersulfidbildung verhindert wird. Für den Rest der Leiterbahnen wird ein Palladium-Silber-Leitermaterial verwendet, so dass auch dadurch die Silbersulfidbildung verhindert wird. Weil der Palladium- Silber-Leiter für die Lötstelle nicht benutzt wird, tritt keine Lot-Leiter-Interdiffusion auf.

Vorzugsweise haben in einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung die Leiterbahnen eine Dicke von 5-30 µm.

Vorzugsweise besteht in einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung die Lotpaste aus 96,5% Zinn und 3,5% Silber (beides Gewichtsprozent), wodurch die Verwendung von Blei eliminiert wird. Die Lotpaste wird ferner in einer Dicke von 50-300 µm aufgedruckt. Nachdem die Lotpaste aufgedruckt worden ist, werden die elektronischen Bauelemente auf der Lotpaste platziert. Die bestückte Baugruppe wird dann in einem Reflowofen mit vorgeschriebenem Temperatur-Zeit-Verlauf verarbeitet.

Vorzugsweise umfasst in einer nochmals weiteren Ausgestaltung der Erfindung der Temperatur-Zeit-Verlauf eine Spitzentemperatur von 225-280°C, eine Haltezeit von ungefähr 20-150 s bei 221°C und eine Temperaturänderungsgeschwindigkeit (Aufwärmen/ Abkühlen) von weniger als 10°C/s.

In einer wiederum weiteren Ausgestaltung der Erfindung kann die Atmosphäre des Reflowprozesses Umgebungsluft sein. Allerdings wird in einer nochmals weiteren Ausgestaltung der Erfindung eine Stickstoffatmosphäre vorgezogen und führt zu vorteilhafteren Ergebnissen.

Damit eliminiert die Erfindung die Notwendigkeit der Verwendung bleihaltiger Lots für Dickfilmprodukte, verhindert das Versagen infolge ausgeprägter Interdiffusion und eliminiert die Silbersulfidbildung. Darüber hinaus eliminiert die Erfindung die Notwendigkeit einer hochbleihaltigen Sperrschicht und auf diese Weise die damit einhergehenden Probleme der Prozesskomplexität, der Kosten und der Giftigkeit.

Weitere Zielobjekte, Eigenschaften und Vorteile der Erfindung werden bei der Beschäftigung mit der folgenden Beschreibung und den beigefügten Ansprüchen in Verbindung mit den zugehörigen Zeichnungen erkennbar.

Kurzbeschreibung der Zeichnungen

Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht einer erfindungsgemäß aufgebauten Elektronikleiterplatte;
Fig. 2 zeigt einen Querschnitt der erfindungsgemäßen Elektronikleiterplatte an einer in Fig. 1 bezeichneten Stelle;
Fig. 3 zeigt einen Querschnitt durch die erfindungsgemäße Elektronikleiterplatte an einer in Fig. 1 bezeichneten Stelle nach Behandlung in einem Reflowofen;
Fig. 4 zeigt ein Flussdiagramm mit der Darstellung eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Schaffung einer Elektronikleiterplatte und
Fig. 5 zeigt ein Flussdiagramm mit der Darstellung eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Erwärmung der Elektronikleiterplatte für die Reflowbehandlung der Lotpaste.

Ausführliche Beschreibung der Erfindung

Bezug nehmend auf Fig. 1 wird eine Elektronikleiterplatte gezeigt, die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt worden ist. Die gedruckte Leiterplatte 10 umfasst ein Substrat 11 und eine Vielzahl von darauf geformten Leiterbahnen 12, die verschiedene elektronische Bauelemente 13 miteinander verbinden. Allgemein enden die Leiterbahnen 12 an einer Anschlussstelle 14. Zur Erleichterung des Kontaktierens zu elektronischen Geräten, wie integrierten Schaltkreisen und ähnlichen Geräten, ist typischerweise eine Vielzahl von Anschlussstellen 14 vorhanden. Leiterbahnen 12 können natürlich auch an anderen elektrischen Geräten, wie Widerständen 16 und/oder elektrischen Anschlüssen 18, enden.
Spezieller betrachtet wird die gedruckte Leiterplatte 10 mit der Dickfilmtechnologie hergestellt, wobei zur Erzeugung von Leiterbahnen, Widerständen und Dielektrika auf einem keramischen Substrat, wie Tonerde oder Al₂O₃, verschiedene Dickfilmpasten eingesetzt werden. Nachdem die Dickfilmpasten auf das Substrat aufgebracht worden sind, wird die Paste zur Bildung der elektronischen Schaltung getrocknet und gebrannt. Danach wird die Lotpaste, beispielsweise durch Siebdruck, auf die Anschlussstellen aufgebracht.
In einer Vorzugsausgestaltung der Erfindung werden Leiterbahnen 12 aus einer Palladium-Silber-Legierung gebildet. So verhindert die Erfindung durch die Verwendung der Palladium-Silber-Legierung die Bildung von Silbersulfid. Typischerweise haben Leiterbahnen 12 eine Dicke von 5-30 µm. In einer anderen Ausgestaltung der Erfindung werden die Anschlussstellen 14 aus Silber gefertigt, um eine wirksame elektrische Verbindung zu erzeugen. Wie in Fig. 1 gezeigt wird, kann die Leiterplatte 10 eine Vielzahl von Anschlussstellen 14 haben, auf denen elektronische Bauelemente 13 oder Module aufkontaktiert werden. Ferner können weitere diskrete Bauelemente, wie Widerstände 16, innerhalb der Schaltung existieren. Allgemein verbindet der Anschluss 18 den Schaltkreis mit äußeren Geräten. Alternativ können die Palladium-Silber-Leiterbahnen so geformt werden, dass sie sich bis an die Anschlussstellen erstrecken und sie bedecken und dass dann Silberanschlussstellen auf den Leiterbahnen an den betreffenden Positionen gebildet werden.
Bezug nehmend auf Fig. 2 bis 4 wird ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Erzeugung von Dickfilm-Elektronikschaltkreisen dargestellt. Das Elektronikbauelement 13 wird auf dem Substrat 11 elektrisch und mechanisch mit einer Lotpaste 32 befestigt. Fig. 2 zeigt speziell die Anbringung des Bauelements 13 auf dem Substrat 11, nachdem die Lotpaste auf die Silberanschlussstellen 14 aufgebracht und bevor die Baugruppe in einem Reflowofen platziert worden ist. Wie in Fig. 2 gezeigt wird, wird Lotpaste 32 auf die Anschlussstelle 14 so aufgebracht, dass die gesamte Fläche der Anschlussstelle durch die Lotpaste abgedeckt wird. Die Lotpaste ist vorzugsweise eine in einer Dicke von etwa 50-300 µm aufgedruckte Zinn-Silber-Legierung. In einer Vorzugsausgestaltung der Erfindung besteht die Lotpaste aus 96,5% Zinn und 3,5% Silber (Gewichtsprozent).
Die Erfindung verhindert die Silbersulfidbildung durch Überdrucken der Anschlussstellen 14 mit der Zinn-Silber-Lotpaste. Entsprechend können, nachdem die Lotpaste auf den Anschlussstellen abgelagert worden ist, Elektronikbauelemente 13 darauf platziert werden. Bild 3 zeigt die Baugruppe aus Bauelement 13 und Substrat 11 nach der Behandlung der Baugruppe in einem Reflowofen.
Unter spezieller Bezugnahme auf Fig. 4 wird in Form eines Flussdiagramms ein Verfahren zur Fertigung eines Dickfilm-Elektronikschaltkreises angegeben. Der Prozess beginnt mit Block 50. Die Palladium-Silber-Leiterbahnen 14 und weitere diskrete Elektronikbauelemente werden auf das Substrat 11 nach herkömmlichen Verfahren wie dem Siebdruck aufgedruckt und getrocknet und eingebrannt, wie durch Block 52 dargestellt wird. In Block 54 werden Anschlussstellen 14 unter Verwendung eines reinen oder im Wesentlichen reinen Silberwerkstoffs als leitende Substanz der Druckpaste aufgedruckt und getrocknet und eingebrannt. Die genaue Folge von Vorgängen des Druckens, Trocknens und Brennens der einzelnen Leiterbahnen, Anschlussstellen, Widerstände und Dielektrika usw. kann unter Beachtung der praktischen Bedingungen festgelegt werden. Aus einer Zinn-Silber-Legierung bestehende Lotpaste 32 wird auf den Anschlussstellen 14 abgelagert, so dass die Oberfläche der gesamten Anschlussstelle durch die Lotpaste abgedeckt ist, wie in Block 56 dargestellt ist. Angedeutet in Block 58 werden Elektronikbauelemente und andere elektrische Komponenten auf der Leiterplatte 10 über der Lotpaste platziert. Die gesamte Baugruppe wird dann in einem Reflowofen platziert, um zuerst die Lotpaste 32 zu schmelzen und dann das Lot erstarren und Verbindungen mit den Bauelementen herstellen zu lassen, wie durch Block 60 dargestellt wird. In Block 62 kann die Baugruppe nach der Entnahme aus dem Reflowofen geprüft werden. Der Prozess ist jetzt, wie durch Block 64 angezeigt wird, abgeschlossen.
Bezug nehmend auf Fig. 5 wird ein den Reflowprozess darstellendes Flussdiagramm gemäß dieser Erfindung im Einzelnen dargestellt. Der Prozess beginnt bei Block 80. In einer Vorzugsausgestaltung der Erfindung wird die Leiterplattenbaugruppe während des gesamten Reflowprozessablaufs in einer Stickstoffatmosphäre gelagert, wie durch Block 82 angezeigt wird. Erwärmung und Abkühlung der Schaltkreisbaugruppe sind auf eine Temperaturänderungsgeschwindigkeit von etwa 10°C/s begrenzt, wie durch Block 84 angedeutet wird. Außerdem wird die Ofentemperatur überwacht, um abzusichern, dass die Spitzentemperatur des Ofens 225-280°C nicht übersteigt, wie durch Block 86 angedeutet wird. Bei Block 88 wird die Baugruppe etwa 20 bis 150 s einer Temperatur von 221°C ausgesetzt, um das Lot aufzuschmelzen, und anschließend abgekühlt, damit das Lot erstarrt und Verbindungen mit den Bauelementen bildet. Die Baugruppe wird dann aus dem Ofen genommen, wie durch Block 90 gezeigt wird. Der Prozess ist jetzt, wie durch Block 92 angezeigt wird, abgeschlossen.
Die Erfindung weist gegenüber dem Stand der Technik viele Vorteile auf. Beispielsweise verhindert die Erfindung durch Überdrucken der Silberanschlussstellen mit einem Zinn-Silber-Lot die Bildung von Silbersulfid und damit elektrisches Versagen. Darüber hinaus bekämpft die Erfindung die Umweltprobleme bei Verwendung eines bleihaltigen Lots, indem das offen gelegte Zinn-Silber-Lot verwendet wird.
Die voranstehende Beschreibung offenbart und beschreibt eine Vorzugsausgestaltung der Erfindung. Eine mit dem Fachgebiet vertraute Person kann aus dieser Beschreibung und den zugehörigen Zeichnungen und Ansprüchen ohne Schwierigkeiten entnehmen, dass Veränderungen und Modifikationen der Erfindung vorgenommen werden können, ohne dass von der ihr innewohnenden Idee und dem angemessenen Geltungsbereich der Erfindung, wie er durch die folgenden Ansprüche definiert ist, abgewichen wird.

Claims

1. Ein Dickfilm-Elektronikschaltkreis bestehend aus:
einem Substrat als Träger des Schaltkreises und
einer Leiterbahn zur Verbindung einer Vielzahl von auf dem Dickfilm- Elektronikschaltkreis verteilten Elektronikelementen,
wobei die Leiterbahn eine Anschlussstelle für die Verbindung mindestens eines aus der Vielzahl der Elektronikelemente mit der Leiterbahn besitzt und
wobei die Leiterbahn aus Palladium-Silber und die Anschlussstelle aus Silber besteht.

2. Der Schaltkreis nach Anspruch 1, wobei das Substrat Tonerde oder Al₂O₃ ist.

3. Der Schaltkreis nach Anspruch 1, wobei die Leiterbahn durch Verwendung einer leitfähigen Druckpaste geschaffen wird.

4. Der Schaltkreis nach Anspruch 3, wobei die leitfähige Druckpaste durch einen Siebdruckprozess aufgebracht wird.

5. Der Schaltkreis nach Anspruch 1, des Weiteren eine Lotpaste für die Verbindung der Vielzahl der Elektronikelemente mit den Anschlussstellen enthaltend.

6. Der Schaltkreis nach Anspruch 5, wobei die Lotpaste aus Zinn und Silber besteht.

7. Der Schaltkreis nach Anspruch 5, wobei die Lotpaste aus Zinn, Silber und Kupfer besteht.

8. Der Schaltkreis nach Anspruch 5, wobei die Lotpaste aus etwa 95 Gewichts-% Zinn und etwa 5 Gewichts-% Silber besteht.

9. Der Schaltkreis nach Anspruch 5, wobei die Lotpaste aus etwa 95, 5 Gewichts-% Zinn, etwa 3,9 Gewichts-% Silber und 0,6 Gewichts-% Kupfer besteht.

10. Der Schaltkreis nach Anspruch 5, wobei die Lotpaste ein ganzes Oberflächengebiet der Anschlussstelle abdeckt.

11. Ein Verfahren zur Verbindung eines Elektronikelements mit einem Dickfilm- Elektronikschaltkreis, wobei das Verfahren umfasst:
Halterung des Elektronikschaltkreises mithilfe eines Substrats;
Schaffung einer Vielzahl von Leiterbahnen auf dem Substrat zur Verbindung einer Vielzahl von Elektronikelementen, wobei die Vielzahl von Leiterbahnen eine Vielzahl von Anschlussstellen zur Befestigung der Elemente an ihnen aufweist;
Ablagern einer Lotpaste auf den Anschlussstellen;
Platzieren mindestens eines aus der Vielzahl von Elektronikelementen auf den Anschlussstellen mit der darauf abgelagerten Lotpaste;
Aufschmelzen der Lotpaste zur Bildung einer Verbindung zwischen dem Element und der Anschlussstelle.

12. Das Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Substrat Tonerde ist.

13. Das Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Schaffung von Leiterbahnen ferner die Ablagerung leitfähiger Druckpaste zur Bildung der Leiterbahnen umfasst.

14. Das Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Leiterbahnen aus Palladium-Silber bestehen.

15. Das Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Anschlussstellen aus Silber bestehen.

16. Das Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Lotpaste aus etwa 95 Gewichts-% Zinn und etwa 5 Gewichts-% Silber besteht.

17. Das Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Aufschmelzen der Lotpaste ferner umfasst, dass der Schaltkreis in einem Reflowofen mit einer maximalen Temperatur zwischen 225°C und 280°C platziert wird.

18. Das Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Aufschmelzen der Lotpaste ferner umfasst, dass der Schaltkreis zwischen 20 s und 150 s in einem Reflowofen bei einer Temperatur von etwa 221°C platziert wird.

19. Das Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Ablagern einer Lotpaste ferner umfasst, dass die Lotpaste ein ganzes Gebiet der Anschlussstellen abdeckt.

20. Das Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Schaffung einer Vielzahl von Leiterbahnen ferner die Bildung der Leiterbahnen aus einer Palladium-Silber-Legierung und die anschließende Bildung von Silber-Anschlussstellen oben auf der Vielzahl von Leiterbahnen umfasst.