DE10225202A1 - Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit einem Anpaßnetzwerk - Google Patents

Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit einem Anpaßnetzwerk

Info

Publication number
DE10225202A1
DE10225202A1 DE10225202A DE10225202A DE10225202A1 DE 10225202 A1 DE10225202 A1 DE 10225202A1 DE 10225202 A DE10225202 A DE 10225202A DE 10225202 A DE10225202 A DE 10225202A DE 10225202 A1 DE10225202 A1 DE 10225202A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
component according
thin
substrate
film
layers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE10225202A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10225202B4 (de
Inventor
Thomas Metzger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SnapTrack Inc
Original Assignee
Epcos AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epcos AG filed Critical Epcos AG
Priority to DE20221966U priority Critical patent/DE20221966U1/de
Priority to DE10225202.5A priority patent/DE10225202B4/de
Priority to US10/456,105 priority patent/US6927649B2/en
Publication of DE10225202A1 publication Critical patent/DE10225202A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10225202B4 publication Critical patent/DE10225202B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
    • H03H9/706—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
    • H03H9/0557—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement the other elements being buried in the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
    • H03H9/0571—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers including bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/58—Multiple crystal filters
    • H03H9/582—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques
    • H03H9/586—Means for mounting to a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/587—Air-gaps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/58—Multiple crystal filters
    • H03H9/582—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques
    • H03H9/586—Means for mounting to a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/589—Acoustic mirrors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

Die Erfindung gibt ein mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement mit einem Mehrlagensubstrat (MS) an, wobei das Mehrlagensubstrat ein integriertes Anpaßnetzwerk und weitere Schaltungselemente (IE) zur Anpassung elektrischer Filtereigenschaften umfaßt und als Trägersubstrat für Dünnschicht-Resonatoren (AF), FBAR = Thin Film Bulk Acoustic Wave Resonator, dienen kann.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement, insbesondere ein Bandpaßfilter oder einen Duplexer mit elektronischem Anpaßnetzwerk.
  • Unter mit akustischen Volumenwellen arbeitenden Bauelementen werden BAW-Bauelemente (Bulk Acoustic Wave Bauelemente) verstanden, welche einzelne Dünnschicht-Resonatoren (auch Thin Film Bulk Acoustic Wave Resonator oder FBAR genannt) umfassen. Diese Bauelemente können künftig große Bedeutung als Filter und Duplexer in Front-End-Modulen drahtloser Kommunikationssysteme erlangen.
  • Ein Duplexer stellt ein elektrisches Dreitor dar, das die Antenne sowohl mit dem Sende- als auch mit dem Empfangspfad eines Endgerätes für mobile Kommunikation verbindet. Ein Duplexer besteht aus zwei, meist in einem gemeinsamen Gehäuse angeordneten, an eine Antenne anzuschließenden Bandpaßfiltern, wobei sich jeweils ein Filter im Sende- bzw. Empfangspfad befindet. Ein Duplexer sollte einerseits in jedem der Paßbänder auf der entsprechenden Seite des Dreitors eine gute Anpassung an die Umgebung aufweisen, um Signalverluste an der Schnittstelle zu minimieren, und andererseits eine hohe Unterdrückung der Empfangssignale im Sendepfad und vor allem der Sendesignale im Empfangspfad gewährleisten. Eine weitere Anforderung an einen Duplexer ist eine hohe Sendeleistungsverträglichkeit ohne Beeinträchtigung der Filterfunktion während einervorgegebenen Lebensdauer des Bauteils, und zwar bei möglichst geringem Platzbedarf.
  • Bis heute sind beispielsweise Duplexer aus Mikrowellenkeramik bekannt, die eine hohe Leistungsverträglichkeit bei niedrigen Herstellungskosten aufweisen, die jedoch relativ groß sind, etwa im Vergleich zu auf der Basis der SAW-Technologie (SAW steht für Surface Acoustic Wave) aufgebauten Duplexern. Die SAW-Duplexer wiederum sind zwar klein, aber nicht besonders leistungsfest, was sich vor allem im Frequenzbereich oberhalb von 1 GHz bemerkbar macht.
  • Weiterhin ist ein BAW-Duplexer aus US 6262637 bekannt, der aus zwei separaten Bandpaßfiltern für Sende- und Empfangsbereich besteht. Beide Filter sind auf einer Leiterplatte aufgelötet und mit einer ebenfalls auf der Leiterplatte angebrachten zusätzlichen Schaltung aus diskreten Elementen elektrisch verbunden, so daß der Gesamtaufbau als Dreitor betrachtet werden kann. Jedes der erwähnten BAW-Filter besteht aus einer Ladder-Type-Anordnung einzelner akustischer Resonatoren. Jeder Resonator enthält eine piezoelektrische Schicht, die beidseitig mit Elektrodenschichten versehen ist, wobei zwischen dem mehrschichtigen Resonator-Aufbau und einem darunter liegenden Trägersubstrat ein Hohlraum zur Reflexion einer akustischen Welle zurück in den Resonator angeordnet ist.
  • Die genannten BAW-Bauelemente benötigen zur Anpassung an ihre Schaltungsumgebung, wie oben schon angedeutet, ein elektrisches Anpaßnetzwerk. Ein solches kann Induktivitäten, Kapazitäten und Verzögerungsleitungen umfassen und dient im wesentlichen dazu, die Impedanz eines Bauelements der äußeren Umgebung anzupassen.
  • Es ist bekannt, daß ein BAW-Bauelement (beispielsweise ein aus BAW-Bauelementen aufgebauter Duplexer) mit einem auf einer Leiterplatte angeordneten Anpaßnetzwerk versehen werden kann, siehe Druckschrift US 6262637. Eine solche Anordnung ist jedoch wegen eines hohen Platzbedarfes und wegen hoher Herstellungkosten im Vergleich zu heutzutage angebotenen Duplexern von Nachteil. Außerdem sind die elektrischen Eigenschaften eines solchen Bauteils sehr empfindlich bezüglich der relativen gegenseitigen Anordnung der (für die Duplexerfunktion) erforderlichen Filter- und Anpaßelemente, die auf der Leiterplatte angeordnet werden.
  • Es ist bekannt, daß bei SAW-Bauelementen Anpaßnetzwerke als integrierte Netzwerke ausgeführt werden, wobei die das Netzwerk bildenden Schaltungselemente zusammen in einem mehrlagigen Substrat integriert sind. Die integrierten Schaltungselemente können beispielsweise Bestandteil einer Duplexer- Schaltung sein.
  • Es ist bekannt, daß ein SAW-Bauelement (Chip) mit einem mehrschichtigen Trägersubstrat (z. B. aus Keramik), welches integrierte Anpaßelemente umfaßt, mittels Flip-Chip-Anordnung oder mittels Drahtbonden befestigt und elektrisch verbunden sein kann. Ein Nachteil von SAW-Bauelementen besteht in ihrer geringen Lebensdauer bei in Endgeräten der mobilen Kommuniktaion angewendeten hohen Sendeleistungen. Ein weiterer Nachteil der SAW-Duplexer besteht darin, daß die Flanken der Paßbänder in der Übertragungsfunktion nicht ausreichend steil abfallen, weswegen SAW-Duplexer für Anwendungen mit geringem Abstand zwischen den Mittelfrequenzen der Sende- und Empfangsbereiche nicht in Frage kommen.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit integrierten Schaltungselementen anzugeben, welches hohe Leistungsverträglichkeit und Zuverlässigkeit elektrischer Eigenschaften aufweist.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Bauelement mit den Merkmalen von Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung gehen aus weiteren Ansprüchen hervor.
  • Ein erfindunggemäßes elektronisches mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement (BAW-Bauelement) enthält a) zumindest einen Dünnschicht-Resonator, auch Volumenwellen- Resonator oder FBAR (Thin Film Bulk Acoustic Wave Resonator) genannt, der aus zumindest einer piezoelektrischen Schicht mit zumindest zwei schichtweise aufgetragenen Elektroden gebildet ist, und b) ein Mehrlagensubstrat mit zumindest einem integrierten passiven oder aktiven Schaltungselement.
  • Unter integrierten Schaltungselementen versteht man im Sinne der Erfindung solche Schaltungselemente, die im Mehrlagensubstrat monolithisch integriert sind.
  • Unter einem passiven oder aktiven Schaltungselement versteht man im Sinne der Erfindung insbesondere eine Induktivität, eine Kapazität, eine Verzögerungsleitung, einen Widerstand, eine Diode oder einen Transistor. Dabei sind die genannten Schaltungselemente vorzugsweise in an sich bekannter Weise als Leiterbahnen oder beliebig geformte Metallflächen zwischen den einzelnen Lagen des Mehrlagensubstrats (Substratlagen) oder als vertikale Durchkontaktierungen im Mehrlagensubstrat ausgebildet. Der zumindest eine Dünnschicht-Resonator ist auf der Oberseite des Mehrlagensubstrats angeordnet und mit den im Mehrlagensubstrat integrierten Schaltungselementen elektrisch verbunden. Die genannten Schaltungselemente können verschiedene elektronische Schaltungen bilden, wobei diese Schaltungen auch zumindest einen Dünnschicht-Resonator enthalten können. Es kann sich dabei beispielsweise um eine Filter-Schaltung mit Ladder-Type Anordnung handeln, welche integrierte Induktivitäten in Parallelzweigen enthält.
  • Unter einem Chip-Bauelement versteht man einen "nackten" Chip mit elektronischen Strukturen oder einen eingehäusten Chip mit solchen Strukturen. Unter Filter versteht man im Sinne der Erfindung eine (beispielsweise auf einem Chip-Bauelement realisierte) Filter-Schaltung. Ein Filter-Chip ist ein Chip mit Filterteilstrukturen.
  • Ein Duplexer ist ein Bauelement, das sowohl auf einem Chip realisierte Filterstrukturen als auch ein Mehrlagensubstrat mit integrierten Schaltungselementen umfaßt.
  • Die Lösung mit in einem Mehrlagensubstrat integrierten Schaltungselementen gegenüber einer solchen mit auf einer Leiterplatte angebrachten Schaltungselementen, insbesondere Anpaßelementen, bietet besondere Vorteile nicht nur im Hinblick auf Reduzierung des Platzbedarfes, sondern auch im Hinblick auf eine besonders hohe Zuverlässigkeit elektrischer Eigenschaften des Bauelements aufgrund hoher Präzision (geringer Fertigungstoleranzen) bei Herstellung der Metallisierung zwischen Substratlagen.
  • Der Vorteil des erfindungsgemäßen Bauelements mit Dünnschicht-Resonatoren gegenüber einem SAW-Bauelement mit in einem Mehrlagensubstrat integrierten Schaltungselementen liegt darin, daß das Erstere eine wesentlich höhere Leistungsverträglichkeit aufweist.
  • Integrierte Schaltungselemente können zumindest einen Teil folgender Schaltungen bilden: Anpaßnetzwerk, Antennenschalter, Diodenschalter, Hochpaßfilter, Tiefpaßfilter, Bandpaßfilter, Bandsperrfilter, Leistungsverstärker, Diplexer, Duplexer, Koppler, Richtungskoppler, Speicherelemente, Balun, Mischer.
  • Das Mehrlagensubstrat mit integrierten Schaltungselementen kann direkt als Trägersubstrat für den zumindest einen Dünnschicht-Resonator dienen. Eine weitere Möglichkeit besteht darin, einen oder mehrere Chips, welche aus einem Trägersubstrat mit darauf abgeschiedenen Dünnschicht-Resonatoren bestehen, mit dem Mehrlagensubstrat mittels Drahtbonden oder Flip-Chip-Technik elektrisch zu verbinden. Ein direktes Abscheiden von Dünnschicht-Resonatoren ist jedoch kostengünstiger, da in diesem Fall zusätzliche Prozeßschritte, d. h. Drahtbonden oder Flip-Chip-Bonden, entfallen.
  • Das Mehrlagensubstrat weist sowohl interne elektrische Anschlüsse auf der Oberseite zum Kontaktieren mit den genannten Dünnschicht-Resonatoren und ggf. mit weiteren diskreten Schaltungselementen als auch Außenelektroden z. B. auf der Unterseite zur Herstellung einer elektrischen Verbindung des Bauteils mit einer externen Leiterplatte, beispielsweise derjenigen eines Endgeräts, auf.
  • Die integrierten Schaltungselemente können beispielsweise elektrische Verbindungen zwischen einer Antenne und Bandpaßfiltern im Empfangs- bzw. Sendepfad eines erfindungsgemäßen, z. B. als Duplexer ausgebildeten Bauelements realisieren und zusätzlich der Verbesserung elektrischer Filtereigenschaften allgemein und insbesondere der Isolation von Empfangs- und Sendeports gegeneinander dienen.
  • Bei Verbindung eines Empfangs- bzw. Sendefilters mit Antenne in einem Duplexer kann eine Phasenverschiebung der entsprechenden Signale notwendig sein. Die Phasenverschiebung kann durch eine Verzögerungsleitung oder durch eine Kombination der Induktivitäten und Kapazitäten erreicht werden. Diese Schaltungselemente können beispielsweise zwischen dem Antennenport und dem Empfangsfilter angeordnet sein, wobei das Sendefilter direkt mit dem Antennenport verbunden ist. Eine weitere Möglichkeit besteht darin, daß diese Schaltungselemente zwischen dem Antennenport und dem Sendefilter liegen, wobei das Empfangsfilter direkt mit dem Antennenport verbunden ist. Außerdem ist es möglich, die genannten Schaltungselemente zwischen dem Sende- und dem Empfangsfilter anzuordnen.
  • Der Wert einer z. B. durch eine Verzögerungsleitung zu erreichenden Phasenverschiebung hängt von Ein- bzw. Ausgangswiderstand am Empfangs- oder Sendeport (welcher einerseits an die Phasenverschiebungsschaltung und andererseits an den Antennenport angeschlossen ist) ab. Die Phase des (komplexen) Ein- bzw. Ausgangswiderstands eines Filters (z. B. mit Ladder- Type-Anordnung) hängt von der genauen Filtertopologie ab, das heißt, sie hängt davon ab, ob der erste Dünnschicht-Resonator vom entsprechenden Port aus gesehen in einem Serien- oder Parallelzweig angeordnet ist. Beispielsweise kann es von Vorteil sein, einen Resonator durch eine Kombination von zwei oder mehr in Serie geschalteten Resonatoren zu ersetzen, um die Leistungsfestigkeit des Bauelements in einem Signalpfad, an den im Betrieb hohe Leistungen angewendet werden, zu erhöhen.
  • Die integrierten Schaltungselemente sind vorzugsweise auf, in und zwischen den Lagen einer mehrlagigen Keramik angeordnet, beispielsweise einer LTCC-Keramik (= low temperature cofired ceramics). Eine solche Keramik in LTCC-Ausführung erlaubt eine hohe Integration von Netzwerkelementen. Da bei dieser Technik eine hochwertige Keramik und verlustarme metallische Leiter bei gleichzeitig exakt reproduzierbarer Bauelementgeometrie bzw. Netzwerkgeometrie verwendet werden, weist die erfindungsgemäße Lösung - im Vergleich zu einem BAW-Bauelement mit extern aus diskreten Elementen aufgebautem Anpaßnetzwerk - geringere Variation elektrischer Eigenschaften der Anpaßelemente und folglich geringere Abweichungen der Übertragungsparameter des Gesamtbauteils auf.
  • Alternativ dazu kann ein Mehrlagensubstrat aus HTCC (= high temperature cofired ceramics), Silizum oder organischen Materialien (z. B. Laminate, Kunststoff) bestehen, bzw. Einzellagen aus den genannten Materialien umfassen.
  • Das genannte Mehrlagensubstrat kann gleichzeitig ein Teil eines das erfindungsgemäße Hauelement umschließenden Gehäuses sein.
  • In einer vorteilhaften Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Bauelements kann ein Dünnschicht-Resonator mit einem oder mehreren akustischen Spiegeln versehen sein. Die Verwendung eines akustischen Spiegels bietet zusätzliche Freiheitsgrade beim Filterdesign, da die Eigenschaften eines solchen Spiegels die Eigenschaften eines Dünnschicht-Resonators und die Charakteristika eines aus Dünnschicht-Resonatoren aufgebauten Filters beeinflussen.
  • Durch die entsprechende Einstellung der Frequenzbereiche eines akustischen Spiegels können beispielsweise unerwünschte akustische Moden im Resonator unterdrückt werden. Die unerwünschten Moden werden dabei aus dem Resonator in Richtung Trägersubstrat herausgeleitet, ohne die Filter-Charakteristik zu beeinträchtigen.
  • Das Reflexionsverhalten eines akustischen Spiegels kann durch eine geeignete Auswahl und/oder Anzahl von den akustischen Spiegel bildenden Schichten oder Schichtpaaren so angepaßt sein, daß die effektive Kopplungskonstante eines darüber angeordneten Dünnschicht-Resonators den gewünschten Wert annimmt. Mit einer kleineren Kopplungskonstante eines Dünnschicht-Resonators kann eine höhere Flankensteilheit eines Bandpaßfilters erreicht werden (hohe Flankensteilheit ist bei einigen Duplexer-Anwendungen mit geringem Abstand zwischen Empfangs- und Sendeband erforderlich). Jede einzelne Schicht eines akustischen Spiegels beeinflußt die Resonanzfrequenz des damit verbundenen Dünnschicht-Resonators. Deshalb können die Resonanzfrequenzen durch Veränderung der Schichtdicken einer oder mehrerer Schichten sowie durch Einfügung zusätzlicher oder Aufhebung schon existierender Schichten kontrolliert werden, was zur Anpassung der Resonanzfrequenzen einzelner Filter bzw. Resonatoren oder auch zu notwendiger Frequenzverschiebung zwischen Dünnschicht-Resonatoren in Serien- bzw. Parallelzweigen einer Filter-Anordnung von Nutzen sein kann.
  • Im Unterschied zu aus dem Stand der Technik bekannten BAW- Bauelementen, die keinen akustischen Spiegel zwischen dem Dünnschicht-Resonator und einem Trägersubstrat aufweisen, so daß der Dünnschicht-Resonator über dem Trägersubstrat freihängt, wird bei einem erfindungsgemäßen Bauelement ein direkter thermischer Kontakt zwischen dem Trägersubstrat und den Resonatorschichten durch einen akustischen Spiegel gewährleistet. Dadurch läßt sich die Erwärmung der Elektroden des Dünnschicht-Resonators bei Anwendung hoher Sendeleistungen wesentlich reduzieren.
  • Verglichen mit schon auf dem Markt befindlichen Duplexern auf der Basis der BAW-Technologie bietet das erfindungsgemäße Bauelement mehr Design-Freiheitsgrade, eine höhere Leistungsverträglichkeit sowie eine höhere Güte akustischer Resonatoren, welche zu einer besseren Filterqualität, d. h. geringeren Verlusten und einer höheren Flankensteilheit der Übertragungsfunktion außerhalb des Paßbands, führt. Die Integration der Schaltungselemente in einem Mehrlagensubstrat bei einem erfindungsgemäßen BAW-Bauelement gewährleistet, wie oben schon erwähnt, geringere Fertigungstoleranzen und daher stabilere Übertragungsparameter des Gesamtfilters als schon existierende Lösungen. Die Erfindung erlaubt außerdem, kostengünstige BAW-Bauteile mit geringerem Platzbedarf herzustellen.
  • Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert. Die Figuren dienen dabei nur der Erläuterung und sind nur schematisch und nicht maßstabsgetreu. Gleiche Elemente sind mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet.
  • Fig. 1 zeigt den prinzipiellen Schichtaufbau eines erfindungsgemäßen Bauelements im schematischen Querschnitt
  • Fig. 2 und 3 zeigen den Schichtaufbau vorteilhafter Ausführungsformen eines erfindungsgemäßen Bauelements im schematischen Querschnitt
  • Fig. 4 zeigt einen schematischen Querschnitt eines erfindungsgemäßen Filters mit direkt auf dem Mehrlagensubstrat abgeschiedenen Dünnschicht-Resonatoren
  • Fig. 5 bis 8 zeigen weitere Ausführungsbeispiele von erfindungsgemäßen Bauelementen im schematischen Querschnitt
  • Fig. 9 zeigt eine Filter-Schaltung mit Ladder-Type Anordnung mit integrierten Induktivitäten
  • Allgemeine Merkmale des Mehrschichtaufbaus eines erfindungsgemäßen BAW-Bauelements sollen anhand der Fig. 1 näher erläutert werden.
  • Das in Fig. 1 dargestellte Bauelement ist als Mehrschichtbauelement mit einem Mehrlagensubstrat MS aufgebaut, wobei auf der Oberseite des Mehrlagensubstrats ein oder mehrere mit einem akustischen Spiegel AS versehene Dünnschicht- Resonatoren AF angeordnet sind. In der Figur sind z. B. zwei Dünnschicht-Resonatoren dargestellt. Jeder Dünnschicht- Resonator AF umfaßt eine piezoelektrische Schicht PS und zwei Elektroden E1 und E2 bzw. E2 und E3. In einer vorteilhaften Ausführung kann ein Bauelement mehrere piezoelektrische Schichten bzw. mehr als zwei Elektroden pro eine piezoelektrische Schicht aufweisen. Die Elektroden können wiederum einen Schichtaufbau aus mehreren Schichten unterschiedlicher Materialien haben.
  • Elektroden können im Prinzip aus beliebigen leitenden Materialien bestehen. Die wichtigsten Anforderungen an das Elektrodenmaterial sind a) gute elektrische Leitfähigkeit, um ohmsche Verluste zu reduzieren, sowie b) hohe Leistungsverträglichkeit. Außerdem sollte das Elektrodenmaterial als Unterlage für weitere darüber und darunter liegenden Schichten geeignet sein, um bessere Eigenschaften jener Schichten wie z. B. Textur, Schichtstreß, Oberflächenrauhigkeit, Kristallitgröße oder Dichte zu erreichen. Durch Verwendung von geeigneten Elektrodenmaterialien läßt sich der Kopplungskoeffizient einer piezoelektrischen Schicht erhöhen. Daher kann der Frequenzabstand zwischen Resonanz und Antiresonanz eines Dünnschicht-Resonators und folglich die Bandbreite eines erfindungsgemäßen Bandpaßfilters (z. B. mit Ladder-Type- Anordnung) erhöht werden. Um all diesen Anforderungen zu genügen, kann es nützlich sein, die Elektroden als Metallegierung oder aus mehreren, aus unterschiedlichen Materialien bestehenden Schichten zu fertigen.
  • Der akustische Spiegel AS ist zwischen einem Dünnschicht- Resonator AF und dem Mehrlagensubstrat MS angeordnet. Der akustische Spiegel besteht aus mehreren alternierenden Schichten mit hoher - HZ1, HZ2 - und niedriger - LZ1, LZ2 - akustischer Impedanz, wobei die Schichtdicke jeder der genannten Schichten HZ1, HZ2, LZ1, LZ2 ungefähr ein Viertel der Wellenlänge akustischer Welle im jeweiligen Material beträgt. Eine elektrisch leitende Schicht des akustischen Spiegels kann zugleich eine Elektrode des dazugehörigen Dünnschicht- Resonators darstellen, bzw. eine Elektrode geeigneter Dicke und Impedanz kann eine Teilschicht des akustischen Spiegels sein.
  • Der akustische Spiegel verhindert im Sperrbereich das Austreten von im Dünnschicht-Resonator entstandenen akustischen Wellen in Richtung Mehrlagensubstrat, was unerwünschte Energieverluste hervorrufen würde.
  • Die Zusammensetzung und der genaue Aufbau des akustischen Spiegels bestimmt, zusammen mit der Dicke und den Materialeigenschaften der piezoelektrischen Schicht bzw. der Elektroden eines Dünnschicht-Resonators, dessen statische Kapazität.
  • Der Reflexionskoeffizient an der Grenzfläche zwischen zwei in einem akustischen Spiegel verwendeten Schichten mit einer niedrigen und einer hohen akustischen Impedanz ist hauptsächlich durch den Unterschied der Werte der genannten akustischen Impedanzen bestimmt.
  • Der hohe Reflexionskoeffizient des gesamten akustischen Spiegels kann beispielsweise mit nur einem Paar der aus unterschiedlichen Materialien bestehenden Schichten erreicht werden, wenn die erste Schicht einen sehr hohen und die zweite Schicht einen sehr niedrigen Impedanzwert aufweist. Als erste Schicht kann z. B. Wolfram genommen werden, als zweite Schicht kann ein Material mit einer niedrigen Dielektrizitätskonstante, einer geringen Dichte und einem geringen Elastizitätsmodul dienen. Durch einen solchen Aufbau wird ein akustischer Spiegel mit einer breitbandigen Stopband- Charakteristik realisiert.
  • Ein akustischer Spiegel mit schmalbandiger Stopband- Charakteristik wird hingegen mit mehreren alternierenden Schichten gebildet. Dabei müssen die jeweiligen Schichten eine nur in Maßen hohe bzw. niedrige akustische Impedanz aufweisen. Als erstes Material kann AlN, als zweites amorphes Siliziumoxid dienen. Um den erforderlichen Reflexionskoeffizienten und die erforderliche Bandbreite des akustischen Spiegels zu erreichen, kann man im Prinzip eine beliebige Kombination von Materialien mit einem hohen bzw. niedrigen Wert akustischer Impedanz in Zusammenhang mit der vorgegebenen Anzahl der Schichtpaare verwenden.
  • Wenn im akustischen Spiegel elektrisch leitende Schichten, z. B. Wolfram, verwendet werden, dann sollte die genannte Schicht strukturiert, d. h. beschränkt auf die Fläche unterhalb eines jeden Dünnschicht-Resonators sein, um unerwünschte kapazitive Kopplung zwischen einzelnen Dünnschicht- Resonatoren eines Filters in Grenzen zu halten. Wenn der akustische Spiegel ausschließlich aus dielektrischen Schichten besteht, so können alle Schichten unstrukturiert bleiben.
  • Bei akustischen Spiegeln mit einer breiten Stopband- Charakteristik kann derselbe Spiegel, der auf einem Wafer aufgebaut ist, sowohl für ein Bandpaßfilter im Empfangspfad als auch für ein solches im Sendepfad eines Duplexers verwendet werden. Die genannten Bandpaßfilter können im gleichen Prozeßschritt auf demselben Wafer abgeschieden werden, da ein akustischer Spiegel mit einer großen Bandbreite einen ausreichend hohen Reflexionskoeffizienten im Durchlaßbereich von beiden Bandpaßfiltern gewährleistet.
  • Mehrere Dünnschicht-Resonatoren können beispielsweise ein Bandpaßfilter mit einer Ladder-Type- oder Lattice-Type- Anordnung bilden. Möglich ist außerdem eine Filteranordnung aus gestapelten Dünnschicht-Resonatoren, die sogenannte Stacked-Crystal-Filter (SCF) Filteranordnung, oder eine Filteranordnung aus gekoppelten Dünnschicht-Resonatoren: Coupled-Resonator-Filter (CRF) Filteranordnung. Eine Filteranordnung kann auch beliebige Kombinationen der genannten Filteranordnungen umfassen.
  • Die Ladder-Type- bzw. Lattice-Type- Filteranordnungen werden nun am Beispiel eines Filters mit symmetrischem Ein- und Ausgang erläutert.
  • Bei einem symmetrischen Ladder Type Filter werden die Reaktanzelemente, z. B. die erfindungsgemäßen Dünnschicht- Resonatoren, in zwei seriellen Zweigen angeordnet, welche leiterartig mit parallelen Zweigen überbrückt sind. Bei einem symmetrischen Lattice Filter werden die Reaktanzelemente in zwei seriellen Zweigen angeordnet, welche kreuzförmig mit parallelen Zweigen überbrückt sind. Jeder dieser beiden grundsätzlichen Filtertypen zeigt spezifische Filtereigenschaften. Das Ladder Type Filter weist als besonderen Vorteil steile Flanken im Übergangsbereich und tiefreichende Polstellen (Notches) auf, während ein Lattice Type Filter als besondere Vorteile eine niedrigere Einfügedämpfung und ein geringes Passband Ripple verbunden mit extrem hoher Stoppbandunterdrückung besitzt.
  • In den Serien- und Parallelzweigen einer Filter-Anordnung zur Anpassung der Filtereigenschaften verwendete Induktivitäten oder Kapazitäten können im Mehrlagensubstrat MS integriert sein. Dabei können die genannten Schaltungselemente sowohl parallel als auch in Serie mit einzelnen Dünnschicht- Resonatoren verbunden sein.
  • Eine serielle Verschaltung einer Induktivität, z. B. einer im Mehrlagensubstrat integriertem Induktivität, mit einem akustischen Resonator im Parallelzweig einer Ladder-Type- Anordnung schafft eine zusätzliche Polstelle (bzw. Nullstelle) in der Übertragungsfunktion eines Ladder-Type-Filters. Durch eine geeignete Auswahl der Anzahl und der Frequenzlage dieser Nullstellen läßt sich die Filter-Charakteristik im Sperrbereich wesentlich verbessern. Außerdem kann der Abstand zwischen Resonanz und Antiresonanz eines Dünnschicht- Resonators durch Verschiebung der Resonanz zu niedrigeren Frequenzen vergrößert werden, was für Realisierung einer höheren Filter-Bandbreite ausgenutzt werden kann. Zusätzliche Induktivitäten, die in Serie mit dem Filterein- oder ausgang verschaltet werden, können dazu dienen, die erforderliche Ein- oder Ausgangsimpedanz eines Filters (beispielsweise 50 Ohm) zu erreichen, weil dadurch kapazitive Eigenschaften eines aus Dünnschicht-Resonatoren aufgebauten Ladder-Type- Filters kompensiert werden können. Durch die Einfügung einer Induktivität zwischen zwei Resonatoren einer Ladder-Type- Anordnung läßt sich eine bessere interne Anpassung einzelner Glieder dieser Anordnung erreichen, wobei die Induktivitäten erfindungsgemäß als integrierte Schaltungselemente ausgebildet sein können.
  • Ein einzelner Dünnschicht-Resonator bei der Ladder-Type- Anordnung kann durch eine Kaskade von n in Serie zusammengeschalteten Resonatoren ersetzt werden, wobei jeder der neuen Dünnschicht-Resonatoren eine ungefähr n mal so große akustische Fläche (verglichen mit der akustischen Fläche des zu ersetzenden Resonators) aufweist, so daß die ursprüngliche statische Kapazität erhalten bleibt. Diese Vorgehensweise kann aus Leistungsverträglichkeitsgründen oder zur Einhaltung der minimalen möglichen Resonatorgröße vorteilhaft sein.
  • Neben Dünnschicht-Resonatoren können auch weitere passive oder aktive diskrete Schaltungselemente oder andere Strukturen, beispielsweise SAW-Filter, auf der Oberseite des Mehrlagensubstrats angeordnet sein. Außerdem können die genannten Schaltungselemente Teile folgender Schaltungen bilden: Anpaßnetzwerk, Antennenschalter, Diodenschalter, Hochpaßfilter, Tiefpaßfilter, Bandpaßfilter, Bandsperrfilter, Leistungsverstärker, Diplexer, Duplexer, Koppler, Richtungskoppler, Speicherelemente, Balun, Mischer.
  • Ein Mehrlagensubstrat MS umfaßt integrierte Schaltungselemente IE, welche mit Außenelektroden AE und mit einzelnen Dünnschicht-Resonatoren AF mittels Durchkontaktierungen DK, beispielsweise über Kontaktelektroden KE elektrisch verbunden sind. Das Mehrlagensubstrat kann beispielsweise aus Keramik, Silizium oder organischen Materialien bestehen.
  • Zur Passivierung der Elektroden oder zur Frequenzabstimmung des Filters können in einem Dünnschicht-Resonator außerdem zusätzliche, in Patentschriften WO 0106646 und WO 0106647 beschriebene Passivierungsschichten vorgesehen sein.
  • Es ist möglich, daß mehrere aus einzelnen Dünnschicht- Resonatoren aufgebaute Schaltungen, beispielsweise Filter, insbesondere Bandpaßfilter, direkt auf einem Mehrlagensubstrat realisiert sind.
  • Es ist möglich, daß mehrere aus einzelnen Dünnschicht- Resonatoren aufgebaute Schaltungen, beispielsweise Filter, insbesondere Bandpaßfilter, auf einem gemeinsamen Trägersubstrat SU, wie in Fig. 6 und 7 angedeutet, realisiert sind. Das Trägersubstrat mit den Dünnschicht-Resonatoren bildet einen Chip, der mit dem Mehrlagensubstrat und den darin integrierten Schaltungselementen beispielsweise mittels Drahtbonden oder Flip-Chip-Technik verbunden sein kann.
  • Das Trägersubstrat SU kann wiederum einen Vielschichtaufbau haben und ein oder mehrere integrierte Schaltungselemente, insbesondere Anpaßelemente, umfassen.
  • Eine weitere Variationsmöglichkeit besteht darin, daß mehrere aus einzelnen Dünnschicht-Resonatoren aufgebaute Schaltungen, beispielsweise Filter, insbesondere Bandpaßfilter, separat - jedes auf einem eigenen Trägersubstrat SU1, SU2 - in einem gemeinsamen Gehäuse auf der Oberseite des Mehrlagensubstrats MS angeordnet sind, wie in Fig. 8 angedeutet. Jedes Trägersubstrat mit den Dünnschicht-Resonatoren bildet einen Chip, der mit im Mehrlagensubstrat integrierten Schaltungselementen beispielsweise mittels Drahtbonden oder Flip-Chip-Technik verbunden sein kann.
  • Es ist möglich, daß mehrere aus einzelnen Dünnschicht- Resonatoren aufgebaute Schaltungen, beispielsweise Filter, insbesondere Bandpaßfilter, separat - jedes auf einem eigenen Trägersubstrat und in einem eigenen Gehäuse - auf der Oberseite des Mehrlagensubstrats angeordnet sind. Jedes Trägersubstrat mit Dünnschicht-Resonatoren bildet einen Chip, der mit im Mehrlagensubstrat integrierten Schaltungselementen beispielsweise mittels Drahtbonden oder Flip-Chip-Technik verbunden sein kann.
  • In Fig. 2 ist eine weitere mögliche Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Bauelements dargestellt. In diesem Fall sind Dünnschicht-Resonatoren AF auf dem Mehrlagensubstrat MS ohne einen akustischen Spiegel so angeordnet, daß zwischen der akustisch aktiven Fläche des Resonators und dem Mehrlagensubstrat ein Hohlraum HR besteht. Jedoch bietet die Lösung mit einem akustischen Spiegel eine höhere Leistungsverträglichkeit aufgrund eines besseren thermischen Kontakts mit dem Mehrlagensubstrat sowie mehr Designfreiheitsgrade.
  • Fig. 3 zeigt eine weitere Möglichkeit, wie ein Dünnschicht- Resonator auf einem Mehrlagensubstrat ohne akustischen Spiegel angeordnet werden kann. Im Unterschied zu dem in Fig. 2 beschriebenen Bauelement weist ein Mehrlagensubstrat eine zusätzliche Substratschicht SS, die beispielsweise aus einem anderen Material bestehen kann, auf, wobei diese Schicht zwischen dem Mehrlagensubstrat MS und Dünnschicht-Resonatoren AF liegt.
  • In Fig. 4 ist ein erfindungsgemäßes Bauelement mit direkt auf dem multifunktionellen Mehrlagensubstrat MS abgeschiedenen Dünnschicht-Resonatoren AF im schematischen Querschnitt gezeigt. Dabei dient das Mehrlagensubstrat als Trägersubstrat für Dünnschicht-Resonatoren. Möglichst ist es auch, auf diese Weise einen Duplexer auszubilden.
  • Fig. 5 zeigt eine weitere Möglichkeit, wie Dünnschicht- Resonatoren AF auf einem Mehrlagensubstrat MS mit integrierten Schaltungselementen IE angeordnet werden können. Einzelne Dünnschicht-Resonatoren AF sind schichtweise auf einem Trägersubstrat SU abgeschieden, dessen Unterseite auf der Oberseite eines Mehrlagensubstrats MS aufliegt. Die elektrischen Verbindungen zwischen den einzelnen Dünnschicht-Resonatoren AF und den im Mehrlagensubstrat vorhandenen integrierten Schaltungselementen kommen durch Bonddrähte BD zustande.
  • Einzelne Dünnschicht-Resonatoren sind in der Regel so angeordnet, daß sie ein oder mehrere Bandpaßfilter bilden. Dabei können die Induktivitäten der Bonddrähte beispielsweise in den Serien- oder Parallelzweigen einer Ladder-Type-Anordnung der Dünnschicht-Resonatoren als Induktivitätselemente verwendet werden.
  • Fig. 6 zeigt eine weitere Befestigungsmöglichkeit von auf der Unterseite eines Trägersubstrats SU abgeschiedenen einzelnen Dünnschicht-Resonatoren auf einem Mehrlagensubstrat MS mittels Flip-Chip-Technik. Das Trägersubstrat mit akustischen Strukturen ist mittels Bumps BU auf der Oberseite des Mehrlagensubstrats MS mechanisch befestigt und mit im Mehrlagensubstrat integrierten Schaltungselementen IE elektrisch verbunden. Die Bumps können beispielsweise aus Lot bestehen.
  • In Fig. 7 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Duplexers dargestellt. Einzelne Dünnschicht- Resonatoren AF bilden zwei Bandpaßfilter, wie in Fig. 6 dargestellt und erläutert. Dabei sind die Bandpaßfilter im Empfangs- und Sendepfad des Duplexers nebeneinander auf einem Trägersubstrat SU angeordnet und durch mittlere Bump-Reihen voneinander getrennt. Eine räumliche Trennung von Empfangs- und Sendepfad dient einer besseren Signalunterdrückung des Gegenbands. Es ist jedoch möglich, auf die mittleren Bump- Reihen zu verzichten.
  • Ein in Fig. 8 dargestelltes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen als Duplexer ausgebildeten Bauelements unterscheidet sich von dem zuletzt erwähnten Bauelement insofern, als die Bandpaßfilter im Empfangs- und Sendepfad des Duplexers auf verschiedenen Trägersubstraten SU1 bzw. SU2 angeordnet sind. Die auf Trägersubstraten SU1 und SU2 aufgebauten Filter können entweder gemeinsam oder getrennt eingehäust sein.
  • Fig. 9 zeigt eine beispielhafte Ersatzschaltung eines mehrere Dünnschicht-Resonatoren umfassenden Filters mit Ladder- Type Anordnung mit im Mehrlagensubstrat integrierten Induktivitäten L1, L2 und L3 in den Parallelzweigen des Filters. Es können außerdem sowohl in den Parallel- als auch in den Serienzweigen des Filters andere im Mehrlagensubstrat integrierte Schaltungselemente vorhanden sein.
  • In Fig. 4 bis 8 sind die Dünnschicht-Resonatoren AF ohne einen akustischen Spiegel gezeigt. Eine weitere Variationsmöglichkeit besteht darin, zwischen den Dünnschicht- Resonatoren und dem Mehrlagensubstrat MS oder dem Trägersubstrat SU einen akustischen Spiegel anzuordnen.
  • Es ist möglich, daß mehrere, Dünnschicht-Resonatoren umfassende Schaltungen, beispielsweise Filter-Schaltungen, insbesondere Bandpaßfilter, auf einem gemeinsamen Trägersubstrat oder direkt auf einem Mehrlagensubstrat realisiert sind.
  • Es ist möglich, daß mehrere, Dünnschicht-Resonatoren umfassende Schaltungen, beispielsweise Filter-Schaltungen, insbesondere Bandpaßfilter, separat - jedes auf einem eigenen Trägersubstrat - in einem gemeinsamen Gehäuse auf der Oberseite des Mehrlagensubstrats angeordnet sind.
  • Es ist möglich, daß mehrere, Dünnschicht-Resonatoren umfassende Schaltungen, beispielsweise Filter-Schaltungen, insbesondere Bandpaßfilter, separat - jedes auf einem eigenen Trägersubstrat und in einem eigenen Gehäuse - auf der Oberseite des Mehrlagensubstrats angeordnet sind.

Claims (27)

1. Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement, enthaltend:
- zumindest einen Dünnschicht-Resonator (AF), der aus zumindest einer piezoelektrischen Schicht (PS) mit zumindest zwei schichtweise aufgetragenen Elektroden (E1, E2, E3) gebildet ist, und
- ein Mehrlagensubstrat (MS) mit Außenelektroden (AE) und zumindest einem integrierten passiven oder aktiven Schaltungselement (IE),
wobei der zumindest eine Dünnschicht-Resonator (AF) auf der Oberseite des Mehrlagensubstrats angeordnet und mit dem zumindest einen integrierten Schaltungselement (IE) elektrisch verbunden ist.
2. Bauelement nach Anspruch 1, bei dem das zumindest eine integrierte Schaltungselement (IE) zumindest einen Teil eines Anpaßnetzwerks bildet.
3. Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, bei dem ein Teil der im Mehrlagensubstrat integrierten Schaltungselemente (IE) als Leiterbahnen auf der Oberseite des Mehrlagensubstrats angeordnet ist.
4. Bauelement nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem zumindest ein diskretes passives oder aktives Schaltungselement auf der Oberseite des Mehrlagensubstrats (MS) angeordnet ist.
5. Bauelement nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem neben dem zumindest einen Dünnschicht-Resonator zumindest ein Chip-Bauelement auf der Oberseite des Mehrlagensubstrats (MS) angeordnet ist.
6. Bauelement nach Anspruch 5, bei dem das zumindest eine Chip-Bauelement ein Filter-Chip ist.
7. Bauelement nach Anspruch 6, bei dem zumindest das zumindest eine Filter-Chip ein SAW- Bauelement ist.
8. Bauelement nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem das Mehrlagensubstrat (MS) keramische Lagen enthält.
9. Bauelement nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem das Mehrlagensubstrat (MS) Lagen aus Silizium enthält.
10. Bauelement nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem das Mehrlagensubstrat (MS) Lagen aus einem organischen Material, beispielsweise Kunststoff oder Laminat, enthält.
11. Bauelement nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem die Schichten von Dünnschicht-Resonatoren auf einem Trägersubstrat (SU) abgeschieden sind.
12. Bauelement nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem die Schichten des zumindest einen Dünnschicht- Resonators unmittelbar auf einem Mehrlagensubstrat mit den integrierten Schaltungselementen abgeschieden sind.
13. Bauelement nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem zwischen dem aktiven Bereich des zumindest einen Dünnschicht-Resonators (AF) und dem Mehrlagensubstrat (MS) ein Hohlraum vorhanden ist.
14. Bauelement nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem der zumindest eine auf dem Trägersubstrat (SU) abgeschiede Dünnschicht-Resonator (AF) mit dem zumindest einen im Mehrlagensubstrat (MS) integrierten Schaltungselement mittels Bonddrähte (BD) elektrisch verbunden ist, wobei das Trägersubstrat (SU) auf der Oberseite des Mehrlagensubstrats (MS) angeordnet ist.
15. Bauelement nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem der zumindest eine auf einem Trägersubstrat (SU) abgeschiedene Dünnschicht-Resonator (AF) und das zumindest eine im Mehrlagensubstrat (MS) integrierte Schaltungselement mittels Flip-Chip-Technik miteinander elektrisch verbunden sind.
16. Bauelement nach Anspruch 14 oder 15, bei dem das Trägersubstrat (SU) einen Vielschichtaufbau aufweist.
17. Bauelement nach Anspruch 16, bei dem das Trägersubstrat mit Vielschichtaufbau zumindest ein integriertes Schaltungselement umfaßt.
18. Bauelement nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 17, bei dem mehrere Dünnschicht-Resonatoren (AF) Bandpaßfilter mit Ladder-Type-Anordnung bilden.
19. Bauelement nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 18, bei dem der zumindest eine Dünnschicht-Resonator mit zumindest einem akustischen Spiegel (AS) versehen ist, wobei der akustische Spiegel mehrere alternierende Schichten mit hoher und niedriger akustischer Impedanz (LZ1, HZ1, LZ2, HZ2) enthält.
20. Bauelement nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 19, bei dem mehrere im Mehrlagensubstrat (MS) integrierte Schaltungselemente einen Teil einer Duplexer-Schaltung bilden.
21. Bauelement nach Anspruch 20, bei dem aus mehreren Dünnschicht-Resonatoren aufgebaute Bandpaßfilter im Empfangs- und Sendepfad des Duplexers auf einem Trägersubstrat (SU) oder direkt auf dem Mehrlagensubstrat (MS) realisiert sind.
22. Bauelement nach Anspruch 20, bei dem aus mehreren Dünnschicht-Resonatoren (AF) aufgebaute Bandpaßfilter im Empfangs- und Sendepfad des Duplexers auf zwei getrennten Trägersubstraten (SU1, SU2) in einem gemeinsamen Gehäuse auf der Oberseite des Mehrlagensubstrats (MS) angeordnet sind.
23. Bauelement nach Anspruch 20, bei dem aus mehreren Dünnschicht-Resonatoren (AF) aufgebaute Bandpaßfilter im Empfangs- und Sendepfad des Duplexers auf zwei getrennten Trägersubstraten (SU1, SU2) in zwei getrennten Gehäusen auf der Oberseite des Mehrlagensubstrats (MS) angeordnet sind.
24. Bauelement nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 23, bei dem die Elektroden (E1, E2, E3) des zumindest einen Dünnschicht-Resonators (AF) aus mehreren Schichten aufgebaut sind.
25. Bauelement nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 24, bei dem mehrere Dünnschicht-Resonatoren zur Gewährleistung einer höheren Leistungsverträglichkeit des Bauelements eine serielle Kaskadenschaltung von mehreren Dünnschicht- Resonatoren bilden.
26. Bauelement nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 25, das einen unsymmetrischen Eingang oder Ausgang aufweist.
27. Bauelement nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 26, das einen symmetrischen Eingang oder Ausgang aufweist.
DE10225202.5A 2002-06-06 2002-06-06 Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit einem Anpassnetzwerk Expired - Lifetime DE10225202B4 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE20221966U DE20221966U1 (de) 2002-06-06 2002-06-06 Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit einem Anpaßnetzwerk
DE10225202.5A DE10225202B4 (de) 2002-06-06 2002-06-06 Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit einem Anpassnetzwerk
US10/456,105 US6927649B2 (en) 2002-06-06 2003-06-06 Component working with acoustic waves and having a matching network

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10225202.5A DE10225202B4 (de) 2002-06-06 2002-06-06 Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit einem Anpassnetzwerk

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10225202A1 true DE10225202A1 (de) 2003-12-18
DE10225202B4 DE10225202B4 (de) 2017-06-01

Family

ID=29557611

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE20221966U Expired - Lifetime DE20221966U1 (de) 2002-06-06 2002-06-06 Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit einem Anpaßnetzwerk
DE10225202.5A Expired - Lifetime DE10225202B4 (de) 2002-06-06 2002-06-06 Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit einem Anpassnetzwerk

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE20221966U Expired - Lifetime DE20221966U1 (de) 2002-06-06 2002-06-06 Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit einem Anpaßnetzwerk

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6927649B2 (de)
DE (2) DE20221966U1 (de)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004042941B3 (de) * 2004-09-02 2006-04-06 Infineon Technologies Ag Hochfrequenzmodul mit Filterstrukturen und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102004054895A1 (de) * 2004-11-12 2006-05-24 Infineon Technologies Ag Dünnschicht-BAW-Filter sowie Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-BAW-Filters
DE102009001653A1 (de) * 2008-11-12 2010-05-27 Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut Für Innovative Mikroelektronik Hybrider Signalprozessor
DE102010034914A1 (de) * 2010-08-20 2012-02-23 Epcos Ag Duplexer mit Balun
DE102012107873A1 (de) * 2012-08-27 2014-04-17 Epcos Ag Duplexer
DE102015220253A1 (de) 2015-10-19 2017-04-20 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Beheizbares Verkleidungselement
DE102018117520B3 (de) 2018-07-19 2019-12-05 RF360 Europe GmbH HF-Filtereinrichtung

Families Citing this family (118)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10234685A1 (de) * 2002-07-30 2004-02-19 Infineon Technologies Ag Filterschaltung
DE10246791B4 (de) * 2002-10-08 2017-10-19 Snaptrack, Inc. Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator und Schaltung mit dem Resonator
US6825559B2 (en) * 2003-01-02 2004-11-30 Cree, Inc. Group III nitride based flip-chip intergrated circuit and method for fabricating
DE10301261B4 (de) * 2003-01-15 2018-03-22 Snaptrack, Inc. Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung
KR100517841B1 (ko) * 2003-02-22 2005-09-30 주식회사 엠에스솔루션 체적탄성파 공진기 밴드 패스 필터, 이를 포함하는듀플렉서 및 그 제조 방법
US7627552B2 (en) 2003-03-27 2009-12-01 Microsoft Corporation System and method for filtering and organizing items based on common elements
KR100485702B1 (ko) * 2003-05-29 2005-04-28 삼성전자주식회사 지지대를 갖는 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법
KR100546832B1 (ko) * 2003-08-21 2006-01-26 삼성전자주식회사 임베디드 ｐｃｂ 기판을 사용한 듀플렉서 및 그 제조 방법
TWI220817B (en) * 2003-08-22 2004-09-01 Benq Corp Antenna matching device and method thereof
KR100519816B1 (ko) * 2003-09-29 2005-10-10 삼성전기주식회사 Ｆｂａｒ 듀플렉서 소자 및 그 제조 방법
JP2005151287A (ja) * 2003-11-18 2005-06-09 Tdk Corp 電子部品
JP2005159606A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Tdk Corp 圧電薄膜共振器およびその製造方法
KR100552482B1 (ko) * 2003-11-28 2006-02-15 삼성전자주식회사 Ｒｆ 듀플렉서
JP2005167433A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Tdk Corp 電気フィルタおよびそれを用いたデュプレクサ
KR100565799B1 (ko) * 2003-12-22 2006-03-29 삼성전자주식회사 일체화된 ＦＢＡＲ 및 Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ부를 사용하여제조된 듀플렉서 및 그 제조 방법
US7057477B2 (en) * 2003-12-24 2006-06-06 Intel Corporation Integration of FBAR filter(s) and on-chip inductors
KR100635268B1 (ko) * 2004-05-17 2006-10-19 삼성전자주식회사 인덕터가 내장된 필터, 듀플렉서 및 그 제조방법
EP1764918A4 (de) * 2004-06-17 2008-01-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Fbar-filter
DE102004031397A1 (de) * 2004-06-29 2006-01-26 Epcos Ag Duplexer
DE102004035812A1 (de) * 2004-07-23 2006-03-16 Epcos Ag Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator
DE102004037818B4 (de) * 2004-08-04 2022-02-17 Snaptrack, Inc. Filteranordnung mit zwei Volumenwellenresonatoren
US7446629B2 (en) * 2004-08-04 2008-11-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Antenna duplexer, and RF module and communication apparatus using the same
JP2006109400A (ja) * 2004-09-13 2006-04-20 Seiko Epson Corp 電子部品、回路基板、電子機器、電子部品の製造方法
KR100760780B1 (ko) * 2004-09-28 2007-09-21 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 분파기
DE102004049196B4 (de) * 2004-10-08 2010-01-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Filterstruktur und Verfahren zum Entwurf eines Filters
US7389090B1 (en) * 2004-10-25 2008-06-17 Micro Mobio, Inc. Diplexer circuit for wireless communication devices
US7248131B2 (en) * 2005-03-14 2007-07-24 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Monolithic vertical integration of an acoustic resonator and electronic circuitry
FR2883432B1 (fr) * 2005-03-18 2008-02-22 St Microelectronics Sa Circuit de filtrage accordable en frequence integrable, comportant un jeu de resonateurs baw
JP4446922B2 (ja) * 2005-04-21 2010-04-07 富士通メディアデバイス株式会社 フィルタおよび分波器
US7665028B2 (en) 2005-07-13 2010-02-16 Microsoft Corporation Rich drag drop user interface
JP2007060411A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Fujitsu Media Device Kk 分波器
FR2890490A1 (fr) * 2005-09-05 2007-03-09 St Microelectronics Sa Support de resonateur acoustique et circuit integre correspondant
US7339445B2 (en) * 2005-10-07 2008-03-04 Infineon Technologies Ag BAW duplexer without phase shifter
US7623007B2 (en) * 2005-10-19 2009-11-24 Panasonic Corporation Device including piezoelectric thin film and a support having a vertical cross-section with a curvature
JP2007129391A (ja) * 2005-11-02 2007-05-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 音響共振器及びフィルタ
KR101238358B1 (ko) * 2006-02-06 2013-03-04 삼성전자주식회사 대역 통과 필터 및 이를 구비한 듀플렉서
US7687833B2 (en) * 2006-05-31 2010-03-30 Stmicroelectronics S.A. Component containing a baw filter
FR2901708A1 (fr) * 2006-06-02 2007-12-07 Ela Medical Soc Par Actions Si Dispositif medical actif tel qu'implant actif ou programmateur pour un tel implant, comprenant des moyens de telemetrie rf
US7598827B2 (en) 2006-06-19 2009-10-06 Maxim Integrated Products Harmonic termination of power amplifiers using BAW filter output matching circuits
US7586389B2 (en) * 2006-06-19 2009-09-08 Maxim Integrated Products, Inc. Impedance transformation and filter using bulk acoustic wave technology
KR100719123B1 (ko) * 2006-07-27 2007-05-18 삼성전자주식회사 멀피 밴드 필터모듈 및 그 제조방법
DE102006035874B3 (de) * 2006-08-01 2008-02-07 Epcos Ag Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Filter
US8031034B1 (en) 2007-08-27 2011-10-04 Triquint Semiconductor, Inc. Surface acoustic wave filter and method for improved rejection
FR2920612B1 (fr) * 2007-09-03 2009-12-04 St Microelectronics Sa Circuit d'accord en frequence pour filtre treillis
US8089195B2 (en) * 2007-12-17 2012-01-03 Resonance Semiconductor Corporation Integrated acoustic bandgap devices for energy confinement and methods of fabricating same
DE102008003820B4 (de) * 2008-01-10 2013-01-17 Epcos Ag Frontendschaltung
JP5279068B2 (ja) * 2008-02-15 2013-09-04 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振子、フィルタ、通信モジュール、および通信装置
DE102008029378B4 (de) * 2008-06-20 2010-04-15 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung eines piezoakustischen Resonators auf einem akustischen Spiegel eines Substrats, Verfahren zum Herstellen der Anordnung und Verwendung der Anordnung
WO2010004534A1 (en) * 2008-07-11 2010-01-14 Nxp B.V. Bulk acoustic wave resonator using acoustic reflector layers as inductive or capacitive circuit element
WO2010007805A1 (ja) * 2008-07-17 2010-01-21 株式会社 村田製作所 分波器
DE102008045346B4 (de) * 2008-09-01 2018-06-07 Snaptrack Inc. Duplexer und Verfahren zum Erhöhen der Isolation zwischen zwei Filtern
DE102008049668B4 (de) * 2008-09-30 2016-05-04 Intel Deutschland Gmbh Hochfrequenz-Vorstufe und Empfänger
US8291559B2 (en) * 2009-02-24 2012-10-23 Epcos Ag Process for adapting resonance frequency of a BAW resonator
US9520856B2 (en) 2009-06-24 2016-12-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion
US8902023B2 (en) 2009-06-24 2014-12-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion
DE102009034101B4 (de) * 2009-07-21 2017-02-02 Epcos Ag Filterschaltung mit verbesserter Filtercharakteristik
US8902020B2 (en) * 2009-07-27 2014-12-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Resonator filter with multiple cross-couplings
US8063717B2 (en) * 2009-07-27 2011-11-22 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Duplexer having resonator filters
US9450561B2 (en) 2009-11-25 2016-09-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave (BAW) resonator structure having an electrode with a cantilevered portion and a piezoelectric layer with varying amounts of dopant
US8193877B2 (en) 2009-11-30 2012-06-05 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Duplexer with negative phase shifting circuit
KR20110077781A (ko) * 2009-12-30 2011-07-07 삼성전기주식회사 듀플렉서 소자 및 그 제조방법
US20110304412A1 (en) * 2010-06-10 2011-12-15 Hao Zhang Acoustic Wave Resonators and Methods of Manufacturing Same
KR101719325B1 (ko) * 2010-07-19 2017-03-23 삼성전자주식회사 Ｂａｗｒ을 이용한 밸런스 구조의 ｒｆ 듀플렉서 및 ｒｆ 필터
DE102010055649B4 (de) 2010-12-22 2015-07-16 Epcos Ag Duplexer und Verfahren zum Herstellen eines Duplexers
US8680944B2 (en) 2011-01-13 2014-03-25 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Single-chip duplexer with isolation shield between transmit and receive filters
US9425764B2 (en) 2012-10-25 2016-08-23 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features
US9154112B2 (en) 2011-02-28 2015-10-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge
US9099983B2 (en) 2011-02-28 2015-08-04 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator device comprising a bridge in an acoustic reflector
US9203374B2 (en) 2011-02-28 2015-12-01 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator comprising a bridge
US9571064B2 (en) 2011-02-28 2017-02-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator device with at least one air-ring and frame
US9136818B2 (en) * 2011-02-28 2015-09-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked acoustic resonator comprising a bridge
US9083302B2 (en) 2011-02-28 2015-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator
US9048812B2 (en) 2011-02-28 2015-06-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer
US9148117B2 (en) 2011-02-28 2015-09-29 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements
US9490770B2 (en) 2011-03-29 2016-11-08 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator comprising temperature compensating layer and perimeter distributed bragg reflector
US9490771B2 (en) 2012-10-29 2016-11-08 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator comprising collar and frame
US9525397B2 (en) 2011-03-29 2016-12-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator comprising acoustic reflector, frame and collar
US8575820B2 (en) 2011-03-29 2013-11-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator
US9490418B2 (en) 2011-03-29 2016-11-08 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator comprising collar and acoustic reflector with temperature compensating layer
US9590165B2 (en) 2011-03-29 2017-03-07 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator comprising aluminum scandium nitride and temperature compensation feature
US9444426B2 (en) 2012-10-25 2016-09-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature
US8872604B2 (en) * 2011-05-05 2014-10-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Double film bulk acoustic resonators with electrode layer and piezo-electric layer thicknesses providing improved quality factor
US9608592B2 (en) 2014-01-21 2017-03-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic wave resonator (FBAR) having stress-relief
JP5358724B1 (ja) 2012-06-28 2013-12-04 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス内蔵モジュール及び通信装置
CN104641556B (zh) * 2012-09-19 2016-12-21 株式会社村田制作所 滤波器装置
JP6106404B2 (ja) * 2012-10-30 2017-03-29 太陽誘電株式会社 電子部品モジュール
KR101959204B1 (ko) * 2013-01-09 2019-07-04 삼성전자주식회사 무선 주파수 필터 및 무선 주파수 필터의 제조방법
DE102013104842B4 (de) * 2013-05-10 2015-11-12 Epcos Ag Zur Miniaturisierung geeignetes HF-Bauelement mit verringerter Kopplung
JP6350649B2 (ja) * 2014-04-01 2018-07-04 株式会社村田製作所 アンテナ整合装置
US9698756B2 (en) 2014-12-24 2017-07-04 Qorvo Us, Inc. Acoustic RF resonator parallel capacitance compensation
JP2016195305A (ja) * 2015-03-31 2016-11-17 太陽誘電株式会社 弾性波フィルタ、分波器、およびモジュール
JP6402080B2 (ja) * 2015-09-02 2018-10-10 太陽誘電株式会社 分波器及びモジュール
US10903818B2 (en) * 2016-04-01 2021-01-26 Intel Corporation Piezoelectric package-integrated film bulk acoustic resonator devices
US10897238B2 (en) * 2016-04-01 2021-01-19 Intel Corporation Piezoelectric package-integrated contour mode filter devices
US10594294B2 (en) 2016-04-01 2020-03-17 Intel Corporation Piezoelectric package-integrated delay lines
US10581156B2 (en) 2016-05-04 2020-03-03 Qorvo Us, Inc. Compensation circuit to mitigate antenna-to-antenna coupling
US10581403B2 (en) 2016-07-11 2020-03-03 Qorvo Us, Inc. Device having a titanium-alloyed surface
US11050412B2 (en) 2016-09-09 2021-06-29 Qorvo Us, Inc. Acoustic filter using acoustic coupling
US10284174B2 (en) 2016-09-15 2019-05-07 Qorvo Us, Inc. Acoustic filter employing inductive coupling
US10367470B2 (en) 2016-10-19 2019-07-30 Qorvo Us, Inc. Wafer-level-packaged BAW devices with surface mount connection structures
CN109923685B (zh) * 2016-11-18 2023-11-10 Vega格里沙贝两合公司 压电发射和接收装置及其制造方法，以及振动传感器
US11165413B2 (en) 2017-01-30 2021-11-02 Qorvo Us, Inc. Coupled resonator structure
US11165412B2 (en) 2017-01-30 2021-11-02 Qorvo Us, Inc. Zero-output coupled resonator filter and related radio frequency filter circuit
KR101942731B1 (ko) * 2017-04-10 2019-01-28 삼성전기 주식회사 필터 및 필터 모듈
US10873318B2 (en) 2017-06-08 2020-12-22 Qorvo Us, Inc. Filter circuits having acoustic wave resonators in a transversal configuration
US10361676B2 (en) * 2017-09-29 2019-07-23 Qorvo Us, Inc. Baw filter structure with internal electrostatic shielding
US11456721B2 (en) 2017-12-28 2022-09-27 Intel Corporation RF front end module including hybrid filter and active circuits in a single package
DE112017008320T5 (de) 2017-12-28 2020-10-08 Intel Corporation Hybridfilterarchitektur mit integrierten, passiven vorrichtungen, akustischen wellenresonatoren und hermetisch abgedichteten hohlräumen zwischen zwei resonator-dies
WO2019132926A1 (en) * 2017-12-28 2019-07-04 Intel Corporation A front end system having an acoustic wave resonator (awr) on an interposer substrate
US11152913B2 (en) 2018-03-28 2021-10-19 Qorvo Us, Inc. Bulk acoustic wave (BAW) resonator
US11146247B2 (en) 2019-07-25 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Stacked crystal filter structures
US11757430B2 (en) 2020-01-07 2023-09-12 Qorvo Us, Inc. Acoustic filter circuit for noise suppression outside resonance frequency
US11146245B2 (en) 2020-01-13 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Mode suppression in acoustic resonators
US11146246B2 (en) 2020-01-13 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Phase shift structures for acoustic resonators
US11632097B2 (en) 2020-11-04 2023-04-18 Qorvo Us, Inc. Coupled resonator filter device
CN112552055A (zh) * 2021-01-14 2021-03-26 威海圆环先进陶瓷股份有限公司 一种金属和氮化硅陶瓷高温共烧复合基板的方法
US11575363B2 (en) 2021-01-19 2023-02-07 Qorvo Us, Inc. Hybrid bulk acoustic wave filter
CN113258900B (zh) * 2021-06-23 2021-10-15 深圳汉天下微电子有限公司 一种体声波谐振器组件、制备方法以及通信器件

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3548346A (en) * 1968-08-23 1970-12-15 Westinghouse Electric Corp Tuning integrated circuits comprising a layer of piezoelectric material above a semiconductor body
US5075641A (en) * 1990-12-04 1991-12-24 Iowa State University Research Foundation, Inc. High frequency oscillator comprising cointegrated thin film resonator and active device
US5166646A (en) * 1992-02-07 1992-11-24 Motorola, Inc. Integrated tunable resonators for use in oscillators and filters
US5596239A (en) * 1995-06-29 1997-01-21 Motorola, Inc. Enhanced quality factor resonator
US5872493A (en) * 1997-03-13 1999-02-16 Nokia Mobile Phones, Ltd. Bulk acoustic wave (BAW) filter having a top portion that includes a protective acoustic mirror
US6081171A (en) * 1998-04-08 2000-06-27 Nokia Mobile Phones Limited Monolithic filters utilizing thin film bulk acoustic wave devices and minimum passive components for controlling the shape and width of a passband response
DE69922311T2 (de) * 1998-09-11 2005-12-01 Texas Instruments Inc., Dallas Integrierter akustischer Dünnfilmresonator
US6437484B1 (en) * 1998-12-24 2002-08-20 Kyocera Corporation Piezoelectric resonator
US6262637B1 (en) 1999-06-02 2001-07-17 Agilent Technologies, Inc. Duplexer incorporating thin-film bulk acoustic resonators (FBARs)
FI107660B (fi) 1999-07-19 2001-09-14 Nokia Mobile Phones Ltd Resonaattorirakenne
DE19962028A1 (de) 1999-12-22 2001-06-28 Philips Corp Intellectual Pty Filteranordnung
US6407649B1 (en) * 2001-01-05 2002-06-18 Nokia Corporation Monolithic FBAR duplexer and method of making the same
US6509813B2 (en) * 2001-01-16 2003-01-21 Nokia Mobile Phones Ltd. Bulk acoustic wave resonator with a conductive mirror
WO2002093763A1 (fr) * 2001-05-11 2002-11-21 Ube Electronics, Ltd. Filtre utilisant un resonateur acoustique en volume a bande plastique et un commutateur transmission/reception
FI118400B (fi) * 2001-08-21 2007-10-31 Nokia Corp Pietsosähköisiä resonaattoreita käsittävä suodinrakenne

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004042941B3 (de) * 2004-09-02 2006-04-06 Infineon Technologies Ag Hochfrequenzmodul mit Filterstrukturen und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102004054895A1 (de) * 2004-11-12 2006-05-24 Infineon Technologies Ag Dünnschicht-BAW-Filter sowie Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-BAW-Filters
DE102004054895B4 (de) * 2004-11-12 2007-04-19 Infineon Technologies Ag Dünnschicht-BAW-Filter sowie Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-BAW-Filters
US7825747B2 (en) 2004-11-12 2010-11-02 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Thin-film BAW filter, and a method for production of a thin-film BAW filter
DE102009001653A1 (de) * 2008-11-12 2010-05-27 Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut Für Innovative Mikroelektronik Hybrider Signalprozessor
DE102009001653B4 (de) * 2008-11-12 2012-11-22 Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut Für Innovative Mikroelektronik Hybrider Signalprozessor
DE102010034914A1 (de) * 2010-08-20 2012-02-23 Epcos Ag Duplexer mit Balun
US9294070B2 (en) 2010-08-20 2016-03-22 Epcos Ag Duplexer with balun
DE102012107873A1 (de) * 2012-08-27 2014-04-17 Epcos Ag Duplexer
DE102012107873B4 (de) 2012-08-27 2019-02-14 Snaptrack, Inc. Duplexer
DE102015220253A1 (de) 2015-10-19 2017-04-20 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Beheizbares Verkleidungselement
DE102018117520B3 (de) 2018-07-19 2019-12-05 RF360 Europe GmbH HF-Filtereinrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
DE20221966U1 (de) 2010-02-25
US6927649B2 (en) 2005-08-09
US20030227357A1 (en) 2003-12-11
DE10225202B4 (de) 2017-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10225202B4 (de) Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit einem Anpassnetzwerk
DE60313409T2 (de) Akustisches Bandsperrenfilter
DE102009011639B4 (de) Reaktanzfilter mit steiler Flanke und dessen Verwendung als Sendefilter in einem Duplexer
DE10228328A1 (de) Elektronisches Bauelement mit einem Mehrlagensubstrat und Herstellungsverfahren
DE102005032058B4 (de) HF-Filter mit verbesserter Gegenbandunterdrückung
WO2004021568A1 (de) Resonator und bauelement mit hermetischer verkapselung
WO2006015639A1 (de) Elektroakustisches bauelement mit geringen verlusten
DE10248493A1 (de) Verzweigungsfilter und Kommunikationsvorrichtung
DE112006001884B4 (de) Elektrisches Bauelement
WO2010023167A1 (de) Antennenanpassschaltung
DE102008052222B4 (de) Antennen Duplexer mit hoher GPS-Unterdrückung
WO2006015640A1 (de) Filteranordnung mit zwei volumenwellen-resonatoren
DE102005003834A1 (de) Film-Bulk-Acoustic-Resonator-Filter mit unbalancierter-balancierter Eingabe-Ausgabe-Struktur
DE102014102518B4 (de) Package für ein abstimmbares Filter
WO2014032907A1 (de) Kondensator mit verbessertem linearen verhalten
DE102006017072A1 (de) Filter und Duplexer
WO2003105340A1 (de) Abstimmbares filter und verfahren zur frequenzabstimmung
WO2006032366A1 (de) Integriertes filter
DE60316457T2 (de) Dünnfilmresonator-Abzweigfilter und Verfahren zur Erdung dieser Filter
CN219459030U (zh) 拓扑结构、滤波器及通信设备
DE102005043373A1 (de) Elektrisches Bauelement mit einem Duplexer
DE102022201420A1 (de) Auf einer integrierten passiven vorrichtung gestapelter resonator für akustische volumenwellen
DE10322136B4 (de) Frontend-Modul mit geringer Einfügedämpfung
DE102018103549B4 (de) HF-Bandpassfilter, Filterkomponente und Duplexer
DE102007028290B4 (de) Bandpassfilter

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8125 Change of the main classification

Ipc: H03H 9/15 AFI20051017BHDE

R018 Grant decision by examination section/examining division
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: SNAPTRACK, INC., SAN DIEGO, US

Free format text: FORMER OWNER: EPCOS AG, 81669 MUENCHEN, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: BARDEHLE PAGENBERG PARTNERSCHAFT MBB PATENTANW, DE

R020 Patent grant now final
R071 Expiry of right