DE10216820A1 - Verfahren zur Herstellung einer auf ein Belichtungsgerät angepassten Maske - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer auf ein Belichtungsgerät angepassten Maske

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Abstract

Eine Information über die jeweiligen Positionen (501, 502, 601, 602) von wenigstens zwei Strukturelementen (50, 60) auf einer Maske wird bereitgestellt. Die durch Linsenaberration bedingte Verschiebung der Lagepositionen bei der Abbildung durch das Linsensystem des Belichtungsgerätes wird gemessen und Korrekturwerte (540, 640) werden für jedes der Strukturelemente ermittelt. Anhand der Korrekturwerte (540, 640) werden die Positionen (501, 502, 601, 602) zur Bildung neuer Positionen (505, 506, 605, 606) der Strukturelemente (50, 60) derart geändert, daß die Aberrationseffekte ausgeglichen werden können. Eine auf das Belichtungsgerät angepaßte Maske (40) wird mit den Strukturen an den geänderten Positionen belichtet. Die durch Aberration von Linsen bedingte Streuung in den Lagegenauigkeiten und den Strukturbreiteverteilungen wird vorteilhaft reduziert.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer auf ein Belichtungsgerät angepaßten Maske, die geeignet ist, einen Wafer zu belichten.
  • Zur Herstellung einer integrierten Schaltung werden Halbleiterscheiben bzw. Wafer mit photoempfindlichen Lackschichten versehen, um anschließend in einem Belichtungsgerät mit einer Struktur belichtet zu werden, welche einer Strukturebene der integrierten Schaltung entspricht. In nachfolgenden Ätzschritten kann die belichtete Struktur aus der Lackschicht in das unterliegende Substrat des Wafers oder darauf abgeschiedene Schichten übertragen werden. Bei minimal erreichbaren Strukturgrößen von mehr als 140 nm wird die Belichtung im optischen bzw. UV-Wellenlängenbereich durchgeführt. Als Belichtungsgeräte werden sogenannte Wafer-Stepper bzw. -scanner eingesetzt. Bei diesen Geräten wird die Struktur einer vorab hergestellten Maske über ein optisches Linsensystem auf den Wafer abgebildet.
  • Die Grenze minimal erreichbarer Strukturgrößen nimmt mit der Entwicklung neuer Technologien kontinuierlich ab. Damit verbunden nimmt auch die Ausdehnung der Toleranzbereiche von Abweichungen tatsächlich gemessener Werte gegenüber den vorgegebenen Zielwerten der Lagegenauigkeit und Strukturbreite ab.
  • Eine wesentliche Ursache einer Streuung in den mittels Mikroskopgeräten gemessenen Abweichungen der Lageposition und der Strukturbreiten ist in Linsenfehlern zu sehen, welche sich in sogenannten Linsenaberrationen bzw. -verzeichnungen auswirken. Die Abbildungen von Strukturen werden dabei in der Bildebene verzerrt dargestellt. Diese Imperfektionen sind beispielsweise auf Ungenauigkeiten beim Linsenschliff oder Ablagerungen von Schichtmaterial während des Prozessierens in dem Belichtungsgerät zurückzuführen.
  • Die bei der optischen Projektion auftretenden Linsenaberrationen können in einer Vielzahl von Erscheinungen auftreten. Eine Projektionslinse wird üblicherweise charakterisiert durch die sogenannte Aberrationsfunktion des durch sie hindurchtretenden Lichtes. Diese Funktion gibt an, um welche Länge ein Lichtstrahl, der durch einen beliebigen Punkt der Linse mit einem Abstand vom Zentrum der Linse hindurchtritt, gegenüber einem Lichtstrahl, der genau durch das Zentrum verläuft, in seiner Wellenfront zurückliegt. Die auftretenden Erscheinungs der Verzeichnungen entsprechen dabei den unterschiedlichen Ordnungen der Aberrationsfunktion, wenn diese beispielsweise in einem Satz orthonormaler Funktionen, den sog. Zernike-Polynomen, entwickelt wird.
  • Beispielhaft seien im folgenden einige der Aberrationserscheinungen aufgeführt:
    Die sogenannte sphärische Aberration entspricht denjenigen Zernikepolynomen, welche quadratisch bzw. vierter Ordnung vom Linsenradius abhängen. Hier werden der Bildkontrast, der Kantenwinkel nach dem Ätzen und die Maßhaltigkeit der Strukturübertragung möglicherweise nachteilhaft beeinflußt.
  • Mathematisch betrachtet entspricht dieses Polynom auch einer Abweichung des eingestellten Bildabstandes von einem idealen Fokuswert, wobei man diese Abweichung auch mit Defokus bezeichnet. Infolgedessen könnte lokal die nachteilhafte Wirkung der Verzeichnung ausgeglichen werden durch eine Änderung der Fokuseinstellungen des optischen Belichtungssystems, wobei dies aber andere, mit einem optimalen Fokus eingestellte Teile des Bildfeldes unscharf abbilden könnte. Ein weiteres Problem besteht darin, daß der Defokus bei der sphärischen Aberration abhängig von der Größe zu übertragenden Struktur ist.
  • Eine andere Art von Verzeichnungen wird durch den sogenannten Astigmatismus hervorgerufen. Die Defokussierung erhält hier eine winkelabhängige Komponente, so daß das Ausmaß der Defokussierung beispielsweise von der Ausrichtung einer Linien- Spalten-Struktur in X- oder Y-Richtung abhängt.
  • Zernike-Polynomen dritter Ordnung entsprechen die sogenannten Koma-Verzeichnungen. Verschiedene Bereiche mit gegebenem Radius der Projektionslinse liefern unterschiedliche Beiträge zum Defokus, so daß es zur asymmetrischen Abbildung in der Bildebene von ursprünglich symmetrischen Strukturen auf der Maske kommen kann. Bei der Herstellung von Speicherprodukten, etwa symmetrischen Grabenkondensatorpaaren kann dies wegen der jeweils unterschiedlichen Abbildung der Strukturen des Paares zur Unbrauchbarkeit der betreffenden Grabenkondensatoren führen. Desweiteren führen Koma-Verzeichnungen zu einer von der Strukturgröße abhängigen Verschiebung der abgebildeten Strukturen in der Bildebene.
  • Eine weitere Verzeichnungsart stellt die sogenannte Dreiwelligkeit (englisch: Three leaf clover) dar. Diese entspricht einem Zernike-Polynom dritter Ordnung mit einer winkelabhängigen Komponente. Besonders im Falle von Phasenmasken entstehen bei dieser Verzeichnungsart ungewünschte Nebeneffekte wie etwa die sogenannten Side-Lobes.
  • Zur Entwicklung verbesserter Techniken für die Linsenherstellung wird eine besonders lange Vorlaufzeit benötigt, bis geeignete Linsen für die nächste Technologiegeneration zur Verfügung stehen. Daher ist es absehbar, daß die durch Linsenfehler hervorgerufenen Streuungen in den Strukturbreiten und Lagegenauigkeiten einen zunehmenden Stellenwert bei den Toleranzüberschreitungen einnehmen. Bei Speicherprodukten der 140 nm- Technologie-Generation werden aberrationsbedingte Abweichungen zwischen gemessenen und Zielwerten von 10-12 nm festgestellt. 3-σ-Toleranzen für die Strukturbreite (critical dimension) betragen derzeit etwa 90 nm beziehungsweise für die Lagegenauigkeit (englisch: overlay) etwa 35 nm.
  • Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren bereitzustellen, mit dem der Einfluß der vorgenannten Effekte, insbesondere der Linsenaberrationen, auf die Qualität der Abbildung von Strukturen von Masken auf Halbleiterscheiben reduziert werden.
  • Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung einer auf ein Belichtungsgerät angepaßten Maske, die geeignet ist, einen Wafer zu belichten, mit den Merkmalen gemäß Anspruch 1. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den untergeordneten Ansprüchen, der Beschreibung und der Zeichnung.
  • Eine Zuordnung einer Vielzahl von Strukturelementen zu ihren auf einem Wafer jeweils zu erreichenden Lagepositionen stellt eine Information über eine auf dem Wafer zu bildende Schaltungsanordnung dar. In der Halbleiterindustrie werden solche Informationen üblicherweise durch Computerprogramme aus Vorgaben von durch die Schaltunganordnung zu erfüllenden Funktionen gewonnen. Für die Herstellung der einzelnen Maskenebenen werden die Informationen in Dateien umgewandelt, welche die Anordnung der zu bildenden Strukturen beziehungsweise der die Strukturen aufbauenden Strukturelemente wiedergeben. An einem Maskenschreibegerät, etwa einem Laser- oder Elektronenstrahlschreibegerät, bzw. den mit diesen zusammenhängenden Rechenanlagen werden die Dateien in vom Maskenschreibegerät umsetzbare Koordinaten umgewandelt. Für jeden Punkt in dem Koordinatengitter des Maskenschreibegerätes ist dabei festgelegt, ob dieser durch einen Laser- beziehungsweise Elektronenstrahl belichtet wird oder nicht.
  • Eine Voraussetzung des Verfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung ist, daß der Fehler bei der Übertragung der zu erreichenden Positionen ausgehend von der Information, welche die Zuordnung der Strukturelemente zu den Lagepositionen darstellt, auf die Maske vergleichsweise gering ist. Dies betrifft etwa die Ablenkung des Laser- bzw. Elektronenstrahls aufgrund von geänderten Umgebungsbedingungen.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird für jede Struktur, welches auf einen Wafer abzubilden ist, in Abhängigkeit von ihrer Größe, Form und/oder Position und insbesondere in Abhängigkeit von der verwendeten Linse jeweils eine an die jeweilige Struktur angepaßte Korrektur in den Zuordnungen der Information vorgenommen. Die Korrekturen können also insbesondere für zwei benachbarte Strukturen unterschiedlich sein. Die Korrektur besteht dabei in einem Ausgleich des für die Linse festgestellten Aberrationsfehlers in der Lageposition eines Strukturelementes. Handelt es sich bei dem Aberrationsfehler beispielsweise lediglich um eine Verschiebung des Strukturelementes in eine Richtung, so wird eine dazu angepaßte Maske für dieses Belichtungsgerät hergestellt, indem die entsprechende Struktur um den gleichen Betrag in einer genau entgegengesetzten Richtung verschoben wird.
  • Dazu ist gemäß der vorliegenden Erfindung zunächst die Information über eine Anzahl von zu erreichenden Positionen von Strukturelementen auf der Maske bereitzustellen. Als Strukturelemente werden im vorliegenden Dokument Ausschnitte von Strukturen bezeichnet, welche deren Form, Größe und Ausrichtung kennzeichnen: beispielsweise Ecken, Winkel, charakteristische Rundungen, einzelne Punkte (Rasterpunkte), etc. Beispielsweise wird ein Rechteck als Struktur durch seine vier Eckpunkte als Strukturelemente gekennzeichnet. Erfindungsgemäß können diese vier Eckpunkte bzw. Strukturelemente in ihren Positionen auskorrigiert werden, um die erfindungsgemäße Wirkung zu erzielen.
  • Der Erfindung zufolge wird die Information bezüglich der zu erreichenden Positionen der Strukturelemente verglichen mit den durch das Linsensystem abgebildeten Positionen dieser Strukturen.
  • Gemäß einer Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung kann dies erreicht werden, indem beispielsweise mittels einer gemäß der bereitgestellten Informationen hergestellten Maske der Wafer durch das Belichtungsgerät belichtet wird, wonach eine Bestimmung der absoluten Koordinatenpositionen der Strukturelemente durchgeführt wird. Diese gemessenen Positionen können mit den zu erreichenden Positionen verglichen werden. Durch die individuell unterschiedlichen Aberrationseinflüsse auf die einzelnen Strukturen können sich auch verschiedene Positionsänderungen der einzelnen Strukturelemente ergeben.
  • Eine andere Möglichkeit des Vergleichs der zu erreichenden Positionen mit den abgebildeten Positionen besteht darin, eine Charakterisierung der Linse nicht durch eine tatsächliche Belichtung mittels einer Maske, sondern durch eine direkte Messung der Aberrationseigenschaften der Linse, beispielsweise durch Bestimmung der Zernike-Koeffizienten durchzuführen. Durch Anwendung der ermittelten Aberrationsfunktion auf die bereitgestellte Information der zu erreichenden Positionen der Strukturelemente gelangt man zu einer Abbildung der Maske durch das Linsensystem in die Bildebene.
  • Als nächster Schritt wird infolge des Vergleichsergebnisses zu jeder zu erreichenden Position individuell ein Korrekturwert berechnet. Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung entspricht der Korrekturwert einer Verschiebung, welche gerade entgegengesetzt der im vorgenannten Vergleich ermittelten Verschiebung durch die Linsenverzeichnung ist. Diese Ausgestaltung ist bei einer maßhaltigen Verschiebung der gesamten Struktur, wie sie etwa durch eine Koma-Verzeichnung auftreten kann, besonders vorteilhaft.
  • Eine andere Möglichkeit besteht darin, durch die Korrekturen der zu erreichenden Positionen Flächenvergrößerungen der Strukturen in einer vorbestimmten Weise vorzunehmen. Ein Beispiel dazu ist die Korrektur des entsprechenden Strukturelementes in der Bildung einer sogenannten Serife (OPC, Optical Proximity Correction) an einer äußeren Ecke einer Struktur.
  • In einem weiteren Schritt werden die Korrekturwerte an ein Maskenschreibegerät übermittelt. Die für eine Umrechnung der ursprünglichen Informationen notwendigen Rechenanlagen werden von dem Maskenschreibegerät umfaßt. Mit Hilfe dieser Rechenanlagen werden die Werte der zu erreichenden Positionen der Strukturelemente jeweils um die ermittelten Korrekturwerte zur Bildung neuer zu erreichender Positionen der Strukturelemente geändert bzw. berechnet. Vorzugsweise wird hierbei berücksichtigt, daß Regeln beispielsweise bezüglich des Mindestabstands zweier benachbarter Strukturen auf der Maske etc. einzuhalten sind.
  • Mit diesen geänderten Informationen für das Schaltungslayout wird eine Maske in dem Maskenschreibegerät hergestellt, welche genau auf das Linsensystem des Belichtungsgerätes und die vorliegende spezielle Schaltung angepaßt ist.
  • Der lokal unterschiedliche Einfluß der Linsenaberration kann somit auf besonders vorteilhafte Weise individuell für jede Linse gemäß der vorliegenden Erfindung gleichfalls lokal durch Größen-, Lage- oder Formanpassung der Strukturen ausgeglichen werden. Fokusabweichungen (Defokus) innerhalb eines Belichtungsfeldes (IFD, Intra-Field Focus Deviations) wie auch können somit ebenso korrigiert werden wie auch Linsenfehler höherer Ordnung.
  • Die vorliegende Erfindung soll nun anhand von Ausführungsbeispielen mit Hilfe einer Zeichnung näher erläutert werden. Darin zeigen:
  • Fig. 1 schematisch den durch Linsenaberrationen hervorgerufenen Effekt einer verschiebenden Abbildung eines Paares von Strukturen (a) sowie einer asymmetrischen Abbildung (b),
  • Fig. 2 den schrittweisen Ablauf zur Herstellung der erfindungsgemäßen Maske,
  • Fig. 3 ein erfindungsgemäßes Beispiel zur Herstellung einer angepaßten Maske für Speicherbausteine mittels eines Wafer-Scanners.
  • Die Auswirkung von Verzeichnungen, welche durch das Linsensystem eines Belichtungsgerätes bedingt sein können, sind in Fig. 1 schematisch skizziert. Fig. 1a zeigt in strichlinierter Darstellung ein Paar von Strukturen 6, 8 zur Bildung von Grabenkondensatorpaaren für Speicherzellen. Wie durch den Pfeil dargestellt ist, werden die auf der Maske gebildeten Strukturen 6, 8 durch Linsenfehler in ihrer Position auf Strukturen 10, 12 auf dem Wafer (durchgezogene Linien) verschoben abgebildet. Fig. 1b zeigt einen weiteren Effekt, bei dem die gleichen Strukturen 6, 8 zwar nicht in ihrer Position verschoben, aber dafür asymmetrisch auf dem Wafer in Strukturen 10, 12 abgebildet werden, wobei die linke Struktur in Fig. 1b verkleinert und die rechte Struktur 12 vergrößert abgebildet wird. Die jeweils vier vorhandenen Ecken werden als Strukturelemente werden dabei nach innen (Struktur 10) bzw. nach außen (Struktur 12) verschoben.
  • Für die in Fig. 1a und b gezeigten Effekte ist vor allem die Koma-Aberration verantwortlich.
  • Fig. 2 zeigt schematisch den Ablauf des erfindungsgemäßen Verfahrens anhand von Zwischenzuständen von Strukturen bzw. Strukturelementen an den zu erreichenden bzw. abgebildeten Positionen auf dem Wafer oder der Maske. In Fig. 2a sind Masken rechteckig und Wafer in runder Form dargestellt. Zur vereinfachten Darstellung wird in Fig. 2 nicht zwischen Strukturen und Strukturelementen unterschieden. Die L-förmigen Marken in den Ecken der Masken und Wafer bezeichnen absolute Koordinatenpositionen, relativ zu denen eine Positionsverschiebung festgestellt werden kann. Sie müssen nicht auf den Masken oder Wafern tatsächlich aufstrukturiert sein, sondern repräsentieren hier schematisch das durch das betreffende Mikroskop-Meßgerät festgestellte absolute Koordinatensystem.
  • Es wird zunächst eine Information bereitgestellt, welche einem ersten Strukturelement 50 eine erste X-Y-Position 501, 502 (in Fig. 2 nicht dargestellt) und einem zweiten Strukturelement 60 eine X-Y-Position 601, 602 zuordnet. Gemäß dieser Information wird eine Maske 20 in einem Maskenschreibegerät hergestellt und einem Belichtungsgerät mit einem Linsensystem übermittelt. Die auf der Maske gebildeten Strukturelemente 50, 60 werden mit ihren zugehörigen Strukturen über das Linsensystem auf den Wafer 30 abgebildet. Durch die sich lokal unterschiedlich auswirkenden Linsenaberrationen des Linsensystems wird das Strukturelement 50 auf der Maske auf ein Strukturelement 52 auf dem Wafer 30 abgebildet, während das Strukturelement 60 auf der Maske 20 auf das Strukturelement 62 auf dem Wafer 30 abgebildet wird. Das Strukturelement 62 weits abgebildete Positionen 603, 604 auf, welche unterschiedlich von den zu erreichenden Positionen 601, 602 sind.
  • Ebenso sind die abgebildeten Positionen 503, 504 (in Fig. 2 nicht gezeigt) des Strukturelementes 52 unterschiedlich von den zu erreichenden Positionen 501, 502 des Strukturelementes 50 auf der Maske 20. Die Pfeile in Fig. 2a (Wafer 30 rechts oben in der Figur) geben jeweils die Richtung der Verschiebung an, welche aufgrund der intrinsischen Streuung aufgrund der Linsenfehler unterschiedlich für jedes Strukturelement 52, 62 sind.
  • Als nächster Schritt werden für das Strukturelement 60, 62 die zu erreichenden X-Y-Positionen 601, 602 mit der abgebildeten X-Y-Position 603, 604 verglichen. Aus dem Vergleich 120 ergibt sich unter der Vorgabe, daß aberrationsbedingte Strukturelementverschiebungen durch entgegengesetzte Verschiebung auf der Maske ausgeglichen werden sollen, individuell unterschiedliche Korrekturwerte 540, 640 für die jeweiligen Strukturelemente 50 bzw. 60.
  • Die sich unterscheidenden Korrekturwerte 540, 640 werden an das Maskenschreibegerät übermittelt. Anhand zugehöriger Rechenanlagen werden die Korrekturwerte 540, 640 auf die zu erreichenden Positionen 501, 502 bzw. 601, 602 aufgerechnet, so daß das Strukturelement 50 der Information über die Zuordnung von Strukturelement zu der zu erreichenden Lageposition 501, 502 eine neue Zuordnung zu Lagepositionen 505, 506 und das Strukturelement 60 eine neue Zuordnung zu Lagepositionen 605, 606 erhält.
  • Mit der geänderten Information wird nun in dem Maskenschreibegerät eine Maske 40 hergestellt. Die Maske 40 wird genau an dasjenige Belichtungsgerät 30, für welches der Vergleich 120 erstellt wurde, übergeben. Die Maske 40 ist damit an das Linsensystem des Belichtungsgerätes angepaßt. Mit der angepaßten Maske 40 wird ein Wafer 80 in dem Belichtungsgerät belichtet, wobei auf vorteilhafte Weise die positionskorrigierten Strukturelemente 50, 60 auf dem Wafer aufgrund der Linsenverzeichnungen an den Positionen 501, 502 bzw. 601, 602 erhalten werden, welche den ersten und zweiten Positionen in der ursprünglichen ungeänderten Informationen entsprechen. Es wird somit eine hohe Maßhaltigkeit bei den erzeugten Strukturbreiten und eine große Lagegenauigkeit erreicht.
  • Ein weiteres Ausführungsbeispiel zeigt Fig. 3. Das Belichtungsfeld eines 140 nm-DRAM-Bausteines besteht dabei aus acht 256 M-bit-Modulen Modul 1 bis Modul 8. Diese umfassen jeweils eine Vielzahl von Strukturen mit Strukturelementen. Aus dem Schaltungslayout wird die Information der Zuordnung von Strukturen zu Lagepositionen bereitgestellt und eine Maske gefertigt. In Fig. 3 ist die Maskenebene gezeigt, aus welcher bei der Abbildung auf den Wafer Paare von Grabenkondensatorpaaren gebildet werden. Zunächst wird die Charakterisierung des eingesetzten Belichtungsgerätes durchgeführt, im vorliegenden Beispiel einem Scanner. Dabei wird überprüft, inwieweit sich bei der Abbildung in dem Scanner die auf der Maske gemäß der bereitgestellten Information gleich großen Strukturen der Paare auf dem Wafer unterscheiden. Die entsprechende Messung und der Vergleich werden spaltenweise jeweils für die Flächen der Module 1 und 5, der Module 2 und 6, etc. durchgeführt. Innerhalb der vier Bereiche durchgeführte Messungen werden jeweils gemittelt.
  • Die einzelnen 256 M-bit-Module wie dargestellt mit unterschiedlichen Korrekturwerten, auch Vorhalte genannt, auf einer weiteren Maske gezeichnet, d. h. mit einer unterschiedlichen Größe der linken im Verhältnis zur rechten Struktur, wie in Fig. 1b gezeigt ist. Entsprechend den vier jeweils unterschiedlichen Vergleichsergebnissen werden dazu auch vier unterschiedliche Korrekturwerte zur Änderung der dem Zeichenvorgang zugrundeliegenden Information der Lagepositionen angewandt. Damit kann eine homogene Verteilung der Paare von Grabenkondensatorstrukturen über das gesamte Belichtungsfeld erreicht werden.
  • In Scanrichtung des Scanspaltes 200, welche durch die Pfeile dargestellt ist, werden die Module 1 und 5 mit einem ersten Vorhalt (englisch: bias) die Module 2 und 6 mit einem zweiten Bias, die Module 3 und 7 mit einem dritten Bias und die Module 4 und 8 mit einem vierten Bias bei der Änderung 140 der Positionsinformation versehen.

Claims (6)

1. Verfahren zur Herstellung einer auf ein Belichtungsgerät angepaßten Maske (40), die geeignet ist, einen Wafer (80) zu belichten, umfassend die Schritte:
- Bereitstellen (110) einer Information über wenigstens eine zu erreichende erste Positionen (501, 502) wenigstens eines ersten Strukturelementes (50) und wenigstens einer zweiten Position (601, 602) wenigstens eines zweiten Strukturelementes (60) auf einer Testmaske (20),
- Vergleich (120) der jeweils zu erreichenden Positionen (501, 502, 601, 602) mit jeweils einer auf einem Wafer abgebildeten Position (503, 504, 603, 604), die erreicht wird, wenn durch das Belichtungsgerät ein Belichtungvorgang unter Anwendung der Testmaske (20) zur Abbildung der zwei Strukturelemente (50, 60) durchgeführt wird,
- Berechnen (130) eines ersten Korrekturwertes (540) der ersten Position (503, 504) und eines zweiten Korrekturwertes (640) der zweiten Position (603, 604) in Abhängigkeit von dem jeweiligen Vergleich (120),
- Übermitteln des wenigstens ersten (540) und zweiten Korrekturwertes (640) an ein Maskenschreibegerät,
- Änderung (140) des Wertes der ersten zu erreichenden Position (501, 502) um den ersten Korrekturwert (540) zur Bildung einer dritten zu erreichenden Position (505, 506) für das erste Strukturelement (50) und des Wertes der zweiten zu erreichenden Position (601, 602) um den zweiten Korrekturwert (640) zur Bildung einer vierten zu erreichenden Position (605, 606) für das zweite Strukturelement (60) in der Information,
- Belichten (150) der auf das Belichtungsgerät angepaßten Maske (40) mit den wenigstens zwei Strukturelementen (50, 60) in dem Maskenschreibegerät gemäß der Information mit den geänderten dritten und vierten Positionen (505, 506, 605, 606).
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
festgestellt wird, ob der erste (540) und der zweite Korrekturwert (640) unterschiedlich berechnet sind,
in Abhängigkeit von dieser Feststellung die Änderung der Werte der Positionen (501, 502, 601, 602) durchgeführt wird.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
bei dem Vergleich der Betrag und die Richtung des Unterschiedes der jeweils zu erreichenden (501, 502, 601, 602)und der abgebildeten Positionen (503, 504, 603, 604) ermittelt wird,
der erste Korrekturwert (540) dem Betrag nach gleich demjenigen des ersten Unterschiedes ist und eine Richtung aufweist, welche entgegengesetzt gegenüber der Richtung des ersten Unterschiedes ist, und
der zweite Korrekturwert (640) dem Betrag nach gleich demjenigen des zweiten Unterschiedes ist und eine Richtung aufweist, welche entgegengesetzt gegenüber der Richtung des zweiten Unterschiedes ist.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Vergleich die Schritte umfaßt:
- Belichten der Testmaske (20) mit dem ersten und zweiten Strukturelement (50, 60) gemäß der bereitgestellten Information in einem Maskenschreibegerät,
- Bereitstellen eines weiteren Wafers (30) in dem Belichtungsgerät und Übergabe der Testmaske
- Abbilden des ersten und zweiten Strukturelementes von der Testmaske (20) durch das Belichtungsgerät zur Erzeugung von abgebildeten ersten und zweiten Strukturelementen auf dem weiteren Wafer (30) mittels des Belichtungsgerätes,
- Bestimmung des Betrages und der Richtung des ersten Unterschiedes,
- Bestimmung des Betrages und der Richtung des zweiten Unterschiedes.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das erste und das zweite Strukturelement (50, 60) jeweils eine Fläche mit einer ersten Transparenz innerhalb einer Umgebung mit einer zweiten Transparenz bezeichnen, welche unterschiedlich von der ersten Transparenz ist, so daß durch die Änderung (140) die Fläche verschoben wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß
das erste Strukturelement (50) einen Kantenausschnitt oder eine Ecke genau einer ersten Fläche mit einer ersten Transparenz innerhalb einer Umgebung mit einer zweiten Transparenz ist, welche unterschiedlich von der ersten Transparenz ist, so daß durch das Ändern (140) der ersten zu erreichenden Position (501, 502) die Form und/oder die Größe der ersten Fläche beeinflußt wird,
das zweite Strukturelement (60) einen Kantenausschnitt oder eine Ecke genau einer zweiten Fläche mit der ersten Transparenz innerhalb der Umgebung mit der zweiten Transparenz ist, so daß durch das Ändern (140) der zweiten zu erreichenden Position (601, 602) die Form und/oder die Größe der zweiten Fläche beeinflußt wird.
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