DE10206367A1 - Integrierter dynamischer Speicher mit Steuerungsschaltung zur Steuerung eines Refresh-Betriebs von Speicherzellen sowie Verfahren zum Betrieb eines solchen Speichers - Google Patents

Integrierter dynamischer Speicher mit Steuerungsschaltung zur Steuerung eines Refresh-Betriebs von Speicherzellen sowie Verfahren zum Betrieb eines solchen Speichers

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Abstract

Ein integrierter dynamischer Speicher weist eine Steuerungsschaltung (2) zur Steuerung eines Refresh-Betriebs auf, in dem Speicherzellen einer Auffrischung ihres Speicherzelleninhalts unterzogen werden. Ein steuerbarer Frequenzgenerator (4) dient zur Einstellung einer Refresh-Frequenz. Es ist eine Temperatursensorschaltung (5) zur Detektion einer Temperatur des Speichers und zur Ausgabe eines ersten Referenzwertes (R1) sowie eine von extern beschreibbare Schaltung (11) zur Ausgabe eines zweiten Referenzwertes (R2) vorgesehen. Die Temperatursensorschaltung (5) und die von extern beschreibbare Schaltung (11) sind mit dem Steuereingang (41) des Frequenzgenerators (4) zur Einstellung der Refresh-Frequenz alternativ verbindbar. Im Falle eines Beschreibens der von extern beschreibbaren Schaltung (11) wird der zweite Referenzwert (R2), der insbesondere einer Temperatur entspricht, dem Frequenzgenerator (4) zugeführt, in den übrigen Fällen der erste Referenzwert (R1). Mit der Erfindung können vorteilhaft auch Anwender des Speichers, die eine Temperatur nicht messen können, die für einen Standby-Betrieb notwendige Stromaufnahme optimieren und bei niedrigeren Temperaturen reduzieren.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen integrierten dynamischen Speicher mit Speicherzellen und mit einer Steuerungsschaltung zur Steuerung eines Refresh-Betriebs der Speicherzellen, in dem die Speicherzellen mit einer Refresh-Frequenz einer Auffrischung ihres Speicherzelleninhaltes unterzogen werden.
  • Ein integrierter dynamischer Speicher in Form eines DRAM weist im allgemeinen ein Speicherzellenfeld auf, das Wortleitungen und Bitleitungen umfaßt. Die Speicherzellen sind dabei in Kreuzungspunkten der Bitleitungen und Wortleitungen angeordnet. Die Speicherzellen sind beispielsweise aus einem Speicherkondensator und einem Auswahltransistor aufgebaut, wobei der Auswahltransistor den jeweiligen Speicherkondensator mit einer der Bitleitungen verbindet. Steueranschlüsse der jeweiligen Auswahltransistoren sind zur Auswahl der Speicherzellen jeweils mit einer der Wortleitungen verbunden. Durch eine aktivierte Wortleitung werden angeschlossene Auswahltransistoren jeweils leitend geschaltet. Nach der Auswahl der betreffenden Wortleitung liegen an den entsprechenden Bitleitungen Datensignale der Speicherzellen entlang der ausgewählten Wortleitung an. Ein Datensignal einer ausgewählten Speicherzelle wird in einem Leseverstärker des Speicherzellenfeldes bewertet und verstärkt. Bei einem Lesezugriff werden die Datensignale ausgewählter Speicherzellen zur Weiterverarbeitung ausgelesen, bei einem Schreibzugriff werden zu schreibende Datensignale in die ausgewählten Speicherzellen eingeschrieben.
  • Bei integrierten dynamischen Speichern in Form von DRAMs ist in Betriebszeiten, in denen auf Speicherzellen nicht von außen zugegriffen wird, ein sogenannter Refresh-Betrieb notwendig, um den Speicherzelleninhalt, der sich beispielsweise durch Leckströme des Speicherkondensators oder Auswahltransistors verflüchtigen kann, aufzufrischen und somit dauerhaft zu erhalten. Im Refresh-Betrieb werden die bewerteten und verstärkten Datensignale von ausgewählten Speicherzellen direkt in die betreffenden Speicherzellen zurückgeschrieben. Dies wird im allgemeinen durch eine Steuerungsschaltung gesteuert, durch die außerdem eine Refresh-Frequenz festgelegt wird, mit der eine jeweilige Auffrischung des Speicherzelleninhaltes erfolgt.
  • Die maximal erzielbare Haltezeit des Speicherzelleninhalts einer Speicherzelle (sogenannte Retention Time) ist ausschlaggebend für die Bestimmung der Zeitdauer, die zwischen zwei Refresh-Zyklen benötigt wird. Die Refresh-Frequenz kann dabei kleiner gewählt werden, je größer die maximal erzielbare Haltezeit des Speicherzelleninhaltes einer Speicherzelle und damit die mögliche Zeitdauer zwischen zwei Refresh-Zyklen ist. Vor allem in einem sogenannten Standby-Betrieb eines integrierten dynamischen Speichers wird die Stromaufnahme im wesentlichen durch den Refresh-Betrieb bestimmt. Die Stromaufnahme des Speichers steigt dabei mit zunehmender Refresh- Frequenz an.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen integrierten dynamischen Speicher anzugeben, bei dem die Stromaufnahme insbesondere in einem Standby-Betrieb des Speichers optimierbar ist.
  • Weiterhin ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Betrieb eines derartigen integrierten dynamischen Speichers anzugeben.
  • Die Aufgabe betreffend den integrierten dynamischen Speicher wird gelöst durch einen integrierten dynamischen Speicher gemäß Patentanspruch 1. Die Aufgabe betreffend das Verfahren wird gelöst durch ein Verfahren gemäß Patentanspruch 5.
  • Der erfindungsgemäße integrierte dynamische Speicher weist neben einer Steuerungsschaltung zur Steuerung eines Refresh- Betriebs der Speicherzellen einen steuerbaren Frequenzgenerator zur Einstellung der Refresh-Frequenz anhand eines Referenzwerts auf. Dieser Frequenzgenerator weist einen Steuereingang auf, über den die Refresh-Frequenz veränderbar ist. Ein Ausgang des Frequenzgenerators ist mit der Steuerungsschaltung verbunden. Weiterhin weist der erfindungsgemäße Speicher eine Temperatursensorschaltung zur Detektion einer Temperatur des Speichers und zur Ausgabe eines ersten Referenzwertes sowie eine von extern beschreibbare Schaltung zur Ausgabe eines zweiten Referenzwertes auf. Die Temperatursensorschaltung und die von extern beschreibbare Schaltung, insbesondere in Form einer Registerschaltung, sind mit dem Steuereingang des Frequenzgenerators zur Einstellung der Refresh- Frequenz alternativ verbindbar.
  • Mit dem erfindungsgemäßen integrierten dynamischen Speicher kann der Effekt berücksichtigt werden, daß die Haltezeit des Speicherzelleninhaltes der Speicherzellen mit steigender Temperatur abnimmt, da die in den Speicherzellen auftretenden Leckströme des Speicherkondensators und/oder des jeweiligen Auswahltransistors mit steigenden Temperaturen zunehmen. Dies kann für die Steuerung des Refresh-Betriebs der Speicherzellen berücksichtigt werden, indem die Refresh-Frequenz mit Hilfe der Temperatursensorschaltung oder der von extern beschreibbaren Schaltung abhängig von der Temperatur eingestellt wird. Es besteht die Möglichkeit, die Temperatur des Speichers selbst, detektiert von der Temperatursensorschaltung, in Form eines Referenzwertes zur Einstellung zu verwenden oder eine von extern bestimmte Temperatur, die beispielsweise einer Systemtemperatur entspricht und von extern in einer Registerschaltung in Form eines Referenzwertes programmiert wird. Ein Temperatursensor in einem System, wie etwa einem Mobiltelefon oder ähnlichem, hat üblicherweise eine höhere Genauigkeit als ein auf dem Speicherchip implementierter Temperatursensor.
  • In beiden Fällen kann insbesondere im Standby-Betrieb die Stromaufnahme des Speichers optimiert werden und bei niedrigeren Temperaturen auf einen Bruchteil des bei höheren Temperaturen notwendigen Strombedarfs reduziert werden. Bei niedrigeren Temperaturen wird die Refresh-Frequenz entsprechend kleiner gewählt. Steigt dabei die Temperatur des Speichers oder des Systems im Betrieb an, so wird durch den Frequenzgenerator die Refresh-Frequenz erhöht.
  • Der Speicher wird erfindungsgemäß derart betrieben, daß im Falle eines Beschreibens der von extern beschreibbaren Schaltung der zweite Referenzwert dem Steuereingang des Frequenzgenerators zugeführt wird. Es wird also ein beispielsweise von einem angeschlossenen System oder Anwender gelieferter Referenzwert beziehungsweise Temperaturwert zur Einstellung der Refresh-Frequenz verwendet. In den anderen Fällen wird der erste Referenzwert der Temperatursensorschaltung dem Steuereingang des Frequenzgenerators zugeführt. Damit wird die Refresh-Frequenz abhängig von der Speichertemperatur gesteuert.
  • Dies kann dahingehend erweitert werden, daß der von extern programmierte Referenzwert verwendet wird, sobald einmal ein Referenzwert in die von extern beschreibbare Schaltung in Form einer Registerschaltung geschrieben wurde. Es wird in diesem Fall also der zweite Referenzwert dem Steuereingang des Frequenzgenerators zugeführt, sobald eine Programmierung der Registerschaltung durchgeführt wurde.
  • Mit der Erfindung können vorteilhaft auch Anwender des Speicherbausteins, die eine Temperatur nicht messen können beziehungsweise die Registerschaltung nicht programmieren können, dennoch die für einen Standby-Betrieb notwendige Stromaufnahme optimieren und bei niedrigeren Temperaturen reduzieren.
  • In einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen integrierten dynamischen Speichers weist der Frequenzgenerator eine Oszillator zur Lieferung eines Signals mit einer regelmäßigen Frequenz sowie einen nachgeschalteten programmierbaren Frequenzteiler zur Teilung der Frequenz des Signals des Oszillators auf. Ein Ausgang des Frequenzteilers ist mit dem Ausgang des Frequenzgenerators verbunden. Der Oszillator liefert ein Signal mit einer temperaturunabhängigen und regelmäßigen Frequenz. Die Oszillatorfrequenz wird über den nachgeschalteten Frequenzteiler auf den für die Refresh-Frequenz nötigen Wert herunter geteilt. Der Frequenzteiler wird dabei von der Temperatursensorschaltung über den Steuereingang programmiert. Durch die Kombination eines temperaturunabhängigen Oszillators und des programmierbaren Frequenzteilers kann die Refresh-Frequenz mit hoher Genauigkeit abhängig von der Speichertemperatur eingestellt werden.
  • In einer Weiterbildung der Erfindung weist die Temperatursensorschaltung einen Temperatursensor und einen nachgeschalteten Analog-/Digital-Wandler zur Programmierung des Frequenzteilers auf. In einer Ausführungsform weist der Temperatursensor beispielsweise eine Diode auf, wobei zur Detektion der Temperatur eine Spannung an der Diode abgegriffen wird.
  • Weitere vorteilhafte Aus- und Weiterbildungen der Erfindung sind in Unteransprüchen angegeben.
  • Die Erfindung wird im folgenden anhand der in der Zeichnung dargestellten Figuren, die Ausführungsbeispiele der Erfindung darstellen, näher erläutert. Es zeigen
  • Fig. 1 eine Ausführungsform eines dynamischen Speichers gemäß der Erfindung mit einem Frequenzgenerator in einer Verschaltung mit einer Temperatursensorschaltung und einer Registerschaltung,
  • Fig. 2 eine Ausführungsform eines dynamischen Speichers mit einer Steuerungsschaltung und einer mit der Steuerungsschaltung verbundenen Schaltung gemäß Fig. 1,
  • Fig. 3 ein Diagramm der Refresh-Periodendauer in Abhängigkeit von der Temperatur des Speichers,
  • Fig. 4 eine Ausführungsform einer Temperatursensorschaltung.
  • In Fig. 2 ist ein Speicherzellenfeld 10 dargestellt, in dem Speicherzellen MC entlang von Wortleitungen WL und Bitleitungen BL angeordnet sind. Die Speicherzellen MC sind in Kreuzungspunkten der Bitleitungen BL und Wortleitungen WL angeordnet. Die Speicherzellen MC beinhalten jeweils einen nicht dargestellten Speicherkondensator, der über einen ebenfalls nicht dargestellten Auswahltransistor mit einer der Bitleitungen BL verbunden ist. Zur Auswahl einer der Speicherzellen MC wird der jeweilige Auswahltransistor durch eine aktivierte Wortleitung WL leitend geschaltet, wodurch im Anschluß ein Auslesen oder Schreiben eines Datensignals der ausgewählten Speicherzelle erfolgen kann. Das Datensignal der ausgewählten Speicherzelle liegt an der betreffenden Bitleitung BL an und wird in einem ebenfalls nicht dargestellten Leseverstärker des Speicherzellenfeldes 10 bewertet und verstärkt.
  • Für einen Refresh-Vorgang werden die vom jeweiligen Leseverstärker bewerteten und verstärkten Datensignale direkt in die betreffenden Speicherzellen zurückgeschrieben. Zur Steuerung des Refresh-Betriebs der Speicherzellen ist eine Steuerungsschaltung 2 vorgesehen. Diese erzeugt ein Steuersignal SF2. Insbesondere durch die jeweils erforderliche Aktivierung von Leseverstärkern ist in einem Refresh-Betrieb des Speichers eine Stromaufnahme notwendig, die mit der Refresh-Frequenz korreliert. Im Interesse einer möglichst geringen Stromaufnahme ist es daher Ziel, daß die Zeitdauer zwischen zwei Refresh-Zyklen möglichst groß ist, das heißt die Refresh- Frequenz möglichst klein ist. Dabei ist die maximal erzielbare Haltezeit des Speicherzelleninhaltes der Speicherzellen ausschlaggebend für die Bestimmung der Zeitdauer, die zwischen zwei Refresh-Zyklen benötigt wird. Diese ist insbesondere durch Leckströme im Speicherkondensator und/oder Auswahltransistor beeinflußt, die mit zunehmenden Speichertemperaturen ansteigen.
  • Mit der Steuerungsschaltung 2 ist eine Schaltung 3 gemäß Fig. 1 verbunden. Der Frequenzgenerator 4 weist einen temperaturunabhängigen Oszillator 6 zur Lieferung eines Signals S(f) mit einer regelmäßigen Frequenz f auf. Dem Oszillator 6 ist ein programmierbarer Frequenzteiler 7 nachgeschaltet, durch den die Frequenz f des Signals S(f) teilbar ist. Der Ausgang des Frequenzteilers 7 ist mit dem Ausgang 42 des Frequenzgenerators 4 verbunden und liefert ein Steuersignal SF1 zur Weiterleitung an die Steuerschaltung 2 gemäß Fig. 2. Mit Hilfe des Signals SF1 wird die Refresh-Frequenz des Speichers eingestellt. Über einen Steuereingang 41 des Frequenzgenerators 4 kann die Refresh-Frequenz verändert werden, indem der Teilerfaktor des Frequenzteilers 7 entsprechend verändert wird.
  • Der Speicher enthält ferner eine Schalteinheit 13, beispielsweise in Form eines Multiplexers, mit zwei Eingängen und einem Ausgang. Der Eingang 51 ist mit einer Temperatursensorschaltung 5 beziehungsweise mit deren Ausgang 51 zur Ausgabe eines Referenzwertes R1 verbunden, der einer Temperatur des Speichers entspricht. Der andere Eingang 50 ist mit einer Registerschaltung 11, der Ausgang A mit dem Steuereingang 41 des Frequenzgenerators 4 verbunden. Mit der Schalteinheit sind die Temperatursensorschaltung 5 und die Registerschaltung 11 mit dem Frequenzgenerators 4 alternativ verbindbar.
  • Die Registerschaltung 11 ist von extern beschreibbar und dient zur Speicherung und Ausgabe eines Referenzwertes R2, der beispielsweise einer von extern bestimmten Temperatur des Systems entspricht, in dem der Speicher implementiert ist. Dementsprechend kann ein Anwender beispielsweise über einen Memory Controller eine Temperaturinformation von außen in die Registerschaltung des Speichers, beispielsweise in Form eines sogenannten Extended Mode Registers, schreiben.
  • Der Speicher enthält weiterhin eine Kontrollschaltung 12, die den Inhalt der Registerschaltung 11 überprüft und die Schalteinheit 13 in Abhängigkeit des Überprüfungsergebnisses über einen Steuereingang C ansteuert. Ist kein Referenzwert in der Registerschaltung 11 programmiert oder ist ein Vorbelegungswert (sogenannter Default-Wert) programmiert, so wird der vom Temperatursensor gemessene Referenzwert R1 verwendet. Dies kann in der Form implementiert werden, daß der vom Anwender programmierte Referenzwert R2 verwendet wird, sobald er einmal einen Wert in das Register 11 geschrieben hat.
  • Mit der Temperatursensorschaltung 5 wird die Temperatur des Speichers detektiert. Die Temperatursensorschaltung 5 wird dabei durch einen Temperatursensor 8 und einen nachgeschalteten Analog-/Digital-Wandler 9 gebildet. Dieser liefert den Referenzwert R1 in Form eines Multi-Bit-Signals mit wenigen Bits Auflösung, mit dem der Teilerfaktor des Frequenzteilers 7 programmiert wird. Auch die Registerschaltung 11 liefert den Referenzwert R2 in Form eines Multi-Bit-Signals mit wenigen Bits Auflösung, mit dem der Teilerfaktor des Frequenzteilers 7 programmierbar ist. Im Falle, daß die Registerschaltung 11 von extern programmiert wurde, wird der zweite Referenzwert R2 dem Steuereingang 41 des Frequenzgenerators 4 zugeführt. Im übrigen wird der erste Referenzwert R1 dem Steuereingang 41 des Frequenzgenerators 4 zugeführt.
  • Eine einfache Ausführungsform einer Temperatursensorschaltung 5 ist in Fig. 4 angedeutet. Dabei weist der Temperatursensor eine Diode D auf, die mit einem eingeprägten Strom I zwischen zwei Versorgungspotentialen V1 und V2 betrieben wird. Dabei wird eine abfallende Spannung an der Diode D abgegriffen, die einem Analog-/Digital-Wandler mit einem Verstärker V zugeführt wird. Die an der Diode D abfallende Spannung vermindert sich mit steigender Temperatur der Diode D. Diese Spannung wird anhand eines Referenzpotentials Vref im Verstärker V bewertet.
  • In Fig. 3 ist ein Diagramm der Refresh-Periodendauer in Abhängigkeit von der Temperatur des Speichers dargestellt. Bei der Steuerung des Refresh-Betriebs des Speichers wird berücksichtigt, daß die Haltezeit der Speicherzellen, die sogenannte Retention Time, mit steigender Speichertemperatur expotentiell abnimmt. Im Diagramm ist eine normierte Refresh- Periodendauer dargestellt. Mit dem Temperatursensor gemäß Fig. 1 wird der Teilerfaktor des Frequenzteilers 7 in Abhängigkeit von der Temperatur derart eingestellt, daß die Refresh-Periodendauer mit steigender Speichertemperatur an diskreten Temperaturwerten jeweils halbiert wird und die Refresh-Frequenz damit erhöht wird. Hierbei ist es auch möglich, mehrere Abstufungen zu verwenden. Ebenso ist es möglich, bei einem entsprechenden Frequenzteiler die Frequenz mit anderen Werten, beispielsweise nicht-binären Werten zu teilen. Mit einer Steuerung der Refresh-Periodendauer gemäß Fig. 3 ist es möglich, die für einen Standby-Betrieb notwendige Stromaufnahme eines dynamischen Speichers zu optimieren und bei niedrigeren Temperaturen zu reduzieren. Bezugszeichenliste 1 Speicher
    2 Steuerungsschaltung
    3 Schaltung
    4 Frequenzgenerator
    5 Temperatursensorschaltung
    6 Oszillator
    7 Frequenzteiler
    8 Temperatursensor
    9 A-/D-Wandler
    10 Speicherzellenfeld
    11 Registerschaltung
    12 Kontrollschaltung
    13 Schalteinheit
    41 Steuereingang
    42 Ausgang
    51 Ausgang
    S0, S1 Eingang
    A Ausgang
    C Steuereingang
    R1, R2 Referenzwert
    D Diode
    V1, V2, Vref Potential
    V Verstärker
    I Strom
    f Frequenz
    S, SF1, SF2 Signal
    WL Wortleitungen
    BL Bitleitungen
    MC Speicherzellen

Claims (8)

1. Integrierter dynamischer Speicher
mit Speicherzellen (MC),
mit einer Steuerungsschaltung (2) zur Steuerung eines Refresh-Betriebs der Speicherzellen, in dem die Speicherzellen mit einer Refresh-Frequenz einer Auffrischung ihres Speicherzelleninhalts unterzogen werden,
mit einem steuerbaren Frequenzgenerator (4) zur Einstellung der Refresh-Frequenz anhand eines Referenzwerts (R1, R2) mit einem Steuereingang (41), über den die Refresh-Frequenz veränderbar ist, und mit einem Ausgang (42), der mit der Steuerungsschaltung (2) verbunden ist,
mit einer Temperatursensorschaltung (5) zur Detektion einer Temperatur des Speichers und zur Ausgabe eines ersten Referenzwertes (R1),
mit einer von extern beschreibbaren Schaltung (11) zur Ausgabe eines zweiten Referenzwertes (R2),
bei dem die Temperatursensorschaltung (5) und die von extern beschreibbare Schaltung (11) mit dem Steuereingang (41) des Frequenzgenerators (4) zur Einstellung der Refresh- Frequenz alternativ verbindbar sind.
2. Integrierter dynamischer Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die von extern beschreibbare Schaltung (11) als Registerschaltung ausgeführt ist,
der Speicher eine Schalteinheit (13) mit zwei Eingängen und einem Ausgang aufweist, wobei einer der Eingänge (S1) mit der Temperatursensorschaltung (5), der andere der Eingänge (S0) mit der Registerschaltung (11) und der Ausgang (A) mit dem Steuereingang (41) des Frequenzgenerators (4) verbunden ist,
der Speicher eine Kontrollschaltung (12) aufweist, die einen Inhalt der Registerschaltung (11) überprüft und die Schalteinheit (13) in Abhängigkeit des Überprüfungsergebnisses ansteuert.
3. Integrierter dynamischer Speicher nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
der Frequenzgenerator (4) einen Oszillator (6) zur Lieferung eines Signals (S) mit einer regelmäßigen Frequenz (f) und einen nachgeschalteten, über den Steuereingang (41) programmierbaren Frequenzteiler (7) zur Teilung der Frequenz des Signals des Oszillators aufweist,
ein Ausgang des Frequenzteilers (7) mit dem Ausgang des Frequenzgenerators (4) verbunden ist.
4. Integrierter dynamischer Speicher nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatursensorschaltung (5) einen Temperatursensor (8) und einen nachgeschalteten Analog-/Digital-Wandler (9) zur Programmierung des Frequenzteilers (7) aufweist.
5. Verfahren zum Betrieb eines integrierten dynamischer Speichers nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
bei dem im Falle eines Beschreibens der von extern beschreibbaren Schaltung (11) der zweite Referenzwert (R2) dem Steuereingang (41) des Frequenzgenerators (4) zugeführt wird,
bei dem sonst der erste Referenzwert (R1) dem Steuereingang (41) des Frequenzgenerators (4) zugeführt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die von extern beschreibbare Schaltung (11) als Registerschaltung ausgeführt ist und der zweite Referenzwert (R2) dem Steuereingang (41) des Frequenzgenerators (4) zugeführt wird, sobald eine Programmierung der Registerschaltung (11) durchgeführt wurde.
7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die von extern beschreibbare Schaltung (11) als Registerschaltung ausgeführt ist und die Registerschaltung (11) von extern mit einem einer Temperatur entsprechenden Referenzwert (R2) programmiert wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und zweite Referenzwert (R1, R2) einer jeweiligen Temperatur entsprechen und durch den Frequenzgenerator (4) die Refresh-Frequenz für den Refresh-Betrieb mit ansteigender Temperatur erhöht wird.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10313605A1 (de) * 2003-03-26 2004-10-21 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zum Steuern eines oder mehrerer Speicherbausteine

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6513103B1 (en) * 1997-10-10 2003-01-28 Rambus Inc. Method and apparatus for adjusting the performance of a synchronous memory system
DE10329369B4 (de) * 2003-06-30 2010-01-28 Qimonda Ag Schaltung und Verfahren zum Auffrischen von Speicherzellen eines dynamischen Speichers
DE10329370B3 (de) * 2003-06-30 2005-01-27 Infineon Technologies Ag Schaltung und Verfahren zum Auffrischen von Speicherzellen eines dynamischen Speichers
KR100550634B1 (ko) * 2003-10-31 2006-02-10 주식회사 하이닉스반도체 셀프리프레쉬 주기 발생 장치
US7009904B2 (en) * 2003-11-19 2006-03-07 Infineon Technologies Ag Back-bias voltage generator with temperature control
US7266031B2 (en) * 2003-11-19 2007-09-04 Infineon Technologies Ag Internal voltage generator with temperature control
US7123105B2 (en) * 2003-12-19 2006-10-17 Infineon Technologies North American Corporation Oscillator with temperature control
KR100610011B1 (ko) * 2004-07-29 2006-08-09 삼성전자주식회사 셀프 리프레쉬 주기 제어회로
US7305518B2 (en) * 2004-10-20 2007-12-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system for dynamically adjusting DRAM refresh rate
KR100655076B1 (ko) * 2005-01-20 2006-12-08 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 방법 및그에 따른 내부 온도 데이터 출력회로
US7272063B1 (en) 2006-03-21 2007-09-18 Infineon Technologies Ag Memory with a temperature sensor, dynamic memory and memory with a clock unit and method of sensing a temperature of a memory
US7886167B2 (en) * 2006-05-11 2011-02-08 Intel Corporation Load circuit supply voltage control
KR100832029B1 (ko) * 2006-09-28 2008-05-26 주식회사 하이닉스반도체 온도 정보 출력 장치 및 그를 갖는 반도체 소자
WO2011106055A1 (en) * 2010-02-23 2011-09-01 Rambus Inc. Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals
US9704557B2 (en) * 2013-09-25 2017-07-11 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for storing retention time profile information based on retention time and temperature
FR3055462B1 (fr) * 2016-09-01 2018-09-07 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif et procede de controle des cycles de rafraichissement des memoires non-volatiles
US20190378564A1 (en) * 2018-06-11 2019-12-12 Nanya Technology Corporation Memory device and operating method thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19502557C2 (de) * 1994-04-21 2001-10-11 Gold Star Electronics Temperaturabhängige Selbstrefresh-Steuerschaltung für ein Speicherzellenfeld

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6504780B2 (en) * 1998-10-01 2003-01-07 Monolithic System Technology, Inc. Method and apparatus for completely hiding refresh operations in a dram device using clock division

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19502557C2 (de) * 1994-04-21 2001-10-11 Gold Star Electronics Temperaturabhängige Selbstrefresh-Steuerschaltung für ein Speicherzellenfeld

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HY5U2A6C(L)F 4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM. Datenblatt der Firma Hynix, Rev. 0.1 Aug 2001 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10313605A1 (de) * 2003-03-26 2004-10-21 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zum Steuern eines oder mehrerer Speicherbausteine
DE10313605B4 (de) * 2003-03-26 2009-03-19 Qimonda Ag Vorrichtung und Verfahren zum Steuern mehrerer Speicherbausteine

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