DE10204429A1 - Elektronische Komponente und Herstellungsverfahren dafür - Google Patents

Elektronische Komponente und Herstellungsverfahren dafür

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Abstract

Ag-Pulverteilchen 40, welche jeweils eine mit Aluminiumoxid 42 beschichtete Oberfläche aufweisen, bilden ein Material 44 aus. Eine Leiterpaste wird aus dem Material 44 hergestellt. Die Leiterpaste wird auf einer dielektrischen Schicht mittels beispielsweise eines Siebdrucks aufgedruckt. Demgemäß wird ein Elektrodenmuster der Leiterpaste ausgebildet. In dem Verfahren liegt die spezifische BET-Oberfläche des Ag-Pulverteilchens 40 bei 0,05 bis 2 m·2·/g. Die Beschichtungsmenge an Aluminiumoxid 42 liegt bei ungefähr 0,01 bis 2%, umgerechnet auf einen Wert an Oxid bezüglich der Ag-Pulverteilchen 40.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine elektronische Komponente und ein Herstellungsverfahren dafür. Die vorliegende Erfindung ist für einen dielektrischen Resonator vom geschichteten Typ anwendbar, um beispielsweise für eine Resonanzschaltung eingesetzt zu werden. Der dielektrische Resonator vom geschichteten Typ wird bevorzugt für ein Mikrowellenband von mehreren hunderten Megaherz bis mehreren Gigaherz eingesetzt.
Kürzlich wurden ein Edelmetallpulver vorgeschlagen, welches zur Verhinderung von jeglichen in einer elektronischen Komponente und einer Heizvorrichtung verursachten strukturellen Defekte eingesetzt wird (siehe beispielsweise die Japanische Patentoffenlegungsschrift Nr. JP-A-8-7644). Das Edelmetallpulver wird zuerst als eine Leiterpaste hergestellt. Dann wird die Leiterpaste auf einem Substrat (zum Beispiel einer Grünkeramik) ausgebildet. Das Substrat, auf welchem die Leiterpaste ausgebildet wurde, wird gesintert. Demgemäß wird eine Elektrode aus der Leiterpaste hergestellt. Das heißt, eine elektronische Komponente oder eine Heizvorrichtung, in welcher die Elektrode auf dem Substrat ausgebildet ist, kann hergestellt werden.
Die Oberfläche des Edelmetallpulvers wird mit einer Verbindung eines Metalls und einer organischen Säure (Metallsalz einer organischen Säure) beschichtet und dann in einer inerten Atmosphäre erwärmt. Falls die Leiterpaste aus einem Edelmetallpulver hergestellt wird, werden das Material für das Edelmetallpulver und das Material für die organische Säure derart ausgewählt und abgewogen, dass der Prozentsatz der Brennungsschrumpfung der Leiterpaste annähernd der gleiche wie der Prozentsatz der Brennungsschrumpfung des Substrats (zum Beispiel einer Grünkeramik) ist. Falls die Leiterpaste aus dem Substrat ausgebildet wird, und die Leiterpaste danach zur Erzeugung einer elektronischen Komponente oder einer Heizvorrichtung gesintert wird, dann kann ein solches Phänomen, nämlich dass die Elektrode der Leiterpaste von dem Substrat sich ablöst oder die Elektrode verdampft, vermieden werden, da der Prozentsatz der Brennungsschrumpfung der Leiterpaste annähernd der gleiche wie der des Substrats ist. Somit können jegliche strukturelle Defekte verhindert werden, welche ansonsten in der elektronischen Komponente oder der Heizvorrichtung auftreten würden.
Falls die Leiterpaste hergestellt wird, werden das Material für das Edelmetallpulver und das Material für die organische Säure derart ausgewählt und abgewogen, dass der Prozentsatz der Brennungsschrumpfung der Leiterpaste annähernd der gleiche ist wie der Prozentsatz der Brennungsschrumpfung des Substrats. Da jedoch der Vorgang der Auswahl und der Abwägung für die vorstehend beschriebenen Materialien extrem beschwerlich ist, kann die Anzahl der Herstellungsschritte ansteigen.
Weiterhin ist in herkömmlichen Verfahren die spezifische Oberfläche des Edelmetallpulvers überhaupt nicht berücksichtigt worden. Unberücksichtigt blieb die Beziehung zwischen der spezifischen Oberfläche des Edelmetallpulvers, der Beschichtungsmenge des Metallsalzes der organischen Säure und des elektrischen Widerstandswerts.
In anderen Worten ausgedrückt ist es manchmal zur Verhinderung des Auftretens von strukturellen Defekten notwendig, die Beschichtungsmenge des Metallsalzes der organischen Säure in Abhängigkeit des Wertes der spezifischen Oberfläche des Edelmetallpulvers zu steigern. In einer solchen Situation kann der elektrische Widerstandswert gesteigert sein und die Vorrichtungseigenschaften und die elektrischen Eigenschaften der elektronischen Komponente kann verschlechtert sein.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine elektronische Komponente und ein Herstellungsverfahren dafür zur Verfügung zu stellen, welches es ermöglichen, das Auftreten von strukturellen Defekten während und nach dem Sintern eines dielektrischen Substrats bei der Ausbildung einer Elektrode in dem dielektrischen Substrat zu reduzieren.
Eine erfindungsgemäße elektronische Komponente besitzt ein dielektrisches Substrat und eine oder mehrere Elektroden. Das dielektrische Substrat wird durch Aufschichten von mehreren dielektrischen Schichten und dem Sintern der Mehrzahl an geschichteten dielektrischen Schichten ausgebildet. Die Elektroden werden aus einer Paste ausgebildet, wobei die Paste Metallpulverteilchen enthält und jedes der Metallpulverteilchen mit einem anorganischen Oxid beschichtet ist.
Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Komponente wird auf eine elektronische Komponente mit einem dielektrischen Substrat und einem oder mehreren Elektroden angewandt. Das heißt, dass als erstes mehrere dielektrische Schichten hergestellt werden. Eine Paste wird auf einer oder mehreren der dielektrischen Schichten zur Ausbildung der Elektroden aus der Paste ausgebildet. Nachfolgend werden mehrere dielektrische Schichten aufeinander geschichtet und gesintert. Die Paste enthält Metallpulverteilchen und jedes der Metallpulverteilchen ist mit einem anorganischen Oxid beschichtet.
Gewöhnlicher Weise gilt, dass falls die Elektrode aus einem Metallfilm ausgebildet wird, die Schrumpfung des Metallfilms extrem viel schneller als die Schrumpfung der dielektrischen Schicht während des später durchgeführten Sintervorgangs ist. Der Grund dafür liegt darin, dass der Prozentsatz der Brennungsschrumpfung des Metallfilms sich sehr stark von dem der dielektrischen Schicht unterscheidet. Deshalb kann es zu einer Ablösung der Schichtenstruktur in einem Bereich kommen, in dem der Metallfilm ausgebildet worden war. In der dielektrischen Schicht kann es nach dem Sintern ebenso zu einer Restspannung kommen. Als Folge können einige strukturelle Defekte in der dielektrischen Komponente auftreten.
In der vorliegenden Erfindung jedoch wird die Elektrode durch Verwendung der Paste ausgebildet, welche das Material enthält, in dem die Metallpulverteilchen mit dem anorganischen Oxid beschichtet sind. Deshalb kommt es zu keiner Ablösung der Schichten während des Sintervorgangs und zu keinen Sprüngen durch die Restspannung. Das heißt, dass der Prozentsatz der Brennungsschrumpfung der Elektrode nahe dem Prozentsatz der Brennungsschrumpfung der dielektrischen Schicht aufgrund der Beschichtung mit dem anorganischen Oxid liegt.
Erfindungsgemäß kann bei der Herstellung der elektronischen Komponente, in welcher die Elektroden in der dielektrischen Schicht ausgebildet sind, das Auftreten der strukturellen Defekte in der elektronischen Komponente während und nach dem Sintern der dielektrischen Schicht reduziert werden.
In der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass Ag für die Metallpulverteilchen eingesetzt wird. Es ist bevorzugt, dass die spezifische BET-Oberfläche der Metallpulverteilchen bei 0,05 bis 2 m2/g liegt. Wenn die spezifische BET-Oberfläche geringer als 0,05 m2/g liegt, können die Metallteilchen zu groß werden und Poren können sich in der Elektrode während des Sinterns ausbilden. Wenn die spezifische BET-Oberfläche größer als 2 m2/g ist, muss die Beschichtungsmenge des anorganischen Oxids gesteigert werden, um die strukturellen Defekte in der elektronischen Komponente zu vermeiden. Als Folge kann der elektrische Widerstand der Elektrode erhöht sein und die elektrischen Eigenschaften und die Vorrichtungseigenschaften können verschlechtert sein, falls die elektronische Komponente fertiggestellt ist. Deshalb ist es bevorzugt, dass die spezifische BET-Oberfläche der Metallpulverteilchen von 0,05 bis 2 m2/g liegt.
Es ist bevorzugt, dass das anorganische Oxid Aluminiumoxid ist. Es ist bevorzugt, dass das Metallpulverteilchen mit dem anorganischen Oxid in einer Menge von annähernd 0,01 bis 2% beschichtet ist, umgerechnet auf einen Wert an Oxid, bezüglich des Metallpulverteilchens.
Die vorstehenden und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung weiter ersichtlich, falls sie mit den angehängten Zeichnungen zusammen betrachtet werden, in welchen eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mittels eines illustrativen Beispiels gezeigt ist.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht, welche einen dielektrischen Filter vom geschichteten Typ in einer Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
Fig. 2 ist ein Längsschnitt, in welchem der dielektrische Filter vom geschichteten Typ entlang einer Seite einer Resonanzelektrode geschnitten ist, falls die 1/4- Wellenlängen Resonanzelektrode eingesetzt wird;
Fig. 3 ist ein Längsschnitt, in welchem der dielektrische Filter vom geschichteten Typ entlang einer Längsseite einer Resonanzelektrode geschnitten ist, falls die 1/2- Wellenlängen Resonanzelektrode eingesetzt wird;
Fig. 4 ist eine Schnittansicht, welche schematisch ein Material veranschaulicht, das durch Beschichten einer Oberfläche eines Ag-Pulverteilchens mit Aluminiumoxid erhalten wurde;
Fig. 5 ist eine Schnittansicht, in welcher ein Elektrodenmuster einer Leiterpaste auf einer dielektrischen Schicht ausgebildet ist;
Fig. 6 zeigt ein Blockdiagramm, welches die Schritte eines Verfahrens zur Herstellung des dielektrischen Filters vom geschichteten Typ in der Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
Fig. 7 zeigt den Unterschied in der Anzahl der erzeugten Sprünge bezüglich der Beschichtungsmenge von Aluminiumoxid und der spezifischen BET-Oberfläche der Ag-Pulverteilchen für ein Grundmaterial mit den Chargennummern 1 bis 13; und
Fig. 8 zeigt den Unterschied in der Anzahl der erzeugten Sprünge bezüglich der Beschichtungsmenge an Aluminiumoxid und der spezifischen BET-Oberfläche der Ag-Pulverteilchen für ein Grundmaterial mit den Chargennummern 14 bis 20.
Eine veranschaulichende Ausführungsform wird nachstehend unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 8 erklärt, in welcher die vorliegenden Erfindung für einen dielektrischen Filter vom geschichteten Typ angewendet wird.
Wie in Fig. 1 gezeigt ist, besitzt der dielektrische Filter vom geschichteten Typ 10 in der erfindungsgemäßen Ausführungsform ein dielektrisches Substrat 12, das durch Aufschichten von mehreren dielektrischen Schichten aufgebaut wird. Zwei Resonatorpaare (erste und zweite Resonatoren 14A, 14B) werden in dem dielektrischen Substrat 12 ausgebildet. Der Resonator 14A umfasst drei aufgeschichtete Resonanzelektroden 16A bis 16C und der Resonantor 14B umfasst weitere drei geschichtete Resonanzelektroden 16A bis 16C. Die dielektrischen Schichten sind zwischen den Resonanzelektroden 16A, 16B beziehungsweise zwischen den Resonanzelektroden 16B, 16C angeordnet.
Wie in Fig. 2 gezeigt ist, wird, falls die Resonanzelektroden 16A bis 16C 1/4-Wellenlängen- Resonanzelektroden sind, eine Grundelektrode 20 auf einer seitlichen Oberfläche ausgebildet, an welcher die Resonanzelektroden 16A bis 16C freigelegt sind. In anderen Worten ausgedrückt werden wie in dem in Fig. 2 gezeigten Beispiel die ersten Enden der entsprechenden Resonanzelektroden 16A bis 16C mit der Grundelektrode 20 kurzgeschlossen. In dieser Anordnung sind die offenen Enden der entsprechenden Resonanzelektroden 16A bis 16C kapazitiv an die Grundelektrode 20 durch die Innenschichtgrundelektroden 22, 24 gekoppelt. Demgemäß kann die elektrische Länge einer jeden Resonanzelektrode 16A bis 16C gekürzt werden.
Wie in Fig. 3 gezeigt ist sind, falls die Resonanzelektroden 16A bis 16C 1/2-Wellenlängen Resonanzelektroden sind, die entsprechenden Resonanzelektroden 16A bis 16C nicht an der seitlichen Oberfläche des dielektrischen Substrats 12 freigelegt. Beide Enden der entsprechenden Resonanzelektroden 16A bis 16C sind kapazitiv an die Grundelektroden 20 durch die Innenschichtgrundelektroden 26, 28, 30 beziehungsweise 32 gekoppelt.
In dem dielektrischen Filter vom geschichteten Typ 10 werden in dieser Ausführungsform wenigstens die Resonanzelektroden 16A bis 16C durch Sintern einer in dem dielektrischen Substrat 12 ausgebildeten Leiterpaste aufgebaut. Die Leiterpaste enthält ein Material, in welchem Metallpulverteilchen mit anorganischem Oxid beschichtet sind.
Genauer gesagt wird in dieser Ausführungsform zuerst ein Material 44 hergestellt, in welchem die Oberflächen der Ag- Pulverteilchen 40 mit Aluminiumoxid 42 beschichtet sind, wie in Fig. 4 gezeigt ist. Danach wird, wie in Fig. 5 gezeigt ist, die Leiterpaste 46 aus dem Material 44 hergestellt. Nachfolgend wird die Leiterpaste 46 auf eine dielektrische Schicht 48 beispielsweise mittels Siebdruck aufgedruckt. In anderen Worten ausgedrückt wird ein Elektrodenmuster 50 aus der Leiterpaste 46 auf der dielektrischen Schicht 48 ausgebildet.
In diesem Fall liegt aus dem folgenden Grund die spezifische BET-Oberfläche des Ag-Pulverteilchens 40 bevorzugt bei 0,05 bis 2 m2/g. Wenn die spezifische BET- Oberfläche geringer als 0,05 m2/g ist, kann das Ag- Pulverteilchen 40 zu groß werden und Poren können sich während des Sintervorgangs in der Elektrode ausbilden. Wenn die spezifische BET-Oberfläche des Ag-Pulverteilchens 40 größer als 2 m2/g ist, muss die Beschichtungsmenge an Aluminiumoxid 42 zur Vermeidung der strukturellen Defekte in der elektronischen Komponente gesteigert werden. In diesem Fall kann, falls das Elektrodenmuster 50 ausgebildet und der dielektrische Filter vom geschichteten Typ 10 erzeugt worden ist, der elektrische Widerstand des Elektrodenmusters 50 erhöht sein und die elektrischen Eigenschaften und die Vorrichtungseigenschaften können verschlechtert sein. Deshalb ist es bevorzugt, dass die spezifische BET-Oberfläche des Ag-Pulverteilchens 40 bei 0,05 bis 2 m2/g liegt.
Es ist bevorzugt, dass das Ag-Pulverteilchen 40 mit dem Aluminiumoxid 42 in einer Menge von annähernd 0,01 bis 2% beschichtet wird, umgerechnet auf einen Wert an Oxid bezüglich des Ag-Pulverteilchens 40.
Ein Verfahren zur Herstellung des dielektrischen Filters vom geschichteten Typ 10 in der erfindungsgemäßen Ausführungsform wird nun unter Bezugnahme auf ein in Fig. 6 gezeigtes Flussdiagramm erklärt.
Als erstes werden in Schritt S1 die Ausgangsmaterialien zur Herstellung der dielektrischen Schicht 48 vermischt. Zum Beispiel ist es bei Verwendung eines Leiters wie etwa Ag und Cu als ein Konstitutionsmaterial für die Elektrode schwierig, ein solches Material mit gewöhnlichen dielektrischen Materialien zusammen zu brennen. Deshalb werden dielektrischen Materialien, die bei einer geringeren Temperatur als dem Schmelzpunkt (nicht mehr als 1100°C) eines solchen Leiters gesintert werden können, eingesetzt.
Falls die elektronische Komponente als ein Mikrowellenfilter eingesetzt wird, ist es erwünscht, dass die Temperatureigenschaft (Temperaturkoeffizient) der Resonanzfrequenz eines auszubildenden parallelen Resonanzschaltkreises nicht höher als ±50 ppm/°C hinsichtlich des Charakters der Vorrichtung liegt. Deshalb werden in der erfindungsgemäßen Ausführungsform dielektrische Materialien eingesetzt, welche die vorstehend beschriebene Bedingung erfüllen.
Zum Beispiel schließen solche dielektrischen Materialien die Folgenden mit ein:
  • 1. Glasbasierte Materialien wie etwa eine Mischung aus Cordieritbasiertem Glaspulver, TiO2-Pulver und Nd2Ti2O7- Pulver;
  • 2. Materialien, die durch Zugabe einer geringen Menge einer glaserzeugenden Komponente und/oder einem Glaspulver zu einer auf BaO-TiO2-Re2O3-Bi2O3-basierten Zusammensetzung (Re: Seltenerdkomponente) erhalten werden; und
  • 3. Matrialien, die durch Zugabe einer geringen Menge von Glaspulver zu einem Pulver einer dielektrischen magnetischen Zusammensetzung, basierend auf einem Bariumoxid-Titanoxid-Neodymoxid, erhalten werden.
In der erfindungsgemäßen Ausführungsform wird zum Beispiel das Ausgangsmaterial durch Vermischen von 19,0 Gew.-% BaO- Pulver, 37,0 Gew.-% TiO2-Pulver, 36,0 Gew.-% Nd2O3-Pulver und 8,0 Gew.-% Bi2O3-Pulver hergestellt.
Danach wird in Schritt S2 das Ausgangsmaterial zum Beispiel bei 1250°C calciniert. Nachfolgend wird in Schritt S3 das calcinierte Ausgangsmaterial pulverisiert. Danach wird in Schritt S4 das Ausgangsmaterialpulver nach der Pulverisierung mit beispielsweise einem Borosilikatglas vermischt. Des weiteren wird in Schritt S5 ein Grünband hergestellt. In der erfindungsgemäßen Ausführungsform wird das mit dem Glas vermischte Ausgangsmaterial mit einem organischen Butyralbindemittel, einem Weichmacher, einem Toluollösungsmittel und einem alkoholischen Lösungsmittel vermischt. Die Aufschlämmung wird zur Herstellung des Grünbandes mit einer Stärke von 0,2 mm bis 0,5 mm mittels eines Rakelstreichverfahrens eingesetzt.
Nachfolgend wird in Schritt S6 eine große Anzahl an dielektrischen Schichten 48 auf dem Grünband ausgebildet. Danach wird in Schritt S7 die Leiterpaste 46 auf die dielektrische Schicht 48, auf welcher die Elektrode auszubilden ist, mittels beispielsweise eines Siebdrucks gedruckt. Demgemäß wird das Elektrodenmuster 50 auf der Leiterpaste 46 ausgebildet. Die Leiterpaste 4b enthält das Material 44, das durch Beschichten der Oberflächen der Ag- Pulverteilchen 40 mit Aluminiumoxid 42 gemäß der vorstehenden Beschreibung hergestellt wurde.
Danach wird in Schritt S8 die dielektrischen Schichten 48 mit den Elektrodenmustern 50 und die anderen dielektrischen Schichten 48 zur Herstellung der dielektrischen Schichten 48 gestapelt. Nachfolgend wird in Schritt S9 der Stapel beispielsweise bei 900°C gesintert.
Wenn die Sinterung in Schritt S9 abgeschlossen ist, ist der dielektrische Filter vom gestapelten Typ 10 in der erfindungsgemäßen Ausführungsform vervollständigt. Der dielektrische Filter vom gestapelten Typ 10 umfasst wenigstens die Resonanzelektroden 16A bis 16C, welche in dem dielektrischen Substrat 12 in mehreren dielektrischen Schichten 48 ausgebildet sind.
Wie vorstehend beschrieben, werden in der erfindungsgemäßen Ausführungsform die Resonanzelektroden 16A bis 16C mittels der Leiterpaste 46 ausgebildet, welche das Material 44 mit einschließt, in welchem die Ag-Pulverteilchen 40 mit Aluminiumoxid 42 beschichtet vorliegen.
Falls die Resonanzelektroden 16A bis 16C aus Metallfilmen ausgebildet sind, ist während des nachstehend beschriebenen Sintervorgangs die Schrumpfung des Metallfilms gewöhnlicher Weise sehr viel schneller als die Schrumpfung der dielektrischen Schicht 48. Der Grund dafür liegt darin, dass das Schrumpfungsverhalten des Metallfilms von dem der dielektrischen Schicht 48 stark unterschiedlich ist.
Deshalb können die folgenden Phänomene auftreten:
  • a) es kommt zu einer Ablösung in einem Bereich, in dem der Metallfilm ausgebildet wurde; und
  • b) es kommt nach dem Sintern zu einer Restspannung in der dielektrischen Schicht 48. Als Folge können einige strukturellen Defekte in der elektronischen Komponente auftreten.
Jedoch wird in der erfindungsgemäßen Ausführungsform das Elektrodenmuster 50 durch Verwendung der Leiterpaste 46 ausgebildet, die das Material 44 erhält, in welchem die Ag- Pulverteilchen 40 mit Aluminiumoxid 42 beschichtet vorliegen. Demgemäß liegt aufgrund der Beschichtung mit Aluminiumoxid 42 das Schrumpfungsverhalten des Elektrodenmusters 50 nahe bei dem Schrumpfungsverhalten der dielektrischen Schicht 48. Deshalb treten die folgenden Phänomene nicht auf:
  • a) Ablösung während des Sintervorgangs; und
  • b) Sprünge aufgrund einer Restspannung.
Das heißt, dass in der erfindungsgemäßen Ausführungsform, falls wenigstens die Resonanzelektroden 16A bis 16C in dem dielektrischen Substrat 12 ausgebildet sind, das Auftreten der Strukturdefekte während des Sinterns des dielektrischen Substrats 12 effektiv reduziert werden kann.
Eine exemplarische Ausführungsform wird nun beschrieben. In dieser exemplarischen Ausführungsform wurden 200 Proben in jeder der Chargen hergestellt. Der Zuverlässigkeitstest wurde für jede der Chargen durchgeführt, während die spezifische BET-Oberfläche des Ag-Pulverteilchens 40, die Beschichtungsmenge an Aluminiumoxid 42 und die Druckstärke verändert wurden. Dei Grundmaterialien für die dielektrische Schicht 48 waren für die Proben mit den Chargennummern 1 bis 13 und die Proben mit den Chargennummern 14 bis 20 unterschiedlich. Die Grundmaterialien der Proben hatten die gleiche Zusammensetzung, aber die Teilchendurchmesser nach der Pulverisierung waren unterschiedlich. Der Teilchendurchmesser des Grundmaterials für die Proben mit den Chargennummern 1 bis 13 war größer als der Teilchendurchmesser des Grundmaterials für die Proben mit den Chargennummern 14 bis 20.
Der Zuverlässigkeitstest wurde gemäß der folgenden speziellen Verfahrensweise durchgeführt. Es wurde bestätigt, ob irgendwelche Sprünge (zum Beispiel feine Sprünge oder Hohlräume) in den Probechargen unter den drei Bedingungen auftraten, d. h. (1) nach dem Sintern, (2) in dem Temperaturschocktest und (3) in dem statischen Feuchtigkeitstest. Die Proben mit Sprüngen wurden gezählt. Die Sprünge wurden durch Verwendung eines akustischen Abtastmikroskops bestätigt.
In dem Temperaturschocktest wurde das Auftreten von Sprüngen untersucht, falls 33 Zyklen wiederholt durchgeführt worden waren, unter der Voraussetzung, dass ein Zyklus die Temperaturänderung, startend von einer niedrigen Temperatur (-40°C) über die hohe Temperatur (85°C) wieder zu der niedrigen Temperatur (-40°C), mit einschließt.
In dem statischen Feuchtigkeitstest wurde das Auftreten von Sprüngen untersucht, wenn die Proben über 240 Stunden einer Atmosphäre ausgesetzt waren, in welcher die Temperatur bei 70°C und die Feuchtigkeit bei 90 bis 95% lag. Insbesondere wurden in dem statischen Feuchtigkeitstest das Auftreten von Sprüngen zwischenzeitlich untersucht (nach 48 Stunden und 120 Stunden).
Die Ergebnisse des exemplarischen Experiments sind in den Fig. 7 und 8 gezeigt. Die Fig. 7 zeigt den Unterschied in der Anzahl der erzeugten Sprünge bezüglich der Beschichtungsmenge an Aluminiumoxid 42 und der spezifischen BET-Oberfläche der Ag-Pulverteilchen 40 für das Grundmaterial mit den Chargennummern 1 bis 13. Die Fig. 8 zeigt den Unterschied in der Anzahl der erzeugten Sprünge bezüglich der Beschichtungsmenge an Aluminiumoxid 42 und der spezifischen BET-Oberfläche der Ag-Pulverteilchen 40 für das Grundmaterial mit den Chargennummern 14 bis 20.
Gemäß der in den Fig. 7 und 8 gezeigten Ergebnisse ist ersichtlich, dass die Anzahl der erzeugten Sprünge groß ist, falls die spezifische BET-Oberfläche des Ag-Pulverteilchens 40 bei 0,9 m2/g liegt, verglichen mit denen, in welchem die spezifische BET-Oberfläche des Ag-Pulverteilchens 40 bei 0,6 m2/g liegt. Die Anzahl der erzeugten Sprünge ist ebenso für die Proben größer, in welchen die Beschichtungsmenge an Aluminiumoxid 42 klein ist.
Gemäß des exemplarischen Experiments ist es verständlich dass die Anzahl der erzeugten Sprünge stark durch die Einstellung der spezifischen BET-Oberfläche des Ag- Pulverteilchens 40 und der Beschichtungsmenge an Aluminiumoxid 42 reduziert werden kann.
Es ist selbstverständlich, dass die elektronische Komponente und das Verfahren zur Herstellung dafür gemäß der vorliegenden Erfindung nicht auf die vorstehend beschriebene Ausführungsform beschränkt sind, welche in anderen verschiedenen Formen ausgeführt werden können, ohne vom Wesen oder der wesentlichen Eigenschaft der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
Ag-Pulverteilchen 40, welche jeweils eine mit Aluminiumoxid 42 beschichtete Oberfläche aufweisen, bilden ein Material 44 aus. Eine Leiterpaste wird aus dem Material 44 hergestellt. Die Leiterpaste wird auf einer dielektrischen Schicht mittels beispielsweise eines Siebdrucks aufgedruckt. Demgemäß wird ein Elektrodenmuster der Leiterpaste ausgebildet. In dem Verfahren liegt die spezifische BET- Oberfläche des Ag-Pulverteilchens 40 bei 0,05 bis 2 m2/g. Die Beschichtungsmenge an Aluminiumoxid 42 liegt bei ungefähr 0,01 bis 2%, umgerechnet auf einen Wert an Oxid bezüglich der Ag-Pulverteilchen 40.

Claims (6)

1. Eine elektronische Komponente (10), umfassend:
ein dielektrisches Substrat (12), das durch Stapeln einer Mehrzahl an dielektrischen Schichten und dem Sintern der Mehrzahl an gestapelten dielektrischen Schichten ausgebildet ist; und
eine oder mehrere Elektroden (16A bis 16B), die aus einer Paste ausgebildet sind;
wobei die Paste (46) Metallpulverteilchen (40) enthält, wobei jedes der Metallpulverteilchen (40) mit einem anorganischen Oxid (42) beschichtet ist.
2. Die elektronische Komponente gemäß Anspruch 1, wobei jedes der Metallpulverteilchen (40) Ag ist.
3. Die elektronische Komponente gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die spezifische BET-Oberfläche des Metallpulverteilchens (40) bei 0,05 bis 2 m2/g liegt.
4. Die elektronische Komponente gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das anorganische Oxid (42) Aluminiumoxid ist.
5. Die elektronische Komponente gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 4, wobei jedes der Metallpulverteilchen (40) mit dem anorganischen Oxid (42) in einer Menge von annähernd 0,01 bis 2% beschichtet ist, umgerechnet auf einen Wert an Oxid bezüglich eines jeden Metallpulverteilchens (40).
6. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Komponente (10), welches die folgenden Schritte umfasst:
Herstellen einer Mehrzahl an dielektrischen Schichten;
Erzeugen einer Paste (46) auf einer oder mehreren der dielektrischen Schichten; und
Stapeln und Sintern von mehreren der dielektrischen Schichten, um die elektronische Komponente (10) zu erzeugen,
wobei die Paste (46) Metallpulverteilchen (40) enthält, und
wobei jedes der Metallpulverteilchen (40) mit einem anorganischen Oxid (42) beschichtet ist.
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