DE102021211642A1 - Leistungshalbleiter, Mold-Modul und Verfahren - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft einen Leistungshalbleiter mit einem einen Leistungshalbleiterschalter. Der Leistungshalbleiterschalter ist quaderförmig ausgebildet, und weist auf einer Seite einen Schaltstreckenanschluss, insbesondere Source-Anschluss auf. Der Leistungshalbleiterschalter weist und auf einer dazu entgegengesetzten Seite einen weiteren Schaltstreckenanschluss, insbesondere Drain-Anschluss auf. Der Leistungshalbleiterschalter weist auch einen Steueranschluss, insbesondere Gate-Anschluss zum Schalten des Leistungshalbleiterschalters auf, wobei der Steueranschluss von dem Schaltstreckenanschluss beabstandet auf der Seite des Schaltstreckenanschlusses ausgebildet ist. Der Leistungshalbleiter weist für den Steueranschluss ein mit dem Steueranschluss verbundenes Steuer-Kontaktelement, und ein mit dem Schaltstreckenanschluss verbundenes Kontaktelement auf. Der Leistungshalbleiter weist auch ein Mold-Gehäuse auf, wobei ein Teil der Oberfläche, von der Mold-Masse bedeckt sind, wobei eine nach außen gewandte Kontaktfläche der Kontaktelemente, insbesondere des Steuer-Kontaktelements und des Kontaktelements, von außen kontaktiert werden kann. Der Leistungshalbleiterschalter, insbesondere Leistungstransistor, des Leistungshalbleiters der eingangs genannten Art einen weiteren Schaltstreckenanschluss, insbesondere Drain-Anschluss auf, welcher von außen insbesondere unmittelbar kontaktiert werden kann.

Description

  • Stand der Technik
  • Die Erfindung betrifft einen Leistungshalbleiter, bevorzugt Leistungstransistor für eine Kommutierzelle, insbesondere eine Kommutierzelle für einen Inverter. Der Leistungshalbleiter weist einen Leistungshalbleiterschalter, insbesondere Leistungstransistor auf. Der Leistungshalbleiterschalter ist flach, insbesondere quaderförmig ausgebildet, und weist auf einer Seite einen Schaltstreckenanschluss, insbesondere Source-Anschluss auf. Der Leistungshalbleiterschalter weist auf einer dazu entgegengesetzten Seite einen weiteren Schaltstreckenanschluss, insbesondere Drain-Anschluss, auf. Der Leistungshalbleiterschalter weist auch einen Steueranschluss, insbesondere Gate-Anschluss zum Schalten des Leistungshalbleiterschalters, auf, wobei der Steueranschluss von dem Schaltstreckenanschluss beabstandet auf der Seite des Schaltstreckenanschlusses ausgebildet ist. Der Leistungshalbleiter weist für den Steueranschluss ein mit dem Steueranschluss verbundenes Steuer-Kontaktelement und ein mit dem Schaltstreckenanschluss verbundenes Kontaktelement auf. Der Leistungshalbleiter weist auch ein Mold-Gehäuse auf, wobei ein Teil der Oberfläche, - insbesondere seitliche Oberflächen und/oder wenigstens teilweise die Seite mit dem Schaltstreckenanschluss und dem Steueranschluss - von der Mold-Masse bedeckt sind, wobei eine nach außen gewandte Kontaktfläche der Kontaktelemente, insbesondere des Steuer-Kontaktelements und des Kontaktelements, von außen kontaktiert werden kann.
  • Aus der DE 10 2016 225 654 A1 ist ein Leistungsmodul bekannt, welches ein Gehäuse aufweist, das durch eine Vergussmasse gebildet ist.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Erfindungsgemäß weist der Leistungshalbleiterschalter, insbesondere Leistungstransistor, des Leistungshalbleiters der eingangs genannten Art einen weiteren Schaltstreckenanschluss, insbesondere Drain-Anschluss auf, welcher von außen insbesondere unmittelbar kontaktiert werden kann.
  • Der weitere Schaltstreckenanschluss, insbesondere Drain-Anschluss, welcher so frei von Mold-Masse ist, kann so vorteilhaft mit einem Schaltungsträger verlötet oder versintert werden. Der Schaltstreckenanschluss, insbesondere Source-Anschluss, welcher mittels des Kontaktelements auf einer zum elektrischen Kontaktiertwerden, insbesondere Drahtbonden, Löten oder Sintern ausgebildeten Seite des Leistungshalbleiterschalters angeordnet ist, ist so mittels der Mold-Masse entlang eines Umfangs des Leistungshalbleiterschalters weiter von dem weiteren Schaltstreckenanschluss, insbesondere Drain-Anschluss entfernt, sodass eine Kriechstrecke für eine zwischen den Schaltstreckenanschlüssen ausgebildete Spannung im Falle des gesperrten Leistungshalbleiterschalters, nicht auf einer kurzen Strecke zwischen den Schaltstreckenanschlüssen an der insbesondere elektrisch leitfähigen Seite des Leistungshalbleiterschalters, entladen werden kann.
  • Es wurde nämlich erkannt, dass Leistungstransistoren, welche quaderförmig und insbesondere gehäuselos ausgebildet sind, auch als Bare-Die bekannt, mit einem Schaltungsträger verbunden, und zum Ausbilden eines Leistungsmoduls in Mold-Masse eingebettet werden können. In der Mold-Masse können sich jedoch Lunker oder Spalte ausbilden, in denen sich Luft befinden kann, und in denen sich eine Kriechstrecke für eine Kurzschlussentladung zwischen den Schaltstreckenanschüssen ausbilden kann. Mit dem so mittels der Mold-Masse gehäusten Leistungstransistor kann eine mögliche Kriechstrecke bei einer spaltbehafteten Ummoldung des Leistungstransistors in einem Leistungsmodul sowohl verlängert sein, als auch die Wahrscheinlichkeit einer Ausbildung der Kriechstrecke verringert sein, insoweit eine den gehäusten Leistungstransistor einbettende Mold-Masse an der Mold-Masse des Gehäuses des Leistungstransistors gut anhaften kann.
  • Der Leistungstransistor ist bevorzugt ein Feldeffekttransistor, insbesondere MOS-FET (MOS = Metal-Oxide-Semiconductor), MIS-FET (MIS = Metal-Insulated-Semiconductor), ein IGBT (Insulated-Gate-Bipolar-Transistor), oder ein HEMT (HEMT = High-Electron-Mobility-Transistor).
  • In einer bevorzugten Ausführungsform schließt ein das Mold-Gehäuse bildender Mold-Körper mit der Kontaktfläche der Kontaktelemente bündig ab. Vorteilhaft kann der Leistungstransistor so aufwandsgünstig in einem Spritzgussverfahren, oder Casting-Verfahren erzeugt werden. In einer anderen Ausführungsform ragen die Kontaktelemente aus dem Mold-Körper heraus. Vorteilhaft können die Kontaktelemente, und so die Kontaktflächen, beispielsweise mittels Drahtbonden, oder mittels Widerstandsschweißen von einer Oberseite des Leistungstransistors einfach erreicht werden.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform des Leistungshalbleiters weisen die Kontaktflächen der Kontaktelemente an der kontaktierbaren Außenseite einen größeren Abstand zueinander auf, als die Anschlussflächen der auf dem Transistor gebildeten Anschlüsse, insbesondere die Anschlussflächen des Steueranschlusses und des Schaltstreckenanschlusses. Vorteilhaft kann so ein Abstand zwischen dem Steueranschluss, insbesondere einem Gate-Anschluss, und dem Schaltstreckenanschluss, insbesondere einem Source-Anschluss, des Leistungstransistors versetzt, und so der Abstand vergrößert sein. Vorteilhaft kann der Leistungshalbleiter so einfacher mittels eines Bond-Drahtes, eines Bond-Bandes, oder durch Löten oder Sintern von einer von einem Schaltungsträger abgewandten Seite des Transistors kontaktiert werden. Weiter vorteilhaft kann so ein größerer Isolationsabstand zwischen den Anschlüssen des Leistungshalbleiters gebildet sein.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform weist wenigstens eine der Kontaktflächen der Kontaktelemente an der kontaktierbaren Außenseite eine größere, insbesondere nach außen kontaktierbare Kontaktfläche auf, als die entsprechende Anschlussfläche des auf dem Transistor gebildeten Anschlusses, insbesondere die Anschlussfläche des Steueranschlusses und/oder des Schaltstreckenanschlusses. Vorteilhaft kann so bei dem Transistor ein Kontakt insbesondere Bondkontakt, Schweißkontakt, Sinteranschluss oder Lotanschluss, zwischen einem Anschlussdraht oder einem Stanzgitter, auch Leadframe genannt, und dem Kontaktelement einfach erzeugt werden. In einer anderen Ausführungsform kann der Leistungshalbleiter mittels des Bonddrahtes anstelle des Stanzgitters oder zusätzlich zu dem Stanzgitter, mit einem weiteren Schaltungsträger, beispielsweise einem LTCC-Schaltungsträger (LTCC = Low-Temperature-Cofired-Ceramics) oder einer Leiterplatte, insbesondere faserverstärke Epoxidharz-Leiterplatte verbunden sein.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform weisen die Kontaktelemente jeweils Kupfer- und/oder Silber auf. Die Kontaktelemente sind bevorzugt aus Kupfer, Reinkupfer, oder einer Kupferlegierung gebildet. Vorteilhaft können die Kontaktelemente so eine gute elektrische Leitfähigkeit aufweisen.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform weist der Mold-Körper, insbesondere innere Moldkörper, an der zum Kontaktieren ausgebildeten Oberfläche, insbesondere an der Seite, an der der Steueranschluss und der Schaltstreckenanschluss ausgebildet ist, zu einem Rand hin eine Schräge auf. Vorteilhaft kann der Leistungshalbleiter so nach einem Verlöten oder Versintern mit dem Schaltungsträger, und nach einem Bonden, Verlöten oder Versintern der an der Oberfläche ausgebildeten Kontakte von einer den Leistungstransistor einbettenden Mold-Masse vollständig umflossen werden. Die den Leistungstransistor einbettende Mold-Masse, welche sowohl den Leistungstransistor, als auch Bond-Drähte, die den Leistungstransistor kontaktieren, einbettet, kann so lunker- und luftspaltfrei bis hin zu den Lot- oder Sinterstellen des Leistungstransistors hinfließen. In einer anderen vorteilhaften Ausführungsform sind die Kontakte durch einen weiteren Schaltungsträger unmittelbar kontaktiert. Der weitere Schaltungsträger ist beispielsweise ein keramischer LTCC-Schaltungsträger (LTCC = Low-Temperature-Cofired-Ceramics), HTCC-Schaltungsträger (HTCC = High-Temperature-Cofired-Ceramics, ein SIP (SIP = System-In Package), oder eine Leiterplatte.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform ist der Leistungstransistor nach dem Ummolden mittels eines Fan-Out-Verfahrens von benachbarten Leistungstransistoren getrennt, und so vereinzelt. Vorteilhaft kann der Leistungstransistor so aufwandsgünstig bereitgestellt sein. Weiter vorteilhaft kann mittels des Fan-Out-Verfahrens, bei dem ein einzelner Leistungstransistor aus einer Matrix von gemoldeten Leistungstransistoren herausgetrennt wird, die quer zur Anschlussoberfläche weisende Seite der Leistungstransistoren mit Moldmasse bedeckt sein. Dadurch kann - insbesondere auch nach einem weiteren Ummolden der Leistungstransistoren - ein guter Isolationsabstand zwischen den Schaltstreckenanschlüssen gebildet sein. Weiter vorteilhaft kann die Qualität der Oberflächen des Leistungstransistors besonders sauber ausgebildet sein.
  • Eine Ausführungsform des Leistungstransistors, bei der nur die quer zu den Anschlussflächen weisenden Seiten mit - insbesondere innerer - Moldmasse bedeckt sind, kann beispielsweise durch ein die Anschlussflächen bedeckendes Moldwerkzeug erzeugt werden.
  • Die Erfindung betrifft auch ein Mold-Modul, insbesondere ein Leistungsmodul, mit einem Leistungstransistor gemäß der vorbeschriebenen Art. Das Mold-Modul weist einen Schaltungsträger und wenigstens einen Leistungshalbleiter der vorbeschriebenen Art auf. Der Leistungshalbleiter ist mit dem Schaltungsträger stoffschlüssig verbunden, insbesondere lotverbunden oder sinterverbunden. Der Leistungshalbleiter, und wenigstens ein Teil des Schaltungsträgers ist in eine insbesondere äußere Mold-Masse eingebettet, wobei die äußere Mold-Masse - bevorzugt - von der inneren Mold-Masse des Moldkörpers des Leistungshalbleiters verschieden ist. Vorteilhaft kann so die innere Mold-Masse, welche den gehäuselosen Leistungstransistor einbettet, mit wärmeleitfähigen Partikeln, insbesondere Keramikpartikeln, beispielsweise Aluminiumoxidpartikel, oder Siliziumnitridpartikel, zu einem hohen Grad gefüllt sein, sodass eine Wärmeleitfähigkeit der den so eingebetteten Leistungstransistor, insbesondere Bare-Die, einbettenden Mold-Masse besonders gut ausgebildet sein kann. Weiter vorteilhaft kann so ein Wärmeausdehnungskoeffizient der inneren Moldmasse an den Ausdehnungskoeffizient des Leistungstransistors angepasst sein.
  • Die äußere Mold-Masse, welche den so mit innerer Moldmasse umschlossenen Leistungstransistor einbettet, kann vorteilhaft eine insbesondere niedrigviskose Mold-Masse sein, insbesondere Epoxidharz-Masse, welche eine größere Fließfähigkeit aufweist als die innere Moldmasse, und so - insbesondere im Falle eines im Fan-In-Verfahren erzeugten Leistungshalbleiters, bei dem seitliche Oberflächen des Leistungstransistors durch die Vereinzelung nach dem Beschichten der Kontaktseite mit innerer Moldmasse offen liegen, - besonders dicht und luftspaltfrei und lunkerfrei an eine seitliche Oberfläche des eingebetteten Leistungstransistors anschließen kann.
  • Bevorzugt ist die den Leistungstransistor einbettende Moldmasse von der diese umgebenden äußeren Moldmasse verschieden. Durch den so gebildeten zweistufigen Moldprozess kann die äußere Moldmasse mit geringeren technischen Anforderungen an eine Haftung auf Halbleitermaterial, an die Anpassung der Wärmeausdehnung und Wärmeleitfähigkeit gebildet sein als die innere Moldmasse, die an eine sowohl elektrisch zu kontaktierende als auch zu entwärmende Oberfläche des Leistungstransistors unmittelbar anschließt.
  • Bevorzugt weist die den Leistungstransistor einbettende Moldmasse, im Folgenden auch innere Moldmasse genannt, eine kleinere Emission für Alphastrahlen, insbesondere Verunreinigung durch Uran, auf als die äußere Moldmasse. Bevorzugt weist die innere Moldmasse Alphastrahlen absorbierende oder Alphastrahlen reflektierende Partikel, insbesondere Keramikpartikel auf. Vorteilhaft kann der Halbleiter so vor Alphastrahlen aufwandsgünstig geschützt sein, insoweit nur der durch die den Leistungstransistor einbettende Moldmasse wenigstens eine vor Alphastrahlen schützende Eigenschaft aufweist. Die Äußere Moldmasse kann durch ein im Vergleich dazu mit einem kleineren Füllgrad gefülltes Epoxidharz gebildet sein.
  • Bevorzugt weist die innere Moldmasse einen an den Leistungshalbleiter angepassten Wärmeausdehnungskoeffizienten auf. Vorteilhaft kann so vom Leistungshalbleiter ausgehende radial nach außen hin ein abgestufter Wärmeausdehnungskoeffizient gebildet sein. Beispielsweise weist die innere Moldmasse einen Wärmeausdehnungskoeffizient, auch CTE genannt (CTE = Coefficient of Thermal Expansion) zwischen 7 und 9 ppm/K, weiter bevorzugt 8 ppm/K auf. Bevorzugt weist die äußere Moldmasse einen CTE zwischen 9 und 12 ppm/K auf, weiter bevorzugt 10 ppm/K.
  • Die innere Moldmasse, die den Leistungstransistor wenigstens auf der Anschlussseite oder zusätzlich an den Seitenflächen unmittelbar kontaktiert, weist bevorzugt einen größeren Anteil an Füllpartikel, insbesondere Keramikpartikel auf, als die äußere Moldmasse, die den so mit innerer Moldmasse vorgemoldeten Leistungshableiter einbettet. Die Keramikpartikel sind bevorzugt Oxidpartikel, insbesondere Aluminiumoxidpartikel, Nitridpartikel, insbesondere Siliziumnitridpartikel, Bornitridpartikel, oder Aluminiumnitridpartikel, Carbidpartikel, insbesondere Siliziumcarbid- oder Borcarbidpartikel. Die Füllpartikel sind in einer anderen Ausführungsform wenigstens teilweise durch Glaspartikel, bevorzugt sphärische Siliziumdioxidpartikel, gebildet.
  • Weiter vorteilhaft kann die innere Moldmasse einen Haftvermittler, insbesondere haftvermittelnden Stoff zum Haften auf dem Leistungshalbleiterschalter, insbesondere Leistungstransistor aufweisen. Vorteilhaft braucht die äußere Moldmasse so keinen oder weniger Haftvermittler aufweisen als die innere Moldmasse. Der gemoldete Leistungshalbleiter kann so vorteilhaft aufwandsgünstig bereitgestellt werden. Der Haftvermittelnde Stoff ist bevorzugt ein silanhaltiger oder silanbasierter Stoff, beispielsweise Aminosilan oder Epoxysilan, γ-Glycidoxypropyltrimethoxysilan, N-β(aminoethyl)γ-aminopropyltriethoxysilan, N-Phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilan und γ-Mercaptopropyltrimethoxysilan.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform weisen die Moldmassen, insbesondere die innere Moldmasse und die äußere Moldmasse ein zueinander verschiedenes Elastizitätsmodul auf. Weiter bevorzugt ist das Elastizitätsmodul der inneren Moldmasse größer als das Elastizitätsmodul der äußeren Moldmasse. Vorteilhaft kann auch so ein von innen nach außen abnehmender Gradient des Elastizitätsmoduls gebildet sein, so dass spontane Erwärmungsausdehnungen des so stufenweise eingebetteten Leistungstransistors, durch die so gebildeten Moldmassen, bei der die äußere Moldmasse der Ausdehnung des durch diesen eingebetteten Leistungshalbleiter federnd nachgeben kann, gut abgefedert werden können.
  • Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Erzeugen eines Leistungshalbleiters, insbesondere eines vorgemoldeten Leistungshalbleiterschalters, insbesondere Leistungstransistors gemäß der vorbeschriebenen Art.
  • Bei dem Verfahren wird auf die von einem Schaltungsträger abweisenden Anschlüsse des Leistungshalbleiterschalters, insbesondere Steueranschluss, und Schaltstreckenanschluss, eine die Anschlüsse elektrisch überbrückendes Brücken-Kontaktelement aufgesetzt, und das Brücken-Kontaktelement mit den Anschlüssen verlötet, oder versintert. Der Leistungshalbleiterschalter wird zusammen mit dem Brücken-Kontaktelement mit einer insbesondere partikelgefüllten Mold-Masse ummoldet, und so eingebettet. In einem weiteren Schritt des Verfahrens wird ein Teil des Brücken-Kontaktelements zusammen mit einem Teil der den Leistungshalbleiterschalter einbettenden Mold-Masse abgetrennt, insbesondere abgesägt, abgeschliffen, abgefräst oder poliert, sodass auf den Anschlüssen jeweils voneinander getrennte Kontaktelemente gebildet sind. Vorteilhaft können so kleine, und filigrane Kontaktelemente aufwandsgünstig auf den Anschlüssen des Leistungstransistors erzeugt werden.
  • Bevorzugt umfasst das Brücken-Kontaktelement einen die Kontaktelemente verbindenden Steg, welcher beim Abtrennen eines den Steg aufweisenden Teiles des Brücken-Kontaktelements abgetrennt wird, so dass die Kontaktelemente jeweils voneinander getrennt sind. Vorteilhaft können die Kontaktelemente so aufwandsgünstig mit dem Leistungshalbleiterschalter verbunden und erzeugt werden.
  • In einer vorteilhaften Ausführungsvariante werden durch das Brücken-Kontaktelement mehrere Chips kontaktiert. Das Brücken-Kontaktelement kann so mehrere Chips eines Wafers gemeinsam überbrückend kontaktieren, die dann - nach einem Abtrennen des Stegs oder der Stege - vereinzelt werden können.
  • So können vorteilhaft mehrere Chips oder auch ein ganzes Panel, insbesondere gebildet durch einen Halbleiter-Wafer, mit einem größeren Brückenelement kontaktiert werden, welches ausgebildet ist, die Kontaktflächen mehrerer zueinander benachbarter Leistungshalbleiter-Chips einander überbrückend zu kontaktieren.
  • In einer vorteilhaften Ausführungsform kann so eine mehrere Brücken-Kontaktelemente aufweisende Gegenplatte entsprechend zu einem Wafer bereitgestellt werden, und in einem Sinterschritt auf den gesamten Wafer aufgesetzt werden, um dann in einem weiteren Schritt mit dem Wafer stoffschlüssig elektrisch verbunden, insbesondere versintert oder verlötet werden.
  • Beispielsweise kann das Sinter- oder Lotmaterial auf die Kontaktflächen zum kontaktieren des Leistungshalbeiters, auf das Brückenelement aufgebracht werden, oder durch ein Ausstanzen aus einem Sinterfilm auf die Brücken-Kontaktelemente übertragen werden.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform schließen die Kontaktelemente mit der diese umgebenden Mold-Masse bündig ab. Vorteilhaft kann der Leistungshalbleiter so in einer Mold-Form durch Spritzgießen, oder Casting, insbesondere Transfermolden erzeugt werden.
  • In einer bevorzugten Variante des Verfahrens sind nach außen weisende Kontaktflächen der Kontaktelemente weiter voneinander beabstandet, als die auf dem Leistungshalbleiterschalter, durch die Kontaktelemente jeweils kontaktierten Kontaktflächen des Leistungshalbleiterschalters. Vorteilhaft kann so ein Abstand der Kontakte zueinander, und so eine Spannungsfestigkeit des Leistungshalbleiterschalters, verbessert sein. Weiter vorteilhaft kann aufgrund des größeren Abstandes der Kontaktflächen der Kontaktelemente im Vergleich zu den Kontaktflächen des Leistungshalbleiterschalters die elektrische Verbindbarkeit, insbesondere Bondbarkeit, Lötbarkeit oder Sinterbarkeit des so ummoldeten Leistungshalbeleiterschalters verbessert sein.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens wird der Leistungshalbleiterschalter, insbesondere der Leistungstransistor zusammen mit dem Mold-Gehäuse, mit einem Schaltungsträger stoffschlüssig verbunden, insbesondere verlötet oder versintert. In einem weiteren Verfahrensschritt wird der so erzeugte Leistungshalbleiter mit Bonddrähten oder durch einen weiteren Schaltungsträger kontaktiert, und so - insbesondere mit mehreren Leistungstransistoren - wenigstens eine Halbleiterschalter-Halbbrücke, uns so eine Kommutierzelle für einen Inverter ausgebildet. In einem weiteren Verfahrensschritt wird der Leistungshalbleiter zusammen mit dem Schaltungsträger in eine insbesondere äußere Mold-Masse, insbesondere partikelgefüllte Mold-Masse, eingebettet. Vorteilhaft kann so eine spannungsfeste Kommutierzelle ausgebildet sein. Bevorzugt ist die äußere Mold-Masse von der den Leistungshalbeliterschalter, insbesondere Leistungstransistor einbettenden inneren Moldmasse, verschieden. Bevorzugt kann die äußere Moldmasse eine größere Fließfähigkeit im ungehärteten Zustand aufweisen als die innere Moldmasse. Vorteilhaft kann die äußere Moldmasse so den Schaltungsträger, Lotstellen und Bonddrähte gut umfließen und sicher einbetten. Das Moldmodul kann weiter vorteilhaft so aufwandsgünstig bereitgestellt werden.
  • Die Erfindung wird nun im Folgenden anhand von Figuren und weiteren Ausführungsbeispielen beschrieben. Weitere vorteilhafte Ausführungsvarianten ergeben sich aus einer Kombination der in den abhängigen Ansprüchen und in den Figuren beschriebenen Merkmale.
    • 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel für einen insbesondere vorverpackten Leistungshalbleiter in einer Schnittdarstellung, dessen zum elektrischen Verbinden ausgebildete Anschlüsse jeweils mit einem Kontaktelement verbunden sind, das in einer Moldverpackung des Leistungshalbleiters einen nach außen kontaktierbaren Anschluss ausbildet;
    • 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel für einen insbesondere vorverpackten Leistungshalbleiter in einer Schnittdarstellung, dessen zum elektrischen Verbinden ausgebildete Anschlüsse jeweils mit einem Kontaktelement verbunden sind, das in einer Moldverpackung des Leistungshalbleiters einen nach außen kontaktierbaren Anschluss ausbildet, wobei ein Abstand der von außen kontaktierbaren Kontaktflächen im Vergleich zu den Kontaktflächen am Leitungstransistor vergrößert ist;
    • 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel für einen insbesondere vorverpackten Leistungshalbleiter in einer Schnittdarstellung, dessen zum elektrischen Verbinden ausgebildete Anschlüsse jeweils mit einem Kontaktelement verbunden sind, das in einer Moldverpackung des Leistungshalbleiters einen nach außen kontaktierbaren Anschluss ausbildet, wobei eine Kontaktfläche der von außen kontaktierbaren Kontaktflächen im Vergleich zu den Kontaktflächen am Leitungstransistor vergrößert ist;
    • 4 zeigt ein Ausführungsbeispiel für einen insbesondere vorverpackten Leistungshalbleiter in einer Schnittdarstellung, dessen zum elektrischen Verbinden ausgebildete Anschlüsse jeweils mit einem Kontaktelement verbunden sind, das in einer Moldverpackung des Leistungshalbleiters einen nach außen kontaktierbaren Anschluss ausbildet, wobei eine Kontaktfläche der von außen kontaktierbaren Kontaktflächen im Vergleich zu den Kontaktflächen am Leitungstransistor durch ein gestuftes Kontaktelement vergrößert ist;
    • 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel für einen Leistungshalbleiter mit einem moldverpackten Leistungstransistor, dessen durch eine Moldmasse gebildetes Moldgehäuse eine Schräge aufweist, die zu äußeren Anschlüssen hinweist;
    • 6 zeigt ein Ausführungsbeilspiel für ein Mold-Modul, das einen Leistungshalbleiter aufweist, der in eine Moldmasse eingebettet ist, die von der Moldmasse des Leistungshalbleiters verschieden ist.
  • 1 zeigt - schematisch - ein Ausführungsbeispiel für einen insbesondere vorverpackten Leistungshalbleiter 1, insbesondere verpackter Leistungstransistor in einer Schnittdarstellung. Der Leistungshalbleiter 1 weist einen Leistungstransistor 2, insbesondere gehäuselosen Leistungstransistor auf, welcher beispielsweise ein Feldeffekttransistor, ein IGBT-Transistor (IGBT = Insulated-Gate-Bipolar-Transistor), oder ein HEMT-Transistor (HEMT = High-Electron-Mobility-Transistor) sein kann. Der Leistungstransistor weist einen Schaltstreckenanschluss 3, insbesondere Source-Anschluss auf, einen Steueranschluss 4, insbesondere Gate-Anschluss, und einen weiteren Schaltstreckenanschluss 10, insbesondere Drain-Anschluss auf. Der weitere Schaltstreckenanschluss 10 ist auf einer zum Versintern oder zum Verlöten mit einem Schaltungsträger ausgebildeten Seite, insbesondere Oberflächenbereich des in diesem Ausführungsbeispiel quaderförmigen Leistungstransistors 2 ausgebildet. Der Schaltstreckenanschluss 3 und der Steueranschluss 4 sind jeweils auf einer dazu entgegengesetzten Seite ausgebildet. Die Seiten des Leistungstransistors erstrecken sich in diesem Ausführungsbeispiel parallel zueinander. 1 zeigt auch ein Brücken-Kontaktelement 8, welches ein Kontaktelement 7 für den Steueranschluss 4, und ein Kontaktelement 6 zum Kontaktieren des Steueranschlusses 3 aufweist, und welche mittels einer Metallbrücke miteinander verbunden sind. Das Brücken-Kontaktelement 8 ist so einstückig ausgebildet, und kann beispielsweise durch Metallformen, insbesondere Spritzgießen, Fräsen oder Laserablation erzeugt sein.
  • Das Brücken-Kontaktelement 8 kann zum Erzeugen des vorverpackten Leistungshalbleiters 1 auf den Steueranschluss 4 und den Schaltstreckenanschluss 3 derart aufgesetzt werden, dass das Kontaktelement 6 auf dem Schaltstreckenanschluss 3 aufliegt, und das Kontaktelement 7 auf dem Steueranschluss 4 aufliegt. Der Steueranschluss 4 und der Schaltstreckenanschluss 3 können zuvor mittels eines Lotmittels 5, oder Sintermittels benetzt, oder berakelt worden sein. Das Brücken-Kontaktelement 8 kann dann mit dem Leistungstransistor 2 stoffschlüssig verbunden, insbesondere verlötet oder versintert werden. In einer anderen Ausführungsform kann das Brücken-Kontaktelement 8 vor dem Aufsetzen auf die Anschlüsse mit Lot- oder Sinterpaste bedruckt oder berakelt werden.
  • Der Leistungstransistor 2 kann dann gemeinsam mit dem Brücken-Kontaktelement 8 mit einer - insbesondere mit einem - insbesondere großen - Anteil an Partikeln gefüllten und/oder an den Leistungstransistor CTEangepassten - Mold-Masse 44 eingebettet werden. Nach einem Aushärten der Mold-Masse 44 kann - entlang einer gestrichelt dargestellten Trennebene 9 - ein Teil 8` des Brücken-Kontaktelements 8 zusammen mit der dieses umgebenden Mold-Masse abgetrennt werden, sodass auf dem Schaltstreckenanschluss 3 ein von dem Steueranschluss 4 galvanisch und elektrisch getrenntes Kontaktelement 6' ausgebildet ist, und auf dem Steueranschluss 4 ein diesen kontaktierendes, von dem Schaltstreckenanschluss 3 getrenntes Kontaktelement 7' ausgebildet ist. Die Kontaktelemente 6' und 7' schließen somit einer durch die Mold-Masse 44 auf der so zum elektrischen stoffschlüssigen Verbinden, insbesondere Drahtbonden, Versintern oder Verlöten mit einem Umverdrahtungs-Schaltungsträger gebildeten Oberfläche des so gebildeten vorverpackten Leistungshalbleiters 1 bündig ab.
  • 2 zeigt - schematisch - ein Ausführungsbeispiel für einen vorverpackten Leistungshalbleiter 11, insbesondere Leistungstransistor, welcher einen gehäuselosen Leistungstransistor 12 aufweist, welcher in eine Mold-Masse 44 eingebettet ist. Der Leistungstransistor 12 weist einen Schaltstreckenanschluss 13, einen Steueranschluss 14, und einen weiteren Schaltstreckenanschluss 20 auf. 2 zeigt auch ein Brücken-Kontaktelement 18, welches ein in diesem Ausführungsbeispiel als Parallelepiped mit insbesondere rautenförmigem Querschnitt ausgebildetes Kontaktelement 17, und ein in diesem Ausführungsbeispiel quaderförmiges Kontaktelement 16 umfasst, welche jeweils mit einer Metallbrücke miteinander verbunden sind. Das Brücken-Kontaktelement 18 kann mit dem Leistungstransistor 12 derart mit einem Lotmittel 5 oder einem Sintermittel stoffschlüssig verbunden werden, dass das Kontaktelement 16 mit dem Schaltstreckenanschluss 13, und das Kontaktelement 17, insbesondere parallelepipedförmige Kontaktelement 17, mit dem Steueranschluss 14 verbunden ist. Nach einem Ummolden mit der Mold-Masse 44 kann entlang einer Trennebene 19 ein Teil des Brücken-Kontaktelements 18 und der dieses umgebenden Mold-Masse abgetrennt, insbesondere abgesägt, abgeschliffen, laserabgetragen oder wegpoliert werden, sodass ein Abstand 15, welcher zwischen dem auf dem Schaltstreckenanschluss 3 ausgebildeten Kontaktelement 16', und auf dem Steueranschluss 14 ausgebildeten Kontaktelement 17' im Vergleich zu den zwischen dem Source-Anschluss 13 und dem Steueranschluss 14 ausgebildeten Abstand vergrößert ist. Dadurch kann eine weitere vorteilhafte Kontaktierung aufwandsgünstig erfolgen.
  • 3 zeigt - schematisch - ein Ausführungsbeispiel für einen Leistungshalbleiter 21, welcher einen Leistungstransistor 22 mit einem Schaltstreckenanschluss 23, einem Steueranschluss 24, und einem weiteren Steueranschluss 30 aufweist. 3 zeigt auch ein Brücken-Kontaktelement 28, welches ein quaderförmiges Kontaktelement 26 zum Verbinden mit dem Schaltstreckenanschluss 23, und ein keilförmig ausgebildetes Kontaktelement 27 zum Verbinden mit dem Steueranschluss 24. Nach einem Verlöten des Brücken-Kontaktelements 28 mit dem Leistungstransistor 22, und einem Abtrennen eines Teils des Brücken-Kontaktelements 28 entlang der Trennebene 29, ist eine nach außen weisende Fläche des Kontaktelements 26' gleich groß ausgebildet, wie eine Fläche des Schaltstreckenanschlusses 23. Eine Fläche 25 des Kontaktelements 27`, welches mit dem Steueranschluss 24 verbunden ist, ist größer ausgebildet, als eine Kontaktfläche des Steueranschlusses 24. Vorteilhaft kann das Kontaktelement 27' leicht durch eine Bond-Vorrichtung zugänglich sein, und ein Bond-Draht zum Verbinden mit dem Kontaktelement 27' auf der Kontaktfläche 25 beispielsweise durch ein Bond-Band gebildet sein, welches eine größere Breite aufweist, als eine größte Oberflächenabmessung, oder Oberflächendurchmesser des Steueranschlusses 24. Die Vergrößerung der Kontaktfläche des Steueranschlusses 24 durch das Kontaktelement 27' kann unabhängig von der Kontaktfläche des Kontaktelements 26' gebildet sein. Die nach Außen weisende Fläche des Kontaktelements 26' kann - anders als in 3 dargestellt - größer, gleichgroß oder kleiner sein als die Fläche des Schaltstreckenschlusses 23.
  • 4 zeigt ein Ausführungsbeispiel für einen Leistungshalbleiter 31, welcher einen Leistungstransistor 32, mit einem Schaltstreckenanschluss 33, und einem Steueranschluss 34, und einem weiteren Schaltstreckenanschluss 40, insbesondere Drain-Anschluss aufweist. 4 zeigt - schematisch - auch ein Brücken-Kontaktelement 38, welches ein stufenförmiges Kontaktelement 37 zum Verbinden mit dem Steueranschluss 34, und ein zum Kontaktieren des Steueranschlusses 33 ausgebildetes, quaderförmiges Kontaktelement 36 auf. Die Kontaktelemente 36 und 37 sind jeweils mittels eines Stegs 42 miteinander verbunden. Das Brücken-Kontaktelement 38 weist dazu eine zwischen den Kontaktelementen 36 und 37 gebildete Aussparung 43 auf. Nach einem Abtrennen des Stegs 42, insbesondere Metallbrücke, entlang der Trennebene 39 sind die Kontaktelemente 36 und 37 voneinander getrennt.
  • Eine nach außen weisende Kontaktfläche 35 des abgetrennten Kontaktelements 37`, welches mit dem Steueranschluss 34 mittels eines Lotmittels 5 oder eines Sintermittels verbunden ist, ist größer ausgebildet, als eine Kontaktfläche 41 des Steueranschlusses 34. Die Kontaktfläche des von dem Brücken-Kontaktelement 38 abgetrennten Kontaktelement 36', welche mit dem Schaltstreckenanschluss 33 mittels des Lotmittels 5 stoffschlüssig verbunden ist, ist in diesem Ausführungsbeispiel genauso groß ausgebildet, wie die Kontaktfläche des Schaltstreckenanschlusses 33.
  • Die Kontaktfläche des Kontaktelements 36`, des Kontaktelements 26', oder des Kontaktelements 16', oder des Kontaktelements 6` können jeweils größer ausgebildet sein, als die Kontaktfläche des durch diese jeweils kontaktierten Steueranschlusses 3, 13, 23, beziehungsweise 33.
  • Die in den 1, 2, 3 und 4 jeweils gezeigten Leistungshalbleiter 1, 11, 21 oder 31 können jeweils nach einem Ummolden eines eine Matrix von Leistungstransistoren umfassenden Wafers oder Panels, und nach einem Abtrennen einer Schicht des Wafers, die die Brücken-Kontaktelemente umfasst, erzeugt werden, wobei die vorverpackten Leistungshalbleiter jeweils nach einem Vereinzeln aus dem gemeldeten Wafer erzeugt werden können. Ein solches Verfahren zum Erzeugen des vorverpackten Leistungshalbleiters kann beispielsweise in einem sogenannten Fan-Out-Verfahren erfolgen.
  • Die vorverpackten Leistungshalbleiter 1, 11, 21 oder 31 können jeweils - anders als zuvor beschrieben - in einem Fan-In-Verfahren erzeugt werden. Dabei können quer zu den elektrischen Anschlüssen weisende Seitenflächen von der inneren Moldmasse frei sein, insoweit ein zu vereinzelnder Wafer oder Panel beim Fan-In-Verfahren nur von der Anschlussseite mit innerer Moldmasse bedeckt ist.
  • 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel für einen Leistungshalbleiter 50, welcher jeweils aus einem Brücken-Kontaktelement 58 erzeugte Kontaktelemente 56` beziehungsweise 57' aufweist. Das Kontaktelement 56' ist mit einem Schaltstreckenanschluss 53 des Leistungshalbleiters 50 mittels eines Lotmittels 55, oder Sintermittels stoffschlüssig verbunden, und das Kontaktelement 57` ist mittels des Lot- oder Sintermittels 55 mit einem Steueranschluss 54 stoffschlüssig verbunden. Ein Abstand 51 der zum Kontaktieren des Leistungshalbleiters 50 ausgebildeten Kontaktflächen der Kontaktelemente 56` und 57' ist in diesem Ausführungsbeispiel größer ausgebildet als ein sich zwischen dem Schaltstreckenanschluss 53 und dem Steueranschluss 54 erstreckender Abstand oder Spalt.
  • Dazu ist das Kontaktelement 56' in diesem Ausführungsbeispiel parallelepiped-, oder spatförmig ausgebildet, und das Kontaktelement 57` polyederförmig, wobei die Polyederform in diesem Ausführungsbeispiel zwei zueinander parallel ausgebildete Flächen aufweist, wobei eine der zueinander parallelen Flächen zum stoffschlüssigen Verbinden mit dem Steueranschluss 54 ausgebildet ist, und die dazu parallele Fläche eine zum stoffschlüssigen Verbinden ausgebildete, insbesondere zum Bonden, Löten oder Sintern ausgebildete Oberfläche des Leistungshalbleiters 50 ausbildet.
  • Der Leistungshalbleiter 50 weist auch ein Mold-Gehäuse 63 auf, welches in diesem Ausführungsbeispiel eine um die Kontaktelemente 56' und 57' umlaufende Fase 61 aufweist, welche eine insbesondere dachförmige Schräge von einer äußeren Begrenzung des Leistungshalbleiters 50 bis hin zu den Kontaktelementen 56` und 57' ausbildet. Die Fase 61 kann beispielsweise durch Laserablation, Schleifen oder Fräsen erzeugt werden. Ein zum Verbinden mit einem Schaltungsträger ausgebildeter weiterer Schaltstreckenanschluss 60, insbesondere Drain-Anschluss ist von der Moldmasse 63 frei und kann so stoffschlüssig verbunden, insbesondere verlötet oder versintert werden.
  • In einer anderen Ausführungsform kann die Fase 61 durch eine entsprechend ausgebildete Mold-Form, insbesondere Mold-Werkzeug ausgebildet sein.
  • Das Brücken-Kontaktelement 58 kann dazu von den Kontaktelementen 56 und 57 von der Trennebene 59 an abweisend zugespitzt oder verjüngt ausgebildet sein, sodass ein Entformen durch ein Mold-Werkzeug leicht erfolgen kann.
  • 6 zeigt -schematisch - ein Mold-Modul 70, das den in 5 bereits dargestellten Leistungshalbleiter 50 aufweist. Alternativ kann das Mold-Modul 70 auch einen in den 1 bis 4 dargestellten Leistungshalbleiter 10, 20, 30, 40 aufweisen. Das Mold-Modul 70 weist einen Schaltungsträger 71 auf, der eine elektrisch isolierende Schicht 72, insbesondere Keramikschicht und eine elektrisch leitfähige Rückseitenschicht 73 zum Kontaktieren einer Wärmesenke aufweist. Der Leistungshalbleiter ist mit dem weiteren Schaltstreckenanschluss mit dem Schaltungsträger 71, insbesondere einer elektrisch leitfähigen Umverdrahtungsschicht 74 des Schaltungsträgers 71 lotverbunden oder sinterverbunden. Der Leistungshalbleiter 50 ist mit einer Treiberleiterplatte 75 verbunden, die einen Treiber 77 aufweist, der über Via-kontakte 76 mit dem Schalt-Kontaktelement 57' verbunden ist. Anstelle der Treiberleiterplatte 75 kann ein keramischer Treiber-Schaltungsträger, insbesondere LTCC-Schaltungsträger (LTCC = Low-Temperature-Cofired-Ceramics) oder DBC-Schaltungsträger (DBC = Direct-Bonded-Copper) ausgebildet sein.
  • Das Moldmodul 70 weist einen aus einer Moldmasse 74 gebildeten Moldkörper auf, in den der Leistungshalbleiter 50 zusammen mit dem Schaltungsträger 71 eingebettet ist.
  • Die den Moldkörper des Leistungshalbleiters 50 bildende Moldmasse 63 ist von der Moldmasse 74 des Moldmolduls verschieden. Die Moldmasse 74 des Moldmoduls weist in diesem Ausführungsbeispiel einen kleineren Anteil an Füllpartikeln, insbesondere Keramikpartikel auf, als die den Leistungshalbleiter einbettende Moldmasse 63. Die Moldmasse weist als Matrixmaterial beispielsweise Epoxidharz auf. Das Moldmodul bildet beispielsweise eine Kommutierzelle für einen Inverter und weist wenigstens eine Halbleiterschalter-Halbbrücke auf, wobei die Halbleiterschalter-Halbbrücke zwei Leistungshalbleiter der vorbeschriebenen Art aufweist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102016225654 A1 [0002]

Claims (11)

  1. Leistungshalbleiter (1, 11, 21, 31) für eine Kommutierzelle, wobei der Leistungshalbleiter einen quaderförmigen Leistungshalbleiterschalter, insbesondere Leistungstransistor aufweist, wobei der Leistungshalbleiterschalter (2, 12, 22, 32) auf einer Seite einen Schaltstreckenanschluss (3, 13, 23, 33) aufweist und auf einer dazu entgegengesetzten Seite einen weiteren Schaltstreckenanschluss (10, 20, 30, 40) aufweist, und einen Steueranschluss (4, 14, 24, 34) zum Schalten des Leistungshalbleiterschalters (1, 11, 21, 31), der von dem Schaltstreckenanschluss (3, 13, 23, 33, 53) beabstandet auf der Seite gebildet ist, und wobei der Leistungshalbleiter (1, 11, 21, 31) für den Schaltstreckenanschluss (3, 13, 23, 33, 53) ein mit dem Schaltstreckenanschluss (3, 13, 23, 33) verbundenes Kontaktelement (6', 16', 26', 36') aufweist, und für den Steueranschluss (4, 14, 24, 34) ein mit dem Steueranschluss (4, 14, 24, 34) verbundenes Steuer-Kontaktelement (7', 17', 27', 37') aufweist, und der Leistungshalbleiter (1, 11, 21, 31) ein Mold-Gehäuse (63, 74), insbesondere Mold-Körper, aufweist, das einen Teil der Oberfläche, insbesondere seitliche Oberflächen des Leistungstransistors (2, 12, 22, 32) bedeckt und/oder die Seite mit dem Schaltstreckenanschluss (3, 13, 23, 33) und dem Steueranschluss (4, 14, 24, 34) wenigstens teilweise bedeckt, so dass eine nach außen gewandte Kontaktfläche des Kontaktelements (6', 16', 26', 36') und des Steuer-Kontaktelements (7', 17', 27', 37') von außen kontaktiert werden kann, dadurch gekennzeichnet, dass der Leistungshalbleiterschalter (2, 12, 22, 32) einen weiteren Schaltstreckenanschluss (10, 20, 30, 40), insbesondere Drain-Anschluss aufweist, welcher von außen insbesondere unmittelbar kontaktiert werden kann.
  2. Leistungshalbleiter (1, 11, 21, 31) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Moldkörper (44, 63) mit der Kontaktfläche des Kontaktelements (6', 16', 26', 36') und des Steuer-Kontaktelements (7', 17', 27', 37') bündig abschließt.
  3. Leistungshalbleiter (1, 11, 21, 31) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktflächen der Kontaktelemente (3, 4) an der kontaktierbaren Außenseite jeweils einen größeren Abstand (15) zueinander aufweisen und/oder jeweils größer (25, 35) ausgebildet sind als die Anschlussflächen der auf dem Transistor gebildeten Anschlüsse, insbesondere Steueranschluss (4) und Schaltstreckenanschluss (3).
  4. Leistungshalbleiter (1, 11, 21, 31) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktelemente jeweils (6', 16', 26', 36', 7', 17', 27', 37') Kupfer und/oder Silber aufweisen.
  5. Leistungshalbleiter (1, 11, 21, 31) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Moldkörper (44) an der zum Kontaktieren ausgebildeten Oberfläche zu einer Seite hin eine Schräge (61) aufweist.
  6. Leistungshalbleiter (1, 11, 21, 31) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Leistungstransistor (2, 12, 22, 32, 52) nach dem Ummolden mittels Fan-Out von benachbarten Leistungstransistoren (1, 11, 21, 31) getrennt und so vereinzelt wird.
  7. Mold-Modul (70) mit einem Leistungshalbleiter (1, 11, 21, 31) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Mold-Modul (70) einen Schaltungsträger (71) und wenigstens einen Leistungshalbleiter (1, 11, 21, 31) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass der eine Leistungshalbleiter (1, 11, 21, 31) mit dem Schaltungsträger stoffschlüssig verbunden, insbesondere lotverbunden oder sinterverbunden ist, und der eine Leistungshalbleiter (1, 11, 21, 31) und wenigstens ein Teil des Schaltungsträgers in eine Moldmasse (74) eingebettet sind, die von der Moldmasse (44, 63) des Leistungshalbleiters (1, 11, 21, 31) verschieden ist.
  8. Verfahren zum Erzeugen eines Leistungshalbleiters (1, 11, 21, 31), insbesondere mit einem Leistungshalbleiterschalter (1, 11, 21, 31) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem auf die Anschlüsse (3, 4, 23, 24, 33, 34, 53, 54) des Leistungshalbleiterschalter (1, 11, 21, 31) ein die Anschlüsse elektrisch überbrückendes Brücken-Kontaktelement (42) aufgesetzt wird und das Brücken-Kontaktelement (42) mit den Anschlüssen verlötet oder versintert wird, und der Leistungshalbleiterschalter (1, 11, 21, 31) zusammen mit dem Brücken-Kontaktelement mit einer Moldmasse (44, 63) ummoldet wird, und ein Teil des Brücken-Kontaktelements zusammen mit einem Teil der den Leistungshalbleiterschalter (1, 11, 21, 31) einbettenden Moldmasse (44, 63) abgetrennt wird, so dass auf den Anschlüssen jeweils voneinander getrennte Kontaktelemente (6', 7', 16', 17', 26', 27', 36', 37', 56', 57') gebildet sind.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktelemente mit der diese umgebenden Moldmasse (44, 63) bündig abschließen.
  10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Leistungshalbleiter mit einem Schaltungsträger stoffschlüssig verbunden wird.
  11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Leistungshalbleiter (1, 11, 21, 31) zusammen mit dem Schaltungsträger in eine Mold-Masse (74) eingebettet wird, die von der Mold-Masse (44, 63) des Leistungshalbleiters (1, 11, 21, 31) verschieden ist.
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