DE102020211446A1 - Bearbeitungsverfahren für Wafer - Google Patents

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Yoshiteru Nishida
Hidekazu Iida
Kenta Chito
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Abstract

Es wird ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer mit einer Funktionsschicht an einer Seite einer vorderen Oberfläche bereitgestellt. Das Bearbeitungsverfahren umfasst: einen Laserbearbeitungsschritt eines Ausbildens von laserbearbeiteten Nuten entlang von Straßen während eines Entfernens der Funktionsschicht entlang der Straßen durch ein Ausführen einer Bestrahlung mit einem Laserstrahl und einen Schneidnutausbildungsschritts eines Ausbildens von Schneidnuten innerhalb der laserbearbeiteten Nuten entlang der Straßen durch ein Schneiden des Wafers durch eine Schneidklinge. Das Bearbeitungsverfahren umfasst auch einen Schleifschritt eines Bewirkens, dass die Schneidnuten an einer Seite einer hinteren Oberfläche des Wafers freiliegen, und eines Teilens des Wafers in mehrere Bauelementchips durch ein Schleifen der Seite der hinteren Oberfläche des Wafers und ein dünnes Ausgestalten des Wafers, und einen Bearbeitungsverformungs-Entfernungsschritt eines Zuführens eines Gases in einem Plasmazustand zur Seite der hinteren Oberfläche des Wafers und eines Entfernens einer Bearbeitungsverformung.

Description

  • TECHNISCHER HINTERGRUND
  • Hintergrund der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer mit einer Funktionsschicht, die mehrere Bauelemente ausbildet.
  • Beschreibung der verwandten Technik
  • In einem Herstellungsschritt für Bauelementchips wird ein Wafer verwendet, an dem ein Bauelement wie beispielsweise ein integrierter Schaltkreis (IC) oder eine Large Scale Integration (LSI) an einer Seite einer vorderen Oberfläche von jedem von mehreren durch mehrere in einer Gitterform angeordnete Straßen (geplanten Teilungslinien) unterteilten Bereichen ausgebildet ist. Mehrere Bauelementchips, die jeweils die Bauelemente aufweisen, werden durch ein Teilen dieses Wafers entlang der Straßen enthalten. Die Bauelementchips werden in unterschiedlichen Teilen von elektronischer Ausstattung wie beispielsweise Mobiltelefonen und PCs angebracht.
  • In vergangenen Jahren wurde es gemeinsam mit einer Reduktion der Größe und Dicke der elektronischen Ausstattung erforderlich, dass die Bauelementchips auch eine reduzierte Dicke aufweisen. Somit wird in einigen Fällen vor einem Teilen eines Wafers ein Schritt eines dünnen Ausgestaltens des Wafers durch ein Schleifen einer Seite einer hinteren Oberfläche des Wafers ausgeführt. Durch ein Teilen des Wafers nach einem Schleifen und dünnen Ausgestalten des Wafers werden Bauelementchips mit einer reduzierten Dicke erhalten.
  • Darüber hinaus ist als ein Verfahren zum Teilen eines Wafers in mehrere Bauelementchips während eines dünnen Ausgestaltens des Wafers ein Vorgang eines Teilens vor einem Schleifen (dicing before grinding, DBG) vorgeschlagen worden (siehe beispielsweise japanische Offenlegungsschrift Nr. 2003-173987 ). Im DBG-Verfahren wird zunächst eine Schneidklinge dazu gebracht, in die Seite der vorderen Oberfläche des Wafers einzuschneiden, und Schneidnuten mit einer Tiefe, die kleiner ist als die Dicke des Wafers, werden entlang von Straßen ausgebildet (Halbschnitt). Danach wird die Seite der hinteren Oberfläche des Wafers geschliffen und der Wafer wird dünn ausgestaltet, bis die Schneidnuten an der Seite der hinteren Oberfläche des Wafers freiliegen. Dadurch wird der Wafer in mehrere Bauelementchips geteilt. Wenn dieses DBG-Verfahren verwendet wird, werden solche Effekte, dass das Auftreten eines Fehlers (Abplatzung) an der Seite der hinteren Oberfläche des Wafers unterdrückt wird usw., erhalten.
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Wenn ein Wafer geteilt wird, verbleibt in einigen Fällen ein Teil einer Schicht (Funktionsschicht) mit unterschiedlichen Filmen (Isolationsfilm, elektrisch leitfähiger Film usw.), die Bauelemente ausbilden, an Straßen des Wafers. Wenn dieser Wafer durch eine Schneidklinge entlang der Straße geschnitten wird, verfängt sich die Funktionsschicht in der Schneidklinge, die sich dreht, und wird in einigen Fällen getrennt. Darüber hinaus bricht das Bauelement möglicherweise, wenn diese Trennung der Funktionsschicht das Bauelement von der Straße erreicht. Somit wird in einigen Fällen ein Verfahren verwendet, in dem die Funktionsschicht, die an den Straßen verbleibt, durch eine Bestrahlung mit einem Laserstrahl entfernt wird, bevor der Wafer durch die Schneidklinge geschnitten wird. Insbesondere wird zunächst die Funktionsschicht entlang der Straßen durch ein Bestrahlen der Seite der vorderen Oberfläche des Wafers mit dem Laserstrahl entlang der Straßen entfernt. Danach wird der Wafer durch die Schneidklinge entlang der Straßen geschnitten und der Wafer wird geteilt. Wenn dieses Verfahren verwendet wird, wird der Wafer in dem Zustand von der Schneidklinge geschnitten, in dem die Funktionsschicht von den Straßen entfernt wurde. Aus diesem Grund wird der Kontakt zwischen der Schneidklinge und der Funktionsschicht vermieden und ein Bruch des Bauelements aufgrund einer Trennung der Funktionsschicht wird verhindert.
  • Allerdings werden, wenn die Bestrahlung mit dem Laserstrahl entlang der Straßen ausgeführt wird, laserbearbeitete Nuten im Wafer entlang der Straßen ausgebildet. Darüber hinaus werden um die laserbearbeiteten Nuten eine Verformung mit einer winzigen Unebenheit, Risse usw. aufgrund eines Einflusses von durch die Bestrahlung mit dem Lasererstrahl erzeugte Wärme ausgebildet. Es besteht ein solches Problem, dass, wenn der Wafer mit einem Bereich, in dem diese Verformung ausgebildet wird (wärmebeeinflusste Schicht) in mehrere Bauelementchips geteilt wird, die wärmebeeinflusste Schicht in den Bauelementchips verbleibt und eine Biegefestigkeit (Durchbiegungsfestigkeit) der Bauelementchips sinkt.
  • Die vorliegende Erfindung ist in Anbetracht eines solchen Problems erfolgt und zielt darauf ab, ein Bearbeitungsverfahren eines Wafers bereitzustellen, dass die Verringerung der Biegefestigkeit von Bauelementchips unterdrücken kann.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer, der an einer Seite einer vorderen Oberfläche eine Funktionsschicht aufweist, die mehrere in mehreren durch mehrere Straßen unterteilten Bereichen angeordnete Bauelemente ausbildet, bereitgestellt. Das Bearbeitungsverfahren umfasst einen Laserbearbeitungsschritt eines Ausbildens von laserbearbeiteten Nuten entlang der Straßen, während die Funktionsschicht entlang der Straßen durch ein Bestrahlen der Seite der vorderen Oberfläche des Wafers mit einem Laserstrahl mit einer Absorbierbarkeit hinsichtlich des Wafers entlang der Straßen entfernt wird, und einen Schneidnutausbildungsschritt eines Ausbildens von Schneidnuten mit einer Tiefe, eine Enddicke des Wafers übersteigt, innerhalb der laserbearbeiteten Nuten entlang der Straßen durch ein Schneiden der Seite der vorderen Oberfläche des Wafers entlang der Straßen durch eine Schneidklinge, die dünner ist als eine Breite der laserbearbeiteten Nuten. Das Bearbeitungsverfahren umfasst auch einen Schutzkomponentenanhaftschritt eines Anhaftens einer Schutzkomponente an die Seite der vorderen Oberfläche des Wafers nach einer Ausführung des Schneidnutausbildungsschritts, einen Schleifschritt eines Bewirkens, dass die Schneidnuten an einer Seite einer hinteren Oberfläche des Wafers freiliegen, um den Wafer in mehrere Bauelementchips zu teilen, durch ein Halten des Wafers durch einen Einspanntisch einer Schleifvorrichtung unter Zwischenschaltung der Schutzkomponente und eines Schleifens der Seite der hinteren Oberfläche des Wafers, um den Wafer dünn auszugestalten, bis eine Dicke des Wafers die Enddicke erreicht, und einen Bearbeitungsverformungs-Entfernungsschritt eines Zuführens eines Gases in einem Plasmazustand zur Seite der hinteren Oberfläche des Wafers und eines Entfernens einer in der Seite der hinteren Oberfläche und an Seitenteilen der mehreren Bauelementchips ausgebildeten Bearbeitungsverformung. Eine um die laserbearbeiteten Nuten ausgebildete wärmebeeinflusste Schicht wird im Bearbeitungsverformungs-Entfernungsschritt entfernt.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer, der an einer Seite einer vorderen Oberfläche eine Funktionsschicht aufweist, die mehrere in mehreren durch mehrere Straßen unterteilten Bereichen angeordnete Bauelemente ausbildet, bereitgestellt. Das Bearbeitungsverfahren umfasst einen Laserbearbeitungsschritt eines Ausbildens von laserbearbeiteten Nuten mit einer Tiefe, die eine Enddicke des Wafers übersteigt, entlang der Straßen, während die Funktionsschicht entlang der Straßen entfernt wird, durch ein Bestrahlen der Seite der vorderen Oberfläche des Wafers mit einem Laserstrahl mit einer Absorbierbarkeit hinsichtlich des Wafers, entlang der Straßen, und einen Schutzkomponentenanhaftschritt eines Anhaftens einer Schutzkomponente an die Seite der vorderen Oberfläche des Wafers nach einer Ausführung des Laserbearbeitungsschritts. Das Bearbeitungsverfahren umfasst auch einen Schleifschritt eines Bewirkens, dass die laserbearbeiteten Nuten an einer Seite einer hinteren Oberfläche des Wafers freiliegen, um den Wafer in mehrere Bauelementchips zu teilen, durch ein Halten des Wafers durch einen Einspanntisch einer Schleifvorrichtung unter Zwischenschaltung der Schutzkomponente und eines Schleifens der Seite der hinteren Oberfläche des Wafers, um den Wafer dünn auszugestalten, bis eine Dicke des Wafers die Enddicke erreicht, und einen Bearbeitungsverformungs-Entfernungsschritt eines Zuführens eines Gases in einem Plasmazustand zur Seite der hinteren Oberfläche des Wafers und eines Entfernens einer in der Seite der hinteren Oberfläche und an Seitenteilen der mehreren Bauelementchips ausgebildeten Bearbeitungsverformung. Eine um die laserbearbeiteten Nuten ausgebildete wärmebeeinflusste Schicht wird im Bearbeitungsverformungs-Entfernungsschritt entfernt.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer, der an einer Seite einer vorderen Oberfläche eine Funktionsschicht aufweist, die mehrere in mehreren durch mehrere Straßen unterteilten Bereichen angeordnete Bauelemente ausbildet, bereitgestellt. Das Bearbeitungsverfahren umfasst einen Laserbearbeitungsschritt eines Ausbildens von laserbearbeiteten Nuten entlang der Straßen, um den Wafer in mehrere Bauelementchips zu teilen, während die Funktionsschicht entfernt wird, entlang der Straßen, durch ein Ausführen einer Bestrahlung mit einem Laserstrahl mit einer Absorbierbarkeit hinsichtlich des Wafers entlang der Straßen, einen Schutzkomponentenanhaftschritt eines Anhaftens einer Schutzkomponente an die Seite der vorderen Oberfläche des Wafers nach einer Ausführung des Laserbearbeitungsschritts, und einen Entfernungsschritt einer wärmebeeinflussten Schicht eines Zuführens eines Gases in einem Plasmazustand zu einer Seite einer hinteren Oberfläche des Wafers und eines Entfernens einer um die laserbearbeiteten Nuten ausgebildeten wärmbeeinflussten Schicht nach einer Ausführung des Schutzkomponentenanhaftschritts.
  • Im Bearbeitungsverfahren für einen Wafer gemäß dem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird die um die laserbearbeiteten Nuten ausgebildete wärmebeeinflusste Schicht durch ein Zuführen des Gases im Plasmazustand zum in die mehreren Bauelementchips geteilten Wafer durch die Ausbildung von laserbearbeiteten Nuten durch die Bestrahlung mit dem Laserstrahl entfernt. Dies kann verhindern, dass die wärmebeeinflusste Schicht an den Bauelementchips verbleibt und das Verringern der Biegefestigkeit der Bauelementchips unterdrücken.
  • Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art, diese zu realisieren, werden ersichtlicher und die Erfindung selbst wird am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und der angehängten Ansprüche unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, verstanden.
  • Figurenliste
    • 1A ist eine Perspektivansicht, die einen Wafer darstellt;
    • 1B ist eine Schnittansicht, die den Wafer darstellt;
    • 2A ist eine teilweise geschnittene Vorderansicht, die den Wafer in einem Laserbearbeitungsschritt darstellt;
    • 2B ist eine vergrößerte Draufsicht, die einen Teil des Wafers darstellt, in dem eine laserbearbeitete Nut ausgebildet ist;
    • 3A ist eine teilweise geschnittene Vorderansicht, die den Wafer in einem Schneidnutausbildungsschritt darstellt;
    • 3B ist eine vergrößerte Draufsicht, die einen Teil des Wafers darstellt, in dem eine Schneidnut ausgebildet ist;
    • 4A ist eine Perspektivansicht, die den Wafer in einem Schutzkomponentenanhaftschritt darstellt;
    • 4B ist eine Perspektivansicht, die den Wafer darstellt, an dem eine Schutzkomponente angehaftet ist;
    • 5 ist eine Vorderansicht, die den Wafer in einem Schleifschritt darstellt;
    • 6 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Plasmabehandlungsvorrichtung darstellt;
    • 7 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Teil des Wafers darstellt, zu dem Gas in einem Plasmazustand zugeführt wird;
    • 8A ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Teil des Wafers darstellt, in dem die laserbearbeiteten Nuten ausgebildet sind;
    • 8B ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Teil des Wafers darstellt, in dem eine wärmebeeinflusste Schicht um die laserbearbeiteten Nuten entfernt wurde;
    • 9A ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Teil des Wafers darstellt, in dem Laserteilungsnuten ausgebildet sind; und
    • 9B ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Teil des Wafers darstellt, in dem eine wärmebeeinflusste Schicht um die Laserteilungsnuten entfernt wurde.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unten unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben werden. Zunächst wird ein Ausgestaltungsbeispiel eines Wafers, der durch ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer gemäß der vorliegenden Ausführungsform bearbeitet werden kann, beschrieben werden. 1A ist eine Perspektivansicht, die einen Wafer 11 darstellt, und 1B ist eine Schnittansicht, die den Wafer 11 darstellt.
  • Beispielsweise ist der Wafer 11 in einer kreisförmigen Scheibenform mit Silizium oder dergleichen ausgebildet und weist eine vordere Oberfläche 11a und eine hintere Oberfläche 11b auf. Darüber hinaus ist der Wafer 11 durch mehrere in einer Gitterform angeordnete Straßen (geplante Teilungslinien) 13 in mehrere rechteckige Bereiche segmentiert und ein Bauelement 15 wie beispielsweise ein IC oder eine LSI ist in jedem dieser mehreren Bereiche ausgebildet. Es besteht keine Beschränkung hinsichtlich des Materials, der Form, der Struktur, der Größe usw. des Wafers 11. Beispielweise könnte der Wafer 11 ein Substrat sein, dass aus einem Material wie beispielsweise einem von Silizium unterschiedlichen Halbleiter (GaAS, InP, GaN, SiC oder dergleichen), Keramik, Kunststoff oder Metall ausgestaltet ist und eine optionale Größe und Form aufweist. Zusätzlich gibt es auch keine Beschränkung hinsichtlich der Art, Menge, Form, Struktur, Größe, Anordnung usw. der am Wafer 11 ausgebildeten Bauelemente 15.
  • Wie in 1B dargestellt ist, ist eine Funktionsschicht (Bauelementschicht) 17, welche die mehreren Bauelemente 15 ausbildet, an der Seite der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 ausgebildet. Die Funktionsschicht 17 ist eine unterschiedliche Filme (Isolationsfilm, elektrisch leitfähiger Film usw.) enthaltende Schicht, welche die Bauelemente 15 ausbilden. Beispielsweise weist die Funktionsschicht 17 einen elektrisch leitfähigen Film, der Elektroden und Verbindungen der Bauelemente 15 ausbildet, und Isolationsfilme wie beispielsweise einen Isolationsfilm mit einer niedrigen dielektrischen Konstante (Low-k-Film), der einen Zwischenschicht-Isolationsfilm der Bauelemente 15 ausbildet, und einen Passivierungsfilm, der die Bauelement 15 schützt, auf. Die durch die Straßen 13 in der Funktionsschicht 17 unterteilten Bereiche entsprechen jeweils dem Bauelement 15.
  • Wenn der Wafer 11 entlang der Straßen 13 geschnitten wird, wird der Wafer 11 in mehrere Bauelementchips, die jeweils das Bauelement 15 beinhalten, geteilt. Zum Teilen des Wafers 11 wird beispielsweise eine Schneidvorrichtung, die den Wafer 11 durch eine ringförmige Schneidklinge schneidet, verwendet. Die Schneidvorrichtung weist einen Einspanntisch, der den Wafer 11 hält, und eine Schneideinheit, an der die Schneidklinge, die den Wafer 11 schneidet, angebracht ist, auf. Die Schneidklinge wird gedreht und wird dazu gebracht, entlang der Straße 13 in den vom Einspanntisch gehaltenen Wafer 11 zu schneiden und dadurch wird der Wafer 11 entlang der Straße 13 geschnitten. Darüber hinaus wird der Wafer 11, wenn der Wafer 11 entlang aller Straßen 13 geschnitten wird, in die mehreren Bauelementchips geteilt.
  • Allerdings ist, wie in 1B dargestellt ist, ein Teil der Funktionsschicht 17 auch an der Straße 13 des Wafers 11 ausgebildet. Darüber hinaus verfängt sich die Funktionsschicht 17, die an der Straße 13 verbleibt, wenn die Schneidklinge dazu gebracht wird, entlang der Straße 13 in den Wafer 11 einzuschneiden, in der Schneidklinge, die sich dreht, und wird in einigen Fällen getrennt. Beispielsweise wird, wenn der in der Funktionsschicht 17 vorhandene Low-k-Film an der Straße 13 verbleibt, dieser Low-k-Film einfach durch die Schneidklinge abgezogen. Darüber hinaus bricht das Bauelement 15 möglicherweise, wenn die Trennung der Funktionsschicht 17 das Bauelement 15 erreicht.
  • Somit werden im Bearbeitungsverfahren eines Wafers gemäß der vorliegenden Ausführungsform zunächst durch ein Bestrahlen der Seite der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 mit einem Laserstrahl entlang der Straßen 13 laserbearbeitete Nuten entlang der Straßen 13 ausgebildet, während die Funktionsschicht 17 entlang der Straßen 13 entfernt wird (Laserbearbeitungsschritt). 2A ist eine teilweise geschnittene Vorderansicht, die den Wafer 11 im Laserbearbeitungsschritt darstellt. Im Laserbearbeitungsschritt wird der Wafer 11 unter Verwendung einer Laserbearbeitungsvorrichtung 10 mit dem Laserstrahl bestrahlt. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 10 weist einen Einspanntisch (Haltetisch) 12, der den Wafer 11 hält, und eine Laserbestrahlungseinheit 14, die einen Laserstrahl 16 zum am Einspanntisch 12 gehaltenen Wafer 11 emittiert, auf.
  • Die obere Oberfläche des Einspanntischs 12 bildet eine Halteoberfläche 12a aus, die den Wafer 11 hält. Beispielsweise ist die Halteoberfläche 12a in einer kreisförmigen Form mit einem größeren Durchmesser als der Wafer 11 ausgebildet. Allerdings ist die Form der Halteoberfläche 12a nicht beschränkt und wird gemäß der Form des Wafers 11 geeignet eingestellt. Darüber hinaus ist die Halteoberfläche 12a durch eine (nicht dargestellte) innerhalb des Einspanntischs 12 ausgebildete Ansaugleitung mit einer (nicht dargestellten) Ansaugquelle wie beispielsweise einem Ejektor verbunden. Es gibt keine Begrenzung hinsichtlich der Art und der Struktur des Einspanntischs, der den Wafer 11 hält. Beispielsweise könnte ein Einspanntisch, der den Wafer 11 durch ein mechanisches Verfahren, ein elektrisches Verfahren oder dergleichen hält, anstelle des Einspanntischs 12 verwendet werden.
  • Ein (nicht dargestellter) Bewegungsmechanismus und ein (nicht dargestellter) Drehmechanismus sind mit dem Einspanntisch 12 verbunden. Der Bewegungsmechanismus bewegt den Einspanntisch 12 entlang einer Bearbeitungszuführrichtung (erste horizontale Richtung) und einer Indexzuführrichtung (zweite horizontale Richtung), die senkrecht zueinander sind. Darüber hinaus dreht der Drehmechanismus den Einspanntisch 12 um eine im Wesentlichen zur vertikalen Richtung (Hoch-Runter-Richtung) parallelen Drehachse.
  • Die Laserbestrahlungseinheit 14 ist über dem Einspanntisch 12 angeordnet. Die Laserbestrahlungseinheit 14 emittiert den Laserstrahl 16 zum Bearbeiten des Wafers 11 zum am Einspanntisch 12 gehaltenen Wafer 11. Insbesondere weist die Laserbestrahlungseinheit 14 einen Laseroszillator aus einem YAG-Laser, einem YVO4-Laser oder dergleichen und einen Lichtkollektor auf, der bewirkt, dass ein auf eine gepulste Weise durch den Laseroszillator oszillierter Laserstrahl an einer vorgegebenen Position gebündelt wird. Die Wellenlänge des Laserstrahls 16 ist auf eine solche Weise festgelegt, dass zumindest ein Teil des Laserstrahls 16 vom Wafer 11 absorbiert wird (Laserstrahl 16 weist eine Absorptionsfähigkeit in Bezug auf den Wafer 11 auf). Darüber hinaus ist der Bestrahlungszustand (Leistung, Spot-Durchmesser, Wiederholungsfrequenz usw.) des Lasers 16 auf eine solche Weise festgelegt, dass eine Ablationsbearbeitung für den Wafer 11 ausgeführt wird, wenn der Wafer 11 mit dem Laserstrahl 16 bestrahlt wird.
  • Im Laserbearbeitungsschritt wird der Wafer 11 zunächst vom Einspanntisch 12 gehalten. Insbesondere wird der Wafer 11 auf eine solche Weise am Einspanntisch 12 angeordnet, dass die Seite der vorderen Oberfläche 11a (Seite der Funktionsschicht 17, siehe 1B) nach oben freiliegt und die Seite der hinteren Oberfläche 11b zur Halteoberfläche 12a gegenüber angeordnet ist. Wenn ein Unterdruck der Ansaugquelle dazu gebracht wird, in diesem Zustand an der Halteoberfläche 12a zu wirken, wird der Wafer 11 vom Einspanntisch 12 angesaugt und gehalten. Ein Schutzband oder dergleichen, das den Wafer 11 schützt, könnte an die Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 angehaftet werden.
  • Als nächstes wird der Einspanntisch 12 auf eine solche Weise gedreht, dass die Längenrichtung von einer Straße 13 (siehe 1A) im Wesentlichen parallel zur Bearbeitungszuführrichtung wird. Darüber hinaus wird die Position des Einspanntischs 12 auf eine solche Weise eingestellt, dass der Lichtfokuspunkt des Laserstrahls 16 an einer Erstreckungslinie der einen Straße 13 positioniert wird. Darüber hinaus wird die Höhe des Lichtfokuspunktes des Laserstrahls 16 auf eine solche Weise eingestellt, dass der Laserstrahl 16 an der Seite der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 gebündelt wird. Dann wird der Einspanntisch 12, wie in 2A dargestellt, entlang der Bearbeitungszuführrichtung (durch Pfeil A dargestellte Richtung) bewegt, während eine Bestrahlung mit dem Laserstrahl 16 von der Laserbestrahlungseinheit 14 ausgeführt wird. Dadurch wird die Seite der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 entlang der einen Straße 13 mit dem Laserstrahl 16 bestrahlt und eine Ablationsbearbeitung wird für den Wafer 11 ausgeführt.
  • Wenn die Seite der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 mit dem Laserstrahl 16 bestrahlt wird, wird die Funktionsschicht 17 (siehe 1B) entlang der einen Straße 13 entfernt. Zusätzlich wird eine laserbearbeitete Nut 11c mit einer vorgegebenen Tiefe mit einer Linienform an der Seite der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 entlang der einen Straße 13 ausgebildet. Die Funktionsschicht 17 könnte durch eine Ablation basierend auf der Bestrahlung mit dem Laserstrahl 16 entfernt werden oder könnte als das Ergebnis der Ausbildung der laserbearbeiteten Nut 11c im Wafer 11 entfernt werden.
  • 2B ist eine vergrößerte Draufsicht, die einen Teil des Wafers 11 darstellt, in dem die laserbearbeitete Nut 11c ausgebildet ist. Wenn der Wafer 11 mit dem Laserstrahl 16 entlang der Straße 13 bestrahlt wird, wird die lineare laserbearbeitete Nut 11c mit einer geringeren Breite als die Breite der Straße 13 (Abstand zwischen benachbarten Bauelementen 15) im Wafer 11 entlang der Straße 13 ausgebildet. Die Breite der laserbearbeiteten Nut 11c wird beispielsweise durch ein Steuern des Spot-Durchmessers des Laserstrahls 16 eingestellt. In 2B wird dem Bereich, in dem die laserbearbeitete Nut 11c ausgebildet wird, ein Muster zugeordnet. Auch wenn auf eine darstellende Wiedergabe in 2B verzichtet wird, wird die Funktionsschicht 17 (siehe 1B) durch die Bestrahlung mit dem Laserstrahl 16 in dem Bereich entfernt, der sich mit der laserbearbeiteten Nut 11c überschneidet.
  • Danach wird der gleiche Vorgang wiederholt, um die Funktionsschicht 17 entlang aller Straßen 13 zu entfernen und die laserbearbeiteten Nuten 11c auszubilden. Dadurch werden die laserbearbeiteten Nuten 11c gitterartig an der Seite der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 ausgebildet. Im Laserbearbeitungsschritt könnte eine Bestrahlung mit dem Laserstrahl 16 mehrfach entlang jeder Straße 13 ausgeführt werden.
  • Darüber hinaus könnte im Laserbearbeitungsschritt ein Schutzfilm an der Seite der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 ausgebildet werden, bevor der Wafer 11 mit dem Laserstrahl 16 bestrahlt wird. Wenn der Schutzfilm an der Seite der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 ausgebildet wird und der Wafer 11 mit dem Laserstrahl 16 durch diesen Schutzfilm bestrahlt wird, kann verhindert werden, dass aufgrund der Bestrahlung mit dem Laserstrahl 16 erzeugter Bearbeitungsstaub (Abrieb) an der Seite der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 anhaftet. Dieser Schutzfilm wird entfernt, nachdem die Ausbildung der laserbearbeiteten Nuten 11c abgeschlossen ist. Als der Schutzfilm kann beispielsweise ein wasserlöslicher Kunststoff wie beispielsweise Polyvinylalkohol (PVA) oder Polyethylenglykol (PEG) verwendet werden. Wenn der Schutzfilm aus dem wasserlöslichen Kunststoff ausgestaltet ist, kann der Schutzfilm einfach durch ein Zuführen von Reinwasser oder dergleichen zur Seite der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 entfernt werden.
  • Als nächstes werden Schneidnuten innerhalb der laserbearbeiteten Nuten 11c entlang der Straßen 13 durch ein Schneiden der Seite der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 durch eine Schneidklinge entlang der Straßen 13 ausgebildet (Schneidnutausbildungsschritt). 3A ist eine teilweise geschnittene Vorderansicht, die den Wafer 11 in dem Schneidnutausbildungsschritt darstellt. In dem Schneidnutausbildungsschritt wird der Wafer 11 unter Verwendung einer Schneidvorrichtung 20 geschnitten. Die Schneidvorrichtung 20 weist einen Einspanntisch (Haltetisch) 22, der den Wafer 11 hält, und eine Schneideinheit 24 auf, die den vom Einspanntisch 22 gehaltenen Wafer 11 schneidet.
  • Die obere Oberfläche des Einspanntischs 22 bildet eine Halteoberfläche 22a aus, die den Wafer 11 hält. Beispielsweise ist die Halteoberfläche 22 in einer kreisförmigen Form mit einem größeren Durchmesser als der Wafer 11 ausgebildet. Allerdings ist die Form der Halteoberfläche 22a nicht beschränkt und wird gemäß der Form des Wafers 11 geeignet festgelegt. Darüber hinaus ist die Halteoberfläche 22a durch eine innerhalb des Einspanntischs 22 ausgebildete (nicht dargestellte) Strömungsleitung mit einer (nicht dargestellten) Ansaugquelle wie beispielsweise einem Ejektor verbunden. Es gibt keine Beschränkung hinsichtlich der Art und Struktur des Einspanntischs, der den Wafer 11 hält. Beispielsweise könnte ein Einspanntisch, der den Wafer 11 durch ein mechanisches Verfahren, ein elektrisches Verfahren oder dergleichen hält, anstelle des Einspanntischs 22 verwendet werden.
  • Ein (nicht dargestellter) Bewegungsmechanismus und ein (nicht dargestellter) Drehmechanismus sind mit dem Einspanntisch 22 verbunden. Der Bewegungsmechanismus bewegt den Einspanntisch 22 entlang einer Bearbeitungszuführrichtung (Vorne-Hinten-Richtung in 3A). Darüber hinaus dreht der Drehmechanismus des Einspanntischs 22 um eine im Wesentlichen zur vertikalen Richtung parallele Drehachse.
  • Die Schneideinheit 24 ist über dem Einspanntisch 22 angeordnet. Die Schneideinheit 24 weist eine entlang einer Richtung, die im Wesentlichen parallel zur Halteoberfläche 22a ist, und im Wesentlichen zur Bearbeitungszuführrichtung senkrecht ist, angeordnete zylindrische Spindel 26 auf. Eine ringförmige Schneidklinge 28, die den Wafer 11 schneidet, ist am Spitzenteil (ein Endteil) der Spindel 26 angebracht. Die Schneidklinge 28 ist beispielsweise aus einem durch ein Befestigen von diamantenen abrasiven Körnern durch eine Nickelbeschichtung erhaltenen galvanisierten abrasiven Stein ausgebildet. Eine (nicht dargestellte) Drehantriebsquelle wie beispielsweise ein Motor ist mit dem Basisendteil (der andere Endteil) der Spindel 26 verbunden. Wenn die Spindel 26 durch diese Drehantriebsquelle gedreht wird, dreht sich die an der Spindel 26 angebrachte Schneidklinge 28.
  • Darüber hinaus ist ein (nicht dargestellter) Bewegungsmechanismus mit der Schneideinheit 24 verbunden. Der Bewegungsmechanismus bewegt die Schneideinheit 24 entlang einer Indexzuführrichtung (Links-Rechts-Richtung in 3A) und der vertikalen Richtung. Durch diesen Bewegungsmechanismus werden die Position der Schneidklinge 28 in der Indexzuführrichtung und die Höhe der Schneidklinge 28 (Einschneidtiefe) eingestellt.
  • Im Schneidnutausbildungsschritt wird zunächst der Wafer 11 vom Einspanntisch 22 gehalten. Insbesondere wird der Wafer 11 auf eine solche Weise am Einspanntisch 22 angeordnet, dass die Seite der vorderen Oberfläche 11a nach oben freiliegt und die Seite der hinteren Oberfläche 11b der Halteoberfläche 22a gegenüber angeordnet ist. Wenn ein Unterdruck der Ansaugquelle dazu gebracht wird, in diesem Zustand an der Halteoberfläche 22a zu wirken, wird der Wafer 11 vom Einspanntisch 22 angesaugt und gehalten. Ein Schutzband oder dergleichen, das den Wafer 11 schützt, könnte an die Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 angehaftet werden.
  • Als nächstes wird der Einspanntisch 22 auf eine solche Weise gedreht, dass die Längenrichtung von einer Straße 13 im Wesentlichen parallel zur Bearbeitungszuführrichtung wird. Darüber hinaus wird die Höhe der Schneideinheit 24 auf eine solche Weise eingestellt, dass das untere Ende der Schneidklinge 28 relativ zum Boden der laserbearbeiteten Nut 11c zur unteren Seite und der oberen Seite relativ zur hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 angeordnet wird. Darüber hinaus wird die Position der Schneideinheit 24 in der Indexzuführrichtung auf eine solche Weise eingestellt, dass die Schneidklinge 28 an einer Erstreckungslinie der einen Straße 13 angeordnet wird. In diesem Zustand wird der Einspanntisch 22 entlang der Bearbeitungszuführrichtung bewegt, während die Schneidklinge 28 gedreht wird. Dadurch schneidet die Schneidklinge 28 in die Seite der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 entlang der Straße 13 und eine lineare Schneidnut 11d wird entlang der Straße 13 im Wafer 11 ausgebildet.
  • Im Schneidnutausbildungsschritt wird die Schneidklinge 28 verwendet, die dünner (mit einer geringeren Breite) als die Breite der im Wafer 11 ausgebildeten laserbearbeiteten Nut 11c ist. Darüber hinaus bewegt sich die Schneidklinge 28 auf eine solche Weise, dass sich in einer Draufsicht komplett mit der laserbearbeiteten Nut 11c, überschneidet und verläuft zwischen beiden Enden in der Breitenrichtung der laserbearbeiteten Nut 11c (innerhalb der laserbearbeiteten Nut 11c). Somit schneidet die Schneidklinge 28 in den Boden der laserbearbeiteten Nut 11c, ohne in Kontakt mit einem Paar innerhalb der laserbearbeiteten Nut 11c freiliegender Seitenoberflächen des Wafers 11 zu kommen. Folglich wird die Schneidnut 11d mit einer geringeren Breite als die laserbearbeitete Nut 11c in einer Draufsicht innerhalb der laserbearbeiteten Nut 11c vom Boden der laserbearbeiteten Nut 11c zur Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 hin ausgebildet. Darüber hinaus ist die Einschneidtiefe der Schneidklinge 28 (Höhendifferenz zwischen der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 und dem unteren Ende der Schneidklinge 28) so festgelegt, dass sie die Dicke des Wafers 11, nachdem der Wafer 11 in einem später zu beschreibenden Schneidschritt geschliffen wird (Enddicke des Wafers 11), d.h. den Zielwert für die Dicke des Wafers 11 im Schleifschritt, übersteigt. Somit wird die Tiefe der Schneidnut 11d (Höhendifferenz zwischen der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 und dem Boden der Schneidnut 11d) größer als die Enddicke des Wafers 11.
  • 3B ist eine vergrößerte Draufsicht, die einen Teil des Wafers 11 darstellt, in dem die Schneidnut ausgebildet ist. Wenn der Wafer 11 entlang der Straße 13 von der Schneidklinge 28 geschnitten wird, wird an der Straße 13 die Schneidnut 11d mit einer geringeren Breite als die Breite der laserbearbeiteten Nut 11c innerhalb der laserbearbeiteten Nut 11c entlang der Straße 13 ausgebildet. In 3B ist dem Bereich, in dem die Schneidnut 11d ausgebildet ist, ein von dem Bereich, in dem die laserbearbeitete Nut 11c ausgebildet ist, unterschiedliches Muster zugeordnet. Hier ist die Funktionsschicht 17 im oben beschriebenen Laserbearbeitungsschritt in den Bereichen entfernt worden, die sich mit der laserbearbeiteten Nut 11c überschneiden. Aus diesem Grund tritt ein Kontakt zwischen der Schneidklinge 28 und der Funktionsschicht 17 nicht auf, wenn das Innere der laserbearbeiten Nut 11c von der Schneidklinge 28 geschnitten wird. Dies kann verhindern, dass sich die Funktionsschicht 17 in der Schneidklinge 28, die sich dreht, verfängt und getrennt wird.
  • Danach wird der gleiche Vorgang wiederholt, um die Schneidnuten 11d entlang aller Straßen 13 auszubilden. Dadurch werden an der Seite der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 die Schneidnuten 11d mit der Tiefe, welche die Enddicke des Wafers 11 überschreitet, gitterartig entlang der Straßen 13 ausgebildet.
  • Als nächstes wird eine Schutzkomponente an die Seite der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 angehaftet (Schutzkomponentenanhaftschritt). 4A ist eine Perspektivansicht, die den Wafer 11 im Schutzkomponentenanhaftschritt darstellt. Im Schutzkomponentenanhaftschritt wird beispielsweise eine mit einer kreisförmigen Form mit einem Durchmesser, der demjenigen des Wafers 11 entspricht, ausgebildete Schutzkomponente 19 an die Seite der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 angehaftet. Die Schutzkomponente 19 wird auf eine solche Weise an den Wafer 11 angehaftet, dass sie die gesamte Seite der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 bedeckt.
  • Als die Schutzkomponente 19 wird beispielsweise ein aus einem flexiblen Kunststoff ausgestaltetes Schutzband verwendet. Insbesondere weist die Schutzkomponente 19 eine kreisförmige Basis und eine an der Basis angeordnete Haftschicht (Klebstoffschicht) auf. Die Basis ist aus einem Kunststoff wie beispielsweise einem Polyolefin, Polyvinylchlorid, oder Polyethylenterephthalat ausgestaltet und die Haftschicht ist aus einem Epoxid-basierten, acrylischen oder Kunststoff-basierten Haftmittel oder dergleichen ausgestaltet. Darüber hinaus ist es auch möglich, einen durch eine Bestrahlung mit ultravioletten Strahlen gehärteten Ultraviolett-härtbaren Kunststoff für die Haftschicht zu verwenden. Allerdings gibt es keine Beschränkung hinsichtlich des Materials der Schutzkomponente 19, solange die Schutzkomponente 19 die Seite der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 und die mehreren Bauelemente 15 schützen kann. Beispielsweise könnte die Schutzkomponente 19 ein aus Silizium, Glas, Keramik oder dergleichen ausgestaltetes Hochfestigkeits-Substrat sein und in eine Plattenform ausgebildet sein.
  • 4B ist eine Perspektivansicht, die den Wafer 11 darstellt, an den die Schutzkomponente 19 angehaftet ist. Durch die Schutzkomponente 19 werden die Seite der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 und die mehreren Bauelemente 15 bei einer Ausführung von späteren Schritten (Schleifschritt, Bearbeitungsverformungs-Entfernungsschritt usw.) geschützt.
  • Als nächstes werden die Schneidnuten 11d durch ein Schleifen der Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 und ein dünnes Ausgestalten des Wafers 11 in der hinteren Oberfläche 11b freigelegt und der Wafer 11 wird in mehrere Bauelementchips geteilt (Schleifschritt). 5 ist eine Vorderansicht, die den Wafer 11 im Schleifschritt darstellt. Im Schleifschritt wird der Wafer 11 unter Verwendung einer Schleifvorrichtung 40 geschliffen. Die Schleifvorrichtung 40 weist einen Einspanntisch (Haltetisch) 42, der den Wafer 11 hält, und eine Schleifeinheit 44, die den vom Einspanntisch 42 gehaltenen Wafer 11 schleift, auf.
  • Die obere Oberfläche des Einspanntischs 42 bildet eine Halteoberfläche 42a aus, die den Wafer 11 hält. Beispielsweise ist die Halteoberfläche 42 in einer kreisförmigen Form mit einem größeren Durchmesser als der Wafer 11 ausgebildet. Allerdings ist die Form der Halteoberfläche 42a nicht beschränkt und wird geeignet gemäß der Form des Wafers 11 festgelegt. Darüber hinaus ist die Halteoberfläche 42a durch eine innerhalb des Einspanntischs 42 ausgebildete (nicht dargestellte) Strömungsleitung mit einer (nicht dargestellten) Ansaugquelle wie beispielsweise einem Ejektor verbunden. Es gibt keine Beschränkung hinsichtlich der Art und der Struktur des Einspanntischs, der den Wafer 11 hält. Beispielsweise könnte ein Einspanntisch, der den Wafer 11 durch ein mechanisches Verfahren, ein elektrisches Verfahren oder dergleichen hält, anstelle des Einspanntischs 42 verwendet werden.
  • Ein (nicht dargestellter) Bewegungsmechanismus und ein (nicht dargestellter) Drehmechanismus sind mit dem Einspanntisch 42 verbunden. Der Bewegungsmechanismus bewegt den Einspanntisch 42 entlang der horizontalen Richtung. Drüber hinaus dreht der Drehmechanismus den Einspanntisch 42 um eine im Wesentlichen zur vertikalen Richtung parallele Drehachse.
  • Die Schleifeinheit 44 ist über dem Einspanntisch 42 angeordnet. Die Schleifeinheit 44 weist ein (nicht dargestelltes) kreisförmiges zylindrisches Gehäuse, das sich durch einen Bewegungsmechanismus (Anhebe-/Absenkmechanismus, nicht dargestellt) in der vertikalen Richtung bewegt, auf und eine kreisförmig zylindrische Spindel 46, die zu einer Drehachse wird, ist in diesem Gehäuse untergebracht.
  • Der Spitzenteil (unterer Endteil) der Spindel 46 steht vom unteren Ende des Gehäuses vor und eine Anbringung 48, die aus einem Metall oder dergleichen ausgestaltet ist und eine kreisförmige Scheibenform aufweist, ist an diesem Spitzenteil befestigt. Eine Schleifscheibe 50 mit im Wesentlichen dem gleichen Durchmesser wie die Anbringung 48 ist an der Seite der unteren Oberfläche der Anbringung 48 angebracht. Die Schleifscheibe 50 weist eine kreisförmig ringförmige Scheibenbasis 52 auf, die aus einem Metall wie beispielsweise Edelstahl oder Aluminium ausgestaltet ist. Darüber hinaus sind mehrere in einer rechteckigen Parallelepipedform ausgebildete abrasive Schleifsteine 54 an der Seite der unteren Oberfläche der Scheibenbasis 52 in im Wesentlichen gleichen Abständen entlang des äußeren Umfangs der Scheibenbasis 52 befestigt. Die unteren Oberflächen dieser mehreren abrasiven Schleifsteine 54 kommen in Kontakt mit dem Wafer 11 und dadurch wird der Wafer 11 geschliffen.
  • Eine (nicht dargestellte) Drehantriebsquelle wie beispielsweise ein Motor ist mit dem Basisendteil (oberer Endteil) der Spindel 46 verbunden. Die Schleifscheibe 50 dreht sich durch eine von dieser Drehantriebsquelle durch die Spindel 46 und die Anbringung 48 übertragene Drehkraft um eine im Wesentlichen zur vertikalen Richtung parallele Drehachse. Darüber hinaus ist eine (nicht dargestellte) Düse, die eine Schneidflüssigkeit wie beispielsweise Reinwasser zum vom Einspanntisch 42 gehaltenen Wafer 11 zuführt, in der Nähe der Schleifeinheit 44 angeordnet. Wenn der Wafer 11 von den mehrere abrasiven Schleifsteinen 54 geschliffen wird, wird die Schleifflüssigkeit von der Düse zum Wafer 11 und den mehreren abrasiven Schleifsteinen 54 zugeführt.
  • Im Schleifschritt wird zunächst der Wafer 11 vom Einspanntisch 52 gehalten. Insbesondere ist der Wafer 11 am Einspanntisch 42 auf eine solche Weise angeordnet, dass die Seite der vorderen Oberfläche 11a der Halteoberfläche 42a gegenüber angeordnet ist und die Seite der hinteren Oberfläche 11b nach oben freiliegt. Wenn ein Unterdruck der Ansaugquelle dazu gebracht wird, in diesem Zustand an der Halteoberfläche 42a zu wirken, wird der Wafer 11 vom Einspanntisch 42 angesaugt und gehalten.
  • Als nächstes wird der Einspanntisch 42, der den Wafer 11 hält, zur unteren Seite der Schleifeinheit 44 bewegt. Dann wird die Schleifscheibe 50 zum Einspanntisch 42 hin abgesenkt, während der Einspanntisch 42 und die Schleifscheibe 50 jeweils bei einer vorgegebenen Drehgeschwindigkeit in einer vorgegebenen Richtung gedreht werden. Die Absenkgeschwindigkeit der Schleifscheibe 50 zu diesem Zeitpunkt wird eingestellt, um zu bewirken, dass die mehreren abrasiven Schleifsteine 54 mit einer geeigneten Kraft gegen die Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 gedrückt werden. Wenn die unteren Oberflächen der mehreren abrasiven Schleifsteine 54, die sich drehen, in Kontakt mit der Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 treten, wird die Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 abgeschliffen. Dadurch wird eine Schleifbearbeitung für den Wafer 11 ausgeführt und der Wafer 11 wird dünner. Dann wird, wenn der Wafer 11 auf eine vorgegebene Dicke (Enddicke) dünn ausgestaltet wurde, das Schleifen des Wafers 11 beendet. Darüber hinaus wird, wenn der Wafer 11 von den mehreren abrasiven Schleifsteinen 54 geschliffen wird, die Schleifflüssigkeit von der Düse zu dem Wafer 11 und den mehreren abrasiven Schleifsteinen 54 zugeführt. Durch diese Schleifflüssigkeit werden der Wafer 11 und die mehreren abrasiven Schleifsteine 54 gekühlt und aufgrund des Schleifens des Wafers 11 erzeugter Abrieb (Schleifabrieb) wird abgewaschen.
  • Wenn der Wafer dünn ausgestaltet wurde, bis die Dicke des Wafers 11 die Enddicke erreicht, werden die entlang der Straßen 13 ausgebildeten Schneidnuten 11d in der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 freigelegt (siehe 5). Dadurch wird der Wafer 11 in mehrere jeweils das Bauelement 15 enthaltende Bauelementchips 21 geteilt.
  • Als nächstes wird ein Gas in einem Plasmazustand zur Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 zugeführt und eine in den hinteren Oberflächen und Seitenteilen der mehreren Bauelementchips 21 ausgebildete Bearbeitungsverformung wird entfernt (Bearbeitungsverformungs-Entfernungsschritt) .
  • Wenn der Laserbearbeitungsschritt (siehe 2A) ausgeführt wird, verbleibt eine aufgrund der Bestrahlung mit dem Laserstrahl 16 ausgebildete Verformung mit einer winzigen Unebenheit, Rissen usw. (Bearbeitungsverformung) in einigen Fällen um die laserbearbeiteten Nuten 11c. Beispielsweise verbleibt nach einer Ausführung des Laserbearbeitungsschritts die Bearbeitungsverformung in den in den laserbearbeiteten Nuten 11c freiliegenden Seitenoberflächen des Wafers 11, den Umgebungen davon usw. Darüber hinaus verbleibt, wenn der Schneidnutausbildungsschritt (siehe 3A) ausgeführt wird, eine aufgrund eines Kontakts mit der Schneidklinge 28 ausgebildete Verformung mit einer winzigen Unebenheit, von Rissen usw. (Bearbeitungsverformung) in einigen Fällen um die Schneidnuten 11d. Beispielsweise verbleibt nach einer Ausführung des Schneidnutausbildungsschritts die Bearbeitungsverformung in den in den Schneidnuten 11d freiliegenden Seitenoberflächen des Wafers 11, den Umgebungen davon usw. Darüber hinaus verbleibt, wenn der Schleifschritt (siehe 5) ausgeführt wird, eine aufgrund eines Kontakts mit den mehreren abrasiven Schleifsteinen 54 ausgebildete Verformung mit einer winzigen Unebenheit, von Rissen usw. (Bearbeitungsverformung) in einigen Fällen an der Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11.
  • Wenn die mehreren Bauelementchips 21 durch ein Teilen des Wafers 11 mit der oben beschriebenen Bearbeitungsverformung hergestellt werden, verbleibt die Bearbeitungsverformung in den Bauelementchips 21. Darüber hinaus verringert sich aufgrund dieser Bearbeitungsverformung eine Biegefestigkeit (Durchbiegungsfestigkeit) der Bauelementchips 21, sodass die Qualität der Bauelementchips 21 sinkt. Somit wird in der vorliegenden Ausführungsform die Bearbeitungsverformung durch ein Ausführen einer Plasmabehandlung für den in die mehreren Bauelementchips 21 geteilten Wafer 11 entfernt.
  • Im Bearbeitungsverformungs-Entfernungsschritt wird die Plasmabehandlung für den Wafer 11 unter Verwendung einer Plasmabehandlungsvorrichtung ausgeführt. 6 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Plasmabehandlungsvorrichtung 60 darstellt.
  • Die Plasmabehandlungsvorrichtung 60 weist eine Kammer 64 auf, die einen Behandlungsraum 62 ausbildet, in dem eine Plasmabehandlung durchgeführt wird. Die Kammer 64 ist in einer rechteckigen Parallelepipedform mit einer Bodenwand 64a, einer oberen Wand 64b, einer ersten Seitenwand 64c, einer zweiten Seitenwand 64d, einer dritten Seitenwand 64e und einer (nicht dargestellten) vierten Seitenwand ausgebildet. Darüber hinaus ist eine Öffnung 66 zum Herein- und Herausbefördern des Wafers 11 in der zweiten Seitenwand 64d ausgebildet. Ein Tor 68, das die Öffnung 66 öffnet und schließt, ist außerhalb der Öffnung 66 angeordnet. Das Tor 68 ist mit einem Öffnungs-Schließ-Mechanismus 70 verbunden und der Öffnungs-Schließ-Mechanismus 70 bewegt das Tor 68 entlang der vertikalen Richtung (Hoch-Runter-Richtung). Beispielsweise ist der Öffnungs-Schließ-Mechanismus 70 aus einem Luftzylinder 72 mit einer Kolbenstange 74 ausgebildet. Der obere Endteil der Kolbenstange 74 ist mit dem unteren Teil des Tors 68 verbunden. Zusätzlich ist der Luftzylinder 72 unter Zwischenschaltung einer Halterung 76 mit der Bodenwand 64a der Kammer 64 verbunden. Das Tor 68 wird durch den Öffnungs-Schließ-Mechanismus 70 abgesenkt und die Öffnung 66 wird freigelegt. Dies ermöglicht es, den Wafer 11 durch die Öffnung 66 zum Behandlungsraum 62 der Kammer 64 zu befördern oder den Wafer 11 vom Behandlungsraum 62 durch die Öffnung 66 zur Kammer 64 zu befördern.
  • Darüber hinaus ist eine Gasevakuierungsöffnung 78, die das Innere und das Äußere der Kammer 64 verbindet, in der Bodenwand 64a der Kammer 64 ausgebildet. Ein Gasevakuierungsmechanismus 80 zum Reduzieren des Drucks des Behandlungsraums 62 ist mit der Gasevakuierungsöffnung 78 verbunden. Der Gasevakuierungsmechanismus 80 ist beispielsweise aus einer Vakuumpumpe ausgestaltet.
  • Im Behandlungsraum 62 der Kammer 64 sind eine untere Elektrode 82 und eine obere Elektrode 84 einander gegenüber angeordnet. Die untere Elektrode 82 ist aus einem elektrisch leitfähigen Material ausgestaltet und weist einen Halteteil 86 mit einer kreisförmigen Scheibenform und einem Tragteil 88, der von einem zentralen Teil der unteren Oberfläche des Halteteils 86 nach unten vorsteht und eine kreisförmige Säulenform aufweist, auf. Der Tragteil 88 ist in eine in der Bodenwand 64a der Kammer 64 ausgebildete Öffnung 90 eingeführt. Eine ringförmige Isolationskomponente 92 ist zwischen der Bodenwand 64a und dem Tragteil 88 in der Öffnung 90 angeordnet und die Kammer 64 wird durch die Isolationskomponente 92 von der unteren Elektrode 82 isoliert. Darüber hinaus ist die untere Elektrode 82 mit einer Hochfrequenzleistungszufuhr 94 außerhalb der Kammer 64 verbunden.
  • Ein vertiefter Teil ist an der Seite der oberen Oberfläche des Halteteils 86 ausgebildet und ein Tisch 96, an dem der Wafer 11 platziert wird, ist in diesem vertieften Teil angeordnet. Die obere Oberfläche des Tischs 96 bildet eine Halteoberfläche aus, die den Wafer 11 hält. Darüber hinaus ist eine (nicht dargestellte) Strömungsleitung innerhalb des Tischs 96 ausgebildet und die obere Oberfläche des Tischs 96 ist durch diese Strömungsleitung und eine innerhalb der unteren Elektrode 82 ausgebildete Strömungsleitung 98 mit einer Ansaugquelle 100 wie beispielsweise einem Ejektor verbunden.
  • Darüber hinaus ist eine Kühlströmungsleitung 102 innerhalb des Halteteils 86 ausgebildet. Eine Endseite der Kühlströmungsleitung 102 ist durch eine im Tragteil 88 ausgebildete Kühlmitteleinbringleitung 104 mit einem Kühlmittelzirkulationsmechanismus 106 verbunden. Darüber hinaus ist die andere Endseite der Kühlungsströmungsleitung 102 durch eine im Tragteil 88 ausgebildete Kühlmittelabgabeleitung 108 mit dem Kühlmittelzirkulationsmechanismus 106 verbunden. Wenn der Kühlmittelzirkulationsmechanismus 106 betätigt wird, strömt ein Kühlmittel nacheinander in die Kühlmitteleinbringleitung 104, die Kühlungsströmungsleitung 102 und die Kühlmittelabgabeleitung 108 und die untere Elektrode 82 wird gekühlt.
  • Die obere Elektrode 84 ist aus einem elektrisch leitfähigen Material ausgestaltet und weist einen Gasabgabeteil 110 mit einer kreisförmigen Scheibenform und einen Tragteil 112, der von einem zentralen Teil der oberen Oberfläche des Gasabgabeteils 110 vorsteht und eine kreisförmige Säulenform aufweist, auf. Der Tragteil 112 ist in eine in einer oberen Wand 64b der Kammer 64 ausgebildete Öffnung 114 eingebracht. Eine ringförmige Isolationskomponente 116 ist zwischen der oberen Wand 64b und dem Tragteil 112 in der Öffnung 114 angeordnet und die Kammer 64 ist durch die Isolationskomponente 116 von der oberen Elektrode 84 isoliert. Darüber hinaus ist die obere Elektrode 84 mit einer Hochfrequenzleistungszufuhr 118 außerhalb der Kammer 64 verbunden. Ein mit einem Anhebe-/Absenkmechanismus 120 verbundener Tragarm 122 ist am oberen Endteil des Tragteils 112 angebracht. Die obere Elektrode 84 bewegt sich durch den Anhebe-/Absenkmechanismus 120 und den Tragarm 122 in der vertikalen Richtung (Hoch-Runter-Richtung).
  • Mehrere Abgabeöffnungen 124 sind an der Seite der unteren Oberfläche des Gasabgabeteils 110 ausgebildet. Diese Abgabeöffnungen 124 sind durch eine im Gasabgabeteil 110 ausgebildete Strömungsleitung und eine im Tragteil 112 ausgebildete Strömungsleitung 128 mit einer ersten Gaszuführquelle 130 und einer zweiten Gaszuführquelle 132 verbunden. Die erste Gaszuführquelle 130 und die zweite Gaszuführquelle 132 können Gase aus voneinander unterschiedlichen Komponenten zur Strömungsleitung 128 zuführen.
  • Die jeweiligen Bestandteile der Plasmabehandlungsvorrichtung 60 (Öffnungs-Schließ-Mechanismus 70, Gasevakuierungsmechanismus 80, Hochfrequenzleistungszufuhr 94, Ansaugquelle 100, Kühlmittelzirkulationsmechanismus 106, Hochfrequenzleistungszufuhr 118, Anhebe-/Absenkmechanismus 120, erste Gaszuführquelle 130, zweite Gaszuführquelle 132 usw.) sind mit einem Steuerungsteil (Steuerungseinheit, Steuerungsvorrichtung) 134 verbunden, der die Plasmabehandlungsvorrichtung 60 steuert. Der Steuerungsteil 134 ist durch einen Computer oder dergleichen ausgestaltet und steuert einen Betrieb von jedem der Bestandteile der Plasmabehandlungsvorrichtung 60.
  • Im Bearbeitungsverformungs-Entfernungsschritt wird zunächst das Tor 68 der Plasmabehandlungsvorrichtung 60 durch den Öffnungs-Schließ-Mechanismus 70 abgesenkt und die Öffnung 66 wird freigelegt. Dann wird der Wafer 11 durch einen Beförderungsmechanismus (nicht dargestellt) durch die Öffnung 66 in den Behandlungsraum 62 der Kammer 64 befördert und am Tisch 96 angeordnet. Zu diesem Zeitpunkt wird der Wafer 11 auf eine solche Weise angeordnet, dass die Seite der hinteren Oberfläche 11b zur oberen Seite hin freiliegt (Seite der oberen Elektrode 84). Zum Zeitpunkt des Hereinbeförderns des Wafers 11 ist es bevorzugt, die obere Elektrode 84 durch den Anhebe-/Absenkmechanismus 120 anzuheben und den Abstand zwischen der unteren Elektrode 82 und der oberen Elektrode 84 zu vergrößern.
  • Als nächstes wird ein Unterdruck der Ansaugquelle 100 dazu gebracht, an der oberen Oberfläche des Tischs 96 zu wirken, und der Wafer 11 wird vom Tisch 96 angesaugt und gehalten. Darüber hinaus wird das Tor 68 vom Öffnungs-Schließ-Mechanismus 70 angehoben und die Öffnung 66 wird geschlossen, um den Behandlungsraum 62 hermetisch zu verschließen. Darüber hinaus wird die Höhenposition der oberen Elektrode 84 vom Anhebe-/Absenkmechanismus 120 auf eine solche Weise eingestellt, dass die obere Elektrode 84 und die untere Elektrode 82 eine für eine Plasmabehandlung geeignete vorgegebene Positionsbeziehung aufweisen. Dann wird der Gasevakuierungsmechanismus 80 betätigt und der Behandlungsraum 62 wird auf einen Zustand mit einem reduzierten Druck (beispielsweise mindestens 50 Pa und maximal 300 Pa) eingestellt. Wenn es schwierig wird, den Wafer 11 durch den Unterdruck der Ansaugquelle 100 am Tisch 96 zu halten, wenn der Druck des Behandlungsraums 62 reduziert wird, wird der Wafer 11 durch eine elektrischen Kraft (typischerweise eine elektrostatische Anziehung) oder dergleichen am Tisch 96 gehalten. Beispielsweise sind mehrere Elektroden in den Tisch 96 eingelassen. Durch ein Aufbringen einer vorgegebenen Spannung auf diese Elektroden wird bewirkt, dass eine Coulomb-Kraft zwischen dem Tisch 96 und dem Wafer 11 wirkt und der Wafer 11 wird dazu gebracht, am Tisch 96 zu haften. Das heißt, dass der Tisch 96 als ein elektrostatischer Einspanntisch wirkt.
  • Dann wird ein Gas zum Ätzen (Ätzgas) aus der ersten Gaszuführquelle 130 durch die Strömungsleitung 128, die Strömungsleitung 126 und die mehreren Abgabeöffnungen 124, zwischen die untere Elektrode 82 und die obere Elektrode 84 zugeführt. Darüber hinaus wird eine vorgegebene Hochfrequenzleistung (beispielsweise mindestens 1000 W und maximal 3000 W) auf die untere Elektrode 82 und die obere Elektrode 84 aufgebracht. Folglich wird das Gas, das zwischen der unteren Elektrode 82 und der oberen Elektrode 84 existiert, in Plasma umgewandelt, und das Gas im Plasmazustand wird zur Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 zugeführt.
  • 7 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Teil des Wafers 11 darstellt, zu dem das Gas im Plasmazustand zugeführt wird. Ein aus den mehreren Abgabeöffnungen 124 abgegebenes Gas 140 nimmt zwischen der unteren Elektrode 82 und der oberen Elektrode 84 den Plasmazustand, beinhaltend Ionen und Radikale, an. Dann wird das Gas 140 im Plasmazustand zur Seite der hinteren Oberfläche 11b des in die mehreren Bauelementchips 21 geteilten Wafers 11 zugeführt. Folglich wirkt das Gas 140 im Plasmazustand am Wafer 11 und ein Plasmaätzen wird am Wafer 11 ausgeführt. Die Komponente des Gases 140 ist nicht beschränkt und wird gemäß dem Material des Wafers 11 geeignet gewählt. Beispielsweise kann, wenn der Wafer 11 ein Siliziumwafer ist, das Gas 140, das ein Fluor-basiertes Gas aus CF4, SF6 oder dergleichen enthält, verwendet werden.
  • Das Gas 140 im Plasmazustand wird auf die hintere Oberfläche 11b des Wafers 11 aufgebracht und tritt in die Lücken zwischen den benachbarten Bauelementchips 21 (laserbearbeitete Nuten 11c und Schneidnuten 11d) ein. Aufgrund dessen werden eine an der Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 (der Seite der hinteren Oberfläche der Bauelementchips 21 entsprechend) ausgebildete Bearbeitungsverformung und eine in den in den Lücken zwischen den benachbarten Bauelementchips 21 freiliegenden Seitenteilen des Wafers 11 (den Seitenteilen der Bauelementchips 21 entsprechend) ausgebildete Bearbeitungsverformung durch das Plasmaätzen entfernt.
  • Hier wird im oben beschriebenen Laserbearbeitungsschritt (siehe 2A) aufgrund von durch die Bestrahlung mit dem Laserstrahl 16 erzeugter Wärme eine Bearbeitungsverformung mit einer Unebenheit usw. aufgrund von einer thermischen Verformung insbesondere um die laserbearbeiteten Nuten 11c herum einfach ausgebildet. Darüber hinaus wird, wenn der Bereich, in dem diese Bearbeitungsverformung aufgrund der Wärme ausgebildet wird (wärmebeeinflusste Schicht, Wärmeverformungsschicht), im Wafer 11 verbleibt, die Biegefestigkeit der Bauelementchips 21 negativ beeinflusst.
  • 8A ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Teil des Wafers 11, in dem die laserbearbeiteten Nuten 11c ausgebildet sind, darstellt. Eine aufgrund der Bestrahlung mit dem Laserstrahl 16 ausgebildete wärmebeeinflusste Schicht (Wärmeverformungsschicht) 11e verbleibt um die laserbearbeiteten Nuten 11c. In 8A ist der Zustand dargestellt, in dem die wärmebeeinflusste Schicht 11e entlang beider Seitenenden der laserbearbeiteten Nut 11c (ein Paar innerhalb der laserbearbeiteten Nut 11c freiliegender Seitenoberflächen des Wafers 11) und dem Boden der laserbearbeiteten Nut 11c verbleibt. Die wärmebeeinflusste Schicht 11e ist gemäß dem Bestrahlungszustand des Laserstrahls 16 mit einer vorgegebenen Dicke (beispielsweise 20 µm oder weniger) ausgebildet.
  • Wenn das Gas 140 im Plasmazustand zum Wafer, in dem die wärmebeeinflussten Schichten 11e ausgebildet sind, zugeführt wird, tritt das Gas 140 von der Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 in die Schneidnuten 11d ein und erreicht die laserbearbeiteten Nuten 11c. Dann wird durch das Gas 140 ein Plasmaätzen für die um die laserbearbeiteten Nuten 11c ausgebildete wärmebeeinflusste Schicht 11e ausgeführt und die wärmebeeinflusste Schicht 11e wird entfernt. 8B ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Teil des Wafers 11 darstellt, in dem die wärmebeeinflusste Schicht 11e um die laserbearbeiteten Nuten 11c entfernt wurde. Aufgrund der Entfernung der wärmebeeinflussten Schicht 11e durch die Zufuhr des Gases 140 im Plasmazustand wird das Verringern der Biegefestigkeit der Bauelementchips 21 unterdrückt.
  • Nach der Ausführung des oben beschriebenen Bearbeitungsverformungs-Entfernungsschritts könnte eine Verformungsschicht (Gettering-Schicht) an der Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 ausgebildet werden (Verformungsschichtausbildungsschritt). Diese Verformungsschicht entspricht einem Bereich, in dem mehr winzige Unebenheiten und Risse als die im Wafer 11 in dem oben beschriebenen Laserbearbeitungsschritt und dem Schneidnutausbildungsschritt ausgebildete Bearbeitungsverformung ausgebildet werden. Es wurde bestätigt, dass, wenn die Verformungsschicht an der Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 existiert, der Gettering-Effekt, durch den im Wafer 11 existierende metallische Elemente (Kupfer usw.) von der Verformungsschicht gefangen werden, erhalten wird. Somit wird es, wenn die Verformungsschicht an der Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 ausgebildet wird, weniger wahrscheinlich, dass sich die metallischen Elemente zur Seite der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 bewegen, an der die mehreren Bauelemente 15 ausgebildet sind, und es ist weniger wahrscheinlich, dass ein Betriebsfehler (Stromleckage usw.) der Bauelemente 15, der mit den metallischen Elementen zusammenhängt, auftritt.
  • Die Plasmabehandlungsvorrichtung 60 (siehe 6) kann zur Ausbildung der Verformungsschicht verwendet werden. Beispielsweise wird die Verformungsschicht ausgebildet, indem durch die Plasmabehandlungsvorrichtung 60 ein Inertgas einen Plasmazustand annimmt, und indem das Inertgas zur Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 zugeführt wird. Insbesondere wird, nachdem eine Entfernung der Bearbeitungsverformung im Bearbeitungsverformungs-Entfernungsschritt abgeschlossen ist, die Zufuhr des Ätzgases von der ersten Gaszuführquelle 130 zur Kammer 64 gestoppt. Dann wird eine vorgegebene Hochfrequenzleistung auf die untere Elektrode 82 und die obere Elektrode 84 aufgebracht, während das Inertgas (beispielsweise ein Edelgas wie beispielsweise He oder Ar) von der zweiten Gaszuführquelle 132 zur Kammer 64 zugeführt wird. Dadurch wird das Inertgas zwischen der unteren Elektrode 82 und der oberen Elektrode 84 in Plasma umgewandelt und das Inertgas im Plasmazustand wird auf die hintere Oberfläche 11b des Wafers 11 aufgebracht. Folglich wird die hintere Oberfläche 11b des Wafers 11 gesputtert und winzige Unebenheiten oder Risse (Verformung) werden in der hinteren Oberfläche 11b ausgebildet. Der Bereich, in dem diese Verformung ausgebildet wird (Verformungsschicht), dient als eine Gettering-Schicht, die im Wafer 11 enthaltene metallische Elemente fängt.
  • Die Dicke der durch die Plasmabehandlung unter Verwendung des Inertgases ausgebildeten Verformungsschicht ist extrem klein. Beispielsweise beträgt die Dicke der Verformungsschicht maximal 1/10 der Dicke der im Wafer 11 im Laserbearbeitungsschritt und dem Schneidnutausbildungsschritt ausgebildeten Bearbeitungsverformung. Somit ist der Einfluss der Verformungsschicht auf die Biegefestigkeit der Bauelementchips 21 gering.
  • Wie oben beschrieben, wird die um die laserbearbeiteten Nuten 11c ausgebildete wärmebeeinflusste Schicht 11e im Bearbeitungsverfahren für einen Wafer gemäß der vorliegenden Ausführungsform durch ein Zuführen des Gases im Plasmazustand auf den durch die Ausbildung der laserbearbeiteten Nuten 11c durch die Bestrahlung mit dem Laserstrahl 16 in die mehreren Bauelementchips 21 geteilten Wafers entfernt. Dies kann verhindern, dass die wärmebeeinflusste Schicht 11e in den Bauelementchips 21 verbleibt, und das Verringern der Biegefestigkeit der Bauelementchips 21 unterdrücken.
  • In der oben beschriebenen Ausführungsform wurde das Beispiel, in dem die laserbearbeiteten Nuten 11c und die Schneidnuten 11d im Wafer 11 ausgebildet werden, beschrieben (siehe 2A und 3A). Allerdings könnten im Laserbearbeitungsschritt die laserbearbeiteten Nuten 11c mit einer Tiefe, welche die Enddicke des Wafers 11 überschreitet, durch eine Bestrahlung mit dem Laserstrahl 16 entlang der Straßen 13 ausgebildet werden. Wenn der Wafer 11, in dem die laserbearbeiteten Nuten 11c mit der Tiefe, welche die Enddicke des Wafers 11 überschreitet, ausgebildet sind, dünn ausgestaltet wird, bis die Dicke des Wafers 11 die Enddicke annimmt (Schleifschritt), werden die laserbearbeiteten Nuten 11c an der Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 freigelegt. Dadurch wird der Wafer 11 in die mehreren Bauelementchips 21 geteilt. Wenn die Tiefe der laserbearbeiteten Nuten 11c wie oben beschrieben größer als die Enddicke des Wafers 11 festgelegt wird, kann der Schritt eines Schneidens des Wafers 11 durch die Schneidklinge 28 (Schneidnutausbildungsschritt) weggelassen werden. Aufgrund dessen wird eine Vorbereitung und eine Bedienung der Schneidvorrichtung 20 unnötig. Zusätzlich wird die Anzahl an Schritten reduziert.
  • Darüber hinaus könnten im Laserbearbeitungsschritt laserbearbeitete Nuten, welche die hintere Oberfläche 11b von der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 erreichen, entlang der Straßen 13 durch eine Bestrahlung mit dem Laserstrahl 16 ausgebildet werden. In diesem Fall wird der Wafer 11 durch die Bestrahlung mit dem Laserstrahl 16 entlang der Straßen 13 geteilt.
  • 9A ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Teil des Wafers 11 darstellt, in dem laserbearbeitete Nuten (Laserteilungsnuten) 11f, welche die hintere Oberfläche 11b von der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 erreichen, ausgebildet sind. Wenn die laserbearbeiteten Nuten 11f entlang der Straßen 13 durch eine Bestrahlung mit dem Laserstrahl 16 ausgebildet werden, wird der Wafer 11 entlang der Straßen 13 geteilt. Das heißt, dass der Wafer 11 im Laserbearbeitungsschritt in die mehreren Bauelementchips 21 geteilt wird. Wenn die laserbearbeiteten Nuten 11f im Laserbearbeitungsschritt ausgebildet werden, wird eine Ausbildung der Schneidnuten 11d unnötig und der Schneidnutausbildungsschritt kann weggelassen werden. Darüber hinaus wird der Schleifschritt in dem Zustand ausgeführt, in dem der Wafer 11 in die mehreren Bauelementchips 21 geteilt wurde, und die Seite der hinteren Oberfläche von jedem der mehreren Bauelementchips 21 wird geschliffen. Allerdings kann der Schleifschritt weggelassen werden, wenn die Dicke der im Laserbearbeitungsschritt erhaltenen Bauelementchips 21 bereits in einem gewünschten Bereich liegt.
  • Wenn die laserbearbeiteten Nuten 11f durch eine Bestrahlung mit dem Laserstrahl 16 ausgebildet werden, wird die wärmebeeinflusste Schicht (Wärmeverformungsschicht) 11g um die laserbearbeiteten Nuten 11f ausgebildet. In 9A ist der Zustand dargestellt, in dem die wärmebeeinflusste Schicht 11g entlang beider Seitenenden der laserbearbeiteten Nut 11f verbleibt (innerhalb der laserbearbeiteten Nut 11f freiliegendes Paar Seitenoberflächen des Wafers 11). Wenn das Gas 140 in einem Plasmazustand unter Verwendung der Plasmabehandlungsvorrichtung 60 zur Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 zugeführt wird, in dem die wärmebeeinflussten Schichten 11g ausgebildet sind (siehe 6), tritt das Gas 140 im Plasmazustand in die laserbearbeiteten Nuten 11f ein. Aufgrund dessen wird die um die laserbearbeiteten Nuten 11f herum ausgebildete wärmebeeinflusste Schicht 11g entfernt (Entfernungsschritt der wärmebeeinflussten Schicht). 9B ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Teil des Wafers 11 darstellt, in dem die wärmebeeinflusste Schicht 11g um die laserbearbeiteten Nuten 11f entfernt wurde.
  • In einigen Fällen ist es schwierig, die laserbearbeiteten Nuten 11c mit der Tiefe, welche die Enddicke des Wafers 11 überschreitet, oder die laserbearbeiteten Nuten 11f, welche die hintere Oberfläche 11b von der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 erreichen, durch eine einmalige Bestrahlung mit dem Laserstrahl 16 auszubilden. In diesem Fall werden die laserbearbeiteten Nuten 11c oder 11f durch ein mehrmaliges Ausführen einer Bestrahlung mit dem Laserstrahl 16 entlang jeder Straße 13 ausgebildet.
  • Darüber hinaus ist in der oben beschriebenen Ausführungsform die Plasmabehandlungsvorrichtung 60 (siehe 6), die ein zur Kammer 64 zugeführtes Gas in der Kammer 64 in Plasma umwandelt, beschrieben. Allerdings könnte die Plasmabehandlungsvorrichtung 60 ein außerhalb der Kammer 64 in Plasma umgewandeltes Gas in die Kammer 64 zuführen. Es wurde bestätigt, dass das Gas einfacher in im Wafer 11 ausgebildete Lücken eintritt (laserbearbeitete Nuten 11c oder 11f, Schneidnuten 11d usw.), wenn das außerhalb der Kammer 64 in Plasma umgewandelte Gas in die Kammer 64 eingeführt wird und zum Wafer 11 zugeführt wird. Es wird geschlossen, dass dies daran liegt, dass, wenn das Gas im Plasmazustand durch ein Rohr von außen in die Kammer 64 eingebracht wird, im Gas enthaltende Ionen aufgrund einer Absorption an die innere Wand des Rohrs usw. ausgeschlossen werden und das Gas mit einem hohen Anteil an Radikalen zum Wafer 11 zugeführt wird. Aus diesem Grund bewegt sich das Gas im Plasmazustand, wenn das außerhalb der Kammer 64 in Plasma umgewandelte Gas zum Wafer 11 zugeführt wird, einfacherer innerhalb der laserbearbeiteten Nuten 11c oder 11f und der Schneidnuten 11d zur Seite der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 hin. Dies erleichtert eine Entfernung der an der Seite der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 ausgebildeten Bearbeitungsverformung (beispielsweise die in 8A usw. dargestellte wärmebeeinflusste Schicht 11e).
  • Daneben können Strukturen, Verfahren usw. gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform mit geeigneten Änderungen implementiert werden, ohne vom Umfang des Gegenstandes der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die angehängten Patentansprüche definiert und alle Änderungen und Modifikationen, die in das Äquivalente des Schutzbereichs der Ansprüche fallen, sind daher von der Erfindung umfasst.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2003173987 [0004]

Claims (3)

  1. Bearbeitungsverfahren für einen Wafer, der an einer Seite einer vorderen Oberfläche eine Funktionsschicht aufweist, die mehrere in mehreren durch mehrere Straßen unterteilten Bereichen angeordnete Bauelemente ausbildet, wobei das Bearbeitungsverfahren umfasst: einen Laserbearbeitungsschritt eines Ausbildens von laserbearbeiteten Nuten entlang der Straßen, während die Funktionsschicht entlang der Straßen durch ein Bestrahlen der Seite der vorderen Oberfläche des Wafers mit einem Laserstrahl mit einer Absorbierbarkeit hinsichtlich des Wafers entlang der Straßen entfernt wird; einen Schneidnutausbildungsschritt eines Ausbildens von Schneidnuten mit einer Tiefe, die eine Enddicke des Wafers übersteigt, innerhalb der laserbearbeiteten Nuten entlang der Straßen durch ein Schneiden der Seite der vorderen Oberfläche des Wafers entlang der Straßen durch eine Schneidklinge, die dünner als eine Breite der laserbearbeiteten Nuten ist; einen Schutzkomponentenanhaftschritt eines Anhaftens einer Schutzkomponente an die Seite der vorderen Oberfläche des Wafers nach einer Ausführung des Schneidnutausbildungsschritts; einen Schleifschritt eines Bewirkens, dass die Schneidnuten an einer Seite einer hinteren Oberfläche des Wafers freiliegen, um den Wafer in mehrere Bauelementchips zu teilen, durch ein Halten des Wafers durch einen Einspanntisch einer Schleifvorrichtung unter Zwischenschaltung der Schutzkomponente und eines Schleifens der Seite der hinteren Oberfläche des Wafers, um den Wafer dünn auszugestalten, bis eine Dicke des Wafers die Enddicke erreicht; und einen Bearbeitungsverformungs-Entfernungsschritt eines Zuführens eines Gases in einem Plasmazustand zur Seite der hinteren Oberfläche des Wafers und eines Entfernens einer in der Seite der hinteren Oberfläche und an Seitenteilen der mehreren Bauelementchips ausgebildeten Bearbeitungsverformung, wobei eine um die laserbearbeiteten Nuten ausgebildete wärmebeeinflusste Schicht im Bearbeitungverformungs-Entfernungsschritt entfernt wird.
  2. Bearbeitungsverfahren für einen Wafer, der an einer Seite einer vorderen Oberfläche eine Funktionsschicht aufweist, die mehrere in mehreren durch mehrere Straßen unterteilten Bereichen angeordnete Bauelemente ausbildet, wobei das Bearbeitungsverfahren umfasst: einen Laserbearbeitungsschritt eines Ausbildens von laserbearbeiteten Nuten mit einer Tiefe, die eine Enddicke des Wafers übersteigt, entlang der Straßen, während die Funktionsschicht entlang der Straßen durch ein Bestrahlen der Seite der vorderen Oberfläche des Wafers mit einem Laserstrahl mit einer Absorbierbarkeit hinsichtlich des Wafers entlang der Straßen entfernt wird; einen Schutzkomponentenanhaftschritt eines Anhaftens einer Schutzkomponente an die Seite der vorderen Oberfläche des Wafers nach einer Ausführung des Laserbearbeitungsschritts; einen Schleifschritt eines Bewirkens, dass die laserbearbeiteten Nuten an einer Seite einer hinteren Oberfläche des Wafers freiliegen, um den Wafer in mehrere Bauelementchips zu teilen, durch ein Halten des Wafers durch einen Einspanntisch einer Schleifvorrichtung unter Zwischenschaltung der Schutzkomponente, und eines Schleifens der Seite der hinteren Oberfläche des Wafers, um den Wafer dünn auszugestalten, bis eine Dicke des Wafers die Enddicke erreicht; und einen Bearbeitungsverformungs-Entfernungsschritt eines Zuführens eines Gases in einem Plasmazustand zur Seite der hinteren Oberfläche des Wafers und eines Entfernens einer in der Seite der hinteren Oberfläche und an Seitenteilen der mehreren Bauelementchips ausgebildeten Bearbeitungsverformung, wobei eine um die laserbearbeiteten Nuten ausgebildete wärmebeeinflusste Schicht im Bearbeitungsverformungs-Entfernungsschritt entfernt wird.
  3. Bearbeitungsverfahren für einen Wafer, der an einer Seite einer vorderen Oberfläche eine Funktionsschicht aufweist, die mehrere in mehreren durch mehrere Straßen unterteilten Bereichen angeordnete Bauelemente ausbildet, wobei das Bearbeitungsverfahren umfasst: einen Laserbearbeitungsschritt eines Ausbildens von laserbearbeiteten Nuten entlang der Straßen, um den Wafer in mehrere Bauelementchips zu teilen, während die Funktionsschicht entlang der Straßen, durch ein Ausführen einer Bestrahlung mit einem Laserstrahl mit einer Absorbierbarkeit hinsichtlich des Wafers entlang der Straßen entfernt wird; einen Schutzkomponentenanhaftschritt eines Anhaftens einer Schutzkomponente an die Seite der vorderen Oberfläche des Wafers nach einer Ausführung des Laserbearbeitungsschritts; und einen Entfernungsschritt einer wärmebeeinflussten Schicht eines Zuführens eines Gases in einem Plasmazustand auf eine Seite einer hinteren Oberfläche des Wafers und eines Entfernens einer um die laserbearbeiteten Nuten ausgebildeten wärmbeeinflussten Schicht nach einer Ausführung des Schutzkomponentenanhaftschritts.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003173987A (ja) 2001-12-04 2003-06-20 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体チップの製造方法
JP4198966B2 (ja) * 2002-10-17 2008-12-17 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US7682937B2 (en) * 2005-11-25 2010-03-23 Advanced Laser Separation International B.V. Method of treating a substrate, method of processing a substrate using a laser beam, and arrangement
JP2008071907A (ja) * 2006-09-13 2008-03-27 Toshiba Corp 半導体チップの製造方法、及び半導体チップ
KR20120023258A (ko) 2010-09-01 2012-03-13 주식회사 이오테크닉스 웨이퍼 가공방법 및 웨이퍼 가공장치
JP5995428B2 (ja) * 2011-11-11 2016-09-21 株式会社ディスコ カバー付きチップの製造方法
JP6246534B2 (ja) * 2013-09-11 2017-12-13 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2017107921A (ja) * 2015-12-07 2017-06-15 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2017163070A (ja) * 2016-03-11 2017-09-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップおよびその製造方法
JP2017220602A (ja) * 2016-06-09 2017-12-14 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2018014370A (ja) * 2016-07-19 2018-01-25 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2018156973A (ja) * 2017-03-15 2018-10-04 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

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