DE102020134939A1 - Pufferstruktur enthaltende lichtemittierende Halbleitervorrichtung - Google Patents

Pufferstruktur enthaltende lichtemittierende Halbleitervorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE102020134939A1
DE102020134939A1 DE102020134939.4A DE102020134939A DE102020134939A1 DE 102020134939 A1 DE102020134939 A1 DE 102020134939A1 DE 102020134939 A DE102020134939 A DE 102020134939A DE 102020134939 A1 DE102020134939 A1 DE 102020134939A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
light emitting
semiconductor
emitting device
semiconductor light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102020134939.4A
Other languages
English (en)
Inventor
Jaiwon Jean
Joongseo Kang
Namsung KIM
Daemyung Chun
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of DE102020134939A1 publication Critical patent/DE102020134939A1/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/16—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Eine lichtemittierende Halbleiterstruktur enthält eine Pufferstruktur, eine Halbleiterschicht eines ersten Typs auf der Pufferstruktur, eine Aktivschicht auf der Halbleiterschicht ersten Typs und eine Halbleiterschicht eines zweiten Typs auf der Aktivschicht. Die Pufferstruktur enthält eine Keimbildungsschicht, eine erste Dislokationsentfernungsstruktur auf der Keimbildungsschicht und eine Pufferschicht auf der ersten Dislokationsentfernungsstruktur. Die erste Dislokationsentfernungsstruktur enthält eine erste Materialschicht auf der Keimbildungsschicht und eine zweite Materialschicht auf der ersten Materialschicht. Die zweite Materialschicht weist eine Gitterkonstante auf, die sich von einer Gitterkonstante der ersten Materialschicht unterscheidet. Eine Rauheit einer Deckfläche der ersten Materialschicht ist höher als eine Rauheit einer Deckfläche der Keimbildungsschicht und höher als eine Rauheit einer Deckfläche der zweiten Materialschicht.

Description

  • Querverweis auf ähnliche Anmeldungen
  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der am 25. Mai 2020 beim Koreanischen Amt für Geistiges Eigentum eingereichten koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2020-0062653 , deren Offenbarung durch Verweis in ihrer Gesamtheit hierin aufgenommen ist.
  • Hintergrund
  • 1. Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung und insbesondere auf eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung, die eine Pufferstruktur enthält.
  • 2. Beschreibung der verwandten Technik
  • In einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung, wenn eine nitridbasierte Halbleiterschicht für eine lichtemittierende Vorrichtung ausgebildet ist, kann es Unterschiede bei Gitterkonstanten und Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) zwischen einem Substrat und der nitridbasierten Halbleiterschicht geben. Somit kann sich die Performance der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung aufgrund einer Erhöhung der Dislokationsdichte der nitridbasierten Halbleiterschicht verschlechtern und die nitridbasierte Halbleiterschicht kann aufgrund einer Zugbelastung reißen.
  • Kurzfassung
  • Es ist ein Aspekt, eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung vorzusehen, die eine Pufferstruktur enthält, welche die Performance einer lichtemittierenden Vorrichtung verbessern und das Auftreten von Rissen reduzieren kann.
  • Nach einem Aspekt einer oder mehrerer Ausführungsformen ist eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung vorgesehen, die aufweist: eine Pufferstruktur; eine Halbleiterschicht eines ersten Typs auf der Pufferstruktur; eine Aktivschicht auf der Halbleiterschicht ersten Typs; und eine Halbleiterschicht eines zweiten Typs auf der Aktivschicht, wobei die Pufferstruktur eine Keimbildungsschicht, eine erste Dislokationsentfernungsstruktur auf der Keimbildungsschicht und eine Pufferschicht auf der ersten Dislokationsentfernungsstruktur aufweist, die erste Dislokationsentfernungsstruktur eine erste Materialschicht auf der Keimbildungsschicht und eine zweite Materialschicht auf der ersten Materialschicht aufweist, wobei die zweite Materialschicht eine Gitterkonstante aufweist, die sich von einer Gitterkonstanten der ersten Materialschicht unterscheidet, eine Rauheit einer Oberfläche der ersten Materialschicht, welche die zweite Materialschicht berührt, höher ist als eine Rauheit einer Oberfläche der Keimbildungsschicht, welche die erste Materialschicht berührt, und höher ist als eine Rauheit einer Oberfläche der zweiten Materialschicht, welche die Pufferschicht berührt, und eine Gitterkonstante der Pufferschicht zwischen der Gitterkonstanten der zweiten Materialischt und einer Gitterkonstanten der Halbleiterschicht ersten Typs ist.
  • Nach einem weiteren Aspekt einer oder mehrerer Ausführungsformen ist eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung vorgesehen, die aufweist: eine Trennwandstruktur mit einer Öffnung; und eine lichtemittierende Struktur, die eine Pufferstruktur, eine Halbleiterschicht eines ersten Typs, eine Aktivschicht und eine Halbleiterschicht eines zweiten Typs, die auf der Trennwandstruktur gestapelt sind, aufweist, wobei die lichtemittierende Struktur ferner einen Graben aufweist, der die Pufferstruktur durchdringt und die Öffnung der Trennwandstruktur überlappt.
  • Nach einem weiteren Aspekt einer oder mehrerer Ausführungsformen ist eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung vorgesehen, die aufweist: eine Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen, wobei jede der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen eine Pufferstruktur, eine Halbleiterschicht eines ersten Typs, eine Aktivschicht und eine Halbleiterschicht eines zweiten Typs aufweist; eine Füllisolierschicht, die Räume zwischen der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen füllt; und eine Trennwandstruktur auf der Füllisolierschicht, wobei die Trennwandstruktur eine Mehrzahl an Öffnungen aufweist, die einen mittleren Abschnitt einer jeden der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen freilegen, während sie einen Umfangsabschnitt einer jeden der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen bedecken.
  • Figurenliste
  • Für ein deutlicheres Verständnis der verschiedenen Ausführungsformen sorgt die folgende, detaillierte Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen, wobei:
    • 1 eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung nach einer Ausführungsform ist;
    • 2A Versuchsdaten zu einer normierten Photolumineszenz(PL)-Intensität in Bezug auf ein Verhältnis einer Dicke einer zweiten Materialschicht zu einer Dicke einer ersten Materialschicht zeigt;
    • 2B Versuchsdaten zu einem Verzug eines aus einem Silizium(Si)-Substrat ausgebildeten lichtemittierenden Stapels in Bezug auf ein Verhältnis einer Dicke einer zweiten Materialschicht zu einer Dicke einer ersten Materialschicht zeigt;
    • 3 eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung nach einer Ausführungsform ist;
    • 4 eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung nach einer Ausführungsform ist;
    • 5 eine Draufsicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung nach einer Ausführungsform ist;
    • 6 eine vergrößerte Ansicht eines Bereichs CX1 aus 5 ist;
    • 7 eine Querschnittsansicht entlang Linie A1-A1' aus 6 ist;
    • 8A eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung nach einer Ausführungsform ist;
    • 8B eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung nach einer Ausführungsform ist;
    • 9A bis 9M Querschnittsansichten sind, die ein Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung nach einer Ausführungsform darstellen;
    • 10 ein Blockdiagramm eines Lichtquellenmoduls nach einer Ausführungsform ist;
    • 11 eine Draufsicht eines Lichtquellenmoduls nach einer Ausführungsform ist;
    • 12 ein Schaltbild einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung nach einer Ausführungsform ist;
    • 13 ein Schaltbild einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung nach einer Ausführungsform ist;
    • 14 eine Draufsicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung nach einer Ausführungsform ist;
    • 15 eine schematische Darstellung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung nach einer Ausführungsform ist;
    • 16 eine schematische Perspektivansicht einer Beleuchtungsvorrichtung nach einer Ausführungsform ist;
    • 17 eine schematische Perspektivansicht einer Beleuchtungsvorrichtung nach einer Ausführungsform ist;
    • 18 eine aufgelöste Perspektivansicht einer Beleuchtungsvorrichtung nach einer Ausführungsform ist;
    • 19 eine aufgelöste Perspektivansicht einer Beleuchtungsvorrichtung nach einer Ausführungsform ist;
    • 20 eine aufgelöste Perspektivansicht einer Beleuchtungsvorrichtung nach einer Ausführungsform ist;
    • 21 eine schematische Darstellung zur Beschreibung eines Netzwerksystems für eine Innenbeleuchtungssteuerung nach Ausführungsformen ist;
    • 22 eine schematische Darstellung zur Beschreibung eines Netzwerksystems nach einer Ausführungsform ist; und
    • 23 eine Querschnittsansicht eines lichtemittierenden Packages, das eine lichtemittierende Vorrichtung enthält, nach Ausführungsformen ist.
  • Detaillierte Beschreibung
  • 1 ist eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 10 nach einer Ausführungsform.
  • Bezugnehmend auf 1 kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 10 einen lichtemittierenden Stapel LS enthalten. Der lichtemittierende Stapel LS kann eine Pufferstruktur BS, eine auf der Pufferstruktur BS positionierte Halbleiterschicht 15 eines ersten Typs, eine auf der Halbleiterschicht 15 ersten Typs positionierte Aktivschicht 16 und eine auf der Aktivschicht 16 positionierte Halbleiterschicht 17 eines zweiten Typs enthalten.
  • Die Pufferstruktur BS kann eine Keimbildungsschicht 11, eine auf der Keimbildungsschicht 11 positionierte Dislokationsentfernungsstruktur DS und eine auf der Dislokationsentfernungsstruktur DS positionierte Pufferschicht 14 enthalten.
  • Die Keimbildungsschicht 11 kann eine Schicht zur Ausbildung von Zellkernen für ein Kristallwachstum sein. Die Keimbildungsschicht 11 kann das Auftreten eines Rückschmelzphänomens, in dem in einer weiteren Schicht (z.B. einer ersten Materialschicht 12 oder der Pufferschicht 14) der Pufferstruktur BS enthaltenes Gallium (Ga) in einem Substrat enthaltenes Silizium (Si) berührt und mit diesem zum Wachsen der Pufferstruktur BS reagiert, verhindern. Außerdem kann die Keimbildungsschicht 11 die Benetzungseigenschaften der Dislokationsentfernungsstruktur DS unterstützen. In einigen Ausführungsformen kann die Keimbildungsschicht 11 Aluminiumnitrid (AlN) enthalten.
  • Die Dislokationsentfernungsstruktur DS kann die auf der Keimbildungsschicht 11 positionierte erste Materialschicht 12 und eine auf der ersten Materialschicht 12 positionierte zweite Materialschicht 13 enthalten. Die erste Materialschicht 12 kann BxAlyInzGa1-x-y-zN (wobei 0≤x<1, 0<y<l, 0≤z<1, und 0≤x+y+z<1) enthalten. In einigen Ausführungsformen kann ein Zusammensetzungsverhältnis der ersten Materialschicht 12 von einer Bodenoberfläche der ersten Materialschicht 12 zu einer Deckfläche derselben im Wesentlichen konstant sein. Das heißt, obwohl das Zusammensetzungsverhältnis der ersten Materialschicht 12 dazu vorgesehen ist, von der Bodenoberfläche der ersten Materialschicht 12 zu der Deckfläche derselben konstant zu sein, können Veränderungen der Zusammensetzung aufgrund von Einschränkungen eines tatsächlichen Prozesses erlaubt sein. In einigen Ausführungsformen kann ein Aluminium(Al)-Gehalt der ersten Materialschicht 12 in einem Bereich von ungefähr 20 Atomprozent (at%) bis ungefähr 75 at% sein, zum Beispiel ungefähr 25 Atomprozent (at%) bis ungefähr 75 at%.
  • Die zweite Materialschicht 13 kann eine Gitterkonstante aufweisen, die sich von der ersten Materialschicht 12 unterscheidet. In einigen Ausführungsformen kann die zweite Materialschicht 13 dasselbe Material wie die Keimbildungsschicht 11 enthalten. Zum Beispiel kann die zweite Materialschicht 13 Aluminiumnitrid (AlN) enthalten. Bei einer Schnittstelle zwischen der ersten und zweiten Materialschicht 12 und 13 (d.h. einer Deckfläche der ersten Materialschicht 12) kann eine Dislokation gebogen werden oder eine Dislokationshalbschleife kann aufgrund eines Gitterkonstantenunterschieds zwischen der ersten und zweiten Materialschicht 12 und 13 ausgebildet werden, um die Dislokation zu reduzieren.
  • Darüber hinaus kann eine Rauheit der Deckfläche der ersten Materialschicht 12 höher sein als eine Rauheit einer Deckfläche der Keimbildungsschicht 11 und eine Rauheit einer Deckfläche der zweiten Materialschicht 13. Die Deckfläche der ersten Materialschicht 12 kann eine Rauheit von ungefähr 10 nm bis ungefähr 500 nm aufweisen. Sowohl die Deckfläche der Keimbildungsschicht 11 als auch die Deckfläche der zweiten Materialschicht 13 können eine Rauheit von ungefähr 0 nm bis ungefähr 10 nm aufweisen. Das heißt, die Deckfläche der Keimbildungsschicht 11 kann im Wesentlichen koplanar zu der Deckfläche der zweiten Materialschicht 13 sein. Eine relativ hohe Rauheit einer Schnittstelle zwischen der ersten Materialschicht 12 und der zweiten Materialschicht 13 (d.h. der Deckfläche der ersten Materialschicht 12) kann eine Dislokation biegen und eine Dislokationsdichte reduzieren.
  • In einigen Fällen kann die Gitterkonstante der zweiten Materialschicht 13 niedriger sein als die Gitterkonstante der ersten Materialschicht 12. Dementsprechend kann die zweite Materialschicht 13 eine Zugbelastung verursachen und zum Auftreten von Rissen führen. Somit kann die zweite Materialschicht 13 in einigen Ausführungsformen zu einer Dicke t3, die kleiner ist als eine Dicke t1 der Keimbildungsschicht 11, ausgebildet werden und somit kann eine Zugbelastung reduziert werden, um das Auftreten von Rissen zu verhindern. Wie hierin verwendet, kann eine Dicke einer Schicht als eine maximale Dicke der Schicht definiert sein.
  • Die Pufferschicht 14 kann Unterschiede der Gitterkonstante und von Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) zwischen einer auf der Pufferstruktur BS ausgebildeten Schicht (z.B. der Halbleiterschicht 15 ersten Typs) und der zweiten Materialschicht 13 reduzieren. Zum Beispiel kann eine Gitterkonstante der Pufferschicht 14 zwischen einer Gitterkonstanten der Halbleiterschicht 15 ersten Typs und einer Gitterkonstante der zweiten Materialschicht 13 sein. Zusätzlich kann ein CTE der Pufferschicht 14 zwischen einem CTE der Halbleiterschicht 15 ersten Typs und einem CTE der zweiten Materialschicht 13 sein. In einigen Ausführungsformen kann die Pufferschicht 14 dasselbe Material enthalten wie die erste Materialschicht 12. In einigen Ausführungsformen kann die Pufferschicht 14 BxAlyInzGa1-x-y-zN (wobei 0≤x<1, 0<y<l, 0≤z<1, und 0≤x+y+z<1) enthalten.
  • In einigen Ausführungsformen kann mindestens eine der Keimbildungsschicht 11, der ersten Materialschicht 12, der zweiten Materialschicht 13 und der Pufferschicht 14 mit Silizium (Si) dotiert sein. Der Siliziumdotierungsprozess kann eine Zugbelastung reduzieren oder eine Druckbelastung verursachen, um das Auftreten von Rissen zu verhindern. Zum Beispiel kann eine Siliziumdotierungskonzentration ungefähr 0 cm-3 bis ungefähr 1019 cm-3 sein.
  • Die Halbleiterschicht 15 ersten Typs kann einen mit n-Typ-Verunreinigungen dotierten nitridbasierten Halbleiter enthalten und die Halbleiterschicht 17 zweiten Typs kann einen mit p-Typ-Verunreinigungen dotierten nitridbasierten Halbleiter enthalten. In weiteren Ausführungsformen können die Halbleiterschicht 15 ersten Typs und die Halbleiterschicht 17 zweiten Typs jeweils einen mit p-Typ-Verunreinigungen dotierten nitridbasierten Halbleiter und einen mit n-Typ-Verunreinigungen dotierten nitridbasierten Halbleiter enthalten. Die n-Typ-Verunreinigungen können zum Beispiel Silizium (Si), Germanium (Ge), Selen (Se), Tellur (Te) oder eine Kombination daraus enthalten. Die p-Typ-Verunreinigungen können zum Beispiel Magnesium (Mg), Zink (Zn), Beryllium (Be), Cadmium (Cd), Barium (Ba), Kalzium (Ca) oder eine Kombination daraus enthalten. Der nitridbasierte Halbleiter kann AlxInyGa1-x-yN (wobei 0≤x<1, 0<y<l, und 0≤x+y≤1) enthalten. Zum Beispiel kann die Halbleiterschicht 15 ersten Typs n-Typ-dotierten GaN enthalten und die Halbleiterschicht 17 zweiten Typs kann p-Typ-dotierten GaN enthalten. Obwohl sowohl die Halbleiterschicht 15 ersten Typs als auch die Halbleiterschicht 17 zweiten Typs als eine einzelne Schicht dargestellt werden, können sowohl die Halbleiterschicht 15 ersten Typs als auch die Halbleiterschicht 17 zweiten Typs in einigen Ausführungsformen eine Mehrschichtstruktur aufweisen.
  • Die Aktivschicht 16 kann Licht durch eine Rekombination von Elektronen und Löchern emittieren. In einigen Ausführungsformen kann die Aktivschicht 16 eine Schicht sein, die ein einzelnes Material, wie InGaN, enthält. In weiteren Ausführungsformen kann die Aktivschicht 16 eine Einfachquantentopf(SQW)-Struktur oder eine Mehrfachquantentopf(MQW)-Struktur, in der Quantensperrschichten und Quantentopfschichten wechselweise gestapelt sind, enthalten. Zum Beispiel kann die Aktivschicht 16 eine Quantentopfstruktur aufweisen, die eine Kombination aus GaN/InGaN, eine Kombination aus AlGaN/InGaN, oder eine Kombination aus InAlGaN/InGaN enthält.
  • Der lichtemittierende Stapel LS kann zum Beispiel durch sequenzielles Ausbilden der Keimbildungsschicht 11, der ersten Materialschicht 12, der zweiten Materialschicht 13, der Pufferschicht 14, der Halbleiterschicht 15 ersten Typs, der Aktivschicht 16 und der Halbleiterschicht 17 zweiten Typs auf einem Substrat (nicht gezeigt) ausgebildet werden. Die Keimbildungsschicht 11, die erste Materialschicht 12, die zweite Materialschicht 13, die Pufferschicht 14, die Halbleiterschicht 15 ersten Typs, die Aktivschicht 16 und die Halbleiterschicht 17 zweiten Typs können unter Verwendung von zum Beispiel einem metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidungs(MOCVD)-Prozess, einem Molekularstrahlepitaxie(MBE)-Prozess oder einem Hydridgasphasenepitaxie(HVPE)-Prozess ausgebildet werden.
  • In einigen Ausführungsformen kann das Substrat entfernt werden, nachdem der lichtemittierende Stapel LS ausgebildet worden ist. In weiteren Ausführungsformen wird das Substrat womöglich nicht entfernt, sondern in eine lichtemittierende Endhalbleitervorrichtung 10 aufgenommen. In wiederum weiteren Ausführungsformen, wie in 5 bis 7 gezeigt, kann ein Abschnitt eines Substrats entfernt werden und lediglich der verbleibende Abschnitt des Substrats kann als eine Trennwandstruktur 160 in einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 zurückbleiben.
  • In einigen Ausführungsformen kann eine Oxidschicht (z.B. SiO2) auf dem Substrat unter Verwendung von zum Beispiel einem Behandlungsprozess mit hoher Temperatur entfernt werden, bevor die Keimbildungsschicht 11 auf dem Substrat ausgebildet wird. Anschließend kann ein Al-Vorflussprozess bei niedriger Temperatur durchgeführt werden, um zu verhindern, dass eine Si-Rückschmelzung des Substrats aufgrund von Ga auftritt, und um zu verhindern, dass Si-N-Bonds auftreten. Danach kann die Keimbildungsschicht 11 auf dem Substrat ausgebildet werden.
  • Die erste Materialschicht 12 kann derart ausgebildet sein, dass sie eine raue Deckfläche aufweist. In einigen Ausführungsformen können Prozessbedingungen, unter denen die erste Materialschicht 12 derart ausgebildet wird, dass sie eine raue Deckfläche aufweist, verwendet werden. Zum Beispiel kann die erste Materialschicht 12 bei einer Temperatur von ungefähr 1100 °C oder niedriger ausgebildet werden. In weiteren Ausführungsformen kann die erste Materialschicht 12 mit einer planaren Deckfläche ausgebildet werden und dann oberflächenbehandelt oder geätzt werden, wodurch die erste Materialschicht 12 mit einer rauen Deckfläche ausgebildet wird. Trotz der rauen Deckfläche der ersten Materialschicht 12, können Prozessbedingungen, unter denen die zweite Materialschicht 13 derart ausgebildet wird, dass sie eine planare Deckfläche aufweist, verwendet werden. Zum Beispiel kann die zweite Materialschicht 13 bei einer Temperatur von ungefähr 1100 °C oder höher ausgebildet werden.
  • Nachdem die Pufferschicht 14 ausgebildet worden ist, kann die Halbleiterschicht 15 ersten Typs zunächst bei einer relativ niedrigen Temperatur von ungefähr 900 °C bis ungefähr 1100 °C ausgebildet werden, sodass verhindert werden kann, dass eine Rauheit einer Deckfläche der Pufferschicht 14 die Kristallinität der Halbleiterschicht 15 ersten Typs verschlechtert. Die Halbleiterschicht 15 ersten Typs kann anschließend bei einer relativ hohen Temperatur von ungefähr 1100 °C oder höher ausgebildet werden.
  • 2A zeigt Versuchsdaten zu einer normierten Photolumineszenz(PL)-Intensität in Bezug auf ein Verhältnis einer Dicke einer zweiten Materialschicht zu einer Dicke einer ersten Materialschicht; 2B zeigt Versuchsdaten zu einem Verzug eines aus einem Silizium(Si)-Substrat ausgebildeten lichtemittierenden Stapels in Bezug auf ein Verhältnis einer Dicke einer zweiten Materialschicht zu einer Dicke einer ersten Materialschicht.
  • Bezugnehmend auf 1, 2A und 2B wird beobachtet, dass die Lichtausbeute der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 10 rapide reduziert wird, wenn die Dicke t3 der zweiten Materialschicht 13 ungefähr 10 % oder weniger oder ungefähr 50 % oder mehr einer zweiten Dicke t2 der ersten Materialschicht 12 ist (d.h. das Verhältnis der Dicken kleiner als ungefähr 10 % oder größer als ungefähr 50 % ist). In diesem Fall kann eine rapide Erhöhung der Zugbelastung zu der rapiden Reduzierung der Lichtausbeute der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 10 führen. Die Zugbelastung kann das Auftreten von Rissen verursachen.
  • Zusätzlich wird beobachtet, dass sich eine Richtung des Verzugs des auf einem Siliziumsubstrat ausgebildeten lichtemittierenden Stapels LS verändert, wenn die Dicke t3 der zweiten Materialschicht 13 ungefähr 10 % oder weniger oder 50 % oder mehr der Dicke t2 der ersten Materialschicht 12 ist (d.h. das Verhältnis der Dicken kleiner als ungefähr 10 % oder größer als ungefähr 50 % ist). Ein positiver (+) Verzug kann angeben, dass eine Druckbelastung im lichtemittierenden Stapel LS erzeugt wird, und ein negativer (-) Verzug kann angeben, dass eine Zugbelastung im lichtemittierenden Stapel LS erzeugt wird. Wenn die Dicke t3 der zweiten Materialschicht 13 ungefähr 10 % oder weniger oder ungefähr 50 % oder mehr der Dicke t2 der ersten Materialschicht 12 ist, ist von der Richtung des Verzugs aus zu erkennen, dass eine Zugbelastung im lichtemittierenden Stapel LS erzeugt wird. Die Zugbelastung kann das Auftreten von Rissen verursachen.
  • Um die Lichtausbeute zu erhöhen, die Zugbelastung zu reduzieren und das Auftreten von Rissen zu verhindern, können die erste und zweite Materialschicht 12 und 13 somit derart ausgebildet sein, dass die Dicke t3 der zweiten Materialschicht 13 in einem Bereich von ungefähr 10 % bis ungefähr 50 % (z.B. ungefähr 15 % bis ungefähr 45 %) der Dicke t2 der ersten Materialschicht 12 ist.
  • 3 ist eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 10-1 nach einer Ausführungsform.
  • Bezugnehmend auf 3 kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 10-1 einen lichtemittierenden Stapel LS-1 enthalten. In einigen Ausführungsformen kann der lichtemittierende Stapel LS-1 ferner eine undotierte Halbleiterschicht 18 zwischen einer Pufferschicht 14 und einer Halbleiterschicht 15 eines ersten Typs enthalten. Die undotierte Halbleiterschicht 18 kann die Kristallinität der Halbleiterschicht 15 ersten Typs erhöhen. Die undotierte Halbleiterschicht 18 kann einen nitridbasierten Halbleiter, zum Beispiel AlxInyGa1-x-yN (wobei 0≤x<1, 0<y<l, und 0≤x+y≤1), enthalten.
  • In einigen Ausführungsformen kann der lichtemittierende Stapel LS-1 ferner eine Übergitterstruktur 19 enthalten. Die Übergitterstruktur 19 kann eine Struktur aufweisen, in der eine Mehrzahl an Schichten mit unterschiedlichen Bandlückenenergien wechselweise gestapelt ist. Jede der in der Übergitterstruktur 19 enthaltenen Schichten kann AlxInyGa1-x-yN (wobei 0≤x<1, 0≤y≤1, und 0≤x+y≤1) enthalten. Zum Beispiel kann die Übergitterstruktur 19 eine Kombination aus GaN/InGaN, eine Kombination aus AlGaN/GaN oder eine Kombination aus AlGaN/GaN/InGaN enthalten. In einigen Ausführungsformen kann die Übergitterstruktur 19 zwischen der Halbleiterschicht 15 ersten Typs und der Aktivschicht 16 sein. In weiteren Ausführungsformen kann die Übergitterstruktur 19 zwischen einer Pufferstruktur BS und der Halbleiterschicht 15 ersten Typs sein. Die Übergitterstruktur 19 kann eine Belastung einstellen und Kristalldefekte reduzieren. Außerdem kann die Übergitterstruktur 19 die Diffusion von Strom durch Erhöhen der Trägermobilität erleichtern. Die verbleibenden Elemente der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 10-1 sind der mit Bezug auf 1 beschriebenen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 10 ähnlich und wiederholte Beschreibungen derselben werden somit der Kürze halber weggelassen.
  • 4 ist eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 10-2 nach einer Ausführungsform.
  • Bezugnehmend auf 4 kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 10-2 einen lichtemittierenden Stapel LS-2 enthalten. Der lichtemittierende Stapel LS-2 kann eine Pufferstruktur BS-2 enthalten. Die Pufferstruktur BS-2 kann eine Keimbildungsschicht 11, eine Mehrzahl an Dislokationsentfernungsstrukturen (z.B. eine erste bis dritte Dislokationsentfernungsstruktur DS-1, DS-2 und DS-3) und eine Pufferschicht 14, die vertikal gestapelt sind, enthalten. Obwohl 4 einen Fall darstellt, in dem die Pufferstruktur BS-2 drei Dislokationsentfernungsstrukturen (z.B. DS-1, DS-2 und DS-3) enthält, kann die Anzahl an in der Pufferstruktur BS-2 enthaltenen Dislokationsentfernungsstrukturen in weiteren Ausführungsformen größer oder kleiner als 3 sein. Die erste bis dritte Dislokationsentfernungsstruktur DS-1, DS-2, DS-3 kann die Fähigkeit der Pufferstruktur BS-2, eine Dislokationsdichte zu reduzieren, verbessern.
  • Die erste Dislokationsentfernungsstruktur DS-1 kann eine auf der Keimbildungsschicht 11 positionierte erste Materialschicht 12-1 und eine auf der ersten Materialschicht 12-1 positionierte zweite Materialschicht 13-1 enthalten. Die zweite Dislokationsentfernungsstruktur DS-2 kann eine auf der zweiten Materialschicht 13-1 positionierte dritte Materialschicht 12-2 und eine auf der dritten Materialschicht 12-2 positionierte vierte Materialschicht 13-2 enthalten. Die dritte Dislokationsentfernungsstruktur DS-3 kann eine auf der vierten Materialschicht 13-2 positionierte fünfte Materialschicht 12-3 und eine auf der fünften Materialschicht 12-3 positionierte sechste Materialschicht 13-3 enthalten. Die zweite Materialschicht 13-1, die vierte Materialschicht 13-2 und die sechste Materialschicht 13-3 könne jeweils Gitterkonstanten aufweisen, die sich von Gitterkonstanten der ersten Materialschicht 12-1, der dritten Materialschicht 12-2 und der fünften Materialschicht 12-3 unterscheiden.
  • In einigen Ausführungsformen können die erste Materialschicht 12-1, die dritte Materialschicht 12-2 und die fünfte Materialschicht 12-3 dasselbe Material enthalten. Zum Beispiel können die erste Materialsicht 12-1, die dritte Materialschicht 12-2 und die fünfte Materialschicht 12-3 BxAlyInzGa1-x-y-zN (wobei 0≤x<1, 0<y<l, 0≤z<1, und 0≤x+y+z<1) enthalten. In einigen Ausführungsformen können die zweite Materialschicht 13-1, die vierte Materialschicht 13-2 und die sechste Materialschicht 13-3 dasselbe Material enthalten. Zum Beispiel können die zweite Materialschicht 13-1, die vierte Materialschicht 13-2 und die sechste Materialschicht 13-3 AlN enthalten.
  • Eine Rauheit einer Deckfläche der ersten Materialschicht 12-1 kann höher sein als eine Rauheit einer Deckfläche der Keimbildungsschicht 11 und eine Rauheit einer Deckfläche der zweiten Materialschicht 13-1. Eine Rauheit einer Deckfläche der dritten Materialschicht 12-2 kann höher sein als die Rauheit der Deckfläche der zweiten Materialschicht 13-1 und eine Rauheit einer Deckfläche einer vierten Materialschicht 13-2. Eine Rauheit einer Deckfläche der fünften Materialschicht 12-3 kann höher sein als die Rauheit der Deckfläche der vierten Materialschicht 13-2 und eine Rauheit einer Deckfläche der sechsten Materialschicht 13-3. Die Deckfläche von sowohl der ersten Materialschicht 12-1 als auch der dritten Materialschicht 12-2 und der fünften Materialschicht 12-3 kann eine Rauheit von ungefähr 10 nm bis ungefähr 500 nm aufweisen. Die Deckfläche von sowohl der Keimbildungsschicht 11 als auch der zweiten Materialschicht 13-1, der vierten Materialschicht 13-2 und der sechsten Materialschicht 13-3 kann eine Rauheit von ungefähr 0 nm bis ungefähr 10 nm aufweisen. Das heißt, die Deckflächen der Keimbildungsschicht 11, der zweiten Materialschicht 13-1, der vierten Materialschicht 13-2 und der sechsten Materialschicht 13-3 können im Wesentlichen planar sein. In einigen Ausführungsformen kann eine Rauheit der Deckfläche der dritten Materialschicht 12-2 niedriger sein als die Rauheit der Deckfläche der ersten Materialschicht 12-1 und die Rauheit der Deckfläche der fünften Materialschicht 12-3 kann niedriger sein als die Rauheit der Deckfläche der dritten Materialschicht 12-2. Durch Reduzieren einer Schnittstellenrauheit in einer Richtung zu der Halbleiterschicht 15 ersten Typs kann verhindert werden, dass die Schnittstellenrauheit die Kristallinität von sowohl der Halbleiterschicht 15 ersten Typs als auch der Aktivschicht 16 und der Halbleiterschicht 17 zweiten Typs verschlechtert.
  • Jede von einer Schnittstelle zwischen der ersten Materialschicht 12-1 und der zweiten Materialschicht 13-1, einer Schnittstelle zwischen der dritten Materialschicht 12-2 und der vierten Materialschicht 13-2 und einer Schnittstelle zwischen der fünften Materialschicht 12-3 und der sechsten Materialschicht 13-3, die einen Gitterkonstantenunterschied aufweist und relativ rau ist, kann eine Dislokationsdichte reduzieren. Dementsprechend kann eine Dislokationsdichte der vierten Materialschicht 13-2 niedriger sein als eine Dislokationsdichte der zweiten Materialschicht 13-1 und eine Dislokationsdichte der sechsten Materialschicht 13-3 kann niedriger sein als die Dislokationsdichte der vierten Materialschicht 13-2.
  • Eine Gitterkonstante der Pufferschicht 14 kann zwischen einer Gitterkonstanten der sechsten Materialschicht 13-3 und einer Gitterkonstanten der Halbleiterschicht 15 ersten Typs sein.
  • 5 ist eine Draufsicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 nach einer Ausführungsform. 6 ist eine vergrößerte Ansicht eines Bereichs CX1 aus 5. 7 ist eine Querschnittsansicht entlang Linie A1-A1' aus 6. Einige Komponenten der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 werden der Kürze halber in 5 und 6 weggelassen.
  • Bezugnehmend auf 5 bis 7 kann eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100 einen Pixelbereich PXR und einen Pad-Bereich PDR, der den Pixelbereich PXR umgibt, enthalten. Im Pixelbereich PXR können M Pixel PX (z.B. PX11, PX12, ..., PX1M) in eine x-Achsenrichtung angeordnet sein und N Pixel PX (z.B. PX11, PX12, ..., und PXN1) können in eine Y-Achsenrichtung angeordnet sein. Obwohl 5 eine Gesamtanzahl von 32 Pixeln PX darstellt, die in einem Array angeordnet sind, in dem 8 Pixel in die X-Achsenrichtung und 4 Pixel in die Y-Achsenrichtung angeordnet sind, kann in verschiedenen Ausführungsformen die Anzahl an in die X-Achsenrichtung angeordneter Pixel PX, die Anzahl an in die Y-Achsenrichtung angeordneter Pixel PX und die Gesamtanzahl an Pixeln PX verändert werden. Obwohl 5 einen Fall darstellt, in dem die jeweiligen Pixel PX dieselbe Größe aufweisen, weisen in einigen Ausführungsformen womöglich nicht alle Pixel dieselbe Größe auf. Zum Beispiel kann eine Länge L2 in Y-Richtung einiger Pixel PX größer sein als eine Länge LI in X-Richtung derselben und eine Länge L1 in X-Richtung der verbleibenden Pixel PX kann gleich einer Länge L2 in Y-Richtung derselben sein. Zum Beispiel kann ein Verhältnis der Länge L1 in X-Richtung einiger Pixel PX zu der Länge L2 in Y-Richtung derselben in einem Bereich von ungefähr 1,5: 1 bis ungefähr 4,5: 1 sein.
  • Wie in 5 gezeigt, kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100 im Wesentlichen eine rechtwinklige Form aufweisen, wenn von oben betrachtet. Eine Länge einer ersten Seite der rechtwinkligen Form (z.B. eine Länge LX in X-Richtung der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100) kann größer sein als eine Länge einer zweiten Seite der rechtwinkligen Form (d.h. einer Länge LY in Y-Richtung der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100). Nach Ausführungsbeispielen kann die Länge LX in X-Richtung der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 größer oder gleich ungefähr 1,1 Mal die Länge LY in Y-Richtung derselben sein. Nach Ausführungsbeispielen kann die Länge LX in X-Richtung der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 kleiner oder gleich ungefähr 100 Mal die Länge LY in Y-Richtung derselben sein. Nach Ausführungsbeispielen kann eine Dicke (d.h. eine Länge in Z-Richtung) der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 mehrere zehn µm bis mehrere hundert µm sein. Nach Ausführungsbeispielen kann die Dicke der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 kleiner oder gleich ungefähr 1/10 einer Länge LX in X-Richtung der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 sein. Da die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100 die oben beschriebenen Dimensionen aufweist, die für einen Widerstand gegen physikalische Belastung optimiert sind, kann der Verzug der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 minimiert werden.
  • Eine Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120U kann jeweils in einer Mehrzahl an Pixeln PX sein, um ein Array von lichtemittierenden Strukturen 120U auszubilden (siehe 6). Die Trennwandstruktur 160 kann zwischen den lichtemittierenden Strukturen 120U sein und jede der lichtemittierenden Strukturen 120U umgeben. Im Pad-Bereich PDR kann der lichtemittierende Stapel LS eine Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120U umgeben.
  • Eine Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120U kann durch eine Isolationsöffnung IAH voneinander isoliert sein (siehe 7). In einem Beispielprozess kann die Isolationsöffnung IAH durch Entfernen eines Abschnitts des lichtemittierenden Stapels ausgebildet werden und somit kann die Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120U aus dem lichtemittierenden Stapel LS im Pixelbereich PXR erhalten werden. Außerdem kann ein Abschnitt des lichtemittierenden Stapels LS im Pad-Bereich PDR verbleiben und den Pixelbereich PXR umgeben, wenn von oben betrachtet. Der lichtemittierende Stapel LS kann einer von jeweils mit Bezug auf 1, 3 und 4 beschriebenen lichtemittierenden Stapeln LS, LS-1 und LS-2 sein. Wie in 7 gezeigt, kann der lichtemittierende Stapel LS zum Beispiel eine Pufferstruktur BS, eine Halbleiterschicht 15 eines ersten Typs, eine Aktivschicht 16 und eine Halbleiterschicht 17 eines zweiten Typs enthalten. In 7 kann eine Deckfläche der Pufferstruktur BS der lichtemittierenden Struktur 120U als eine erste Oberfläche 120F1 der lichtemittierenden Struktur 120U definiert sein und eine Bodenoberfläche der Halbleiterschicht 17 zweiten Typs der lichtemittierenden Struktur 120U kann als eine zweite Oberfläche 120F2 der lichtemittierenden Struktur 120U definiert sein.
  • Eine erste Elektrode 142A, eine zweite Elektrode 142B, eine erste Isolierschicht 132, eine erste Verbindungselektrode 144A und eine zweite Verbindungselektrode 144B können ferner auf der lichtemittierenden Struktur 120U positioniert sein. Die erste Elektrode 142A kann im Innern einer Elektrodenöffnung E, welche die Aktivschicht 16 und die Halbleiterschicht 17 zweiten Typs durchdringt, sein und mit der Halbleiterschicht 15 ersten Typs in Berührung sein. Die zweite Elektrode 142B kann auf der Bodenoberfläche der Halbleiterschicht 17 zweiten Typs (d.h. der zweiten Oberfläche 120F2 der lichtemittierenden Struktur 120U sein). Die erste Elektrode 142A und die zweite Elektroden 142B können ein Material mit hohem Reflexionsvermögen enthalten. Zum Beispiel können die erste Elektrode 142A und die zweite Elektrode 142B Silber (Ag), Aluminium (Al), Nickel (Ni), Chrom (Cr), Kupfer (Cu), Gold (Au), Titan (Ti), Platin (Pt), Palladium (Pd), Zinn (Sn), Wolfram (W), Rhodium (Rh), Iridium (Ir), Ruthenium (Ru), Magnesium (Mg), Zink (Zn) oder eine Kombination daraus enthalten.
  • Die erste Isolierschicht 132 kann eine Innenwand der Elektrodenöffnung E bedecken und die erste Elektrode 142A von der Aktivschicht 16 und der Halbleiterschicht 17 zweiten Typs elektrisch isolieren. Zusätzlich kann die erste Isolierschicht 132 ferner zwischen der ersten Elektrode 142A und der zweiten Elektrode 142B auf der Bodenoberfläche der Halbleiterschicht 17 zweiten Typs (d.h. der zweiten Oberfläche 120F2 der lichtemittierenden Struktur 120U) sein und die erste Elektrode 142A von der zweiten Elektrode 142B elektrisch isolieren. In einigen Ausführungsformen kann sich die erste Isolierschicht 132 ferner auf eine Seitenoberfläche der lichtemittierenden Struktur 120U und eine Bodenoberfläche der Trennwandstruktur 160 erstrecken. In einigen Ausführungsformen kann eine Deckfläche der ersten Isolierschicht 132 auf derselben vertikalen Ebene LV1 wie die erste Oberfläche 120F1 der lichtemittierenden Struktur 120U sein. Die erste Isolierschicht 132 kann ein Isoliermaterial enthalten, das Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder eine Kombination daraus enthält.
  • Die erste Verbindungselektrode 144A kann auf der ersten Elektrode 142A und der ersten Isolierschicht 132 sein und die zweite Verbindungselektrode 144B kann auf der zweiten Elektrode 142B und der ersten Isolierschicht 132 sein. Die erste Verbindungselektrode 144A und die zweite Verbindungselektrode 144B können Ag, Al, Ni, Cr, Cu, Au, Ti, Pt, Pd, Sn, W, Rh, Ir, Ru, Mg, Zn oder eine Kombination daraus enthalten.
  • Eine zweite Isolierschicht 134 kann auf der ersten Isolierschicht 132 sein. Außerdem kann die zweite Isolierschicht 134 die erste Verbindungselektrode 144A und die zweite Verbindungselektrode 144B konform bedecken. Die zweite Isolierschicht 134 kann Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder eine Kombination daraus enthalten.
  • Eine Pad-Öffnung PH, die den lichtemittierenden Stapel LS durchdringt, kann im Pad-Bereich PDR sein. Ein erstes Pad 148A und ein zweites Pad 148B können im Innern der Pad-Öffnung PH sein. In einigen Ausführungsformen können eine Deckfläche des ersten Pads 148A und eine Deckfläche des zweiten Pads 148B koplanar zu der ersten Oberfläche 120F1 der lichtemittierenden Struktur 120U sein. Das erste Pad 148A und das zweite Pad 148B können Ag, Al, Ni, Cr, Cu, Au, Ti, Pt, Pd, Sn, W, Rh, Ir, Ru, Mg, Zn oder eine Kombination daraus enthalten. Ein mit einem Halbleiterantriebschip (nicht gezeigt) elektrisch zu verbindendes Verbindungselement (z.B. ein Bonddraht) kann auf dem ersten Pad 148A und dem zweiten Pad 148B sein. Obwohl sowohl das erste Pad 148A als auch das zweite Pad 148B in der Draufsicht aus 6 als eine gewöhnliche tetragonale Form aufweisend dargestellt sind, ist eine Form von sowohl dem ersten Pad 148A als auch dem zweiten Pad 148B nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel kann eine Länge in Y-Richtung von sowohl dem ersten Pad 148A als auch dem zweiten Pad 148B größer sein als eine Länge in X-Richtung von sowohl dem ersten Pad 148A als auch dem zweiten Pad 148B. Zum Beispiel können sowohl das erste Pad 148A als auch das zweite Pad 148B einen ersten Abschnitt, an dem ein mit einem Antriebschip zu verbindender Draht festgeklebt ist, und einen zweiten Abschnitt, der von einer Sonde berührt wird, die konfiguriert ist, elektrische Eigenschaften zu messen, enthalten. Der erste Abschnitt kann eine Form aufweisen, die sich von jener des zweiten Abschnitts unterscheidet. Zum Beispiel kann eine Breite des ersten Abschnitts kleiner oder gleich einer Breite des zweiten Abschnitts sein.
  • Ein erstes Verdrahtungsmuster 146A kann die erste Verbindungselektrode 144A mit dem ersten Pad 148A verbinden. Das erste Verdrahtungsmuster 146A kann auf der zweiten Isolierschicht 134 sein und mit der ersten Verbindungselektrode 144A in Berührung sein. Ein zweites Verdrahtungsmuster 146B kann die zweite Verbindungselektrode 144B mit dem zweiten Pad 148B verbinden. Obwohl in 7 nicht gezeigt, kann das zweite Verdrahtungsmuster 146B auf der zweiten Isolierschicht 134 sein und mit der zweiten Verbindungselektrode 144B in Berührung sein. In einigen Ausführungsformen können die erste Verbindungselektrode 144A und die zweite Verbindungselektrode 144B weggelassen sein und das erste Verdrahtungsmuster 146A und das zweite Verdrahtungsmuster 146B können jeweils mit der ersten Elektrode 142A und der zweiten Elektrode 142B direkt in Berührung sein.
  • In einigen Ausführungsformen kann ein drittes Verdrahtungsmuster (nicht gezeigt) ferner zur Verbindung mit benachbarten lichtemittierenden Strukturen 120U positioniert sein. Das dritte Verdrahtungsmuster kann die zweite Elektrode 142B (oder die zweite Verbindungselektrode 144B) einer lichtemittierenden Struktur 120U mit der ersten Elektrode 142A (oder der ersten Verbindungselektrode 144a) einer benachbarten lichtemittierenden Struktur 120U verbinden. Alternativ kann das dritte Verdrahtungsmuster die erste Elektrode 142A (oder die erste Verbindungselektrode 144A) einer lichtemittierenden Struktur 120U mit der ersten Elektrode 142A (oder der ersten Verbindungselektrode 144A) einer benachbarten lichtemittierenden Struktur 120U verbinden. Alternativ kann das dritte Verdrahtungsmuster die zweite Elektrode 142B (oder die zweite Verbindungselektrode 144B) einer lichtemittierenden Struktur 120U mit der zweiten Elektrode 142B (oder der zweiten Verbindungselektrode 144B) einer benachbarten lichtemittierenden Struktur 120U verbinden. Das dritte Verdrahtungsmuster kann auf der zweiten Isolierschicht 134 sein. In einigen Ausführungsformen kann eine dritte Isolierschicht (nicht gezeigt) ferner auf dem ersten Verdrahtungsmuster 146A positioniert sein und das dritte Verdrahtungsmuster kann auf der dritten Isolierschicht sein.
  • Eine Füllisolierschicht 136 kann auf der zweiten Isolierschicht 134, dem ersten Verdrahtungsmuster 146A und dem zweiten Verdrahtungsmuster 146B sein. Die Füllisolierschicht 136 kann eine planare Bodenoberfläche aufweisen, während sie die Isolationsöffnung IAH zwischen den lichtemittierenden Strukturen 120U füllt. Die erste Isolierschicht 132 und die zweite Isolierschicht 134 können zwischen der Füllisolierschicht 136 und der Trennwandstruktur 134 und zwischen der Füllisolierschicht 136 und der lichtemittierenden Struktur 120U sein. Die Füllisolierschicht 136 kann ein Siliziumharz, ein Epoxidharz oder ein Akrylharz enthalten.
  • Ein Trägersubstrat 154 kann ferner auf einer Bodenoberfläche der Füllisolierschicht 136 angeordnet sein. In einigen Ausführungsformen kann eine elektrische Verbindung eines Schaltungssubstrats (z.B. 1400 aus 11) unter dem Trägersubstrat 154 und der lichtemittierenden Struktur 120U durch Verwenden des Trägersubstrats 154 mit hohem elektrischen Widerstand verhindert werden. Zum Beispiel kann das Trägersubstrat 154 ein Silizium(Si)-Substrat und eine auf mindestens einer von einer Deckfläche und einer Bodenoberfläche des Siliziumsubstrats ausgebildete Isolierschicht enthalten. Alternativ oder zusätzlich kann das Trägersubstrat 154 ein undotiertes oder leicht dotiertes Siliziumsubstrat mit hohem elektrischen Widerstand sein. Die Bodenoberfläche der Füllisolierschicht 136 kann durch eine Klebstoffschicht 152 auf dem Trägersubstrat 154 festgeklebt sein. Die Klebstoffschicht 152 kann zum Beispiel ein Isoliermaterial, wie Siliziumoxid, Siliziumnitrid, ein Polymermaterial oder Harze enthalten. In einigen Ausführungsformen kann die Klebstoffschicht 152 dasselbe Material enthalten wie die Füllisolierschicht 136 und eine Grenze zwischen der Klebstoffschicht 152 und der Füllisolierschicht 136 ist womöglich nicht mit bloßem Auge sichtbar. In einer weiteren Ausführungsform kann die Klebstoffschicht 152 ein eutektisches Klebstoffmaterial, wie AuSn oder NiSi, enthalten.
  • Das Trägersubstrat 154 kann ein Isoliersubstrat oder ein leitfähiges Substrat enthalten. In Ausführungsbeispielen kann das Trägersubstrat 154 einen elektrischen Widerstand von mindestens mehreren Megaohm (MΩ), zum Beispiel mindestens 50 MΩ, enthalten. Je größer der elektrische Widerstand des Trägersubstrats 154 ist, desto besser sind die elektrischen Isoliereigenschaften des Trägersubstrats 154. Zum Beispiel kann das Trägersubstrat 154 undotiertes Silizium, ein undotiertes Saphirsubstrat, ein Glassubstrat, ein transparentes leitfähiges Substrat, ein Siliziumsubstrat, ein Siliziumkarbidsubstrat, Al2O3, Wolfram (W), Kupfer (Cu), ein Bismaleimidtriazin(BT)-Harz, ein Epoxidharz, Polyimide, ein Flüssigkristall(LC)-Polymer, ein kupferkaschiertes Laminat oder eine Kombination daraus enthalten, die Ausführungsformen sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • In Ausführungsbeispielen kann das Trägersubstrat 154 eine Dicke von mindestens 150 µm (z.B. ungefähr 200 µm bis ungefähr 400 µm) in einer vertikalen Richtung (d.h. einer Z-Richtung) aufweisen. Wenn das Trägersubstrat 154 eine übermäßig kleine Dicke aufweist, können Emissionseigenschaften der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 beeinträchtigt werden. Zum Beispiel kann ein Verzug des Trägersubstrats 154 auftreten. Wenn das Trägersubstrat 154 eine übermäßig große Dicke aufweist, können Komponenten um das Trägersubstrat 154 herum aufgrund einer Belastung durch das Trägersubstart 154 deformiert werden.
  • Die Trennwandstruktur 160 kann auf der ersten Oberfläche 120F1 einer jeden der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120U sein. Um verschiedene Beleuchtungsmodi gemäß Umgebungsbedingungen in einem intelligenten Beleuchtungssystem, wie einem Scheinwerfer für ein Fahrzeug, umzusetzen, kann es von Vorteil sein, die Mehrzahl an Pixeln PX in der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 individuell zu steuern. In diesem Fall kann die Trennwandstruktur verhindern, dass von einem Pixel PX emittiertes Licht in benachbarte Pixel PX eindringt, und somit können die Kontrasteigenschaften der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 verbessert werden.
  • Die Trennwandstruktur 160 kann auf der Füllisolierschicht 136 sein. In einigen Ausführungsformen können sich die erste Isolierschicht 132 und/oder die zweite Isolierschicht 134 ferner zwischen der Trennwandstruktur 160 und der Füllisolierschicht 136 erstrecken. Die Trennwandstruktur 160 kann zum Beispiel ein Silizium(Si)-Substrat, ein Siliziumkarbid(SiC)-Substrat, ein Saphirsubstrat oder ein Galliumnitrid(GaN)-Substrat sein. In einem Beispielprozess kann die Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120U auf zum Beispiel einem Substrat (Bezug zu Substrat 110 aus 9M) ausgebildet sein und dann kann eine Mehrzahl an Öffnungen 160OP im Substrat 110 ausgebildet werden, wodurch die Trennwandstruktur 160 ausgebildet wird. In diesem Fall kann die Trennwandstruktur 160 ein Abschnitt des Substrats 110 zur Ausbildung des lichtemittierenden Stapels LS sein.
  • Die Trennwandstruktur 160 kann die Mehrzahl an Öffnungen 160OP enthalten. In einigen Ausführungsformen, wenn von oben betrachtet, kann jede der Öffnungen 160OP der Trennwandstruktur 160 abgerundete Ecken RC (siehe 6) enthalten, um das Auftreten und Propagieren von Rissen zu verhindern. Zusätzlich kann jede der Öffnungen 160OP der Trennwandstruktur 160 einen mittleren Abschnitt 120Ua der lichtemittierenden Struktur 120U, der jenen entspricht, freilegen, während sie gleichzeitig einen peripheren Abschnitt 120Ub der lichtemittierenden Struktur 120, der jenen entspricht, bedeckt.
  • In einigen Ausführungsformen kann die Pufferstruktur BS im peripheren Abschnitt 120Ub der lichtemittierenden Struktur 120U enthalten sein, jedoch nicht im mittleren Abschnitt 120Ua der lichtemittierenden Struktur 120U enthalten sein (siehe 7). Das heißt, die lichtemittierende Struktur 120U kann einen Graben T enthalten, der die Pufferstruktur BS durchdringt und die Halbleiterschicht 15 ersten Typs freilegt. Der Graben T kann die Öffnung 160OP der Trennwandstruktur 160 überlappen. In einigen Ausführungsformen kann zur Verbesserung einer Lichtextraktionseffizienz eine Rauheit einer ersten Oberfläche 15F1 der Halbleiterschicht 15 ersten Typs, die durch den Graben T freigelegt ist, höher sein als eine Rauheit einer zweiten Oberfläche 15F2 der Halbleiterschicht 15 ersten Typs.
  • In einigen Ausführungsformen kann eine reflektierende Schicht 172 ferner auf einer Seitenoberfläche der Trennwandstruktur 160 positioniert sein. Die reflektierende Schicht 172 kann von der lichtemittierenden Struktur 120U emittiertes Licht reflektieren. Die reflektierende Schicht 172 kann zum Beispiel ein Metall enthalten, das Ag, Al, Ni, Cr, Au, Pt, Pd, Sn, W, Rh, Ir, Ru, Mg, Zn oder eine Kombination daraus enthält. In weiteren Ausführungsformen kann die reflektierende Schicht 172 ein Harz (z.B. Polyphthalamid (PPA)) enthalten, das ein Metalloxid, wie Titanoxid oder Aluminiumoxid, beinhaltet. In weiteren Ausführungsformen kann die reflektierende Schicht 172 eine verteilte Bragg-Reflektor(DBR)-Schicht enthalten. Zum Beispiel kann die DBR-Schicht eine Struktur aufweisen, in der eine Mehrzahl an Isolierschichten mit unterschiedlichen Brechungsindizes mehrere bis mehrere hundert Mal wiederholt gestapelt ist. Jede der Isolierschichten in der DBR-Schicht kann ein Oxid, ein Nitrid oder eine Kombination daraus, zum Beispiel SiO2, SiN, SiOxNy, TiO2, Si3N4, Al2O3, TiN, AlN, ZrO2, TiAlN oder TiSiN, enthalten.
  • Eine fluoreszierende Schicht 174 kann im Innern der Öffnung 160OP der Trennwandstruktur 160 und des Grabens T der lichtemittierenden Struktur 120U sein. Die Trennwandstruktur 160 kann mit der reflektierenden Schicht 172 in Berührung sein.
  • In weiteren Ausführungsformen ist die reflektierende Schicht 172 womöglich nicht auf der Seitenoberfläche der Trennwandstruktur 160. In diesem Fall kann die Seitenoberfläche der Trennwandstruktur 160 mit der fluoreszierenden Schicht 174 in direkter Berührung sein. Die fluoreszierende Schicht 174 kann die Öffnung 160OP der Trennwandstruktur 160 und des Grabens T der lichtemittierenden Struktur 120 beinahe vollständig füllen. Eine oberste Ebene der fluoreszierenden Schicht 174 kann gleich einer obersten Ebene LV2 der Trennwandstruktur 160 sein. Die fluoreszierende Schicht 174 kann im Wesentlichen eine planare Deckfläche aufweisen. Die fluoreszierende Schicht 174 kann durch die Trennwandstruktur 160 im Innern einer jeden der Öffnungen 160OP und jedem der Gräben T gut fixiert sein.
  • Die fluoreszierende Schicht 174 kann ein Material enthalten, das dazu imstande ist, die Farbe von von der lichtemittierenden Struktur 120U emittiertem Licht in eine gewünschte Farbe umzuwandeln. Die fluoreszierende Schicht 174 kann ein Harz, das ein darin dispergiertes fluoreszierendes Material beinhaltet, oder eine Schicht, die ein fluoreszierendes Material beinhaltet, enthalten. Zum Beispiel kann die fluoreszierende Schicht 174 eine fluoreszierende Materialschicht enthalten, in der fluoreszierende Materialpartikel bei einer bestimmten Konzentration einheitlich dispergiert werden. Die fluoreszierenden Materialpartikel können ein Wellenlängenumwandlungsmaterial sein, das die Wellenlänge eines von der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120U emittierten Lichts verändert. Die fluoreszierende Schicht 174 kann mindestens zwei Arten von fluoreszierenden Materialpartikeln mit unterschiedlichen Größenverteilungen zur Verbesserung der Dichten- und Farbeinheitlichkeit der fluoreszierenden Materialpartikel enthalten.
  • In Ausführungsbeispielen kann das fluoreszierende Material verschiedene Farben und verschiedene Zusammensetzungen, wie eine oxidbasierte Zusammensetzung, eine silikatbasierte Zusammensetzung, eine nitridbasierte Zusammensetzung und eine fluoridbasierte Zusammensetzung, aufweisen. Zum Beispiel können β-SiAlON:Eu2+(grün), (Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+(rot), La3Si6N11:Ce3+(gelb), K2SiF6:Mn4 +(rot), SrLiAl3N4:Eu(rot), Ln4-x(EuzM1-z)xSi12-yAlyO3+x+yN18-x-y(0.5≤x≤3, 0<z<0.3, 0<y≤4)(rot), K2TiF6:Mn4 +(rot), NaYF4:Mn4 +(rot), NaGdF4:Mn4 +(rot) und dergleichen als das fluoreszierende Material verwendet werden. Die Art des fluoreszierenden Materials ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • In weiteren Ausführungsformen kann ein Wellenlängenumwandlungsmaterial, wie ein Quantenpunkt, ferner auf der fluoreszierenden Schicht 174 positioniert sein. Der Quantenpunkt kann eine Kernschalenstruktur unter Verwendung eines III-V- oder II-VI-Verbindungshalbleiters aufweisen. Zum Beispiel kann der Quantenpunkt einen Kern, wie CdSe und InP, und eine Schale, wie ZnS und ZnSe, aufweisen. Zusätzlich kann der Quantenpunkt einen Ligand zur Stabilisierung des Kerns und der Schale enthalten.
  • Nach verschiedenen Ausführungsformen kann die Trennwandstruktur 160 ausgebildet sein, den peripheren Abschnitt 120Ub der lichtemittierenden Struktur 120U zu überlappen, um einen Emissionsbereich und einen Bereich der Aktivschicht 16 zu maximieren. Dementsprechend, selbst wenn der die Halbleiterschicht 15 ersten Typs freilegende Graben T ausgebildet ist, kann ein Abschnitt der Pufferstruktur BS unter der Trennwandstruktur 160 verbleiben. Wenn die Öffnung 160OP in der Trennwandstruktur ausgebildet ist und der Graben T in der lichtemittierenden Struktur 120U ausgebildet ist, kann die Pufferstruktur BS (insbesondere eine Schicht, die AlN enthält), aufgrund der Zugbelastung reißen und in einen Abschnitt der Pufferstruktur BS, die unter der Trennwandstruktur 160 verbleibt, propagieren. Die Risse können Defekte in der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 verursachen. Die Pufferstrukturen BS und BS-2, die wie mit Bezug auf 1 bis 4 strukturell konfiguriert sind, können eine Zugbelastung darin reduzieren und das Auftreten von Rissen verhindern, und somit kann der Herstellungsertrag der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 verbessert werden.
  • 8A ist eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100A nach einer Ausführungsform. Nachfolgend wird eine wiederholte Beschreibung von Elementen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100A, die Elementen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 ähnlich sind, der Kürze halber weggelassen und Unterschiede zwischen der mit Bezug auf 5 bis 7 beschriebenen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 und der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100A aus 8A werden beschrieben.
  • Bezugnehmend auf 8A kann eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100A ferner eine Passivierungsschicht 176 auf der Trennwand 160A enthalten, um die Trennwand 160A zu schützen. Die Passivierungsschicht 176 kann eine Oxidschicht, eine Nitridschicht oder eine Kombination daraus enthalten. Zum Beispiel kann die Passivierungsschicht 176 Si3N4, SiO2, SiON, Al2O3 oder eine Kombination daraus enthalten. In einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 176 eine Mehrschichtstruktur aufweisen.
  • Die Passivierungsschicht kann sich auf einer Deckfläche und einer Seitenoberfläche der Trennwand 160A erstrecken. In einigen Ausführungsformen kann sich die Passivierungsschicht 176 ferner auf einer lichtemittierenden Struktur 120U erstrecken. In einigen Ausführungsformen kann eine Dicke t1 eines Abschnitts der Passivierungsschicht 176 auf der Deckfläche der Trennwand 160A kleiner sein als eine Dicke t2 eines Abschnitts der Passivierungsschicht 176 auf der Seitenoberfläche der Trennwand 160A. Die Kontrasteigenschaften der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100A können aufgrund eines Dickenunterschieds der Passivierungsschicht 176 verbessert werden. In einigen Ausführungsformen kann eine Dicke t3 eines Abschnitts der Passivierungsschicht 176 auf der lichtemittierenden Struktur 120U kleiner sein als die Dicke t2 des Abschnitts der Passivierungsschicht 176 auf der Seitenoberfläche der Trennwand 160A.
  • In einigen Ausführungsformen kann die Trennwand 160A ferner einen Graben 160T enthalten, der sich von der Deckfläche der Trennwand 160A in die Trennwand 160A erstreckt. In einigen Ausführungsformen kann eine oberste Ebene LV3 der fluoreszierenden Schicht 174 niedriger oder gleich einer obersten Ebene LV2 der Trennwandstruktur 160 sein.
  • Obwohl in 8A nicht gezeigt, kann in einigen Ausführungsformen eine reflektierende Schicht (nicht gezeigt) zwischen der lichtemittierenden Struktur 120U und einer ersten Isolierschicht 132 und zwischen der Trennwandstruktur 160 und der ersten Isolierschicht 132 sein. In weiteren Ausführungsformen kann die reflektierende Schicht (nicht gezeigt) zwischen der ersten Isolierschicht 132 und einer zweiten Isolierschicht 134 sein. In weiteren Ausführungsformen kann die reflektierende Schicht (nicht gezeigt) zwischen der zweiten Isolierschicht 134 und einer Füllisolierschicht 136 sein.
  • In einigen Ausführungsformen können eine obere Isolierschicht 154a und eine untere Isolierschicht 154b ferner auf beiden Oberflächen des Trägersubstrats 154 vorgesehen sein.
  • Die obere Isolierschicht 154a kann eine erste Oberfläche 154S1 des Trägersubstrats 154, die der Füllisolierschicht 136 zugewandt ist, bedecken und die untere Isolierschicht 154b kann eine zweite Oberfläche 154S2 des Trägersubstrats, die auf einer gegenüberliegenden Seite der ersten Oberfläche 154S 1 ist, bedecken. Die obere Isolierschicht 154a kann von der Füllisolierschicht 136 mit der Klebstoffschicht 152 dazwischen in der vertikalen Richtung (Z-Richtung) getrennt sein. In Ausführungsbeispielen kann die obere Isolierschicht 154a mit der ersten Oberfläche 154S1 des Trägersubstrats 154 in Berührung sein und die untere Isolierschicht 154b kann mit der zweiten Oberfläche 154S2 des Trägersubstrats 154 in Berührung sein. Die Ausführungsformen sind jedoch nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel kann mindestens eine mittlere Schicht (nicht gezeigt) zwischen der oberen Isolierschicht 154a und dem Trägersubstrat 154 und/oder zwischen der unteren Isolierschicht 154b und dem Trägersubstrat 154 sein. Die mindestens eine mittlere Schicht kann ein Isoliermaterial, ein Halbleitermaterial, ein leitfähiges Material oder eine Kombination daraus enthalten.
  • 8B ist eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100B nach einer Ausführungsform. Nachfolgend wird eine wiederholte Beschreibung von Elementen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100B, die Elementen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 100 und 100A ähnlich sind, der Kürze halber weggelassen und Unterschiede zwischen den mit Bezug auf 5 bis 8A beschriebenen lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 100 und 100A und der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100B aus 8B werden beschrieben.
  • Bezugnehmend auf 8B kann eine Passivierungsstruktur 178 auf einer Deckfläche und einer Seitenwand einer Trennwandstruktur 160 sein. Die Passivierungsstruktur 178 kann eine erste Passivierungsschicht 178a und eine zweite Passivierungsschicht 178b, die konform auf der Deckfläche und der Seitenwand der Trennwandstruktur 160 sind, enthalten. Die Passivierungsschicht 178 kann konform auf einem freigelegten Abschnitt der ersten Oberfläche 15F1 einer Halbleiterschicht 15 eines ersten Typs sein.
  • In Ausführungsbeispielen kann die erste Passivierungsschicht 178a ein erstes Isoliermaterial enthalten und die zweite Passivierungsschicht 178b kann ein zweites Isoliermaterial, das sich vom ersten Isoliermaterial unterscheidet, enthalten. Sowohl das erste Isoliermaterial als auch das zweite Isoliermaterial können mindestens eines von Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxynitrid, Aluminiumoxid und Aluminiumnitrid enthalten. Obwohl 8B ein Beispiel darstellt, in dem zwei Passivierungsschichten vorgesehen sind, versteht ein Fachmann, dass mindestens drei Passivierungsschichten vorgesehen sein können. In einigen Ausführungsformen, wenn eine Mehrzahl an Passivierungsschichten vorgesehen ist, können Materialien von benachbarten Passivierungsschichten unterschiedlich ausgewählt werden.
  • In einigen Ausführungsformen können die erste Passivierungsschicht 178a und die zweite Passivierungsschicht 178b als Paare von Passivierungsschichten mindestens zweimal wiederholt gestapelt sein.
  • In Ausführungsbeispielen kann die Passivierungsstruktur 178 einen auf der Deckfläche der Trennwandstruktur 160 positionierten ersten Abschnitt 178P1, einen auf der Seitenwand der Trennwandstruktur 160 positionierten zweiten Abschnitt 178P2 und einen auf dem freigelegten Abschnitt der ersten Oberfläche 15F1 der Halbleiterschicht 15 ersten Typs positionierten dritten Abschnitt 178P3 enthalten. In einigen Ausführungsformen kann eine Dicke des ersten Abschnitts 178P1 kleiner oder gleich einer Dicke des zweiten Abschnitts 178P2 sein. Außerdem kann eine Dicke des dritten Abschnitts 178P3 kleiner oder gleich der Dicke des zweiten Abschnitts 178P2 sein. In einigen Ausführungsformen kann der erste Abschnitt 178P1 eine Dicke von ungefähr 0,1 µm bis ungefähr 2 µm aufweisen und der zweite Abschnitt kann eine Dicke von ungefähr 0,5 µm bis 5 µm aufweisen.
  • 9A bis 9M sind Querschnittsansichten, die ein Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung nach einer Ausführungsform darstellen.
  • Bezugnehmend auf 9A kann eine lichtemittierende Stapelstruktur LS auf einem Substrat 110 ausgebildet sein. Das Substrat 110 kann zum Beispiel ein Siliziumsubstrat, ein Siliziumkarbidsubstrat, ein Saphirsubstrat oder ein Galliumnitridsubstrat enthalten. Das Substrat 110 kann einen Abschnitt in einem Pixelbereich PXR und einen Abschnitt in einem Pad-Bereich PDR enthalten. Wie oben mit Bezug auf 5 beschrieben, kann der Pad-Bereich PDR den Pixelbereich PXR umgeben, wenn von oben betrachtet. Der lichtemittierende Stapel LS kann durch sequenzielles Ausbilden von zum Beispiel einer Pufferstruktur BS, einer Halbleiterschicht 15 eines ersten Typs, einer Aktivschicht 16 und einer Halbleiterschicht 17 eines zweiten Typs auf dem Substrat 110 ausgebildet werden. Ein spezifisches Verfahren zum Ausbilden des lichtemittierenden Stapels LS ist oben mit Bezug auf 1 beschrieben worden.
  • Bezugnehmend auf 9B können Abschnitte des lichtemittierenden Stapels LS entfernt werden, um jeweils eine Isolationsöffnung IAH und eine Pad-Öffnung PH im Pixelbereich PXR und Pad-Bereich PDR zu erzeugen. Die Isolationsöffnung IAH und die Pad-Öffnung PH können den lichtemittierenden Stapel LS vollständig durchdringen und eine erste Oberfläche 110F1 des Substrats 110 freilegen. Im Pixelbereich PXR kann der lichtemittierende Stapel LS durch die Isolationsöffnung IAH in eine Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120U unterteilt werden. In einigen Ausführungsformen kann der Prozess zum Ausbilden der Isolationsöffnung IAH unter Verwendung einer Klinge durchgeführt werden.
  • Bezugnehmend auf 9C kann ein Abschnitt der lichtemittierenden Struktur 120U im Pixelbereich PXR entfernt werden und somit kann eine Öffnung E in der lichtemittierenden Struktur 120U ausgebildet werden. Die Öffnung E kann die Halbleiterschicht 17 zweiten Typs und die Aktivschicht 16 durchdringen und die Halbleiterschicht 15 ersten Typs freilegen.
  • Bezugnehmend auf 9D kann eine erste Isolierschicht 132 auf der lichtemittierenden Struktur 120U, dem lichtemittierenden Stapel LS und dem Substrat 110 ausgebildet sein. Die erste Isolierschicht 132 kann die Öffnung E, die Isolationsöffnung IAH und die Pad-Öffnung PH konform bedecken und sich auf einer Deckfläche und einer Seitenoberfläche der lichtemittierenden Struktur 120U und einer Deckfläche des Substrats 110 erstrecken. Die erste Isolierschicht 132 kann sowohl im Pixelbereich PXR als auch im Pad-Bereich PDR ausgebildet sein.
  • Als nächstes kann ein Abschnitt der ersten Isolierschicht 132 auf der im Innern der Öffnung E positionierten Halbleiterschicht 15 ersten Typs entfernt werden, um eine Deckfläche der Halbleiterschicht 15 ersten Typs freizulegen. Als nächstes kann eine erste Elektrode 142A auf der Deckfläche der Halbleiterschicht 15 ersten Typs ausgebildet werden. In einigen Ausführungsformen kann eine erste Kontaktschicht (nicht gezeigt), die ein ohmsches Material enthält, ferner zwischen der ersten Elektrode 142A und der Halbleiterschicht 15 ersten Typs ausgebildet sein. Als nächstes kann eine mit der ersten Elektrode 142A elektrisch zu verbindende erste Verbindungselektrode 144A auf der ersten Isolierschicht 132 ausgebildet werden.
  • Darüber hinaus kann ein Abschnitt der ersten Isolierschicht 132 auf der Halbleiterschicht 17 zweiten Typs entfernt werden, um eine Deckfläche der Halbleiterschicht 17 zweiten Typs freizulegen. Eine zweite Elektrode 142B kann auf der Deckfläche der Halbleiterschicht 17 zweiten Typs ausgebildet sein. In einigen Ausführungsformen kann eine zweite Kontaktschicht (nicht gezeigt), die ein ohmsches Material enthält, ferner zwischen der zweiten Elektrode 142B und der Halbleiterschicht 17 zweiten Typs ausgebildet sein. Als nächstes kann eine mit der zweiten Elektrode 142B elektrisch zu verbindende zweite Verbindungselektrode 144B auf der ersten Isolierschicht 132 ausgebildet werden.
  • Bezugnehmend auf 9E kann eine zweite Isolierschicht 134 konform auf der ersten Verbindungselektrode 144A, der zweiten Verbindungselektrode 144B und der ersten Isolierschicht 132 ausgebildet sein.
  • Bezugnehmend auf 9F kann ein Abschnitt der zweiten Isolierschicht 134 entfernt werden, um eine Deckfläche der ersten Verbindungselektrode 144A freizulegen. Zusätzlich können Abschnitte der ersten Isolierschicht 132 und der zweiten Isolierschicht 134, welche durch die Pad-Öffnung PH freigelegt sind, entfernt werden, um die erste Oberfläche 110F1 des Substrats 110 freizulegen. Anschließend kann ein erstes Verdrahtungsmuster 146A auf der zweiten Isolierschicht 134 ausgebildet werden. Außerdem kann ein erstes Pad 148A im Innern der Pad-Öffnung PH ausgebildet sein. In einigen Ausführungsformen kann auf das Ausbilden des ersten Verdrahtungsmusters 146A das Ausbilden des ersten Pads 148A folgen. In weiteren Ausführungsformen kann das erste Pad 148A während der Ausbildung des ersten Verdrahtungsmusters 146A ausgebildet werden. Obwohl in 9F nicht gezeigt, kann ein zweites Verdrahtungsmuster (Bezug zu 146B aus 6) ferner auf der zweiten Isolierschicht 134 ausgebildet sein und ein zweites Pad (Bezug zu 148B aus 6) kann ferner im Innern einer weiteren Pad-Öffnung PH ausgebildet sein.
  • Bezugnehmend auf 9G kann eine Füllisolierschicht 136 auf der zweiten Isolierschicht 134, dem ersten Verdrahtungsmuster 146A und dem ersten Pad 148A ausgebildet sein. Die Füllisolierschicht 136 kann die verbleibenden Räume im Innern der Isolationsöffnung IAH und der Pad-Öffnung PH füllen. Danach kann die Füllisolierschicht 136 durch Verwenden einer Klebstoffschicht 152 an einem Trägersubstrat 154 festgeklebt werden.
  • Bezugnehmend auf 9H kann ein oberer Abschnitt des Substrats 110 durch Verwenden eines Schleifprozesses von der zweiten Oberfläche 110F2 des Substrats 110 entfernt werden und somit kann eine Dicke des Substrats 110 reduziert werden.
  • Bezugnehmend auf 91 kann ein Maskenmuster (nicht gezeigt) auf der zweiten Oberfläche 110F2 des Substrats 110 ausgebildet sein und ein Abschnitt des Substrats 110 kann unter Verwendung des Maskenmusters als eine Ätzmaske entfernt werden und somit kann eine Mehrzahl an Öffnungen 160OP im Pixelbereich PXR des Substrats 110 derart ausgebildet werden, dass sie das Substrat 110 durchdringt. Die Mehrzahl an Öffnungen 160OP kann jeweils Abschnitte der ersten Oberfläche 120F1 der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120U freilegen. Die Öffnung 160OP kann derart ausgebildet sein, dass das Substrat 110 einen peripheren Abschnitt einer lichtemittierenden Struktur 120U überlappt und einen mittleren Abschnitt der lichtemittierenden Struktur 120U freilegt.
  • Bezugnehmend auf 9J können Abschnitte der Pufferstruktur BS, welche durch die Mehrzahl an Öffnungen 160OP freigelegt sind, derart geätzt werden, dass sie einen Graben T in jeder der lichtemittierenden Strukturen 120U ausbilden. Der Graben T kann die Halbleiterschicht 15 ersten Typs freilegen. Ein Abschnitt der Pufferstruktur BS im Innern eines mittleren Abschnitts 120Ua der lichtemittierenden Struktur 120U, der durch die Öffnung 160OP des Substrats 110 freigelegt ist, kann entfernt werden. Ein Abschnitt der Pufferstruktur BS kann bei einem peripheren Abschnitt 120Ub der lichtemittierenden Stapelstruktur 120U, der vom Substrat 110 bedeckt ist, verbleiben. In einigen Ausführungsformen kann ein freigelegter Abschnitt der ersten Oberfläche 15F1 der Halbleiterschicht 15 ersten Typs strukturiert und aufgeraut sein.
  • Während der Ausbildung der Öffnung 160OP im Substrat 110 und der Ausbildung des Grabens T in der lichtemittierenden Struktur 120U können unter einer Zugbelastung Risse in der Pufferstruktur BS (insbesondere einer Schicht, die AlN enthält) auftreten und in einen Abschnitt der Pufferstruktur BS, der unter dem Substrat 110 verbleibt, propagieren, wodurch Defekte in der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung verursacht werden. Die Pufferstrukturen BS und BS-2, die wie mit Bezug auf 1 bis 4 strukturell konfiguriert sind, können eine Zugbelastung darin reduzieren und das Auftreten von Rissen verhindern und somit kann der Herstellungsertrag einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung (Bezug zu 100 aus 5 bis 7) verbessert werden.
  • Bezugnehmend auf 9K kann eine reflektierende Schicht 172 auf Seitenoberflächen der Mehrzahl an Öffnungen 160OP des Substrats 110 ausgebildet sein. Zum Beispiel kann eine Metallschicht auf dem Substrat 110 und der lichtemittierenden Struktur 120U ausgebildet und dann durch Verwenden eines anisotropen Ätzprozesses von der Deckfläche des Substrats 110 und der lichtemittierenden Struktur 120U entfernt werden.
  • Bezugnehmend auf 91 kann eine fluoreszierende Schicht 174 im Innern des Grabens T der lichtemittierenden Struktur 120U und der Öffnung 160OP des Substrats 110 ausgebildet sein. Zum Beispiel kann die fluoreszierende Schicht 174 durch Anwenden oder Dispergieren eines Harzes, das darin dispergierte fluoreszierende Materialpartikel beinhaltet, in die Öffnung 160OP und den Graben T ausgebildet werden. Die fluoreszierende Schicht 174 kann mindestens zwei Arten von fluoreszierenden Materialpartikeln mit unterschiedlichen Größenverteilungen derart enthalten, dass die fluoreszierenden Materialpartikel sowohl in die Öffnung 160OP als auch den Graben T einheitlich dispergiert werden können.
  • Bezugnehmend auf 9M kann ein Maskenmuster M11 auf einem Abschnitt des Substrats 110 im Pixelbereich PXR ausgebildet sein, um einen Abschnitt des Substrats 110 im Pad-Bereich PDR freizulegen. Ein Abschnitt des Substrats 110 kann unter Verwendung des Maskenmusters M11 als eine Ätzmaske entfernt werden, um den lichtemittierenden Stapel LS und das erste Pad 148A im Pad-Bereich PDR freizulegen. Obwohl in 9M nicht gezeigt, kann das zweite Pad 148B ebenfalls freigelegt sein. Danach kann das Maskenmuster M11 entfernt werden. Das Substrat 110 mit der Mehrzahl an Öffnungen 160OP kann eine Trennwandstruktur (Bezug zu 160 aus 5 bis 7) ausbilden.
  • Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100 aus 5 bis 7 kann durch Verwenden des mit Bezug auf 9A bis 9M beschriebenen Herstellungsverfahrens vollständig hergestellt werden.
  • 10 ist ein Blockdiagramm eines Lichtquellenmoduls 1000 nach einer Ausführungsform.
  • Bezugnehmend auf 10 kann das Lichtquellenmodul 1000 eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1100 und einen LED-Treiber 1200 enthalten. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1100 kann ein LED-Array FA enthalten, das eine Mehrzahl an LEDs enthält. In einigen Ausführungsformen kann ein LED-Array FA eine Mehrzahl an Teil-Arrays SA enthalten. In unterschiedlichen Teil-Arrays SA enthaltene LEDs können elektrisch voneinander isoliert sein. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1100 kann zum Beispiel eine der mit Bezug auf 1 bis 8B beschriebenen lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 10, 10-1, 10-2, 100, 100A und 100B sein.
  • Der LED-Treiber 1200 kann eine Mehrzahl an Antriebschips 1210 enthalten. Jeder der Mehrzahl an Antriebschips 1210 kann einen integrierten Schaltungs(IC)-Chip enthalten. Jeder der Mehrzahl an Antriebschips 1210 kann mit dem dazu entsprechenden Teil-Array SA elektrisch verbunden sein und Operationen der LEDs des dazu entsprechenden Teil-Arrays SA steuern. In einigen Ausführungsformen kann die im LED-Treiber 1200 enthaltene Anzahl an Antriebschips 1210 gleich der in der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1100 enthaltenen Anzahl an Teil-Arrays SA sein. In weiteren Ausführungsformen kann sich die im LED-Treiber 1200 enthaltene Anzahl an Antriebschips 1210 von der in der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1100 enthaltenen Anzahl an Teil-Arrays SA unterscheiden. Zum Beispiel kann eine Mehrzahl an Teil-Arrays SA durch einen Antriebschip 1210 gesteuert werden oder ein Teil-Array SA kann durch eine Mehrzahl an Antriebschips 1210 gesteuert werden.
  • Im Gegensatz zu der Darstellung aus 10 ist das LED-Array FA in der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1100 in einigen Ausführungsformen womöglich nicht in eine Mehrzahl an Teil-Arrays SA unterteilt. Das heißt, die Mehrzahl an Teil-Arrays SA kann in einigen Ausführungsformen weggelassen sein. Jeder der Antriebschips 1210 kann Operationen der LEDs in einem dazu entsprechenden Array FA steuern. In einigen Ausführungsformen kann die im LED-Treiber 1200 enthaltene Anzahl an Antriebschips 1210 gleich der in der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1100 enthaltenen Anzahl an Arrays sein.
  • Der LED-Treiber 1200 kann mit einer Leistungsversorgung (nicht gezeigt) verbunden sein. Die Leistungsversorgung kann eine für Operationen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1100 erforderliche Eingabespannung erzeugen und die Eingabespannung an die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1100 übermitteln. In einer Ausführungsform kann die Leistungsversorgung eine im Fahrzeug angebrachte Batterie sein, wenn das Lichtquellenmodul 1000 ein Scheinwerfer für ein Fahrzeug ist. Nach Ausführungsbeispielen kann das Lichtquellenmodul 1000 ferner eine zur Erzeugung einer AC-Spannung konfigurierte Wechselstrom(AC)-Leistungsversorgung, eine zum Gleichrichten der AC-Spannung und zur Erzeugung einer Gleichstrom(DC)-Spannung konfigurierte Gleichrichterschaltung und eine Spannungsreglerschaltung enthalten, wenn das Lichtquellenmodul 1000 ein Haushalts-oder Industriebeleuchtungskörper ist.
  • 11 ist eine Draufsicht eines Lichtquellenmoduls 1000 nach einer Ausführungsform.
  • Bezugnehmend auf 11 kann das Lichtquellenmodul 1000 ein Schaltungssubstrat 1400 und eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1100 und eine Mehrzahl an Antriebschips 1210, die auf dem Schaltungssubstrat 1400 angebracht sind, enthalten. In einigen Ausführungsformen kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1100 einen Chip enthalten. In einigen Ausführungsformen kann eine Länge in X-Richtung des Chips der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1100 größer sein als eine Länge in Y-Richtung des Chips der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1100.
  • Das Schaltungssubstrat 1400 kann zum Beispiel eine Leiterplatte (PCB) enthalten. Das Schaltungssubstrat 1400 kann einen mittleren Bereich 1400A und einen peripheren Bereich 1400B, der den mittleren Bereich 1400A umgibt, enthalten. In einigen Ausführungsformen kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1100 auf dem mittleren Bereich 1400A des Schaltungssubstrats 1400 sein und die Mehrzahl an Antriebschips 1210 kann auf dem peripheren Bereich 1400B des Schaltungssubstrats 1400 sein.
  • Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1100 kann ein LED-Array enthalten. Das LED-Array kann in eine Mehrzahl an Teil-Arrays SA unterteilt sein. Obwohl 11 einen Fall darstellt, in dem die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1100 16 Teil-Arrays SA enthält, kann die in der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1100 enthaltene Anzahl an Teil-Arrays SA größer oder kleiner als 16 sein. Zusätzlich, obwohl 11 einen Fall darstellt, in dem die Teil-Arrays SA in 8 Spalten und 2 Reihen angeordnet sind, kann die Anordnung der Teil-Arrays SA modifiziert werden. Jedes der Teil-Arrays SA kann durch einen entsprechenden der Antriebschips 1210 angetrieben werden. In der mit Bezug auf 5 bis 7 beschriebenen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 kann eine lichtemittierende Struktur 120U einer LED entsprechen.
  • Das Lichtquellenmodul 1000 kann ferner eine Eingabeeinheit 1300 enthalten, die konfiguriert ist, Signale zum Betreiben des Lichtquellenmoduls 1000 von außerhalb des Lichtquellenmoduls 1000 zu empfangen. Zum Beispiel kann die Mehrzahl an Antriebschips 1210 ein Steuersignal zum Steuern jeweiliger Operationen der Mehrzahl an Teil-Arrays SA durch die Eingabeeinheit 1300 empfangen. Außerdem kann die Mehrzahl an Antriebschips 1210 eine Antriebsleistung durch die Eingabeeinheit 1300 empfangen. In einigen Ausführungsformen kann die Mehrzahl an Antriebschips 1210 sequenziell elektrisch miteinander verbunden sein. Dementsprechend kann zum Beispiel das Steuersignal sequenziell von der Eingabeeinheit 1300 zu der Mehrzahl an Antriebschips 1210 übertragen werden.
  • Pads 1120, die konfiguriert sind, die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1100 mit der Mehrzahl an Antriebschips 1210 zu verbinden, können auf einer Emissionsoberfläche, durch welche die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1100 Licht emittiert, angeordnet sein. Jedes der Pads 1120 kann das erste Pad 148A oder das zweite Pad 148B, die mit Bezug auf 5 bis 7 beschrieben werden, sein. In der mit Bezug auf 5 bis 7 beschriebenen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 kann die Emissionsoberfläche die erste Oberfläche 120F1 der lichtemittierenden Struktur 120U sein. In weiteren Ausführungsformen können die Pads 1120 jedoch auf einer gegenüberliegenden Oberfläche der Emissionsoberfläche angeordnet sein.
  • 12 ist ein Schaltbild einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1100 nach einer Ausführungsform.
  • Bezugnehmend auf 12 kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1100 eine Mehrzahl an Teil-Arrays SA (z.B. ein erstes Teil-Array SA_1, ein zweites Teil-Array SA_2, ein drittes Teil-Array SA_15 und ein viertes Teil-Array SA_16) enthalten. Das erste Teil-Array SA_1, das zweite Teil-Array SA_2, das dritte Teil-Array SA_15 und das vierte Teil-Array SA_16 können jeweils eine Mehrzahl an ersten LEDs 1110_1, eine Mehrzahl an zweiten LEDs 1110_2, eine Mehrzahl an dritten LEDs 1110_15 und eine Mehrzahl an vierten LEDs 1110_16 enthalten. Obwohl 12 ein Beispiel darstellt, in dem das erste bis vierte Teil-Array SA_1, SA_2, SA_15 und SA_16 jeweils 16 erste LEDs 1110_1, 16 zweite LEDS 1110_2, 16 dritte LEDs 1110_15 und 16 vierte LEDs 1110_16 enthalten, kann die Anzahl an ersten LEDs 1110_1, zweiten LEDs 1110_2, dritten LEDs 1110_15 und vierten LEDs 1110_16, die jeweils im ersten bis vierten Teil-Array SA_1, SA_2, SA_15 und SA_16 enthalten sind, in verschiedenen Ausführungsformen verändert werden. Obwohl 12 ein Beispiel darstellt, in dem die ersten LEDs 1110_1, die zweiten LEDs 1110_2, die dritten LEDs 1110_15 und die vierten LEDs 1110_16 jeweils in derselben Anzahl im ersten bis vierten Teil-Array SA_1, SA_2, SA_15 und SA_16 vorgesehen sind, ist die im ersten bis vierten Teil-Array SA_1, SA_2, SA_15 und SA_16 jeweils enthaltene Anzahl der ersten LEDs 1110_1, der zweiten LEDs 1110_2, der dritten LEDs 1110_15 und der vierten LEDs 1110_16 in verschiedenen Ausführungsformen womöglich nicht zwangsläufig dieselbe. Zum Beispiel kann in einigen Ausführungsformen das erste Teil-Array SA_1 12 erste LEDs 1110_1 enthalten und das zweite Teil-Array SA_2 kann 16 zweite LEDs 1110_2 enthalten.
  • Die ersten LEDs 1110_1, die zweiten LEDs 1110 2, die dritten LEDs 1110_15 und die vierten LEDs 1110_16 sind womöglich nicht miteinander verbunden. Die Mehrzahl an ersten LEDs 1110_1 im ersten Teil-Array SA_1 kann in Reihe miteinander verbunden sein und beide Enden von jeder der ersten LEDs 1110_1 können jeweils mit zwei ersten Pads 1120_1 verbunden sein. Ähnlich kann die Mehrzahl an zweiten LEDs 1110_2 im zweiten Teil-Array SA 2 in Reihe miteinander verbunden sein und beide Enden von jeder der zweiten LEDs 1110_2 können j eweils mit zwei zweiten Pads 1120 2 verbunden sein. Die Mehrzahl an dritten LEDs 1110_15 im dritten Teil-Array SA_15 kann in reihe miteinander verbunden sein und beide Enden von jeder der dritten LEDs 1110_15 können jeweils mit zwei dritten Pads 1120_15 verbunden sein. Die Mehrzahl an vierten LEDs 1110_16 im vierten Teil-Array SA_16 kann in Reihe miteinander verbunden sein und beide Enden von jeder der vierten LEDs 1110_16 können jeweils mit zwei vierten Pads 1120_16 verbunden sein.
  • In einigen Ausführungsformen, in denen die LEDs in Reihe verbunden sind, kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1100 ferner eine Zener-Diode (nicht gezeigt) enthalten, die konfiguriert ist, eine LED zu schützen. Zener-Dioden können in einer Umkehrrichtung mit den LEDs verbunden sein. In einigen Ausführungsformen können beide Enden der Zener-Diode jeweils mit beiden Enden einer dazu entsprechenden LED verbunden sein.
  • 13 ist ein Schaltbild einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1100A nach einer Ausführungsform. Nachfolgend wird eine wiederholte Beschreibung von Elementen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1100A, die Elementen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1100 aus 12 ähnlich sind, der Kürze halber weggelassen und Unterschiede zwischen der mit Bezug auf 12 beschriebenen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1100 und der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1100A aus 13 werden beschrieben.
  • Bezugnehmend auf 13 kann eine Mehrzahl an ersten LEDs 1110_1 in einem ersten Teil-Array SA_1 parallel miteinander verbunden sein und beide Enden von jeder der ersten LEDs 1110_1 können jeweils mit zwei ersten Pads 1120_1 verbunden sein. Ähnlich kann eine Mehrzahl an zweiten LEDs 1110_2 in einem zweiten Teil-Array SA 2 parallel miteinander verbunden sein und beide Enden von jeder der zweiten LEDs 1110_2 können jeweils mit zwei zweiten Pads 1120 2 verbunden sein. Eine Mehrzahl an dritten LEDs 1110_15 in einem dritten Teil-Array SA_15 kann parallel miteinander verbunden sein und beide Enden von jeder der dritten LEDs 1110_15 können j eweils mit zwei dritten Pads 1120_15 verbunden sein. Eine Mehrzahl an vierten LEDs 1110 16 in einem vierten Teil-Array SA_16 kann parallel miteinander verbunden sein und beide Enden von jeder der vierten LEDs 1110_16 können jeweils mit zwei vierten Pads 1120_16 verbunden sein.
  • 14 ist eine Draufsicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100C nach einer Ausführungsform.
  • Bezugnehmend auf 14 kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100C eine Mehrzahl an Zellblöcken (z.B. BLK1 bis BLK9) enthalten. Jeder der Mehrzahl an Zellblöcken BLK1 bis BLK9 kann ein Teil-Array bilden und eine in einer Matrixform angeordnete Mehrzahl an lichtemittierenden Zellen enthalten. Obwohl 14 neun Zellblöcke BLK1 bis BLK9 darstellt, sind die Ausführungsformen nicht darauf beschränkt. In verschiedenen Ausführungsformen kann die Anzahl an Zellblöcken BLK1 bis BLK9 variieren und die Anordnung der Zellblöcke BLK1 bis BLK9 kann ebenfalls variieren.
  • Die in jedem der Mehrzahl an Zellblöcken (oder Teil-Arrays) enthaltene Anzahl an lichtemittierenden Zellen kann verschiedenartig in der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100C vorgesehen sein und somit können die lichtemittierenden Zellen derart angeordnet sein, dass sie einem Lichtverteilungstyp eines mit der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100C ausgestatteten Produkts entsprechen. In einem Ausführungsbeispiel kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100C einen spezifischen Zellblock (z.B. BLK7) enthalten, welcher in der Mitte eines Zellen-Array-Bereichs positioniert ist und eine kleinere Anzahl an lichtemittierenden Zellen enthält als andere Zellblöcke (z.B. BLK2, BLK3, BLK5, BLK6, BLK8 und BLK9). In einigen Fällen muss die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100C womöglich Licht mit einer relativ hohen Lichtintensität zu einem mittleren Bereich vor einem Benutzer in eine Richtung, in die der Benutzer fährt, ausstrahlen. Dementsprechend kann es von Vorteil sein, den in der Mitte des Zellen-Array-Bereichs positionierten spezifischen Zellblock (z.B. BLK7) mit einem relativ großen Strom zu versorgen. Da der in der Mitte des Zellen-Array-Bereichs positionierte spezifische Zellblock (z.B. BLK7) eine relativ kleine Anzahl an lichtemittierenden Zellen enthält, selbst wenn der spezifische Zellblock mit dem relativ großen Strom versorgt wird, kann der durch den spezifischen Zellblock verursachte Gesamtleistungsverbrauch reduziert werden.
  • Alternativ kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100C in einem Ausführungsbeispiel spezifische Zellblöcke (z.B. BLK1 und BLK4) enthalten, die an oberen äußeren Abschnitten des Zellen-Array-Bereichs positioniert sind und eine kleinere Anzahl an lichtemittierenden Zellen enthalten als andere Zellblöcke (z.B. BLK2, BLK3, BLK5, BLK6, BLK8 und BLK9). Die lichtemittierende Vorrichtung 100c kann einen niedrigen Bedarf, Licht zu oberen äußeren Bereichen vor einem Benutzer in eine Richtung, in die der Benutzer fährt, auszustrahlen, aufweisen. Da die an oberen äußeren Abschnitten der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100C positionierten spezifischen Zellblöcke (z.B. BLK1 und BLK4) die kleinere Anzahl an lichtemittierenden Zellen als die anderen Zellblöcke enthalten, strahlt die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100C womöglich kein Licht zu unnötigen Bereichen aus.
  • 15 ist eine schematische Darstellung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100D nach einer Ausführungsform.
  • Bezugnehmend auf 15 kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100D eine Mehrzahl an ersten lichtemittierenden Bereichen 210 enthalten. Die Mehrzahl an ersten lichtemittierenden Bereichen 210 kann benachbart zueinander in eine erste Richtung (z.B. X-Richtung) angeordnet sein. In einigen Ausführungsformen kann die Mehrzahl an lichtemittierenden Bereichen 210 im Wesentlichen dieselbe Größe und Form aufweisen.
  • Zusätzlich kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100D eine Mehrzahl an zweiten lichtemittierenden Bereichen 220 enthalten. Die Mehrzahl an zweiten lichtemittierenden Bereichen 220 kann benachbart zueinander in die erste Richtung (z.B. X-Richtung) angeordnet sein. In einigen Ausführungsformen kann die Mehrzahl an zweiten lichtemittierenden Bereichen 220 im Wesentlichen dieselbe Größe und Form aufweisen.
  • Der erste lichtemittierende Bereich 210 kann eine Dimension von A in die erste Richtung und eine Dimension von B in die zweite Richtung aufweisen. In diesem Fall kann ein Verhältnis von A zu B in einem Bereich von ungefähr 1: 1,5 bis ungefähr 1: 4,5 sein. Jeder der Mehrzahl an ersten lichtemittierenden Bereichen 210 kann mindestens eine lichtemittierende Zelle enthalten.
  • Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100D kann ferner einen ersten Treibercontroller 250 enthalten, der konfiguriert ist, Operationen der Mehrzahl an ersten lichtemittierenden Bereichen 210 zu steuern. Der erste Treibercontroller 250 kann An-Aus-Operationen der Mehrzahl an ersten lichtemittierenden Bereichen 210 steuern. Wenn ein erster lichtemittierender Bereich 210 mittels der Steuerung des ersten Treibercontrollers 250 an- oder ausgeschaltet wird, kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100D derart konfiguriert sein, dass alle von mindestens einer lichtemittierenden Zelle in dem einen ersten lichtemittierenden Bereich 210 im Wesentlichen gleichzeitig an- oder ausgeschaltet werden.
  • 16 ist eine schematische Perspektivansicht einer Beleuchtungsvorrichtung 2000 nach einer Ausführungsform.
  • Bezugnehmend auf 16 kann die Beleuchtungsvorrichtung 2000 ein Fahrzeug sein und kann ein in einer Scheinwerfereinheit 2010 des Fahrzeugs eingebautes Scheinwerfermodul 2020 enthalten. Ein Seitenspiegellampenmodul 2040 kann in einer äußeren Seitenspiegeleinheit 2030 des Fahrzeugs eingebaut sein. Ein Rücklichtmodul 2060 kann in einer Rücklichteinheit 2050 eingebaut sein. Mindestens eines von dem Scheinwerfermodul 2020, dem Seitenspiegellampenmodul 2040 und dem Rücklichtmodul 2060 kann das mit Bezug auf 10 und 11 beschriebene Lichtquellenmodul 1000 enthalten und mindestens eine der mit Bezug auf 1 bis 15 beschriebenen lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 10, 10-1, 10-2, 100, 100A, 100B, 100C und 100D enthalten.
  • 17 ist eine schematische Perspektivansicht einer Beleuchtungsvorrichtung 2100 nach einer Ausführungsform.
  • Bezugnehmend auf 17 kann die Beleuchtungsvorrichtung 2100 eine Flach-Panel-Beleuchtungsvorrichtung sein und kann ein Lichtquellenmodul 2110, eine Leistungsversorgung 2120 und ein Gehäuse 2130 enthalten. Das Lichtquellenmodul 2110 kann das Lichtquellenmodul 1000 sein, das mit Bezug auf 10 und 11 beschrieben worden ist und mindestens eine der mit Bezug auf 1 bis 15 beschriebenen lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 10, 10-1, 10-2, 100, 100A, 100B, 100C und 100D enthält. Das Lichtquellenmodul 2110 kann als Ganzes eine flache Form aufweisen.
  • Die Leistungsversorgung 2110 kann konfiguriert sein, das Lichtquellenmodul 2110 mit Leistung zu versorgen. Das Gehäuse 2130 kann einen Unterbringungsraum zum Unterbringen des Lichtquellenmoduls 2110 und der Leistungsversorgung 2120 ausbilden. Das Gehäuse 2130 kann derart ausgebildet sein, dass es eine hexaedrische Form mit einer geöffneten Seite aufweist, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Das Lichtquellenmodul 2110 kann derart positioniert sein, dass es Licht in Richtung der geöffneten Seite des Gehäuses 2130 emittiert.
  • 18 ist eine aufgelöste Perspektivansicht einer Beleuchtungsvorrichtung 2200 nach einer Ausführungsform.
  • Bezugnehmend auf 18 kann die Beleuchtungsvorrichtung 2200 einen Sockel 2210, eine Leistungsversorgung 2220, eine Wärmesenke 2230, ein Lichtquellenmodul 2240 und eine optische Einheit 2250 enthalten. Der Sockel 2210 kann konfiguriert sein, durch eine existierende Beleuchtungsvorrichtung ersetzbar zu sein. Die Beleuchtungsvorrichtung 2200 kann durch den Sockel 2210 mit Leistung versorgt werden. Die Leistungsversorgung 2220 kann in eine erste Leistungsversorgung 2221 und eine zweite Leistungsversorgung 2222 zerlegt werden. Die Wärmesenke 2230 kann eine interne Wärmesenke 2231 und eine externe Wärmesenke 2232 enthalten. Die interne Wärmesenke 2231 kann mit dem Lichtquellenmodul 2240 und/oder der Leistungsversorgung 2220 direkt verbunden sein und durch das Lichtquellenmodul 2240 und/oder die Leistungsversorgung 2220 Wärme an die externe Wärmesenke 2232 übertragen. Die optische Einheit 2250 kann eine interne optische Einheit (nicht gezeigt) und eine externe optische Einheit (nicht gezeigt) enthalten. Die optische Einheit 2250 kann konfiguriert sein, durch das Lichtquellenmodul 2240 emittiertes Licht einheitlich zu dispergieren.
  • Das Lichtquellenmodul 2240 kann Leistung von der Leistungsversorgung 2220 empfangen und Licht an die optische Einheit 2250 emittieren. Das Lichtquellenmodul 2240 kann mindestens ein lichtemittierendes Vorrichtungs-Package 2241, eine Leiterplatte 2242 und einen Controller 2243 enthalten. Der Controller 2243 kann Antriebsinformationen des mindestens einen lichtemittierenden Vorrichtungs-Packages 2241 speichern. Das mindestens eine lichtemittierende Vorrichtungs-Package 2241 kann mindestens eine der mit Bezug auf 1 bis 15 beschriebenen lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 10, 10-1, 10-2, 100, 100A, 100B, 100C und 100D enthalten.
  • 19 ist eine aufgelöste Perspektivansicht einer Beleuchtungsvorrichtung 2400 nach einer Ausführungsform.
  • Bezugnehmend auf 19 kann eine Beleuchtungsvorrichtung 2400 ein Wärmesenkbauteil 2401, eine Abdeckung 2427, ein Lichtquellenmodul 2421, einen ersten Sockel 2405 und einen zweiten Sockel 2423 enthalten. Eine Mehrzahl an Wärmesenkfinnen 2450 und 2409 mit einer konkaven/konvexen Form kann auf inneren oder/und äußeren Oberflächen des Wärmesenkbauteils 2401 ausgebildet sein. Die Wärmesenkfinnen 2450 und 2409 können derart entworfen sein, dass sie verschiedene Formen und Intervalle aufweisen. Ein Träger 2413 mit einer hervorstehenden Form kann im Innern des Wärmesenkbauteils 2401 ausgebildet sein. Das Lichtquellenmodul 2421 kann am Träger 2413 fixiert sein. Verriegelungsvorsprünge 2411 können auf beiden Enden des Wärmesenkbauteils 2401 ausgebildet sein.
  • Verriegelungsnuten 2429 können in der Abdeckung 2427 ausgebildet sein. Die Verriegelungsvorsprünge 2411 des Wärmesenkbauteils 2401 können in den Verriegelungsnuten 2429 eingehängt sein. Positionen der Verriegelungsnuten 2429 können mit Positionen der Verriegelungsvorsprünge 2411 ausgetauscht werden.
  • Das Lichtquellenmodul 2421 kann eine Leiterplatte (PCB) 2419, eine Lichtquelle 2417 und einen Controller 2415 enthalten. Der Controller 2415 kann Antriebsinformationen der Lichtquelle 2417 speichern. Schaltungsverdrahtungen können auf der PCB 2419 ausgebildet sein, um die Lichtquelle 2417 zu betreiben. Zusätzlich kann das Lichtquellenmodul 2421 Komponenten zum Betreiben der Lichtquelle 2417 enthalten. Die Lichtquelle 2417 kann mindestens eine der mit Bezug auf 1 bis 15 beschriebenen lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 10, 10-1, 10-2, 100, 100A, 100B, 100C und 100D enthalten.
  • Der erste und zweite Sockel 2405 und 2423 können als ein Paar Sockeln vorgesehen sein und können mit beiden Enden einer zylindrischen Abdeckung, die das Wärmesenkbauteil 2401 und die Abdeckung 2427 enthält, verbunden sein. Zum Beispiel kann der erste Sockel 2405 einen Elektrodenanschluss 2403 und eine Leistungsversorgung 2407 enthalten und der zweite Sockel 2423 kann einen Dummy-Anschluss 2425 enthalten. Zusätzlich können ein optischer Sensor und/oder ein Kommunikationsmodul in entweder dem ersten Sockel 2405 oder dem zweiten Sockel 2423 eingebettet sein.
  • 20 ist eine aufgelöste Perspektivansicht einer Beleuchtungsvorrichtung 2500 nach einer Ausführungsform.
  • Insbesondere die Beleuchtungsvorrichtung 2500 nach der in 20 dargestellten Ausführungsform kann sich von der Beleuchtungsvorrichtung 2200 aus 18 darin unterscheiden, dass eine Reflexionsplatte 2310 und ein Kommunikationsmodul 2320 auf einem Lichtquellenmodul 2240 vorgesehen sind. Die Reflexionsplatte 2310 kann Licht von einer Lichtquelle in eine seitliche Richtung und eine rückwärtige Richtung einheitlich dispergieren, um eine Blendung zu reduzieren.
  • Das Kommunikationsmodul 2320 kann auf der Reflexionsplatte 2310 angebracht sein. Eine Heimnetzwerkkommunikation kann durch das Kommunikationsmodul 2320 umgesetzt werden. Zum Beispiel kann das Kommunikationsmodul 2320 ein drahtloses Kommunikationsmodul unter Verwendung von ZigBee, WiFi oder LiFi sein und kann eine Innen- oder Außenbeleuchtungsvorrichtung wie An/Aus-Operationen oder Helligkeitseinstellungen der Beleuchtungsvorrichtung 2500 durch ein Smartphone oder einen drahtlosen Controller steuern. Außerdem kann das Kommunikationsmodul 2320 elektronische Geräte für Drinnen oder Draußen und Fahrzeugsysteme, wie TVs, Kühlschränke, Klimaanlagen, Türverriegelungssysteme und Fahrzeuge, steuern. Die Reflexionsplatte 2310 und das Kommunikationsmodul 2320 können von einer Abdeckung 2330 bedeckt sein. Verbleibende Elemente der Beleuchtungsvorrichtung 2500 sind Elementen der Beleuchtungsvorrichtung 2200 ähnlich und eine wiederholte Beschreibung ist deshalb der Kürze halber weggelassen.
  • 21 ist eine schematische Darstellung zur Beschreibung eines Netzwerksystems 3000 für eine Innenbeleuchtungssteuerung nach Ausführungsformen.
  • Bezugnehmend auf 21 kann das Netzwerksystem 3000 für eine Innenbeleuchtungssteuerung (nachfolgend als ein Netzwerksystem bezeichnet) ein smartes Verbundbeleuchtungsnetzwerksystem sein, in dem eine Beleuchtungstechnologie, die ein lichtemittierendes Element, wie eine LED, verwendet, eine Internet-der-Dinge(IoT)-Technologie und eine drahtlose Kommunikationstechnologie konvergieren. Das Netzwerksystem 3000 kann unter Verwendung verschiedener Beleuchtungsvorrichtungen und verdrahteter/drahtloser Kommunikationsvorrichtungen umgesetzt werden. Alternativ kann das Netzwerksystem 3000 basierend auf einer IoT-Umgebung umgesetzt werden, um eine Vielzahl an Informationen zu sammeln und zu verarbeiten und die Informationen an Benutzer zu übermitteln.
  • Eine im Netzwerksystem 3000 enthaltene LED-Lampe 3200 kann Informationen zu einer Umgebung eines Gateways 3100 empfangen und eine Beleuchtung der LED-Lampe 3200 selbst steuern. Darüber hinaus kann die LED-Lampe 3200 die Betriebszustände anderer in der IoT-Umgebung enthaltener Vorrichtungen (z.B. 3300 bis 3800) basierend auf einer sichtbaren Lichtkommunikationsfunktion der LED-Lampe 3200 prüfen und steuern. Die LED-Lampe 3200 kann mindestens eine der mit Bezug auf 1 bis 15 beschriebenen lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 10, 10-1, 10-2, 100, 100A, 100B, 100C und 100D enthalten. Die LED-Lampe 3200 kann durch das drahtlose Kommunikationsprotokoll, wie WiFi, ZigBee oder LiFi, kommunizierbar mit dem Gateway 3100 verbunden sein. Zu diesem Zweck kann die LED-Lampe 3200 mindestens ein Lampenkommunikationsmodul 3210 enthalten.
  • In einem Fall, in dem das Netzwerksystem 3000 Zuhause angewandt wird, kann die Mehrzahl an Vorrichtungen (z.B. 3300 bis 3800) elektronische Geräte 3300, eine digitale Türverriegelung 3400, eine Garagentürverriegelung 2500, einen an einer Wand eingebauten Lichtschalter 3600, einen Router 3700 zur Übertragung eines drahtlosen Kommunikationsnetzwerks und mobile Vorrichtungen 3800, wie Smartphones, Tablets oder Laptops, enthalten.
  • Im Netzwerksystem 3000 kann die LED-Lampe 3200 durch Verwenden des Zuhause eingebauten drahtlosen Kommunikationsnetzwerks (z.B. ZigBee, WiFi, LiFi etc.) Betriebszustände der verschiedenen Vorrichtungen (z.B. 3300 bis 3800) prüfen oder die Beleuchtung der LED-Lampe 3200 selbst gemäß der Umgebung und Bedingungen automatisch steuern. Zusätzlich kann die LED-Lampe 3200 die im Netzwerksystem 3000 enthaltenen Vorrichtungen (z.B. 3300 bis 3800) durch eine LiFi-Kommunikation unter Verwendung von sichtbarem Licht, das von der LED-Lampe 3200 emittiert wird, steuern.
  • Zunächst kann die LED-Lampe 3200 die Beleuchtung der LED-Lampe 3200 basierend auf den Informationen zu der Umgebung, die vom Gateway 3100 durch das mindestens eine Lampenkommunikationsmodul 3210 übertragen werden, oder den Informationen zu der Umgebung, die von einem auf der LED-Lampe 3200 angebrachten Sensor gesammelt werden, automatisch steuern. Zum Beispiel kann die Helligkeit der LED-Lampe 3200 gemäß einer Art von TV-Programm, das vom TV 3310 übertragen wird, oder einer Bildschirmhelligkeit des TV 3310 automatisch eingestellt werden. Zu diesem Zweck kann die LED-Lampe 3200 Betriebsinformationen des TV 3310 vom mit dem Gateway 3100 verbundenen mindestens einen Lampenkommunikationsmodul 3210 empfangen. Das mindestens eine Lampenkommunikationsmodul 3210 kann mit einem Sensor und/oder einem Controller, die in der LED-Lampe 3200 enthalten sind, integral modularisiert werden.
  • Zum Beispiel ist es nach dem Ablauf einer vorbestimmten Zeit, nachdem die digitale Türverriegelung 3400 in einem Zustand, in dem keine Person Zuhause ist, verriegelt worden ist, möglich, eine Elektrizitätsverschwendung durch Ausschalten der eingeschalteten LED-Lampe 3200 zu verhindern. Alternativ kann die LED-Lampe 3200 in einem Fall, in dem ein Sicherheitsmodus durch die mobile Vorrichtung 3800 oder dergleichen eingestellt ist, wenn die digitale Türverriegelung 3400 in einem Zustand, in dem keine Person Zuhause ist, verriegelt ist, im eingeschalteten Zustand aufrechterhalten werden.
  • Der Betrieb der LED-Lampe 3200 kann gemäß Informationen zu der Umgebung, die durch verschiedene mit dem Netzwerksystem 3000 verbundene Sensoren gesammelt werden, gesteuert werden. Zum Beispiel ist es in einem Fall, in dem das Netzwerksystem 3000 in einem Gebäude umgesetzt ist, möglich, die Beleuchtung durch Kombinieren einer Beleuchtungsvorrichtung, eines Positionssensors und eines Kommunikationsmoduls innerhalb des Gebäudes ein- oder auszuschalten oder gesammelte Informationen in Echtzeit vorzusehen, wodurch eine effiziente Gebäudeverwaltung oder eine effiziente Nutzung von ungenutzten Räumen ermöglicht wird.
  • 22 ist eine schematische Darstellung zur Beschreibung eines Netzwerksystems 4000 nach einer Ausführungsform.
  • Insbesondere stellt 22 das auf eine Freifläche angewandte Netzwerksystem 4000 nach einer Ausführungsform dar. Das Netzwerksystem 4000 kann eine Kommunikationsverbindungsvorrichtung 4100, eine Mehrzahl an Beleuchtungsvorrichtungen (z.B. 4120 und 4150), die zu vorbestimmten Intervallen eingebaut und mit der Kommunikationsverbindungsvorrichtung 4100 kommunizierbar verbunden sind, einen Server 4160, einen zur Verwaltung des Servers 4160 konfigurierten Computer 4170, eine Kommunikationsbasisstation 4180, ein zur Verbindung von kommunizierbaren Vorrichtungen konfiguriertes Kommunikationsnetzwerk 4190 und eine mobile Vorrichtung 4200 enthalten.
  • Die in externen Freiflächen, wie Straßen oder Parks, eingebaute Mehrzahl an Beleuchtungsvorrichtungen 4120 und 4150 kann jeweils smarte Maschinen 4130 und 4140 enthalten. Jede der smarten Maschinen 4130 und 4140 kann eine zum Emittieren von Licht konfigurierte lichtemittierende Vorrichtung, einen zum Antreiben der lichtemittierenden Vorrichtung konfigurierten Treiber, einen zum Sammeln von Informationen zu einer Umgebung konfigurierten Sensor und ein Kommunikationsmodul enthalten. Die in jeder der smarten Maschinen 4130 und 4140 enthaltene lichtemittierende Vorrichtung kann die mit Bezug auf 1 bis 15 beschriebenen lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 10, 10-1, 10-2, 100, 100A, 100B, 100C und 100D enthalten.
  • Das Kommunikationsmodul kann ermöglichen, dass die smarten Maschinen 4130 und 4140 mit anderen peripheren Vorrichtungen in Übereinstimmung mit einem Kommunikationsprotokoll, wie WiFi, ZigBee oder LiFi, kommunizieren. Eine smarte Maschine 4130 kann mit der anderen smarten Maschine 4140 kommunizierbar verbunden sein. In diesem Fall kann ein WiFi-Netz auf die Kommunikation zwischen den smarten Maschinen 4130 und 4140 angewandt werden. Mindestens eine smarte Maschine 4130 kann durch eine verdrahtete/drahtlose Kommunikation mit der Kommunikationsverbindungsvorrichtung 4100, die mit dem Kommunikationsnetzwerk 4190 verbunden ist, verbunden sein.
  • Die Kommunikationsverbindungsvorrichtung 4100 kann ein Zugriffspunkt (AP) sein, der zur Durchführung von verdrahteter/drahtloser Kommunikation imstande ist, und kann eine Kommunikation zwischen dem Kommunikationsnetzwerk 4190 und anderen Vorrichtungen übertragen. Die Kommunikationsverbindungsvorrichtung 4100 kann durch mindestens eines der verdrahteten/drahtlosen Kommunikationsschemen mit dem Kommunikationsnetzwerk 4190 verbunden sein. Zum Beispiel kann die Kommunikationsverbindungsvorrichtung 4100 in einer der Beleuchtungsvorrichtungen 4120 und 4150 mechanisch untergebracht sein.
  • Die Kommunikationsverbindungsvorrichtung 4100 kann durch ein Kommunikationsprotokoll, wie WiFi, mit der mobilen Vorrichtung 4200 verbunden sein. Ein Benutzer der mobilen Vorrichtung 4200 kann Informationen zu der Umgebung, die von einer Mehrzahl an smarten Maschinen (z.B. 4130 und 4140) gesammelt werden, durch die mit der smarten Maschine 4130 einer benachbarten Beleuchtungsvorrichtung 4120 verbundene Kommunikationsverbindungsvorrichtung 4100 empfangen. Die Informationen zu der Umgebung können benachbarte Verkehrsinformationen, Wetterinformationen und dergleichen enthalten. Die mobile Vorrichtung 4200 kann durch die Kommunikationsbasisstation 4180 durch ein drahtloses zellulares Kommunikationsschema, wie ein 3G- oder 4G-Kommunikationsschema, mit dem Kommunikationsnetzwerk 4190 verbunden sein.
  • Darüber hinaus kann der mit dem Kommunikationsnetzwerk 4190 verbundene Server 4160 Informationen, die von den smarten Maschinen 4130 und 4140, die jeweils auf den Beleuchtungsvorrichtungen 4120 und 4150 angebracht sind, gesammelt werden, empfangen und kann die Betriebszustände der Beleuchtungsvorrichtungen 4120 und 4150 überwachen. Der Server 4160 kann mit dem Computer 4170, der ein Verwaltungssystem vorsieht, verbunden sein und der Computer 4170 kann eine Software, die zur Überwachung und Verwaltung der Betriebszustände der smarten Maschinen 4130 und 4140 imstande ist, ausführen.
  • 23 ist eine Querschnittsansicht eines lichtemittierenden Packages 300, das eine lichtemittierende Vorrichtung 100 enthält, nach Ausführungsformen. In 23 werden dieselben Bezugszeichen zur Bezeichnung derselben Elemente wie in 1 bis 22 verwendet und eine wiederholte Beschreibung derselben ist der Kürze halber weggelassen.
  • Bezugnehmend auf 23 kann das lichtemittierende Package 300 die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100 und mindestens einen Halbleiterantriebschip 410, die auf einem Package-Substrat 310 angebracht sind, enthalten.
  • Eine untere Isolierschicht 330, eine innere leitfähige Musterschicht 340 und eine obere Isolierschicht 350 können auf einem Teilbereich einer Basisplatte 320 sequenziell gestapelt sein und mindestens ein Halbleiterantriebschip 410 kann auf einem auf der oberen Isolierschicht 350 positionierten leitfähigen Muster (nicht gezeigt) angebracht sein.
  • Ein Zwischenstück 380 kann auf einem weiteren Bereich der Basisplatte 320 mit einer Klebstoffschicht 370 dazwischen positioniert sein und die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100 kann auf dem Zwischenstück 380 angebracht sein. In Ausführungsbeispielen kann das Zwischenstück 380 dasselbe sein wie das in der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 enthaltene Trägersubstrat (Bezug zu 154 aus 7), ist jedoch nicht darauf beschränkt. Der mindestens eine Halbleiterantriebschip 410 kann durch einen mit einem Pad 352 verbundenen Bonddraht 353 mit der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 verbunden sein. Der mindestens eine Halbleiterantriebschip 410 kann eine Mehrzahl an Pixeln PX der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 individuell oder vollständig antreiben.
  • Der Bonddraht 353 kann mit einem Formharz 360 verkapselt sein. Das Formharz 360 kann zum Beispiel eine Epoxidformharzmasse (EMC) enthalten, ist jedoch nicht spezifisch darauf beschränkt. Das Formharz 360 kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100 teilweise verkapseln, um von der Mehrzahl an Pixeln PX der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 emittiertes Licht nicht zu stören.
  • Eine Wärmesenke 420 kann auf einer Bodenoberfläche der Basisplatte 320 festgeklebt sein und eine TIM-Schicht 430 kann ferner zwischen der Wärmesenke 420 und der Basisplatte 320 selektiv eingesetzt sein.
  • Die in 23 dargestellte lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100 kann mindestens eine der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 10, 10-1, 10-2, 100, 100A, 100B, 100C und 100D und/oder das Lichtquellenmodul 1000 enthalten und kann alleine oder in Kombination im lichtemittierenden Package 300 angebracht sein.
  • Obwohl verschiedene Ausführungsformen hierin besonders gezeigt und beschrieben worden sind, versteht es sich, dass verschiedene Änderungen in Form und Details darin vorgenommen werden können, ohne dabei vom Geist und Umfang der nachfolgenden Ansprüche abzuweichen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 1020200062653 [0001]

Claims (10)

  1. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung, aufweisend: eine Pufferstruktur; eine Halbleiterschicht eines ersten Typs auf der Pufferstruktur; eine Aktivschicht auf der Halbleiterschicht ersten Typs; und eine Halbleiterschicht eines zweiten Typs auf der Aktivschicht, wobei die Pufferstruktur eine Keimbildungsschicht, eine erste Dislokationsentfernungsstruktur auf der Keimbildungsschicht und eine Pufferschicht auf der ersten Dislokationsentfernungsstruktur aufweist, die erste Dislokationsentfernungsstruktur eine erste Materialschicht auf der Keimbildungsschicht und eine zweite Materialschicht auf der ersten Materialschicht aufweist, wobei die zweite Materialschicht eine Gitterkonstante aufweist, die sich von einer Gitterkonstanten der ersten Materialschicht unterscheidet, eine Rauheit einer Oberfläche der ersten Materialschicht, welche die zweite Materialschicht berührt, höher ist als eine Rauheit einer Oberfläche der Keimbildungsschicht, welche die erste Materialschicht berührt, und höher ist als eine Rauheit einer Oberfläche der zweiten Materialschicht, welche die Pufferschicht berührt, und eine Gitterkonstante der Pufferschicht zwischen der Gitterkonstanten der zweiten Materialischt und einer Gitterkonstanten der Halbleiterschicht ersten Typs ist.
  2. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei ein Material der ersten Materialschicht dasselbe Material aufweist wie ein Material der Pufferschicht.
  3. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, wobei die erste Materialschicht und die Pufferschicht BxAlyInzGa1-x-y-zN aufweisen, wobei 0≤x<1, 0<y<1, 0≤z<1 und 0≤x+y+z<1.
  4. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei ein Material der zweiten Materialschicht dasselbe Material aufweist wie ein Material der Keimbildungsschicht.
  5. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, wobei die zweite Materialschicht und die Keimbildungsschicht Aluminiumnitrid (A1N) aufweisen.
  6. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Gitterkonstante der zweiten Materialschicht niedriger ist als die Gitterkonstante der ersten Materialschicht, und eine Dicke der zweiten Materialschicht geringer ist als eine Dicke der Keimbildungsschicht.
  7. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine Dicke der zweiten Materialschicht ungefähr 10 % bis ungefähr 50 % einer Dicke der ersten Materialschicht ist.
  8. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei mindestens eine der Keimschicht, der ersten Materialschicht, der zweiten Materialschicht und der Pufferschicht mit Silizium (Si) dotiert ist.
  9. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung, aufweisend: eine Trennwandstruktur mit einer Öffnung; und eine lichtemittierende Struktur, die eine Pufferstruktur, eine Halbleiterschicht eines ersten Typs, eine Aktivschicht und eine Halbleiterschicht eines zweiten Typs, die auf der Trennwandstruktur gestapelt sind, aufweist, wobei die lichtemittierende Struktur ferner einen Graben aufweist, der die Pufferstruktur durchdringt und die Öffnung der Trennwandstruktur überlappt.
  10. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung, aufweisend: eine Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen, wobei jede der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen eine Pufferstruktur, eine Halbleiterschicht eines ersten Typs, eine Aktivschicht und eine Halbleiterschicht eines zweiten Typs aufweist; eine Füllisolierschicht, die Räume zwischen der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen füllt; und eine Trennwandstruktur auf der Füllisolierschicht, wobei die Trennwandstruktur eine Mehrzahl an Öffnungen aufweist, die einen mittleren Abschnitt einer jeden der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen freilegen, während sie einen Umfangsabschnitt einer jeden der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen bedecken.
DE102020134939.4A 2020-05-25 2020-12-28 Pufferstruktur enthaltende lichtemittierende Halbleitervorrichtung Granted DE102020134939A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0062653 2020-05-25
KR1020200062653A KR20210145587A (ko) 2020-05-25 2020-05-25 버퍼 구조체를 포함하는 반도체 발광 소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102020134939A1 true DE102020134939A1 (de) 2021-11-25

Family

ID=78408781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102020134939.4A Granted DE102020134939A1 (de) 2020-05-25 2020-12-28 Pufferstruktur enthaltende lichtemittierende Halbleitervorrichtung

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11502221B2 (de)
KR (1) KR20210145587A (de)
DE (1) DE102020134939A1 (de)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200062653A (ko) 2018-11-27 2020-06-04 한국과학기술원 다중 안테나 다중 사용자 간섭채널에서 기계학습 기반 빔포밍 방법 및 장치

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1744365B1 (de) 1996-08-27 2009-04-15 Seiko Epson Corporation Trennverfahren und Verfahren zur Übertragung eines Dünnfilmbauelements
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
JP3906654B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
KR20040029301A (ko) 2001-08-22 2004-04-06 소니 가부시끼 가이샤 질화물 반도체소자 및 질화물 반도체소자의 제조방법
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3815335B2 (ja) 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7002182B2 (en) 2002-09-06 2006-02-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit
KR100714639B1 (ko) 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
KR100506740B1 (ko) 2003-12-23 2005-08-08 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US9524869B2 (en) * 2004-03-11 2016-12-20 Epistar Corporation Nitride-based semiconductor light-emitting device
KR100664985B1 (ko) 2004-10-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
KR100665222B1 (ko) 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR100661614B1 (ko) 2005-10-07 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100982980B1 (ko) 2007-05-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 면 광원 장치 및 이를 구비하는 ｌｃｄ 백라이트 유닛
KR101164026B1 (ko) 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR20100030470A (ko) 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템
KR101530876B1 (ko) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
JP2011023677A (ja) 2009-07-21 2011-02-03 Hitachi Cable Ltd 化合物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法
KR101864195B1 (ko) 2010-11-15 2018-06-01 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101855063B1 (ko) 2011-06-24 2018-05-04 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101851206B1 (ko) 2011-08-10 2018-04-24 엘지이노텍 주식회사 반도체 성장용 기판, 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법
US9029911B2 (en) * 2011-08-10 2015-05-12 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
KR20140020028A (ko) 2012-08-07 2014-02-18 엘지이노텍 주식회사 자외선 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR20150040630A (ko) 2013-10-07 2015-04-15 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR102098250B1 (ko) 2013-10-21 2020-04-08 삼성전자 주식회사 반도체 버퍼 구조체, 이를 포함하는 반도체 소자 및 반도체 버퍼 구조체를 이용한 반도체 소자 제조방법
KR102369933B1 (ko) * 2015-08-03 2022-03-04 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
WO2019044173A1 (ja) 2017-08-31 2019-03-07 東芝マテリアル株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
KR20190113695A (ko) 2019-09-18 2019-10-08 엘지전자 주식회사 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200062653A (ko) 2018-11-27 2020-06-04 한국과학기술원 다중 안테나 다중 사용자 간섭채널에서 기계학습 기반 빔포밍 방법 및 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US11670736B2 (en) 2023-06-06
KR20210145587A (ko) 2021-12-02
US20210367102A1 (en) 2021-11-25
US20230030530A1 (en) 2023-02-02
US11502221B2 (en) 2022-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2245667B1 (de) Monolithischer, optoelektronischer halbleiterkörper und verfahren zur herstellung eines solchen
DE112005002889B4 (de) Licht emittierendes Bauelement mit einer Mehrzahl Licht emittierender Zellen und Baugruppen-Montage desselben
DE112011106156B4 (de) Lichtemittierende Diodeneinheit auf Waferebene
EP2248175B1 (de) Optoelektronischer halbleiterkörper und verfahren zur herstellung eines solchen
DE102009018603A1 (de) Leuchtvorrichtungen, dieselben enthaltende Pakete und Systeme und Herstellungsverfahren derselben
DE102017105746A1 (de) Leuchtdiodenmodul, Anzeigefeld mit demselben und Verfahren zum Herstellen desselben
DE112016004262T5 (de) Selbstausrichtender freischwebender Spiegel für Durchkontaktierungen
DE202009018965U1 (de) Effiziente LED-Anordnung
DE102021102035A1 (de) Lichtquellenmodul mit einer lichtemittierenden Diode
EP2294614B1 (de) Verfahren zur herstellung einer vielzahl von optoelektronischen bauelementen
DE102012105772A1 (de) Halbleiter-Leuchtdiodenvorrichtungs-Verpackung
EP2279534B1 (de) Led-element mit dünnschicht-halbleiterbauelement auf galliumnitrid-basis
DE102021108531A1 (de) Halbleiter-leuchtvorrichtungen und verfahren zu deren herstellung
DE102020134932A1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung, Lichtquellenmodul und Herstellungsverfahren für eine lichtemittierende Vorrichtung
DE102021108228A1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung und Scheinwerfer für ein Fahrzeug mit derselben
DE102020134939A1 (de) Pufferstruktur enthaltende lichtemittierende Halbleitervorrichtung
DE102021123220A1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung und Scheinwerferlampe für Fahrzeuge, welche die lichtemittierende Vorrichtung enthält
WO2019215212A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einer ersten und einer zweiten stromverteilungsstruktur
DE102023104704A1 (de) Lichtemittierende vorrichtung und verfahren zur herstellung derselben
DE112019002362B4 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer ersten und einer zweiten Stromverteilungsstruktur
DE102021108514A1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung und Lichtquellenmodul, das diese enthält
DE102021131740A1 (de) Lichtemittierende halbleitervorrichtungen und verfahren zur herstellung derselben
DE102023121896A1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung und lichtemittierendes Vorrichtungs-Array mit derselben
DE112020004635T5 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und das Halbleiterbauelement selbst
WO2020187845A1 (de) Optoelektronische halbleitervorrichtung mit einer vielzahl von bildelementen und trennelementen und verfahren zur herstellung der optoelektronischen halbleitervorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division