DE102021123220A1 - Lichtemittierende Vorrichtung und Scheinwerferlampe für Fahrzeuge, welche die lichtemittierende Vorrichtung enthält - Google Patents

Lichtemittierende Vorrichtung und Scheinwerferlampe für Fahrzeuge, welche die lichtemittierende Vorrichtung enthält Download PDF

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Jaesung Hyun
Namhyeok KWAK
Gunduk KIM
Dohun KIM
JunHo Lee
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Samsung Electronics Co Ltd
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Abstract

Es ist eine lichtemittierende Vorrichtung bereitgestellt. Die lichtemittierende Vorrichtung enthält eine Mehrzahl an ersten lichtemittierenden Strukturen, die in einem ersten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehen sind; eine Mehrzahl an zweiten lichtemittierenden Strukturen, die in einem zweiten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehen sind, der benachbart zu dem ersten lichtemittierenden Pixelbereich ist; eine Sperrwandstruktur, die eine Mehrzahl an Bereichen im ersten lichtemittierenden Pixelbereich und einen einzelnen Bereich im zweiten lichtemittierenden Pixelbereich definiert; eine erste fluoreszierende Schicht, die in der Mehrzahl an Bereichen vorgesehen ist; und eine zweite fluoreszierende Schicht, die in dem einzelnen Bereich vorgesehen ist. Die erste fluoreszierende Schicht und die zweite fluoreszierende Schicht weisen unterschiedliche Formen auf.

Description

  • Querverweis auf ähnliche Anmeldungen
  • Diese Anmeldung basiert auf der und beansprucht die Priorität unter 35 U.S.C. §119 der am 29. Dezember 2020 beim Koreanischen Amt für Geistiges Eigentum eingereichten koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2020-0186780 , deren Offenbarung durch Verweis in ihrer Gesamtheit hierin aufgenommen ist.
  • Hintergrund
  • Verfahren, Vorrichtungen und Systeme, die mit Ausführungsbeispielen übereinstimmen, beziehen sich auf eine lichtemittierende Vorrichtung und eine Scheinwerferlampe für Fahrzeuge und insbesondere auf eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung eines Pixeltyps und eine Scheinwerferlampe für Fahrzeuge, welche die lichtemittierende Halbleitervorrichtung eines Pixeltyps enthält.
  • Lichtemittierende Halbleitervorrichtungen werden in verschiedenen elektronischen Produkten als Lichtquellen verwendet. Seit Kurzem sind insbesondere lichtemittierende Halbleitervorrichtung in Fahrzeugen, wie Automobilen, weit verbreitet. Somit ist es notwendig, den Betrieb und die Herstellung der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen durch Harmonisieren der Eigenschaften von Fahrzeugen und der Eigenschaften von lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen zu optimieren, und dementsprechend dauert eine Forschung diesbezüglich an.
  • Kurzfassung
  • Ausführungsbeispiele stellen eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung eines Pixeltyps mit guten optischen Eigenschaften und hoher Zuverlässigkeit und eine Scheinwerferlampe für Fahrzeuge, welche die lichtemittierende Halbleitervorrichtung eines Pixeltyps enthält, bereit.
  • Zusätzliche Aspekte sind zum Teil in der nachfolgenden Beschreibung dargelegt und gehen zum Teil aus der Beschreibung hervor oder können durch Ausüben von Ausführungsbeispielen gelernt werden.
  • Nach einem Aspekt eines Ausführungsbeispiels enthält eine lichtemittierende Vorrichtung eine Mehrzahl an ersten lichtemittierenden Strukturen, die in einem ersten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehen sind; eine Mehrzahl an zweiten lichtemittierenden Strukturen, die in einem zweiten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehen sind, der benachbart zu dem ersten lichtemittierenden Pixelbereich ist; eine Sperrwandstruktur, die eine Mehrzahl an Bereichen im ersten lichtemittierenden Pixelbereich und einen einzelnen Bereich im zweiten lichtemittierenden Pixelbereich definiert; eine erste fluoreszierende Schicht, die in der Mehrzahl an Bereichen vorgesehen ist; und eine zweite fluoreszierende Schicht, die in dem einzelnen Bereich vorgesehen ist, wobei sich eine Form der ersten fluoreszierenden Schicht von einer Form der zweiten fluoreszierenden Schicht unterscheidet.
  • Nach einem Aspekt eines Ausführungsbeispiels enthält eine lichtemittierende Vorrichtung: eine Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen, die in einem lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehen sind; eine Sperrwandstruktur, die zu der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen im lichtemittierenden Pixelbereich vertikal versetzt ist, wobei die Sperrwandstruktur eine Mehrzahl an Sperrwänden aufweist, die eine Mehrzahl an Pixelräumen definieren; eine fluoreszierende Schicht, die in der Mehrzahl an Pixelräumen vorgesehen ist; und einen Pad-Abschnitt, der in einem Pad-Bereich auf einer ersten Seite der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen vorgesehen ist. Der lichtemittierende Pixelbereich enthält einen ersten lichtemittierenden Pixelbereich und einen zweiten lichtemittierenden Pixelbereich, die fluoreszierende Schicht enthält eine Mehrzahl an ersten fluoreszierenden Schichten, die jeweils auf der im ersten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehenen Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen angeordnet sind, und die fluoreszierende Schicht enthält eine kontinuierliche fluoreszierende Schicht, die auf der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen im zweiten lichtemittierenden Pixelbereich kontinuierlich vorgesehen ist.
  • Nach einem Aspekt eines Ausführungsbeispiels enthält eine Scheinwerferlampe erste lichtemittierende Strukturen, die in einem ersten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehen sind; eine Mehrzahl an zweiten lichtemittierenden Strukturen, die in einem zweiten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehen sind, der benachbart zum ersten lichtemittierenden Pixelbereich ist; eine Sperrwandstruktur, die eine Mehrzahl an Bereichen im ersten lichtemittierenden Pixelbereich und einen einzelnen Bereich im zweiten lichtemittierenden Pixelbereich definiert; erste fluoreszierende Schichten, die im ersten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehen sind; und eine zweite fluoreszierende Schicht, die im zweiten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehen ist, wobei sich eine Form der ersten fluoreszierenden Schichten von einer Form der zweiten fluoreszierenden Schicht unterscheidet.
  • Nach einem Aspekt eines Ausführungsbeispiels enthält eine Scheinwerferlampe eine lichtemittierende Vorrichtung. Die lichtemittierende Vorrichtung enthält: eine Mehrzahl an lichtemittierenden Pixelbereichen, die durch eine Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen definiert werden; und eine Mehrzahl an Sperrwänden. Die Mehrzahl an lichtemittierenden Pixelbereichen enthält einen ersten lichtemittierenden Pixelbereich und einen zweiten lichtemittierenden Pixelbereich. Einzelne fluoreszierende Schichten sind jeweils auf jeder der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen im ersten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehen. Eine fluoreszierende Schicht ist auf jeder der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen im zweiten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehen.
  • Figurenliste
  • Für ein deutlicheres Verständnis der oben genannten und weiterer Aspekte, Merkmale und Vorteile sorgt die folgende Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen, wobei:
    • 1 eine Draufsicht einer lichtemittierenden Vorrichtung nach einem Ausführungsbeispiel ist;
    • 2 eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts II aus 1 ist;
    • 3 eine Querschnittsansicht entlang Linie III-III' aus 2 ist;
    • 4 eine Querschnittsansicht entlang Linie IV-IV' aus 2 ist,
    • 5 bis 7 Draufsichten von lichtemittierenden Vorrichtungen nach weiteren Ausführungsbeispielen sind;
    • 8 bis 12, 13A, 13b, 14A, 14B, 15A, 15B, 16 und 17 Querschnittsansichten, die ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung darstellen, nach einem Ausführungsbeispiel sind;
    • 18 eine Querschnittsansicht eines Lichtquellenmoduls ist, das eine lichtemittierende Vorrichtung enthält, nach einem Ausführungsbeispiel;
    • 19 eine Perspektivansicht eines Fahrzeugs nach einem Ausführungsbeispiel ist;
    • 20 ein schematisches Diagramm ist, das eine Landschaft zeigt, die von einer Sichterkennungsvorrichtung des Fahrzeugs aus 19 erkannt wird;
    • 21 ein konzeptuelles Diagramm ist, das einen Bereich eines von einem Scheinwerferlampenmodul in der erkannten Landschaft aus 20 emittierten Lichts darstellt;
    • 22 ein konzeptuelles Diagramm ist, das ein Lichtintensitätsraster zeigt, das durch Artikel 112 der Economic-Commission-For-Europe(ECE)-Regel festgelegt wird;
    • 23 eine Perspektivansicht einer Beleuchtungsvorrichtung, die eine lichtemittierende Vorrichtung enthält, nach einem Ausführungsbeispiel ist; und
    • 24 eine perspektivische Explosionsdarstellung einer Beleuchtungsvorrichtung ist, die eine lichtemittierende Vorrichtung enthält, nach einem Ausführungsbeispiel.
  • Ausführliche Beschreibung
  • Nun werden Ausführungsbeispiele mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen ausführlicher beschrieben.
  • 1 ist eine Draufsicht einer lichtemittierenden Vorrichtung nach einem Ausführungsbeispiel, 2 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts II aus 1, 3 ist eine Querschnittsansicht entlang Linie III-III' aus 2 und 4 ist eine Querschnittsansicht entlang Linie IV-IV' aus 2.
  • Bezugnehmend auf 1 bis 4 kann eine lichtemittierende Vorrichtung 100 einen lichtemittierenden Pixelbereich PXR und einen Pad-Bereich PDR, der auf mindestens einer Seite des lichtemittierenden Pixelbereichs PXR angeordnet ist, enthalten.
  • Eine Mehrzahl an Pixeln PX kann in einer Matrixkonfiguration auf dem lichtemittierenden Pixelbereich PXR angeordnet sein und eine lichtemittierende Struktur 120 kann innerhalb eines jeden der Mehrzahl an Pixeln PX angeordnet sein. Ein Pad-Abschnitt PAD, welcher mit der in jedem der Mehrzahl an Pixeln PX angeordneten lichtemittierenden Struktur 120 elektrisch verbunden ist, kann auf dem Pad-Bereich PDR angeordnet sein. Wie später beschrieben wird, kann der lichtemittierende Pixelbereich PXR einen ersten lichtemittierenden Pixelbereich PXR1 und einen zweiten lichtemittierenden Pixelbereich PXR2 enthalten.
  • In einer Draufsicht kann der lichtemittierende Pixelbereich PXR einen Bereich belegen, der ungefähr 50 % bis ungefähr 90 % des gesamten Bereichs der lichtemittierenden Vorrichtung 100 entspricht, und der Pad-Bereich PDR kann einen Bereich belegen, der ungefähr 10 % bis ungefähr 50 % des gesamten Bereichs der lichtemittierenden Vorrichtung 100 entspricht; die Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt. In einer Draufsicht kann jeder der Mehrzahl an Pixeln PX eine Breite von ungefähr 10 µm bis mehrere mm in eine X-Richtung oder eine Y-Richtung aufweisen; die Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung 100 kann eine Mehrzahl an Teilarrays SA enthalten, von denen jedes eine Mehrzahl an Pixeln PX enthalten kann. Zum Beispiel enthält die lichtemittierende Vorrichtung 100 in den Zeichnungen die Mehrzahl an Teilarrays SA, von denen jedes eine Mehrzahl an Pixeln PX enthält, die in einer Matrixform angeordnet sind. Die Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Nach einigen Ausführungsbeispielen kann die Mehrzahl an Teilarrays SA elektrisch voneinander getrennt sein und die in einem Teilarray SA enthaltene Mehrzahl an Pixeln PX können in Reihe miteinander verbunden sein. Zum Beispiel kann jedes der Mehrzahl an Teilarrays SA mit demselben Antriebshalbleiterchip 1200 aus 18 elektrisch verbunden sein, sodass ein Antriebshalbleiterchip 1200 aus 18 konfiguriert sein kann, ein Teilarray SA zu steuern. In diesem Fall kann die Anzahl an Teilarrays SA gleich der Anzahl an Antriebshalbleiterchips 1200 aus 18 sein. Nach einigen Ausführungsbeispielen können Pixel PX, die in mindestens einem der Mehrzahl an Teilarrays SA enthalten sind, parallel miteinander verbunden sein.
  • Eine Sperrwandstruktur WS kann auf mindestens einigen der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 angeordnet sein. Die Sperrwandstruktur WS kann eine Mehrzahl an inneren Sperrwänden WDI, die eine Mehrzahl an Pixelräumen PXS definieren, und eine äußere Sperrwand WSO, die auf einer äußersten Seite der Mehrzahl an inneren Sperrwänden WSI innerhalb des Pixelbereichs PXR angeordnet sind, enthalten. Ein Pixel PX kann innerhalb eines jeden der Mehrzahl an Pixelräumen PXS angeordnet sein.
  • Jede der Mehrzahl an inneren Sperrwänden WSI kann eine erste Breite w11 von ungefähr 10 µm bis ungefähr 100 µm in eine horizontale Richtung (X-Richtung oder Y-Richtung) aufweisen. Die äußere Sperrwand WSO kann eine zweite Breite w12 von ungefähr 10 µm bis ungefähr 1 mm in die horizontale Richtung (X-Richtung oder Y-Richtung) aufweisen. Die Sperrwandstruktur WS kann derart ausgebildet sein, dass die erste Breite w11 einer jeden inneren Sperrwand WSI kleiner ist als die zweite Breite w12 der äußeren Sperrwand WSO, und somit kann sich eine strukturelle Stabilität der lichtemittierenden Vorrichtung 100 verbessern. Zum Beispiel, selbst wenn eine Umgebung, in der wiederholte Vibrationen und Auswirkungen angewandt werden, wie in einem Fall, in dem die lichtemittierende Vorrichtung 100 als eine Scheinwerferlampe für Fahrzeuge verwendet wird, kann die lichtemittierende Vorrichtung 100 aufgrund einer guten strukturellen Stabilität zwischen fluoreszierenden Schichten 160, die in der Sperrwandstruktur WS und der Sperrwandstruktur WS angeordnet sind, eine verbesserte Zuverlässigkeit aufweisen.
  • Die Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 kann eine Halbleiterschicht 122 eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine Aktivschicht 124 und eine Halbleiterschicht 126 eines zweiten Leitfähigkeitstyps enthalten. Eine Isolierauskleidung 132, erste Kontakte 134A, zweite Kontakte 134B und eine Verdrahtungsstruktur 140 können auf unteren Oberflächen der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 angeordnet sein.
  • Der Einfachheit der Erläuterung halber können Oberflächen der lichtemittierenden Strukturen 120, die der Mehrzahl an inneren Sperrwänden WSI zugewandt sind, als obere Oberflächen der lichtemittierenden Strukturen 120 bezeichnet werden und Oberflächen (d.h. Oberflächen, die von der Mehrzahl an inneren Sperrwänden weit weg sind) der lichtemittierenden Strukturen 120, die den oberen Oberflächen der lichtemittierenden Strukturen 120 gegenüberliegen, können als die unteren Oberflächen der lichtemittierenden Strukturen 120 bezeichnet werden. Zum Beispiel können die Halbleiterschicht 122 des ersten Leitfähigkeitstyps, die Aktivschicht 124 und die Halbleiterschicht 126 des zweiten Leitfähigkeitstyps in eine vertikale Richtung von der oberen Oberfläche der lichtemittierenden Struktur 120 zu der unteren Oberfläche derselben gestapelt sein und somit kann die obere Oberfläche der lichtemittierenden Struktur 120 einer oberen Oberfläche der Halbleiterschicht 122 des ersten Leitfähigkeitstyps entsprechen und die untere Oberfläche der lichtemittierenden Struktur 120 kann einer unteren Oberfläche der Halbleiterschicht 126 des zweiten Leitfähigkeitstyps entsprechen.
  • Die Halbleiterschicht 122 des ersten Leitfähigkeitstyps kann einen Nitrid-Halbleiter mit einer Zusammensetzung von n-Typ-InxAlyGa(1-x-y)N (0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1) enthalten und n-Typ-Verunreinigungen können zum Beispiel Silizium (Si) sein. Alternativ kann die Halbleiterschicht 122 des ersten Leitfähigkeitstyps Galliumnitrid (GaN) enthalten, das n-Typ-Verunreinigungen enthält.
  • Nach einigen Ausführungsbeispielen kann die Halbleiterschicht 122 des ersten Leitfähigkeitstyps eine Halbleiterkontaktschicht des ersten Leitfähigkeitstyps und eine Stromdiffusionsschicht enthalten. Eine Dotierstoffkonzentration der Halbleiterkontaktschicht des ersten Leitfähigkeitstyps kann im Bereich von ungefähr 2 × 1018 cm-3 bis ungefähr 9×1019 cm-3 sein. Die Halbleiterkontaktschicht des ersten Leitfähigkeitstyps kann eine Dicke von ungefähr 1 µm bis ungefähr 5 µm aufweisen. Die Stromdiffusionsschicht kann eine Struktur aufweisen, in der eine Mehrzahl an InxAlyGa(1-x-y)N-(0≤x, y≤1, 0≤x+y≤1)-Schichten mit unterschiedlichen Zusammensetzungen oder mit unterschiedlichen Verunreinigungsgehalten alternierend gestapelt sind. Zum Beispiel kann die Stromdiffusionsschicht eine n-Typ-Übergitterstruktur aufweisen, in der n-Typ-GaN-Schichten und/oder AlxInyGazN-Schichten (0≤x,y,z≤1, x+y+z≠0), die jeweils eine Dicke von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm aufweisen, alternierend gestapelt sind. Eine Verunreinigungskonzentration der Stromdiffusionsschicht kann im Bereich von ungefähr 2×1018 cm-3 bis ungefähr 9×1019 cm-3 sein.
  • Die Aktivschicht 124 kann zwischen der Halbleiterschicht 122 des ersten Leitfähigkeitstyps und der Halbleiterschicht 126 des zweiten Leitfähigkeitstyps angeordnet sein. Die Aktivschicht 124 kann konfiguriert sein, Licht mit einer gewissen Energie durch Neukombinieren von Elektronen und Löchern zu emittieren, wenn die lichtemittierende Vorrichtung 100 angetrieben wird. Die Aktivschicht 124 kann eine Mehrfachquantentopf(MQW)-Struktur aufweisen, in der eine Quantentopfschicht und eine Quantenbarriereschicht alternierend gestapelt sind. Zum Beispiel können die Quantentopfschicht und die Quantenbarriereschicht InxAlyGa(1-x-y)N (0≤x, y≤1, 0≤x+y≤1) mit unterschiedlichen Zusammensetzungen enthalten. Die Quantentopfschicht kann InxGa1-xN (0≤x≤1) enthalten und die Quantenbarriereschicht kann GaN oder AlGaN enthalten. Sowohl die Quantentopfschicht als auch die Quantenbarriereschicht weisen eine Dicke von ungefähr 1 nm bis ungefähr 50 nm auf. Die Aktivschicht 124 ist nicht auf eine MQW-Struktur beschränkt und kann zum Beispiel eine Einfachquantentopf(SQW)-Struktur aufweisen.
  • Die Halbleiterschicht 126 des zweiten Leitfähigkeitstyps kann einen Nitrid-Halbleiter mit einer Zusammensetzung von p-Typ-InxAlyGa(1-x-y)N (0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1) enthalten und p-Typ-Verunreinigungen können zum Beispiel Magnesium (Mg) sein.
  • Nach einigen Ausführungsbeispielen kann die Halbleiterschicht 126 des zweiten Leitfähigkeitstyps eine Elektronenbarriereschicht, eine p-Typ-GaN-Schicht mit niedriger Konzentration und eine p-Typ-GaN-Schicht mit hoher Konzentration enthalten, die in der vertikalen Richtung gestapelt sind. Zum Beispiel kann die Elektronenbarriereschicht eine Struktur aufweisen, in der eine Mehrzahl an InxAlyGa(1-x-y)N-(0≤x, y≤1, 0≤x+y≤1)-Schichten, die jeweils eine Dicke von ungefähr 5 nm bis ungefähr 100 nm aufweisen und unterschiedliche Zusammensetzungen aufweisen, alternierend gestapelt sind, oder kann eine einzelne Schicht sein, die AlyGa(1-y)N (0<y≤1) enthält. Eine Energiebandlücke der Elektronenbarriereschicht kann sich in eine Richtung weg von der Aktivschicht 124 verringern. Zum Beispiel kann sich eine Al-Zusammensetzung der Elektronenbarriereschicht in eine Richtung weg von der Aktivschicht 124 verringern.
  • Jede der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 kann beabstandet von einer benachbarten lichtemittierenden Struktur 120 in einem Isolierbereich IA dazwischen angeordnet sein. Ein Abstand zwischen der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 kann kleiner sein als die erste Breite w11 einer jeden der Mehrzahl an inneren Sperrwänden WSI, die Ausführungsformen sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Isolierauskleidung 132 kann konform angeordnet sein, um die Innenwände des Isolierbereichs IA und eine seitliche Oberfläche einer jeden der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 zu bedecken. Die Isolierauskleidung 132 kann auf Innenwänden von Gräben GR angeordnet sein, welche die Aktivschicht 124 und die Halbleiterschicht 126 des zweiten Leitfähigkeitstyps durchdringen. Nach einigen Ausführungsbeispielen kann die Isolierauskleidung 132 ein Siliziumoxid, ein Siliziumoxynitrid oder ein Siliziumnitrid enthalten. Nach einigen Ausführungsbeispielen kann die Isolierauskleidung 132 eine Struktur aufweisen, in der eine Mehrzahl an Isolierschichten gestapelt ist.
  • Die ersten Kontakte 134A können angeordnet sein, um die Halbleiterschicht 122 des ersten Leitfähigkeitstyps innerhalb der Gräben GR, welche die Aktivschicht 124 durchdringen, und die Halbleiterschicht 126 des zweiten Leitfähigkeitstyps zu verbinden. Die zweiten Kontakte 134B können auf der unteren Oberfläche der Halbleiterschicht 126 des zweiten Leitfähigkeitstyps angeordnet sein. Die Isolierauskleidung 132 kann die ersten Kontakte 134A von der Aktivschicht 124 und der Halbleiterschicht 126 des zweiten Leitfähigkeitstyps elektrisch isolieren. Die Isolierauskleidung 132 kann zwischen den ersten Kontakten 134A und den zweiten Kontakten 134B auf der unteren Oberfläche der Halbleiterschicht 126 des zweiten Leitfähigkeitstyps angeordnet sein und kann die ersten Kontakte 134A von den zweiten Kontakten 134B elektrisch isolieren.
  • Jeder der ersten Kontakte 134A und der zweiten Kontakte 134B kann Ag, Al, Ni, Cr, Au, Pt, Pd, Sn, W, Rh, Ir, Ru, Mg, Zn, Ti, Cu oder eine Kombination daraus enthalten. Die ersten Kontakte 134A und die zweiten Kontakte 134B können ein Metallmaterial mit hohem Reflexionsvermögen enthalten.
  • Untere Reflexionsschichten 136 können auf Abschnitten der Isolierauskleidung 132, die auf den Innenwänden der Isolierbereiche IA angeordnet ist, angeordnet sein. Die unteren Reflexionsschichten 136 können durch die Seitenwände der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 emittiertes Licht reflektieren, um das reflektierte Licht in die Mehrzahl an Pixelräumen PXS umzuleiten.
  • Nach einigen Ausführungsbeispielen können die unteren Reflexionsschichten 136 Ag, Al, Ni, Cr, Au, Pt, Pd, Sn, W, Rh, Ir, Ru, Mg, Zn, Ti, Cu oder eine Kombination daraus enthalten. Die unteren Reflexionsschichten 136 können ein Metallmaterial mit hohem Reflexionsvermögen enthalten. Nach einigen Ausführungsbeispielen kann jede der unteren Reflexionsschichten 136 ein verteilter Bragg-Reflektor sein. Zum Beispiel kann der verteilte Bragg-Reflektor eine Struktur aufweisen, in der eine Mehrzahl an Isolierschichten mit unterschiedlichen Brechungsindizes wiederholt und gestapelt ist. Jede der im verteilten Bragg-Reflektor enthaltenen Isolierschichten kann SiO2, SiN, SiOxNy, TiO2, Si3N4, Al2O3, TiN, AlN, ZrO2, TiAlN, TiSiN oder dergleichen enthalten.
  • Die Verdrahtungsstruktur 140 kann auf der Isolierauskleidung 132, den ersten Kontakten 134A, den zweiten Kontakten 134B und den unteren Reflexionsschichten 136 angeordnet sein. Die Verdrahtungsstruktur 140 kann eine Mehrzahl an Isolierschichten 142 und eine Mehrzahl an Verdrahtungsschichten 144 enthalten. Die Mehrzahl an Verdrahtungsschichten 144 kann die ersten Kontakte 134A und die zweiten Kontakte 134B jeweils mit den Pad-Abschnitten PAD elektrisch verbinden. Einige der Mehrzahl an Verdrahtungsschichten 144 können auf den Innenwänden der Isolierbereiche IA angeordnet sein und die Mehrzahl an Isolierschichten 142 kann jeweils die Mehrzahl an Verdrahtungsschichten 144 bedecken und kann die Isolierbereiche IA füllen. Die Mehrzahl an Verdrahtungsschichten 144 kann zwei oder mehr Verdrahtungsschichten 144 enthalten, die auf unterschiedlichen Ebenen in die vertikale Richtung angeordnet sind, die Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt. Jede der Mehrzahl an Verdrahtungsschichten 144 kann Ag, Al, Ni, Cr, Au, Pt, Pd, Sn, W, Rh, Ir, Ru, Mg, Zn, Ti, Cu oder eine Kombination daraus enthalten.
  • Nach einigen Ausführungsbeispielen kann die in einem Teilarray SA enthaltene Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 in Reihe miteinander verbunden sein und die Mehrzahl an Verdrahtungsschichten 144 kann den ersten Kontakt 134A einer lichtemittierenden Struktur 120 mit dem zweiten Kontakt 134B einer anderen lichtemittierenden Struktur 120, der in Reihe damit verbunden ist, elektrisch verbinden.
  • Pad-Abschnitte PAD, die mit der Mehrzahl an Verdrahtungsschichten 144 verbunden sind, können auf dem Pad-Bereich PDR angeordnet sein und die Pad-Abschnitte PAD können auf einer vertikalen Ebene angeordnet sein, die niedriger ist als die Sperrwandstruktur WS. Nach einigen Ausführungsbeispielen können die Seitenwände und die unteren Oberflächen der Pad-Abschnitte PAD von der Mehrzahl an Isolierschichten 142 bedeckt sein und die oberen Oberflächen der Pad-Abschnitte PAD können auf einer Ebene angeordnet sein, die niedriger ist als die oberen Oberflächen der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120. Nach einigen Ausführungsbeispielen, im Gegensatz zu der Darstellung, kann ein Teil der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 im Pad-Bereich PDR angeordnet sein und die Pad-Abschnitte PAD können innerhalb von Gräben angeordnet sein, die in der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 ausgebildet sind. In diesem Fall können die oberen Oberflächen der Pad-Abschnitte PAD auf derselben Ebene angeordnet sein wie die oberen Oberflächen der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120. Ein Verbindungselement, wie ein Bonddraht zum elektrischen Verbinden mit dem Antriebshalbleiterchip 1200 aus 18, kann auf den Pad-Bereichen PAD angeordnet sein.
  • Die Sperrwandstruktur WS kann auf den oberen Oberflächen von mindestens einigen der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 angeordnet sein. Die Sperrwandstruktur WS kann Si, Siliziumkarbid (SiC), Saphir oder GaN enthalten. Wie später beschrieben wird, kann die Sperrwandstruktur WS, nachdem die Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 auf einem Substrat 110 aus 8 ausgebildet worden ist, durch Entfernen eines Abschnitts des Substrats 110 aus 8 ausgebildet werden. In diesem Fall kann die Sperrwandstruktur WS ein Abschnitt des Substrats 110 aus 8 sein, das als ein Wachstumssubstrat zum Ausbilden der lichtemittierenden Strukturen 120 verwendet wird.
  • In einer Draufsicht kann die Sperrwandstruktur WS in einer Matrixform angeordnet sein und die Mehrzahl an Pixelräumen PXS kann durch die Sperrwandstruktur WS definiert werden. Vertiefungsbereiche RS können durch Entfernen eines Abschnitts des Substrats 110 aus 8 in einem Ätzprozess zum Unterteilen eines lichtemittierenden Stapels 120L aus 8 in eine Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 ausgebildet werden. Die Isolierauskleidung 132 kann derart auf der unteren Oberfläche der Sperrwandstruktur WS angeordnet sein, dass sie die Vertiefungsbereiche RS berührt. In der lichtemittierenden Vorrichtung 100 nach einem Ausführungsbeispiel ist die Sperrwandstruktur WS jedoch nicht auf den Isolierbereichen IA aller lichtemittierenden Strukturen 120 angeordnet. Zum Beispiel können andere fluoreszierende Schichten 160 als die Sperrwandstruktur WS auf mindestens einigen der Isolierbereiche IA angeordnet sein. Eine ausführliche Beschreibung davon ist später gegeben.
  • Die oberen Oberflächen der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 können auf unteren Abschnitten der Mehrzahl an Pixelräumen PXS freigelegt sein. Zum Beispiel können unebene Abschnitte 120P auf den oberen Oberflächen der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120, die auf den unteren Abschnitten der Mehrzahl an Pixelräumen PXS angeordnet sind, ausgebildet sein. Die unebenen Abschnitte 120P können eine Lichtextrahierungseffizienz von der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 verbessern, die Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel können die oberen Oberflächen der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 als ebene Abschnitte anstatt der unebenen Abschnitte 120P ausgebildet werden.
  • Eine Passivierungsstruktur 150 kann auf einer oberen Oberfläche WST und einer Seitenwand WSS einer jeden einer Mehrzahl an Sperrwandstrukturen WS angeordnet sein. Die Passivierungsstruktur 150 kann eine erste Passivierungsschicht 152 und eine zweite Passivierungsschicht 154 enthalten, die konform auf der oberen Oberfläche WST und der Seitenwand WSS einer jeden der Mehrzahl an Sperrwandstrukturen WS angeordnet sind. Die Passivierungsstrukturen 150 können außerdem auf den oberen Oberflächen der lichtemittierenden Strukturen 120, die auf den unteren Abschnitten der Mehrzahl an Pixelräumen PXS angeordnet sind, konform ausgebildet sein.
  • Nach einigen Ausführungsbeispielen kann die erste Passivierungsschicht 152 ein erstes Isoliermaterial enthalten und die zweite Passivierungsschicht 154 kann ein zweites Isoliermaterial enthalten, das sich vom ersten Isoliermaterial unterscheidet. Sowohl das erste Isoliermaterial als auch das zweite Isoliermaterial können mindestens eines von Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxynitrid, Aluminiumoxid und Aluminiumnitrid enthalten.
  • Nach einigen Ausführungsbeispielen kann die Passivierungsstruktur 150 einen ersten Abschnitt 150P1, welcher auf der oberen Oberfläche WST einer jeden der Mehrzahl an Sperrwandstrukturen WS angeordnet ist, einen zweiten Abschnitt 150P2, welcher auf der Seitenwand WSS einer jeden der Mehrzahl an Sperrwandstrukturen WS angeordnet ist, und einen dritten Abschnitt 150P3, welcher auf der oberen Oberfläche einer jeden der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 angeordnet ist, enthalten.
  • Nach einigen Ausführungsbeispielen kann eine erste Dicke des ersten Abschnitts 150P1 kleiner oder gleich einer zweiten Dicke des zweiten Abschnitts 150P2 sein. Eine dritte Dicke des dritten Abschnitts 150P3 kann kleiner oder gleich der zweiten Dicke des zweiten Abschnitts 150P2 sein. Zum Beispiel kann die erste Dicke des ersten Abschnitts 150P1 ungefähr 0,1 µm bis ungefähr 2 µm sein, die zweite Dicke des zweiten Abschnitts 150P2 kann ungefähr 0,5 µm bis ungefähr 5 µm sein und die dritte Dicke des dritten Abschnitts 150P3 kann ungefähr 0,1 µm bis ungefähr 2 µm sein.
  • Nach einigen Ausführungsbeispielen kann ein Abschnitt der ersten Passivierungsschicht 152, der im ersten Abschnitt 150P1 enthalten ist, eine kleinere Dicke aufweisen als ein Abschnitt der ersten Passivierungsschicht 152, der im zweiten Abschnitt 150P2 enthalten ist. Ähnlich kann ein Abschnitt der zweiten Passivierungsschicht 154, der im ersten Abschnitt 150P1 enthalten ist, eine kleinere Dicke aufweisen als ein Abschnitt der zweiten Passivierungsschicht 154, der im zweiten Abschnitt 150P2 enthalten ist.
  • Nach einigen Ausführungsbeispielen kann die erste Passivierungsschicht 152 eine relativ gleichmäßige Dicke auf der Seitenwand WSS einer jeden der Mehrzahl an Sperrwandstrukturen WS aufweisen. Die zweite Passivierungsschicht 154 kann ebenfalls eine relativ gleichmäßige Dicke auf der Seitenwand WSS einer jeden der Mehrzahl an Sperrwandstrukturen WS aufweisen. In einem Herstellungsprozess, der später beschrieben wird, können die erste und zweite Passivierungsschicht 152 und 154 ein Material mit guter Stufenbedeckung enthalten oder können unter Verwendung eines Herstellungsprozesses ausgebildet werden, der eine Ausbildung eines Materials mit guter Stufenbedeckung begünstigt, zum Beispiel ein Atomlagenabscheide(ALD)-Prozess.
  • Nach einigen Ausführungsbeispielen kann die erste Dicke kleiner sein als eine Schwellendicke, welche die Passivierungsstruktur 150 befähigt, als eine Lichtführung zu agieren. Wenn zum Beispiel die erste Dicke des ersten Abschnitts 150P1 der Passivierungsstruktur 150, die auf den oberen Oberflächen WST einer jeden der Mehrzahl an Sperrwandstrukturen WS angeordnet ist, größer ist als die Schwellendicke, kann aus einem Pixel PX emittiertes Licht durch den ersten Abschnitt 150P1 der Passivierungsstruktur 150 in einen benachbarten Pixel PX geleitet werden, und somit, wenn ein Pixel PX eingeschaltet wird, kann Licht in einen benachbarten Pixel PX gemischt werden oder in jenen eindringen. Dementsprechend kann es für den benachbarten Pixel PX schwierig sein, einen vollständigen Aus-Zustand zu realisieren. Da die erste Dicke des ersten Abschnitts 150P1 kleiner oder gleich der zweiten Dicke des zweiten Abschnitts 150P2 sein kann und insbesondere kleiner als die Schwellendicke sein kann, kann der zweite Abschnitt 150P2 der Passivierungsstruktur 150 eine ausreichende Dicke zum Verhindern einer Kontamination der fluoreszierenden Schicht 160 vorsehen, und der erste Abschnitt 150P1 kann ein Übersprechen von ungewolltem Licht zwischen benachbarten Pixeln PX verhindern.
  • Eine Seitenwandreflexionsschicht kann auf der Seitenwand WSS einer jeden der Mehrzahl an Sperrwandstrukturen WS angeordnet sein. Die Seitenwandreflexionsschicht kann ein Material mit hohem Reflexionsvermögen enthalten, wie eine Metallschicht, die Ag, Al, Ni, Cr, Au, Pt, Pd, Sn, W, Rh, Ir, Ru, Mg, Zn oder eine Kombination daraus enthält, und kann von der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 emittiertes Licht reflektieren. Eine Schutzschicht kann ferner auf der Seitenwandreflexionsschicht ausgebildet sein.
  • Die fluoreszierenden Schichten 160 können auf den oberen Oberflächen der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 innerhalb der Mehrzahl an Pixelräumen PXS angeordnet sein. Wie in 3 gezeigt, können die fluoreszierenden Schichten 160 auf der Passivierungsstruktur 150 angeordnet sein und die Mehrzahl an Pixelräumen PXS füllen. Die obere Oberfläche der fluoreszierenden Schichten 160 kann auf derselben Ebene angeordnet sein wie die oberen Oberflächen der Sperrwandstrukturen WS, die Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Nach einigen Ausführungsbeispielen können die fluoreszierenden Schichten 160 einen einzigen Typ von Material enthalten, das zum Umwandeln der Farbe von Licht, das von den lichtemittierenden Strukturen 120 emittiert wird, in eine gewünschte Farbe imstande ist, und fluoreszierende Schichten 160, die derselben Farbe zugeordnet sind, können innerhalb der Mehrzahl an Pixelräumen PXS angeordnet sein. Nach anderen Ausführungsbeispielen können sich die Farben von fluoreszierenden Schichten 160, die in einigen der Mehrzahl an Pixelräumen PXS angeordnet sind, von jenen von fluoreszierenden Schichten 160, die in den verbleibenden Pixelräumen PXS angeordnet sind, unterscheiden.
  • Die fluoreszierenden Schichten 160 können eine erste fluoreszierende Schicht 161 und eine zweite fluoreszierende Schicht 162 enthalten. Die erste fluoreszierende Schicht 161 kann Harz mit einem darin dispergierten Leuchtstoff enthalten und die zweite fluoreszierende Schicht 162 kann eine Schicht enthalten, die einen Leuchtstoff beinhaltet. Zum Beispiel kann die zweite fluoreszierende Schicht 162 ein Phosphor-in-Glass (PIG) enthalten, das eine Leuchtstoffschicht ist, in welcher Leuchtstoffpartikel bei einer gewissen Konzentration gleichmäßig dispergiert werden. Nach einigen Ausführungsbeispielen kann die zweite fluoreszierende Schicht 162 einen Einzelkristallleuchtstoff, der als ein Einzelkristall gewachsen ist, einen Keramikleuchtstoff, der durch Kompressionssintern eines Leuchtstoffs selbst erhalten wird, oder ein Harz, das einen Leuchtstoff beinhaltet, enthalten.
  • Die Leuchtstoffpartikel können ein Wellenlängenumwandlungsmaterial zum Umwandeln der Wellenlänge des von der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 emittierten Lichts sein. Um die Dichte von Leuchtstoffpartikeln zu verbessern und die Farbgleichmäßigkeit derselben zu verbessern, können die erste fluoreszierende Schicht 161 und die zweite fluoreszierende Schicht 162 zwei oder mehr Arten von Leuchtstoffpartikeln mit unterschiedlichen Größenverteilungen enthalten.
  • Nach einigen Ausführungsbeispielen kann der Leuchtstoff verschiedene Zusammensetzungen und Farben aufweisen, wie Oxide, Silikate, Nitride und Fluoride. Zum Beispiel können β-SiAlON:Eu2+(grün), (Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+(rot), La3Si6N11:Ce3+(gelb), K2SiF6:Mn4 +(rot), SrLiAl3N4:Eu(rot), Ln4-x(EuzM1-z)xSi12-yAlyO3+x+yN18-x-y (0,5≤x≤3, 0<z<0,3, 0<y≤4)(rot), K2TiF6:Mn4 +(rot), NaYF4:Mn4 +(rot), NaGdF4:Mn4 +(rot) oder dergleichen als der Leuchtstoff verwendet werden. Die Art des Leuchtstoffs ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Nach einigen Ausführungsbeispielen kann ein Wellenlängenumwandlungsmaterial, wie Quantenpunkte, ferner über sowohl der ersten fluoreszierenden Schicht 161 als auch der zweiten fluoreszierenden Schicht 162 angeordnet sein. Die Quantenpunkte können durch Verwenden eines elementbeinhaltenden Verbindungshalbleiters der Gruppe III-V oder II-VI eine Kernschalenstruktur aufweisen und können einen Kern, wie CdSe oder InP, oder eine Schale, wie ZnS oder ZnSe, aufweisen. Darüber hinaus können die Quantenpunkte einen Ligand zur Stabilisierung des Kerns und der Schale aufweisen.
  • Ein Trägersubstrat 170 kann auf der Verdrahtungsstruktur 140 angeordnet sein und eine Klebstoffschicht 172 kann zwischen dem Trägersubstrat 170 und der Verdrahtungsstruktur 140 angeordnet sein. Nach einigen Ausführungsbeispielen kann die Klebstoffschicht 172 ein elektrisch isolierendes Material enthalten, zum Beispiel Harze oder Polymermaterialien, wie Siliziumoxide, Siliziumnitride, oder UV-härtbare Materialien, Nach einigen Ausführungsbeispielen kann die Klebstoffschicht 172 ein eutektisches Klebstoffmaterial enthalten, wie AuSn oder NiSi. Das Trägersubstrat 170 kann ein Saphirsubstrat, ein Glassubstrat, ein durchsichtiges leitfähiges Substrat, ein Si-Substrat, ein SiC-Substrat oder dergleichen enthalten, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Nach einem Ausführungsbeispiel kann der lichtemittierende Pixelbereich PXR den ersten lichtemittierenden Pixelbereich PXR1, in dem die Sperrwandstrukturen WS angeordnet sind, und den zweiten lichtemittierenden Pixelbereich PXR2, in dem eine oder mehrere Sperrwandstrukturen WS weggelassen sein können, enthalten.
  • Im ersten lichtemittierenden Pixelbereich PXR1 kann die Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 durch die inneren Sperrwände WSI voneinander getrennt sein und Räume, welche durch die inneren Sperrwände WSI definiert werden, können mit den ersten fluoreszierenden Schichten 161 gefüllt sein. Die Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120, die im ersten lichtemittierenden Pixelbereich PXR1 angeordnet sind und durch die inneren Sperrwände WSI voneinander getrennt sind, können als erste lichtemittierende Strukturen bezeichnet werden. Im ersten lichtemittierenden Pixelbereich PXR1 weisen die ersten fluoreszierenden Schichten 161 obere Oberflächen 161S auf, die konvex sind, und die ersten fluoreszierenden Schichten 161 mit dieser Form können unter Verwendung eines Verteilungsverfahrens erhalten werden.
  • Im zweiten lichtemittierenden Pixelbereich PXR2 kann eine Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 durch eine Sperrwandstruktur WS in eine lichtemittierende Struktur integriert werden und ein Raum, der durch die Sperrwandstruktur WS definiert wird, kann mit der zweiten fluoreszierenden Schicht 162 gefüllt werden. Die Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120, die im zweiten lichtemittierenden Pixelbereich PXR2 angeordnet und durch die Sperrwandstrukturen WS in eine lichtemittierende Struktur integriert sind, kann als eine zweite lichtemittierende Struktur bezeichnet werden. Im zweiten lichtemittierenden Pixelbereich PXR2 weist die zweite fluoreszierende Schicht 162 eine obere Oberfläche 162S auf, die flach ist, und die zweite fluoreszierende Schicht 162 mit dieser Form kann erhalten werden, indem sie als ein PIG ausgebildet wird. Nach einigen Ausführungsbeispielen kann die zweite fluoreszierende Schicht 162 einen Einzelkristallleuchtstoff, einen Keramikleuchtstoff oder ein Harz, das einen Leuchtstoff beinhaltet, enthalten.
  • Der erste lichtemittierende Pixelbereich PXR1 und der zweite lichtemittierende Pixelbereich PXR2 können in einer lichtemittierenden Vorrichtung 100 angeordnet sein und ein Bereich, der vom ersten lichtemittierenden Pixelbereich PXR1 belegt ist, kann größer sein als jener, der vom zweiten lichtemittierenden Pixelbereich PXR2 belegt ist. Ausführlich kann der erste lichtemittierende Pixelbereich PXR1 eine Mehrzahl an Leitungen in der lichtemittierenden Vorrichtung 100 enthalten und der zweite lichtemittierende Pixelbereich PXR2 kann eine einzelne Leitung in der lichtemittierenden Vorrichtung 100 enthalten.
  • Im ersten lichtemittierenden Pixelbereich PXR1 kann jeder Pixel PX einer jeden ersten fluoreszierenden Schicht 161 entsprechen. Im zweiten lichtemittierenden Pixelbereich 162 kann eine Mehrzahl an Pixeln PX derart ausgebildet sein, dass sie eine zweite fluoreszierende Schicht 162 gemeinsam nutzt. Zum Beispiel kann im ersten lichtemittierenden Pixelbereich PXR1 jede erste fluoreszierende Schicht 161 über einer jeden der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 angeordnet sein und im zweiten lichtemittierenden Pixelbereich PXR2 kann eine einzelne zweite fluoreszierende Schicht 162 derart angeordnet sein, dass sie sich über der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 erstreckt.
  • Somit können der erste lichtemittierende Pixelbereich PXR1 und der zweite lichtemittierende Pixelbereich PXR2 durch selektives Vorsehen der Sperrwandstruktur WS innerhalb des lichtemittierenden Pixelbereichs PXR derart eingestellt werden, dass sie unterschiedliche optische Eigenschaften aufweisen. Zum Beispiel kann der erste lichtemittierende Pixelbereich PXR1 durch Verwenden der Pixel PX, welche durch die Sperrwandstrukturen WS voneinander getrennt sind, und der ersten fluoreszierenden Schichten 161, die jeweils den Pixeln PX entsprechen, eine relativ höhere Lichthelligkeit realisieren als der zweite lichtemittierende Pixelbereich PXR2. Der zweite lichtemittierende Pixelbereich PXR2 kann durch Verwenden von einem Pixel PX, der nicht durch die Sperrwandstruktur WS getrennt ist, und einer einzelnen zweiten fluoreszierenden Schicht 162, die dem Pixel PX entspricht, eine relativ höhere optische Gleichmäßigkeit realisieren als der erste lichtemittierende Pixelbereich PXR1.
  • Im Allgemeinen kann ein Lichtquellenmodul, das eine Mehrzahl an lichtemittierenden Vorrichtungschips enthält, für intelligente Beleuchtungssysteme, wie Scheinwerferlampen für Fahrzeuge, verwendet werden und verschiedene Beleuchtungsmodi können gemäß Umgebungsbedingungen durch individuelles Steuern der lichtemittierenden Vorrichtungschips umgesetzt werden. Wenn eine Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen, die in einer Matrixkonfiguration angeordnet sind, verwendet wird, kann von jeder der Mehrzahl an lichtemittierenden Vorrichtungen emittiertes Licht in eine benachbarte lichtemittierende Vorrichtung gemischt werden oder in jene eindringen und Kontrasteigenschaften des Lichtquellenmoduls sind womöglich nicht gut.
  • Nach einem Ausführungsbeispiel kann ein Ausbilden der Sperrwandstruktur WS auf mindestens einigen der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 ein Mischen oder Eindringen von Licht, das von einem Pixel PX emittiert wird, in einen benachbarten Pixel PX reduziert oder verhindert werden. Zusätzlich können die fluoreszierenden Schichten 160 durch die Sperrwandstrukturen WS innerhalb der Pixelräume PXS gut fixiert sein und eine Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtung 100 kann selbst unter einer Umgebung, in der wiederholte Vibrationen und Auswirkungen angewandt werden, wie wenn die lichtemittierende Vorrichtung 100 als eine Scheinwerferlampe für Fahrzeuge verwendet wird, verbessert werden.
  • Darüber hinaus kann der lichtemittierende Pixelbereich PXR nach einem Ausführungsbeispiel sowohl den ersten lichtemittierenden Pixelbereich PXR1 mit einer relativ hohen Lichthelligkeit als auch einen zweiten lichtemittierenden Pixelbereich PXR2 mit einer relativ hohen optischen Gelichmäßigkeit enthalten. Dementsprechend kann in einer lichtemittierenden Vorrichtung 100 der erste lichtemittierende Pixelbereich PXR1 einer Fernlichtzone entsprechen und der zweite lichtemittierende Pixelbereich PXR2 kann einer Abblendlichtzone entsprechen und somit können optische Eigenschaften, die unter unterschiedlichen Umständen erforderlich sind, mit einem lichtemittierenden Modul bereitgestellt werden.
  • 5 bis 7 sind Draufsichten von lichtemittierenden Vorrichtungen nach weiteren Ausführungsbeispielen.
  • Die meisten der Komponenten, die lichtemittierende Vorrichtungen 200, 300 und 400 ausbilden, werden unten beschrieben und Materialien, die zum Ausbilden der Komponenten verwendet werden, sind im Wesentlichen dieselben wie jene oder ähnlich jenen, die oben mit Bezug auf 1 bis 4 beschrieben werden. Dementsprechend werden der Einfachheit der Erläuterung halber Unterschiede zwischen den Ausführungsbeispielen aus 5 bis 7 und dem Ausführungsbeispiel aus 1 bis 4 mit Bezug auf die oben beschriebene lichtemittierende Vorrichtung 100 und die Draufsichten beschrieben.
  • Bezugnehmend auf 5 kann die lichtemittierende Vorrichtung 200 einen lichtemittierenden Pixelbereich PXR und einen Pad-Bereich PDR, der auf mindestens einer Seite des lichtemittierenden Pixelbereichs PXR angeordnet ist, enthalten.
  • Nach einem Ausführungsbeispiel kann der lichtemittierende Pixelbereich PXR einen ersten lichtemittierenden Pixelbereich PXR1', in dem die Sperrwandstrukturen WS angeordnet sind, und einen zweiten lichtemittierenden Pixelbereich PXR2', in dem eine oder mehrere Sperrwandstrukturen WS weggelassen sein können, enthalten.
  • Der erste lichtemittierende Pixelbereich PXR1' und der zweite lichtemittierende Pixelbereich PXR2' können in der lichtemittierenden Vorrichtung 200 angeordnet sein und ein Bereich, der vom ersten lichtemittierenden Pixelbereich PXR1' belegt ist, kann größer sein als jener, der vom zweiten lichtemittierenden Pixelbereich PXR2' belegt ist. Ausführlich kann der erste lichtemittierende Pixelbereich PXR1' eine Mehrzahl an Leitungen (z.B. Zeilen) in der lichtemittierenden Vorrichtung 200 enthalten und der zweite lichtemittierende Pixelbereich PXR2' kann zwei Leitungen in der lichtemittierenden Vorrichtung 200 enthalten. Die Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt und zum Beispiel kann der erste lichtemittierende Pixelbereich PXR1' mehr als fünf Leitungen enthalten und der zweite lichtemittierende Pixelbereich PXR2' kann mehr als drei Leitungen enthalten.
  • In einer Draufsicht können drei Seiten des zweiten lichtemittierenden Pixelbereichs PXR2' derart angeordnet sein, dass sie den ersten lichtemittierenden Pixelbereich PXR1' berühren.
  • Bezugnehmend auf 6 kann die lichtemittierende Vorrichtung 300 einen lichtemittierenden Pixelbereich PXR und einen Pad-Bereich PDR, der auf mindestens einer Seite des lichtemittierenden Pixelbereichs PXR angeordnet ist, enthalten.
  • Nach einem Ausführungsbeispiel kann der lichtemittierende Pixelbereich PXR einen ersten lichtemittierenden Pixelbereich PXR1", in dem die Sperrwandstrukturen WS angeordnet sind, und einen zweiten lichtemittierenden Pixelbereich PXR2", in dem eine oder mehrere Sperrwandstrukturen WS weggelassen sein können, enthalten.
  • Der erste lichtemittierende Pixelbereich PXR1" und der zweite lichtemittierende Pixelbereich PXR2" können in der lichtemittierenden Vorrichtung 300 angeordnet sein und ein Bereich, der vom ersten lichtemittierenden Pixelbereich PXR1" belegt ist, kann größer sein als jener, der vom zweiten lichtemittierenden Pixelbereich PXR2" belegt ist. Ausführlich kann der erste lichtemittierende Pixelbereich PXR1" drei Leitungen in der lichtemittierenden Vorrichtung 300 enthalten und der zweite lichtemittierende Pixelbereich PXR2" kann eine Leitung in der lichtemittierenden Vorrichtung 300 enthalten. Die Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt und zum Beispiel kann der erste lichtemittierende Pixelbereich PXR1" mehr als vier Leitungen enthalten und der zweite lichtemittierende Pixelbereich PXR2" kann mehr als zwei Leitungen enthalten.
  • In einer Draufsicht kann lediglich eine Seite des zweiten lichtemittierenden Pixelbereichs PXR2" derart angeordnet sein, dass sie den ersten lichtemittierenden Pixelbereich PXR1" berührt.
  • Bezugnehmend auf 7 kann die lichtemittierende Vorrichtung 400 eine Mehrzahl an Zellblöcken BLK1 bis BLK7 enthalten und die Anzahl an lichtemittierenden Zellen, die in einem spezifischen Zellblock BLK7 aus der Mehrzahl an Zellblöcken BLK1 bis BLK7 enthalten sind, kann sich von der Anzahl an lichtemittierenden Zellen, die in den anderen Zellblöcken BLK1 bis BLK6 enthalten sind, unterscheiden.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung 400 kann einen spezifischen Zellblock BLK7 enthalten, der in einem mittleren unteren Abschnitt des lichtemittierenden Pixelbereichs PXR angeordnet ist und eine relativ große Anzahl an lichtemittierenden Zellen verglichen mit den anderen Zellblöcken BLK1 bis BLK6 enthält. Wenn zum Beispiel die lichtemittierende Vorrichtung 400 in einem Lichtquellenmodul einer Scheinwerferlampe für Fahrzeuge vorgesehen ist, muss das Lichtquellenmodul relativ schwaches Licht zu einem mittleren unteren Abschnitt eines Vordergrunds eines Benutzers in eine Richtung ausstrahlen, in die sich der Benutzer bewegt. Somit kann das Lichtquellenmodul einen relativ niedrigen Strom an den im mittleren unteren Abschnitt des lichtemittierenden Pixelbereichs PXR angeordneten spezifischen Zellblock BLK7 anlegen. Der im mittleren unteren Abschnitt des Pixelbereichs PXR angeordnete spezifische Zellblock BLK7 enthält eine relativ große Anzahl an lichtemittierenden Zellen, aber ein relativ niedriger Strom wird an den spezifischen Zellblock BLK7 angelegt, und somit kann eine Lichthelligkeit im spezifischen Zellblock BLK7 gesenkt werden.
  • Die Mehrzahl an Zellblöcken BLK1 bis BLK7 kann in insgesamt zwei Zeilen, nämlich einer unteren Zeile und einer oberen Zeile, angeordnet sein und lichtemittierende Zellen, die im spezifischen Zellblock BLK7 auf der unteren Zeile angeordnet sind, können gleichzeitig angetrieben werden. Da zwischen den lichtemittierenden Zellen, die innerhalb des spezifischen Zellblocks BLK7 auf der unteren Zeile angeordnet sind, keine Sperrwandstrukturen WS ausgebildet worden sind, kann eine optische Gleichmäßigkeit im spezifischen Zellblock BLK7 erhöht werden.
  • In einer Draufsicht kann die lichtemittierende Vorrichtung 400 eine nahezu rechtwinklige Form aufweisen. Zum Beispiel kann eine Breite L1 der lichtemittierenden Vorrichtung 400 in die X-Richtung ungefähr 1,1 Mal oder öfter eine Breite L2 der lichtemittierenden Vorrichtung 400 in die Y-Richtung sein oder kann ungefähr 100 Mal oder weniger die Breite L2 der lichtemittierenden Vorrichtung 400 in die Y-Richtung sein. Eine Dicke der lichtemittierenden Vorrichtung 400 (Länge in eine Z-Richtung) kann mehrere zehn µm bis mehrere hundert µm sein und kann ungefähr 1/10 Mal oder weniger die Breite L1 in die X-Richtung sein. Die lichtemittierende Vorrichtung 400 kann eine Dimension aufweisen, in der ein Widerstand gegenüber physikalischer Belastung optimiert ist, und ein Biegen der lichtemittierenden Vorrichtung 400 kann minimiert sein.
  • 8 bis 12, 13A, 13B, 14A, 14B, 15A, 15B, 16 und 17 sind Querschnittsansichten, die ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung darstellen, nach einem Ausführungsbeispiel.
  • Das Verfahren zum Herstellen der lichtemittierenden Vorrichtung wird nun mit Bezug auf Querschnittsansichten entlang Linie III-III' und IV-IV' beschrieben.
  • Bezugnehmend auf 8 kann der lichtemittierende Stapel 120L auf einer Oberfläche des Substrats 110 ausgebildet sein.
  • Das Substrat 110 kann ein Si-Substrat, ein SiC-Substrat, ein Saphir-Substrat oder ein GaN-Substrat enthalten. Das Substrat 110 kann einen Pixelbereich PXR und einen Pad-Bereich PDR enthalten. In einer Draufsicht kann der Pad-Bereich PDR auf mindestens einer Seite des Pixelbereichs PXR angeordnet sein.
  • Der lichtemittierende Stapel 120L kann eine Halbleiterschicht 122 des ersten Leitfähigkeitstyps, eine Aktivschicht 124 und eine Halbleiterschicht 126 eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die auf einer Seite des Substrats 110 sequenziell gestapelt sind, enthalten.
  • Bezugnehmend auf 9 können Gräben GR durch Ausbilden eines Ätzmaskenmusters auf dem lichtemittierenden Stapel 120L und Ätzen eines Abschnitts des lichtemittierenden Stapels 120L ausgebildet werden.
  • Die Gräben GR können eine obere Oberfläche Halbleiterschicht 122 des ersten Leitfähigkeitstyps freilegen. Im Pad-Bereich PDR des Substrats 110 sind womöglich keine Gräben GR ausgebildet. Isolierbereiche IA können ebenfalls durch Ätzen eines Abschnitts des lichtemittierenden Stapels 120L durch Verwenden des Ätzmaskenmusters ausgebildet werden. Eine Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen kann derart ausgebildet sein, dass sie durch die Isolierbereiche IA voneinander beabstandet sind.
  • Nach einigen Ausführungsbeispielen kann ein Prozess zum Herstellen der Isolierbereiche IA unter Verwendung einer Klinge durchgeführt werden, die Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt. Wie in 9 gezeigt, können seitliche Querschnitte der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120, die gemäß dem Prozess zum Ausbilden der Isolierbereiche IA erhalten werden, jeweils eine trapezförmige Form aufweisen, in der ein oberer Abschnitt breiter ist als ein unterer Abschnitt, die Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt. In dem Prozess zum Ausbilden der Isolierbereiche IA kann ein Abschnitt des Substrats 110 außerdem entfernt werden und somit können Vertiefungsbereiche RS im Substrat 110 ausgebildet werden.
  • Bezugnehmend auf 10 kann eine Isolierauskleidung 132 ausgebildet sein, welche die Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 konform bedeckt.
  • Die obere Oberfläche der Halbleiterschicht 122 des ersten Leitfähigkeitstyps kann durch Entfernen eines Abschnitts der Isolierauskleidung 132 von den Gräben GR freigelegt werden und der erste Kontakt 134A kann auf jedem der freigelegten Abschnitte der oberen Oberfläche der Halbleiterschicht 122 des ersten Leitfähigkeitstyps ausgebildet werden. Nach einigen Ausführungsbeispielen kann eine ohmsche Metallschicht ferner aus einem leitfähigen ohmschen Material auf der oberen Oberfläche Halbleiterschicht 122 des ersten Leitfähigkeitstyps ausgebildet werden, bevor die ersten Kontakte 134A ausgebildet werden.
  • Die obere Oberfläche der Halbleiterschicht 126 des zweiten Leitfähigkeitstyps kann durch Entfernen eines Abschnitts der Isolierauskleidung 132 freigelegt werden und der zweite Kontakt 134B kann auf jedem der freigelegten Abschnitte der oberen Oberfläche der Halbleiterschicht 126 des zweiten Leitfähigkeitstyps ausgebildet werden. Nach einigen Ausführungsbeispielen kann eine ohmsche Metallschicht ferner aus einem leitfähigen ohmschen Material auf der oberen Oberfläche der Halbleiterschicht 126 des zweiten Leitfähigkeitstyps ausgebildet werden, bevor die zweiten Kontakte 134B ausgebildet werden.
  • Die unteren Reflexionsschichten 136 können jeweils auf der Isolierauskleidung 132 entlang den Innenwänden der Isolierbereiche IA ausgebildet sein. Alternativ können die unteren Reflexionsschichten 136 gleichzeitig mit dem Ausbilden der ersten Kontakte 134A ausgebildet werden oder können gleichzeitig mit dem Ausbilden der zweiten Kontakte 134B ausgebildet werden.
  • Bezugnehmend auf 11 kann die Verdrahtungsstruktur 140 auf der Isolierauskleidung 132, den ersten Kontakten 134A, den zweiten Kontakten 134B und den unteren Reflexionsschichten 136 ausgebildet sein.
  • Ein Prozess zum Ausbilden einer leitfähigen Schicht auf der Isolierauskleidung 132, den ersten Kontakten 134A, den zweiten Kontakten 134B und den unteren Reflexionsschichten 136, Mustern der leitfähigen Schicht zum Ausbilden der Verdrahtungsschichten 144 und Ausbilden der Isolierschichten 142, welche die Verdrahtungsschichten 144 bedecken, wird wiederholt. Dementsprechend kann die Verdrahtungsstruktur 140, die eine Mehrzahl an Verdrahtungsschichten 144 und eine Mehrzahl an Isolierschichten 142 enthält, ausgebildet werden. Nach einigen Ausführungsbeispielen kann mindestens ein Teil der Mehrzahl an Verdrahtungsschichten 144 durch Plattieren ausgebildet werden.
  • Bezugnehmend auf 12 kann die Klebstoffschicht 172 auf der Verdrahtungsstruktur 140 ausgebildet sein und das Trägersubstrat 170 kann auf der Klebstoffschicht 172 befestigt sein.
  • Die am Trägersubstrat 170 befestigten lichtemittierenden Strukturen 120 können derart auf den Kopf gestellt (d.h. invertiert) werden, dass eine weitere Oberfläche, die einer Oberfläche des Substarts 110, welche die lichtemittierenden Strukturen 120 berührt, gegenüberliegt, einer Oberseite zugewandt ist. Als nächstes kann eine gewisse Dicke des Substrats 110 von der anderen Oberfläche durch Schleifen oder vollständiges Ätzen entfernt werden.
  • Bezugnehmend auf 13A und 13B kann durch Ausbilden eines Ätzmaskenmusters auf dem Substrat 110 und Ätzen eines Abschnitts des Substrats 110 eine Mehrzahl an Pixelräumen PXS im ersten lichtemittierenden Pixelbereich PXR1 des Substrats 110 ausgebildet werden und ein einzelner Pixelraum PXS kann im zweiten lichtemittierenden Pixelbereich PXR2 des Substrats 110 ausgebildet werden.
  • Ein Abschnitt des Substrats 110 zwischen der Mehrzahl an Pixelräumen PXS im ersten lichtemittierenden Pixelbereich PXR1 kann als Sperrwandstrukturen WS bezeichnet werden. Die Sperrwandstrukturen WS können derart angeordnet sein, dass sie die Isolierbereiche IA vertikal überlappen und die Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 kann jeweils innerhalb der Mehrzahl an Pixelräumen PXS angeordnet sein. Die obere Oberfläche der Halbleiterschicht 122 des ersten Leitfähigkeitstyps, nämlich die oberen Oberflächen der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120, kann unterhalb der Mehrzahl an Pixelräumen PXS freigelegt sein.
  • Im Gegensatz dazu kann das Substrat 110, das innerhalb des einzelnen Pixelraums PXS im zweiten lichtemittierenden Pixelbereich PXR2 angeordnet ist, bis auf einen äußeren Abschnitt des Substrats 110 vollständig entfernt werden. Eine Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 kann innerhalb des ersten Pixelraums PXS derart angeordnet sein, dass die oberen Oberflächen der Isolierbereiche IA freigelegt sind. Die obere Oberfläche der Halbleiterschicht 122 des ersten Leitfähigkeitstyps, nämlich die oberen Oberflächen der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120, kann unterhalb des einzelnen Pixelraums PXS freigelegt sein.
  • Im ersten lichtemittierenden Pixelbereich PXR1 und im zweiten lichtemittierenden Pixelbereich PXR2 können die unebenen Abschnitte 120P durch Durchführen eines Ätzprozesses an der Halbleiterschicht 122 des ersten Leitfähigkeitstyps, die unterhalb des Pixelraums PXS freigelegt ist, ausgebildet werden. Alternativ kann der Ätzprozess zum Ausbilden der unebenen Abschnitte 120P weggelassen sein.
  • Bezugnehmend auf 14A und 14B kann die Passivierungsstruktur 150 auf den Sperrwandstrukturen WS und dem Substrat 110 ausgebildet sein.
  • Die Passivierungsstruktur 150 kann auf den oberen Oberflächen WST und den Seitenwänden WSS der Sperrwandstrukturen WS und außerdem auf den oberen Oberflächen der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 ausgebildet sein. Die Passivierungsstruktur 150 kann die erste Passivierungsschicht 152 und die zweite Passivierungsschicht 154 enthalten.
  • Nach einigen Ausführungsbeispielen können sowohl die erste Passivierungsschicht 152 als auch die zweite Passivierungsschicht 154 aus einem ersten isolierenden Material ausgebildet sein, das mindestens eines ist von Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxynitrid und Aluminiumnitrid. Sowohl die erste Passivierungsschicht 152 als auch die zweite Passivierungsschicht 154 können durch ALD, chemische Gasphasenabscheidung oder dergleichen ausgebildet werden.
  • Bezugnehmend auf 15A und 15B können die fluoreszierenden Schichten 160 ausgebildet sein, die in der Mehrzahl an Pixelräumen PXS vorgesehen sind (d.h. jene füllen).
  • Im ersten lichtemittierenden Pixelbereich PXR1 können die ersten fluoreszierenden Schichten 161 innerhalb der Mehrzahl an Pixelräumen PXS durch Verwenden eines Verteilungsverfahrens zum Beschichten eines Harzes mit darin dispergierten Leuchtstoffpartikeln ausgebildet werden. Zum Beispiel kann die Mehrzahl an Pixelräumen PXS mit dem Harz mit den darin dispergierten Leuchtstoffpartikeln durch Verwenden einer Mikroverteilungsvorrichtung (MD) gefüllt werden.
  • Im ersten lichtemittierenden Pixelbereich PXR1 kann die Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 durch die Sperrwandstrukturen WS voneinander getrennt sein und Räume, welche durch die Sperrwandstrukturen WS definiert werden, können mit den ersten fluoreszierenden Schichten 161 gefüllt werden. Im ersten lichtemittierenden Pixelbereich PXR1 weisen die ersten fluoreszierenden Schichten 161 obere Oberflächen 161S auf, die konvex sind, und die ersten fluoreszierenden Schichten 161 mit dieser Form können unter Verwendung eines Verteilungsverfahrens erhalten werden.
  • Im zweiten lichtemittierenden Pixelbereich PXR2 kann die zweite fluoreszierende Schicht 162 innerhalb des einzelnen Pixelraums PXS durch Verwenden eines Prozesses zum Befestigen eines PIG, das eine Leuchtstoffschicht ist, in der Leuchtstoffpartikel bei einer gewissen Konzentration gleichmäßig dispergiert werden, ausgebildet werden. Nach einigen Ausführungsbeispielen kann die zweite fluoreszierende Schicht 162 unter Verwendung eines Einzelkristallleuchtstoffs, der als ein Einzelkristall gewachsen ist, eines Keramikleuchtstoffs, der durch Kompressionssintern eines Leuchtstoffs selbst erhalten wird, oder eines Harzes, das einen Leuchtstoff beinhaltet, ausgebildet werden.
  • Im zweiten lichtemittierenden Pixelbereich PXR2 kann die Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 durch einen Abschnitt des Substrats 110 in eine lichtemittierende Struktur integriert werden und ein Raum, der durch den Abschnitt des Substrats 110 definiert wird, kann mit der zweiten fluoreszierenden Schicht 162 gefüllt werden. Im zweiten fluoreszierenden Pixelbereich PXR2 weist die zweite fluoreszierende Schicht 162 eine obere Oberfläche 162S auf, die flach ist, und die zweite fluoreszierende Schicht 162 mit dieser Form kann erhalten werden, indem sie als ein PIG ausgebildet wird. Nach einigen Ausführungsbeispielen kann die zweite fluoreszierende Schicht 162 einen Einzelkristallleuchtstoff, einen Keramikleuchtstoff oder ein Harz, das einen Leuchtstoff beinhaltet, enthalten.
  • Bezugnehmend auf 16 kann ein Maskenmuster M1, das die fluoreszierenden Schichten 160 und die Mehrzahl an inneren Sperrwänden WSI bedeckt, im Pixelbereich PXR ausgebildet sein und die äußere Sperrwand WSO kann durch Entfernen eines äußersten Abschnitts des Substrats 110 durch Verwenden des Maskenmusters M1 als eine Ätzmaske ausgebildet werden.
  • Die Verdrahtungsstruktur 140 kann durch Entfernen eines Abschnitts des lichtemittierenden Stapels 120L, der außerhalb der äußeren Sperrwand WSO freigelegt ist, freigelegt werden. Die Pad-Abschnitte PAD können durch Ausbilden von Gräben in der Verdrahtungsstruktur 140 und Füllen der Gräben mit einem leitfähigen Material ausgebildet werden.
  • Bezugnehmend auf 17 kann das Maskenmuster M1 aus 16 durch Veraschung und Ablösen entfernt werden.
  • Eine Kantenschutzschicht 180 kann unter Verwendung eines isolierenden Materials auf der äußeren Seitenwand der äußeren Sperrwand WSO ausgebildet werden. Die Kantenschutzschicht 180 kann die Gesamtheit oder einen Abschnitt der oberen Oberflächen der Pad-Bereiche PAD bedecken.
  • Somit kann gemäß dem oben beschriebenen Prozess die lichtemittierende Vorrichtung 100 nach einem Ausführungsbeispiel fertiggestellt werden.
  • 18 ist eine Querschnittsansicht eines Lichtquellenmoduls 1000, das die lichtemittierende Vorrichtung 100 nach einem Ausführungsbeispiel enthält.
  • Bezugnehmend auf 18 kann das Lichtquellenmodul 1000 die lichtemittierende Vorrichtung 100 und den Antriebshalbleiterchip 1200, die auf einer Leiterplatte (PCB) 1100 angebracht sind, enthalten.
  • Die PCB 1100 kann eine interne leitfähige Musterschicht enthalten und kann Substrat-Pads 1110 enthalten, die mit der internen leitfähigen Musterschicht elektrisch verbunden sind. Die lichtemittierende Vorrichtung 100 kann auf der PCB 1100 angebracht sein und die Pad-Abschnitte PAD der lichtemittierenden Vorrichtung 100 können durch Bonddrähte 1120 mit den Substrat-Pads 1110 der PCB 1100 verbunden sind. Ein oder mehrere Antriebshalbleiterchips 1200 können konfiguriert sein, die Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen 120 der lichtemittierenden Vorrichtung 100 individuell oder gemeinsam anzutreiben.
  • Ein Formmaterial 1130, das einen Kantenbereich der lichtemittierenden Vorrichtung 100 umgibt, kann ferner auf der PCB 1100 angeordnet sein. Das Formmaterial 1130 kann derart angeordnet sein, dass es einen äußersten Abschnitt der Sperrwandstruktur WS der lichtemittierenden Vorrichtung 100 umgibt und die Pad-Abschnitte PAD und die Bonddrähte 1120 bedeckt.
  • Eine Wärmesenke 1150 kann auf einer unteren Oberfläche der PCB 1100 befestigt sein und eine Wärmeleit(TIM)-Schicht 1160 kann ferner zwischen der Wärmesenke 1150 und der PCB 1100 angeordnet sein.
  • Die lichtemittierenden Vorrichtungen 100, 200, 300 und 400 können separat oder in Kombinationen im Lichtquellenmodul 1000 angebracht sein.
  • 19 ist eine Perspektivansicht eines Fahrzeugs 2000 nach einem Ausführungsbeispiel.
  • Ein Automobil ist als das Fahrzeug 2000 in 19 dargestellt, die Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt. Das Fahrzeug 2000 kann Landverkehrsmittel (wie zweirädrige Fahrzeuge, Dreiräder, Personenkraftwagen, Raupenfahrzeuge, Züge und Trams), Seetransportmittel (wie Schiffe, Boote und U-Boote) und Lufttransportmittel (wie Flugzeuge und Hubschrauber) enthalten, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Bezugnehmend auf 19 kann ein Scheinwerferlampenmodul 2020 in einer Scheinwerferlampeneinheit 2010 des Fahrzeugs 2000 vorgesehen sein, ein Seitenspiegellampenmodul 2040 kann in einer externen Seitenspiegeleinheit 2030 vorgesehen sein und ein Rücklichtmodul 2060 kann in einer Rücklichteinheit 2050 vorgesehen sein.
  • Das Scheinwerferlampenmodul 2020 kann ein Lichtquellenmodul sein, das die lichtemittierenden Vorrichtungen 100, 200, 300 und 400 separat oder in Kombinationen enthält.
  • Eine Leistungsvorrichtung 2003, die in das Fahrzeug 2000 eingebaut ist, kann eine Leistung für jedes von dem Scheinwerferlampenmodul 2020, dem Seitenspiegellampenmodul 2040 und dem Rücklichtmodul 2060 bereitstellen. Ein Controller 2001, der in das Fahrzeug 2000 eingebaut ist, kann konfiguriert sein, Gesamtoperationen des Scheinwerferlampenmoduls 2020, des Seitenspiegellampenmoduls 2040 und des Rücklichtmoduls 2060, die eine An-Aus-Operation enthalten, zu steuern.
  • Der Controller 2001 kann der Antriebshalbleiterchip 1200 aus 18 sein oder kann mit dem Antriebshalbleiterchip 1200 aus 18 elektrisch verbunden sein und kann konfiguriert sein, den Antriebshalbleiterchip 1200 aus 18 zu steuern.
  • Das Fahrzeug 2000 kann ferner eine Sichterkennungsvorrichtung 2005 enthalten. Die Sichterkennungsvorrichtung 2005 kann konfiguriert sein, ein Objekt vor dem Fahrzeug 2000 und dessen Bewegung zu erfassen. Die Sichterkennungsvorrichtung 2005 kann eine Kamera, die zum Empfangen einer Frontalansicht und zum Umwandeln der Frontalansicht in digitale Daten imstande ist, einen Prozessor zum Identifizieren einer Position, an die vom Scheinwerferlampenmodul 2020 emittiertes Licht ausgestrahlt werden soll, von einer Position, die nicht bestrahlt werden soll, durch Verwenden der umgewandelten digitalen Daten, und eine Ausgabevorrichtung, die zum Senden eines Ergebnisses der Verarbeitung durch den Prozessor an den Controller 2001 imstande ist, enthalten.
  • 20 ist ein schematisches Diagramm, das eine Landschaft zeigt, die von der Sichterkennungsvorrichtung 2005 des Fahrzeugs 2000 aus 19 erkannt wird.
  • Im Detail stellt die obere Zeichnung eine erkannte reale Landschaft dar und die untere Zeichnung stellt ein Ergebnis einer Extraktion eines Haupterkennungsobjekts aus der erkannten realen Landschaft dar.
  • Bezugnehmend auf 19 und 20 befindet sich das Fahrzeug 2000 auf der Straße und die Sichterkennungsvorrichtung 2005 des Fahrzeugs 2000 erkennt einen vertikalen Richtungsbereich von ungefähr -4° bis ungefähr +4° durch Verwenden eines Horizonts H als einen Bezugspunkt in der vertikalen Richtung.
  • Die Sichterkennungsvorrichtung 2005 erkennt außerdem einen horizontalen Richtungsbereich von ungefähr -14° bis ungefähr +14° durch Verwenden einer Frontrichtung V als einen Bezugspunkt. Natürlich sind die Ausführungsbeispiele darauf beschränkt und ein Fachmann wird verstehen, dass der Erkennungsbereich in der vertikalen Richtung und/oder der horizontalen Richtung nach Bedarf erhöht oder verringert werden kann. Die Sichterkennungsvorrichtung 2005 kann konfiguriert sein, ein stationäres Objekt, ein bewegliches Objekt und dergleichen innerhalb eines Sichtwinkelbereichs individuell zu identifizieren.
  • 21 ist ein konzeptuelles Diagramm, das einen Bereich eines von einem Scheinwerferlampenmodul in der erkannten Landschaft aus 20 emittierten Lichts darstellt.
  • Bezugnehmend auf 19 und 21 kann das vom Scheinwerferlampenmodul 2020 emittierte Licht einen Bereich von ungefähr -1° bis ungefähr +4° in der vertikalen Richtung beleuchten und kann einen Bereich von ungefähr -14° bis ungefähr +14° in der horizontalen Richtung beleuchten.
  • Das Scheinwerferlampenmodul 2020 kann Licht in einen Bereich ausstrahlen, der einer Fernlichtzone 2011 und einer Abblendlichtzone 2012 entspricht, die sequenziell von oben nach unten angeordnet sind.
  • Sowohl die Fernlichtzone 2011 als auch die Abblendlichtzone 2012 können derart gesteuert werden, dass sie nach Bedarf an oder aus sind. Die An-Aus-Steuerung der Fernlichtzone 2011 und der Abblendlichtzone 2012 kann vom Controller 2001 durchgeführt werden.
  • Wenn sich zum Beispiel ein anderes Fahrzeug von der vorderen Straße nähert, kann das von der Fernlichtzone 2011 emittierte Licht einen Betrieb des anderen Fahrzeugs stören, da das Licht konfiguriert ist, eine Position weit weg von einer relativ hohen Position aus zu beleuchten. Dementsprechend kann ein Abschnitt des Bereichs in Übereinstimmung mit der Position des anderen Fahrzeugs, das sich von vorne nähert, derart gesteuert werden, dass er aus ist, damit der Betrieb des anderen Fahrzeugs nicht gestört wird.
  • Im Detail hält der Controller 2001 die Fernlichtzone 2011 in einer dunklen Umgebung in einem An-Zustand. Wenn sich ein anderes Fahrzeug von einer Position ① nähert, während das Fahrzeug 2000 fährt, kann der Controller 2011 die Fernlichtzone 2011 ausschalten und die Abblendlichtzone 2012 einschalten.
  • Somit wird die Erkennung der Position eines anderen Fahrzeugs, das sich von der entgegenkommenden Straßenseite nähert, erkannt und eine An-Aus-Steuerung der Fernlichtzone 2011 und/oder der Abblendlichtzone 2012 gemäß der erkannten Position kann das Fahren des anderen sich nähernden Fahrzeugs erleichtern, wodurch die Fahrsicherheit verbessert wird.
  • Obwohl in 21 ein Fall beschrieben worden ist, in dem es ein anderes sich näherndes Fahrzeug gibt, sind die Ausführungsbeispiele nicht darauf beschränkt und der Controller 2001 kann auf ähnliche Weise operieren, selbst wenn es zwei oder mehr andere Fahrzeuge gibt, die sich nähern.
  • 22 ist ein konzeptuelles Diagramm, das ein fotometrisches Raster zeigt, das durch Artikel 112 der Economic-Commission-For-Europe(ECE)-Regel festgelegt wird.
  • Bezugnehmend auf 22, wenn ein Scheinwerferlampenmodul betrieben wird, werden für jede Zone 25m voraus und für jeden spezifischen Punkt gewisse zu erfüllende Werte beschrieben.
  • Insbesondere im Fall von Zone III werden einige Hell-Dunkel-Bereiche in einer diagonalen Richtung definiert und diese Bereiche werden als Hell-Dunkel-Grenzen CL bezeichnet.
  • Im Allgemeinen, um die Hell-Dunkle-Grenzen CL umzusetzen, sind Bemühungen zum Reduzieren der Größe einer lichtemittierenden Vorrichtung oder zum präzisen Steuern einer Mehrzahl an lichtemittierenden Vorrichtungen unternommen worden. Wenn sich jedoch die zu steuernde Anzahl an lichtemittierenden Elementen schrittweise erhöht, erhöht sich die Anzahl an Antriebselementen und ein Leistungsverbrauch erhöht sich.
  • Im Scheinwerferlampenmodul 2020 für Fahrzeuge aus 19 nach einem Ausführungsbeispiel können Hell-Dunkel-Grenzen CL durch eine Fernlichtzone und eine Abblendlichtzone des Scheinwerferlampenmoduls 2020 aus 19 direkt umgesetzt werden. Infolgedessen ist das Integrieren einer Mehrzahl an lichtemittierenden Modulen im Scheinwerferlampenmodul 2020 aus 19 nicht notwendig und ein Leistungsverbrauch kann mit einem einzelnen lichtemittierenden Modul reduziert werden.
  • Hier, obwohl lediglich mit Artikel 112 der ECE-Regel (R112) assoziierte Themen oben beschrieben worden sind, kann ein Fachmann dasselbe Verfahren auf fotometrische Raster gemäß ECE R98, ECE R113, ECE R123 und dem Federal-Motor-Vehicle-Safety-Standard (FMVSS) der Vereinigten Staaten von Amerika anwenden.
  • 23 ist eine Perspektivansicht einer Beleuchtungsvorrichtung, die eine lichtemittierende Vorrichtung enthält, nach einem Ausführungsbeispiel.
  • Bezugnehmend auf 23 kann eine Flachbildbeleuchtungsvorrichtung 2100 eine Lichtquelle 2110, eine Leistungsversorgungsvorrichtung 2120 und ein Gehäuse 2130 enthalten.
  • Das Lichtquellenmodul 2110 kann ein lichtemittierendes Vorrichtungsarray als eine Lichtquelle enthalten oder kann mindestens eine der oben beschriebenen lichtemittierenden Vorrichtungen 100, 200, 300 und 400 als eine Lichtquelle enthalten. Das Lichtquellenmodul 2110 kann insgesamt eine flache Form aufweisen.
  • Die Leistungsversorgungsvorrichtung 2120 kann konfiguriert sein, das Lichtquellenmodul 2110 mit Leistung zu versorgen. Das Gehäuse 2130 kann einen Aufnahmeraum ausbilden, in dem das Lichtquellenmodul 2110 und die Leistungsversorgungsvorrichtung 2120 aufgenommen sind, und kann eine hexaedrische Form mit einer offenen Seite aufweisen. Die Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt. Das Lichtquellenmodul 2110 kann derart angeordnet sein, dass es Licht in Richtung der offenen Seite des Gehäuses 2130 emittiert.
  • 24 ist eine perspektivische Explosionsdarstellung einer Beleuchtungsvorrichtung, die eine lichtemittierende Vorrichtung enthält, nach einem Ausführungsbeispiel.
  • Bezugnehmend auf 24 kann eine Beleuchtungsvorrichtung 2200 einen Sockel 2210, eine Leistungsversorgung 2220, einen Kühlkörper 2230, ein Lichtquellenmodul 2240 und eine optische Einheit 2250 enthalten.
  • Der Sockel 2210 kann konfiguriert sein, eine bestehende Beleuchtungsvorrichtung zu ersetzen. Eine der Beleuchtungsvorrichtung 2200 zugeführte Leistung kann mittels des Sockels 2210 angelegt werden. Die Leistungsversorgung 2220 kann eine erste Leistungsversorgung 2221 und eine zweite Leistungsversorgung 2222 enthalten. Der Kühlkörper 2230 kann einen internen Kühlkörper 2231 und einen externen Kühlkörper 2232 enthalten. Die interne Kühlkörpereinheit 2231 kann mit dem Lichtquellenmodul 2240 und/oder der Leistungsversorgung 2220 direkt verbunden sein und kann ermöglichen, dass Wärme an die externe Kühlkörpereinheit 2232 übertragen wird.
  • Das Lichtquellenmodul 2240 kann eine Leistung von der Leistungsversorgung 2220 empfangen und das Licht in Richtung der optischen Einheit 2250 emittieren. Das Lichtquellenmodul 2240 kann ein lichtemittierendes Vorrichtungs-Package 2241, eine Leiterplatte 2242 und einen Controller 2243 enthalten, wobei der Controller 2243 Informationen zum Antreiben des lichtemittierenden Vorrichtungs-Packages 2241 speichern kann. Das lichtemittierende Vorrichtungs-Package 2241 kann mindestens eine der oben beschriebenen lichtemittierenden Vorrichtungen 100, 200, 300 und 400 als eine Lichtquelle enthalten.
  • Die optische Einheit 2250 kann eine innere optische Einheit und eine äußere optische Einheit enthalten und kann konfiguriert sein, vom Lichtquellenmodul 2240 emittiertes Licht gleichmäßig zu dispergieren.
  • Obwohl Ausführungsbeispiele besonders gezeigt und beschrieben worden sind, versteht es sich, dass verschiedene Änderungen in Form und Details darin vorgenommen werden können, ohne dabei von der Idee und dem Umfang der nachfolgenden Ansprüche abzuweichen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 1020200186780 [0001]

Claims (20)

  1. Lichtemittierende Vorrichtung, aufweisend: eine Mehrzahl an ersten lichtemittierenden Strukturen, die in einem ersten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehen sind; eine Mehrzahl an zweiten lichtemittierenden Strukturen, die in einem zweiten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehen sind, der benachbart zu dem ersten lichtemittierenden Pixelbereich ist, eine Sperrwandstruktur, die eine Mehrzahl an Bereichen im ersten lichtemittierenden Pixelbereich und einen einzelnen Bereich im zweiten lichtemittierenden Pixelbereich definiert; eine erste fluoreszierende Schicht, die in der Mehrzahl an Bereichen vorgesehen ist; und eine zweite fluoreszierende Schicht, die in dem einzelnen Bereich vorgesehen ist, wobei sich eine Form der ersten fluoreszierenden Schicht von einer Form der zweiten fluoreszierenden Schicht unterscheidet.
  2. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Sperrwandstruktur zwischen der Mehrzahl an ersten lichtemittierenden Strukturen vorgesehen ist, und wobei die erste fluoreszierende Schicht in Räumen, welche durch die Sperrwandstruktur definiert sind, im ersten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehen ist.
  3. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei ein oberer Abschnitt der ersten fluoreszierenden Schicht eine konvexe Form aufweist.
  4. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei die erste fluoreszierende Schicht unter Verwendung eines Verteilungsverfahrens ausgebildet wird.
  5. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Sperrwandstruktur einen kontinuierlichen Raum definiert, der die Mehrzahl an zweiten lichtemittierenden Strukturen aufweist, und wobei die zweite fluoreszierende Schicht in dem kontinuierlichen Raum vorgesehen ist.
  6. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 5, wobei ein oberer Abschnitt der zweiten fluoreszierenden Schicht eine flache Form aufweist.
  7. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei die zweite fluoreszierende Schicht ein Phosphor-in-Glass (PIG), einen monokristallinen Leuchtstoff, einen keramischen Leuchtstoff oder ein Harz, das einen Leuchtstoff enthält, aufweist.
  8. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der erste lichtemittierende Pixelbereich und der zweite lichtemittierende Pixelbereich in einem Modul vorgesehen sind, und wobei ein erster Bereich des ersten lichtemittierenden Pixelbereichs größer ist als ein zweiter Bereich des zweiten lichtemittierenden Pixelbereichs.
  9. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei die Mehrzahl an ersten lichtemittierenden Strukturen in einer Mehrzahl an Zeilen vorgesehen ist, und wobei die Mehrzahl an zweiten lichtemittierenden Strukturen in einer einzelnen Zeile vorgesehen ist.
  10. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine erste Mehrzahl an Pixeln im ersten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehen ist, wobei eine zweite Mehrzahl an Pixeln im zweiten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehen ist, wobei die erste fluoreszierende Schicht in jedem von der ersten Mehrzahl an Pixeln einzeln vorgesehen ist, und wobei die zweite fluoreszierende Schicht über jedem von der zweiten Mehrzahl an Pixeln kontinuierlich vorgesehen ist.
  11. Lichtemittierende Vorrichtung, aufweisend: eine Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen, die in einem lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehen sind; eine Sperrwandstruktur, die zu der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen im lichtemittierenden Pixelbereich vertikal versetzt ist, wobei die Sperrwandstruktur eine Mehrzahl an Sperrwänden aufweist, die eine Mehrzahl an Pixelräumen definieren; eine fluoreszierende Schicht, die in der Mehrzahl an Pixelräumen vorgesehen ist; und einen Pad-Abschnitt, der in einem Pad-Bereich auf einer ersten Seite der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen vorgesehen ist, wobei der lichtemittierende Pixelbereich einen ersten lichtemittierenden Pixelbereich und einen zweiten lichtemittierenden Pixelbereich aufweist, wobei die fluoreszierende Schicht aufweist: eine Mehrzahl an ersten fluoreszierenden Schichten, die jeweils auf der im ersten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehenen Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen angeordnet sind, und eine kontinuierliche fluoreszierende Schicht, die auf der Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen im zweiten lichtemittierenden Pixelbereich kontinuierlich vorgesehen ist.
  12. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei ein oberer Abschnitt von jeder der Mehrzahl an ersten fluoreszierenden Schichten eine konvexe Form aufweist, und wobei ein oberer Abschnitt der kontinuierlichen fluoreszierenden Schicht eine flache Form aufweist.
  13. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei alle der im ersten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehenen Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen durch die Sperrwandstruktur voneinander getrennt sind, und wobei die im zweiten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehene Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen in einem der Mehrzahl an Pixelräumen vorgesehen ist.
  14. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei die im ersten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehene Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen in einer Mehrzahl an Zeilen angeordnet ist und einen ersten Bereich belegt, und wobei die im zweiten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehene Mehrzahl an lichtemittierenden Strukturen in einer einzelnen Zeilenlinie angeordnet ist und einen zweiten Bereich belegt, der kleiner ist als der erste Bereich.
  15. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei der lichtemittierende Pixelbereich eine Hell-Dunkel-Grenze eines fotometrischen Rasters gemäß der Wirtschaftskommission für Europa (ECE) R98, ECE R113, ECE R123 oder gemäß dem Federal Motor Vehicle Safety Standard (FMVSS) aufweist, und wobei die Hell-Dunkel-Grenze einer Grenze zwischen dem ersten lichtemittierenden Pixelbereich und dem zweiten lichtemittierenden Pixelbereich entspricht.
  16. Scheinwerferlampe für Fahrzeuge, aufweisend: eine Mehrzahl an ersten lichtemittierenden Strukturen, die in einem ersten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehen sind; eine Mehrzahl an zweiten lichtemittierenden Strukturen, die in einem zweiten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehen sind, der benachbart zum ersten lichtemittierenden Pixelbereich ist; eine Sperrwandstruktur, die eine Mehrzahl an Bereichen im ersten lichtemittierenden Pixelbereich und einen einzelnen Bereich im zweiten lichtemittierenden Pixelbereich definiert; erste fluoreszierende Schichten, die im ersten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehen sind; und eine zweite fluoreszierende Schicht, die im zweiten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehen ist, wobei sich eine Form der ersten fluoreszierenden Schichten von einer Form der zweiten fluoreszierenden Schicht unterscheidet.
  17. Scheinwerferlampe für Fahrzeuge nach Anspruch 16, wobei der erste lichtemittierende Pixelbereich und der zweite lichtemittierende Pixelbereich in einem Modul vorgesehen sind, und wobei ein erster Bereich des ersten lichtemittierenden Pixelbereichs größer ist als ein zweiter Bereich des zweiten lichtemittierenden Pixelbereichs.
  18. Scheinwerferlampe für Fahrzeuge nach Anspruch 17, wobei die Mehrzahl an ersten lichtemittierenden Strukturen durch die Sperrwandstruktur voneinander getrennt sind, und wobei die ersten fluoreszierenden Schichten in Räumen, welche durch die Sperrwandstruktur definiert sind, im ersten lichtemittierenden Pixelbereich vorgesehen sind.
  19. Scheinwerferlampe für Fahrzeuge nach Anspruch 16, wobei die Sperrwandstruktur einen kontinuierlichen Raum definiert, der die Mehrzahl an zweiten lichtemittierenden Strukturen aufweist, und wobei die zweite fluoreszierende Schicht ein Phosphor-in-Glass (PIG), einen monokristallinen Leuchtstoff, einen keramischen Leuchtstoff oder ein Harz, das einen Leuchtstoff enthält, aufweist.
  20. Scheinwerferlampe für Fahrzeuge nach Anspruch 16, ferner aufweisend eine Leiterplatte (PCB), wobei die Mehrzahl an ersten lichtemittierenden Strukturen und die Mehrzahl an zweiten lichtemittierenden Strukturen auf der PCB angebracht sind.
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