DE102019218346A1 - Ultraschallwandler und verfahren zur herstellung eines ultraschallwandlers - Google Patents
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Abstract
Ein Ultraschallwandler, der eine Verzögerungsleitung, ein aktives piezoelektrisches Element und eine leitende Metallschicht zwischen der Verzögerungsleitung und dem aktiven piezoelektrischen Element enthält. Die Verzögerungsleitung und das aktive piezoelektrische Element sind miteinander verbunden, so dass Ultraschallwellen vom aktiven piezoelektrischen Element in die Verzögerungsleitung oder von der Verzögerungsleitung in das aktive piezoelektrische Element eingekoppelt werden können. In dem aktiven piezoelektrischen Element wird durch einen Fräsvorgang ein Durchgang gebildet, um die Kante der dazwischenliegenden leitenden Metallschicht zwischen der Verzögerungsleitung und dem aktiven piezoelektrischen Element freizulegen. Eine leitende Schicht stellt einen elektrischen Kontakt zwischen der dazwischenliegenden leitenden Metallschicht und der Oberfläche des aktiven piezoelektrischen Elements her, um eine elektrische Verbindung von der Oberfläche des aktiven piezoelektrischen Elements zu der dazwischenliegenden leitenden Metallschicht zu ermöglichen.
Description
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- Die Erfindung bezieht sich auf den Bereich der Wandler für Ultraschallgeräte. Die Erfindung bezieht sich insbesondere auf die Bildung von Ultraschallwandlern im Fräsverfahren.
- Die Ultraschallprüfung von Materialien erfordert einen Ultraschallwandler, der eine Ultraschall-Reizwelle in ein Prüfmaterial einleitet und transmittierte oder reflektierte Ultraschallwellen erfasst und analysiert. Die Ultraschall-Reizwellen können entweder Druck- oder Scherwellen sein. In einigen Anwendungen können zwei Ultraschallwandler verwendet werden, bei der ein Wandler die Reizwelle einleitet und ein zweiter Wandler reflektierte oder übertragene Wellen erfasst. Alternativ kann ein einzelner Wandler verwendet werden, um sowohl die Stimuluswelle einzuführen als auch reflektierte Wellen zu erfassen. Es ist auch üblich, für solche Wandler eine akustische Verzögerungsleitung zu verwenden, um eine vorgegebene Zeitverzögerung zwischen der Reizwelle und der reflektierten Welle oder den Wellen einzuführen.
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1 ist ein Querschnitt eines repräsentativen Verzögerungsstreckenwandlers. Die Verzögerungsleitung10 ist akustisch mit einem Ultraschall-Stimulationswellengenerator, wie beispielsweise einem piezoelektrischen Element12 , gekoppelt. Leitfähige Elektroden16 und18 stellen ein Mittel zum Anlegen einer Reizspannung zum Anregen des piezoelektrischen Materials dar. Der elektrische Kontakt zu diesen Elektroden erfolgt über einen elektrischen Leiter, wie beispielsweise einen Draht20 , und ein Mittel zum Herstellen eines elektrischen Kontakts von der leitenden Elektrode16 zu einem elektrisch leitenden Gehäuse24 . Ein solches Mittel kann beispielsweise ein Ring aus elektrisch leitfähigem Epoxidharz22 sein. Der externe elektrische Anschluss erfolgt über einen geeigneten Stecker26 , der am Gehäuse24 montiert ist, an einen geeigneten Reizwellen-Signalgenerator und einer reflektierten oder übertragenen Ultraschallwellen-Detektionselektronik. Eine Trägerschicht28 wird verwendet, um sowohl die Dämpfung des schwingenden piezoelektrischen Materials als auch die rückwärts gerichtete Welle zu streuen und zu absorbieren. Eine solche, entsprechend gewählte Dämpfungsschicht kann zu einem Wandler mit kurzem zeitlichen Verhalten und hoher Bandbreite führen, was zu einem hochauflösenden Gerät führt. Solche Wandler sind besonders geeignet für die zerstörungsfreie Prüfung und die Schichtdickenmessung. Die Verzögerungsleitung10 wird typischerweise aus einer ausreichenden Dicke eines festen Materials (basierend auf seiner Schallgeschwindigkeit), wie beispielsweise verschiedener Kunststoffe oder Gläser, hergestellt. Die Kopplung der akustischen Energie vom piezoelektrischen Element12 mit dieser Verzögerungsleitung10 ist entscheidend für die Aufrechterhaltung der Leistungsempfindlichkeit des Wandlers zur Erkennung von Ultraschallwellen mit niedriger Amplitude. Bei Niederfrequenz-Wandlern kann die Kopplung einfach durch einen Druckkontakt zwischen dem Wandler und der Verzögerungsleitung erfolgen. Um diese Kopplung zu verbessern und jegliche Oberflächenungleichförmigkeit zwischen Wandler und Verzögerungsleitung zu mildern, kann ein Fluid wie Wasser oder Glycerin als Zwischenprodukt verwendet werden. Mit zunehmender Frequenz und abnehmender Wellenlänge reichen solche Mittel jedoch nicht aus, um eine Hochleistungskopplung zu erreichen. Häufig wird in diesem Fall ein dünner Klebstoff14 verwendet, um den Wandler strukturell mit der Verzögerungsleitung zu verbinden. - In der derzeitigen Technik werden Hochfrequenzwandler aufgrund der Art der verwendeten Verfahren und Materialien typischerweise in kleinen Stückzahlen, oft als Einzelgeräte, hergestellt. Eine solche Herstellung ist, obwohl funktionale Vorrichtungen bereitgestellt werden, aus Sicht der Konsistenz und der Kosten suboptimal. Wenn solche Vorrichtungen mit Hilfe von Wafer-Level-Prozessen hergestellt werden könnten, ergäben sich daraus ähnliche Konsistenz- und Kostenvorteile, wie bei den Ansätzen in der Halbleiter- oder MEMS-Industrie. Aktuelle Wafer-Level-Bonding-Prozesse sind zwar in der Halbleiter- oder MEMS-Industrie sehr erfolgreich, eignen sich aber nicht gut für die Verzögerungsleitungs-piezoelektrischen Wandlern.
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2A-2D veranschaulichen die grundlegenden Herstellungsschritte eines Verzögerungsleitungs-Ultraschallwandlers. In2A wird ein Verzögerungsleitungssubstrat30 aus einem geeigneten Material hergestellt. Ebenfalls in2A dargestellt ist eine dünne Metallschicht32 , die im Vakuum, mit konventionellen Mitteln, wie z.B. Sputterabscheidungen, auf dem Substrat abgeschieden wird. In2B ist das aktive Wandlerelement in Form eines piezoelektrischen Substrats40 dargestellt. - Ebenfalls in
2B dargestellt ist eine dünne Metallschicht42 , die mit dem gleichen Material und der gleichen Dicke wie das Substrat der Verzögerungsleitung abgeschieden ist. Alternativ kann eine einzelne dünne Metallschicht entweder auf dem Verzögerungsleitungssubstrat30 oder dem piezoelektrischen Substrat40 abgeschieden werden. - Sobald die dünne Metallschicht oder die dünnen Metallschichten auf den Substraten abgeschieden sind, können die beiden Wafer zu einer atomaren Diffusionsbindung zusammengepresst werden. Diese Art der Verbindung ist extrem stark und robust und ermöglicht eine effiziente akustische Energiekopplung zwischen den beiden Materialien, die eine effiziente Übertragung von Ultraschallwellen in beide Richtungen ermöglicht. Alternativ können auch andere Wafer-Level-Bonding-Techniken wie Polymer- oder Klebstoff-, Anoden-, Metalldiffusions-, Thermokompressions- oder Eutektik-Legierungs-Bonden verwendet werden, obwohl jede dieser Techniken unter den in der vorgenannten Patentanmeldung beschriebenen Nachteilen leidet.
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2C zeigt die beiden Substrate30 und40 , die zu einer einzigen Metallschicht52 verbunden sind. Wenn die Waferdicke des piezoelektrischen Substrats40 zunächst dicker ist als die erforderliche Dicke für die gewünschte Resonanzfrequenz, kann das piezoelektrische Substrat40 auf die gewünschte Dicke verdünnt werden. Sobald die gewünschte Dicke des piezoelektrischen Substrats40 erreicht ist, ist eine Aussetzung der gebundenen Metallschicht52 , wie in2D dargestellt, erforderlich, um eine elektrische Verbindung herzustellen, um eine der beiden Elektroden zu bilden, die zur elektrischen Stimulation des piezoelektrischen Substrats40 verwendet wird. Dies kann zwar durch eine Vielzahl von konventionellen Techniken erreicht werden, wie z.B. die Verwendung einer geeigneten Fotomaske in Kombination mit selektivem Ätzen mit reaktiven Gasen, Ionenmahlen oder nasschemischem Ätzen, aber diese Techniken sind für viele wünschenswerte piezoelektrische Materialien schwierig und teuer einzusetzen. - Für Trockenätzverfahren wie das reaktive Ionenätzen (RIE) oder das Ionenstrahlätzen von Materialien wie LiNbO3 oder PZT sind extrem lange Ätzzeiten von vielen Stunden erforderlich, aufgrund der extrem niedrigen Ätzraten und der Dicke der beteiligten piezoelektrischen Materialien, die typischerweise im Mikrometer-Zehnerbereich liegt. Dies erhöht die Herstellungskosten erheblich und begrenzt den Fertigungsdurchsatz. Darüber hinaus müssen im Gegensatz zu Fotomasken dicke Metallmasken verwendet werden, um die erosive Natur der langen Ätzzeit zu überleben. Dies erfordert zusätzliche Verarbeitungsschritte und erhöht in der Folge auch die Herstellungskosten, da die Dickmetallmasken abgeschieden und strukturiert werden müssen.
- Nassätzverfahren sind zwar potenziell kostengünstiger als Trockenätzverfahren, weisen aber Ätzraten auf, die oft von der Kristallorientierung abhängig sind und möglicherweise nicht mit der erforderlichen Ausrichtung für das gewählte piezoelektrische Material kompatibel sind. Darüber hinaus wird aufgrund der reaktiven Natur der eingesetzten Chemie oft eine Metallmaske benötigt, die, wie bereits erwähnt, zu höheren Herstellungskosten führen kann.
- Bei Trocken- oder Nassätzverfahren kann die Selektivität der Ätzung zwischen dem piezoelektrischen Material und dem Metall gering sein, was das Ätzen des piezoelektrischen Materials erschwert und gleichzeitig sicherstellen, dass genügend Metall zurückbleibt, um einen adäquaten nachfolgenden elektrischen Kontakt herzustellen. Schlussendlich existiert für Trocken- oder Nassätzverfahren möglicherweise keine praktische Chemie für das gewählte piezoelektrische Material. Die Notwendigkeit eines einfacheren, kostengünstigeren und breit angelegten, materialkompatiblen Musterungsprozesses ist offensichtlich. Der Einsatz konventioneller mechanischer Mittel wie einer computergesteuerten Fräsmaschine (CNC) zur Erreichung dieses Ziels überzeugt durch niedrige Herstellungskosten und breite Materialkompatibilität.
U.S. Pat. Nr. 5.257.178 mit dem Titel „METHOD OF OPTIMALLY OPERATING A COMPUTER NUMERICAL CONTROL MILLING MACHINE TO MILL OPTIMAL HIGH DENSITY INTERCONNECT SUBSTRATES“, veröffentlicht am 26. Oktober 1993 von Hatfield, et. al, die hierin als Referenz aufgenommen wird, offenbart ein Verfahren zum optimalen Betreiben einer CNC-Fräsmaschine, um Hohlräume in einem Keramiksubstrat zur Aufnahme von IC-Chips und anderen Komponenten einer hochdichten Verbindungsstruktur zu bilden, die elektrisch durch eine mehrschichtige hochdichte Verbindungsstruktur (HDI) verbunden sind. - Andere mechanische Mittel wie konventionelles Bohren wurden offenbart.
U.S. Pat. Nr. 6.221.769 mit dem Titel „METHOD FOR INTEGRATED CIRCUIT POWER AND ELECTRICAL CONNECTIONS VIA THROUGH WAFER INTERCONNECTS“, veröffentlicht am 24. April 2001 von Dhong, et. al., die hierin als Referenz aufgenommen wird, offenbart ein Verfahren zum Bereitstellen einer Durch-Wafer-Verbindung zu einem Siliziumgehäuse mit integrierter Schaltung. Zunächst wird ein Loch in der Siliziumverpackung mit einer Innenfläche erzeugt, die sich von der Unterseite der Siliziumverpackung bis zur Oberseite der Siliziumverpackung erstreckt. Das Loch wird durch eines von zwei Verfahren erzeugt, einschließlich mechanischem Bohren mit einem, mit hoher Geschwindigkeit gedrehten, Diamantbit. Die Innenfläche des Lochs wird mit einem Isoliermaterial abgedeckt, um das später abgeschiedene leitfähige Material zu isolieren und als Diffusionsbarriere zu dienen und dann wird ein Keimmaterial in das Loch eingebracht. Schließlich wird das Loch mit einem leitfähigen Material gefüllt, das verwendet wird, um große Stromeingänge oder Signalverbindungen zu den IC-Chips herzustellen. - Während solche Verfahren mechanische Mittel wie Fräs- oder Bohrarbeiten verwenden, um Taschen oder Löcher in einem Substrat bereitzustellen, konnten sie nicht verwendet werden, um die Art von Verbindungsdurchgang zu bilden, das in dieser Anwendung offenbarten Ultraschallwandlervorrichtungen benötigt werden.
- ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Offenbart wird ein Verfahren zur Herstellung eines Ultraschallwandlers mit einem Durchgang, der einen externen Kontakt mit einer eingebetteten Metallschicht im Ultraschallwandler ermöglicht, der mit einer reproduzierbaren Leistung bei niedrigen Herstellungskosten über eine Vielzahl von piezoelektrischen Materialien übereinstimmt. Während die beschriebenen Ausführungsformen einen Ultraschallverzögerungsleitungswandler unter Verwendung piezoelektrischer Materialien beinhalten, wird berücksichtigt, dass die Technik auf andere Vorrichtungen und Materialsysteme angewendet werden kann.
- In einer Ausführungsform umfasst ein Ultraschallwandler eine Verzögerungsleitung, ein piezoelektrisches Element, eine dazwischenliegende metallische leitfähige Schicht zwischen der Verzögerungsleitung und dem piezoelektrischen Element, ein durch Fräsen in dem piezoelektrischen Element gebildete Durchgangsbohrung und die Verzögerungsleitung, um eine Kante der dazwischenliegenden metallischen leitfähigen Schicht zwischen der Verzögerungsleitung und dem piezoelektrischen Element freizulegen und eine leitende Schicht, die einen elektrischen Kontakt zwischen den dazwischenliegenden metallischen, leitenden Schichten und einer Oberfläche des piezoelektrischen Elements herstellt, um eine externe elektrische Verbindung von der Oberfläche des aktiven piezoelektrischen Elements zu den dazwischenliegenden metallischen leitenden Schichten herzustellen, worin die Verzögerungsleitung und das piezoelektrische Element konfiguriert sind, um Ultraschallwellen vom piezoelektrischen Element in die Verzögerungsleitung oder von der Verzögerungsleitung in das piezoelektrische Element zu koppeln.
- In einer weiteren Ausführungsform, beinhaltet ein Verfahren zum Herstellen eines Ultraschallwandlers die Schritte vom Bereitstellen eines Verzögerungsleitungssubstrats, Bereitstellen eines piezoelektrischen Substrats als aktives Wandlerelement, Abscheiden einer ersten Metallschicht auf dem Verzögerungsleitungssubstrat, Abscheiden einer zweiten Metallschicht auf dem piezoelektrischen Substrat oder Abscheiden einer einzelnen Metallschicht auf entweder dem Verzögerungsleitungssubstrat oder dem piezoelektrischen Substrat, Verbinden des Verzögerungsleitungssubstrats mit dem piezoelektrischen Substrat, um einen Stapel zu bilden und das Koppeln von Ultraschallwellen vom piezoelektrischen Element in die Verzögerungsleitung oder von der Verzögerungsleitung in das piezoelektrische Element zu erleichtern, Fräsen des piezoelektrischen Substrats, um Metall von mindestens einer der ersten Metallschicht und der zweiten Metallschicht freizulegen, um einen elektrischen Kontakt zu ermöglichen, Abscheiden einer ersten strukturierten Elektrode auf dem freiliegenden Metall, um eine externe elektrische Verbindung mit der mindestens einen der ersten Metallschicht und der zweiten Metallschicht zu ermöglichen, und Abscheiden einer zweiten strukturierten Elektrode auf dem piezoelektrischen Element, wobei die zweite strukturierte Elektrode eine aktive Fläche des Ultraschallwandlers definiert und konfiguriert ist, um eine externe elektrische Verbindung herzustellen.
- Figurenliste
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1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Ultraschallwandlers mit einer Verzögerungsleitung nach dem Stand der Technik. -
2A zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Verzögerungsleitungssubstrats mit einer dünnen leitfähigen Metallschicht gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. -
2B zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines piezoelektrischen Substrats mit einer dünnen leitfähigen Metallschicht gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. -
2C zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines mit einem piezoelektrischen Substrat verbundenen Verzögerungsleitungssubstrats gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. -
2D zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Verzögerungsleitungssubstrat, das mit einem piezoelektrischen Substrat verbunden ist, und die freiliegenden leitenden Metallschichten gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. -
3A zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines mit einem piezoelektrischen Substrat verbundenen Verzögerungsleitungssubstrats gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. -
3B zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Verzögerungsleitungssubstrats, das mit einem piezoelektrischen Substrat verbunden ist, eines Durchgangs mit abgeschrägten Wänden und eines ringförmigen kundenspezifischen Schneidwerkzeugs, das zum Bilden des Durchgangs verwendet wird, gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. -
3C zeigt eine schematische Sicht von oben einer Vielzahl von Durchgängen, die in einem Verzögerungsleitungssubstrat gebildet sind, das mit einem piezoelektrischen Substrat verbunden ist, gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. -
3D zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Verzögerungsleitungssubstrats, das mit einem piezoelektrischen Substrat und Metallelektroden gemäß einer Ausführungsform der Erfindung verbunden ist. -
3E zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Verzögerungsleitungssubstrats, das mit einem piezoelektrischen Substrat und Metallelektroden gemäß einer Ausführungsform der Erfindung verbunden ist. -
3F zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Verzögerungsleitungssubstrats, das mit einem piezoelektrischen Substrat und Metallelektroden gemäß einer Ausführungsform der Erfindung verbunden ist. -
3G zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer einzelnen Vorrichtung gemäß der Ausführungsform von3D . -
4 zeigt eine schematische Sicht von oben auf mehrere piezoelektrische Wandlervorrichtungen, die gemäß einer Ausführungsform der Erfindung hergestellt wurden. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
- Um die üblichen Probleme mit den derzeitigen Verfahren zur Herstellung eines Durchgangs in piezoelektrischen Materialien, die in Ultraschallwandlern verwendet werden, zu überwinden und eine reproduzierbare Leistung bei niedrigen Herstellungskosten über eine Vielzahl von piezoelektrischen Materialien hinweg zu gewährleisten, wird ein neuartiges Herstellungsverfahren eingesetzt.
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3A-3G veranschaulichen die grundlegenden Herstellungsschritte zur Erzeugung eines Durchgangs, die die Möglichkeit bieten, einen externen Kontakt mit der unteren leitenden Schicht in einem Ultraschallwandler gemäß dieser Erfindung herzustellen.3A zeigt eine Querschnittsansicht eines piezoelektrischen Substrats60 , das an ein Verzögerungsleitungssubstrat62 gebunden ist und Zwischenschichten aus gebundenem Metall64 einfügt. Wie bereits erwähnt, ist die Freilegung der eingebetteten Zwischenschichten aus gebundenem Metall64 erforderlich, um eine elektrische Verbindung herzustellen und eine der beiden Elektroden zu bilden, die zur elektrischen Stimulation des piezoelektrischen Substrats60 verwendet werden. -
3B zeigt eine Querschnittsansicht eines kundenspezifischen Schneidwerkzeugs70 , das ringförmige Schneidflächen71 aufweist, die mit hoher Geschwindigkeit gedreht werden können und deren Position in allen drei Achsen von einer herkömmlichen CNC-Fräsmaschine gesteuert werden kann. Das Schneidwerkzeug70 kann aus einem geeigneten Material wie Stahl hergestellt und mit einer harten Beschichtung wie Diamant imprägniert werden, um eine lange Lebensdauer entlang der Schneidflächen71 zu gewährleisten. Es wird auch berücksichtigt, dass das Schneidwerkzeug70 ein Einzelpunktwerkzeug sein kann, das in einem von der CNC-Maschine gesteuerten Muster bewegt wird, so dass viele Arten von Durchgangsgeometrien erzeugt werden können, wie beispielsweise ein Punkt, eine lineare Wanne oder ein geschlossener Kreislauf, wie ein Quadrat oder Kreis. Wenn ein Ring gewünscht wird, kann das Schneidwerkzeug70 einen ringförmigen Querschnitt aufweisen (in der Ebene senkrecht zu der in3B dargestellten Ebene). - Der wichtige Aspekt des Schneidwerkzeugs
70 ist, dass die Schneidflächen71 abgewinkelt sind (dargestellt als der Winkel θ in3B) , um schräge Seitenwände in dem gebundenen piezoelektrischen Substrat60 und dem Verzögerungsleitungssubstrat62 zu bilden, die die Kante der gebundenen Metallschichten64 freilegen. Die schrägen Seitenwände sind wichtig, damit eine nachfolgende leitende Metallschicht, die eine Elektrode bildet, zu einer zusammenhängenden leitenden Schicht abgeschieden werden kann, die den Rand der freiliegenden gebundenen Metallschichten64 mit der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats60 verbindet, so dass eine externe Verbindung leicht hergestellt werden kann. Der genaue Schrägwinkel des Schneidwerkzeugs70 und anschließend über die Seitenwand ist nicht kritisch, sollte aber so gewählt werden, dass die Bildung einer angrenzenden leitenden Schicht möglich ist. Ein zu steiler oder rückläufiger Winkel kann zur Bildung einer nicht zusammenhängenden leitenden Schicht führen, was dazu führen kann, dass keine externe elektrische Verbindung mit den gebundenen Metallschichten64 hergestellt werden kann. Dieser Winkel kann sinnvollerweise größer als 0 Grad, aber kleiner als 90 Grad sein. Ein solches Schneidwerkzeug kann mit herkömmlichen Mitteln kostengünstig hergestellt werden. - Ebenfalls in
3B dargestellt, ist das gebundene piezoelektrische Substrat60 und das Verzögerungsleitungssubstrat62 , nachdem das Schneidwerkzeug70 einen Durchgang72 in Form eines kranzförmigen Rings mit abgeschrägten Seitenwänden durch das Schneidwerkzeug70 gebildet hat. Die Positionierung des Durchgangs72 in der Ebene kann von der CNC-Fräsmaschine präzise gesteuert und an mehreren Stellen wiederholt werden. -
3C zeigt eine Sicht von oben auf mehrere ringförmige Durchgänge72 , die in das gebundene piezoelektrische Substrat60 und das Verzögerungsleitungssubstrat62 geschnitten sind. Einer der größten Vorteile dieser Technik, der zur Einfachheit und den niedrigen Kosten der Technik beiträgt, ist, dass die Tiefe des Durchgangs72 nicht genau gesteuert werden muss, solange der Durchgang72 tief genug ist, um die Kanten der verbundenen Metallschichten64 freizulegen. Darüber hinaus ist die Unebenheit der Seitenwand bei dieser speziellen Art von Ultraschallwandler unkritisch, da die tatsächliche aktive Fläche der Vorrichtung, die anschließend durch eine strukturierte leitfähige Schicht bestimmt wird, in einem ausreichenden Abstand von den geneigten Seitenwänden definiert werden kann, um die Leistung nicht zu beeinträchtigen. Dies ermöglicht es, einmal programmiert, eine typische CNC-Fräsmaschine mit dem Schneidwerkzeug70 schnell und kostengünstig eine beliebige Anzahl solcher Durchgänge72 zu bilden. - Sobald die Kanten der gebundenen Metallschichten
64 freigelegt sind, kann eine erste leitfähige Schicht80 , wie in3D dargestellt, vorzugsweise ein Metall, mit herkömmlichen Mitteln abgeschieden und mit einer Lochmaske strukturiert werden. Diese erste leitfähige Schicht80 berührt die Kante der gebundenen Metallschichten und setzt sich auf der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats60 fort. Die erste leitfähige Schicht80 , die eine erste Elektrode bildet, sollte strukturiert sein, um eine externe Verbindung der gebundenen Zwischenschichten aus Metall64 zu ermöglichen, ohne eine zweite leitende Schicht82 zu stören, die den aktiven Bereich der Vorrichtung definiert und eine zweite Elektrode bildet, die ein geeignetes Mittel zum Anlegen einer externen Spannung an die beiden Elektroden zum Stimulieren des piezoelektrischen Substrats60 bereitstellt. - Alternativ kann, wie in
3E dargestellt, eine alternative erste leitfähige Schicht81 strukturiert werden, um den Kontakt mit der Kante der gebundenen Metallschichten nur auf der radial innersten Seite des Durchgangs72 zu ermöglichen. - In einer weiteren Alternative, wie in
3F dargestellt, ist zweite alternative erste leitfähige Schicht83 sowohl auf der radial innersten als auch auf der äußersten Seite des Durchgangs72 vorhanden, wie dies bei benachbarten, aber elektrisch unabhängigen Vorrichtungen, wie beispielsweise bei der Herstellung einer Anordnung, der Fall wäre. Wenn das gleiche Material für eine der Elektroden gewünscht wird, kann eine einzige Lochmaske zusammen mit einer einzigen Metallabscheidung verwendet werden, um alle Elektroden zu definieren. -
3G zeigt eine Einzelvorrichtung90 , die mit herkömmlichen Kernbohrverfahren hergestellt wurde. Wenn eine Vorrichtung mit hoher Bandbreite gewünscht wird, kann eine Rückschicht, wie sie in Verbindung mit1 beschrieben wird, hinzugefügt werden. Typischerweise wird ein Epoxidharz verwendet, das mit kleinen dichten Metallpartikeln wie Silber oder Wolfram imprägniert ist. Kleine (im Vergleich zur Wellenlänge der im Wandler erzeugten akustischen Wellen) dichte Metallpartikel in einer Epoxidmatrix sorgen für eine hohe akustische Impedanz und damit für einen hohen Dämpfungsgrad beim Streuen, Diffundieren und Absorbieren der rückwärts gerichteten akustischen Welle, die in das Material eingekoppelt ist. Dadurch kann ein Wandler mit einer kurzen zeitlichen Reaktion erzeugt werden, was zu einer hochauflösenden Vorrichtung führt. - Die Einzelvorrichtung
90 kann in einem geeigneten Gehäuse montiert werden und der externe Anschluss der ersten leitfähigen Schicht80 und der zweiten leitfähigen Schicht82 kann mit beliebig vielen konventionellen Mitteln erfolgen. Eine geeignete Reizspannung, typischerweise in Form eines Impulses, kann an die beiden Elektroden angelegt werden, die eine Ultraschallwelle erzeugen, die sich vom piezoelektrischen Material in die Verzögerungsleitung ausbreitet und zum Abfragen eines bestimmten Testmaterials verwendet werden kann, welches mit der Verzögerungsleitung gekoppelt ist. Nach einer angemessenen Verzögerungszeit breitet sich eine vom abgefragten Testmaterial reflektierte Welle wieder auf das piezoelektrische Material aus und kann mit einer geeigneten Empfängerelektronik gemessen werden. - Als Nachweis für die Machbarkeit der aktuellen Erfindung wurde ein Ultraschallwandler gemäß den in dieser Offenbarung beschriebenen Schritten hergestellt.
4 zeigt eine Sicht von oben, die die Strukturierung der ersten leitenden Schicht80 und der zweiten leitfähigen Schicht82 unter Verwendung einer Lochmaske veranschaulicht. Als gebundene Metallschichten wurde Gold verwendet, ebenso wie sowohl die erste leitfähige Schicht80 als auch die zweite leitfähige Schicht82 . Quarzglas wurde als Verzögerungsleitungssubstrat62 Material und Lithiumniobat als piezoelektrisches Substrat60 Material gewählt. Das Verzögerungsleitungssubstrat62 aus Quarzglas und das piezoelektrische Lithiumniobatsubstrat60 wurden mittels eines Atomdiffusionsverfahrens gebunden. - Ein kundenspezifisches Fräswerkzeug mit um 45 Grad abgewinkelten Schneiden und einem Ringquerschnitt von 5 mm Durchmesser und 2 mm Seitenwandstärke wurde zum Bilden eines ringförmigen Durchgangs verwendet. Die erste leitfähige Schicht
80 ist in zwei Hälften unterteilt. Auf diese Weise verläuft der einzige Leitungsweg von einer Hälfte der ersten leitfähigen Schicht80 zur zweiten Hälfte der ersten leitfähigen Schicht80 über den Kontakt, der durch den Durchgang durch die untere gebundene Zwischenschicht aus Metall64 erfolgt. Eine Niedrigwiderstandsmessung würde den erfolgreichen Kontakt durch den Durchgang als Nachweis des Konzepts bestätigen. Es wurde eine Zweipunkt-Widerstandsmessung durchgeführt, bei der die obere und untere Hälfte der ersten leitenden Schicht mit an einer Reihe von Geräten in Kontakt stand. In jedem Fall betrug der Widerstand weniger als 2 Ohm, was auf einen ausgezeichneten Kontakt über den Durchgang hinweist. - Dementsprechend ist es zu verstehen, dass die Ausführungsformen der hierin beschriebenen Erfindung nur die Anwendung der Grundsätze der Erfindung veranschaulichen. Die Bezugnahme auf Einzelheiten der veranschaulichten Ausführungsformen soll nicht dazu dienen, den Umfang der Ansprüche einzuschränken, die ihrerseits diejenigen Merkmale wiedergeben, die als wesentlich für die Erfindung angesehen werden.
- Bezugszeichenliste
-
- 60
- piezoelektrisches Substrat
- 62
- Verzögerungsleitungssubstrat
- 64
- Zwischenschichten aus Metall
- 70
- Schneidwerkzeug
- 71
- Schneidflächen
- 72
- ringförmiger Durchgang
- 80
- erste leitfähige Schicht
- 81
- alternative erste leitfähige Schicht
- 82
- zweite leitfähige Schicht
- 83
- zweite alternative erste leitfähige Schicht
- 90
- Einzelvorrichtung
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- US 5257178 [0011]
- US 6221769 [0012]
Claims (18)
- Was beansprucht wird, ist:
- Ultraschallwandler, umfassend: eine Verzögerungsleitung, ein piezoelektrisches Element; eine zwischengeschaltete metallische leitfähige Schicht zwischen der Verzögerungsleitung und dem piezoelektrischen Element, wobei die Verzögerungsleitung und das piezoelektrische Element konfiguriert sind, um Ultraschallwellen vom piezoelektrischen Element in die Verzögerungsleitung oder von der Verzögerungsleitung in das piezoelektrische Element einzubinden; ein Durchgang, der in dem piezoelektrischen Element und der dazwischenliegenden metallleitenden Schicht gebildet ist, wobei der Durchgang einen Abschnitt der dazwischenliegenden metallleitenden Schicht freilegt; und eine erste strukturierte Elektrode, die einen elektrischen Kontakt zwischen dem freiliegenden Abschnitt der dazwischenliegenden metallleitenden Schicht und einer Oberfläche des piezoelektrischen Elements herstellt, um eine externe elektrische Verbindung von der Oberfläche des aktiven piezoelektrischen Elements mit der dazwischenliegenden metallischen leitenden Schicht herzustellen.
- Ultraschallwandler nach
Anspruch 1 , wobei der Durchgang in eine Tiefe spitz zuläuft. - Ultraschallwandler nach
Anspruch 1 , wobei sich der Durchgang in die Verzögerungsleitung erstreckt. - Ultraschallwandler nach
Anspruch 1 , wobei sich der Durchgang ringförmig erstreckt und zwei Seitenwände beinhaltet, die sich über eine volle Tiefe des Durchgangs erstrecken, und wobei sich die erste strukturierte Elektrode auf einer radial nach innen gerichteten von einer der beiden Seitenwände befindet. - Ultraschallwandler nach
Anspruch 1 , wobei sich Der Durchgang ringförmig erstreckt und zwei Seitenwände beinhaltet, die sich über eine volle Tiefe des Durchgangs erstrecken, und wobei sich die erste strukturierte Elektrode auf beiden der zwei Seitenwände befindet. - Ultraschallwandler nach
Anspruch 5 , worin die erste strukturierte Elektrode zwischen den beiden Seitenwänden unterbrochen ist. - Ultraschallwandler nach
Anspruch 1 , weiterhin umfassend eine zweite strukturierte Elektrode auf dem piezoelektrischen Element, wobei die zweite strukturierte Elektrode einen aktiven Bereich des Ultraschallwandlers definiert und konfiguriert ist, um extern elektrisch verbunden zu werden. - Verfahren zur Herstellung eines Ultraschallwandlers, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Bereitstellen eines Verzögerungsleitungssubstrats; Bereitstellen eines piezoelektrischen Substrats als aktives Wandlerelement; Abscheiden einer ersten Metallschicht auf dem Verzögerungsleitungssubstrat; Abscheiden einer zweiten Metallschicht und des piezoelektrischen Substrats; Verbinden des Verzögerungsleitungssubstrats mit dem piezoelektrischen Substrat, um einen Stapel zu bilden und das Koppeln von Ultraschallwellen vom piezoelektrischen Element in die Verzögerungsleitung oder von der Verzögerungsleitung in das piezoelektrische Element zu erleichtern; Fräsen des piezoelektrischen Substrats, um einen Abschnitt von mindestens einer der ersten Metallschichten und der zweiten Metallschicht freizulegen, um einen elektrischen Kontakt zu ermöglichen; Abscheiden einer ersten strukturierten Elektrode auf dem freiliegenden Abschnitt, um eine externe elektrische Verbindung mit der mindestens einen der ersten Metallschicht und der zweiten Metallschicht zu ermöglichen; und Abscheiden einer zweiten strukturierten Elektrode auf dem piezoelektrischen Element, wobei die zweite strukturierten Elektrode einen aktiven Bereich des Ultraschallwandlers definiert und konfiguriert ist, um eine externe elektrische Verbindung herzustellen.
- Verfahren nach
Anspruch 8 , ferner umfassend: Fräsen des piezoelektrischen Substrats an einer Vielzahl von Stellen; und Aufteilen des Stapels durch mindestens eine der Vielzahl von Stellen, um individuelle Ultraschallwandler zu erzeugen. - Verfahren nach
Anspruch 9 , worin die Aufteilung Kernbohrungen durch das Verzögerungsleitungssubstrat von mindestens einer der Vielzahl von Stellen beinhaltet. - Verfahren zur Herstellung eines Ultraschallwandlers, wobei das Verfahren folgenden Schritte umfasst: Bereitstellen eines Verzögerungsleitungssubstrats; Bereitstellen eines piezoelektrischen Substrats als aktives Wandlerelement; Abscheiden einer Metallschicht auf entweder dem Verzögerungsleitungssubstrat oder dem piezoelektrischen Substrat; Verbinden des Verzögerungsleitungssubstrats mit dem piezoelektrischen Substrat, so dass sich die abgeschiedene Metallschicht zwischen dem Verzögerungsleitungssubstrat und dem piezoelektrischen Substrat befindet, um einen Stapel zu bilden und das Koppeln von Ultraschallwellen vom piezoelektrischen Element in die Verzögerungsleitung oder von der Verzögerungsleitung in das piezoelektrische Element zu erleichtern; Fräsen des piezoelektrischen Substrats, um einen Abschnitt von mindestens einer der ersten Metallschichten und der zweiten Metallschicht freizulegen, um einen elektrischen Kontakt zu ermöglichen; Abscheiden einer ersten strukturierten Elektrode auf dem freiliegenden Abschnitt, um eine externe elektrische Verbindung mit der mindestens einen der ersten Metallschicht und der zweiten Metallschicht zu ermöglichen; und Abscheiden einer zweiten strukturierten Elektrode auf dem piezoelektrischen Element, wobei die zweite strukturierte Elektrode einen aktiven Bereich des Ultraschallwandlers definiert und konfiguriert ist, um eine externe elektrische Verbindung herzustellen.
- Verfahren nach
Anspruch 11 , wobei das Fräsen des piezoelektrischen Substrats an einer Vielzahl von Stellen erfolgt und das Verfahren nachAnspruch 9 ferner das Teilen des Stapels durch mindestens eine der Vielzahl von Stellen umfasst, um individuelle Ultraschallwandler zu erzeugen. - Verfahren nach
Anspruch 12 , worin die Aufteilung Kernbohrungen durch das Verzögerungsleitungssubstrat von mindestens einer der Vielzahl von Stellen beinhaltet. - Verfahren nach
Anspruch 11 , wobei das Fräsen des piezoelektrischen Substrats einen in einer Tiefe spitz zulaufenden Durchgang bildet. - Verfahren nach
Anspruch 11 , wobei das Fräsen des piezoelektrischen Substrats einen ringförmigen Durchgang bildet, der zwei Seitenwände beinhaltet, die sich über eine volle Tiefe des Durchgangs erstrecken, und das Abscheiden der ersten strukturierten Elektrode das Abscheiden der ersten strukturierten Elektrode auf einer radial nach innen gerichteten Seitenwand der beiden Seitenwände umfasst. - Verfahren nach
Anspruch 11 , wobei das Fräsen des piezoelektrischen Substrats einen ringförmigen Durchgang bildet, welches zwei Seitenwänden beinhaltet, die sich über eine volle Tiefe des Durchgangs erstrecken und das Abscheiden der ersten strukturierten Elektrode das Abscheiden der ersten strukturierten Elektrode auf beiden Seitenwänden umfasst. - Verfahren nach
Anspruch 16 , wobei das Abscheiden der ersten strukturierten Elektrode die erste strukturierte Elektrode diskontinuierlich zwischen den beiden Seitenwänden abscheidet.
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