DE102019216010A1

DE102019216010A1 - Akustische volumenwellenkomponenten und verfahren zum plasmaschneiden derselben

Info

Publication number: DE102019216010A1
Application number: DE102019216010.7A
Authority: DE
Inventors: Atsushi Takano; Takeshi Furusawa; Mitsuhiro Furukawa
Original assignee: Skyworks Solutions Inc
Current assignee: Skyworks Solutions Inc
Priority date: 2018-10-18
Filing date: 2019-10-17
Publication date: 2020-04-23
Also published as: US20240072758A1; US11496111B2; KR20200043916A; GB202010085D0; GB2583297B; US11251769B2; GB2579136B; US20230059917A1; US20200127632A1; GB201914897D0; CN111082769A; US11811385B2; JP2020065256A; US20200127633A1; GB2579136A; GB2579136B8; JP7284683B2; SG10201909672SA; GB2583297A; TW202034627A

Abstract

Aspekte dieser Offenbarung beziehen sich auf Verfahren zur Herstellung akustischer Volumenwellenkomponenten. Derartige Verfahren umfassen ein Plasmaschneiden, um die akustischen Volumenwellenkomponenten zu vereinzeln. Eine Pufferschicht kann über einem Substrat akustischer Volumenwellenkomponenten gebildet werden, um Straßen freizulegen. Die akustischen Volumenwellenkomponenten können entlang der freigelegten Straßen plasmageschnitten werden, um dadurch die die akustischen Volumenwellenkomponenten zu vereinzeln. Dementsprechende akustische Volumenwellenkomponenten werden offenbart.

Description

QUERVERWEIS AUF PRIORITÄTSANMELDUNG
Diese Anmeldung nimmt die Priorität der vorläufigen U.S. Patentanmeldung Nr. 62/747,486 in Anspruch, eingereicht am 18. Oktober 2018 und betitelt mit „AKUSTISCHE VOLUMENWELLENKOMPONENTEN UND VERFAHREN ZUM PLASMASCHNEIDEN DERSELBEN,“ deren Offenbarungsgehalt durch Bezugnahme hierin in seiner Gesamtheit mitaufgenommen wird.
HINTERGRUND
Technisches Gebiet
Ausführungsformen dieser Offenbarung beziehen sich auf akustische Wellenkomponenten und insbesondere auf akustische Volumenwellenkomponenten („bulk acoustic wave components“, BAW).
Beschreibung verwandter Technologie
Akustische Wellenfilter können in elektronischen Hochfrequenzsystemen eingesetzt werden. Beispielsweise können Filter in einem Hochfrequenz-Frontend eines Mobiltelefons akustische Wellenfilter beinhalten. Ein akustischer Wellenfilter kann ein Hochfrequenzsignal filtern. Ein akustischer Wellenfilter kann ein Bandpassfilter sein. Eine Vielzahl akustischer Wellenfilter kann als Multiplexer angeordnet sein. Beispielsweise können zwei akustische Wellenfilter als Duplexer angeordnet werden.
Ein akustischer Wellenfilter kann eine Vielzahl von akustischen Wellenresonatoren aufweisen, die so angeordnet sind, dass sie ein Hochfrequenzsignal filtern. Beispielhafte akustische Wellenfilter weisen akustische Oberflächenwellenfilter („surface acoustic wave“, SAW) und akustische Volumenwellenfilter („bulk acoustic wave“, BAW) auf. BAW-Filter umfassen BAW-Resonatoren. Beispielhafte BAW-Resonatoren weisen akustische Dünnschichtvolumenresonatoren („film bulk acoustic wave resonators“, FBARs) und fest montierte Resonatoren („solidly mounted resonators“, SMRs) auf. Bei BAW-Resonatoren propagieren akustische Wellen im Volumen einer piezoelektrischen Schicht.
BAW-Komponenten können gehäuste BAW-Resonatoren, die innerhalb eines versiegelten Bereiches eingeschlossen sind. Gehäusestrukturen vergrößern BAW-Komponenten. Daher besteht ein Bedarf an Möglichkeiten zur Reduzierung der Größe von BAW-Komponenten ohne bei Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit Abstriche machen zu müssen.
ZUSAMMENFASSUNG BESTIMMTER ERFINDERISCHER ASPEKTE
Die in den Ansprüchen beschriebenen Innovationen weisen jeweils mehrere Aspekte auf, von denen keiner allein für seine wünschenswerten Eigenschaften verantwortlich ist. Ohne den Umfang der Ansprüche einzuschränken, werden nun einige markante Merkmale dieser Offenbarung kurz beschrieben.
Ein Aspekt dieser Offenbarung betrifft ein Verfahren zur Herstellung vereinzelter akustischer Volumenwellenkomponenten. Das Verfahren umfasst ein Bilden einer Pufferschicht über einem Substrat einer Anordnung von akustischen Volumenwellenkomponenten, um freigelegte Straßen zwischen individuellen akustischen Volumenwellenkomponenten zu bilden. Das Verfahren umfasst auch ein Plasmaschneiden der akustischen Volumenwellenkomponenten entlang der freigelegten Straßen, um dadurch die akustischen Volumenwellenkomponenten zu vereinzeln.
Jede der vereinzelten akustische Volumenwellenkomponenten kann einen akustischen Volumenwellenresonator und eine den akustischen Volumenwellenresonator einschließende Kappe aufweisen. Die Kappe kann eine Seitenwand aufweisen, die 5 Mikron oder weniger von einer Kante des Substrats der jeweiligen vereinzelten akustischen Volumenwellenkomponente entfernt ist. Die Seitenwand kann mindestens 1 Mikron von der Kante des Substrats der jeweiligen vereinzelten akustischen Volumenwellenkomponente entfernt sein. Die Seitenwand kann Kupfer umfassen.
Das Plasmaschneiden kann ein Ätzen durch sowohl das Substrat als auch ein Kappensubstrat beinhalten. Die akustische Volumenwellenkomponente kann einen akustischen Volumenwellenresonator aufweisen, welcher über dem Substrat und unter dem Kappensubstrat gelegen ist. Das Substrat und das Kappensubstrat können Siliziumsubstrate sein.
Das Verfahren kann weiterhin ein Ausbilden eines Leiters über dem Substrat aufweisen. Der Leiter kann sich lateral von einem Durchgangsloch bzw. einer Via erstrecken, das bzw. die sich durch das Substrat erstreckt. Der Leiter kann elektrisch mit einer leitfähigen Schicht in dem Durchgangsloch verbunden sein. Das Ausbilden der Pufferschicht kann derart durchgeführt werden, dass die Pufferschicht über zumindest einem Teil des Leiters ausgebildet ist. Das Verfahren kann weiterhin ein Ausbilden von Lötmaterial über dem Leiter aufweisen, so dass das Lötmaterial sich nicht mit dem Durchgangsloch überlappt.
Das Substrat kann ein Siliziumsubstrat sein. Die Pufferschicht kann ein Material sein, welches während des Plasmaschneidens zumindest 30-fach langsamer ätzt als Silizium. Die Pufferschicht kann ein Harz umfassen. Das Ausbilden der Pufferschicht kann ein Ausbilden der freigelegten Straßen über einen photolithographischen Prozess umfassen.
Die akustischen Volumenwellenkomponenten können jeweils einen akustischen Dünnschichtvolumenwellenresonator aufweisen.
Ein weiterer Aspekt dieser Offenbarung betrifft ein Verfahren zur Herstellung akustischer Volumenwellenkomponenten. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines ersten Wafers, welcher mit einem zweiten Wafer verbunden bzw. gebonded ist. Auf dem ersten Wafer sind akustische Volumenwellenresonatoren vorhanden. Der zweite Wafer liegt über und beabstandet von den akustischen Volumenwellenresonatoren. Das Verfahren umfasst ein Bilden einer Pufferschicht auf einer Seite des ersten Wafers, die gegenüber den akustischen Volumenwellenresonatoren liegt, so dass Straßen freigelegt werden. Das Verfahren umfasst ein Plasmaschneiden durch den ersten Wafer und den zweiten Wafer entlang der freigelegten Straßen, um dadurch vereinzelte akustische Volumenwellenkomponenten zu bilden.
Der erste Wafer und der zweite Wafer können Siliziumwafer sein.
Jede der vereinzelten akustische Volumenwellenkomponenten kann einen akustischen Volumenwellenresonator der akustischen Volumenwellenresonatoren und eine den akustischen Volumenwellenresonator einschließende Kappe aufweisen. Die Kappe kann eine Seitenwand aufweisen. Die Seitenwand kann in einem Bereich zwischen 1 Mikron und 5 Mikron von einer Kante eines einem Bereich des ersten Wafers vor dem Plasmaschneiden entsprechenden Substrats der jeweiligen vereinzelten akustischen Volumenwellenkomponente entfernt sein.
Ein weiterer Aspekt dieser Offenbarung betrifft ein Verfahren zur Herstellung akustischer Volumenwellenkomponenten. Das Verfahren umfasst ein Bilden einer Pufferschicht über einem Siliziumsubstrat akustischer Volumenwellenkomponenten, so dass Straßen freigelegt werden. Das Verfahren umfasst auch ein Plasmaschneiden der akustischen Volumenwellenkomponenten entlang der freigelegten Straßen, um dadurch die akustischen Volumenwellenkomponenten zu vereinzeln. Die vereinzelten akustischen Volumenwellenkomponenten umfassen jeweils einen akustischen Volumenwellenresonator und eine den akustischen Volumenwellenresonator einschließende Kappe. Die Kappe kann ein Siliziumkappensubstrat und eine Seitenwand aufweisen, die in einem Bereich zwischen 1 Mikron und 5 Mikron von einer Kante des Siliziumsubstrats der jeweiligen vereinzelten akustischen Volumenwellenkomponente entfernt ist.
Die Seitenwand kann Kupfer umfassen. Die Pufferschicht kann ein Harz umfassen. Der akustische Volumenwellenresonator kann ein akustischer Dünnschichtvolumenwellenresonator sein.
Ein weiterer Aspekt dieser Offenbarung betrifft eine akustische Volumenwellenkomponente, die ein Substrat, zumindest einen akustischen Volumenwellenresonator auf dem Substrat und eine den zumindest einen akustischen Volumenwellenresonator einschließende Kappe aufweist. Die Kappe umfasst eine Seitenwand, die von einer Kante des Substrats beabstandet ist. Die Seitenwand ist 5 Mikron oder weniger von der Kante des Substrats beabstandet.
Die Seitenwand kann 3 Mikron oder weniger von der Kante des Substrats beabstandet sein. Die Seitenwand kann zumindest 1 Mikron von der Kante des Substrats beabstandet sein.
Die akustische Volumenwellenkomponente kann weiterhin ein Durchgangsloch bzw. eine Via, welches bzw. welche sich durch das Substrat erstreckt, eine leitfähige Schicht in dem Durchgangsloch und eine Pufferschicht in dem Durchgangsloch umfassen.
Die akustische Volumenwellenkomponente kann weiterhin ein Durchgangsloch bzw. eine Via, welches bzw. welche sich durch das Substrat erstreckt, einen Leiter, welcher sich lateral von dem Durchgangsloch weg erstreckt und mit einer leitfähigen Schicht in dem Durchgangsloch elektrisch verbunden ist, und Lötmaterial auf dem Leiter aufweisen, welches lateral neben dem Durchgangsloch angeordnet ist.
Der zumindest eine akustische Volumenwellenresonator kann einen akustischen Dünnschichtvolumenwellenresonator aufweisen. Der zumindest eine akustische Volumenwellenresonator kann einen fest montierten Resonator aufweisen.
Das Substrat kann ein Siliziumsubstrat sein. Ein oberer Bereich der Kappe kann ein Siliziumkappensubstrat sein.
Die Seitenwand kann Kupfer umfassen.
Der zumindest eine akustische Volumenwellenresonator kann eine Vielzahl von akustischen Volumenwellenresonatoren umfassen, welche in einem Filter zur Filterung eines Hochfrequenzsignals angeordnet sind. Die Vielzahl von akustischen Volumenwellenresonatoren kann zumindest 10 akustische Volumenwellenresonatoren beinhalten.
Ein weiterer Aspekt dieser Offenbarung betrifft eine akustische Volumenwellenkomponente, die ein Siliziumsubstrat, zumindest einen akustischen Volumenwellenresonator auf dem Siliziumsubstrat und eine den zumindest einen akustischen Volumenwellenresonator einschließende Kappe aufweist. Die Kappe umfasst ein Kappensubstrat und eine Seitenwand. Das Kappensubstrat umfasst Silizium. Die Seitenwand ist von einer Kante des Siliziumsubstrats um eine Distanz im Bereich zwischen 1 Mikron und 5 Mikron beabstandet.
Die akustische Volumenwellenkomponente kann weiterhin ein Durchgangsloch bzw. eine Via, welches bzw. welche sich durch das Siliziumsubstrat erstreckt, eine leitfähige Schicht in dem Durchgangsloch und eine Pufferschicht in dem Durchgangsloch umfassen.
Die akustische Volumenwellenkomponente kann weiterhin ein Durchgangsloch bzw. eine Via, welches bzw. welche sich durch das Substrat erstreckt, einen Leiter, welcher sich lateral von dem Durchgangsloch weg erstreckt und mit einer leitfähigen Schicht in dem Durchgangsloch elektrisch verbunden ist, und Lötmaterial auf dem Leiter aufweisen, welches lateral neben dem Durchgangsloch angeordnet ist.
Die Seitenwand kann Kupfer umfassen. Der zumindest eine akustische Volumenwellenresonator kann zumindest 10 akustische Volumenwellenresonatoren umfassen, welche in einem akustischen Wellenfilter zur Filterung eines Hochfrequenzsignals angeordnet sind.
Ein weiterer Aspekt dieser Offenbarung betrifft ein drahtloses Kommunikationsgerät, welches eine Antenne und eine akustische Volumenwellenkomponente aufweist. Die akustische Volumenwellenkomponente umfasst ein Substrat, akustische Volumenwellenresonatoren auf dem Substrat und eine die akustischen Volumenwellenresonatoren einschließende Kappe. Die Kappe umfasst eine Seitenwand, die von einer Kante des Substrats um 5 Mikron oder weniger beabstandet ist. Die akustischen Volumenwellenresonatoren sind in einem in kommunikativer Wirkverbindung mit der Antenne stehenden Filter angeordnet.
Das drahtlose Kommunikationsgerät kann ein Mobiltelefon sein.
Das drahtlose Kommunikationsgerät kann weiterhin einen Hochfrequenzverstärker, der in kommunikativer Wirkverbindung mit dem Filter steht, und einen Schalter, der zwischen den Filter und die Antenne gekoppelt ist, umfassen.
Zur Zusammenfassung der Offenbarung sind hier bestimmte Aspekte, Vorteile und neue Merkmale der Innovationen beschrieben worden. Es sei darauf hingewiesen, dass nicht unbedingt alle diese Vorteile in Übereinstimmung mit einer bestimmten Ausführungsform erreicht werden können. Somit können die Innovationen in einer Weise umgesetzt oder durchgeführt werden, die einen Vorteil oder eine Gruppe von Vorteilen, wie hier gelehrt, erreicht oder optimiert, ohne notwendigerweise andere Vorteile zu erzielen, wie sie hier gelehrt oder vorgeschlagen werden.
Figurenliste
Die Ausführungsformen dieser Offenbarung werden nun in nicht beschränkenden Beispielen anhand der beigefügten Zeichnungen beschrieben.

1 zeigt ein Flussdiagramm eines beispielhaften Verfahrens zur Herstellung von akustischen Volumenwellenkomponenten gemäß einer Ausführungsform.
2A bis 2E sind Querschnittsschaubilder, welche ein beispielhaftes Verfahren zur Herstellung von akustischen Volumenwellenkomponenten gemäß einer Ausführungsform veranschaulichen.
3A zeigt ein Querschnittsschaubild einer akustischen Volumenwellenkomponente gemäß einer Ausführungsform.
3B zeigt ein Querschnittsschaubild einer akustischen Volumenwellenkomponente gemäß einer anderen Ausführungsform.
4 zeigt eine schematische Darstellung eines Sendefilters, welcher akustische Volumenwellenresonatoren einer akustischen Volumenwellenkomponente gemäß einer Ausführungsform aufweist.
5 zeigt eine schematische Darstellung eines Empfangsfilters, welcher akustische Volumenwellenresonatoren einer akustischen Volumenwellenkomponente gemäß einer Ausführungsform aufweist.
6 zeigt eine schematische Darstellung eines Hochfrequenzsystems, welches eine akustische Volumenwellenkomponente gemäß einer Ausführungsform aufweist.
7 zeigt eine schematische Darstellung eines Hochfrequenzmoduls, welches eine akustische Volumenwellenkomponente gemäß einer Ausführungsform aufweist.
8 zeigt eine schematische Darstellung eines Hochfrequenzmoduls, welches eine akustische Volumenwellenkomponente gemäß einer Ausführungsform aufweist.
9A zeigt ein schematisches Blockschaubild einer drahtlosen Kommunikationsvorrichtung, die ein Filter gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen beinhaltet.
9B zeigt ein schematisches Blockschaubild einer anderen drahtlosen Kommunikationsvorrichtung, die ein Filter gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen beinhaltet.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG BESTIMMTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
Die folgende Beschreibung bestimmter Ausführungsformen stellt verschiedene Beschreibungen bestimmter Ausführungsformen dar. Die hier beschriebenen Innovationen können jedoch auf vielfältige Weise umgesetzt werden, z.B. durch die Definition und im Umfang der Ansprüche. In dieser Beschreibung wird auf die Zeichnungen verwiesen, in denen gleichartige Bezugszeichen identische oder funktional ähnliche Elemente bezeichnen können. Es sei darauf hingewiesen, dass die in den Figuren dargestellten Elemente nicht notwendigerweise maßstabsgetreu gezeichnet sind. Darüber hinaus sei darauf hingewiesen, dass bestimmte Ausführungsformen mehr Elemente als in einer Zeichnung dargestellt und/oder eine Teilmenge der in einer Zeichnung dargestellten Elemente beinhalten können. Darüber hinaus können einige Ausführungsformen jede geeignete Kombination von Merkmalen aus zwei oder mehr Zeichnungen enthalten.
Akustikwellenfilter können Hochfrequenzsignale (RF) in einer Vielzahl von Anwendungen filtern, wie beispielsweise in einem RF-Frontend eines Mobiltelefons. Ein Akustikwellenfilter kann akustischen Volumenwellenkomponenten („Bulk Acoustic Wave“, BAW) beinhalten. Die BAW-Komponente kann einen einzelnen Chip umfassen. Die BAW-Komponente kann ein oder mehrere BAW-Resonatoren auf einem Substrat, wie etwa einem Siliziumsubstrat, aufweisen. Die ein oder mehreren BAW-Resonatoren können von einer Kappe der BAW-Komponente umschlossen sein. Die Kappe kann ein anderes Siliziumsubstrat sowie Seitenwände aufweisen. Die Kappe kann eine hermetische Versiegelung um die ein oder mehreren BAW-Resonatoren herum bilden. Die Seitenwände können beispielsweise Kupfer aufweisen.
BAW-Komponenten können hergestellt werden, indem verbundene Wafer mit einem Hohlraum zwischen den Wafern zersägt werden. In einem Teil der BAW-Komponenten traten Absplitterungen auf der dem Hohlraum zugewandten Seite auf. Im Falle verhältnismäßig großer Chips kann eine hermetische Versiegelung um BAW-Resonatoren herum gebrochen werden. Um das Risiko von Absplitterungen zu vermindern und/oder zu eliminieren, kann zwischen einer Kante einer BAW-Komponente und dem versiegelten Bereich ein Abstand belassen werden. Der Abstand kann beispielsweise zwischen 15 und 20 Mikron bzw. Mikrometer von einer Seitenwand einer Kappe bis zu einer gesägten Kante einer BAW-Komponente betragen. Der Abstand kann Baufläche von BAW-Komponenten verbrauchen.
Aspekte dieser Offenbarung beziehen sich auf ein Plasmaschneideverfahren für akustische Volumenwellenkomponenten. Eine Pufferschicht kann über akustischen Volumenwellenkomponenten gebildet werden, um eine Umverdrahtungsschicht abzudecken. Die Pufferschicht kann dergestalt gebildet werden, dass Straßen für Schnitte freigelegt werden. Die Pufferschicht kann als eine Maskierungsschicht für ein Plasmaschneiden dienen. BAS-Komponenten können durch Plasmaschneiden vereinzelt werden. Plasmaschneiden kann im Vergleich zu anderen Schneide- oder Sägetechniken wie etwa Schneiden mit einer Klinge oder Laserschneiden zu weniger Absplitterungen von BAW-Komponenten führen. Beim Plasmaschneiden kann eine Seitenwand einer Kappe, welche ein oder mehrere BAW-Resonatoren einschließt, näher an einer Schnittkante der BAW-Komponente liegen als bei anderen Schneide- oder Sägetechniken, ohne das Risiko des Auftretens von Absplitterungen bei BAW-Komponenten zu erhöhen. Plasmaschneiden kann ein Schneiden durch einen oberen und einen unteren Wafer über einen Hohlraum hinweg beinhalten. Der obere Wafer und der untere Wafer können Siliziumwafer sein.
Bei der Nutzung von Plasmaschneiden kann die Baugröße von BAW-Komponenten vermindert werden. Wenn der Abstand zwischen einer Seitenwand der Kappe und einer Kante der BAW-Komponente geringer wird, können mehr BAW-Komponenten auf einem Wafer angeordnet werden. Darüber hinaus können die BAW-Komponenten weniger Bauraum auf Modulen belegen.
Klingenschneidetechniken erzeugen üblicherweise scharfe Schnittkanten und können zu seitlichen Spannungen beim Klingenschneiden eines Chips führen. Das kann zu Brüchen und/oder Absplitterungen an der scharfen Schnittkante einer mit einer Klinge geschnittenen Komponente führen. Beim Plasmaschneiden kann ein Schnittmuster über einen photolithographischen Prozess erzeugt werden und mechanische Belastungen während des Plasmaschneidens größtenteils vermieden werden. Demgemäß kann mit Plasmaschneiden eine scharfe Schnittkante beibehalten werden, während Schäden, die sich durch mechanisches Versagen ergeben würden, verringert und/oder vermieden werden können. In bestimmten Fällen kann ein Plasmaschneiden bei BAW-Komponenten Ecken erzeugen, die abgerundeter sind und in im Vergleich zu mechanischen Bruchtechniken zuverlässigerem Leistungsverhalten resultieren. Abgerundete Ecken können das Risiko vermindern und/oder eliminieren, dass BAW-Komponenten brechen und/oder splittern.
Unter Nutzung der hierin offenbarten Herstellungsverfahren kann die Ausbeute an BAW-Komponenten aus einem einzelnen Wafer in bestimmten Fällen um etwa 10% bis 18% gegenüber herkömmlichen Herstellungsverfahren gesteigert werden. Die Ausbeuteverbesserung kann Herstellungskosten senken. Herstellungskosten können aufgrund der verbesserten Ausbeute sogar dann gesenkt werden, wenn höhere Kosten durch zusätzliche Verfahrensschritte und/oder Anlagenanschaffungskosten anfallen.
Verfahren zur Herstellung von BAW-Komponenten mittels Plasmaschneiden werden offenbart. 1 zeigt ein Ablaufdiagramm eines beispielhaften Prozesses 10 zur Herstellung von akustischen Volumenwellenkomponenten gemäß einer Ausführungsform. Der Prozess 10 wird unter Bezugnahme auf die in 2A bis 2E veranschaulichen Querschnittsanschichten beschrieben werden. Jedwedes der hierin erläuterten Verfahren kann mehr oder weniger Verfahrensschritte aufweisen und die Verfahrensschritte können in beliebiger Reihenfolge, je nach Eignung, ausgeführt werden.
Der Prozess 10 umfasst bei Block 12 ein Bereitstellen eines Substrats mit einer oder mehreren BAW-Resonatoren, die innerhalb einer Kappe eingeschlossen sind. Das Substrat kann ein Siliziumsubstrat sein. Die Kappe kann Seitenwände und ein zweites Substrat aufweisen, die zusammen den einen oder die mehreren BAW-Resonatoren einschließen. Die ein oder mehreren BAW-Resonatoren können einen akustischen Dünnschichtvolumenwellenresonator („film bulk acoustic wave resonator“, FBAR) und/oder einen fest montierten Resonator („solidly mounted resonator“, SMR) aufweisen.
Eine Umverdrahtungsschicht wird bei Block 14 über dem Substrat gebildet. Die Umverdrahtungsschicht umfasst einen Leiter, welcher sich lateral bzw. entlang der Substratoberfläche von einem Durchgangsloch durch das Substrat weg erstreckt. Die Umverdrahtungsschicht kann als Verdrahtungsschicht bezeichnet werden. Die Umverdrahtungsschicht kann durch die gleichen Verarbeitungsschritte gebildet werden, die für ein Bilden einer leitfähigen Schicht in ein oder mehreren der Durchgangslöcher durch das Substrat einer BAW-Komponente verwendet werden. weg. Die Umverdrahtungsschicht und die leitfähige Schicht können beispielsweise etwa 5 Mikron bzw. Mikrometer dick sein. Lötmaterial kann über einem Teil der Umverdrahtungsschicht ausgebildet werden. Die Umverdrahtungsschicht kann eine elektrische Verbindung zwischen der leitfähigen Schicht in einem Durchgangslöcher durch das Substrat und Lötmaterial der BAW-Komponente schaffen. Mittels der Umverdrahtungsschicht kann Lötmaterial über jedem geeigneten Teil eines Substrats gebildet werden. Beispielsweise kann das Lötmaterial seitlich beabstandet von einem Durchgangsloch durch das Substrat ausgebildet werden. Das Lötmaterial und das Durchgangsloch durch das Substrat überlappen sich in bestimmten Varianten nicht.
2A veranschaulicht eine Querschnittsansicht einer Vielzahl von BAW-Komponenten gemeinsam mit der Umverdrahtungsschicht, die bei Block 14 des Verfahrens 10 gebildet wird. Wie in 2A dargestellt, ist die Vielzahl von BAW-Komponenten noch nicht vereinzelt worden. 2A veranschaulicht ein Kappensubstrat 21, ein Substrat 22, Seitenwände 23, BAW-Resonatoren 24, Lufthohlräume 25, Durchgangslöcher bzw. Vias 26 durch das Substrat, eine leitfähige Schicht 27 in entsprechenden Durchgangslöchern bzw. Vias 26 durch das Substrat, eine Umverdrahtungsschicht 28 und Elektroden 29. Bevor individuelle BAW-Komponenten vereinzelt werden, umfasst ein erster Wafer das Substrat 22 jeder der individuellen BAW-Komponenten und einen zweiten Wafer umfasst das Kappensubstrat 21 jeder der individuellen BAW-Komponenten. Wie dargestellt ist der erste Wafer mit dem zweiten Wafer verbunden bzw. an letzteren gebonded.
Die BAW-Resonatoren 24 sind innerhalb einer Kappe eingeschlossen, die das Kappensubstrat 21 und Seitenwände 23 beinhaltet. Die BAW-Resonatoren 24 werden innerhalb der Kappe eingeschlossen, bevor die Umverdrahtungsschicht 28 ausgebildet wird. Wie dargestellt können eine Verbindungsschicht 30 und eine Kappenschicht 31 zwischen dem Substrat 22 und der Seitenwand 23 angeordnet werden. Die Verbindungsschicht 30 kann eine Goldschicht sein. Die Kappenschicht 31 kann eine Zinnkappenschicht sein. Die Kappe bildet eine hermetische Versiegelung um die BAW-Resonatoren 24 aus. Dementsprechend kann ein Lufthohlraum 25 innerhalb der Kappe um die BAW-Resonatoren 24 mit eingeschlossen sein. In manchen Fällen kann eine BAW-Komponente 10 bis 50 BAW-Resonatoren 24 aufweisen, die innerhalb einer Kappe eingeschlossen sind. Die BAW-Resonatoren 24 können ein oder mehrere FBARs aufweisen. Alternativ oder zusätzlich dazu können die BAW-Resonatoren 24 ein oder mehrere SMRs aufweisen. Die BAW-Resonatoren 24 können in ein oder mehreren Filtern beinhaltet sein. Das Substrat 21 kann ein Siliziumsubstrat sein. Die Seitenwände können Kupfer aufweisen.
Die BAW-Resonatoren 24 sind auf dem Substrat 22 gelegen und durch die Kappe eingeschlossen. Das Substrat 22 kann ein Siliziumsubstrat sein. Die leitfähige Schicht 27 in den Durchgangslöchern bzw. Vias 26 durch das Substrat können eine elektrische Verbindung zwischen einem oder mehreren der BAW-Resonatoren 24 und Elementen auf einer gegenüberliegenden Seite des Substrats 22 schaffen. Wie dargestellt liegt die Umverdrahtungsschicht 28, welche bei Block 14 gebildet wird, über dem Substrat 22 und erstreckt sich lateral von den Durchgangslöchern bzw. Vias 26 durch das Substrat weg. Demgemäß können Elektroden 29 über der Umverdrahtungsschicht 28 und seitlich von den Durchgangslöchern bzw. Vias 26 durch das Substrat weg gebildet werden. Die Umverdrahtungsschicht 28 liegt auf einer den BAW-Resonatoren 24 gegenüberliegenden Seite des Substrats 22. Die Elektroden 29 stellen Anschlüsse für externe Verbindungen zu BAW-Komponenten bereit. Mittels der Umverdrahtungsschicht 28 können die Elektroden 29 an jeder geeigneten Stelle einer BAW-Komponente angeordnet werden. Die Umverdrahtungsschicht 28 kann für eine Abschirmung sorgen. Die Umverdrahtungsschicht 28 kann die BAW-Resonatoren 24 von externen Komponenten abschirmen und umgekehrt.
Wieder Bezug nehmend auf 1, wird bei Block 16 eine Pufferschicht über dem Substrat ausgebildet, so dass Straßen freigelegt werden. Die Pufferschicht kann über einen photolithographischen Prozess ausgebildet werden. Das Ausbilden der Pufferschicht kann ein Abscheiden einer Schicht an Puffermaterial, was bestimmte Bereiche über dem Puffermaterial maskiert, und ein Bescheinen mit Licht zur Entfernung des Puffermaterials über den Straßen beinhalten. Eine Oberfläche des Substrats kann entlang der Straßen freigelegt werden. Die Pufferschicht kann für eine Einkapselung von BAW-Komponenten auf einer dem Kappensubstrat gegenüberliegenden Seite sorgen. Die Pufferschicht kann bei Block 14 über der Umverdrahtungsschicht ausgebildet werden.
2B veranschaulicht eine Querschnittsansicht von BAW-Komponenten, die eine bei Block 16 des Verfahrens 10 gebildete Pufferschicht 32 aufweist. Die Pufferschicht 32 liegt über dem Substrat 22. Die Pufferschicht 32 liegt auf einer den BAW-Resonatoren 24 gegenüberliegenden Seite des Substrats 22. Ein Teil der Pufferschicht 32 liegt innerhalb von Durchgangslöchern bzw. Vias 26 durch das Substrat. Die Pufferschicht 32 liegt auch über Teilen der Umverdrahtungsschicht 28. Wie in 2B dargestellt ist die Pufferschicht 32 so ausgebildet, dass die Elektroden 29 freigelegt bleiben. Die Pufferschicht 32 umfasst ein Material, welches als Ätzmaske, welches einem Ätzen widersteht, während das Substrat 22 plasmageschnitten wird. Beispielsweise kann die Pufferschicht 32 aus einem Material sein, welches weniger als Silizium geätzt wird, während Silizium bei einem Substrat 22 geätzt wird, welches ein Siliziumsubstrat ist. Üblicherweise ist eine Ätzrate der Pufferschicht 32 über 30-fach langsamer im Vergleich zu einer Ätzrate von Silizium. Daher ist eine typische Dicke für Pufferschichten ausreichend beim Plasmaschneiden von Wafern. Die Pufferschicht 32 kann eine Polyimidschicht, eine Phenolharzschicht wie etwa eine Phenolharzschicht mit Gummifüllung, oder jede andere geeignete Pufferschicht sein. Die Straßen 34 erleichtern das Schneiden der BAW-Komponenten.
2C veranschaulicht eine vergrößerte Teildarstellung 35 der in 2B dargestellten BAW-Komponenten. Wie dargestellt können die Straßen 34 eine Dicke D_S aufweisen. Die Dicke D_S ist für ein Plasmaschneiden wie dargestellt geeignet. Die Dicke D_S der Straßen 34 kann in einem Bereich von etwa 10 Mikron bis etwa 20 Mikron liegen, insbesondere in einem Bereich zwischen 10 Mikron und 15 Mikron. In einem Beispiel kann die Dicke D_S der Straßen 34 etwa 15 Mikron betragen. 2C veranschaulicht auch, dass eine Verbindungsschicht 30 und eine Kappenschicht 31 zwischen dem Substrat 22 und der Seitenwand 23 gelegen sein können.
Wieder Bezug nehmend auf 1, werden bei Block 18 die BAW-Komponenten entlang der freigelegten Straßen mit Plasma geschnitten. Dies vereinzelt die BAW-Komponenten. Mit anderen Worten werden die BAW-Komponenten voneinander durch Plasmaschneiden in individuelle BAW-Komponenten getrennt. Das Plasmaschneiden kann ein Trockenätzen durch ein Substrat, auf dem die BAW-Resonatoren liegen, und durch ein Kappensubstrat beinhalten. Zwischen dem Substrat und dem Kappensubstrat unter der Straße (z.B. wie in 2B gezeigt) kann ein Hohlraum während des Ätzens liegen. In einem Beispiel können das Substrat und das Kappensubstrat beide Siliziumsubstrate sein, die mit einer Rate von etwa 20 Mikron pro Minute geätzt werden. In diesem Beispiel können das Substrat und das Kappensubstrat zusammengenommen etwa 200 Mikron Dicke aufweisen, und es kann etwa 10 Minuten dauern, um durch etwa 200 Mikron Silizium durchzuätzen. Unter Verwendung von Plasmaschneiden können Absplitterungen von vereinzelten BAW-Komponenten im Vergleich zu anderen Schneidetechniken wie etwa Klingenschneiden oder Laserschneiden verringert werden. Für ein Plasmaschneiden kann ein photolithographischer Prozess jedes geeignete Straßenmuster nachbilden. In bestimmten Fällen kann dies zu abgerundeten Ecken für vereinzelte BAW-Komponenten führen. Derartige abgerundete Ecken können das Risiko vermindern, dass die BAW-Komponente bricht und/oder absplittert, so dass die Ausfallsicherheit der BAW-Komponente verbessert wird.
2D veranschaulicht eine Querschnittsansicht der BAW-Komponenten nach dem Plasmaschneiden bei Block 18 des Verfahrens 10. Plasmaschneiden entlang von Straßen kann Teile des Substrats 22 und des Kappensubstrats 21 entfernen, um dadurch individuelle BAW-Komponenten zu vereinzeln. Eine Vielzahl von vereinzelten BAW-Komponenten 36 ist in 2D gezeigt. Klebeband 37 kann die vereinzelten BAW-Komponenten 36 zusammenhalten. Das Klebeband 37 kann auf die BAW-Komponenten vor dem Plasmaschneiden auflaminiert werden.
2E veranschaulicht eine vergrößerte Teildarstellung 38 der in 2D dargestellten vereinzelten BAW-Komponenten 36. Wie dargestellt kann ein Abstand D_E von einer Seitenwand 23 bis zu einer Kante des Substrats 22 einer vereinzelten BAW-Komponente 36 verhältnismäßig klein sein. Unter Verwendung einer Pufferschicht als Maskierung für das Plasmaschneiden kann ein photolithographischer Prozess genutzt werden. Daher sorgt das Plasmaschneiden für eine höher Genauigkeit im Vergleich zu anderen Schneidetechniken wie etwa Klingenschneiden oder Laserschneiden mit einer mechanischen Systemgenauigkeit. Plasmaschneiden kann beispielsweise mit einer Genauigkeit von +/- 2 Mikron durchgeführt werden. Im Gegensatz dazu beträgt die mechanische Genauigkeit im Falle von Klingenschneiden +/- 10 Mikron und es können 5 bis 10 Mikron große Absplitterungen auftreten. Mit der verbesserten Genauigkeit und dem verminderten Risiko von Absplitterungen kann der Abstand D_E von einer Seitenwand 23 bis zu einer Kante des Substrats 22 einer vereinzelten BAW-Komponente 36 beim Plasmaschneiden verringert werden. Der Abstand D_E von einer Seitenwand 23 bis zu einer Kante des Substrats 22 der vereinzelten BAW-Komponente 36 kann weniger als 5 Mikron betragen. Der Abstand D_E kann weniger als 3 Mikron betragen. In einem Beispiel kann der Abstand D_E etwa 2,5 Mikron betragen. Der Abstand D_E ist, wie dargestellt, größer als Null. In manchen Fällen kann der Abstand D_E in einem Bereich zwischen 1 Mikron und 5 Mikron liegen, insbesondere in einem Bereich zwischen 1 Mikron und 3 Mikron. Die Seitenwand 23 und die Kante des Substrats 22 können in bestimmten Fällen in einer vereinzelten BAW-Komponente im Wesentlichen bündig miteinander abschließen.
Dementsprechend kann der Abstand zwischen entsprechenden Seitenwänden 23 benachbarter BAW-Komponenten auf einem Wafer beim Plasmaschneiden geringer sein. Ein Abstand Dsw zwischen Seitenwänden 23 entsprechender benachbarter vereinzelter BAW-Komponenten entspricht der Summe der Straßendicke D_S und dem doppelten Abstand D_E in 2E. Der Abstand D_SW kann zum Beispiel in einem Bereich zwischen etwa 10 Mikron und etwa 30 Mikron liegen. In manchen Fällen kann der Abstand Dsw in einem Bereich zwischen etwa 10 Mikron und etwa 20 Mikron liegen. Zum Beispiel kann die Straßendicke D_S etwa 15 Mikron betragen und der Abstand D_E kann etwa 2,5 Mikron betragen, was einen Abstand Dsw von etwa 20 Mikron in der in 2E gezeigten Querschnittsdarstellung ergeben würde.
3A zeigt ein Querschnittsschaubild einer akustischen Volumenwellenkomponente 40 gemäß einer Ausführungsform. Die BAW-Komponente 40 kann durch ein Plasmaschneiden aufweisendes Verfahren hergestellt werden. Zum Beispiel kann die akustische Volumenwellenkomponente 40 einer vereinzelten BAW-Komponente entsprechen, die mit dem Verfahren 10 der 1 hergestellt worden ist.
Wie in 3A gezeigt, kann der Abstand D_E von einer Seitenwand 23 bis zu einer Kante des Substrats 22 einer vereinzelten BAW-Komponente 40 als Ergebnis des Plasmaschneidens verhältnismäßig klein sein. Der Abstand D_E kann in jedem der hierin offenbarten Bereiche liegen und/oder jeden der hierin offenbarten Werte aufweisen, wie zum Beispiel im Zusammenhang mit 2E beschrieben. In der dargestellten BAW-Komponente 40 sind BAW-Resonatoren 24 sind innerhalb einer Kappe eingeschlossen, die ein Kappensubstrat 21 und Seitenwände 23 beinhaltet. Die BAW-Resonatoren 24 können manche oder alle Resonatoren eines oder mehrere akustischer Wellenfilter bilden. Es kann jede geeignete Anzahl an BAW-Resonatoren 24 vorhanden sein, die innerhalb der Kappe der BAW-Komponente 40 eingeschlossen sind. Beispielsweise können 10 bis 50 BAW-Resonatoren 24 innerhalb der Kappe der BAW-Komponente 40 eingeschlossen sein. Die BAW-Resonatoren 24 können elektrisch mit einer Elektrode 29 über eine leitfähige Schicht 27 in einem Durchgangsloch bzw. Via 26 durch das Substrat und eine Umverdrahtungsschicht 28 verbunden sein. Die Pufferschicht 32 erstreckt sich über die Umverdrahtungsschicht 28 und ist innerhalb des Durchgangslochs 26 durch das Substrat in der BAW-Komponente 40 enthalten.
3B zeigt ein Querschnittsschaubild einer akustischen Volumenwellenkomponente 42 gemäß einer Ausführungsform. Die BAW-Komponente 42 kann durch ein Plasmaschneiden aufweisendes Verfahren hergestellt werden. Zum Beispiel kann die akustische Volumenwellenkomponente 42 einer vereinzelten BAW-Komponente entsprechen, die mit dem Verfahren 10 der 1 hergestellt worden ist. Die BAW-Komponente 42 entspricht der BAW-Komponente 40 der 3A, mit der Ausnahme, dass die BAW-Komponente 42 ein Durchgangsloch bzw. Via 26 aufweist, welches mit einer leitfähigen Schutzschicht 43 statt einer leitfähigen Schicht 27 gefüllt ist. Die leitfähige Schutzschicht 43 kann beispielsweise eine Kupferschicht sein. Die akustische Volumenwellenkomponente 42 veranschaulicht, dass das Durchgangsloch 26 mit einer leitfähigen Schutzschicht 43 gefüllt sein kann.
Ein oder mehrere akustische Volumenwellenresonatoren einer akustischen Volumenwellenkomponente mit jeder geeigneten Kombination an hierin offenbarten Merkmalen können in einem Filter angeordnet werden, welcher dazu ausgelegt ist, ein Hochfrequenzsignal in einem Betriebsband des Neuen Funks der fünften Generation („fifth generation (5G) New Radio (NR)“) innerhalb des Frequenzbereichs 1 („Frequency Range 1“ ,FR1) zu filtern. Ein Filter, welcher dazu ausgelegt ist, ein Hochfrequenzsignal in einem 5G-NR-Betriebsband zu filtern, kann ein oder mehrere akustische Volumenwellenresonatoren jedweder akustischen Volumenwellenkomponente wie hierin offenbart aufweisen. FR1 kann beispielsweise zwischen 410 Megahertz (MHz) und 7,125 Gigahertz (GHz) liegen, wie in einer aktuellen 5G-NR-Spezifikation festgelegt. Ein oder mehrere akustische Volumenwellenresonatoren einer akustischen Volumenwellenkomponente in Übereinstimmung mit jedem geeigneten der hierin offenbarten Prinzipien und Vorteilen können in einem Filter angeordnet werden, welcher dazu ausgelegt ist, ein Hochfrequenzsignal in einem Betriebsband von Long Term Evolution (LTE) der vierten Generation („fourth generation“, 4G) zu filtern, und/oder in einem Filter mit einem Durchlassband welches zumindest ein 4G-LTE-Betriebsband und zumindest ein 5G-NR-Betriebsband überspannt, angeordnet werden.
4 zeigt eine schematische Darstellung eines Sendefilters 45, welcher akustische Volumenwellenresonatoren einer akustischen Volumenwellenkomponente gemäß einer Ausführungsform aufweist. Der Sendefilter 45 kann ein Bandpassfilter sein. Der dargestellte Sendefilter 45 ist dazu ausgelegt, ein Hochfrequenzsignal zu filtern, welches an einem Sendeanschluss TX empfangen wird, und ein gefiltertes Ausgangssignal an einem Antennenanschluss ANT bereitzustellen. Der Sendefilter 45 umfasst Reihen-BAW-Resonatoren TS1, TS2, TS3, TS4, TS5, TS6 und TS7, Shunt-BAW-Resonatoren TP1, TP2, TP3, TP4 und TP5, eine Reiheneingangsinduktivität L1 und eine Shunt-Induktivität L2. Einige oder alle der BAW-Resonatoren TS1 bis TS7 und/oder TP1 bis TP5 können in einer in Übereinstimmung mit jedem geeigneten der hierin offenbarten Prinzipien und Vorteilen gestalteten BAW-Komponente beinhaltet sein. Beispielsweise können die BAW-Komponente 40 der 3A oder die BAW-Komponente 42 der 3B alle der BAW-Resonatoren des Sendefilters 45 aufweisen. In bestimmten Fällen kann eine in Übereinstimmung mit jedem geeigneten der hierin offenbarten Prinzipien und Vorteilen gestaltete BAW-Komponente BAW-Resonatoren von zwei oder mehr akustischen Wellenfiltern aufweisen. Jede geeignete Anzahl von Reihen-BAW-Resonatoren und Shunt-BAW-Resonatoren können in einem Sendefilter 45 beinhaltet sein.
5 zeigt eine schematische Darstellung eines Empfangsfilters 50, welcher akustische Volumenwellenresonatoren einer akustischen Volumenwellenkomponente gemäß einer Ausführungsform aufweist. Der Empfangsfilter 50 kann ein Bandpassfilter sein. Der dargestellte Empfangsfilter 50 ist dazu ausgelegt, ein Hochfrequenzsignal zu filtern, welches an einem Antennenanschluss ANT empfangen wird, und ein gefiltertes Ausgangssignal an einem Empfangsanschluss RX bereitzustellen. Der Empfangsfilter 50 umfasst Reihen-BAW-Resonatoren RS1, RS2, RS3, RS4, RS5, RS6, RS7 und RS8, Shunt-BAW-Resonatoren RP1, RP2, RP3, RP4 und RP5, eine Shunt-Induktivität L2 und eine Reihenausgangsinduktivität L3. Einige oder alle der BAW-Resonatoren RS1 bis RS8 und/oder RP1 bis RP5 können in einer in Übereinstimmung mit jedem geeigneten der hierin offenbarten Prinzipien und Vorteilen gestalteten BAW-Komponente beinhaltet sein. Beispielsweise können die BAW-Komponente 40 der 3A oder die BAW-Komponente 42 der 3B alle der BAW-Resonatoren des Empfangsfilters 50 aufweisen. Jede geeignete Anzahl von Reihen-BAW-Resonatoren und Shunt-BAW-Resonatoren können in einem Empfangsfilter 50 beinhaltet sein.
6 zeigt eine schematische Darstellung eines Hochfrequenzsystems 60, welches eine akustische Volumenwellenkomponente gemäß einer Ausführungsform aufweist. Wie dargestellt, umfasst das Hochfrequenzsystem 60 eine Antenne 62, einen Antennenschalter 64, Multiplexer 65 und 66, Filter 67 und 68, Leistungsverstärker 70, 72 und 74 und einen Auswahlschalter 73, Die Leistungsverstärker 70, 72 und 74 sind jeweils dazu eingerichtet, ein Hochfrequenzsignal zu verstärken. Der Auswahlschalter 73 kann einen Ausgang des Leistungsverstärkers 72 mit einem ausgewählten Filter elektrisch verbinden. Ein oder mehrere Filter des Multiplexers 65 und/oder des Multiplexers 66 können einen oder mehrere BAW-Resonatoren einer in Übereinstimmung mit jedem geeigneten der hierin offenbarten Prinzipien und Vorteilen gestalteten BAW-Komponente aufweisen. In bestimmten Fällen kann eine BAW-Komponente einen oder mehrere Filter eines Multiplexers aufweisen. Auch wenn die in 6 dargestellten Multiplexer einen Quadplexer und einen Duplexer aufweisen, können ein oder mehrere BAW-Resonatoren einer BAW-Komponente in jedem anderen geeigneten Multiplexer umfasst sein, wie etwa einem Triplexer, einem Hexaplexer, einem Oktoplexer oder dergleichen. Der Antennenschalter kann ein oder mehrere Filter und/oder ein oder mehrere Multiplexer mit der Antenne 62 selektiv elektrisch verbinden.
Die hierin erläuterten BAW-Komponenten können in einer Vielzahl von gehäusten Modulen implementiert werden. Diese BAW-Komponenten können weniger Bauraum in gehäusten Modulen verbrauchen als ähnliche Module, die unter Verwendung von Laserschneiden geschnitten worden sind. Ein gehäustes Modul, welches dazu ausgelegt ist, ein Hochfrequenzsignal zu verarbeiten, kann als Hochfrequenzmodul bezeichnet werden. Einige Hochfrequenzmodule sind Frontend-Module. Hochfrequenzmodule, welche eine in Übereinstimmung mit jedem geeigneten der hierin offenbarten Prinzipien und Vorteilen gestaltete BAW-Komponente aufweisen, können auch ein oder mehrere Hochfrequenzverstärker (z.B. ein oder mehrere Leistungsverstärker und/oder ein oder mehrere Verstärker mit geringem Rauschen („low noise amplifiers“, LNA)), ein oder mehrere Hochfrequenzschalter und dergleichen oder jede geeignete Kombination daraus aufweisen. Beispielhafte gehäuste Module werden nun erläutert, in denen jedes geeignete der hierin offenbarten Prinzipien und Vorteile der hierin erläuterten BAW-Komponenten implementiert werden kann. 7 und 8 sind schematische Darstellungen beispielhafter gehäuster Module gemäß bestimmter Ausführungsformen. Jede geeignete Kombination von Merkmalen dieser Ausführungsformen kann miteinander kombiniert werden.
7 zeigt eine schematische Darstellung eines Hochfrequenzmoduls 75, welches eine akustische Volumenwellenkomponente 76 gemäß einer Ausführungsform aufweist. Das dargestellte Hochfrequenzmodul 75 umfasst die BAW-Komponente 76 und andere Schaltungen 77. Die BAW-Komponente 76 kann jede geeignete Kombination von Merkmalen der hierin offenbarten BAW-Komponenten aufweisen. Die BAW-Komponente 76 kann einen BAW-chip aufweisen, welcher BAW-Resonatoren umfasst.
Die in 7 gezeigte BAW-Komponente 76 weist einen Filter 78 und Anschlüsse 79A und 79B auf. Der Filter 78 umfasst BAW-Resonatoren. Die Anschlüsse 79A und 79B können beispielsweise als ein Eingangskontakt und ein Ausgangskontakt dienen. Die BAW-Komponente 76 und die anderen Schaltungen 77 sind in 7 auf einem gemeinsamen Gehäusesubstrat 80 angebracht. Das Gehäusesubstrat 80 kann ein Laminatsubstrat sein. Die Anschlüsse 79A und 79B können elektrisch mit Kontakten 81A bzw. 81B auf dem Gehäusesubstrat 80 durch elektrische Verbinder 82A bzw. 82B verbunden sein. Die elektrischen Verbinder 82A und 82B können zum Beispiel Löthügel oder Drahtverbindungen sein. Die anderen Schaltungen 77 können jede geeignete Art zusätzlicher Schaltungen aufweisen. Beispielsweise können die anderen Schaltungen ein oder mehr Leistungsverstärker, ein oder mehr Hochfrequenzschalter, ein oder mehr zusätzliche Filter, ein oder mehr Verstärker mit geringem Rauschen oder dergleichen oder jede geeignete Kombination daraus aufweisen. Das Hochfrequenzmodul 75 kann ein oder mehrere Gehäusestrukturen aufweisen, um zum Beispiel für Schutz zu sorgen und/der die Handhabung des Hochfrequenzmoduls 75 zu vereinfachen. Eine derartige Gehäusestruktur kann eine Vergussstruktur aufweisen, die über dem Gehäusesubstrat ausgebildet ist. Die Vergussstruktur kann einige oder alle der Komponenten des Hochfrequenzmoduls 75 einhäusen.
8 zeigt eine schematische Darstellung eines Hochfrequenzmoduls 84, welches eine akustische Volumenwellenkomponente gemäß einer Ausführungsform aufweist. Wie dargestellt umfasst das Hochfrequenzmodul 84 Duplexer 85A bis 85N, welche entsprechende Sendefilter 86A1 bis 86N1 und entsprechende Empfangsfilter 86A2 bis 86N2, einen Leistungsverstärker 87, einen Auswahlschalter 88 und einen Antennenschalter 89. Das Hochfrequenzmodul 84 kann ein Gehäuse aufweisen, welches die dargestellten Elemente einschließt. Die dargestellten Elemente können auf einem gemeinsamen Gehäusesubstrat 80 aufgebracht werden. Das Gehäusesubstrat 80 kann beispielsweise ein Laminatsubstrat sein.
Die Duplexer 85A bis 85N können jeweils zwei akustische Wellenfilter aufweisen, die mit einem gemeinsamen Knoten gekoppelt sind. Die zwei akustischen Wellenfilter können ein Sendefilter und ein Empfangsfilter sein. Wie dargestellt können der Sendefilter und der Empfangsfilter jeweils Bandpassfilter sein, die dazu ausgelegt sind, ein Hochfrequenzsignal zu filtern. Ein oder mehrere der Sendefilter 86A1 bis 86N1 können ein oder mehrere BAW-Resonatoren einer in Übereinstimmung mit jedem geeigneten der hierin offenbarten Prinzipien und Vorteilen gestalteten BAW-Komponente aufweisen. Gleichermaßen können ein oder mehrere der Empfangsfilter 86A2 bis 86N2 ein oder mehrere BAW-Resonatoren einer in Übereinstimmung mit jedem geeigneten der hierin offenbarten Prinzipien und Vorteilen gestalteten BAW-Komponente aufweisen. Auch wenn 8 Duplexer zeigt, können jedwede geeigneten hierin offenbarten Prinzipien und Vorteile in anderen Multiplexer implementiert werden (z.B. Quadplexer, Hexaplexer, Oktoplexer etc.) und/oder in Schaltplexern.
Der Leistungsverstärker 87 kann ein Hochfrequenzsignal verstärken. Der dargestellte Schalter 88 ist ein Mehrfachwechsel-Hochfrequenzschalter. Der Schalter 88 kann einen Ausgang des Leistungsverstärkers 87 mit einem ausgewählten Sendefilter der Sendefilter 86A1 bis 86N1 elektrisch koppeln. In einigen Fällen kann der Schalter 88 den Ausgang des Leistungsverstärkers 87 mit mehr als einem der Sendefilter 86A1 bis 86N1 elektrisch koppeln. Der Antennenschalter 89 kann ein Signal von einem oder mehreren der Duplexer 85A bis 85N mit einem Antennenanschluss ANT selektiv koppeln. Die Duplexer 85A bis 85N können verschiedenen Frequenzbändern und/oder verschiedenen Betriebsmodi (z.B. verschiedene Leistungsmodi, verschiedenen Signalmodi etc.) zugeordnet sein.
9A ist ein schematisches Diagramm einer drahtlosen Kommunikationsvorrichtung 90, die Filter 93 in einem Hochfrequenz-Frontend 92 gemäß einer Ausführungsform beinhaltet. Die Filter 93 können BAW-Resonatoren einer BAW-Komponente gemäß den hier diskutierten geeigneten Prinzipien und Vorteilen beinhalten. Die drahtlose Kommunikationsvorrichtung 90 kann jede geeignete drahtlose Kommunikationsvorrichtung sein. So kann eine drahtlose Kommunikationsvorrichtung 90 beispielsweise ein Mobiltelefon sein, wie beispielsweise ein Smartphone. Wie dargestellt, beinhaltet die drahtlose Kommunikationsvorrichtung 90 eine Antenne 91, ein HF-Frontend 92, einen Sendeempfänger 94, einen Prozessor 95, einen Speicher 96 und eine Benutzerschnittstelle 97. Die Antenne 91 kann HF-Signale senden, die vom HF-Frontend 92 bereitgestellt werden. Solche HF-Signale können Trägeraggregationssignale beinhalten.
Das HF-Frontend 92 kann einen oder mehrere Leistungsverstärker, einen oder mehrere rauscharme Verstärker, einen oder mehrere HF-Schalter, einen oder mehrere Empfangsfilter, einen oder mehrere Sendefilter, einen oder mehrere Duplexfilter, einen oder mehrere Multiplexer, einen oder mehrere Frequenzmultiplexschaltungen oder eine beliebige Kombination davon beinhalten. Das HF-Frontend 92 kann HF-Signale senden und empfangen, die mit allen geeigneten Kommunikationsstandards assoziiert sind. Die Filter 93 können BAW-Resonatoren einer BAW-Komponente beinhalten, die jede geeignete Kombination von Merkmalen beinhaltet, die in Bezug auf die oben diskutierten Ausführungsformen diskutiert werden.
Der Sendeempfänger 94 kann HF-Signale an das HF-Frontend 92 zur Verstärkung und/oder anderen Verarbeitung bereitstellen. Der Sendeempfänger 94 kann auch ein HF-Signal verarbeiten, das von einem rauscharmen Verstärker des HF-Frontends 92 bereitgestellt wird. Der Sendeempfänger 94 ist in Kommunikation mit dem Prozessor 95. Der Prozessor 95 kann ein Basisbandprozessor sein. Der Prozessor 95 kann alle geeigneten Basisbandverarbeitungsfunktionen für die drahtlose Kommunikationsvorrichtung 90 bereitstellen. Auf den Speicher 96 kann der Prozessor 95 zugreifen. Der Speicher 96 kann alle geeigneten Daten für die drahtlose Kommunikationsvorrichtung 90 speichern. Die Benutzerschnittstelle 97 kann jede geeignete Benutzerschnittstelle sein, wie beispielsweise ein Display mit Touchscreen-Funktionalität.
9B ist ein schematisches Diagramm einer drahtlosen Kommunikationsvorrichtung 100, die Filter 93 in einem Hochfrequenz-Frontend 92 und ein zweites Filter 103 in einem Diversitäts-Empfangsmodul 102 beinhaltet. Die drahtlose Kommunikationsvorrichtung 100 ist wie die drahtlose Kommunikationsvorrichtung 90 von 9A, außer dass die drahtlose Kommunikationsvorrichtung 100 auch Diversitäts-Empfangsmerkmale beinhaltet. Wie in 9B dargestellt, beinhaltet die drahtlose Kommunikationsvorrichtung 100 eine Diversitäts-Antenne 101, ein Diversitäts-Modul 102, das konfiguriert ist, um von der Diversitäts-Antenne 101 empfangene Signale zu verarbeiten, und das Filter 103 beinhaltet, und einen Sendeempfänger 104, der sowohl mit dem Hochfrequenz-Frontend 92 als auch mit dem Diversitäts-Empfangsmodul 102 verbunden ist. Die Filter 103 können BAW-Resonatoren einer BAW-Komponente beinhalten, die jede geeignete Kombination von Merkmalen beinhaltet, die in Bezug auf alle vorstehend beschriebenen Ausführungsformen diskutiert werden.
Jede der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen kann in Verbindung mit mobilen Geräten wie z. B. Mobiltelefonen realisiert werden. Die Prinzipien und Vorteile der Ausführungsformen können für alle Systeme oder Vorrichtungen, wie beispielsweise jede zellulare Uplink-Vorrichtung, verwendet werden, die von einer der hier beschriebenen Ausführungsformen profitieren könnten. Die hier angegebenen Lehren gelten für eine Vielzahl von Systemen. Obwohl diese Offenbarung einige beispielhafter Ausführungsformen beinhaltet, können die hier beschriebenen Lehren auf eine Vielzahl von Strukturen angewendet werden. Jedes der hier beschriebenen Prinzipien und Vorteile kann in Verbindung mit HF-Schaltungen umgesetzt werden, die konfiguriert sind, um Signale mit einer Frequenz in einem Bereich von etwa 30 kHz bis 300 GHz zu verarbeiten, wie beispielsweise eine Frequenz in einem Bereich von etwa 450 MHz bis 8,5 GHz.
Aspekte dieser Offenbarung können in verschiedenen elektronischen Geräten umgesetzt werden. Beispiele für die elektronischen Vorrichtungen können unter anderem Unterhaltungselektronikprodukte, Teile der Unterhaltungselektronikprodukte wie Rohchip- (Die-) und/oder Akustikwellenfilteranordnungen und/oder verpackte Hochfrequenzmodule, drahtlose Uplink-Kommunikationsvorrichtungen, drahtlose Kommunikationsinfrastruktur, elektronische Prüfgeräte usw. sein, sind aber nicht darauf beschränkt. Beispiele für elektronische Geräte können unter anderem ein Mobiltelefon wie ein Smartphone, ein tragbares Computergerät wie eine intelligente Uhr oder ein Ohrstück, ein Telefon, ein Fernseher, ein Computermonitor, ein Computer, ein Modem, ein Handheld-Computer, ein Laptop, ein Tablet-Computer, ein Personal Digital Assistant (PDA), eine Mikrowelle, ein Kühlschrank, ein Automobil, eine Stereoanlage, ein DVD-Player, ein CD-Player, ein digitaler Musikplayer wie ein MP3-Player, ein Radio, ein Camcorder, eine Kamera, eine Digitalkamera, ein tragbarer Speicherchip, eine Waschmaschine, ein Trockner, eine Waschmaschine / Trockner, ein Kopierer, ein Faxgerät, ein Scanner, ein multifunktionales Peripheriegerät, eine Armbanduhr, eine Uhr, etc. sein Darüber hinaus können die elektronischen Geräte auch unfertige Produkte beinhalten.
Sofern der Kontext nicht eindeutig etwas anderes erfordert, sind die Worte „umfassen“, „umfassend“, „beinhalten“, „beinhaltend“ und dergleichen in einem integrativen Sinne auszulegen, im Gegensatz zu einem exklusiven oder erschöpfenden Sinne; das heißt, im Sinne von „einschließend“, aber nicht beschränkt auf. Das Wort „gekoppelt“, wie hier allgemein verwendet, bezieht sich auf zwei oder mehrere Elemente, die entweder direkt miteinander verbunden oder über ein oder mehrere Zwischenelemente verbunden sein können. Ebenso bezieht sich das Wort „verbunden“, wie es hier allgemein verwendet wird, auf zwei oder mehrere Elemente, die entweder direkt verbunden oder über ein oder mehrere Zwischenelemente verbunden sein können. Darüber hinaus beziehen sich die Worte „hier“, „über“, „unten“ und Worte von ähnlicher Bedeutung, wenn sie in dieser Beschreibung verwendet werden, auf diese Beschreibung als Ganzes und nicht auf einen bestimmten Teil dieser Beschreibung. Wenn der Kontext es zulässt, können Wörter in der obigen Detailbeschreibung mit der Einzahl- oder Mehrzahl auch die Mehrzahl oder Einzahl beinhalten. Das Wort „oder“ in Bezug auf eine Liste von zwei oder mehr Elementen deckt alle folgenden Interpretationen des Wortes ab: eines der Elemente in der Liste, alle Elemente in der Liste und jede Kombination der Elemente in der Liste.
Darüber hinaus soll die hier verwendete bedingte Sprache, wie unter anderem „kann“, „könnte“, „könnte möglicherweise“, „mag“, „z.B.“, „zum Beispiel“, „wie“ und dergleichen, sofern nicht ausdrücklich anders angegeben oder anderweitig im Rahmen des verwendeten Kontextes verstanden, im Allgemeinen angeben, dass bestimmte Ausführungsformen bestimmte Merkmale, Elemente und/oder Zustände beinhalten, während andere Ausführungsformen bestimmte Merkmale, Elemente und/oder Zustände nicht beinhalten. Daher ist eine solche bedingte Sprache im Allgemeinen nicht dazu gedacht, darauf hinzudeuten, dass Merkmale, Elemente und/oder Zustände in irgendeiner Weise für eine oder mehrere Ausführungsformen erforderlich sind.
Obwohl bestimmte Ausführungsformen beschrieben wurden, sind diese Ausführungsformen nur beispielhaft dargestellt worden und sollen den Umfang der Offenbarung nicht einschränken. Tatsächlich können die hier beschriebenen neuartigen Vorrichtungen, Verfahren und Systeme in einer Vielzahl anderer Formen umgesetzt; ferner können verschiedene Auslassungen, Ersetzungen und Änderungen in der Form der hier beschriebenen Verfahren und Systeme vorgenommen werden, ohne vom Grundgedanken der Offenbarung abzuweichen. Während beispielsweise Blöcke in einer bestimmten Anordnung dargestellt werden, können alternative Ausführungsformen ähnliche Funktionalitäten mit anderen Komponenten und/oder Schaltungstopologien durchführen, und einige Blöcke können weggelassen, verschoben, hinzugefügt, untergliedert, kombiniert und/oder modifiziert werden. Jeder dieser Blöcke kann auf Vielfalt von anderen Vorgehensweisen implementiert werden. Jede geeignete Kombination der Elemente und Handlungen der verschiedenen vorstehend beschriebenen Ausführungsformen kann zu weiteren Ausführungsformen kombiniert werden.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

US 62/747486 [0001]

Claims

Ein Verfahren (10) zur Herstellung vereinzelter akustischer Volumenwellenkomponenten (36; 40; 42), umfassend: Bilden (16) einer Pufferschicht (32) über einem Substrat (22) einer Anordnung von akustischen Volumenwellenkomponenten (36; 40; 42), um freigelegte Straßen (34) zwischen individuellen akustischen Volumenwellenkomponenten (36; 40; 42) zu bilden; und Plasmaschneiden (18) der akustischen Volumenwellenkomponenten (36; 40; 42) entlang der freigelegten Straßen (34), um dadurch die akustischen Volumenwellenkomponenten (36; 40; 42) zu vereinzeln.
Das Verfahren (10) gemäß Anspruch 1, wobei jede der vereinzelten akustische Volumenwellenkomponenten (36; 40; 42) einen akustischen Volumenwellenresonator (24) eine den akustischen Volumenwellenresonator (24) einschließende Kappe aufweist, und die Kappe eine Seitenwand (23) aufweist, die 5 Mikron oder weniger von einer Kante des Substrats (22) der jeweiligen vereinzelten akustischen Volumenwellenkomponente (36; 40; 42) entfernt ist.
Das Verfahren (10) gemäß Anspruch 2, wobei die Seitenwand (23) mindestens 1 Mikron von der Kante des Substrats (22) der jeweiligen vereinzelten akustischen Volumenwellenkomponente (36; 40; 42) entfernt liegt.
Das Verfahren (10) gemäß Anspruch 2 oder 3, wobei die Seitenwand (23) Kupfer aufweist.
Das Verfahren (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Plasmaschneiden ein Ätzen durch sowohl das Substrat (22) als auch ein Kappensubstrat (21) beinhaltet, und die akustische Volumenwellenkomponente (36; 40; 42) einen akustischen Volumenwellenresonator (24) aufweist, welcher über dem Substrat (22) und unter dem Kappensubstrat (21) gelegen ist.
Das Verfahren (10) gemäß Anspruch 5, wobei das Substrat (22) und das Kappensubstrat (21) Siliziumsubstrate sind.
Das Verfahren (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, weiterhin mit einem Ausbilden (14) eines Leiters (28) über dem Substrat (22), welcher sich lateral von einem Durchgangsloch (26), das sich durch das Substrat (22) erstreckt, weg erstreckt, und welcher elektrisch mit einer leitfähigen Schicht (27; 43) in dem Durchgangsloch (26) verbunden ist.
Das Verfahren (10) gemäß Anspruch 7, wobei das Ausbilden (16) der Pufferschicht (32) derart durchgeführt wird, dass die Pufferschicht (32) über zumindest einem Teil des Leiters (28) ausgebildet ist.
Das Verfahren (10) gemäß Anspruch 7 oder 8, weiterhin mit einem Ausbilden von Lötmaterial über dem Leiter (28), so dass das Lötmaterial sich nicht mit dem Durchgangsloch (26) überlappt.
Das Verfahren (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei das Substrat (22) ein Siliziumsubstrat ist.
Das Verfahren (10) gemäß Anspruch 10, wobei die Pufferschicht (32) ein Material ist, das während des Plasmaschneidens zumindest 30-fach langsamer ätzt als Silizium.
Das Verfahren (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei das Ausbilden (16) der Pufferschicht (32) ein Ausbilden der freigelegten Straßen (34) über einen photolithographischen Prozess umfasst.
Das Verfahren (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei die akustischen Volumenwellenkomponenten (36; 40; 42) jeweils einen akustischen Dünnschichtvolumenwellenresonator aufweisen.
Ein Verfahren (10) zur Herstellung vereinzelter akustischer Volumenwellenkomponenten (36; 40; 42), welches aufweist: Bereitstellen (12) eines ersten Wafers, welcher mit einem zweiten Wafer verbunden ist und auf welchem akustische Volumenwellenresonatoren (24) vorhanden sind, über denen und beabstandet von denen der zweite Wafer liegt; Bilden (16) einer Pufferschicht (32) auf einer Seite des ersten Wafers, die gegenüber den akustischen Volumenwellenresonatoren (24) liegt, so dass Straßen (34) freigelegt werden; und Plasmaschneiden (18) durch den ersten Wafer und den zweiten Wafer entlang der freigelegten Straßen (34), um dadurch vereinzelte akustische Volumenwellenkomponenten (36; 40; 42) zu bilden.
Das Verfahren (10) gemäß Anspruch 14, wobei erste Wafer und der zweite Wafer Siliziumwafer sind.
Das Verfahren (10) gemäß Anspruch 14 oder 15, wobei jede der vereinzelten akustische Volumenwellenkomponenten (36; 40; 42) einen akustischen Volumenwellenresonator (24) der akustischen Volumenwellenresonatoren und eine den akustischen Volumenwellenresonator (24) einschließende Kappe aufweist, eine Seitenwand (23) aufweist.
Das Verfahren (10) gemäß Anspruch 16, wobei die Seitenwand (23) in einem Bereich zwischen 1 Mikron und 5 Mikron von einer Kante eines einem Bereich des ersten Wafers vor dem Plasmaschneiden entsprechenden Substrats (22) der jeweiligen vereinzelten akustischen Volumenwellenkomponente (36; 40; 42) entfernt ist.
Ein Verfahren (10) zur Herstellung vereinzelter akustischer Volumenwellenkomponenten (36; 40; 42), welches aufweist: Bilden (16) einer Pufferschicht (32) über einem Siliziumsubstrat (22) akustischer Volumenwellenkomponenten (36; 40; 42), so dass Straßen (34) freigelegt werden; und Plasmaschneiden (18) der akustischen Volumenwellenkomponenten (36; 40; 42) entlang der freigelegten Straßen (34) um dadurch die akustischen Volumenwellenkomponenten (36; 40; 42) zu vereinzeln, welche jeweils einen akustischen Volumenwellenresonator (24) und eine den akustischen Volumenwellenresonator einschließende Kappe aufweisen, welche ein Siliziumkappensubstrat (21) und eine Seitenwand (23) aufweist, die in einem Bereich zwischen 1 Mikron und 5 Mikron von einer Kante des Siliziumsubstrats (22) der jeweiligen vereinzelten akustischen Volumenwellenkomponente (36; 40; 42) entfernt ist.
Das Verfahren (10) gemäß Anspruch 18, wobei die Seitenwand (23) Kupfer umfasst und die Pufferschicht (32) ein Harz umfasst.
Das Verfahren (10) gemäß Anspruch 18 oder 19, wobei der akustische Volumenwellenresonator (24) ein akustischer Dünnschichtvolumenwellenresonator ist.
Eine akustische Volumenwellenkomponente (36; 40; 42), umfassend: ein Substrat (22); zumindest einen akustischen Volumenwellenresonator (24) auf dem Substrat (22); und eine den zumindest einen akustischen Volumenwellenresonator (24) einschließende Kappe, welche eine Seitenwand (23) umfasst, die 5 Mikron oder weniger von der Kante des Substrats (22) beabstandet ist.
Die akustische Volumenwellenkomponente (36; 40; 42) gemäß Anspruch 21, wobei die Seitenwand (23) 3 Mikron oder weniger von der Kante des Substrats (22) beabstandet ist.
Die akustische Volumenwellenkomponente (36; 40; 42) gemäß Anspruch 21 oder 22, wobei die Seitenwand (23) mindestens 1 Mikron von der Kante des Substrats (22) beabstandet ist.
Die akustische Volumenwellenkomponente (36; 40; 42) gemäß einem der Ansprüche 21 bis 23, weiterhin mit einem Durchgangsloch (26), welches sich durch das Substrat (22) erstreckt, einer leitfähigen Schicht (27; 43) in dem Durchgangsloch (26), und einer Pufferschicht (32) in dem Durchgangsloch.
Die akustische Volumenwellenkomponente (36; 40; 42) gemäß einem der Ansprüche 21 bis 23, weiterhin mit einem Durchgangsloch (26), welches sich durch das Substrat (22) erstreckt, einem Leiter, welcher sich lateral von dem Durchgangsloch (26) weg erstreckt und mit einer leitfähigen Schicht (27; 43) in dem Durchgangsloch (26) elektrisch verbunden ist, und Lötmaterial auf dem Leiter, welches lateral neben dem Durchgangsloch (26) angeordnet ist.
Die akustische Volumenwellenkomponente (36; 40; 42) gemäß einem der Ansprüche 21 bis 25, wobei der zumindest eine akustische Volumenwellenresonator (24) einen akustischen Dünnschichtvolumenwellenresonator aufweist.
Die akustische Volumenwellenkomponente (36; 40; 42) gemäß einem der Ansprüche 21 bis 25, wobei zumindest eine akustische Volumenwellenresonator (24) einen fest montierten Resonator aufweist.
Die akustische Volumenwellenkomponente (36; 40; 42) gemäß einem der Ansprüche 21 bis 27, wobei das Substrat (22) ein Siliziumsubstrat ist.
Die akustische Volumenwellenkomponente (36; 40; 42) gemäß Anspruch 28, wobei ein oberer Bereich der Kappe ein Siliziumkappensubstrat (21) ist.
Die akustische Volumenwellenkomponente (36; 40; 42) gemäß einem der Ansprüche 21 bis 29, wobei die Seitenwand (23) Kupfer umfasst.
Die akustische Volumenwellenkomponente (36; 40; 42) gemäß einem der Ansprüche 21 bis 30, wobei der zumindest eine akustische Volumenwellenresonator (24) eine Vielzahl von akustischen Volumenwellenresonatoren umfasst, welche in einem Filter (45; 50; 78; 86A1; 86A2; 86N1; 86N2; 93; 103) zur Filterung eines Hochfrequenzsignals angeordnet sind.
Die akustische Volumenwellenkomponente (36; 40; 42) gemäß Anspruch 31, wobei die Vielzahl von akustischen Volumenwellenresonatoren (24) zumindest 10 akustische Volumenwellenresonatoren beinhaltet.
Eine akustische Volumenwellenkomponente (36; 40; 42), umfassend: ein Siliziumsubstrat (22); zumindest einen akustischen Volumenwellenresonator (24) auf dem Siliziumsubstrat (22); und eine den zumindest einen akustischen Volumenwellenresonator (24) einschließende Kappe, welche ein Silizium aufweisendes Kappensubstrat (21) und eine Seitenwand (23) aufweist, die von einer Kante des Siliziumsubstrats (22) um eine Distanz im Bereich zwischen 1 Mikron und 5 Mikron beabstandet ist.
Die akustische Volumenwellenkomponente (36; 40; 42) gemäß Anspruch 33, weiterhin mit einem Durchgangsloch (26), welches sich durch das Siliziumsubstrat (22) erstreckt, einer leitfähigen Schicht (27; 43) in dem Durchgangsloch, und einer Pufferschicht in dem Durchgangsloch.
Die akustische Volumenwellenkomponente (36; 40; 42) gemäß Anspruch 33, weiterhin mit einem Durchgangsloch (26), welches sich durch das Siliziumsubstrat (22) erstreckt, einem Leiter, welcher sich lateral von dem Durchgangsloch (26) und mit einer leitfähigen Schicht (27; 43) in dem Durchgangsloch (26) elektrisch verbunden ist, und Lötmaterial auf dem Leiter, welches lateral neben dem Durchgangsloch (26) angeordnet ist.
Die akustische Volumenwellenkomponente (36; 40; 42) gemäß einem der Ansprüche 33 bis 35, wobei die Seitenwand (23) Kupfer umfasst.
Die akustische Volumenwellenkomponente (36; 40; 42) gemäß einem der Ansprüche 33 bis 36, wobei der zumindest eine akustische Volumenwellenresonator (24) zumindest 10 akustische Volumenwellenresonatoren umfasst, welche in einem akustischen Wellenfilter (45; 50; 78; 86A1; 86A2; 86N1; 86N2; 93; 103) zur Filterung eines Hochfrequenzsignals angeordnet sind.
Ein drahtloses Kommunikationsgerät (90; 100), aufweisend: eine Antenne (91; 101); und eine akustische Volumenwellenkomponente (36; 40; 42) mit einem Substrat (22), akustischen Volumenwellenresonatoren (24) auf dem Substrat (22), und einer die akustischen Volumenwellenresonatoren (24) einschließenden Kappe, welche eine Seitenwand (23) aufweist, die von einer Kante des Substrats (22) um 5 Mikron oder weniger beabstandet ist, wobei die akustischen Volumenwellenresonatoren (24) in einem in kommunikativer Wirkverbindung mit der Antenne (91; 101) stehenden Filter (93; 103) angeordnet sind.
Das drahtlose Kommunikationsgerät (90; 100) gemäß Anspruch 38, wobei das drahtlose Kommunikationsgerät (90; 100) als Mobiltelefon ausgelegt ist.
Das drahtlose Kommunikationsgerät (90; 100) gemäß Anspruch 38 oder 39, weiterhin mit einem Hochfrequenzverstärker, welcher in kommunikativer Wirkverbindung mit dem Filter (93; 103) steht, und einem Schalter, der zwischen den Filter und die Antenne gekoppelt ist.